TW201535674A - 發光裝置 - Google Patents

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TW201535674A TW104103935A TW104103935A TW201535674A TW 201535674 A TW201535674 A TW 201535674A TW 104103935 A TW104103935 A TW 104103935A TW 104103935 A TW104103935 A TW 104103935A TW 201535674 A TW201535674 A TW 201535674A
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Tomoya Aoyama
Yasuhiro Jinbo
Yoshiharu Hirakata
Shunpei Yamazaki
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Semiconductor Energy Lab
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Abstract

本發明的一個方式的目的之一是：提供一種可攜性好的發光裝置；提供一種一覽性強的發光裝置。本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：連結部；以及以連結部位於之間而彼此分開的複數個發光單元，其中連結部和發光單元都具有撓性，並且連結部以與發光單元相比小的曲率半徑可彎折。發光單元從不與連結部相鄰的一邊側被供應信號或者藉由無線通訊被供應信號。

Description

發光裝置
本發明係關於物體、方法或製造方法。另外，本發明還係關於製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。本發明的一個方式係關於發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或這些裝置的製造方法。尤其是，本發明的一個方式係關於利用電致發光(Electroluminescence，以下也記為EL)現象的發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或這些裝置的製造方法。
近年來，發光裝置或顯示裝置被期待應用於各種用途，並被要求多樣化。
例如，用於移動設備等的發光裝置或顯示裝置需要為薄型、輕量且不易損壞等。
利用EL現象的發光元件(也記為“EL元件”)具有容易實現薄型輕量化；能夠高速地回應輸入信號；以及能夠使用直流低電壓電源而驅動等的特徵，由此 已在研究將其應用於發光裝置或顯示裝置。
例如，專利文獻1公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體及有機EL元件的具有撓性的主動矩陣型發光裝置。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
例如，當為了提高可攜性而使顯示裝置小型化導致顯示區域變小時，一次能顯示的資訊量減少，導致一覽性的降低。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種可攜性好的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種一覽性強的發光裝置、顯示裝置或電子裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可攜性好且一覽性強的發光裝置、顯示裝置或電子裝置。
另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可反復彎折的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種輕量的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一 個方式的目的之一是提供一種可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種不易損壞的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種厚度薄的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種具有撓性的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種具有無縫拼接(或者拼接縫隙少)的較大的發光區域的發光裝置或照明設備，或者提供一種具有無縫拼接的較大的顯示部的顯示裝置或電子裝置。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種耗電量低的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個方式不一定必須要達到所有上述目的。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯得知這些目的以外的目的，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中提出這些以外的目的。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：連結部；以及以連結部位於之間而彼此分開的複數個發光單元，其中連結部和發光單元都具有撓性，並且連結部以與發光單元相比小的曲率半徑可彎折。
在上述結構中，複數個發光單元中的至少一個也可以從不與連結部相鄰的一邊側被供應信號。另外， 在上述結構中，複數個發光單元中的至少一個也可以藉由無線通訊被供應信號。
在上述結構中，連結部也可以具有切口。
在上述結構中，連結部也可以具有開口部。
另外，使用具有上述各結構的發光裝置的電子裝置或照明設備也是本發明的一個方式。
本發明的一個方式是具有上述各結構的發光裝置和二次電池的電子裝置。此時，較佳為藉由非接觸電力傳送使二次電池充電。
注意，在本說明書中，發光裝置包括使用發光元件的顯示裝置。另外，發光裝置也可以包括在如下模組中：在發光元件安裝有連接器諸如各向異性導電薄膜或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組；在TCP端部設置有印刷線路板的模組；以及藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式在發光元件上直接安裝有IC(積體電路)的模組。再者，發光裝置也可以包括在照明器具等中。
根據本發明的一個方式，可以提供一種可攜性好的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。根據本發明的一個方式，可以提供一種一覽性強的發光裝置、顯示裝置或電子裝置。根據本發明的一個方式，可以提供一種可攜性好且一覽性強的發光裝置、顯示裝置或電子裝置。根據本發明的一個方式，可以提供一種可反復彎折的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
根據本發明的一個方式，可以提供一種新穎的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種輕量的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種不易損壞的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種厚度薄的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種具有撓性的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種具有無縫拼接的較大的發光區域的發光裝置或照明設備，或者可以提供一種具有無縫拼接的較大的顯示部的顯示裝置或電子裝置。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種耗電量低的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個方式不一定必須要發揮所有上述效果。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中可明顯得知這些效果以外的效果，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中提出這些以外的效果。
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧發光單元
101a‧‧‧發光單元
101b‧‧‧發光單元
103‧‧‧連結部
105‧‧‧發光部
107‧‧‧驅動電路部
109‧‧‧開口部
110‧‧‧發光裝置
115‧‧‧開口部
120‧‧‧發光裝置
130‧‧‧發光裝置
140‧‧‧發光裝置
150‧‧‧發光裝置
160‧‧‧發光裝置
161‧‧‧基板
163‧‧‧二次電池
165‧‧‧天線
170‧‧‧發光裝置
171‧‧‧發光裝置
172‧‧‧發光裝置
173‧‧‧發光裝置
180‧‧‧發光裝置
181‧‧‧發光裝置
182‧‧‧發光裝置
183‧‧‧發光裝置
184‧‧‧發光裝置
185‧‧‧發光裝置
186‧‧‧發光裝置
187‧‧‧發光裝置
190‧‧‧發光裝置
191‧‧‧發光裝置
192‧‧‧發光裝置
193‧‧‧發光裝置
194‧‧‧發光裝置
201‧‧‧形成用基板
203‧‧‧剝離層
221‧‧‧形成用基板
223‧‧‧剝離層
301‧‧‧顯示部
302‧‧‧像素
302B‧‧‧子像素
302G‧‧‧子像素
302R‧‧‧子像素
302t‧‧‧電晶體
303c‧‧‧電容器
303g(1)‧‧‧掃描線驅動電路
303g(2)‧‧‧攝像像素驅動電路
303s(1)‧‧‧影像信號線驅動電路
303s(2)‧‧‧攝像信號線驅動電路
303t‧‧‧電晶體
304‧‧‧閘極
308‧‧‧攝像像素
308p‧‧‧光電轉換元件
308t‧‧‧電晶體
309‧‧‧FPC
311‧‧‧佈線
319‧‧‧端子
321‧‧‧絕緣層
328‧‧‧分隔壁
329‧‧‧間隔物
350R‧‧‧發光元件
351R‧‧‧下部電極
352‧‧‧上部電極
353‧‧‧EL層
353a‧‧‧第一EL層
353b‧‧‧第二EL層
354‧‧‧中間層
367BM‧‧‧遮光層
367p‧‧‧反射防止層
367R‧‧‧著色層
380B‧‧‧發光模組
380G‧‧‧發光模組
380R‧‧‧發光模組
390‧‧‧觸控面板
501‧‧‧顯示部
502R‧‧‧子像素
502t‧‧‧電晶體
503c‧‧‧電容器
503g‧‧‧掃描線驅動電路
503t‧‧‧電晶體
505‧‧‧觸控面板
505B‧‧‧觸控面板
509‧‧‧FPC
510‧‧‧基板
510a‧‧‧絕緣層
510b‧‧‧撓性基板
510c‧‧‧黏合層
511‧‧‧佈線
519‧‧‧端子
521‧‧‧絕緣膜
528‧‧‧分隔壁
550R‧‧‧發光元件
560‧‧‧密封層
567BM‧‧‧遮光層
567p‧‧‧反射防止層
567R‧‧‧著色層
570‧‧‧基板
570a‧‧‧絕緣層
570b‧‧‧撓性基板
570c‧‧‧黏合層
580R‧‧‧發光模組
590‧‧‧基板
591‧‧‧電極
592‧‧‧電極
593‧‧‧絕緣層
594‧‧‧佈線
595‧‧‧觸控感測器
597‧‧‧黏合層
598‧‧‧佈線
599‧‧‧連接層
801‧‧‧基板
803‧‧‧基板
804‧‧‧發光部
806‧‧‧驅動電路部
808‧‧‧FPC
809‧‧‧連結部
811‧‧‧黏合層
813‧‧‧絕緣層
814‧‧‧導電層
815‧‧‧絕緣層
816‧‧‧導電層
817‧‧‧絕緣層
817a‧‧‧絕緣層
817b‧‧‧絕緣層
820‧‧‧電晶體
821‧‧‧絕緣層
822‧‧‧電晶體
823‧‧‧密封層
824‧‧‧密封層
825‧‧‧連接器
827‧‧‧間隔物
828‧‧‧分隔壁
829‧‧‧分隔壁
830‧‧‧發光元件
831‧‧‧下部電極
833‧‧‧EL層
835‧‧‧上部電極
841‧‧‧黏合層
843‧‧‧絕緣層
845‧‧‧著色層
847‧‧‧遮光層
849‧‧‧外敷層
857‧‧‧導電層
857a‧‧‧導電層
857b‧‧‧導電層
862‧‧‧EL層
864‧‧‧導電層
881‧‧‧發光單元
在圖式中： 圖1A1-A2、1B1-B2、1C至1E是示出發光裝置的一個例子的圖；圖2A1-A3、2B1-B4、2C是示出發光裝置的一個例子的圖；圖3A至3E是示出發光裝置的一個例子的圖；圖4A至4D是示出發光裝置的一個例子的圖；圖5A至5D是示出發光裝置的一個例子的圖；圖6A1-A2、6B1-B2、6C、6D1-D2是示出發光裝置的一個例子的圖；圖7A1-A2、7B至7D是示出發光裝置的一個例子的圖；圖8A至8E是示出發光裝置的一個例子的圖；圖9A至9D是示出發光單元的一個例子的圖；圖10A至10E是示出發光單元的一個例子的圖；圖11A和11B是示出發光裝置的一個例子的圖；圖12A和12B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖13A和13B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖14A和14B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖15A和15B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖16A和16B是示出發光裝置的製造方法的一個例 子的圖；圖17A至17C是示出發光裝置的一個例子及發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖18A和18B是示出發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖19A至19C是示出觸控面板的一個例子的圖；圖20A和20B是示出觸控面板的一個例子的圖；圖21A至21C是示出觸控面板的一個例子的圖；圖22A至22C是示出觸控面板的一個例子的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細的說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
