CN102890380B - Tft阵列基板及其制作方法和液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，属于液晶显示装置技术领域。为减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题而发明。所述TFT阵列基板，每个像素单元包括多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。TFT阵列基板的制作方法，是将任意相邻的两个亚像素的数据线的引线分别制作在不同的层中。液晶显示装置采用所述的TFT阵列基板制得。本发明适用于液晶显示装置的生产制造。

Description

TFT阵列基板及其制作方法和液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，特别涉及液晶显示装置中TFT阵列基板上数据线的引线。

背景技术

液晶显示器中，像素对于TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)液晶显示器是有决定意义的，每个像素越小显示器可能达到的最大分辨率就会越大。

为了便于TFT阵列基板上数据线与PCB板之间的连接，在TFT阵列基板上还形成有引线，通过该引线（S／D线）将TFT阵列基板上的若干数据线与驱动IC连接，最终通过IC与PCB板相连接，因PCB板及驱动IC均为集成电路，所以需要通过引线将数据线汇集成与IC线路对应连接的模式。数据线的引线区域通过弯折排布进行汇集，该区域也叫fan-out区。

现有技术中分辨率较低的像素区域的数据线的引线，与数据线处于同一层且并排设置，并与数据线直接连接，参看图1所示。由于低分辨率，像素面积较大，像素两侧两数据线之间的距离较宽，所以各引线S／D之间的距离宽，所以制作引线时，不会使引线之间出现不良问题，尤其是弯折汇集的部分。

但在现有技术中分辨率较高的像素区域，由于像素增多，对应的数据线的数量也增多，相应地，像素面积较小，像素两侧数据线之间的距离变窄。而随着引线的数量的增多，处于同一层且并排布置的引线相互之间的距离也就变的相对较小。所以在制作这种引线时，容易使引线出现不良的问题，尤其是引线的弯折汇集部分在曝光时，因曝光精度的限制，容易导致引线之间短路，从而导致引线不良。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种TFT阵列基板及其制作方法和液晶显示装置，能够减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种TFT阵列基板，采用如下技术方案:

一种TFT阵列基板，每个像素单元包括多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

其中，每个像素单元包括依次相邻的三种颜色的亚像素；其中，第一种颜色的亚像素的数据线连有第一引线、第二种颜色的亚像素的数据线连有第二引线和第三种颜色的亚像素的数据线连有第三引线，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别处于不同层。

其中，所述第一引线与栅线处于同一层并通过过孔与相应的数据线相连，所述第二引线与所述数据线一起形成，所述第三引线通过过孔与相应的数据线相连。

其中，所述第三引线与透明电极处于同一层，且材料与所述透明电极的材料相同。

其中，所述第三引线上还设置有金属膜。

其中，在TFT基板的源漏电极层和保护层之间具有第一透明电极，并且在所述保护层上形成有第二透明电极；其中，

所述第三引线与所述第一透明电极处于同一层，或者

所述第三引线与所述第二透明电极处于同一层。

本发明的实施例还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层包括：

所述数据线和所述栅线垂直交叉形成三种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且第一种颜色的亚像素的数据线与第一引线相连、第二种颜色的亚像素的数据线与第二引线相连、第三种颜色的亚像素的数据线与第三引线相连，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别形成在不同层。

其中，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括：

S10、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S11、在经过步骤S10的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S12、在经过步骤S11的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S13、在经过步骤S12的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔、第二过孔和漏极过孔；

S14、在经过步骤S13的基板上形成透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，并且所述透明电极通过所述漏极过孔与所述漏极连接，所述透明电极与漏极连接成为像素电极。

其中，所述第三引线与所述透明电极一起成形。

其中，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括：

进一步地，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线，还可采用的步骤包括：

S21、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S22、在经过步骤S21的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S23、在经过步骤S22的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S24、在经过步骤S23的基板上形成第一透明电极，所述第一透明电极与所述漏极直接搭接；

S25、在经过步骤S24的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔和第二过孔；

S26、在经过步骤S25的基板上形成第二透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，使所述第二透明电极与公共电极线连接形成公共电极。

可选地，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括：

S31、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S32、在形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线的基板上形成栅绝缘层；

