CN111357129A

CN111357129A - 框架一体型掩模

Info

Publication number: CN111357129A
Application number: CN201880057136.2A
Authority: CN
Inventors: 张泽龙; 李裕进
Original assignee: Wuluomao Materials Co ltd
Current assignee: Wuluomao Materials Co ltd
Priority date: 2017-09-18
Filing date: 2018-09-11
Publication date: 2020-06-30
Anticipated expiration: 2038-09-11
Also published as: CN111357129B; TWI778129B; WO2019054717A2; WO2019054717A3; TW201923113A; CN111357129A8

Abstract

本发明提供一种框架一体型掩模。本发明的框架一体型掩模，由多个掩模(100)和用于支撑掩模的框架(200)一体形成，其特征在于，框架(200)包括：边缘框架部(210)；以及至少一个第一栅格框架部(220)，其朝第一方向延伸形成，而且两端与边缘框架部(210)连接，各掩模(100)与框架(200)的上部一体地连接。

Description

框架一体型掩模

技术领域

本发明涉及一种框架一体型掩模，更具体地，涉及一种可以使框架与掩模构成一体并准确地进行各掩模间的对齐(alignment)的框架一体型掩模。

背景技术

最近，有关薄板制造中电铸(Electroforming)方法的研究正在进行。电铸方法通过阳极体、阴极体浸渍于电解液中并施加电源，从而使金属薄板电沉积于阴极体的表面，因此是一种能够制造极薄板并有望量产的方法。

另一方面，作为在OLED制造工序中形成像素的技术，主要是利用FMM(Fine MetalMask，精密金属掩模)法，通过该方法将薄膜的金属掩模(阴影掩模，Shadow Mask)紧贴在基板上并将有机物蒸镀于所需位置上。

在现有的OLED制造工序中，以棒状、板状等制造掩模后，使掩模焊接固定在OLED像素蒸镀框架上并使用。一个掩模可具有对应于一个显示器的多个单元。另外，为了制造大面积OLED，可使多个掩模固定在OLED像素蒸镀框架，在固定到框架上的过程中，会进行拉伸而使各掩模变得平坦。为了使掩模整体上变得平坦而调节拉伸力属于非常困难的作业。特别是为了一边使各单元都平坦化且一边对齐尺寸为数～数十μm的掩模图案，需要一边微细地调节施加于掩模各侧的拉伸力一边实时地确认对齐状态的高难度作业。

尽管如此，使多个掩模固定在一个框架的过程中，存在掩模间和掩模单元间无法很好地对齐的问题。另外，在将掩模焊接固定在框架的过程中，由于掩模膜的厚度过薄且面积大，因此，存在掩模因荷重而下垂或扭曲的问题。

在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30-50μm，而4K UHD、8K UHD高画质具有比之更高的～860PPI、～1600PPI等的分辨率。因此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对齐误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，收率可能极低。因此，需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并且使对齐精确的技术以及将掩模固定于框架的技术等。

发明内容

技术问题

因此，本发明为了解决如上所述的现有技术中的各种问题而提出的，其目的在于，提供一种掩模与框架可构成一体型结构的框架一体型掩模。

另外，本发明的目的在于提供一种可防止掩模下垂或扭曲等变形并准确地进行对齐的框架一体型掩模。

另外，本发明的目的在于提供一种可明显缩短制造时间并显著提高收率的框架及框架一体型掩模。

解决手段

本发明的上述目的可通过框架一体型掩模来实现，所述框架一体型掩模由多个掩模和用于支撑掩模的框架一体形成，所述框架包括：边缘框架部；以及至少一个第一栅格框架部，其朝向第一方向延伸形成，且两端与边缘框架部连接，而且各掩模与框架的上部一体地连接。

框架还可以包括至少一个第二栅格框架部，所述第二栅格框架部朝向与第一方向垂直的第二方向延伸形成，并与第一栅格框架部交叉，而且两端与边缘框架部连接。

框架可沿着第一方向、与第一方向垂直的第二方向中至少一方向具有多个掩模单元区域。

掩模单元区域可以为除了边缘框架部、第一栅格框架部及第二栅格框架部所占区域以外的中空状的区域。

各掩模单元区域可连接有各掩模。

各掩模可包括一个掩模单元。

各掩模可包括多个掩模单元。

框架沿着第一方向及第二方向具有n×m个(n、m为整数)掩模单元区域，而且框架的各掩模单元区域上连接有各掩模，多个掩模的掩模单元的数量总和可以大于n×m个。

多个掩模的掩模单元的数量总和可为n×m个的k倍(k为整数)。

框架可沿着与第一方向垂直的方向具有多个掩模单元区域，各掩模包括多个掩模单元，而且框架的各掩模单元区域可以连接有各掩模。

掩模可包括形成有多个掩模图案的掩模图案部，以及掩模图案部周边的虚设部，虚设部的至少一部分粘贴于框架。

边缘框架部与第一栅格框架部之间的间隔可等于第一栅格框架部与其相邻的第一栅格框架部之间的间隔。

边缘框架部可为四边形。

与长度方向垂直的第一栅格框架部的截面形状可以为三角形、四边形、或者边、角中至少一个为弧形的三角形、四边形。

边缘框架部的厚度比第一栅格框架部的厚度厚。

掩模及框架可为因瓦(invar)、超因瓦(super invar)、镍、镍钴中的任意一个材料。

粘贴于一个掩模单元区域的掩模与粘贴于所述掩模单元区域相邻的掩模单元区域的掩模之间的PPA(像素位置精度，pixel position accuracy)可以不超过3μm。