另外，在以下說明的發明的結構中，在不同圖式之間共同使用同一元件符號來表示同一部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加符號。
另外，為了容易理解，有時在圖式等中示出的各構成部的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位 置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A1-A2、1B1-B2、1C至1E至圖8A至8E說明本發明的一個方式的裝置。
本發明的一個方式的發光裝置包括：連結部；以及以連結部位於之間而彼此分開的複數個發光單元，其中連結部和發光單元都具有撓性，並且連結部以與發光單元相比小的曲率半徑可彎折。另外，本發明的一個方式的顯示裝置包括：連結部；以及以連結部位於之間而彼此分開的複數個顯示單元，其中連結部和顯示單元都具有撓性，並且連結部以與顯示單元相比小的曲率半徑可彎折。
在具有撓性的發光裝置或顯示裝置中的包括如半導體元件、發光元件、顯示元件等功能元件的區域被彎折時，這些元件有時會受到大應力而被破壞。由此，需要將彎折裝置時的曲率半徑設定為元件不被破壞的範圍內。
本發明的一個方式的發光裝置(顯示裝置)具有以與發光單元(顯示單元)相比小的曲率半徑可彎折的連結部。藉由以使彎曲線(折疊線)位於連結部的方式彎折裝置，可以進一步減小彎折時的曲率半徑。由此，根據本發明的一個方式的發光裝置或顯示裝置在元件不被破 壞的情況下可以被折疊為薄片。另外，根據本發明的一個方式的顯示裝置在展開時的一覽性優異，且在折疊為薄片時的可攜性優異。根據本發明的一個方式的顯示裝置即使被反復彎折也不易損壞，所以具有高可靠性。
連結部較佳為至少不具有功能元件。連結部較佳為只由彎折性高的材料及韌性高的材料構成。尤其是，較佳為對以使彎折線位於連結部的方式彎折裝置時的曲率半徑沒有限制。
例如，連結部可以具有撓性基板。例如，可以使用有機樹脂或其厚度為允許具有撓性的程度的玻璃、金屬、合金。尤其是，藉由作為連結部使用高韌性材料的有機樹脂、厚度薄的金屬或合金，與連結部包含玻璃的情況相比可以實現裝置的輕量化或者可以防止破損。另外，連結部還可以使用將後面說明的可用於發光面板的撓性基板的材料。
例如，連結部可以具有黏合劑。例如，連結部較佳為具有環氧樹脂。另外，連結部還可以使用將後面說明的可用於發光面板的黏合層或密封層的材料。
另外，連結部也可以使用彎折性高或者韌性高的其他有機膜或無機膜。例如，也可以使用矽橡膠等。
在上述結構中，發光單元也可以不具有撓性。例如，可以包括如下情況：複數個發光單元中的至少一個具有撓性；所有發光單元具有撓性；或者，所有發光單元不具有撓性。
以下以本發明的一個方式的發光裝置為例進行說明，但是本發明不侷限於發光裝置，也可以應用於顯示裝置等裝置。
圖1A1示出發光裝置100的展開狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置100時的側面圖。
圖1A2示出發光裝置100的折疊狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置100時的側面圖。
發光裝置100具有一個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的兩個發光單元101。連結部103和發光單元101都具有撓性。連結部103以與發光單元101相比小的曲率半徑可彎折。如圖1A2所示，藉由以使彎折線位於連結部103的方式彎折發光裝置100，可以使發光裝置100在包含在發光單元101中的元件不被破壞的情況下被折疊為薄片。因為可以將連結部103彎折到兩個發光單元101的相對面全部接觸的程度，所以可以將發光裝置100折疊為薄片。
例如，彎折連結部103時的曲率半徑可以為10mm以下，5mm以下，3mm以下，較佳為1mm以下，更佳為0.5mm以下，進一步佳為0.1mm以下。
在本說明書中，將以發光單元的發光面(或顯示單元的顯示面)朝向內側的方式彎折的情況記為“向內彎折”，並且將以發光單元的發光面(或顯示單元的顯 示面)朝向外側的方式彎折的情況記為“向外彎折”。注意，發光單元或發光裝置中的發光面是指發光元件發出的光被提取的一面。
本發明的一個方式的發光裝置能夠進行向內彎折和向外彎折中的至少一方，較佳為能夠進行向內彎折和向外彎折中的兩者。
連結部個數既可為一個又可為複數個。也可以使兩個以上的發光單元以一個連結部位於之間而彼此分開。複數個連結部的大小也可以為各不相同的，也可以為一部相同而另一部不相同的，也可以為全部相同的。對連結部的寬度(兩個發光單元的間隔)沒有特別的限制，例如，可以為10cm以下，5cm以下，3cm以下，10mm以下，5mm以下，3mm以下或2mm以下。連結部的寬度也可以被設定為大於10cm。
例如，連結部103可以為沒有如半導體元件、發光元件、顯示元件或電容元件等功能元件或佈線的區域。另外，連結部103也可以為還不包含位於功能元件的上層或下層的膜(保護膜、基底膜、層間絕緣膜等)的區域。另外，連結部103也可以為只有位於發光裝置或顯示裝置的最外表面的一對基板及一對基板之間的黏合層的區域。另外，連結部103也可以為除了位於發光裝置或顯示裝置的最外表面的一對基板及一對基板之間的黏合層以外還有彎折性高的膜(絕緣膜、導電膜、半導體膜等)的區域。
複數個發光單元中的至少一個也可以從不與連結部相鄰的一邊側被供應來自外部的信號。例如，發光單元可以具有發光部和驅動電路部。
另外，在上述結構中，複數個發光單元中的至少一個也可以藉由無線通訊被供應信號。例如，發光單元可以具有發光部和天線。發光單元從外部被供應信號而能夠發光或者顯示影像或資訊等。複數個發光單元既可分別獨立地進行顯示或發光又可彼此同步地進行顯示或發光。
另外，發光單元或發光裝置也可以具有揚聲器。由此，發光裝置能夠響應從外部被供應的信號再現聲音。
圖1B1示出發光裝置110的展開狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置110時的側面圖。
圖1B2示出發光裝置110的折疊狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置110時的側面圖。
發光裝置110具有兩個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的三個發光單元101。連結部103和發光單元101都具有撓性。連結部103以與發光單元101相比小的曲率半徑可彎折。每個連結部103位於兩個發光單元101之間。
像這樣，本發明的一個方式的發光裝置具有n 個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的(n+1)個發光單元101(n是1以上的整數)。藉由以使彎折線位於連結部103的方式彎折發光裝置，可以使發光裝置110在包含在發光單元101中的元件不被破壞的情況下被折疊為一個發光單元101的大小的小片。像這樣，本發明的一個方式的發光裝置在折疊狀態下的可攜性好，且在展開狀態下的發光區域大，由此其顯示的一覽性強。
圖1C示出具有以一個連結部103位於之間而彼此分開的四個發光單元101的發光裝置。
即使是能夠彎折到一定的曲率半徑的發光單元，也有時在向兩個以上的方向彎折時在一個方向上的彎折線與另一個方向上的彎折線交叉的區域中受到大應力使得該區域中的元件被破壞。但是，本發明的一個方式的發光裝置具有以與發光單元相比小的曲率半徑可彎折的連結部。藉由以使彎折線或兩個方向以上的彎折線交叉的區域位於連結部的方式彎折裝置，可以抑制元件的破壞，並可以進一步減小彎折時的曲率半徑。
圖1D示出具有以一個連結部103位於之間而彼此分開的三個發光單元101的發光裝置。三個發光單元101中的兩個發光單元101的大小相同，另外一個發光單元101的大小不同。在本發明的一個方式中，複數個發光單元101的大小也可以為各不相同的，也可以為一部相同而另一部不相同的，也可以為全部相同的。
圖1E示出具有以五個連結部103位於之間而 彼此分開的六個發光單元101的發光裝置。在本發明的一個方式中，對發光裝置的平面形狀沒有限制，例如可以為方形、圓形等。再者，對發光單元的平面形狀也沒有限制，例如可以為方形、圓形等。
圖2A1示出發光裝置120的展開狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置120時的側面圖。發光裝置120具有一個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的兩個發光單元101。各發光單元101具有發光部105。
圖2A2-A3示出發光裝置120的折疊狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置120時的側面圖。明確而言，圖2A2示出以發光面朝向內側的方式將連結部向內彎折的情況，而圖2A3示出以發光面朝向外側的方式將連結部向外彎折的情況。
當不使用本發明的一個方式的發光裝置時，藉由以發光單元的發光面位於內側的方式彎折，能夠抑制發光面受傷或弄髒。
當使用本發明的一個方式的發光裝置時，既可以藉由展開使用所有發光單元，又可以藉由以發光單元的發光面位於外側的方式彎折使用發光單元的一部分。藉由使被折疊的由使用者看不到的發光單元處於非發光狀態，能夠抑制發光裝置的耗電量。
圖2B1示出發光裝置130的展開狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置130時的側 面圖。發光裝置130具有一個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的兩個發光單元101。各發光單元101具有發光部105及驅動電路部107。
複數個發光單元中的至少一個可以在不與連結部相鄰的一邊和發光部之間具有驅動電路部。作為驅動電路部107的位置不同的變形例，圖2C示出發光裝置140的展開狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置140時的側面圖。
圖2B2-B3示出發光裝置130的折疊狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置130時的側面圖。明確而言，圖2B2示出以發光面朝向內側的方式將連結部向內彎折的情況，而圖2B3示出以發光面朝向外側的方式將連結部向外彎折的情況。
圖2B4示出以彎折連結部103的方式展開發光裝置130的狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置130時的兩個側面圖。尤其是，兩個側面圖中的上側側面圖所示的結構因可以進一步縮小兩個發光部105之間的間隔而是較佳的，而兩個側面圖中的下側側面圖所示的結構因可以進一步降低兩個發光部105之間的水平差而是較佳的。
藉由彎折連結部103，可以使以連結部103位於之間而彼此分開的發光單元101之間的間隔變窄，以抑制使用者感到顯示的分割。尤其是，像發光裝置130那樣，發光部105與連結部103之間的距離越短，彎折連結 部103時的發光單元101之間的間隔越窄，所以是較佳的。明確而言，連結部103與發光部105之間的距離較佳為10mm以下，特別佳為1mm以下。
本發明的一個方式的發光裝置也可以在連結部以外的部分彎折。以下示出在連結部和連結部以外的部分中的兩者彎折的例子。另外，本發明的一個方式的發光裝置也可以只在連結部以外的部分彎折。
圖3A示出發光裝置150的展開狀態的平面圖。與圖2B4同樣，也可以以將連結部103彎折兩次(進行山折和谷折)的方式展開發光裝置150。發光裝置150具有一個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的兩個發光單元101。各發光單元101具有發光部105及驅動電路部107。
圖3B示出藉由彎折連結部103對折了發光裝置150的狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置150時的兩個側面圖。圖3B示出沿圖3A所示的彎折線L1彎折發光裝置150的例子。
圖3C示出藉由彎折發光單元101進一步對折了發光裝置150的狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置150時的側面圖。圖3C示出沿圖3A所示的彎折線L2彎折發光裝置150的例子。
圖3D和3E示出藉由彎折發光單元101進一步三折了發光裝置150的狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置150時的側面圖。圖3D示出沿 圖3A所示的彎折線L3彎折發光裝置150的例子。
在將沒有連結部103的發光裝置150向兩個方向彎折來形成四折以上的情況下，即使是能夠彎折到一定的曲率半徑的發光單元，也有時在兩個方向的彎折線交叉的區域中受到大應力使得該區域中的元件被破壞。但是，本發明的一個方式的發光裝置具有以與發光單元相比小的曲率半徑可彎折的連結部。藉由以使兩個方向的彎折線中的至少一方或兩個方向的彎折線交叉的區域位於連結部的方式彎折裝置，可以抑制元件的破壞，並可以進一步減小彎折時的曲率半徑。
