CN108054192B - 柔性amoled基板及其制作方法 - Google Patents
柔性amoled基板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108054192B CN108054192B CN201810055710.2A CN201810055710A CN108054192B CN 108054192 B CN108054192 B CN 108054192B CN 201810055710 A CN201810055710 A CN 201810055710A CN 108054192 B CN108054192 B CN 108054192B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- region
- forming
- flexible
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 367
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 43
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 40
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 18
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- -1 Boron (Boron) ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种柔性AMOLED基板及其制作方法。本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。本发明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得，所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性AMOLED基板及其制作方法。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
OLED显示器件以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。而OLED显示器件最大的特点在于可以实现柔性显示，采用柔性衬底制成重量轻、可弯曲、便于携带的柔性显示器件是OLED显示器件的重要发展方向。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
图1为现有的柔性AMOLED基板的结构示意图，如图1所示，所述柔性AMOLED基板包括柔性衬底110，所述柔性衬底110包括显示区及位于显示区外围的弯折(bending)区，所述柔性衬底110的显示区与弯折区上均设有缓冲层120，所述柔性衬底110的显示区上还设有位于缓冲层120上的有源层200、位于有源层200与缓冲层120上的栅极绝缘层400、位于栅极绝缘层400上的栅极410、位于栅极410与栅极绝缘层400上的层间介电层500、位于层间介电层500上的源极610与漏极620、位于源极610、漏极620、层间介电层500上的平坦层700、位于平坦层700上的阳极850、位于平坦层700、阳极850上的像素定义层900、位于阳极850上的OLED发光层950；所述柔性衬底110的弯折区上还设有位于缓冲层120上的栅极绝缘层400、位于栅极绝缘层400上的层间介电层500、位于层间介电层500上的平坦层700、位于平坦层700上的像素定义层900；由于所述柔性衬底110的弯折区上设有缓冲层120、栅极绝缘层400、层间介电层500三个无机绝缘层，因此无机绝缘层的厚度较大，使得所述柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较差，容易断裂，严重影响柔性AMOLED基板的生产良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性AMOLED基板的制作方法，能够提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。
本发明的目的还在于提供一种柔性AMOLED基板，弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。
为实现上述目的，本发明提供一种柔性AMOLED基板的制作方法，包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分。
所述柔性AMOLED基板的制作方法具体包括如下步骤：
步骤1、提供刚性载板，在所述刚性载板上形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；
在所述柔性衬底上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成多晶硅层；
步骤2、采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层与缓冲层进行图形化处理，得到有源层，并且去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分。
所述步骤2包括：
步骤21、在所述多晶硅层上形成光阻层；
提供半色调光罩，所述半色调光罩上设有第一区域、第二区域及除第一区域与第二区域以外的第三区域；所述第一区域对应于有源层预设位置，所述第二区域对应于柔性衬底的弯折区；
步骤22、利用所述半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，使所述光阻层上对应所述半色调光罩的第二区域的部分完全显影掉，所述光阻层上对应所述半色调光罩的第三区域的部分的厚度降低；
步骤23、以所述光阻层为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层与缓冲层进行蚀刻，去除所述多晶硅层与缓冲层对应于柔性衬底的弯折区的部分；