另外，本发明的上述目的可通过框架来实现，所述框架为可以粘贴多个掩模的框架，其包括：边缘框架部；以及至少一个第一栅格框架部，其朝第一方向延伸形成且两端与边缘框架部连接。

发明效果

根据如上所述的本发明，掩模与框架可构成一体型结构。

另外，本发明具有可防止掩模下垂或扭曲等变形，并准确地进行对齐的效果。

另外，本发明具有可明显缩短制造时间并显著提高收率的效果。

附图说明

图1是显示现有的用于OLED像素蒸镀的掩模的示意图。

图2是显示将现有的掩模粘贴于框架的过程的示意图。

图3是显示在拉伸现有的掩模的过程中发生单元间的对齐误差的示意图。

图4是显示根据本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图及侧截面图。

图5是显示本发明一实施例的框架的主视图及侧截面图。

图6是显示本发明一实施例的掩模的拉伸状态和将掩模对应至框架的单元区域的状态的示意图。

图7是显示本发明一实施例的将掩模对应于框架的单元区域并进行粘贴的过程的示意图。

图8是显示本发明各种实施例的掩模粘贴于框架的状态的局部放大截面图。

图9是显示本发明一实施例的使用框架一体型掩模的OLED像素蒸镀装置的示意图。

图10是显示本发明其他实施例的框架一体型掩模的主视图及侧截面图。

图11是显示本发明其他实施例的框架的主视图及侧截面图。

图12是显示本发明的另外其他实施例的框架一体型掩模的主视图及侧截面图。

图13是显示本发明的另外其他实施例的框架的主视图及侧截面图。

附图标记：

100、100’、100”…掩模

110…掩模膜

150…粘贴镀敷部

200、200’、200”…框架

210…边缘框架部

220…第一栅格框架部

230…第二栅格框架部

1000…OLED像素蒸镀装置

C…单元、掩模单元

CR…掩模单元区域

EM…共晶材料粘贴部

F1～F4…拉伸力

P…掩模图案

W…焊接

具体实施方式

以下本发明的详细说明将参照附图，所述附图用于图示作为本发明可实施的特定实施例的示例。这些实施例将以使本领域技术人员能够充分地实施本发明的程度进行详细说明。本发明的各种实施例应理解为互为不同但不相排斥。例如，在此记载的特定形状、结构及特性可将一实施例在不超出本发明的精神及范围的情况下实现为其他实施例。另外，公开的每一个实施例中的个别构成要素的位置或布置应理解为在不超出本发明精神及范围情况下可进行变更。因此，以下详细说明并非用于限定，只要能适当地说明，本发明的范围仅由所附的权利要求及其等同物限定。附图中类似的附图标记通过各个方面指代相同或类似的功能，为了方便起见，长度、面积及厚度等及其形态还可夸张表示。

下面，为了能够使本领域技术人员轻易地实施本发明，参照附图对本发明有关的优选实施例进行详细说明。

图1是显示现有的用于OLED像素蒸镀的掩模的示意图。

参照图1，现有的掩模10可制造成棒型(Stick-Type)或板型(Plate-Type)。图1的(a)中图示的掩模10为棒型掩模，可将棒两侧焊接固定在OLED像素蒸镀框架并使用。图1的(b)中图示的掩模100为板型(Plate-Type)掩模，可用于大面积像素形成工序。

掩模10的本体(Body)(或掩模膜11)可具有多个显示器单元C。一个单元C对应于一个智能手机等的显示器。单元C上以对应于显示器的各像素的形式形成有像素图案P。如果将单元C放大，则呈现对应于R、G、B的多个像素图案P。作为一示例，单元C上以具有70×140的分辨率的形式形成有像素图案P。即，各种像素图案P群聚而构成一个单元C，多个单元C可形成于掩模10上。

图2是显示将现有掩模10粘贴于框架20的过程的示意图。图3是显示现有拉伸F1～F2掩模的过程中发生单元间的对齐误差的示意图。以图1的(a)中所示的具有6个单元C(C1～C6)的棒型掩模10为例进行说明。

