JP2001083540A - ワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法 - Google Patents

ワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法

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JP2001083540A
JP2001083540A JP2000022011A JP2000022011A JP2001083540A JP 2001083540 A JP2001083540 A JP 2001083540A JP 2000022011 A JP2000022011 A JP 2000022011A JP 2000022011 A JP2000022011 A JP 2000022011A JP 2001083540 A JP2001083540 A JP 2001083540A
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pixel
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Asho Tai
戴亞翔
Ritsusei So
莊立聖
Shiko Chin
陳志宏
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 開口透光率が高く、断線及び電荷残留に対し
て許容度が大きいワイドビューアングル液晶ディスプレ
イを提供する。 【解決手段】 ガラス基板上層表面の上方に複数のスキ
ャン信号ライン、複数の資料信号ラインと複数のスイッ
チデバイス、及びそれぞれが独立した複数の画素電極３
０１，３０２が設けられる。スキャン信号ライン区域３
０３と資料信号ライン区域３０４はお互いに垂直に排列
され、画素マトリックスを定義する。この基板上を隔離
絶縁層でカバーし、基板上方に共電極層を形成し、その
中、各画素に対して、スキャン信号ライン区域と資料信
号ライン区域の交叉する附近にスイッチデバイスである
薄膜トランジスタ３０５を設ける。このスイッチデバイ
ス３０５のゲートはスキャン信号ライン区域に連接し、
ドレインは資料信号ライン区域に連接し、画素電極はこ
のスイッチデバイスのソースに連接する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶ディスプレイの
電極構造の技術に関し、特にワイドビューアングル液晶
ディスプレイの電極構造の製作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイは、すでに電子工業産
品に広く使用されている。また、近年、ワイドビューア
ングル液晶ディスプレイの技術は向上している。従来の
液晶ディスプレイ装置のワイドビューアングル技術は、
ＩＰＳ（in-plane switch）パターンを使用している。
但し、そのクシ状画素電極と共電極は、金属により製造
されている。このため、開口透光率を上げる事はできな
かった。近来、新発展のＦＦＳ（fringe field switc
h）パターンにより、その画素電極と共電極を透明なイ
ンジウム錫酸化物（indium-tin-oxide, ITO）電極によ
り製造し、液晶ディスプレイ装置の光度を大幅に増加さ
せている。ＦＦＳパターンの電極構造設計は、その画素
電極がクシ状の構造で、共電極は平板状の構造である。
しかし、クシ状構造の画素電極は、平板状構造の共電極
上方に設けられている。しかし、この種のＦＦＳパター
ンの電極構造では、２回のインジウム錫酸化物の製作過
程が必要となる。
【０００３】図１は、従来のワイドビューアングル液晶
ディスプレイの単一画素の電極構造１００の平面図であ
る。図１に示すように、この電極構造上層の画素電極１
０１はクシ状構造で、下層共電極１０２は平板状構造で
ある。単一画素内で、スキャン信号ライン１０３と資料
信号ライン１０４の交叉する附近に薄膜トランジスタ１
０５のようなスイッチデバイスを設ける。薄膜トランジ
スタ１０５は、単一画素電極が充放電するスイッチをコ
ントロールしている。これを、主動式ドライブ方法とい
う。電極構造中で共電極層をもう一つの基板上に設け
て、例えばＴＮ型の電極構造のようにする。また、画素
電極層と共電極層を同一基板上に設け、例えばＩＰＳ或
いはＦＦＳの液晶ディスプレイの電極構造の製作方法の
ようにする。主動式コントロールデバイスは、薄膜トラ
ンジスタ以外に、更にＭＯＳトランジスタ、ダイオー
ド、金属絶縁金属トランジスタと変阻器等を含む。この