步骤24、对所述光阻层进行灰化处理，使所述光阻层上对应所述半色调光罩的第三区域的部分完全去除掉，所述光阻层上对应所述半色调光罩的第一区域的部分厚度降低；
步骤25、以所述光阻层为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层进行蚀刻，得到有源层；
步骤26、将剩余的光阻层从有源层上剥离掉。
所述步骤21中，所述光阻层的材料为正性光阻，所述第二区域的透光率大于所述第三区域的透光率，所述第三区域的透光率大于所述第一区域的透光率。
所述步骤21中，所述光阻层的材料为负性光阻，所述第一区域的透光率大于所述第三区域的透光率，所述第三区域的透光率大于所述第二区域的透光率。
所述柔性AMOLED基板的制作方法还包括：步骤3、在所述有源层、缓冲层、柔性衬底上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成栅极；
采用自对准技术以所述栅极为掩膜板在所述有源层的两端植入掺杂离子，形成源极接触区与漏极接触区以及位于所述源极接触区与漏极接触区之间且对应于所述栅极下方的沟道区；
步骤4、在所述栅极与栅极绝缘层上沉积层间介电层，对所述层间介电层与栅极绝缘层进行图形化处理，在所述层间介电层与栅极绝缘层上形成分别对应于有源层的源极接触区与漏极接触区的源极接触孔与漏极接触孔；
在所述层间介电层上形成源极与漏极，所述源极与漏极分别通过源极接触孔与漏极接触孔和有源层的源极接触区与漏极接触区相接触；
步骤5、在所述源极、漏极、层间介电层上形成平坦层，并对平坦层进行图形化处理，在所述平坦层上形成对应于漏极上方的第一过孔；
在所述平坦层上形成阳极，所述阳极经由第一过孔与漏极相接触；
步骤6、在所述阳极与平坦层上形成像素定义层，对像素定义层进行图形化处理，在所述像素定义层上形成对应于所述阳极上方的第二过孔，在所述第二过孔内形成位于所述阳极上的OLED发光层；
步骤7、使柔性衬底与刚性载板分离，得到柔性AMOLED基板。
所述缓冲层的厚度为0.3-0.5μm；所述栅极绝缘层的厚度为0.05-0.15μm；所述层间介电层的厚度为0.15-0.25μm。
本发明还提供一种柔性AMOLED基板，包括柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区，所述柔性衬底的显示区上设有缓冲层，所述柔性衬底的弯折区上未设缓冲层。
所述柔性衬底的显示区上还设有位于缓冲层上的有源层、位于有源层与缓冲层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、位于栅极与栅极绝缘层上的层间介电层、位于层间介电层上的源极与漏极、位于源极、漏极、层间介电层上的平坦层、位于平坦层上的阳极、位于平坦层、阳极上的像素定义层、位于阳极上的OLED发光层；
所述柔性衬底的弯折区上设有栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的层间介电层、位于层间介电层上的平坦层、位于平坦层上的像素定义层；
所述有源层包括源极接触区与漏极接触区以及位于所述源极接触区与漏极接触区之间且对应于所述栅极下方的沟道区，所述源极接触区与漏极接触区均含有掺杂离子；
所述层间介电层与栅极绝缘层上设有分别对应于有源层的源极接触区与漏极接触区的源极接触孔与漏极接触孔；所述源极与漏极分别通过源极接触孔与漏极接触孔和有源层的源极接触区与漏极接触区相接触；
所述平坦层上设有对应于漏极上方的第一过孔，所述阳极经由第一过孔与漏极相接触；
所述像素定义层上设有对应于阳极上方的第二过孔，所述OLED发光层设于所述第二过孔内。
所述缓冲层的厚度为0.3-0.5μm；所述栅极绝缘层的厚度为0.05-0.15μm；所述层间介电层的厚度为0.15-0.25μm。
本发明的有益效果：本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。本发明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得，所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的柔性AMOLED基板的结构示意图；
图2为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的流程图；
图3为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤1的示意图；
图4为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤21的第一实施例的示意图；
图5为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤21的第二实施例的示意图；
图6为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤22的示意图；
图7为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤23的示意图；
图8为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤24的示意图；
图9为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤25的示意图；
图10为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤26的示意图；
图11为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤3的示意图；
图12为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤4的示意图；
图13为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤5的示意图；
图14为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤6的示意图；
图15为本发明的柔性AMOLED基板的制作方法的步骤7的示意图；
