JP7167204B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、物、方法、又は、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、
マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の
一態様は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製方法に関する。
特に、本発明の一態様は、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃ
ｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、照明装置
、又はそれらの作製方法に関する。

近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。

ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機
ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

特開２００３－１７４１５３号公報

例えば、可搬性を高めるために表示装置を小型化することで表示領域が狭くなると、一度
に表示できる情報量が減少し、一覧性が低下する。

本発明の一態様は、可搬性に優れた発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を
提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、一覧性に優れた発光装置、
表示装置、もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様
は、可搬性及び一覧性に優れた発光装置、表示装置、もしくは電子機器を提供することを
目的の一とする。

または、本発明の一態様は、繰り返し折り曲げ可能な発光装置、表示装置、電子機器、も
しくは照明装置を提供することを目的の一とする。

本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供する
ことを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機
器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もし
くは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い
発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、可撓性を有する発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明
装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、継ぎ目のない（又は
継ぎ目が少ない）広い発光領域を有する発光装置もしくは照明装置、又は継ぎ目のない広
い表示部を有する表示装置もしくは電子機器を提供することを目的の一とする。または、
本発明の一態様は、消費電力が低い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を
提供することを目的の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、連結部と、連結部を介して互いに離間する複数の発光ユニットと、を
有し、連結部及び発光ユニットは可撓性を有し、連結部は、発光ユニットよりも小さい曲
率半径で折り曲げることができる、発光装置である。

上記構成において、複数の発光ユニットの少なくとも一つは、連結部と隣り合わない辺側
から信号が供給されてもよい。または、上記構成において、複数の発光ユニットの少なく
とも一つは、無線通信により信号が供給されてもよい。

上記構成において、連結部に切り込みを有していてもよい。

上記構成において、連結部に開口部を有していてもよい。

また、上記各構成の発光装置を用いた電子機器や照明装置も本発明の一態様である。

本発明の一態様は、上記構成の発光装置と二次電池とを有する電子機器である。このとき
、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉ
ｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により
ＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは発光装置を有する場合がある。さらに、
照明器具等も、発光装置を含む場合がある。

本発明の一態様では、可搬性に優れた発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置
を提供できる。本発明の一態様では、一覧性に優れた発光装置、表示装置、もしくは電子
機器を提供できる。本発明の一態様では、可搬性及び一覧性に優れた発光装置、表示装置
、もしくは電子機器を提供できる。本発明の一態様では、繰り返し折り曲げ可能な発光装
置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供できる。

本発明の一態様では、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供す
ることができる。または、本発明の一態様では、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い発
光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発
明の一態様では、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供
することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子
機器、もしくは照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、可撓性
を有する発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。ま
たは、本発明の一態様では、継ぎ目のない広い発光領域を有する発光装置もしくは照明装
置、又は継ぎ目のない広い表示部を有する表示装置もしくは電子機器を提供できる。また
は、本発明の一態様では、消費電力が低い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明
装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光ユニットの一例を示す図。 発光ユニットの一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の一例及び発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。 タッチパネルの一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の装置について図１～図８を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置は、連結部と、連結部を介して互いに離間する複数の発光ユニ
ットと、を有し、連結部及び発光ユニットは可撓性を有し、連結部は、発光ユニットより
も小さい曲率半径で折り曲げることができる。また、本発明の一態様の表示装置は、連結
部と、連結部を介して互いに離間する複数の表示ユニットと、を有し、連結部及び表示ユ
ニットは可撓性を有し、連結部は、表示ユニットよりも小さい曲率半径で折り曲げること
ができる。

可撓性を有する発光装置や表示装置において、半導体素子、発光素子、表示素子等の機能
素子が含まれる領域を折り曲げた際に、これらの素子に大きな力が加わり、素子が壊れて
しまう場合がある。装置を折り曲げる際の曲率半径は、素子が壊れない範囲で設定しなく
てはならない。

本発明の一態様の発光装置（表示装置）は、発光ユニット（表示ユニット）よりも小さい
曲率半径で折り曲げることができる連結部を有する。連結部に曲げ線（折り線）が位置す
るように装置を折り曲げることで、折り曲げる際の曲率半径をより小さくすることができ
る。したがって、本発明の一態様を適用した発光装置や表示装置は、素子を破壊すること
なく、薄く折りたたむことができる。また、本発明の一態様を適用した表示装置は、展開
した際には一覧性に優れ、折りたたんだ際は薄型で可搬性に優れる。また、本発明の一態
様を適用した表示装置は、繰り返し折り曲げても破損しにくく、信頼性が高い。

連結部は少なくとも機能素子を有さないことが好ましい。連結部は曲げ性の高い材料及び
靱性が高い材料のみからなることが好ましい。特に、連結部に曲げ線が位置するように装
置を折り曲げる際の曲率半径が制限されないことが好ましい。

例えば、連結部は、可撓性基板を有していてもよい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する
程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。特に、靱性の高い材料である、
有機樹脂や、厚さの薄い金属もしくは合金を用いることで、ガラスを用いる場合に比べて
、装置の軽量化、破損防止を図ることができる。連結部には、後述する、発光パネルに用
いることができる可撓性基板の材料も、適用することができる。

例えば、連結部は、接着剤を有していてもよい。例えば、連結部にエポキシ樹脂を有する
ことが好ましい。また、連結部には、後述する、発光パネルの接着層や封止層に用いるこ
とができる材料も、適用することができる。

また、連結部には、他の曲げ性の高い又は靱性が高い有機膜や無機膜を適用してもよい。
例えば、シリコーンゴムなどを用いてもよい。

なお、上記構成において、発光ユニットは、可撓性を有していなくてもよい。例えば、複
数の発光ユニットの少なくとも一つが、可撓性を有していてもよく、すべてが可撓性を有
していてもよく、すべてが可撓性を有していなくてもよい。

以下では、本発明の一態様の発光装置を例に挙げて説明するが、発光装置に限定されず、
表示装置等の装置にも適用することができる。

図１（Ａ１）に、発光装置１００を展開した状態の平面図と、平面図における矢印の方向
から見た発光装置１００の側面図を示す。

図１（Ａ２）に、発光装置１００を折りたたんだ状態の平面図と、平面図における矢印の
方向から見た発光装置１００の側面図を示す。

発光装置１００は、１つの連結部１０３と、連結部１０３を介して互いに離間する２つの
発光ユニット１０１と、を有する。連結部１０３及び発光ユニット１０１は可撓性を有す
る。連結部１０３は、発光ユニット１０１よりも小さい曲率半径で折り曲げることができ
る。図１（Ａ２）に示すように、連結部１０３に曲げ線が位置するように発光装置１００
を折り曲げることで、発光ユニット１０１に含まれる素子を破壊することなく、発光装置
１００を薄く折りたたむことができる。２つの発光ユニット１０１の対向する面全面が接
する程度にまで、連結部１０３を折り曲げることができるため、発光装置１００を薄く折
りたたむことができる。

例えば、連結部１０３を折り曲げる際の曲率半径は、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下、３ｍｍ
以下、好ましくは１ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１
ｍｍ以下とすることができる。

なお、本明細書中では、発光ユニットの発光面（又は表示ユニットの表示面）が内側にな
るように曲げる場合を「内曲げ」、発光ユニットの発光面（又は表示ユニットの表示面）
が外側になるように曲げる場合を「外曲げ」と記す。また、発光ユニットや発光装置にお
ける発光面とは、発光素子からの光が取り出される面を指す。

本発明の一態様の発光装置は、内曲げ又は外曲げの少なくとも一方が可能であり、好まし
くは、両方が可能である。

連結部は単数であっても複数であってもよい。１つの連結部を介して２つ以上の発光ユニ
ットが離間してもよい。複数の連結部の大きさは、それぞれ異なっていてもよいし、同一
のものと異なるものの双方を含んでいてもよいし、すべて同一であってもよい。連結部の
幅（２つの発光ユニットの間隔）は、特に限定はなく、例えば、１０ｃｍ以下、５ｃｍ以
下、３ｃｍ以下、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下、３ｍｍ以下、又は２ｍｍ以下とすることが
できる。なお、１０ｃｍより広い幅で連結部を設けてもよい。