種の電極構造では、一層だけの上層画素電極１０１がク
シ状のため、上下層電極の対位誤差の許容度は大きい。
上下層電極がお互いに交わり自然に電気容量貯蔵区を形
成し、透光区を占める必要をなくして開口透光率を高め
る。
【０００４】図２は、図１の断面図である。画素電極層
と共電極層は、同一基板上に設けられている。図２に示
すように、電極構造の平板状の下層共電極層２０１をガ
ラス基板２０２上に設置し、この共電極層２０１とクシ
状画素電極２０３、２０４、２０５との間に不導電の隔
離絶縁層２０６が設けられている。液晶層２０７によっ
て、この電極構造のガラス基板２０２とガラス基板２０
８との間が結合されている。上述電極構造の画素電極と
共電極は、透明なインジウム錫酸化物電極でつくられて
いる。これによって、液晶ディスプレイ装置の光度は増
加する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の従来
の液晶ディスプレイ装置の電極構造には下記の欠点があ
る。まず、（ａ）上層クシ状画素電極の隅部分の透光度
が十分ではない点である。次に、（ｂ）コーナー部分の
電場が比較的強く、容易に電荷残留を発生させている点
である。次に、（ｃ）資料信号ラインと電極（共電極或
いは画素電極を含む）間に一定の距離が必要なため、開
口透光率が減少する点である。次に、（ｄ）インジウム
錫酸化物を形成した後、繰り返して製造する作業が容易
ではない点である。
【０００６】本発明の主な目的は、ワイドビューアング
ル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法を提供するこ
とである。この電極構造はそれぞれが独立する画素電極
と全部が連なる共電極の構造を有する。下層画素電極を
基板上に形成し、また上層共電極も基板上に設置する。
本発明の電極構造は、基板、共電極層、隔離絶縁層を含
む。この基板上はガラス基板を含み、またガラス基板上
層表面の上方に複数のスキャン信号ライン、複数の資料
信号ラインと複数のスイッチデバイス、及び各独立する
複数の画素電極が設けられる。この複数のスキャン信号
ラインと複数の資料信号ラインはお互いに垂直に排列さ
れて、画素マトリックスを定義する。共電極層は、基板
上方に位置し、並びに液晶ディスプレイの共電極電圧電
性と相連なる。隔離絶縁層は、不導電の透明絶縁材質
で、並びに、複数の画素電極と共電極層の間を介して、
この複数個の独立した画素電極と共電極層を相隔てる。
各画素に対して、スキャン信号ラインと資料信号ライン
の交わる附近に最低一つのスイッチデバイスを設ける。
このスイッチデバイスのゲートをスキャン信号ラインに
連接し、ドレインを資料信号ラインに連接し、画素電極
はスイッチデバイスのソースと連接する。本発明の上下
層排列の電極構造は、その画素電極と共電極がお互いに
交叉して自然に電気容量貯蔵区を形成し、透光区を占め
る必要がない。隔離絶縁層上に必要な接触孔を皆画素マ
トリックス区域外に形成し、外の透光区を占める必要を
なくして開口透光率を高める。
【０００７】本発明の更なる目的は、ワイドビューアン
グル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法の製作方法
を提供する事である。本製作方法は先に従来の液晶ディ
スプレイの電極構造の製作方法パターンで基板を製作
し、この基板上に各画素電極で平板電極をつくる。再び
隔離絶縁層でカバーした後、柵状のインジウム錫酸化物
で相連なる共電極の構造を作成する。断線及び電荷残留
に対して許容度が大きく、インジウム錫酸化物を形成
し、また容易に繰り返して製作することができるように
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のワイドビューア
ングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法の製作方
法は下記のステップを含む。（ａ）基板を形成し、この
基板上はガラス基板を含む。ガラス基板上層表面の上方
に複数のスキャン信号ライン、複数の資料信号ラインと
複数のスイッチデバイス、及びそれぞれが独立した複数
の画素電極が設けられ、スキャン信号ラインと資料信号
ラインはお互いに垂直に排列され、画素マトリックスを
定義する。（ｂ）この基板上を隔離絶縁層でカバーす
る。（ｃ）この基板の上方に共電極層を形成し、その
中、各画素に対して、スキャン信号ラインと資料信号ラ
インの交叉する附近に最低一つのスイッチデバイスを設
ける。このスイッチデバイスのゲートは、スキャン信号
ラインに連接し、ドレインは資料信号ラインに連接し、
画素電極はこのスイッチデバイスのソースに連接する。
