JP2020160393A - アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】端子の金属層が腐食することを抑制できるアクティブマトリクス基板等を提供する。【解決手段】複数の画素の各々に設けられた画素電極２０と、１つ以上の画素電極２０に対向する共通電極３０と、画像表示領域１ａに設けられた信号線（例えばデータ線５０）と、額縁領域１ｂに設けられ、信号線と電気的に接続された端子（例えばソース端子５００）とを備え、端子は、金属層５１０と、金属層５１０と電気的に接続された第１コンタクト層５２０と、第１コンタクト層５２０よりも積層方向の一側に位置する第１層間絶縁層５４０と、第１層間絶縁層５４０に形成された第１スルーホール５４０ａを介して第１コンタクト層５２０と電気的に接続された第２コンタクト層５３０とを有し、第１コンタクト層５２０は、透明金属酸化物又は不純物がドープされた半導体材料によって構成されている。【選択図】図１０

Description

本開示は、アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置に関する。

液晶表示装置又は有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等の表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が設けられた薄膜トランジスタ基板（以下、「ＴＦＴ基板」と記載する）を備える。

特に、アクティブマトリクス駆動方式の表示装置では、ＴＦＴ基板として、画像表示領域の画素毎にＴＦＴが設けられたアクティブマトリクス基板が用いられている。例えば、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向する対向基板と、ＴＦＴ基板と対向基板との間に配置された液晶層とを備える。

ＴＦＴ基板の画像表示領域には、ＴＦＴ以外に、信号線としてゲート線及びデータ線が設けられている。また、ＴＦＴ基板には、ゲート線にゲート信号を供給するゲートドライバと、データ号線に映像信号を供給するソースドライバとが実装される。

ゲートドライバ及びソースドライバの実装方法としては、ゲートドライバ及びソースドライバがフレキシブル配線基板に実装されたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）をＴＦＴ基板の額縁領域に接続するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式、あるいは、ゲートドライバ及びソースドライバをＴＦＴ基板に直接実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ ）方式等が挙げられる。このため、ＴＦＴ基板の額縁領域には、ゲートドライバと電気的に接続されるゲート端子と、ソースドライバと接続されるソース端子とが設けられている。ゲートドライバと接続されるゲート端子は、画像表示領域に設けられたゲート線と電気的に接続されている。同様に、ソースドライバと接続されるソース端子は、画像表示領域に設けられたデータ線と電気的に接続されている。

また、近年、表示機能だけではなくタッチ機能を有するインセル方式の液晶表示装置（インセルタッチパネル）の開発が進められている。インセルタッチパネルの画像表示領域には、信号線として、ゲート線及びデータ線に加えて、タッチ位置を検出するためのタッチ線が設けられている。このため、インセルタッチパネルのＴＦＴ基板の額縁領域には、タッチ線と電気的に接続されるタッチ端子も設けられている。

額縁領域に設けられたこれらの端子は、画像表示領域に設けられた信号線と電気的に接続された金属層を有する。金属層は、例えば銅等の金属材料によって構成されている。また、これらの端子は、ドライバと電気的に接続するために、外部に露出する露出部を有する。この場合、金属層を露出させると金属層が劣化するため、金属層を保護するために、画素電極と同層のＩＴＯ膜を利用して金属層をＩＴＯ膜で覆う技術が提案されている（例えば特許文献１）。

国際公開第２０１７／２１３１８０号

しかしながら、端子の金属層をＩＴＯ膜で覆うだけでは金属層を十分に保護することができず、金属層が腐食するという課題がある。

本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、画像表示領域の信号線と電気的に接続された端子の金属層が腐食することを抑制できるアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示に係るアクティブマトリクス基板の一態様は、複数の画素によって構成された画像表示領域及び前記画像表示領域を囲む額縁領域を有するアクティブマトリクス基板であって、前記複数の画素の各々に設けられた画素電極と、１つ以上の前記画素電極に対向する共通電極と、前記画像表示領域に設けられた信号線と、前記額縁領域に設けられ、前記信号線と電気的に接続された端子とを備え、前記端子は、金属層と、前記金属層よりも積層方向における一側に位置し、前記金属層と電気的に接続された第１コンタクト層と、前記第１コンタクト層よりも前記積層方向における一側に位置する第１層間絶縁層と、前記第１層間絶縁層よりも前記積層方向における一側に位置し、前記第１層間絶縁層に形成された第１スルーホールを介して前記第１コンタクト層と電気的に接続された第２コンタクト層とを有し、前記第１コンタクト層は、透明金属酸化物又は不純物がドープされた半導体材料によって構成されている。

また、本開示に係る液晶表示装置の一態様は、上記のアクティブマトリクス基板を備える。

本開示によれば、画像表示領域の信号線と電気的に接続された端子の金属層が腐食することを抑制できる。

実施の形態１に係る画像表示装置の概略構成を模式的に示す図である。 実施の形態１に係る画像表示装置に用いられる液晶表示装置の画素回路を示す図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置の画素の構成の一例を示す平面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置における共通電極の配置の一例を示す図である。 インセルタッチパネルにおける画像表示駆動とタッチ位置検出駆動との一例を示す図である。 インセルタッチパネルにおける画像表示駆動とタッチ位置検出駆動との他の一例を示す図である。 図３のVI−VI線における実施の形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 図３のVII−VII線における実施の形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置におけるソース端子部側の額縁領域周辺の構造を模式的に示す拡大平面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置のソース端子における１つのソース端子を示す拡大平面図である。 図９のX−X線における実施の形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 図９のXI−XI線における実施の形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 図９のXII−XII線における実施の形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 タッチ端子を通る断面で切断したときの液晶表示装置における額縁領域周辺の断面図である。 ゲート端子を通る断面で切断したときの液晶表示装置における額縁領域周辺の断面図である。 比較例の液晶表示装置におけるソース端子の断面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置の他の構成を示す断面図である。 実施の形態１の変形例に係る液晶表示装置における１つのソース端子を示す拡大平面図である。 図１７のXVIII−XVIII線における実施の形態１の変形例に係る液晶表示装置の断面図である。 図１７のXIX−XIX線における実施の形態１の変形例に係る液晶表示装置の断面図である。 実施の形態２に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態２の変形例１に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態２の変形例２に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態２の変形例３に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 変形例に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。

以下、本開示の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、及び、構成要素の配置位置や接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

（実施の形態１）
まず、実施の形態１に係る液晶表示装置１を用いた画像表示装置２の概略構成について、図１〜図４を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る画像表示装置２の概略構成を模式的に示す図である。図２は、同画像表示装置２に用いられる液晶表示装置１の画素回路を示す図である。図３は、同液晶表示装置１の画素ＰＸの構成の一例を示す平面図である。図４は、同液晶表示装置１における共通電極３０の配置の一例を示す図である。なお、図２において、「Ｇ」はゲート線４０を示し、「Ｄ」はデータ線５０を示し、「Ｔ」はタッチ線６０を示している。また、図４において、黒丸は、各共通電極３０とタッチ線６０とのコンタクト部を示している。

画像表示装置２は、静止画像又は動画像の画像（映像）を表示する表示装置の一例である。図１に示すように、画像表示装置２は、液晶表示装置１と、バックライト３と、画像処理部４とを備える。

液晶表示装置１は、画像が表示される液晶表示装置である。具体的には、液晶表示装置１は、液晶表示パネルであって、第１基板１００と、第１基板１００に対向する第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に配置された液晶層（不図示）とを含む液晶セルを備える。なお、液晶表示装置１は、一対の偏光板（不図示）を有する。一対の偏光板は、液晶セルに貼り合わされている。例えば、一対の偏光板の一方が第１基板１００の外面に形成され、一対の偏光板の他方が第２基板２００の外面に形成される。一対の偏光板は、偏光方向が互いに直交するように配置されている。また、一対の偏光板には、位相差板が貼り合わされていてもよい。

液晶表示装置１は、バックライト３の光出射側に配置される。したがって、液晶表示装置１には、バックライト３から出射した光が入射する。本実施の形態では、第１基板１００がバックライト３側に位置し、第２基板２００が観察者側に位置する。

液晶表示装置１の液晶駆動方式は、例えばＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式及びＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式等の横電界方式である。また、液晶表示装置１は、例えば、ノーマリーブラック方式により電圧の制御が行われるが、電圧制御の方式は、ノーマリーブラック方式に限らない。

図１及び図２に示すように、液晶表示装置１は、画像表示領域１ａ（アクティブ領域）と、画像表示領域１ａを囲む額縁領域１ｂとを有する。画像表示領域１ａには、カラー画像又はモノクロ画像が表示される。

画像表示領域１ａは、画像が表示される表示領域（有効領域）であり、例えば、第１方向と第１方向に交差する第２方向とに配列された複数の画素ＰＸによって構成されている。本実施の形態において、第１方向と第２方向とは直交している。具体的には、第１方向は、行方向であり、第２方向は、行方向に直交する列方向である。したがって、画像表示領域１ａは、行方向と列方向とに配列された複数の画素ＰＸによって構成されている。つまり、複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配列されている。

額縁領域１ｂは、液晶表示装置１の周辺領域であって、画像表示領域１ａの外側に位置する領域である。また、額縁領域１ｂは、画像が表示されない非表示領域（無効領域）である。本実施の形態において、液晶表示装置１の平面視形状は、矩形状である。したがって、画像表示領域１ａの平面視形状は、矩形状であり、額縁領域１ｂの平面視形状は、矩形枠状である。

複数の画素ＰＸは、行方向に沿って周期的に繰り返して配列された複数種の画素によって構成されている。具体的には、複数の画素ＰＸは、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ及び青色画素ＰＸＢの３種類の画素によって構成されている。この場合、本実施の形態では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ及び青色画素ＰＸＢの３つの画素がこの順で１組となって行方向に沿って繰り返して配列されている。また、列方向には、同一種類の画素ＰＸが配列されている。なお、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ及び青色画素ＰＸＢの配列順序はこれに限らない。

図２に示すように、液晶表示装置１は、複数の画素ＰＸの各々に設けられたトランジスタ１０及び画素電極２０と、１つ以上の画素電極２０に対向する共通電極３０とを備える。

また、液晶表示装置１は、第１方向である行方向に延在する複数のゲート線４０（走査線）と、第１方向に直交する第２方向である列方向に延在する複数のデータ線５０（映像信号線）とを備える。各画素ＰＸは、行方向に延在するゲート線４０と列方向に延在するデータ線５０とによって囲まれる領域である。

本実施の形態における液晶表示装置１は、表示機能だけではなく、タッチ機能を有するインセル型の液晶表示パネル（インセルタッチパネル）である。したがって、液晶表示装置１は、さらに、ユーザが液晶表示装置１をタッチしたときのタッチ位置を検出するための複数のタッチ線６０を備える。複数のタッチ線６０は、複数のデータ線５０と同じ方向に延在している。具体的には、複数のタッチ線６０は、列方向に延在している。

トランジスタ１０は、薄膜トランジスタであり、図２に示すように、ゲート電極１０Ｇ、ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄを有する。なお、本明細書において、ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄは、まとめてソースドレイン電極と記載することもあり、ソースドレイン電極とは、ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄの少なくとも一方のこと、ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄのいずれかのみのこと、あるいは、ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄの両方のことを意味する。

画素電極２０は、複数の画素ＰＸの各々に設けられている。画素電極２０は、例えば、ゲート線４０とデータ線５０との交差部に設けられる。画素電極２０は、複数の画素ＰＸの各々において、当該画素ＰＸに対応するトランジスタ１０を介して当該画素ＰＸに対応するゲート線４０及びデータ線５０と接続されている。

