JP2006270077A

JP2006270077A - 半導体装置およびその作製方法

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Publication number: JP2006270077A
Application number: JP2006045181A
Authority: JP
Inventors: Jun Koyama; 潤小山; Koji Oriki; 浩二大力; Susumu Okazaki; 奨岡崎; Yoshitaka Moriya; 芳隆守屋; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2005-02-25
Filing date: 2006-02-22
Publication date: 2006-10-05
Anticipated expiration: 2026-02-22
Also published as: JP5046529B2

Abstract

【課題】可撓性を有し、曲げ等の物理的変化に対して耐性を有する半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極およびゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜とを有する複数のトランジスタと、複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、屈折部分は、層間絶縁膜に設けられた開口部に層間絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられている。また、本発明では、開口部に充填する物質として他にも、層間絶縁膜よりガラス転移点が低い物質や塑性を有する物質を設けることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、可撓性を有する半導体装置および当該半導体装置の作製方法に関する。

近年、プラスチック等の可撓性を有する基板上にトランジスタ等で構成される集積回路を設ける技術が注目されている。可撓性を有する基板上に集積回路を設けることによって形成された半導体装置は、半導体基板やガラス基板等の基板を用いる場合に比べ、軽量化やコストダウン等を達成することが可能となる。また、可撓性を有する半導体装置は折り曲げ等が可能となるため、様々な分野、場所への適用が期待されている。

しかしながら、可撓性を有する基板上にトランジスタ等の素子を具備する集積回路を設けることによって形成された半導体装置に、外部から曲げ等の物理的な力（外力）を加えた場合、半導体装置に生じる応力によって、当該半導体装置に含まれるトランジスタ等の素子が損傷し、トランジスタ等の素子の特性に影響を及ぼす恐れがある。

本発明は上記問題を鑑み、可撓性を有し、曲げ等の物理的変化に対して耐性を有する半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明は以下の手段を講じる。

本発明の半導体装置は、可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極およびゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜とを有する複数のトランジスタと、複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有していることを特徴とする。屈折部分は、例えば、層間絶縁膜に開口部等の空間を形成することにより設けることができる。なお、屈折部分とは、曲げ等の物理的な力を半導体装置に加えた場合に、半導体装置の内部において、他の部分に比べて選択的に大きいひずみ（物体の形や体積の変化）が生じる部分のことをいう。

本発明の半導体装置の他の構成として、可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極およびゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜とを有する複数のトランジスタと、複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、屈折部分は、層間絶縁膜に設けられた開口部に層間絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられていることを特徴としている。また、本発明では、開口部に充填する物質として他にも、層間絶縁膜よりガラス転移点が低い物質や塑性を有する物質を設けることができる。

また、上記構成において、トランジスタとして、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、単結晶の半導体膜にチャネル領域を設けた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）または有機トランジスタ等を用いることができる。また、トランジスタに限られず、半導体装置にダイオードや容量素子等の素子が含まれる場合には、それらの素子の間に屈折部分を設けることが可能である。

本発明の半導体装置の作製方法は、第１の基板上に剥離層を形成し、剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上に薄膜トランジスタと電気的に接続する導電膜を形成し、第２の絶縁膜および導電膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜および第３の絶縁膜に選択的に第１の開口部を形成し、第１の開口部に第２の絶縁膜および第３の絶縁膜より弾性率が低い物質を設け、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜および第３の絶縁膜に選択的に第２の開口部を形成して剥離層を露出させ、第３の絶縁膜の表面に接着面を有するフィルムを接着させて、第１の絶縁膜から剥離層および第１の基板を剥離し、第２の基板上に第１の絶縁膜を固着することを特徴としている。また上記構成において、第１の開口部に第２の絶縁膜および第３の絶縁膜より弾性率が低い物質の代わりに、第２の絶縁膜および第３の絶縁膜よりガラス転移点が低い物質や塑性を有する物質等を設けることができる。

また、本発明の半導体装置の他の作製方法として、導電膜のパターンが形成された基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を導電膜のパターンと電気的に接続するように貼り合わせて設け、複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、複数の集積回路の間に位置する絶縁膜に凹部を形成することを特徴としている。また、絶縁膜に凹部を形成した後に、凹部に絶縁膜より弾性率が低い物質、絶縁膜よりガラス転移点が低い物質または絶縁膜より塑性を有する物質等を設けることも可能である。

また、本発明の半導体装置の他の作製方法として、基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を貼り合わせて設け、複数の集積回路を電気的に接続する導電膜を形成し、複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、複数の集積回路の間に位置する絶縁膜に凹部を形成することを特徴としている。また、絶縁膜に凹部を形成した後に、凹部に絶縁膜より弾性率が低い物質、絶縁膜よりガラス転移点が低い物質または絶縁膜より塑性を有する物質等を設けることも可能である。集積回路を電気的に接続する導電膜は、液滴吐出法やスクリーン印刷等の印刷法を用いて形成することができる。なお、液滴吐出法とは、導電性や絶縁性等を有する材料を含んだ組成物の液滴（ドットともいう）を選択的に吐出（噴射）して任意の場所に形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。

可撓性を有する基板上に設けられた複数の集積回路を有する半導体装置を形成する場合に、複数の集積回路間や当該集積回路に含まれるトランジスタ等の素子間に屈折部分を形成することによって、半導体装置に曲げ等の外力を加えた場合であっても、屈折部分に選択的にひずみが生じて曲がるため、トランジスタ等の素子に加わる応力を低減させ、当該トランジスタ等の素子が破損する割合を低減することができる。また、トランジスタ等の素子の特性へ影響を及ぼすことを防止することができる。また、半導体装置の内部に選択的に屈折部分を設けることによって、より小さい力によって当該半導体装置を曲げることが可能となる。

本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の一構成例について図面を参照して説明する。

一般的に、物体に応力が加えられることによって、物体の形や体積の変化（「ひずみ」ともいう）が生じる。可撓性基板上に設けられた集積回路を有する半導体装置に曲げ等の物理的な力により応力が加えられることにより、集積回路に含まれるトランジスタ等の素子にひずみが生じて破損し、当該トランジスタ等の素子の特性に影響が生じる恐れがある。そのため、本実施の形態で示す半導体装置１５０は、プラスチック等の可撓性を有する基板上に設けられた集積回路１５２ａ〜１５２ｄの間に屈折部分１５３が設けられている（図１（Ａ））。屈折部分１５３は、集積回路１５２ａ〜１５２ｄ間であればどのように設けてもよく、例えば、屈折部分を図１（Ａ）に示すように集積回路１５２ａおよび集積回路１５２ｂと集積回路１５２ｃおよび集積回路１５２ｄの間に連続して配置するように設けてもよいし、集積回路１５２ａと集積回路１５２ｂの間または集積回路１５２ｃと集積回路１５２ｄの間に部分的に配置するように設けてもよい。

なお、屈折部分とは、曲げる等の物理的な力が半導体装置に加えられた場合に、半導体装置の内部において、他の部分に比べて選択的に大きいひずみ（物体の形や体積の変化）が生じる部分をいう。例えば、半導体装置のある部分に屈折部分を設けて、半導体装置を湾曲させた場合、半導体装置の内部に応力が生じるが、当該応力によって生じるひずみは選択的に屈折部分に発生し、当該屈折部分が屈折することによって半導体装置が曲がる。また、半導体装置の内部に選択的に屈折部分を設けることにより屈折部分に選択的に大きいひずみが生じるため、当該屈折部分を設けない場合に比べて、より弱い力で曲率半径が小さくなるように曲げることが可能となる。従って、集積回路に設けられたトランジスタ等の素子に加わる応力を低減させて当該トランジスタ等の素子が破損することを防止することができる。

屈折部分１５３は、他の部分に比べて曲がりやすい物質を形成することによって設ける。なお、本明細書において、屈折部分に設ける物質を便宜上屈折物質と記載することがある。

屈折部分に設ける物質としては、屈折部分以外の部分に設ける物質と比較して曲がりやすい性質を有する物質であればよく、例えば、弾性を示す物質や塑性を有する物質を用いることができる。なお、弾性を示す物質を用いる場合には、屈折部分に設ける物質の弾性率（応力／ひずみの比）を他の領域に設ける物質の弾性率より低くなるように設ける。また、塑性を有する物質を用いる場合には、屈折部分に設ける物質を他の領域に設ける物質より塑性を有するように設けることが好ましい。なお、ここでいう弾性とは、外力によって形や体積に変化を生じた物体が、力を取り去ると再びもとの状態に回復する性質をいう。また、ここでいう塑性とは、外力によって変形しやすく、力を取り去ってもひずみが残る性質をいう。

弾性を示す物質としては、弾性限界が高い物質が好ましく、例えば、ゴムのように力を加えると大きく変形し、その力を除くと元の形状に戻る性質を有する物質を用いることができる。具体的には、ゴム弾性を示す高分子化合物等が挙げられる。他にも、弾性と同時に粘性も兼ね備えた性質（粘弾性）を示す高分子化合物等を用いることも可能である。

塑性を有する物質としては、外力によって変形しやすく、力を取り去ってもひずみが残る性質を有する高分子化合物等の絶縁物を用いることができる。また、他にも、延性や展性を示すＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属等を用いて設けることも可能である。従って、本発明において、屈折部分に塑性を有する物質を設けた場合には、物理的な力を加えて半導体装置を湾曲させた際に、物理的な力を取り除いた後でも湾曲させたまま保持することができる。

また、屈折部分にガラス転移温度を有する高分子等の有機化合物を用いる場合には、屈折部分に設ける物質のガラス転移点を他の領域に設ける物質のガラス転移点より低くするように設ける。ガラス転移点が低い物質は、ガラス転移点が高い物質と比較して粘弾性が高くなるため、ガラス転移点が低い物質とガラス転移点が高い物質とを設けた場合、応力が加わった際にガラス転移点が低い物質に選択的に大きいひずみが生じる。このように、ガラス転移点を変化させることによって、屈折部分と他の領域を同様の物質で設けることができる。

