JP6659880B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。または、表示装置を備える電子機器に関する。
特に、可撓性を有する表示装置に関する。または、可撓性を有する表示装置を備える電子
機器に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのた
め、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、
表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置
、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる
装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶
装置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電
気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は、
半導体装置を有している場合がある。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が進められている。例
えば携帯用途の電子機器などに用いられる表示装置は、薄型であること、軽量であること
、または破損しにくいこと等が求められている。また、従来にない新たな用途が求められ
ている。

また、特許文献１には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有
機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を備えたフレキシブルなアク
ティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

特開２００３−１７４１５３号公報

近年、表示装置の表示領域を大型化させることで表示する表示量を増やし、表示の一覧
性の向上を図ることが検討されている。一方、携帯機器用途等では、表示領域を大型化さ
せると可搬性（ポータビリティともいう）が低下してしまう。そのため、表示の一覧性の
向上と、高い可搬性を両立することは困難であった。

また、表示パネルに、ユーザーインターフェースとしての入力手段を備える構成が望ま
れている。例えば、画面に指やスタイラス等で触れることで入力する機能を付加した表示
装置（タッチパネル）がある。

本発明の一態様は、可搬性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または
、一覧性に優れた電子機器を提供することを課題の一とする。または、破損しにくい電子
機器を提供することを課題の一とする。または、新たな入力手段を備える電子機器を提供
することを課題の一とする。

または、本発明の一態様は、電子機器を薄型化することを課題の一とする。または、電
子機器を軽量化することを課題の一とする。または、新規な電子機器を提供することを課
題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の支持体と、第２の支持体と、接続部と、表示パネルと、を有
する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示することのできる機能を有する。
第１の支持体と第２の支持体とは、接続部により接続し、第１の支持体と第２の支持体と
は、接続部を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第１の支持体に
固定される部分を有し、第２の支持体に対して一方向に動くことができるように、第２の
支持体に支持されていることを特徴とする。

また、本発明の他の一態様は、第１の支持体と、第２の支持体と、接続部と、表示パネ
ルと、検出手段と、を有する電子機器である。また表示パネルは折り曲げて表示すること
のできる機能を有する、第１の支持体と第２の支持体とは、接続部により接続し、接続部
を介して相対的に回転する機能を有する。また表示パネルは、第１の支持体に固定される
部分を有し、第２の支持体に対して一方向に動くことができるように、第２の支持体に支
持され、第１の支持体と第２の支持体とを相対的に回転させたときに、第２の支持体との
相対位置が変化する機能を有する。また検出手段は、表示パネルと第２の支持体との相対
位置を検出する機能を有することを特徴とする。

また、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子及
び受光素子の一方は、表示パネルに固定されて設けられ、発光素子及び受光素子の他方が
、第２の支持体に固定されて設けられ、受光素子は、発光素子からの発光を検出する機能
を有することが好ましい。

または、上記において、上記検出手段は、発光素子と、受光素子と、を有し、発光素子
及び受光素子は、それぞれ第２の支持体に固定されて設けられ、発光素子は、表示パネル
の一部に光を照射する機能を有し、受光素子は、表示パネルからの反射光を検出する機能
を有することが好ましい。

または、上記において、上記表示パネルは、表示部と、非表示部を有し、表示部は、第
１の発光素子を有し、検出手段は、第２の発光素子と受光素子と、を有し、第２の発光素
子は、非表示部に設けられ、受光素子は、第２の支持体に固定されて設けられ、受光素子
は、第２の発光素子からの発光を検出する機能を有することが好ましい。

また、上記において、表示パネルは、第１の支持体、接続部、及び第２の支持体の、各
々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。

また、上記接続部は、弾性体を有することが好ましい。

また、上記表示パネルは、タッチセンサとしての機能を有することが好ましい。または
、上記表示パネルに重ねて、タッチセンサが設けられていることが好ましい。

本発明によれば、可搬性に優れた電子機器を提供できる。または、一覧性に優れた電子
機器を提供できる。または、破損しにくい電子機器を提供できる。または、新たな入力手
段を備える電子機器を提供できる。または、新たな電子機器を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、発光パネルの作製方法例を説明する図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 実施の形態に係る、タッチパネルの一例を示す図。 タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 タッチセンサの回路図。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器の構成例について、図面を参照して説明
する。

本発明の一態様の電子機器は、可撓性を有する表示パネルと、これを支持する２つの支
持体を備える構成とする。また２つの支持体は接続部によって接続される。接続部を介し
て２つの筐体を相対的に回転させ、電子機器を折り畳むことが可能である。したがって、
本発明の一態様の電子機器は、表示パネルの表示面を平坦な状態に保持すること、表示パ
ネルの表示面が内側になるように折り曲げること（内曲げ）、表示パネルの表示面が外側
になるように折り曲げること等が可能である。

本発明の一態様の電子機器は、表示パネルを展開した状態では、継ぎ目のない広い表示
領域により一覧性に優れる。また表示パネルを折り畳んだ状態では、可搬性に優れる。

ここで、本発明の一態様の電子機器において、表示パネルは一方の支持体には固定され
、他方の支持体には、一方向にスライドするように、固定されることなく支持されるよう
に設けることが好ましい。そして２つの支持体の角度を変化させたときに、表示パネルが
固定されていない支持体に対してスライドし、両者の相対的な位置が変化する構成とする
ことが好ましい。このような構成とすることで、２つの支持体の角度を変化させ、表示パ
ネルの一部を曲げるときに、表示パネルを曲げる向きにのみ力がかかり、これとは垂直な
向きに（すなわち、表示パネルの厚さ方向に垂直な向きに）かかる力を実質的に無くすこ
とが可能となる。すなわち、表示パネルがスライドすることによって表示パネルを曲げる
際に表示パネルを引っ張る、または圧縮する力がかからないため、表示パネルの破損が抑
制され、信頼性の高い電子機器が実現できる。

さらに、上述のように表示パネルがスライドした際に、その変位量を検出できる検出手
段を備えていることが好ましい。表示パネルの変位量は、２つの支持体の角度に依存して
変化するため、この変位量を検出することで２つの支持体の角度を検出することが可能と
なる。例えば表示パネルと、表示パネルが固定されていない側の支持体との相対的な位置
の変化を検出することにより、表示パネルの変位量を検出することができる。この相対的
な位置の変化は、好ましくは光学的に検出することが好ましい。また、機械的、または電
気的に検出する構成としてもよい。

