CN111900184A - 显示装置及其制备方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag].[Sn] Chemical compound [Cu].[Ag].[Sn] PQIJHIWFHSVPMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000969 tin-silver-copper Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示装置及其制备方法，该显示装置包括：基板；导电层，设置于所述基板上；及反射层，设置于所述导电层上；其中，在所述反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔，每一所述烧瓶状的孔的深度大于所述反射层的厚度。相较于现有的显示装置，本发明通过在反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔，使得接合物渗入所述烧瓶状的孔，固化后的所述接合物与膜层结构之间形成物理衔接的接合物内嵌，大大提高了所述接合物的稳定性，从而改善了所述接合物与所述导电层之间的附着力不足的问题，同时改善了所述发光器件相对所述导电层位置易偏移或脱落的问题，进而提高了SMT工艺中焊接的可靠性，提升了生产良率和产品质量。
Description
技术领域
本发明涉及Mini-LED或Micro-LED背光显示技术领域，具体涉及一种Mini-LED或Micro-LED背光的显示装置及其制备方法。
背景技术
小型发光二极管(Mini-Light Emitting Diode，Mini-LED)作为微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)与背板结合的产物，具有高对比度、高显色性能等可与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相媲美的特点，成本稍高液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，仅为OLED的六成左右，相对Micro-LED、OLED更易实施，所以Mini-LED成为各大面板厂商布局热点。
Mini-LED背光制作流程：玻璃基板制作→白油制程→表面贴装制程(SurfaceMounted Technology，SMT)→覆晶薄膜绑定(Chip On Film bonding，COF bonding)→拼接及模组等，其中在SMT目的为将LED灯逐个转移到玻璃玻璃基板上，其工序可分为：清洗→印刷接合物→LED贴片→回流焊→检测→返修等。现有技术中，SMT仅适用于与接合物附着力较好一类金属如：铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等，但此类材料成本高、种类有限；当面对二类金属如：铝(AL)、钼(Mo)、钛(Ti)金属时，其回流焊时或之前表面易形成氧化层熔点高、非常稳定，难以侵润相互扩散，这时锡膏形成锡球、易流动，导致发光器件偏移或脱落等。
综上所述，现有技术中的SMT工艺存在面对二类金属时发光器件易偏移或脱落，从而导致现有的SMT对导电材料的适用性不够广的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示装置及其制备方法，用于解决现有技术中的SMT工艺存在面对二类金属时发光器件易偏移或脱落，从而导致现有的SMT对导电材料的适用性不够广的技术问题。
为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种显示装置，其中，包括：
基板；
导电层，设置于所述基板上；及
反射层，设置于所述导电层上；
其中，在所述反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔，每一所述烧瓶状的孔的深度大于所述反射层的厚度。
在本发明的一些实施例中，每个所述烧瓶状的孔包括弧形底部及连接所述弧形底部的直筒部，所述弧形底部开设于所述导电层中，所述直筒部贯穿所述反射层。
在本发明的一些实施例中，所述弧形底部投影于所述基板的面积大于所述直筒部投影于所述基板的面积。
在本发明的一些实施例中，所述导电层包括依次层叠的第一导电层及第二导电层，所述第二导电层远离所述基板的一侧表面设置，且夹设于所述反射层与所述第一导电层之间。
在本发明的一些实施例中，还包括接合物及发光器件，所述结合物设置于所述反射层上且填充所述通孔，所述发光器件设置于所述接合物上且通过所述接合物与所述导电层电性连接。
在本发明的一些实施例中，所述结合物包括多个结合物颗粒，所述颗粒尺寸为5um～50um。
在本发明的一些实施例中，所述直筒部的直径大于所述接合物的颗粒尺寸，所述通孔的最大宽度为1um～500um；所述反射层的厚度大于所述接合物的颗粒尺寸，所述反射层的厚度为1um～200um。
