JPH0717059Y2 - 液晶表示パネル用電極基板 - Google Patents
液晶表示パネル用電極基板Info
- Publication number
- JPH0717059Y2 JPH0717059Y2 JP1987118373U JP11837387U JPH0717059Y2 JP H0717059 Y2 JPH0717059 Y2 JP H0717059Y2 JP 1987118373 U JP1987118373 U JP 1987118373U JP 11837387 U JP11837387 U JP 11837387U JP H0717059 Y2 JPH0717059 Y2 JP H0717059Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- crystal display
- display panel
- electrode substrate
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は電極基板間に液晶物質を介在せしめた液晶表示
パネルに関し、特にその電極基板の構造に関する。
パネルに関し、特にその電極基板の構造に関する。
（ロ）従来の技術 近年、薄膜トランジスタ（以下TFTと称す）を各電極に
対応づけたアクティプマトリクス型の液晶表示パネルが
例えば液晶テレビ等に実用化されている。
対応づけたアクティプマトリクス型の液晶表示パネルが
例えば液晶テレビ等に実用化されている。
一方、アモルファス・シリコン（以下ａ−Siと称す）膜
等の非晶質材料は、その物性上の特徴及びプラズマCVD
法という形成方法の利点を活かしてこれまでの単結晶Si
では実現不可能であった分野への応用を開拓している。
特にａ−Si膜はプラズマ反応という形成方法で成膜でき
るために太陽電池などの光電変換素子やスイッチング素
子などに応用されている。
等の非晶質材料は、その物性上の特徴及びプラズマCVD
法という形成方法の利点を活かしてこれまでの単結晶Si
では実現不可能であった分野への応用を開拓している。
特にａ−Si膜はプラズマ反応という形成方法で成膜でき
るために太陽電池などの光電変換素子やスイッチング素
子などに応用されている。
液晶テレビへのこのようなａ−SiTFTスイッチング素子
の応用は、プラズマ反応の大面積化のメリットを活かし
たものであるが、同時に同反応法によって、TFTを構成
するゲート絶縁膜やパッシベーション膜となるSiNx膜や
SiOx膜を形成できるという長所も有していた。しかしな
がらプラズマ反応法による薄膜は、その成膜条件によっ
て、膜内に内部応力を潜在しやすく、かつ形成後の熱刺
激によって膜剥離が発生しやすくなる欠点があった。
の応用は、プラズマ反応の大面積化のメリットを活かし
たものであるが、同時に同反応法によって、TFTを構成
するゲート絶縁膜やパッシベーション膜となるSiNx膜や
SiOx膜を形成できるという長所も有していた。しかしな
がらプラズマ反応法による薄膜は、その成膜条件によっ
て、膜内に内部応力を潜在しやすく、かつ形成後の熱刺
激によって膜剥離が発生しやすくなる欠点があった。
第４図及び第５図にａ−Si膜及びSiNx膜それぞれの形成
条件（放電Powev、流量比SiH4/N2）と内部応力（STRES
S）の関係について代表的なものを示す。又、これら薄
膜は積層形成されることによりより複雑な応力を示すよ
うになる。（電子通信学会技術報告（1986年）、ED86−
88、第53頁乃至第58頁「SiNxの成長条件依存性とそのａ
−Si薄膜トランジスタへの応用」に詳しい。） このような膜内応力はａ−SiTFTの基本特性に影響を与
えるだけではなく、プラズマCVD法からなるSiNx膜を層
間絶縁膜として利用する部分では、その内部応力による
ひずみのためにクラックあるいは、膜剥離が発生し、回
路上のショーとなどを引き起こすという信頼性面での問
題も生じていた。
条件（放電Powev、流量比SiH4/N2）と内部応力（STRES
S）の関係について代表的なものを示す。又、これら薄
膜は積層形成されることによりより複雑な応力を示すよ
うになる。（電子通信学会技術報告（1986年）、ED86−
88、第53頁乃至第58頁「SiNxの成長条件依存性とそのａ
−Si薄膜トランジスタへの応用」に詳しい。） このような膜内応力はａ−SiTFTの基本特性に影響を与
えるだけではなく、プラズマCVD法からなるSiNx膜を層
間絶縁膜として利用する部分では、その内部応力による
ひずみのためにクラックあるいは、膜剥離が発生し、回
路上のショーとなどを引き起こすという信頼性面での問
題も生じていた。
（ハ）考案が解決しようとする問題点 本考案はプラズマCVD法によって形成された膜のクラッ
ク発生や膜剥離を防止すると共に更に液晶表示特性の向
上が計れる液晶表示パネル用電極基板を提供するもので
ある。
ク発生や膜剥離を防止すると共に更に液晶表示特性の向
上が計れる液晶表示パネル用電極基板を提供するもので
ある。
（ニ）問題点を解決するための手段 本考案の絶縁基板上に電極膜、絶縁膜、あるいは半導体
膜を積層形成した表示パネル用電極基板は、これ等の積
層構造の少なくとも一層に、内部応力を緩和すべく、該
層の形成領域の内部であって一方の主面から他方の主面
に貫通する開口部を、多数分散配置せしめたものであ
る。
膜を積層形成した表示パネル用電極基板は、これ等の積
層構造の少なくとも一層に、内部応力を緩和すべく、該
層の形成領域の内部であって一方の主面から他方の主面
