TW201920719A - 框架一體型遮罩的製造方法 - Google Patents

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李裕進
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Abstract

本發明提供一種框架一體型遮罩的製造方法。本發明之框架一體型遮罩的製造方法係一體地形成遮罩與支持遮罩的框架，其特徵在於包含有以下階段：(a)階段，其提供框架，該框架沿著第1方向、與第1方向垂直的第2方向中至少一方向，具備複數個遮罩單元區；(b)階段，其提供已於上面形成遮罩的母板，且前述遮罩形成有複數個遮罩圖案；(c)階段，其將母板及遮罩對應於框架的一個遮罩單元區；及(d)階段，其將遮罩之框體之至少一部分接著於框架。

Description

框架一體型遮罩的製造方法
發明領域
本發明是有關於一種框架一體型遮罩的製造方法，更詳而言之，關於一種框架與遮罩構成一體並準確地進行各遮罩間之對準(alignment)的框架一體型遮罩的製造方法。
背景技術
最近在薄板製造中進行有關電鑄鍍敷(Electroforming)方法之研究。電鑄鍍敷方法係將正極體、負極體浸漬於電解液中，並施加電源而使金屬薄板電附著於負極體之表面上，因此，是一種可以製造極薄板並期待量產的方法。
另一方面，作為在OLED製造步驟中形成像素之技術，主要是運用FMM(精密金屬遮罩，Fine Metal Mask)方法，其係使薄膜之金屬遮罩(陰影遮罩，Shadow Mask)與基板密接，並將有機物蒸鍍於所期望位置。
於既有的OLED製造步驟中，在以棒狀、板狀等製造出遮罩後，使遮罩熔接固定在OLED像素蒸鍍框架而使用。一個遮罩可具備複數個對應於一個顯示器的單元。又，為了大面積OLED之製造，可使複數個遮罩固定在OLED像素蒸鍍框架，然而，於固定在框架之過程中，會進行拉伸而使各遮罩變得平坦。欲使遮罩全體部分變得平坦而調節拉伸力屬於非常困難的作業。特別是為了一邊使各單元皆平坦化，一邊排列尺寸不過數~數十μm的遮罩圖案，會要求一邊微細地調節施加於遮罩各側的拉伸力，一邊即時確認排列狀態的高度作業。
儘管如此，於使複數個遮罩固定在一個框架之過程中，會有遮罩相互間，又，遮罩單元之相互間無法良好地排列的問題。又，於將遮罩熔接固定在框架之過程中，由於遮罩膜之厚度過薄且屬於大面積，因此，會有遮罩因負載而下垂或扭曲的問題。
於超高畫質之OLED之情形時，目前QHD畫質為500~600PPI(每英寸像素，pixel per inch)，且像素尺寸到達大約30~50μm，4K UHD、8K UHD高畫質則具有比其更高~860PPI、~1600PPI等的解析度。依此，考慮超高畫質之OLED之像素尺寸，必須將各單元間之排列誤差縮減至數μm左右，此範圍外的誤差會牽涉到製品的失敗，因此，產率變得非常低。故，實際情況是必須開發可防止遮罩下垂或扭曲等變形並準確地進行排列的技術、將遮罩固定在框架的技術等。
發明概要
發明欲解決之課題
本發明是用以解決如前述習知技術的各種問題所研究而成，其目的在提供一種遮罩與框架構成一體型構造的框架一體型遮罩的製造方法。
又，本發明之目的在提供一種可防止遮罩下垂或扭曲等變形並準確地進行排列的框架一體型遮罩的製造方法。
又，本發明之目的在提供一種可明顯縮減製造時間並明顯提生產率的框架一體型遮罩的製造方法。
用以解決課題之手段
本發明之前述目的可藉由下述框架一體型遮罩的製造方法來達成：其係一體地形成遮罩與支持遮罩的框架，並包含有以下階段：(a)階段，其提供框架，該框架沿著第1方向、與第1方向垂直的第2方向中至少一方向，具備複數個遮罩單元區；(b)階段，其提供已於上面形成遮罩的母板，且前述遮罩形成有複數個遮罩圖案；(c)階段，其將母板及遮罩對應於框架的一個遮罩單元區；及(d)階段，其將遮罩之框體之至少一部分接著於框架。
框架可包含有：框體框架部；及至少一個第1格柵框架部，其朝第1方向延伸設置，且兩端與框體框架部連結。
框架更可包含有至少一個第2格柵框架部，該第2格柵框架部朝與第1方向垂直的第2方向延伸設置，並與第1格柵框架部交叉，且兩端與框體框架部連結。
框體框架部可為四角狀。
第1格柵框架部之與長邊方向垂直的截面形狀可為三角形、四角形，或是邊、角中至少一者為弧形狀的三角形、四角形狀。
遮罩可包含形成有複數個遮罩圖案的遮罩圖案部，以及遮罩圖案部周邊的虛設部，虛設部之至少一部分接著於框架。
可反覆進行(b)階段至(d)階段，在將複數個母板及遮罩依序地對應於遮罩單元區後，接著於框架。
於(c)階段中，可將遮罩對應於框架的至少一個遮罩單元區。
接著於一個遮罩單元區的遮罩及接著於與其鄰接的遮罩單元區的遮罩間之PPA(像素位置精度，pixel position accuracy)有時亦不超過3μm。
於(b)階段中，母板可包含有導電性基材及導電性基材上已圖案化的絕緣部，且自已圖案化的絕緣部間所露出導電性基材之表面形成遮罩。
於(b)階段中，母板更可包含有第2絕緣部，該第2絕緣部形成於遮罩之框體區域除外的剩餘區域上。
(d)階段可包含有以下階段：(d1)階段，其於框架上部之至少一部分形成接著部，並將所露出的遮罩之框體區域中至少一部分接著於接著部；(d2)階段，其藉由電鑄鍍敷，於接著部與第2絕緣部間所露出的遮罩及框架之內側面上形成接著鍍敷部；(d3)階段，其將導電性基板自遮罩分離；(d4)階段，其於對應於接著部的遮罩之剝離膜之邊界照射雷射，並洗淨接著部；及(d5)階段，其除去遮罩之剝離膜。
接著鍍敷部可與遮罩之一面框體連結而與遮罩一體化。
接著鍍敷部可於朝遮罩外側施加拉伸力的狀態下形成於框架之內側面上。
於(d2)階段與(d3)階段間更可進行除去絕緣部及第2絕緣部的階段。
(d)階段可包含有以下階段：(d1)階段，其於框架上部之至少一部分形成接著部，並將遮罩之框體中至少一部分接著於接著部；(d2)階段，其將導電性基板與遮罩分離；(d3)階段，其將比形成有接著部的區域更內側區域的至少一部分之遮罩雷射熔接於框架上部；(d4)階段，其於對應於接著部的遮罩之剝離膜之邊界照射雷射，並洗淨接著部；及(d5)階段，其除去遮罩之剝離膜。
