CN106129028A - 一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备，属于微型显示技术领域。所述发光二极管显示阵列包括：第一基板和第二基板，第一基板和第二基板相对设置；第一基板靠近第二基板的一面上形成有至少一个像素单元；第二基板靠近第一基板的一面上形成有至少一个驱动单元，且第一基板上的每个像素单元对应第二基板上的一个驱动单元；每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成有一个金属块，金属块使像素单元和其对应的驱动单元电连接。本发明通过在每个像素单元与其对应的驱动单元之间通过构图工艺形成一个金属块，可以制作尺寸更小的像素单元和其对应的驱动单元的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展。

Description

一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备
技术领域
本发明涉及微型显示技术领域，特别涉及一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备。
背景技术
随着电子技术的发展，出现了很多小型电子设备，小型电子设备的尺寸较小，例如像可穿戴设备。由于小型电子设备的尺寸小，导致小型电子设备的显示屏也较小，而发光二极管显示阵列可以制作尺寸较小的显示屏，所以小型电子设备可以用发光二极管显示阵列来制作显示屏。
目前的发光二极管显示阵列包括：第一基板和第二基板，第一基板和第二基板相对设置，第一基板靠近第二基板的一面上形成有至少一个像素单元，第二基板靠近第一基板的一面上形成有至少一个驱动单元，至少一个像素单元中的每个像素单元均对应至少一个驱动单元中的一个驱动单元，且每个像素单元与其对应的驱动单元通过金属丝连接起来。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
由于每个像素单元与其对应的驱动单元之间需要通过使用金属丝连接起来，而金属丝的两端是通过压焊工艺分别焊接在像素单元和与其对应的驱动单元上的，由于压焊工艺的限制，使得像素单元与其对应的驱动单元的尺寸最小只能做到毫米级别，限制了发光二极管显示阵列向更小的尺寸发展。
发明内容
为了解决现有技术中由于压焊工艺的显示，而限制了发光二极管显示阵列向更小的尺寸发展的问题，一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管显示阵列，所述发光二极管显示阵列包括：
第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板相对设置；
所述第一基板靠近所述第二基板的一面上形成有至少一个像素单元；
所述第二基板靠近所述第一基板的一面上形成有至少一个驱动单元，且所述第一基板上的每个像素单元对应所述第二基板上的一个驱动单元；
所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成有一个金属块，所述金属块使所述像素单元和其对应的驱动单元电连接。
可选地，所述每个像素单元与其对应的金属块之间形成有一个第一粘附层；
所述每个驱动单元与其对应的金属块之间形成有一个第二粘附层。
可选地，所述第一粘附层的材料为锡膏，第二粘附层的材料为镍金合金；或者，第一粘附层的材料为镍金合金，第二粘附层的材料为锡膏。
可选地，其特征在于，所述第一基板靠近所述第二基板的一面上还形成有共电极层；
所述共电极层上形成有所述至少一个像素单元和至少一个电极单元，所述共电极层上的每个电极单元对应所述第二基板上的一个驱动单元，所述至少一个像素单元在所述共电极层上分一行或多行设置，每行还包括一个位于行的端部位置的电极单元，所述至少一个电极单元均位于同一列；
所述每个电极单元与其对应的驱动单元之间形成有一个金属块，用于使所述电极单元和其对应的驱动单元电连接。
可选地，所述金属块的形状为球体。
可选地，所述金属块的材料为金属铟。
可选地，所述每个像素单元包括发光层和反射层；
所述发光层形成在所述第一基板靠近所述第二基板的一面上，所述反射层形成在所述发光层远离所述第一基板的一面上。
另一方面，本发明实施例提供了一种可穿戴设备，所述可穿戴设备包括所述发光二极管显示阵列。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管显示阵列的制作方法，所述方法包括：
在第一基板的一面上形成至少一个像素单元；
在第二基板的一面上形成至少一个驱动单元，所述第一基板上的每个像素单元对应所述第二基板上的一个驱动单元；
在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，所述金属块电连接所述像素单元和其对应的驱动单元。
可选地，所述在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，包括：
在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个金属块；
将所述每个像素单元上的金属块分别与所述每个像素单元对应的驱动单元对接，以使所述金属块位于所述像素单元和所述像素单元对应的驱动单元之间；
对所述像素单元、所述像素单元对应的驱动单元，以及位于两者之间的金属块进行回流焊接工艺处理，使所述金属块电连接所述像素单元和其对应的驱动单元。
可选地，所述在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个金属块，包括：
在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个第一粘附层；
在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个金属块；
所述将所述每个像素单元上的金属块分别与所述每个像素单元对应的驱动单元对接，包括：
在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个第二粘附层；
将所述每个像素单元上的金属块分别与所述每个像素单元对应的驱动单元上的第二粘附层对接。
可选地，所述在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个金属块之前，还包括：
在所述每个像素单元上的第一粘附层上涂覆一层阻焊剂。