S33、在形成有所述栅线、所述第一引线和所述栅绝缘的基板上通过构图工艺在栅绝缘层上形成第一引线接触孔，所述第一引线接触孔位于第一引线与相应数据线连接处；

S34、在形成有所述第一引线接触孔的栅绝缘层上形成半导体层的图形；

S35、在形成有所述半导体层的基板上形成数据线、第二引线、源极和漏极的图形，所述第一引线通过所述第一引线接触孔与相应数据线连接，第二引线与相应数据线同时形成；

S36、在形成有所述数据线、所述第二引线、所述源极和所述漏极的基板上形成钝化层并通过构图工艺在所述钝化层上形成漏极接触孔和第三引线接触孔；

S37、在形成有所述漏极接触孔和所述第三引线接触孔的基板上形成第一透明电极以及与所述第一透明电极一起成形的第三引线，使所述第一透明电极通过漏极过孔与所述第一透明电极相连形成像素电极，所述第三引线通过所述第三引线接触孔与相应的数据线连接；

S38、在形成有所述第一透明电极和第三引线的基板上形成第二透明电极。

本发明的实施例还提供一种液晶显示装置，包括TFT阵列基板，其中，所述TFT阵列基板为前述任一项所述的TFT阵列基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

相对于现有技术中处于同一层且并排设置引线，上述各方案中，由于任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层，因此在制作引线时，能够减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题。

附图说明

图1为现有技术中低分辨率TFT液晶显示装置中数据线引线的结构示意图；

图2为本发明实施例中TFT阵列基板上数据线引线的结构示意图；

图3为本发明TFT阵列基板的制作方法一实施例的流程示意图；

图4为本发明TFT阵列基板的制作方法另一实施例的流程示意图；

图5为本发明TFT阵列基板的制作方法又一实施例的流程示意图；

图6为本发明TFT液晶显示器中阵列基板上数据线引线的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明提供一种TFT阵列基板实施例，每个像素单元包括多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

由于任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层，因此在制作引线时，能够减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题。

在前述实施例中，应当理解的是，所述多种颜色的亚像素是指每个像素单元中的不同亚像素可用来显示不同颜色，多种颜色的亚像素的表述并不代表每个像素单元中的不同亚像素本身具有多种颜色。

在前述实施例中，可以是相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层，也可以是相邻的三个亚像素的数据线的引线处于不同层，还可以是相邻的四个亚像素的数据线的引线处于不同层。所述相邻的三个亚像素可以是R、G、B亚像素，所述相邻的四个亚像素可以是R、G、B、W（即红色Red，绿色Green，蓝色Blue，白色Wihte），或者R、G、B、Y（即红色Red，绿色Green，蓝色Blue，黄色Yellow）。本发明的下述实施例中以相邻的三个亚像素的数据线的引线处于不同层为例进行详细说明。

采用相邻的三个亚像素的数据线的引线处于不同层，即每个像素单元包括依次相邻的三种颜色的亚像素；其中，第一种颜色的亚像素的数据线连有第一引线、第二种颜色的亚像素的数据线连有第二引线和第三种颜色的亚像素的数据线连有第三引线，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别处于不同层。

参看图2所示，相邻的三个亚像素的数据线的引线a、b、c中的第一引线a与所述栅线处于同一层，并可以与栅线一起成形，这样可以减少工艺步骤，当然也可以与栅线分开制作，并通过过孔与相应的数据线相连，第二引线b与数据线处于同一层并与数据线一起形成，第三引线c处于不同于第一引线和第二引线所在的层，优选的，所述第三引线c与透明电极处于同一层，且材料与所述透明电极的材料相同,可以与所述透明电极一起成形，这样可以减少工艺步骤，当然也可以与透明电极分开制作，并通过过孔与相应的数据线相连。

