CN105652547A - 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置。根据一个实施方式的阵列基板，包括：栅极线，其在第一方向上延伸；数据线，其在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；第一公共电极线，其在所述第一方向上延伸；第二公共电极线，其在所述第二方向上延伸；和公共电极，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。

Description

阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置
技术领域
本发明的实施方式涉及显示领域，更具体地说，涉及阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板以及显示装置。
背景技术
在液晶显示装置的液晶驱动过程中，像素电极与公共电极形成电场，液晶偏转，通过控制像素电极的信号，液晶偏转的角度不同，透过率不同，形成不同画面的显示。
在液晶驱动过程中，公共电极的理想状态是一个恒定值。然而，实际过程中，公共电极与面内栅极线和数据线之间都有交叠，会有耦合电容。由于栅极线和数据线的信号不停变化，公共电极信号会在耦合电容的作用下被拉动。公共电极被拉动后会造成残像、闪绿(Greenish)、串扰(Crosstalk)等不良，其是显示屏几大难以解决的不良。
现有技术中，主要是通过显示面板的周边公共电极线优化及电路公共电极信号补偿来解决相关不良。然而随着产品升级，产品边框越来越窄，周边公共电极线的空间被压缩，布线电阻增加，以至于电路补偿也无法改善相关不良。现有设计在显示面板内部只有横向存在金属公共电极(由栅极线金属形成)，而纵向主要通过像素电极ITO(氧化铟锡)和过孔进行连接，纵向的公共电极均一性较差。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明的实施方式通过加入纵向的公共电极线，大大提升了公共电极的电阻均一性。具体地，提供了以下技术方案。
[1]一种阵列基板，包括：
栅极线，其在第一方向上延伸；
数据线，其在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；
第一公共电极线，其在所述第一方向上延伸；
第二公共电极线，其在所述第二方向上延伸；和
公共电极，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
上述方案[1]的阵列基板中，通过在第二方向上增加第二公共电极线，提升了公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
[2]根据上述方案[1]所述的阵列基板，其中，所述栅极线、所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在同一层中由同一导电材料形成。
[3]根据上述方案[2]所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线直接连接。
上述方案[2]和[3]的阵列基板中，通过在同一层中，由同一导电材料形成栅极线、第一公共电极线和第二公共电极线，在提升了公共电极的电阻均一性的同时不会增加制造成本。进而，通过将第一公共电极线和第二公共电极线直接连接，形成公共电极线网络，能够进一步提升公共电极的电阻均一性。
[4]根据上述方案[1]-[3]中任一方案所述的阵列基板，其中，位于所述栅极线两侧且不与所述第二公共电极线相邻的公共电极，经由跨过所述栅极线的像素电极材料电连接。
[5]根据上述方案[1]-[4]中任一方案所述的阵列基板，其中，所述第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系。
上述方案[5]的阵列基板中，通过使第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系，在提升公共电极电阻均一性的同时不会影响开口率。
[6]根据上述方案[1]-[5]中任一方案所述的阵列基板，其中，在所述第二公共电极线的两侧都具有与所述栅极线连接的驱动电路。
[7]根据上述方案[6]所述的阵列基板，其中，在所述第二公共电极线为1条的情况下，所述第二公共电极线两侧的所述栅极线不连接。
[8]根据上述方案[6]所述的阵列基板，其中，在所述第二公共电极线为多条的情况下，多条第二公共电极线中的一条第二公共电极线两侧的栅极线不连接，多条第二公共电极线中的其余的第二公共电极线两侧的栅极线，经由跨过其余的第二公共电极线的像素电极材料电连接。
[9]根据上述方案[1]-[8]中任一方案所述的阵列基板，其中，仅在所述第二公共电极线的一侧具有与所述栅极线连接的驱动电路。
[10]根据上述方案[9]所述的阵列基板，其中，所述第二公共电极线两侧的栅极线，经由跨过所述第二公共电极线的像素电极材料电连接。
[11]根据上述方案[1]-[10]中任一方案所述的阵列基板，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。
[12]根据上述方案[1]-[11]中任一方案所述的阵列基板，其中，所述栅极线、所述第一公共电极线和所述第二公共电极线中的至少一个包括金属。
[13]根据上述方案[1]-[12]中任一方案所述的阵列基板，其中，所述公共电极和所述像素电极材料中的至少一个包括氧化铟锡。
[14]根据上述方案[1]、[4]、[6]、[9]、[11]-[13]中任一方案所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线位于不同层。
[15]根据上述方案[14]所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在交叉处经由过孔电连接。
[16]一种显示面板，包括上述方案[1]-[15]中任一方案所述的阵列基板。
