CN102231028A - 引线结构以及具有此引线结构的显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种引线结构及具有此引线结构的显示面板,此引线结构包括多条第一引线以及多条第二引线。每一条第一引线包括第一直线部以及与第一直线部直接连接在一起的第一斜线部。第二引线与第一引线交替设置,且每一条第二引线包括第二直线部、第二斜线部以及接触窗,其中接触窗与第二直线部接触,以使第二斜线部与第二直线部电性连接。特别是,每一第一引线的第一直线部与邻近的第二引线的第二直线部之间的第一间距大于每一第一引线的第一斜线部与邻近的第二引线的第二斜线部之间的第二间距。
Description
技术领域
本发明涉及一种引线结构以及具有此引线结构的显示面板。
背景技术
一般来说,液晶显示器中的液晶显示面板是由像素阵列基板、彩色滤光阵列基板和夹于两基板之间的液晶层所构成。在像素阵列基板中,还会在非显示区设置引线,以使像素阵列与驱动芯片之间电性连接。为了搭配驱动芯片的接点,设置在像素阵列与驱动芯片之间的引线会排列成扇形形式(fan-out)的引线结构。
随着窄边框(slim border)显示面板的发展,已经有越来越多的研究是着重于降低上述扇形引线结构的尺寸。一般来说,为了降低扇形引线结构的尺寸,可以通过缩减引线之间的距离及/或引线的线宽来达成。但是缩小引线的线宽会使引线的电阻值增加,因此不宜过度缩小引线的线宽。另外,降低引线之间的距离虽可达到缩小扇形引线结构的尺寸的目的,但是若过度的缩小引线之间的距离也容易造成相邻两条引线产生短路。因此,如何制造出新式的引线结构以应用于窄边框显示面板,且此引线结构又能同时兼顾显示面板的成品率是有需要的。
发明内容
本发明提供一种显示面板及具有此引线结构的显示面板,其有利于应用在窄边框显示面板,且此引线结构又能同时兼顾显示面板的成品率。
本发明提出一种显示面板,其具有显示区以及非显示区,且此显示面板包括像素阵列、至少一驱动元件、多条第一引线以及多条第二引线。像素阵列位于显示区中。驱动元件位于非显示区中。第一引线位于非显示区中且电性连接像素阵列与驱动元件。每一条第一引线包括第一直线部以及与第一直线部直接连接在一起的第一斜线部。第二引线位于非显示区中且电性连接像素阵列与驱动元件,且第二引线与第一引线交替设置。每一条第二引线包括第二直线部、第二斜线部以及接触窗,其中接触窗与第二直线部接触,以使第二斜线部与第二直线部电性连接。特别是,每一第一引线的第一直线部与邻近的第二引线的第二直线部之间的第一间距大于每一第一引线的第一斜线部与邻近的第二引线的第二斜线部之间的第二间距。
本发明提出一种引线结构,此引线结构包括多条第一引线以及多条第二引线。每一条第一引线包括第一直线部以及与第一直线部直接连接在一起的第一斜线部。第二引线与第一引线交替设置,且每一条第二引线包括第二直线部、第二斜线部以及接触窗,其中接触窗与第二直线部接触,以使第二斜线部与第二直线部电性连接。特别是,每一第一引线的第一直线部与邻近的第二引线的第二直线部之间的第一间距大于每一第一引线的第一斜线部与邻近的第二引线的第二斜线部之间的第二间距。
基于上述,本发明的第一引线的第一直线部与邻近的第二引线的第二直线部之间的第一间距大于每一第一引线的第一斜线部与邻近的第二引线的第二斜线部之间的第二间距,第一引线是由第一直线部以及第一斜线部构成,且第二引线是由第二直线部、第二斜线部以及接触窗所构成。换言之,本发明的引线结构是将第一直线部以及第二直线部的布局设计得较为宽松,并将第一斜线部以及第二斜线部的布局设计得较为密集,且第一斜线部以及第二斜线部是位于不相同的膜层。因此,此种引线结构可以避免相邻的两引线之间产生短路的前提之下,又可有效的缩减引线结构的整体尺寸。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的显示面板的俯视示意图;
图2是图1的引线结构的局部俯视示意图;
图3是沿着图2的剖面线I-I’以及剖面线II-II’的剖面示意图;
图4是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图;
图5是根据另一实施例的引线结构的局部俯视示意图;
图6是根据另一实施例的引线结构的局部俯视示意图;
图7是沿着图6的剖面线III-III’的剖面示意图;
图8是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图;
图9是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图;
图10是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图;
图11是根据本发明另一实施例的显示面板的俯视示意图。
其中,附图标记
AR:像素阵列 SL1~SLn:扫描线
DL1~DLn:数据线 P:像素结构
T:主动元件 PE:像素电极
DR、DR1、DR2:驱动装置 A:显示区
B:非显示区 L1-1~L1-n:第一引线
L2-1~L2-n:第二引线 S1-1~S1-n:第一直线部
S2-1~S2-n:第二直线部 O1-1~O1-n:第一斜线部
O2-1~O2-n:第二斜线部 E2-1~E2-n:延伸部
C2-1~C2-n:连接部 V1~Vn:接触窗
D1、D2:间隙 H、H1、H2:高度