可选地，所述在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个金属块，包括：
在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个立方体结构的金属块，
在阻焊剂的辅助作用下，通过回流退火工艺使所述每个像素单元上的金属块形成球体结构。
可选地，所述第一粘附层的材料为镍金合金，所述第二粘附层的材料为锡膏。
可选地，所述在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，包括：
在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个金属块；
将所述每个驱动单元上的金属块分别与所述每个驱动单元对应的像素单元对接，以使所述金属块位于所述驱动单元和所述驱动单元对应的像素单元之间；
对所述像素单元、所述像素单元对应的驱动单元，以及位于两者之间的金属块进行回流焊接工艺处理，使所述金属块电连接所述像素单元和其对应的驱动单元。
可选地，所述在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个金属块，包括：
在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个第二粘附层；
在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个金属块；
所述将所述每个驱动单元上的金属块分别与所述每个驱动单元对应的像素单元对接，包括：
在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个第一粘附层；
将所述每个驱动单元上的金属块分别与所述每个驱动单元对应的像素单元上的第一粘附层对接。
可选地，所述在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个金属块之前，还包括：
在所述每个驱动单元上的第二粘附层上涂覆一层阻焊剂。
可选地，所述在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个金属块，包括：
在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个立方体结构的金属块，
在阻焊剂的辅助作用下，通过回流退火工艺使所述每个驱动单元上的金属块形成球体结构。
可选地，所述第二粘附层的材料为镍金合金，所述第一粘附层的材料为锡膏。
可选地，所述在第一基板的一面上形成至少一个像素单元，包括：
在所述第一基板的一面上形成一层共电极层；
在所述共电极层上形成所述至少一个像素单元和至少一个电极单元，所述共电极层上的每个电极单元对应所述第二基板上的一个驱动单元，所述至少一个像素单元在所述共电极层上分一行或多行设置，每行还包括一个位于行的端部位置的电极单元，所述至少一个电极单元均位于同一列；
所述在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，还包括：
在所述每个电极单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，所述金属块电连接所述电极单元和其对应的驱动单元。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在每个像素单元与其对应的驱动单元之间通过构图工艺形成一个金属块，即使像素单元和驱动单元的尺寸较小，也可以通过构图工艺来形成尺寸较小的金属块，使每个像素单元与其对应的驱动单元之间通过金属块电连接，相对于现有的通过压焊工艺利用金属丝将像素单元和其对应的驱动单元电连接来说，在本发明中，像素单元和与其对应的驱动单元的尺寸不会受到压焊工艺的限制，因此，可以制作尺寸更小的像素单元和其对应的驱动单元的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展；同时，由于每个像素单元与其对应的驱动单元之间仅通过一个金属块电连接，可以去除金属丝等转接电路结构，减小了每个像素单元与其对应的驱动单元之间的电阻，同样使得信号延迟的问题得到改善。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管显示阵列的横截面的结构示意图；
图2是本发明实施例一提供的一种发光二极管显示阵列的部分结构的横截面的结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的一种发光二极管显示阵列的部分结构的横截面的结构示意图；
图4是本发明实施例一提供的一种发光二极管显示阵列的横截面的结构示意图；
图5是本发明实施例一提供的一种发光二极管显示阵列的横截面的结构示意图；
图6是本发明实施例三提供的一种发光二极管显示阵列的制作方法流程图；
图7是本发明实施例三和实施例四提供的第一基板与像素单元、以及电极单元的横截面的结构示意图；
图8是本发明实施例三和实施例四提供的第二基板与驱动单元的横截面的结构示意图；
图9是本发明实施例三提供的一种发光二极管显示阵列的制作方法流程图；
图10至图11是本发明实施例三提供的一种发光二极管显示阵列的制作过程的结构示意图；
图12是本发明实施例三提供的一种发光二极管显示阵列的制作方法流程图；
图13至图14是本发明实施例三提供的一种发光二极管显示阵列的制作过程的结构示意图；
图15至图16是本发明实施例四提供的一种发光二极管显示阵列的制作方法流程图；。
图17至图18是本发明实施例四提供的一种发光二极管显示阵列的制作过程的结构示意图；
图19是本发明实施例四提供的一种发光二极管显示阵列的制作方法流程图；
图20至图21是本发明实施例四提供的一种发光二极管显示阵列的制作过程的结构示意图。
其中，
1第一基板，11像素单元，111发光层，112反光层，12共电极层，13电极单元；2第二基板，21驱动单元；3金属块；4第一粘附层；5第二粘附层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
为了解决现有技术中由于压焊工艺的限制，而限制了发光二极管显示阵列向更小的尺寸发展的问题，如图1所示，本发明实施例提供了一种发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括：
