CN104795405B - 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用于解决现有技术中存在的由于公共电极的布局不合理,造成公共电极的电阻较大,公共电极容易受到其他信号的影响而引起的电压波动,从而影响显示器的品质等问题。本发明提供阵列基板及其制备方法、显示装置由于在源漏极金属层制作第一公共电极,该第一公共电极与第二公共电极、第三公共电极连接能有效的降低公共电极的电阻,使公共电极不容易受到其他信号的影响而引起的电压波动,从而改善显示器的品质,例如,防止屏幕显示产生闪烁。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器是目前最主流的显示器件,手机屏幕、监视器屏幕、电视绝大多数都是薄膜晶体管液晶显示器。良好的薄膜晶体管液晶显示器显示品质,能够使客户有好的观看体验,并且在激烈的市场竞争处于有利地位。双栅薄膜晶体管液晶显示器具有成本较低,在竞争中有一定优势。但是,由于公共电极的布局不合理,造成公共电极的电阻较大,公共电极容易受到其他信号的影响而引起的电压波动,从而影响显示器的品质,例如,屏幕显示产生闪烁。
发明内容
解决上述问题所采用的技术方案是一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
本发明提供的一种阵列基板,包括:多个在基板上呈矩阵排列的像素单元,每个所述像素单元分别连接两条栅线和一条数据线,每个所述像素单元包括两个子像素,每个所述子像素分别连接相对应的栅线和数据线,相邻两行之间的像素单元设有两条栅线;相邻两列像素单元设有一条数据线;
所述像素单元包括设置在基板上的第三公共电极,与栅线同层设置的第二公共电极,与源漏极金属同层设置的第一公共电极;所述第一公共电极、所述第二公共电极和第三公共电极之间电连接。
优选的,所述第一公共电极包括:与所述栅线平行设置的位于同列相邻行像素单元之间的第一部分;和位于像素单元的两个子像素之间的与所述数据线平行的第二部分;所述第一公共电极的第一部分和第二部分电连接。
优选的,所述像素单元还包括:设置于所述源漏极金属层上的第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的导电层,所述导电层通过与所述第一公共电极的第二部分对应的位于第一绝缘层的第三过孔的第一部分,和与所述第一公共电极的第一部分对应的位于第一绝缘层的第二过孔将所述第一公共电极的第一部分和第二部分电连接。
优选的,所述第三过孔的第一部分位于第一绝缘层上与所述第一公共电极的第二部分的端部对应的位置;所述第二过孔位于第一绝缘层上与所述第一公共电极的第一部分与所述第二部分的端部对应的位置相对应位置。
优选的,同行相邻列的像素单元的第一公共电极通过与所述第一公共电极的第一部分对应的位于第一绝缘层的第一过孔电连接。
优选的,所述的第一过孔位于所述第一绝缘层的与所述第一公共电极的第一部分的端部对应的位置。
优选的,所述像素单元还包括:与栅线同层制作的第二公共电极,所述第二公共电极与所述第一公共电极的第二部分在垂直于所述基板的方向上的投影部分重合;
所述第二公共电极与所述的第一公共电极电连接。
优选的,所述栅线与所述源漏极层之间设有第二绝缘层;所述第三过孔包括贯穿所述漏极金属层和第二绝缘层的第二部分和第三部分,所述导电层通过第三过孔将所述第一公共电极的第一部分、第二部分和第二公共电极电连接。
优选的,所述第二公共电极与所述第一公共电极的第二部分在垂直于所述基板方向上的投影重合。
优选的,所述第二公共电极设置在所述第三公共电极上。
本发明的另一个目的还在于提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
在基板上通过构图工艺形成第三公共电极的图形;
在形成第三公共电极图形的基板上通过构图工艺形成栅极、栅线和第二公共电极的图形;
在形成栅极、栅线和第二公共电极的图形的基板上通过构图工艺形成第二绝缘层的图形,及第三过孔位于第二绝缘层的第三部分的图形;
在形成第二绝缘层的图形的基板上通过构图工艺形成有源层的图形;
在形成有源层的图形的基板上通过构图工艺形成源漏极、数据线和第一公共电极的图形,及第三过孔位于源漏极层的第二部分的图形;
在形成源漏极的图形的基板上通过构图工艺形成的第一绝缘层的图形、第三过孔位于第一绝缘层的第一部分的图形、第一过孔和第二过孔的图形;