100:基板 102:第一绝缘层
106:第二绝缘层 200:保护结构
M1、M2:导电层 202:中间层
204:覆盖层
具体实施方式
图1是根据本发明一实施例的显示面板的俯视示意图。图2是图1的引线结构的局部俯视示意图。图3是沿着图2的剖面线I-I’以及剖面线II-II’的剖面示意图。请同时参照图1、图2以及图3,本实施例的显示面板包括显示区A以及于显示区A的周围非显示区B。此显示面板包括像素阵列AR、至少一驱动元件DR、多条第一引线L1-1~L1-n以及多条第二引线L2-1~L2-n。
像素阵列AR位于显示区A中。据本实施例,上述像素阵列AR包括多条扫描线SL1~SLn、多条数据线DL1~DLn以及多个像素结构P。
扫描线SL1~SLn与数据线DL1~DLn彼此交越设置,且扫描线SL1~SLn与数据线DL1~DLn之间夹有绝缘层。换言之,扫描线SL1~SLn的延伸方向与数据线DL1~DLn的延伸方向不平行,较佳的是,扫描线SL1~SLn的延伸方向与数据线DL1~DLn的延伸方向大体上垂直。基于导电性的考虑,扫描线SL1~SLn与数据线DL1~DLn一般是使用金属材料。然,本发明不限于此,根据其他实施例,扫描线SL1~SLn与数据线DL1~DLn也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、其他合适的材料或是各种合适材料的堆迭层。
另外,像素结构P包括主动元件T以及像素电极PE。主动元件T可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管,其包括栅极、通道、源极以及漏极。主动元件T与对应的一条扫描线SL1~SLn及对应的一条数据线DL1~DLn电性连接。另外,主动元件T与像素电极PE电性连接。
驱动装置DR位于非显示区B中。驱动装置DR可以提供像素阵列AR特定的驱动信号,以控制像素阵列AR显示特定的影像。在本实施例中,驱动装置DR是设置在显示区A的其中一侧边处,然,本发明不限于此。根据其他实施例,驱动装置亦可以设置在显示区A的其中二侧边处或是设置在显示区A的四周等等。
第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n是位于非显示区B中,且第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n电性连接像素阵列AR与驱动装置DR。在此,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n各自与对应的扫描线SL1~SLn以及数据线DL1~DLn电性连接。换言之,通过第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的设置,便能使驱动装置DR的驱动信号传递到像素阵列AR中。此外,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n彼此交替,换言之,第一引线以及第二引线的排列方向是由右往左依序是第一引线L1-1、第二引线L2-1、第一引线L1-2、第二引线L2-2、.....、第一引线L1-n、第二引线L2-n。
类似地,基于导电性的考虑,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n一般是使用金属材料。然,本发明不限于此,根据其他实施例,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、其他合适的材料或是各种合适材料的堆迭层。此外,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的线宽例如是各自为3~6微米,但本发明不以此为限。
根据本实施例,如图2所示,第一引线L1-1~L1-n包括第一直线部S1-1~S1-n以及与第一直线部S1-1~S1-n连接的第一斜线部O1-1~O1-n。换言之,第一引线L1-1包含第一直线部S1-1以及第一斜线部O1-1,第一引线L1-2包含第一直线部S1-2以及第一斜线部O1-2,且第一引线L1-n包含第一直线部S1-n以及第一斜线部O1-n。而上述的第一直线部S1-1~S1-n的延伸方向与第一斜线部O1-1~O1-n的延伸方向不平行。也就是,第一直线部S1-1~S1-n的延伸方向与第一斜线部O1-1~O1-n的延伸方向之间的夹角不等于0度或是180度。另外,第一直线部S1-1~S1-n的线宽与第一斜线部O1-1~O1-n的线宽大致相等,亦可以不相同,视设计者的需求而定,本发明并不加以限制。
第二引线L2-1~L2-n包括第二直线部S2-1~S2-n、第二斜线部O2-1~O2-n以及接触窗V1~Vn。换言之,第二引线L2-1包含第二直线部S2-1、第二斜线部O2-1以及接触窗V1,第二引线L2-2包含第二直线部S2-2、第二斜线部O2-2以及接触窗V2,且第二引线L2-n包含第二直线部S2-n、第二斜线部O2-n以及接触窗Vn。特别是,根据图2的实施例,上述的第二直线部S2-1~S2-n包括延伸部E2-1~E2-n以及连接部C2-1~C2-n。举例来说,第二直线部S2-1包括延伸部E2-1以及连接部C2-1,第二直线部S2-2包括延伸部E2-2以及连接部C2-2,且第二直线部S2-n包括延伸部E2-n以及连接部C2-n。而上述的连接部C2-1~C2-n是与第二斜线部O2-1~O2-n直接连接在一起,且接触窗V1~Vn是位于延伸部E2-1~E2-n与连接部C2-1~C2-n之间,以电性连接延伸部E2-1~E2-n与连接部C2-1~C2-n。