例えば、連結部１０３は、半導体素子、発光素子、表示素子、又は容量素子等の機能素子
や配線を有さない領域とすればよい。また、連結部１０３は、機能素子の上層又は下層に
位置する膜（保護膜、下地膜、層間絶縁膜等）も含まない領域としてもよい。また、連結
部１０３は、発光装置又は表示装置の最表面に位置する一対の基板、及び一対の基板の間
の接着層のみを有する領域としてもよい。また、連結部１０３は、発光装置又は表示装置
の最表面に位置する一対の基板、及び一対の基板の間の接着層に加え、曲げ性の高い膜（
絶縁膜、導電膜、半導体膜等）を有する領域としてもよい。

複数の発光ユニットの少なくとも一つは、連結部と隣り合わない辺側から信号が外部より
供給されてもよい。例えば、発光ユニットは発光部と駆動回路部を有していてもよい。

または、上記構成において、複数の発光ユニットの少なくとも一つは、無線通信により信
号が供給されてもよい。例えば、発光ユニットは発光部とアンテナを有していてもよい。
外部から信号が供給されることで、発光ユニットは、発光、又は画像や情報等の表示を行
うことができる。複数の発光ユニットは、それぞれ独立に、表示や発光を行ってもよいし
、互いに同期していてもよい。

また、発光ユニット又は発光装置は、スピーカを有していてもよい。これにより、発光装
置は、外部から供給された信号に応じて、音声を再生することができる。

図１（Ｂ１）に、発光装置１１０を展開した状態の平面図と、平面図における矢印の方向
から見た発光装置１１０の側面図を示す。

図１（Ｂ２）に、発光装置１１０を折りたたんだ状態の平面図と、平面図における矢印の
方向から見た発光装置１１０の側面図を示す。

発光装置１１０は、２つの連結部１０３と、連結部１０３を介して互いに離間する３つの
発光ユニット１０１と、を有する。連結部１０３及び発光ユニット１０１は可撓性を有す
る。連結部１０３は、発光ユニット１０１よりも小さい曲率半径で折り曲げることができ
る。連結部１０３は、それぞれ、２つの発光ユニット１０１の間に位置する。

このように、本発明の一態様の発光装置は、ｎ個の連結部１０３と、連結部を介して互い
に離間する（ｎ＋１）個の発光ユニット１０１と、を有する（ｎは１以上の整数）。連結
部１０３に曲げ線が位置するように発光装置を折り曲げることで、発光ユニット１０１に
含まれる素子を破壊することなく、発光装置１１０を１つの発光ユニット１０１の大きさ
にまで小さく折りたたむことができる。このように、本発明の一態様の発光装置は、折り
たたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、広い発光領域により表示の一覧性に
優れる。

また、図１（Ｃ）では、１つの連結部１０３を介して互いに離間する４つの発光ユニット
１０１を有する発光装置を示す。

一定の曲率半径まで折り曲げ可能な発光ユニットであっても、二方向以上に曲げる際に、
一方向への曲げ線と他方向への曲げ線とが交わる領域に大きな力が加わり、当該領域にお
いて素子が壊れてしまう場合がある。しかし、本発明の一態様の発光装置では、発光ユニ
ットよりも小さい曲率半径で折り曲げることができる連結部を有する。連結部に曲げ線、
さらには、二方向以上の曲げ線が交わる領域が位置するように装置を折り曲げることで、
素子が壊れることを抑制し、かつ、折り曲げる際の曲率半径をより小さくすることができ
る。

図１（Ｄ）には、１つの連結部１０３を介して互いに離間する３つの発光ユニット１０１
を有する発光装置を示す。３つの発光ユニット１０１のうち、２つは同じ大きさであり、
１つは異なる大きさである。本発明の一態様において、複数の発光ユニット１０１の大き
さは、すべて異なっていてもよいし、一部が同一であってもよいし、すべてが同一であっ
てもよい。

図１（Ｅ）には、５つの連結部１０３を介して互いに離間する６つの発光ユニット１０１
を有する発光装置を示す。本発明の一態様において、発光装置の平面形状に限定はなく、
例えば、角形、円形等とすることができる。さらに、発光ユニットの平面形状にも限定は
なく、例えば、角形、円形等とすることができる。

図２（Ａ１）に、発光装置１２０を展開した状態の平面図と、平面図における矢印の方向
から見た発光装置１２０の側面図を示す。発光装置１２０は、１つの連結部１０３と、連
結部１０３を介して互いに離間する２つの発光ユニット１０１と、を有する。各発光ユニ
ット１０１は、発光部１０５を有する。

図２（Ａ２）、（Ａ３）に、発光装置１２０を折りたたんだ状態の平面図と、平面図にお
ける矢印の方向から見た発光装置１２０の側面図を示す。具体的には、図２（Ａ２）では
、発光面が内側になるように連結部を内曲げとした場合を示し、図２（Ａ３）では、発光
面が外側になるように連結部を外曲げとした場合を示す。

本発明の一態様の発光装置を使用しない際に、発光ユニットの発光面が内側になるように
曲げることで、発光面にキズや汚れがつくことを抑制できる。

本発明の一態様の発光装置を使用する際には、展開することで、すべての発光ユニットを
用いてもよいし、発光ユニットの発光面が外側になるように曲げることで、発光ユニット
の一部を用いてもよい。折りたたまれ、使用者にとって見えない発光ユニットを非発光状
態とすることで、発光装置の消費電力を抑制できる。

図２（Ｂ１）に、発光装置１３０を展開した状態の平面図と、平面図における矢印の方向
から見た発光装置１３０の側面図を示す。発光装置１３０は、１つの連結部１０３と、連
結部１０３を介して互いに離間する２つの発光ユニット１０１と、を有する。各発光ユニ
ット１０１は、発光部１０５及び駆動回路部１０７を有する。

複数の発光ユニットの少なくとも一つは、連結部と隣り合わない辺と発光部との間に、駆
動回路部を有していてもよい。駆動回路部１０７の位置が異なる変形例として、図２（Ｃ
）に、発光装置１４０を展開した状態の平面図と、平面図における矢印の方向から見た発
光装置１４０の側面図を示す。

図２（Ｂ２）、（Ｂ３）に、発光装置１３０を折りたたんだ状態の平面図と、平面図にお
ける矢印の方向から見た発光装置１３０の側面図を示す。具体的には、図２（Ｂ２）では
、発光面が内側になるように連結部を内曲げとした場合を示し、図２（Ｂ３）では、発光
面が外側になるように連結部を外曲げとした場合を示す。

図２（Ｂ４）に、連結部１０３を折り曲げて発光装置１３０を展開した状態の平面図と、
平面図における矢印の方向から見た発光装置１３０の２通りの側面図と、を示す。特に、
２通りの側面図のうち、上側の側面図に示す構成は、２つの発光部１０５の間隔をより狭
くすることができるため好ましく、下側の側面図に示す構成は、２つの発光部１０５間の
段差をより低くすることができるため好ましい。

連結部１０３を折り曲げることで、連結部１０３を介して互いに離間する発光ユニット１
０１の間隔が狭くなり、表示の分離感を抑制できるため、好ましい。特に、発光装置１３
０のように、発光部１０５と連結部１０３の間の距離が短いほど、連結部１０３を折り曲
げた際に発光ユニット１０１の間隔を狭くすることができるため、好ましい。具体的には
、連結部１０３と発光部１０５の間の距離は、１０ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以下が特
に好ましい。

なお、本発明の一態様の発光装置は、連結部以外の場所で折り曲げてもよい。連結部と、
連結部以外の場所と、の双方で折り曲げる例を以下に示す。なお、本発明の一態様の発光
装置を、連結部以外の場所でのみ折り曲げてもよい。