在本发明的一些实施例中，所述导电层的材料为铜、银、金、铝、钛和钼其中一种或多种的组合。
第二方面，本发明提供一种显示装置的制备方法，所述制备方法用于制备如第一方面中任一所述的显示装置，包括以下步骤：
提供一基板，在所述基板上制备导电层；
在所述导电层上制备一反射层，并在所述反射层上制备多个直筒状的孔；及
在所述导电层中制备具有弧形底部的孔，每个所述具有弧形底部的孔与一个所述直筒状的孔连接形成烧瓶状的孔。
在本发明的一些实施例中，还包括在所述烧瓶状的孔中制备接合物及在所述接合物表面贴合发光器件，制备所述反射层采用喷墨打印或印刷法，制备所述接合物采用印刷法，制备所述烧瓶状的孔采用湿法蚀刻、干法蚀刻或激光蚀刻法。
相较于现有的显示装置，本发明通过在反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔，使得接合物渗入所述烧瓶状的孔，固化后的所述接合物与膜层结构之间形成物理衔接的接合物内嵌，大大提高了所述接合物的稳定性，从而改善了所述接合物与所述导电层之间的附着力不足的问题，同时改善了所述发光器件相对所述导电层位置易偏移或脱落的问题，进而提高了SMT工艺中焊接的可靠性，提升了生产良率和产品质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例中显示装置的结构示意图；
图2为图1中P处的放大图；
图3为本发明一个实施例中制备方法的流程图；及
图4A～4C为本发明一个实施例中制备方法的分步示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
现有技术中的SMT工艺存在面对二类金属时发光器件易偏移或脱落，从而导致现有的SMT对导电材料的适用性不够广的技术问题。
基于此，本发明实施例提供一种显示装置及其制备方法。以下分别进行详细说明。
首先，本发明实施例提供一种显示装置，如图1所示，图1为本发明一个实施例中显示装置的结构示意图。所述显示装置包括：基板101；导电层102，设置于所述基板101上；反射层103，设置于所述导电层102上；其中，在所述反射层103及部份的所述导电层102开设多个烧瓶状的孔(Flask Round-Bottomed Opening)111，每一所述烧瓶状的孔111的深度大于所述反射层103的厚度。
所述显示装置还包括接合物104及发光器件105，所述结合物104设置于所述反射层103上且填充所述烧瓶状的孔111，所述发光器件105设置于所述接合物104上且通过所述接合物104与所述导电层102电性连接。
相较于现有的显示装置，本发明通过在所述反射层103及部份的所述导电层102开设多个烧瓶状的孔111，使得所述接合物104渗入所述烧瓶状的孔111，固化后的所述接合物104与膜层结构之间形成物理衔接的接合物内嵌，大大提高了所述接合物104的稳定性，从而改善了所述接合物104与所述导电层102之间的附着力不足的问题，同时改善了所述发光器件105相对所述导电层102位置易偏移或脱落的问题，进而提高了SMT工艺中焊接的可靠性，提升了生产良率和产品质量。
在本发明实施例中，所述发光器件105优选为mini-LED或Micro-LED，与目前的LCD、OLED相比，所述mini-LED或Micro-LED具有反应快、高色域、高像素密度(Pixels PerInch，PPI)、低能耗等优势。所述接合物104优选为焊锡膏，所述焊锡膏包括助焊剂和焊料粉，所述焊料粉包括锡铅、锡铋、锡银铜合金，具有良好导电性、对器件附着力强、熔点低等优点。所述焊锡膏具有分布均匀的颗粒大小，通常为5um～50um。
如图2所示，图2为图1中P处的放大图。在本发明实施例中，每个所述烧瓶状的孔111包括弧形底部1112及连接所述弧形底部的直筒部1111，所述弧形底部1112开设于所述导电层102中，所述直筒部1111贯穿所述反射层103。所述反射层103中开设的多个直筒部1111呈网栅状，每个直筒部1111的具体截面形状不做限定，可以为圆形、椭圆形、矩形、菱形等，在本实施例中优选的为矩形，即为直筒状。所述直筒部1111为了便于所述接合物104进入，需大于所述接合物104的颗粒尺寸，优选的，所述直筒部1111的直径D1处距离为1um～500um。
为了进一步加强所述接合物104与所述导电层102之间的附着力，所述导电层102靠近所述反射层103一侧的表面上开设具有弧形底部的孔1112，每个所述弧形底部1112与一个所述直筒部1111相连接。其中，所述弧形底部1112投影于所述基板101的面积大于所述直筒部1111投影于所述基板101的面积，在本实施例中，所述弧形底部1112是球体的一部分，则对应的，所述弧形底部1112的最大宽度D2大于所述直筒部1111的直径D1。通过使D2＞D1，固化后的所述接合物104会形成未进入所述直筒部1111的平台段和位于所述弧形底部1112的下段较宽，而位于所述直筒部1111的中段较窄，这种两端宽中段窄的结构固定所述接合物104具有更强的稳定性。
