CN106229321B - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及柔性显示面板，该阵列基板包括：柔性基板、薄膜晶体管、第一金属层、第二金属层、堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，其中，所述薄膜晶体管包括：源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极，所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层，且所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口，以解决所述阵列基板制成显示面板后发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，柔性显示面板得到越来越广泛的应用。现有技术中的柔性显示面板通常包括柔性基板以及位于柔性基板一侧的缓冲层等无机层、TFT和发光元件，其中，在所述柔性显示面板发生弯折时，所述无机层也会随之发生弯折，从而产生应力缺陷，影响TFT和发光元件的正常工作。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以解决所述显示面板在发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性基板；
位于所述柔性基板第一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极；
第一金属层，所述第一金属层包括与所述栅极电连接的栅极线；
第二金属层，所述第二金属层位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基板的一侧，所述第二金属层包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极或所述漏极电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素，所述数据线用于为所述显示像素提供数据信号；
位于所述柔性基板第一侧且覆盖所述柔性基板第一侧表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，
所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层；
其中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口。
一种柔性显示面板，包括：上述阵列基板。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的阵列基板中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口，以在所述阵列基板发生弯折时，减少所述堆叠结构中的应力积累，并通过所述开口释放部分应力，从而解决所述阵列基板制成显示面板后发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题；且所述堆叠结构完全覆盖所述柔性基板的第一侧表面，即所述柔性基板表面任一位置均有所述堆叠结构覆盖，不存在裸露区域，以利用所述堆叠结构对外界环境中的水氧进行隔离，避免外界环境中的水氧进入包括该阵列基板的显示面板的显示区，导致显示面板无法正常显示。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；
图2为本发明一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图3为本发明另一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图4为本发明又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图5为本发明再一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图6为本发明又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图7为本发明再一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图8为本发明又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图9为本发明一个实施例所提供的图1沿CD方向的剖视图；
图10为本发明另一个实施例所提供的图1沿CD方向的剖视图；
图11为本发明又一个实施例所提供的图1沿CD方向的剖视图；
图12为本发明再一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图13为本发明又一个实施例所提供的图1沿AB方向的剖视图；
图14为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；
图15为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；
图16为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；
图17为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；
图18为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；
图19为本发明一个实施例所提供的柔性显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1和图2所示，图1为本发明一个实施例所提供的阵列基板的俯视图；图2为图1沿AB方向的剖视图，需要说明的是，由于图1的俯视图中无法显示图2所示剖视图中的第一金属层和第二金属层等层结构，只能显示第一金属层和第二金属层中所包括的电极线，故图1中用所述第一金属层的标号30标注在了其所包括的栅极线处，第二金属层的标号40标注在了其所包括的数据线处。具体的，该阵列基板包括：
柔性基板10；
位于所述柔性基板10第一侧的薄膜晶体管20，所述薄膜晶体管20包括：源极s、漏极d、沟道以及与所述源极s、所述沟道和所述漏极d均绝缘的栅极g，其中，所述沟道位于所述源极s和所述漏极d之间；