このように、２つの支持体の角度を検出可能な構成とすることで、その角度を電子機器
における一つの入力手段として用いることが可能となる。例えば、２つの支持体の角度に
応じて表示パネルへの表示を切り替えることなどが可能となる。また、表示パネルの表示
面が内側になるように折り畳まれた状態では、表示パネルの表示を停止するなどの動作を
行うことができる。

より具体的には、以下のような構成とすることができる。

［構成例］
図１（Ａ）に、本発明の一態様の電子機器１０の斜視概略図を示す。

電子機器１０は、支持体１１ａと、支持体１１ｂと、接続部１２と、表示パネル１３と
、検出手段１４と、を有する。

支持体１１ａと支持体１１ｂとは、接続部１２を介して接続されている。表示パネル１
３は、支持体１１ａ、支持体１１ｂ及び接続部１２に重ねて配置されている。また表示パ
ネル１３は、少なくとも支持体１１ａ及び支持体１１ｂに支持されている。

具体的には、表示パネル１３は、支持体１１ａに固定される領域を有する。さらに表示
パネル１３は、支持体１１ｂに固定されることなく、一方向にスライドすることができる
ように支持体１１ｂに支持されている。

また、表示パネル１３は可撓性を有する。また表示パネル１３は複数の画素を有する領
域（表示領域ともいう）を有し、表示領域に画像を表示することができる。画素は表示素
子を備える。なお、以下では表示パネル１３の表面のうち、画像が表示される側の面を表
示面と表記する場合がある。

支持体１１ａと支持体１１ｂとは、接続部１２を介して相対的に回転させることができ
る。例えば、支持体１１ａと支持体１１ｂとを接続部１２を介して折り畳む、またはねじ
るなどの変形を加えることができる。したがって、電子機器１０は、表示パネル１３の表
示面が平坦である状態から、表示面が曲がった状態に可逆的に変形させることができる。

支持体１１ａ及び支持体１１ｂとしては、剛性を有していてもよいし、支持体自体が捩
りや湾曲させる力に対して変形可能な部材を用いてもよい。支持体１１ａ及び支持体１１
ｂは少なくとも表示パネル１３、または接続部１２よりも可撓性の低い材料を用いればよ
く、硬質ゴムなどの弾性体などをその骨格に用いてもよい。そのほか、各筐体を構成しう
る材料としては、プラスチック、アルミニウムなどの金属、ステンレスやチタン合金など
の合金、シリコーンゴムなどのゴム等を用いることができる。

接続部１２は、一部または全部が弾性変形する材料を好適に用いることができる。例え
ば接続部１２の全部が弾性体である、または少なくとも曲がる部分に弾性体を有する構成
をとすることができる。または、接続部１２として、１以上の回転軸を有するヒンジを有
する構成を適用することもできる。

接続部１２として弾性変形する材料を用いた場合、支持体１１ａと支持体１１ｂを相対
的に回転させる力が与えられない場合には、図１（Ａ）に示す表示面が平坦な状態に保持
することができる。また図１（Ｃ）や図１（Ｅ）の状態に保持するために、支持体１１ａ
と支持体１１ｂとを固定する機構を有していることが好ましい。例えば支持体１１ａと支
持体１１ｂとを機械的に脱着可能とした脱着具を別途有していてもよいし、または支持体
１１ａと支持体１１ｂとが脱着機構を備えていてもよい。または、支持体１１ａと支持体
１１ｂとを磁力により固定する構成としてもよい。

また、接続部１２としてヒンジを有する構成とする場合には、図１（Ｃ）や図１（Ｅ）
の状態に支持体１１ａと支持体１１ｂとの相対位置を固定する機構を備えるヒンジを用い
ることで、上述した脱着具や脱着機構が不要となるため好ましい。また、段階的な固定位
置を有するヒンジを用いることにより、図１（Ｂ）や図１（Ｄ）のように、表示パネル１
３の表示面が湾曲した状態で使用することもできる。

接続部１２としては、例えば支持体１１ａ及び支持体１１ｂよりもヤング率の低い材料
を用いることができる。また、支持体１１ａ及び支持体１１ｂよりもヤング率の高い材料
、またはヤング率が同程度の材料を用いた場合であっても、接続部１２の厚さを支持体１
１ａ及び支持体１１ｂよりも薄い材料を適用することもできる。接続部１２を構成しうる
材料としては、プラスチック、ゴム、金属、または合金等を用いることができる。例えば
シリコーン樹脂などの材料や、ゲルを用いてもよい。

図１（Ａ）は、表示パネル１３の表示面を平坦な状態に保持した状態を示す。この状態
から表示パネル１３の表示面を内側に曲げるように電子機器１０を変形させることで、図
１（Ｂ）の状態を経て図１（Ｃ）の状態に可逆的に変形させることができる。図１（Ｃ）
では、表示パネル１３が支持体１１ａ及び支持体１１ｂに挟み込まれて収納されている状
態である。電子機器１０を使用しない際、または鞄等に収納する際などにはこのような形
態とすることができる。

また、図１（Ａ）に示す状態から表示パネル１３の表示面を外側に曲げるように電子機
器１０を変形させることで、図１（Ｄ）の状態を経て図１（Ｅ）の状態に可逆的に変形さ
せることができる。図１（Ｅ）では、表示パネル１３の表示面が電子機器１０の上面、側
面及び下面に沿って位置している状態である。図１（Ｅ）に示す状態では図１（Ａ）に示
す状態と比べて小型であるため、公共の場所で使用する場合や移動中に使用する場合など
には好適である。

［断面構成例］
図２（Ａ）は、図１（Ａ）中に示す切断面Ｘ１における、電子機器１０の断面概略図を
示している。また、図２（Ｂ）は図１（Ｂ）中に示す切断面Ｘ２における断面概略図であ
り、図２（Ｃ）は図１（Ｄ）中に示す切断面Ｘ３における断面概略図である。

図２（Ａ）において、表示パネル１３は、支持体１１ａ、支持体１１ｂ、および接続部
１２の各々の上面に沿って配置されている。また表示パネル１３にはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉ
ｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１５が接続されており、ＦＰＣ１５を介して支持
体１１ａの内部に設けられる回路基板１６と電気的に接続している。また、回路基板１６
は第１の支持体１１ａの内部に設けられるバッテリ１７と電気的に接続している。また、
図２（Ａ）に示すようにバッテリ１７は第２の支持体１１ｂの内部にも設けられていても
よい。なお、ここでは図示しないが、支持体１１ｂの内部に検出手段１４の駆動を制御す
るためのＩＣ等を実装した回路基板を有していてもよい。例えば、当該ＩＣは、検出手段
１４を駆動する機能と、検出手段１４から出力された信号を取り出す機能を有していても
よい。