圖4A示出發光裝置160的展開狀態的平面圖。發光裝置160具有一個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的四個發光單元101。各發光單元101具有發光部105及驅動電路部107。另外，如圖4D所示，也可以對連結部103進行山折和谷折而以使用者不容易看到連結部103的方式展開發光裝置160。由此，可以使複數個發光單元101之間的間隔變窄，以抑制使用者感到顯示的分割。
圖4B示出藉由彎折連結部103對折了發光裝置160的狀態的平面圖及從平面圖上的箭頭所示的方向看發光裝置160時的側面圖。圖4B示出沿圖4A所示的彎折線L4彎折發光裝置160的例子。
圖4C示出藉由彎折連結部103進一步對折了圖4B所示的發光裝置160的狀態的平面圖及從平面圖上 的箭頭所示的方向看發光裝置160時的側面圖。圖4C示出沿圖4A所示的彎折線L5彎折發光裝置160的例子。
藉由以使兩個方向的彎折線或兩個方向的彎折線交叉的區域位於連結部的方式彎折裝置，可以抑制元件的破壞，並可以進一步減小彎折時的曲率半徑。
圖5A示出連結部103具有開口部109的發光裝置170。在兩個方向的彎折線交叉的區域中構成連結部103的層容易受到大應力。例如，有時在包括在連結部103中的撓性基板等上產生裂縫。於是，較佳為在兩個方向的彎折線交叉的區域等在折疊發光裝置時容易受到應力的區域中形成開口部。由此，可以抑制該區域中的裂縫的發生等來提高發光裝置的可靠性。
對開口部的位置、形狀、大小沒有限制，例如可以在連結部或發光單元中沒有設置元件的區域中設置圓形、方形等的開口部。一個發光裝置所具有的開口部的個數既可為一個又可為複數個。
圖5B示出連結部103具有切口111的發光裝置171。圖5C示出連結部103具有比切口111寬的切口113的發光裝置172。例如，在將發光裝置向兩個方向彎折來四折的情況下，對已被對折的發光裝置進行第二次彎折。在該第二次彎折的彎折線部分或在兩個方向的彎折線交叉的區域中受到大應力，有時會破壞構成發光裝置的層(基板、黏合層、元件等)。藉由在連結部103中形成切口，可以抑制在將發光裝置向兩個方向以上彎折時使發光 裝置受到大應力而破損。
對切口的範圍沒有限制，例如，切口的範圍可以為從發光裝置的端部直到兩個方向的彎折線交叉的區域。對切口的位置、形狀、大小沒有限制，例如可以在連結部或發光單元中沒有設置元件的區域中形成切口。一個發光裝置所具有的切口的個數既可為一個又可為複數個。
圖5D示出連結部103具有切口111及開口部115的發光裝置173。在發光裝置具有切口和開口部中的兩者時，切口和開口部既可形成為接連一體又可形成為彼此獨立分開。
另外，本發明的一個方式的發光裝置可以藉由彎折而在不平行的兩個以上的相鄰面上配置發光單元，來可以實現立體形狀的發光區域。
圖6A1示出展開狀態的發光裝置180，而圖6A2示出藉由彎折連結部103形成立體形狀的發光區域的狀態的發光裝置180。在圖6A2中，示出藉由對連結部103進行山折和谷折使以連結部103位於之間而彼此分開的發光單元101之間的間隔變窄的情況。發光裝置180具有兩個連結部103和以連結部103位於之間而彼此分開的三個發光單元101。
圖6B1示出藉由彎折連結部103形成立體形狀的發光區域的狀態的發光裝置181，而圖6B2示出圖6B1所示的發光裝置181的背面圖。
發光裝置181具有兩個連結部103、以一個連 結部103位於之間而彼此分開的兩個發光單元101a及101b以及隔著另一個連結部103與發光單元101b分開的基板161。在圖6B1中，示出藉由對連結部103進行山折和谷折使隔著連結部103彼此分開的發光單元101a與101b之間的間隔變窄的情況。
本發明的一個方式的發光裝置也可以隔著連結部連接有發光單元以外的單元。例如，可以連接有兩種以上的發光單元或顯示單元，也可以連接有支撐基板，或者，可以連接有具有相機、鍵盤、觸控面板等的單元。這些單元(發光單元、顯示單元、支撐基板等)也可以不隔著連結部而直接連接。
另外，發光單元101a具有二次電池163及天線165。雖然在圖式中示出天線165位於發光單元101a的側面的例子，但是不侷限於此，也可以位於發光面或與發光面相對的面。對配置二次電池163的位置也沒有限制。
本發明的一個方式的電子裝置可以具有發光裝置和二次電池。此時，較佳為藉由非接觸電力傳送使二次電池充電。電子裝置既可在發光單元內或發光裝置內具有二次電池又可在其他單元內或裝置內具有二次電池。
作為二次電池，例如，可以舉出利用凝膠狀電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰電池、鋰離子電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。
本發明的一個方式的電子裝置可以具有發光裝置和天線。藉由由天線接收信號，可以使發光單元進行發光或者顯示影像或資訊等。電子裝置既可在發光單元內或發光裝置內具有天線又可在其他單元內或裝置內具有天線。另外，在電子裝置具有二次電池的情況下，可以將天線用於非接觸電力傳送。
另外，圖6C所示的具有切口的發光裝置182可以藉由彎折而在不平行的兩個以上的相鄰的面上配置發光單元，來可以實現立體形狀的發光區域。
另外，像圖6D1和6D2所示的發光裝置183那樣，在發光單元101具有撓性的情況下，可以實現曲面的發光區域。
圖7A1示出本發明的一個方式的發光裝置184。發光裝置184具有包含發光部105的發光單元101。圖7A2示出將發光裝置184的四個角部向中心彎折的狀態。
因為發光裝置184包含半導體元件或發光元件，所以較佳為將彎折時的曲率半徑設定為元件不被破壞的範圍內。
圖7B至7D示出本發明的一個方式的發光裝置185、發光裝置186以及發光裝置187。這些發光裝置因在將四個角部向中心彎折時其彎折線位於連結部103而以與發光裝置184相比小的曲率半徑可彎折。就是說，藉由設置連結部，可以實現更薄且可攜性更優異的發光裝 置。另外，發光裝置186示出能夠被八折的例子。各發光單元也可以具有天線，以基於藉由無線通訊接收的信號進行顯示。
圖8A至8E示出本發明的一個方式的發光裝置的例子。圖8A示出正四面體形狀的發光裝置190。圖8B示出正六面體形狀的發光裝置191。圖8C示出四角錐形狀的發光裝置192。圖8D示出正十二面體形狀的發光裝置193。圖8E示出正二十面體形狀的發光裝置194。各發光裝置只要在至少一個面上具有發光單元即可。各發光裝置也可以在兩個以上的面上具有發光單元。尤其是，各發光裝置在不平行的兩個以上的相鄰的面上具有發光單元來可以實現立體形狀的發光區域。各發光裝置也可以應用本發明的一個方式以在展開的狀態下使用。由此，顯示的一覽性得到提高。另外，各發光裝置也可以應用本發明的一個方式以在展開之後能夠折疊。由此，可攜性得到提高。一個發光單元既可只配置在一個面上又可橫跨配置在兩個以上的面上。在每個面上配置有一個發光單元且相鄰的面的邊界由連結部構成時，以更小的曲率半徑可彎折。另外，藉由對連結部進行山折和谷折，可以使相鄰的面所具有的發光單元彼此接觸，來可以實現抑制了使用者感到顯示的分割的立體發光區域。另外，在一個發光單元橫跨配置在兩個以上的面上時，可以實現無縫拼接的立體發光區域。
對用於本發明的一個方式的發光裝置的發光 單元的撓性沒有限制。另外，用於本發明的一個方式的發光裝置的發光單元也可以為具有觸控感測器及發光元件的觸控面板。
本發明的一個方式不僅可以應用於具有發光單元的發光裝置，而且還可以應用於具有顯示單元的顯示裝置。此時，對顯示單元的撓性沒有限制。另外，用於本發明的一個方式的顯示裝置的顯示單元也可以為具有觸控感測器及顯示元件的觸控面板。
例如，在本說明書等中，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或具有各種元件。顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置例如包括EL元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器面板(PDP)、使用MEMS(微機電系統)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數位微快門)、干涉調變(IMOD)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、使用碳奈米管的顯示元件等中的至少一個。除了上述以外，還可以包括對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用而產生變化的顯示媒體。作為使用EL元件的顯示裝置的一 個例子，可以舉出EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，可以舉出場發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，可以舉出液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水、電子液態粉末(electronic liquid powder)(註冊商標)或電泳元件的顯示裝置的一個例子，可以舉出電子紙等。注意，當實現半透過型液晶顯示器或反射型液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能，即可。例如，像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等，即可。再者，此時也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下。由此，進一步可以降低功耗。
例如，在本說明書等中可以採用在像素中包括主動元件(非線性元件)的主動矩陣方式或在像素中沒有包括主動元件的被動矩陣方式。
在主動矩陣方式中，作為主動元件，不僅可以使用電晶體，並且還可以使用各種主動元件。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，所以可以降低製造成本或提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而 可以實現低功耗或高亮度化。
在被動矩陣方式中，因為不使用主動元件，所以製程少，從而可以降低製造成本或提高良率。另外，由於不使用主動元件，因此可以提高開口率，從而可以實現低功耗或高亮度化等。
注意，雖然在此示出使用顯示裝置進行各種顯示的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，也可以不顯示資訊。作為一個例子，也可以用作照明設備而不用作顯示裝置。藉由將本發明的一個方式應用於照明設備，可以將其用作設計性高的室內照明。另外，可以將其用作能夠照射各種方向的照明。此外，也可以將其用作背光或前燈等光源而不用作顯示裝置。換言之，也可以將其用作用於顯示面板的照明設備。
如上所述，藉由使用本發明的一個方式，可以實現具有不包含功能元件等的連結部且以小的曲率半徑可彎折的發光裝置。本發明的一個方式的發光裝置在展開狀態下的顯示的一覽性優異，在折疊狀態下為薄型且可攜性優異。另外，根據本發明的一個方式的發光裝置不易損壞，所以具有高可靠性。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，說明可以應用於本發明的一個方式 的發光面板的結構及本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。
在本發明的一個方式中，對發光單元的撓性沒有限制，但是較佳為具有撓性。本實施方式所例示的發光面板可以應用於本發明的一個方式的發光裝置中的發光單元。
當彎折本實施方式所例示的撓性發光面板時，將發光面板的曲率半徑的最小值可以設定為1mm以上且150mm以下、1mm以上且100mm以下、1mm以上且10mm以下或者2mm以上且5mm以下。對發光面板的彎折方向沒有限制。另外，彎折部分的數量可以為一個或兩個以上，例如可以將發光面板對折、三折、四折或更多折。
<具體例子1>
圖9A示出發光面板的平面圖，而圖9C示出沿圖9A中的點劃線A1-A2的剖面圖的一個例子。具體例子1所示的發光面板為採用濾色片方式的頂部發射型發光面板。在本實施方式中，作為發光面板，例如可以採用由R(紅)、G(綠)以及B(藍)的三種顏色的子像素表現一個顏色的結構或由R(紅)、G(綠)、B(藍)以及W(白)的四種顏色的子像素表現一個顏色的結構等。對顏色要素沒有特別的限制，也可以使用RGBW以外的顏色，例如也可以使用黃色(yellow)、青色(cyan)、洋 紅色(magenta)等。
圖9A所示的發光面板包括發光部804、驅動電路部806、FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)808。包含在發光部804及驅動電路部806中的發光元件或電晶體由基板801、基板803以及密封層823密封。
圖9C所示的發光面板包括基板801、黏合層811、絕緣層813、複數個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、複數個發光元件、絕緣層821、密封層823、外敷層849、著色層845、遮光層847、絕緣層843、黏合層841以及基板803。密封層823、外敷層849、絕緣層843、黏合層841以及基板803透射可見光。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813形成有電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835透射可見光。
另外，在發光部804中形成有與發光元件830重疊的著色層845及與絕緣層821重疊的遮光層847。著色層845及遮光層847由外敷層849覆蓋。在發光元件830與外敷層849之間填充有密封層823。