第一金属层30，所述第一金属层30包括与所述栅极g电连接的栅极线；
第二金属层40，所述第二金属层40位于所述薄膜晶体管20远离所述柔性基板10的一侧，所述第二金属层40包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极s或所述漏极d电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素50，所述数据线用于为所述显示像素50提供数据信号；
位于所述柔性基板10第一侧且覆盖所述柔性基板10第一侧表面的堆叠结构70，所述堆叠结构70包括多层无机层；
所述多层无机层包括：位于所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间的一层或多层缓冲层71、位于所述沟道区与所述栅极g之间的一层或多层绝缘层72、位于所述薄膜晶体管20和所述第二金属层40之间的第一隔离层73；
其中，所述缓冲层71用于隔离所述基板10和所述薄膜晶体管20，对所述薄膜晶体管进行保护，所述栅绝缘层72用于电绝缘所述沟道与所述栅极，所述第一隔离层73用于电绝缘所述第一金属层30与所述第二金属层40，且所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区60的位置具有多个开口80。
需要说明的是，虽然图1和图2所示的阵列基板中，所述数据线与所述源极s电连接，所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间具有一层缓冲层71，所述栅极g与所述源极s、所述漏极d、所述沟道之间具有一层栅绝缘层72，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述数据线也可以与所述漏极d电连接，所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间也可以具有多层缓冲层71，所述栅极g与所述源极s、所述漏极d、所述沟道之间也可以具有多层栅绝缘层72，具体视情况而定。
本发明实施例所提供的阵列基板中，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区60的位置具有多个开口80，以在所述阵列基板发生弯折时，减少所述堆叠结构70中的应力积累，并通过所述开口80释放部分应力，从而解决所述阵列基板制成显示面板后发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题；且所述堆叠结构70完全覆盖所述柔性基板10的第一侧表面，即所述柔性基板10表面显示区任一位置均有所述堆叠结构70覆盖，不存在裸露区域，以利用所述堆叠结构70对外界环境中的水氧进行隔离，避免外界环境中的水氧进入包括该阵列基板的显示面板的显示区，导致显示面板无法正常显示。
还需要说明的是，在本发明实施例中，当所述无机层中具有开口80时，所述开口80可以为位于其所在无机层内的凹槽(即不贯穿其所在的无机层)，也可以为贯穿其所在无机层的通孔，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
当所述无机层中开口80为贯穿其所在无机层的通孔时，对于所述柔性基板10显示区的任一位置，所述多层无机层中至少一层无机层不具有开口，以使得所述柔性基板10表面的显示区不存在裸露区域；当所述无机层中的开口80为位于其所在无机层内的凹槽时，对于所述柔性基板10显示区的任一位置，所述多层无机层中可以部分无机层具有开口，部分无机层不具有开口，以可以每层无机层都具有开口，以便于释放所述多层无机层中每层无机层中的应力积累，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图3所示，至少一层所述缓冲层71具有开口80，所述缓冲层71的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管20在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠，以保证所述缓冲层71对所述薄膜晶体管20的保护作用。
需要说明的是，在上述实施例中，所述堆叠结构70可以具有如图3所示的一层缓冲层71，也可以具有如图4-图5所示的多层缓冲层71。当所述堆叠结构70具有一层缓冲层71时，该层缓冲层71具有开口80，如图3所示；当所述堆叠结构70具有多层缓冲层71时，所述多层缓冲层71中可以只有一层具有开口80，也可以部分缓冲层71具有开口80，部分缓冲层71不具有开口80，如图4所示，还可以每层缓冲层71均具有开口80，如图5所示，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
还需要说明的是，在上述实施例中，当所述堆叠结构70具有多层缓冲层71，且所述多层缓冲层71中至少两层缓冲层71具有开口80时，不同缓冲层71中的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影可以重合，如图5所示，也可以部分交叠，如图6所示，还可以不交叠，如图7所示，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
由于所述堆叠结构70具有多层缓冲层71时，位于所述堆叠结构70靠近所述柔性基板10一侧的缓冲层71即使由于应力过大产生裂缝，该裂缝也较难扩展到各缓冲层71以上的区域，故在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，当所述堆叠结构70具有多层缓冲层71，且所述多层缓冲层71中部分缓冲层71具有开口80，部分缓冲层71不具有开口80时，具有开口80的缓冲层71可以位于所述多层缓冲层71靠近所述薄膜晶体管20的一侧，如图4所示。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图8所示，至少一层所述栅绝缘层72具有开口80，所述栅绝缘层72的所述开口80在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管20在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠，以利用所述栅绝缘层72实现所述栅极g与所述源极s、所述漏极d、所述沟道之间的绝缘。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述堆叠结构70中具有一层栅绝缘层72，在本发明的另一个实施例中，所述堆叠结构70具有多层栅绝缘层72，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，当所述堆叠结构70中具有多层栅绝缘层72时，所述多层栅绝缘层72中可以部分栅绝缘层具有开口80，部分栅绝缘层不具有开口80，也可以各栅绝缘层均具有开口80，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