参照图2的(a)，首先，必须将棒型掩模10平坦地展开。随着向棒型掩模10的长轴方向施加拉伸力F1～F2而进行拉伸，从而使棒型掩模10展开。在该状态下将棒型掩模10装载于四角框状的框架20上。棒型掩模10的单元C1～C6将位于框架20的边缘内部的空白区部分。框架20可以为一个棒型掩模10的单元C1～C6位于边缘内部的空白区的尺寸，也可以为多个棒型掩模10的单元C1～C6位于边缘内部的空白区的尺寸。

参照图2的(b)，一边微细地调节施加于棒型掩模10各侧的拉伸力F1～F2一边进行对齐后，对棒型掩模10侧面的一部分进行焊接W，从而使棒型掩模10与框架20连接。图2的(c)显示已相互连接的棒型掩模10与框架的侧截面图。

参照图3，尽管微细地调节施加于棒型掩模10各侧的拉伸力F1～F2，但还会出现掩模单元C1～C3之间不能很好地对齐的问题。例如，单元C1～C3的图案P间距离D1～D1”、D2～D2”相互不同或图案P歪斜。棒型掩模10为包括多个(一示例为6个)单元C1～C6的大面积，而且具有数十μm级的非常薄的厚度，因此由于荷重容易下垂或扭曲。另外，为了使各单元C1～C6都变得平坦而调节拉伸力F1～F2的同时，通过显微镜实时地确认各单元C1～C6间的对齐状态是非常困难的作业。

因此，拉伸力F1～F2的微细误差会对棒型掩模10各单元C1～C3拉长或展开程度产生误差，从而产生掩模图案P间距离D1～D1”、D2～D2”不同的问题。当然，通过完美地对齐使误差变为0是很难的，但为了使尺寸为数～数十μm的掩模图案P对超高画质OLED的像素工序不产生坏影响，对齐误差优选不超过3μm。将如此相邻的单元间的对齐误差称作PPA(像素位置精度，pixel position accuracy)。

另外，将6～20个左右的多个棒型掩模10分别连接于一个框架20的同时，使多个棒型掩模10间及棒型掩模10的多个单元C～C6间准确地对齐也是非常困难的，对齐只会增加工序时间，并成为缩减生产率的重大原因。

基于此，本发明提出可使掩模100与框架200构成一体型结构的框架200以及框架一体型掩模。一体地形成于框架200的掩模100可防止下垂或扭曲等变形，并能够与框架200准确地对齐。另外，本发明具有可明显缩短将掩模100一体地连接于框架200的制造时间并显著地提高收率的优点。

图4是显示本发明一实施例的框架一体型掩模的主视图(图4的(a))及侧截面图(图4的(b))，图5是显示本发明一实施例的框架的主视图(图5的(a))及侧截面图(图5的(b))。

参照图4及图5，框架一体型掩模可包括多个掩模100及一个框架200。换而言之，是将多个掩模100一一地粘贴于框架200的形态。以下，为了方便说明，以四边形的掩模100为例进行说明，掩模100在粘贴于框架200之前是两侧具有用于夹持的突出部的棒型掩模形态，粘贴于框架200之后可以除去突出部。

各掩模100上形成有多个掩模图案P，一个掩模100上可形成有一个单元C。为了形成较薄的厚度，掩模100可通过电铸镀敷来形成。掩模100可为热膨胀系数约为1.0×10^-6/℃的因瓦(invar)材料、约为1.0×10^-7/℃的超因瓦(super invar)材料。所述材料的掩模100的热膨胀系数非常低，因此掩模图案形状因热能而变形的可能性较小，而且在高分辨率OLED制造中，可作为FMM、阴影掩模(Shadow Mask)使用。除此之外，考虑到最近正在开发在温度变化值不大的范围内进行像素蒸镀工序的技术，掩模100也可为热膨胀系数稍微大的镍(Ni)、镍钴(Ni-Co)等材料。

框架200形成为可用于粘贴多个掩模100的形式。框架200包括最外围边缘，从而可包括多个形成于第一方向(例如，横向)、第二方向(例如，纵向)的角。这些多个角可划分掩模100粘贴于框架200上的区域。

框架200可包括大致呈四边形、四角框状的边缘框架部210。边缘框架部210的内部可为中空状。框架200由因瓦、超因瓦、铝、钛等金属材料构成，考虑到热变形，优选地由具有与掩模相同的热膨胀系数的因瓦、超因瓦、镍、镍钴等金属材料构成，所述材料均可应用在作为框架200构成要素的边缘框架部210、第一、第二栅格框架部220、230。

另外，框架200可包括朝第一方向(横向)延伸形成的至少一个第一栅格框架部220。第一栅格框架部220可形成为直线状，且两端与边缘框架部210连接。当框架200包括多个第一栅格框架部220时，各第一栅格框架部220优选具有相同的间隔。

另外，框架200可包括朝第二方向(纵向)延伸形成的至少一个第二栅格框架部230。第二栅格框架部230可形成为直线状，且两端与边缘框架部210连接。第一栅格框架部220与第二栅格框架部230相互垂直，因此相互交叉。当框架200包括多个第二栅格框架部230时，各第二栅格框架部230优选具有相同的间隔。

