CN109980078A - 发光模组及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发光模组及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。发光模组(01)包括：第一基板(011)、第二基板(012)、第一导电层(013)、第二导电层(014)和发光元件(015)；第一基板(011)和第二基板(012)相对设置，第一导电层(013)位于第一基板(011)中朝向第二基板(012)的表面，第二导电层(014)位于第二基板(012)中朝向第一基板(011)的表面；发光元件(015)的第一极与第一导电层(013)电连接，发光元件的第二极与第二导电层(014)电连接。本申请降低了制造发光模组的难度，本申请用于显示装置。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种发光模组及其制造方法、显示装置。
背景技术
液晶显示装置由于具有功耗低的优点而得到了广泛的应用。液晶显示装置包括：液晶显示面板及发光模组，发光模组用于向液晶显示面板提供背光。
相关技术中，背光模组包括：依次排布的基板、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和发光二极管。其中，发光二极管的阳极通过第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔与第一导电层电连接，发光二极管的阴极通过第二绝缘层中的过孔与第二导电层电连接。在制造背光模组时，需要先在基板上形成第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层，且在第一绝缘层和第二绝缘层中形成过孔。之后，将发光二极管的阳极和阴极分别与形成的过孔对位，以将发光二极管的阳极和阴极插入形成的过孔。
由于过孔通常较小，因此将发光二极管的电极与过孔进行对位的难度较高，导致制造发光二极管的效率较低。
发明内容
本申请提供了一种发光模组及其制造方法、显示装置，可以解决现有技术中制造发光二极管的效率较低的问题，所述技术方案如下：
一方面，提供了一种发光模组，所述发光模组包括：第一基板、第二基板、第一导电层、第二导电层和发光元件。
该发光模组的第一基板和第二基板相对设置，第一导电层位于第一基板中朝向第二基板的表面，第二导电层位于第二基板中朝向第一基板的表面，且第一导电层和/或第二导电层透光；
发光元件位于第一导电层和第二导电层之间，且发光元件的第一极与第一导电层电连接，发光元件的第二极与第二导电层电连接。
可选地，发光模组的所述发光元件包括发光二极管。
可选地，所述发光模组中的部分或全部发光元件包括：x行y列发光元件组，x≥1，y≥1；
所述第一导电层包括：与x行所述发光元件组一一对应的x个第一导电条，每行所述发光元件组与对应的所述第一导电条电连接；
所述第二导电层包括：与y列所述发光元件组一一对应的y个第二导电条，每列所述发光元件组与对应的所述第二导电条电连接。
可选地，所述第一导电层还包括：与所述x个第一导电条一一对应的x个第一走线，所述第二导电层还包括：与所述y个第二导电条一一对应的y个第二走线，
每个所述第一导电条与对应的第一走线电连接，每个所述第二导电条与对应的第二走线电连接。
可选地，所述发光模组还包括：焊接层，
所述焊接层导电，且位于所述第一导电层和所述发光元件之间，且所述发光元件的第一极通过所述焊接层与所述第一导电层电连接，所述焊接层的熔点低于所述第一导电层的熔点。
可选地，所述焊接层包括：多个焊接锭，
每个所述焊接锭与一个或多个所述发光元件的第一极电连接，且不同所述焊接锭电连接不同所述发光元件的第一极。
可选地，所述发光模组中的部分或全部发光元件包括：x行y列发光元件组，x≥1，y≥1；
所述发光模组中的所述焊接锭与所述发光元件组一一对应，每个焊接锭与其对应的发光元件组中发光元件的第一极电连接。
可选地，所述多个焊接锭阵列排布，所述发光模组中的发光元件阵列排布，且所述发光元件的行方向平行于所述焊接锭的行方向，所述发光元件的列方向平行于所述焊接锭的列方向。
可选地，所述多个焊接锭阵列排布，所述发光模组中的发光元件阵列排布，且所述发光元件的行方向平行于所述焊接锭的行方向，所述发光元件的列方向平行于所述焊接锭的列方向。
可选地，所述绝缘层远离所述第一基板的表面与所述第一基板的距离小于距离阈值，所述距离阈值为所述焊接层远离所述第一基板的表面与所述第一基板的距离。
另一方面，提供了一种发光模组的制造方法，所述制造方法包括：
在第一基板上形成第一导电层；
在第二基板上形成第二导电层；
将发光元件置于第一导电层和第二导电层之间，以使发光元件的第一极与第一导电层电连接，且发光元件的第二极与第二导电层电连接。
再一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一发光模组，
