KR102306003B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법이 제공된다. 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치로서, 비표시 영역은 기판, 기판 상에 배치되는 무기막, 무기막 상에 배치되는 봉지막 및 봉지막 상면으로부터 일정 간격 리세스되어 봉지막의 전부 및 무기막의 적어도 일부를 관통하는 리세스 패턴을 포함한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 대한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 소자 상에 봉지막이 배치되는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
유기발광표시장치(OLED)등과 같은 표시 장치는 표시 영역과 표시 영역에 외측에 배치되는 비표시 영역을 포함하는 기판을 포함할 수 있다. 상기와 같은 표시 장치는 영상을 표시하기 위한 기본 구성 요소로서, 표시 영역 내에 다수의 화소를 포함하고, 각 화소는 독립적인 구동을 위해서 스위칭 소자를 포함한다.
한편, 기판은 유기 발광 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로 사용된다. 기판 상에는 주사 신호를 전달하는 게이트 배선과 화상 신호를 전달하는 데이터 배선, 박막 트랜지스터, 각종 유기 또는 무기 절연막 등이 배치되어 있고, 이 중 박막 트랜지스터는 게이트 배선의 일부인 게이트 전극과 채널을 형성하는 반도체층, 데이터 배선의 일부인 소스 전극과 드레인 전극 등으로 이루어져, 스위칭 소자로서의 역할을 한다.
표시 영역의 외측에 배치되는 비표시 영역에는 표시 영역의 게이트 라인 또는 데이터 라인과 연결되는 복수의 배선이 배치된다. 복수의 배선은 다양한 형태로 연장되며 그 일단이 기판 하부 패드부에 배치된 패드들과 연결될 수 있다.
이와 같은 기판은 그 제조 공정에서부터 다양한 충격에 노출될 수 있다. 구체적으로, 기판을 운반하거나, 각종 검사 작업 수행 시 기판에 일정한 충격이 가해질 수 있는데, 이러한 충격에 의해 기판에는 크랙이 형성될 수 있다. 이러한 크랙은 기판 상에 배치되는 무기막 층을 통하여 성장하거나, 전파되는 경향성을 갖는다. 즉, 예시적으로 비표시 영역의 일부분에 크랙이 발생되면, 이와 같은 크랙은 무기 절연막을 타고 표시 영역까지 전파될 수 있으며, 이로 인해 표시 영역의 신뢰성 불량을 초래할 수 있다. 이러한 문제들을 해결하기 위해, 충격에 강한 기판의 구조 및 비표시 영역에서 발생한 크랙의 전파를 억제할 수 있는 기판의 구조에 대한 다양한 기술적 시도가 행해지고 있는 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 크랙의 발생을 방지하는 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발생한 크랙의 전파를 억제하는 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치로서, 비표시 영역은 기판, 기판 상에 배치되는 무기막, 무기막 상에 배치되는 봉지막 및 봉지막 상면으로부터 일정 간격 리세스되어 봉지막의 전부 및 무기막의 적어도 일부를 관통하는 리세스 패턴을 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역과 비표시 영역이 정의되며, 무기막이 형성된 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 표시 영역의 전부 및 비표시 영역의 적어도 일부를 덮는 봉지막을 형성하는 단계 및 봉지막과 무기막이 중첩되는 영역을 리세스 하여 봉지막의 전부 및 무기막의 적어도 일부를 관통하는 리세스 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 외부의 충격에 의해 유기 발광 표시 장치에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 외부에 충격에 의해 발생한 크랙이 성장하거나, 전파되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 부분 평면도이다. 도 2는 도 1의 "A" 부분을 확대한 부분 확대도이다. 도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 6은 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 6은 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 부분 평면도이다. 도 2는 도 1의 "A" 부분을 확대한 부분 확대도이다. 도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 외측에 배치되는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 일방향으로 연장되는 복수개의 게이트 라인(50), 게이트 라인(50)과 교차하는 방향으로 연장되는 복수개의 데이터 라인(60)을 포함할 수 있다. 또한, 복수의 게이트 라인(50)과 데이터 라인(60)에 의해 둘러 쌓인 화소 영역이 정의될 수 있다. 복수의 게이트 라인(50)과 데이터 라인(60)에 의해 정의된 각 화소 영역에는 게이트 라인(50) 및 데이터 라인(60)과 연결된 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)의 레이 아웃(layout)에 대한 구체적인 설명을 위해 도 3이 참조된다.