第一基板1和第二基板2，第一基板1和第二基板2相对设置；
第一基板1靠近第二基板2的一面上形成有至少一个像素单元11；
第二基板2靠近第一基板1的一面上形成有至少一个驱动单元21，且第一基板1上的每个像素单元11对应第二基板2上的一个驱动单元21；
每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间形成有一个金属块3，金属块3使像素单元11和其对应的驱动单元21电连接。
其中，每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的金属块3是通过构图工艺形成的。
在本发明实施例中，通过在每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间形成一个金属块3，并且金属块3是通过构图工艺形成的，即使像素单元11和驱动单元21的尺寸较小，也可以通过构图工艺来形成尺寸较小的金属块3，使每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过金属块3电连接，相对于通过压焊工艺利用金属丝将像素单元11和其对应的驱动单元21电连接来说，在本发明实施例中，像素单元11和与其对应的驱动单元21的尺寸不会受到压焊工艺的限制，因此，可以制作尺寸更小的像素单元11和其对应的驱动单元21的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展；同时，由于每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过一个金属块3电连接，可以去除金属丝等转接电路结构，减小了每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻，同样使得信号延迟的问题得到改善；对于大尺寸的发光二极管显示阵列，也可以在使用金属块3使每个像素单元11与其对应的驱动单元21电连接，用以减小每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻以及改善信号延迟的问题。
本发明实施例中，在每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间形成一个金属块3之后，可以对每个像素单元11，每个像素单元11对应的驱动单元21以及每个像素单元11以及位于两者之间的金属块3进行回流焊接工艺处理，经过回流焊接处理工艺后，金属块3会使像素单元11与其对应的驱动单元21电连接，也可根据实际情况选择其他的处理工艺，来使像素单元11通过金属块3与其对应的驱动单元21电连接。
在本发明实施例中，如图2所示，金属块3可以设置在位于第一基板1上的每个像素单元11上，如图3所示，也可以设置在位于第二基板2上的每个驱动单元21上。
在本发明实施例中，金属块3的材料可以为金属铟，也可以为其他金属材料，可根据实际情况进行选择。
在本发明实施例中，每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过一个金属块3电连接，因此，每个驱动单元21可以通过金属块3驱动与其对应的像素单元11发光，像素单元11发出的光通过第一基板1反射出去，第一基板1可以为蓝宝石衬底，也可以根据实际情况选择其他可以将像素单元11发出的光反射出去的材料。
如图1所示，在本发明实施例中，每个像素单元11包括发光层111和反射层112；
发光层111形成在第一基板1靠近第二基板2的一面上，反射层112形成在发光层111远离第一基板1的一面上。
本发明实施例中的发光层111发出的光一部分可以通过第一基板1反射出去，另一部分反射至反射层112上，经过反射层112的反射从第一基板1反射出去，提高发光二极管显示阵列的亮度。
本发明实施例中的反射层112的材料可以为金属银或者金属铝。
如图1所示，在本发明实施例中，第一基板1靠近第二基板2的一面上还形成有共电极层12；
共电极层12上形成有至少一个像素单元11和至少一个电极单元13，共电极层12上的每个电极单元13对应第二基板2上的一个驱动单元21，至少一个像素单元11在共电极层12上分一行或多行设置，每行还包括一个电极单元13且位于行的端部位置，至少一个电极单元13均位于同一列；
每个电极单元13与其对应的驱动单元21之间形成有一个金属块3，用于使电极单元13和其对应的驱动单元21电连接。
在本发明实施例中，通过第一基板1上的共电极层12和至少一个电极单元13以及第二基板2上的驱动单元21产生电流，电流通过金属块3在每个像素单元11和其对应的驱动单元21之间可以进行传输，进而使得每个像素单元11的发光层111发光。
在本发明实施例中，每个电极单元13与其对应的驱动单元21之间也通过金属块3电连接，并且，金属块3是通过构图工艺形成的，因此，电极单元13的尺寸也可以制作的更小，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展；其中，如图2所示，金属块3可以形成在位于第一基板1上的每个电极单元13上，如图3所示，也可以形成在位于第二基板2上的每个驱动单元21上。
如图1所示，在本发明实施例中，金属块3的形状为球体。
在本发明实施例中将金属块3的形状设置成球体，在进行回流焊接工艺处理时，球体的金属块3会变成熔融态，熔融态的呈球体的金属块3具有自对准拉拽效应，该自对准拉拽效应为熔融态的金属球在两个表面具有不同亲和力的界面上时，可以通过金属球的表面张力将其中一个表面亲和力较弱的界面拉拽到另一个表面亲和力好的界面上的过程，使得每个像素单元11与其对应的驱动单元21可以通过呈球体的金属块3更精准的对接在一起。
在本发明实施例中，可通过回流退火工艺形成球体形状的金属块3，若球体形状的金属块3形成在位于第一基板1上的每个像素单元11上，可以先在每个像素单元11上形成一个金属层，该金属层的结构为一个立方体结构的金属块3，再通过回流退火工艺使立方体结构的金属块3形成球体的结构；若球体结构的金属块3形成在位于第二基板2上的每个驱动单元21上，可以先在每个驱动单元21上形成一个立方体结构的金属块3，再通过回流退火工艺使一个立方体结构的金属块3形成球体的结构；如图4所示，金属块3的形状也可以形成为圆柱体的结构，可根据实际情况进行设计，并不限定于本实施例中所描述的球体。
如图1所示，在本发明实施例中，每个像素单元11与其对应的金属块3之间形成有一个第一粘附层4；每个驱动单元21与其对应的金属块3之间形成有一个第二粘附层5。该第一粘附层4用于粘附像素单元11与其对应的金属块3，该第二粘附层5用于粘附驱动单元21与其对应的金属块3。