图16为本发明的柔性AMOLED基板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明提供一种柔性AMOLED基板的制作方法，包括：形成柔性衬底11，所述柔性衬底11包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底11上形成缓冲层12，去除缓冲层12上位于弯折区的部分，保留缓冲层12上位于显示区的部分。该方法能够使后续制得的柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性提高，提高生产良率。
具体的，请参阅图2，所述柔性AMOLED基板的制作方法具体包括如下步骤：
步骤1、如图3所示，提供刚性载板10，在所述刚性载板10上形成柔性衬底11，所述柔性衬底11包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底11上形成缓冲层12，在所述缓冲层12上形成多晶硅层13。
具体的，所述步骤1中，所述刚性载板10为玻璃(glass)基板，所述柔性衬底11为聚酰亚胺(PI，Polyimide)薄膜，所述聚酰亚胺薄膜经由涂布及固化制程制得。
具体的，所述缓冲层12采用化学气相沉积方法(CVD)形成。
具体的，在所述缓冲层12上形成多晶硅层13的方法包括：采用化学气相沉积方法在所述缓冲层12上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行去氢处理后，利用准分子激光退火方法(ELA，Excimer Laser Anneal)将所述非晶硅层结晶转化为多晶硅层13。
具体的，所述缓冲层12包括设于所述柔性衬底11上的氮化硅(SiNx)层与设于所述氮化硅(SiNx)层上的氧化硅(SiOx)层。
具体的，所述缓冲层12的厚度为0.3-0.5μm，优选为0.35μm。
具体的，所述缓冲层12位于显示区的部分能够在非晶硅结晶形成多晶硅时起到很好的保温作用，并且能够阻碍杂质离子对后续制得的有源层20的沟道区23的影响。
具体的，所述缓冲层12位于弯折区的部分会增加弯折区的无机绝缘层的厚度，使后续制得的柔性AMOLED基板的弯折区的弯折性变差甚至出现断裂，严重影响柔性AMOLED基板产出的良率。
步骤2、如图4至图10所示，采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层13与缓冲层12进行图形化处理，得到有源层20，并且去除缓冲层12上位于弯折区的部分，保留缓冲层12上位于显示区的部分。
具体的，所述步骤2包括：
步骤21、如图4或图5所示，在所述多晶硅层13上形成光阻层15；
提供半色调光罩30，所述半色调光罩30上设有第一区域31、第二区域32及除第一区域31与第二区域32以外的第三区域33；所述第一区域31对应于有源层预设位置，所述第二区域32对应于柔性衬底11的弯折区。
具体的，如图4所示，所述步骤21中，所述光阻层15的材料可以为正性光阻，此时，所述第二区域32的透光率大于所述第三区域33的透光率，所述第三区域33的透光率大于所述第一区域31的透光率；优选的，所述第二区域32的透光率为100％，所述第三区域33的透光率为50％，所述第一区域31的透光率为0。
具体的，如图5所示，所述步骤21中，所述光阻层15的材料还可以为负性光阻，此时，所述第一区域31的透光率大于所述第三区域33的透光率，所述第三区域33的透光率大于所述第二区域32的透光率。优选的，所述第一区域31的透光率为100％，所述第三区域33的透光率为50％，所述第二区域32的透光率为0。
步骤22、如图6所示，利用所述半色调光罩30对所述光阻层15进行曝光、显影，使所述光阻层15上对应所述半色调光罩30的第二区域32的部分完全显影掉，所述光阻层15上对应所述半色调光罩30的第三区域33的部分的厚度降低。
步骤23、如图7所示，以所述光阻层15为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层13与缓冲层12进行蚀刻，去除所述多晶硅层13与缓冲层12对应于柔性衬底11的弯折区的部分。
步骤24、如图8所示，对所述光阻层15进行灰化处理，使所述光阻层15上对应所述半色调光罩30的第三区域33的部分完全去除掉，所述光阻层15上对应所述半色调光罩30的第一区域31的部分厚度降低。
步骤25、如图9所示，以所述光阻层15为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层13进行蚀刻，得到有源层20。
步骤26、如图10所示，将剩余的光阻层15从有源层20上剥离掉。
所述步骤2采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层13与缓冲层12进行图形化处理，既制得有源层20，又能够去除缓冲层12位于弯折区的部分，使得后续制得的柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，使柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性提高，从而提高生产良率。另外，通过将多晶硅层13与缓冲层12的图形化设置于一道半色调光罩制程中，能够节约光罩成本，缩短制程时间，从而降低生产成本，简化工艺流程。
步骤3、如图11所示，在所述有源层20、缓冲层12、柔性衬底11上形成栅极绝缘层40，在所述栅极绝缘层40上形成栅极41；
采用自对准技术以所述栅极41为掩膜板在所述有源层20的两端植入掺杂离子，形成源极接触区21与漏极接触区22以及位于所述源极接触区21与漏极接触区22之间且对应于所述栅极41下方的沟道区23。
具体的，所述栅极绝缘层40采用化学气相沉积方法(CVD)形成。
具体的，所述栅极绝缘层40包括设于所述有源层20、缓冲层12、柔性衬底11上的氧化硅(SiOx)层。
具体的，所述栅极绝缘层40的厚度为0.05-0.15μm，优选为0.1μm。
具体的，所述栅极41包括栅极金属层，所述栅极金属层包括钼(Mo)薄膜。
具体的，在所述栅极绝缘层40上形成栅极41的方法包括：采用物理气相沉积方法(PVD)在所述栅极绝缘层40上沉积栅极金属层，对所述栅极金属层进行图形化处理，得到栅极41。
具体的，所述栅极41对应于有源层20上方设置。
