TWI429985B - 引線結構以及具有此引線結構的顯示面板 - Google Patents

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Description

引線結構以及具有此引線結構的顯示面板
本發明是有關於一種引線結構以及具有此引線結構的顯示面板。
一般來說，液晶顯示器中的液晶顯示面板是由畫素陣列基板、彩色濾光陣列基板和夾於兩基板之間的液晶層所構成。在畫素陣列基板中，還會在非顯示區設置引線，以使畫素陣列與驅動晶片之間電性連接。為了搭配驅動晶片之接點，設置在畫素陣列與驅動晶片之間的引線會排列成扇形形式(fan-out)的引線結構。
隨著窄邊框(slim border)顯示面板的發展，已經有越來越多的研究是著重於降低上述扇形引線結構的尺寸。一般來說，為了降低扇形引線結構的尺寸，可以透過縮減引線之間的距離及/或引線的線寬來達成。但是縮小引線的線寬會使引線的電阻值增加，因此不宜過度縮小引線的線寬。另外，降低引線之間的距離雖可達到縮小扇形引線結構的尺寸之目的，但是若過度的縮小引線之間的距離也容易造成相鄰兩條引線產生短路。因此，如何製造出新式的引線結構以應用於窄邊框顯示面板，且此引線結構又能同時兼顧顯示面板的良率是有需要的。
本發明提供一種顯示面板及具有此引線結構之顯示面板，其有利於應用在窄邊框顯示面板，且此引線結構又能同時兼顧顯示面板的良率。
本發明提出一種顯示面板，其具有顯示區以及非顯示區，且此顯示面板包括畫素陣列、至少一驅動元件、多條第一引線以及多條第二引線。畫素陣列位於顯示區中。驅動元件位於非顯示區中。第一引線位於非顯示區中且電性連接畫素陣列與驅動元件。每一條第一引線包括第一直線部以及與第一直線部直接連接在一起的第一斜線部。第二引線位於非顯示區中且電性連接畫素陣列與驅動元件，且第二引線與第一引線交替設置。每一條第二引線包括第二直線部、第二斜線部以及接觸窗，其中接觸窗與第二直線部接觸，以使第二斜線部與第二直線部電性連接。第一引線之第一直線部與第二引線之第二直線部延伸至驅動元件且與驅動元件電性連接
本發明提出一種引線結構，此引線結構包括多條第一引線以及多條第二引線。每一條第一引線包括第一直線部以及與第一直線部直接連接在一起的第一斜線部。第二引線與第一引線交替設置，且每一條第二引線包括第二直線部、第二斜線部以及接觸窗，其中接觸窗與第二直線部接觸，以使第二斜線部與第二直線部電性連接。特別是，在靠近第一直接部以及第二直線部之處，每一第一引線之第一直線部與鄰近的第二引線之第二直線部之間的第一間距大於每一第一引線之第一斜線部與鄰近的第二引線之第二 斜線部之間的第二間距。
基於上述，本發明之第一引線之第一直線部與鄰近的第二引線之第二直線部之間的第一間距大於每一第一引線之第一斜線部與鄰近的第二引線之第二斜線部之間的第二間距，第一引線是由第一直線部以及第一斜線部構成，且第二引線是由第二直線部、第二斜線部以及接觸窗所構成。換言之，本發明之引線結構是將第一直線部以及第二直線部的佈局設計得較為寬鬆，並將第一斜線部以及第二斜線部的佈局設計得較為密集，且第一斜線部以及第二斜線部是位於不相同的膜層。因此，此種引線結構可以避免相鄰的兩引線之間產生短路之前提之下，又可有效的縮減引線結構之整體尺寸。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是根據本發明一實施例之顯示面板的上視示意圖。圖2是圖1之引線結構的局部上視示意圖。圖3是沿著圖2之剖面線I-I’以及剖面線II-II’的剖面示意圖。請同時參照圖1、圖2以及圖3，本實施例之顯示面板包括顯示區A以及於顯示區A的周圍非顯示區B。此顯示面板包括畫素陣列AR、至少一驅動元件DR、多條第一引線L1-1~L1-n以及多條第二引線L2-1~L2-n。
畫素陣列AR位於顯示區A中。據本實施例，上述畫 素陣列AR包括多條掃描線SL1~SLn、多條資料線DL1~DLn以及多個畫素結構P。
掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn彼此交越設置，且掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn之間夾有絕緣層。換言之，掃描線SL1~SLn的延伸方向與資料線DL1~DLn的延伸方向不平行，較佳的是，掃描線SL1~SLn的延伸方向與資料線DL1~DLn的延伸方向大體上垂直。基於導電性的考量，掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，掃描線SL1~SLn與資料線DL1~DLn也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、其他合適的材料或是各種合適材料的堆疊層。
另外，畫素結構P包括主動元件T以及畫素電極PE。主動元件T可以是底部閘極型薄膜電晶體或是頂部閘極型薄膜電晶體，其包括閘極、通道、源極以及汲極。主動元件T與對應的一條掃描線SL1~SLn及對應的一條資料線DL1~DLn電性連接。另外，主動元件T與畫素電極PE電性連接。