表示パネル１３は支持体１１ａに固定されるように支持されている。例えば表示パネル
１３の一部が支持体１１ａに接着されていてもよいし、ねじ等の固定具により機械的に固
定されていてもよい。

一方、表示パネル１３は、支持体１１ｂに固定されずに支持されている。具体的には、
図２（Ａ）において、表示パネル１３が支持体１１ｂに対して左右方向にスライドできる
ように支持されている。

ここで、表示パネル１３の厚さ方向（図２（Ａ）では上下方向）、及び表示パネル１３
が曲げられるときの湾曲方向とは垂直な方向（図２（Ａ）では紙面に垂直な方向）のうち
、一方、または両方に、表示パネル１３が動く（ずれる）ことのないように、表示パネル
１３が支持体１１ｂに支持されていることが好ましい。

以上のように、表示パネル１３が、支持体１１ａに固定され、且つ支持体１１ｂに固定
されないように支持されている。そのため、接続部１２を介して支持体１１ａと支持体１
１ｂを相対的に回転させたときに、表示パネル１３が支持体１１ｂに対してずれることで
、表示パネル１３の厚さ方向に垂直な方向にかかる応力が緩和され、表示パネル１３が破
損するなどの不具合を抑制することができる。したがって、信頼性の高い電子機器１０を
実現できる。

図２（Ａ）では、検出手段１４が第２の支持体１１ｂに配置されている例を示している
。検出手段１４は、支持体１１ｂと表示パネル１３の相対的な位置を検出する機能を有す
る。なお検出手段１４の具体的な構成例については後述する。ここで、図２（Ａ）では検
出手段１４が支持体１１ｂに配置される構成を示しているが、検出手段１４の位置はその
構成に応じて適宜設定されうる。

図２（Ｂ）および図２（Ｃ）には、支持体１１ｂの一部を拡大した図も合わせて示して
いる。

図２（Ｂ）に示すように、表示パネル１３の表示面が内側になるように曲げたとき、表
示パネル１３の支持体１１ｂ側の端部が外側に移動するように、表示パネル１３と支持体
１１ｂとの相対的な位置がずれる。一方、図２（Ｃ）に示すように表示パネル１３の表示
面が外側になるように曲げたとき、表示パネル１３の支持体１１ｂ側の端部が内側に移動
するように、表示パネル１３と支持体１１ｂとの相対的な位置がずれる。

このように、表示パネル１３を曲げたときに生じる表示パネル１３と支持体１１ｂとの
相対的な位置のずれを検出することで、このずれの値から支持体１１ａと支持体１１ｂと
の相対的な位置関係を算出することができる。その結果、電子機器１０の形状を検出する
ことが可能となる。

以上が断面構成例についての説明である。

［表示パネルの変位量について］
以下では、表示パネル１３を曲げるように電子機器１０を変形させたときに生じる、表
示パネル１３と支持体１１ｂとの相対的な位置のずれの量（変位量）について説明する。

図３（Ａ）は、本発明の一態様の電子機器を模式的に示した図である。図３（Ａ）に示
す電子機器は、支持体１１ａと支持体１１ｂとが弾性を有する接続部１２によって接続さ
れている構成を有する。また、支持体１１ａ、接続部１２、及び支持体１１ｂの一方の面
には表示パネル１３＿１が設けられ、他方の面には表示パネル１３＿２が設けられている
。なお、図３（Ａ）では表示パネル１３＿１及び表示パネル１３＿２が支持体１１ａの表
面の一部に固定されていることを示すためにハッチングパターンを付している。

なお、ここでは接続部１２を曲げたときに、表示パネルの表示面が内側になる場合と外
側になる場合の両方を同時に説明するため、２つの表示パネルを有する例を用いて説明す
る。

また図３（Ａ）に示すように、支持体１１ａ、支持体１１ｂ及び接続部１２のそれぞれ
の厚さを厚さｔとする。また、接続部１２の長さを長さＬ０とする。また表示パネル１３
＿１と表示パネル１３＿２のそれぞれの端部と、支持体１１ｂの端部とは一致していると
する。また、図３（Ａ）には接続部１２の中立線（ｎｅａｕｔｒａｌ ｌｉｎｅともいう
）１２ａを破線で示している。ここで本明細書等において中立線とは、物体に応力が掛っ
ていない場合において、その物体の断面における厚さ方向の中央を結ぶ線のことを言う。

ここで、図３（Ｂ）に示すように、接続部１２の中立線１２ａを曲率半径ｒ０で角度θ
だけ湾曲させたときを考える。このとき、接続部１２が弾性体であるため、接続部１２を
湾曲させたときに生じる応力により、接続部１２の中立線１２ａよりも内側の部分は縮み
、接続部１２の中立線１２ａよりも外側の部分は伸びることとなる。

なお、ここでは簡単のために、接続部１２を湾曲させたとき、接続部１２の厚さは変わ
らず、且つ、接続部１２の中立線１２ａが常に接続部１２の厚さの中央を通り、且つ接続
部１２の中立線１２ａが接続部１２の一端から他端にかけて一定の曲率半径で湾曲する場
合を考える。

図３（Ｂ）において、接続部１２の中立線１２ａの長さはＬ０である。また接続部１２
の内側の面における曲率半径ｒ１、及び外側の面における曲率半径ｒ２は、それぞれ以下
のようになる。

したがって、図３（Ｂ）に示す断面における、接続部１２の内側の表面の長さＬ１と、
外側の表面の長さＬ２は、それぞれ以下のようになる。

ここで、表示パネル１３＿１は接続部１２の内側の面に接して設けられているため、表
示パネル１３＿１が伸縮しないとすると、表示パネル１３＿１の端部が支持体１１ｂの端
部よりも外側にずれるように、表示パネル１３＿１の一部が支持体１１ｂに対して移動す
る。同様に、表示パネル１３＿２は接続部１２の外側の面に接して設けられているため、
表示パネル１３＿２の端部が支持体１１ｂの端部よりも内側にずれるように、表示パネル
１３＿２の一部が支持体１１ｂに対して移動する。表示パネル１３＿１の支持体１１ｂに
対する変位量ｄ１、及び表示パネル１３＿２の支持体１１ｂに対する変位量ｄ２は、外側
への変位量を正とすると以下のようになる。

式（３）より、表示パネル１３＿１の変位量ｄ１、及び表示パネル１３＿２の変位量ｄ
２は、いずれも接続部１２の厚さｔと、角度θに依存することが分かる。接続部１２の厚
さｔが一定であるとすると、変位量ｄ１または変位量ｄ２を検知することにより、角度θ
を見積もることができる。