於(d3)階段中，照射過雷射的鍍敷膜之部分局部熔融而使熔接部介於鍍敷膜與框架間，藉此進行雷射熔接。
於(d)階段中，可在與遮罩接連的框架之部分形成共熔(eutectic)材質之接著部，且遮罩透過接著部接著於框架。
導電性基材可為經摻雜之單晶矽材質。
絕緣部可為光阻材料、氧化矽、氮化矽之材質中任一者。
發明效果
若藉由依前述而構成的本發明，則遮罩與框架可構成一體型構造。
又，若藉由本發明，則可防止遮罩下垂或扭曲等變形並準確地進行排列。
又，若藉由本發明，則可明顯縮減製造時間並明顯提生產率。
用以實施發明之形態
後述本發明之詳細說明乃參照以圖式來例示可實施本發明之特定實施形態之附圖。為了讓該發明所屬技術領域中具有通常知識者可充分地實施本發明，詳細說明該等實施形態。應理解本發明之各種實施形態雖互為不同，但無須相互排他。舉例言之，在此所記載的特定形狀、構造及特性與一實施形態有關，可於未脫離本發明精神及範圍下作成其他實施形態具體實現。又，應理解各自所揭示實施形態內的個別構成要素之位置或配置，可於未脫離本發明精神及範圍下加以變更。故，後述詳細說明並非採取限定之意，只要能適切地說明，本發明之範圍係與和該請求項主張者均等的所有範圍一同僅受限於添附之請求項。圖式中類似的參照符號是在各種方面具有相同或類似之機能，長度、面積及厚度等與其形態方便上有時亦會誇張表現。
以下，為了讓該發明所屬技術領域中具有通常知識者可輕易地實施本發明，參照附圖詳細說明有關本發明之較佳實施形態。
圖1是顯示習知OLED像素蒸鍍用遮罩10之示意圖。
參照圖1，習知遮罩10可製造成棒型(Stick-Type)或板型(Plate-Type)。圖1(a)所示遮罩10為棒型遮罩，可使棒兩側熔接固定在OLED像素蒸鍍框架而使用。圖1(b)所示遮罩100為板型遮罩，可運用在大面積之像素形成步驟中。
於遮罩10之本體(Body)(或遮罩膜11)可具備複數個顯示器單元(C)。一個單元(C)對應於一個智慧型手機等的顯示器。於單元(C)，對應於顯示器之各像素而形成像素圖案(P)。若將單元(C)放大，則顯現對應於R、G、B的複數個像素圖案(P)。作為一例，於單元(C)，以具有70×140之解析度的方式形成像素圖案(P)。即，各種像素圖案(P)群聚而構成一個單元(c)，複數個單元(C)可形成於遮罩10。
圖2是顯示將習知遮罩10接著於框架20的過程之示意圖。圖3為示意圖，其顯示於拉伸(F1~F2)習知遮罩10之過程中產生單元間之排列誤差。以圖1(a)所示具備5個單元(C：C1~C5)的棒型遮罩10為例來說明。
參照圖2(a)，首先，必須將遮罩10平坦地展開。藉由於遮罩10之長軸方向施加拉伸力(F1~F2)而拉伸，遮罩10會展開。於該狀態下將遮罩10裝載於四角框狀的框架20上。遮罩10之單元(C1~C5)位於框架20之框體內部的空隙區部分。框架20為一個遮罩10之單元(C1~C5)位於框體內部的空隙區之尺寸，亦可為複數個遮罩10之單元(C1~C5)位於框體內部的空隙區之尺寸。
參照圖2(b)，一邊微細地調節施加於遮罩10各側的拉伸力(F1~F2)一邊排列後，將遮罩10側面之一部分進行熔接(W)，藉此，將遮罩10與框架20相互連結。圖2(c)顯示已相互連結的遮罩10與框架之側截面。
參照圖3，儘管微細地調節施加於遮罩10各側的拉伸力(F1~F2)，亦會顯現遮罩單元(C1~C3)之相互間無法良好地排列的問題。舉例言之，其例為在單元(C1~C3)之圖案(P)間距離(D1~D1”、D2~D2”)相互不同，或是圖案(P)歪斜。遮罩10為包含有複數個(一例為5個)單元(C1~C5)的大面積，且具有數十μm位階的非常薄之厚度，因此，容易因負載而下垂或扭曲。又，欲使各單元皆平坦化而一邊調節拉伸力(F1~F2)，一邊透過顯微鏡即時確認排列狀態屬於非常困難的作業。
故，拉伸力(F1~F4)之微細誤差會使遮罩10各單元(C1~C3)伸長或展開的程度產生誤差，依此而產生在遮罩圖案(P)間距離(D1~D1”、D2~D2”)不同的問題。當然，欲完美地排列成誤差為0是困難的，為了讓尺寸為數~數十μm的遮罩圖案(P)不會對超高畫質OLED之像素步驟帶來不良影響，理想的是排列誤差不超過3μm。依此，將鄰接的單元間之排列誤差稱作PPA。
又，欲一邊將大約6~20個左右的複數個遮罩10分別連結於一個框架20，一邊在複數個遮罩10間，又，遮罩10的複數個單元(C~C5)間使排列狀態準確化亦屬於非常困難的作業，只會增加排列所致步驟時間，並成為讓生產性縮減的重大原因。
依此，本發明提出一種框架一體型遮罩的製造方法，其可防止遮罩100下垂或扭曲等變形，且於框架200上準確地進行排列，可明顯縮減製造時間並明顯提升產率。
圖4是顯示本發明一實施形態的框架一體型遮罩之正視圖。圖5是顯示本發明一實施形態的框架200之正視圖(圖5(a))及側截面圖(圖5(b))。圖5(b)顯示圖5(a)之A-A’方向之側截面圖。
參照圖4及圖5，框架一體型遮罩可包含有複數個遮罩100及一個框架200。換言之，為分別將複數個遮罩100一個一個地接著於框架200之形態。
於各個遮罩100形成複數個遮罩圖案(P)，於一個遮罩100可形成一個單元(C)。為了能形成為較薄的厚度，遮罩100可藉由電鑄鍍敷來形成。遮罩100可為熱膨脹係數大約1.0×10-6 /℃的不變鋼(invar)、大約1.0×10-7 /℃的超恆範鋼(super invar)材質。該材質之遮罩100的熱膨脹係數非常低，因此，遮罩之圖案形狀因熱能而變形之虞小，在高解析度OLED製造中，運用作為FMM、陰影遮罩(Shadow Mask)。除此之外，若考慮最近開發在溫度變化值不大的範圍進行像素蒸鍍步驟的技術，則遮罩100亦可為熱膨脹係數稍微大於此的鎳(Ni)、鎳鈷(Ni-Co)等材質。
框架200可包含有大致呈四角狀、四角框狀的框體框架部210。框架200由不變鋼、超恆範鋼、鋁、鈦等金屬材質構成，考慮熱變形，宜由具有與遮罩相同的熱膨脹係數之不變鋼、超恆範鋼、鎳、鎳鈷等材質構成。