また、屈折部分に設ける物質は、他の領域に設ける物質より硬度が低くなるように設けてもよい。また、トランジスタ等を含む曲げたくない領域の上方に硬度の大きい材料を用いた保護膜を設けてもよい。なお、物質の硬度は、ビッカース硬度試験等で評価すればよい。

また、応力が加えられた際に選択的に大きいひずみが生じるため、曲げ耐性の高い物質を屈折部分に設けることが好ましい。弾性体を用いる場合には弾性限界が高い物質を用いることが好ましい。高い曲げ耐性を有する物質を用いることによって半導体装置の耐性を向上させることが可能となる。

次に、図１（Ａ）におけるａ−ｂ間の断面構造の模式図を図１（Ｂ）に示す。

図１（Ｂ）において、半導体装置１５０は、可撓性を有する基板１５１に設けられた集積回路１５２ａ〜１５２ｄを有しており、ここでは、集積回路１５２ａ〜１５２ｄが絶縁膜１５４、１５６〜１５８とトランジスタ１５５と屈折物質１６３からなる素子形成層１８０とを有している場合を示している。より具体的には、可撓性を有する基板１５１上に絶縁膜１５４を介してトランジスタ１５５が設けられ、トランジスタ１５５を覆うように絶縁膜１５６〜１５８が設けられ、絶縁膜１５６〜１５８に形成された開口部１３１に屈折物質１６３が設けられている。

基板１５１としては、可撓性を有するフィルム状の基板等を用いることができ、例えば、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルム等を利用することができる。また、可撓性を有する金属基板を用いてもよい。例えば、ステンレス基板等を用いることができる。

集積回路１５２ａ〜１５２ｄは、トランジスタ、ダイオード等の素子を有している。例えば、ダイオードとしては、可変容量ダイオード、ショットキーダイオードまたはトンネルダイオード等の各種ダイオードを適用することができる。本発明では、これらのトランジスタやダイオード等を用いることよって、ＣＰＵ、メモリまたはマイクロプロセッサ等のありとあらゆる集積回路を設けることができる。

絶縁膜１５４としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。例えば、絶縁膜１５４を２層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜で設け、２層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。また、絶縁膜１５４を２層構造で設ける場合に代えて、３層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設け、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を設け、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。

絶縁膜１５６としては、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。

絶縁膜１５７、１５８としては、上記酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜はもちろん、その他にもエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料、シロキサン系材料等の単層または積層構造で設けることができる。

トランジスタ１５５としては、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で設けてもよいし、Ｓｉ等の半導体基板上に当該基板をチャネルとして形成した電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）で設けてもよいし、チャネル領域を有機化合物材料により形成した有機ＴＦＴで設けてもよい。また、トランジスタ１５５によって、ＣＰＵ、メモリまたはマイクロプロセッサ等のありとあらゆる集積回路を設けることができる。ここでは、トランジスタ１５５として、ｎチャネル型半導体とｐチャネル型半導体とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する薄膜トランジスタを設けた例を示している。また、半導体膜に不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）設け、ゲート電極の側面と接するように絶縁膜（サイドウォール）を設けている。また、ｎチャネル型の半導体膜にＬＤＤを形成し、ｐチャネル型の半導体膜にはＬＤＤを設けていない例を示しているが、もちろんｐチャネル型の半導体膜にもｎチャネル型半導体膜と同様にＬＤＤ領域を設けてもよい。また、ソース領域およびドレイン領域とゲート電極の一方または両方に、ニッケル、モリブデンまたはコバルト等のシリサイド層を設けた構成としてもよい。薄膜トランジスタや有機ＴＦＴで設けた場合、半導体膜を島状に設けるため、半導体装置に曲げ等の外力を加えた場合であっても、半導体膜に加わる応力を低減させて破損等を防止することができる。

屈折物質１６３としては、ここでは、絶縁膜１５７および絶縁膜１５８との積層体または絶縁膜１５６〜１５８の積層体と比較して曲がりやすい物質を設ける。例えば、ポリエチレン、酢酸ビニル、エチレン酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、ポリエステル、ポリアミドまたはポリイミド等の有機材料やＡｕ、Ａｇ、ＣｕまたはＡｌ等の延性や展性に富んだ金属等を用いて設けることができる。また、上記材料を用いる場合、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７および絶縁膜１５８に用いる物質より弾性率が低くなるように設ける。また、屈折物質１６３として、高分子化合物を用いる場合は、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７および絶縁膜１５８に用いる物質よりガラス転移点が低くなるように設ける。屈折物質１６３に用いる材料として、絶縁膜１５６〜１５８のうち少なくとも一つと同様の材料を用いて形成してもよく、この場合には、絶縁膜１５６〜１５８のうち少なくとも一つに用いる材料と屈折物質１６３として用いる材料におけるそれぞれのガラス転移点が異なるように形成し、屈折物質１６３として用いる材料のガラス転移点が絶縁膜１５６〜１５８のうち少なくとも一つに用いる材料のガラス転移点より低くなるように設ける。例えば、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７または絶縁膜１５８に有機材料を用いる場合、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７または絶縁膜１５８に設ける有機材料のガラス転移点を室温より高くなるように設け、屈折物質１６３として用いる有機材料のガラス転移点を室温より低くなるように設けることができる。

なお、上記図１（Ｂ）では、屈折部分１５３として、絶縁膜１５６〜１５８形成された開口部１３１に屈折物質１６３を充填することによって設ける例を示したが、屈折物質１６３を設ける代わりに絶縁膜１５６、１５７または１５８に切込みをいれたり、開口部に何も設けずに空間１６０としたりすることによって、屈折部分１５３を設けることもできる（図１（Ｃ））。このように、絶縁膜１５６〜１５８の積層体の一部または全部に切込みや空間を設けることによって、半導体装置に応力が加えられた時に、当該切込みや空間の部分に応力を集中させトランジスタ等に加わる応力を低減させることができる。

なお、図１においては、基板１５１に設けられたＣＰＵやメモリ等の各種機能を有する集積回路１５２ａ〜１５２ｄの間に屈折部分１５３を設ける構造としたが、これに限られず、応力が加わるのを避けたい部分以外であればどこに設けても構わない。例えば、集積回路１５２ａ〜１５２ｄの領域内に設けることも可能である。この場合の一例を図２に示す。

図２（Ａ）においては、集積回路１５２ａ〜１５２ｄをそれぞれ複数のブロックに分割して、各ブロックの間に屈折部分を設けた場合を示している。より具体的には、集積回路１５２ｂを例に挙げると、集積回路１５２ｂがブロック１６１ａ〜１６１ｆの６つの領域に分割され、それぞれのブロックの間に、応力が加えられた際に選択的にひずみが生じる屈折部分１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃ等が設けられている。各ブロック間に設けられる屈折部分１６２ａ〜１６２ｃは、トランジスタを避けて設けられている。

図２（Ａ）におけるｃ−ｄ間の断面構造の模式図を図２（Ｂ）に示す。

可撓性を有する基板１５１上に絶縁膜１５４を介してブロック１６１ａ〜１６１ｃの各領域に含まれるトランジスタ１５５が設けられ、トランジスタ１５５を覆うように絶縁膜１５６〜１５８が設けられ、絶縁膜１５６〜１５８に形成された開口部１３２ａ、１３２ｂにそれぞれ屈折物質１６４ａ、１６４ｂが設けられている。また、開口部１３２ａはブロック１６１ａと１６１ｂの間に設けられ、開口部１３２ｂはブロック１６１ｂと１６１ｃの間に設けられている。

また、図２（Ｃ）に示すように、屈折物質１６４ａ、１６４ｂを設ける代わりに絶縁膜１５６、１５７または１５８に切込みをいれたり、開口部に何も設けずに空間１６５ａ、１６５ｂを設けたりする構造とすることも可能である。

なお、屈折部分はトランジスタとトランジスタの間ごとに設けることもできる。

以上のように、半導体装置に屈折部分を設けることによって、半導体装置を曲げた場合に当該屈折部分に選択的にひずみが生じて曲がるため、屈折部分以外の領域に設けられたトランジスタ等の素子の破損等を防止することができる。また、半導体装置をある曲率半径を有するように曲げる場合、屈折部分を設けた半導体装置は当該屈折部分を設けない半導体装置に比べて、より小さい力を加えることによって曲げることができるため、トランジスタ等に加わる応力を低減することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の作製方法の一例について図面を参照して説明する。

本実施の形態では、一旦ガラス等の剛性を有する基板上にトランジスタ等の素子を含む素子形成層を設けた後に、剥離法を用いて当該剛性を有する基板上にから素子形成層を分離させ、可撓性を有する基板上に素子形成層を設けることによって半導体装置を作製する例を示す。

ここでは、１枚の基板１７０上に剥離層１７１を介して１２個の素子形成層１８０を設けた後に当該基板１７０から素子形成層１８０の剥離を行う例を示す（図３（Ａ））。

まず、基板１７０上に剥離層１７１を形成し、当該剥離層１７１上に、絶縁膜１５４、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７５、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７、導電膜１９４および絶縁膜１５８からなる素子形成層１８０を形成する（図４（Ａ））。具体的には、剥離層１７１上に絶縁膜１５４を介して薄膜トランジスタ１７５を形成し、当該トランジスタを覆うように絶縁膜１５６、１５７を形成し、絶縁膜１５７上に薄膜トランジスタ１７５の不純物領域と接続するように導電膜１９４を形成し、当該導電膜１９４を覆うように絶縁膜１５８を形成する。また、基板１７０と剥離層１７１との間に下地膜として絶縁膜を形成してもよい。基板１７０と剥離層１７１との間に絶縁膜を設けることによって、基板１７０から剥離層１７１への汚染等を防止することができる。