図３（Ａ）に、発光装置１５０を展開した状態の平面図を示す。図２（Ｂ４）と同様に、
連結部１０３を２回折り曲げて（山折りと谷折りをして）発光装置１５０を展開してもよ
い。発光装置１５０は、１つの連結部１０３と、連結部１０３を介して互いに離間する２
つの発光ユニット１０１と、を有する。各発光ユニット１０１は、発光部１０５及び駆動
回路部１０７を有する。

図３（Ｂ）に、連結部１０３を折り曲げることで、発光装置１５０を２つ折りにした状態
の平面図と、平面図における矢印の方向から見た発光装置１５０の側面図２つと、を示す
。図３（Ｂ）では、図３（Ａ）に示す曲げ線Ｌ１に沿って発光装置１５０を折り曲げた例
を示す。

図３（Ｃ）に、発光ユニット１０１を折り曲げることで、発光装置１５０をさらに２つ折
りにした状態の平面図と、平面図における矢印の方向から見た発光装置１５０の側面図を
示す。図３（Ｃ）では、図３（Ａ）に示す曲げ線Ｌ２に沿って発光装置１５０を折り曲げ
た例を示す。

変形例として、図３（Ｄ）、（Ｅ）に、発光ユニット１０１を折り曲げることで、発光装
置１５０をさらに３つ折りにした状態の平面図と、平面図における矢印の方向から見た発
光装置１５０の側面図を示す。図３（Ｄ）では、図３（Ａ）に示す曲げ線Ｌ３に沿って発
光装置１５０を折り曲げた例を示す。

連結部１０３のない発光装置１５０を二方向に折り曲げ、四つ折り以上にする場合、一定
の曲率半径まで折り曲げ可能な発光ユニットであっても、二方向の曲げ線が交わる領域に
大きな力が加わり、当該領域において素子が壊れてしまう場合がある。しかし、本発明の
一態様の発光装置では、発光ユニットよりも小さい曲率半径で折り曲げることができる連
結部を有する。連結部に少なくとも一方の曲げ線、さらには、二方向の曲げ線が交わる領
域が位置するように装置を折り曲げることで、素子が壊れることを抑制し、かつ、折り曲
げる際の曲率半径をより小さくすることができる。

図４（Ａ）に、発光装置１６０を展開した状態の平面図を示す。発光装置１６０は、１つ
の連結部１０３と、連結部１０３を介して互いに離間する４つの発光ユニット１０１と、
を有する。各発光ユニット１０１は、発光部１０５及び駆動回路部１０７を有する。また
、図４（Ｄ）に示すように、連結部１０３を山折り及び谷折りして、使用者から連結部１
０３が視認されにくいように発光装置１６０を展開してもよい。これにより、複数の発光
ユニット１０１間の間隔を狭くすることができ、表示の分離感を抑制できる。

図４（Ｂ）に、連結部１０３を折り曲げることで、発光装置１６０を２つ折りにした状態
の平面図と、平面図における矢印の方向から見た発光装置１６０の側面図と、を示す。図
４（Ｂ）では、図４（Ａ）に示す曲げ線Ｌ４に沿って発光装置１６０を折り曲げた例を示
す。

図４（Ｃ）に、連結部１０３を折り曲げ、図４（Ｂ）に示す発光装置１６０をさらに２つ
折りにした状態の平面図と、平面図における矢印の方向から見た発光装置１６０の側面図
と、を示す。図４（Ｃ）では、図４（Ａ）に示す曲げ線Ｌ５に沿って発光装置１６０を折
り曲げた例を示す。

連結部に二方向の曲げ線、さらには、二方向の曲げ線が交わる領域が位置するように装置
を折り曲げることで、素子が壊れることを抑制し、かつ、折り曲げる際の曲率半径をより
小さくすることができる。

図５（Ａ）に、連結部１０３に開口部１０９を有する発光装置１７０を示す。二方向の曲
げ線が交わる領域では連結部１０３を構成する層に大きな力がかかりやすい。例えば、連
結部１０３に含まれる可撓性基板などにクラックが生じる場合がある。そこで、二方向の
曲げ線が交わる領域など、発光装置を折りたたむ際に力が加わりやすい領域に開口部を設
けることが好ましい。これにより、当該領域でのクラックの発生等を抑制でき、発光装置
の信頼性を高めることができる。

開口部の位置、形状、大きさに限定はなく、例えば、連結部や、発光ユニットにおける素
子が設けられていない領域に、円形、角形等の開口部を設ければよい。１つの発光装置が
有する開口部の数は単数であっても複数であってもよい。

図５（Ｂ）に、連結部１０３に切り込み１１１を有する発光装置１７１を示す。図５（Ｃ
）に、連結部１０３に切り込み１１１よりも広い切り込み１１３を有する発光装置１７２
を示す。例えば、発光装置を二方向に折り曲げ、四つ折りにする場合、２回目の折り曲げ
の際に、発光装置を二重に重ねて曲げることになる。二重に重ねて曲げた位置や、二方向
の曲げ線が交わる領域などには、大きな力がかかり、発光装置を構成する層（基板や接着
層、素子など）が破損する場合がある。連結部１０３に切り込みを形成することで、２方
向以上発光装置を折り曲げた際に、発光装置に大きな力がかかり発光装置が破損すること
を抑制できる。

切り込みの範囲に限定はなく、例えば、発光装置の端部から二方向の曲げ線が交わる領域
までであってもよい。切り込みの位置、形状、大きさに限定はなく、例えば、連結部や、
発光ユニットにおける素子が設けられていない領域に設ければよい。１つの発光装置が有
する切り込みの数は単数であっても複数であってもよい。

図５（Ｄ）に、連結部１０３に切り込み１１１及び開口部１１５を有する発光装置１７３
を示す。発光装置が切り込みと開口部の双方を有する場合、切り込みと開口部はつながっ
ていてもよいし、それぞれ独立に設けられていてもよい。

また、本発明の一態様の発光装置は、折り曲げることで、互いに平行でない連続した二つ
以上の面に発光ユニットを配置することができ、立体形状の発光領域を実現できる。

図６（Ａ１）に、展開した状態の発光装置１８０を示し、図６（Ａ２）に、連結部１０３
を折り曲げて発光領域を立体形状とした状態の発光装置１８０を示す。図６（Ａ２）では
、連結部１０３を山折り及び谷折りして、連結部１０３を介して互いに離間する発光ユニ
ット１０１の間隔を狭めた場合を示す。発光装置１８０は、２つの連結部１０３と、連結
部１０３を介して互いに離間する３つの発光ユニット１０１と、を有する。

図６（Ｂ１）に、連結部１０３を折り曲げて発光領域を立体形状とした状態の発光装置１
８１を示し、図６（Ｂ２）に、図６（Ｂ１）に示す発光装置１８１の背面図を示す。

発光装置１８１は、２つの連結部１０３と、一方の連結部１０３を介して互いに離間する
２つの発光ユニット１０１ａ、１０１ｂと、他方の連結部１０３を介して発光ユニット１
０１ｂと離間する基材１６１と、を有する。図６（Ｂ１）では、連結部１０３を山折り及
び谷折りして、連結部１０３を介して互いに離間する発光ユニット１０１ａ、１０１ｂの
間隔を狭めた場合を示す。

本発明の一態様の発光装置は、発光ユニット以外のユニットが連結部を介して接続してい
てもよい。例えば、２種類以上の発光ユニットや、表示ユニットであってもよいし、支持
基材であってもよいし、カメラ、キーボード、タッチパネル等を有するユニットであって
もよい。また、連結部を介さず、これらのユニット（発光ユニット、表示ユニット、支持
基材等）が接続されていてもよい。

また、発光ユニット１０１ａは、二次電池１６３及びアンテナ１６５を有する。アンテナ
１６５は発光ユニット１０１ａの側面に位置する例を示したが、これに限られず、発光面
や発光面と対向する面に位置していてもよい。二次電池１６３を配置する位置も限定され
ない。