又，框架200可包含有朝第1方向(橫向)延伸設置的至少一個第1格柵框架部220。第1格柵框架部220可形成為直線狀，且兩端與框體框架部210連結。當框架200包含有複數個第1格柵框架部220時，各個第1格柵框架部220宜構成同等的間隔。
又，框架200可包含有朝第2方向(縱向)延伸設置的至少一個第2格柵框架部230。第2格柵框架部230可形成為直線狀，且兩端與框體框架部210連結。第1格柵框架部220與第2格柵框架部230相互垂直，因此，可存在有相互交叉的交點。
作為一例，第1、2格柵框架部220、230可形成預定溝，且該溝相互插入而連結，藉此形成交點。又，第1、2格柵框架部220、230可相互熔接而連結。又，亦可將面板素材的內部加工而形成框體框架部210、第1、2格柵框架部220、230。除此之外，亦可無限制地使用公知技術，製造圖5所示框架200。
當框架200包含有複數個第2格柵框架部230時，各個第2格柵框架部230宜構成同等的間隔。
第1、2格柵框架部220、230之與長邊方向垂直的截面形狀為三角形、像是平行四邊形的四角形狀(參照圖5(b)及圖9)，有時邊、角部分亦可局部弧形化。
藉由框體框架部210、第1、2格柵框架部220、230之結合，框架部200可具備複數個遮罩單元(c)區。遮罩單元(c)區意指框架部200中框體框架部210、第1、2格柵框架部220、230所佔有區域除外的空心狀之空隙區。藉由使遮罩100之單元(C)對應於該遮罩單元(c)區，可使用作為實質上透過遮罩圖案(P)蒸鍍OLED像素的通路。如前述，一個遮罩單元(C)對應於一個智慧型手機等的顯示器。構成一個單元(C)的遮罩圖案(P)可形成於一個遮罩100。又，亦可使一個遮罩100具備複數個單元(C)，然而，為了遮罩100準確之排列，必須揚棄大面積遮罩100，理想的是具備一個單元(C)的小面積遮罩100。
框架200具備複數個遮罩單元(c)區，各個遮罩100可分別對應於一個遮罩單元(C)而接著。各個遮罩100可包含形成有複數個遮罩圖案(P)的遮罩圖案部(對應於單元(C))，以及遮罩圖案部周邊的虛設部(對應於單元(C)除外的遮罩膜110部分)。虛設部可以僅包含遮罩膜110，或是包含形成有與遮罩圖案(P)類似形態之預定虛設圖案的遮罩膜110。遮罩圖案部可對應於框架200之遮罩單元(c)區，虛設部之一部分或全部則接著於框架200。藉此，遮罩100與框架200可構成一體型構造。為了使遮罩100對應於框架200而接著，首先，遮罩100係於形成、附著於母板40上的狀態下移至框架200。
以下，說明製造框架一體型遮罩的過程。
首先，於圖4及圖5中，可提供前述框架200。框架200可將第1格柵框架部220連結於框體框架部210而製造。為了進一步地形成遮罩單元(c)區，可利用與第1格柵框架部220交叉的方式，進一步地連結第2格柵框架部230。於本說明書中，以下述者為例來說明：分別將4個第1、2格柵框架部220、230連結於框體框架部210，並形成5×5之遮罩單元(c)區。
其次，可提供形成有複數個遮罩圖案(P)的遮罩100。於電鑄鍍敷步驟中運用作為負極體(Cathode Body)的母板(mother plate)40(參照圖8、圖10)上可形成遮罩100。藉由電鑄鍍敷方式製造不變鋼、超恆範鋼材質之遮罩100，且於遮罩100可形成一個單元(C)，此已於前述。於母板40上遮罩圖案(P)之寬度可形成為小於40μm，遮罩100之厚度則形成為大約2~50μm。遮罩圖案(P)可對應於絕緣部45之形態。
各個母板40上所形成遮罩100之尺寸可對應於框架200的一個遮罩單元(c)之尺寸。由於框架200具備複數個遮罩單元(c)區，因此，對應於各個遮罩單元(C)的母板40及遮罩100亦可具備複數個。
另一方面，即便遮罩100具備複數個單元(C)且對應於框架200的複數個單元(C)區，若排列誤差為最小化的範圍內，則遮罩100亦可對應於框架200的複數個遮罩單元(c)區。此時亦考慮排列所致步驟時間與生產性，遮罩100宜具備盡可能少數的單元(C)。
圖6為示意圖，其顯示將本發明一實施形態的遮罩100對應於框架200之單元(c)區而接著的過程。於圖6中，為了方便說明，省略母板40之圖示，僅圖示形成於母板40上的遮罩100。又，於圖6中，為了方便說明，遮罩單元(C11)與遮罩單元(C12)係羅列遮罩100之接著方法不同的形態，然而，宜藉由相同的接著方法將遮罩100附著於所有遮罩單元(C11~C13、…、C21~C23、…)。相對於各種接著方法(接著鍍敷部150、共熔接著部(EM)、熔接(W)等)的實施形態透過圖8至圖12如後述。
參照圖6，可將母板40及遮罩100對應於框架200的一個遮罩單元(c)區。一個母板40上所形成遮罩100之尺寸對應於框架200的一個遮罩單元(c)之尺寸。由於屬於遮罩100形成、附著於母板40上的狀態，因此，只要藉由使一個母板40對應於框架200的一個遮罩單元(c)區的過程，便連將遮罩100對應於遮罩單元(c)區皆可加以替代。即，省略拉伸遮罩100之一側的過程，只要藉由母板40之對應，便完成遮罩100於遮罩單元(c)區的對應及排列。
以圖2為例來說明，於習知大面積遮罩10，亦即以5個(C1~C5)或其以上之個數含有遮罩單元(C)的遮罩10之情形時，為了使大面積全體平坦化而對應於框架20，必須設為非常大的朝長軸方向之拉伸力(F1~F2)。含有5個單元(C1~C5)的棒型遮罩10必須設為大約4~10N左右的拉伸力，在將遮罩10附著於框架20後(參照圖2(b)、圖2(c))，該程度之張力亦會作用於框架20，因此，張力所致框架20之可變形性提高，具有排列誤差增加的問題。
另一方面，本發明之含有1個單元(C)的遮罩100即便設為與圖2之遮罩10相同的材質，亦只要排列母板40之位置而無需一邊對遮罩100施加拉伸力一邊排列的過程，便亦可完成遮罩100之排列。故，具有遮罩100(或遮罩圖案(P))之排列誤差最小化且排列時間亦可最小化的效果。
又，習知圖2之遮罩10含有5個單元(C1~C5)，因此具有較長的長度，另一方面，本發明之遮罩100含有1個單元(C)而具有較短的長度，因此，PPA偏離的程度會減小。舉例言之，假設含有複數個單元(C1~C5、…)的遮罩10之長度為1m，且於1m全體產生10μm之PPA誤差，則本發明之遮罩100因相對長度之縮減(對應於單元(c)個數之縮減)，可將前述誤差範圍設為1/n。若本發明之遮罩100之長度為100mm，則由於具有習知遮罩10之1m中縮減為1/10之長度，因此，於100mm長度之全體產生1μm之PPA誤差，具有排列誤差明顯減少的效果。