次に、絶縁膜１５６〜１５８を選択的に除去することによって開口部１７２ａ、１７２ｂを設ける（図４（Ｂ））。開口部１７２ａ、１７２ｂは、線状、円状等どのような形状に設けてもよく、トランジスタ１７５を避けた部分に設ける。また、開口部１７２ａ、１７２ｂは、フォトリソグラフィ法やレーザ光の照射により設けることができる。

次に、開口部１７２ａ、１７２ｂにそれぞれ屈折物質１７３ａ、１７３ｂを設ける（図４（Ｃ））。

次に、基板１７０から素子形成層１８０の剥離を行う。ここでは、素子形成層１８０に選択的にレーザ光を照射して開口部１７６を形成後、物理的な力を用いて基板１７０から素子形成層１８０を剥離する。また他の剥離法として、開口部１７６を形成して剥離層１７１を露出させた後、開口部１７６にエッチング剤を導入することによって、剥離層１７１を除去した後に、剥離を行っても良い（図５（Ａ））。この場合、剥離層１７１を全て除去してもよいし、エッチングの条件を制御することによって剥離層１７１の一部を残すように除去を行ってもよい。ここでは、剥離層１７１の一部を残すように剥離層１７１の除去を行う。剥離層１７１の一部を残すように除去を行うことによって、剥離層１７１を除去した後も素子形成層１８０が基板１７０から完全に剥離せず、バラバラになることを防ぐことができる。さらに、エッチング時間の短縮やエッチング剤の使用量の低減を図ることができるため作業効率の向上および低コスト化を達成することができる。

次に、絶縁膜１５８の表面に粘着性を有するフィルム１７７を貼り合わせて設け、素子形成層１８０を基板１７０から剥離させる（図５（Ｂ））。ここでは、基板１７０と素子形成層１８０における絶縁膜１５４とが、残存した剥離層によって一部つながれているため、物理的手段を用いて基板１７０から素子形成層１８０を剥離させる。

次に、素子形成層１８０を、可撓性を有する基板１５１および基板１５９で封止する（図３（Ｂ）、図５（Ｃ））。封止の具体例を図６（Ａ）に示す。基板１７０から剥離した側の素子形成層１８０の表面をフィルム状の基板１５１に接着させて、フィルム１７７を剥離させ、その後フィルム１７７から剥離した側の素子形成層１８０の表面をフィルム状の基板１５９に接着させて封止を行う。この際、加熱処理及び加圧処理の一方又は両方を行う封止ロール１９２、フィルム状の基板１５９が巻き付けられた供給ロール１９１及びベルトコンベア１９０を用いると、順次、基板１５１、１５９に封止された半導体装置を形成することができる。次に、切断手段１９３により、基板１５１、１５９を切断する。

以上の工程によって、可撓性を有する半導体装置を設けることができる（図６（Ｂ））。なお、素子形成層１８０を基板１５９で封止せずに、可撓性を有する基板１５１上に設け段階で完成としてもよい。以下に、上記工程において用いる材料等についての具体的な説明を行う。

基板１７０としては、ガラス基板、石英基板、金属基板、半導体基板やステンレス基板の一表面に絶縁膜を形成したもの等を用いることができる。このような基板であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板１７０として、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。また、本実施の形態では、剥離された基板１７０は再利用することができため、より低コストで半導体装置を作製することができる。例えば、原価の高い石英基板を用いた場合であっても、繰り返し石英基板を利用することにより、低コストで半導体装置を作製することができるといった利点を有している。

基板１７０と剥離層１７１の間に下地膜として絶縁膜を設ける場合には、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。これらの絶縁膜は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法を用いて形成することができる。

剥離層１７１としては、金属膜や金属膜と金属酸化膜の積層構造やＳｉ等の半導体膜や酸化珪素膜等を用いることができる。金属膜としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、鉛（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる膜を、単層又は積層して形成する。また、これらの材料からなる膜は、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法を用いて形成することができる。金属膜と金属酸化膜の積層構造としては、上記金属膜を形成した後に、酸素雰囲気下におけるプラズマ処理、酸素雰囲気下における加熱処理を行うことによって、金属膜表面に当該金属膜の酸化物を設けることができる。例えば、金属膜としてスパッタ法により形成したタングステン膜を設けた場合、タングステン膜にプラズマ処理を行うことによって、タングステン膜表面にタングステン酸化物からなる金属酸化膜を形成することができる。また、この場合、タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表され、Ｘは２〜３であり、Ｘが２の場合（ＷＯ_２）、Ｘが２．５の場合（Ｗ_２Ｏ_５）、Ｘが２．７５の場合（Ｗ_４Ｏ_１１）、Ｘが３の場合（ＷＯ_３）などがある。タングステンの酸化物を形成するにあたり、上記に挙げたＸの値に特に制約はなく、エッチングレート等を基に、どの酸化物を形成するかを決めるとよい。また、金属酸化膜の他にも、金属窒化物や金属酸化窒化物を用いてもよい。この場合、上記金属膜に窒素雰囲気下またはＮ_２Ｏ雰囲気下でプラズマ処理や加熱処理を行えばよい。また、他の方法として金属膜を形成した後に、絶縁膜１５４を酸素雰囲気下でスパッタ法を用いて形成することによって金属膜表面に金属酸化膜を設けることができる。また、金属膜を形成した後に、金属をターゲットとして酸素雰囲気下でスパッタを行うことにより金属膜表面に金属酸化膜を設けることも可能である。この場合、金属膜と金属酸化膜は異なる金属元素で設けることが可能となる。なお、これらの方法も窒素雰囲気下または窒素と酸素雰囲気下でスパッタを行うことにより金属膜上に金属窒化物や金属酸化窒化物を形成することができる。

素子形成層１８０は、少なくとも絶縁膜１５４、薄膜トランジスタ１７５、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７および絶縁膜１５８を有している。素子形成層１８０によってＣＰＵ、メモリまたはマイクロプロセッサ等のありとあらゆる集積回路を設けることができる。また、素子形成層１８０は、薄膜トランジスタ１７５に加えてアンテナを有した形態もとりうる。例えば、薄膜トランジスタで構成される集積回路は、アンテナで発生した交流の電圧を用いて動作を行い、アンテナに印可する交流の電圧を変調することにより、リーダ／ライタへの送信を行うことができる。なお、アンテナは、薄膜トランジスタとともに形成してもよいし、薄膜トランジスタとは別個に形成し、後に電気的に接続するようにして設けてもよい。

絶縁膜１５４としては、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いて形成することができる。例えば、絶縁膜１５４を２層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。また、絶縁膜１５４を３層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。

薄膜トランジスタ１７５としては、どのような構造としてもよく、例えば不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）を形成してもよいし、ｐチャネル型、ｎチャネル型またはｐチャネル型とｎチャネル型の半導体を組み合わせたＣＭＯＳ回路で設けてもよい。また、半導体膜の上方に設けられるゲート電極の側面と接するように絶縁膜（サイドウォール）を形成してもよいし、ソース領域およびドレイン領域とゲート電極の一方または両方に、ニッケル、モリブデンまたはコバルト等のシリサイド層を形成してもよい。薄膜トランジスタ１７５における半導体として、非晶質半導体または結晶質半導体を用いることができるが、より特性の高い薄膜トランジスタを用いる場合には、結晶質半導体を用いて薄膜トランジスタを設けることが好ましい。この場合、絶縁膜１５４上にスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により非晶質半導体膜を形成し、続いて、非晶質半導体膜を結晶化法（レーザ結晶化、ＲＴＡまたはファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等）により結晶化して、結晶質半導体膜を形成する。

絶縁膜１５６としては、上記実施の形態で示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。

絶縁膜１５７、１５８としては、上記実施の形態で示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。特にエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料、シロキサン系材料等の材料は、スピンコーティング法、液滴吐出法または印刷法等を用いることによって形成することができるため、平坦化や処理時間の効率化を図ることができる。また、絶縁膜１５７、１５８は、同じ材料を用いて形成してもよいし、別々の材料を用いて形成してもよい。

導電膜１９４としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。例えば、当該元素を複数含む合金からなる導電膜として、例えばＣとＴｉを含有したＡｌ合金（Ａｌ−Ｔｉ−Ｃ）、Ｎｉを含有したＡｌ合金（Ａｌ−Ｎｉ）、ＣとＮｉを含有したＡｌ合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｃ）、ＣとＭｎを含有したＡｌ合金（Ａｌ−Ｍｎ−Ｃ）等を用いることができる。

屈折物質１７３ａ、１７３ｂとしては、上記実施の形態で示した屈折物質１６３に示した材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、屈折物質１７３ａ、１７３ｂは、液滴吐出法、スクリーン印刷等の印刷法またはスピンコート法等を用いることによって設けることができる。

エッチング剤としては、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いることができ、例えばＣｌＦ_３（三フッ化塩素）、ＮＦ_３（三フッ化窒素）、ＢｒＦ_３（三フッ化臭素）、ＨＦ（フッ化水素）を使用することができる。なお、ＨＦを使用する場合には、剥離層として酸化珪素膜を用いる。

フィルム１７７としては、可撓性のフィルムを利用することができ、少なくとも一方の面に粘着剤を有する面が設けてある。例えば、ポリエステル等の基材として用いるベースフィルム上に粘着剤が設けてあるシート材を利用することができる。粘着剤としては、アクリル樹脂等を含んだ樹脂材料または合成ゴム材料からなる材料を用いることができる。

基板１５１、１５９としては、可撓性のフィルムを利用することができ、例えば、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルム等を利用することができる。また、フィルムは、加熱処理と加圧処理により、被処理体と熱圧着されるものであり、加熱処理と加圧処理を行う際には、フィルムの最表面に設けられた接着層か、または最外層に設けられた層（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着する。なお、フィルム１７７と基板１５９とを用いて素子形成層１８０の封止を行ってもよい。