以第二引线L2-1为例,第二引线L2-1包括第二直线部S2-1(包含延伸部E2-1以及连接部C2-1)、第二斜线部O2-1以及接触窗V1。第二直线部S2-1的延伸部E2-1是延伸至接触窗V1处,第二直线部S2-1的连接部C2-1从接触窗V1处往第二斜线部O2-1延伸并与第二斜线部O2-1连接,且接触窗V1电性连接第二直线部S2-1的延伸部E2-1以及第二直线部S2-1的连接部C2-1。
类似地,第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n的延伸方向与第二斜线部O2-1~O2-n的延伸方向不平行。也就是,第二直线部S2-1~S2-n的延伸方向与第二斜线部O2-1~O2-n的延伸方向之间的夹角不等于0度或是180度。另外,第二直线部S2-1~S2-n的线宽与第二斜线部O2-1~O2-n的线宽大致相等,亦可以不相同,视设计者的需求而定,本发明并不加以限制。
另外,上述的第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n彼此大体上平行设置,且第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n是往驱动元件DR延伸并与驱动元件DR电性连接。上述的第一引线L1-1~L1-n的第一斜线部O1-1~O1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n彼此大体上平行设置,且第一引线L1-1~L1-n的第一斜线部O1-1~O1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n是往像素阵列AR延伸并与像素阵列AR电性连接。
特别是,每一第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n与邻近的第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n之间具有第一间距D1。举例来说,第一直线部S1-1与第二直线部S2-1之间的间距为D1。另外,每一第一引线L1-1~L1-n的第一斜线部O1-1~O1-n与邻近的第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n之间具有第二间距D2。举例来说,第一斜线部O1-1与第二斜线部O2-1之间的间距为D2。上述的第一间距D1大于第二间距D2。举例来说,第一间距D1约为10~20微米,且第二间距D2约为1.5~6微米,但本发明不以此为限。
因此,第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n与第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n之间的排列较为宽松,而第一引线L1-1~L1-n的第一斜线部O1-1~O1-n与第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n之间的排列较为紧密。
值得一提的是,在本实施例中,如图2以及图3所示,第一引线L1-1~L1-n(包含第一直线部S1-1~S1-n与第一斜线部O1-1~O1-n)以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S1-1~S1-n的延伸部E2-1~E2-n是属于第一导电层。第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n以及第二直线部S2-1~S2-n的连接部C2-1~C2-n是属于第二导电层。以本实施例来说,如图3所示,第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位于基板100上,且第一绝缘层102覆盖所述第一导电层。第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n以及第二直线部S2-1~S2-n的连接部C2-1~C2-n)是位于第一绝缘层102上,且第二绝缘层106覆盖第一绝缘层102以及第二导电层。特别是,接触窗V1~Vn是位于第一绝缘层102中,以电性连接位于第一导电层的延伸部E2-1~E2-n以及位于第二导电层的连接部C2-1~C2-n。上述的第一绝缘层102以及第二绝缘层106的材料可分别包含无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆迭层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。
根据本实施例,由于第一直线部S1-1~S1-n与第二直线部S2-1~S2-n之间的间距D1较大,因此将第一直线部S1-1~S1-n与第二直线部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n制作在同一层导电层不会使得彼此产生短路问题。而由于第一斜线部O1-1~O1-n与第二斜线部O2-1~O2-n之间的间距D2较小,因此将第一斜线部O1-1~O1-n与第二斜线部O2-1~O2-n制作在不同的导电层可以避免两者之间产生短路。上述引线结构的布局方式可以使得引线结构的整体面积缩小,以利于应用在窄边框显示面板中。