また、表示パネル１３＿１の変位量ｄ１、及び表示パネル１３＿２の変位量ｄ２の大き
さは、表示パネル１３＿１または表示パネル１３＿２と中立線１２ａとの距離が大きいほ
ど大きくなる。したがって、表示パネルは少なくとも中立線１２ａから離れて位置してい
ることが好ましい。すなわち、表示パネルは、支持体１１ａ、接続部１２、及び第２の支
持体１１ｂの、各々の厚さ方向の中心位置と重ならないように位置することが好ましい。

なお、実際には接続部１２の湾曲部の厚さが薄くなる部分が生じる場合がある。したが
って、図３（Ｂ）の表示パネル１３＿１のように表示面を内曲げする場合と、表示パネル
１３＿２のように表示面を外曲げする場合とではその変位量の絶対値に差が生じ、上述の
値とは異なる変位量となる場合がある。そのため、表示パネル１３と支持体１１ｂとの相
対的な変位量から角度θを算出する場合には、接続部１２を湾曲させたときの形状変化を
考慮して、補正することが好ましい。

またここでは、接続部１２として板状の形状である場合を示したがこれに限られない。
例えば、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、内部に空洞を有する接続部１２とすることで
、当該空洞内に配線１８を設けることもできる。配線１８により、支持体１１ａ及び支持
体１１ｂの内部に設けられる回路基板やバッテリ等を相互に電気的に接続することができ
る。また、図４（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、接続部１２を蛇腹構造を有する形態とする
ことで、接続部１２を曲げたときに接続部１２にかかる応力を低減することができる。ま
た、図４（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、接続部１２を、内部に空洞が設けられた蛇腹構造
を有する形態とし、当該空洞内に配線１８を設ける構成としてもよい。

またここでは、接続部１２として弾性体を用いた場合について説明したが、接続部１２
としてヒンジを用いる場合には、支持体１１ａと支持体１１ｂの相対的な可動範囲を制限
できるため、より精密に支持体１１ｂと表示パネル１３との相対的な変位量から角度θを
算出することができるため好ましい。このとき、ヒンジが２以上の回転軸を有する構成と
すると、より自由度の高い設計が可能なため好ましい。

以上が表示パネルの変位量についての説明である。

［検出手段の構成例］
上述のように検出手段１４は、支持体１１ｂと表示パネル１３の相対的な位置の変化を
検出する機能を有する機構のことを指す。

検出手段１４として、光学的に位置の変化を検出する構成とすることが好ましい。例え
ば、支持体１１ｂに発光素子または受光素子の一方が設けられ、表示パネル１３に他方が
設けられる構成とすることができる。または、支持体１１ｂに発光素子と受光素子の両方
を設け、表示パネル１３に反射した発光素子からの光を受光素子によって検出する構成と
してもよい。また、発光素子と受光素子の両方を表示パネル１３に設け、支持体１１ｂか
らの反射光を受光する構成としてもよい。

より具体的には、以下のような構成を用いることができる。

〔構成例１〕
図５（Ａ）に、支持体１１ｂの検出手段１４を含む領域の断面概略図を示す。

支持体１１ｂは、表示パネル１３を支持する第１の部分３１と、表示パネル１３の表示
面側に位置する第２の部分３２と、表示パネル１３の表示面側とは反対側に位置する第３
の部分と、を有する。第２の部分３２と第３の部分３３は、支持体１１ｂの外装部材とし
て機能してもよい。

検出手段１４は、複数の受光素子２１と、発光素子２２と、を有する。

図５（Ａ）に示す構成では、複数の受光素子２１はそれぞれ支持体１１ｂの第２の部分
３２の、表示パネル１３と対向する面に固定して配置されている。また発光素子２２は、
表示パネル１３に固定して配置されている。発光素子２２は、支持体１１ｂの第２の部分
３２側、より具体的には受光素子２１側に光を発することができる。

発光素子２２が発する光としては、可視光であってもよいし、赤外線、または紫外線で
あってもよい。例えば、３００ｎｍから３０００ｎｍの波長の範囲に１以上のピークを有
する光を発する発光素子を適用することができる。特に、７５０ｎｍ以上の波長の赤外線
を用いると、可視光や紫外線を用いた場合に比べ支持体１１ｂからの光漏れを考慮する必
要性が低いため設計が容易であり、また安全性を高めることが可能となるため好ましい。

発光素子２２としては、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）
、有機ＥＬ素子、または無機ＥＬ素子などの発光素子を適用することができる。特に、表
示パネル１３が画素に有機ＥＬ素子などの発光素子を有する場合には、発光素子２２とし
て当該画素と同一工程で作製された発光素子を用いると、部品点数を削減することができ
る。その場合、発光素子２２からの発光は可視光を含む光となる。

受光素子２１は、発光素子２２からの発光を受光することのできる素子である。受光素
子２１としては、例えばフォトダイオード、フォトトランジスタなどの光電変換素子を含
む受光素子を適用することができる。そのほか、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメー
ジセンサ等の固体撮像素子を適用することもできる。

また後述するように、表示パネル１３に受光素子２１を設ける態様とすることもできる
。このとき、特に表示パネル１３が表示領域にフォトダイオード等の光電変換素子を有す
る光学型のタッチパネルの場合には、受光素子２１と当該光電変換素子を同一工程で作製
することが好ましい。

図５（Ｂ）、（Ｃ）は、検出手段１４及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。

表示パネル１３は、表示部１３ａと、非表示部１３ｂとを有する。表示部１３ａは、複
数の画素を有し、画像等を表示することのできる部分である。また、非表示部１３ｂの一
部には、発光素子２２が配置されている。支持体１１ｂの第２の部分３２は、表示パネル
１３の非表示部１３ｂと重なるように配置されている。

図５（Ｂ）に示すように、発光素子２２が発する光２３は、表示パネル１３の表示面側
に発せられる。このとき、光２３の進行方向に位置する受光素子２１が、光２３を検知す
る。

続いて図５（Ｂ）の状態から、図５（Ｃ）に示す矢印の方向に表示パネル１３が支持体
１１ｂに対して相対的に変位したとする。このとき、発光素子２２と複数の受光素子２１
との相対的な位置が変化するため、図５（Ｂ）の状態の時とは異なる受光素子２１が、発
光素子２２が発する光２３の進行方向に位置することとなる。

