JP7079803B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
。
2は酸化ケイ素(SiOx)、窒化ケイ素(SiNx)、酸化アルミニウム(AlOx)及び酸窒化ケイ素(SiON)から成る群から選択された一つ以上を含んで形成されるが、バッファ層12の材質がこれに限定されるものではない。また、バッファ層12は、単一膜構造または二つ以上の層が積層された積層構造を有しうる。バッファ層12が二つの層を有する例示的な実施形態で、二つの層は互いに異なる物質で形成されうる。例えば、第1層は酸化ケイ素から成り、第2層は窒化ケイ素から成る。ただし、これは例示的なものであり、バッファ層12の構造がこれに限定されるものではない。
れは当業者に自明であり、本発明の範囲が曖昧になることを避けるため、これに関する詳しい説明は省略する。
絶縁膜35の上面から一定間隔窪んで形成される凹パターン500は、基板10の上面を少なくとも部分的に露出させる。言い換えれば、凹パターン500の底面は、少なくとも部分的に基板10の上面を含みうる。
比べて、配線パッド部402の間に配置される凹パターン501の幅d2が相対的に小さい場合もある。ただし、これに限定されるものではなく、配線ライン部401の間に配置される凹パターン501と配線パッド部402との間に配置される凹パターン501の幅は実質的に同じでありうる。
第1方向の順に延在すると、第2方向、第1方向及び第3方向の順に、または第3方向、第1方向及び第2方向の順に延在した配線ライン部411の内側には、一定の空間が区切られる。例示的な実施形態で、凹パターン503は第2方向、第1方向及び第3方向の順に、または第3方向、第1方向及び第2方向の順に延在した配線ライン部411により区切られる空間に配置される。言い換えれば、配線ライン部411は各凹パターン503の外周と隣接するように配置され、各凹パターン503の外周の一部に沿って配置される。すなわち、凹パターン503は、ジグザグ状に延在した各配線ライン部411の間々に配置される。すなわち、凹パターン503は各配線ライン部411の間で少なくとも一つ以上配置される。
行方向に一直線に沿って整列しうる。
状を有しうる。セルIDパターン45の外周に沿って凹パターン505が配置される場合、アレイ基板の製造工程または運搬工程中に発生したクラックがセルIDパターン45に伝播し、セルIDパターン45に損傷を与えることを防ぐ。
非表示領域NDAは、基板10、基板10上に配置されるバリアー層11、バリアー層11上に配置されるバッファ層12、バッファ層12上に配置される第1絶縁膜25、第1絶縁膜25上に配置される第2絶縁膜35、第1絶縁膜25と第2絶縁膜35との間に介在するか、または第2絶縁膜35上に配置され、互いに離隔して基板10の一側に向かって延在するように形成される複数個の配線パターン、第2絶縁膜35の上面から所定深さで窪んで、基板10の上面を少なくとも部分的に露出させる凹パターン及び第2絶縁膜35上に配置され、上記の凹パターンによって露出される基板10の上面を少なくとも部分的に露出させる有機絶縁膜75を備えるアレイ基板並びにアレイ基板上に配置される封止部材を含む。
細書で「半導体層」とは酸化物半導体を含むものと理解できるが、これに限定されるものではない。
アレイ基板と接着されて密封される。
10 基板
11 バリアー層
12 バッファ層
20 ゲート絶縁膜
25 第1絶縁膜
30 層間絶縁膜
31 第1サブ絶縁膜
32 第2サブ絶縁膜
35、35’ 第2絶縁膜
40 半導体層
45 セルIDパターン
46 十字架状の図形
50 ゲート線
51 ゲート電極
55 ゲートパッド
60 データ線
61 ソース電極
62 ドレイン電極
70 平坦化膜
71 第1コンタクトホール
72 コンタクト部
75 有機絶縁膜
80 第1電極
90 画素定義膜
91 有機層
92 第2電極
100 アレイ基板
200 スキャンドライバ
300 エミッションドライバ
401、411、421 配線ライン部
402 配線パッド部
403 配線接続部
500、501、503、504、505、506、507、508 凹パターン
502 凹溝
700 切断線
800 封止基板
801 導電膜
803 封止膜
Claims (12)
- 表示領域と前記表示領域と隣接して配置される非表示領域とを含む基板と、
前記表示領域に配置される複数の画素と、
前記基板上に配置されるバッファ層と、
前記バッファ層上に配置される第1絶縁膜と、
前記バッファ層の上面上に配置される半導体層と、
前記非表示領域に配置され、前記複数の画素に電気的に接続される複数の配線パターンと、
隣接する前記配線パターンの間で、前記第1絶縁膜の厚さ方向に貫通する凹パターンと、
前記複数の配線パターン上に配置され、前記凹パターンによって露出された前記基板の上面と直接接触する上部絶縁膜と、を有し、
前記複数の配線パターンは、前記第1絶縁膜上に配置され、前記第1絶縁膜と直接接触し、
前記半導体層と前記複数の配線パターンとの間に配置される第2絶縁膜をさらに有し、
前記凹パターンは、前記第2絶縁膜を完全に貫通することを特徴とする表示装置。 - 前記第2絶縁膜と前記複数の配線パターンとの間に配置される第3絶縁膜をさらに有し、
前記凹パターンは、前記第3絶縁膜を完全に貫通することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記配線パターンは、配線ライン部と、前記配線ライン部に接続された配線パッド部と、含み、
前記配線ライン部は、前記表示領域のゲート配線と同じ物質で形成され、
前記配線パッド部は、ソース電極と同じ物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記配線パターンは、配線接続部をさらに含み、
前記配線ライン部と配線パッド部は、前記配線接続部を介して互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。 - 前記配線パターンは、アルミニウムまたはアルミニウム合金のようなアルミニウム(Al)ベースの金属、銀または銀合金のような銀(Ag)ベースの金属、銅または銅合金のような銅(Cu)ベースの金属、モリブデンまたはモリブデン合金のようなモリブデン(Mo)ベースの金属、クロム(Cr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)からなる群より選択される1つ以上の物質より形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記上部絶縁膜は、有機物質により形成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記凹パターンは、前記上部絶縁膜により充填されることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- 前記基板の少なくとも一部にわたって、前記基板上に配置される少なくとも1つの切断線と、
前記切断線に隣接して配置される複数の凹パターンと、をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記複数の配線パターンは、信号を送信または受信するためのスキャンドライバまたはエミッションドライバに接続されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 表示領域と前記表示領域と隣接して配置される非表示領域とを含む基板と、
前記表示領域に配置される複数の画素と、
前記基板上に配置されるバッファ層と、
前記バッファ層上に配置される第1絶縁膜と、
前記バッファ層の上面上に配置される半導体層と、
前記半導体層上に配置され、前記表示領域の薄膜トランジスタのゲート電極と、前記複数の画素に電気的に接続された複数の配線ライン部とを含む第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、前記表示領域の薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と、前記配線ライン部に接続された複数の配線パッド部と、を含む第2導電層と、
前記第1絶縁膜を厚さ方向に貫通する凹パターンと、
前記複数の配線ライン部上に配置され、前記凹パターンによって露出された前記基板の上面と直接接触する上部絶縁膜と、を有し、
複数の配線ライン部は、前記第1絶縁膜に直接接触して、前記第1絶縁膜上に配置されることを特徴とする表示装置。 - 前記上部絶縁膜は、有機物質により形成されることを特徴とする請求項10に記載の表示装置。
- 前記凹パターンは、前記上部絶縁膜により充填されることを特徴とする請求項11に記載の表示装置。
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