值得一提的是,在图2及图3的实施例中,第一直线部S1-1~S1-n与第二直线部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n是设置在第一导电层,因而其上方覆盖有第一绝缘层102以及第二绝缘层106两层绝缘层。此种引线结构的设计的另一优点是,当引线结构受到外力的冲击时,通过两层绝缘层的保护可以减少引线结构受到损害的机会。
在上述图3的实施例中,第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位于基板100上,且第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n以及第二直线部S2-1~S2-n的连接部C2-1~C2-n)是设置在第一导电层的上方。但,本发明不限于此,根据其他实施例,第一导电层也可以是设置在第二导电层的上方,如图4所示。
图4是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。图4的实施例与图3的实施例相似,因此相同的元件以相同的符号表示,且不再重复说明。在图4的实施例中,第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n以及第二直线部S2-1~S2-n的连接部C2-1~C2-n)是设置在基板100上,且第一绝缘层102覆盖所述第二导电层。第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n的延伸部E2-1~E2-n)是位于第一绝缘层102上,且第二绝缘层106覆盖第一绝缘层102以及第一导电层。类似地,接触窗V1~Vn是位于第一绝缘层102中,以电性连接连接部C2-1~C2-n与延伸部E2-1~E2-n。
图5是根据另一实施例的引线结构的局部俯视示意图。图5的实施例与图2的实施例相似,因此相同的元件以相同的符号表示,且不再重复说明。图5的实施例与图2的实施例不同之处在于,接触窗V1~Vn是位于第二直线部S2-1~S2-n与第二斜线部O2-1~O2-n之间。换言之,在本实施例中,第一引线L1-1~L1-n(包含第一直线部S1-1~S1-n以及第一斜线部S1-1~O1-n)以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n是属于第一导电层,但第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n是属于第二导电层。而接触窗V1~Vn是设置于第二直线部S2-1~S2-n与第二斜线部O2-1~O2-n之间。
另外,第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n)可以设置在第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n)的下方。换言之,第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n)是位于基板上,且被第一绝缘层覆盖。第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n)是位于第一绝缘层上,且被第二绝缘层覆盖。
当然,第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n)也可以设置在第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n)的下方。换言之,上述的第一导电层(第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n)是设置在基板上,且被第一绝缘层覆盖。第二导电层(第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n)是位于第一绝缘层上,且被第二绝缘层覆盖。
图6是根据另一实施例的引线结构的局部俯视示意图。图7是沿着图6的剖面线III-III’的剖面示意图。请参照图6及图7,本实施例与上述图2的实施例相似,因此相同的元件以相同的符号表示,且不再重复说明。在图6及图7的实施例中,此引线结构更包括多个保护结构200,其位于每一条第二引线L2-1~L2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n之间。举例来说,在第二引线L2-1与第一引线L1-1之间设置有保护结构200,且在第二引线L2-1与第一引线L1-1之间也设置有保护结构200。
特别是,保护结构200的高度是大于或是等于第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n上方的第二绝缘层106的高度。根据本实施例,保护结构200是由多层膜层堆迭而成。所述多层膜层可为金属材料、绝缘材料、半导体材料、金属氧化物材料等等,其主要是根据显示面板的像素阵列AR的工艺以及其所采用的材料有关。