に貫通する開口部を、多数分散配置せしめたものであ
る。
（ホ）作用 本考案の電極基板によれば、絶縁基板上に設けられる少
なくとも一層の膜部材にその層の一方の主面から他方の
主面に貫通する開口部を設けることにより、膜の内部応
力を緩和できる。一般に薄膜における内部応力は、面状
に一様に形成された場合膜面の中央部になる程大きく、
膜の端部では小さくなる。つまりパターニングにより膜
をエッチング除去することにより膜中での応力の相互作
用がなくなり緩和状態となる。これは、面状に形成され
た膜の形成領域の内部に例えば４μｍロ程の微小領域の
開口部分を作ることによってもこの開口部の周囲におけ
る内部応力は、大いに低減することは可能である。第６
図及び第７図は応力の緩和される方向（矢印）とエッチ
ングされたスリット（Ｓ）状の開口部形状の関係につい
て一例を示す。
なくとも一層の膜部材にその層の一方の主面から他方の
主面に貫通する開口部を設けることにより、膜の内部応
力を緩和できる。一般に薄膜における内部応力は、面状
に一様に形成された場合膜面の中央部になる程大きく、
膜の端部では小さくなる。つまりパターニングにより膜
をエッチング除去することにより膜中での応力の相互作
用がなくなり緩和状態となる。これは、面状に形成され
た膜の形成領域の内部に例えば４μｍロ程の微小領域の
開口部分を作ることによってもこの開口部の周囲におけ
る内部応力は、大いに低減することは可能である。第６
図及び第７図は応力の緩和される方向（矢印）とエッチ
ングされたスリット（Ｓ）状の開口部形状の関係につい
て一例を示す。
（ヘ）実施例 プラズマ反応法によって形成した薄膜構成からなる本考
案の液晶表示パネル用の電極基板を図面を参照しつつ以
下に詳述する。
案の液晶表示パネル用の電極基板を図面を参照しつつ以
下に詳述する。
第１図（ａ）、（ｂ）はアクティブマトリクス型の液晶
表示パネルのTFT周辺部の平面図、及び、そのＡ−Ａ′
断面図を示し、第２図（ａ），（ｂ）は同パネルの外部
引出し端子部近辺の平面図、及びそのＡ−Ａ′断面図で
ある。
表示パネルのTFT周辺部の平面図、及び、そのＡ−Ａ′
断面図を示し、第２図（ａ），（ｂ）は同パネルの外部
引出し端子部近辺の平面図、及びそのＡ−Ａ′断面図で
ある。
これ等の図の電極基板は、第１図（ｂ）に対応した第３
図の製造工程図に示す如く、ガラスの如き絶縁基板
（Ｂ）上に、金・クロムの如き金属膜（１）、窒化シリ
コンSiNxからなる絶縁薄膜（２）、ａ−Siからなる半導
体薄膜（３）、アルミニウムの如き上層金属配線膜
（４）、LTO等からなる透明導電膜（５）が夫々パター
ンニングされつつ順次積層形成されている。尚、第３図
中の（７）はレジストを示している。
図の製造工程図に示す如く、ガラスの如き絶縁基板
（Ｂ）上に、金・クロムの如き金属膜（１）、窒化シリ
コンSiNxからなる絶縁薄膜（２）、ａ−Siからなる半導
体薄膜（３）、アルミニウムの如き上層金属配線膜
（４）、LTO等からなる透明導電膜（５）が夫々パター
ンニングされつつ順次積層形成されている。尚、第３図
中の（７）はレジストを示している。
斯る実施例装置が特徴とするところは、このパネル全面
に形成される為に内部応力が比較的大きいSiNxの絶縁薄
膜（２）に対して、これを部分的に除去した多数のスリ
ット（Ｓ）（Ｓ）…を形成した点にある。
に形成される為に内部応力が比較的大きいSiNxの絶縁薄
膜（２）に対して、これを部分的に除去した多数のスリ
ット（Ｓ）（Ｓ）…を形成した点にある。
第２図の場合、並列配置された複数の金属膜（１）の配
置間隙箇所のSiNxの絶縁膜（２）に夫々スリット（Ｓ）
（Ｓ）…を設け、パネル周辺部でのこの膜（２）の内部
応力を吸収できる。
置間隙箇所のSiNxの絶縁膜（２）に夫々スリット（Ｓ）
（Ｓ）…を設け、パネル周辺部でのこの膜（２）の内部
応力を吸収できる。
第１図の場合、各TFT（Ｔ）毎にその周辺の金属膜
（１）上の特定部分にスリット（Ｓ）を設けており、パ
ネル中央の表示領域での内部応力を分散吸収する事がで
き、絶縁薄膜（２）の膜剥離に起因するTFT（Ｔ）の破
損又は特性劣化を防止する事ができる。
（１）上の特定部分にスリット（Ｓ）を設けており、パ
ネル中央の表示領域での内部応力を分散吸収する事がで
き、絶縁薄膜（２）の膜剥離に起因するTFT（Ｔ）の破
損又は特性劣化を防止する事ができる。
（ト）考案の効果 本考案の液晶表示パネル用電極基板は、スリットの如
き、膜開口部のパターニングを膜中央部に多数設けるこ
とによって、膜中央部の高い内部応力が抑えられ、膜の
クラックや剥離が発生するのを防止する事ができる。
き、膜開口部のパターニングを膜中央部に多数設けるこ
とによって、膜中央部の高い内部応力が抑えられ、膜の
クラックや剥離が発生するのを防止する事ができる。
又、膜内の応力を緩和するためには、膜自体の応力が小
さくなるような成膜条件にて形成する方法もあるが、こ
れによると、ａ−SiTFTの最適な特性が得られないよう
な膜を使用しなければならない場合も発生する。本案は
このような膜の成膜条件を変えるものでないため例えば
膜の内部応力が非常に大きい膜でもアクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルとして利用することができるので
非常に有効である。
さくなるような成膜条件にて形成する方法もあるが、こ
れによると、ａ−SiTFTの最適な特性が得られないよう
な膜を使用しなければならない場合も発生する。本案は