本発明によると、電性導通に必要な接触孔を画素マトリ
ックス区域の外に形成するため、開口透光率は減少しな
い。
【０００９】本発明の実施例中で、上層共電極は複数の
柵状或いは杉綾模様状構造を呈し、下層画素電極は平板
状構造を呈する。第一実施例では、上層共電極は柵状構
造を呈し、画素電極と共電極は資料信号ライン上を跨が
ない。第二実施例中では、上層共電極構造を上層のイン
ジウム錫酸化物上に設置し、画素電極と共電極を資料信
号ライン上を跨がせ、第一実施例よりも更に開口透光率
を増加させ、ディスプレイの透光区も更に増大させる。
第三実施例中では、上層共電極は杉綾模様構造を呈す
る。其の他、電気抵抗を減少するため、上層共電極間の
適当な位置で横向きに連結する。これは本発明の第四実
施例の電極構造である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図３から図１９に基づい
て、本発明の実施の形態について説明する。図３は、本
発明の第一実施例の単一画素の電極構造３００の平面図
である。図３に示すように、この電極構造３００の上層
共電極３０１は、柵状構造で、下層画素電極３０２は平
板状構造である。スキャン信号ライン区域３０３と資料
信号ライン区域３０４をお互いに垂直に排列して画素マ
トリックスを定義する。図３に示すように、単一画素内
でスイッチデバイスの薄膜トランジスタ３０５をスキャ
ン信号ライン区域３０３と資料信号ライン区域３０４が
交叉する附近に設置する。また、スキャン信号ライン区
域３０３と資料信号ライン区域３０４で画素電極３０２
を囲む。もう一方の補助共電極線区域３０６と資料信号
ライン区域３０４は、お互いに垂直の関係である。単一
画素内で、スイッチデバイスの薄膜トランジスタのゲー
トはスキャン信号ラインに連接し、ドレインは資料信号
ラインに連接、ソースは画素電極に連接する。この実施
例の中で、平板状画素電極３０２は資料信号ライン区域
３０４とスキャン信号ライン区域３０３上を跨がずに、
柵状共電極層３０１は伸びてスキャン信号ライン区域３
０３上を跨ぐ。もう一方の平板状画素電極３０２は補助
共電極線区域３０６上を跨ぎ、柵状共電極層３０１は伸
びて平板状画素電極３０２上に位置する。本発明の上層
柵状と伸びた共電極層の構造により液晶ディスプレイの
透光度を増加させ、同時にコーナー部分の比較的強い電
場或いは残留電荷発生の現象をなくす。
【００１１】さらに、図３は、実施例の製作流れ図であ
る。本発明によると、この製作過程は基板の形成、基板
上を隔離絶縁層でカバー、及び共電極層の形成を含む。
基板の形成は図３のＡ−Ａ’部分の断面図で製作過程を
説明し、共電極層の形成は図３のＢ−Ｂ’部分の断面図
で製作過程を説明する。そして図３のＣ−Ｃ’部分の断
面図で補助共電極ライン区域の形成を示す。
【００１２】図４〜図９は、本発明の第一実施例の各部
分の製作ステップである。従来のＴＮパターンの液晶デ
ィスプレイの製造方法により、薄膜トランジスタ基板が
製作される。本実施例中では、図４に示すように、先に
ガラス基板４０３上にスキャン信号ライン金属層４０１
と補助共電極線金属層４０２を形成し、金属層４０１と
金属層４０２を同じ層に設け、同時に同一材料で製作す
る。そして、図４のステップの後、図５に示すように、
絶縁層４０４をカバーして島状区域４０５を形成し、薄
膜トランジスタの主動層を提供する。また、この薄膜ト
ランジスタはゲート、ドレイン、ソースを含む。図５の
ステップの後、インジウム錫酸化物を形成して、平板状
の画素電極４０６を製作し、画素電極４０６は島状区域
４０５上を跨がず、図６に示すようにする。画素マトリ
ックス区域外に、複数個の接触孔を設けることにより、
金属層４０１と金属層４０２を電性導通させる。図６の
ステップ後、島状区域４０５上方に資料信号ライン金属
層４０７を形成し、図７に示すような状態にする。薄膜
トランジスタのゲートをスキャン信号ライン金属層４０
１に連接し、ドレインを資料信号ライン金属層４０７に
連接し、ソースを画素電極４０６に連接する。図７のス
テップの後、この基板上を隔離絶縁層４０８でカバーし
て、図８に示す状態とする。画素マトリックス区域外に
複数個の接触孔を形成することにより資料信号ライン金
属層４０７と電性導通させる。
【００１３】最後に、図９に示すように、画素電極４０
６と隔離絶縁層４０８の上方にインジウム錫酸化物を形
成して柵状共電極層４０９を製作する。共電極層４０９
は柵状を呈して両辺が延びた状態で、また資料信号ライ
ン金属層と平行となる（図９では省略）。図１０は、本
発明のワイドビューアングル液晶ディスプレイの第二実
施例の単一画素の電極構造の平面図である。図１０に示