当阵列基板为TN模式时，所述透明电极为像素电极，当阵列基板为ADS模式时所述透明电极可以是像素电极，或者也可以是公共电极。

将所述第一引线a与栅线处于同一层并与栅线一起成形，可以充分利用现有的引线制作工艺，减少工艺步骤。

同样的，第二引线b与所述数据线处于同一层并直接与相应的数据线相连，能够充分利用现有的引线制作工艺，减少工艺步骤。

同样的，第三线c与透明电极处于同一层并与透明电极一起成形，也可以充分利用现有的引线制作工艺，减少工艺步骤。

上述第一引线a、第二引线b和第三引线c分别不同层设置，可以解决分辨率较高时由于任意相邻两个亚像素的数据线引线距离狭小，在制作引线时导致引线短路的问题。

同样，以R、G、B为例形成三种数据线引线不同层，这样第一引线a与栅线材料相同，第二引线b与数据线引线材料相同，第三引线与透明电极材料相同，分别对应R、G、B三亚像素的数据线相连接，这样，整个阵列基板的同一种颜色的亚像素的数据线引线材料相同，例如，亚像素R的数据线引线全部为栅线材料，亚像素G的数据线引线全部为数据线材料，亚像素B的数据线引线全部为透明电极材料，这样相同颜色亚像素的数据线引线材料相同，电阻率相同，可以减少显示时因各种颜色引线之间由电阻率不同导致的画面竖条的现象。

为了减少TFT液晶显示装置在显示时会出现画面成竖条的现象发生，除了采用使每种亚像素的引线的材料相同的措施之外，还可通过调节相应的Gamma电压的方式来实现，即通过调节相应的Gamma电压，使通过第一引线输入到像素的电压、通过第二引线输入到像素的电压与通过第三引线输入到像素的电压尽可能相近或者相同，可以进一步的解决画面出现竖条现象。

当第三引线的材料与数据线的材料的电阻率差异较大时，也可以在第三引线上设置金属膜，以使第三引线的电阻率接近或者等于数据线的电阻率。

所述第三引线c的材料优选为氧化铟锡（Indium Tin Oxide,简称ITO），也可以是钼（Mo），IEO，OTC等，由于ITO的电阻率较大，因此若用ITO，则可以在ITO外表面增加金属膜，以减小第三引线的电阻率，以使和数据线的电阻接近或者相同，避免画现出现竖条现象。

本发明还提供另一具体实施例，在ADS模式中，TFT基板的源漏电极层和保护层之间具有第一透明电极，并且在所述保护层上形成有第二透明电极；这种ADS结构的TFT阵列基板中，所述第三引线既可以与所述第一透明电极处于同一层且与所述第一透明电极一起成形，也可以与所述第二透明电极处于同一层且与所述第二透明电极一起成形。

另外，在上述实施例中，由于像素通常包括：红、绿、蓝三原色像素，采用第一引线与红色子像素对应的栅线一起成形，第二引线与绿色子像素对应的数据线一体成形，第三引线与蓝色子像素对应的透明电极一起成形，这样的排列方式下，所有的红色子像素均是对应于第一引线，所有的绿色子像素均是对应于第二引线，所有的蓝色子像素均是对应于第三引线；这样的排列方式使每种颜色的引线材料相同，电阻率相同，显示画面更稳定，且不会出现明显竖条现象。

参看图3所示，本发明实施例还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成对应多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

由于任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层，因此在制作引线时，能够减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题。

前述制作方法实施例中，优选地，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层包括：

所述数据线和所述栅线垂直交叉形成三种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且第一种颜色的亚像素的数据线与第一引线相连、第二种颜色的亚像素的数据线与第二引线相连、第三种颜色的亚像素的数据线与第三引线相连，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别形成在不同层。

前述制作方法实施例中，进一步地，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括：

S10、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S11、在经过步骤S10的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S12、在经过步骤S11的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S13、在经过步骤S12的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔、第二过孔和漏极过孔；

S14、在经过步骤S13的基板上形成透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，并且所述透明电极通过所述漏极过孔与所述漏极连接，所述透明电极与漏极连接成为像素电极。

至此，TN模式的阵列基板制作完成，进一步的，在经过S14步骤的基板上形成一层绝缘层，进而再在绝缘层上形成第二透明电极与公共电极线连接形成，第二透明电极作为公共电极与第一透明电极形成ADS显示模式的阵列基板。

前述制作方法实施例的步骤S14中，优选地，所述第三引线与所述透明电极一起成形。

前述制作方法实施例中，所述第一引线也可通过形成在栅绝缘层上的过孔与相应的数据线相连。

参看图4所示，前述制作方法实施例中，进一步地，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线，还可采用的步骤包括：

S21、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S22、在经过步骤S21的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S23、在经过步骤S22的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S24、在经过步骤S23的基板上形成第一透明电极，所述第一透明电极与所述漏极直接搭接；