기판(10)은 판 형상을 갖는 부재로서, 후술하는 다른 구성들을 지지하는 역할을 할 수 있다. 기판(10)은 절연 기판으로서, 유리 또는 플라스틱을 포함하는 고분자 물질로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 기판(10)은 폴리 이미드(Poly imide, PI)로 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 기판(10)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(10)은 경성(rigid) 기판(10)일 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 연성이나 가요성을 갖는 기판(10)일 수 있다. 즉, 본 명세서에서, "기판"이라 함은 구부리거나(bending), 접거나(folding), 마는 것(rolling)이 가능한 플렉서블 기판을 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)은 단일층 구조를 가질 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 즉, 다른 예시적인 실시예에서 기판(10)은 두 개 이상의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다. 다시 말하면, 기판(10)은 베이스층 및 베이스층 상에 배치되는 보호층을 포함할 수 있다.
베이스 층은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예에서 베이스층은 폴리이미드 (Poly imide, PI)로 형성될 수 있으나, 베이스 층의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 베이스층 상에는 보호층이 배치될 수 있다. 보호층은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 보호층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, Polyehtylene terephthalate) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, Polyethylene naphthalate)에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 보호층의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다.
기판(10) 상에는 배리어층(11)이 배치될 수 있다. 배리어층(11)은 기판(10)으로부터 불순 원소의 침투를 방지하는 역할을 할 수 있다. 예시적인 실시예에서 배리어층(11)은 산화규소(SiOx) 및 질화규소(SiNx)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있으나, 배리어층(11)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 배리어층(11)은 단일막 구조 또는 두 개 이상의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다, 배리어층(11)이 두 개의 층을 갖는 예시적인 실시예에서, 두 개의 층은 서로 상이한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 층은 산화 규소로 이루어지고, 제2 층은 질화 규소로 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 배리어층(11)의 구조가 이에 제한되지는 않는다.
또한, 다른 예시적인 실시예에서 배리어층(11)은 기판(10)의 재질 또는 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
배리어층(11) 상에는 배리어층(11)을 덮는 버퍼층(12)이 배치될 수 있다. 버퍼층(12)은 무기 물질로 형성된 무기막일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 버퍼층(12)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(AlOx) 및 산질화규소(SiON)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있으나, 버퍼층(12)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 버퍼층(12)은 단일막 구조 또는 두 개 이상의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다, 버퍼층(12)이 두 개의 층을 갖는 예시적인 실시예에서, 두 개의 층은 서로 상이한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 층은 산화 규소로 이루어지고, 제2 층은 질화 규소로 이루어질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 버퍼층(12)의 구조가 이에 제한되지는 않는다.
반도체층(40)은 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함하여 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서 반도체층(40)은 비정질 규소를 도포하고 패터닝한 후 이를 결정화하는 방법으로 형성될 수 있으나, 반도체층(40)의 형성 방법이 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에서 "반도체층"이라고 지칭되는 것은 산화물 반도체를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
반도체층(40) 상에는 게이트 절연막(20)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(20)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx)를 포함할 수 있으나, 게이트 절연막(20)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 게이트 절연막(20)은 단일막 구조일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(20) 상에는 게이트 라인(50), 게이트 전극(51) 및 게이트 패드(55)를 포함하는 게이트 배선이 배치될 수 있다. 게이트 배선은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 형성될 수 있으나, 게이트 배선의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 전도성을 갖는 물질로서 투명 또는 반투명한 물질은 게이트 배선을 형성하는데 사용될 수 있다.
게이트 라인(50)은 앞서 설명한 바와 같이 복수개 배치되며, 서로 평행하도록 일 방향으로 연장될 수 있다.
게이트 배선 상에는 게이트 배선을 덮는 층간 절연막(30)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(30)은 무기 물질로 형성된 무기막일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 층간 절연막(30)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx)를 포함할 수 있으나, 층간 절연막(30)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 층간 절연막(30)은 단일막 구조일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층막 구조를 가질 수도 있다. 다층막 구조를 갖는 층간 절연막(30)에 대해서는 후술하기로 한다.
층간 절연막(30) 상에는 소스 전극(61), 드레인 전극(62) 및 데이터 라인(60)을 포함하는 데이터 배선이 배치될 수 있다. 데이터 배선은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으나, 데이터 배선의 재질이 이에 제한되는 것은 아니며, 전도성을 갖는 물질로서 투명 또는 반투명한 물질은 데이터 배선을 형성하는데 사용될 수 있다.
데이터 라인(60)은 데이터 신호를 전달하며, 게이트 라인(50)과 교차하도록 배치될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예에서 게이트 라인(50)은 가로 방향으로 연장되고, 데이터 라인(60)은 이와 교차하도록 세로 방향으로 연장될 수 있다.