本発明の一態様の電子機器は、発光装置と二次電池とを有していてもよい。このとき、非
接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。電子機器は、二次
電池を発光ユニット内や発光装置内に有していてもよいし、別のユニット内や装置内に有
していてもよい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオ
ンポリマー電池）等のリチウム電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電
池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが
挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、発光装置とアンテナとを有していてもよい。アンテナで信
号を受信することで、発光ユニットで発光、又は映像や情報等の表示を行うことができる
。電子機器は、アンテナを発光ユニット内や発光装置内に有していてもよいし、別のユニ
ット内や装置内に有していてもよい。また、電子機器が二次電池を有する場合、アンテナ
を、非接触電力伝送に用いてもよい。

また、図６（Ｃ）に示す切り込みを有する発光装置１８２を折り曲げることで、互いに平
行でない連続した二つ以上の面に発光ユニットを配置することができ、立体形状の発光領
域を実現できる。

また、図６（Ｄ１）、（Ｄ２）に示す発光装置１８３のように、発光ユニット１０１が可
撓性を有する場合、曲面の発光領域を実現することができる。

図７（Ａ１）に、本発明の一態様の発光装置１８４を示す。発光装置１８４は、発光部１
０５を含む発光ユニット１０１を有する。発光装置１８４の四つの角を中心へ向けて折り
曲げた状態を図７（Ａ２）に示す。

発光装置１８４には、半導体素子や発光素子が含まれるため、折り曲げる際の曲率半径は
、素子が壊れない範囲で設定することが好ましい。

図７（Ｂ）～（Ｄ）に、本発明の一態様の発光装置１８５、発光装置１８６、及び発光装
置１８７を示す。これらの発光装置の四つの角を中心へ向けて折り曲げる際に、連結部１
０３に曲げ線が位置するため、発光装置１８４に比べて小さな曲率半径で発光装置を折り
たたむことができる。つまり、連結部を設けることで、より薄型で可搬性に優れた発光装
置とすることができる。なお、発光装置１８６は、８つ折りにできる例である。各発光ユ
ニットはアンテナを有し、無線通信で受信した信号に基づいて表示を行ってもよい。

図８に、本発明の一態様の発光装置の例を示す。図８（Ａ）は正四面体状の発光装置１９
０である。図８（Ｂ）は、正六面体状の発光装置１９１である。図８（Ｃ）は四角錐状の
発光装置１９２である。図８（Ｄ）は、正十二面体状の発光装置１９３である。図８（Ｅ
）は、正二十面体状の発光装置１９４である。各発光装置は、少なくとも一面に発光ユニ
ットを有していればよい。各発光装置は、二面以上に発光ユニットを有していてもよい。
特に、各発光装置は、互いに平行でない連続した二つ以上の面に発光ユニットを有するこ
とで、立体形状の発光領域を実現できる。各発光装置は、本発明の一態様を適用すること
で、展開して用いることができてもよい。これにより、表示の一覧性が高まる。各発光装
置は、本発明の一態様を適用することで、展開した後、折りたたむことができてもよい。
これにより、可搬性が高まる。１つの発光ユニットは、一面にのみ配置されていてもよい
し、二面以上にわたって配置されていてもよい。一面につき１つの発光ユニットが配置さ
れており、隣り合う面の境界が連結部で構成されていると、より小さな曲率半径で折り曲
げが可能となる。また、連結部を山折り及び谷折りすることで、隣り合う面どうしが有す
る発光ユニットを接することができ、表示の分離感が抑制された立体的な発光領域を実現
できる。また、１つの発光ユニットが二面以上にわたって配置されていると、継ぎ目のな
い立体的な発光領域を実現できる。

なお、本発明の一態様の発光装置に用いる発光ユニットの可撓性は問わない。また、本発
明の一態様の発光装置に用いる発光ユニットは、タッチセンサ及び発光素子を有するタッ
チパネルであってもよい。

本発明の一態様は、発光ユニットを有する発光装置だけでなく、表示ユニットを有する表
示装置にも適用することができる。このとき、表示ユニットの可撓性は問わない。また、
本発明の一態様の表示装置に用いる表示ユニットは、タッチセンサ及び表示素子を有する
タッチパネルであってもよい。

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な
素子を有することができる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、Ｅ
Ｌ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白
色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発
光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーテ
ィングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マ
イクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラ
ーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、干渉変調（ＩＭＯ
Ｄ）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレク
トロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた
表示素子などの少なくとも１つを有している。これらの他にも、電気的又は磁気的作用に
より、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい
。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素
子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又
はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示
装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディス
プレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）
などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置
の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液
晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部又は全部が、反射電極としての機能
を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部又は全部が、アルミニウム、銀など
を有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回
路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

例えば、本明細書等において、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有する
アクティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用
いることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな
能動素子を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍ
ｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能で
ある。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上
を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向
上させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。

パッシブマトリクス方式では、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コスト
の低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子を用いないため、開
口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。

なお、ここでは、表示装置を用いて、様々な表示を行う場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例として
は、表示装置のかわりに、照明装置として用いてもよい。照明装置に適用することにより
、デザイン性に優れたインテリアとして、活用することができる。または、様々な方向を
照らすことができる照明として活用することができる。または、表示装置のかわりに、バ
ックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、表示パネルのため
の照明装置として活用してもよい。

以上のように、本発明の一態様を適用することで、機能素子等を含まない連結部を有し、
小さい曲率半径で折り曲げ可能な発光装置を実現できる。本発明の一態様の発光装置は、
展開した状態では、表示の一覧性に優れ、折りたたんだ状態では、薄型で、可搬性、携帯
性に優れる。また、本発明の一態様を適用した発光装置は、破損しにくく信頼性が高い。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用することができる発光パネルの構成と、本発明
の一態様の発光装置の作製方法について説明する。

本発明の一態様において、発光ユニットの可撓性は問わないが、可撓性を有していること
が好ましい。本実施の形態で例示する発光パネルは、本発明の一態様の発光装置における
発光ユニットに適用することができる。

本実施の形態で例示するフレキシブルな発光パネルを曲げた際、発光パネルにおける最も
小さい曲率半径は、１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下、１ｍｍ以上
１０ｍｍ以下、又は２ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることができる。発光パネルを曲げる方向
は問わない。また、曲げる箇所は１か所であっても２か所以上であってもよく、例えば、
発光パネルを二つ折りや三つ折りにする、又は四つ以上に折りたたむことができる。

＜具体例１＞
図９（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図９（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断
面図の一例を図９（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光パネルは、カラーフィルタ方式を用
いたトップエミッション型の発光パネルである。本実施の形態において、発光パネルは、
例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適
用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、
イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。

図９（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉ
ｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路
部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び封止層８２
３によって封止されている。

図９（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラ
ンジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１
、封止層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３、
接着層８４１、及び基板８０３を有する。封止層８２３、オーバーコート８４９、絶縁層
８４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１
と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する
。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光
を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる
遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で覆
われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は封止層８２３で充填されてい
る。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図９（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つ
のトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層８
４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層８
４３に透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物
が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐ
ため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工
程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成す
る電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図９（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８２
５は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶
縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５
はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電
気的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口する
（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ
８０８を電気的に接続させることができる。

具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子
８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１
３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示し
ている。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８４３、着色層８４５及
び遮光層８４７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８４１を用いて基板８０３上に絶
縁層８４３、着色層８４５及び遮光層８４７を転置することで作製できる発光パネルを示
している。

基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高温をかけるこ
とが難しいため、該基板上にトランジスタや絶縁層を作製する条件に制限がある。また、
発光パネルの基板に透水性が高い材料（樹脂など）を用いる場合、基板と発光素子の間に
、高温をかけて、透水性の低い膜を形成することが好ましい。本実施の形態の作製方法で
は、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、信頼
性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、それら
を基板８０１や基板８０３へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。
これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを
実現できる。作製方法の詳細は後述する。

＜具体例２＞
図９（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図９（Ｂ）における一点鎖線Ａ３－Ａ４間の断
面図の一例を図９（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光パネルは、具体例１とは異なる、カ
ラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光パネルである。ここでは、具体例
１と異なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図９（Ｄ）に示す発光パネルは、図９（Ｃ）に示す発光パネルと下記の点で異なる。