S25、在经过步骤S24的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔和第二过孔；

S26、在经过步骤S25的基板上形成第二透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，使所述第二透明电极与公共电极线连接形成公共电极。

参看图5所示，前述制作方法实施例中，进一步的，还可以在步骤S24在形成所述第一透明电极时形成第三引线。这样，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线的引线的步骤包括：

S31、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S32、在形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线的基板上形成栅绝缘层；

S33、在形成有所述栅线、所述第一引线和所述栅绝缘的基板上通过构图工艺在栅绝缘层上形成第一引线接触孔，所述第一引线接触孔位于第一引线与相应数据线连接处；

S34、在形成有所述第一引线接触孔的栅绝缘层上形成半导体层的图形；

S35、在形成有所述半导体层的基板上形成数据线、第二引线、源极和漏极的图形，所述第一引线通过所述第一引线接触孔与相应数据线连接，第二引线与相应数据线同时形成；

S36、在形成有所述数据线、所述第二引线、所述源极和所述漏极的基板上形成钝化层并通过构图工艺在所述钝化层上形成漏极接触孔和第三引线接触孔；

S37、在形成有所述漏极接触孔和所述第三引线接触孔的基板上形成第一透明电极以及与所述第一透明电极一起成形的第三引线，使所述第一透明电极通过漏极过孔与所述第一透明电极相连形成像素电极，所述第三引线通过所述第三引线接触孔与相应的数据线连接；

S38、在形成有所述第一透明电极和第三引线的基板上形成第二透明电极。

至此ADS模式的显示用阵列基板制作完毕。

上述各TFT阵列基板的制作方法实施例中，由于相邻的三个亚像素的数据线的引线分别处于不同的层，因此在制作引线时，可以解决分辨率较高时由于任意相邻两个亚像素的数据线引线距离狭小，在制作引线时导致引线短路的问题。

同样，以R、G、B为例形成三种数据线引线不同层，这样第一引线a与栅线材料相同，第二引线b与数据线引线材料相同，第三引线与透明电极材料相同，分别对应R、G、B三亚像素的数据线相连接，这样，整个阵列基板的同一种颜色的亚像素的数据线引线材料相同，例如，亚像素R的数据线引线全部为栅线材料，亚像素G的数据线印象全部为数据线材料，亚像素B的数据线引线全部为透明电极材料，这样相同颜色亚像素的数据线引线材料相同，电阻率相同，可以减少显示时因各种颜色引线之间由电阻率不同导致的画面竖条的现象。

在上述各TFT阵列基板的制作方法实施例中，所述第三引线的材料优选为氧化铟锡（Indium Tin Oxide,简称ITO），Mo，IEO，OTC等，由于ITO的电阻率较大，因此若用ITO，则可以在ITO外表面增加金属膜，以使第三层引线的电阻率接近或者等于数据线的电阻率，以减小显示画面出现竖条的现象。

参看图6所示，本发明实施例还提供一种液晶显示装置，包括TFT阵列基板，其中，所述TFT阵列基板采用前述任一TFT阵列基板实施例中所述的TFT阵列基板。

上述液晶显示装置实施例中，由于相邻的三个亚像素的数据线的引线a、b、c分别处于不同的层，因此在制作引线时，能够减少因引线之间的间隔较小而在制作时容易出现引线不良的问题。

同样，以R、G、B为例形成三种数据线引线不同层，这样第一引线a与栅线材料相同，第二引线b与数据线引线材料相同，第三引线与透明电极材料相同，分别对应R、G、B三亚像素的数据线相连接，这样，整个阵列基板的同一种颜色的亚像素的数据线引线材料相同，例如，亚像素R的数据线引线全部为栅线材料，亚像素G的数据线印象全部为数据线材料，亚像素B的数据线引线全部为透明电极材料，这样相同颜色亚像素的数据线引线材料相同，电阻率相同，可以减少显示时因各种颜色引线之间由电阻率不同导致的画面竖条的现象。