本実施の形態において、トランジスタ１０及び画素電極２０は、各画素ＰＸに１つずつ設けられている。なお、トランジスタ１０及び画素電極２０は、各画素ＰＸに複数ずつ設けられていてもよい。

図３に示すように、各画素ＰＸにおける画素電極２０は、列方向にストライプ状に延在する複数本のライン電極を有する櫛歯状の電極である。各画素電極２０において、全てのライン電極は、略平行に形成されており、隣り合う２本のライン電極の間隔（スリット幅）は一定である。また、画素電極２０のライン電極は、各画素ＰＸ内において、行方向及び列方向に対して傾斜している。この場合、本実施の形態では、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸでライン電極の向きを反転させており、ライン電極は、列方向の２画素分で略「く」の字状となるように形成されている。つまり、列方向に配列された複数の画素電極２０は、列方向に沿ってジグサグ状となるように形成されている。なお、ライン電極は、傾斜せずに、列方向と平行に形成されていてもよい。

共通電極３０は、画素電極２０に対向する対向電極である。図４に示すように、本実施の形態において、共通電極３０は、複数設けられている。複数の共通電極３０は、行方向及び列方向の各々に配列されている。つまり、複数の共通電極３０は、マトリクス状に配列されている。複数の共通電極３０の各々には、同一の共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される。

複数の共通電極３０の各々は、矩形状であり、１つ以上の画素電極２０に対向している。本実施の形態において、複数の共通電極３０の各々は、複数の画素ＰＸにわたって設けられた矩形状であり、矩形領域に存在する複数の画素ＰＸに対応する複数の画素電極２０に対向している。例えば、複数の共通電極３０は、一辺が数十〜数十個の複数の画素ＰＸからなる矩形状に形成されている。

本実施の形態における液晶表示装置１は、自己容量方式の一つである静電容量方式によるタッチセンシング機能を有する液晶表示パネルである。したがって、共通電極３０は、画素電極２０との間で容量を形成するタッチ電極でもある。つまり、共通電極３０は、画素電極２０と対になって、画像表示駆動の際に用いられるだけではなく、タッチ位置検出駆動の際にも用いられる。複数の共通電極３０の各々は、タッチ位置を検出するための単位電極（タッチ電極）である。

例えば、１つの共通電極３０のサイズは、４０×４０画素分である。つまり、１つの共通電極３０の行方向及び列方向の長さが画素４０個分の長さである。この場合、１つの共通電極３０における１本のタッチ線６０とのコンタクト部は、４０ヵ所となる。なお、１つの共通電極３０のサイズは、これに限るものではなく、３２×３２画素分であってもよし、また、正方形に限らず、長方形であってもよい。

行方向に延在する複数のゲート線４０の各々は、複数の画素ＰＸの各々におけるトランジスタ１０にゲート信号を供給する信号線である。図２に示すように、複数のゲート線４０の各々は、画像表示領域１ａ内において、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸの境界部に設けられている。具体的には、各ゲート線４０は、列方向に隣り合う２の画素列の間に設けられている。図３に示すように、本実施の形態において、複数のゲート線４０は、直線状に行方向に延在している。

各ゲート線４０は、行方向に配列された複数の画素ＰＸの各々のトランジスタ１０と接続されている。つまり、各ゲート線４０は、各画素ＰＸにおいて、１つのトランジスタ１０と接続されている。具体的には、図２に示すように、各ゲート線４０は、各トランジスタ１０のゲート電極１０Ｇと接続されている。

本実施の形態において、液晶表示装置１は、デュアルゲート構造であり、２Ｇ１Ｄの配線接続構造を有している。したがって、複数のゲート線４０は、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸの境界部ごとに２本ずつ設けられている。つまり、列方向に隣り合う２つの画素列の境界部ごとに、ゲート線４０が２本ずつ設けられている。

列方向に延在する複数のデータ線５０の各々は、複数の画素ＰＸの各々におけるトランジスタ１０にデータ信号（映像信号）を供給する信号線である。複数のデータ線５０の各々は、画像表示領域１ａ内において、行方向に隣り合う２つの画素ＰＸの境界部に設けられている。具体的には、各データ線５０は、行方向に隣り合う２つの画素列の間に設けられている。

図３に示すように、本実施の形態において、複数のデータ線５０は、画素電極２０のライン電極の形状に沿って列方向に延在している。具体的には、各データ線５０は、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸで向きを反転させており、列方向の２画素分で略「く」の字状となるように形成されている。つまり、各データ線５０は、画素電極２０と同様に、列方向に沿ってジグサグ状となるように形成されている。なお、複数のデータ線５０は、直線状に列方向に延在していてもよい。

各データ線５０は、列方向に配列された複数の画素ＰＸの各々のトランジスタ１０と接続されている。つまり、各データ線５０は、各画素ＰＸにおいて、１つのトランジスタ１０と接続されている。具体的には、図２に示すように、各データ線５０は、各トランジスタ１０のドレイン電極１０Ｄと接続されている。つまり、本実施の形態において、データ線５０は、ドレイン線である。

列方向に延在する複数のタッチ線６０の各々は、タッチ位置を検出するための信号線であり、データ線５０と同様に、画像表示領域１ａ内において、行方向に隣り合う２つの画素ＰＸの境界部に設けられている。具体的には、タッチ線６０は、行方向に隣り合う２つの画素列の間に設けられている。

図４に示すように、複数のタッチ線６０は、複数の共通電極３０のうち列方向に配列された複数の共通電極３０と一対一で接続されている。具体的には、列方向に配列された複数の共通電極３０の各列における複数のタッチ線６０（列タッチ線群）の各々は、当該列に含まれる複数の共通電極３０の全てを横断するように設けられているが、当該列に含まれる複数の共通電極３０のいずれか１つのみに接続されている。したがって、各共通電極３０は、当該共通電極３０を横断する複数のタッチ線６０のうちのいずれか１つと接続されているが、他の残りのタッチ線６０とは接続されておらず絶縁されている。詳細は後述するが、タッチ線６０と共通電極３０とは絶縁膜を介して形成されており、タッチ線６０と当該タッチ線６０に対応する共通電極３０とは絶縁膜に形成されたスルーホール（コンタクトホール）を介して接続されている。

図３に示すように、本実施の形態において、複数のタッチ線６０は、データ線５０と同様に、画素電極２０のライン電極の形状に沿って列方向に延在している。具体的には、各タッチ線６０は、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸで向きを反転させており、列方向の２画素分で略「く」の字状となるように形成されている。つまり、各タッチ線６０は、列方向に沿ってジグサグ状となるように形成されている。なお、複数のタッチ線６０は、直線状に列方向に延在していてもよい。

図２及び図３に示すように、複数のデータ線５０と複数のタッチ線６０とは、行方向に隣り合う２つの画素ＰＸの境界部ごとに１本ずつ交互に繰り返して設けられている。具体的には、データ線５０及びタッチ線６０の各々は、画素列ごとに間引いて設けられており、互い違いとなるように行方向に隣り合う２つの画素列ごと（２列ごと）に設けられている。例えば、データ線５０が画素ＰＸの奇数列に設けられている場合、タッチ線６０は画素ＰＸの偶数列に設けられる。逆に、データ線５０が画素ＰＸの偶数行に設けられている場合、タッチ線６０は画素ＰＸの奇数行に設けられる。

図１に示すように、液晶表示装置１は、入力された映像信号に応じた画像を表示するために、ゲートドライバ５及びソースドライバ６を有する。ゲートドライバ５及びソースドライバ６は、例えばドライバＩＣ（ＩＣパッケージ）である。ゲートドライバ５及びソースドライバ６は、液晶表示装置１の額縁領域１ｂに実装される。

具体的には、ゲートドライバ５は、第１基板１００の額縁領域１ｂに設けられたゲート端子部ＧＴＰに実装される。ゲート端子部ＧＴＰは、ゲートドライバ５が実装される実装部である。ゲート端子部ＧＴＰは、額縁領域１ｂの１ヵ所に設けられていてもよいし、複数箇所に設けられていてもよい。

ゲート端子部ＧＴＰは、複数のゲート線４０と電気的に接続された複数のゲート端子４００を含む。各ゲート端子４００は、少なくとも一部が外部に露出する露出部を有するパッド電極である。複数のゲート端子４００の各々の露出部にゲートドライバ５が電気的に接続されることで、ゲートドライバ５からのゲート信号がゲート端子４００を介してゲート線４０に供給される。

ゲートドライバ５は、ＣＯＦ方式又はＣＯＧ方式によって第１基板１００のゲート端子部ＧＴＰに実装される。例えば、ＣＯＦ方式によりゲートドライバ５をゲート端子部ＧＴＰに実装する場合、ＩＣチップであるゲートドライバ５が実装されたフレキシブル配線基板を、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ；Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いた熱圧着によって複数のゲート端子４００に接続する。また、ＣＯＧ方式によりゲートドライバ５をゲート端子部ＧＴＰに実装する場合、ＩＣチップであるゲートドライバ５の電極端子と複数のゲート端子４００とを直接接続する。

また、ソースドライバ６は、第１基板１００の額縁領域１ｂに設けられたソース端子部ＳＴＰに実装される。ソース端子部ＳＴＰは、ソースドライバ６が実装される実装部である。ソース端子部ＳＴＰは、額縁領域１ｂの１ヵ所に設けられていてもよいし、複数箇所に設けられていてもよい。

ソース端子部ＳＴＰは、複数のデータ線５０と電気的に接続された複数のソース端子５００を含む。各ソース端子５００は、少なくとも一部が外部に露出する露出部を有するパッド電極である。複数のソース端子５００の各々の露出部にソースドライバ６が電気的に接続されることで、ソースドライバ６からのデータ信号がソース端子５００を介してデータ線５０に供給される。ソースドライバ６は、ゲートドライバ５と同様に、ＣＯＦ方式又はＣＯＧ方式によって第１基板１００のソース端子部ＳＴＰに実装される。

本実施の形態において、ソース端子部ＳＴＰは、さらに、複数のタッチ線６０と電気的に接続された複数のタッチ端子６００を含む。つまり、ソース端子部ＳＴＰは、ソース端子５００だけではなく、タッチ端子６００を含む。各タッチ端子６００は、少なくとも一部が外部に露出する露出部を有するパッド電極である。本実施の形態では、ソースドライバ６として、タッチ機能付きソースドライバを用いているので、複数のタッチ端子６００の各々の露出部にソースドライバ６が電気的に接続される。タッチ機能付きソースドライバは、画像表示駆動を行う際に必要な画像表示回路とタッチ位置検出駆動を行う際に必要なタッチ位置検出回路とが共用化されたドライバである。

なお、タッチ端子６００は、ソース端子部ＳＴＰとは別に設けられた端子部に設けられていてもよい。また、ゲート端子部ＧＴＰとソース端子部ＳＴＰとは、矩形状の液晶表示装置１の異なる辺に設けられているが、同じ辺に設けられていてもよい。また、ゲートドライバ５及びソースドライバ６の両方をＣＯＦ方式又はＣＯＧ方式によって実装することに限らず、ゲートドライバ５及びソースドライバ６の一方をＣＯＦ方式で実装し、他方をＣＯＧ方式によって実装してもよい。

図２に示すように、ゲートドライバ５は、画像表示領域１ａに設けられたゲート線４０と電気的に接続されている。ゲートドライバ５は、画像処理部４から入力されるタイミング信号に応じてデータ信号を書き込む画素ＰＸを選択し、選択した画素ＰＸのトランジスタ１０をオンする電圧（ゲートオン電圧；Ｖｇｏｎ）をゲート線４０に供給する。これにより、選択された画素ＰＸの画素電極２０には、トランジスタ１０を介してデータ電圧が供給される。