このような膜の成膜条件を変えるものでないため例えば
膜の内部応力が非常に大きい膜でもアクティブマトリク
ス型の液晶表示パネルとして利用することができるので
非常に有効である。
第１図（ａ）、（ｂ）は本考案の液晶表示パネル用電極
基板一実施例の要部平面図、及びＡ−Ａ′断面図、第２
図（ａ）、（ｂ）は本考案基板一実施例の異なる要部平
面図、及びＡ−Ａ′断面図、第３図（ａ）〜（ｅ）は第
１図（ｂ）の本考案基板断面図に対応する製造工程図、
第４図はａ−Si形成における放電パワーと内部応力の関
係図、第５図はSiNx形成における混合ガス比と内部応力
の関係図、第６図及び第７図は夫々スリット（Ｓ）形状
と内部応力の方向との関係を示す平面図である。 （１）…金属膜、（２）…絶縁薄膜、（３）…半導体薄
膜、（４）…上層金属配線膜、（５）…透明導電膜、
（Ｓ）…スリット。
基板一実施例の要部平面図、及びＡ−Ａ′断面図、第２
図（ａ）、（ｂ）は本考案基板一実施例の異なる要部平
面図、及びＡ−Ａ′断面図、第３図（ａ）〜（ｅ）は第
１図（ｂ）の本考案基板断面図に対応する製造工程図、
第４図はａ−Si形成における放電パワーと内部応力の関
係図、第５図はSiNx形成における混合ガス比と内部応力
の関係図、第６図及び第７図は夫々スリット（Ｓ）形状
と内部応力の方向との関係を示す平面図である。 （１）…金属膜、（２）…絶縁薄膜、（３）…半導体薄
膜、（４）…上層金属配線膜、（５）…透明導電膜、
（Ｓ）…スリット。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板上に電極膜、絶縁膜、あるいは半
導体膜を積層形成した液晶表示パネル用電極基板に於い
て、これ等の積層構造の少なくとも一層に、内部応力を
緩和すべく、該層の形成領域の内部であって一方の主面
から他方の主面に貫通する開口部を、多数分散配置せし
めたことを特徴とする液晶表示パネル用電極基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987118373U JPH0717059Y2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 液晶表示パネル用電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987118373U JPH0717059Y2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 液晶表示パネル用電極基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6424326U JPS6424326U (ja) | 1989-02-09 |
| JPH0717059Y2 true JPH0717059Y2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=31362673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987118373U Expired - Lifetime JPH0717059Y2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 液晶表示パネル用電極基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717059Y2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2806740B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2738289B2 (ja) * | 1993-12-30 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2007012652A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ基板および薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP5668696B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| KR102257119B1 (ko) * | 2013-06-17 | 2021-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| JP6412036B2 (ja) * | 2015-12-21 | 2018-10-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5955786U (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-12 | ホシデン株式会社 | 液晶表示器 |
| JPS6155626A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP1987118373U patent/JPH0717059Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6424326U (ja) | 1989-02-09 |
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