図９（Ｄ）に示す発光パネルは、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ８
２７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図９（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。接続
体８２５が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁層
８４３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電
層８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材料
が制限されない。

＜具体例３＞
図１０（Ａ）に発光パネルの平面図を示し、図１０（Ａ）における一点鎖線Ａ５－Ａ６間
の断面図の一例を図１０（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光パネルは、塗り分け方式を用
いたトップエミッション型の発光パネルである。

図１０（Ａ）に示す発光パネルは、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有
する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０
１、基板８０３、枠状の封止層８２４、及び封止層８２３によって封止されている。

図１０（Ｃ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２
１、封止層８２３、枠状の封止層８２４、及び基板８０３を有する。封止層８２３及び基
板８０３は可視光を透過する。

枠状の封止層８２４は、封止層８２３よりもガスバリア性が高い層であることが好ましい
。これにより、外部から水分や酸素が発光パネルに侵入することを抑制できる。したがっ
て、信頼性の高い発光パネルを実現することができる。

具体例３では、封止層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光パネルから取り出され
る。したがって、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて透光性が高いことが好ま
しい。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて屈折率が高いことが好ましい
。また、封止層８２３は、枠状の封止層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこと
が好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１
と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する
。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光
を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図１０（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に
透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵入
することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。

図１０（Ｃ）に示す発光パネルでは、接続体８２５が基板８０３上に位置する。接続体８
２５は、基板８０３、封止層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口
を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続してい
る。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

具体例３では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子
８３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１
３やトランジスタ８２０、発光素子８３０を転置することで作製できる発光パネルを示し
ている。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけて、
信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして、そ
れらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これによ
り、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現でき
る。

＜具体例４＞
図１０（Ｂ）に発光パネルの平面図を示し、図１０（Ｂ）における一点鎖線Ａ７－Ａ８間
の断面図の一例を図１０（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光パネルは、カラーフィルタ方
式を用いたボトムエミッション型の発光パネルである。

図１０（Ｄ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のト
ランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１
７ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、封止層８２３、及び基板８０３を
有する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及
び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８
１７ｂ上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上
部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている
。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過す
る。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければ
よい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図１０（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に
透水性の低い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。

具体例４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３やトランジスタ８２０、発光素子
８３０等を作製し、該作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８
１３やトランジスタ８２０、発光素子８３０等を転置することで作製できる発光パネルを
示している。耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行えるため、高温をかけ
て、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い膜を形成することができる。そして
、それらを基板８０１へと転置することで、信頼性の高い発光パネルを作製できる。これ
により、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ信頼性の高い発光パネルを実現
できる。

＜具体例５＞
図１０（Ｅ）に具体例１～４とは異なる発光パネルの例を示す。

図１０（Ｅ）に示す発光パネルは、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８
１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、封止層８２３
、及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電
気的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部
電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッショ
ン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電
極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と
電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、
凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板
上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を
有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気
的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設
けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は、
例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．
５μｍ以下である。

上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、ＥＬ層８３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と
該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。

具体例５では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層８１３や発光素子８３０等を作製し、該
作製基板を剥離し、接着層８１１を用いて基板８０１上に絶縁層８１３や発光素子８３０
等を転置することで作製できる発光パネルを示している。耐熱性の高い作製基板上で、高
温をかけて、十分に透水性の低い膜を形成し、基板８０１へと転置することで、信頼性の
高い発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、
且つ信頼性の高い発光パネルを実現できる。

＜材料の一例＞
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明
した構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光
素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚
さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光パネルを軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損
しにくい発光パネルを実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしく
は合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにく
い発光パネルを実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パネ
ルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基
板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下である
ことがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム
、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適
に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなることを抑
制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放
射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造
としてもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光パネルとすることがで
きる。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板
を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ま
しくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対
する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０
μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機
樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、
機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基
板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光パネルとすることがで
きる。

接着層や封止層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接
着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として
はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、
ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿
性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等
を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光パネルの信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラン
ジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型
又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半
導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、
Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一
つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（
Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層
８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度
が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機Ｅ
Ｌ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型の
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光
する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。

発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これによ
り、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制
できる。

透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^－５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下
、好ましくは１×１０^－６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^－７［ｇ
／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^－８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とする
。

透水性の低い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及
び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低
誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させる
ことで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁
層８２１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することがで
きる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる
各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることがで
きる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とす
ることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２
７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光パネルに用
いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミ
ニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用
いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物
を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）
、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ
_２Ｏ_３－ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いる
ことができる。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を
遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層
と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発
光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む
樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部な
どの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため
好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オー
バーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜
、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いる
ことができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、封止層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として
封止層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコー
トとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜
を用いることが好ましい。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、
熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例
えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用い
ることが好ましい。

＜発光装置の作製方法例＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法を図１１～図１８を用いて例示する。

本実施の形態で作製する発光装置の平面図を図１１（Ａ）に示す。図１１（Ａ）における
一点鎖線Ｍ１－Ｍ２間及びＮ１－Ｎ２間の断面の一例を図１１（Ｂ）に示す。また、図１
１（Ａ）における一点鎖線Ｍ１－Ｍ２間の断面の変形例を図１７（Ａ）、（Ｂ）にそれぞ
れ示す。

図１１（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４及び駆動回路部８０６をそれぞれ有する２
つの発光ユニット８８１と、該２つの発光ユニット８８１の間の連結部８０９と、を有す
る。

図１１（Ｂ）、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示す発光ユニット８８１は、発光部８０４及び駆
動回路部８０６にオーバーコート８４９を有していない点以外は、具体例１（図９（Ｃ）
）に示した発光パネルの構成と同様である。

図１１（Ｂ）に示す連結部８０９は、基板８０１、基板８０３、及び接着層８４１からな
る。

図１７（Ａ）に示す連結部８０９は、基板８０１、基板８０３、絶縁層８１３、トランジ
スタのゲート絶縁層、絶縁層８１５、封止層８２３、絶縁層８４３、接着層８１１、及び
接着層８４１からなる。

図１７（Ｂ）に示す連結部８０９は、基板８０１、基板８０３、絶縁層８１３、トランジ
スタのゲート絶縁層、絶縁層８１５、絶縁層８１７、封止層８２３、遮光層８４７、絶縁
層８４３、接着層８１１、及び接着層８４１からなる。

本実施の形態では、連結部８０９が半導体素子、発光素子、表示素子、又は容量素子等の
機能素子や配線を有さない。これにより、連結部８０９を折り曲げた際に、機能素子が破
壊されることを抑制できる。また、連結部８０９は曲げ性の高い材料のみからなることが
好ましい。絶縁層８１３、トランジスタのゲート絶縁層、絶縁層８１５、絶縁層８１７、
遮光層８４７、絶縁層８４３等が曲げ性の高い層である場合は、図１７（Ａ）、（Ｂ）の
ように、連結部８０９に含まれていてもよい。

以下では、図１１（Ｂ）に示す発光装置を作製する方法の一例を説明する。この方法によ
り、具体例１、２（図９（Ｃ）、（Ｄ））等も作製することができる。

まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層８１３を形成
する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ（トランジスタ８２０等）、導電層８
５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子（発光素子８３０等）、及び絶縁層
８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出するように、絶縁層８２１、絶縁層８１７
、及び絶縁層８１５は開口する。ここでは、露出した導電層８５７上に、発光素子のＥＬ
層と同一材料、同一工程でＥＬ層８６２を形成し、ＥＬ層８６２上に、発光素子の上部電
極と同一材料、同一工程で導電層８６４を形成する（図１２（Ａ））。なお、ＥＬ層８６
２及び導電層８６４は設けなくてもよい。

また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層８４３を形成
する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７及び着色層８４５を形成する（図１２（Ｂ）
）。なお、ここでは図示しないが、図９（Ｂ）に示すように、遮光層８４７及び着色層８
４５を覆うオーバーコートを設けてもよい。