另一方面，第一栅格框架部220间的间隔与第二栅格框架部230间的间隔根据掩模单元C的尺寸可相同或者不同。

第一栅格框架部220与第二栅格框架部230相互垂直，因此可存在相互交叉的交点。作为一示例，第一、第二栅格框架部220、230上可形成预定的槽，且所述槽相互插入连接，以形成交点。另外，第一、第二栅格框架部220、230可相互焊接而形成交点。另外，还可以加工面板素材的内部而形成边缘框架部210、第一、第二栅格框架部220、230。除此之外，也可以无限制地使用已公知的技术以制造图5所示形态的框架200。

垂直于长度方向的第一、第二栅格框架部220、230的截面形状为三角形、诸如平行四边形的四边形状(参照图5的(b)及图8)，而且边、角部分的局部也可以是弧形。

边缘框架部210的厚度T1可以比第一栅格框架部220的厚度T2厚。第二栅格框架部230的厚度T2也一样。边缘框架部210承受框架200的全部刚性，因此可形成为数mm～数cm的厚度。在第一、第二栅格框架部220、230中，如果厚度T2过度地变厚，则在OLED像素蒸镀工序中会发生有机物源600(参照图9)通过掩模100的路径堵塞的问题。反之，如果厚度T2过度地变薄，则难以确保支撑掩模100的刚性。基于此，第一、第二栅格框架部220、230的宽度、厚度可形成为1～5mm左右。

通过边缘框架部210、第一、第二栅格框架部220、230的结合，框架部200可具有多个掩模单元区域CR(CR11～CR56)。掩模单元区域CR意指框架部200中除了边缘框架部210、第一、第二栅格框架部220、230所占有的区域以外的中空状的空白区。

随着掩模100的单元C对应于掩模单元区域CR，实质上可作为通过掩模图案P蒸镀OLED像素的通路来使用。如上所述，一个掩模单元C对应于一个智能手机等的显示器。构成一个单元C的掩模图案P可形成于一个掩模100上。另外，也可使一个掩模100具有多个单元C，且各单元C对应于框架200的各单元区域CR，然而，为了准确地对齐掩模100，应该避免大面积掩模100，优选为具有一个单元C的小面积掩模100。另外，还可使具有多个单元C的一个掩模100对应(参照图10及图12)于框架200的一个单元区域CR，然而，为了准确地对齐，优选对应具有2～3个左右的少数单元C的掩模100。

框架200具有多个掩模单元区域CR，各掩模100可分别将一个掩模单元C对应于掩模单元区域CR并进行粘贴。各掩模100可包括形成有多个掩模图案P的掩模图案部(对应于掩模单元C)；以及掩模图案部周边的虚设部(对应于除掩模单元C以外的掩模膜110部分)。虚设部可以仅包括掩模膜110或者包括形成有与掩模图案P类似形态的预定的虚设图案的掩模膜110。掩模图案部可对应于框架200的掩模单元区域CR，虚设部的一部分或全部则粘贴于框架200。因此，掩模100与框架200可构成一体型结构。

以下，对框架一体型掩模的制造过程进行说明。

首先，图4及图5可提供前述框架200。框架200可将第一栅格框架部220及第二栅格框架部230连接于边缘框架部210并制造。本说明书以以下情况为例进行说明：将5个第一栅格框架部220和4个第二栅格框架部230连接于边缘框架部210，并形成6×5的掩模单元区域CR(CR11～CR56)。

其次，可提供形成有多个掩模图案P的掩模100。如上所述，可通过电铸镀敷方式制造因瓦、超因瓦材料的掩模100，而且掩模100上可形成有一个单元C。掩模图案P的宽度可形成为小于40μm，掩模100的厚度则形成为大约2～50μm。由于框架200具有多个掩模单元区域CR(CR11～CR56)，因此，具有对应于各掩模单元区域CR(CR11～CR56)的掩模单元C(C11～C56)的掩模100也可具有多个。

图6是显示本发明一实施例的掩模100的拉伸状态(图6的(a))和将掩模100对应于框架200的单元区域CR的状态(图6的(b))的示意图。

其次，参照图6的(a)，可将掩模100对应于框架200的一个掩模单元区域CR。如图6(a)所示，在对应的过程中，可沿着掩模100的一轴方向拉伸两侧F1～F2，在掩模100变为平坦的状态下将掩模单元C对应于掩模单元区域CR。而且也可以在一侧以多个点(图6的例子为1～3点)拽掩模100进行拉伸。另一方面，也可沿着所有轴方向拉伸F1～F4掩模100的所有侧而并非在一个轴方向拉伸。