すように、この第二実施例中で、平板状画素電極５０２
は資料信号ライン区域５０４上を跨ぎ、柵状共電極層５
０１は延びてスキャン信号ライン区域５０３上を跨ぐ。
また平板状画素電極５０２は補助共電極線区域５０６の
上を跨ぎ、柵状共電極層５０１は伸びて平板状画素電極
５０２上に位置する。その他は第一実施例と同じであ
る。
【００１４】図１１〜図１７は、本発明の第二実施例の
製作流れ図である。図１０のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−
Ｃ’部分の断面図で第二実施例の製作の流れを説明す
る。図１１および図１２に示すステップと、図４および
図５に示すステップは同じである。図１２のステップの
後、島状区域４０５上方に、資料信号ライン金属層４０
７を形成して図１３が示すような状態にする。図１３の
ステップの後、この基板上方を隔離絶縁層６４１でカバ
ーし、並びにこの隔離絶縁層の上部表面を水平状にし
て、図１４に示すような状態にする。図１４のステップ
の後、インジウム錫酸化物を形成して平板状の画素電極
６５１を製作し、並びに画素電極６５１を島状区域４０
５の上方を跨がせ、図１５に示すような状態にする。図
１５のステップの後、基板上方を絶縁層６６１でカバー
して図１６の示すような状態にする。そして画素区域外
に、複数個の接触孔を形成して電性導通を達成する。最
後に、画素電極６５１と隔離絶縁層６６１の上方に、イ
ンジウム錫酸化物を形成して柵状共電極層６７１を製作
し、図１７に示すようにする。この第二実施例の中で
は、画素電極と共電極は資料信号ライン上を跨ぎ、第一
実施例と較べると開口透光率がより増加して、ディスプ
レイの透光区も更に増大する。
【００１５】本発明の電極構造は、上層共電極が杉綾構
造の設計でもよく、図１８に示す第三実施例のように、
上層共電極７０１を杉綾構造にする。第三実施例の中で
上層共電極７０１の構造をインジウム錫酸化物上に設
け、第二実施例と似たようにする。また、画素電極と共
電極設計は資料信号ラインを跨がずに第一実施例と似せ
てもよい。
【００１６】さらに電気抵抗を減らす為に、上層共電極
間の適当な位置、たとえばスキャン信号ライン区域或い
は資料信号ライン区域上で、横向きに連結する。図１９
に示すのは、第四実施例の電極構造で、上層共電極８０
１がスキャン信号ライン区域５０３上にあり、二つとも
横向きに連結される。本発明の電極構造中の共電極層或
いは画素電極は導電材料で製造する。導電材料は透明或
いは不透明な材料を含む。透明な導電材料は、インジウ
ム錫酸化物、酸化錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポ
リシリコン膜、Ｐ型ポリシリコン膜または酸化亜鉛など
である。非透明な導電材料は、金属材料などである。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、その画素電極と共電極
がお互いに交叉して自然に電気容量貯蔵区を形成する上
下層排列の電極構造により、透光区を占める必要が無く
なる。隔離絶縁層上に必要な接触孔を画素マトリックス
区域外に形成して、外の透光区を占める必要が無いため
開口透光率が高まる。従来の液晶ディスプレイの電極構
造の製作方法パターンで基板を製作し、この基板上に各
画素電極で平板電極をつくる。再び隔離絶縁層でカバー
した後、柵状のインジウム錫酸化物で相連なる共電極の
構造を作成することにより、断線及び電荷残留に対して
許容度が大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の液晶ディスプレイの単一画素の電極構造
の平面図である。
【図２】図１の断面図である。
【図３】第一実施例の単一画素の電極構造平面図であ
る。
【図４】第一実施例の製作流れ図である。
【図５】第一実施例の製作流れ図である。
【図６】第一実施例の製作流れ図である。
【図７】第一実施例の製作流れ図である。
【図８】第一実施例の製作流れ図である。
【図９】第一実施例の製作流れ図である。
【図１０】第二実施例の単一画素の電極構造の平面図で
ある。
【図１１】第二実施例の製作流れ図である。
【図１２】第二実施例の製作流れ図である。
【図１３】第二実施例の製作流れ図である。
【図１４】第二実施例の製作流れ図である。
【図１５】第二実施例の製作流れ図である。
【図１６】第二実施例の製作流れ図である。
【図１７】第二実施例の製作流れ図である。
【図１８】第三実施例の単一画素の電極構造の平面図で
ある。
【図１９】第四実施例の単一画素の電極構造の平面図で
ある。
【符号の説明】