一方、ソースドライバ６は、画像表示領域１ａに設けられたデータ線５０と電気的に接続されている。ソースドライバ６は、ゲートドライバ５によるゲート線４０の選択に合わせて、画像処理部４から入力される映像信号に応じた電圧（データ電圧）をデータ線５０に供給する。

本実施の形態では、上述のように、ソースドライバ６として、タッチ機能付きソースドライバを用いている。したがって、複数のデータ線５０だけではなく、複数のタッチ線６０もソースドライバ６と電気的に接続されている。なお、ソースドライバ６は、共通電極３０に共通電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。

バックライト３は、図１に示すように、液晶表示装置１の背面側に配置されており、液晶表示装置１に向けて光を照射する。本実施の形態において、バックライト３は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を光源とするＬＥＤバックライトであるが、これに限るものではない。また、バックライト３は、液晶表示装置１に対面するようにＬＥＤが基板上に二次元状に配列された直下型のＬＥＤバックライトであるが、エッジ型のバックライトであってもよい。バックライト３は、平面状の均一な散乱光（拡散光）を照射する面発光ユニットである。なお、バックライト３は、光源からの光を拡散させるために拡散板（拡散シート）等の光学部材を有していてもよい。

画像処理部４は、ＣＰＵ等の演算処理回路と、ＲＯＭやＲＡＭ等のメモリとを備える制御装置である。画像処理部４には、液晶表示装置１に表示するための映像データが入力される。画像処理部４は、ＣＰＵがメモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより各種の処理を実行する。具体的には、画像処理部４は、外部のシステム（図示せず）から入力された映像データに対して色調整等の各種の画像信号処理を行って各画素ＰＸの階調値を示す映像信号と、各画素ＰＸに映像信号を書き込むタイミングを示すタイミング信号とを生成するタイミングコントローラ等を含む。画像処理部４は、映像信号をソースドライバ６に出力するとともにタイミング信号をゲートドライバ５に出力する。

本実施の形態における液晶表示装置１は、表示機能及びタッチ機能を有する。つまり、液晶表示装置１は、画像表示駆動とタッチ位置検出駆動とを行う。この場合、液晶表示装置１では、タッチ線６０を利用して、時分割によって画像表示駆動とタッチ位置検出駆動とを行う。例えば、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、１フレーム期間（１６．６ｍｓ）内に画像表示駆動とタッチ位置検出駆動とを交互に複数回繰り返して行う。この場合、タッチ位置検出駆動は、例えばブランキング期間を利用して行うことができる。

液晶表示装置１が画像表示駆動を行う際、ゲートドライバ５からゲートオン電圧がゲート線４０に供給される。これにより、選択された画素ＰＸのトランジスタ１０がオンし、このトランジスタ１０に接続されたデータ線５０からデータ電圧が画素電極２０に供給される。そして、画素電極２０に供給されたデータ電圧と共通電極３０に供給された共通電圧との差により液晶層に電界が生じる。この電界により各画素ＰＸにおける液晶層の液晶分子の配向状態が変化し、液晶表示装置１を通過するバックライト３の光の透過率が画素ＰＸごとに制御される。これにより、液晶表示装置１の画像表示領域１ａに所望の画像が表示される。

また、液晶表示装置１がタッチ位置検出駆動を行う際は、タッチ機能付きソースドライバであるソースドライバ６によって、タッチ線６０を介して複数の共通電極３０の各々の静電容量の変化をタッチ検出信号として検出する。これにより、タッチされた位置の共通電極３０を特定することができ、ユーザがタッチした位置を検知することができる。

なお、図５Ｂに示される制御は、図５Ａに示される制御と比べて、画像表示駆動及びタッチ位置検出駆動の１回あたりの駆動期間が長い。本実施の形態では、図５Ｂに示される制御と図５Ａに示される制御とのいずれを用いてもよい。ただし、図５Ｂに示される制御は、図５Ａに示される制御と比べて、タッチ位置検出駆動中の画像データをメモリに蓄える量が多くなるため、ＩＣドライバのチップサイズが大きくなる。

次に、液晶表示装置１の画像表示領域１ａにおける断面構造について、図６及び図７を用いて説明する。図６は、図３のVI−VI線における同液晶表示装置１の断面図である。図７は、図３のVII−VII線における同液晶表示装置１の断面図である。

図６及び図７に示すように、液晶表示装置１は、第１基板１００と、第１基板１００に対向する第２基板２００と、第１基板１００と第２基板２００との間に配置された液晶層３００とを備えている。液晶層３００は、枠状の封止部材によって第１基板１００と第２基板２００との間に封止されている。

第１基板１００は、トランジスタ１０としてＴＦＴを有するＴＦＴ基板である。具体的には、第１基板１００は、複数のトランジスタ１０がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス基板である。また、第１基板１００には、トランジスタ１０だけではなく、ゲート線４０、データ線５０及びタッチ線６０等の各種信号線、これらの信号線間を絶縁する絶縁膜、画素電極２０及び共通電極３０等が設けられている。これらの部材は、第１透明基材１１０の上に形成される。第１透明基材１１０は、例えば、ガラス基板等の透明基板である。

図６に示すように、第１透明基材１１０に形成されたトランジスタ１０は、ゲート電極１０Ｇと、ソース電極１０Ｓと、ドレイン電極１０Ｄと、チャネル層となる半導体層１０ＳＣとによって構成されている。本実施の形態において、トランジスタ１０は、ボトムゲート構造のＴＦＴであり、第１透明基材１１０の上に形成されたゲート電極１０Ｇと、ゲート電極１０Ｇの上に形成されたゲート絶縁膜（ＧＩ）である第１絶縁膜１２１と、第１絶縁膜１２１を介してゲート電極１０Ｇの上方に形成された半導体層１０ＳＣとを備える。ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄは、半導体層１０ＳＣの一部を覆うように形成されている。第１絶縁膜１２１は、ゲート電極１０Ｇを覆うように第１透明基材１１０の全面にわたって形成されている。

ゲート電極１０Ｇは、例えば、モリブデン膜と銅膜との２層構造からなる金属膜によって構成されていてもよいし、銅膜等からなる１層の金属膜によって構成されていてもよい。第１絶縁膜１２１は、例えば、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層構造の絶縁膜によって構成されていてもよいし、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜の１層の絶縁膜によって構成されていてもよい。半導体層１０ＳＣは、例えば、ｉ−アモルファスシリコン膜とｎ−アモルファスシリコン膜との２層構造からなる半導体膜によって構成されていてもよいし、ｉ−アモルファスシリコン膜の１層のみの半導体膜によって構成されていてもよい。ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄは、例えば、モリブデン膜と銅膜との２層構造からなる金属膜によって構成されていてもよいし、銅膜等からなる１層の金属膜によって構成されていてもよい。

なお、ゲート電極１０Ｇ、ソース電極１０Ｓ、ドレイン電極１０Ｄ、半導体層１０ＳＣ及び第１絶縁膜１２１の材料は、これらに限定されるものではない。例えば、半導体層１０ＳＣの材料としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体等を用いてもよい。

図６に示すように、第１基板１００には、ゲート線４０及びデータ線５０が形成されている。ゲート線４０及びデータ線５０は、第１透明基材１１０の上に形成される。

ゲート線４０は、ゲート電極１０Ｇと同層に形成されている。つまり、ゲート線４０とゲート電極１０Ｇとは、同じ金属膜をパターニングすることによって形成される。ゲート線４０とゲート電極１０Ｇとは、メタル層である第１配線層（ＧＡＬ層）に形成されている。

データ線５０は、ソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄと同層に形成されている。つまり、データ線５０とソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄとは、同じ金属膜をパターニングすることによって形成される。データ線５０とソース電極１０Ｓ及びドレイン電極１０Ｄとは、第１配線層の上のメタル層である第２配線層（ＳＤ層）に形成されている。

第１配線層（ＧＡＬ層）と第２配線層（ＳＤ層）との間には、第１絶縁層（ＧＩ層）として第１絶縁膜１２１が形成されている。第１絶縁膜１２１は、ゲート線４０及びゲート電極１０Ｇを覆うように第１透明基材１１０の全面にわたって形成されている。第１配線層、第１絶縁膜１２１及び第２配線層は、ＴＦＴであるトランジスタ１０が形成されたＴＦＴ層である。

なお、トランジスタ１０のソース電極１０Ｓは、スルーホール（コンタクトホール）を介して画素電極２０に接続されている。一方、トランジスタ１０のドレイン電極１０Ｄは、データ線５０に接続されている。具体的には、データ線５０の一部がドレイン電極１０Ｄとなっている。

また、第１絶縁膜１２１の上には、データ線５０及びトランジスタ１０のソースドレイン電極を覆うように、第２絶縁層（ＰＡＳ層）として第２絶縁膜１２２が形成されている。つまり、データ線５０及びトランジスタ１０のソースドレイン電極は、第１絶縁膜１２１と第２絶縁膜１２２との間に形成されている。第２絶縁膜１２２は、第１絶縁膜１２１の全面にわたって形成されている。第２絶縁膜１２２は、例えば、窒化シリコン膜等の無機材料からなる無機絶縁膜によって構成されている。無機絶縁膜である第２絶縁膜１２２は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって成膜することができる。

さらに、第２絶縁膜１２２の上には、第３絶縁層（ＯＰＡＳ層）として第３絶縁膜１２３が形成されている。第３絶縁膜１２３は、第２絶縁膜１２２の全面にわたって形成されている。本実施の形態において、第３絶縁膜１２３の厚さは、第２絶縁膜１２２の厚さよりも厚い。具体的には、第３絶縁膜１２３の厚さは、第２絶縁膜１２２の厚さの１０倍以上であり、一例として、３０００ｎｍである。これにより、ゲート線４０及びデータ線５０等の配線と共通電極３０との間の厚み方向の距離を大きくすることができるので、ゲート線４０及びデータ線５０等の配線と共通電極３０とで形成される寄生容量を軽減することができる。しかも、第３絶縁膜１２３を厚くすることで、トランジスタ１０、ゲート線４０及びデータ線５０を形成することで生じるＴＦＴ層の凹凸差を軽減してＴＦＴ層を平坦化することもできる。これにより、表面が平坦化された第３絶縁膜１２３を形成することができるので、第３絶縁膜１２３の直上の共通電極３０を平坦な平面状に形成することができる。つまり、第３絶縁膜１２３は、平坦化層として機能している。

また、第３絶縁膜１２３は、炭素を含む有機材料からなる有機絶縁膜によって構成されている。有機絶縁膜である第３絶縁膜１２３は、例えば液状の有機材料を塗布して硬化することによって形成することができる。これにより、第３絶縁膜１２３を容易に厚膜化することができるので、全ての画素ＰＸにわたって第３絶縁膜１２３の表面を容易に平坦にすることができる。

第３絶縁膜１２３の上には、タッチ線６０が形成されている。タッチ線６０は、金属等の低抵抗材料によって構成されている。例えば、タッチ線６０は、銅等によって構成された金属膜である。本実施の形態において、タッチ線６０は、銅膜からなる銅線である。タッチ線６０は、第２配線層の上のメタル層である第３配線層（ＣＭＴ層）に形成されている。したがって、タッチ線６０は、ゲート線４０及びデータ線５０とは異なる層に設けられている。

第３絶縁膜１２３及びタッチ線６０の上には、第４絶縁層（ＴＰＳ層）として第４絶縁膜１２４が形成されている。第４絶縁膜１２４は、タッチ線６０を覆うように第３絶縁膜１２３の全面にわたって形成されている。したがって、タッチ線６０は、第３絶縁膜１２３と第４絶縁膜１２４との間に形成されている。第４絶縁膜１２４は、例えば、窒化シリコン膜等の無機材料からなる無機絶縁膜によって構成されている。