例如，施加于掩模100各侧的拉伸力可以不超过4N。基于掩模100的尺寸施加的拉伸力可相同或不同。换而言之，本发明的掩模100为包括一个掩模单元C的尺寸，因此，相比于包括多个单元C1～C6的现有棒型掩模10，所需的拉伸力可能相同或者至少会减少。如果9.8N意指1kg的重力，则1N的力小于400g的重力，因此，即使掩模100被拉伸后附着于框架200，掩模100施加于框架200的张力(tension)或者框架200相反施加于掩模100的张力会变得非常小。由此，张力所致的掩模100及/或框架200的变形变为最小化，而且掩模100(或掩模图案P)的对齐误差会变为最小化。

另外，现有图1的掩模10包括6个单元C1～C6，因此具有较长的长度，另一方面，本发明的掩模100包括1个单元C，从而具有较短的长度，因此，PPA偏离的程度会减小。例如，假设包括多个单元C1～C6、…的掩模10的长度为1m，且在1m整体上产生10μm的PPA误差，则本发明的掩模100基于相对长度的缩减(对应于单元C数量的缩减)可以将上述误差范围变为1/n。例如，如果本发明的掩模100的长度为100mm，则由于具有现有掩模10的1m中缩减为1/10的长度，因此，在整个100mm长度中产生1μm的PPA误差，并具有对齐误差明显减少的效果。

另一方面，即使掩模100具有多个单元C且各单元C对应于框架200的各单元区域CR，对齐误差仍在最小化范围内，则掩模100可对应于框架200的多个掩模单元区域CR。或者，具有多个单元C的掩模100也可对应于一个掩模单元区域CR。此时考虑对齐所致的工序时间与生产率，掩模100优选具有尽可能少的单元C。

掩模100可在平坦状态下对应于掩模单元区域CR，且一边调节拉伸力F1～F4，一边通过显微镜实时地确认对齐状态。就本发明的情形而言，只要对应掩模100的一个单元C并确认其对齐状态即可，因此，相比于必须使多个单元C(C1～C6)同时对应并且确认所有对齐状态的现有方法(参照图2)，本发明可明显缩短制造时间。

即，本发明的框架一体型掩模的制造方法，相比于必须使6个单元C1～C6同时对应并且同时确认6个单元C1～C6的对齐状态的现有方法，通过使6个掩模100中所含各单元C11～C16分别对应于一个单元区域CR11～CR16且分别确认对齐状态的6次过程可大幅缩短时间。

另外，本发明的框架一体型掩模的制造方法，在分别将30个掩模100对应于30个单元区域CR(CR11～CR56)并进行对齐的30次过程中，产品收率显示出远远高于在将分别包括6个单元C1～C6的5个掩模10(参照图2(a))对应于框架20并对齐的5次过程中现有的产品的收率。在一次对应6个单元C的区域对齐6个单元C1～C6的现有方法是非常复杂且困难的作业，因此显示出产品收率低。

另一方面，将掩模100对应于框架200后，还可以通过预定的粘贴剂将掩模100临时固定在框架200上。之后再进行掩模100的粘贴步骤。

图7是图示本发明一实施例的将掩模100对应于框架200的单元区域CR并粘贴的过程的示意图。图8作为图7的B-B’截面图，是图示本发明各种实施例的掩模100粘贴在框架200的形态的局部放大截面图。

其次，参照图7、图8的(a)及(b)，可将掩模100的边缘的一部分或全部粘贴于框架200。粘贴可通过焊接W来进行，优选通过激光焊接W来进行。经焊接W的部分可具有与掩模100/框架200相同的材料，并且可以连接成一体。

如果在掩模100的边缘部分(或虚设部)的上部照射激光，则掩模100的一部分熔融而可与框架200焊接W。焊接W如果在以最大限度靠近框架200的角侧进行，则可以最大限度减少掩模100与框架200间的翘起空间，并提高紧贴性。焊接W部分可以线(line)或点(spot)状生成，并具有与掩模100相同的材料，而且可成为将掩模100与框架200一体地连接的媒介。

显示出2个相邻的掩模100的一边缘分别粘贴W于第一栅格框架部220(或第二栅格框架部230)的上面的形态。第一栅格框架部220(或第二栅格框架部230)的宽度、厚度约为1～5mm，为了提高产品的生产率，必须使第一栅格框架部220(或第二栅格框架部230)与掩模100a、100b的边缘重叠的宽度最大限度缩减至约0.1～2.5mm左右。

垂直于长度方向的第一、第二栅格框架部220、230的截面形状可为三角形220(参照图8的(a)、(c)、(d))，为了更好地支撑掩模100的荷重和张力，截面形状形成为四边形(一示例为平行四边形，参照图8的(b))，也可以是边、角部分局部为弧形。