驅動裝置DR位於非顯示區B中。驅動裝置DR可以提供畫素陣列AR特定的驅動訊號，以控制畫素陣列AR顯示特定的影像。在本實施例中，驅動裝置DR是設置在顯示區A之其中一側邊處，然，本發明不限於此。根據其他實施例，驅動裝置亦可以設置在顯示區A的其中二或三 側邊處或是設置在顯示區A的四周等等。
第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n是位於非顯示區B中，且第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n電性連接畫素陣列AR與驅動裝置DR。在此，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n各自與對應的掃描線SL1~SLn以及資料線DL1~DLn電性連接。換言之，透過第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n的設置，便能使驅動裝置DR之驅動訊號傳遞到畫素陣列AR中。此外，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n彼此交替，換言之，第一引線以及第二引線的排列方是由右往左依序是第一引線L1-1、第二引線L2-1、第一引線L1-2、第二引線L2-2、.....、第一引線L1-n、第二引線L2-n。
類似地，基於導電性的考量，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n一般是使用金屬材料。然，本發明不限於此，根據其他實施例，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n也可以使用其他導電材料。例如：合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、其他合適的材料或是各種合適材料的堆疊層。此外，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之線寬例如是各自為3~6微米，但本發明不以此為限。
根據本實施例，如圖2所示，第一引線L1-1~L1-n包括第一直線部S1-1~S1-n以及與第一直線部S1-1~S1-n連接的第一斜線部O1-1~O1-n。換言之，第一引線L1-1 包含第一直線部S1-1以及第一斜線部O1-1，第一引線L1-2包含第一直線部S1-2以及第一斜線部O1-2，且第一引線L1-n包含第一直線部S1-n以及第一斜線部O1-n。而上述之第一直線部S1-1~S1-n之延伸方向與第一斜線部O1-1~O1-n之延伸方向不平行。也就是，第一直線部S1-1~S1-n之延伸方向與第一斜線部O1-1~O1-n之延伸方向之間的夾角不等於0度或是180度。另外，第一直線部S1-1~S1-n之線寬與第一斜線部O1-1~O1-n之線寬大致相等，亦可以不相同，端視設計者之需求而定，本發明並不加以限制。
第二引線L2-1~L2-n包括第二直線部S2-1~S2-n、第二斜線部O2-1~O2-n以及接觸窗V1~Vn。換言之，第二引線L2-1包含第二直線部S2-1、第二斜線部O2-1以及接觸窗V1，第二引線L2-2包含第二直線部S2-2、第二斜線部O2-2以及接觸窗V2，且第二引線L2-n包含第二直線部S2-n、第二斜線部O2-n以及接觸窗Vn。特別是，根據圖2之實施例，上述之第二直線部S2-1~S2-n包括延伸部E2-1~E2-n以及連接部C2-1~C2-n。舉例來說，第二直線部S2-1包括延伸部E2-1以及連接部C2-1，第二直線部S2-2包括延伸部E2-2以及連接部C2-2，且第二直線部S2-n包括延伸部E2-n以及連接部C2-n。而上述之連接部C2-1~C2-n是與第二斜線部O2-1~O2-n直接連接在一起，且接觸窗V1~Vn是位於延伸部E2-1~E2-n與連接部C2-1~C2-n之間，以電性連接延伸部E2-1~E2-n與連接部 C2-1~C2-n。
以第二引線L2-1為例，第二引線L2-1包括第二直線部S2-1(包含延伸部E2-1以及連接部C2-1)、第二斜線部O2-1以及接觸窗V1。第二直線部S2-1之延伸部E2-1是延伸至接觸窗V1處，第二直線部S2-1之連接部C2-1從接觸窗V1處往第二斜線部O2-1延伸並與第二斜線部O2-1連接，且接觸窗V1電性連接第二直線部S2-1之延伸部E2-1以及第二直線部S2-1之連接部C2-1。
類似地，第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n之延伸方向與第二斜線部O2-1~O2-n之延伸方向不平行。也就是，第二直線部S2-1~S2-n之延伸方向與第二斜線部O2-1~O2-n之延伸方向之間的夾角不等於0度或是180度。另外，第二直線部S2-1~S2-n之線寬與第二斜線部O2-1~O2-n之線寬大致相等，亦可以不相同，端視設計者之需求而定，本發明並不加以限制。