絕緣層815具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體的效果。另外，為了減小起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層817較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813形成有複數個電晶體。在圖9C中，示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合在一起。另外，使用黏合層841將絕緣層843與基板803貼合在一起。當作為絕緣層813以及絕緣層843使用透水性低的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830以及電晶體820，從而可以提高發光面板的可靠性，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。為了防止製程數量的增加，導電層857較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的製程製造。在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在圖9C所示的發光面板中，連接器825位於基板803上。連接器825藉由形成在基板803、黏合層 841、絕緣層843、密封層823、絕緣層817以及絕緣層815中的開口連接於導電層857。另外，連接器825還連接於FPC808。導電層857與FPC808藉由連接器825電連接。在導電層857與基板803重疊的情況下，藉由對基板803開口(或者使用具有開口部的基板)，可以電連接導電層857、連接器825以及FPC808。
具體例子1示出一種發光面板，該發光面板可以藉由在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層813、電晶體820以及發光元件830，剝離該形成用基板，然後使用黏合層811將絕緣層813、電晶體820以及發光元件830轉置到基板801上來製造。另外，具體例子1還示出一種發光面板，該發光面板可以藉由在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層843、著色層845以及遮光層847，剝離該形成用基板，然後使用黏合層841將絕緣層843、著色層845以及遮光層847轉置到基板803上來製造。
當作為基板使用耐熱性低的材料(樹脂等)時，在製程中難以對基板施加高溫，因此對在該基板上製造電晶體或絕緣層的條件有限制。另一方面，當作為發光面板的基板使用透水性高的材料(樹脂等)時，較佳為在基板與發光元件之間施加高溫來形成透水性低的膜。在本實施方式的製造方法中，由於可以在耐熱性高的形成用基板上形成電晶體等，因此可以施加高溫來形成可靠性高的電晶體以及透水性充分低的膜。並且，藉由將該電晶體以及該膜轉置到基板801或803，能夠製造可靠性高的發光 面板。由此，在本發明的一個方式中，能夠實現輕量或薄型且可靠性高的發光面板。詳細製造方法將在後面說明。
<具體例子2>
圖9B示出發光面板的平面圖，而圖9D示出沿圖9B中的點劃線A3-A4的剖面圖的一個例子。具體例子2所示的發光面板為與具體例子1不同的採用濾色片方式的頂部發射型發光面板。這裡，只說明與具體例子1不同的點，省略說明與具體例子1相同的點。
以下說明圖9D所示的發光面板與圖9C所示的發光面板的不同之處。
在圖9D所示的發光面板中，在絕緣層821上形成有間隔物827。藉由設置間隔物827，可以調整基板801與基板803之間的間隔。
另外，在圖9D所示的發光面板中，基板801的大小與基板803不同。連接器825位於絕緣層843上，而不與基板803重疊。連接器825藉由設置在絕緣層843、密封層823、絕緣層817以及絕緣層815中的開口連接於導電層857。因為不需要對基板803開口，所以對基板803的材料沒有限制。
<具體例子3>
圖10A示出發光面板的平面圖，而圖10C示出沿圖10A中的點劃線A5-A6的剖面圖的一個例子。具體例子3 所示的發光面板為採用分別塗色方式的頂部發射型發光面板。
圖10A所示的發光面板包括發光部804、驅動電路部806以及FPC808。包含在發光部804及驅動電路部806中的發光元件或電晶體由基板801、基板803、框狀密封層824以及密封層823密封。
圖10C所示的發光面板包括基板801、黏合層811、絕緣層813、複數個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、複數個發光元件、絕緣層821、密封層823、框狀密封層824以及基板803。密封層823及基板803透射可見光。
框狀密封層824較佳為其氣體阻隔性比密封層823高的層。由此，可以抑制水分或氧從外部侵入發光面板。由此，可以實現高可靠性發光面板。
在具體例子3中，發光元件830所發出的光穿過密封層823被提取到發光面板的外側。由此，密封層823的透光性較佳為高於框狀密封層824。另外，密封層823的折射率較佳為高於框狀密封層824。另外，密封層823在被固化時的體積收縮較佳為小於框狀密封層824。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813形成有電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。 下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835透射可見光。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813形成有複數個電晶體。在圖10C中，示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合在一起。當作為絕緣層813使用透水性低的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830及電晶體820，從而可以提高發光面板的可靠性，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在圖10C所示的發光面板中，連接器825位於基板803上。連接器825藉由設置在基板803、密封層823、絕緣層817以及絕緣層815中的開口連接於導電層857。另外，連接器825還連接於FPC808。導電層857與FPC808藉由連接器825電連接。
具體例子3示出一種發光面板，該發光面板可以藉由在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層813、電晶體820以及發光元件830，剝離該形成用基板，然後使用黏合層811將絕緣層813、電晶體820以及發光元件 830轉置到基板801上來製造。由於可以在耐熱性高的形成用基板上形成電晶體等，因此可以施加高溫來形成可靠性高的電晶體以及透水性充分低的膜。並且，藉由將該電晶體以及該膜轉置到基板801，能夠製造可靠性高的發光面板。由此，在本發明的一個方式中，能夠實現輕量或薄型且可靠性高的發光面板。
<具體例子4>
圖10B示出發光面板的平面圖，而圖10D示出沿圖10B中的點劃線A7-A8的剖面圖的一個例子。具體例子4所示的發光面板為採用濾色片方式的底部發射型發光面板。
圖10D所示的發光面板包括基板801、黏合層811、絕緣層813、複數個電晶體、導電層857、絕緣層815、著色層845、絕緣層817a、絕緣層817b、導電層816、複數個發光元件、絕緣層821、密封層823以及基板803。基板801、黏合層811、絕緣層813、絕緣層815、絕緣層817a以及絕緣層817b透射可見光。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813形成有電晶體820、電晶體822以及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817b上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆 蓋。上部電極835較佳為反射可見光。下部電極831透射可見光。對設置與發光元件830重疊的著色層845的位置沒有特別的限制，例如可以設置在絕緣層817a與絕緣層817b之間或在絕緣層815與絕緣層817a之間等。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813形成有複數個電晶體。在圖10D中，示出驅動電路部806所具有的電晶體中的兩個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合在一起。當作為絕緣層813使用透水性低的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830、電晶體820及822，從而可以提高發光面板的可靠性，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。在此，示出使用與導電層816相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
具體例子4示出一種發光面板，該發光面板可以藉由在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層813、電晶體820以及發光元件830等，剝離該形成用基板，然後使用黏合層811將絕緣層813、電晶體820以及發光元件830等轉置到基板801上來製造。由於可以在耐熱性高的形成用基板上形成電晶體等，因此可以施加高溫來形成可靠性高的電晶體以及透水性充分低的膜。並且，藉由將該 電晶體以及該膜轉置到基板801，能夠製造可靠性高的發光面板。由此，在本發明的一個方式中，能夠實現輕量或薄型且可靠性高的發光面板。
<具體例子5>
圖10E示出與具體例子1至4不同的發光面板的例子。
圖10E所示的發光面板包括基板801、黏合層811、絕緣層813、導電層814、導電層857a、導電層857b、發光元件830、絕緣層821、密封層823以及基板803。
導電層857a及導電層857b是發光面板的外部連接電極，可以與FPC等電連接。
發光元件830包括下部電極831、EL層833以及上部電極835。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。發光元件830可以採用底部發射結構、頂部發射結構或雙發射結構。提取光一側的電極、基板、絕緣層等分別透射可見光。導電層814與下部電極831電連接。
在提取光一側的基板中，作為光提取結構可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜或光擴散薄膜等。例如，藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜相同程度的折射率的黏合劑等將上述透鏡或上述薄膜黏合在樹脂基板上，可以形成光提取結構。
雖然導電層814不一定必須設置，但因為導 電層814可以抑制起因於下部電極831的電阻的電壓下降，所以較佳為設置。另外，出於同樣的目的，也可以在絕緣層821、EL層833或上部電極835上等設置與上部電極835電連接的導電層。
導電層814可以藉由使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料等，以單層或疊層形成。可以將導電層814的厚度例如設定為0.1μm以上且3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。
當作為與上部電極835電連接的導電層的材料使用漿料(銀漿等)時，構成該導電層的金屬成為粒狀而凝集。因此，該導電層的表面成為粗糙且間隙多的結構，EL層833難以完全覆蓋該導電層，從而上部電極與該導電層容易電連接，所以是較佳的。
具體例子5示出一種發光面板，該發光面板可以藉由在耐熱性高的形成用基板上形成絕緣層813及發光元件830等，剝離該形成用基板，然後使用黏合層811將絕緣層813及發光元件830等轉置到基板801上來製造。藉由在耐熱性高的形成用基板上施加高溫形成透水性充分低的膜並將其轉置到基板801，能夠製造可靠性高的發光面板。由此，在本發明的一個方式中，能夠實現輕量或薄型且可靠性高的發光面板。
<材料的一個例子>
接下來，說明可用於發光面板的材料等。注意，有時省略說明本說明書中的前面已說明的構成部。
作為基板，可以使用玻璃、石英、有機樹脂、金屬、合金等材料。提取發光元件所發出的光一側的基板使用對該光具有透光性的材料。
尤其是，較佳為使用撓性基板。例如，可以使用有機樹脂或其厚度為允許具有撓性的程度的玻璃、金屬、合金。
由於有機樹脂的比重小於玻璃，因此藉由作為撓性基板使用有機樹脂，與作為撓性基板使用玻璃的情況相比，能夠使發光面板的重量更輕，所以是較佳的。
基板較佳為使用韌性高的材料。由此，能夠實現抗衝擊性高且不易損壞的發光面板。例如，藉由使用有機樹脂基板、厚度薄的金屬基板或合金基板，與作為基板使用玻璃基板的情況相比，能夠實現輕量且不易損壞的發光面板。
由於金屬材料及合金材料的熱傳導率高，並且容易將熱傳給基板整體，因此能夠抑制發光面板的局部的溫度上升，所以是較佳的。使用金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
對於構成金屬基板或合金基板的材料沒有特別的限制，例如，較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等。
另外，當作為基板使用熱發射率高的材料時，能夠抑制發光面板的表面溫度上升，從而能夠抑制發光面板的損壞及可靠性的下降。例如，基板也可以採用金屬基板與熱發射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料)的疊層結構。
作為具有撓性及透光性的材料，例如可以舉出如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹率低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹率的基板。
撓性基板可以是疊層結構，其中層疊使用上述材料的層與保護發光裝置的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠分散壓力的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。