以图7的实施例为例,所述保护结构200是由导电图案M1、第一绝缘层102以及第二绝缘层106堆迭而成,且保护结构200是设置在每一条第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n邻近的第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n之间。上述的导电图案M1例如是金属材料。另外,保护结构200的高度H与第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n上方的第二绝缘层106的高度H相当。
承上所述,由于每一条第二引线L2-1~L2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n之间设置有保护结构200,且保护结构200的高度是大于或是等于第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n上方的第二绝缘层106的高度。因此,当所述引线结构遭到外力的冲击时,保护结构200可以降低第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n遭到伤害的机率。
值得一提的是,倘若保护结构200的多层膜层的最上一层为绝缘材料,可避免保护结构200造成两侧的引线产生短路。然,本发明不限于此,倘若保护结构200与两侧的引线之间的距离足够大,保护结构200的最上一层也不一定要采用绝缘材料。
此外,在本实施例中,保护结构200是设置在每一第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n之间。举例来说,保护结构200是设置在第二引线L2-1的第二直线部S2-1与第一引线L1-1的第一直线部S1-1之间,且保护结构200也是设置在第二引线L2-1的第二直线部S2-1与第一引线L1-2的第一直线部S1-2之间。然而,本发明不限于此。
根据其他实施例,倘若第一引线L1-1~L1-n的第一斜线部O1-1~O1-n与邻近的第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n之间的间距D2足够大,那么保护结构200也可进一步设置在第二引线L2-1~L2-n的第二斜线部O2-1~O2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n的第一斜线部O1-1~O1-n之间。
图8是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。请参照图8,本实施例的引线结构与上述图7的引线结构相似,因此相同的元件以相同的符号表示,且不再重复赘述。在图8的实施例中,保护结构200是由第一绝缘层102、导电图案M2以及第二绝缘层106堆迭而成。导电图案M2例如是金属材料。此外,保护结构200的高度H与第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n上方的第二绝缘层106的高度H相当。
承上所述,由于每一条第二引线L2-1~L2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n之间设置有保护结构200,且保护结构200的高度是大于或是等于第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n上方的第二绝缘层106的高度。因此,当所述引线结构遭到外力的冲击时,保护结构200可以降低第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n遭到伤害的机率。
图9是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。请参照图9,本实施例的引线结构与上述图7的引线结构相似,因此相同的元件以相同的符号表示,且不再重复赘述。在图9的实施例中,保护结构200是由导电图案M1、第一绝缘层102、中间层202、导电图案M2以及第二绝缘层106堆迭而成。上述的导电图案M1例如是金属材料。中间层202例如是半导体材料或是介电层材料,其可为非晶硅、多晶硅、微晶硅、经过掺杂的硅材料、有机材料、氧化硅或氮化硅等,但本发明不加以限定。导电图案M2例如是金属材料。此外,保护结构200的高度H2大于第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n上方的第二绝缘层106的高度H1。在另一实施例中,保护结构200的迭层结构中,也可以只具有一层导电图案M1或是导电图案M2,换言之,并不要求保护结构200同时具有导电图案M1以及导电图案M2。
承上所述,由于每一条第二引线L2-1~L2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n之间设置有保护结构200,且保护结构200的高度H2明显大于第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n上方的第二绝缘层106的高度H1。因此,因此当所述引线结构遭到外力的冲击时,保护结构200将首先面临所述外力的冲击,因而可以保护第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n免于遭到外力的伤害。