焊接W方法是将掩模100粘贴在框架200的一种方法，其并不限于这些实施例。

下面说明其他示例，如图8C所示，可使用共晶材料粘贴部EM将掩模100粘贴于框架200。共晶材料粘贴部EM为包括至少2种金属的粘贴剂，可具有膜、线、束状等各种形状，并具有约10～30μm的较薄的厚度。例如，共晶材料粘贴部EM可包括In、Sn、Bi、Au等群组与Sn、Bi、Ag、Zn、Cu、Sb、Ge等群组中的至少一种金属。共晶材料粘贴部EM包括至少2个金属固相(solid phase)，在特定温度/压力的共晶点(eutectic point)中，2个金属固相均可成为液相(liquid phase)。另外，如果脱离共晶点，则可再度成为2个金属固相。由此，可通过固相→液相→固相的相变化来起到粘贴剂功能。

共晶材料粘贴部EM与一般的有机粘贴剂不同，完全不含挥发性有机物。因此可防止粘贴剂的挥发性有机物质与工序气体反应而对OLED的像素造成不良影响，或者粘贴剂本身所包含的有机物质等的逸出气体污染像素工序腔室或作为杂质而蒸镀于OLED像素的不良影响。另外，共晶材料粘贴部EM为固体，因此无法通过OLED有机物洗涤液洗净而可具有耐蚀性。另外，由于包括2种以上的金属，因此相比于有机粘贴剂，能够与相同金属材料的掩模100、框架200具有高粘贴性并进行连接，由于是金属材料，具有可变形性低的优点。

进一步说明其他示例，如图8的(d)所示，可进一步形成与掩模100相同材料的粘贴镀敷部150，从而将掩模100粘贴于框架200。将掩模100对应于框架200后，可以在掩模100的下部方向形成PR等的绝缘部。另外，可在绝缘部未覆盖而露出的掩模100的背面及框架200上电沉积粘贴镀敷部150。

粘贴镀敷部150电沉积于掩模100露出的表面及框架200的同时成为将掩模100与框架200一体地连接的媒介。此时，粘贴镀敷部150与掩模100的边缘部分一体地连接并进行电沉积，因此，具有在框架200的内侧方向或外侧方向施加拉伸力的状态，而且可支撑掩模100。由此，无须额外执行拉伸并对齐掩模的过程，即可使绷紧而朝框架200侧拉伸的掩模100与框架200一体地形成。

在图8中，为了便于说明，经焊接W的部分、共晶材料粘贴部EM部分的厚度和宽度稍微夸大表示，实际上该部分可以是几乎不突出且包含在掩模100的状态下连接框架200的部分。

参照图8，显示2个相邻的掩模100的一边缘分别粘贴于第一栅格框架部220(或第二栅格框架部230)的上面的形态。第一栅格框架部220(或第二栅格框架部230)的宽度、厚度约为1～5mm，为了提高产品的生产率，应该将第一栅格框架部220(或第二栅格框架部230)与掩模100的边缘重叠的宽度以最大限度缩减至约0.1～2.5mm。

其次，如果将一个掩模100粘贴于框架200的工序结束，则可反复执行将剩余的掩模100依序地对应于剩余的掩模单元C并粘贴于框架200的过程。由于已经粘贴于框架200的掩模100可提供基准位置，因此具有以下优点：可明显缩短将剩余的掩模100依序地对应于单元区域CR并确认对齐状态的时间。另外，粘贴于一个掩模单元区域的掩模100a和粘贴于与其相邻的掩模单元区域的掩模100b之间的PPA不超过3μm，从而具有能够提供对齐准确的、用于形成超高画质OLED像素的掩模的优点。

图9为显示本发明一实施例的使用框架一体型掩模100、200的OLED像素蒸镀装置1000。

参照图9，OLED像素蒸镀装置1000包括：磁板300，其容纳磁铁310，并配设有冷却水管线350；以及蒸镀源供给部500，其自磁板300的下部供给有机物源600。

磁板300与蒸镀源供给部500之间可夹设有用于蒸镀有机物源600的玻璃等目标基板900。按像素分别蒸镀有机物源600的框架一体型掩模100、200(或FMM)与目标基板900紧贴或布置成非常靠近。磁铁310生成磁场，并可通过磁场与目标基板900紧贴。

蒸镀源供给部500往返左右路径并供给有机物源600，自蒸镀源供给部500供给的有机物源600可通过已形成于框架一体型掩模100、200上的图案P并蒸镀于目标基板900的一侧。通过框架一体型掩模100、200的图案P后的已被蒸镀的有机物源600能够起到OLED的像素700的作用。

为了防止阴影效应(Shadow Effect)所致的像素700的不均匀蒸镀，框架一体型掩模100、200的图案可倾斜地形成S(或形成为锥形状S)。沿着倾斜面朝对角线方向通过图案的有机物源600可有助于像素700的形成，因此像素700整体上能够以均匀的厚度蒸镀。

图10是显示本发明其他实施例的框架一体型掩模100’、200’的主视图及侧截面图。图11是显示本发明其他实施例的框架200’的主视图及侧截面图。下面，只说明与图4及图5的实施例不同的区别点。