可选地，所述显示装置还包括：液晶显示面板，所述发光模组用于向所述液晶显示面板提供背光。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本发明实施例中提供的发光模组中，第一基板、第一导电层、发光元件、第二导电层和第二基板依次排布，且发光元件的第一电极与第一导电层电连接，发光元件的第二电极与第二导电层电连接。并且，发光元件的电极直接与导电层不需要通过过孔电连接，这样在制造发光模组时无需将发光二极管与过孔进行对位。因此，降低了发光模组的制造难度，提高了发光模组的制造效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种发光模组局部结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种发光模组的俯视图；
图3为本发明实施例提供的另一种发光模组的局部结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种发光模组的俯视图；
图5为本发明实施例提供的又一种发光模组的局部结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种发光模组的制造方法的流程图；
图7为本发明实施例提供的另一种发光模组的制造方法的流程图；
图8为本发明实施例提供的一种在第一基板上形成第一导电层的示意图；
图9为本发明实施例提供的一种在第一导电层上形成绝缘层的示意图；
图10为本发明实施例提供的一种在第一导电层上形成焊接层的示意图；
图11为本发明实施例提供的一种在第二基板上形成第二导电层的示意图；
图12为本发明实施例提供的一种将发光元件转印至焊接层的示意图；
图13为本发明实施例提供的一种有效发光元件和无效发光元件的示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
由于相关技术中在制造背光模组时，需要将发光二极管的电极与过孔进行对位，且过孔通常较小，因此将发光二极管的电极与过孔进行对位的难度较高，导致制造发光二极管的效率较低。本发明实施例提供了一种发光模组，制造该发光模组的难度较低，且效率较高。
示例地，图1为本发明实施例提供的一种发光模组局部结构示意图，如图1所示，该发光模组01包括：第一基板011、第二基板012、第一导电层013、第二导电层014和发光元件015。
该发光模组01的第一基板011和第二基板012相对设置。第一导电层013位于第一基板011中朝向第二基板012的表面，第二导电层014位于第二基板012中朝向第一基板011的表面。
第一导电层013和/或第二导电层014透光。相当于，第一导电层013透光且第二导电层014不透光，或者，第一导电层013不透光且第二导电层014透光，或者，第一导电层013和第二导电层014均透光。可选地，当第一导电层013和第二导电层014中的某一导电层透光时，该导电层的材质可以为透明导电材质，如氧化铟锡(英文：Indium tin oxide；简称：ITO)或氧化铟锌(英文：Indium Zinc Oxide；简称：IZO)等。当该导电层不透光时，该导电层的材质可以为遮光导电材质，如金属或石墨烯等。
发光元件015位于第一导电层013和第二导电层014之间，且发光元件015的第一极与第一导电层013电连接，发光元件015的第二极与第二导电层014电连接。需要说明的是，发光元件015可以包括：沿远离第一基板011的方向依次排布的第一极、发光层和第二极(图1中未示出发光元件015的结构)，当第一极和第二极之间加载有一定电压时，发光层能够在该电压的作用下发光。
需要说明的是，本发明实施例提供的发光模组可以包括一个或多个发光元件015，该多个发光元件可以为：两个、三个或一百个发光元件等。图1中仅以发光模组包括多个发光元件015为例，且图1示出了该多个发光元件015中的三个发光元件015。
上述发光元件015可以包括：发光二极管(英文：Light Emitting Diode；简称：LED)，或者，微型LED(英文：Micro LED)，或者其他能够发光的元件。其中，微型LED可以呈正方形，且该正方形的边长(相当于正方形的尺寸)可以小于100微米，比如10微米等。本发明实施例提供的发光模组可以为背光模组、灯、显示模组等具有发光功能的模组。上述第一基板011和第二基板012均可以为玻璃基板或其他基板，如聚酰亚胺基板等，本发明实施例对此不作限定。
综上所述，本发明实施例中提供的发光模组中，第一基板、第一导电层、发光元件、第二导电层和第二基板依次排布，且发光元件的第一电极与第一导电层电连接，发光元件的第二电极与第二导电层电连接。并且，发光元件的电极直接与导电层不需要通过过孔电连接，这样在制造发光模组时无需将发光二极管与过孔进行对位。因此，降低了发光模组的制造难度，提高了发光模组的制造效率。