在本发明实施例中，在每个像素单元11上形成有一个第一粘附层4，每个驱动单元21上形成有一个第二粘附层5，则金属块3形成在第一粘附层4和第二粘附层5之间，其中，如图2所示，金属块3可以设置在第一粘附层4上，如图3所示，也可以设置在第二粘附层5上。通过设置第一粘附层4，可以增加金属块3与像素单元11之间的粘附性，通过设置第二粘附层5，可以增加金属块3与驱动单元21之间的粘附性，有助于将金属块3固定在像素单元11与其对应的驱动单元21之间，其中，第一粘附层4和第二粘附层5不会影响金属块3与像素单元11以及驱动单元21之间的电连接。
在本发明实施例中，第一粘附层4的材料为锡膏，第二粘附层5的材料为镍金合金；或者，第一粘附层4的材料为镍金合金，第二粘附层5的材料为锡膏，可根据实际情况进行选择，例如若要形成形状为球体的金属块3时，可根据金属块3的设置位置选择第一粘附层4和第二粘附层5的材料，下面进行详细说明：
如图2所示，且参见图5，若要在每个第一粘附层4上形成球体的金属块3，则第一粘附层4的材料可以选择镍金合金，因为在使用回流退火工艺使金属层形成球体的过程中，镍金合金可以帮助金属层形成球体，同时，镍金合金在回流退火的过程中可以使金属块3与其对应的像素单元11完成电连接；第二粘附层5的材料可以选择锡膏，锡膏有一定的粘度，可以使球体的金属块3更稳定的固定在驱动单元21上，同时，在回流焊接的过程中，锡膏可以使金属块3与其对应的驱动单元21完成电连接。
同理，如图3所示，且参见图1，若要在每个第二粘附层5上形成球体的金属块3，则第二粘附层5的材料可以选择镍金合金；第一粘附层4的材料可以选择锡膏。
在本发明实施例中，通过在每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间形成一个金属块3，并且金属块3是通过构图工艺形成的，即使像素单元11和驱动单元21的尺寸较小，也可以通过构图工艺来形成尺寸较小的金属块3，使每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过金属块3电连接，相对于通过压焊工艺利用金属丝将像素单元11和其对应的驱动单元21电连接来说，在本发明实施例中，像素单元11和与其对应的驱动单元21的尺寸不会受到压焊工艺的限制，因此，可以制作尺寸更小的像素单元11和其对应的驱动单元21的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展；同时，由于每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过一个金属块3电连接，可以去除金属丝等转接电路结构，减小了每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻，同样使得信号延迟的问题得到改善；对于大尺寸的发光二极管显示阵列，也可以在使用金属块3使每个像素单元11与其对应的驱动单元21电连接，用以减小每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻以及改善信号延迟的问题。
实施例二
本发明实施例提供了一种可穿戴设备，该可穿戴设备包括实施例一中描述的发光二极管显示阵列。该可穿戴设备可以为AR(Augmented Reality，增强现实)设备、VR(Virtual Reality，虚拟现实)设备、智能手表以及智能眼镜等。
在本发明实施例中的发光二极管显示阵列，通过在每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间形成一个金属块3，并且金属块3是通过构图工艺形成的，即使像素单元11和驱动单元21的尺寸较小，也可以通过构图工艺来形成尺寸较小的金属块3，使每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过金属块3电连接，相对于通过压焊工艺利用金属丝将像素单元11和其对应的驱动单元21电连接来说，在本发明实施例中，像素单元11和与其对应的驱动单元21的尺寸不会受到压焊工艺的限制，因此，可以制作尺寸更小的像素单元11和其对应的驱动单元21的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展，进而使得可穿戴设备向更小的尺寸发展；同时，由于每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过一个金属块3电连接，可以去除金属丝等转接电路结构，减小了每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻，同样使得信号延迟的问题得到改善，提高了可穿戴设备的使用性能。
实施例三
本发明实施例提供了一种发光二极管显示阵列的制作方法，如图6所示，包括：
步骤101：如图7所示，在第一基板1的一面上形成一层共电极层12；
步骤102：如图7所示，在共电极层12上形成至少一个像素单元11和至少一个电极单元13；
如图7所示，在本发明实施例中，至少一个像素单元11中的每个像素单元11均包括一个发光层111和反射层112，可先通过一次构图工艺在共电极层12上形成至少一个发光层111，再通过一次构图工艺在至少一个发光层111中的每个发光层111上形成一个反射层112；也可以仅通过一次构图工艺同时形成每个像素单元11包括的发光层111和反射层112；
在本发明实施例中，至少一个像素单元11在共电极层12上分一行或多行设置，每行还包括一个电极单元13且位于行的端部位置，至少一个电极单元13均位于同一列，图7为第一基板1的横截面的结构示意图，在此图中，每行包括的电极单元13位于行的右端，至少一个电极单元13在第一基板1上右端排成一列。
步骤103：如图8所示，在第二基板2的一面上形成至少一个驱动单元21；
在本发明实施例中，共电极层12上的每个像素单元11对应第二基板2上的一个驱动单元21，共电极层12上的每个电极单元13对应第二基板2上的一个驱动单元21；如图7所示，共电极层12上的电极单元13的高度小于像素单元11的高度，为了保证第一基板1和第二基板2之间的高度一致，可以将第二基板2上与电极单元13对应的驱动单元21的高度增大，其中电极单元13和与其对应的驱动单元21的高度可根据实际情况进行设计，并不限定于本实施例。