还需要说明的是，当所述多层栅绝缘层72中至少两层栅绝缘层72具有开口80时，不同层栅绝缘层72中的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影可以不交叠，也可以部分交叠，还可以完全重合，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图9所示，图9为图1沿CD方向的剖视图，至少一层所述第一隔离层73具有开口80，在本发明实施例中，所述第一金属层30与所述第二金属层40在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上具有第一交叠区域81，所述第一隔离层73的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第一交叠区域81在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠，以保证所述第一隔离层73对所述第一金属层30和所述第二金属层40的绝缘隔离作用。
需要说明的是，在上述实施例中，所述第一金属层30与所述第二金属层40之间可以只具有一层第一隔离层73，也可以具有多层第一隔离层73，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例中，当所述第一金属层30和所述第二金属层40之间具有多层第一隔离层73时，所述多层第一隔离层73中可以部分第一隔离层73具有开口80，部分第一隔离层73不具有开口80。可选的，当所述多层第一隔离层73中至少两层第一隔离层73具有开口80时，不同第一隔离层73中的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影可以不交叠，也可以部分交叠，还可以重合。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图10所示，所述第二金属层40背离所述第一隔离层73一侧设置有覆盖所述第二金属层40的一层或多层钝化层74。优选的，所述钝化层74也属于所述堆叠结构70中的一层无机层。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图11所示，至少一层所述钝化层72具有开口80，以进一步减小所述堆叠结构70中的应力积累。需要说明的是，在本发明实施例中，所述钝化层74的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第二金属层40的所述多条金属线在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠，以实现所述钝化层74对所述第二金属层40中所述多条金属线的覆盖作用。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图12所示，所述阵列基板还包括：
第二隔离层75，所述第二隔离层75位于所述栅极g与所述第一隔离层73之间；
电容金属层90，所述电容金属层90位于所述第一隔离层73与所述第二隔离层75之间，所述电容金属层90与所述栅极线形成电容，用于作为所述阵列基板的像素存储电容；
其中，所述第一金属层30与所述电容金属层90在垂直于所述阵列基板的方向上具有第二交叠区域82；所述第二隔离75层具有开口80，所述开口80在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第二交叠区域82在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠，以利用所述第二隔离层75实现所述第一金属层30与所述电容金属层90的绝缘隔离。优选的，所述第二隔离层75也属于所述堆叠结构70中的一层无机层。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，所述多层无机层中至少两层所述无机层具有开口，需要说明的是，在本发明实施例中，所述多层无机层中具有开口的至少两层所述无机层为不同类型的无机层，以所述多层无机层中两层所述无机层具有开口为例，这两层具有开口的无机层可以为缓冲层71和栅绝缘层72、或缓冲层71和第一隔离层73、或栅绝缘层72与第一隔离层73，或其他两层不同类型的无机层，以进一步减小所述堆叠结构70中的应力积累。
需要说明的是，在上述实施例中，在本发明的一个可选实施例中，当所述多层无机层中至少两层所述无机层具有开口时，不同所述无机层中的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影不都具有交叠区域，即各所述无机层中的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影不存在均交叠的区域。如，当所述多层无机层中两层无机层具有开口时，这两层无机层中的开口在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠；当所述多层无机层中的三层无机层具有开口时，这三层无机层中的开口可以任意两层的开口有交叠，但不存在三层无机层的开口共同交叠的区域；当所述多层无机层中的四层无机层具有开口时，这四层无机层中的开口可以任意两层的开口有交叠区域，或任意三层的开口有交叠区域，但不存在四层无机层的开口共同交叠的区域，以此类推。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述多层无机层中至少两层无机层具有开口时，所述至少两层无机层包括至少一层所述缓冲层71和至少一层所述栅绝缘层72，所述缓冲层71和所述栅绝缘层72的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管20在所述阵列基板所在平面的正投影均不交叠，以保证所述缓冲层71对所述薄膜晶体管20的支撑作用和隔绝水氧作用，同时保证所述栅绝缘层72对所述栅极g与所述源极s、所述漏极d、所述沟道的绝缘隔离作用。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述至少两层无机层还包括：至少一层第一隔离层73，以进一步减小所述堆叠结构70中的应力积累，其中，所述第一金属层30与所述第二金属层40在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上具有第一交叠区域81，且所述第一隔离层73的开口80在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第一交叠区域81在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠，以保证所述第一隔离层73对所述第一金属层30和第二金属层40的绝缘隔离作用。