具体的，所述掺杂离子为P型离子，所述P型离子优选为硼(Boron)离子。
步骤4、如图12所示，在所述栅极41与栅极绝缘层40上沉积层间介电层50，对所述层间介电层50与栅极绝缘层40进行图形化处理，在所述层间介电层50与栅极绝缘层40上形成分别对应于有源层20的源极接触区21与漏极接触区22的源极接触孔51与漏极接触孔52；
在所述层间介电层50上形成源极61与漏极62，所述源极61与漏极62分别通过源极接触孔51与漏极接触孔52和有源层20的源极接触区21与漏极接触区22相接触。
具体的，所述源极61与漏极62均包括源漏极金属层，所述源漏极金属层包括铝(Al)薄膜及分别位于所述铝薄膜两侧的钼(Mo)薄膜。
具体的，在所述层间介电层50上形成源极61与漏极62的方法包括：采用物理气相沉积方法(PVD)在所述层间介电层50上沉积源漏极金属层，对所述源漏极金属层进行图形化处理，得到源极61与漏极62。
具体的，所述层间介电层50采用化学气相沉积方法(CVD)形成。
具体的，所述层间介电层50包括设于所述栅极41与栅极绝缘层40上的氧化硅(SiOx)层与设于所述氧化硅(SiOx)层上的氮化硅(SiNx)层。
具体的，所述层间介电层50的厚度为0.15-0.25μm，优选为0.2μm。
步骤5、如图13所示，在所述源极61、漏极62、层间介电层50上形成平坦层70，并对平坦层70进行图形化处理，在所述平坦层70上形成对应于漏极62上方的第一过孔71；
在所述平坦层70上形成阳极85，所述阳极85经由第一过孔71与漏极62相接触。
具体的，所述阳极85包括银(Ag)薄膜及分别位于所述银薄膜两侧的氧化铟锡薄膜(ITO)。
步骤6、如图14所示，在所述阳极85与平坦层70上形成像素定义层90，对像素定义层90进行图形化处理，在所述像素定义层90上形成对应于所述阳极85上方的第二过孔72，在所述第二过孔72内形成位于所述阳极85上的OLED发光层95。
具体的，所述像素定义层90与平坦层70的材料为相同的有机光阻材料，所述有机光阻材料包含聚酰亚胺(polyimide)。
具体的，所述OLED发光层95采用蒸镀制程形成。
步骤7、如图15所示，使柔性衬底11与刚性载板10分离，得到柔性AMOLED基板99。
具体的，采用激光剥离制程(LLO)使柔性衬底11与刚性载板10分离。
本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底11，所述柔性衬底11包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底11上形成缓冲层12，去除缓冲层12上位于弯折区的部分，保留缓冲层12上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。
请参阅图16，基于柔性AMOLED基板的制作方法，本发明还提供一种柔性AMOLED基板99，包括柔性衬底11，所述柔性衬底11包括显示区及位于显示区外围的弯折区，所述柔性衬底11的显示区上设有缓冲层12，所述柔性衬底11的弯折区上未设缓冲层12。
具体的，所述柔性衬底11的显示区上还设有位于缓冲层12上的有源层20、位于有源层20与缓冲层12上的栅极绝缘层40、位于栅极绝缘层40上的栅极41、位于栅极41与栅极绝缘层40上的层间介电层50、位于层间介电层50上的源极61与漏极62、位于源极61、漏极62、层间介电层50上的平坦层70、位于平坦层70上的阳极85、位于平坦层70、阳极85上的像素定义层90、位于阳极85上的OLED发光层95；
所述柔性衬底11的弯折区上设有栅极绝缘层40、位于栅极绝缘层40上的层间介电层50、位于层间介电层50上的平坦层70、位于平坦层70上的像素定义层90；
所述有源层20包括源极接触区21与漏极接触区22以及位于所述源极接触区21与漏极接触区22之间且对应于所述栅极41下方的沟道区23，所述源极接触区21与漏极接触区22均含有掺杂离子；
所述层间介电层50与栅极绝缘层40上设有分别对应于有源层20的源极接触区21与漏极接触区22的源极接触孔51与漏极接触孔52；所述源极61与漏极62分别通过源极接触孔51与漏极接触孔52和有源层20的源极接触区21与漏极接触区22相接触；
所述平坦层70上设有对应于漏极62上方的第一过孔71，所述阳极85经由第一过孔71与漏极62相接触；
所述像素定义层90上设有对应于阳极85上方的第二过孔72，所述OLED发光层95设于所述第二过孔72内。
具体的，所述柔性衬底11为聚酰亚胺(PI，Polyimide)薄膜。
具体的，所述缓冲层12包括设于所述柔性衬底11上的氮化硅(SiNx)层与设于所述氮化硅(SiNx)层上的氧化硅(SiOx)层。
具体的，所述栅极绝缘层40包括设于所述有源层20、缓冲层12、柔性衬底11上的氧化硅(SiOx)层。
具体的，所述栅极41包括栅极金属层，所述栅极金属层包括钼(Mo)薄膜。
具体的，所述栅极41对应于有源层20上方设置。
具体的，所述掺杂离子为P型离子，所述P型离子优选为硼(Boron)离子。
具体的，所述源极61与漏极62均包括源漏极金属层，所述源漏极金属层包括铝(Al)薄膜及分别位于所述铝薄膜两侧的钼(Mo)薄膜。
具体的，所述层间介电层50包括设于所述栅极41与栅极绝缘层40上的氧化硅(SiOx)层与设于所述氧化硅(SiOx)层上的氮化硅(SiNx)层。
具体的，所述阳极85包括银(Ag)薄膜及分别位于所述银薄膜两侧的氧化铟锡薄膜(ITO)。
具体的，所述像素定义层90与平坦层70的材料为相同的有机光阻材料，所述有机光阻材料包含聚酰亚胺(polyimide)。
具体的，所述缓冲层12的厚度为0.3-0.5μm，优选为0.35μm。
具体的，所述栅极绝缘层40的厚度为0.05-0.15μm，优选为0.1μm。
具体的，所述层间介电层50的厚度为0.15-0.25μm，优选为0.2μm。
本发明通过在柔性AMOLED基板的显示区外围设置弯折区，在柔性AMOLED基板的弯折区上贴合驱动IC后，使其向显示区后方弯折，能够缩小显示屏中的非显示区占比，提升显示区占比，缩小显示装置的边框，有利于制作窄边框显示装置。
本发明的柔性AMOLED基板包括柔性衬底11，所述柔性衬底11包括显示区及位于显示区外围的弯折区，所述柔性衬底11的显示区上设有缓冲层12，所述柔性衬底11的弯折区上未设缓冲层12，因此所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。