[17]一种显示装置，包括上述方案[1]-[15]中任一方案所述的阵列基板。
上述显示面板和显示装置，具有上述阵列基板的优点，即提升了公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
[18]一种阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成公共电极；
在基板上形成沿第一方向延伸的栅极线；
在基板上形成沿所述第一方向延伸的第一公共电极线；和
在基板上形成沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二公共电极线；
其中，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
上述方案[18]的阵列基板的制造方法中，通过在第二方向上形成第二公共电极线，提升了公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施方式的技术方案，下面将对实施方式的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施方式，而非对本发明的限制。
图1(a)是根据本发明的一个实施方式的双边驱动阵列基板的示意图，图1(b)是根据本发明的另一个实施方式的双边驱动阵列基板的示意图，图1(c)是图1(b)中A-A线的截面图。
图2(a)是根据本发明的另一个实施方式的双边驱动阵列基板的示意图，图2(b)是图2(a)中B-B线的截面图。
图3(a)是根据本发明的另一个实施方式的单边驱动阵列基板的示意图，图3(b)是图3(a)中C-C线的截面图。
图4(a)是根据本发明的另一个实施方式的单边驱动阵列基板的示意图，图4(b)是图4(a)中D-D的线的截面图。
图5是根据本发明的另一个实施方式的单边驱动阵列基板的示意图。
图6是根据本发明的另一个实施方式的GOA驱动阵列基板的示意图。
图7是根据本发明的另一个实施方式的COF驱动阵列基板的示意图。
图8(a)是根据现有技术的阵列基板的示意图，图8(b)是图8(a)中E-E线的截面图。
图9是现有技术的GOA驱动阵列基板的示意图。
图10是现有技术的COF驱动阵列基板的示意图。
附图标记说明：
1栅极线，2第一公共电极线，3第二公共电极线，4开关电路，5数据线，6驱动电路，7过孔，8像素电极材料，9公共电极，10像素电极，11过孔，12过孔，13像素电极材料。
具体实施方式
为使本发明的实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施方式的附图，对本发明的实施方式的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本发明的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于所描述的本发明的实施方式，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上，“多条”的含义是两条或两条以上。
图8-10示出了现有的阵列基板。具体地，图8(a)是根据现有的阵列基板的示意图，图8(b)是图8(a)中E-E线的截面图，图9是现有技术的GOA驱动(GateDriveronArray，阵列基板栅极驱动)的阵列基板的示意图，图10是现有技术的COF(ChipOnFlex或ChipOnFilm，覆晶薄膜)驱动阵列基板的示意图。
如图8所示，与栅极线1平行地形成横向公共电极线，在纵向上，在栅极线1两侧的公共电极9，经由像素电极材料(例如ITO)8和2个过孔7连接。由于像素电极材料8的电阻率比金属大很多，纵向的公共电极的面内电阻均一性较差。
本发明的实施方式通过加入纵向的公共电极线，大大提升了公共电极的电阻均一性。
下面就结合附图对本发明的各个优选实施方式进行详细的说明。
<阵列基板>
图1(a)是根据本发明的一个实施方式的双边驱动阵列基板的示意图，图1(b)是根据本发明的另一个实施方式的双边驱动阵列基板的示意图，图1(c)是图1(b)中A-A线的截面图。
如图1(a)所示，本实施方式的阵列基板，包括：栅极线1，其在第一方向上延伸；数据线5，其在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；第一公共电极线2，其在所述第一方向上延伸；第二公共电极线3，其在所述第二方向上延伸；和公共电极9，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
如图1所示，在由栅极线1和数据线5划分的区域形成像素单元，像素单元具有像素电极和公共电极。在第二方向上排列的多个像素单元的公共电极优选全部被栅极线1分隔开。另外，在公共电极和栅极线1不在同一层的情况下，也可以是在第二方向上排列的多个像素单元中的至少一部分像素单元的公共电极被分隔开。
在图1(a)中，虽然示出了双边驱动的阵列基板，但是应该理解，本实施方式的驱动方式不限于双边驱动，也可以是单边驱动或本领域技术人员公知的任何其他驱动方式。
另外，虽然图1(a)所示的驱动电路6是COF，但是本实施方式的驱动电路并不限于COF，也可以是GOA或本领域技术人员公知的任何其他驱动电路。
另外，虽然在图1(a)中示出了栅极线1和第一公共电极线2在横向上延伸，即第一方向是横向，但是，本实施方式的阵列基板并不限于此，栅极线1和第一公共电极线2也可以在纵向上延伸。在本实施方式中，第二方向优选与第一方向垂直。下面以第一方向是横向，第二方向是纵向为例进行说明。
在本实施方式中，优选，如图1(a)所示，栅极线1、第一公共电极线2和第二公共电极线3在同一层中由同一导电材料形成。更优选，如图1(a)所示，第一公共电极线2和第二公共电极线3直接连接，在交叉处形成类似于十字路口的形状。
在本实施方式中，通过在同一层中，由同一导电材料形成栅极线、第一公共电极线和第二公共电极线，在提升了公共电极的电阻均一性的同时不会增加制造成本。进而，通过将第一公共电极线和第二公共电极线直接连接，形成公共电极线网络，能够进一步提升公共电极的电阻均一性。