また、本発明の半導体装置は上記構成に限られず、他の構成で設けることも可能である。その具体例に関して図７〜図１０を参照して説明する。

上述した半導体装置の構成では、屈折部分に絶縁膜１５６〜１５８より曲がりやすい物質を充填した例を示したが、図７（Ａ）に示すように、屈折部分に何も充填せずに空間１７８ａ、１７８ｂとして設けることも可能である。空間１７８ａ、１７８ｂは、フォトリソグラフィ法やレーザ光の照射等によって設けることができる。また、物理的な手段を用いて切込み等を形成してもよい。

このように、絶縁膜１５６〜１５８を選択的に除去して空間を設けることによって、半導体装置に曲げる等の外力を加えた場合、空間１７８ａ、１７８ｂで設けた屈折部分に選択的にひずみを集中させることが可能となる。その結果、トランジスタに応力が加わることによるひずみを低減させすることができるため、トランジスタの損傷等を防止することができる。また、屈折部分を空間で設けることによって、材料を充填する工程を省くことができるため、作製工程の効率化を達成することが可能となる。

また、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）に示すように、屈折部分としては、素子形成層１８０を貫通するように屈折物質１８１ａ、１８１ｂを設けて（図７（Ｃ））もよいし、貫通させずに素子形成層の内部に設けて（図７（Ｂ））もよい。それぞれの作製工程について、図８、図９を参照して説明する。

はじめに、図７（Ｂ）に示した半導体装置の作製工程について、図８に示す。

まず、基板１７０上に剥離層１７１を形成し、剥離層１７１上に絶縁膜１５４、薄膜トランジスタ１５５、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７を形成する（図８（Ａ））。

次に、薄膜トランジスタ１５５の半導体膜の不純物領域と電気的に接続する導電層を設けるために、絶縁膜１５６および絶縁膜１５７に選択的に開口部１９５を形成し、薄膜トランジスタ１５５の半導体膜を露出させる。なお、このとき同時に開口部１８２ａ、１８２ｂを形成する（図８（Ｂ））。

次に、開口部１８２ａ、１８２ｂに屈折物質１７９ａ、１７９ｂを設け、開口部１９５に導電膜１９４を設ける（図８（Ｃ））。

次に、導電膜１９４を覆うように絶縁膜１５８を形成し、絶縁膜１５４、１５６〜１５８に開口部１８３を形成して剥離層１７１を露出させる（図８（Ｄ））。

その後、上記図５（Ｂ）、（Ｃ）に示した工程と同様に行うことによって半導体装置が完成する（図７（Ｂ））。図８に示した方法を用いることによって、開口部１９５と同時に開口部１８２ａ、１８２ｂを設けることが可能となるため、作製工程を簡略化することができる。

次に、図７（Ｃ）に示した半導体装置の作製工程について、図９に示す。

まず、基板１７０上に剥離層１７１を形成し、剥離層１７１上に絶縁膜１５４、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５５、絶縁膜１５６、絶縁膜１５７、導電膜１９４および絶縁膜１５８からなる素子形成層１８０を形成する（図９（Ａ））。

次に、絶縁膜１５４、１５６〜１５８を選択的に除去することによって開口部１８４ａ、１８４ｂ、１８５を設ける（図９（Ｂ））。また、開口部１８４ａ、１８４ｂは、フォトリソグラフィ法やレーザ光の照射により設けることができる。

次に、開口部１８４ａ、１８４ｂに屈折物質１８１ａ、１８１ｂを設ける（図９（Ｃ））。

その後、上記図５（Ｂ）、（Ｃ）に示した工程と同様に行うことによって半導体装置が完成する図７（Ｃ）。図９に示した方法を用いることによって、開口部１８４ａ、１８４ｂ、１８５を同時に設けた場合には、作製工程を簡略化することができる。また、素子形成層１８０を貫通するように屈折部分を設けることによって、半導体装置に曲げる等の力を加えた場合であっても、薄膜トランジスタ等の破損を効果的に防止することができる。

また、図９（Ｂ）において、開口部１８４ａ、１８４ｂに何も設けずに屈折部分を空間として設けることも可能である。この場合、開口部１８４ａ、１８４ｂからもエッチング剤を導入することが可能となるため、剥離層１７１を効率的に除去することができる。

また、図９において、絶縁膜１５４、１５６〜１５８および剥離層１７１を除去することによって開口部１８６ａ、１８６ｂ、１８７設けてもよい（図１０（Ａ））。この場合、開口部１８６ａ、１８６ｂに設けられた屈折物質１８８ａ、１８８ｂは、基板１７０と接続している。そのため、剥離層１７１を完全に除去した場合であっても、基板１７０と素子形成層１８０が屈折物質１８８ａ、１８８ｂによって接続されているため、バラバラになることを防止することができる。その後、物理的手段を用いて基板１７０から素子形成層１８０を剥離し、封止処理を行うことによって半導体装置を作製することができる。

また、図２９（Ａ）に示すようにトランジスタ１７５等を含む曲げたくない領域に保護膜１９６を設けた構成としてもよい。保護膜１９６は、少なくともトランジスタ間に設けられる物質（ここでは屈折物質１７３ａ、１７３ｂ）より曲がりにくい物質で設ける。例えば、保護膜１９６としては、屈折物質１７３ａ、１７３ｂより弾性率が高い物質、ガラス転移点が高い物質、硬度が高い物質または塑性を有さない物質等を用いることができる。また、保護膜１９６は、トランジスタ１７５の上方だけでなく下方に設けることも可能である。保護膜１９６としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｍｎ等の金属やフェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂等の熱硬化性樹脂等を用いることができる。他にも、いわゆるセラミックス等の硬度の高い物質を用いることができる。また、屈折物質１７３ａ、１７３ｂと同様の材料を用いることも可能であるが、その場合であっても屈折物質１７３ａ、１７３ｂに用いる材料より弾性率が高い物質、ガラス転移点が高い物質、硬度が高い物質または塑性を有さない材料で形成する。

また、図２９（Ｂ）に示すように図２９（Ａ）の構成に加えて、当該保護膜が設けられていない部分の基板１５１と基板１５９の一方または両方に凹部１９７を設けた構成としてもよい。なお、図２９（Ｂ）では、トランジスタの上方と下方に保護膜１９６を設けた例を示している。また、図２９（Ｂ）における保護膜１９６は、トランジスタ間に位置する部分１９８における絶縁膜等の積層体より曲がりにくい物質で設ければよく、部分１９８に屈折物質を設けることも可能である。このように、素子形成層を封止するフィルム状の基板に凹部を設けることによって、半導体装置に応力が加わった場合、当該凹部に応力が集中するため、トランジスタに加わる応力を低減し破損を防止することができる。

なお、本実施の形態では、半導体装置の作製方法として、ガラス等の剛性を有する基板上に素子形成層を設けた後に、素子形成層を剥離して可撓性を有する基板上に設ける方法を示したが本発明の半導体装置の作製方法はこれに限られない。例えば、ガラス基板やＳｉ等の半導体基板上に素子形成層を設けた後に、当該ガラス基板やＳｉ等の半導体基板を研削処理や研磨処理によって薄膜化してもよい。この場合、剥離を行わなくとも可撓性を有する半導体装置を作製することが可能となる。また、集積回路に設ける素子として薄膜トランジスタを設けた例を示したが、これに限られずダイオードや容量素子等を設ける場合であっても同様にダイオードや容量素子間に屈折部分を設けることができる。

なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した半導体装置とは異なる構成について図面を参照して説明する。

半導体装置に設けられる集積回路において、トランジスタが単体または単体に近い状態で配置された場合、静電気による破壊や外部からの応力による破壊等が起こりやすくなる。そこで、図１１に示すように、トランジスタの周囲にシリコン等の半導体や金属等からなるダミーパターンまたはダミートランジスタを設けることによって、静電気や応力によるトランジスタの破壊を低減することができる。以下に図１１を参照して説明する。

図１１（Ａ）は、トランジスタ２５１のソースドレイン方向に隣接してダミートランジスタ２５２ａ、２５２ｂを配置した例を示している。図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）におけるｇ−ｈ間の断面図を示している。ダミートランジスタ２５２ａ、２５２ｂは、トランジスタ２５１と同様に設けることができる。

また、図１１（Ｃ）に示すように、トランジスタ２５１のソースドレイン方向に垂直な方向に隣接してダミートランジスタ２５３ａ、２５３ｂを設けることもできる。もちろん、図１１（Ｄ）に示すように、トランジスタ２５１の四方にダミートランジスタ２５４ａ〜２５４ｈを設けてもよい。このように、単体または単体に近い状態で配置されているトランジスタの周囲にダミートランジスタを設けることによって、静電気や応力等によってトランジスタ２５１が破壊されることを防止することができる。

また、図１１（Ｅ）に示すように、トランジスタ２５１の周囲に半導体、金属または絶縁膜等を用いてダミーパターン２５５を設けてもよい。ダミーパターン２５５は、上記実施の形態で示したような曲がりやすい物質を適用することによって、半導体装置を曲げた場合に選択的にダミーパターン２５５にひずみが生じて曲がるため、トランジスタ２５１に生じるひずみを抑制し当該トランジスタの破壊を防止することができる。

なお、図１１に示したダミートランジスタやダミーパターンとあわせて、上記実施の形態に示した屈折部分を設けることによって、半導体装置に曲げ等の物理的な力を加えた場合であっても、より効果的に半導体装置におけるトランジスタ等の破壊を防止することができる。

また、半導体装置に加わる応力によって生じるひずみを考慮してトランジスタを設けることによって、トランジスタ等の破壊を効果的に防止することができる。例えば、半導体装置を曲面に貼り合わせて設ける場合、曲面の母線の方向とトランジスタのキャリアが移動する方向とがそろうように設けることが望ましい（図１９）。このように設けることによって、錐面、柱面等の母線の移動によって描かれる曲面を有するように曲がってしまう場合でも、トランジスタに影響が生じることを抑制することができる。