作為撓性基板也可以使用層疊有複數個層的基板。尤其在採用具有玻璃層的結構時，可以提高對水或氧的阻擋性，從而能夠提供可靠性高的發光面板。
例如，可以使用從近於發光元件的一側層疊 有玻璃層、黏合層及有機樹脂層的撓性基板。將該玻璃層的厚度設定為20μm以上且200μm以下，較佳為25μm以上且100μm以下。該厚度的玻璃層可以同時實現對水或氧的高阻擋性和撓性。此外，有機樹脂層的厚度為10μm以上且200μm以下，較佳為20μm以上且50μm以下。藉由將這種有機樹脂層設置於玻璃層外側，可以防止玻璃層的破裂或裂縫，提高玻璃的機械強度。藉由將這種玻璃材料與有機樹脂的複合材料應用於基板，可以製造可靠性極高的撓性發光面板。
作為黏合層或密封層，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)等藉由化學吸附來吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質侵入功能元件，從而提高發光面板的可靠性，所以是較佳的。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高發光元件的光提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
對發光面板所具有的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。對用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制，例如可以舉出矽、鍺等。或者，也可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體諸如In-Ga-Zn類金屬氧化物等。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)的任一方。當使用結晶半導體時，可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
為了實現電晶體的特性穩定化等，較佳為設置基底膜。作為基底膜，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣膜並以單層或疊層製造。基底膜可以藉由利用濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic CVD：有機金屬CVD)法等)、ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法、塗佈法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要則也可以不設置。在上述各結構例子中，絕緣層813可以兼作 電晶體的基底膜。
作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件以及無機EL元件等。
發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為位於提取光一側的電極使用透射可見光的導電膜。另外，作為位於不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
作為透射可見光的導電膜，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到其具有透光性來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)以及銀和銅的合金、 銀和鈀和銅的合金、銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、金屬氧化物膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述透射可見光的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。
各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。
當對下部電極831與上部電極835之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層833中，而電子從陰極一側注入到EL層833中。被注入的電子和電洞在EL層833中再結合，由此，包含在EL層833中的發光物質發光。
EL層833至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層833還可以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層833可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層833的各層可以藉由利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印 刷法、噴墨法、塗佈法等方法形成。
發光元件較佳為設置於一對透水性低的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水等雜質侵入發光元件，從而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
作為透水性低的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。
例如，將透水性低的絕緣膜的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/m2．day]以下，較佳為1×10-6[g/m2．day]以下，更佳為1×10-7[g/m2．day]以下，進一步佳為1×10-8[g/m2．day]以下。
較佳為將透水性低的絕緣膜用於絕緣層813及843。
作為絕緣層815，例如可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。另外，作為絕緣層817、絕緣層817a以及絕緣層817b，例如分別可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外，也可以層疊複數個絕緣膜來形成各絕緣層。
絕緣層821使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂 等。絕緣層821尤其較佳為使用光敏樹脂材料形成，並以其側壁形成為具有連續曲率的傾斜面的方式形成絕緣層821。
雖然對絕緣層821的形成方法沒有特別的限制，但可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。
間隔物827可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或金屬材料等形成。例如，作為無機絕緣材料及有機絕緣材料可以舉出可用於上述絕緣層的各種材料。作為金屬材料，可以使用鈦、鋁等。藉由使包含導電材料的間隔物827與上部電極835電連接，能夠抑制起因於上部電極835的電阻的電位下降。另外，間隔物827的形狀可以為正錐形或反錐形。
作為用作電晶體的電極或佈線、或者發光元件的輔助電極等的用於發光面板的導電層，例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料並以單層或疊層形成。另外，導電層可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、銦鋅氧化物(In2O3-ZnO等)或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。
著色層是透射特定波長區域的光的有色層。例如，可以使用透射紅色波長區域的光的紅色(R)濾色片、透射綠色波長區域的光的綠色(G)濾色片、透射藍 色波長區域的光的藍色(B)濾色片等。各著色層藉由使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等在所需的位置形成。
另外，在相鄰的著色層之間設置有遮光層。遮光層遮擋從相鄰的發光元件射出的光，從而抑制相鄰的發光元件之間的混色。在此，藉由以與遮光層重疊的方式設置著色層的端部，可以抑制漏光。遮光層可以使用遮擋發光元件的發光的材料，例如可以使用金屬材料以及包含顏料或染料的樹脂材料形成黑矩陣。另外，藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中，可以抑制起因於波導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。
另外，也可以設置覆蓋著色層及遮光層的外敷層。藉由設置外敷層，可以防止著色層所含有的雜質等擴散到發光元件。外敷層由透射發光元件所發出的光的材料構成，例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無機絕緣膜或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣膜，也可以使用有機絕緣膜和無機絕緣膜的疊層結構。
此外，當將密封層的材料塗佈於著色層及遮光層上時，作為外敷層的材料較佳為使用對密封層的材料具有高潤濕性的材料。例如，作為外敷層，較佳為使用ITO膜等氧化物導電膜或其厚度薄得允許其具有透光性的Ag膜等金屬膜。
作為連接器，可以使用對熱固性樹脂混合金屬粒子的漿狀或片狀的藉由熱壓接合呈現各向異性的導電 材料。作為金屬粒子，較佳為使用層疊有兩種以上的金屬的粒子，例如鍍有金的鎳粒子等。
<發光裝置的製造方法例子>
接著，參照圖11A至18B例示本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。
圖11A示出在本實施方式中製造的發光裝置的平面圖。圖11B示出沿圖11A中的點劃線M1-M2及N1-N2的剖面的一個例子。另外，圖17A和17B示出沿圖11A中的點劃線M1-M2的剖面的變形例子。
圖11A所示的發光裝置包括：具有發光部804及驅動電路部806的每一個的兩個發光單元881；以及該兩個發光單元881之間的連結部809。
圖11B、圖17A和17B所示的發光單元881的結構除了在發光部804及驅動電路部806不具有外敷層849的一點以外與具體例子1(圖9C)所示的發光面板同樣。
圖11B所示的連結部809由基板801、基板803以及黏合層841構成。
圖17A所示的連結部809由基板801、基板803、絕緣層813、電晶體的閘極絕緣層、絕緣層815、密封層823、絕緣層843、黏合層811以及黏合層841構成。
圖17B所示的連結部809由基板801、基板 803、絕緣層813、電晶體的閘極絕緣層、絕緣層815、絕緣層817、密封層823、遮光層847、絕緣層843、黏合層811以及黏合層841構成。
在本實施方式中，連結部809不具有半導體元件、發光元件、顯示元件或電容元件等功能元件或佈線。由此，可以抑制在彎折連結部809時功能元件被破壞。另外，連結部809較佳為只由彎折性高的材料構成。在絕緣層813、電晶體的閘極絕緣層、絕緣層815、絕緣層817、遮光層847、絕緣層843等為彎折性高的層時，如圖17A和17B所示，它們可以包括在連結部809內。
以下說明圖11B所示的發光裝置的製造方法的一個例子。藉由使用該方法，還可以製造具體例子1、2(圖9C和9D)等所示的結構。
首先，在形成用基板201上形成剝離層203，並在該剝離層203上形成絕緣層813。接著，在絕緣層813上形成複數個電晶體(電晶體820等)、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、複數個發光元件(發光元件830等)以及絕緣層821。注意，在絕緣層821、絕緣層817以及絕緣層815中形成開口以使導電層857露出。這裡，在露出的導電層857上以與發光元件的EL層相同的材料及製程形成EL層862，並在EL層862上以與發光元件的上部電極相同的材料及製程形成導電層864(參照圖12A)。另外，也可以不設置EL層862及導電層864。
另外，在形成用基板221上形成剝離層223，並在該剝離層223上形成絕緣層843。接著，在絕緣層843上形成遮光層847及著色層845(參照圖12B)。雖然在此未圖示，但是也可以如圖9B所示那樣設置覆蓋遮光層847及著色層845的外敷層。
在圖12A和12B中，在各形成用基板上，一個發光單元形成有一個島狀剝離層。形成在各形成用基板上的剝離層的形狀既可為同一的又可為互不相同的。圖13A示出剝離層203的大小與剝離層223相同的情況。與此同樣，絕緣層813、絕緣層815、絕緣層817、絕緣層843等也可以形成為島狀。例如，被剝離層也可以只形成在形成用基板上的與剝離層重疊的區域中，而不形成在不設置有剝離層的區域中。注意，有時將形成在剝離層上的各層總稱為被剝離層。例如，可以將圖12A中的從絕緣層813到發光元件830(或導電層864)的構成部稱為被剝離層。
在本發明的一個方式中，也可以採用複數個發光單元形成有一個島狀剝離層的結構(後面將用圖17C等進行說明)。
在上述製程中，選擇在將被剝離層從形成用基板剝離時在形成用基板與剝離層之間的介面，在剝離層與被剝離層之間的介面，或者在剝離層中發生剝離的材料。在本實施方式中，雖然例示出在絕緣層813與剝離層203之間的介面並在絕緣層843與剝離層223之間的介面 發生剝離的情況，但是根據用於剝離層或被剝離層的材料的組合而不限於此。注意，當被剝離層採用疊層結構時，其中與剝離層接觸的一層有時被記為第一層。例如，第一層是指單層的絕緣層813或包含在疊層結構的絕緣層813中的與剝離層接觸的一層。