なお、図５（Ｂ）等では光２３の進行方向が表示パネル１３の表面に対して概略垂直な
向きである場合を示すが、これに限られず斜め方向に進行してもよい。また発光素子２２
として、指向性の高い発光素子を用いてもよいし、進行方向に対して強度分布を有する発
光素子を用いてもよい。

このように、複数の受光素子２１により受光した光２３の検出強度を比較することによ
り、表示パネル１３と支持体１１ｂとの相対的な位置関係を検出することが可能となる。

検出手段１４によって検出される位置の精度は、表示パネル１３と支持体１１ｂとの相
対的な変位方向に対して、複数の受光素子２１をできるだけ隙間なく配列させることによ
り向上させることができる。例えば、図６（Ａ）に示すように、変位の方向に平行なベク
トル（矢印）に対する、隣接する２つの受光素子２１の投影が互いに重なるように配置す
ることにより、検出される位置の精度を高めることができる。

また、図６（Ｂ）に示すように、隣接する２つの受光素子２１を、隙間をあけて配列し
た場合であっても、発光素子２２からの光２３の角度依存性があらかじめ分かっている場
合には、複数の受光素子２１による検出強度の値から、検出強度のピーク位置を算出する
ことにより、高い精度で発光素子２２の位置を検出することが可能である。

なお、ここでは検出手段１４として、複数の受光素子２１を支持体１１ｂの第２の部分
３２に設け、発光素子２２を表示パネル１３に設ける構成としたが、これに限られない。
例えば図７（Ａ）に示すように、表示パネル１３に複数の受光素子を設け、支持体１１ｂ
の第２の部分３２に発光素子２２を設ける構成としてもよい。

また、図７（Ｂ）に示すように、支持体１１ｂの第１の部分３１が開口部を有する構成
とし、表示パネル１３の表示面とは反対側に光を発する発光素子２２と、支持体１１ｂの
第３の部分３３に設けられた複数の受光素子２１を備える構成としてもよい。

また、図７（Ｃ）に示すように、表示パネル１３の表示面とは反対側に複数の受光素子
２１を設け、支持体１１ｂの第３の部分に発光素子２２を設ける構成としてもよい。

また図７（Ｂ）、（Ｃ）において、第１の部分３１の開口部は少なくとも発光素子２２
の発する光を透過すればよく、透光性を有する部材を有していてもよい。

以上が構成例１についての説明である。

〔構成例２〕
以下では上記構成例１とは構成の一部が異なる構成例について説明する。なお上記と重
複する部分については説明を省略する場合がある。

図８（Ａ）は、検出手段１４及びその主要な周辺部を示す斜視概略図である。

支持体１１ｂの第２の部分３２の表示パネル１３と対向する面には、受光素子２１と発
光素子２２が並べて配置されている。

図８（Ａ）に示すように、発光素子２２が発する光２３は、表示パネル１３の非表示部
１３ｂの一部に反射し、その反射光の一部が受光素子２１によって受光される。表示パネ
ル１３が支持体１１ｂに対して変位することに伴って、受光素子２１で受光する光の強度
が変化するため、この変化を検出することで表示パネル１３と支持体１１ｂとの相対的な
変位量を検出することができる。

表示パネル１３の非表示部１３ｂにおいて、発光素子２２が発する光２３を反射する部
分には、反射率の異なる部分を有していることが好ましい。より具体的には、表示パネル
１３の変位方向に対して垂直な方向に沿って、反射率の異なる部分を有していればよい。
例えば、非表示部１３ｂに設けられる配線のパターンや、駆動回路のパターン等を利用す
ることもできる。

また、表示パネル１３の非表示部１３ｂの表面、または内部に、位置検出のためのパタ
ーンを別途形成してもよい。例えば表示パネル１３を変位させたときに、反射率の高い部
分と低い部分とが交互に出現するようなパターンを形成すればよい。このようなパターン
は印刷法などにより形成してもよいし、表示パネル１３の表面に凹凸形状を形成したもの
を用いてもよい。

図８（Ｂ）乃至（Ｅ）に、表示パネル１３の非表示部１３ｂが有する位置検出のための
パターンの一例を示す。なお各図における矢印は、表示パネル１３の変位方向を示してい
る。

図８（Ａ）では第１の反射率を有する第１の領域２４と、第２の反射率を有する第２の
領域２５とを有する。表示パネル１３の変位方向に略平行な向きに、ストライプ状の第２
の領域２５が複数配列したパターンを有している。

ここで、第１の反射率と第２の反射率との反射率の差は、例えば５％以上、好ましくは
１０％以上、より好ましくは１５％以上であればよい。また第１の反射率と第２の反射率
とはその反射率に差があればよく、第１の反射率が第２の反射率よりも高くてもよいし、
低くてもよい。

また、図８（Ｃ）に示すように、ストライプ状の第２の領域２５が、変位方向に対して
斜めに配置されていてもよい。また、図８（Ｄ）に示すように、第２の領域２５が格子状
の形状を有していてもよい。また図８（Ｅ）に示すように、第２の領域２５がドット状に
配列したパターンであってもよい。

なお、ここでは２つの反射率の異なる部分が、規則的に配列している例を示したが、２
以上の反射率の異なる部分が規則的に配列していてもよい。また、２以上の反射率の異な
る部分が不規則に配置された構成としてもよい。

また、ここでは受光素子２１と発光素子２２とを支持体１１ｂの第２の部分３２に配置
する場合について説明したが、第３の部分３３に配置する構成としてもよい。その場合、
構成例１で例示したように、発光素子２２が発する光を透過する開口部を有する第１の部
分３１を設ければよい。

このように、支持体１１ｂに受光素子２１と発光素子２２の両方を設け、反射光を利用
して表示パネル１３と支持体１１ｂとの相対的な位置を検出する構成とすることで、部品
点数を削減できる。また表示パネル１３の非表示部１３ｂに設けられる一検出のためのパ
ターンとして、表示パネル１３が有する配線等のパターンを利用することができるため、
設計の自由度を高めることが可能となる。

以上が構成例２についての説明である。

なお、本実施の形態では、２つの支持体を備える構成としたが、３つ以上の支持体を備
える構成とすることもできる。支持体の数が多いほど、電子機器を様々な形状に変形する
ことが可能となり用途の幅が広がる。図９（Ａ）乃至（Ｃ）には３つの支持体（支持体１
１ｃ、１１ｄ、１１ｅ）を備える電子機器の構成例を示している。図９（Ａ）に示す電子
機器は、表示パネル１３を２か所で曲げることにより図９（Ｂ）に示す形態を経て図９（
Ｃ）のように電子機器を折り畳むことができる。