可选地，图2为本发明实施例提供的一种发光模组01的俯视图，图1示出了图2中截面XX’的示意图，且图2中未示出图1中的第一基板和第二基板。如图2所示，发光模组01中的部分或全部发光元件015可以包括：x行y列发光元件组016，x≥1，y≥1。图2中以发光模组01中的全部发光元件015包括：三行三列发光元件组016为例(也即x＝y＝3)，可选地，x也可以不为3(如x＝1、2、100等)，y也可以不为3(如y＝1、2、300等)。另外，发光元件组016可以包括一个或多个发光元件015，图2中以发光元件组016包括9个发光元件为例，可选地，发光元件组016也可以包括其他个数(如4个、16个等)的发光元件015，本发明实施例对此不作限定。
请继续参考图2，第一导电层013可以包括：与x行发光元件组016一一对应的x个第一导电条0131，每行发光元件组016与对应的第一导电条0131电连接。并且，每行发光元件组016在第一基板(图2中未示出)上的正投影可以位于对应的第一导电条0131在第一基板上的正投影内。第二导电层014可以包括：与y列发光元件组016一一对应的y个第二导电条0141，每列发光元件组016与对应的第二导电条0141电连接。并且，每列发光元件组016在第一基板(图2中未示出)上的正投影可以位于对应的第二导电条0141在第一基板上的正投影内。
从图2可以看出，每个发光元件组016与一个第一导电条0131和一个第二导电条0141电连接，且能够根据该第一导电条0131和第二导电条0141之间的电压发光。并且，不同发光元件组016电连接的第一导电条0131和/或第二导电条0141不同，比如，不同发光元件组016电连接的第一导电条0131不同且第二导电条0141相同，或者，不同发光元件组016电连接的第一导电条0131相同且第二导电条0141不同，或者，不同发光元件组016电连接的第一导电条0131不同且第二导电条0141不同。这样一来，通过一个第一导电条0131和一个第二导电条0141就能够控制一个发光元件组016发光，所以能够通过调整x个第一导电条0131和y个第二导电条0141上的电位，控制不同的发光元件组016发出不同亮度的光，进而实现发光模组的局部调光。
例如，可以向图2中前两个第一导电条0131加电，且不向第三个第一导电条0131加电，以及向图2中的所有第二导电条0141加电，这样一来，前两行发光元件组016均发光，且第三行发光元件组016不发光。当发光模组为背光模组时，发光模组可以用于为液晶显示面板提供背光。假设液晶显示面板中与前两行发光元件组对应的区域需要显示亮态，且液晶显示面板中与第三行发光元件组对应的区域需要显示暗态。若第三行发光元件组016不发光，则能够使液晶显示面板中与第三行发光元件组对应的区域的亮度较低，因此能够提高液晶显示面板的对比度。
可选地，图2中第一导电条0131的长度方向可以平行于发光元件组016的行方向A1，第二导电条0141的长度方向可以平行于发光元件组016的列方向A2。可选地，第一导电条0131的长度方向也可以不平行于行方向A1(也即第一导电条0131的长度方向与行方向A1的夹角大于零)，第二导电条0141的长度方向也可以不平行于列方向A2(也即第二导电条0141的长度方向与列方向A2的夹角大于零)，本发明实施例对此不作限定。
可选地，请继续参考图2，第一导电层013还可以包括：与x个第一导电条0131一一对应的x个第一走线0132，第二导电层014还包括：与y个第二导电条0141一一对应的y个第二走线0142。每个第一导电条0131与对应的第一走线0132电连接，每个第二导电条0141与对应的第二走线0142电连接。也即，第一导电条0131和第二导电条0141中的每个导电条均对应有一个走线，在向该导电条加电时，可以通过该走线向该导电条加电。
进一步地，图2中的x个第一走线0132可以分为两组第一走线0132，其中，一组第一走线0132通过第一导电条0131电连接至奇数行的发光元件组016，另一组第一走线0132通过第一导电条0131电连接至偶数行的发光元件组016。这两组第一走线0132可以分别位于发光模组01中所有发光元件015的两侧。本发明实施例中，以电连接至奇数行的发光元件组016的一组第一走线0132位于所有发光元件015的左侧，且电连接至偶数数行的发光元件组016的一组第一走线0132位于所有发光元件015的右侧为例。可选地，也可以是：电连接至奇数行的发光元件组016的一组第一走线0132位于所有发光元件015的右侧，且电连接至偶数数行的发光元件组016的一组第一走线0132位于所有发光元件015的左侧。
图3为本发明实施例提供的另一种发光模组的局部结构示意图，如图3所示，在图1的基础上，该发光模组01还可以包括：焊接层017。焊接层017导电，且位于第一导电层013和发光元件015之间，且发光元件015的第一极通过焊接层017与第一导电层013电连接，焊接层017的熔点低于第一导电层013的熔点。