综上所述，本发明提供一种柔性AMOLED基板及其制作方法。本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。本发明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得，所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (5)
1.一种柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括：形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分；
包括如下步骤：
步骤1、提供刚性载板(10)，在所述刚性载板(10)上形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；
在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，在所述缓冲层(12)上形成多晶硅层(13)；
步骤2、采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行图形化处理，得到有源层(20)，并且去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分；
所述步骤2包括：
步骤21、在所述多晶硅层(13)上形成光阻层(15)；
提供半色调光罩(30)，所述半色调光罩(30)上设有第一区域(31)、第二区域(32)及除第一区域(31)与第二区域(32)以外的第三区域(33)；所述第一区域(31)对应于有源层预设位置，所述第二区域(32)对应于柔性衬底(11)的弯折区；
步骤22、利用所述半色调光罩(30)对所述光阻层(15)进行曝光、显影，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第二区域(32)的部分完全显影掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分的厚度降低；
步骤23、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行蚀刻，去除所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)对应于柔性衬底(11)的弯折区的部分；
步骤24、对所述光阻层(15)进行灰化处理，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分完全去除掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第一区域(31)的部分厚度降低；
步骤25、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)进行蚀刻，得到有源层(20)；
步骤26、将剩余的光阻层(15)从有源层(20)上剥离掉。
2.如权利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤21中，所述光阻层(15)的材料为正性光阻，所述第二区域(32)的透光率大于所述第三区域(33)的透光率，所述第三区域(33)的透光率大于所述第一区域(31)的透光率。
3.如权利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤21中，所述光阻层(15)的材料为负性光阻，所述第一区域(31)的透光率大于所述第三区域(33)的透光率，所述第三区域(33)的透光率大于所述第二区域(32)的透光率。
4.如权利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，还包括：步骤3、在所述有源层(20)、缓冲层(12)、柔性衬底(11)上形成栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上形成栅极(41)；
采用自对准技术以所述栅极(41)为掩膜板在所述有源层(20)的两端植入掺杂离子，形成源极接触区(21)与漏极接触区(22)以及位于所述源极接触区(21)与漏极接触区(22)之间且对应于所述栅极(41)下方的沟道区(23)；
步骤4、在所述栅极(41)与栅极绝缘层(40)上沉积层间介电层(50)，对所述层间介电层(50)与栅极绝缘层(40)进行图形化处理，在所述层间介电层(50)与栅极绝缘层(40)上形成分别对应于有源层(20)的源极接触区(21)与漏极接触区(22)的源极接触孔(51)与漏极接触孔(52)；
在所述层间介电层(50)上形成源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)与漏极(62)分别通过源极接触孔(51)与漏极接触孔(52)和有源层(20)的源极接触区(21)与漏极接触区(22)相接触；
步骤5、在所述源极(61)、漏极(62)、层间介电层(50)上形成平坦层(70)，并对平坦层(70)进行图形化处理，在所述平坦层(70)上形成对应于漏极(62)上方的第一过孔(71)；
在所述平坦层(70)上形成阳极(85)，所述阳极(85)经由第一过孔(71)与漏极(62)相接触；
步骤6、在所述阳极(85)与平坦层(70)上形成像素定义层(90)，对像素定义层(90)进行图形化处理，在所述像素定义层(90)上形成对应于所述阳极(85)上方的第二过孔(72)，在所述第二过孔(72)内形成位于所述阳极(85)上的OLED发光层(95)；
步骤7、使柔性衬底(11)与刚性载板(10)分离，得到柔性AMOLED基板(99)。
5.如权利要求4所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述缓冲层(12)的厚度为0.3-0.5μm；所述栅极绝缘层(40)的厚度为0.05-0.15μm；所述层间介电层(50)的厚度为0.15-0.25μm。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810055710.2A CN108054192B (zh) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 柔性amoled基板及其制作方法 |