於本發明之情形時，只要使遮罩100的一個單元(C)對應並確認排列狀態即可，因此，相較於必須使複數個單元(C：C1~C5)同時對應並且皆確認排列狀態的習知方法(參照圖2)，可明顯縮減製造時間。
即，本發明之框架一體型遮罩的製造方法，透過使5個母板40及遮罩100分別對應於一個單元(C)且分別確認排列狀態的5次過程，相較於使5個單元(C1~C5)同時對應並且同時皆確認5個單元(C1~C5)之排列狀態的習知方法，可遠遠縮短時間。
又，本發明之框架一體型遮罩的製造方法，在分別使25個遮罩100對應於25個單元(c)區並排列的25次過程中，製品收穫率顯現出遠遠高於在使分別含有5個單元(C1~C5)的5個遮罩10(參照圖2(a))分別對應於25個單元(c)區並排列的5次過程中習知的製品收穫率。在一次各5個的單元(c)區排列5個單元(C1~C5)的習知方法是非常煩雜且困難的作業，因此，顯現出低製品收率。
圖7為局部放大截面圖，其顯示本發明各種實施形態的遮罩100接著於框架200之形態，並將圖6之B-B’截面顯示各種實施形態。
可將遮罩100之框體之一部分或全部接著於框架200。
參照圖7(a)及圖7(b)，接著可藉由熔接(W)來進行，理想的是藉由雷射熔接(W)來進行。經熔接(W)之部分可具有與遮罩100/框架200相同的材質，並且一體地連結。於圖7(a)、圖7(b)中，為了方便說明，應明白經熔接(W)之部分的厚度及寬度多少會誇張顯示，實際上經熔接(W)之部分幾乎未突出，可為在包含於遮罩100的狀態下連結框架200之部分。
若於遮罩100之框體部分(或虛設部)之上部照射雷射，則遮罩100之一部分熔融而可與框架200熔接(W)。熔接(W)在以最大限度靠近框架200之角側進行，始可以最大限度減少遮罩100與框架200間之浮起空間，並提高密接性。熔接(W)部分可生成為線(line)或點(spot)狀，並具有與遮罩100相同的材質，且構成一體地連結遮罩100與框架200之中介體。
顯現出2個鄰接的遮罩100之一框體分別接著(W)於第1格柵框架部220(或第2格柵框架部230)之上面的形態。第1格柵框架部220(或第2格柵框架部230)之寬度、厚度形成為大約1~5mm左右，為了提升製品之生產性，必須使第1格柵框架部220(或第2格柵框架部230)與遮罩100a、100b之框體重疊之寬度以最大限度縮減至大約0.1~2.5mm左右。
第1、2格柵框架部220、230之與長邊方向垂直的截面形狀可為三角形220a(參照圖7(a)、圖7(c)、圖7(d))，為了更良好地支持遮罩100之負載及張力，截面形狀形成為構成四角形(一例為平行四邊形220b，參照圖7(b))，有時邊、角部分亦可局部弧形化。
參照圖7(c)，接著係將接著部(EM)介於遮罩100與框架200間來進行，理想的是藉由共熔材質之接著部(EM)來進行。共熔接著部(EM)如遮罩100/框架200般具有金屬材質，因此，具有高接著性而連結，由於為金屬材質，因此，具有可變形性低之優點。於圖7(c)中，為了方便說明，應明白接著部(EM)之厚度及寬度多少會誇張顯示，實際上夾雜有接著部(EM)的部分幾乎未突出，可為連結遮罩100與框架之部分。
參照圖7(d)，接著可於遮罩100與框架200間形成屬於另外的鍍敷膜之接著鍍敷部150來進行。接著鍍敷部150具有與遮罩100、框架200相同的材質，因此，具有高接著性而一體地連結，由於熱變形率相同，因此，具有可變形性低之優點。
以下，說明相對於遮罩100與框架200之各種接著方法(接著鍍敷部150、共熔接著部(EM)、熔接(W)等)的實施形態。參照圖8至圖12，說明第1、2、3實施形態之接著方法，惟未必限於此，可於接著遮罩100與框架200之目的範圍內運用各種方法。
圖8及圖9為示意圖，其顯示製造本發明第1實施形態的框架一體型遮罩的過程。作為一實施形態，可於遮罩100與框架200間形成接著鍍敷部150而進行接著。
參照圖8(a)，為了進行電鑄鍍敷，準備導電性基材41。含有導電性基材41的母板40於電鑄鍍敷中運用作為負極體。
作為導電性材質，於金屬之情形時，有時亦會於表面生成金屬氧化物，且於金屬製造過程中流入雜質，於多晶矽基材之情形時，則存在有夾雜物或晶界(Grain Boundary)，於導電性高分子基材之情形時，含有雜質的可能性高，強度、耐酸性等脆弱。將像是金屬氧化物、雜質、夾雜物、晶界般妨礙母板40(或基材41)之表面均勻地形成電場的要素稱作「缺陷」(Defect)。由於缺陷，前述材質之負極體無法施加均勻之電場，鍍敷膜(遮罩100)之一部分可能不均勻地形成。
在具體實現UHD級以上的超高畫質像素時，鍍敷膜及鍍敷膜圖案(遮罩圖案(P))之不均勻可能會對像素之形成帶來不良影響。FMM、陰影遮罩之圖案寬度形成為數~數十μm之尺寸，較為理想的是小於30μm之尺寸，因此，即便連數μm尺寸之缺陷，亦為在遮罩之圖案尺寸中佔據大幅比重之尺寸。
又，為了除去在前述材質之負極體之缺陷，進行用以除去金屬氧化物、雜質等的追加步驟，於該過程中有時亦會引發蝕刻到負極體材料等另外其他的缺陷。
故，本發明可使用單晶矽材質之基材41。為了具有導電性，基材41會進行1019 cm-1 以上的高濃度摻雜。摻雜可於基材41之全體進行，亦可僅於基材41之表面部分進行。
於經摻雜之單晶矽之情形時，由於沒有缺陷，因此，具有電鑄鍍敷時可於表面全部形成均勻之電場而生成均勻鍍敷膜(遮罩100)之優點。透過均勻之鍍敷膜而製造的框架一體型遮罩100、200可進一步地改善OLED像素之畫質水平。又，由於無須進行除去、消除缺陷的追加步驟，因此，可削減步驟成本，並具有生產性提升之優點。
又，藉由使用矽材質之基材41，具有可反應需要只要藉由將基材41之表面氧化(Oxidation)、氮化(Nitridation)的過程便形成絕緣部45之優點。絕緣部45具有防止鍍敷膜(遮罩100)之電附著的作用，可於鍍敷膜形成圖案(遮罩圖案(P))。