図１２（Ａ）、（Ｂ）では、発光ユニット１つにつき島状の剥離層を１つ、各作製基板上
に形成する。各作製基板に形成する剥離層の形状は同一であってもよいし、異なっていて
もよい。図１３（Ａ）では、剥離層２０３と剥離層２２３の大きさが同じ場合を示す。な
お、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７、絶縁層８４３等も同様に島状に形成し
てもよい。例えば、作製基板は、剥離層と重なる領域にのみ被剥離層が形成され、剥離層
が設けられていない領域には何も形成されていなくてもよい。なお、剥離層上に形成した
各層をまとめて被剥離層と記す場合がある。例えば、図１２（Ａ）における、絶縁層８１
３から発光素子８３０（又は導電層８６４）までを被剥離層と呼ぶことができる。

なお、図１７（Ｃ）等を用いて後述するが、本発明の一態様において、複数の発光ユニッ
トに対し１つの島状の剥離層を形成してもよい。

この工程では、作製基板から被剥離層を剥離する際に、作製基板と剥離層の界面、剥離層
と被剥離層の界面、又は剥離層中で剥離が生じるような材料を選択する。本実施の形態で
は、絶縁層８１３と剥離層２０３の界面、及び絶縁層８４３と剥離層２２３の界面で剥離
が生じる場合を例示するが、剥離層や被剥離層に用いる材料の組み合わせによってはこれ
に限られない。なお、被剥離層が積層構造である場合、剥離層と接する層を特に第１の層
と記す場合がある。例えば、第１の層は、単層の絶縁層８１３、又は、積層構造である絶
縁層８１３に含まれる、剥離層と接する層を指す。

作製基板には、少なくとも作製行程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる
。作製基板としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラ
ミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。

なお、量産性を向上させるため、作製基板として大型のガラス基板を用いることが好まし
い。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×７２０
ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７
３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（１５０
０ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２０
０ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０
５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこれより
も大型のガラス基板を用いることができる。

また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温度
が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（Ｂ
ａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。

作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸化
窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス
基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３及び剥離層２２３は、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタン、タン
タル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料
、又は該元素を含む化合物材料を用いた、単層又は積層された層とすることができる。シ
リコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化ア
ルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ
酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい
。剥離層に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、被剥
離層の形成工程の自由度が高まるため好ましい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。剥離層の
厚さは、例えば０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、又は２０ｎｍ以上とすることができる。
また、剥離層の厚さは、例えば２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、１０ｎｍ未満、５ｎｍ
以下とすることができる。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデ
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能であ
る。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、
レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして
、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高い
エネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行
うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作
製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。

当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製
工程で基板に高温をかけることができない。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタ
は、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。

なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、
被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。

または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層
を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

被剥離層として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層として、剥離
層２０３上に接する絶縁層８１３、絶縁層８１３上の機能素子等を作製する。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。

その後、作製基板２２１の着色層８４５等が設けられた面又は作製基板２０１の発光素子
８３０等が設けられた面に封止層８２３の材料を配置し、封止層８２３を介して該面同士
が対向するように、作製基板２０１及び作製基板２２１を貼り合わせ、封止層８２３を硬
化させる（図１３（Ａ））。ここでは、枠状の隔壁８２８と、隔壁８２８の内側の封止層
８２３とを設けた後、作製基板２０１と作製基板２２１とを、対向させ、貼り合わせる。

なお、作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好まし
い。

封止層８２３は剥離層２０３、被剥離層、及び剥離層２２３と重なるように配置する。封
止層８２３が先に剥離したい側の剥離層と重ならない領域を有すると、その領域の広さや
、封止層８２３と接する層との密着性によって、剥離不良が生じやすくなる場合がある。
したがって、封止層８２３の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の少なくとも一方（
先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。なお、封止層８２３の
端部と剥離層の端部とが重なっていてもよい。これにより、作製基板２０１と作製基板２
２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制でき
る。

本実施の形態では、枠状の隔壁８２８を設け、隔壁８２８に囲まれた内部に封止層８２３
を充填する。これにより、剥離層の外側に封止層８２３が広がること、さらには、剥離工
程の歩留まりが低下することを抑制できる。そして、剥離工程の歩留まりを向上させるこ
とができる。

特に、剥離層の端部よりも内側に枠状の隔壁８２８の端部が位置することが好ましい。枠
状の隔壁８２８の端部が剥離層の端部よりも内側に位置することで、封止層８２３の端部
も剥離層の端部よりも内側に位置することができる。なお、隔壁８２８と剥離層の端部が
重なっていてもよい。

隔壁８２８と封止層８２３の形成順序は問わない。例えば、スクリーン印刷法等を用いて
封止層８２３を形成した後、塗布法等を用いて隔壁８２８を形成してもよい。または、塗
布法等を用いて隔壁８２８を形成した後、ＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）方式の
装置等を用いて封止層８２３を形成してもよい。

なお、隔壁８２８は必要でなければ設けなくてもよい。封止層８２３の流動性が低い、封
止層８２３として接着シートを用いる、などの理由で、封止層８２３が剥離層の外側に広
がらない（広がりにくい）場合は、隔壁８２８を設けなくてよい。

隔壁８２８に用いることができる材料は、封止層８２３に用いることができる材料と同様
である。

隔壁８２８は、封止層８２３が剥離層の外側に流れることをせき止められれば、硬化状態
、半硬化状態、未硬化状態のいずれであってもよい。隔壁８２８が硬化状態であると、剥
離後に、被剥離層を封止層８２３とともに封止する層として用いることができ、大気中の
水分の侵入による機能素子の劣化を抑制することができる。なお、隔壁８２８を硬化状態
とするときは、剥離工程の歩留まりの低下を防ぐため、隔壁８２８の端部が剥離層の端部
よりも外側に位置しないようにすることが好ましい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する。

作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさや厚さ
が異なる場合、大きい又は厚い剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい又は
薄い剥離層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素
子、表示素子等の機能素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよい
し、他方の基板から剥離してもよい。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す
。

レーザ光は、硬化状態の封止層８２３又は硬化状態の隔壁８２８と、被剥離層と、剥離層
２０３とが重なる領域に対して照射する。隔壁８２８が硬化状態である場合、隔壁８２８
と、被剥離層と、剥離層２０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射することが好まし
い。

ここでは、封止層８２３が硬化状態であり、隔壁８２８が硬化状態でない場合を例に示し
、硬化状態の封止層８２３にレーザ光を照射する。

少なくとも第１の層（絶縁層８１３、又は、絶縁層８１３に含まれる剥離層２０３と接す
る層を指す）にクラックを入れることで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成で
きる（図１３（Ａ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離
層の他の層や、剥離層２０３、封止層８２３の一部を除去してもよい。レーザ光の照射に
よって、膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層
２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、絶縁層８１３又は絶
縁層８４３のうち絶縁層８１３のみにクラックを入れる（膜割れやひびを生じさせる）こ
とで、選択的に作製基板２０１及び剥離層２０３を剥離することができる。

剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、絶縁層８１３と絶
縁層８４３の両方に剥離の起点を形成してしまうと、一方の作製基板を選択的に剥離する
ことが難しくなる恐れがある。したがって、絶縁層８１３又は絶縁層８４３の一方のみに
クラックを入れる必要があり、レーザ光の照射条件が制限される場合がある。

剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層と剥離層を引き離す力が集中することが好ましいた
め、硬化状態の封止層８２３や隔壁８２８の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を形成す
ることが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離の起点
を形成することが好ましい。連続的もしくは断続的にレーザ光を照射することで、実線状
もしくは破線状の剥離の起点を形成することで剥離が容易となるため、好ましい。

剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレ
ーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワ
ー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板や剥離層の厚さ、材料等
を考慮して適宜制御する。

また、レーザ光を、剥離層２０３と重なり、かつ剥離層２２３と重ならない領域に照射す
ることで、剥離層２０３と剥離層２２３の両方に剥離の起点が形成されることを防止でき
る。したがって、レーザ光の照射条件の制限が少なくなり好ましい。このときレーザ光は
、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑
制するため、剥離層２０３が設けられた作製基板２０１側から照射することが好ましい。