另外，上述之第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n彼此大體上平行設置，且第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n是往驅動元件DR延伸並與驅動元件DR電性連接。上述之第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n彼此大體上平行設置，且第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二斜 線部O2-1~O2-n是往畫素陣列AR延伸並與畫素陣列AR電性連接。
特別是，每一第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n與鄰近的第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n之間具有第一間距D1。舉例來說，第一直線部S1-1與第二直線部S2-1之間的間距為D1。另外，每一第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n與鄰近的第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n之間具有第二間距D2。舉例來說，第一斜線部O1-1與第二斜線部O2-1之間的間距為D2。在靠近第一直線部S1-1~S1-n與第二直線部S2-1~S2-n之處，上述之第一間距D1(第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n與鄰近的第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n之間的距離)大於第二間距D2(第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n與鄰近的第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n之間的距離)。舉例來說，第一間距D1約為10~20微米，且第二間距D2約為1.5~6微米，但本發明不以此為限。
因此，第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n與第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n之間的排列較為寬鬆，而第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n與第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n之間的排列較為緊密。
值得一提的是，在本實施例中，如圖2以及圖3所示， 第一引線L1-1~L1-n(包含第一直線部S1-1~S1-n與第一斜線部O1-1~O1-n)以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n是屬於第一導電層。第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n以及第二直線部S2-1~S2-n的連接部C2-1~C2-n是屬於第二導電層。以本實施例來說，如圖3所示，第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位於基板100上，且第一絕緣層102覆蓋所述第一導電層。第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n以及第二直線部S2-1~S2-n的連接部C2-1~C2-n)是位於第一絕緣層102上，且第二絕緣層106覆蓋第一絕緣層102以及第二導電層。特別是，接觸窗V1~Vn是位於第一絕緣層102中，以電性連接位於第一導電層的延伸部E2-1~E2-n以及位於第二導電層的連接部C2-1~C2-n。上述之第一絕緣層102以及第二絕緣層106的材料可分別包含無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、或其它合適的材料、或上述之組合。
根據本實施例，由於第一直線部S1-1~S1-n與第二直線部S2-1~S2-n之間的間距D1較大，因此將第一直線部S1-1~S1-n與第二直線部S2-1~S2-n之延伸部E2-1~E2-n製作在同一層導電層不會使得彼此產生短路問題。而由於第一斜線部O1-1~O1-n與第二斜線部O2-1~O2-n之間的 間距D2較小，因此將第一斜線部O1-1~O1-n與第二斜線部O2-1~O2-n製作在不同的導電層可以避免兩者之間產生短路。上述引線結構的佈局方式可以使得引線結構之整體面積縮小，以利於應用在窄邊框顯示面板中。
值得一提的是，在圖2及圖3之實施例中，第一直線部S1-1~S1-n與第二直線部S2-1~S2-n之延伸部E2-1~E2-n是設置在第一導電層，因而其上方覆蓋有第一絕緣層102以及第二絕緣層106兩層絕緣層。此種引線結構的設計之另一優點是，當引線結構受到外力之衝擊時，藉由兩層絕緣層之保護可以減少引線結構受到損害的機會。