第４絶縁膜１２４の上には、共通電極３０が形成されている。共通電極３０は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物によって構成された透明電極である。本実施の形態において、共通電極３０は、ＩＴＯ膜であり、例えばスパッタによって成膜することができる。共通電極３０は、第３配線層の上の第４配線層（ＭＩＴ層）に形成されている。

本実施の形態において、共通電極３０は複数形成されている。具体的には、図４に示すように、共通電極３０は、行方向及び列方向に互いに分離した状態でマトリクス状に配置されている。この場合、列方向に隣り合う２つの共通電極３０は、ゲート線４０上を分離領域として互いに分離されている。また、行方向に隣り合う２つの共通電極３０は、データ線５０上を分離領域として互いに分離されている。

また、複数の共通電極３０は、画像表示領域１ａ内の全ての画素ＰＸにわたって形成されている。これにより、ゲート線４０及びデータ線５０等の配線が共通電極３０によって覆われるので、ゲート線４０及びデータ線５０等の配線で発生する電界を共通電極３０によって遮蔽することができる。つまり、ＴＦＴ層で発生する電界を共通電極３０によってシールドすることができる。したがって、共通電極３０の上に形成される画素電極２０の形状及び大きさの設計の自由度が向上するので、画素ＰＸの光透過率及び開口率を容易に向上させることができる。

図７に示すように、共通電極３０は、第４絶縁膜１２４に形成されたスルーホール（コンタクトホール）１２４ａを介して１本のタッチ線６０に接続されている。これにより、タッチ位置検出駆動を行う際に、ユーザがタッチした位置の共通電極３０の容量変化を、当該共通電極３０に接続されたタッチ線６０を介して検出することができる。共通電極３０とタッチ線６０とを接続するスルーホール１２４ａは、例えば、第４絶縁膜１２４にドライエッチング又はウェットエッチングを施すことで形成することができる。なお、このスルーホール１２４ａには、共通電極３０を構成する材料（本実施の形態ではＩＴＯ）が埋め込まれる。

また、ＩＴＯ膜は比較的に抵抗値が高いが、このように低抵抗の金属膜からなるタッチ線６０を共通電極３０に接続することによって、ＩＴＯ膜からなる共通電極３０を低抵抗化することができ、共通電極３０の時定数を下げることができる。つまり、画像表示駆動を行う際に、タッチ線６０をコモン線として利用することができる。

さらに、タッチ線６０の上に共通電極３０を設けることで、共通電極３０によってタッチ線６０を覆うことができる。これにより、共通電極３０上にタッチ線６０を設ける場合と比べて、腐食しやすい金属材料からなるタッチ線６０の腐食を抑制することができる。

第４絶縁膜１２４及び共通電極３０の上には、第５絶縁層（ＵＰＳ層）として第５絶縁膜１２５が形成されている。第５絶縁膜１２５は、共通電極３０を覆うように第４絶縁膜１２４の全面にわたって形成されている。第５絶縁膜１２５は、例えば、窒化シリコン膜等の無機材料からなる無機絶縁膜によって構成されている。

第５絶縁膜１２５の上には、画素電極２０が形成されている。画素電極２０は、第５絶縁膜１２５を介して共通電極３０に対向している。画素電極２０は、例えば、インジウム錫酸化物等の透明金属酸化物によって構成された透明電極である。本実施の形態において、画素電極２０は、共通電極３０と同様に、ＩＴＯ膜であり、例えばスパッタによって成膜することができる。画素電極２０は、第４配線層の上の第５配線層（ＰＩＴ層）に形成されている。

なお、図示しないが、画素電極２０を覆うように第５絶縁膜１２５の全面にわたって配向膜が形成されていてもよい。液晶分子の初期配向角度を一定方向に揃えるために、配向膜にはラビング処理が施されている。

次に、第２基板２００について説明する。第２基板２００は、第１基板１００に対向する対向基板である。図７に示すように、第２基板２００は、第２透明基材２１０と、第２透明基材２１０に形成されたブラックマトリクス２２０と、カラーフィルタ２３０とを有する。したがって、第２基板２００は、カラーフィルタ２３０を有するカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）となる。

第２透明基材２１０は、第１透明基材１１０と同様に、例えば、ガラス基板等の透明基板である。

ブラックマトリクス２２０は、黒色層の遮光層であり、例えばカーボンブラックによって構成されている。ブラックマトリクス２２０は、第２透明基材２１０の液晶層３００側の面に形成される。ブラックマトリクス２２０は、ゲート線４０を覆うように形成されている。なお、ブラックマトリクス２２０は、ゲート線４０だけではなく、データ線５０及びタッチ線６０も覆うように形成されていてもよい。この場合、ブラックマトリクス２２０は、全体として格子状に形成される。

カラーフィルタ２３０は、複数の画素ＰＸごとに形成されている。具体的には、カラーフィルタ２３０は、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ及び青色画素ＰＸＢの各々に対応して、赤色カラーフィルタ、青色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタが形成される。各カラーフィルタは、ブラックマトリクス２２０の間の領域（つまりブラックマトリクス２２０の開口部）に形成される。

また、第２基板２００は、複数のスペーサ２４０を有する。スペーサ２４０は、第１基板１００に向かって突出するように第２透明基材２１０に形成されている。スペーサ２４０は、第１基板１００と第２基板２００との間隔（セルギャップ）を一定に維持するための柱状部材である。スペーサ２４０を設けることで、液晶層３００の厚さを容易に一定に維持することができる。一例として、スペーサ２４０は、円柱台形状であり、上端部及び下端部の平面視形状は円形である。スペーサ２４０は、アクリル樹脂等の樹脂材料によって構成されており、弾性変形することができる。スペーサ２４０は、例えばフォトリソグラフィ等によって所定のパターンに形成することができる。

次に、液晶表示装置１の額縁領域１ｂにおけるソース端子部ＳＴＰの周辺部分の構成について、図８〜図１３を用いて説明する。図８は、実施の形態１に係る液晶表示装置１におけるソース端子部ＳＴＰ側の額縁領域１ｂ周辺の構造を模式的に示す拡大平面図である。図９は、同ソース端子部ＳＴＰにおける１つのソース端子５００を示す拡大平面図である。図１０は、図９のX−X線における断面図であり、図１１は、図９のXI−XI線における断面図である。図１２は、図９のXII−XII線における断面図である。図１３は、タッチ端子６００を通る断面で切断したときの液晶表示装置における額縁領域１ｂ周辺の断面図である。なお、図１０〜図１３と図６及び図７とでは、同じ符号の層であっても厚さが異なるように図示されているが、同じ符号の層の厚さは実際は互いに同じである。

図８に示すように、画像表示領域１ａに設けられた複数のデータ線５０及び複数のタッチ線６０は、額縁領域１ｂにまで延ばされてソース端子部ＳＴＰに接続される。複数のデータ線５０及び複数のタッチ線６０は、ソース端子部ＳＴＰに集約されるので、シール部付近で斜め配線の中継配線となる。シール部は、図１０に示すように、液晶層３００を封止するために第１基板１００と第２基板２００とを貼り合わせる封止部材３１０が形成された領域である。

額縁領域１ｂに設けられたソース端子部ＳＴＰには、複数のソース端子５００が含まれている。複数のデータ線５０の各々は、当該データ線５０に対応するソース端子５００に接続される。

また、本実施の形態では、上述のように、ソース端子部ＳＴＰには、複数のタッチ端子６００も含まれている。複数のタッチ線６０の各々は、当該タッチ線６０に対応するタッチ端子６００に接続される。

各ソース端子５００及び各タッチ端子６００の各々における露出部は、導電部であり、図１０に示すように、平面視において、長尺状である。本実施の形態において、各ソース端子５００及び各タッチ端子６００の各々の露出部は、画素ＰＸの列方向に沿って延在している。

各ソース端子５００は、図９〜図１２に示すように、複数の層によって構成された層構造を有する。具体的には、ソース端子５００は、金属層５１０と第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０との少なくとも３つの導電層（電極層）と、第１層間絶縁層５４０の少なくとも１つの絶縁層を有する。本実施の形態におけるソース端子５００は、さらに、第２層間絶縁層５５０を有する。

金属層５１０は、画像表示領域１ａに設けられたデータ線５０と電気的に接続されている。図１０に示すように、本実施の形態において、金属層５１０は、データ線５０と同層に形成されている。つまり、金属層５１０は、トランジスタ１０のソースドレイン電極と同層に形成されており、データ線５０及びソースドレイン電極が形成される第２配線層（ＳＤ層）に形成されている。したがって、金属層５１０とデータ線５０及びソースドレイン電極とは、同じ金属膜をパターニングすることによって形成される。具体的に、金属層５１０は、銅によって構成された銅配線であり、データ線５０と連続して形成されている。なお、図９に示すように、額縁領域１ｂにおいて、金属層５１０は、ソース端子５００の長手方向に沿って延在するように形成されている。

図１０〜図１２に示すように、第１コンタクト層５２０は、金属層５１０の上方に位置する。言い換えると、第１コンタクト層５２０は、金属層５１０よりも積層方向ＬＤにおける一側に位置する。つまり、第１コンタクト層５２０は、積層方向ＬＤにおける金属層５１０の一方側に位置している。第１コンタクト層５２０は、金属層５１０と第２コンタクト層５３０との間に位置している。具体的に、第１コンタクト層５２０は、第２層間絶縁層５５０の直上に設けられている。なお、積層方向ＬＤとは、金属層５１０等の複数の導電層が積層された方向又は第１層間絶縁層５４０等の複数の層間絶縁層が積層された方向のことである。つまり、積層方向ＬＤは、第１透明基材１１０の主面に対して垂直な方向である。

第１コンタクト層５２０は、ＩＴＯ等の透明金属酸化物によって構成されている。本実施の形態において、第１コンタクト層５２０は、ＩＴＯによって構成された共通電極３０と同層に形成されている。したがって、第１コンタクト層５２０と共通電極３０とは、同じＩＴＯ膜をパターニングすることによって形成される。図９に示すように、第１コンタクト層５２０は、ソース端子５００の長手方向に沿って矩形帯状に延在するように島状に形成されている。

なお、第１コンタクト層５２０は、不純物がドープされた半導体材料によって構成されていてもよい。例えば、トランジスタ１０が不純物がドープされた半導体材料からなるｎ^＋層を有している場合、このｎ^＋層を利用して、第１コンタクト層５２０をｎ⁺層とすることができる。つまり、第１コンタクト層５２０とトランジスタ１０のｎ^＋層とを同じ半導体膜をパターニングすることで形成することができる。

第２コンタクト層５３０は、第１コンタクト層５２０の上方に位置する。言い換えると、第２コンタクト層５３０は、第１コンタクト層５２０よりも積層方向ＬＤにおける一側に位置する。つまり、第２コンタクト層５３０は、積層方向ＬＤにおける第１コンタクト層５２０の一方側に位置している。具体的に、第２コンタクト層５３０は、第１コンタクト層５２０の上の第１層間絶縁層５４０の上方に位置する。より具体的には、第２コンタクト層５３０は、第１層間絶縁層５４０の直上に設けられている。本実施の形態において、第２コンタクト層５３０は、各ソース端子５００の最上層であり、外部に露出している。つまり、第２コンタクト層５３０の表面は、ソース端子５００における露出部である。例えばＡＣＦによりＣＯＦを第１基板１００に熱圧着する場合、ＣＯＦは第２コンタクト層５３０に接続されることになる。