在形成第一绝缘层的图形的基板上通过构图工艺形成的导电层的图形,所述导电层通过第一过孔、第二过孔、第三过孔将像素单元及相邻像素单元的第一公共电极和第二公共电极连接。
本发明的另一个目的还在于提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。
本发明提供阵列基板及其制备方法、显示装置由于在源漏极金属层制作第一公共电极,该第一公共电极与第二公共电极、第三公共电极连接能有效的降低公共电极的电阻,使公共电极不容易受到其他信号的影响而引起的电压波动,从而改善显示器的品质,例如,防止屏幕显示产生闪烁。
附图说明
图1为本发明实施例1中阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例1中形成第三公共电极后的阵列基板的结构示意图;
图3为本发明实施例1中形成栅极和第二公共电极的阵列基板的结构示意图;
图4为本发明实施例1中形成第二绝缘层的图形后的阵列基板的结构示意图;
图5为本发明实施例1中形成第一公共电极后阵列基板的结构示意图;
图6为本发明实施例1中形成第一绝缘层的图形后阵列基板的结构示意图;
图7为本发明实施例1中形成导电层的图形后阵列基板的结构示意图;
其中,1.基板;2.第三公共电极;3.栅线;31.栅极;32.第二公共电极;4.第二绝缘层;
5.数据线;51.第一公共电极;511.第一部分;512.第二部分;
6.第一绝缘层;7.导电层;8.第三过孔;9.第二过孔;10.第一过孔;11.子像素;12.薄膜晶体管;13.像素电极;14.像素单元。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1:
如图1-7所示,本实施例提供一种阵列基板及其制备方法。
具体地,阵列基板,包括:多个在基板1上呈矩阵排列的像素单元14,每个所述像素单元14分别连接两条栅线3和一条数据线5,每个所述像素单元14包括两个子像素11,每个所述子像素11分别连接相对应的栅线3和数据线5,相邻两行之间的像素单元14设有两条栅线3;相邻两列像素单元14设有一条数据线5;
所述像素单元14包括设置在基板1上的第三公共电极2,与栅线3同层设置的第二公共电极32,与源漏极金属同层设置的第一公共电极51;所述第一公共电极51、所述第二公共电极32和第三公共电极2之间电连接。
本实施例中通过在源漏极金属层制作第一公共电极,该第一公共电极与第二公共电极、第三公共电极连接能有效的降低公共电极的电阻,使公共电极不容易受到其他信号的影响而引起的电压波动,从而改善显示器的品质,例如,防止屏幕显示产生闪烁。
需要指出的是上述像素单元14的子像素11可以设置为红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素中任意一个。为了显示需要可以将相邻的3个子像素11按红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像依次设置,形成一个显示像素。
优选的,所述第一公共电极51包括:与所述栅线3平行设置的位于同列相邻行像素单元14之间的第一部分511;和位于像素单元14的两个子像素11之间的与所述数据线5平行的第二部分512;所述第一公共电极51的第一部分511和第二部分512电连接。其中,第一部分511位于同列相邻像素单元14的栅线3之间空白的部分,即在垂直于基板1的方向上与栅线3没有重合部分。
优选的,所述像素单元14还包括:设置于所述源漏极金属层上的第一绝缘层6以及设置在所述第一绝缘层6上的导电层7,所述导电层7通过与所述第一公共电极51的第二部分512对应的位于第一绝缘层6的第三过孔8的第一部分,和与所述第一公共电极51的第一部分511对应的位于第一绝缘层6的第二过孔9将所述第一公共电极51的第一部分511和第二部分512电连接。
优选的,所述的第三过孔的第一部分位于第一绝缘层6上与所述第一公共电极51的第二部分512的端部对应的位置;
所述第二过孔9位于第一绝缘层6上与所述第一公共电极51的第一部分511与所述第二部分512的端部对应的位置相对应的位置。举个例来说,当像素单元14被所述第一公共电极51的第二部分512被分成面积相等的两部分,也就是说,第一公共电极51的第二部分512位于像素单元14的横向中心处,第二过孔9就位于第一绝缘层6上与第一公共电极51的第一部分511的中点相对应的位置。
这样设置第三过孔8的第一部分和第二过孔9能使用最短的连接线第一公共电极51的两部分连接,降低公共电极的电阻。