在上述圖3之實施例中，第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位於基板100上，且第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n以及第二直線部S2-1~S2-n的連接部C2-1~C2-n)是設置在第一導電層之上方。然，本發明不限於此，根據其他實施例，第一導電層也可以是設置在第二導電層之上方，如圖4所示。在圖4之實施例中，第一絕緣層102覆蓋第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n以及第二直線部S2-1~S2-n的連接部C2-1~C2-n)，第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位於第一絕緣層102上，且第二絕緣層106覆蓋第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~ S2-n的延伸部E2-1~E2-n)。
圖4是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。圖4之實施例與圖3之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複說明。在圖4之實施例中，第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n以及第二直線部S2-1~S2-n的連接部C2-1~C2-n)是設置在基板100上，且第一絕緣層102覆蓋所述第二導電層。第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位於第一絕緣層102上，且第二絕緣層106覆蓋第一絕緣層102以及第一導電層。類似地，接觸窗V1~Vn是位於第一絕緣層102中，以電性連接連接部C2-1~C2-n與延伸部E2-1~E2-n。
圖5是根據另一實施例之引線結構的局部上視示意圖。圖5之實施例與圖2之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複說明。圖5之實施例與圖2之實施例不同之處在於，接觸窗V1~Vn是位於第二直線部S2-1~S2-n與第二斜線部O2-1~O2-n之間。換言之，在本實施例中，第一引線L1-1~L1-n(包含第一直線部S1-1~S1-n以及第一斜線部S1-1~O1-n)以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n是屬於第一導電層，但第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n是屬於第二導電層。而接觸窗V1~Vn是設置於第二直線部S2-1~S2-n與第二斜線部O2-1~O2-n之間。
另外，第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n)可以設置在第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n)之下方。換言之，第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n)是位於基板上，且被第一絕緣層覆蓋。第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n)是位於第一絕緣層上，且被第二絕緣層覆蓋。
當然，第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n)也可以設置在第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n)之下方。換言之，上述之第一導電層(第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n)是設置在基板上，且被第一絕緣層覆蓋。第二導電層(第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n)是位於第一絕緣層上，且被第二絕緣層覆蓋。
圖6是根據另一實施例之引線結構的局部上視示意圖。圖7是沿著圖6之剖面線III-III’的剖面示意圖。請參照圖6及圖7，本實施例與上述圖2之實施例相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複說明。在圖6及圖7之實施例中，此引線結構更包括多個保護結構200，其位於每一條第二引線L2-1~L2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之間。舉例來說，在第二引線L2-1與第一引線L1-1之間設置有保護結構200，且在第二引線L2-1與 第一引線L1-1之間也設置有保護結構200。
特別是，保護結構200的高度大於或等於第一引線L1-1~L1-n的高度或第二引線L2-1~L2-n的高度，較佳的是，保護結構200的高度是大於或是等於第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n上方之第二絕緣層106的高度。根據本實施例，保護結構200是由多層膜層堆疊而成。所述多層膜層可為金屬材料、絕緣材料、半導體材料、金屬氧化物材料等等，其主要是根據顯示面板之畫素陣列AR的製程以及其所採用的材料有關。