其次，參照圖8(b)，於基材41之至少一面上可形成絕緣部45。絕緣部45形成為具有圖案，且宜具有錐形狀之圖案。絕緣部45是以導電性基材41為基底的氧化矽、氮化矽等，亦可使用光阻材料。使用光阻材料而形成錐形狀之圖案時，可使用多重曝光方法、每個區域使曝光強度不同的方法等。藉此，可製造母板40。
其次，參照圖8(c)，準備與母板40(或負極體40)相對向的正極體(未圖示)。正極體(未圖示)浸漬於鍍敷液(未圖示)中，母板40則是全部或一部分浸漬於鍍敷液(未圖示)中。藉由於母板40(或負極體40)與相對向的正極體間所形成電場，可於母板40之表面電附著、生成鍍敷膜(遮罩100)。不過，僅於導電性基材41露出之表面生成鍍敷膜，於絕緣部45之表面則未生成鍍敷膜，因此，可於鍍敷膜上形成圖案(遮罩圖案(P)(參照圖4)。
鍍敷液為電解液，可成為構成遮罩100的鍍敷膜之材料。作為一實施形態，當製造屬於鐵鎳合金的不變鋼薄板作為鍍敷膜100時，可使用含有Ni離子之溶液及含有Fe離子之溶液的混合液作為鍍敷液。作為其他實施形態，當製造屬於鐵鎳鈷合金的超恆範鋼薄板作為鍍敷膜100時，亦可使用含有Ni離子之溶液、含有Fe離子之溶液及含有Co離子之溶液的混合液作為鍍敷液。不變鋼薄板、超恆範鋼薄板於OLED之製造中運用作為FMM、陰影遮罩。又，不變鋼薄板之熱膨脹係數大約1.0×10-6 /℃，超恆範鋼薄板之熱膨脹係數大約1.0×10-7 /℃左右而非常低，因此，遮罩之圖案形狀因熱能而變形之虞小，主要運用在高解析度OLED製造中。除此之外，亦可無限制地使用相對於所期望鍍敷膜100的鍍敷液，於本說明書中，假想製造不變鋼薄板100作為主要例子來說明，且併用鍍敷膜100與遮罩100來說明。
由於一邊自基材41之表面電附著鍍敷膜100一邊增厚，因此，宜將鍍敷膜100形成至超過絕緣部45之上端之前。即，相較於絕緣部45之厚度，鍍敷膜100之厚度更小。由於鍍敷膜100填滿、電附著於絕緣部45之圖案空間，因此，可生成為具有與絕緣部45之圖案逆相的錐形狀。
其次，參照圖4(d)，將母板40(或負極體40)舉起至鍍敷液(未圖示)外。又，可形成第2絕緣部47。絕緣部47宜為與絕緣部45相同的材質。第2絕緣部47可形成於鍍敷膜100之框體區域48除外的剩餘區域上。即，第2絕緣部47可覆蓋絕緣部45與鍍敷膜100a全部，並覆蓋鍍敷膜框體100b之一部分。鍍敷膜100之框體區域48可露出。
其次，參照圖9(a)，將圖8(d)之構造物翻轉而配置於框架200(有時亦構成第1、2格柵框架部220、230或框體框架部210)之上部。反之，亦可將框架200翻轉而配置於圖8(d)之構造物。
構成一個遮罩單元(c)區的框架200之構造(框體框架部210、第1、2格柵框架部220、230)可具有包圍鍍敷膜(遮罩100)之形狀。較為理想的是框架200可具有對應於遮罩100之露出區域49除外的剩餘框體區域48之形狀。
於遮罩100接觸的框架200(有時亦構成第1、2格柵框架部220、230或框體框架部210)之上部可形成接著部(TA)。接著部(TA)之接著劑可使用環氧樹脂系接著劑等。藉由接著部(TA)，遮罩100之框體可接著固定於框架200之上部。與接著部(TA)接著的遮罩100之框體部分以後會除去，因此稱作剝離膜100c(參照圖9(e))。又，為了方便說明，應明白接著部(TA)與剝離膜100c之寬度多少會誇張顯示。接著部(TA)只要是在形成接著鍍敷部150前將遮罩100臨時接著固定於框架200程度的範圍內塗佈即可。
其次，參照圖9(b)，進行電鑄鍍敷而可電附著接著鍍敷部150。接著鍍敷部150可電附著於第2絕緣部47與接著部(TA)間所露出的遮罩100之表面49及框架200之內側面上。由於一邊自遮罩100露出之表面49電附著接著鍍敷部150一邊增厚，因此，宜將接著鍍敷部150形成至超過第2絕緣部47之上端之前。即，相較於第2絕緣部47之厚度，接著鍍敷部150之厚度更小。接著鍍敷部150可一邊電附著於遮罩100露出之表面49及框架200之內側面上，一邊構成一體地連結遮罩100與框架200的中介體。此時，接著鍍敷部150一體地連結、電附著於遮罩100之框體100b，因此，具有朝框架200之方向(框架200之內側方向)或外側方向施加拉伸力的狀態，且可支持遮罩100。藉此，無須另外進行拉伸遮罩並排列的過程，可使繃緊而朝框架200側拉伸的遮罩100與框架200一體地形成。
另一方面，在形成遮罩100及接著鍍敷部150後，可對遮罩100及接著鍍敷部150進行熱處理。熱處理可於300℃~800℃之溫度下進行。一般而言，相較於藉由壓延所生成不變鋼薄板，藉由電鑄鍍敷所生成不變鋼薄板的熱膨脹係數高。依此，藉由對不變鋼薄板進行熱處理，可降低熱膨脹係數，然而，於該熱處理過程中不變鋼薄板可能會產生若干變形。故，若於母板40(或基材41)與遮罩100接著的狀態下進行熱處理，則形成於母板40之絕緣部45、47所佔空間部分的遮罩圖案(P)之形態可保持一定，具有可防止熱處理所致微細變形之優點。又，自遮罩100分離母板40(或基材41)後，即便對具有遮罩圖案(P)的遮罩100進行熱處理，亦具有降低不變鋼薄板之熱膨脹係數的效果。
其次，參照圖9(c)，可除去絕緣部45及第2絕緣部47。僅除去光阻材料、氧化矽、氮化矽等絕緣部45及第2絕緣部47且不會對剩餘構造帶來影響的公知技術可以無限制地使用。另一方面，當絕緣部由氧化矽、氮化矽構成時，亦可省略除去該等的階段，並直接進行下述圖9(d)之步驟。於導電性基板41一體化而形成的氧化矽、氮化矽可透過圖9(d)之基板分離步驟同時分離/除去。
其次，參照圖9(d)，可將導電性基板41自遮罩100分離。導電性基板41可朝遮罩100及框架200之上部方向分離。若導電性基板41被分離，則會顯現一體地形成遮罩100與支持遮罩100的框架200之形態。