参照图10及图11，在框架一体型掩模100’、200’中，掩模100’可包括多个掩模单元C(C11、C12、C13)。另外，具有多个掩模单元C的一个掩模100’可对应于框架200’的一个单元区域CR。在图10中，以各掩模100’包括2个掩模单元C11(C11a、C11b)、C12(C12a、C12b)、C13(C13a、C13b)为例进行说明。另外，在图11中，基于以下条件为例进行说明：将2个第一栅格框架部220’和4个第二栅格框架部230’连接于边缘框架部210，并形成3×5的掩模单元区域CR(CR11～CR53)。

一个掩模单元区域CR可对应多个掩模单元C。为了准确地对齐，优选地将具有约2～3个少数的单元C的掩模100’对应于各掩模单元区域CR。

从其他观点来看，框架200’可沿着第一方向(横向)及第二方向(纵向)具有n×m个(n、m为整数)掩模单元区域CR。另外，多个掩模100’的掩模单元C的数量总和大于n×m。即，一个掩模单元区域CR可对应至少一个以上的掩模单元C。框架200’的各掩模单元区域CR可分别连接有各掩模100’。

以图10及图11为例，框架200’具有3×5的掩模单元区域CR(CR11～CR53)，因此，可视为n＝3、m＝5。另外，掩模单元C(C11a、C11b、C12a、C12b、C13a、C13b、…、C53a、C53b)的数量总和为6×5＝30(个)。一个掩模单元区域CR对应2个掩模单元C，因此掩模单元C的数量30个2倍于掩模单元区域数量15个。如果一个掩模单元区域CR对应3个掩模单元C，则掩模单元C的数量45个3倍于掩模单元区域数量15个，因此，多个掩模的掩模单元的数量总和可为n×m个的k倍(k为整数)。

只是，并不限于此，每个掩模单元区域CR可以与不同数量的掩模单元C对应。例如，框架200还可形成为：1行、3行的掩模单元区域CR11、CR13、CR21、CR23、…、CR51、CR53与2个掩模单元C对应，使2行的掩模单元区域CR12、CR22、…、CR52与3个掩模单元C对应。

如上所述，在图10及图11的框架一体型掩模100’、200’中，由于一个掩模100’包括多个掩模单元C，因此具有可缩短将掩模100’粘贴于框架200’的工序时间的优点。虽然不像图4及图5所示那样将掩模单元C与掩模单元区域CR一对一对应，但是，当使用包括约2～3个少数的单元C的掩模100’时，在一定制造时间内，可期待对齐状态的高效率性，而且具有可提高产品收率的优点。

另外，至少一个第一栅格框架部220’会划分掩模单元区域CR且一行包括2个以上的掩模单元区域CR，因此能够将单位掩模100’的两侧粘贴于边缘框架部210’、第一栅格框架部220’上，从而PPA偏离的程度会减小。例如，假设包括多个单元C1～C6、…的现有图1的掩模10的长度为1m且1m整体上产生10μm的PPA误差，则本发明的掩模100’基于相对长度的缩减可将上述误差范围变为1/n。例如，如果本发明的掩模100’的长度为333mm，则由于具有现有掩模10的1m中缩减为1/3的长度，因此，在整个333mm长度中产生3.3μm的PPA误差，并具有对齐误差明显减少的效果。

图12是显示本发明的另外其他实施例的框架一体型掩模100”、200”的主视图及侧截面图。图13是显示本发明的另外其他实施例的框架200”的主视图及侧截面图。下面，只说明与图4及图5的实施例不同的区别点。

参照图12及图13，在框架一体型掩模100”、200”中，掩模100”可包括多个掩模单元C11(C11a～C11f)。另外，具有多个掩模单元C11(C11a～C11f)的一个掩模100”可对应于框架200”的一个单元区域CR。在图12中，以各掩模100”包括6个掩模单元C11(C11a～C11f)为例进行说明。另外，在图13中，基于以下条件为例进行说明：将4个第二栅格框架部230”连接于边缘框架部210”，并形成1×5的掩模单元区域CR(CR11～CR51)。即，可以是栅格框架部不相互垂直地布置而仅朝一方向延伸形成且两端与边缘框架部210”连接的形态。其是仅使用第一栅格框架部220”或仅使用第二栅格框架部230”的形态。

一个掩模单元区域CR可对应多个掩模单元C。为了准确地对齐，优选将具有尽可能少数的单元C的掩模100”对应于各掩模单元区域CR。

从其他观点来看，框架200可沿着第一方向(横向)或第二方向(纵向)具有1×m个或n×1个(n、m为整数)掩模单元区域CR。另外，多个掩模100”的掩模单元C的数量总和大于n或m。即，一个掩模单元区域CR可对应至少一个以上的掩模单元C。框架200”的各掩模单元区域CR上可连接有各掩模100”。