以圖7之實施例為例，所述保護結構200是由導電圖案M1、第一絕緣層102以及第二絕緣層106堆疊而成，且保護結構200是設置在每一條第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n鄰近的第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n之間。上述之導電圖案M1例如是金屬材料。另外，保護結構200的高度H與第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n上方之第二絕緣層106的高度H相當。
承上所述，由於每一條第二引線L2-1~L2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之間設置有保護結構200，且保護結構200的高度是大於或是等於第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n上方之第二絕緣層106的高度。因此，當所述引線結構遭到外力之衝擊時，保護結構200可以降低第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n遭 到傷害的機率。
值得一提的是，倘若保護結構200之多層膜層之最上一層為絕緣材料，可避免保護結構200造成兩側之引線產生短路。然，本發明不限於此，倘若保護結構200與兩側之引線之間的距離足夠大，保護結構200之最上一層也不一定要採用絕緣材料。
此外，在本實施例中，保護結構200是設置在每一第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n之間。舉例來說，保護結構200是設置在第二引線L2-1之第二直線部S2-1與第一引線L1-1之第一直線部S1-1之間，且保護結構200也是設置在第二引線L2-1之第二直線部S2-1與第一引線L1-2之第一直線部S1-2之間。然而，本發明不限於此。
根據其他實施例，倘若第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n與鄰近的第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n之間的間距D2足夠大，那麼保護結構200也可進一步設置在第二引線L2-1~L2-n之第二斜線部O2-1~O2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之第一斜線部O1-1~O1-n之間。
圖8是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。請參照圖8，本實施例之引線結構與上述圖7之引線結構相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。在圖8之實施例中，保護結構200是由第一絕緣層102、 導電圖案M2以及第二絕緣層106堆疊而成。導電圖案M2例如是金屬材料。此外，保護結構200的高度H與第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n上方之第二絕緣層106的高度H相當。
承上所述，由於每一條第二引線L2-1~L2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之間設置有保護結構200，且保護結構200的高度是大於或是等於第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n上方之第二絕緣層106的高度。因此，當所述引線結構遭到外力之衝擊時，保護結構200可以降低第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n遭到傷害的機率。
圖9是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。請參照圖9，本實施例之引線結構與上述圖7之引線結構相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。在圖9之實施例中，保護結構200是由導電圖案M1、第一絕緣層102、中間層202、導電圖案M2以及第二絕緣層106堆疊而成。上述之導電圖案M1例如是金屬材料。中間層202例如是半導體材料或是介電層材料，其可為非晶矽、多晶矽、微晶矽、經過摻雜的矽材料、有機材料、氧化矽或氮化矽等，但本發明不加以限定。導電圖案M2例如是金屬材料。此外，保護結構200的高度H2大於第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n上方之第二絕緣層 106的高度H1。在另一實施例中，保護結構200的疊層結構中，也可以只具有一層導電圖案M1或是導電圖案M2，換言之，並不要求保護結構200同時具有導電圖案M1以及導電圖案M2。