另一方面，在進行至圖9(d)階段的框架一體型遮罩上會殘存接著部(TA)。接著部(TA)之接著劑雖有臨時固定遮罩100的效果，但接著劑與不變鋼遮罩100之熱膨脹係數不同，在像素形成步驟中會產生因溫度變化而使接著劑扭曲遮罩100的問題。又，接著劑與步驟氣體反應所生成的汙染物質會對OLED之像素造成不良影響，並可引發接著劑本身所含有機溶劑等的逸出氣體汙染像素步驟室，或是作為雜質而蒸鍍於OLED像素的不良影響。又，因逐漸除去接著劑，產生遮罩100自框架200脫離的問題。依此，雖然必須洗淨接著部(TA)，但接著部(TA)與遮罩100接著，於外部不易洗淨接著部(TA)，在勉強洗淨接著部(TA)時，亦存在有遮罩100產生變形的可能性。
故，本發明進行如圖9(e)及圖9(f)之步驟，不會對鍍敷膜100造成影響，可以僅將接著部(TA)完全除去。
參照圖9(e)，於對應於接著部(TA)的遮罩100之區域邊界照射雷射(L)而可於遮罩100與剝離膜100c間形成分離線。即，藉由於遮罩100上在剝離膜100c之邊界照射雷射(L)而進行雷射修整(laser trimming)，可將剝離膜100c自遮罩100分離。然而，剝離膜100c並非是直接取下，而是保持與接著部(TA)接著的狀態。
其次，參照圖9(f)，可洗淨(C)接著部(TA)。依照接著劑的不同，可以無限制地使用公知洗淨物質，洗淨液可自鍍敷膜20之側面滲透而洗淨(C)接著部(TA)。藉此，可完全除去接著部(TA)。
接著，將業已自遮罩100分離的剝離膜100c剝離(peel off；PO)。剝離膜100c並非是除去接著部(TA)而與框架200接著的狀態，且由於與遮罩100分離，因此可直接取下。
其次，參照圖9(g)，完成一體地形成遮罩100與框架200的框架一體型遮罩。本發明之框架一體型遮罩並無接著部(TA)，且為了除去接著部(TA)，僅除去遮罩100之框體100b之一部分(剝離膜100c)，因此，對於有助於像素步驟的遮罩100a、100b及接著鍍敷部150完全無影響。
圖10及圖11為示意圖，其顯示製造本發明第2實施形態的框架一體型遮罩的過程。作為一實施形態，可熔接(W)遮罩100而與框架200進行接著。
圖10(a)至圖10(c)階段與圖8(a)至圖8(c)階段相同，因此，省略具體之說明。
其次，參照圖11(a)，將母板40(或負極體40)舉起至鍍敷液(未圖示)外。又，將圖10(c)之構造物翻轉而配置於框架200(有時亦構成第1、2格柵框架部220、230或框體框架部210)之上部。反之，亦可將框架200翻轉而配置於圖10(c)之構造物。
構成一個遮罩單元(c)區的框架200之構造(框體框架部210、第1、2格柵框架部220、230)可具有包圍鍍敷膜(遮罩100)之形狀。
於遮罩100接觸的框架200之上部可形成接著部(TA)。接著部(TA)之接著劑可使用環氧樹脂系接著劑等。藉由接著部(TA)，遮罩100之框體中至少一部分可接著固定於框架200之上部。
其次，參照圖11(b)，可除去絕緣部45。僅除去光阻材料、氧化矽、氮化矽等絕緣部45且不會對剩餘構造帶來影響的公知技術可以無限制地使用。另一方面，當絕緣部由氧化矽、氮化矽構成時，亦可省略除去該等的階段，並直接進行下述圖11(c)之步驟。於導電性基板41一體化而形成的氧化矽、氮化矽可透過圖11(c)之基板分離步驟同時分離/除去。
其次，參照圖11(c)，可將導電性基板41自遮罩100分離。導電性基板41可朝遮罩100及框架200之上部方向分離。若導電性基板41被分離，則會顯現透過接著部(TA)接著於框架200的遮罩100之形態。
另一方面，在進行至圖11(c)階段的構造體之情形時，為了接著遮罩100與框架200，接著部(TA)必須殘存。接著部(TA)之接著劑雖有臨時固定遮罩100的效果，但接著劑與不變鋼遮罩100之熱膨脹係數不同，在像素形成步驟中會產生因溫度變化而使接著劑扭曲遮罩100的問題。又，接著劑與步驟氣體反應所生成的汙染物質會對OLED之像素造成不良影響，並可引發接著劑本身所含有機溶劑等的逸出氣體汙染像素步驟室，或是作為雜質而蒸鍍於OLED像素的不良影響。又，因逐漸除去接著劑，產生遮罩100自框架200脫離的問題。依此，雖然必須洗淨接著部(TA)，但接著部(TA)與遮罩100接著，於外部不易洗淨接著部(TA)，在勉強洗淨接著部(TA)時，亦存在有遮罩100產生變形的可能性。又，在洗淨接著部(TA)而全部除去時，會採取用以使遮罩100與框架200一體地接著的其他方案。
故，本發明進行如圖11(d)至圖11(f)之步驟，不會對鍍敷膜100造成影響，可以僅將接著部(TA)完全除去。又，可代替接著部(TA)而使熔接部100c介於遮罩100與框架200間，並一體地接著遮罩100與框架200。
參照圖11(d)，可使用框體部分的遮罩100b而於遮罩100b與框架200間進行雷射熔接(W)。若於框體部分的遮罩100b之上部照射雷射，則遮罩100b之一部分熔融而可生成熔接部100c。具體而言，雷射必須照射在比形成有接著部(TA)的區域更內側的區域。由於在後續步驟中必須自框架200之外側(或遮罩100之外側面)滲透洗淨液而除去接著部(TA)，因此，熔接部100c必須生成於比接著部(TA)更內側。又，靠近框架200之角側而形成熔接部100c，始可以最大限度減少遮罩100與框架200間之浮起空間，並提高密接性。熔接部100c可生成為線或點狀，並具有與遮罩100b相同的材質，且構成一體地連結遮罩100b與框架200之中介體。
於圖11(a)階段中遮罩100接著於接著部(TA)時，遮罩100可於朝框架200之方向或外側方向承受拉伸力的狀態下接著。藉此，將繃緊而朝框架200側拉伸的遮罩100臨時接著於框架200。若於該狀態下進行如圖11(d)之雷射熔接(W)，則遮罩100可於朝外側承受拉伸力的狀態下熔接於框架200之上部。故，即便於後續步驟中除去接著部(TA)，亦可朝外側方向施加拉伸力，並保持繃緊而朝框架200側拉伸的狀態。
其次，參照圖11(e)，於對應於接著部(TA)的遮罩100之區域邊界照射雷射(L)而可於遮罩100b與剝離膜100d間形成分離線。即，藉由於遮罩100b上在剝離膜100d之邊界照射雷射(L)而進行雷射修整，可將剝離膜100d自遮罩100分離。然而，剝離膜100d並非是直接取下，而是保持與接著部(TA)接著的狀態。