１００ 電極構造 １０１ 画素電極 １０２ 共電極 １０３ スキャン信号ライン １０４ 資料信号ライン １０５ 薄膜トランジスタ ２０１ 下層共電極層 ２０２ ガラス基板 ２０３ クシ状画素電極 ２０４ クシ状画素電極 ２０５ クシ状画素電極 ２０６ 隔離絶縁層 ２０７ 液晶層 ２０８ ガラス基板 ３００ 電極構造 ３０１ 上層共電極 ３０２ 下層画素電極 ３０３ スキャン信号ライン区域 ３０４ 資料信号ライン区域 ３０５ 薄膜トランジスタ ３０６ 補助共電極線区域 ４０１ スキャン信号ライン金属層 ４０２ 補助共電極線金属層 ４０３ ガラス基板 ４０４ 絶縁層 ４０５ 島状区域 ４０６ 画素電極 ４０７ 資料信号ライン金属層 ４０８ 隔離絶縁層 ４０９ 柵状共電極層 ５０１ 柵状共電極層 ５０２ 平板状画素電極 ５０３ スキャン信号ライン区域 ５０４ 資料信号ライン区域 ５０６ 補助共電極線区域 ６４１ 隔離絶縁層 ６５１ 画素電極 ６６１ 絶縁層 ６７１ 柵状共電極層 ７０１ 上層共電極 ８０１ 上層共電極

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】スキャン信号ラインと、 上記スキャン信号ラインと垂直な資料信号ラインと、 上記スキャン信号ラインと上記資料信号ラインで定義さ
    れた画素区域と、 上記画素区域内の画素電極と、 上記資料信号ラインと平行で、上記スキャン信号ライン
    上まで伸びる複数の共電極とから製作し、 上記共電極の少なくとも一部は、上記画素電極上にある
    ことを特徴とするワイドビューアングル液晶ディスプレ
    イの電極構造の製作方法。
  2. 【請求項２】前記共電極は、前記スキャン信号ライン上
    を通るコネクターにより繋がることを特徴とする請求項
    １記載のワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極
    構造の製作方法。
  3. 【請求項３】前記共電極を帯状に形成することを特徴と
    する請求項１記載のワイドビューアングル液晶ディスプ
    レイの電極構造の製作方法。
  4. 【請求項４】前記共電極は、杉綾模様状であることを特
    徴とする請求項１記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  5. 【請求項５】前記画素電極は、前記資料信号ライン上を
    跨ぐことを特徴とする請求項１記載のワイドビューアン
    グル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法。
  6. 【請求項６】前記共電極は、インジウム錫酸化物、酸化
    錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポリシリコン膜、Ｐ
    型ポリシリコン膜または酸化亜鉛で形成されることを特
    徴とする請求項１記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  7. 【請求項７】前記画素電極を平板状に形成することを特
    徴とする請求項１記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  8. 【請求項８】前記画素電極は、インジウム錫酸化物、酸
    化錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポリシリコン膜、
    Ｐ型ポリシリコン膜または酸化亜鉛で形成されることを
    特徴とする請求項１記載のワイドビューアングル液晶デ
    ィスプレイの電極構造の製作方法。
  9. 【請求項９】接触孔が前記画素区域外に形成されて、前
    記スキャン信号ラインと前記資料信号ラインに接続する
    ことを特徴とする請求項１記載のワイドビューアングル
    液晶ディスプレイの電極構造の製作方法。
  10. 【請求項１０】ガラス基板を準備するステップと、 基板上にスキャン信号ラインを形成するステップと、 上記基板と上記スキャン信号ラインを絶縁層でカバーす
    るステップと、 上記絶縁層上に画素電極を形成するステップと、 上記絶縁層上にアクティブスイッチデバイスの為に島状
    区域を形成するステップと、 上記島状区域上に、上記スキャン信号ラインに対して垂
    直な資料信号ラインを形成するステップと、 隔離絶縁層で上記資料信号ラインと上記島状区域と上記
    画素電極をカバーするステップと、 上記資料信号ラインと平行で、上記スキャン信号ライン
    上まで伸びる複数の共電極を形成するステップを有し、 上記共電極を上記画素電極上に設けることを含むことを