承上所述，由於每一條第二引線L2-1~L2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之間設置有保護結構200，且保護結構200的高度H2明顯大於第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n上方之第二絕緣層106的高度H1。因此，因此當所述引線結構遭到外力之衝擊時，保護結構200將首先面臨所述外力之衝擊，因而可以保護第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n免於遭到外力的傷害。
圖10是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。請參照圖10，本實施例之引線結構與上述圖7之引線結構相似，因此相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。在圖10之實施例中，保護結構200是由導電圖案M1、第一絕緣層102、中間層202、導電圖案M2、第二絕緣層106以及覆蓋層204堆疊而成。上述之導電圖案M1例如是金屬材料。中間層202例如是半導體材料或是介電層材料，其可為非晶矽、多晶矽、微晶矽、經過摻雜的矽材料、有機材料、氧化矽或氮化矽等，但本發明不加以限定。導電圖案M2例如是金屬材料。覆蓋層204例如是金屬氧化物材料或是絕緣材料。此外，保護結構200的高度H2大於第一引線L1-1~L1-n之第一直線部S1-1~S1-n以及第二引線L2-1~L2-n之第二直線部S2-1~S2-n上方之第二 絕緣層106的高度H1。在另一實施例中，保護結構200的疊層結構中，也可以只具有一層導電圖案M1或是導電圖案M2，最上層再覆蓋覆蓋層204，換言之，並不要求保護結構200同時具有導電圖案M1以及導電圖案M2。
類似地，由於每一條第二引線L2-1~L2-n與鄰近的第一引線L1-1~L1-n之間設置有保護結構200，且保護結構200的高度H2明顯大於第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n上方之第二絕緣層106的高度H1。因此，因此當所述引線結構遭到外力之衝擊時，保護結構200將首先面臨所述外力之衝擊，因而可以保護第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n免於遭到外力的傷害。
在上述圖1之實施例中，驅動裝置DR是設置在顯示區A之其中一側邊處，且掃描線SL1~SLn以及資料線DL1~DLn都是電性連接至此驅動裝置DR。而以下之實施例之顯示面板中，驅動裝置是設置在顯示區A的其中二側邊處，且掃描線SL1~SLn以及資料線DL1~DLn是各自電性連接至對應的驅動裝置。
圖11是根據本發明另一實施例之顯示面板的上視示意圖。在此實施例中，與上述圖1之實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再重複贅述。請參照圖11，在本實施例中，驅動裝置DR1、DR2位於顯示區A兩邊的非顯示區B中，且驅動裝置DR1、DR2可以提供畫素陣列AR特定的驅動訊號，以控制DR1、DR2顯示特定的影像。
另外，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n 是位於非顯示區B中，且第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n電性連接畫素陣列AR與驅動裝置DR1、DR2。類似地，透過第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n的設置，便能使驅動裝置DR1、DR2之驅動訊號傳遞到畫素陣列AR中。此外，第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n彼此交替，換言之，第一引線以及第二引線的排列方是由右往左依序是第一引線L1-1、第二引線L2-1、第一引線L1-2、第二引線L2-2.....。
特別是，在圖11之顯示面板中的引線結構(包含第一引線L1-1~L1-n以及第二引線L2-1~L2-n)可以採用上述圖2至圖10中之任一種實施例所述之引線結構。
綜上所述，本發明之第一引線之第一直線部與鄰近的第二引線之第二直線部之間的第一間距大於每一第一引線之第一斜線部與鄰近的第二引線之第二斜線部之間的第二間距，第一引線是由第一直線部以及第一斜線部構成，且第二引線是由第二直線部、第二斜線部以及接觸窗所構成。換言之，本發明之引線結構是將第一直線部以及第二直線部的佈局設計得較為寬鬆，並將第一斜線部以及第二斜線部的佈局設計得較為密集，且第一斜線部以及第二斜線部是位於不相同的膜層。因此，此種引線結構可以避免相鄰的兩引線之間產生短路之前提之下，又可有效的縮減引線結構之整體尺寸。
此外，若第一直線部與第二直線部(延伸部)是設置在下層之導電層，而使其上方覆蓋有第一絕緣層以及第二絕 緣層兩層絕緣層。此種引線結構的設計之另一優點是，當引線結構受到外力之衝擊時，藉由兩層絕緣層之保護可以減少引線結構受到損害的機會。