优选的，所述弧形底部1112的截面为圆形或椭圆形的一部分，所述直筒部1111的截面为矩形，D2＞D1，则所述接合物104的中下段截面图为具有细长“颈部”和宽阔“腹部”的“烧瓶”状。
在本发明的另一个实施例中，所述导电层102包括依次层叠的第一子导电层1021及第二子导电层1022，所述第二子导电层1022远离所述基板101的一侧表面设置，且夹设于所述反射层103与所述第一子导电层1021之间。所述弧形底部1112的深度大于所述第二子导电层1022厚度T1的一半，小于整个所述导电层102的厚度T2。当所述弧形底部1112的深度H过小时，稳定性改善并不明显，而当所述弧形底部1112的深度H过大乃至贯穿了整个所述导电层102时，会影响所述接合物104在所述发光器件105与所述导电层102之间的导通性能，从而影响所述导电层102与所述发光器件105的电学特性，故选择(1/2T1)＜H＜T2。
在本实施例中，仅介绍了所述导电层102包括两层子导电层，可以理解的是，在其它实施例中，所述导电层还可以包括多个所述子导电层，每层所述子导电层的厚度为1000A～10000A。所述弧形底部1112的深度H同样需要大于最上层所述子导电层厚度的一半，小于整个所述导电层的厚度。
优选的，所述导电层102的材料为铜、银、金、铝、钛和钼其中一种或多种的组合。不同的所述子导电层之间采用的导电材料可以相同，也可以不同，均根据实际生产需求从上述材料中选择。当所述导电层102仅包括两层所述子导电层时，即包括靠近所述反射层103的所述第一子导电层1021和靠近所述基板101的第二子导电层1022，通常将所述第一子导电层1021命名为第二金属层，将所述第二子导电层1022命名为第一金属层。
在上述实施例的基础上，所述反射层103为白色油墨，同时具有遮光层或防划层的功能，为了使所述通孔113能够容纳所述接合物104，所述反射层103的厚度T3大于所述接合物104的颗粒尺寸，优选的，所述反射层103的厚度T3为1um～200um。
值得一提的是，所述显示面板还包括依次层叠的栅极绝缘层106、无定形硅层107、掺磷无定形硅层108、钝化层109和氧化铟锡层110。所述氧化铟锡层110所在位置进行覆晶薄膜绑定工艺，将集成电路(IC)固定在柔性线路板上，所述P处进行SMT工艺，将所述发光器件105逐个转移到薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板侧的焊盘上。
为了更好地制得本发明实施例中的显示装置，在所述显示装置的基础之上，本发明实施例中还提供一种显示装置的制备方法，所述制备方法用于制备如上述实施例中所述的显示装置。
如图3和图4A～4C所示，图3为本发明一个实施例中制备方法的流程图，图4A～4C为本发明一个实施例中制备方法的分步示意图。所述制备方法包括以下步骤：
S1、提供一基板101，在所述基板101上制备导电层102；
具体的，在部分实施例中，还包括通过清洗、沉积、涂布、曝光、显影、蚀刻、剥离等制程，在所述基板101上制备所述导电层102、栅极绝缘层106、无定形硅层107、掺磷无定形硅层108、钝化层109和氧化铟锡层110。所述导电层102包括至少两层子导电层，其中，所述导电层102的材料采用铜、银、金、铝、钛和钼其中一种或多种的组合，如图4A所示。
S2、在所述导电层102上制备一反射层103，并在所述反射层103上制备多个直筒状的孔1111；
具体的，在部分实施例中，采用喷墨打印或印刷法在所述导电层102及其它膜层上制备一层白色油墨作为所述反射层103，同时具有遮光层或防划层的功能，所述反射层103在待贴合发光器件105处开设有多个呈网栅状的所述直筒状的孔1111，如图4B所示。
S3、在所述导电层102中制备具有弧形底部的孔1112，每个所述具有弧形底部的孔1112与一个所述直筒状的孔1111连接形成烧瓶状的孔111。
具体的，对所述导电层102进行半蚀刻处理，形成“腹部”大于“颈部”的“烧瓶”状的孔，如图4C所示。
还包括：在所述烧瓶状的孔111中制备接合物104；
及在所述接合物104表面贴合发光器件105，得到所述显示装置，如图1所示。
其中，优选的，制备所述反射层103采用喷墨打印或印刷法，制备所述接合物104采用印刷法，制备所述烧瓶状的孔采用湿法蚀刻、干法蚀刻或激光蚀刻法。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元、结构或操作的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板；
导电层，设置于所述基板上；及
反射层，设置于所述导电层上；