步骤104：在至少一个像素单元11中的每个像素单元11上以及至少一个电极单元13中的每个电极单元13上形成一个金属块3；
在本发明实施例中，金属块3的形状可以为球体，也可以为圆柱体，可根据实际情况进行设计。
当金属块3的形状为球体时，如图9所示，步骤104的具体步骤，可以包括：
步骤1041：如图7所示，且参见图10，在每个像素单元11上以及每个电极单元13上形成一个第一粘附层4；
具体地，可以通过构图工艺在每个像素单元11上以及每个电极单元13上形成一个第一粘附层4，第一粘附层4的材料可以为镍金合金。
步骤1042：在每个像素单元11以及每个驱动单元21上的第一粘附层4上涂覆一层阻焊剂；
步骤1043：如图10所示，且参见图11，在涂覆了阻焊剂的第一粘附层4上形成一个立方体的金属块3；
具体地，可以通过构图工艺在每个涂覆了阻焊剂的第一粘附层4上形成一个金属层，该金属层为一个立方体结构的金属块3。
步骤1044：如图11所示，且参见图2，通过回流退火工艺使每个第一粘附层4上的立方体的金属块3形成球体结构。
由于第一粘附层4的材料为镍金合金，且第一粘附层4上涂覆有阻焊剂，其中，镍金合金以及阻焊剂在回流退火的过程中会帮助立方体的金属块3形成球体结构，同时在回流退火的过程中，金属块3通过第一粘附层4与像素单元11或者电极单元13之间完成电连接。
步骤105：将每个像素单元11上的金属块3分别与每个像素单元11对应的驱动单元21对接，以及每个电极单元13上的金属块3分别与每个电极单元13对应的驱动单元21对接；
如图12所示，步骤105具体可以包括：
步骤1051：如图13所示，在至少一个驱动单元21中的每个驱动单元21上形成一个第二粘附层5；
具体地，第二粘附层5的材料可以为锡膏，可以通过丝网印刷的方法在每个驱动单元21上涂覆一层锡膏。
步骤1052：如图14所示，且参见图5，将每个像素单元11以及每个电极单元13上的金属块3分别与每个像素单元11对应的驱动单元21上的第二粘附层5对接。
步骤106：如图5所示，对像素单元11、像素单元11对应的驱动单元21，以及位于两者之间的金属块3，电极单元13、电极单元13对应的驱动单元21以及位于两者之间的金属块3进行回流焊接工艺处理，使金属块3电连接像素单元11和其对应的驱动单元21以及电连接电极单元13和其对应的驱动单元21。
在回流焊接的过程中，金属块3通过第二粘附层5完成与其对应的驱动单元21之间的电连接，最终使得金属块3电连接像素单元11与其对应的驱动单元21以及电连接电极单元13与其对应的驱动单元21。
在本发明实施例中的发光二极管显示阵列，通过在每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过构图工艺形成一个金属块3，即使像素单元11和驱动单元21的尺寸较小，也可以通过构图工艺来形成尺寸较小的金属块3，使每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过金属块3电连接，相对于通过压焊工艺利用金属丝将像素单元11和其对应的驱动单元21电连接来说，在本发明实施例中，像素单元11和与其对应的驱动单元21的尺寸不会受到压焊工艺的限制，因此，可以制作尺寸更小的像素单元11和其对应的驱动单元21的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展，进而使得可穿戴设备向更小的尺寸发展；同时，由于每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过一个金属块3电连接，可以去除金属丝等转接电路结构，减小了每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻，同样使得信号延迟的问题得到改善，提高了可穿戴设备的使用性能。
实施例四
本发明实施例提供了一种发光二极管显示阵列的制作方法，如图15所示，包括：
步骤201：如图7所示，在第一基板1的一面上形成一层共电极层12；
步骤202：如图7所示，在共电极层12上形成至少一个像素单元11和至少一个电极单元13；
如图7所示，在本发明实施例中，至少一个像素单元11中的每个像素单元11均包括一个发光层111和反射层112，可先通过一次构图工艺在共电极层12上形成至少一个发光层111，再通过一次构图工艺在至少一个发光层111中的每个发光层111上形成一个反射层112；也可以仅通过一次构图工艺同时形成每个像素单元11包括的发光层111和反射层112；
在本发明实施例中，至少一个像素单元11在共电极层12上分一行或多行设置，每行还包括一个电极单元13且位于行的端部位置，至少一个电极单元13均位于同一列，图7为第一基板1的横截面的结构示意图，在此图中，每行包括的电极单元13位于行的右端，至少一个电极单元13在第一基板1上右端排成一列。
步骤203：如图8所示，在第二基板2的一面上形成至少一个驱动单元21；
具体地，可通过构图工艺在第二基板2的一面上形成至少一个驱动单元21。
在本发明实施例中，共电极层12上的每个像素单元11对应第二基板2上的一个驱动单元21，共电极层12上的每个电极单元13对应第二基板2上的一个驱动单元21；如图7所示，共电极层12上的电极单元13的高度小于像素单元11的高度，为了保证第一基板1和第二基板2之间的高度一致，可以将第二基板2上与电极单元13对应的驱动单元21的高度增大，其中电极单元13和与其对应的驱动单元21的高度可根据实际情况进行设计，并不限定于本实施例。
步骤204：在至少一个驱动单元21中的每个驱动单元21上形成一个金属块3；
在本发明实施例中，金属块3的形状可以为球体，也可以为圆柱体，可根据实际情况进行设计。
当金属块3的形状为球体时，如图16所示，步骤204的具体步骤，可以包括：
步骤2041：如图8所示，且参见图17，在每个驱动单元21上形成一个第二粘附层5；
具体地，可以通过构图工艺在每个像素单元11上以及每个电极单元13上形成一个第二粘附层5，第二粘附层5的材料可以为镍金合金。
步骤2042：在每个驱动单元21上的第二粘附层5上涂覆一层阻焊剂；
步骤2043：如图17所示，且参见图18，在涂覆了阻焊剂的第二粘附层5上形成一个立方体的金属块3；
具体地，可以通过构图工艺在每个涂覆了阻焊剂的第二粘附层5上形成一个金属层，该金属层为一个立方体结构的金属块3。
步骤2044：如图18所示，且参见图5，通过回流退火工艺使每个第二粘附层5上的立方体的金属块3形成球体结构。