再者，若在第一引線之與鄰近的第二引線之間設置保護結構，此保護結構可以進一步保護第一引線以及第二引線免於遭到外力的傷害，或者降低第一引線以及第二引線免於遭到外力傷害的機會。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
AR‧‧‧畫素陣列
SL1~SLn‧‧‧掃描線
DL1~DLn‧‧‧資料線
P‧‧‧畫素結構
T‧‧‧主動元件
PE‧‧‧畫素電極
DR、DR1、DR2‧‧‧驅動裝置
A‧‧‧顯示區
B‧‧‧非顯示區
L1-1~L1-n‧‧‧第一引線
L2-1~L2-n‧‧‧第二引線
S1-1~S1-n‧‧‧第一直線部
S2-1~S2-n‧‧‧第二直線部
O1-1~O1-n‧‧‧第一斜線部
O2-1~O2-n‧‧‧第二斜線部
E2-1~E2-n‧‧‧延伸部
C2-1~C2-n‧‧‧連接部
V1~Vn‧‧‧接觸窗
D1、D2‧‧‧間隙
H、H1、H2‧‧‧高度
100‧‧‧基板
102‧‧‧第一絕緣層
106‧‧‧第二絕緣層
200‧‧‧保護結構
M1、M2‧‧‧導電層
202‧‧‧中間層
204‧‧‧覆蓋層
圖1是根據本發明一實施例之顯示面板的上視示意圖。
圖2是圖1之引線結構的局部上視示意圖。
圖3是沿著圖2之剖面線I-I’以及剖面線II-II’的剖面示意圖。
圖4是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。
圖5是根據另一實施例之引線結構的局部上視示意圖。
圖6是根據另一實施例之引線結構的局部上視示意圖。
圖7是沿著圖6之剖面線III-III’的剖面示意圖。
圖8是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。
圖9是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。
圖10是根據另一實施例之引線結構的剖面示意圖。
圖11是根據本發明另一實施例之顯示面板的上視示意圖。
L1-1~L1-n‧‧‧第一引線
L2-1~L2-n‧‧‧第二引線
S1-1~S1-n‧‧‧第一直線部
S2-1~S2-n‧‧‧第二直線部
O1-1~O1-n‧‧‧第一斜線部
O2-1~O2-n‧‧‧第二斜線部
E2-1~E2-n‧‧‧延伸部
C2-1~C2-n‧‧‧連接部
V1~Vn‧‧‧接觸窗
D1、D2‧‧‧間隙

Claims (30)

  1. 一種顯示面板，具有一顯示區以及一非顯示區，該顯示面板包括：一畫素陣列，位於該顯示區中；至少一驅動元件，位於該非顯示區中；多條第一引線，位於該非顯示區中且電性連接該畫素陣列與該驅動元件，其中每一條第一引線包括：一第一直線部；以及一第一斜線部，其與該第一直線部直接連接在一起；多條第二引線，位該非顯示區中且電性連接該畫素陣列與該驅動元件，其中該些第二引線與該些第一引線交替設置，且每一條第二引線包括：一第二直線部；一第二斜線部；以及一接觸窗，其與該第二直線部接觸，以使第二斜線部與該第二直線部電性連接；其中，該些第一引線之該第一直線部與該第二引線之該第二直線部延伸至該驅動元件且與該驅動元件電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該些第一引線之該第一斜線部與該第二引線之該第二斜線部延伸至該畫素陣列且與該畫素陣列電性連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中在靠 近該些第一直線部以及該些第二直線部之處，每一該些第一引線之該第一直線部與鄰近的該第二引線之該第二直線部之間的一第一間距大於每一該些第一引線之該第一斜線部與鄰近的該第二引線之該第二斜線部之間的一第二間距。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中該第一間距介於10~20微米，且該第二間距介於1.5~6微米。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第二直線部包括一延伸部以及一連接部，該連接部與該第二斜線部直接連接在一起，且該接觸窗位於該延伸部與該連接部之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板，其中該些第一引線以及該些第二引線之該些第二直線部的該延伸部是屬於一第一導電層，且該些第二引線之該些第二斜線部以及該些第二直線部的該連接部是屬於一第二導電層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該第一導電層位於該第二導電層之下方或是上方。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，更包括：一第一絕緣層，覆蓋該第一導電層，且該第二導電層位於該第一絕緣層上；以及一第二絕緣層，覆蓋該第二導電層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該接觸窗位於該第二直線部與該第二斜線部之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示面板，其中該些 第一引線以及該些第二引線之該些第二直線部是屬於一第一導電層，且該些第二引線之該些第二斜線部是屬於一第二導電層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該第一導電層位於該第二導電層之上方或是之下方。