CN103077944A - 显示装置、阵列基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括：基板，设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线；所述阵列基板还包括：多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线；所述纵向公共电极线位于所述数据线的下方，而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，通过在数据线下方设置纵向公共电极线，使得纵向上的公共电极大面积连接，降低公共电极整体电阻值，从而优化像素结构，最大程度地提高产品的画面性能。同时，与现有技术相比，可减少了使用掩膜版构图工艺，提高生产效率，且降低生产成本。

Description

显示装置、阵列基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着科学技术的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括LCD（LiquidCrystal Display，液晶显示器）和OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）显示器。在成像过程中，LCD显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT阵列基板中的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示。

在ADS模式下，在阵列基板上形成有两层透明电极（可以由氧化铟锡ITO来制作），通常将其中一层ITO电极应用为公共电极，而将另外一层ITO电极应用为像素电极。传统结构中，通常将公共电极与栅电极进行水平配置；当公共电极电阻较高时，其所产生的代表性不良为绿色缺陷（Greenish）。该绿色缺陷为接在公共电极上的电阻较大时引发的电压差而产生的不良。

测量面板上的绿色缺陷时发现，在栅线延伸方向（后续简称横向）上的缺陷值相似，幅度差异较小；而在数据线延伸方向（后续简称纵向）的缺陷值，随着距离公共电极的起始部分越远，则缺陷值越大。从面板的整体上看，横向的公共电极改善效果较好，但纵向的公共电极改善效果较差。

为了解决上述问题，现有技术中采用增设一层与ITO公共电极电性连接的金属层来实现降低纵向上公共电极的电阻值，但这样需要额外增加一次掩膜版构图工艺，加大生产成本，降低生产效率。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以克服现有的阵列基板因公共电压均一性差而导致出现的绿色缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明一方面提供一种阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线；所述阵列基板还包括：多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线；所述向公共电极线位于所述数据线的下方，而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。

进一步地，所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线均与所述栅线同层设置；所述纵向公共电极线分段位于相邻栅线之间。

进一步地，还包括覆盖在横向公共电极线和纵向公共电极线上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有有源层、源漏电极层和树脂层，所述树脂层上设有第一过孔和第二过孔；

在所述树脂层上方形成有公共电极层，所述公共电极层通过所述第一过孔和第二过孔连接所述横向公共电极线和纵向公共电极线。

进一步地，所述公共电极层具有板状结构或狭缝状结构的公共电极。

进一步地，还包括位于所述公共电极层上的钝化层，以及位于钝化层上的像素电极层；

所述像素电极层具有狭缝状结构，且所述像素电极层与所述阵列基板上的薄膜晶体管的漏电极通过过孔电连接。

再一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

另一方面，本发明还提供一种制作阵列基板的方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属膜，通过一次构图工艺同时形成包括栅电极、横向公共电极线和纵向公共电极线的图案；

步骤2、在完成步骤1的基板上形成包括栅极绝缘层，通过构图工艺形成栅极绝缘层的图案并形成过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积半导体层，通过构图工艺形成有源层的图案；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成源漏金属膜，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极及数据线的图案；所述纵向公共电极线分段位于数据线的下方；

步骤5、在完成步骤4的基板上形成树脂膜，通过构图工艺形成包括树脂层的图案，并形成与所述栅极绝缘层上形成的过孔正对的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应于横向公共电极线，所述第二过孔对应于纵向公共电极线的位置；

步骤6、在完成步骤5的基板上形成公共电极层，通过构图工艺形成公共电极层的图案，所述公共电极层通过第一过孔与横向公共电极线连接，所述公共电极层通过第二过孔与纵向公共电极线连接；

步骤7、在完成步骤6的基板上形成钝化层，通过构图工艺在钝化层形成过孔；

步骤8、在完成步骤7的基板上形成像素电极层，通过构图工艺形成像素电极的图案，所述像素电极层通过过孔与漏电极相连。

进一步地，在上述步骤8中形成的像素电极具有狭缝状结构，所述狭缝状结构对应所述阵列基板的透光区域。

（三）有益效果

本发明技术方案具有如下优点：本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，通过在数据线下方设置纵向公共电极线，使得数据线的方向上纵向公共电极线大面积连接，降低纵向的公共电极电阻值，从而优化像素结构，最大程度地提高产品的画面性能。同时，与现有技术相比，无需增加新的掩膜版构图工艺，提高生产效率，且降低生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例阵列基板结构示意图；

图2为图1中A-A剖视图；

图3为图1中B-B剖视图；

图4为本发明实施例阵列基板结构第一示意图；

图5为本发明实施例阵列基板结构第二示意图；

图6为本发明实施例阵列基板结构第三示意图；

图7为本发明实施例阵列基板结构第四示意图；

图8为本发明实施例阵列基板结构第五示意图；

图9为本发明实施例阵列基板结构第六示意图；

图10为本发明实施例阵列基板结构第七示意图；

图11为本发明实施例阵列基板制作方法的工艺流程图。

图中：

1：栅线；2：横向公共电极线；3：栅极绝缘层；4：有源层；5：源电极；6：漏电极；7：树脂层；8：公共电极层；9：钝化层；10：像素电极层；11：纵向公共电极线；12：数据线。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

如图1至图3所示，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：基板，设置于基板上的多条栅线1以及与栅线交叉设置的数据线12，还包括多条横向公共电极线2以及多个纵向公共电极线11，所述纵向公共电极线11位于数据线12的下方，所述横向公共电极线2和纵向公共电极线11电连接。