其次，參照圖11(f)，可洗淨(C)接著部(TA)。依照接著劑的不同，可以無限制地使用公知洗淨物質，洗淨液可自遮罩100之側面滲透而洗淨(C)接著部(TA)。藉此，可完全除去接著部(TA)。
接著，將業已自遮罩100分離的剝離膜100d剝離(PO)。剝離膜100d並非是除去接著部(TA)而與框架200接著的狀態，且由於與遮罩100分離，因此可直接取下。
其次，參照圖11(g)，完成一體地形成遮罩100與框架200的框架一體型遮罩。本發明之框架一體型遮罩並無接著部(TA)，且為了除去接著部(TA)，僅除去遮罩100之框體100b之一部分(剝離膜100d)，因此，對於有助於像素步驟的遮罩100完全無影響。
圖12為示意圖，其顯示製造本發明第3實施形態的框架一體型遮罩的過程。作為一實施形態，可將共熔材質之接著部(EM)介於遮罩100與框架200間而進行接著。
如圖10(a)至圖10(c)階段，可形成母板40及於母板40上形成遮罩100。
其次，參照圖12(a)，將圖10(c)之構造物翻轉而配置於框架200(有時亦構成第1、2格柵框架部220、230或框體框架部210)之上部。
於遮罩100接觸的框架200之上部可形成共熔材質之接著部(EA)。共熔材質之接著部(EA)為In、Sn、Bi、Au等群組與Sn、Bi、Ag、Zn、Cu、Sb、Ge等群組中含有至少一種金屬的接著劑，可具有膜、線、束狀等各種形狀，並具有大約10~30μm之薄薄的厚度。共熔材質之接著部(EA)含有至少2個金屬固相(solid phase)，於特定溫度/壓力之共熔點(eutectic point)中，2個金屬固相皆可構成液相(liquid phase)。又，若脫離共熔點，則可再度構成2個金屬固相。藉此，透過固相→液相→固相之相變化，可進行作為接著劑的作用。
其次，參照圖12(b)，可於共熔接著部(EA)施加預定溫度/壓力(HP)。為了以不會產生空孔(void)的方式施加預定壓力，並防止共熔體氧化，可設置流動有抗氧化氣體(惰性氣體(inert gas)、真空)的另外之裝置(未圖示)。於預定溫度/壓力(HP)下為固體的共熔接著部(EA)會一邊溶解一邊變成液體。
其次，參照圖12(c)，在解除預定溫度/壓力(HP)後，共熔接著部(EA)可再度變成固體(EM)，並接著遮罩100與框架200。即，可具有作為接著遮罩100與框架200的固體共熔接著部(EM)之機能。
共熔接著部(EM)與一般的有機接著劑(TA)不同，完全不含揮發性有機物。故，可防止接著劑(TA)之揮發性有機物質與步驟氣體反應而對OLED之像素造成不良影響，或者接著劑(TA)本身所含有機物質等的逸出氣體汙染像素步驟室，或是作為雜質而蒸鍍於OLED像素的不良影響。又，共熔接著部(EM)為固體，因此，無法藉由OLED有機物洗淨液洗淨而可具有耐蝕性。又，由於含有2種以上的金屬，因此，相較於有機接著劑(TA)，與屬於相同金屬材質的遮罩100、框架200具有高接著性而連結，由於為金屬材質，因此，具有可變形性低之優點。
另一方面，如圖8至圖12中所說明，若完成將一個母板40及遮罩100接著於框架200之步驟，則可反覆使剩餘的母板40及遮罩100依序地對應於剩餘的遮罩單元(C)並接著於框架200的過程。已經接著於框架200的遮罩100可提示基準位置，因此具有以下優點：可明顯縮減使剩餘的遮罩100依序地對應於單元(C)並確認排列狀態的過程之時間。又，接著於一個遮罩單元區的遮罩100a及接著於與其鄰接的遮罩單元區的遮罩100b間之PPA不超過3μm，具有可提供排列準確的超高畫質OLED像素形成用遮罩之優點。又，另一方面，亦可一律使母板40及遮罩100對應於遮罩單元(C)，並一次接著於框架200。
圖13為示意圖，其顯示使用本發明一實施形態的框架一體型遮罩100、200之OLED像素蒸鍍裝置1000。
參照圖13，OLED像素蒸鍍裝置1000包含有：磁板300，其收納磁鐵310，並配設有冷卻水管線350；及蒸鍍源供給部500，其自磁板300之下部供給有機物源600。
於磁板300與蒸鍍源供給部500之間，可夾雜蒸鍍有機物源600的玻璃等對象基板900。依像素別蒸鍍有機物源600的框架一體型遮罩100、200(或FMM)與對象基板900密接，或是配置成非常靠近。磁鐵310會產生磁場，藉由磁場，可與對象基板900密接。
蒸鍍源供給部500往返左右路徑，並供給有機物源600，自蒸鍍源供給部500供給的有機物源600可通過業已形成於框架一體型遮罩100、200的圖案(P)，蒸鍍於對象基板900之一側。通過框架一體型遮罩100、200之圖案(P)所蒸鍍的有機物源600具有作為OLED之像素700的作用。
為了防止陰影效應(Shadow Effect)所致像素700之蒸鍍不均勻，框架一體型遮罩100、200之圖案可傾斜形成(S)(或形成為錐形狀(S))。沿著傾斜面朝對角線方向通過圖案的有機物源600亦可有助於像素700之形成，因此，像素700可全體以均勻之厚度蒸鍍。
如前述，本發明列舉較佳實施形態而圖示說明，惟並不限於前述實施形態，在未脫離本發明精神之範圍內，該發明所屬技術領域中具有通常知識者可進行各種變形與變更。應理解此種變形例及變更例屬於本發明與添附申請專利範圍之範圍內。
產業上之可利用性
本發明可應用在框架一體型遮罩的製造方法相關的領域中。
10、100、100a、100b‧‧‧遮罩、鍍敷膜
11、110‧‧‧遮罩膜
20、200‧‧‧框架
40‧‧‧母板、負極體
41‧‧‧導電性基材、導電性基板
45‧‧‧絕緣部
47‧‧‧第2絕緣部
48‧‧‧框體區域
49‧‧‧露出區域、表面
100c‧‧‧熔接部
100c、100d‧‧‧剝離膜
150‧‧‧接著鍍敷部
210‧‧‧框體框架部
220‧‧‧第1格柵框架部
220a‧‧‧三角形
220b‧‧‧平行四邊形
230‧‧‧第2格柵框架部
300‧‧‧磁板
310‧‧‧磁鐵
350‧‧‧冷卻水管線
500‧‧‧蒸鍍源供給部
600‧‧‧有機物源
700‧‧‧像素
900‧‧‧對象基板
1000‧‧‧OLED像素蒸鍍裝置
C‧‧‧單元、遮罩單元、顯示器單元
C‧‧‧洗淨
D1~D1”、D2~D2”‧‧‧距離
EA、EM‧‧‧共熔材質之接著部、共熔接著部