以图12及图13为例，框架200”具有1×5的掩模单元区域CR(CR11～CR51)，因此可视为n＝1、m＝5。另外，掩模单元C(C11a、C11b、C11c、C11d、C11e、C11f、C21a、C21b、…、C51e、C51f)的数量总和为6×5＝30(个)。一个掩模单元区域CR对应6个掩模单元C，因此掩模单元C的数量30个6倍于掩模单元区域数量5个。因此，多个掩模的掩模单元的数量总和可以为n或m的k倍(k为整数)。

只是，并不限于此，每个掩模单元区域CR还可以与不同数量的掩模单元C对应。例如，为了使1行、3行、5行的掩模单元区域CR11、CR31、CR51与6个掩模单元C对应，而且为了使2行、4行的掩模单元区域CR41、CR51与3个掩模单元C对应，掩模100”也可以包括不同数量的掩模单元C。

如上所述，在图12及图13的框架一体型掩模100”、200”中，由于一个掩模100”包括多个掩模单元C，因此具有可缩短将掩模100”粘贴于框架200”的工序时间的优点。虽然不像图4及图5所示那样将掩模单元C与掩模单元区域CR一对一对应，但是，当使用包括约2～3个少数的单元C的掩模100’时，在一定制造时间内，可期待对齐状态的高效率性，而且具有可提高产品收率的优点。

另外，由于在至少一行掩模单元区域CR的上、下配置栅格框架部230”，因此具有使栅格框架部230”支撑单位掩模100”而不会下垂的优点。除了将掩模100”的两侧粘贴于边缘框架部210”以外，还可以将掩模100”的上、下侧粘贴于栅格框架部230”，因此具有不会产生掩模100”的误对齐的效果。

如上所述，本发明图示并说明了优选实施例，但是不限于上述实施例，在不超出本发明的精神的范围内，本领域技术人员能够进行各种变形和变更。这种变形及变更皆属于本发明和所附的权利要求书的范围。

Claims

1.一种框架一体型掩模，其由多个掩模与用于支撑掩模的框架一体形成，其中，框架包括：

边缘框架部；以及

至少一个第一栅格框架部，其朝向第一方向延伸形成，且两端与边缘框架部连接，

各掩模与框架的上部一体地连接。

2.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，框架还包括至少一个第二栅格框架部，所述第二栅格框架部朝向与第一方向垂直的第二方向延伸形成，并与第一栅格框架部交叉，而且两端与边缘框架部连接。

3.如权利要求2所述的框架一体型掩模，其中，框架沿着第一方向、与第一方向垂直的第二方向中的至少一方向具有多个掩模单元区域。

4.如权利要求3所述的框架一体型掩模，其中，掩模单元区域为，除边缘框架部、第一栅格框架部及第二栅格框架部所占区域以外的中空状的区域。

5.如权利要求3所述的框架一体型掩模，其中，各掩模单元区域连接有各掩模。

6.如权利要求5所述的框架一体型掩模，其中，各掩模包括一个掩模单元。

7.如权利要求5所述的框架一体型掩模，其中，各掩模包括多个掩模单元。

8.如权利要求3所述的框架一体型掩模，其中，框架沿着第一方向和第二方向具有n×m个掩模单元区域，其中n、m为整数，

在框架的各掩模单元区域上连接有各掩模，多个掩模的掩模单元的数量总和大于n×m个。

9.如权利要求8所述的框架一体型掩模，其中，多个掩模的掩模单元的数量总和为n×m个的k倍，其中k为整数。

10.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，框架沿着与第一方向垂直的方向具有多个掩模单元区域，

各掩模包括多个掩模单元，而且框架的各掩模单元区域上连接有各掩模。

11.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，掩模包括形成有多个掩模图案的掩模图案部以及掩模图案部周边的虚设部，

虚设部的至少一部分与框架粘贴。

12.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，边缘框架部与第一栅格框架部之间的间隔等于第一栅格框架部与其相邻的第一栅格框架部之间的间隔。

13.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，边缘框架部为四边形。

14.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，垂直于长度方向的第一栅格框架部的截面形状为三角形、四边形或者边、角中至少一个为弧形的三角形、四边形。

15.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，边缘框架部的厚度大于第一栅格框架部的厚度。

16.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，掩模和框架的材料为因瓦、超因瓦、镍、镍钴中的任意一种。

17.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，粘贴在一掩模单元区域的掩模与粘贴在所述掩模单元区域相邻的掩模单元区域的掩模之间的PPA(像素位置精度，pixelposition accuracy)不超过3μm。

18.一种框架，其粘贴有多个掩模，其中，框架包括：

边缘框架部；以及

至少一个第一栅格框架部，其朝第一方向延伸形成，而且两端与边缘框架部连接。

19.如权利要求18所述的框架，其中，还包括至少一个第二栅格框架部，该第二栅格框架部朝向与第一方向垂直的第二方向延伸形成，并与第一栅格框架部形成交叉，而且两端与边缘框架部连接。

20.如权利要求19所述的框架，其中，沿着第一方向、与第一方向垂直的第二方向中的至少一方向具有多个掩模单元区域。