また、応力等によるトランジスタ等の素子の破壊を防止するためには、トランジスタ等の素子の活性領域（シリコンアイランド部分）の面積の全体の面積に対して占める割合を５〜５０％とすることが好ましい。

（実施の形態４）
上記実施の形態で示した半導体装置の作製方法とは異なる例について図面を参照して説明する。

本実施の形態では、基板上に集積回路を貼り合わせて設ける例を示す。

図１２（Ａ）に示すように、基板２６０上に集積回路２６１ａ〜２６１ｄを貼り合わせることによって設ける（図１２（Ａ））。基板２６０上に設けられた集積回路２６１ａ〜２６１ｄはそれぞれ配線２６２により電気的に接続されている。図１２（Ａ）におけるｉ−ｊ間の断面構造の模式図を図１２（Ｂ）に示す。

図１２（Ｂ）において、集積回路２６１ａ、２６１ｂの端子部２７２ａ、２７２ｂと配線２６２とが電気的に接続されている。ここでは、接着剤として機能する樹脂２６６に含まれる導電性粒子２６７を介して端子部２７２ａ、２７２ｂと配線２６２との接続を行っている。また、集積回路を構成するトランジスタとしては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体基板にチャネル領域を形成して設ける電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）または有機トランジスタ等を用いることができる。ここでは、単結晶シリコン基板２７０をチャネル領域として設けた電界効果型トランジスタ２７１を用いた例を示す。単結晶シリコン等の半導体基板を用いてトランジスタのチャネル領域を形成することによって、高い特性を有するトランジスタを形成することができる。

図１２に示したように、基板２６０上に集積回路２６１ａ〜２６１ｄを貼り合わせることによって半導体装置を形成する場合、あらかじめ配線２６２が設けられている基板２６０上に集積回路２６１ａ〜２６１ｄを設ける方法（図１３（Ａ））と、基板２６０上に集積回路２６１ａ〜２６１ｄを貼り合わせて設けた後に配線２６２を形成する方法（図１３（Ｂ））がある。以下に、それぞれの方法に関して、図面を参照して説明する。

図１３（Ａ）に示すように、あらかじめ配線が形成されている基板上に集積回路を設ける場合は、集積回路に設けられた端子部と基板上に設けられた配線とを電気的に接続するように貼り合わせる。ここでは、基板２６０上にあらかじめ形成されている配線２６２と集積回路２６１ａ、２６１ｂに露出するように設けられた端子部２７２ａ、２７２ｂとを電気的に接続する（図１４（Ａ））。ここでは、接着剤として機能する樹脂２６６に含まれる導電性粒子２６７を介して端子部２７２ａ、２７２ｂと配線２６２とを接続する（図１４（Ｂ））。

一方、図１３（Ｂ）に示すように、基板上に集積回路を設けた後に配線を形成する場合は、集積回路に設けられた端子部と基板上に設けられた導電膜とを電気的に接続するように貼り合わせた後に、配線として機能する導電膜を形成する。ここでは、基板２６０上にあらかじめ形成されている導電膜２６３と集積回路２６１ａ、２６１ｂに露出するように設けられた端子部２７２ａ、２７２ｂとを電気的に接続した（図１５（Ａ））後に、液滴吐出法やスクリーン印刷等の印刷法により配線として機能する導電膜２６５を形成する（図１５（Ｂ））。なお、ここでは、基板２６０上にあらかじめ形成されている導電膜２６３をアライメントマーカーとして利用することにより、基板２６０上に集積回路を精確に貼り合わせて設けることができる。なお、液滴吐出法とは、導電性や絶縁性等を有する材料を含んだ組成物の液滴（ドットともいう）を選択的に吐出（噴射）して任意の場所に形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。

配線２６２、導電膜２６３、導電膜２６５として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、炭素（Ｃ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等から選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。

また、液滴吐出法やスクリーン印刷法等を用いて導電膜２６５を形成する場合には、あらかじめ基板２６０に配線として機能する導電膜２６５を設ける部分に凹部２７３を設けておくことにより、より的確に導電膜２６５を基板２６０上に形成することができる（図１６（Ａ）、（Ｂ））。基板２６０に設ける凹部２７３は、基板２６０に配線パターンを有するニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属またはこれらの合金からなる金属製の金型やシリコンを加工した型等をプレスすることにより設けることができる。また、他にも、基板２６０にレーザ光を照射することによって、配線パターンを有する凹部を形成することができる。また、レーザ光等の照射により、凹部を設けるのではなく、基板２６０における表面の性質（親水性や疎水性等）を変化させることによって、選択的に吐出された液滴が着弾するようにすることも可能である。

また、基板２６０上に形成される配線として機能する２つの導電膜２６５と導電膜２７５が交叉する場合には、２つの導電膜が電気的に接続しないように導電膜２６５と導電膜２７５の交叉する部分にのみ液滴吐出法により絶縁膜２７４を設ける（図１６（Ｃ））。導電膜が交叉する部分にのみ絶縁膜を形成することによって、材料の利用効率や工程の効率化を達成することができる。

次に、基板２６０上に設けられた複数の集積回路を封止する場合について、図１７を参照して説明する。

図１７（Ａ）に示すように、基板２６０上に複数の集積回路を設ける場合、半導体装置に応力が加わることにより生じたゆがみによって集積回路が破損しないように封止を行うことが好ましい。そのため、半導体装置に応力が加えられた場合に集積回路と集積回路の間に、選択的にゆがみが生じて曲がる屈折部分を設ける。さらに、より微細な集積回路を多数設けることによって、集積回路間に形成される屈折部分が増加するため半導体装置を曲げた場合に集積回路の破損を防止することができる。図１７（Ａ）のｋ−ｌ間の断面図の一例を図１７（Ｂ）、（Ｃ）に示す。

図１７（Ｂ）において、基板２６０上に設けられた集積回路間に選択的にひずみが生じて曲がりやすい物質２８２が設けられ、当該集積回路を覆うように可撓性を有するフィルム２８１が設けられている。物質２８２は、集積回路やフィルム２８１より曲がりやすければよく、例えば集積回路やフィルム２８１より、弾性率が低い物質、塑性を示す物質またはフィルム２８１よりガラス転移温度が低い物質等を用いることができる。

また、図１７（Ｃ）に示すように、集積回路を可撓性を有するフィルム２８１等で覆う場合に、集積回路間に空間２８４を形成するように封止を行うことによって集積回路間に屈折部分を設けることもできる。また、屈折部分における基板２６０に凹凸のパターン２８３を設けることによって、屈折部分に応力を集中させて半導体装置を曲げることにより、集積回路に応力が加わることを防止することが可能となる。また、図１７（Ｂ）、（Ｃ）において、上記図２９で示したようにフィルム２８１を設ける前にトランジスタの上方に保護膜を設けた構成とすることもできる。

なお、本実施の形態では、フェイスダウン型の半導体装置の例を示したが、もちろんフェイスアップ型の半導体装置とすることも可能である（図１８（Ａ））。ここでは、基板２６０上に導電膜２８５を有する集積回路を貼り合わせた後に液滴吐出法や印刷法等を用いて導電膜２６５を形成することにより導電膜２８５と導電膜２６５とを接続している。他にも、ワイヤボンディング法等により実装することによってフェイスアップ型の半導体装置を設けることも可能である。

また、本実施の形態では、集積回路として半導体基板にチャネル領域を形成して設ける電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた例を示したが、これに限られず、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることも可能である（図１８（Ｂ））。この場合、上記実施の形態で示したように薄膜トランジスタ１７５間においても屈折部分２８６を設けることによって、半導体装置を曲げる場合により小さい力で大きく曲げることができ且つトランジスタの破損を防止することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置にアンテナを設けることによって、非接触でデータのやりとりができる半導体装置を作製することができる。非接触でデータのやりとりが可能である半導体装置は、一般的にＲＦＩＤ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ（ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）、無線タグ、電子タグ、無線チップともいう）と呼ばれることもある。以下に、非接触でデータのやりとりが可能である半導体装置の一例について図面を参照して説明する。

一般的に非接触でデータのやりとりが可能である半導体装置（以下、ＲＦＩＤタグともよぶ）は、集積回路とアンテナとを有しており、アンテナを介して非接触で外部の機器（リーダ／ライタ）間とデータのやりとりを行うことができる。そのため、上記実施の形態で示した半導体装置にアンテナとして機能する導電膜を設けることによって、非接触でデータのやりとりが可能である半導体装置を作製することができる。例えば、図１に示した半導体装置１５０にアンテナとして機能する導電膜を設けることができる。この場合、図１における集積回路１５２ａ〜１５２ｄとしては、例えば、電源回路、クロック発生回路、復調回路、変調回路、記憶回路、他の回路の制御を行う制御回路のうち少なくとも一つ等が含まれている。次に、アンテナを設けた具体的な構成例を図２０、図２１に示す。

図２０（Ａ）は、上記実施の形態１で示した半導体装置にアンテナとして機能する導電膜２９１を設けた例を示している。導電膜２９１は、上記実施の形態２の図４において、絶縁膜１５８上に形成することによって設けることができる。また、導電膜２９１を覆うように絶縁膜２９２を形成した後に、屈折部分となる部分に開口部を形成し、当該開口部に屈折物質１７３ａ、１７３ｂを充填して設ける。

導電膜２９１としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電材料を用いて形成することができる。また、絶縁膜２９２は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料、シロキサン系材料等の単層または積層構造を用いて形成することができる。

もちろん、図７に示す構造に、アンテナとして機能する導電膜を設けることによって、非接触でデータのやりとりが可能な半導体装置を作製することも可能である。

図２０（Ｂ）は、アンテナとして機能する導電膜２９３が設けられたアンテナ用基板２９４を上記実施の形態１で示した半導体装置の素子形成層と貼り合わせて設けた例を示している。この場合、素子形成層とアンテナ用基板は別途作製したものを用いる。