F1~F4‧‧‧拉伸力
HP‧‧‧預定溫度/壓力
L‧‧‧雷射
P‧‧‧遮罩圖案、像素圖案
PO‧‧‧剝離
S‧‧‧錐形狀
TA‧‧‧接著部
W‧‧‧熔接
圖1是顯示習知OLED像素蒸鍍用遮罩之示意圖。
圖2是顯示將習知遮罩接著於框架的過程之示意圖。
圖3為示意圖，其顯示於拉伸習知遮罩之過程中產生單元間之排列誤差。
圖4是顯示本發明一實施形態的框架一體型遮罩之正視圖。
圖5是顯示本發明一實施形態的框架之正視圖及側截面圖。
圖6為示意圖，其顯示將本發明一實施形態的遮罩對應於框架之單元區而接著的過程。
圖7為局部放大截面圖，其顯示本發明各種實施形態的遮罩接著於框架之形態。
圖8及圖9為示意圖，其顯示製造本發明第1實施形態的框架一體型遮罩的過程。
圖10及圖11為示意圖，其顯示製造本發明第2實施形態的框架一體型遮罩的過程。
圖12為示意圖，其顯示製造本發明第3實施形態的框架一體型遮罩的過程。
圖13為示意圖，其顯示使用本發明一實施形態的框架一體型遮罩之OLED像素蒸鍍裝置。

Claims (20)

  1. 一種框架一體型遮罩的製造方法，係一體地形成遮罩與支持遮罩的框架，並包含有以下階段： (a)階段，其提供框架，該框架沿著第1方向、與第1方向垂直的第2方向中至少一方向，具備複數個遮罩單元區； (b)階段，其提供已於上面形成遮罩的母板，且前述遮罩形成有複數個遮罩圖案； (c)階段，其將母板及遮罩對應於框架的一個遮罩單元區；及 (d)階段，其將遮罩之框體之至少一部分接著於框架。
  2. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中框架包含有： 框體框架部；及 至少一個第1格柵框架部，其朝第1方向延伸設置，且兩端與框體框架部連結。
  3. 如請求項2之框架一體型遮罩的製造方法，其中框架更包含有至少一個第2格柵框架部，該第2格柵框架部朝與第1方向垂直的第2方向延伸設置，並與第1格柵框架部交叉，且兩端與框體框架部連結。
  4. 如請求項2之框架一體型遮罩的製造方法，其中框體框架部為四角狀。
  5. 如請求項2之框架一體型遮罩的製造方法，其中第1格柵框架部之與長邊方向垂直的截面形狀為三角形、四角形，或是邊、角中至少一者為弧形狀的三角形、四角形狀。
  6. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中遮罩包含形成有複數個遮罩圖案的遮罩圖案部，以及遮罩圖案部周邊的虛設部，虛設部之至少一部分接著於框架。
  7. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中反覆進行(b)階段至(d)階段，在將複數個母板及遮罩依序地對應於遮罩單元區後，接著於框架。
  8. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(c)階段中，將遮罩對應於框架的至少一個遮罩單元區。
  9. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著於一個遮罩單元區的遮罩及接著於與其鄰接的遮罩單元區的遮罩間之PPA不超過3μm。
  10. 如請求項1之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(b)階段中，母板包含有導電性基材及導電性基材上已圖案化的絕緣部，且自已圖案化的絕緣部間所露出導電性基材之表面形成遮罩。
  11. 如請求項10之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(b)階段中，母板更包含有第2絕緣部，該第2絕緣部形成於遮罩之框體區域除外的剩餘區域上。
  12. 如請求項11之框架一體型遮罩的製造方法，其中(d)階段包含有以下階段： (d1)階段，其於框架上部之至少一部分形成接著部，並將所露出的遮罩之框體區域中至少一部分接著於接著部； (d2)階段，其藉由電鑄鍍敷，於接著部與第2絕緣部間所露出的遮罩及框架之內側面上形成接著鍍敷部； (d3)階段，其將導電性基板自遮罩分離； (d4)階段，其於對應於接著部的遮罩之剝離膜之邊界照射雷射，並洗淨接著部；及 (d5)階段，其除去遮罩之剝離膜。
  13. 如請求項12之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著鍍敷部與遮罩之一面框體連結而與遮罩一體化。
  14. 如請求項12之框架一體型遮罩的製造方法，其中接著鍍敷部係於朝遮罩外側施加拉伸力的狀態下形成於框架之內側面上。
  15. 如請求項12之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(d2)階段與(d3)階段間更進行除去絕緣部及第2絕緣部的階段。
  16. 如請求項10之框架一體型遮罩的製造方法，其中(d)階段包含有以下階段： (d1)階段，其於框架上部之至少一部分形成接著部，並將遮罩之框體中至少一部分接著於接著部； (d2)階段，其將導電性基板與遮罩分離； (d3)階段，其將比形成有接著部的區域更內側區域的至少一部分之遮罩雷射熔接於框架上部； (d4)階段，其於對應於接著部的遮罩之剝離膜之邊界照射雷射，並洗淨接著部；及 (d5)階段，其除去遮罩之剝離膜。
  17. 如請求項16之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(d3)階段中，照射過雷射的鍍敷膜之部分局部熔融而使熔接部介於鍍敷膜與框架間，藉此進行雷射熔接。
  18. 如請求項10之框架一體型遮罩的製造方法，其中於(d)階段中，在與遮罩接連的框架之部分形成共熔材質之接著部，且遮罩透過接著部接著於框架。
  19. 如請求項10之框架一體型遮罩的製造方法，其中導電性基材為經摻雜之單晶矽材質。
  20. 如請求項10之框架一體型遮罩的製造方法，其中絕緣部為光阻材料、氧化矽、氮化矽之材質中任一者。
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