また、３つ以上の支持体を有する構成とした場合、表示パネル１３はそのうちの１つの
支持体に固定され、他の支持体には固定されることなくスライドできるように支持される
構成とすればよい。また表示パネル１３を支持しない支持体のうち、１つ以上の支持体に
、上述した検出手段を設ける構成とすればよい。すなわち、電子機器が備える支持体数が
ｎとすると、そのうちの１以上ｎ−１以下の支持体に、検出手段を設ける構成とすればよ
い。検出手段を有する支持体の数が多いほど、電子機器の形態をより詳細に検出すること
が可能となるため好ましい。好ましくは表示パネル１３を支持しないすべての支持体に検
出手段を設けるとよい。

また、本発明の一態様の電子機器は、支持体に様々な入力手段、出力手段、または入出
力手段を設ける構成とすることができる。例えば、図２０では、入力ボタン４１、電源ボ
タン４２、外部接続端子４３、カードスロット４４、光学センサ４５、カメラ４６、光源
４７、スピーカ４８及びマイク４９が、支持体１１ａまたは支持体１１ｂに設けられてい
る例を示している。また、図２０では、支持体１１ａ及び支持体１１ｂのそれぞれにバッ
テリ１７が内蔵されている。また支持体１１ｂの一部にアンテナ５１が実装されている。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な発光パ
ネルの構成例及び作製方法例について説明する。

［具体例１］
図１０（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図１０（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２
間の断面図の一例を図１０（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パ
ネルは、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構
成や、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）、またはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特
に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ
などで構成されてもよい。

図１０（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅ
ｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動
回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び封止層
８２３によって封止されている。

図１０（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数の
トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８
２１、封止層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４
３、接着層８４１、及び基板８０３を有する。封止層８２３、オーバーコート８４９、絶
縁層８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重な
る遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で
覆われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は封止層８２３で充填されて
いる。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能
を有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図１０（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、
１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層
８４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層
８４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、ス
タート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。
ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防
ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の
工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成
する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図１０（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体
８２５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及
び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８
２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７
は電気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口
する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦ
ＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５
及び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に
絶縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる発光パネルを
示している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかける
ことが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また
、基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、高温をかけて、透水性の低い膜を
形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトラ
ンジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水
性の低い膜を形成することができる。そして、それらを基板８０１や基板８０３へと転置
することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、
軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。作製方法の詳細は後述
する。

なお、上述した発光素子８３０と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態１で例示した発光素子２２として用いることができる。

［具体例２］
図１０（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図１０（Ｂ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４
間の断面図の一例を図１０（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光パネルは、具体例１とは異
なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは
、具体例１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図１０（Ｄ）に示す発光パネルは、図１０（Ｃ）に示す発光パネルと下記の点で異なる
。

図１０（Ｄ）に示す発光パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペー
サ８２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図１０（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。
接続体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶
縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して
導電層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の
材料が制限されない。

なお、上述した発光素子８３０と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態１で例示した発光素子２２として用いることができる。

［具体例３］
図１１（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ５−Ａ６
間の断面図の一例を図１１（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光パネルは、塗り分け方式を
用いたトップエミッション型の発光パネルである。

図１１（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を
有する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８
０１、基板８０３、枠状の封止層８２４、及び封止層８２３によって封止されている。

図１１（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数の
トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８
２１、封止層８２３、枠状の封止層８２４、及び基板８０３を有する。封止層８２３及び
基板８０３は可視光を透過する。

枠状の封止層８２４は、封止層８２３よりもガスバリア性が高い層であることが好まし
い。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したが
って、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。

具体例３では、封止層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光パネルから取り出さ
れる。したがって、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３
１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有す
る。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接
続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視
光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図１１（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、
１つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、
同一の工程で作製した例を示す。

図１１（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体
８２５は、基板８０３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開
口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続して
いる。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて
、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、
それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これに
より、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現で
きる。

なお、上述した発光素子８３０と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態１で例示した発光素子２２として用いることができる。

［具体例４］
図１１（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図１１（Ｂ）における一点鎖線Ａ７−Ａ８
間の断面図の一例を図１１（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光パネルは、カラーフィルタ
方式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。

図１１（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数の
トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８
１７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３
を有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、
及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ
８２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層
８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上
部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている
。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過す
る。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければ
よい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジ
スタを複数有する。図１１（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、
２つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３
に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と
電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している
。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した
例を示す。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素
子８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層
８１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネル
を示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をか
けて、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そし
て、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。こ
れにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実
現できる。

なお、上述した発光素子８３０と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態１で例示した発光素子２２として用いることができる。

［具体例５］
図１１（Ｅ）に具体例１〜４とは異なる発光パネルの例を示す。

図１１（Ｅ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層
８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、封止層８２
３、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光パネルの外部接続電極としての機能を有し
、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下
部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッシ
ョン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の
電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１
と電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ
、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基
板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率
を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに
設けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は
、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０
．５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、
該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３
０等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、
高温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板８０１へと転置することで、信頼性
の高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり
、且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置または
表示パネル、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用い
ること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、表示パネル、発光
素子又は発光装置の一例としては、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び
無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥ
Ｄ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ
）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ
（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカ
ニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、Ｄ
ＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（イ
ンターフェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光
干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプ
レイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射
率、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。ＥＬ素子を用いた表示装置の一
例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例として
は、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ
（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ
Ｄｉｓｐｌｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプ
レイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク、電子粉流
体、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなどがある。なお、
半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一
部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電
極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに
、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これ
により、さらに、消費電力を低減することができる。

なお、上述した発光素子８３０と同一工程で作製した発光素子を非表示部に設けること
により、実施の形態１で例示した発光素子２２として用いることができる。

［材料の一例］
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説
明した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発
光素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の
厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、
ガラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破
損しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もし
くは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しに
くい発光パネルを実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であ
ることがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、チタン、ニッケル等の金属、またはこれら金属から選ばれた一以上の金属を
含む合金を用いることができる。合金としては、例えば、アルミニウム合金もしくはステ
ンレス等を好適に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを
抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱
放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構
造としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹
脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポ
リスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱
膨張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド
樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリ
プレグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用する
こともできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハード
コート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラ
ミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成
とすると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることが
できる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基
板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好
ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に
対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１
０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有
機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し
、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を
基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることが
できる。

接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂
、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート
等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガ
リウム等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガ
リウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、画素や、駆動回路、また後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタな
どの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバン
ドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャ
ップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態
における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくとも少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは
亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される
酸化物を含む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。