도 2에서는 데이터 라인(60) 및 게이트 라인(50)이 일직선 형상인 경우를 예시하였으나, 예시적인 실시예에서 데이터 라인(60) 및 게이트 라인(50)은 절곡부를 포함할 수도 있다. 다만, 이는 당업자에게 자명한 것으로 본 발명의 범위가 모호해지는 것을 막기 위해 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
소스 전극(61)은 데이터 라인(60)의 일부로서 데이터 라인(60)과 동일선 상에 배치될 수 있다. 드레인 전극(62)은 소스 전극(61)과 나란하게 뻗도록 형성될 수 있으며, 이 경우, 드레인 전극(62)은 데이터 라인(60)의 일부와 나란할 수 있다.
게이트 전극(51), 소스 전극(61) 및 드레인 전극(62))은 반도체층(40)과 함께 하나의 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(61)과 드레인 전극(62) 사이의 반도체층(40)에서 형성될 수 있다.
데이터 배선 상에는 데이터 배선 및 층간 절연막(30)을 덮는 평탄화막(70)이 배치될 수 있다. 평탄화막(70)의 두께는 층간 절연막(30)에 비해 상대적으로 두꺼울 수 있다. 이러한, 두께차로 인하여, 평탄화막(70)의 상면은 층간 절연막(30) 및 소스/드레인 전극(62)과 접하는 하면에 비해 상대적으로 평탄할 수 있다. 평탄화막(70)은 기판(10) 상의 단차를 완화하기 위해 예컨대, 아크릴, BCB(Benzocyclicbutene) 및 폴리이미드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 평탄화막(70)은 감광이 가능한 물질로 이루어질 수 있다.
평탄화막(70)에는 드레인 전극(62)을 적어도 부분적으로 노출시키는 제1 콘택홀(71)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 콘택홀(71)은 평탄화막(70)을 관통하며, 드레인 전극(62)의 상면을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
평탄화막(70) 및 노출된 드레인 전극(62) 상에는 제1 전극(80)이 배치될 수 있다. 즉, 제1 전극(80)이 평탄화막(70), 제1 콘택홀의 측벽 및 드레인 전극(62)의 상면을 덮도록 배치될 수 있으며, 이에 의해 제1 전극(80)과 드레인 전극(62)이 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1 전극(80)은 애노드(Anode)전극일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 전극(80)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 제1 전극(80)의 재질이 이에 제한되지는 않는다. 제1 전극(80) 상에는 화소 정의막이 배치될 수 있다. 화소 정의막은 제1 전극(80)을 적어도 부분적으로 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(40)은 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene, BCB), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아마이드(poly amide, PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어지거나, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질을 포함하여 이루어질 수도 있다. 화소 정의막(40)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 이루어질 수 있는데, 이 경우 화소 정의막(40)은 차광 부재의 역할을 할 수 있다.
화소 정의막에 의해 노출된 제1 전극(80) 상에는 유기층이 배치될 수 있다. 유기층(91)은 유기 발광 표시 장치(100)에 포함되는 유기 물질층들, 즉, 발광층(organic light emitting layer, EML), 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 전자 주입층(electron injection layer, EIL), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 등을 포함할 수 있다. 유기층(91)은 상기 유기 물질층들 중에서 선택된 하나를 포함하는 단일막 구조를 갖거나 2 이상을 포함하는 다층막 구조를 가질 수 있다.
유기층(91) 상에는 제2 전극(92)이 형성될 수 있다. 제2 전극(92)은 화소 정의막(90) 및 유기층(91)을 덮을 수 있다. 예시적인 실시예에서 제2 전극(92)은 화소 정의막(90) 및 유기층(91)을 덮는 전면 전극일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 예시적인 실시예에서 제2 전극(92)은 캐소드(Cathode)전극일 수 있다.
제2 전극(92)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 제2 전극(92)의 재질이 이에 제한되지는 않는다.
제2 전극(92) 상에는 봉지막(800)이 배치될 수 있다. 봉지막(800)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)을 덮을 수 있다. 구체적으로 봉지막(800)은 표시 영역(DA)의 전부 및 비표시 영역(NDA)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 예시적인 실시예에서 봉지막(800)은 비표시 영역(NDA)를 덮지 않을 수 있다. 이에 따라, 비표시 영역(NDA)에 배치되는 일부 구성, 예컨대, 기판(10)이나 배선 패턴 등이 부분적으로 노출될 수도 있다.
봉지막(800)은 유기 물질 및/또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
봉지막(800)을 형성하기 위한 유기 물질은 예컨대, 에폭시, 아크릴레이트 및 우레탄아크릴레이트일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 봉지막(800)을 형성하기 위한 무기 물질은 예컨대, 알루미늄 산화물 또는 실리콘 산화물일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
봉지막(800)은 단일층 구조를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 하나 이상의 층이 적층된 적층구조를 가질 수도 있다. 예시적인 실시예에서 봉지막(803)은 유기막과 무기막이 적어도 한번 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 봉지막(803)의 구조가 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 비표시 영역(NDA)에 대해 설명하기로 한다.