需要说明的是，当所述第一隔离层73中具有开口80时，可选的，如图13所示，所述第一隔离层73的所述开口80的截面形状为梯形，所述梯形靠近所述第二金属层40的底边长度大于所述梯形靠近所述薄膜晶体管20一侧的底边长度，以使得所述第一隔离层73表面的第二金属层40在所述开口80处的截面呈梯形，从而极大缓解所述阵列基板弯折时的所述第二金属层40的弯折应力。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中个，所述多层无机层中的任一层无机层都可以是氧化硅层，也可以是氮化硅层，还可以是氧化硅层和氮化硅层交叠设置的层叠结构，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
如图14-图18所示，在本发明实施例中，所述显示面板包括：柔性基板10；位于所述柔性基板10第一侧的薄膜晶体管20，所述薄膜晶体管20包括：源极s、漏极d、沟道以及与所述源极s、所述沟道和所述漏极d均绝缘的栅极g，其中，所述沟道位于所述源极s和所述漏极d之间；第一金属层30，所述第一金属层30包括与所述栅极g电连接的栅极线；第二金属层40，所述第二金属层40位于所述薄膜晶体管20远离所述柔性基板10的一侧，所述第二金属层40包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极s或所述漏极d电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素50，所述数据线用于为所述显示像素50提供数据信号；位于所述柔性基板10第一侧且覆盖所述柔性基板10第一侧表面的堆叠结构(图中未示出)，所述堆叠结构(图中未示出)包括多层无机层；所述多层无机层包括：位于所述柔性基板10与所述薄膜晶体管20之间的一层或多层缓冲层、位于所述沟道区与所述栅极g之间的一层或多层绝缘层、位于所述薄膜晶体管20和所述第二金属层40之间的第一隔离层，且所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区60的位置具有多个开口80。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，当至少一层所述缓冲层71中具有开口80时，所述开口80为条状开口，如图14所示，所述条状开口沿着第一方向延伸。需要说明的是，在本发明实施例中，所述第一方向可以为如图14所示的所述栅极线的延伸方向，也可以为如图15所示的所述数据线的延伸方向，当所述第一方向为所述栅极线的延伸方向时，所述阵列基板弯折时可以缓解所述数据线延伸方向的应力积累；当所述第一方向为所述数据线延伸方向时，所述阵列基板弯折时可以缓解所述栅极线延伸方向的应力积累。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图16所示，不同无机层中的条状开口沿着第一方向交错排布，即开口801和开口802位于不同的无机层中，且开口801和开口802沿着第一方向交错排布；在本发明的另一个实施例中，如图17所示，不同无机层中的条状开口沿着第二方向交错排布，即开口801和开口802位于不同的无机层中，且开口801和开口802沿着第二方向交错排布；在本发明的又一个实施例中，如图18所示，不同无机层中的条状开口同时沿着第一方向和第二方向交错排布，即开口801和开口802位于不同的无机层中，且开口801和开口802沿着第一方向和第二方向均交错排布，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，在上述实施例中，当所述第一方向为栅极线延伸方向时，所述第二方向为数据线延伸方向；当所述第一方向为数据线延伸方向时，所述第二方向为栅极线延伸方向。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，如图14-18所示，在所述第二方向上，所述开口80的宽度小于所述显示像素50的宽度，从而使得所述阵列基板中在第二方向上每个显示像素50对应的区域都可以设置一个开口80，从而最大程度的增加第二方向上开口80的数量，缓解所述阵列基板中的应力积累。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，每个所述显示像素50对应区域的投影至少与所述多层无机层中的至少一个开口80的投影相交叠，以使得每个显示像素50所对应的区域都设置有开口80，从而可以缓解各显示像素50对应区域的应力积累，避免个别显示像素50对应区域处的应力积累过大导致该显示像素50对应的TFT和发光元件异常，影响整个阵列基板在用于显示时的显示质量。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述显示像素50对应区域不仅包括所述显示像素50的透光区，还包括所述显示像素50四周的非透光区，在所述扫描线延伸方向上，相邻显示像素50对应的区域直接接触，在所述数据线的延伸方向上，相邻显示像素50对应的区域也直接接触。
相应的，本发明实施例还提供了一种柔性显示面板，该柔性显示面板包括上述任一实施例所提供的阵列基板。具体的，如图19所示，该柔性显示面板包括：上述任一实施例所提供的阵列基板100以及与该阵列基板相对设置的对置基板200。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述阵列基板的堆叠结构中，同一层所述无机层中，相邻所述开口80沿垂直于所述开口80延伸方向之间的距离与所述显示面板的厚度位于同一数量级或小于所述显示面板的厚度，优选为150μm左右，或小于150μm；所述开口80沿垂直于其延伸方向的宽度优选为大于3μm，但本发明对此并不做限定，视具体工艺而定，只要其在工艺上可实现即可。
综上所述，本发明实施例所提供的阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，所述多层无机层中至少一层无机层对应所述显示区的位置具有多个开口，以在所述阵列基板发生弯折时，减少所述堆叠结构中的应力积累，并通过所述开口释放部分应力，从而解决所述阵列基板制成显示面板后发生弯折时影响TFT和发光元件正常工作的问题；且所述堆叠结构完全覆盖所述柔性基板的第一侧表面，即所述柔性基板表面显示区任一位置均有所述堆叠结构覆盖，不存在裸露区域，以利用所述堆叠结构对外界环境中的水氧进行隔离，避免外界环境中的水氧进入包括该阵列基板的显示面板的显示区，导致显示面板无法正常显示。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
柔性基板；
位于所述柔性基板第一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极、沟道以及与所述源极、所述沟道和所述漏极均绝缘的栅极；
第一金属层，所述第一金属层包括与所述栅极电连接的栅极线；
第二金属层，所述第二金属层位于所述薄膜晶体管远离所述柔性基板的一侧，所述第二金属层包括多条金属线，所述多条金属线包括数据线，所述数据线与所述源极或所述漏极电连接，所述数据线和所述栅极线绝缘交叉限定多个显示像素，所述数据线用于为所述显示像素提供数据信号；
位于所述柔性基板第一侧且覆盖所述柔性基板第一侧表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括多层无机层，
所述多层无机层包括：位于所述柔性基板与所述薄膜晶体管之间的一层或多层缓冲层、位于沟道区和所述栅极之间的一层或多层栅绝缘层、位于所述薄膜晶体管和所述第二金属层之间的第一隔离层；
其中，所述多层无机层中至少一层无机层对应显示区的位置具有多个开口；所述开口为条状开口，所述条状开口沿着第一方向延伸，不同所述无机层的所述条状开口沿着第一方向或者第二方向交错排布；
至少一层所述缓冲层具有开口，所述缓冲层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠；
或，至少一层所述栅绝缘层具有开口，所述栅绝缘层的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口贯穿所述无机层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少一层所述第一隔离层具有开口；
所述第一金属层与所述第二金属层在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上具有第一交叠区域；
所述第一隔离层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第一交叠区域在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层背离所述第一隔离层一侧设置有覆盖所述第二金属层的一层或多层钝化层；至少一层所述钝化层具有开口；所述钝化层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第二金属层的所述多条金属线在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
第二隔离层，所述第二隔离层位于所述栅极和所述第一隔离层之间；
电容金属层，所述电容金属层位于所述第一隔离层和所述第二隔离层之间，所述电容金属层与所述栅极线形成电容；所述第一金属层与所述电容金属层在垂直于所述阵列基板的方向上具有第二交叠区域；
所述第二隔离层具有开口，所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第二交叠区域在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多层无机层中至少两层所述无机层具有开口；
其中，不同所述无机层的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影不都具有交叠区域。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两层所述无机层包括至少一层所述缓冲层和至少一层所述栅绝缘层，所述缓冲层和所述栅绝缘层的所述开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述薄膜晶体管在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述至少两层无机层还包括至少一层第一隔离层，所述第一金属层与所述第二金属层在垂直于阵列基板所在平面的方向上具有第一交叠区域；
所述第一隔离层的开口在所述阵列基板所在平面的正投影与所述第一交叠区域在所述阵列基板所在平面的正投影不交叠。
9.根据权利要求3或8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离层的所述开口的截面为梯形，所述梯形靠近所述第二金属层的底边长度大于所述梯形靠近所述薄膜晶体管一侧的底边的长度。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向中的一个为所述栅极线的延伸方向，另一个为所述数据线的延伸方向。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二方向上，所述开口的宽度小于所述显示像素的宽度。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述阵列基板所在平面的方向上，每个所述显示像素的投影至少与所述多层无机层中的至少一个开口的投影相交叠。
13.一种柔性显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-12任一项所述的阵列基板。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，同一层所述无机层中，相邻所述开口沿垂直于所述开口延伸方向之间的距离与所述显示面板的厚度位于同一数量级或小于所述显示面板的厚度。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106997883B (zh) * 2017-04-19 2020-01-17 上海天马微电子有限公司 阵列基板及显示面板