半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の
高いトランジスタを実現できる。

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の諧調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ
（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁
層８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発
光する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。

発光素子８３０として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層８３３に２種
類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発
光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができ
る。例えば、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示
す発光物質、またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光
物質のうち、２以上を含むことが好ましい。また、発光素子８３０からの発光のスペクト
ルが、可視光領域の波長（例えば３５０ｎｍ〜７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを
有する発光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料
の発光スペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であるこ
とが好ましい。

より好ましくは、ＥＬ層８３３は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色
を発光する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、Ｅ
Ｌ層８３３における複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介
して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に分離層を設ける構
成としてもよい。

分離層は、例えば燐光発光層中で生成する燐光材料等の励起状態から蛍光発光層中の蛍
光材料等へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐ
ために設けることができる。分離層は数ｎｍ程度の厚さがあればよい。具体的には、０．
１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上５ｎｍ
以下である。分離層は、単一の材料（好ましくはバイポーラ性の物質）、又は複数の材料
（好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料）を含む。

分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これによ
り、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が
、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料（ゲスト材料）からなる場合、分離層を、該
ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光
材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、
分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような
構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。
これにより、製造コストを削減することができる。

また、発光素子８３０は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数の
ＥＬ層が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これに
より、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以
下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^−７［
ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とす
る。

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニ
ウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、
及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミド
アミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、
低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させ
ることで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、そ
の開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印
刷等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することが
できる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができ
る各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることが
できる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成と
することで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８
２７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに
用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アル
ミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を
用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化
物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等
）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉ
ｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用い
ることができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を
透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラ
ーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いるこ
とができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソ
グラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光
を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光
層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、
発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含
む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部
などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるた
め好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設け
ることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オ
ーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用い
ることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料とし
て封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコ
ートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属
膜を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の
、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、
例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用
いることが好ましい。または、粒状の樹脂の表面を金属で被覆した材料を用いることが好
ましい。

［作製方法例］
次に、発光パネルの作製方法を図１２及び図１３を用いて例示する。ここでは、具体例
１（図１１（Ｃ））の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。

まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層８１３を形
成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶
縁層８１７、複数の発光素子、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出
するように、絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口する（図１２（Ａ）
）。

また、作製基板２０５上に剥離層２０７を形成し、剥離層２０７上に絶縁層８４３を形
成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７、着色層８４５、及びオーバーコート８４
９を形成する（図１２（Ｂ））。

作製基板２０１及び作製基板２０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３及び剥離層２０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板２０５の着色層８４５等が設けられた面又は作製基板２０１の発光素
子２３０等が設けられた面に封止層８２３となる材料を塗布し、封止層８２３を介して該
面同士が対向するように、作製基板２０１及び作製基板２０５を貼り合わせる（図１２（
Ｃ））。

そして、作製基板２０１を剥離し、露出した絶縁層８１３と基板８０１を、接着層８１
１を用いて貼り合わせる。また、作製基板２０５を剥離し、露出した絶縁層８４３と基板
８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる。図１３（Ａ）では、基板８０３が導電層
８５７と重ならない構成としたが、導電層８５７と基板８０３が重なっていてもよい。

なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ
_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離して
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポ
リオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成し、有機樹
脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、
作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹脂の間に金
属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で
剥離を行ってもよい。

最後に、絶縁層８４３及び封止層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる
（図１３（Ｂ））。なお、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５
７を露出させるために、基板８０３及び接着層８４１も開口する（図１３（Ｃ））。開口
の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビーム
スパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に鋭利な刃物等を用い
て切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

以上により、発光パネルを作製することができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能な、折り
曲げ可能なタッチパネルの構成例について、図１４〜図１７を用いて説明する。なお、各
層に用いることのできる材料については、実施の形態２を参照することができる。

［構成例１］
図１４（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一点鎖線
Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）の一点鎖線
Ｅ−Ｆ間の断面図である。

図１４（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８
は表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用
いてタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び
発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができ
る配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動
回路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回
路３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択すること
ができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検
知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動
回路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える
。

図１４（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向
する基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

意図しない不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いる
ことができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１
０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好
ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁
層５１０ａ、及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが
積層された積層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁
層５７０ａ、及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの
積層体である。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリ
イミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合
を有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。

封止層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止層５６０は空気より
大きい屈折率を備える。また、封止層５６０側に光を取り出す場合は、封止層５６０は光
学接合層を兼ねる。画素回路及び発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板５１
０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１４
（Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発
光モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒ及び第１の発光素子３５０Ｒに電力
を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１４（Ｂ））
。また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層
３６７Ｒ）を備える。

発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと
上部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１４（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３
５３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特
定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する
光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのま
ま透過する領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒと第１の着色層３６７Ｒ
に接する封止層３６０を有する。

第１の着色層３６７Ｒは第１の発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発
光素子３５０Ｒが発する光の一部は、光学接合層を兼ねる封止層３６０及び第１の着色層
３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように発光モジュール３８０Ｒの外部に射出され
る。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反
射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔ
を覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層とし
て用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制すること
ができる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上
に有する。

タッチパネル３９０は、第１の下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３
２１上に有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔
壁３２８上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む
。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１４
（Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有し
ていてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続され
ていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第
２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を
検知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを
含む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が
配線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することがで
きるＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（
１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３
ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。トランジスタの構成について
は、実施の形態２を参照できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各
種配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニ
ッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステ
ンからなる単体金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる
。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積
層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシ
ウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二
層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そ
のチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上
にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と
、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、
さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、
酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガ
ンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

なお、上述した発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ等）と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態１で例示した発光素子２２として用い
ることができる。また、上述した光電変換素子３０８ｐ及び撮像画素回路を含む撮像画素
３０８と同一工程で作製した撮像画素を非表示部に設けることにより、実施の形態１で例
示した受光素子２１として用いることができる。

［構成例２］
図１５（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代
表的な構成要素を示す。図１６は、図１５（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図で
ある。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１５（Ｂ））
。また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお
、基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１
）と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数
の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部
は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお
、図１５（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（紙面奥側）に設けられるタッチ
センサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１５（Ｂ）
を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適
用することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極
５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８
の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置
されている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電
極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例え
ば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５
９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及
び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１
を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基
板５７０に貼り合わせている。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９
１及び電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、
シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム
などの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極
５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高まること
ができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９
２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることが
できる。

一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている
。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。