다시 도 1을 참조하면, 표시 영역(DA)의 외측에 배치되는 비표시 영역(NDA)에는 스캔 드라이버(200), 에미션 드라이버(300), 및 스캔 드라이버(200), 에미션 드라이버(300) 또는 표시 영역(DA)과 연결되는 복수개의 배선 패턴이 배치될 수 있다. 배선 패턴은 스캔 드라이버(200), 에미션 드라이버(300) 또는 표시 영역(DA)으로부터 연장되는 배선 라인부(401)와 배선 라인부(401)의 일단부에 배치되며, 타단이 배선 라인부(401)보다 넓은 폭을 갖는 배선 패드부(402)를 포함할 수 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해 더욱 구체적으로 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 6은 도 4의 Ⅲ-Ⅲ'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치로서, 비표시 영역은 기판, 기판 상에 배치되는 무기막, 무기막 상에 배치되는 봉지막 및 봉지막 상면으로부터 일정 간격 리세스되어 봉지막의 전부 및 무기막의 일부를 관통하는 리세스 패턴을 포함한다.
표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 대한 것은 앞서 설명한 바와 동일하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
앞서 설명한 바와 같이 기판(10) 상에는 무기막(700)이 배치될 수 있다. 무기막(700)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(DA) 전 영역에 걸쳐 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
비표시 영역(NDA)에 형성되는 무기막(700)은 표시 영역(DA)에 형성된 무기막에 대응될 수 있다. 즉, 비표시 영역(NDA)에 형성되는 무기막(700)은 표시 영역(DA)에 형성되는 버퍼층(11) 및/또는 배리어층(12)과 실질적으로 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 실질적으로 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 비표시 영역(NDA)에 형성되는 무기막(700)의 형성 방식이 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 영역(DA)에 배치되는 무기막(700) 상에는 앞서 설명한 바와 같이 제1 전극(80), 유기층(91) 및 제2 전극(91)을 포함한 다양한 구성 요소들이 배치될 수 있다. 이에 대한 설명은 앞서 구체적으로 하였으므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
비표시 영역(NDA)에 배치되는 무기막(700) 상에는 봉지막(800)이 형성될 수 있다. 즉, 비표시 영역(NDA)에 배치되는 무기막(700)의 적어도 일부는 봉지막(800)과 직접적으로 접할 수 있다. 봉지막(800)이 표시 영역(DA)의 전부 및 비표시 영역(NDA)의 적어도 일부를 덮을 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
예시적인 실시예에서 봉지막(800)은 비표시 영역(NDA)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 봉지막(800)이 비표시 영역(NDA)의 적어도 일부를 덮는 경우, 봉지막(800)의 외주를 따라 기판(10), 기판(10) 상에 배치되는 무기막(700) 또는 비표시 영역(NDA)에 배치되는 다른 구성이 부분적으로 노출될 수도 있다.
봉지막(800)과 무기막(700)이 중첩되는 영역에는 리세스 패턴(501)이 형성될 수 있다. 리세스 패턴(501)은 봉지막(800)과 무기막(700)이 중첩되는 영역에 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
예시적인 실시예에서 리세스 패턴(501)은 표시 영역(DA)의 외주와 인접하며, 표시 영역의 (DA)의 외주를 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 리세스 패턴(501)의 배열이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 도 4는 복수개의 리세스 패턴(501)이 표시 영역(DA)의 외주를 따라 일렬로 정렬되는 경우를 예시하나, 이는 예시적인 것으로 리세스 패턴(501)의 배열은 이에 제한되지 않으며, 다른 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(501) 일렬 이상의 열을 갖고 정렬되어 배치되거나, 산개되어 불규칙적으로 배치될 수도 있다.
또한, 비표시 영역(NDA)에 스캔 드라이버(200), 에미션 드라이버(300) 및 배선 패턴(400)이 배치되는 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(501)은 상기한 구성과 중첩되지 않도록 배치되거나, 일부가 생략될 수 있다. 예시적으로, 리세스 패턴(501)은 하나의 배선 패턴과 인접하는 다른 배선 패턴 사이에 배치될 수도 있다.
예시적인 실시예에서 리세스 패턴(501)의 평면 형상은 사각형 형상일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 리세스 패턴(501)의 평면 형상이 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(501)의 평면 형상은 다각형 형상 또는 적어도 부분적으로 곡선을 포함하는 형상일 수 있다.