在本实施方式中，栅极线1和第一公共电极线2优选形成多条。第二公共电极线3可以为1条，也可以为多条。下面结合图1(a)说明第二公共电极线3为1条且为双边驱动的阵列基板。
如图1(a)所示，每个像素单元具有一个开关电路4，开关电路4可以是本领域的技术人员公知的任何开关电路，例如TFT晶体管，本实施方式对此没有任何限制。下面以TFT晶体管为例进行说明。
TFT晶体管的源极和漏极的一方连接于数据线5，另一方连接于像素电极10，TFT晶体管的栅极连接于栅极线1。
在本实施例中，栅极线、第一公共电极线和第二公共电极线优选包括金属或者其他导电性高的导电材料，本实施方式对此没有任何限制。
在本实施方式中，公共电极9和像素电极10优选包括氧化铟锡(ITO)或者其他导电性高且透明度高的材料，本实施方式对此没有任何限制。
如图1(a)所示，在第二公共电极线3两侧并与其相邻的公共电极9(即图1(a)中中间的4个公共电极)，直接与第二公共电极线3电连接，从而可以提升纵向公共电极的电阻均一性，改善残像、闪绿及串扰等不良。
另外，在纵向上不与第二公共电极线3相邻的公共电极，在纵向上被栅极线1打断，这些位于栅极线1两侧的公共电极9(即图1(a)中最外侧的4个公共电极)，优选经由像素电极材料8和2个过孔7电连接。
如图1(a)所示，由于阵列基板是双边驱动且仅插入1条第二公共电极线3，因此不需要对第二公共电极线两侧的被第二公共电极线打断的栅极线进行连接。
图1(a)示出了在不改变像素单元排列的情况下，在数据线5的旁边插入第二公共电极线3的实施方式，但是本发明并不限于此。为了不使开口率下降，也可以在原有数据线5的位置插入第二公共电极线，此时只需要将第二公共电极线两侧的像素单元排列为镜像关系即可，图1(b)示出了这样的实施方式。
如图1(b)所示，优选，第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系。在本实施方式中，通过改变阵列基板内部的像素单元的排布，使第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系，与图1(a)所示的在数据线5旁边增加第二公共电极线的实施方式相比，可以避免开口率下降。
以下的实施方式以第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系为例进行说明，但是应该理解，在下面的实施方式中，第二公共电极线也可以如图1(a)那样插入，这样可以不对像素单元的排列方式进行改变。
以上说明了第二公共电极线3为1条的实施方式，但是第二公共电极线并不限于1条，可以为任意条。下面结合图2说明第二公共电极线3为多条且为双边驱动的情况。
如图2所示，第二公共电极线为3条，但是应该理解，第二公共电极线可以为任意条。下面以3条为例进行说明。
如图2(a)所示，在插入3条第二公共电极线的情况下，每条第二公共电极线两侧的像素单元也呈镜像关系，与上述结合图1的说明相同。并且，在纵向上与每条第二公共电极线相邻的公共电极与每条第二公共电极线直接电连接，也与上述结合图1的说明相同，在此不再赘述。
在中间的第二公共电极线两侧的栅极线，与图1相同，也没有连接。与图1不同的是，在左侧和右侧的第二公共电极线两侧的栅极线，经由跨过第二公共电极线的像素电极材料13和两个过孔12电连接。
在图2中虽然图示了中间的第二公共电极线两侧的栅极线没有连接，但是并不限于此。在双边驱动的情况下，对于多条第二公共电极线，允许一条第二公共电极线两侧的栅极线不连接，该条第二公共电极线可以是任意一条第二公共电极线，而该条之外的其余的第二公共电极线两侧的栅极线，需要经由跨过其余的第二公共电极线的像素电极材料13和过孔12电连接，以确保向每个像素单元的开关电路的栅极输入驱动电压。
以上说明了阵列基板为双边驱动的实施方式，但是，阵列基板的驱动方式不限于双边驱动，可以为本领域的技术人员公知的任何驱动方式，例如单边驱动。下面结合图3和4对单边驱动的实施方式进行说明。
如图3所示，阵列基板通过在一侧设置的驱动电路(例如COF)6驱动。在单边驱动的情况下，被第二公共电极线3打断的栅极线需要进行电连接。如图3所示，第二公共电极线两侧的栅极线，经由跨过第二公共电极线的像素电极材料8和两个过孔7电连接。
除了被打断的栅极线需要进行连接，图3所示的单边驱动的阵列基板的其他结构与上述结合图1说明的双边驱动的阵列基板相同，在此省略其说明。
图3虽然仅示出了一条第二公共电极线，但是在单边驱动的情况下，也可以设置多条第二公共电极线。下面结合图4说明在单边驱动的情况下，设置3条第二公共电极线的实施方式，但是，应该理解，第二公共电极线可以设置任意条。
如图4所示，在单边驱动的情况下，在所有第二公共电极线两侧的栅极线，都经由跨过第二公共电极线的像素电极材料13和过孔12电连接。除此之外，其他结构与上述结合图3说明的实施方式相同，在此省略其说明。
以上虽然说明了第二公共电极线3与栅极线1和第一公共电极线2位于同一层，并由同一导电材料形成的实施方式，但是本发明并不限于此，也可以将第二公共电极线设置在与栅极线1和第一公共电极线2不同的层。
下面结合图5说明第二公共电极线3与栅极线1和第一公共电极线2不在同一层的实施方式。
如图5所示，与栅极线1和第一公共电极线2相比，第二公共电极线位于上层，在第一公共电极线2和第二公共电极线3的交叉处，二者经由过孔11电连接。
在第二公共电极线3与栅极线1和第一公共电极线2不在同一层的情况下，第二公共电极线3不会将栅极线1打断，从而无需向上述实施方式那样对打断的栅极线进行连接。
另外，在第二公共电极线3两侧的像素单元，也与上述实施方式相同，呈镜像关系，从而同样可以避免开口率下降。
在本实施方式中，优选，第二公共电极线3由金属或导电性高的材料构成，由此可以提升纵向公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
另外，为了更容易理解本发明的实施方式，与图10的现有技术的阵列基板的示意图相对应，本发明的实施方式的COF双边驱动的阵列基板如图7所示，在纵向设置第二公共电极线。虽然在图7中示出了1条第二公共电极线，但是应该理解，第二公共电极线可以为多条。