そして、形成した剥離の起点から、絶縁層８１３と作製基板２０１とを分離する（図１３
（Ｂ））。

このとき、一方の作製基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。例えば、作製基
板２０１を吸着ステージに固定し、作製基板２０１から被剥離層を剥離してもよい。また
、作製基板２２１を吸着ステージに固定し、作製基板２２１から作製基板２０１を剥離し
てもよい。

例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを
回転させながら分離する処理等）によって被剥離層と作製基板２０１とを分離すればよい
。

また、剥離層２０３と被剥離層との界面に水などの液体を浸透させて作製基板２０１と被
剥離層とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層２０３と絶縁層８１３の間に
しみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静電気が、被剥離
層に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど
）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体としては、純
水が好ましく、有機溶剤なども用いることができる。例えば、中性、アルカリ性、もしく
は酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。また、過酸化水素水や、
アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液等を用いてもよい。

なお、剥離後に、作製基板２２１上に残った、被剥離層と作製基板２２１との接着に寄与
していない封止層８２３や隔壁８２８等を除去してもよい。除去することで、後の工程で
機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制でき好ましい。例えば、ふき
取り、洗浄等によって、不要な層を除去することができる。また、被剥離層側に残った剥
離層を除去してもよい。例えば、タングステンの酸化物を含む層の除去には、水やアルカ
リ水溶液を用いることができる。また、例えば、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液
、過酸化水素水、エタノール水溶液等を用いることができる。水や溶液は温度によって酸
化タングステン膜を除去できる速度が変わるため、適宜選択すればよい。例えば、常温の
水に比べて６０℃程度の水は酸化タングステン膜をより除去しやすい。

なお、本実施の形態では、レーザ光を用いて剥離の起点を形成したが、剥離工程は、様々
な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸
化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を
作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥
離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングによ
り当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板から剥離することができる。
また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化
膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等
のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離す
ることができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を
含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を
照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との
剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成された作製基板を機械的に除
去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方
法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくともよい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過
酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

次に、露出した絶縁層８１３と基板８０１とを、接着層８１１を用いて貼り合わせ、接着
層８１１を硬化させる（図１４（Ａ）、（Ｂ））。ここでは、枠状の隔壁８２９と、隔壁
８２９の内側の接着層８１１と、を設け、絶縁層８１３と基板８０１とを貼り合わせる。

接着層８１１は、剥離層２２３と重なるように配置する。接着層８１１が剥離層２２３と
重ならない領域を有すると、その領域の広さや、接着層８１１と接する層との密着性によ
って、剥離不良が生じやすくなる場合がある。したがって、接着層８１１の端部は、剥離
層２２３の端部よりも内側に位置することが好ましい。なお、接着層８１１の端部と剥離
層２２３の端部とが重なっていてもよい。これにより、基板８０１と作製基板２２１が強
く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。

接着層８１１や隔壁８２９の端部は、それぞれ、絶縁層８１３の端部と重なっていてもよ
いし、絶縁層８１３の端部よりも内側に位置していてもよいし、絶縁層８１３の端部より
も外側に位置していてもよい。図１４（Ａ）では、隔壁８２９の端部が絶縁層８１３の端
部と重なる例を示し、図１４（Ｂ）では、接着層８１１の端部及び隔壁８２９の端部が、
それぞれ絶縁層８１３の端部よりも外側に位置する例を示す。

なお、絶縁層８１３と基板８０１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１４（Ａ）、（Ｂ））。

ここでは、接着層８１１が硬化状態であり、隔壁８２９が硬化状態でない場合を例に示し
、硬化状態の接着層８１１にレーザ光を照射する。第１の層（絶縁層８４３、又は絶縁層
８４３のうち、剥離層２２３と接する層）の一部を除去することで、剥離の起点を形成で
きる（図１４（Ａ）、（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく
、被剥離層の他の層や、剥離層２２３、封止層８２３の一部を除去してもよい。

レーザ光は、剥離層２２３が設けられた作製基板２２１側から照射することが好ましい。

そして、形成した剥離の起点から、絶縁層８４３と作製基板２２１とを分離する（図１５
（Ａ）、（Ｂ））。これにより、作製基板２０１及び作製基板２２１上で作製した被剥離
層を基板８０１に転置することができる。

そして、露出した絶縁層８４３と基板８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる。こ
こでは、図１５（Ａ）の後、本工程を行う例を図１６（Ａ）に示す。

次に、絶縁層８４３、封止層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる。なお
、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５７を露出させるために、
基板８０３及び接着層８４１も開口する。

開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビ
ームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に針やカッターな
どの鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい
。

例えば、膜の一部を除去した領域をきっかけに、導電層８５７と重なる基板８０３、接着
層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、ＥＬ層８６２、及び導電層８６４を除去する（
図１６（Ｂ））。例えば、粘着性のローラーを基板８０３に押し付け、ローラーを回転さ
せながら相対的に移動させる。または、粘着性のテープを基板８０３に貼り付け、剥して
もよい。ＥＬ層８６２と導電層８６４の密着性や、ＥＬ層８６２を構成する層どうしの密
着性が低いため、ＥＬ層８６２と導電層８６４の界面、又はＥＬ層８６２中で分離が生じ
る。これにより、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、封止層８２３、ＥＬ層８６
２、又は導電層８６４の導電層８５７と重なる領域を選択的に除去することができる。な
お、導電層８５７上にＥＬ層８６２等が残存した場合は、有機溶剤等により除去すればよ
い。

なお、導電層８５７が露出し、後の工程でＦＰＣ８０８と電気的に接続することができれ
ば、導電層８５７と重なる層を除去する方法は問わない。必要が無ければＥＬ層８６２や
導電層８６４を導電層８５７に重ねて形成しなくてもよい。例えば、ＥＬ層８６２中で分
離が生じる場合は導電層８６４を設けなくてもよい。また、用いる材料によっては、ＥＬ
層８６２と封止層８２３が接することで、２層の材料が混合する、層の界面が不明確にな
る等の不具合が生じる場合がある。このようなときには、発光装置の信頼性の低下を抑制
するため、ＥＬ層８６２と封止層８２３の間に導電層８６４を設けることが好ましい。

最後に、異方性導電材（接続体８２５）で入出力端子部の各電極（導電層８５７）にＦＰ
Ｃ８０８を貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させてもよい。なお、可撓性
基板がたわみやすいと、ＦＰＣやＴＣＰを取り付ける際に、貼り合わせの精度が低下する
場合がある。したがって、ＦＰＣやＴＣＰを取り付ける際に、作製した装置をガラスやシ
リコーンゴム等で支持してもよい。これによりＦＰＣ又はＴＣＰと、機能素子との電気的
な接続を確実にすることができる。

２つの発光ユニットの間の、基板８０１及び基板８０３が接着層８４１で直接貼り合わさ
れた領域が、本発明の一態様の発光装置における連結部８０９である。なお、発光装置の
端部にできた、基板８０１及び基板８０３が直接接着層８４１で貼り合わされた領域Ｙは
、不要であれば、除去してもよい。領域Ｙを小さくすることで、発光装置の狭額縁化が図
れる。また、発光装置を折り曲げ、発光ユニットどうしを隣接させた際（例えば、図６（
Ａ２）など）に、発光ユニット間の継ぎ目を少なく（狭く）することができ、一様の発光
領域とすることができる。

また、図１７（Ｃ）、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、１つの島状の剥離層２０３を
用いて、複数の発光ユニットを作製することができる。例えば、連結部８０９に絶縁層８
１３及び絶縁層８４３を有していてもよい場合などに適用することができる。図１７（Ｃ
）、図１８（Ａ）、（Ｂ）では、連結部８０９が、基板８０１、基板８０３、絶縁層８１
３、絶縁層８４３、封止層８２３、接着層８１１、及び接着層８４１からなる場合を示す
。この方法により、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置等も作製することができる。