이하에서는 도 6을 참조하여, 리세스 패턴(501)의 단면 형상에 대해 설명하기로 한다. 리세스 패턴(501)은 봉지막(800)의 상면으로부터 하부를 향해 일정 간격 리세스되어 형성될 수 있다.
리세스 패턴(501)은 봉지막(800)을 완전하게 관통할 수 있다. 또한, 리세스 패턴(501)은 무기막(700)의 적어도 일부를 관통할 수 있다. 이에 의해, 리세스 패턴(501)은 기판(10)을 노출시키거나 무기막(700)의 일부를 노출시킬 수 있다.
다시 말하면, 리세스 패턴(501)의 바닥면은 기판(10)의 상면 또는 무기막(700)의 상면을 포함하고, 리세스 패턴(501)의 측벽은 봉지막(800)의 내측벽 및 무기막(700)의 측벽을 포함할 수 있다.
이와 같이, 봉지막(800)과 무기막(700)이 중첩되는 영역에 리세스 패턴(501)을 형성하는 경우, 후속하는 공정이나 완제품에 충격이 가해지는 경우 형성될 수 있는 크랙(crack)의 발생을 억제하거나, 발생된 크랙이 전파되어 성장하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치의 크랙은 무기 물질로 형성된 층을 따라 전파하는 경향이 있는데, 상술한 바와 같이 봉지막(800)과 무기막(700)이 중첩되는 영역에 리세스 패턴(501)을 형성하면, 크랙의 발생을 억제하거나, 무기 물질로 형성된 층을 따라 크랙이 전파되는 것을 차단할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 번호로서 지칭하며, 중복 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리세스 패턴은 길이 방향으로 연장된 라인 타입(Line type)인 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.
예시적인 실시예에서 리세스 패턴(502)는 길이 방향으로 연장된 라인 타입(line type)일 수 있다. 바꾸어 말하면, 리세스 패턴(502)은 길이 방향으로 연장된 바(bar)형상을 가질 수 있다.
표시 영역(DA)가 사각형 형상을 갖는 예시적인 실시예에서 각 리세스 패턴(502)는 표시 영역(DA)각 변과 나란하게 배치될 수 있다.
또한, 도 7에서는 하나의 리세스 패턴(502)과 인접하는 다른 리세스 패턴(502)이 서로 이격된 경우를 예시하나 이는 예시적인 것으로 이에 제한되지 않으며, 하나의 리세스 패턴(502)과 인접하는 다른 리세스 패턴(502)는 서로 연결될 수도 있다.
또한, 도 7은 표시 영역(DA)의 외주와 대응되도록 3개의 리세스 패턴(502_1, 502_2, 502_3)가 배치된 것을 예시하나, 리세스 패턴(502)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니며, 표시 영역(DA)의 외주와 대응되는 리세스 패턴(502)중 적어도 어느 하나는 생략될 수도 있다. 예시적으로 표시 영역(DA)의 일측변과 인접하도록 배선 패턴이 배치되는 경우, 상기 일측변에 대응되는 리세스 패턴(502)은 생략될 수도 있다. 즉, 도 7에서 도시된 바와 같이, 표시 영역(DA)의 최하단에 배치되는 변과 인접하도록 배선 패턴이 배치되는 경우, 이에 대응되는 리세스 패턴은 생략될 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 8을 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리세스 패턴은 도트 타입(dot type)인 점이 도 4의 실시예와 다른 점이다.
리세스 패턴(503)은 도트 타입(dot type)일 수 있다. 즉, 리세스 패턴(503)의 평면 형상이 원형일 수 있다.
예시적인 실시예에서 리세스 패턴(503)은 표시 영역(DA)의 외주와 인접하며, 표시 영역의 (DA)의 외주를 따라 정렬되어 배치될 수 있지만, 리세스 패턴(503)의 배열이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 도 4는 복수개의 리세스 패턴(503)이 표시 영역(DA)의 외주를 따라 일렬로 정렬되는 경우를 예시하나, 이는 예시적인 것으로 리세스 패턴(503)의 배열은 이에 제한되지 않으며, 다른 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(503)은 일렬 이상의 열을 갖고 정렬되어 배치되거나, 산개되어 불규칙적으로 배치될 수도 있다.
또한, 비표시 영역(NDA)에 스캔 드라이버(200), 에미션 드라이버(300) 및 배선 패턴(400)이 배치되는 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(503)은 상기한 구성과 중첩되지 않도록 배치되거나, 일부가 생략될 수 있다. 예시적으로, 리세스 패턴(503)은 하나의 배선 패턴과 인접하는 다른 배선 패턴 사이에 배치될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 봉지막이 제1 서브 봉지막 및 제1 서브 봉지막 상에 배치되는 제2 서브 봉지막을 포함하고, 무기막이 제1 서브 무기막 및 제1 서브 무기막 상에 배치되는 제2 서브 무기막을 포함하는 점이 도 6의 실시예와 다른 점이다.