素子形成層とアンテナ用基板は、接着剤として機能する樹脂２９５によって貼り合わされており、絶縁膜１５８上に形成された導電膜２９９とアンテナとして機能する導電膜２９３が樹脂２９５に含まれる導電性粒子２９６を介して電気的に接続されている。

このように、アンテナは、素子形成層にアンテナとして機能する導電膜を直接形成して設けてもよいし、アンテナ用基板にアンテナとして機能する導電膜を別途形成した後に素子形成層と貼り合わせることによって設けてもよい。

図２１は、上記実施の形態４で示した半導体装置にアンテナを設けた例を示している。ここでは、アンテナとして機能する導電膜２９７があらかじめ設けられた基板２６０上に、集積回路２６１ａ〜２６１ｄを設けることによって非接触でデータのやりとりが可能な半導体装置を作製している（図２１（Ａ））。この場合、集積回路２６１ａ〜２６１ｄには、例えば、電源回路、クロック発生回路、復調回路、変調回路、記憶回路、他の回路の制御を行う制御回路のうち少なくとも一つ等が含まれている。

また、アンテナとして機能する導電膜２９７は配線２６２と同様に設けておくことができる。この場合、アンテナとして機能する導電膜２９７と集積回路との接続は、上記実施の形態４と同様に、導電膜２９８と集積回路の端子部２７２とが接着剤として機能する樹脂２６６に含まれる導電性粒子２６７を介して行うことができる（図２１（Ｂ））。

なお、上記図１５に示したように、基板２６０に集積回路２６１ａ〜２６１ｂを形成した後に、配線となる導電膜と共にアンテナとして機能する導電膜２９７を液滴吐出法や印刷法等を用いて形成することも可能である。

また、本実施の形態は、上記図２０、図２１の構成に限られず、上記実施の形態に示した半導体装置にアンテナを設けた構成であればどのように組み合わせて設けてもよい。

次に、非接触でデータのやりとりが可能である半導体装置の適用例に関して図面を参照して以下に説明する。

ＲＦＩＤタグ８０は、非接触でデータを交信する機能を有し、電源回路８１、クロック発生回路８２、データ復調回路８３、データ変調回路８４、他の回路を制御する制御回路８５、記憶回路８６およびアンテナ８７を有している（図２２（Ａ））。なお、記憶回路は１つに限定されず、複数であっても良く、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭまたはＦｅＲＡＭ等や有機化合物層を記憶素子部に用いたものを用いることができる。

リーダ／ライタ８８から電波として送られてきた信号は、アンテナ８７において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。電源回路８１では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、電源配線を用いて各回路へ電源電圧を供給する。クロック発生回路８２は、アンテナ８７から入力された交流信号を基に、各種クロック信号を生成し、制御回路８５に供給する。復調回路８３では、当該交流の電気信号を復調し、制御回路８５に供給する。制御回路８５では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。記憶回路８６では、制御回路８５において用いられるプログラムやデータ等が記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そして、制御回路８５から変調回路８４にデータが送られ、変調回路８４から当該データに従ってアンテナ８７に負荷変調を加えることができる。リーダ／ライタ８８は、アンテナ８７に加えられた負荷変調を電波で受け取ることにより、結果的にデータを読み取ることが可能となる。

また、ＲＦＩＤタグは、各回路への電源電圧の供給を電源（バッテリ）を搭載せず電波により行うタイプとしてもよいし、電源（バッテリ）を搭載して電波と電源（バッテリ）により各回路に電源電圧を供給するタイプとしてもよい。

上記実施の形態で示した構成を用いることによって、折り曲げることが可能なＲＦＩＤタグを作製することが可能となるため、曲面を有する物体に貼り付けて設けることが可能となる。

次に、可撓性を有するＲＦＩＤタグの使用形態の一例について説明する。表示部３２１を含む携帯端末の側面には、リーダ／ライタ３２０が設けられ、品物３２２の側面にはＲＦＩＤタグ３２３が設けられる（図２２（Ｂ））。品物３２２が含むＲＦＩＤタグ３２３にリーダ／ライタ３２０をかざすと、表示部３２１に品物３２２の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に品物３２２の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダ／ライタ３２４と、商品３２６に設けられたＲＦＩＤタグ３２５を用いて、該商品３２６の検品を行うことができる（図２２（Ｃ））。このように、システムにＲＦＩＤを活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。また、上記実施の形態で示したように、曲面を有する物体に貼り付けた場合であっても、ＲＦＩＤタグに含まれるトランジスタ等の損傷を防止し、信頼性の高いＲＦＩＤタグを提供することが可能となる。

また、上述した非接触データのやりとりが可能である半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。伝送方式は、実施者が使用用途を考慮して適宜選択すればよく、伝送方式に伴って最適なアンテナを設ければよい。

例えば、半導体装置における信号の伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、アンテナとして機能する導電膜を輪状（例えば、ループアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成する。

また、半導体装置における信号の伝送方式として、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、例えば、アンテナとして機能する導電膜を線状（例えば、ダイポールアンテナ）、平坦な形状（例えば、パッチアンテナ）またはリボン型の形状等に形成することができる。また、アンテナとして機能する導電膜の形状は線状に限られず、電磁波の波長を考慮して曲線状や蛇行形状またはこれらを組み合わせた形状で設けてもよい。

次にＲＦＩＤタグを実装した商品の管理方法の一例に関して図面を参照して説明する。

図３０は、セット商品の受注生産管理システムの一例を示すブロック図である。図３０に示すシステムでは、消費者等である複数の個人がセット商品を注文した場合に、当該セット商品の管理センターが商品の受注データに従って製造元Ａおよび製造元Ｂから商品を調達した後に、個人へセット商品を発送する一例を示している。なお、ここでは便宜上、個人１〜個人３が商品を注文する場合を示す。

個人１〜個人３は、ＬＡＮ等のネットワークを介して、管理センターが提供するセット商品の内容に関して閲覧し、希望するセット商品を注文することができる。なお、ここでは、商品Ａと商品Ｂとの組み合わせたものをセット商品とする。なお、商品Ａは、ａ１、ａ２、ａ３・・・ａｎの複数の商品を有しており、商品Ｂは、ｂ１、ｂ２、ｂ３・・・ｂｎの複数の商品を有している。個人は商品Ａおよび商品Ｂからそれぞれ希望の商品を組み合わせてセット商品とすることができる。

例えば、商品Ａ（例えば茶器）と商品Ｂ（例えば茶葉）からなるセット商品を考えた場合、商品Ａは、茶器の形状等が異なる複数の商品ａ１、ａ２、ａ３・・・ａｎを有しており、商品Ｂは、茶葉の種類が異なる複数の商品ｂ１、ｂ２、ｂ３・・・ｂｎを有しており、個人１〜個人３は、商品Ａおよび商品Ｂから希望の商品の組み合わせをセット商品として注文する。なお、ここでは、個人１がａ１とｂ１の組み合わせからなるセット商品１を、個人２がａ２とｂ２の組み合わせからなるセット商品２を、個人３がａ３とｂ３の組み合わせからなるセット商品３を注文する場合を示している。

個人１〜３から注文があった場合、管理センターは、受注データに従って製造元Ａおよび製造元Ｂに当該商品の発注を行う。製造元Ａは、管理センターから送られてきた受注データＡに従って商品ａ１、ａ２、ａ３を製造する。また、商品を製造する際に受注データＡに従ってそれぞれの商品にＲＦＩＤタグを設ける。また、製造元Ｂも同様に、管理センターから送られてきた受注データＢに従って、ＲＦＩＤタグを備えた商品ｂ１、ｂ２、ｂ３の製造を行う。なお、ＲＦＩＤタグの識別番号等は、あらかじめ管理センターで注文のあった商品に割り当てて管理されている。その後、製造元Ａおよび製造元Ｂから、それぞれＲＦＩＤタグが設けられた商品（ａ１、ａ２、ａ３）および商品（ｂ１、ｂ２、ｂ３）が管理センターに送られる。

管理センターでは、製造元Ａおよび製造元Ｂから送られてきた商品を個別受注品データに従って、ａ１〜ａ３およびｂ１〜ｂ３を組み合わせることによって、セット商品１（ａ１＋ｂ１）、セット商品２（ａ２＋ｂ２）およびセット商品３（ａ３＋ｂ３）とする。なお、ここではａ１〜ａ３およびｂ１〜ｂ３に設けられたＲＦＩＤタグを用いることによって、中身等を確認せずに容易に複数の商品を識別して、セット商品１〜セット商品３とすることができる。その後、管理センターは、当該セット商品１〜セット商品３をそれぞれ個人１〜個人３に発送する。

このように、複数の商品を組み合わせて一つのセット商品とする場合、あらかじめ組み合わせられる商品にＲＦＩＤタグを設けることによって、異なる製造元に発注した場合であっても、ＲＦＩＤタグを用いて識別を行うことによって少ない労力で容易に複数の商品を識別して所望のセット商品とすることが可能となる。また、製造する商品に管理されたＲＦＩＤタグをあらかじめ設けることによって、製造から販売までの期間の商品の紛失や盗難等を効果的に抑制し、コストを低減することができる。また、本実施の形態で示したように可撓性を有するＲＦＩＤタグを用いることによって、曲面を有する商品など様々な商品に設けることが可能となる。

また、上述した以外にも可撓性を有するＲＦＩＤタグの用途は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図２３を用いて説明する。

紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するもの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指す（図２３（Ａ）参照）。証書類とは、運転免許証、住民票等を指す（図２３（Ｂ）参照）。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す（図２３（Ｃ）参照）。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指す（図２３（Ｄ）参照）。書籍類とは、書物、本等を指す（図２３（Ｅ）参照）。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指す（図２３（Ｆ）参照）。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指す（図２３（Ｇ）参照）。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指す（図２３（Ｈ）参照）。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話等を指す。

紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類等にＲＦＩＤタグを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、書籍類、記録媒体等、身の回り品、食品類、生活用品類、電子機器等にＲＦＩＤタグを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類、保健用品類、薬品類等にＲＦＩＤタグを設けることにより、偽造や盗難の防止、薬品類ならば、薬の服用の間違いを防止することができる。ＲＦＩＤタグの設け方としては、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして設ける。例えば、本ならば紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。上記実施の形態で示した構造を有する可撓性を有するＲＦＩＤタグを用いることによって、紙等に設けた場合であっても、半導体装置を用いてＲＦＩＤタグを設けることにより、当該ＲＦＩＤタグに含まれる素子の破損等を防止することができる。

このように、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等にＲＦＩＤタグを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類にＲＦＩＤタグを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物にセンサを備えたＲＦＩＤタグを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等はもちろん現在の体温等の健康状態を容易に管理することが可能となる。

なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した半導体装置を表示装置に適用した場合の一例について図面を参照して説明する。

ここでは、一例として、可撓性を有する基板４００上に画素領域４０１と駆動回路４０２、４０３とが設けられた表示装置について示す（図２４（Ａ））。

画素領域４０１は、信号線として機能する配線４０５ａ、４０５ｂと電源線として機能する配線４０６ａ、４０６ｂと配線４０５ａ、４０５ｂ、４０６ａ、４０６ｂと垂直方向に延びた走査線として機能する配線４２３とを有しており、当該信号線として機能する配線、電源線として機能する配線および走査線として機能する配線に囲まれるように薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２１、４２２および画素部４０７とが設けられている。また、画素部と画素部の間に、屈折部分４０４が設けられている（図２４（Ｂ））。屈折部分４０４を設けることによって、表示装置を曲げた場合（表示装置に応力が加えられた場合）、屈折部分に選択的にひずみが生じ、当該屈折部分４０４が選択的に曲がる。

ここでは、ＴＦＴ４２１のソースまたはドレイン領域の一方が配線４０５ｂに接続され他方がＴＦＴ４２２のゲート電極に接続されている。また、ＴＦＴ４２２のソースまたはドレイン領域の一方が配線４０６ｂに接続され他方が画素部４０７に接続されている。さらに、配線４０６ａと配線４０５ｂとの間に屈折部分４０４が設けられている。

次に、図２４（Ｂ）におけるｏ−ｐ間の断面構造を図２５に示す。

基板４００上にＴＦＴ４２２が設けられ、ＴＦＴ４２２のソースまたはドレイン領域の一方が配線４０６ｂに接続され、他方が画素部４０７に接続されている。画素部４０７は、画素電極４１１、発光層４１２および対向電極４１３とを有しており、ＴＦＴ４２２のソースまたはドレイン電極の他方が画素電極４１１に接続されている。また、画素部と画素部の間に屈折部分４０４として、開口部４４１に屈折物質４４２が設けられている。屈折物質４４２は、絶縁膜４３１〜４３５の積層体より曲がりやすい物質を充填することによって設けられている（図２５（Ａ））。例えば、屈折物質４４２は、絶縁膜４３１〜４３５の積層体より弾性率が低い物質、塑性を有する物質またはガラス転移点が低い物質等を用いて設けることができる。また、４１０は対向基板である。

なお、屈折物質４４２は、上記構成に限られず絶縁膜４３１〜４３５のいずれかを除去して設けることができる。例えば、図２５（Ｂ）に示すように、絶縁膜４３１〜４３４を除去して設けられた開口部４４３に絶縁膜４３１〜４３４の積層体より曲がりやすい物質からなる屈折物質４４４を設け、その上に絶縁膜４３５を設けた構成としてもよい。なお、開口部４４１、４４３に屈折物質４４２、４４４を設けずに空間としてもよい。

次に、上述した表示装置の作製方法の一例に関して、図面を用いて簡単に説明する。

まず、基板１７０上に剥離層１７１を形成し、当該剥離層１７１上に、絶縁膜４３１、トランジスタ４２２、絶縁膜４３２、４３３、配線４０５ａ、４０５ｂ、トランジスタ４２２のソースまたはドレイン領域に接続する配線、画素電極４１１および絶縁膜４３４からなる素子形成層４４５を形成する（図２６（Ａ））。具体的には、剥離層１７１上に絶縁膜４３１を介して薄膜トランジスタ４２２を形成し、当該トランジスタ４２２を覆うように絶縁膜４３３を形成し、当該絶縁膜４３３上に配線４０５ａ、４０５ｂ、画素電極４１１および薄膜トランジスタ４２２の不純物領域と接続する導電膜を形成し、画素電極４１１の端部を覆うように絶縁膜４３４を形成する。

次に、基板１７０から素子形成層４４５の剥離を行う。ここでは、素子形成層４４５に選択的にレーザ光を照射して開口部４４６ａ〜４４６ｃを形成後、物理的な力を用いて基板１７０から素子形成層４４５を剥離する。また、他の剥離法として、絶縁膜４３１〜４３４を選択的に除去して開口部４４６ａ〜４４６ｃを形成することにより、剥離層１７１を露出させた後、開口部４４６ａ〜４４６ｃにエッチング剤を導入することにより、剥離層１７１を除去する（図２６（Ｂ））。剥離層１７１を全て除去してもよいが、ここでは、剥離層１７１の一部を残すように除去を行う。

次に、絶縁膜４３４の表面に粘着性を有するフィルム１７７を貼り合わせて設け、素子形成層４４５を基板１７０から剥離させる（図２６（Ｃ））。ここでは、基板１７０と素子形成層４４５における絶縁膜４３１とが、残存した剥離層によって一部つながれているため、物理的手段を用いて基板１７０から素子形成層４４５を剥離させる。

次に、基板１７０から剥離した側の素子形成層４４５の表面をフィルム状の基板１５１に接着させて、フィルム１７７を剥離させる（図２７（Ａ））。

次に、画素電極４１１上に発光層４１２、対向電極４１３および屈折物質４４４ａ〜４４４ｃをそれぞれ選択的に形成する（図２７（Ｂ））。発光層４１２および対向電極４１３の形成は、屈折物質４４４ａ〜４４４ｃを形成した後に行ってもよいし形成前に行ってもよい。また、開口部４４６ａ〜４４６ｃに屈折物質４４４ａ〜４４４ｃを設けずに空間とすることも可能である。また、発光層４１２および対向電極４１３は、液滴吐出法を用いて選択的に形成してもよいし、スクリーン印刷やグラビア印刷法等の印刷法を用いて形成してもよい。ここでは、液滴吐出法を用いることによって選択的に発光層４１２および対向電極４１３を形成する。また、カラー表示可能な表示装置を形成する場合には、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色を発光する発光層をそれぞれ選択的に形成する。このように、液滴吐出法や印刷法を用いて発光層を形成することによって、無駄な材料を減らすことができるためコストを削減することが可能となる。

発光層４１２としては、低分子系材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子系材料等の有機化合物材料を単層または積層構造を、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等によって形成することができる。また、他にも、発光層４１２として、無機化合物材料を用いて単層または積層構造で設けることも可能である。一般的に、発光層に用いられる発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼ばれており、本実施の形態ではどちらを適用してもよい。

無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分類される。前者は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有し、後者は、蛍光材料の薄膜からなる発光層を有している点に違いがある。しかし、そのメカニズムは共通しており、高電界で加速された電子による母体材料又は発光中心の衝突励起により発光が得られる。本実施の形態において、無機ＥＬ素子を適用する場合には、分散型無機ＥＬ素子又は薄膜型無機ＥＬ素子のいずれかを適用すればよい。

次に、対向電極４１３を覆うように絶縁膜４３５を形成した後に、基板１５１と基板１５９を用いることによって封止を行う（図２７（Ｃ））。

以上の工程により、可撓性を有する表示装置を形成することができる。なお、図２７（Ｂ）において、屈折物質４４４ａ〜４４４ｃを設けずに、図２７（Ｃ）において、絶縁膜４３５を形成した後に形成することによって、図２５（Ａ）に示す表示装置を作製することができる。

なお、ここでは、表示装置の作製方法として、ガラス等の剛性を有する基板上に素子形成層を設けた後に、素子形成層を剥離して可撓性を有する基板上に設ける方法を示したが本発明の表示装置の作製方法はこれに限られない。例えば、ガラス基板やＳｉ等の半導体基板上に素子形成層を設けた後に、当該ガラス基板やＳｉ等の半導体基板を研削処理や研磨処理によって薄膜化してもよい。この場合、剥離を行わなくとも可撓性を有する表示装置を作製することが可能となる。

次に、上述した可撓性を有する半導体装置を用いて作製した表示装置の用途に関して図面を参照して説明する。

図２８（Ａ）はディスプレイであり、本体４１０１、支持台４１０２、表示部４１０３を含む。表示部４１０３は可撓性を有する基板を用いて形成されており、軽量で薄型のディスプレイを実現できる。また、表示部４１０３を湾曲させることも可能であり、支持台４１０２から取り外して壁に掛けることも可能である。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４１０３や回路等に用いることによって、可撓性を有するディスプレイを作製することができる。

図２８（Ｂ）は巻き取り可能な大型ディスプレイであり、本体４２０１、表示部４２０２を含む。本体４２０１および表示部４２０２は可撓性を有する基板を用いて形成されているため、ディスプレイを折り畳んだり、巻き取ったりして持ち運ぶことが可能である。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４２０２や回路等に用いることによって、可撓性を有し、軽量、薄型の大型のディスプレイを作製することができる。