作為形成用基板，使用至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性基板。作為形成用基板，例如可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板、樹脂基板以及塑膠基板等。
為了提高量產性，作為形成用基板較佳為使用大型玻璃基板。例如，可以使用第3代(550mm×650mm)、第3.5代(600mm×720mm或620mm×750mm)、第4代(680mm×880mm或730mm×920mm)、第5代(1100mm×1300mm)、第6代(1500mm×1850mm)、第7代(1870mm×2200mm)、第8代(2200mm×2400mm)、第9代(2400mm×2800mm或2450mm×3050mm)、第10代(2950mm×3400mm)等的玻璃基板，或者，可以使用比上述玻璃基板更大型的玻璃基板。
另外，作為玻璃基板，例如可以使用鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鋇硼矽酸鹽玻璃等玻璃材料。在後面進行的熱處理溫度高的情況下，較佳為使用應變點為730℃以上的玻璃基板。此外，藉由使玻璃基板含有較多氧化鋇(BaO)，可以得到實用性更高的耐熱玻璃。除此之外，還可以使用晶化玻璃等。
在作為形成用基板使用玻璃基板的情況下，當在形成用基板與剝離層之間形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等絕緣膜時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。
剝離層203和剝離層223都可以是由如下材料形成的單層或疊層：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；包含該元素的合金材料；或者包含該元素的化合物材料。包含矽的層的結晶結構可以為非晶、微晶或多晶。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或In-Ga-Zn氧化物等金屬氧化物。當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬材料用於剝離層時，被剝離層的形成製程的彈性得到提高，所以是較佳的。
剝離層可以藉由利用濺射法、電漿CVD法、塗佈法、印刷法等形成。另外，塗佈法包括旋塗法、液滴噴射法、分配器法。剝離層的厚度可以為例如0.1nm以上，10nm以上或者20nm以上。剝離層的厚度可以為例如200nm以下，100nm以下，小於10nm或者5nm以下。
當剝離層採用單層結構時，較佳為形成鎢層、鉬層或者包含鎢和鉬的混合物的層。另外，也可以形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層、或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外，當作為剝離層形成由包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層構成的疊層結構時，藉由形成包含鎢的層且在其上層形成由氧化物形成的絕緣膜，可以在鎢層與絕緣膜之間的介面形成包含鎢的氧化物的層。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、一氧化二氮(N2O)電漿處理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的處理等形成包含鎢的氧化物的層。另外，電漿處理或加熱處理可以在單獨使用氧、氮、一氧化二氮的氛圍下或者在上述氣體和其他氣體的混合氣體氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理來改變剝離層的表面狀態，由此可以控制剝離層和在後面形成的絕緣膜之間的貼緊性。
另外，當在形成用基板與被剝離層的介面能夠進行剝離時，也可以不設置剝離層。例如，作為形成用基板使用玻璃，以接觸於玻璃的方式形成聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯以及丙烯酸樹脂等有機樹脂。接著，藉由進行雷射照射或加熱處理，提高形成用基板與有機樹脂的貼緊性。並且，在有機樹脂上形成絕緣膜或電晶體等。然後，藉由以比前面的雷射照射高的能量密度進行雷射照射或者以比前面的加熱處理高的溫度進行加熱處理，能夠在形成用基板與有機樹脂之間的介面進行剝離。另外，在進行剝離時，也可以藉由使液體浸透到形成用基板與有機樹脂之間的介面來進行分離。
在該方法中，由於在耐熱性較低的有機樹脂上形成絕緣膜或電晶體等，因此在製程中不能對基板施加 高溫。在此，使用氧化物半導體的電晶體並不必須要在高溫下形成，所以可以適當地在有機樹脂上形成。
另外，既可將該有機樹脂用作構成裝置的基板，又可去除該有機樹脂而使用黏合劑將其他基板貼合於被剝離層所露出的面。
或者，也可以藉由在形成用基板與有機樹脂之間設置金屬層，並藉由使電流流過該金屬層加熱該金屬層，在金屬層與有機樹脂之間的介面進行剝離。
對作為被剝離層形成的層沒有特別的限制。在本實施方式中，作為被剝離層形成接觸於剝離層203上的絕緣層813、絕緣層813上的功能元件等。
各絕緣層可以藉由利用濺射法、電漿CVD法、塗佈法、印刷法等形成，例如可以藉由利用電漿CVD法在250℃以上且400℃以下的溫度下進行成膜，形成緻密且透水性極低的膜。
接著，藉由將密封層823的材料配置於形成用基板221的設置有著色層845等的面或者形成用基板201的設置有發光元件830等的面，以使該兩面相對的方式將形成用基板201與形成用基板221隔著密封層823貼合在一起，並使密封層823固化(參照圖13A)。這裡，在設置框狀分隔壁828和其內側的密封層823之後使形成用基板201與形成用基板221相對來貼合在一起。
另外，較佳為在減壓氛圍下將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起。
將密封層823配置為與剝離層203、被剝離層以及剝離層223重疊。若密封層823具有不與要先剝離一側的剝離層重疊的區域，則有時根據該區域的大小或與接觸於密封層823的層之間的貼緊性程度而容易發生剝離不良。因此，密封層823的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的至少一個(要先剝離的層)的端部的內側。另外，密封層823的端部也可以與剝離層的端部重疊。由此，能夠抑制形成用基板201與形成用基板221緊緊黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程中的良率的下降。
在本實施方式中，設置框狀分隔壁828，且在由分隔壁828圍繞的內部填充有密封層823。由此，能夠抑制密封層823擴張到剝離層外側，並且能夠抑制剝離製程中的良率的下降。因此，能夠提高剝離製程中的良率。
尤其較佳為使框狀分隔壁828的端部位於剝離層的端部的內側。藉由使框狀分隔壁828的端部位於剝離層的端部的內側，可以使密封層823的端部也位於剝離層的端部的內側。另外，分隔壁828的端部也可以與剝離層的端部重疊。
不限制分隔壁828和密封層823的形成順序。例如，既可以在利用網版印刷法等形成密封層823之後，利用塗佈法等形成分隔壁828，又可以在利用塗佈法等形成分隔壁828之後，使用採用ODF(One Drop Fill：滴下式注入)方式的裝置等形成密封層823。
注意，分隔壁828若不需要則也可以不設 置。當由於密封層823的流動性低或者作為密封層823使用黏合薄片等而密封層823不會(不容易)擴張到剝離層外側時，也可以不設置分隔壁828。
可以用於分隔壁828的材料與可以用於密封層823的材料同樣。
分隔壁828只要能阻止密封層823擴張到剝離層外側，就可以處於固化狀態、半固化狀態或未固化狀態。當分隔壁828處於固化狀態時，在進行剝離後可以將該分隔壁828與密封層823一起用作密封被剝離層的層，能夠抑制因大氣中的水分侵入而導致的功能元件的劣化。另外，當使分隔壁828處於固化狀態時，為了防止剝離製程中的良率的下降，較佳為使分隔壁828的端部不位於剝離層的端部的外側。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點。
既可以先將形成用基板201剝離又可以先將形成用基板221剝離。當剝離層的大小或厚度不同時，既可以先剝離形成有大或厚的剝離層的基板，又可以先剝離形成有小或薄的剝離層的基板。當僅在一個基板上形成有半導體元件、發光元件、顯示元件等功能元件時，既可以先剝離形成有元件的一個基板，又可以先剝離另一個基板。在此，示出先將形成用基板201剝離的例子。
對固化狀態的密封層823或固化狀態的分隔壁828、被剝離層以及剝離層203互相重疊的區域照射雷射。當分隔壁828處於固化狀態時，較佳為對分隔壁 828、被剝離層以及剝離層203互相重疊的區域照射雷射。
這裡，以密封層823處於固化狀態且分隔壁828不處於固化狀態的情況為例對固化狀態的密封層823照射雷射。
藉由至少在第一層(是指絕緣層813或包含在絕緣層813中的與剝離層203接觸的一層)中形成裂縫，可以去除第一層的一部分來形成剝離起點(參照圖13A中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層中的其他層、剝離層203或密封層823的一部分。藉由照射雷射，可以使膜的一部分溶解、蒸發或熱破壞。
較佳為從設置有要剝離的剝離層的基板一側照射雷射。當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，藉由在絕緣層813和絕緣層843中僅在絕緣層813形成裂縫(使膜裂或裂口產生)，可以選擇性地剝離形成用基板201及剝離層203。
當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，若在絕緣層813和絕緣層843中的兩者形成剝離起點，則有可能難以選擇性地剝離一個形成用基板。因此，有時需要限制雷射的照射條件，以僅在絕緣層813和絕緣層843中的一方形成裂縫。
在進行剝離製程時較佳為使被剝離層與剝離層分離的力量集中在剝離起點上，因此與固化狀態的密封 層823或分隔壁828的中央部相比較佳為在端部附近形成剝離起點。尤其是，在端部附近當中，與邊部附近相比，更佳為在角部附近形成剝離起點。藉由連續或間斷地照射雷射形成實線狀或虛線狀的剝離起點，可以使剝離變得容易，因此是較佳的。
對用來形成剝離起點的雷射沒有特別的限制。例如，可以使用連續振盪雷射或脈衝振盪雷射。雷射的照射條件(頻率、功率密度、能量密度、束分佈(beam profile)等)根據形成用基板及剝離層的厚度或材料等而適當地控制。
另外，藉由對與剝離層203重疊且不與剝離層223重疊的區域照射雷射，能夠防止在剝離層203和剝離層223中的兩者形成剝離起點。由此，對雷射照射條件的限制減少，所以是較佳的。此時，雖然可以從任一基板側照射雷射，但是為了抑制散射的光照射到功能元件等，較佳為從設置有剝離層203的形成用基板201一側照射雷射。
接著，從所形成的剝離起點使絕緣層813與形成用基板201分離(參照圖13B)。
此時，較佳為將一個形成用基板固定於吸附台等。例如，也可以將形成用基板201固定於吸附台，將被剝離層從形成用基板201剝離。另外，也可以將形成用基板221固定於吸附台，將形成用基板201從形成用基板221剝離。
例如，從剝離起點利用物理力(用手或夾具進行剝離的處理、或者使輥子轉動進行分離的處理等)將被剝離層與形成用基板201分離，即可。
另外，也可以藉由使水等液體浸透到剝離層203與被剝離層的介面來將形成用基板201與被剝離層分離。由於毛細現象液體滲到剝離層203與絕緣層813之間，由此可以容易進行分離。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在被剝離層中的功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。此外，也可以將液體變成霧狀或蒸汽而噴射。作為液體較佳為使用純水，並可以使用有機溶劑等，還可以使用中性、鹼性或酸性的水溶液或在其中溶化有鹽的水溶液等。另外，也可以使用過氧化氫水、將氨水和過氧化氫水混合而成的溶液等。
注意，在進行剝離後，也可以去除殘留在形成用基板221上的無助於黏合被剝離層與形成用基板221的密封層823或分隔壁828等。藉由去除這些，能夠抑制在後面的製程中給功能元件帶來不良影響(雜質的混入等)，所以是較佳的。例如，藉由擦掉或洗滌等，可以去除不需要的層。另外，也可以去除殘留在被剝離層一側的剝離層。例如，可以使用水或鹼性水溶液去除包含鎢的氧化物的層。另外，例如，還可以使用氨水和過氧化氫水的混合溶液、過氧化氫水、乙醇水溶液等。水或溶液的能夠去除氧化鎢膜的速度伴隨溫度而改變，由此適當地選擇即可。例如，與常溫的水相比，60℃左右的水能夠更容易去 除氧化鎢膜。
雖然在本實施方式中使用雷射形成剝離起點，但是剝離製程可以適當地採用各種方式。例如，當作為剝離層中的與被剝離層接觸的一層形成包含金屬氧化膜的層時，可以藉由使該金屬氧化膜結晶化而使其脆化，將被剝離層從形成用基板剝離。此外，當在耐熱性高的形成用基板與被剝離層之間形成作為剝離層的包含氫的非晶矽膜時，可以藉由雷射照射或蝕刻去除該非晶矽膜，而將被剝離層從形成用基板剝離。另外，在作為剝離層中的與被剝離層接觸的一層形成包含金屬氧化膜的層之後，藉由使該金屬氧化膜結晶化而使其脆化，並且藉由使用溶液或NF3、BrF3、ClF3等氟化氣體的蝕刻去除該剝離層的一部分，由此可以在脆化的金屬氧化膜處進行剝離。再者，也可以採用作為剝離層使用包含氮、氧或氫等的膜(例如，包含氫的非晶矽膜、含氫的合金膜、含氧的合金膜等)，並且對剝離層照射雷射使包含在剝離層中的氮、氧或氫作為氣體釋放出以促進被剝離層與基板之間的剝離的方法。此外，可以採用機械性地去除形成有被剝離層的形成用基板的方法、或者藉由使用溶液或NF3、BrF3、ClF3等氟化氣體的蝕刻去除形成有被剝離層的形成用基板的方法等。此時，也可以不設置剝離層。