上述虽然以COF驱动为例说明了阵列基板的实施方式，但是可以理解，驱动方式也可以为GOA或本领域技术人员公知的其他驱动方式。
例如在阵列基板为GOA驱动的情况下，如图6所示，也可以在纵向设置第二公共电极线。虽然在图6中示出了1条纵向公共电极线，但是与上述说明的实施方式相同，也可以设置多条纵向公共电极线。
<显示面板>
本发明的另一实施方式提供一种显示面板，包括上述实施方式之一所述的阵列基板。
本实施方式的显示面板，由于具有上述实施方式之一的阵列基板，由此可以提升纵向公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
<显示装置>
本发明的另一实施方式提供一种显示装置，包括上述实施方式之一所述的阵列基板。
本实施方式的显示装置，由于具有上述实施方式之一的阵列基板，由此可以提升纵向公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
<阵列基板的制造方法>
本发明的另一实施方式提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板上形成公共电极；在基板上形成沿第一方向延伸的栅极线；在基板上形成沿所述第一方向延伸的第一公共电极线；和在基板上形成沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二公共电极线；其中，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
本实施方式的阵列基板的制造方法，通过在第二方向上形成第二公共电极线，提升了公共电极的电阻均一性，改善了残像、闪绿及串扰等不良。
以上虽然通过一些示例性的实施方式详细地描述了本发明的阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板及显示装置，但是以上这些实施方式并不是穷举的，本领域技术人员可以在本发明的精神和范围内实现各种变化和修改。因此，本发明并不限于这些实施方式，本发明的范围仅以所附权利要求为准。

Claims (18)

1.一种阵列基板，包括：
栅极线，其在第一方向上延伸；
数据线，其在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；
第一公共电极线，其在所述第一方向上延伸；
第二公共电极线，其在所述第二方向上延伸；和
公共电极，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅极线、所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在同一层中由同一导电材料形成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线直接连接。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，位于所述栅极线两侧且不与所述第二公共电极线相邻的公共电极，经由跨过所述栅极线的像素电极材料电连接。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述第二公共电极线两侧的像素单元呈镜像关系。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，在所述第二公共电极线的两侧都具有与所述栅极线连接的驱动电路。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，在所述第二公共电极线为1条的情况下，所述第二公共电极线两侧的所述栅极线不连接。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，在所述第二公共电极线为多条的情况下，多条第二公共电极线中的一条第二公共电极线两侧的栅极线不连接，多条第二公共电极线中的其余的第二公共电极线两侧的栅极线，经由跨过其余的第二公共电极线的像素电极材料电连接。
9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，仅在所述第二公共电极线的一侧具有与所述栅极线连接的驱动电路。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述第二公共电极线两侧的栅极线，经由跨过所述第二公共电极线的像素电极材料电连接。
11.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。
12.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述栅极线、所述第一公共电极线和所述第二公共电极线中的至少一个包括金属。
13.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述公共电极和所述像素电极材料中的至少一个包括氧化铟锡。
14.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线位于不同层。
15.根据权利要求14所述的阵列基板，其中，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线在交叉处经由过孔电连接。
16.一种显示面板，包括权利要求1-15中任一项所述的阵列基板。
17.一种显示装置，包括权利要求1-15中任一项所述的阵列基板。
18.一种阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成公共电极；
在基板上形成沿第一方向延伸的栅极线；
在基板上形成沿所述第一方向延伸的第一公共电极线；和
在基板上形成沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二公共电极线；