第２コンタクト層５３０は、ＩＴＯ等の透明金属酸化物によって構成されている。本実施の形態において、第２コンタクト層５３０は、ＩＴＯによって構成された画素電極２０と同層に形成されている。したがって、第２コンタクト層５３０と画素電極２０とは、同じＩＴＯ膜をパターニングすることによって形成される。図９に示すように、第２コンタクト層５３０は、ソース端子５００の長手方向に沿って矩形帯状に延在するように島状に形成されている。

第１層間絶縁層５４０は、第１コンタクト層５２０の上方に位置する。言い換えると、第１層間絶縁層５４０は、第１コンタクト層５２０よりも積層方向ＬＤにおける一側に位置する。つまり、第１層間絶縁層５４０は、積層方向ＬＤにおける第１層間絶縁層５４０の一方側に位置している。具体的には、第１層間絶縁層５４０は、第１コンタクト層５２０の直上に設けられており、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０との間に位置している。

本実施の形態において、第１層間絶縁層５４０は、第５絶縁層（ＵＰＳ層）として形成された第５絶縁膜１２５である。なお、第１層間絶縁層５４０は、１つの絶縁膜からなる単層構造であるが、複数の絶縁膜からなる複数構造であってもよい。

図９〜図１１に示すように、第１層間絶縁層５４０には、第１スルーホール５４０ａが形成されている。第１スルーホール５４０ａは、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とを接続するためのコンタクトホールである。本実施の形態において、第１スルーホール５４０ａは、複数設けられている。具体的には、複数の第１スルーホール５４０ａは、ソース端子５００の露出部の長手方向に沿って直線状に形成されている。一例として、図８及び図９に示すように、１つのソース端子５００には、６個の第１スルーホール５４０ａが形成されている。

第２層間絶縁層５５０は、金属層５１０の上方に位置する。具体的には、第２層間絶縁層５５０は、金属層５１０の直上に設けられており、金属層５１０と第１コンタクト層５２０との間に位置している。

本実施の形態において、第２層間絶縁層５５０は、積層された複数の絶縁膜によって構成されている。具体的には、第２層間絶縁層５５０は、２層構造であり、下絶縁膜５５１と、下絶縁膜５５１の上に積層された上絶縁膜５５２とによって構成されている。本実施の形態において、下絶縁膜５５１は、第２絶縁層（ＰＡＳ）として形成された第２絶縁膜１２２であり、上絶縁膜５５２は、第４絶縁層（ＴＰＳ層）として形成された第４絶縁膜１２４である。なお、第２層間絶縁層５５０は、複数の絶縁膜によって構成されているが、１つの絶縁膜からなる単層構造であってもよい。例えば、第２層間絶縁層５５０は、下絶縁膜５５１及び上絶縁膜５５２のいずれか一方のみによって構成されていてもよい。

また、図９、図１０及び図１２に示すように、第２層間絶縁層５５０には、第２スルーホール５５０ａが形成されている。第２スルーホール５５０ａは、金属層５１０と第１コンタクト層５２０とを接続するためのコンタクトホールである。第２スルーホール５５０ａは、下絶縁膜５５１及び上絶縁膜５５２を貫通するように形成されている。本実施の形態において、第２スルーホール５５０ａは、複数設けられている。具体的には、複数の第２スルーホール５５０ａは、ソース端子５００の露出部の長手方向に沿って直線状に設けられている。一例として、図８及び図９に示すように、１つのソース端子５００には、６個の第２スルーホール５５０ａが設けられている。

本実施の形態において、第１層間絶縁層５４０に形成された第１スルーホール５４０ａと、第２層間絶縁層５５０に形成された第２スルーホール５５０ａとは、同じ形状である。具体的には、図９に示すように、第１基板１００の上面視において、各第１スルーホール５４０ａと各第２スルーホール５５０ａとは、同一半径の円形である。

また、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとは、第１基板１００の上面視において、重なっていない。この場合、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとは、上面視において離間した位置に形成されており、部分的にも重なっていない。なお、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとは、ソース端子５００の長手方向に沿って、１つずつ交互に形成されているが、これに限らない。このように、第１スルーホール５４０ａ及び第２スルーホール５５０ａを複数ずつ設けることによって、ソース端子５００における電気接続の信頼性を向上させることができる。

このように構成される積層構造のソース端子５００においては、金属層５１０と第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とは、互いに電気的に接続されている。

具体的には、図１０及び図１１に示すように、金属層５１０と第１コンタクト層５２０とは、第２層間絶縁層５５０に形成された第２スルーホール５５０ａを介して電気的に接続されている。本実施の形態において、第１コンタクト層５２０は、少なくとも第２スルーホール５５０ａにおいて、金属層５１０と接触している。

また、図１０及び図１２に示すように、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０は、第１層間絶縁層５４０に形成された第１スルーホール５４０ａを介して電気的に接続されている。本実施の形態において、第２コンタクト層５３０は、少なくとも第１スルーホール５４０ａにおいて、第１コンタクト層５２０と接触している。

図１０に示すように、第１コンタクト層５２０は、第２層間絶縁層５５０よりも薄い膜厚で、かつ、一定の膜厚で形成されている。また、第１コンタクト層５２０は、第２層間絶縁層５５０の上に形成されるとともに、第２層間絶縁層５５０の第２スルーホール５５０ａにおける内側面及び底面に沿って形成されている。具体的には、第１コンタクト層５２０は、第２層間絶縁層５５０の上面と、第２スルーホール５５０ａにおける第２層間絶縁層５５０の側面と、第２スルーホール５５０ａの底面における金属層５１０の上面とに沿って、連続的に形成されている。また、第１コンタクト層５２０は、所定形状の１つのＩＴＯ膜であり、複数の第２スルーホール５５０ａの各々から露出する金属層５１０の表面を覆うようにソース端子５００の長手方向に沿って連続的に形成されている。なお、図９及び図１１に示すように、第１コンタクト層５２０の幅は、金属層５１０の幅よりも大きいが、第１コンタクト層５２０の幅は、金属層５１０の幅よりも小さくてもよい。

図１０に示すように、第２コンタクト層５３０は、第１層間絶縁層５４０よりも薄い膜厚で、かつ、一定の膜厚で形成されている。また、第２コンタクト層５３０は、第１層間絶縁層５４０の上に形成されるとともに、第１層間絶縁層５４０の第１スルーホール５４０ａにおける内側面及び底面に沿って形成されている。具体的には、第２コンタクト層５３０は、第１層間絶縁層５４０の上面と、第１スルーホール５４０ａにおける第１層間絶縁層５４０の側面と、第１スルーホール５４０ａの底面における第１コンタクト層５２０の上面とに沿って、連続的に形成されている。また、第２コンタクト層５３０は、所定形状の１つのＩＴＯ膜であり、複数の第１スルーホール５４０ａの各々から露出する第１スルーホール５４０ａの表面を覆うようにソース端子５００の長手方向に沿って連続的に形成されている。なお、図９及び図１１に示すように、第２コンタクト層５３０の幅は、第１コンタクト層５２０の幅よりも大きいが、第２コンタクト層５３０の幅は、第１コンタクト層５２０の幅よりも小さくてもよい。

次に、タッチ端子６００について説明する。図１３に示すように、各タッチ端子６００は、ソース端子５００と同様に、複数の層によって構成された層構造を有する。具体的には、タッチ端子６００は、ソース端子５００と同じ層構造を有する。したがって、タッチ端子６００は、金属層６１０と第１コンタクト層６２０と第２コンタクト層６３０との少なくとも３つの導電層と、第１層間絶縁層６４０と第２層間絶縁層６５０との２つの絶縁層とを有する。また、第１層間絶縁層６４０には、第１スルーホール６４０ａが形成されており、第２層間絶縁層６５０には、第２スルーホール６５０ａが形成されている。なお、第２層間絶縁層６５０は、下絶縁膜６５１と上絶縁膜６５２との２層構造である。

タッチ端子６００における、金属層６１０、第１コンタクト層６２０、第２コンタクト層６３０、第１層間絶縁層６４０、第２層間絶縁層６５０、第１スルーホール６４０ａ及び第２スルーホール６５０ａの構成は、ソース端子５００における、金属層５１０、第１コンタクト層５２０、第２コンタクト層５３０、第１層間絶縁層５４０、第２層間絶縁層５５０、第１スルーホール５４０ａ及び第２スルーホール５５０ａの構成と同じである。

各タッチ端子６００は、当該タッチ端子６００に対応するタッチ線６０に接続される。具体的には、タッチ端子６００の金属層６１０とタッチ線６０とが接続される。ここで、タッチ端子６００の金属層６１０は、トランジスタ１０のソースドレイン電極が形成される配線層と同層に形成されるので、タッチ線６０が形成される配線層とは異なる層に形成されている。したがって、図１３に示すように、タッチ線６０と金属層６１０とは、第２絶縁膜１２２及び第３絶縁膜１２３を貫通するスルーホールを介して接続されている。

なお、タッチ線６０とタッチ端子６００の金属層６１０との接続形態は、これに限るものではない。例えば、タッチ線６０の上の第４絶縁膜１２４及び第５絶縁膜１２５に第１中継スルーホールを形成して画素電極２０と同層に形成された第１中継配線とタッチ線６０とを接続した上で、さらに、第２絶縁膜１２２、第３絶縁膜１２３、第４絶縁膜１２４及び第５絶縁膜１２５に別の第２中継スルーホールを形成して第１中継配線とタッチ端子６００の金属層６１０とを接続してもよい。この第１中継スルーホール及び第２中継スルーホールは、第１基板１００を製造する際の既存のフォトリソグラフィ工程で形成することができる。したがって、タッチ線６０と金属層６１０とを接続するためだけのフォトリソグラフィ工程を別途追加することなく（つまり、マスク数を増加させることなく）、第１中継スルーホール及び第２中継スルーホールを形成することができる。

次に、図１４を用いて、図２に示されるゲート端子４００について説明する。図１４は、ゲート端子４００を通る断面で切断したときの液晶表示装置における額縁領域１ｂ周辺の断面図である。

図１４に示すように、各ゲート端子４００は、ソース端子５００と同様に、複数の層によって構成された層構造を有する。具体的には、ゲート端子４００は、ソース端子５００と同じ層構造を有する。したがって、ゲート端子４００は、金属層４１０と第１コンタクト層４２０と第２コンタクト層４３０との少なくとも３つの導電層と、第１層間絶縁層４４０と第２層間絶縁層４５０との２つの絶縁層とを有する。また、第１層間絶縁層４４０には、第１スルーホール４４０ａが形成されており、第２層間絶縁層４５０には、第２スルーホール４５０ａが形成されている。なお、第２層間絶縁層４５０は、下絶縁膜４５１と上絶縁膜４５２との２層構造である。

ゲート端子４００における、金属層４１０、第１コンタクト層４２０、第２コンタクト層４３０、第１層間絶縁層４４０、第２層間絶縁層４５０、第１スルーホール４４０ａ及び第２スルーホール４５０ａの構成は、ソース端子５００における、金属層５１０、第１コンタクト層５２０、第２コンタクト層５３０、第１層間絶縁層５４０、第２層間絶縁層５５０、第１スルーホール５４０ａ及び第２スルーホール５５０ａの構成と同じである。

各ゲート端子４００は、当該ゲート端子４００に対応するゲート線４０に接続される。具体的には、ゲート端子４００の金属層４１０とゲート線４０とが接続される。ここで、ゲート端子４００の金属層４１０は、トランジスタ１０のソースドレイン電極が形成される配線層と同層に形成されるので、ゲート線４０が形成される配線層とは異なる層に形成されている。したがって、図１４に示すように、ゲート線４０と金属層６１０とは、第１絶縁膜１２１を貫通するスルーホールを介して接続されている。