由于第二粘附层5的材料为镍金合金，且第二粘附层5上涂覆有阻焊剂，其中，镍金合金以及阻焊剂在回流退火的过程中会帮助立方体的金属块3形成球体结构，同时在回流退火的过程中，金属块3通过第二粘附层5与驱动单元21之间完成电连接。
步骤205：将每个驱动单元21上的金属块3分别与每个驱动单元21对应的像素单元11或者电极单元13对接；
如图19所示，步骤205具体可以包括：
步骤2051：如图20所示，在至少一个像素单元11中的每个像素单元11以及至少一个电极单元13中的每个电极单元13上形成一个第一粘附层4；
具体地，第一粘附层4的材料可以为锡膏，可以通过丝网印刷的方法在每个驱动单元21上涂覆一层锡膏。
步骤2052：如图21所示，且参见图1，将每个驱动单元21上的金属块3分别与每个驱动单元21对应的像素单元11或者电极单元13上的第一粘附层4对接。
步骤206：如图1所示，对像素单元11、像素单元11对应的驱动单元21，以及位于两者之间的金属块3，电极单元13、电极单元13对应的驱动单元21以及位于两者之间的金属块3进行回流焊接工艺处理，使金属块3电连接像素单元11和其对应的驱动单元21以及电连接电极单元13和其对应的驱动单元21。
在回流焊接的过程中，金属块3通过第一粘附层4完成与其对应的驱动单元21之间的电连接，最终使得金属块3电连接像素单元11与其对应的驱动单元21以及电连接电极单元13与其对应的驱动单元21。
在本发明实施例中的发光二极管显示阵列，通过在每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过构图工艺形成一个金属块3，即使像素单元11和驱动单元21的尺寸较小，也可以通过构图工艺来形成尺寸较小的金属块3，使每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过金属块3电连接，相对于通过压焊工艺利用金属丝将像素单元11和其对应的驱动单元21电连接来说，在本发明实施例中，像素单元11和与其对应的驱动单元21的尺寸不会受到压焊工艺的限制，因此，可以制作尺寸更小的像素单元11和其对应的驱动单元21的尺寸，使得发光二极管显示阵列可以向更小尺寸的发展，进而使得可穿戴设备向更小的尺寸发展；同时，由于每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间通过一个金属块3电连接，可以去除金属丝等转接电路结构，减小了每个像素单元11与其对应的驱动单元21之间的电阻，同样使得信号延迟的问题得到改善，提高了可穿戴设备的使用性能。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种发光二极管显示阵列，其特征在于，所述发光二极管显示阵列包括：
第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板相对设置；
所述第一基板靠近所述第二基板的一面上形成有至少一个像素单元；
所述第二基板靠近所述第一基板的一面上形成有至少一个驱动单元，且所述第一基板上的每个像素单元对应所述第二基板上的一个驱动单元；
所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成有一个金属块，所述金属块使所述像素单元和其对应的驱动单元电连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示阵列，其特征在于，
所述每个像素单元与其对应的金属块之间形成有一个第一粘附层；
所述每个驱动单元与其对应的金属块之间形成有一个第二粘附层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管显示阵列，其特征在于，所述第一粘附层的材料为锡膏，第二粘附层的材料为镍金合金；或者，第一粘附层的材料为镍金合金，第二粘附层的材料为锡膏。
4.根据权利要求1所述的发光二极管显示阵列，其特征在于，
所述第一基板靠近所述第二基板的一面上还形成有共电极层；
所述共电极层上形成有所述至少一个像素单元和至少一个电极单元，所述共电极层上的每个电极单元对应所述第二基板上的一个驱动单元，所述至少一个像素单元在所述共电极层上分一行或多行设置，每行还包括一个位于行的端部位置的电极单元，所述至少一个电极单元均位于同一列；
所述每个电极单元与其对应的驱动单元之间形成有一个金属块，用于使所述电极单元和其对应的驱动单元电连接。
5.根据权利要求1至4任一项权利要求所述的发光二极管显示阵列，其特征在于，所述金属块的形状为球体。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示阵列，其特征在于，所述金属块的材料为金属铟。
7.根据权利要求1-4任一项权利要求所述的发光二极管显示阵列，其特征在于，所述每个像素单元包括发光层和反射层；
所述发光层形成在所述第一基板靠近所述第二基板的一面上，所述反射层形成在所述发光层远离所述第一基板的一面上。
8.一种可穿戴设备，其特征在于，所述可穿戴设备包括权利要求1至权利要求7任一项权利要求所述的发光二极管显示阵列。
9.一种发光二极管显示阵列的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一基板的一面上形成至少一个像素单元；
在第二基板的一面上形成至少一个驱动单元，所述第一基板上的每个像素单元对应所述第二基板上的一个驱动单元；
在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，所述金属块电连接所述像素单元和其对应的驱动单元。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，包括：
在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个金属块；
将所述每个像素单元上的金属块分别与所述每个像素单元对应的驱动单元对接，以使所述金属块位于所述像素单元和所述像素单元对应的驱动单元之间；
对所述像素单元、所述像素单元对应的驱动单元，以及位于两者之间的金属块进行回流焊接工艺处理，使所述金属块电连接所述像素单元和其对应的驱动单元。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个金属块，包括：
在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个第一粘附层；