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，更包括：一第一絕緣層，覆蓋該第一導電層，且該第二導電層位於該第一絕緣層上；以及一第二絕緣層，覆蓋該第二導電層。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，更包括：一第一絕緣層，覆蓋該第二導電層，且該第一導電層位於該第一絕緣層上；以及一第二絕緣層，覆蓋該第一導電層。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括多個保護結構，位於每一該些第二引線與鄰近的該些第一引線之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示面板，其中該些保護結構的高度大於或等於該些第一引線的高度或該些第二引線的高度。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，其中該些保護結構是由多層膜層堆疊而成，且該些膜層之最上一層為一絕緣材料。
  17. 一種引線結構，包括：多條第一引線，每一條第一引線包括： 一第一直線部；以及一第一斜線部，其與該第一直線部直接連接在一起；多條第二引線，該些第二引線與該些第一引線交替設置，且每一條第二引線包括：一第二直線部；一第二斜線部；以及一接觸窗，其與該第二直線部接觸，以使該第二斜線部與該第二直線部電性連接；其中，在靠近該些第一直線部以及該些第二直線部之處，每一該些第一引線之該第一直線部與鄰近的該第二引線之該第二直線部之間的一第一間距大於每一該些第一引線之該第一斜線部與鄰近的該第二引線之該第二斜線部之間的一第二間距。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之引線結構，其中該第一間距介於10~20微米，且該第二間距介於1.5~6微米。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之引線結構，其中該第二直線部包括一延伸部以及一連接部，該連接部與該第二斜線部直接連接在一起，且該接觸窗位於該延伸部與該連接部之間。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之引線結構，其中該些第一引線與該些第二引線之該些第二直線部之該延伸部是屬於一第一導電層，且該些第二引線之該些第二直線部 的該連接部與該些第二引線之該些第二斜線部是屬於一第二導電層。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之引線結構，其中該第一導電層位於該第二導電層之下方或是上方。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之引線結構，更包括：一第一絕緣層，覆蓋該第一導電層，且該第二導電層位於該第一絕緣層上；以及一第二絕緣層，覆蓋該第二導電層。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之引線結構，更包括：一第一絕緣層，覆蓋該第二導電層，且該第一導電層位於該第一絕緣層上；以及一第二絕緣層，覆蓋該第一導電層。
  24. 如申請專利範圍第17項所述之引線結構，其中該接觸窗位於該第二直線部與該第二斜線部之間。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之引線結構，其中該些第一引線以及該些第二引線之該些第二直線部是屬於一第一導電層，且該些第二引線之該些第二斜線部是屬於一第二導電層。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之引線結構，其中該第一導電層位於該第二導電層之上方或是之下方。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之引線結構，更包括：一第一絕緣層，覆蓋該第一導電層，且該第二導電層位於該第一絕緣層上；以及一第二絕緣層，覆蓋該第二導電層。
  28. 如申請專利範圍第17項所述之引線結構，更包括多個保護結構，位於每一該些第一引線與鄰近的該第二引線之間。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之引線結構，其中該些保護結構的高度大於或等於該些第一引線的高度或該些第二引線的高度。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之引線結構，其中該些保護結構是由多層膜層堆疊而成，且該些膜層之最上一層為一絕緣材料。
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