앞서 설명한 바와 같이 봉지막 및 무기막은 하나 이상의 층이 적층된 적층 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예에서 제1 서브 봉지막(801_1) 및 제2 서브 봉지막(801_2)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 서브 봉지막(801_1) 및 제2 서브 봉지막(801_2)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(AlOx) 및 산질화규소(SiON)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 제1 서브 봉지막(801_1)과 제2 서브 봉지막(801_2)는 그 조성이 상이하거나, 서로 상이한 재질로 이루어 질 수 있다.
예시적인 실시예에서 기판(10) 상에 제1 서브 무기막(701_1)이 배치되고, 제1 서브 무기막(701_1) 상에 제2 서브 무기막(701_2)이 배치될 수 있다. 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화알루미늄(AlOx) 및 산질화규소(SiON)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다. 다만, 제1 서브 무기막(701_1)과 제2 서브 무기막(701_2)는 그 조성이 상이하거나, 서로 상이한 재질로 이루어 질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 비표시 영역(NDA)의 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)은 각각 표시 영역(DA)의 버퍼층(11) 및 배리어층(12)에 대응될 수 있다. 즉, 제1 서브 무기막(701_1)은 표시 영역(DA)의 버퍼층(11)과 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 제2 서브 무기막(701_2)는 표시 영역(DA)의 배리어층(12)와 실질적으로 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)는 그 형성 과정에서 각각 버퍼층(11) 및 배리어층(12)과 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)의 형성 과정이 이에 제한되는 것은 아니다.
리세스 패턴(504)는 봉지막(801)의 상면으로부터 아래를 향해 일정 간격 리세스되어 형성될 수 있다.
리세스 패턴(504)는 봉지막(801)을 완전하게 관통할 수 있다. 또한, 리세스 패턴(504)은 무기막(701)의 적어도 일부를 관통할 수 있다. 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(504)은 제1 서브 봉지막(801_1) 및 제2 서브 봉지막(801_2)를 완전하게 관통하고, 제2 서브 무기막(701_2)을 관통할 수 있다.
이에 따라, 리세스 패턴(504)의 바닥면은 제1 서브 무기막(701_1)을 포함하고, 리세스 패턴(504)의 측벽은 제1 서브 봉지막(801_1), 제2 서브 봉지막(801_2) 및 제2 서브 무기막(701_2)의 내측벽을 포함할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리세스 패턴은 제1 서브 무기막을 더 관통하여 기판을 노출시킬 수 있다.
리세스 패턴(505)는 봉지막(801)의 상면으로부터 아래를 향해 일정 간격 리세스되어 형성될 수 있다.
리세스 패턴(505)는 봉지막(801)을 완전하게 관통할 수 있다. 또한, 리세스 패턴(504)은 무기막(701)을 완전하게 관통할 수 있다. 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(505)은 제1 서브 봉지막(801_1) 및 제2 서브 봉지막(801_2)를 완전하게 관통하고, 제1 서브 무기막(701_2) 및 제2 서브 무기막(701_2)을 완전하게 관통할 수 있다. 즉, 리세스 패턴(505)은 기판(10) 상면의 일부를 노출시킬 수 있다.
이에 따라, 리세스 패턴(505)의 바닥면은 기판(10)의 상면의 일부를 포함하고, 리세스 패턴(505)의 측벽은 제1 서브 봉지막(801_1), 제2 서브 봉지막(801_2), 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)의 내측벽을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시에에 따른 유기 발광 표시 장치의 봉지막은 제1 서브 봉지막 및 제2 서브 봉지막 사이에 유기막이 포함되는 점이 도 9의 실시예와 다른 점이다.
예시적인 실시예에서 봉지막(802)는 유기 봉지막(802_3)을 포함하여 이루어질 수 있다. 유기 봉지막(802_3)은 제1 서브 봉지막(802_1) 및 제2 서브 봉지막(802_2)사이에 개재되어 배치될 수 있다.
제1 서브 봉지막(802_1) 및 제2 서브 봉지막(802_2)은 앞서 도 9에서 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
제1 서브 봉지막(802_1) 및 제2 서브 봉지막(802_2) 사이에 개재되는 유기 봉지막(802_3)은 유기 물질로 형성될 수 있다. 유기 봉지막(802_3)은 예컨대, PPX(parylene(poly-p-xylylene), PCPX(poly-2-chloro-p-zylylene), poly[2-methoxy-r-(2'ethyhexylloxy)-1,4-phenylenevinylene], 폴리우레아(polyurea), 폴리아믹산(polyamic acid)를 포함하는 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 유기 봉지막(802_3)의 재질이 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 유기 봉지막(802_3)을 형성하는 방법은 전술한 바와 같이, 액상의 물질을 도포하여 형성하거나, 스퍼터, 열증착, CVD, PECVD, IBAD, ALD 등의 공법을 이용하여 형성할 수 있으나, 유기 봉지막(802_3)의 형성 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.