在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个金属块；
所述将所述每个像素单元上的金属块分别与所述每个像素单元对应的驱动单元对接，包括：
在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个第二粘附层；
将所述每个像素单元上的金属块分别与所述每个像素单元对应的驱动单元上的第二粘附层对接。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个金属块之前，还包括：
在所述每个像素单元上的第一粘附层上涂覆一层阻焊剂。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个金属块，包括：
在所述每个像素单元上的第一粘附层上形成一个立方体结构的金属块，
在阻焊剂的辅助作用下，通过回流退火工艺使所述每个像素单元上的金属块形成球体结构。
14.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第一粘附层的材料为镍金合金，所述第二粘附层的材料为锡膏。
15.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，包括：
在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个金属块；
将所述每个驱动单元上的金属块分别与所述每个驱动单元对应的像素单元对接，以使所述金属块位于所述驱动单元和所述驱动单元对应的像素单元之间；
对所述像素单元、所述像素单元对应的驱动单元，以及位于两者之间的金属块进行回流焊接工艺处理，使所述金属块电连接所述像素单元和其对应的驱动单元。
16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，所述在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个金属块，包括：
在所述至少一个驱动单元中的每个驱动单元上形成一个第二粘附层；
在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个金属块；
所述将所述每个驱动单元上的金属块分别与所述每个驱动单元对应的像素单元对接，包括：
在所述至少一个像素单元中的每个像素单元上形成一个第一粘附层；
将所述每个驱动单元上的金属块分别与所述每个驱动单元对应的像素单元上的第一粘附层对接。
17.根据权利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个金属块之前，还包括：
在所述每个驱动单元上的第二粘附层上涂覆一层阻焊剂。
18.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个金属块，包括：
在所述每个驱动单元上的第二粘附层上形成一个立方体结构的金属块，
在阻焊剂的辅助作用下，通过回流退火工艺使所述每个驱动单元上的金属块形成球体结构。
19.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述第二粘附层的材料为镍金合金，所述第一粘附层的材料为锡膏。
20.根据权利要求10至19任一项权利要求所述的制作方法，其特征在于，所述在第一基板的一面上形成至少一个像素单元，包括：
在所述第一基板的一面上形成一层共电极层；
在所述共电极层上形成所述至少一个像素单元和至少一个电极单元，所述共电极层上的每个电极单元对应所述第二基板上的一个驱动单元，所述至少一个像素单元在所述共电极层上分一行或多行设置，每行还包括一个位于行的端部位置的电极单元，所述至少一个电极单元均位于同一列；
所述在所述每个像素单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，还包括：
在所述每个电极单元与其对应的驱动单元之间形成一个金属块，所述金属块电连接所述电极单元和其对应的驱动单元。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018010496A1 (zh) * 2016-07-13 2018-01-18 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备
JP2018166224A (ja) * 2016-12-23 2018-10-25 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄモジュール及びその製造方法
CN109980078A (zh) * 2019-04-18 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 发光模组及其制造方法、显示装置
CN111192893A (zh) * 2018-11-15 2020-05-22 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI658307B (zh) * 2017-10-30 2019-05-01 錼創科技股份有限公司 發光二極體顯示器
WO2020242053A1 (en) 2019-05-28 2020-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus, source substrate structure, driving substrate structure, and method of manufacturing display apparatus
US20220190223A1 (en) * 2020-12-15 2022-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621225A (en) * 1996-01-18 1997-04-15 Motorola Light emitting diode display package
CN1507069A (zh) * 2002-12-11 2004-06-23 铼宝科技股份有限公司 有机电激发光二极管面板的封装工艺
CN1828375A (zh) * 2005-03-04 2006-09-06 三星电子株式会社 驱动芯片、具有其的显示设备及制造显示设备的方法