其中，在所述第二公共电极线两侧并与其相邻的公共电极与所述第二公共电极线电连接。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105867033A (zh) * 2016-06-13 2016-08-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板以及液晶显示面板
WO2017177589A1 (zh) * 2016-04-15 2017-10-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置
CN108957804A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
CN109521613A (zh) * 2018-12-24 2019-03-26 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN109541864A (zh) * 2018-12-17 2019-03-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板
CN110658657A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
WO2020088279A1 (zh) * 2018-10-31 2020-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN113448129A (zh) * 2021-06-30 2021-09-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
US11829041B2 (en) 2020-09-07 2023-11-28 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1769989A (zh) * 2004-11-05 2006-05-10 三星电子株式会社 液晶显示器及其驱动装置
CN1811535A (zh) * 2005-01-26 2006-08-02 三星电子株式会社 液晶显示器
CN1893743A (zh) * 2005-06-30 2007-01-10 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机发光器件
CN1904679A (zh) * 2005-07-25 2007-01-31 三星电子株式会社 显示设备
CN101004520A (zh) * 2006-01-16 2007-07-25 三星电子株式会社 液晶显示器面板及其制造方法
CN101025486A (zh) * 2006-02-22 2007-08-29 三星电子株式会社 具有改进的侧面可视性的液晶显示装置
CN101221337A (zh) * 2008-01-28 2008-07-16 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示装置阵列基板及驱动方法
CN101295115A (zh) * 2008-06-10 2008-10-29 昆山龙腾光电有限公司 一种液晶显示装置及其像素阵列基板
CN101363982A (zh) * 2008-09-28 2009-02-11 昆山龙腾光电有限公司 一种液晶显示面板
CN101916017A (zh) * 2010-07-30 2010-12-15 友达光电股份有限公司 像素阵列、液晶显示面板以及像素阵列的驱动方法
KR20110031597A (ko) * 2009-09-21 2011-03-29 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN103077944A (zh) * 2013-01-18 2013-05-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制作方法
CN202975548U (zh) * 2012-12-20 2013-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN104216183A (zh) * 2014-08-28 2014-12-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104914640A (zh) * 2015-06-26 2015-09-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3881248B2 (ja) * 2002-01-17 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置および画像表示装置
KR101146449B1 (ko) * 2003-12-29 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2005108513A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Cytec Surface Specialties, S.A. Radiation curable low gloss powder coating compositions
US7800704B2 (en) * 2006-11-13 2010-09-21 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display comprising intersecting common lines
US9761613B2 (en) * 2010-12-22 2017-09-12 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT array substrate and manufacturing method thereof