    特徴とするワイドビューアングル液晶ディスプレイの電
    極構造の製作方法。
  11. 【請求項１１】前記スキャン信号ライン上を通るコネク
    ターにより、前記共電極に接続することを特徴とする請
    求項１０記載のワイドビューアングル液晶ディスプレイ
    の電極構造の製作方法。
  12. 【請求項１２】前記共電極を帯状に形成することを特徴
    とする請求項１０記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  13. 【請求項１３】前記共電極を杉綾模様状に形成すること
    を特徴とする請求項１０記載のワイドビューアングル液
    晶ディスプレイの電極構造の製作方法。
  14. 【請求項１４】前記共電極は、インジウム錫酸化物、酸
    化錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポリシリコン膜、
    Ｐ型ポリシリコン膜または酸化亜鉛で形成されることを
    特徴とする請求項１０記載のワイドビューアングル液晶
    ディスプレイの電極構造の製作方法。
  15. 【請求項１５】前記画素電極を平板状に形成することを
    特徴とする請求項１０記載のワイドビューアングル液晶
    ディスプレイの電極構造の製作方法。
  16. 【請求項１６】前記画素電極は、インジウム錫酸化物、
    酸化錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポリシリコン
    膜、Ｐ型ポリシリコン膜または酸化亜鉛で形成されるこ
    とを特徴とする請求項１０記載のワイドビューアングル
    液晶ディスプレイの電極構造の製作方法。
  17. 【請求項１７】ガラス基板を準備するステップと、 基板上にスキャン信号ラインを形成するステップと、 上記基板上記とスキャン信号ラインを第一絶縁層でカバ
    ーするステップと、 上記第一絶縁層上でアクティブスイッチデバイスの為に
    島状区域を形成して、 上記島状区域上に、上記スキャン信号ラインに対して垂
    直で、上記資料信号ラインを形成するステップと、上記
    資料信号ラインと上記島状区域を隔離絶縁層でカバー
    し、 上記絶縁層上に上記画素電極を形成するステップと、 第二絶縁層で、上記資料信号ラインと上記島状区域と上
    記画素電極をカバーするステップと、 上記資料信号ラインと平行で、上記スキャン信号ライン
    上まで伸びる複数の共電極を形成するステップをとを含
    み、 上記共電極を上記画素電極上に設けることを特徴とする
    ワイドビューアングル液晶ディスプレイの電極構造の製
    作方法。
  18. 【請求項１８】前記スキャン信号ライン上に設けられた
    コネクターで、前記共電極が接続されることを特徴とす
    る請求項１７記載のワイドビューアングル液晶ディスプ
    レイの電極構造の製作方法。
  19. 【請求項１９】前記共電極を帯状に形成することを特徴
    とする請求項１７記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  20. 【請求項２０】前記共電極が杉綾模様状であるのを特徴
    とする請求項１０記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  21. 【請求項２１】前記共電極は、インジウム錫酸化物、酸
    化錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポリシリコン膜、
    Ｐ型ポリシリコン膜、酸化亜鉛で形成されることを特徴
    とする請求項１７記載のワイドビューアングル液晶ディ
    スプレイの電極構造の製作方法。
  22. 【請求項２２】前記画素電極が前記資料信号ライン上を
    跨ぐことを特徴とする請求項１７記載のワイドビューア
    ングル液晶ディスプレイの電極構造の製作方法。
  23. 【請求項２３】前記画素電極を平板状に形成することを
    特徴とする請求項１７記載のワイドビューアングル液晶
    ディスプレイの電極構造の製作方法。
  24. 【請求項２４】前記共電極が、インジウム錫酸化物、酸
    化錫、Ｎ型非結晶形シリコン膜、Ｎ型ポリシリコン膜、
    Ｐ型ポリシリコン膜または酸化亜鉛で形成されることを
    特徴とする請求項１７記載のワイドビューアングル液晶
    ディスプレイの電極構造の製作方法。
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