図２８（Ｃ）は、シート型のコンピュータであり、本体４４０１、表示部４４０２、キーボード４４０３、タッチパッド４４０４、外部接続ポート４４０５、電源プラグ４４０６等を含んでいる。表示部４４０２は可撓性を有する基板を用いて形成されており、軽量で薄型のコンピュータを実現できる。また、電源プラグ４４０６の部分に収納スペースを設けることによって表示部２４０２を巻き取って収納することが可能である。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４４０２や回路等に用いることによって、可撓性を有し、軽量、薄型のコンピュータを作製することができる。

図２８（Ｄ）は、２０〜８０インチの大型の表示部を有する表示装置であり、本体４３００、操作部であるキーボード４３０１、表示部４３０２、スピーカー４３０３等を含む。また、表示部４３０２は可撓性を有する基板を用いて形成されており、キーボード４３０１を取り外して本体４３００を折り畳んだり巻き取ったりして持ち運ぶことが可能である。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４３０２や回路等に用いることによって、可撓性を有し、軽量、薄型の大型表示装置を作製することができる。

図２８（Ｅ）は電子ブックであり、本体４５０１、表示部４５０２、操作キー４５０３等を含む。またモデムが本体４５０１に内蔵されていても良い。表示部４５０２は可撓性基板を用いて形成されており、折り曲げることができる。さらに、表示部４５０２は文字等の静止画像はもちろん動画も表示することが可能となっている。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４５０２や回路等に用いることによって、可撓性を有し、軽量、薄型の電子ブックを作製することができる。

図２８（Ｆ）はＩＣカードであり、本体４６０１、表示部４６０２、接続端子４６０３等を含む。表示部４６０２は可撓性基板を用いて軽量、薄型のシート状になっているため、カードの表面に張り付けて形成することができる。また、ＩＣカードを非接触でデータの受信が行える場合に外部から取得した情報を表示部４６０２に表示することが可能となっている。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４６０２や回路等に用いることによって、可撓性を有し、軽量、薄型のＩＣカードを作製することができる。

以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器や情報表示手段に用いることが可能である。なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。

本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。本発明の半導体装置を表示装置に適用した一例を示す図。本発明の半導体装置を表示装置に適用した一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。本発明の半導体装置の一例を示す図。本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。

符号の説明

１３１開口部
１３２ａ開口部
１３２ｂ開口部
１５０半導体装置
１５１基板
１５２ａ集積回路
１５２ｂ集積回路
１５２ｃ集積回路
１５２ｄ集積回路
１５３屈折部分
１５４絶縁膜
１５５トランジスタ
１５６絶縁膜
１５７絶縁膜
１５８絶縁膜
１５９基板
１６１ａブロック
１６１ｂブロック
１６１ｃブロック
１６１ｄブロック
１６１ｅブロック
１６１ｆブロック
１６２ａ屈折部分
１６２ｂ屈折部分
１６２ｃ屈折部分
１６３屈折物質
１６４ａ屈折物質
１６４ｂ屈折物質
１６５ａ空間
１６５ｂ空間
１７０基板
１７１剥離層
１７２ａ開口部
１７２ｂ開口部
１７３ａ屈折物質
１７３ｂ屈折物質
１７５薄膜トランジスタ
１７６開口部
１７７フィルム
１７８ａ空間
１７８ｂ空間
１７９ａ屈折物質
１７９ｂ屈折物質
１８０素子形成層
１８１ａ屈折物質
１８１ｂ屈折物質
１８２ａ開口部
１８２ｂ開口部
１８３開口部
１８４ａ開口部
１８４ｂ開口部
１８５開口部
１８６ａ開口部
１８６ｂ開口部
１８７開口部
１８８ａ屈折物質
１８８ｂ屈折物質
１８９ａ屈折物質
１８９ｂ屈折物質
１９０ベルトコンベア
１９１供給ロール
１９２封止ロール
１９３切断手段
１９４導電膜
１９５開口部
１９６保護膜
１９７凹部
１９８部分
２５１トランジスタ
２５２ａダミートランジスタ
２５２ｂダミートランジスタ
２５３ａダミートランジスタ
２５３ｂダミートランジスタ
２５４ａダミートランジスタ
２５４ｂダミートランジスタ
２５４ｃダミートランジスタ
２５４ｄダミートランジスタ
２５４ｅダミートランジスタ
２５４ｆダミートランジスタ
２５４ｇダミートランジスタ
２５４ｈダミートランジスタ
２５５ダミーパターン
２６０基板
２６１ａ集積回路
２６１ｂ集積回路
２６１ｃ集積回路
２６１ｄ集積回路
２６２配線
２６３導電膜
２６５導電膜
２６６樹脂
２６７導電性粒子
２７０単結晶シリコン基板
２７１電界効果型トランジスタ
２７２端子部
２７２ａ端子部
２７２ｂ端子部
２７３凹部
２７４絶縁膜
２７５導電膜
２８１フィルム
２８２物質
２８３凹凸パターン
２８４空間
２８５導電膜
２８６屈折部分
２９１導電膜
２９２絶縁膜
２９３導電膜
２９４基板
２９５樹脂
２９６導電膜
２９７導電膜
２９８導電膜
８０ＲＦＩＤ
８１電源回路
８２クロック発生回路
８３データ復調回路
８４データ変調回路
８５制御回路
８６記憶回路
８７アンテナ
８８リーダ／ライタ
３２０リーダ／ライタ
３２１表示部
３２２品物
３２３ＲＦＩＤ
３２５ＲＦＩＤ
３２６商品
４００基板
４０１画素領域
４０２駆動回路
４０３駆動回路
４０４屈折部分
４０５ａ配線
４０５ｂ配線
４０６ａ配線
４０６ｂ配線
４０７画素部
４１０
４１１画素電極
４１２発光層
４１３対向電極
４２１薄膜トランジスタ
４２２薄膜トランジスタ
４２３配線
４３１絶縁膜
４３２絶縁膜
４３３絶縁膜
４３４絶縁膜
４３５絶縁膜
４４１開口部
４４２屈折物質
４４３開口部
４４４屈折物質
４４４ａ屈折物質
４４４ｂ屈折物質
４４４ｃ屈折物質
４４５素子形成層
４４６ａ開口部
４４６ｂ開口部
４４６ｃ開口部
４１０１本体
４１０２支持台
４１０３表示部
４２０１本体
４２０２表示部
４３００本体
４３０１キーボード
４３０２表示部
４３０３スピーカー
４４０１本体
４４０２表示部
４４０３キーボード
４４０４タッチパッド
４４０５外部接続ポート
４４０６電源プラグ
４５０１本体
４５０２表示部
４５０３操作キー
４６０１本体
４６０２表示部
４６０３接続端子

Claims

可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記層間絶縁膜に設けられた空間であることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記層間絶縁膜に設けられた開口部に前記層間絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記層間絶縁膜に設けられた開口部に前記層間絶縁膜よりガラス転移点が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記層間絶縁膜に設けられた開口部に前記層間絶縁膜より塑性を有する物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜と前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記アンテナとして機能する第２の導電膜を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に設けられた空間であることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜と前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記アンテナとして機能する第２の導電膜を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に設けられた開口部に、前記前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜と前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記アンテナとして機能する第２の導電膜を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に設けられた開口部に、前記前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜よりガラス転移点が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜と前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有する複数のトランジスタと、
前記ゲート電極を覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記アンテナとして機能する第２の導電膜を覆って形成された第３の絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に設けられた開口部に、前記前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜より塑性を有する物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、単結晶の半導体膜にチャネル領域を設けた電界効果型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、有機トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと電気的に接続する導電膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記導電膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に選択的に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部に前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜より弾性率が低い物質を設け、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に第２の開口部を形成して選択的に前記剥離層を露出させ、
前記第３の絶縁膜の表面に接着面を有するフィルムを接着させて、前記第１の絶縁膜から前記剥離層および前記第１の基板を剥離し、
前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜を固着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと電気的に接続する導電膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上および前記導電膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に選択的に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部に前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜よりガラス転移点が低い物質を設け、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に第２の開口部を形成して選択的に前記剥離層を露出させ、
前記第３の絶縁膜の表面に接着面を有するフィルムを接着させて、前記第１の絶縁膜から前記剥離層および前記第１の基板を剥離し、
前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜を固着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタを覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと電気的に接続する導電膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記導電膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に選択的に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部に前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜より塑性を有する物質を設け、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜に第２の開口部を形成して選択的に前記剥離層を露出させ、
前記第３の絶縁膜の表面に接着面を有するフィルムを接着させて、前記第１の絶縁膜から前記剥離層および前記第１の基板を剥離し、
前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜を固着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２の基板として可撓性を有する基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
導電膜のパターンが形成された基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を前記導電膜のパターンと電気的に接続するように貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
導電膜のパターンが形成された基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を前記導電膜のパターンと電気的に接続するように貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成し、
前記凹部に前記絶縁膜より弾性率が低い物質を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
導電膜のパターンが形成された基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を前記導電膜のパターンと電気的に接続するように貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成し、
前記凹部に前記絶縁膜よりガラス転移点が低い物質を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
導電膜のパターンが形成された基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を前記導電膜のパターンと電気的に接続するように貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成し、
前記凹部に前記絶縁膜より塑性を有する物質を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記導電膜のパターンとして、アンテナとして機能する導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記集積回路として、電源回路、クロック発生回路、復調回路、変調回路、記憶回路、制御回路うちいずれか一を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を電気的に接続する導電膜を形成し、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を電気的に接続する導電膜を形成し、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成し、
前記凹部に前記絶縁膜より弾性率が低い物質を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を電気的に接続する導電膜を形成し、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成し、
前記凹部に前記絶縁膜よりガラス転移点が低い物質を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
基板上にトランジスタを含む複数の集積回路を貼り合わせて設け、
前記複数の集積回路を電気的に接続する導電膜を形成し、
前記複数の集積回路を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の集積回路の間に位置する前記絶縁膜に凹部を形成し、
前記凹部に前記絶縁膜より塑性を有する物質を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。