图10是根据另一实施例的引线结构的剖面示意图。请参照图10,本实施例的引线结构与上述图7的引线结构相似,因此相同的元件以相同的符号表示,且不再重复赘述。在图10的实施例中,保护结构200是由导电图案M1、第一绝缘层102、中间层202、导电图案M2、第二绝缘层106以及覆盖层204堆迭而成。上述的导电图案M1例如是金属材料。中间层202例如是半导体材料或是介电层材料,其可为非晶硅、多晶硅、微晶硅、经过掺杂的硅材料、有机材料、氧化硅或氮化硅等,但本发明不加以限定。导电图案M2例如是金属材料。覆盖层204例如是金属氧化物材料或是绝缘材料。此外,保护结构200的高度H2大于第一引线L1-1~L1-n的第一直线部S1-1~S1-n以及第二引线L2-1~L2-n的第二直线部S2-1~S2-n上方的第二绝缘层106的高度H1。在另一实施例中,保护结构200的迭层结构中,也可以只具有一层导电图案M1或是导电图案M2,最上层再覆盖覆盖层204,换言之,并不要求保护结构200同时具有导电图案M1以及导电图案M2。
类似地,由于每一条第二引线L2-1~L2-n与邻近的第一引线L1-1~L1-n之间设置有保护结构200,且保护结构200的高度H2明显大于第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n上方的第二绝缘层106的高度H1。因此,因此当所述引线结构遭到外力的冲击时,保护结构200将首先面临所述外力的冲击,因而可以保护第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n免于遭到外力的伤害。
在上述图1的实施例中,驱动装置DR是设置在显示区A的其中一侧边处,且扫描线SL1~SLn以及数据线DL1~DLn都是电性连接至此驱动装置DR。而以下的实施例的显示面板中,驱动装置是设置在显示区A的其中二侧边处,且扫描线SL1~SLn以及数据线DL1~DLn是各自电性连接至对应的驱动装置。
图11是根据本发明另一实施例的显示面板的俯视示意图。在此实施例中,与上述图1的实施例相同的元件以相同的符号表示,且不再重复赘述。请参照图11,在本实施例中,驱动装置DR1、DR2位于显示区A两边的非显示区B中,且驱动装置DR1、DR2可以提供像素阵列AR特定的驱动信号,以控制DR1、DR2显示特定的影像。
另外,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n是位于非显示区B中,且第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n电性连接像素阵列AR与驱动装置DR1、DR2。类似地,透过第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n的设置,便能使驱动装置DR1、DR2的驱动信号传递到像素阵列AR中。此外,第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n彼此交替,换言之,第一引线以及第二引线的排列方向是由右往左依序是第一引线L1-1、第二引线L2-1、第一引线L1-2、第二引线L2-2.....。
特别是,在图11的显示面板中的引线结构(包含第一引线L1-1~L1-n以及第二引线L2-1~L2-n)可以采用上述图2至图10中的任一种实施例所述的引线结构。
综上所述,本发明的第一引线的第一直线部与邻近的第二引线的第二直线部之间的第一间距大于每一第一引线的第一斜线部与邻近的第二引线的第二斜线部之间的第二间距,第一引线是由第一直线部以及第一斜线部构成,且第二引线是由第二直线部、第二斜线部以及接触窗所构成。换言之,本发明的引线结构是将第一直线部以及第二直线部的布局设计得较为宽松,并将第一斜线部以及第二斜线部的布局设计得较为密集,且第一斜线部以及第二斜线部是位于不相同的膜层。因此,此种引线结构可以避免相邻的两引线之间产生短路的前提之下,又可有效的缩减引线结构的整体尺寸。
此外,若第一直线部与第二直线部(延伸部)是设置在下层的导电层,而使其上方覆盖有第一绝缘层以及第二绝缘层两层绝缘层。此种引线结构的设计的另一优点是,当引线结构受到外力的冲击时,通过两层绝缘层的保护可以减少引线结构受到损害的机会。
再者,若在第一引线与邻近的第二引线之间设置保护结构,此保护结构可以进一步保护第一引线以及第二引线免于遭到外力的伤害,或者降低第一引线以及第二引线免于遭到外力伤害的机会。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (26)
1.一种显示面板,其特征在于,具有一显示区以及一非显示区,该显示面板包括:
一像素阵列,位于该显示区中;
至少一驱动元件,位于该非显示区中;
多条第一引线,位于该非显示区中且电性连接该像素阵列与该驱动元件,其中每一条第一引线包括:一第一直线部以及一第一斜线部;该第一斜线部与该第一直线部直接连接在一起;
多条第二引线,位于该非显示区中且电性连接该像素阵列与该驱动元件,其中这些第二引线与这些第一引线交替设置,且每一条第二引线包括:一第二直线部、一第二斜线部以及一接触窗;该接触窗与该第二直线部接触,以使第二斜线部与该第二直线部电性连接;