CN105652547A (zh) * 2016-04-15 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1769989A (zh) * 2004-11-05 2006-05-10 三星电子株式会社 液晶显示器及其驱动装置
CN1811535A (zh) * 2005-01-26 2006-08-02 三星电子株式会社 液晶显示器
CN1893743A (zh) * 2005-06-30 2007-01-10 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机发光器件
CN1904679A (zh) * 2005-07-25 2007-01-31 三星电子株式会社 显示设备
CN101004520A (zh) * 2006-01-16 2007-07-25 三星电子株式会社 液晶显示器面板及其制造方法
CN101025486A (zh) * 2006-02-22 2007-08-29 三星电子株式会社 具有改进的侧面可视性的液晶显示装置
CN101221337A (zh) * 2008-01-28 2008-07-16 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示装置阵列基板及驱动方法
CN101295115A (zh) * 2008-06-10 2008-10-29 昆山龙腾光电有限公司 一种液晶显示装置及其像素阵列基板
CN101363982A (zh) * 2008-09-28 2009-02-11 昆山龙腾光电有限公司 一种液晶显示面板
KR20110031597A (ko) * 2009-09-21 2011-03-29 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN101916017A (zh) * 2010-07-30 2010-12-15 友达光电股份有限公司 像素阵列、液晶显示面板以及像素阵列的驱动方法
CN202975548U (zh) * 2012-12-20 2013-06-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN103077944A (zh) * 2013-01-18 2013-05-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板及其制作方法
CN104216183A (zh) * 2014-08-28 2014-12-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN104914640A (zh) * 2015-06-26 2015-09-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017177589A1 (zh) * 2016-04-15 2017-10-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置
US10317739B2 (en) 2016-04-15 2019-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, display panel and display apparatus
CN105867033A (zh) * 2016-06-13 2016-08-17 厦门天马微电子有限公司 阵列基板以及液晶显示面板
CN105867033B (zh) * 2016-06-13 2019-06-14 厦门天马微电子有限公司 阵列基板以及液晶显示面板
CN110658657A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN108957804A (zh) * 2018-07-27 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
CN108957804B (zh) * 2018-07-27 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置
US11598998B2 (en) 2018-10-31 2023-03-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
WO2020088279A1 (zh) * 2018-10-31 2020-05-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
WO2020124836A1 (zh) * 2018-12-17 2020-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板
CN109541864A (zh) * 2018-12-17 2019-03-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板
CN109521613A (zh) * 2018-12-24 2019-03-26 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
US11829041B2 (en) 2020-09-07 2023-11-28 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN113448129A (zh) * 2021-06-30 2021-09-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

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