其中，该横向公共电极线2和所述纵向公共电极线11均与所述栅线1同层设置；所述纵向公共电极线11分段位于相邻栅线1之间。

另外，该阵列基板还包括覆盖在横向公共电极线2和纵向公共电极线11上的栅极绝缘层3，所述栅极绝缘层3上设有有源层4、源电极5、漏电极6和树脂层7，树脂层7上设有第一过孔和第二过孔；

在树脂层7上方形成有公共电极层8，所述公共电极层8通过所述第一过孔和第二过孔连接所述横向公共电极线2和纵向公共电极线11。

其中，公共电极层8具有板状结构或狭缝状结构的公共电极。

另外，该阵列基板还包括位于公共电极层上的钝化层9，以及位于钝化层9上的像素电极层10，像素电极层10具有狭缝状结构，且所述像素电极层10与所述阵列基板上的薄膜晶体管的漏电极6通过过孔电连接。

本发明提供的阵列基板，通过在数据线下方设置纵向公共电极线，使得数据线方向上的纵向公共电极线大面积连接，降低纵向的公共电极电阻值，从而优化像素结构，最大程度地提高产品的画面性能。

如图11所示，本发明实施例阵列基板的制作方法，具体包括如下步骤：

步骤S1、在基板1上沉积栅金属膜，通过一次构图工艺同时形成包括栅电极1、横向公共电极线2和纵向公共电极线11的图案，参考图4。

步骤S2、在完成步骤S1的基板上形成包括栅极绝缘层3，通过构图工艺形成栅极绝缘层3的图案并形成过孔；参考图5。

步骤S3、在完成步骤S2的基板上沉积半导体层，通过构图工艺形成有源层4的图案；参考图6。其中，半导体层可以采用非晶硅或金属氧化物制作。

步骤S4、在完成步骤S3的基板上形成源漏金属膜，通过一次构图工艺形成包括源电极5、漏电极6及数据线12的图案；所述纵向公共电极线11分段位于数据线的下方；参见图7。

步骤S5、在完成步骤S4的基板上形成树脂膜，通过构图工艺形成包括树脂层7的图案，并形成与所述栅极绝缘层上形成的过孔正对的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应于横向公共电极线2，所述第二过孔对应于纵向公共电极线11的位置；参见图8。

步骤S6、在完成步骤S5的基板上形成公共电极层，通过构图工艺形成公共电极层8的图案，所述公共电极层8通过第一过孔与横向公共电极线2连接，所述公共电极层8通过第二过孔与纵向公共电极线11连接；参见图9。

步骤S7、在完成步骤S6的基板上形成钝化层，通过构图工艺在钝化层9形成过孔；参见图10。

步骤S8、在完成步骤S7的基板上形成像素电极层10，通过构图工艺形成像素电极层10的图案，所述像素电极层通过过孔与漏电极6相连。参见图3。

本发明提供的阵列基板的制作方法，通过在数据线下方设置纵向公共电极线，使得纵向上的公共电极大面积连接，降低纵向的公共电极电阻值，从而优化像素结构，最大程度地提高产品的画面性能。与现有技术相比，减少了使用掩膜版构图工艺，提高生产效率，且降低生产成本。

另外，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述阵列基板，所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种阵列基板，包括：基板，设置于所述基板上的多条栅线以及与所述栅线交叉设置的数据线；其特征在于，所述阵列基板还包括：多条横向公共电极线和多个纵向公共电极线；所述纵向公共电极线位于所述数据线的下方，而且所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述横向公共电极线和所述纵向公共电极线均与所述栅线同层设置；所述纵向公共电极线分段位于相邻栅线之间。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括覆盖在横向公共电极线和纵向公共电极线上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层上设有有源层、源漏电极层和树脂层，所述树脂层上设有第一过孔和第二过孔；

在所述树脂层上方形成有公共电极层，所述公共电极层通过所述第一过孔和第二过孔连接所述横向公共电极线和纵向公共电极线。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层具有板状结构或狭缝状结构的公共电极。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述公共电极层上的钝化层，以及位于钝化层上的像素电极层；

所述像素电极层具有狭缝状结构，且所述像素电极层与所述阵列基板上的薄膜晶体管的漏电极通过过孔电连接。

6.一种显示装置，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种制作权利要求1-5任一项所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属膜，通过一次构图工艺同时形成包括栅电极、横向公共电极线和纵向公共电极线的图案；

步骤2、在完成步骤1的基板上形成包括栅极绝缘层，通过构图工艺形成栅极绝缘层的图案并形成过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积半导体层，通过构图工艺形成有源层的图案；

步骤4、在完成步骤3的基板上形成源漏金属膜，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极及数据线的图案；所述纵向公共电极线分段位于数据线的下方；

步骤5、在完成步骤4的基板上形成树脂膜，通过构图工艺形成包括树脂层的图案，并形成与所述栅极绝缘层上形成的过孔正对的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔对应于横向公共电极线，所述第二过孔对应于纵向公共电极线的位置；

步骤6、在完成步骤5的基板上形成公共电极层，通过构图工艺形成公共电极层的图案，所述公共电极层通过第一过孔与横向公共电极线连接，所述公共电极层通过第二过孔与纵向公共电极线连接；

步骤7、在完成步骤6的基板上形成钝化层，通过构图工艺在钝化层形成过孔；

步骤8、在完成步骤7的基板上形成像素电极层，通过构图工艺形成像素电极的图案，所述像素电极层通过过孔与漏电极相连。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤8中形成的像素电极具有狭缝状结构，所述狭缝状结构对应所述阵列基板的透光区域。

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