なお、ゲート線４０とゲート端子４００の金属層４１０との接続方法は、これに限るものではなく、別の層に形成されたスルーホール及び中継配線を用いて、ゲート線４０とゲート端子４００の金属層４１０とを接続してもよい。

次に、本実施の形態における第１基板１００（アクティブマトリクス基板）及び液晶表示装置１の作用効果について、図１５の比較例を用いて説明する。図１５は、比較例の液晶表示装置におけるソース端子５００Ｘの断面図である。

図１５に示すように、比較例の液晶表示装置におけるソース端子５００Ｘは、金属層５１０Ｘと、金属層５１０Ｘの上に位置する層間絶縁層５４０Ｘと、層間絶縁層５４０Ｘの上のコンタクト層５３０Ｘとを有する。金属層５１０Ｘは、データ線と同層に形成さており、例えば銅によって構成されている。また、層間絶縁層５４０Ｘは、第２絶縁膜１２２と同層の第１絶縁層と、第４絶縁膜１２４と同層の第２絶縁層と、第５絶縁膜１２５と同層の第３絶縁層とによって構成されている。コンタクト層５３０Ｘは、ＩＴＯ膜からなる画素電極２０と同層に形成されている。

図１５に示されるソース端子５００Ｘでは、金属層５１０Ｘを保護するために、層間絶縁層５４０Ｘにスルーホール５４０Ｘａを形成して、ＩＴＯ膜からなるコンタクト層５３０Ｘで金属層５１０Ｘを覆っている。つまり、金属層５１０Ｘの上にカバー層としてコンタクト層５３０Ｘが形成されている。コンタクト層５３０Ｘは、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面及び底面に形成される。そして、金属層５１０Ｘとコンタクト層５３０Ｘとは、層間絶縁層５４０Ｘに形成されたスルーホール５４０Ｘａを介して接続されている。

しかしながら、図１５に示されるソース端子５００Ｘでは、ＩＴＯ膜によって構成されたコンタクト層５３０Ｘの膜厚が層間絶縁層５４０Ｘの膜厚よりも薄いため、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面と底面との境界部分である角部分（図１５の破線円で囲まれる部分）で膜応力が集中し、コンタクト層５３０Ｘにクラックが発生する。このため、コンタクト層５３０Ｘのクラックの発生箇所から水や酸素が侵入する。金属層５１０Ｘを構成する銅は、単体では腐食しないが、水及び酸素が接触することで電池反応が生じる。この結果、銅が腐食する。つまり、コンタクト層５３０Ｘのクラックの発生箇所から水や酸素が侵入すると、金属層５１０Ｘが腐食する。

このように、図１５に示されるソース端子５００Ｘでは、コンタクト層５３０Ｘに生じたクラックから酸素及び水が侵入して、クラックの発生箇所から金属層５１０Ｘの腐食が生じる。そして、この腐食は、クラックの発生箇所を起点として金属層５１０Ｘの内部に等方的に拡大して進行することになる。この結果、ソース端子５００Ｘにおける電気接続の信頼性が劣化する。

そこで、コンタクト層５３０Ｘにクラックが発生しないように、コンタクト層５３０Ｘの厚さを厚くすることが考えられるが、以下の理由により、コンタクト層５３０Ｘの厚さを単純に厚くすることができない。ＩＴＯ膜によって構成されたコンタクト層５３０Ｘは例えばスパッタによって成膜されるが、成膜時にＩＴＯ膜が結晶化してしまうと、ＩＴＯ膜をウェットエッチングによってパターニングすることが難しくなる。このため、成膜後のＩＴＯ膜はアモルファス状態であることが望ましい。この場合、コンタクト層５３０Ｘにクラックが発生しないようにＩＴＯ膜を厚く成膜すると、ＩＴＯ膜が結晶化してしまう。したがって、ＩＴＯ膜をウェットエッチングによって容易にパターニングするためにアモルファス状態のＩＴＯ膜を成膜するには、ＩＴＯ膜を薄く成膜する必要がある。例えば、アモルファス状態のＩＴＯ膜を成膜するには、ＩＴＯ膜の膜厚を１００ｎｍ以下にする必要がある。このように、コンタクト層５３０Ｘの厚さを厚くすることができず、コンタクト層５３０Ｘの厚さは、層間絶縁層５４０Ｘよりも薄くなってしまう。

また、コンタクト層５３０Ｘにクラックが発生しないように、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面の傾斜角度を小さくすることが考えられる。つまり、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面の傾斜角度を小さくして、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面と底面との境界部分（角部分）での膜応力を緩和することが考えられる。しかしながら、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面の傾斜角度を小さくすると、スルーホール５４０Ｘａの上端部での開口径が大きくなってしまうので、スルーホール５４０Ｘａにおける内側面の傾斜角度を単純に小さくすることもできない。

このように、比較例におけるソース端子５００Ｘの構造では、金属層５１０Ｘの腐食を抑制することが難しい。なお、ソース端子５００Ｘと同様の構成を有するタッチ端子及びゲート端子についても同様の課題がある。

これに対して、本実施の形態に係る第１基板１００及び液晶表示装置１におけるソース端子５００は、金属層５１０と、金属層５１０と電気的に接続された第１コンタクト層５２０と、第１コンタクト層５２０の上方に位置する第１層間絶縁層５４０と、第１層間絶縁層５４０に形成された第１スルーホール５４０ａを介して第１コンタクト層５２０と電気的に接続された第２コンタクト層５３０とを有する。

つまり、本実施の形態におけるソース端子５００は、比較例のソース端子５００Ｘに比べて、金属層５１０と第２コンタクト層５３０との間に、第２コンタクト層５１０とは別にパターニングされた第１コンタクト層５１０が挿入されている。

金属層５１０と第２コンタクト層５３０との間に追加された第１コンタクト層５２０は、第１コンタクト層５２０の上に位置する第２コンタクト層５３０に対して、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０との間に位置する第１層間絶縁層５４０の第１スルーホール５４０ａを介して電気的に接続されている。

この構成により、第１スルーホール５４０ａにおける内側面と底面との境界部分（角部分）で第２コンタクト層５３０に膜応力が集中して、仮に第２コンタクト層５３０にクラックが発生してこのクラックから水及び酸素が内部に侵入したとしても、第２コンタクト層５３０と金属層５１０との間に位置する第１コンタクト層５２０によって水及び酸素をブロックすることができる。これにより、水及び酸素が金属層５１０に到達することを抑制することができるので、金属層５１０が腐食することを抑制できる。

また、本実施の形態において、ソース端子５００は、さらに、金属層５１０と第１コンタクト層５２０との間に位置する第２層間絶縁層５５０を有している。そして、第１コンタクト層５２０は、第２層間絶縁層５５０に形成された第２スルーホール５５０ａを介して金属層５１０と電気的に接続されている。

つまり、金属層５１０と第２コンタクト層５３０との間に位置する第１コンタクト層５２０は、第１コンタクト層５２０の下に位置する金属層５１０に対して、第１コンタクト層５２０と金属層５１０との間に位置する第２層間絶縁層５５０の第２スルーホール５５０ａを介して電気的に接続されている。具体的には、第１コンタクト層５２０は、少なくとも第２スルーホール５５０ａにおいて、金属層５１０と接触している。

この構成により、第１スルーホール５４０ａを介して金属層５１０と第１コンタクト層５２０とが接続される部分と、第２スルーホール５５０ａを介して第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とが接続される部分とを、上下層で分けることができる。これにより、第１コンタクト層５２０にクラックが発生しうる箇所（第１スルーホール５４０ａの角部）と第２コンタクト層５３０にクラックが発生しうる箇所（第２スルーホール５５０ａの角部）とを上下層で異ならせることができる。したがって、水及び酸素が金属層５１０に到達することを一層抑制することができるので、金属層５１０の腐食の発生を遅らせることができる。したがって、金属層５１０が腐食することを効果的に抑制できる。

また、本実施の形態において、第２層間絶縁層５５０は、積層された複数の絶縁膜によって構成されている。

この構成により、水及び酸素が内部に侵入したとしても金属層５１０に水及び酸素が到達することを一層抑制することができる。したがって、金属層５１０が腐食することを一層抑制することができる。

また、本実施の形態では、第１基板１００の上面視において、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとは重なっていない。

この構成により、第１スルーホール５４０ａを介して金属層５１０と第１コンタクト層５２０とが接続される部分と、第２スルーホール５５０ａを介して第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とが接続される部分とを、第１基板１００の水平面内で分けることができる。これにより、第１コンタクト層５２０にクラックが発生しうる箇所（第１スルーホール５４０ａの角部）と第２コンタクト層５３０にクラックが発生しうる箇所（第２スルーホール５５０ａの角部）とを水平面内で異なる位置に配置することができる。したがって、金属層５１０に水及び酸素が到達することを一層抑制することができ、金属層５１０が腐食することをさらに効果的に抑制することができる。

特に、第１基板１００の水平方向においては、第１基板１００の厚み方向と比べて距離を容易に稼ぐことができるため、金属層５１０と第１コンタクト層５２０とが接続される部分と、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とが接続される部分とを、上下層で分ける場合と比べて、より大きく離すことができる。つまり、第１コンタクト層５２０にクラックが発生しうる箇所と第２コンタクト層５３０にクラックが発生しうる箇所との距離をより大きくすることができる。したがって、金属層５１０の腐食の発生を大きく遅らせることができるので、金属層５１０が腐食することを効果的に抑制することができる。

しかも、本実施の形態では、上記のように、第１スルーホール５４０ａを介して金属層５１０と第１コンタクト層５２０とが接続される部分と、第２スルーホール５５０ａを介して第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とが接続される部分とが上下層で分けられているので、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとを第１基板１００の上面視で重ならないように構成することで、図１５に示されるソース端子５００Ｘのスルーホール５４０Ｘａと比べて、第１スルーホール５４０ａの深さと第２スルーホール５５０ａの深さとを浅くすることができる。これにより、第１スルーホール５４０ａ及び第２スルーホール５５０ａの各々における内側面と底面との境界部分（角部分）での膜応力を容易に緩和することができる。したがって、第１コンタクト層５２０及び第２コンタクト層５３０にクラックが発生すること自体を抑制することができるので、金属層５１０が腐食することを大幅に抑制できる。

なお、本実施の形態では、図１０に示すように、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが互いに干渉しないように、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとを大きく離していたが、図１６に示すように、第１スルーホール５４０ａのエッジと第２スルーホール５５０ａのエッジとが重なっていなければ、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが多少干渉していてもよい。

以上説明したように、本実施の形態における第１基板１００及び液晶表示装置１によれば、画像表示領域１ａのデータ線５０と電気的に接続されたソース端子５００の金属層５１０が腐食することを抑制できる。

なお、ソース端子５００と同様の構造を有するタッチ端子６００及びゲート端子４００についても、ソース端子５００と同様の効果を奏する。

（実施の形態１の変形例）
次に、実施の形態１の変形例について、図１７〜図１９を用いて説明する。図１７は、実施の形態１の変形例に係る液晶表示装置１Ａにおける１つのソース端子５００Ａを示す拡大平面図である。図１８は、図１７のXVIII−XVIII線における断面図であり、図１９は、図１７のXIX−XIX線における断面図である。

本変形例に係る液晶表示装置１Ａと上記実施の形態１に係る液晶表示装置１とは、ソース端子５００Ａにおける第１スルーホール５４０ａ及び第２スルーホール５５０ａのレイアウトが異なる。具体的には、上記実施の形態１に係る液晶表示装置１では、第１基板１００の上面視において、ソース端子５００における第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっていなかったのに対して、本変形例に係る液晶表示装置１Ａでは、図１７〜図１９に示すように、第１基板１００の上面視において、ソース端子５００Ａにおける第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっている。