其中，在所述反射层及部份的所述导电层开设多个烧瓶状的孔，每一所述烧瓶状的孔的深度大于所述反射层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每个所述烧瓶状的孔包括弧形底部及连接所述弧形底部的直筒部，所述弧形底部开设于所述导电层中，所述直筒部贯穿所述反射层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述弧形底部投影于所述基板的面积大于所述直筒部投影于所述基板的面积。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述导电层包括依次层叠的第一子导电层及第二子导电层，所述第二子导电层远离所述基板的一侧表面设置，且夹设于所述反射层与所述第一子导电层之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括接合物及发光器件，所述结合物设置于所述反射层上且填充所述烧瓶状的孔，所述发光器件设置于所述接合物上且通过所述接合物与所述导电层电性连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述结合物包括多个结合物颗粒，所述颗粒尺寸为5um～50um。
7.根据权利要求2或5所述的显示装置，其特征在于，所述直筒部的直径大于所述接合物的颗粒尺寸，所述通孔的最大宽度为1um～500um；所述反射层的厚度大于所述接合物的颗粒尺寸，所述反射层的厚度为1um～200um。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述导电层的材料为铜、银、金、铝、钛和钼其中一种或多种的组合。
9.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板，在所述基板上制备导电层；
在所述导电层上制备一反射层，并在所述反射层上制备多个直筒状的孔；及
在所述导电层中制备具有弧形底部的孔，每个所述具有弧形底部的孔与一个所述直筒状的孔连接形成烧瓶状的孔。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述烧瓶状的孔中制备接合物及在所述接合物表面贴合发光器件，制备所述反射层采用喷墨打印或印刷法，制备所述接合物采用印刷法，制备所述烧瓶状的孔采用湿法蚀刻、干法蚀刻或激光蚀刻法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010907316.4A CN111900184A (zh) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 显示装置及其制备方法 |
| PCT/CN2020/122453 WO2022047913A1 (zh) | 2020-09-02 | 2020-10-21 | 显示装置及其制备方法 |
| US17/057,091 US11894505B2 (en) | 2020-09-02 | 2020-10-21 | Display device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010907316.4A CN111900184A (zh) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 显示装置及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111900184A true CN111900184A (zh) | 2020-11-06 |
Family
ID=73224638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010907316.4A Pending CN111900184A (zh) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 显示装置及其制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11894505B2 (zh) |
| CN (1) | CN111900184A (zh) |
| WO (1) | WO2022047913A1 (zh) |
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- 2020-09-02 CN CN202010907316.4A patent/CN111900184A/zh active Pending
- 2020-10-21 WO PCT/CN2020/122453 patent/WO2022047913A1/zh active Application Filing
- 2020-10-21 US US17/057,091 patent/US11894505B2/en active Active
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|---|---|
| WO2022047913A1 (zh) | 2022-03-10 |
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