其中,每一这些第一引线的该第一直线部与邻近的该第二引线的该第二直线部之间的一第一间距大于每一这些第一引线的该第一斜线部与邻近的该第二引线的该第二斜线部之间的一第二间距。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,其中该第一间距介于10~20微米,且该第二间距介于1.5~6微米。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,其中该第二直线部包括一延伸部以及一连接部,该连接部与该第二斜线部直接连接在一起,且该接触窗位于该延伸部与该连接部之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,其中这些第一引线以及这些第二引线的这些第二直线部的该延伸部是属于一第一导电层,且这些第二引线的这些第二斜线部以及这些第二直线部的该连接部是属于一第二导电层。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,其中该第一导电层位于该第二导电层的下方或是上方。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,更包括:
一第一绝缘层,覆盖该第一导电层,且该第二导电层位于该第一绝缘层上;
以及
一第二绝缘层,覆盖该第二导电层。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,其中该接触窗位于该第二直线部与该第二斜线部之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,其中这些第一引线以及这些第二引线的这些第二直线部是属于一第一导电层,且这些第二引线的这些第二斜线部是属于一第二导电层。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,其中该第一导电层位于该第二导电层的上方或是下方。
10.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,更包括:
一第一绝缘层,覆盖该第一导电层,且该第二导电层位于该第一绝缘层上;
以及
一第二绝缘层,覆盖该第二导电层。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,更包括多个保护结构,位于每一这些第二引线与邻近的这些第一引线之间。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,其中这些保护结构的高度大于或等于这些第一引线的高度以及这些第二引线的高度。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,其中这些保护结构是由多层膜层堆迭而成,且这些膜层的最上一层为一绝缘材料。
14.一种引线结构,其特征在于,包括:
多条第一引线,每一条第一引线包括:一第一直线部以及一第一斜线部;该第一斜线部与该第一直线部直接连接在一起;
多条第二引线,这些第二引线与这些第一引线交替设置,且每一条第二引线包括:一第二直线部、一第二斜线部以及一接触窗;该接触窗与该第二直线部接触,以使该第二斜线部与该第二直线部电性连接;
其中,每一这些第一引线的该第一直线部与邻近的该第二引线的该第二直线部之间的一第一间距大于每一这些第一引线的该第一斜线部与邻近的该第二引线的该第二斜线部之间的一第二间距。
15.根据权利要求14所述的引线结构,其特征在于,其中该第一间距介于10~20微米,且该第二间距介于1.5~6微米。
16.根据权利要求14所述的引线结构,其特征在于,其中该第二直线部包括一延伸部以及一连接部,该连接部与该第二斜线部直接连接在一起,且该接触窗位于该延伸部与该连接部之间。
17.根据权利要求16所述的引线结构,其特征在于,其中这些第一引线与这些第二引线的这些第二直线部的该延伸部是属于一第一导电层,且这些第二引线的这些第二直线部的该连接部与这些第二引线的这些第二斜线部是属于一第二导电层。
18.根据权利要求16所述的引线结构,其特征在于,其中该第一导电层位于该第二导电层的下方或是上方。
19.根据权利要求16所述的引线结构,其特征在于,更包括:
一第一绝缘层,覆盖该第一导电层,且该第二导电层位于该第一绝缘层上;
以及
一第二绝缘层,覆盖该第二导电层。
20.根据权利要求14所述的引线结构,其特征在于,其中该接触窗位于该第二直线部与该第二斜线部之间。
21.根据权利要求20所述的引线结构,其特征在于,其中这些第一引线以及这些第二引线的这些第二直线部是属于一第一导电层,且这些第二引线的这些第二斜线部是属于一第二导电层。
22.根据权利要求20所述的引线结构,其特征在于,其中该第一导电层位于该第二导电层的上方或是下方。
23.根据权利要求20所述的引线结构,其特征在于,更包括:
一第一绝缘层,覆盖该第一导电层,且该第二导电层位于该第一绝缘层上;
以及
一第二绝缘层,覆盖该第二导电层。
24.根据权利要求14所述的引线结构,其特征在于,更包括多个保护结构,位于每一这些第一引线与邻近的该第二引线之间。
25.根据权利要求24所述的引线结构,其特征在于,其中这些保护结构的高度大于或等于这些第一引线的高度以及这些第二引线的高度。
26.根据权利要求24所述的显示面板,其特征在于,其中这些保护结构是由多层膜层堆迭而成,且这些膜层的最上一层为一绝缘材料。
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