리세스 패턴(506)은 봉지막(802)의 상면으로부터 아래를 향해 일정 간격 리세스되어 형성될 수 있다.
리세스 패턴(506)는 봉지막(802)을 완전하게 관통할 수 있다. 또한, 리세스 패턴(506)은 무기막(701)의 적어도 일부를 관통할 수 있다. 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(506)은 제1 서브 봉지막(802_1), 제2 서브 봉지막(802_2) 및 유기 봉지막(802_3)을 완전하게 관통하고, 제2 서브 무기막(701_2)을 관통할 수 있다.
이에 따라, 리세스 패턴(506)의 바닥면은 제1 서브 무기막(701_1)을 포함하고, 리세스 패턴(506)의 측벽은 제1 서브 봉지막(802_1), 제2 서브 봉지막(802_2), 유기 봉지막(802_3) 및 제2 서브 무기막(701_2)의 내측벽을 포함할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 리세스 패턴은 제1 서브 무기막을 더 관통하여 기판을 노출시킬 수 있다.
리세스 패턴(506)은 봉지막(802)의 상면으로부터 아래를 향해 일정 간격 리세스되어 형성될 수 있다.
리세스 패턴(506)는 봉지막(802)을 완전하게 관통할 수 있다. 또한, 리세스 패턴(504)은 무기막(701)을 완전하게 관통할 수 있다. 예시적인 실시예에서 리세스 패턴(506)은 제1 서브 봉지막(802_1), 제2 서브 봉지막(802_2) 및 유기 봉지막(802_3)을 완전하게 관통하고, 제1 서브 무기막(701_2) 및 제2 서브 무기막(701_2)을 완전하게 관통할 수 있다. 즉, 리세스 패턴(506)은 기판(10) 상면의 일부를 노출시킬 수 있다.
이에 따라, 리세스 패턴(506)의 바닥면은 기판(10)의 상면의 일부를 포함하고, 리세스 패턴(506)의 측벽은 제1 서브 봉지막(802_1), 제2 서브 봉지막(802_2), 유기 봉지막(802_3), 제1 서브 무기막(701_1) 및 제2 서브 무기막(701_2)의 내측벽을 포함할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기로 한다. 설명의 편의를 위해 앞서 설명한 구성과 중복되는 구성은 동일 참조부호로 지칭하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역과 비표시 영역이 정의되며, 무기막이 형성된 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 표시 영역의 전부 및 비표시 영역의 적어도 일부를 덮는 봉지막을 형성하는 단계 및 봉지막과 무기막이 중첩되는 영역을 리세스 하여 봉지막의 전부 및 무기막의 적어도 일부를 관통하는 리세스 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
먼저, 표시 영역과 비표시 영역이 정의되며, 무기막이 형성된 기판을 준비하는 단계가 진행된다. 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)이 정의되며, 무기막(700)이 형성된 기판(10)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 이에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 기판(10) 상에 표시 영역(DA)의 전부 및 비표시 영역(NDA)의 적어도 일부를 덮는 봉지막(800)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 봉지막(800)은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 장치에서 설명한 봉지막과 실질적으로 동일할 수 있다.
이어서, 봉지막과 무기막이 중첩되는 영역을 리세스 하여 봉지막의 전부 및 무기막의 적어도 일부를 관통하는 리세스 패턴을 형성하는 단계가 진행된다. 앞서 설명한 바와 같이 봉지막(800)은 비표시 영역(NDA)에 형성된 무기막(700)과 중첩될 수 있다. 즉, 봉지막(800)은 부분적으로 무기막(700)과 직접적으로 접할 수 있다.
봉지막(800) 및 무기막(700)을 리세스 하여 리세스 패턴을 형성하는 방법은 제한되지 않는다. 예컨대, 기계적인 방법으로 리세스 패턴을 형성하거나, 습식 또는 건식 식각 방식 등이 이용될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 리세스 패턴의 형성 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.