优选的,同行相邻列的像素单元的第一公共电极51通过与所述第一公共电极51的第一部分511对应的位于第一绝缘层6的第一过孔10电连接。这样能将整个阵列基板上的公共电极进行连接,进一步降低公共电极的电阻。
所述的第一过孔10位于所述第一绝缘层的与所述第一公共电极51的第一部分511的端部对应的位置。这样能使用最短的连接线将相邻像素单元14的第一公共电极51连接。
优选的,所述像素单元14还包括:与栅线3同层制作的第二公共电极32,所述第二公共电极32与所述第一公共电极51的第二部分512在垂直于基板的方向上的投影部分重合;
所述第二公共电极32与所述的第一公共电极51电连接。
这样第二公共电极32与第一公共电极51的第二部分512部分重合,能保证透光区的面积不被过分缩小。第二公共电极32与所述的第一公共电极51电连接之后能够进一步的降低公共电极的电阻。
具体地,所述栅极金属层与所述源漏极层之间设有第二绝缘层4;所述第三过孔8包括贯穿所述漏极金属层和第二绝缘层4的第二部分和第三部分,所述导电层7通过第三过孔8的第一部分、第二部分、第三部分和第二过孔9将所述第一公共电极51的第一部分511、第二部分512和第二公共电极32电连接。
优选的,所述第二公共电极32与所述第一公共电极51的第二部分512在垂直于所述基板1方向上的投影重合。这样第二公共电极32第一公共电极51的第二部分512的在垂直于所述所述基板1的方向完全重合,能够增加透光区的面积。
所述的第二公共电极32设置在所述第三公共电极2上,这样第二公共电极32和第三公共电极2直接连接,无需过孔。
这样将第三公共电极2、第二公共电极32与第一公共电极51电连接,从而使整个阵列基板的公共电极进行连接形成网状分布的公共电极,进一步降低公共电极的电阻。
应当理解的是,所述的第三过孔8是由分别位于第一绝缘层、源漏极层和第二绝缘层的第一部分、第二部分、第三部分构成的贯穿孔,上述分三部分说明能更方便的描述。
下面介绍一下上述的阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
S1:在基板1上涂覆一层透明金属层,通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺形成第三公共电极2的图形,所述透明金属层为氧化铟锡层(ITO层);
如图2所示,采用已知的构图工艺在基板1上形成第三公共电极2的图形,从图2中可见第三公共电极2覆盖的部分形成一个像素单元14。
S2:如图3所示,在形成第三公共电极图形的基板1上沉积栅金属层,通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺形成栅线3及栅极31和第二公共电极32的图形,其中,第三公共电极2之间的区域用于设置栅线3和数据线5;这样第三公共电极2与第二公共电极32直接电连接,无需过孔结构。
S3:如图4所示,在形成栅线3及栅极31和第二公共电极32的图形的基板1上沉积第二绝缘层4,通过构图工艺形成贯穿第二绝缘层4的与所述第二公共电极32的端部对应的第三过孔8的第三部分。
S4:在形成第二绝缘层4的图形的基板1上通过构图工艺形成有源层的图形,图形集中于薄膜晶体管12上,不再单独附图。
S5:如图5所示,在形成有源层的图形的基板1上通过构图工艺形成源漏极、数据线和第一公共电极51的图形,及第三过孔8位于源漏极层的第二部分。
S6:如图6所示,在形成源漏极的图形的基板1上通过构图工艺形成的第一绝缘层6的图形、第三过孔8位于第一绝缘层6的第一部分的图形、第一过孔10和第二过孔9的图形。
S7:如图7所示,在形成第一绝缘层6的图形的基板1上通过构图工艺形成的导电层7的图形,所述导电层7通过第一过孔10、第二过孔9、第三过孔8的第一部分、第二部分、第三部分,将第一公共电极51和第二公共电极32连接。应当理解的是,导电层7用于制作像素电极13。
应当理解的是,所述的第三过孔8是由分别位于第一绝缘层、源漏极层和第二绝缘层的第一部分、第二部分、第三部分构成的贯穿孔,上述分三部分说明能更方便的描述。
应当理解的是,阵列基板还可以包括其它必要的功能层,在此不再一一赘述。
实施例2
本实施例提供一种显示装置,包括上述的阵列基板。