具体的には、図１７に示すように、本変形例におけるソース端子５００Ａでは、第１基板１００の上面視において、１つの第２スルーホール５５０ａの中に、複数の第１スルーホール５４０ａが含まれている。１つの第２スルーホール５５０ａ内に位置する複数の第１スルーホール５４０ａは、ソース端子５００Ａの長手方向に並んでいる。なお、本変形例において、各ソース端子５００Ａにおいて、第２スルーホール５５０ａは、１つのみであり、第１基板１００の上面視において、ソース端子５００Ａの長手方向に沿って矩形帯状に形成されている。

また、本変形例では、第１基板１００の断面視において、第２スルーホール５５０ａの幅は、第１スルーホール５４０ａの幅よりも大きくなっている。言い換えると、ソース端子５００Ａの長手方向に直交する方向における第２スルーホール５５０ａの寸法は、ソース端子５００Ａの長手方向に直交する方向における第１スルーホール５４０ａの寸法よりも大きくなっている。このため、図１９に示すように、第２スルーホール５５０ａの内側面に形成された第１コンタクト層５２０と第１スルーホール５４０ａの内側面に形成された第２コンタクト層５３０との間には、第１層間絶縁層５４０が埋め込まれている。

また、本変形例では、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっている部分において、金属層５１０と第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とが互いに接触して積層された構造になっている。

以上、本変形例における液晶表示装置１におけるソース端子５００Ａは、上記実施の形態１におけるソース端子５００と同様の構成を有するので、上記実施の形態１と同様の効果を奏する。

特に、本実施の形態では、第１基板１００の上面視において、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっていても、第２スルーホール５５０ａの幅が第１スルーホール５４０ａの幅よりも大きくなっている。

この構成により、第１スルーホール５４０ａを介して金属層５１０と第１コンタクト層５２０とが接続される部分と、第２スルーホール５５０ａを介して第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０とが接続される部分とを、上下層で分けることができる。これにより、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっていたとしても、第１コンタクト層５２０にクラックが発生しうる箇所（第１スルーホール５４０ａの角部）と第２コンタクト層５３０にクラックが発生しうる箇所（第２スルーホール５５０ａの角部）とを上下層で異ならせることができる。したがって、金属層５１０に水及び酸素が到達することを抑制することができる。したがって、金属層５１０の腐食の発生を遅らせることができるので、金属層５１０が腐食することを抑制することができる。

なお、本変形例については、タッチ端子及びゲート端子にも適用することができる。

（実施の形態２）
次に、実施の形態２について、図２０を用いて説明する。図２０は、実施の形態２に係る液晶表示装置１Ｂの構成を示す断面図である。なお、図２０は、上記実施の形態１の図１０に対応する部分の断面を示している。

図２０に示すように、本実施の形態に係る液晶表示装置１Ｂと上記実施の形態１に係る液晶表示装置１とは、タッチ線６０Ｂの構成が異なる。具体的には、本実施の形態における液晶表示装置１Ｂにおいて、タッチ線６０Ｂは、２層構造であり、第１導電膜６１と、第１導電膜６１の上に積層された第２導電膜６２とを有する。第１導電膜６１は、ＩＴＯ等の透明金属酸化物によって構成されており、第２導電膜６２は、銅等の金属材料によって構成されている。本実施の形態において、第１導電膜６１は、ＩＴＯ膜であり、第２導電膜６２は、銅膜である。なお、第１導電膜６１と第２導電膜６２とは、同じ形状であり、同時にパターニングされる。

また、本実施の形態に係る液晶表示装置１Ｂと上記実施の形態１に係る液晶表示装置１とは、ソース端子５００Ｂの構成も異なる。具体的には、本実施の形態に係る液晶表示装置１Ｂにおけるソース端子５００Ｂは、上記実施の形態１に係る液晶表示装置１におけるソース端子５００において、金属層５１０を第１金属層として、さらに、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０との間に第２金属層５６０を有する構成になっている。

第２金属層５６０は、少なくとも第１スルーホール５４０ａにおいては、第２コンタクト層５３０と接触している。本実施の形態において、第２金属層５６０は、第１スルーホール５４０ａにおいて、第２コンタクト層５３０だけではなく、第１コンタクト層５２０にも接触している。具体的には、第１スルーホール５４０ａにおいて、第１コンタクト層５２０と第２金属層５６０と第２コンタクト層５３０とは、互いに接触する３層構造になっている。

また、第２金属層５６０は、少なくとも第２スルーホール５５０ａにおいて、第１コンタクト層５２０と接触している。具体的には、第２スルーホール５５０ａにおいて、金属層５１０と第１コンタクト層５２０と第２金属層５６０とは、互いに接触する３層構造になっている。なお、本実施の形態において、第２スルーホール５５０ａは、第２層間絶縁層５５０における下絶縁膜５５１及び上絶縁膜５５２のうち下絶縁膜５５１のみに形成されている。また、第１コンタクト層５２０及び第２金属層５６０は、第１絶縁膜１２２である下絶縁膜５５１と第２絶縁膜１２４である上絶縁膜５５２との間に位置している。

そして、ソース端子５００Ｂにおいて、第１コンタクト層５２０は、タッチ線６０Ｂの第１導電膜６１と同層に形成されており、第２金属層５６０は、タッチ線６０Ｂの第２導電膜６２と同層に形成されている。したがって、第１コンタクト層５２０及び第２金属層５６０は、第１導電膜６１及び第２導電膜６２と同時にパターニングされるので、第１コンタクト層５２０と第２金属層５６０とは、同じ形状となる。なお、本実施の形態では、第１導電膜６１がＩＴＯ膜で、第２導電膜６２が銅膜であるので、第１コンタクト層５２０がＩＴＯ膜で、第２金属層５６０が銅膜である。

以上、本実施の形態に係る液晶表示装置１Ｂにおけるソース端子５００Ｂは、上記実施の形態１に係るソース端子５００と同様に、金属層５１０と、金属層５１０と電気的に接続された第１コンタクト層５２０と、第１コンタクト層５２０の上方に位置する第１層間絶縁層５４０と、第１層間絶縁層５４０に形成された第１スルーホール５４０ａを介して第１コンタクト層５２０と電気的に接続された第２コンタクト層５３０とを有する。

この構成により、膜応力が集中して第２コンタクト層５３０にクラックが発生して水及び酸素が侵入したとしても、第１コンタクト層５２０によって水及び酸素をブロックすることができる。これにより、金属層５１０に水及び酸素が到達することを抑制できるので、金属層５１０が腐食することを抑制することができる。

さらに、本実施の形態におけるソース端子５００Ｂは、第１コンタクト層５２０と第２コンタクト層５３０との間に位置する第２金属層５６０を有しており、第２金属層５６０が、少なくとも第１スルーホール５４０ａにおいては、第２コンタクト層５３０と接触しているとともに、少なくとも第２スルーホール５５０ａにおいては、第１コンタクト層５２０と接触している。具体的には、本実施の形態におけるソース端子５００Ｂは、金属層５１０（第１金属層）と第２コンタクト層５３０との間に、第１コンタクト層５２０と第２金属層５６０との積層構造が設けられた構成になっている。

このように、第２金属層５６０を設けることによって、ソース端子５００Ｂを低抵抗化することができるので、信号遅延を抑制することができる。しかも、第２金属層５６０を設けたことで、第２金属層５６０の腐食によって金属層５１０が腐食するおそれがあるが、第２コンタクト層５３０が存在するので、金属層５１０の腐食を抑制することができる。つまり、第２コンタクト層５３０にクラックが発生して第２金属層５６０に腐食が発生したとしても、第２金属層５６０の下の第１コンタクト層５２０によって腐食の進行を抑制することができる。これにより、金属層５１０が腐食することを抑制することができる。つまり、第２金属層５６０の腐食の拡大を第１コンタクト層５２０によってブロックすることができるので、金属層５１０の腐食の発生を遅らせることができる。

なお、本実施の形態では、第１基板１００Ｂの上面視において、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとは重なっていなかったが、上記実施の形態１の変形例のように、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっていてもよい。具体的には、図２１に示される液晶表示装置１Ｃのように、第２スルーホール５５０ａの中に第１スルーホール５４０ａが含まれていてもよい。この場合、上記実施の形態１の変形例のように、１つの第２スルーホール５５０ａの中に、複数の第１スルーホール５４０ａが含まれていてもよい。このように、図２１に示される液晶表示装置１Ｃの構成であっても、上記実施の形態２に係る液晶表示装置１Ｂと同様の効果を奏する。なお、図２１は、上記実施の形態１の図１１及び図１２に対応する部分の断面を示している。

また、本実施の形態では、第１コンタクト層５２０のＩＴＯ膜として、タッチ線６０Ｂの第１導電膜６１を用いたが、これに限らない。例えば、上記実施の形態１のように、第１コンタクト層５２０のＩＴＯ膜として、共通電極３０を用いてもよい。つまり、第１コンタクト層５２０を共通電極３０と同層に形成してもよい。ただし、本実施の形態のように、第１コンタクト層５２０及び第２金属層５６０をタッチ線６０の第１導電膜６１及び第２導電膜６２と同層にすることで、フォトリソグラフィ工程を追加することなく（つまりマスク数を増加させることなく）、第１コンタクト層５２０及び第２金属層５６０の積層構造をソース端子５００Ｃに追加することができる。

また、本実施の形態では、タッチ線６０Ｂを有するインセルタッチパネルとしたが、これに限らない。具体的には、図２２に示されるように、タッチ線６０Ｂ及び第４絶縁膜１２４を有さない液晶表示装置１Ｄであってもよい。なお、図２２は、上記実施の形態２の図２０に対応する部分の断面を示している。

図２２に示される液晶表示装置１Ｄでは、共通電極３０が複数に分割されておらず、共通電極３０は、複数の画素ＰＸにわたって形成されたべた電極となっている。また、共通電極３０の直上には、共通電極３０を低抵抗するために、コモン電位が印加されるコモン線６０Ｄが設けられている。コモン線６０Ｄは、行方向又は列方向に画像表示領域全域にわたって複数本形成されている。そして、ソース端子５００Ｄにおいて、第１コンタクト層５２０は、共通電極３０と同層に形成され、第２金属層５６０は、コモン線６０Ｄと同層に形成されている。この構成により、タッチ線を有さない液晶表示装置であっても、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、第１コンタクト層５２０及び第２金属層５６０の積層構造をソース端子５００Ｄに追加することができる。このように、図２２に示される液晶表示装置１Ｄの構成であっても、上記実施の形態２に係る液晶表示装置１Ｂと同様の効果を奏する。なお、図２２では、第４絶縁膜１２４が設けられていないので、ソース端子５００Ｄの第２層間絶縁層５５０Ｄは、第２絶縁膜１２２のみによって構成されている。

また、図２２では、第１基板１００Ｄの上面視において、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっていなかったが、上記実施の形態１の変形例のように、第１スルーホール５４０ａと第２スルーホール５５０ａとが重なっていてもよい。具体的には、図２３に示される液晶表示装置１Ｅのソース端子５００Ｅのように、第２スルーホール５５０ａの中に第１スルーホール５４０ａが含まれていてもよい。この場合、上記実施の形態１の変形例のように、１つの第２スルーホール５５０ａの中に、複数の第１スルーホール５４０ａが含まれていてもよい。このように、図２３に示される液晶表示装置１Ｅの構成であっても、上記実施の形態２に係る液晶表示装置１Ｂと同様の効果を奏する。なお、図２３は、上記実施の形態２の変形例１の図２１に対応する部分の断面を示している。