리세스 패턴은 앞서 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 유기 발광 표시 장치
200: 스캔 드라이버
300: 에미션 드라이버
55: 게이트 패드
65: 데이터 패드
60: 데이터 라인
50: 게이트 라인
61: 소스 전극
51: 게이트 전극
62: 드레인 전극
80: 제1 전극
91: 유기층
92: 제2 전극
800, 801: 봉지막
700, 701: 무기막
200: 스캔 드라이버
300: 에미션 드라이버
55: 게이트 패드
65: 데이터 패드
60: 데이터 라인
50: 게이트 라인
61: 소스 전극
51: 게이트 전극
62: 드레인 전극
80: 제1 전극
91: 유기층
92: 제2 전극
800, 801: 봉지막
700, 701: 무기막
Claims (20)
- 표시 영역과 비표시 영역을 구비하는 유기 발광 표시 장치로서, 상기 비표시 영역은
기판;
상기 기판 상에 배치되는 무기막;
상기 무기막 상에 배치되는 봉지막; 및
상기 봉지막 상면으로부터 소정 간격 리세스되어 상기 봉지막의 전부 및 상기 무기막의 적어도 일부를 관통하는 복수의 리세스 패턴을 포함하되,
상기 복수의 리세스 패턴들은 상기 표시 영역의 외주를 따라 배치되며,
상기 표시 영역의 일측에 위치하는 복수의 상기 리세스 패턴들은 일 방향을 따라 단속적으로 배열되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 영역은 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치되는 유기층;
상기 유기층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
상기 봉지막은 상기 표시 영역의 전부 및 상기 비표시 영역의 적어도 일부를 덮는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 복수의 리세스 패턴들은 상기 표시 영역의 외주와 인접하며, 상기 표시 영역의 외주를 따라 정렬되어 배치되는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 무기막을 관통하여, 상기 기판의 상면을 노출시키는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 길이 방향으로 연장된 바(bar) 형상을 갖는 라인 타입(line type)인 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 평면 형상이 원형인 도트 타입(dot type)인 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 봉지막은 상기 무기막 상에 배치되는 제1 서브 봉지막;
상기 제1 서브 봉지막 상에 배치되는 제2 서브 봉지막을 포함하고 상기 제1 서브 봉지막 및 상기 제2 서브 봉지막은 서로 상이한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 무기막은 기판 상에 배치되는 제1 서브 무기막;
상기 제1 서브 무기막 상에 배치되는 제2 서브 무기막을 포함하고,
상기 제1 서브 무기막 및 상기 제2 서브 무기막은 서로 상이한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막 및 제2 서브 무기막을 관통하여, 상기 제1 서브 무기막을 노출하는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막, 상기 제1 서브 무기막 및 상기 제2 서브 무기막을 관통하여 상기 기판을 노출하는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 제1 서브 봉지막과 상기 제2 서브 봉지막 사이에 개재되는 유기 봉지막을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 유기 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막, 및 상기 제2 서브 무기막을 관통하여, 상기 제1 서브 무기막을 노출하는 유기 발광 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 유기 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막, 상기 제2 서브 무기막 및 상기 제1 서브 무기막을 관통하여 상기 기판을 노출하는 유기 발광 표시 장치. - 표시 영역과 비표시 영역이 정의되며, 무기막이 형성된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 상기 표시 영역의 전부 및 상기 비표시 영역의 적어도 일부를 덮는 봉지막을 형성하는 단계; 및
상기 봉지막과 상기 무기막이 중첩되는 영역을 리세스 하여 상기 봉지막의 전부 및 상기 무기막의 적어도 일부를 관통하는 복수의 리세스 패턴을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 복수의 리세스 패턴들은 상기 표시 영역의 외주를 따라 배치되며,
상기 표시 영역의 일측에 위치하는 복수의 상기 리세스 패턴들은 일방향을 따라 단속적으로 배열되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제14 항에 있어서,
상기 봉지막은 상기 무기막 상에 배치되는 제1 서브 봉지막;
상기 제1 서브 봉지막 상에 배치되는 제2 서브 봉지막을 포함하고 상기 제1 서브 봉지막 및 상기 제2 서브 봉지막은 서로 상이한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제15 항에 있어서,
상기 무기막은 기판 상에 배치되는 제1 서브 무기막;
상기 제1 서브 무기막 상에 배치되는 제2 서브 무기막을 포함하고,
상기 제1 서브 무기막 및 상기 제2 서브 무기막은 서로 상이한 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막 및 제2 서브 무기막을 관통하여, 상기 제1 서브 무기막을 노출하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막, 상기 제1 서브 무기막 및 상기 제2 서브 무기막을 관통하여 상기 기판을 노출하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제16 항에 있어서,
상기 제1 서브 봉지막과 상기 제2 서브 봉지막 사이에 개재되는 유기 봉지막을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 리세스 패턴은 상기 제1 서브 봉지막, 상기 유기 봉지막, 상기 제2 서브 봉지막, 및 상기 제2 서브 무기막을 관통하여, 상기 제1 서브 무기막을 노출하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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