上述阵列基板通过在源漏极金属层制作第一公共电极,该公共电极、第二公共电极和第三公共电极连接能有效的降低公共电极的电阻,使公共电极不容易受到其他信号的影响而引起的电压波动,从而改善显示器的品质,例如,防止屏幕显示产生闪烁。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种阵列基板,包括:多个在基板上呈矩阵排列的像素单元,每个所述像素单元分别连接两条栅线和一条数据线,每个所述像素单元包括两个子像素,每个所述子像素分别连接相对应的栅线和数据线,相邻两行之间的像素单元设有两条栅线;相邻两列像素单元设有一条数据线;
其特征在于,所述像素单元包括设置在基板上的第三公共电极,与栅线同层设置的第二公共电极,与源漏极金属层同层设置的第一公共电极;其中:所述第二公共电极设置在所述第三公共电极上且直接电连接,所述第一公共电极、所述第二公共电极之间电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极包括:与所述栅线平行设置的位于同列相邻行像素单元之间的第一部分;和位于像素单元的两个子像素之间的与所述数据线平行的第二部分;所述第一公共电极的第一部分和第二部分电连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括:设置于所述源漏极金属层上的第一绝缘层以及设置在所述第一绝缘层上的导电层,所述导电层通过与所述第一公共电极的第二部分对应的位于第一绝缘层的第三过孔的第一部分,和与所述第一公共电极的第一部分对应的位于第一绝缘层的第二过孔将所述第一公共电极的第一部分和第二部分电连接。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第三过孔的第一部分位于第一绝缘层上与所述第一公共电极的第二部分的端部对应的位置;所述第二过孔位于第一绝缘层上与所述第一公共电极的第一部分与所述第二部分的端部对应的位置相对应位置。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,同行相邻列的像素单元的第一公共电极通过与所述第一公共电极的第一部分对应的位于第一绝缘层的第一过孔电连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述的第一过孔位于所述第一绝缘层的与所述第一公共电极的第一部分的端部对应的位置。
7.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括:与栅线同层制作的第二公共电极,所述第二公共电极与所述第一公共电极的第二部分在垂直于所述基板的方向上的投影部分重合;
所述第二公共电极与所述的第一公共电极电连接。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线与所述源漏极金属层之间设有第二绝缘层;所述第三过孔包括贯穿所述源漏极金属层和第二绝缘层的第二部分和第三部分,所述导电层通过第三过孔将所述第一公共电极的第一部分、第二部分和第二公共电极电连接。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二公共电极与所述第一公共电极的第二部分在垂直于所述基板方向上的投影重合。
10.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板上通过构图工艺形成第三公共电极的图形;
在形成第三公共电极图形的基板上通过构图工艺形成栅极、栅线和第二公共电极的图形;
在形成栅极、栅线和第二公共电极的图形的基板上通过构图工艺形成第二绝缘层的图形,及第三过孔位于第二绝缘层的第三部分的图形;
在形成第二绝缘层的图形的基板上通过构图工艺形成有源层的图形;
在形成有源层的图形的基板上通过构图工艺形成源漏极、数据线和第一公共电极的图形,及第三过孔位于源漏极金属层的第二部分的图形;
在形成源漏极的图形的基板上通过构图工艺形成的第一绝缘层的图形、第三过孔位于第一绝缘层的第一部分的图形、第一过孔和第二过孔的图形;
在形成第一绝缘层的图形的基板上通过构图工艺形成的导电层的图形,所述导电层通过第一过孔、第二过孔、第三过孔将像素单元及相邻像素单元的第一公共电极和第二公共电极连接。
11.一种显示装置,其特征在于包括如权1-9一项所述的阵列基板。
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Citations (2)
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