CN108054192B (zh) 2018-01-19 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性amoled基板及其制作方法
CN108336099B (zh) 2018-03-28 2021-09-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US20190363109A1 (en) * 2018-05-28 2019-11-28 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, preparation method thereof, and display device
CN109659339A (zh) * 2018-12-10 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠显示面板及其制作方法和可折叠显示装置
CN111354741A (zh) * 2018-12-21 2020-06-30 上海和辉光电有限公司 柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板
CN112768469B (zh) * 2019-11-01 2023-01-06 上海和辉光电股份有限公司 显示装置、显示面板及其制作方法
CN111415946B (zh) * 2020-03-27 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板以及显示面板
CN111785758A (zh) * 2020-07-17 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112038355B (zh) * 2020-08-28 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN113270462B (zh) * 2021-05-20 2022-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN113471217A (zh) * 2021-06-29 2021-10-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法与显示面板
US20230178619A1 (en) * 2021-12-03 2023-06-08 International Business Machines Corporation Staggered stacked semiconductor devices
CN115064569A (zh) * 2022-06-15 2022-09-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247658A (zh) * 2012-02-01 2013-08-14 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104637438A (zh) * 2013-11-06 2015-05-20 三星显示有限公司 柔性显示器及其制造方法
CN206022364U (zh) * 2016-09-29 2017-03-15 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013170135A1 (en) * 2012-05-11 2013-11-14 Akron Polymer Systems, Inc. Thermally stable, flexible substrates for electronic devices
US9853053B2 (en) * 2012-09-10 2017-12-26 3B Technologies, Inc. Three dimension integrated circuits employing thin film transistors
KR102116105B1 (ko) * 2013-07-31 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
JP5964807B2 (ja) 2013-08-30 2016-08-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
KR20150046963A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
CN103700322B (zh) 2013-12-27 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR102306003B1 (ko) * 2014-04-22 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104022076B (zh) * 2014-05-27 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
US10347702B2 (en) * 2014-10-22 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Flexible thin film transistor substrate and flexible organic light emitting display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103247658A (zh) * 2012-02-01 2013-08-14 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104637438A (zh) * 2013-11-06 2015-05-20 三星显示有限公司 柔性显示器及其制造方法
CN206022364U (zh) * 2016-09-29 2017-03-15 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及显示面板

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