また、本実施の形態及び変形例については、タッチ端子及びゲート端子にも適用することができる。

（その他の変形例）
以上、本開示に係るアクティブマトリクス基板及び液晶表示装置等について、実施の形態１、２及びそれらの変形例に基づいて説明したが、本開示は、上記実施の形態１、２及び変形例に限定されるものではない。

例えば、上記実施の形態１、２の液晶表示装置におけるソース端子は、第２層間絶縁層５５０を有していたが、これに限らない。具体的には、図２４に示される液晶表示装置１Ｆにおけるソース端子５００Ｆのように、第２層間絶縁層５５０を有していなくてもよい。図２４は、上記実施の形態１の図１１に対応する部分の断面を示している。また、図２４に示されるソース端子５００Ｆでは、第１層間絶縁層５４０Ｆが、積層された複数の絶縁膜によって構成されている。具体的には、第１層間絶縁層５４０Ｆは、下絶縁膜５４１と、下絶縁膜５４１の上に積層された中絶縁膜５４２と、中絶縁膜５４２の上に積層された上絶縁膜５４３との３層構造になっている。一例として、下絶縁膜５４１は、第２絶縁層（ＰＡＳ）として形成された第２絶縁膜１２２であり、中絶縁膜５４２は、第４絶縁層（ＴＰＳ層）として形成された第４絶縁膜１２４であり、上絶縁膜５４３は、第５絶縁層（ＵＰＳ層）として形成された第５絶縁膜１２５である。なお、第１層間絶縁層５４０Ｆは、３つの絶縁膜によって構成される場合に限らず、１つ又は２つの絶縁膜によって構成されていてもよい。例えば、第１層間絶縁層５４０Ｆは、下絶縁膜５４１、中絶縁膜５４２及び上絶縁膜５４３の少なくとも１つによって構成されていてもよい。

図２４に示される液晶表示装置１Ｆのソース端子５００Ｆについても、上記実施の形態１に係るソース端子５００と同様に、金属層５１０と、金属層５１０と電気的に接続された第１コンタクト層５２０と、第１コンタクト層５２０の上方に位置する第１層間絶縁層５４０Ｆと、第１層間絶縁層５４０Ｆに形成された第１スルーホール５４０ａを介して第１コンタクト層５２０と電気的に接続された第２コンタクト層５３０とを有する。

この構成により、第２コンタクト層５３０に膜応力が集中してクラックが発生して水及び酸素が侵入したとしても、第１コンタクト層５２０によって水及び酸素をブロックすることができる。これにより、金属層５１０に水及び酸素が到達することを抑制できるので、金属層５１０が腐食することを抑制することができる。なお、本変形例については、タッチ端子及びゲート端子にも適用することができる。

また、上記実施の形態１、２において、第１層間絶縁層５４０及び第２層間絶縁層５５０は、第１絶縁膜１２１、第２絶縁膜１２２、第４絶縁膜１２４及び第５絶縁膜１２５の無機材料からなる無機膜のみによって構成されていたが、これに限らない。例えば、第１層間絶縁層５４０及び第２層間絶縁層５５０は、有機材料からなる有機膜である第３絶縁膜１２３を含んでいてもよい。また、第１層間絶縁層５４０及び第２層間絶縁層５５０は、第１絶縁膜１２１〜第５絶縁膜１２５以外の別の絶縁膜を含んでいてもよい。なお、上記実施の形態１、２において、第３絶縁膜１２３は、封止部材３１０が設けられたシール部まで形成されており、額縁領域１ｂには形成されていない。

また、上記実施の形態１、２では、データ線５０とトランジスタ１０のドレイン電極１０Ｄとが接続され、画素電極２０とトランジスタ１０のソース電極１０Ｓとが接続されていたが、これに限らない。例えば、データ線５０とトランジスタ１０のソース電極１０Ｓとが接続され、画素電極２０とトランジスタ１０のドレイン電極１０Ｄとが接続されていてもよい。

また、上記実施の形態１、２では、ゲート線４０が行方向に延在し、データ線５０及びタッチ線６０が列方向に延在していたが、これに限らない。ゲート線４０が列方向に延在し、データ線５０及びタッチ線６０が行方向に延在していてもよい。つまり、第１方向が列方向で、第１方向に直交する方向が行方向であってもよい。この場合、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ及び青色画素ＰＸＢの３種の画素は、所定の配列で列方向に周期的に配列されていればよい。

また、上記実施の形態１、２における液晶表示装置は、タッチ機能及び表示機能の両方の機能を有するインセルタッチパネルであったが、これに限らず、タッチ機能及び表示機能のうち表示機能のみを有していてもよい。この場合、タッチ機能を有さない液晶表示装置は、タッチ線６０を有しておらず、タッチ線６０は、コモン線として利用することができる。また、この場合、共通電極３０は、複数に分割されずに画像表示領域１ａ全体にわたって形成された１枚のべた電極であってもよい。

また、上記実施の形態１、２では、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸの間の境界部ごとにゲート線４０が２本ずつ設けられたデュアルゲート構造としたが、これに限らない。例えば、列方向に隣り合う２つの画素ＰＸの間の境界部ごとにゲート線４０が１本ずつ設けられたシングルゲート構造であってもよい。

その他、上記各実施の形態及び変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ 液晶表示装置
１ａ 画像表示領域
１ｂ 額縁領域
２ 画像表示装置
３ バックライト
４ 画像処理部
５ ゲートドライバ
６ ソースドライバ
１０ トランジスタ
１０Ｇ ゲート電極
１０Ｓ ソース電極
１０Ｄ ドレイン電極
１０ＳＣ 半導体層
２０ 画素電極
３０ 共通電極
４０ ゲート線
５０ データ線
６０、６０Ｂ タッチ線
６０Ｄ コモン線
６１ 第１導電膜
６２ 第２導電膜
１００、１００Ｂ、１００Ｄ 第１基板
１１０ 第１透明基材
１２１ 第１絶縁膜
１２２ 第２絶縁膜
１２３ 第３絶縁膜
１２４ 第４絶縁膜
１２４ａ スルーホール
１２５ 第５絶縁膜
２００ 第２基板
２１０ 第２透明基材
２２０ ブラックマトリクス
２３０ カラーフィルタ
２４０ スペーサ
３００ 液晶層
３１０ 封止部材
４００ ゲート端子
４１０、５１０、６１０ 金属層
４２０、５２０、６２０ 第１コンタクト層
４３０、５３０、６３０ 第２コンタクト層
４４０、５４０、５４０Ｆ、６４０ 第１層間絶縁層
４４０ａ、５４０ａ、６４０ａ 第１スルーホール
４５０、５５０、５５０Ｄ、６５０ 第２層間絶縁層
４５０ａ、５５０ａ、６５０ａ 第２スルーホール
４５１、５４１、５５１、６５１ 下絶縁膜
５４２ 中絶縁膜
４５２、５４３、５５２、６５２ 上絶縁膜
５６０ 第２金属層
５００、５００Ａ、５００Ｂ、５００Ｃ、５００Ｄ、５００Ｅ、５００Ｆ ソース端子
６００ タッチ端子
ＰＸ 画素
ＰＸＲ 赤色画素
ＰＸＧ 緑色画素
ＰＸＢ 青色画素
ＳＴＰ ソース端子部
ＧＴＰ ゲート端子部

Claims (19)

1. 複数の画素によって構成された画像表示領域及び前記画像表示領域を囲む額縁領域を有するアクティブマトリクス基板であって、
   前記複数の画素の各々に設けられた画素電極と、
   １つ以上の前記画素電極に対向する共通電極と、
   前記画像表示領域に設けられた信号線と、
   前記額縁領域に設けられ、前記信号線と電気的に接続された端子とを備え、
   前記端子は、
   金属層と、
   前記金属層よりも積層方向における一側に位置し、前記金属層と電気的に接続された第１コンタクト層と、
   前記第１コンタクト層よりも前記積層方向における一側に位置する第１層間絶縁層と、
   前記第１層間絶縁層よりも前記積層方向における一側に位置し、前記第１層間絶縁層に形成された第１スルーホールを介して前記第１コンタクト層と電気的に接続された第２コンタクト層とを有し、
   前記第１コンタクト層は、透明金属酸化物又は不純物がドープされた半導体材料によって構成されている、
   アクティブマトリクス基板。
2. 前記端子は、さらに、前記金属層と前記第１コンタクト層との間に位置する第２層間絶縁層を有し、
   前記第１コンタクト層は、前記第２層間絶縁層に形成された第２スルーホールを介して前記金属層と電気的に接続されている、
   請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
3. 前記第１コンタクト層は、少なくとも前記第２スルーホールにおいて、前記金属層と接触している、
   請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
4. 前記端子は、さらに、前記第１コンタクト層と前記第２コンタクト層との間に位置する第２金属層を有し、
   前記第２金属層は、少なくとも前記第１スルーホールにおいて、前記第２コンタクト層と接触しており、
   前記第２金属層は、少なくとも前記第２スルーホールにおいて、前記第１コンタクト層と接触している、
   請求項２に記載のアクティブマトリクス基板。
5. 前記第２層間絶縁層は、積層された複数の絶縁膜によって構成されている、
   請求項２〜４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
6. 前記アクティブマトリクス基板の上面視において、前記第１スルーホールと前記第２スルーホールとは重なっていない、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
7. 前記端子には、前記第１スルーホールが複数形成されており、
   前記アクティブマトリクス基板の上面視において、前記第２スルーホールの中に、複数の前記第１スルーホールが含まれている、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
8. 前記アクティブマトリクス基板の断面視において、前記第２スルーホールの幅は、前記第１スルーホールの幅よりも大きい、
   請求項７に記載のアクティブマトリクス基板。
9. 前記第１層間絶縁層は、積層された複数の絶縁膜によって構成されている、
   請求項１〜８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
10. 前記第２コンタクト層は、前記画素電極と同層に形成されている、
    請求項１〜９のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
11. 前記第１コンタクト層は、前記共通電極と同層に形成されている、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
12. 前記金属層は、前記信号線と同層に形成されている、
    請求項１〜１１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
13. さらに、前記複数の画素の各々に設けられたトランジスタを備え、
    前記金属層は、前記トランジスタのソースドレイン電極と同層に形成されている、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
14. 前記アクティブマトリクス基板は、前記信号線の一つとして、データ線を有し、
    前記端子は、ソース端子である、
    請求項１〜１３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
15. 前記アクティブマトリクス基板は、前記信号線の一つとして、ゲート線を有し、
    前記端子は、ゲート端子である、
    請求項１〜１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
16. 前記共通電極は、複数に分離されており、
    複数の前記共通電極は、各々が１つ以上の前記画素電極に対向しており、
    前記アクティブマトリクス基板は、前記信号線の一つとして、複数の前記共通電極に接続されたタッチ線を有し、
    前記端子は、タッチ端子である、
    請求項１〜１５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
17. 複数の前記共通電極は、各々が１つ以上の前記画素電極に対向しており、
    前記アクティブマトリクス基板は、前記信号線の一つとして、複数の前記共通電極に接続されたタッチ線を有し、
    前記第２金属層は、前記タッチ線と同層に形成されている、
    請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
18. 前記共通電極は、前記複数の画素にわたって形成されており、
    さらに、前記共通電極の直上に設けられ、コモン電位が印加されるコモン線を備え、
    前記第１コンタクト層は、前記共通電極と同層に形成され、
    前記第２金属層は、前記コモン線と同層に形成されている、
    請求項４に記載のアクティブマトリクス基板。
19. 請求項１〜１８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を備える、
    液晶表示装置。

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