以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が
設けられた一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し
、それぞれの剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これによ
り、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１９～図２２を用い
て説明する。なお、各層の材料については実施の形態２を参照することができる。なお、
本実施の形態では、有機ＥＬ素子を用いたタッチパネルを例示するが、これに限られない
。本発明の一態様では、例えば、実施の形態１に例示した他の素子を用いたタッチパネル
を作製することができる。

＜構成例１＞
図１９（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）の一点鎖線Ａ
－Ｂ間及び一点鎖線Ｃ－Ｄ間の断面図である。図１９（Ｃ）は図１９（Ａ）の一点鎖線Ｅ
－Ｆ間の断面図である。

図１９（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は
表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用い
てタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び発
光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる
配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回
路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路
３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することがで
きる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することが
できる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知
する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回
路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。

図１９（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向す
る基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、水蒸気の透過率が１０^－５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^－６ｇ／ｍ
^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。
例えば、線膨張率が１×１０^－３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^－５／Ｋ以下、より好ま
しくは１×１０^－５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、
及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積
層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ、
及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体である
。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。

封止層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止層５６０は空気より大
きい屈折率を備える。画素回路及び発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）は基板５１０と
基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１９（
Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光
モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒ及び発光素子３５０Ｒに電力を供給すること
ができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１９（Ｂ））。また、発光モ
ジュール３８０Ｒは発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３６７Ｒ）を備える。

発光素子３５０Ｒは、下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上部電極
３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１９（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３５
３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特定の波長
を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選択
的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過す
る領域を設けてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する封止層
５６０を有する。

着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒ
が発する光の一部は、封止層５６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すよ
うに発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射
防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔを
覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として
用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することが
できる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上に有する
。

タッチパネル３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３２１上に
有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８
上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。
なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１９（
Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有して
いてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されて
いてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２
のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を検
知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含
む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配
線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができ
るＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（１
）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ
、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種
配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッ
ケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステン
などの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば
、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二
層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－ア
ルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、
タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン
膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン
膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモ
リブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにそ
の上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化イン
ジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む
銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

＜構成例２＞
図２０（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表
的な構成要素を示す。図２１は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１－Ｘ２間の断面図であ
る。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図２０（Ｂ））。
また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、
基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給する
ことができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）
と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の
配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は
端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、
図２０（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設
けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量
方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図２０（Ｂ）を
用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用
することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、第１の電極５９１と第２の電極５９２を有
する。第１の電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、第２の電極５
９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

第２の電極５９２は、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された
複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

第１の電極５９１は四辺形であり、第２の電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰
り返し配置されている。

配線５９４は、第２の電極５９２の１つを挟む２つの第１の電極５９１を電気的に接続す
る。このとき、第２の電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形
状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のム
ラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減すること
ができる。

なお、第１の電極５９１、第２の電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取り
うる。例えば、帯状の複数の第１の電極をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁
層を介して帯状の複数の第２の電極を、第１の電極と交差するよう配置する。このとき、
隣接する２つの第２の電極は離間して設ける構成としてもよい。さらに、隣接する２つの
第２の電極の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異な
る領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された第１の電極５９
１及び第２の電極５９２、第１の電極５９１及び第２の電極５９２を覆う絶縁層５９３並
びに隣り合う第１の電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、図２０（Ｂ）、図２１（Ａ）に示すようにタッチセンサ５９５が表示部
５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。

第１の電極５９１及び第２の電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることが
できる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例え
ば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する
方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォト
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、第１の電極
５９１及び第２の電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シ
ロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムな
どの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、第１の電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する
第１の電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を
高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、第１の電極５
９１及び第２の電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９
４に好適に用いることができる。

第２の電極５９２のそれぞれは一方向に延在し、複数の第２の電極５９２がストライプ状
に設けられている。

配線５９４は第２の電極５９２の１つと交差して設けられている。

一対の第１の電極５９１が第２の電極５９２の１つを挟んで設けられ、配線５９４は一対
の第１の電極５９１を電気的に接続している。

なお、複数の第１の電極５９１は、第２の電極５９２の１つと必ずしも直交する方向に配
置される必要はない。

配線５９８は、第１の電極５９１又は第２の電極５９２と電気的に接続される。配線５９
８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白
金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又
はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護す
ることができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いること
ができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹
脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合について
説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副画
素毎に適用してもよい。

基板５１０、基板５７０、及び封止層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒ及び発光素子５５０Ｒに電力を供給することができ
るトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光
素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層５６７Ｒを有する。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、発光素子
５５０Ｒと着色層５６７Ｒに接する。

着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒ
が発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール
５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐ
として、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の
低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。

表示部５０１は、下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、
基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。なお
、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰ
Ｃ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い
。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を
配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を表示部５０１に適用する場合の構成を、図２１（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２１（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図２１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用する
ことができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２１（
Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図２１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０
３ｔに適用することができる。

＜構成例３＞
図２２は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル
５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５
０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成例
２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の
構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図２２（Ａ）に示す発光
素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより
、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方
向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図２２（Ａ））
。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９
５を貼り合わせる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を表示部５０１に適用する場合の構成を、図２２（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２２（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図２２（Ｂ）に図示するトランジスタ５０
２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２２（
Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図２２（
Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる
。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１００ 発光装置
１０１ 発光ユニット
１０１ａ 発光ユニット
１０１ｂ 発光ユニット
１０３ 連結部
１０５ 発光部
１０７ 駆動回路部
１０９ 開口部
１１０ 発光装置
１１５ 開口部
１２０ 発光装置
１３０ 発光装置
１４０ 発光装置
１５０ 発光装置
１６０ 発光装置
１６１ 基材
１６３ 二次電池
１６５ アンテナ
１７０ 発光装置
１７１ 発光装置
１７２ 発光装置
１７３ 発光装置
１８０ 発光装置
１８１ 発光装置
１８２ 発光装置
１８３ 発光装置
１８４ 発光装置
１８５ 発光装置
１８６ 発光装置
１８７ 発光装置
１９０ 発光装置
１９１ 発光装置
１９２ 発光装置
１９３ 発光装置
１９４ 発光装置
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２２１ 作製基板
２２３ 剥離層
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ 第１のＥＬ層
３５３ｂ 第２のＥＬ層
３５４ 中間層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８０９ 連結部
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 封止層
８２４ 封止層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８２８ 隔壁
８２９ 隔壁
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
８６２ ＥＬ層
８６４ 導電層
８８１ 発光ユニット

Claims (5)

1. 可撓性を有する発光装置であって、
   切り込みを有する連結部と、前記連結部を介して互いに離間する複数の発光ユニットと、を有し、
   前記切り込みは、前記発光装置の端部から二方向の曲げ線が交わる領域まで設けられ、
   前記連結部及び前記発光ユニットは可撓性を有し、
   前記連結部は、前記発光ユニットよりも小さい曲率半径で折り曲げることが可能である発光装置。
2. 可撓性を有する発光装置であって、
   切り込みを有する連結部と、
   前記連結部を介して互いに離間する複数の発光ユニットと、を有し、
   前記切り込みは、前記発光装置を四つ折りにする際に、２回目に折り曲げる部分に設けられ、
   前記連結部及び前記発光ユニットは可撓性を有し、
   前記連結部は、前記発光ユニットよりも小さい曲率半径で折り曲げることが可能である発光装置。
3. 可撓性を有する発光装置であって、
   切り込みを有する連結部と、
   前記連結部を介して互いに離間する複数の発光ユニットと、を有し、
   前記切り込みは、前記発光装置を二重に重ねて曲げる領域に設けられ、
   前記連結部及び前記発光ユニットは可撓性を有し、
   前記連結部は、前記発光ユニットよりも小さい曲率半径で折り曲げることが可能である発光装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記切り込みは、前記連結部に設けられた開口部とつながっている発光装置。
5. 請求項４において、
   前記開口部は、二方向の曲げ線が交わる領域に設けられる発光装置。

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