一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１
を電気的に接続している。

なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一
部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護
することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表
示素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副
画素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び封止層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒ及び第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する
。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、第１の
発光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発
光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の
方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７
ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆っ
ている。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用い
ることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適
用することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等
の信頼性の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有す
る。

表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する
。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５
１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦ
ＰＣ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良
い。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜
を配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１６（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１６（Ａ）に図
示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体
層を、図１６（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用す
ることができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１６
（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜
等を含む半導体層を、図１６（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５
０３ｔに適用することができる。

なお、上述した発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ等）と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態１で例示した発光素子２２として用い
ることができる。

［構成例３］
図１７は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネ
ル５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部
５０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成
例２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様
の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１７（
Ａ）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出す
る。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して
、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは
、着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図１７（Ａ）
）。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５
９５を貼り合わせる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジス
タを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１７（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１７（Ａ）に図
示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１７（Ｂ）に図示するトランジスタ５
０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１７
（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１７
（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができ
る。

なお、上述した発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ等）と同一工程で作製した発
光素子を非表示部に設けることにより、実施の形態１で例示した発光素子２２として用い
ることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器が有する表示パネルに適用可能なタッチ
パネルの駆動方法の例について、図面を参照して説明する。

［センサの検知方法の例］
図１８（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１８
（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお図１８
（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極６２１、電流の変化を検知する電極６２２をそ
れぞれ、Ｘ１−Ｘ６、Ｙ１−Ｙ６のそれぞれ６本の配線として示している。また図１８（
Ａ）は、電極１２１および電極１２２が重畳することで形成される容量６０３を図示して
いる。なお、電極１２１と電極１２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。

パルス電圧出力回路６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路で
ある。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量６０３を形成する電極１
２１および電極１２２は電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量６０
３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出す
ることができる。

電流検出回路６０２は、容量６０３での相互容量の変化による、Ｙ１〜Ｙ６の配線での
電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触
により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は
、積分回路等を用いて行えばよい。

次いで図１８（Ｂ）には、図１８（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図１８（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図１８（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。

Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。

このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。

また、図１８（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量６０３のみを設けるパ
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図１９にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。

センサ回路は容量６０３と、トランジスタ６１１と、トランジスタ６１２と、トランジ
スタ６１３とを有する。トランジスタ６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソース又は
ドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量６０３の一方の電極およびトラン
ジスタ６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ６１１はソース又はドレインの
一方がトランジスタ６１２のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧Ｖ
ＳＳが与えられる。トランジスタ６１２はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソース又はドレ
インの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与
えられる。

続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジスタ６１３
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ６１１のゲートが接続されるノ
ードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次いで信号Ｇ２としてトランジスタ
６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。

続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量６０３の相互容量が変化するこ
とに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。

読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ６１２をオン状態とする電位を与える。ノー
ドｎの電位に応じてトランジスタ６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が
変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することが
できる。

トランジスタ６１１、トランジスタ６１２、トランジスタ６１３としては、チャネルが
形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特
にトランジスタ６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位
を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（
リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。

１０ 電子機器
１１ａ 支持体
１１ｂ 支持体
１１ｃ 支持体
１１ｄ 支持体
１１ｅ 支持体
１２ 接続部
１２ａ 中立線
１３ 表示パネル
１３＿１ 表示パネル
１３＿２ 表示パネル
１３ａ 表示部
１３ｂ 非表示部
１４ 検出手段
１５ ＦＰＣ
１６ 回路基板
１７ バッテリ
１８ 配線
２１ 受光素子
２２ 発光素子
２３ 光
２４ 領域
２５ 領域
３１ 部分
３２ 部分
３３ 部分
４１ 入力ボタン
４２ 電源ボタン
４３ 外部接続端子
４４ カードスロット
４５ 光学センサ
４６ カメラ
４７ 光源
４８ スピーカ
４９ マイク
５１ アンテナ
１２１ 電極
１２２ 電極
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０５ 作製基板
２０７ 剥離層
２３０ 発光素子
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３６０ 封止層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
６０１ パルス電圧出力回路
６０２ 電流検出回路
６０３ 容量
６１１ トランジスタ
６１２ トランジスタ
６１３ トランジスタ
６２１ 電極
６２２ 電極
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 封止層
８２４ 封止層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層

Claims (3)

1. 第１の支持体と、第２の支持体と、接続部と、可撓性を有する表示パネルと、検出手段と、を有し、
   前記第１の支持体と前記第２の支持体とは、前記接続部により接続され、
   前記表示パネルは、前記第１の支持体に固定される部分を有し、
   前記表示パネルは、前記第２の支持体に対して一方向に動くことができるように、前記第２の支持体に固定されることなく支持される部分を有し、
   前記検出手段は、複数の受光素子と、発光素子と、を有し、
   前記複数の受光素子は、前記表示パネルに設けられ、
   前記発光素子は、前記複数の受光素子に対向する前記第２の支持体に設けられ、
   前記検出手段は、前記複数の受光素子の各々が前記発光素子からの発光を検出することによって、前記表示パネルを折り曲げたときに変化する前記表示パネルと前記第２の支持体との相対位置を検出する機能を有し、
   前記検出手段の検出結果に基づき、前記表示パネルの表示を制御できる機能を有する、電子機器。
2. 第１の支持体と、第２の支持体と、接続部と、可撓性を有する表示パネルと、検出手段と、を有し、
   前記第１の支持体と前記第２の支持体とは、前記接続部により接続され、
   前記表示パネルは、前記第１の支持体に固定される部分を有し、
   前記表示パネルは、前記第２の支持体に対して一方向に動くことができるように、前記第２の支持体に固定されることなく支持される部分を有し、
   前記検出手段は、複数の受光素子と、発光素子と、を有し、
   前記第２の支持体は、第１の部分と、第２の部分と、第３の部分と、を有し、
   前記第１の部分は、前記表示パネルを支持する機能を有し、
   前記第２の部分は、前記表示パネルに対向する位置に設けられ、
   前記第３の部分は、前記第１の部分に対向する位置に設けられ、
   前記複数の受光素子は、前記表示パネルに設けられ、
   前記発光素子は、前記複数の受光素子に対向する前記第２の部分に設けられ、
   前記検出手段は、前記複数の受光素子の各々が前記発光素子からの発光を検出することによって、前記表示パネルを折り曲げたときに変化する前記表示パネルと前記第２の部分との相対位置を検出する機能を有し、
   前記検出手段の検出結果に基づき、前記表示パネルの表示を制御できる機能を有する、電子機器。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記複数の受光素子は、隣接する２つの受光素子の投影が互いに重なるように配置されている、電子機器。

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