| PCT/CN2018/076952 WO2019140733A1 (zh) | 2018-01-19 | 2018-02-22 | 柔性amoled基板及其制作方法 |
| US15/775,535 US10790458B2 (en) | 2018-01-19 | 2018-02-22 | Flexible AMOLED substrate and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810055710.2A CN108054192B (zh) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 柔性amoled基板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108054192A CN108054192A (zh) | 2018-05-18 |
| CN108054192B true CN108054192B (zh) | 2019-12-24 |
Family
ID=62127381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810055710.2A Active CN108054192B (zh) | 2018-01-19 | 2018-01-19 | 柔性amoled基板及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10790458B2 (zh) |
| CN (1) | CN108054192B (zh) |
| WO (1) | WO2019140733A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108766243A (zh) | 2018-06-01 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、显示装置 |
| TWI683450B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式顯示面板及其製造方法 |
| KR102138004B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2020-07-27 | 연세대학교 산학협력단 | 능동형 유기 발광 소자 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
| CN109638041A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性有机发光显示装置及其制备方法 |
| CN109860239B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109950252B (zh) * | 2019-02-25 | 2021-02-12 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备 |
| CN110299385B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-09-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法 |
| CN110504212A (zh) * | 2019-08-12 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN110581140B (zh) * | 2019-08-12 | 2022-01-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板及其显示面板 |
| CN112768469B (zh) * | 2019-11-01 | 2023-01-06 | 上海和辉光电股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
| CN110890409B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-11-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其oled面板、oled面板的制作方法 |
| CN112331696B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-12-06 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 发光器件及其基板与制作方法 |
| CN111276492B (zh) * | 2020-01-22 | 2023-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其oled面板、oled面板的制作方法 |
| CN111180610A (zh) * | 2020-02-20 | 2020-05-19 | 福建华佳彩有限公司 | 一种窄边框的面板结构及制作方法 |
| CN111524859B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN115482721A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板和滑卷显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104934438A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102443703B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102403197B1 (ko) * | 2016-07-05 | 2022-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN106229321B (zh) * | 2016-09-29 | 2024-03-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