示例地，焊接层017的材质可以包括铟，第一导电层013的材质可以为铜，铟的熔点低于铜的熔点。又示例的，焊接层017的材质也可以包括锡，第一导电层013的材质可以为铜，锡的熔点低于铜的熔点。
发光元件015的第一极可以与焊接层017焊接，以将发光元件015固定在焊接层017上。在将发光元件015的第一极与焊接层017焊接时，可以加热焊接层017，使焊接层017软化，进而与发光元件015的第一极焊接。需要说明的是，由于焊接层017的熔点低于第一导电层013的熔点，因此，在加热焊接层017时，第一导电层013不会软化或融化。并且，通常金属在由硬变软再变硬后，电阻会增大，由于在将发光元件015的第一极与焊接层017焊接时，第一导电层013不会软化或融化，因此，不会增大第一导电层013的电阻。
图4为本发明实施例提供的另一种发光模组的俯视图，图3示出了图4中截面YY’的示意图，且图4中未示出图3中的第一基板和第二基板。如图4所示，焊接层017可以包括：多个焊接锭0171。
每个焊接锭0171与一个或多个发光元件015的第一极电连接，且不同焊接锭0171电连接不同发光元件015的第一极。图4中以每个焊接锭0171与九个发光元件015的第一极电连接为例，可选地，每个焊接锭0171也可以与其他个数(如3个、4个或16个等)的发光元件015的第一极电连接。示例地，类似图2所示的实施例，发光模组01中的部分或全部发光元件015包括：x行y列发光元件组016，x≥1，y≥1。发光模组01中的焊接锭0171与发光元件组016一一对应，每个焊接锭0171与其对应的发光元件组016中发光元件015的第一极电连接。
本发明实施例中，多个焊接锭0171可以阵列排布，发光模组01中的发光元件015阵列排布，且发光元件015的行方向A1平行于焊接锭0171的行方向，发光元件015的列方向A2平行于焊接锭0171的列方向。这样一来，由于发光元件015阵列排布，因此，发光元件015分布的较为均匀，发光模组01各个区域的出光均匀度较高。
可选地，发光模组还可以包括导光板(图3和图4中均未示出)，该导光板可以位于第二基板远离第一基板的一侧，导光板能够对发光元件发出的光进行匀化，以提高发光模组各个区域的出光均匀度。
需要说明的是，由于本发明实施例中发光元件015阵列排布，发光模组各个区域的出光均匀度较高，因此，本发明实施例提供的发光模组也可以不包括导光板，这样一来就能够减小发光模组的厚度，实现发光模组的轻薄化。示例地，当发光模组不包括导光板时，发光模组的厚度可以为0.5毫米，小于相关技术中发光模组的厚度(相关技术中发光模组的厚度大于或等于0.7毫米)。另外，为了进一步地减小发光模组的厚度，还可以将发光模组中的第一基板和第二基板中的部分或全部减薄。
可选地，类似图2所示的实施例，第一导电层013也可以包括：x个第一导电条0131和x个第一走线0132；第二导电层014也可以包括：y个第二导电条0141和y个第二走线0142。
图5为本发明实施例提供的又一种发光模组的局部结构示意图，如图5所示，在图3的基础上，该发光模组01还可以包括：绝缘层018。绝缘层018位于第一导电层013和焊接层017之间，焊接层017通过绝缘层018中的过孔B与第一导电层013电连接。可以看出，第一导电层013上全部覆盖有绝缘层018，绝缘层018能够对第一导电层013进行保护。当发光模组01中的某些发光元件015并未位于焊接层017上，且直接位于绝缘层018上时，该绝缘层018能够防止该发光元件015与第一导电层013电连接。
可选地，绝缘层018远离第一基板011的表面与第一基板011的距离C1小于距离阈值，距离阈值为焊接层017远离第一基板011的表面与第一基板011的距离C2。这样一来，当发光模组01中的某些发光元件015并未位于焊接层017上，且直接位于绝缘层018上时，由于绝缘层018低于焊接层017，因此，该发光元件015与第二导电层014之间存在间隙，该发光元件015不会与第二导电层014电连接。
距离C1小于距离C2，相当于绝缘层018的厚度小于第一导电层013与焊接层017的厚度之和。示例地，绝缘层018的厚度可以等于第一导电层013的厚度，且均小于焊接层017的厚度。比如，绝缘层018和第一导电层013的厚度均可以为0.5微米，焊接层017的厚度可以为2～5微米中的任意厚度，第二导电层014的厚度可以为0.4微米。
可选地，本发明实施例提供的每一种背光模组均还可以包括封框胶，封框胶可以位于第一基板和第二基板之间，用于密封第一基板和第二基板之间的空间。
综上所述，本发明实施例中提供的发光模组中，第一基板、第一导电层、发光元件、第二导电层和第二基板依次排布，且发光元件的第一电极与第一导电层电连接，发光元件的第二电极与第二导电层电连接。并且，发光元件的电极直接与导电层不需要通过过孔电连接，这样在制造发光模组时无需将发光二极管与过孔进行对位。因此，降低了发光模组的制造难度，提高了发光模组的制造效率。
图6为本发明实施例提供的一种发光模组的制造方法的流程图，该方法可以用于制造本发明实施例提供的发光模组(如图1至图5任一所示的发光模组)，如图6所示，该发光模组的制造方法可以包括：
步骤601、在第一基板上形成第一导电层。
步骤602、在第二基板上形成第二导电层。
步骤603、将发光元件置于第一导电层和第二导电层之间，以使发光元件的第一极与第一导电层电连接，且发光元件的第二极与第二导电层电连接。
综上所述，本发明实施例中提供的方法所制造的发光模组中，第一基板、第一导电层、发光元件、第二导电层和第二基板依次排布，且发光元件的第一电极与第一导电层电连接，发光元件的第二电极与第二导电层电连接。并且，发光元件的电极直接与导电层不需要通过过孔电连接，这样在制造发光模组时无需将发光二极管与过孔进行对位。因此，降低了发光模组的制造难度，提高了发光模组的制造效率。
图7为本发明实施例提供的另一种发光模组的制造方法的流程图，该方法可以用于制造图5所示的发光模组，如图7所示，该发光模组的制造方法可以包括：
步骤701、在第一基板上形成第一导电层。
第一导电层可以包括x个第一导电条和x个第一走线，在步骤701中可以首先采用涂覆、物理气相沉积(英文：Physical Vapor Deposition；简称：PVD)或化学气相沉积(英文：Chemical Vapor Deposition；简称：CVD)等方法在第一基板上形成一层导电材料，得到导电材质层。其中，PVD包括：磁控溅射或热蒸发等物理沉积方法，CVD包括离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)等化学沉积方法。
在得到导电材质层后，可以采用一次构图工艺对该导电材质层进行处理就可以得到如图8所示的位于第一基板011上的第一导电层013。其中，一次构图工艺包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。采用一次构图工艺对导电材质层进行处理包括：在导电材质层上涂覆一层光刻胶；然后采用掩膜版对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成曝光区和非曝光区；之后采用显影工艺进行处理，使曝光区和非曝光区中一种区域的光刻胶被去除，而另一种区域的光刻胶保留；之后对导电材质层上未覆盖有光刻胶的区域进行刻蚀；刻蚀完毕后剥离导电材质层上的光刻胶即可得到第一导电层013。需要说明的是，光刻胶可以为正性光刻胶或负性光刻胶。若光刻胶为正性光刻胶，则在上述显影工艺之后，曝光区的光刻胶被去除，而非曝光区的光刻胶保留；若光刻胶为负性光刻胶，则在上述显影工艺之后，非曝光区的光刻胶被去除，而曝光区的光刻胶保留。
步骤702、在形成有第一导电层的第一基板上形成绝缘层，绝缘层具有过孔。
在第一基板上形成第一导电层后，可以在形成有第一导电层的第一基板上采用涂覆、PVD或CVD等方法形成一层绝缘材料，得到绝缘材质层。示例地，该绝缘材料可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
然后，采用一次构图工艺对绝缘材质层进行处理，以在绝缘材质层中形成如图9所示的过孔B，以得到图9所示的绝缘层018。其中，过孔B连通第一导电材质层013。
步骤703、在形成有第一导电层和绝缘层的第一基板上形成焊接层，以使焊接层通过绝缘层中的过孔电连接至第一导电层。
在第一基板上形成绝缘层后，可以在形成有第一导电层和绝缘层的第一基板上采用涂覆、PVD或CVD等方法形成一层焊接材料，得到焊接材质层。示例地，该焊接材料导电，且熔点低于第一导电层的熔点。
然后，采用一次构图工艺对焊接材质层进行处理，以得到图10所示的焊接层017。其中，焊接层017通过绝缘层018中的过孔B电连接至第一导电层013。
步骤704、在第二基板上形成第二导电层。
第二导电层可以包括y个第二导电条和y个第二走线，在步骤704中可以首先采用涂覆、PVD或CVD等方法在第二基板上形成一层导电材料，得到导电材质层。在第二基板上形成导电材质层后，可以采用一次构图工艺对该导电材质层进行处理就可以得到如图11所示的位于第二基板012上的第二导电层014。
步骤705、加热焊接层，以使焊接层由硬变软。
在第一基板上形成焊接层后，可以将形成有焊接层的第一基板置于加热机台上，以对焊接层进行加热，从而使焊接层受热有硬变软。示例地，可以将焊接层加热至148摄氏度或者其他温度(如140摄氏度、150摄氏度等)。
由于第一导电层的熔点低于焊接层的熔点，因此，可以通过控制对焊接层的加热温度，以使得焊接层软化，且第一导电层并未软化。这样一来，步骤705并不会对第一导电层的电阻产生影响。
步骤706、将发光元件置于焊接层上，以使发光元件的第一极与焊接层焊接，且通过焊接层与第一导电层电连接。
需要说明的是，在步骤706之前，还需要在辅助基板上制备发光元件。
在步骤706中，可以将形成有焊接层的第一基板从加热机台上取下，并将辅助基板上的发光元件转印至焊接层上，以得到如图12所示的结构。
并且，由于焊接层此时处于软化状态，因此，发光元件在转印至焊接层上时，发光元件能够与焊接层焊接，从而将发光元件固定在焊接层上。另外，由于焊接层通过绝缘层中的过孔与第一导电层电连接，因此，在发光元件转印至焊接层上时，发光元件还能够通过焊接层与第一导电层电连接。
还需要说明的是，本发明实施例需要制备的发光模组可以包括一个或多个发光元件。当该发光模组包括多个发光元件时，在步骤706之前所有的发光元件均可以制备在一个辅助基板上，并在步骤706中将所有的发光元件一次性从该辅助基板上转印至焊接层。或者，当该发光模组包括多个发光元件时，在步骤706之前所有的发光元件可以制备在多个辅助基板上，并在步骤706中可以依次将多个辅助基板上的发光元件转印至焊接层。
另外，上述发光元件可以为微型LED，该微型LED可以呈正方形，且该正方形的边长(相当于正方形的尺寸)可以小于100微米，比如10微米等。当一个辅助基板上制备有多个发光元件时，该多个发光元件可以阵列排布，且辅助基板上该多个发光元件所在的区域呈正方形，且该正方形的边长可以为25毫米。
步骤707、将形成有第二导电层的第二基板覆盖发光元件，以使发光元件的第二极与第二导电层电连接。
在将发光元件置于焊接层上后，可以将形成有第二导电层的第二基板中的第二导电层朝向发光元件，并将该第二基板覆盖在发光元件上。从而使得发光元件的第二极与第二导电层接触并电连接，进而得到如图5所示的发光模组。
可选地，当发光模组还包括封框胶时，在将第二基板覆盖发光元件后，还需要在第一基板和第二基板之间设置封框胶，以对第一基板和第二基板之间的空间进行密封。
需要说明的是，在步骤706中将发光元件转印至焊接层上时，若发光元件转印成功，则可以称该发光元件有效。如图13所示，该发光元件015可以位于焊接层017上，且发光元件015的第一极与通过焊接层017与第一导电层013电连接，在步骤707后，该发光元件015的第二极与第二导电层014电连接。此时，该发光元件015能够在第一导电层013和第二导电层014之间的电压的作用下发光。
若步骤706中发光元件转印失败，则可以称该发光元件无效。如图13所示，该发光元件015并未转印至焊接层017上，且发光元件015落在绝缘层018表面，且与第一导电层013绝缘。另外，由于绝缘层018低于焊接层017，因此，在步骤707后，发光元件015并不会与第二导电层014接触。此时，发光元件015无法在第一导电层013和第二导电层014之间的电压的作用下发光。
还需要说明的是，本发明实施例以制造图5所示的发光模组为例，当制造图3和图4所示的发光模组时，无需执行上述步骤702，且在步骤703中可以直接在形成有第一导电层的第一基板上形成焊接层。当制造图1和图2所示的发光模组时，无需执行上述步骤702、步骤703和步骤705，且在步骤706中可以直接将发光元件置于第一导电层上。
综上所述，本发明实施例中提供的方法所制造的发光模组中，第一基板、第一导电层、发光元件、第二导电层和第二基板依次排布，且发光元件的第一电极与第一导电层电连接，发光元件的第二电极与第二导电层电连接。并且，发光元件的电极直接与导电层不需要通过过孔电连接，这样在制造发光模组时无需将发光二极管与过孔进行对位。因此，降低了发光模组的制造难度，提高了发光模组的制造效率。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括本发明实施例提供的发光模组(如图1至5任一所示的发光模组)。
该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可选地，该显示装置可以为柔性显示装置或刚性显示装置，本发明实施例对此不作限定。
可选地，上述显示装置可以为液晶显示装置，此时该显示装置还可以包括：液晶显示面板，发光模组位于液晶显示面板的入光侧，发光模组可以用于向该液晶显示面板提供背光。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开中，术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
本发明中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要说明的是，本发明实施例提供的方法实施例能够与相应的发光模组实施例相互参考，本发明实施例对此不做限定。本发明实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (15)
1.一种发光模组，其特征在于，所述发光模组(01)包括：第一基板(011)、第二基板(012)、第一导电层(013)、第二导电层(014)和发光元件(015)；
所述第一基板(011)和所述第二基板(012)相对设置，所述第一导电层(013)位于所述第一基板(011)中朝向所述第二基板(012)的表面，所述第二导电层(013)位于所述第二基板(012)中朝向所述第一基板(011)的表面，且所述第一导电层(013)和/或所述第二导电层(014)透光；
所述发光元件(015)位于所述第一导电层(013)和所述第二导电层(014)之间，且所述发光元件(015)的第一极与所述第一导电层(013)电连接，所述发光元件(015)的第二极与所述第二导电层(014)电连接。
2.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光元件(015)包括：发光二极管。
3.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组(01)中的部分或全部发光元件(015)包括：x行y列发光元件组(016)，x≥1，y≥1；
所述第一导电层(013)包括：与x行所述发光元件组(016)一一对应的x个第一导电条(0131)，每行所述发光元件组(016)与对应的所述第一导电条(0131)电连接；
所述第二导电层(014)包括：与y列所述发光元件组(016)一一对应的y个第二导电条(0141)，每列所述发光元件组(016)与对应的所述第二导电条(0141)电连接。
4.根据权利要求3所述的发光模组，其特征在于，所述第一导电条(0131)的长度方向平行于所述发光元件组(016)的行方向，所述第二导电条(0141)的长度方向平行于所述发光元件组(016)的列方向。
5.根据权利要求3所述的发光模组，其特征在于，所述第一导电层(013)还包括：与所述x个第一导电条(0131)一一对应的x个第一走线(0132)，所述第二导电层(014)还包括：与所述y个第二导电条(0141)一一对应的y个第二走线(0142)，
每个所述第一导电条(0131)与对应的第一走线(0132)电连接，每个所述第二导电条(0141)与对应的第二走线(0142)电连接。
6.根据权利要求1至5任一所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组(01)还包括：焊接层(017)，
所述焊接层(017)导电，且位于所述第一导电层(013)和所述发光元件(015)之间，且所述发光元件(015)的第一极通过所述焊接层(017)与所述第一导电层(013)电连接，所述焊接层(017)的熔点低于所述第一导电层(013)的熔点。
7.根据权利要求6所述的发光模组，其特征在于，所述焊接层(017)包括：多个焊接锭(0171)，
每个所述焊接锭(0171)与一个或多个所述发光元件(015)的第一极电连接，且不同所述焊接锭(0171)电连接不同所述发光元件(015)的第一极。
8.根据权利要求7所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组(01)中的部分或全部所述发光元件(015)包括：x行y列发光元件组(016)，x≥1，y≥1；
所述发光模组(01)中的所述焊接锭(0171)与所述发光元件组(016)一一对应，每个焊接锭(0171)与其对应的所述发光元件组(016)中所述发光元件(015)的第一极电连接。
9.根据权利要求7或8所述的发光模组，其特征在于，所述多个焊接锭(0171)阵列排布，所述发光模组(01)中的发光元件(015)阵列排布，且所述发光元件(015)的行方向平行于所述焊接锭(0171)的行方向，所述发光元件(015)的列方向平行于所述焊接锭(0171)的列方向。
10.根据权利要求6所述的发光模组，其特征在于，所述发光模组(01)还包括：绝缘层(018)；
所述绝缘层(018)位于所述第一导电层(013)和所述焊接层(017)之间，所述焊接层(017)通过所述绝缘层(018)中的过孔与所述第一导电层(013)电连接。
11.根据权利要求10所述的发光模组，其特征在于，所述绝缘层(018)远离所述第一基板(011)的表面与所述第一基板(011)的距离小于距离阈值，所述距离阈值为所述焊接层(017)远离所述第一基板(011)的表面与所述第一基板(011)的距离。
12.一种发光模组的制造方法，其特征在于，所述方法用于制造权利要求1至11任一所述的发光模组，所述方法包括：
在第一基板上形成第一导电层；
在第二基板上形成第二导电层；
将发光元件置于所述第一导电层和所述第二导电层之间，以使所述发光元件的第一极与所述第一导电层电连接，且所述发光元件的第二极与所述第二导电层电连接。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在第一基板上形成第一导电层之后，所述方法还包括：
在形成有所述第一导电层的第一基板上形成焊接层，其中，所述焊接层电连接至所述第一导电层，且所述焊接层的熔点低于所述第一导电层的熔点；
加热所述焊接层，以使所述焊接层由硬变软；
所述将发光元件置于所述第一导电层和所述第二导电层之间，以使所述发光元件的第一极与所述第一导电层电连接，且所述发光元件的第二极与所述第二导电层电连接，包括：
将发光元件置于所述焊接层上，以使所述发光元件的第一极与所述焊接层焊接，且通过所述焊接层与所述第一导电层电连接；
将形成有所述第二导电层的所述第二基板覆盖所述发光元件，以使所述发光元件的第二极与所述第二导电层电连接。
14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至9任一所述的发光模组(01)。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：液晶显示面板，所述发光模组(01)用于向所述液晶显示面板提供背光。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110471219A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-19 | 厦门天马微电子有限公司 | Led基板及显示装置 |
| US20210124215A1 (en) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Backlight source manufacturing method, backlight source, and display apparatus |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104115266A (zh) * | 2012-02-09 | 2014-10-22 | 勒克斯维科技公司 | 转移并键合微型器件阵列的方法 |
| CN106129028A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备 |
| CN107799507A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-13 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 背光系统及其制造方法 |
| CN107852794A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-03-27 | 首尔半导体株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN107924964A (zh) * | 2015-11-26 | 2018-04-17 | 原子能机构和替代性可再生资源署 | 发光面板及制备此类发光面板的方法 |
-
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104115266A (zh) * | 2012-02-09 | 2014-10-22 | 勒克斯维科技公司 | 转移并键合微型器件阵列的方法 |
| CN107852794A (zh) * | 2015-07-23 | 2018-03-27 | 首尔半导体株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN107924964A (zh) * | 2015-11-26 | 2018-04-17 | 原子能机构和替代性可再生资源署 | 发光面板及制备此类发光面板的方法 |
| CN106129028A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备 |
| CN107799507A (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-13 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 背光系统及其制造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110471219A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-19 | 厦门天马微电子有限公司 | Led基板及显示装置 |
| US20210124215A1 (en) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Backlight source manufacturing method, backlight source, and display apparatus |
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