另外，可以藉由組合複數個上述剝離方法以更容易進行剝離製程。即，也可以藉由進行雷射照射、利用氣體或溶液等對剝離層進行蝕刻、或者利用鋒利的刀子 或手術刀等機械性地去除，以使剝離層和被剝離層處於容易剝離的狀態，然後利用物理力(藉由機械等)進行剝離。
作為其他剝離方法，在剝離層由鎢形成時，較佳為邊使用氨水和過氧化氫水的混合溶液對剝離層進行蝕刻邊進行剝離。
接著，使用黏合層811將露出的絕緣層813與基板801貼合在一起，並使黏合層811固化(參照圖14A和14B)。這裡，設置框狀分隔壁829和其內側的黏合層811，以將絕緣層813與基板801貼合在一起。
將黏合層811配置為與剝離層223重疊。若黏合層811具有不與剝離層223重疊的區域，則有時根據該區域的大小或與接觸於黏合層811的層之間的貼緊性程度而容易發生剝離不良。因此，黏合層811的端部較佳為位於剝離層223的端部的內側。另外，黏合層811的端部也可以與剝離層223的端部重疊。由此，能夠抑制基板801與形成用基板221緊緊黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程中的良率的下降。
黏合層811或分隔壁829的端部也可以與絕緣層813的端部重疊，也可以位於絕緣層813的端部的內側，或者，也可以位於絕緣層813的端部的外側。圖14A示出分隔壁829的端部與絕緣層813的端部重疊的例子，而圖14B示出黏合層811及分隔壁829的端部位於絕緣層813的端部的外側的例子。
另外，較佳為在減壓氛圍下將絕緣層813與基板801貼合在一起。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(參照圖14A和14B)。
這裡，以黏合層811處於固化狀態且分隔壁829不處於固化狀態的情況為例對固化狀態的黏合層811照射雷射。藉由去除第一層(是指絕緣層843或包含在絕緣層843中的與剝離層223接觸的一層)的一部分，可以形成剝離起點(參照圖14A和14B中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層中的其他層、剝離層223或密封層823的一部分。
較佳為從設置有剝離層223的形成用基板221一側照射雷射。
接著，從所形成的剝離起點使絕緣層843與形成用基板221分離(參照圖15A和15B)。由此，可以將在形成用基板201及形成用基板221上製造的被剝離層轉置到基板801。
接著，使用黏合層841將露出的絕緣層843與基板803貼合在一起。這裡，圖16A示出圖15A之後進行該製程的例子。
接著，藉由在絕緣層843以及密封層823中形成開口，使導電層857露出。另外，在基板803與導電層857重疊的情況下，為了使導電層857露出，也在基板803以及黏合層841中形成開口。
對開口的方法沒有特別的限制，例如可以使用雷射燒蝕法、蝕刻法以及離子束濺射法等。另外，也可以使用如針或切割器等鋒利的刀具等在導電層857上的膜切開切口，然後利用物理力將膜的一部分剝下來。
例如，利用去除膜的一部分的區域為起點來去除與導電層857重疊的基板803、黏合層841、絕緣層843、密封層823、EL層862以及導電層864(參照圖16B)。例如，將具有黏著性的輥子壓在基板803上，使該輥子轉動而相對地移動。或者，將具有黏著性的膠帶貼合到基板803而剝離。由於EL層862與導電層864的貼緊性或構成EL層862的層之間的貼緊性低，因此在EL層862與導電層864之間的介面或在EL層862中發生分離。由此，可以選擇性地去除基板803、黏合層841、絕緣層843、密封層823、EL層862或導電層864的與導電層857重疊的區域。另外，當在導電層857上殘留有EL層862等時，使用有機溶劑等去除即可。
另外，只要能夠使導電層857露出且使導電層857在後面的製程中與FPC808電連接，就不限制去除與導電層857重疊的層的方法。若不需要則也可以不將EL層862或導電層864形成為與導電層857重疊。例如，當在EL層862中發生分離時也可以不設置導電層864。另外，根據所使用的材料，有時由於EL層862與密封層823接觸而發生兩層的材料混合或兩層的介面變得不明確等的不良現象。在這種情況下，為了抑制發光裝置的 可靠性下降，較佳為在EL層862與密封層823之間設置導電層864。
最後，使用各向異性導電材料(連接器825)將FPC808貼合到輸入輸出端子部的各電極(導電層857)。若需要還可以安裝IC晶片等。另外，若撓性基板容易撓曲，則在設置FPC或TCP時有可能使貼合精度降低。因此，在設置FPC或TCP時，也可以用玻璃或矽橡膠等支撐所製造的裝置。由此，可確保FPC或TCP與功能元件之間的電連接。
兩個發光單元之間的基板801與基板803藉由黏合層841直接貼合的區域相當於本發明的一個方式的發光裝置中的連結部809。形成在發光裝置的端部的基板801與基板803藉由黏合層841直接貼合的區域Y若不需要則也可以被去除。藉由減小區域Y，可以實現發光裝置的窄邊框化。另外，還可以在藉由彎折發光裝置使兩個發光單元相鄰時(例如圖6A2等)使發光單元之間的拼接縫隙變少(變窄)，以實現均勻性優異的發光區域。
另外，如圖17C、圖18A和18B所示，可以使用一個島狀剝離層203製造複數個發光單元。例如，這種結構可以應用於如下情況，即連結部809可以具有絕緣層813及絕緣層843的情況等。圖17C、圖18A和18B示出連結部809由基板801、基板803、絕緣層813、絕緣層843、密封層823、黏合層811以及黏合層841構成的情況。藉由使用這種方法，可以製造圖17A和17B所示 的發光裝置等。
在上述的本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，在將分別設置有剝離層和被剝離層的一對形成用基板貼合在一起之後，藉由照射雷射形成剝離起點，使各自的剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態之後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程中的良率。
另外，可以在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後進行剝離，來對其貼合構成要製造的裝置的基板。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板貼合在一起，與將撓性基板貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖19A至22C說明能夠彎折的觸控面板的結構。另外，關於各層的材料，可以參照實施方式2。注意，雖然在本實施方式中例示使用有機EL元件的觸控面板，但不侷限於此。在本發明的一個方式中，例如能夠製造使用實施方式1所例示的其他元件的觸控面板。
<結構例子1>
圖19A是觸控面板的俯視圖。圖19B是圖19A的點 劃線A-B間及點劃線C-D間的剖面圖。圖19C是圖19A的點劃線E-F間的剖面圖。
如圖19A所示，觸控面板390包括顯示部301。
顯示部301具備複數個像素302以及複數個攝像像素308。攝像像素308可以檢測觸摸到顯示部301的指頭等。由此，可以使用攝像像素308形成觸控感測器。
像素302具備複數個子像素(例如為子像素302R)，該子像素具備發光元件及能夠供應用來驅動該發光元件的電力的像素電路。
像素電路與能夠供應選擇信號的佈線以及能夠供應影像信號的佈線電連接。
另外，觸控面板390具備能夠對像素302供應選擇信號的掃描線驅動電路303g(1)及能夠對像素302供應影像信號的影像信號線驅動電路303s(1)。
攝像像素308具備光電轉換元件以及用來驅動光電轉換元件的攝像像素電路。
攝像像素電路與能夠供應控制信號的佈線以及能夠供應電源電位的佈線電連接。
作為控制信號，例如可以舉出能夠選擇用於讀出所記錄的攝像信號的攝像像素電路的信號、能夠使攝像像素電路初始化的信號以及能夠決定攝像像素電路檢測光的時間的信號等。
觸控面板390具備能夠對攝像像素308供應控制信號的攝像像素驅動電路303g(2)及讀出攝像信號的攝像信號線驅動電路303s(2)。
如圖19B所示，觸控面板390包括基板510以及與基板510對置的基板570。
較佳為將具有撓性的材料用於基板510及基板570。
較佳為將雜質的透過得到抑制的材料用於基板510及基板570。例如，較佳為使用水蒸氣穿透率為10-5g/m2．day以下，較佳為10-6g/m2．day以下的材料。
基板510較佳為使用其線性膨脹係數與基板570大致相等的材料。例如，較佳為使用線性膨脹係數為1×10-3/K以下，較佳為5×10-5/K以下，更佳為1×10-5/K以下的材料。
基板510是疊層體，在該疊層體中層疊有撓性基板510b、用來防止雜質向發光元件擴散的絕緣層510a以及用來貼合撓性基板510b與絕緣層510a的黏合層510c。
基板570是疊層體，在該疊層體中層疊有撓性基板570b、用來防止雜質向發光元件擴散的絕緣層570a以及用來貼合撓性基板570b與絕緣層570a的黏合層570c。
例如，可以將含聚酯、聚烯烴、聚醯胺(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸樹 脂、聚氨酯、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵合的樹脂的材料用於黏合層。
密封層560貼合基板570與基板510。密封層560具有高於大氣的折射率。像素電路及發光元件(例如為發光元件350R)設置在基板510與基板570之間。
像素302具有子像素302R、子像素302G以及子像素302B(參照圖19C)。另外，子像素302R具備發光模組380R，子像素302G具備發光模組380G，子像素302B具備發光模組380B。
例如，子像素302R具備發光元件350R以及包含能夠向發光元件350R供應電力的電晶體302t的像素電路(參照圖19B)。另外，發光模組380R具備發光元件350R以及光學元件(例如為著色層367R)。
發光元件350R包括下部電極351R、上部電極352以及下部電極351R與上部電極352之間的EL層353(參照圖19C)。
EL層353包括第一EL層353a、第二EL層353b以及第一EL層353a與第二EL層353b之間的中間層354。
發光模組380R在基板570上具有著色層367R。著色層只要透射具有特定的波長的光即可，例如，可以使用選擇性地透射呈現紅色、綠色或藍色等的光的著色層。此外，也可以設置直接透射發光元件所發射的光的區域。
例如，發光模組380R具有與發光元件350R及著色層367R接觸的密封層560。
著色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過密封層560及著色層367R，而向圖19B和圖19C中的箭頭的方向發射到發光模組380R的外部。
觸控面板390在基板570上具有遮光層367BM。以包圍著色層(例如為著色層367R)的方式設置有遮光層367BM。
觸控面板390具備與顯示部301重疊的反射防止層367p。作為反射防止層367p，例如可以使用圓偏光板。
觸控面板390具備絕緣層321。該絕緣層321覆蓋電晶體302t。另外，可以將絕緣層321用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。此外，可以將層疊有能夠抑制雜質向電晶體302t等擴散的層的絕緣層用於絕緣層321。
觸控面板390在絕緣層321上具有發光元件(例如為發光元件350R)。
觸控面板390在絕緣層321上具有與下部電極351R的端部重疊的分隔壁328。另外，在分隔壁328上具有用來控制基板510與基板570的間隔的間隔物329。
影像信號線驅動電路303s(1)包括電晶體 303t以及電容器303c。另外，可以藉由與像素電路相同的製程在相同的基板上形成驅動電路。如圖19B所示，電晶體303t可以在絕緣層321上設置有第二閘極304。既可使第二閘極304與電晶體303t的閘極電連接，又可對第二閘極304以及電晶體303t的閘極施加不同的電位。另外，若需要，則可以在電晶體308t、電晶體302t等中設置第二閘極304。
攝像像素308具備光電轉換元件308p以及用來檢測照射到光電轉換元件308p的光的攝像像素電路。另外，攝像像素電路包括電晶體308t。
例如，可以將pin型光電二極體用於光電轉換元件308p。
觸控面板390具備能夠供應信號的佈線311，並且該佈線311設置有端子319。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC309(1)與端子319電連接。另外，該FPC309(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
可以將藉由相同的製程形成的電晶體用於電晶體302t、電晶體303t、電晶體308t等電晶體。
另外，作為可用於電晶體的閘極、源極、汲極或者構成觸控面板的各種佈線及電極的材料，使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或以該金屬為主要成分的合金的單層或疊層。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、 在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜和鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜和鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。此外，也可以使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導電材料。此外，當使用包含錳的銅時，提高蝕刻時的形狀控制性，所以是較佳的。
<結構例子2>
圖20A和圖20B是觸控面板505的透視圖。注意，為了容易理解，示出典型的構成部。圖21A至圖21C是圖20A所示的點劃線X1-X2間的剖面圖。