CN102122649A (zh) * 2009-12-21 2011-07-13 乐金显示有限公司 显示设备及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006243724A (ja) 2005-03-04 2006-09-14 Samsung Electronics Co Ltd 駆動チップ、表示装置及びその製造方法
KR20080002338A (ko) 2006-06-30 2008-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법
US7646015B2 (en) * 2006-10-31 2010-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
US7990060B2 (en) * 2007-05-31 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US8441123B1 (en) * 2009-08-13 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with metal dam and fabricating method
US9646923B2 (en) * 2012-04-17 2017-05-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices
US20130328191A1 (en) * 2012-06-12 2013-12-12 Intel Mobile Communications GmbH Cte adaption in a semiconductor package
US9570648B2 (en) * 2012-06-15 2017-02-14 Intersil Americas LLC Wafer level optical proximity sensors and systems including wafer level optical proximity sensors
SG11201408451WA (en) * 2012-07-03 2015-01-29 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Use of vacuum chucks to hold a wafer or wafer sub-stack
CN103165038B (zh) * 2012-11-16 2016-03-23 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led显示屏及其制作方法
WO2015137788A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic apparatus for providing health status information, method of controlling the same, and computer-readable storage medium
CN106129028B (zh) * 2016-07-13 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621225A (en) * 1996-01-18 1997-04-15 Motorola Light emitting diode display package
CN1507069A (zh) * 2002-12-11 2004-06-23 铼宝科技股份有限公司 有机电激发光二极管面板的封装工艺
CN1828375A (zh) * 2005-03-04 2006-09-06 三星电子株式会社 驱动芯片、具有其的显示设备及制造显示设备的方法
CN102122649A (zh) * 2009-12-21 2011-07-13 乐金显示有限公司 显示设备及其制造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018010496A1 (zh) * 2016-07-13 2018-01-18 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示阵列及其制作方法、可穿戴设备
US10263153B2 (en) 2016-07-13 2019-04-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Light-emitting diode (LED) display array, manufacturing method thereof, and wearable device
JP2018166224A (ja) * 2016-12-23 2018-10-25 ルーメンス カンパニー リミテッド マイクロｌｅｄモジュール及びその製造方法
CN111192893A (zh) * 2018-11-15 2020-05-22 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
US11621252B2 (en) 2018-11-15 2023-04-04 Lg Display Co., Ltd. Display device which is capable of implementing an LED in a non-transfer manner and method of manufacturing the same
CN111192893B (zh) * 2018-11-15 2023-10-20 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN109980078A (zh) * 2019-04-18 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 发光模组及其制造方法、显示装置
CN109980078B (zh) * 2019-04-18 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 发光模组及其制造方法、显示装置

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