为了减少TFT液晶显示装置在显示时会出现画面成竖条的现象发生，除了采用使每种像素的引线的材料相同的措施之外，还可通过调节相应的Gamma电压的方式来实现，即通过调节相应的Gamma电压，使通过第一引线输入到像素的电压、通过第二引线输入到像素的电压与通过第三引线输入到像素的电压尽可能相近或者相同，可以进一步的解决画面出现竖条现象。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种TFT阵列基板，每个像素单元包括多种颜色的亚像素，其特征在于，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层；

每个像素单元包括依次相邻的三种颜色的亚像素；其中，第一种颜色的亚像素的数据线连有第一引线、第二种颜色的亚像素的数据线连有第二引线和第三种颜色的亚像素的数据线连有第三引线，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别处于不同层。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一引线与栅线处于同一层并通过过孔与相应的数据线相连，所述第二引线与所述数据线一起形成，所述第三引线通过过孔与相应的数据线相连。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第三引线与透明电极处于同一层，且材料与所述透明电极的材料相同。

4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第三引线上还设置有金属膜。

5.根据权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，在TFT基板的源漏电极层和保护层之间具有第一透明电极，并且在所述保护层上形成有第二透明电极；其中，

所述第三引线与所述第一透明电极处于同一层，或者

所述第三引线与所述第二透明电极处于同一层。

6.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层。

7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成多种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且任意相邻的两个亚像素的数据线的引线处于不同层包括：

所述数据线和所述栅线垂直交叉形成三种颜色的亚像素，同一种颜色的亚像素的数据线的引线采用同种金属材料，且第一种颜色的亚像素的数据线与第一引线相连、第二种颜色的亚像素的数据线与第二引线相连、第三种颜色的亚像素的数据线与第三引线相连，并且所述第一引线、第二引线和第三引线分别形成在不同层。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线引线的步骤包括：

S10、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S11、在经过步骤S10的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S12、在经过步骤S11的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S13、在经过步骤S12的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔和第二过孔和漏极过孔；

S14、在经过步骤S13的基板上形成透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，并且所述透明电极通过所述漏极过孔与所述漏极连接，所述透明电极与漏极连接成为像素电极。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第三引线与所述透明电极一起成形。

10.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线引线的步骤包括：

S21、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S22、在经过步骤S21的基板上形成栅绝缘层和半导体层；

S23、在经过步骤S22的基板上形成源漏电极层，通过构图工艺形成源极、漏极、与所述源极相连的数据线以及与所述数据线一起成形的第二引线；其中，所述数据线和所述栅线垂直交叉形成所述亚像素区域；

S24、在经过步骤S23的基板上形成第一透明电极，所述第一透明电极与所述漏极直接搭接；

S25、在经过步骤S24的基板上形成保护层，通过构图工艺在所述保护层上形成第一过孔和第二过孔；

S26、在经过步骤S25的基板上形成第二透明电极、第三引线和第一引线接触电极，并使所述第三引线通过所述第一过孔与相应的数据线对应相连，并且所述第一引线通过所述第二过孔上形成的所述第一引线接触电极与相应的数据线对应相连，使所述第二透明电极与公共电极线连接形成公共电极。

11.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，在基板上形成薄膜晶体管、绝缘层、透明电极、数据线、栅线和数据线引线的步骤包括：

S31、在衬底基板上形成栅金属层，通过构图工艺形成栅线、栅极和第一引线；

S32、在经过步骤S31的基板上形成栅绝缘层；

S33、在经过步骤S32的基板上通过构图工艺在栅绝缘层上形成第一引线接触孔，所述第一引线接触孔位于第一引线与相应数据线连接处；

S34、在经过步骤S33的基板上的栅绝缘层上形成半导体层的图形；

S35、在经过步骤S34的基板上形成数据线、第二引线、源极和漏极的图形，所述第一引线通过所述第一引线接触孔与相应数据线连接，第二引线与相应数据线同时形成；

S36、在经过步骤S35的基板上形成钝化层并通过构图工艺在所述钝化层上形成漏极接触孔和第三引线接触孔；

S37、在经过步骤S36的基板上形成第一透明电极以及与所述第一透明电极一起成形的第三引线，使所述第一透明电极通过漏极过孔与所述第一透明电极相连形成像素电极，所述第三引线通过所述第三引线接触孔与相应的数据线连接；

S38、在经过步骤S37的基板上形成第二透明电极。

12.一种液晶显示装置，包括TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板为权利要求1至5任一项所述的TFT阵列基板。