觸控面板505具備顯示部501及觸控感測器595(參照圖20B)。另外，觸控面板505具有基板510、基板570以及基板590。此外，基板510、基板570以及基板590都具有撓性。
顯示部501包括：基板510；基板510上的複數個像素；以及基板510上的能夠向該像素供應信號的複數個佈線511。複數個佈線511被引導到基板510的外周部，其一部分構成端子519。端子519與FPC509(1)電連接。
基板590具備觸控感測器595以及複數個與觸控感測器595電連接的佈線598。複數個佈線598被引 導在基板590的外周部，其一部分構成端子。並且，該端子與FPC509(2)電連接。另外，為了容易理解，在圖20B中由實線示出設置在基板590的背面一側(與基板510相對的面一側)的觸控感測器595的電極以及佈線等。
作為觸控感測器595，例如可以使用電容式觸控感測器。作為電容式觸控感測器，可以舉出表面電容式觸控感測器、投影電容式觸控感測器等。
作為投影電容式觸控感測器，可以舉出自電容式觸控感測器、互電容式觸控感測器等，這些主要根據驅動方式的差異而區分。當使用互電容式觸控感測器時，可以同時進行多點檢測，所以是較佳的。
下面，參照圖20B說明採用投影電容式觸控感測器的情況。
另外，可以應用能夠檢測出指頭等檢測目標接近或接觸的各種感測器。
投影電容式觸控感測器595具有第一電極591及第二電極592。第一電極591與複數個佈線598中的一個電連接，第二電極592與複數個佈線598中的另一個電連接。
如圖20A和20B所示，第二電極592具有在一個方向上配置的複數個四邊形的每個角部相互連接的形狀。
第一電極591是四邊形，並在與第二電極592 延伸的方向交叉的方向上連續地配置。
佈線594使夾著一個第二電極592的兩個第一電極591電連接。此時，較佳為具有第二電極592與佈線594的交叉部的面積儘量小的形狀。由此，可以減少沒有設置電極的區域的面積，從而可以降低透射率的不均勻。其結果，可以降低透過觸控感測器595的光的亮度不均勻。
另外，第一電極591及第二電極592的形狀不侷限於此，可以具有各種形狀。例如，也可以採用如下結構：將複數個帶狀第一電極配置為儘量沒有間隙，並且以與第一電極交叉的方式隔著絕緣膜設置複數個帶狀第二電極。此時，也可以間隔開地設置相鄰的兩個第二電極。並且，藉由在相鄰的兩個第二電極之間設置與它們電絕緣的虛擬電極，可以減少透射率不同的區域的面積，所以是較佳的。
觸控感測器595包括：基板590；基板590上的配置為交錯形狀的第一電極591及第二電極592；覆蓋第一電極591及第二電極592的絕緣層593；以及使相鄰的第一電極591電連接的佈線594。
如圖20B、圖21A所示，黏合層597以觸控感測器595與顯示部501重疊的方式將基板590貼合於基板570。
第一電極591及第二電極592使用透光導電材料形成。作為具有透光性的導電材料，可以使用氧化 銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。另外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使形成為膜狀的氧化石墨烯還原而形成。作為還原方法，可以採用進行加熱的方法等。
在藉由濺射法在基板590上形成由透光導電材料構成的膜之後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除不需要的部分來形成第一電極591及第二電極592。
此外，作為用於絕緣層593的材料，除了丙烯酸樹脂、環氧樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂之外，例如還可以使用氧化矽、氧氮化矽、氧化鋁等無機絕緣材料。
另外，達到第一電極591的開口形成在絕緣層593中，並且佈線594電連接相鄰的第一電極591。此外，作為佈線594較佳為使用透光導電材料，因為可以提高觸控面板的開口率。另外，作為佈線594較佳為使用其導電性高於第一電極591及第二電極592的材料，因為可以降低電阻。
每個第二電極592延在一個方向上，複數個第二電極592設置為條紋狀。
佈線594以與複數個第二電極592中的一個交叉的方式設置。
夾著複數個第二電極592中的一個設置有相鄰的第一電極591，並且佈線594電連接相鄰的第一電極591。
另外，複數個第一電極591不一定必須設置 在與複數個第二電極592中的一個正交的方向上。
佈線598與第一電極591或第二電極592電連接。佈線598的一部分用作端子。作為佈線598，例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含該金屬材料的合金材料。
另外，藉由設置覆蓋絕緣層593及佈線594的絕緣層，可以保護觸控感測器595。
另外，連接層599電連接佈線598與FPC509(2)。
作為連接層599，可以使用各種異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
黏合層597具有透光性。例如，可以使用熱固性樹脂、紫外線硬化性樹脂，明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等。
顯示部501具備配置為矩陣狀的複數個像素。像素具備顯示元件及驅動顯示元件的像素電路。
雖然在本實施方式中說明將發射白色光的有機EL元件用於顯示元件的情況，但是顯示元件不侷限於此。
例如，也可以將發光顏色不同的有機EL元件用於每個子像素，以使每個子像素的發光顏色不同。
基板510、基板570以及密封層560可以採用與結構例子1相同的結構。
像素包含子像素502R，子像素502R具備發光模組580R。
子像素502R具備發光元件550R以及包含能夠向發光元件550R供應電力的電晶體502t的像素電路。另外，發光模組580R具備發光元件550R以及光學元件(例如為著色層567R)。
發光元件550R包括下部電極、上部電極以及下部電極與上部電極之間的EL層。
發光模組580R在提取光的一側具有著色層567R。
另外，在密封層560設置在提取光的一側的情況下，密封層560接觸於發光元件550R及著色層567R。
著色層567R位於與發光元件550R重疊的位置。由此，發光元件550R所發射的光的一部分透過著色層567R，而向圖21A所示的箭頭的方向發射到發光模組580R的外部。
顯示部501在發射光的一側具有遮光層567BM。以包圍著色層(例如為著色層567R)的方式設置有遮光層567BM。
顯示部501具備與像素重疊的反射防止層567p。作為反射防止層567p，例如可以使用圓偏光板。
顯示部501具備絕緣膜521。該絕緣膜521覆蓋電晶體502t。另外，可以將絕緣膜521用作使起因於像素電路的凹凸平坦化的層。此外，可以將包含能夠抑制雜質的擴散的層的疊層膜用於絕緣膜521。由此，能夠抑制因雜質的擴散而導致的電晶體502t等的可靠性下降。
顯示部501在絕緣膜521上具有發光元件(例如為發光元件550R)。
顯示部501在絕緣膜521上具有與下部電極的端部重疊的分隔壁528。另外，在分隔壁528上具有用來控制基板510與基板570的間隔的間隔物。
掃描線驅動電路503g(1)包括電晶體503t以及電容器503c。另外，可以藉由與像素電路相同的製程在相同的基板上形成驅動電路。
顯示部501具備能夠供應信號的佈線511，並且該佈線511設置有端子519。另外，能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC509(1)與端子519電連接。
另外，該FPC509(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
顯示部501具備掃描線、信號線以及電源線等佈線。可以將上述各種導電膜用於佈線。
另外，可以將各種電晶體用於顯示部501。圖21A和21B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等 的半導體層用於圖21A所示的電晶體502t及電晶體503t。
例如，可以將包含藉由雷射退火法等處理結晶化了的多晶矽的半導體層用於圖21B所示的電晶體502t及電晶體503t。
此外，圖21C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板等轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖21C所示的電晶體502t及電晶體503t。
<結構例子3>
圖22A至圖22C是觸控面板505B的剖面圖。在本實施方式中說明的觸控面板505B與結構例子2的觸控面板505的不同之處在於：具備將被供應的影像資料顯示在設置有電晶體的一側的顯示部501；以及將觸控感測器設置在顯示部的基板510一側。在此，對不同的結構進行詳細說明，關於可以使用同樣的結構的部分，援用上述說明。
著色層567R位於與發光元件550R重疊的位置。另外，圖22A所示的發光元件550R向設置有電晶體502t的一側發射光。由此，發光元件550R發射的光的一部分透過著色層567R，而向在圖22A中的箭頭的方向發射到發光模組580R的外部。
顯示部501在發射光的一側具有遮光層 567BM。以包圍著色層(例如為著色層567R)的方式設置有遮光層567BM。
觸控感測器595設置在顯示部501的基板510一側(參照圖22A)。
黏合層597設置在基板510與基板590之間，貼合顯示部501和觸控感測器595。
另外，可以將各種電晶體用於顯示部501。圖22A及22B示出將底閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層用於圖22A所示的電晶體502t及電晶體503t。
例如，可以將包含多晶矽等的半導體層用於圖22B所示的電晶體502t及電晶體503t。
圖22C示出將頂閘極型電晶體用於顯示部501的情況的結構。
例如，可以將包含多晶矽或轉置了的單晶矽膜等的半導體層用於圖22C所示的電晶體502t及電晶體503t。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
100‧‧‧發光裝置
101‧‧‧發光單元
103‧‧‧連結部

Claims (21)

  1. 一種發光裝置，包括：連結部；以及以該連結部位於之間而彼此分開的複數個發光單元，其中，該連結部和該複數個發光單元都具有撓性，並且其中，該連結部配置以彎折至小於該複數個發光單元中的至少一個配置以彎折至的第二曲率半徑的第一曲率半徑。
  2. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該複數個發光單元中的至少一個通過不與該連結部相鄰的一邊側被供應信號。
  3. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該複數個發光單元中的至少一個藉由無線通訊被供應信號。
  4. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該連結部包括切口。
  5. 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該連結部包括開口部。
  6. 一種電子裝置，包括：如申請專利範圍第1項之發光裝置；和二次電池。
  7. 根據申請專利範圍第6項之電子裝置，其中藉由非接觸電力傳送可使該二次電池充電。
  8. 一種發光裝置，包括： 包括構成部的連結部；以及包括該構成部且以該連結部位於之間而彼此分開的複數個發光單元，其中，該連結部和該複數個發光單元都具有撓性，並且其中，該連結部配置以彎折至小於該複數個發光單元中的至少一個配置以彎折至的第二曲率半徑的第一曲率半徑。
  9. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該複數個發光單元中的至少一個通過不與該連結部相鄰的一邊側被供應信號。
  10. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該複數個發光單元中的至少一個藉由無線通訊被供應信號。
  11. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該連結部包括切口。
  12. 根據申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該連結部包括開口部。
  13. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第8項之發光裝置；和二次電池。
  14. 根據申請專利範圍第13項之電子裝置，其中藉由非接觸電力傳送可使該二次電池充電。
  15. 一種發光裝置，包括：包括基板的連結部；以及 包括該基板且以該連結部位於之間而彼此分開的複數個發光單元，其中，該連結部和該複數個發光單元都具有撓性，並且其中，該連結部配置以彎折至小於該複數個發光單元中的至少一個配置以彎折至的第二曲率半徑的第一曲率半徑。
  16. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該複數個發光單元中的至少一個通過不與該連結部相鄰的一邊側被供應信號。
  17. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該複數個發光單元中的至少一個藉由無線通訊被供應信號。
  18. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該連結部包括切口。
  19. 根據申請專利範圍第15項之發光裝置，其中該連結部包括開口部。
  20. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第15項之發光裝置；和二次電池。
  21. 根據申請專利範圍第20項之電子裝置，其中藉由非接觸電力傳送可使該二次電池充電。
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