| CN106952827A (zh) * | 2017-03-16 | 2017-07-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示面板 |
| CN107170758B (zh) | 2017-05-25 | 2020-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2018
- 2018-01-19 CN CN201810055710.2A patent/CN108054192B/zh active Active
- 2018-02-22 WO PCT/CN2018/076952 patent/WO2019140733A1/zh active Application Filing
- 2018-02-22 US US15/775,535 patent/US10790458B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104934438A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019140733A1 (zh) | 2019-07-25 |
| US10790458B2 (en) | 2020-09-29 |
| US20200161569A1 (en) | 2020-05-21 |
| CN108054192A (zh) | 2018-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108054192B (zh) | 柔性amoled基板及其制作方法 | |
| CN107424957B (zh) | 柔性tft基板的制作方法 | |
| CN106847743B (zh) | Tft基板及其制作方法 | |
| CN106653768B (zh) | Tft背板及其制作方法 | |
| US10038043B2 (en) | Method for manufacturing AMOLED backplane and structure thereof | |
| US10367073B2 (en) | Thin film transistor (TFT) with structured gate insulator | |
| US9627461B2 (en) | Array substrate, its manufacturing method and display device | |
| US6617203B2 (en) | Flat panel display device and method of manufacturing the same | |
| US9947736B2 (en) | Manufacture method of AMOLED back plate and structure thereof | |
| EP3200230A1 (en) | Thin film transistor component, array substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
| US20150214373A1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device | |
| CN107611085B (zh) | Oled背板的制作方法 | |
| US20160268320A1 (en) | Array Substrate, Manufacturing Method Thereof and Display Apparatus | |
| US20160370621A1 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and liquid crystal display | |
| US10120256B2 (en) | Preparation method for thin film transistor, preparation method for array substrate, array substrate, and display apparatus | |
| US9876040B1 (en) | Method for manufacturing TFT substrate | |
| CN107170759B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2016176879A1 (zh) | Amoled背板的制作方法及其结构 | |
| JP2007052390A (ja) | Ａｍｏｌｅｄパネルの製作方法 | |
| JP3748827B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置製造方法 | |
| KR100796592B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR20080102665A (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| KR100635062B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| KR101323555B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| CN114613815B (zh) | 显示面板及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |