CN1811535A - 液晶显示器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置，其包括：多个像素，包括第一及第二子像素；多条栅极线，连接到第一及第二子像素，以传输栅极信号；多条第一数据线，与栅极线交叉，并且连接到第一子像素，以传输第一数据电压；以及多条第二数据线，与栅极线交叉，连接到第二子像素，以传输第二数据电压。第一数据电压和第二数据电压具有不同的大小并且从单一图像信息中获得。将每个像素分成一对子像素，并且将不同的数据电压通过两条不同的数据线施加到子像素，从而可以确保很宽的视角并且改进了侧面可视性。

Description

液晶显示器

基于35U.S.C.§119，本申请要求于2005年1月26日提交的韩国专利申请第10-2005-0007124号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管(“TFT”)面板以及液晶显示(“LCD”)装置。更特别地，本发明涉及在透射率没有降低的情况下可以改进侧面可视性的TFT面板以及LCD装置。

背景技术

液晶显示装置是最广泛使用的平板显示装置之一，其包括具有场致电极的两个面板(例如，像素电极和共电极)以及介于其间的液晶层。通过将电压施加到场致电极以在液晶层中产生电场并且通过确定液晶层中的液晶分子的排列以控制入射光的偏振，LCD装置显示图像。在液晶显示装置中，通过将电压施加到两个电极，以在液晶层中产生电场，通过调节电场的强度以调节穿过液晶层的光的透射率，来获得期望的图像。此时，为了防止由于长时间将电场沿一个方向施加到液晶层所造成的劣化现象，数据电压相对于共电压的极性以帧、行、或像素单元进行反转。

在这些液晶显示装置当中，在带有垂直排列模式的液晶显示装置中，当没有产生电场时，液晶分子以液晶分子的主轴与上部面板和下部面板垂直的状态排列。由于这种液晶显示装置具有高的对比度并且可很容易地提供宽的基准视角，所以受到欢迎。在这里，基准视角指的是具有1∶10对比度的视角或灰度级之间的亮度反转中的有效角。

包括在具有垂直排列模式的液晶显示装置中的宽视角的方法包括在场致电极中形成开口的方法和在场致电场上形成凸起的方法。由于可通过使用开口和凸起可以确定液晶分子倾斜的方向，所以通过不同地布置开口和凸起以使液晶分子的倾斜方向沿不同方向分布，可加宽基准视角。

然而，具有垂直排列方式的液晶显示装置具有低于正面可视性的侧面可视性。例如，在具有开口的图像垂直排列(“PVA”，patternedvertically alignment)方式的液晶显示装置的情况下，朝向侧面时，图像较亮，并且在一些情况下，高灰度级之间的亮度差可造成图像模糊的轮廓。

为了解决上述问题，已经提出了一种用于通过将一个像素分成两个子像素，以电容的方式耦合两个子像素，以及通过将电压直接施加到一个子像素，以及由于电容耦合而使其它子像素中的电压降来提供不同的透射率的技术。

然而，在上述技术中，不可能准确地调节两个子像素的透射率。

特别地，不同颜色的光的透射率彼此不同。然而，很难获得不同颜色的不同电压组合。而且，由于必须添加用于电容耦合的导电元件，所以开口率劣化，并且由于电容耦合所产生的电压降，所以降低了透射率。

发明内容

本发明提供在透射率没有降低的情况下可以改进侧面可视性的薄膜晶体管面板及液晶显示装置。

根据本发明的典型实施例，提供了一种液晶显示装置，其包括：多个像素，包括第一及第二子像素；多条栅极线，连接到第一及第二子像素，以将栅极信号传输到第一级第二子像素；多条第一数据线，与栅极线交叉，并且连接到第一子像素，以将第一数据电压传输到第一子像素；以及多条第二数据线，与栅极线交叉，并且连接到第二子像素，以将第二数据电压传输到第二子像素，其中，第一数据电压和第二数据电压具有不同的大小，并从单一图像信息中获得。

在上述的本发明典型实施例中，每个第一子像素均可包括连接到栅极线及第一数据线的第一开关装置、以及连接到第一开关装置的第一子像素电极，并且每个第二子像素包括连接到栅极线及第二数据线的第二开关装置、以及连接到第二开关装置的第二子像素电极。

此外，第一及第二子像素电极中的至少一个可具有开口。

此外，第一子像素可进一步包括面对第一及第二子像素的共电极。

此外，共电极可具有开口或凸起。

此外，液晶显示装置可进一步包括屏蔽电极，该遮蔽电极的至少一部分可与第一及第二数据线重叠并可与第一第二数据线电绝缘。

此外，第一子像素电极的面积不同于第二子像素电极的面积。

此外，第一及第二数据线中的至少一条可位于第一及第二子像素电极之间。

此外，每个像素的横向长度和纵向长度的比率可基本上等于1∶3。

此外，第一及第二子像素沿横向布置，并且第一子像素的横向长度与第二子像素的横向长度不同。

此外，液晶显示装置可进一步包括分别面对第一及第二子像素电极的第一及第二滤色器，其中，第一及第二滤色器具有相同的颜色。

此外，第一数据线和第二数据线可位于每个像素的相对侧。

此外，第一及第二数据电压可具有相同的极性。

此外，第一第二数据电压可具有相反的极性。

此外，第一数据线和第二数据线邻近每个像素的同侧。

此外，第一及第二数据电压可具有相同的极性。

此外，液晶显示装置可进一步包括连接到第二数据线和第二开关装置之间的电桥线，其中，第二数据线比第一数据线离像素更远。

此外，电桥线和栅极线可包括相同的金属层，并且电桥线可通过包括与第一及第二子像素电极相同的金属层的导电元件，连接到第二数据线的一部分及第二开关装置一端。

此外，第二数据线可包括彼此分开的第一部分和第二部分，第二数据线的第一及第二部分的一端可与电桥线的第一端部重叠。

此外，电桥线的第二端部被第二开关装置的源电极重叠。

此外，每个像素基本上为矩形，并且第一及第二子像素基本上为非矩形。

此外，第一子像素可具有嵌套在第二子像素电极的形状中的形状，并且间隙可将第一子像素电极与第二子像素电极分开。

此外，液晶显示装置可进一步包括基本上与栅极线平行的存储电极线，其中，第一子像素电极通过第一接触孔连接到第一开关装置，第一接触孔位于对应存储电极线的位置，并且第二子像素电极通过第二接触孔连接到第二开关装置，第二接触孔位于存储电极线和栅极线之间。

此外，可以与图像信息的输入图像信号频率相同的频率驱动液晶显示装置。

此外，液晶显示装置可进一步包括信号控制器，用于处理图像信息并且产生第一图像信号和第二图像信号；以及数据驱动器，将对应于第一及第二图像信号的第一及第二数据电压分别施加到第一及第二数据线。

此外，液晶显示装置可进一步包括多个像素、以及位于每对邻近像素之间的数据线对。

根据本发明另一典型实施例，提供了一种液晶显示装置，其包括：栅极线，沿第一方向延伸；第一及第二数据线，沿第二方向延伸，并且彼此进行分开；第一薄膜晶体管，连接到栅极线和第一数据线；第二薄膜晶体管，连接到栅极线和第二数据线；以及第一及第二显示电极，分别连接到第一及第二薄膜晶体管，其中，第二显示电极的第二方向长度大于第一显示电极的第一方向长度，并且第一显示电极位于第二显示电极的第二方向长度内。

在本发明的上述方面，第一及第二显示电极具有彼此面对的倾斜侧面。

此外，第一显示电极可具有嵌套在第二显示电极的形状中的形状。

此外，第一及第二显示电极中的至少一个可具有开口。

此外，液晶显示装置可进一步包括面对第一及第二显示电极的第三显示电极。

此外，第三显示电极可具有开口或凸起。

此外，第一及第二显示电极中的每一个相对于沿第一方向延伸的直线均具有基本上对称的形状。

此外，第一数据线和第二数据线沿其第二方向可位于第二显示电极的相对侧。

此外，第一数据线和第二数据线沿其第二方向可位于第二显示电极的同侧。

此外，第一显示电极的面积可不同于第二显示电极的面积。

根据本发明的又一典型实施例，提供了一种液晶显示装置，其包括：多个像素，每个像素均包括第一及第二子像素；多条栅极线，连接到第一及第二子像素，以传输栅极信号；以及多条数据线，与栅极线交叉，并且连接到第一及第二子像素，以传输数据电压，其中，施加到每个像素中的第一及第二子像素的数据电压具有不同的值以及相同的极性，并且从单一图像信息中获得。

根据本发明的再一典型实施例，提供了一种液晶显示装置，其包括：多个像素，每个像素包括第一及第二子像素；多条栅极线，连接到第一及第二子像素，以传输栅极信号；以及多条数据线，与栅极线交叉，并且连接到第一及第二子像素，以传输数据电压，其中，施加到第一及第二子像素的数据电压具有不同的值以及相反的极性，并且从单一图像信息中获得。

在本发明的上述两个典型实施例的任意一个中，施加到第一及第二子像素的数据电压的极性可以每像素行或每像素列进行反转。

此外，多条数据线可包括分别连接到第一及第二子像素的第一及第二数据线。

此外，每个像素的第一及第二数据线可位于每个像素的相对侧。可选地，每个像素的第一及第二数据线可位于每个像素的同侧。在另一实施例中，第一及第二数据线之一位于每个像素的第一及第二子像素之间。

附图说明

本发明的上述和其它优点将会在下文中结合附图对优选实施例的详细描述而更加明显，在附图中：

图1是示出根据本发明的液晶显示装置的第一典型实施例的框图；

图2是示出根据本发明的液晶显示装置的第一典型实施例的典型像素的等价电路图；

图3是根据本发明的LCD装置的第一典型实施例的典型子像素的等效电路图；

图4是示出根据本发明的LCD装置的第一典型实施例的典型TFT面板的布局的视图；

图5是示出根据本发明的用于LCD装置的第一典型实施例的典型共电极面板的布局的视图；

图6是示出由图4的典型TFT面板和图5的典型共电极面板组成的LCD装置的第一典型实施例的布局的视图；

图7A和图7B是示出分别沿图6的VIIA-VIIA’和VIIB-VIIB’线截取的LCD装置的截面图；

图8A和图8B示出根据本发明的LCD装置的第一典型实施例的典型像素电极的极性状态；

图9是示出根据本发明的LCD装置的第二典型实施例的框图；

图10是示出根据本发明的用于LCD装置的第二典型实施例的典型TFT面板的布局的视图；

图11是示出根据本发明用于LCD装置的第二典型实施例的典型共电极面板的布局的视图；

图12是示出由图10的典型TFT面板和图11的典型共电极面板构成的LCD装置的第二典型实施例的布局的视图；

图13是示出沿图12的XIII-XIII’线截取的截面图；

图14示出根据本发明的LCD装置的第二典型实施例的典型像素电极的极化状态的视图；

图15是根据本发明的LCD装置的第三典型实施例的框图；

图16是根据本发明的LCD装置的第三典型实施例的典型TFT面板的布局的视图；

图17是根据本发明的LCD装置的第三典型实施例的典型共电极面板的布局的视图；

图18是示出由图16的典型TFT面板和图17的典型共电极面板构成的LCD装置的第三典型实施例的布局的视图；

图19是示出沿图18的XIX-XIX′线截取的截面图。

具体实施方式

以下将参照附图对根据本发明的优选实施例进行详细地描述。然而，本发明可以多种不同的形式来实现而并不局限于在此所示出的实施例。在整个说明书附图中，相同的标号表示相同的元件。

附图中，为清楚起见，扩大了层和区域的厚度。整个附图中，相同的标号指向相同的元件。应该可以理解，当诸如层、区域、和基片的元件“位于”另一个元件上时，是指该元件直接位于另一个元件上，和在其间具有干涉元件。正如在此所应用的，术语“和/或”包括任何的以及所有的一个或多个相关所列术语的结合。

应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二等来描述不同的元件、部件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层、和/或部分并不局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层、或部分另一个区域、层、或部分相区分。因此，在不背离本发明宗旨的情况下，下文所述的第一元件、组件、区域、层、或部分可以称为第二元件、组件、区域、层、或部分。

在此使用的术语仅用于描述特定实施例而不是限制本发明。正如在此使用的，单数形式的“一个”、“这个”也包括复数形式，除非文中有其它明确指示。应当进一步理解，当在本申请文件中使用术语“包括”和/或“包含”时，是指存在所声称的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件，但是并不排除还存在或附加一个或多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。

此外，在此可能使用诸如“下面的”、或“底部的”以及“上面的”、或“顶部的”的相关术语，以描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。应当理解，除图中所示的方位之外，相关术语将包括装置的不同方位。例如，如果翻转一个附图中的装置，则被描述为在其它元件“下部”面上的元件将被定位为在其它元件的“上部”面。因此，根据附图的特定方位，典型术语“下面”包括在上面和在下面的方位。相似地，如果翻转一个附图中的装置，则被描述为在其它元件“下面”或“之下”的元件将被定位为在其它元件的“之上”。因此，典型术语“下面”或“在...之下”可包括在上方和在下方的方位。

除非特别限定，在此所采用的所有的术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的意思相同的解释。而该术语的进一步理解，例如，字典中通常采用的限定意思应该被解释为与相关技术上下文中的意思相一致，并且除非在此进行特别限定，其不应被解释为理想的或者过于正式的解释。

在此，参考作为本发明的理想实施例的示意图的横截示意图描述本发明的实施例。同样，可以预料诸如制造技术和/或公差可以导致示意图的变化。因此，本发明的实施例不应该被理解为局限于在此示出的特定形状，而且包括例如由于制造而导致的形状的偏差。例如，被显示或描述为平坦的区域，典型地可能具有粗糙和/或非线性特性。此外，所示的锐角可以为圆角。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，并且形状并不用于描述区域的准确形状，并且不用于限定本发明的范围。

以下参照附图所示的示例详细地描述根据本发明的优选实施例。以下参照附图描述的实施例仅用于解释本发明。

附图中，为清楚起见，扩大了层和区域的厚度。

下面参照附图详细说明根据本发明的TFT面板和LCD装置。

图1是示出根据本发明的LCD装置的第一典型实施例的框图，图2是示出根据本发明的LCD装置的第一典型实施例的典型像素的等效电路图，图3是示出根据本发明的LCD装置的第一典型实施例的典型子像素的等效电路图。

如图1所示，LCD装置包括：LCD面板组件300、栅极驱动部400和连接至LCD面板组件300的数据驱动部500、连接至数据驱动部500的灰度级电压产生器800、以及控制各个部件的信号控制器600。

如图3所示的等效电路图，LCD面板组件300包括：作为TFT面板的下部面板100、作为共电极面板的上部面板200，其中，面板100和200相互面对，并且液晶层3介于其中。LCD面板300进一步包括多个像素PX，其连接至多个信号线G₁至G_n和D₁至D_2m并且基本在下部面板100上设置成矩阵。

显示信号线G₁-G_n、D₁-D_2m包括用于传输栅极信号(也称为“扫描信号”)的多条栅极线G₁-G_n和用于传输数据信号的多条数据线D₁-D_2m。栅极线G₁-G_n基本沿行方向延伸，彼此基本上平行。数据线D₁-D_2m基本沿列方向延伸，基本上彼此平行。从而数据线D₁-D_2m基本垂直于栅极线G₁-G_n延伸。如以下所述，数据线D₁-D_2m与栅极线G₁-G_n绝缘。

每条数据线D₁-D_2m均设置在一个像素PX一侧。即，每个像素PX侧面均有一对数据线，以使每个像素PX均包括设置在相对侧上的两条数据线，并且两条数据线设置在每对相邻像素PX之间。除栅极线G₁-G_n和数据线D₁-D_2m之外，显示信号线可以包括存储电极线，以下进一步描述，其在每个像素区域内基本平行于栅极线G₁-G_n延伸。

如图2所示，每个像素PX均包括一对子像素PXa和PXb，并且子像素PXa和PXb包括：连接至对应栅极线G_i和数据线G_j、G_j+1的开关装置Qa和Qb，以及分别连接至开关装置的液晶电容器C_LCa和C_LCb和存储电容器C_STa和C_STb。

在可选实施例中，可以省略存储电容器C_STa和C_STb。

如图2所示，该对子像素PXa和PXb连接至相同的栅极线G_i，但是子像素PXa和PXb也可以连接至不同的相邻数据线G_j-G_j+1。子像素PXa连接至在像素PX的第一侧的数据线，子像素PXb连接至像素PX的第二侧上的数据线，第二侧与第一侧相对。

诸如开关装置Qa和Qb的TFT设置在下部面板100上并且为三端口装置。开关装置Qa和Qb对应于栅电极和源电极的控制和输入端口连接至栅极线G₁-G_n和数据线D₁-D_2m，并且其对应于漏电极的输出端口连接至液晶电容器C_LCa和C_LCb和存储电容器C_STa和C_STb。

如图3所示，子像素PXa的液晶电容器C_LCa和C_LCb的端口中的两个为下部面板100的子像素电极190a和上部面板200的共电极270，并且介于两个电极190a和270之间的液晶层3作为介电元件。子像素电极190a连接至开关装置Qa，诸如连接至开关装置Qa的输出端口/漏电极，并且共电极270设置在上部面板200前面，以接收共电压V_com。虽然没有说明，共电极270可以选择性地设置到下部面板100，并且在这种情况下，两个电极190a和270中的至少一个可以形成线或棒的性状。

通过用介于其间的绝缘件与设置到下部面板100的子像素电极190a和分开信号线(未示出)重叠，构成具有用于液晶电容器C_LCa的辅助功能的存储电容器C_STa，并且诸如共电压V_com的预定电压可以被施加至分开信号线。但是，可选地，通过用介于其间的绝缘件使子像素电极190a和仅设置在其上的前栅极线重叠来构成存储电容器C_STa。

为了实现彩色显示，每个像素独立地显示一种颜色(空间划分)，或者每个像素根据时间(时间划分)选择性地显示多种颜色。期望的颜色可以通过多种颜色的空间或时间结合来获得，三种颜色为红色、绿色和蓝色。颜色的集合的例子包括红色、绿色和蓝色，但是应该明白还可以采用可选择的颜色集合。

图3示出空间划分的例子。如图所示，每个像素均包括用于表示一种颜色的滤色器230，其被提供至上部面板200的一个区域。每个子像素PXa和PXb均可以包括滤色器。例如，第一和第二滤色器230可以面对第一和第二子像素电极190a和190b，并且第一和第二滤色器230可以具有相同的颜色。

可选地，滤色器230可以设置在下部面板100的子像素190a之上或之下。

用于偏振光的偏振器(未示出)附着在LCD面板组件300的两个面板100和200的外表面中的至少一个上。例如，第一和第二偏振膜可以根据液晶层3的排列方向(aligned direction)，分别调节外部提供至下部面板100和上部面板200的光的传输方向。第一和第二偏振膜可以具有分别基本相互垂直的第一和第二偏振轴。

参看图1，灰度级电压发生器800产生与子像素PXa和PXb的透射率相关的两对灰度级电压。两对中的一对相对于共电压V_com具有正值，另一对相对于共电压V_com具有负值。

栅极驱动器400连接至LCD面板组件300的栅极线G₁-G_n，以将栅极电压V_on的结合形成的栅极信号提供给栅极线G₁-G_n。

数据驱动器500连接至LCD面板组件300的数据线D₁-D_2m，以从灰度级电压发生器800选择关于LCD亮度的灰度级电压，并且将所选择的灰度级电压提供给子像素PXa和PXb作为数据信号。数据驱动器500通过信号控制器600的控制将选择用于数据线D₁-D_2m的灰度级电压提供给分别作为数据信号的数据线D₁-D_2m。

栅极驱动器400和数据驱动器500可以以多个驱动集成电路(“IC”)的形式直接装配在LCD面板组件300上。可选地，栅极驱动器400和数据驱动器500可以以带载封装(“TCP”)的形式附着于在LCD面板组件300中的柔性印刷电路(“FPC”)膜(未示出)上。可选地，栅极驱动器400和数据驱动器500可以直接装配在LCD面板组件300上。

信号控制器600控制栅极驱动器400、数据驱动器500等的操作。

现在，将参考图4至图7B进一步描述LCD装置的结构。

图4是根据本发明的用于LCD装置的第一典型实施例的典型TFT面板的布局的视图。图5是根据本发明的用于LCD装置的第一典型实施例的典型共电极面板的布局的视图，图6是示出有图4的典型TFT面板和图5的典型共电极面板构成的LCD装置的第一典型实施例的布局的视图。图7A和图7B是分别沿线图6的VIIA-VIIA’和VIIB-VIIB’线截取的LCD装置的截面图。

LCD装置包括相互面对的TFT面板100和共电极面板200，以及介于两个面板100和200之间的液晶层3。

首先，将参考图4、6、7A和7B描述TFT面板100。

多个栅极线121和多个存储电极线131设置在由诸如其它透明绝缘材料的透明玻璃等制成的介电基板110上。

主要在诸如纵向的第一方向上延伸的栅极线121相互分开，并且传输栅极信号。每个栅极线121均包括构成多个栅电极124a和124b的多个凸起以及具有用于连接至其它层或外部凸起的宽区域的端部129。栅电极124a和124b可以在空间上分开，一是栅电极124a邻近像素PX的第一侧设置，使栅电极124b邻近像素PX的第二侧设置。但是，栅电极124a和124b可以以与所述方式不同的方式设置。

存储电极线131主要在诸如基本平行于栅极线121的纵向方向的第一方向上延伸，并且包括构成存储电极133a和133b的多个凸起。

存储电极133a为矩形，并且相对于存储电极线131对称，存储电极133b在从存储电极线131的凸起的横向方向上延伸，并且具有进一步从其延伸的延伸部。换句话说，存储电极133b设置在存储电极线131和栅极线121之间，具有进一步朝向栅极线121延伸的延伸部。

诸如提供至LCD装置的共电极面板200的共电极270的共电压V_com的预定电压还被提供至存储电极线131。

栅极线121和存储电极线131可以由诸如但不限于铝(Al)和铝合金的基于铝的金属，诸如银(Ag)和银合金的基于银的金属、诸如铜(Cu)和铜合金的基于铜的金属、诸如钼(Mo)和钼合金的基于钼的金属、铬(Cr)、钛(Ti)、或钽(Ta)制成。

可选地，栅极线121和存储电极线131可以具有包括具有不同物理特性的两个导电层(未示出)的多层结构。在这种情况下，两个导电层中的一层将由具有低电阻率的金属制成，例如，基于铝的金属、基于银的金属、或基于铜的金属，为了减少电极线121和存储电极线131的信号延迟或电压降，并且其它导电层由具有与其它金属很好接触的金属制成，特别是由与氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)很好接触的金属制成，诸如基于钼的金属、铬、钛和钽。

如多层结构的结合的优选例子可以包括下铬层、上铝层、下铝层和上钼层。

但是，已经描述了特定的例子，应该明白栅极线121和存储电极线131可以有多种金属和导电材料制成。

另外，栅极线121和存储电极线131的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且优选倾斜角在约30°至80°的范围。

由氮化硅SiNx等制成的栅绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上，并且可以进一步形成在不与由栅极线121或存储电极线131重叠的基板110的暴露部分上。

由氢化非晶硅(“a-Si”)制成的多个线形半导体151a和151b形成在栅绝缘层140上。线形半导体151a和151b主要在诸如基本垂直于第一方向的横向的第二方向上延伸，多个凸起154a和154b朝向栅电极124a和124b延伸并且与栅电极124a和124b重叠。

由硅化物或n+氢化a-Si等制成的多个线形和岛形欧姆接触件161a、161b、165a、和165b(其掺杂有n型杂质，诸如磷)形成在线形半导体151a和151b上。线形欧姆接触件161a和161b分别具有多个凸起163a和163b，并且凸起163a和163b和岛形欧姆接触件165a和165b构成各个对并且设置在线形半导体151a和151b的凸起154a和154b上。换句话说，凸起163a和岛形欧姆接触件165a设置在凸起154a的间隔位置上，并且凸起163b和岛形欧姆接触件165b设置在凸起154b上的间隔位置上。

半导体151a和151b的侧表面和欧姆接触件161a、161b、163a、163b、165a和165b还相对于基板110的表面倾斜，并且倾斜角在约30°至约80°的范围内。

与多个数据线171a和171b分开的多个数据线171a和171b以及多个漏电极175a和175b分别形成在欧姆接触件161a、161b、165a和165b上。

数据线171a和171b主要在基本与栅极线121和存储电极线131垂直交叉的诸如横向的第二方向上延伸，并且提供数据电压。数据线171a和171b具有多个源电极173a和173b，其与线形欧姆接触件161a和161b的凸起163a和163b重叠，并且朝向漏电极175a和175b以及具有用于连接至其它层或外部凸起的放大宽度的端部179a和179b延伸。

漏电极175a和175b主要在平行于数据线171a和171b的横向上延伸，并且具有与存储电极133a和133b重叠的放大部177a和177b。漏电极175a和175b的放大部177a和177b的侧面基本平行于存储电极133a和133b的侧面。栅电极124a和124b、源电极173a和173b、和漏电极175a和175b与半导体154a和154b一起分别构成TFT Qa和Qb。TFT Qa和Qb的通道在半导体154a和154b上分别形成在源电极173a和173b与漏电极175a和175b之间，以及凸起163a和163b与岛形欧姆接触件165a和165b之间。

数据线171a和171b与漏电极175a和175b优选由铬(Cr)、基于钼(Mo)的金属、或诸如钽(Ta)和钛(Ti)的难熔金属，并且可以具有由难熔金属制成的下部层(未示出)和由设置在其上的低阻抗材料制成的上部层(未示出)。

如多层结构的例子，除下铬或钼层和上铝层的上述两层结构之外，可以有钼层/铝层/钼层的三层结构。在这种结构中，两个相邻数据线171a和171b之间的间隔通过考虑生产能力和产量保持在最小间隔，从而涉及数据线171a和171b数量增加的纵横比减少可以最小化。

与栅极线121和存储电极线131类似，数据线171a和171b与漏电极175a和175b的侧表面相对于基板110倾斜具有约30°至约80°的角度。

欧姆接触件161a、161b、163a、163b、165a、和165b仅基于下层线形半导体151a和151b和凸起154a和154b以及上覆(overlying)数据线171a和171b、源电极173a和173b、和漏电极175a和175b之间，并且具有减少接触电阻的功能。线形半导体151a和151b以及凸起154a和154b具有基本等于或低于数据线171a和171b、源电极173a和173b、漏电极175a和175b、以及欧姆接触件161a、161b、163a、163b、165a、和165b的形状的形状。但是线形半导体151a和151b具有在源电极173a和173b和漏电极175a和175b之间以及在凸起163a和163b和岛形欧姆接触件165a和165b之间未覆盖的暴露部分。

保护膜(钝化层)180形成在数据线171a和171b、源电极173a和173b、漏电极175a和175b、以及半导体151a和151b的暴露凸起154a和154b上。钝化膜180由诸如氮化硅和氧化硅的无机材料、具有出色极化特性和感光性的有机材料、以及诸如a-Si:C:O和Si:O:F的通过等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)形成的低介电常数绝缘材料制成。但是，为了使用有机膜的出色特性，并且保护半导体151a和151b的凸起154a和154b的暴露部分，保护膜180可以具有包括下部无机膜和上部有机膜的双层结构。

在保护膜180中，形成使漏电极175a和175b的放大部177a和177b以及数据线171a和171b的端部179a和179b暴露的多个接触孔185a、185b、182a、和182b。而且，使栅极线121的端部129暴露的多个接触孔181形成在保护膜180和栅绝缘层140中。

在保护膜180上，形成包括第一和第二子像素电极190a和190b的多个像素电极190、多个屏蔽电极88和多个接触辅助件81、82a、和82b。像素电极190、屏蔽电极88、和接触辅助件81、82a、和82b由诸如ITO和IZO的透明导电材料或诸如铝的反射导电材料制成。

第一和第二子像素电极190a和190b通过接触孔185a和185b物理和电连接至漏电极175a和175b，以从漏电极175a和175b接收数据电压。关于单输入图像信号预定的不同数据电压被提供给子像素电极190a和190b对，并且数据电压的大小可以根据子像素电极190a和190b的大小和形状确定。子像素电极190a和190b可以具有不同的区域，例如，子像素电极190a可以具有嵌套在子像素电极190b内但与其分开的形状，以下将进行描述。

提供有数据电压的子像素电极190a和190b与共电极270一起产生电场，以确定两个子像素电极190a、190b和共电极270之间的液晶层3的液晶分子排列。

第一和第二子像素带年级190a和190b和共电极270构成电容器(在此，称为“液晶电容器”)C_LCa和C_LCb，以使通过TFT Qa和Qb提供的电压保持断开。为了增加电压存储能力，提供平行连接至液晶电容器C_LCa和C_LCb的其它电容器，并且电容器被称为存储电容器C_STa和C_STb。存储电容器C_STa和C_STb通过使第一和第二子像素电极190a和190b与存储电极线131重叠构成。为了增加存储电容器C_STa和C_STb的电容，即，存储电容，存储电极133a和133b被提供给存储电极线131，并且与通过第一和第二接触孔185a和185b连接至第一和第二子像素电极190a和190b的漏电极175a和175b的放大部177a和177b重叠，以使端口之间的距离减小且重叠区域放大。

对应于子像素电极190b的每个像素电极190的右上角被切掉，并且切掉的一侧关于栅极线121具有约45°角。

构成一个像素电极190的第一和第二子像素电极190a和190b对与间隙93结合介于其中，并且像素电极190的外边界具有大致为矩形的形状。第一子像素电极190a具有旋转的等边梯形形状，其具有与存储电极133a邻近并且基本平行于数据线171a延伸的左侧，与左侧相对并且基本平行于数据线171b延伸的右侧、以及关于栅极线121具有约45°角的上和下倾斜侧。第一像素电极190a的上和下倾斜侧基本相互垂直。第二子像素电极190b具有一对面对第一子像素电极190a的倾斜侧的梯形部和面对第一子像素电极190a的右侧的横向部。另外，间隙包括具有基本均匀的宽度和相对于栅极线121约45°角的上和下倾斜部93a和93b，并且还具有基本均匀宽度的横向部93c。横向部93c包括第一端和第二端，其中上倾斜部93a从横向部93c的第一端延伸，并且下倾斜部93b从横向部93c的第二端延伸。在此，为了便于描述，间隙93被表示为开口。

像素电极190具有中心开口91和92、上开口93a和94a、以及下开口93b和94b，像素电极190通过开口91、92、93a、93b、94a和94b被分为多个区域，其中，开口93a和93b对应于使子像素电极190a和190b分开的上倾斜部和下倾斜部。开口91、92、93a、93b、94a、和94b相对于存储电极线131大致反相对称。即，设置在存储电极线131的第一侧上的上开口可以基本为设置在存储电极线131的第二侧上的下开口的镜像。

上和下开口93a、93b、94a、和94b在倾斜方向上从像素电极190延伸至其右侧，并且分别设置在关于存储电极线131的上和下半区域中，其在纵向上划分存储电极线131。上和下开口93a、93b、94a、和94b相对于栅极线121具有约45°角，并且上开口93a和94a垂直于下开口93b和94b延伸，并且中心开口91和92具有一对分支(branch)，其基本平行于上开口93a和94a以及下开口93b和94b。中心开口91和92还具有在其中心沿纵向延伸的纵向部，诸如沿存储电极线131。

因此，像素电极190上半部和下半部通过开口91、92、93a、93b、94a、94b分别分为四个区域。此时，区域数量或开口数量根据像素大小、像素电极190横向边和纵向边长度比、液晶层3的种类或特性等设置因素而不同。

像素电极190与相邻的栅极线121重叠以提高开口率(apertureratio)。

屏蔽电极88沿数据线171a、171b及栅极线121延伸，位于数据线171a、171b上部的部分完全覆盖数据线171a、171b，位于栅极线121上部的部分宽度比栅极线121宽度小，并且位于栅极线121边界线内。位于相邻的两个像素电极190之间的两条数据线171a、171b被屏蔽电极88覆盖。作为选择，也可以调整屏蔽电极88的宽度比数据线171a、171b小，并且/或者屏蔽电极88的边界线可位于栅极线121边界线外侧。为了向屏蔽电极88施加共电压V_com，屏蔽电极88可通过保护膜180及栅极绝缘层140内的接触孔(未示出)与存储电极线131连接，或与将共电压从TFT面板100传输到共电极板200的短路点(未示出)连接。此时，优选地，为了使纵横比的降低最小，应将屏蔽电极88和像素电极190之间距离设计得最小。

通过这样的设置，若将被施加了共电压的屏蔽电极88置于数据线171a、171b之上，则屏蔽电极88可屏蔽掉在数据线171a、171b和像素电极190之间及数据线171a、171b和共电极270之间生成的电场，使像素电极190的电压失真及由数据线171a、171b传输的数据电压迟延及失真得以降低。

而且，由于防止像素电极190和屏蔽电极88短路而使其相互分隔开，因而像素电极190可进一步与数据线171a、171b隔开，从而减少了它们之间的寄生电容。此外，由于液晶层3的介电常数高于保护膜180的介电常数，因而数据线171a、171b和屏蔽电极88之间的寄生电容小于无屏蔽电极88时数据线171a、171b和共电极270之间的寄生电容。

而且，由于像素电极190和屏蔽电极88由同一层制成，因此它们之间维持相同距离，从而它们之间的寄生电容也一致。

接触辅助件81、82a、82b通过接触孔181、182a、182b分别与栅极线121的端部129及数据线171a、171b的端部179a、179b连接。接触辅助件81、82a、82b起到补充栅极线121暴露的端部129及数据线171a、171b暴露的端部179a、179b和外部装置之间的粘着性并保护它们的作用。

当图1示出的栅极驱动器400或数据驱动器500集成在TFT面板100中时，栅极线121或数据线171a、171b延伸至直接与它们连接。在这种情况下，接触辅助件81、82a、82b可用于将栅极线121或数据线171a、171b分别与驱动器400、500连接。

在像素电极190、接触辅助件81、82a、82b及保护膜180上，涂布了用于排列液晶层3的排列膜11。排列膜11可能是垂直排列膜。

下面参照图5至图7a对共电极面板200进行说明。

在由透明玻璃或类似物(例如其它的透明绝缘材料)制成的介电基板210上形成防止光泄漏的遮光件220(也称作黑阵)。

遮光件220包括面向像素电极190并具有基本上与像素电极190相同形状的多个开口部。或者，遮光件220可以由相应于数据线171a、171b的部分和相应于TFT Qa、Qb的部分组成。但是遮光件220为了遮蔽像素电极190和TFT Qa、Qb附近的光泄漏，可具有多种形状。

基板210上形成有多个滤色器230。滤色器230位于由遮光件220包围的大部分区域内，并沿着像素电极190横向延伸。

滤色器230可显示红色、绿色、蓝色或者本文中未描述的其它颜色中的一种。

滤色器230及遮光件220上形成了覆盖膜250，从而防止暴露滤色器230并提供平坦面。

覆盖膜250上形成有由例如(但不限于)ITO、IZO等透明导电材料制成的共电极270。

共电极270包括如图5和图6所示的多个开口71-74b。

开口71-74b与像素电极190中的一个面对，包括中央开口71、72、上部开口73a、74a及下部开口73b、74b。开口71-74b置于相邻像素电极190的开口91-94b之间及开口94a、94b和像素电极190的侧面之间。而且，各开口71-74b包括与像素电极190的开口91-94b平行延伸的至少一个倾斜部分。

上部及下部开口73a-74b包括：从相应于各个像素电极190右侧的共电极270的部分向其下侧或上侧边延伸的倾斜部；以及纵向和/或横向部，从倾斜部的末端沿相应于像素电极190的侧边的共电极270的部分在与倾斜部成钝角的情况下延伸，并与相应于像素电极190的侧边的共电极270的部分重叠。

中央开口71包括：从左侧横向延伸的中央横向部；从中央横向部末端在与中央横向部成斜角的情况下，向相应于像素电极190左侧边的共电极270的部分延伸的一对倾斜部；以及远侧横向部，从倾斜部的各末端沿相应于像素电极190左侧边的共电极270的部分在与倾斜部成钝角的情况下延伸，并与相应于像素电极190左侧边的共电极270的部分重叠。中央开口72包括：横向部，沿相应于像素电极190右侧边的共电极270的部分延伸，并与相应于像素电极190右侧边的共电极270的部分重叠；一对倾斜部，从横向部各末端向相应于像素电极190左侧边的共电极270的部分延伸；以及远侧横向部，从倾斜部的末端沿着相应于像素电极190左侧边的共电极270的部分在与倾斜部成钝角的情况下延伸，并与相应于像素电极190左侧边的共电极270的部分重叠。因为共电极270可基本上覆盖共电极面板200的整个表面，所以这里描述的开口71-74b的图样可在TFT面板100的各个像素区域中重复。

在开口71-74b的倾斜部中形成有三角形的槽口。可选地，这些槽口可以具有四角形、梯形或半圆形状，也可以凸出或凹陷。由于这些槽口，位于相应与开口71-74b的边界内的液晶层3内的液晶分子排列方向能够得以确定。

开口71-74b的数量根据设计因素而不同，遮光件220可与开口71-74b重叠，以屏蔽开口71-74b附近的光泄漏。

由于向共电极270和屏蔽电极88施加的是相同的共电压V_com，因此它们之间基本上不产生电场。因而，位于共电极270和屏蔽电极88之间的液晶层3内的液晶分子维持初期垂直排列的形态，因此入射到该区域的光不能透过。

开口91-94b和71-74b中的至少一个可以由凸起或凹陷部替代，并且，虽然为示例目的已经描述了开口91-94b和71-74b的特定形状和排列，但开口91-94b和71-74b的形状和排列可以在替换实施例中改变。

共电极270及覆盖膜250上涂布了使液晶层3排列的排列膜21。排列膜21可以是垂直排列膜。

面板100、200的外表面上设置了偏振器12、22。这两个偏振器12、22的透射轴成直角，其中一个透射轴(或吸收轴)与纵向平行。在反射型液晶显示器的情况下，可以省略两个偏振器12、22中的一个。

液晶层3具有负的各向异性介电常数，当没有向液晶分子施加电场时，液晶层3的液晶分子沿其主轴排列，并与两个面板100、200的表面垂直。

若分别向共电极270和像素电极190施加共电压和数据电压，则在基本垂直于面板100、200的表面的方向产生电场。电极190、270的开口91-94b、71-74b使这种电场失真，以生成垂直于开口91-94b、71-74b的侧边的水平分量。

由此，电场处于与垂直于面板100、200表面的方向倾斜。

响应于电场方向，液晶层3内的液晶分子具有将主轴方向改变为与电场方向垂直的趋势。此时，由于开口91-94b、71-74b及像素电极190的侧边邻近区域中的电场与液晶分子的主轴方向不平行而形成预定角度，因此，在液晶分子的主轴方向和电场形成的平面上，液晶分子向移动距离短的方向旋转。因此，一组开口91-94b、71-74b和像素电极190的侧边将位于像素电极190上的液晶层3的区域分为液晶分子具有不同倾角的多个区域，从而能够增加基准视角。

下面详细说明LCD装置的操作。

如图1所示，信号控制部600从外部的图形控制器(未示出)接收红色、绿色、和蓝色的输入图像信号R、G、B，及控制显示的输入控制信号。输入控制信号的例子包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK、和数据使能信号DE等。信号控制部600根据LCD面板组件300的操作条件，基于输入图像信号R、G、B和输入控制信号适当处理输入图像信号R、G、B，以生成栅极控制信号CONT1及数据控制信号CONT2，然后将生成的栅极控制信号CONT1输出到栅极驱动器400，将生成的数据控制信号CONT2和已进行处理的图像信号DAT输出到数据驱动器500。这里，图像信号的转换通过预先利用实验等确定的查询表(look-uptable)中存储的映射(mapping)执行，或通过信号控制部600运算形成。

栅极控制信号CONT1包括：命令栅极开启电压V_on扫描开始的扫描开始信号STV；和控制栅极开启电压V_on的输出时间至少一个栅极时钟信号CPV。输出使能信号OE可进一步限定栅极开启电压V_on的持续时间。

数据控制信号CONT2包括：通知向一行子像素PXa和PXb传输数据的水平同步开始信号STH；命令向数据线D₁-D_2m施加相应数据电压的负载信号LOAD；及数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还包括反转数据电压相对于共电压V_com的极性(下面把“数据电压相对于共同电压的极性”简称为“数据电压极性”)的反转信号RVS。

响应于来自信号控制部600的数据控制信号CONT2，数据驱动器500依次接收一行子像素PXa、PXb的图像数据DAT，并从来自灰度级电压生成器800的灰度级电压中选择对应于各图像数据DAT的灰度级电压，从而把图像数据DAT转换为相关的模拟数据电压，然后将数据电压施加到相应的数据线D₁-D_2m。

响应于来自信号控制部600的栅极控制信号CONT1，栅极驱动器400依次向栅极线G₁-G_n施加栅极开启电压V_on，以通过连接于栅极线G₁-G_n的栅极电极开启开关元件Qa和Qb。由此，施加到数据线D₁-D_2m的数据电压通过开启了的开关元件Qa和Qb的漏电极施加到相应的子像素PXa和PXb，其通过源电极接收数据电压。

施加到子像素PXa和PXb的数据电压和共电压V_com的差成为液晶电容器CLca、CLCb的充电电压，即子像素电压。液晶分子的排列随子像素电压的强度而改变。因此，通过液晶层3的光的偏振发生改变。这种偏振的变化导致了由于附着于面板100和200的偏振器12和22引起的光透射率的变化。

一个输入图像数据转换为一对输出图像数据，输出图像数据向一对子像素PXa和PXb提供不同的透射率。因此两个子像素Pxa和PXb显示彼此不同的伽马曲线，一个像素PX的伽马曲线为它们的伽马曲线的合成。

若经过1水平周期(或“1H”，即，水平同步信号Hsync和数据使能信号DE的一个周期)，则数据驱动器500和栅极驱动器400对下一行子像素PXa和PXb反复进行相同的操作。通过这种方式，在一帧内，向所有栅极线G₁-G_n依次施加栅极开启电压V_on，从而向所有子像素PXa和PXb施加数据电压。结束一帧就开始下一帧，控制施加到数据驱动器500的反转信号RVS(数据控制信号CONT2的一部分)的状态，使施加到各子像素PXa和PXb的数据电压极性与上一帧极性相反(“帧反转”)。或者，在一帧内，根据反转信号RVS的特性，可以改变流过数据线的数据电压的极性(行反转、点反转)。

下面参照图8a和图8b详细说明根据本发明的LCD装置的第一实施例的像素电极极性及反转形态。

图8a及图8b示出根据本发明的LCD装置的第一实施例的像素电极的极性状态。

如图8a所示，流过与构成一个像素PX的一对子像素Pxa和PXb连接的两条数据线(例如D_j和D_j+1)的数据电压的极性彼此相同。但是，流过置于相邻两个像素PX之间的两条数据线(例如D_j+1和D_j+2)的数据电压的极性彼此相反，以改变相邻像素的极性。图8a中示出在每个像素进行反转像素电极190的极性的点反转，但也可以采用每两个像素进行反转极性的1+2反转方式。根据这种反转模式，由于组成一个像素电极190的两个子像素电极190a和190b的极性相同，因此在子像素电极Pxa和PXb之间的间隙93中不会发生光泄漏。

另一方面，如图8b所示，流过构成一个像素PX的一对子像素PXa和PXb的两条数据线(例如D_j和D_j+1)的数据电压极性彼此不同。然而，流过置于相邻两个像素PX之间的两条数据线(例如D_j+1和D_j+2的数据电压极性相同。因为相邻数据线的极性相同，所以数据线的负荷减小，从而能够防止数据电压的充电迟延，并增加数据驱动器500的驱动余量。

下面参照图9和图2详细说明根据本发明的LCD装置的第二实施例。

图9是根据本发明的LCD装置的第二实施例的方框图。

如图9所示，该LCD装置包括LCD面板组件300、与该LCD面板组件300连接的栅极驱动器400和数据驱动器500、连接于数据驱动器500的灰度级电压生成器800、以及控制这些部件的信号控制器600。

由于根据本发明的LCD装置的第二实施例基本与图1中所示的LCD装置相同，因而省去对相同部件的描述，只描述不同的部件。

LCD面板组件300包括：作为TFT面板的下部面板100；作为共电极面板的上部面板200，面板100和200彼此面对；以及介于其间的液晶层3。LCD面板300进一步包括多条信号线G₁-G_n、D₁-D_2m和连接于这些信号线的多个像素PX，这多个像素PX基本以矩阵形式排列在下部面板100上。

显示信号线G₁-G_n和D₁-D_2m包括多条栅极线G₁-G_n和多条数据线D₁-D_2m。如图9所示，与第一实施例一样，各像素PX包括一对子像素Pxa和PXb、和连接于各个像素的子像素Pxa和PXb的两条数据线D₁-D_2m，它们位于各个像素的一侧，而不是在各个像素的相对侧。虽然图9示出了两条数据线D₁-D_2m置于一个像素的左侧的情况，但也可以置于右侧。

第奇数条数据线D_2j-1与子像素PXb的开关元件Qb连接，第偶数条数据线D_2j与子像素Pxa的开关元件Qa连接。换句话说，数据线与开关元件Qa和Qb交替连接。为了避免数据线D_2j-1和数据线D_2j的连接和接触，在数据线D_2j-1和开关元件Qb之间连接有电桥线(bridge wire)(未示出)。

以下参照图10至图13说明LCD装置的结构。

图10是根据本发明的LCD装置的第二实施例的TFT面板的布局布局图，图11是根据本发明的LCD装置的第二实施例的共电极面板的布局图。图12是由图10的TFT面板和图11的共电极面构成的LCD装置的第二实施例的布局图，图13是沿图12的XIII-XIII′线截取的LCD装置的截面图。

如图10至图13所示，由于根据本发明的LCD装置的第二实施例的分层结构基本与图4至图7b示出的LCD装置的分层结构相同，因此省略相同部分的说明，只对有区别的部分进行说明。

在TFT面板100中，基板110上形成了包括多个栅电极124的多条栅极线121、包括多个存储电极133a和133b的多个存储电极线131及多个连接桥127。

连接桥127由与栅极线121及存储电极线131相同的材料制成，并与它们位于TFT面板100的相同层内。并且，连接桥127基本平行于栅极线121和存储电极线131延伸，不过不同的形状方向也属于这些实施例的范围之内。

栅极绝缘层140、半导体151a和151b、欧姆接触部件161a、161b、163b、165a和165b依次形成在栅极线121、存储电极线131及连接桥127上。

欧姆接触部件161a、161b、163b、165a和165b上依次形成有多条数据线171a和171b，以及与数据线171a和171b分开的多个源电极173a和173b及多个漏极175a和175b。由于源电极173b连接到与数据线171a相同的像素电极190侧邻近的数据线171b，所以源电极173b沿与源电极173a相同方向打开。

数据线171b包括横向(基本垂直于栅极线121)延伸并彼此分开的多个第一及第二部分171p和171q。数据线171b的第一及第二部分171p、171q的端部与连接桥127的第一端部重叠，并彼此电连接。而且，源电极173b的部分与连接桥127的第二端部重叠，并与数据线171b电连接。

在数据线171a和171b、源电极173a和173b、漏电极175a和175b、及半导体151a、151b的暴露突起154a和154b形成保护膜180，例如钝化层。

在保护膜180中，形成有多个接触孔182a、182b、185a和185b，保护膜180和栅极绝缘层140中形成有其它的多个接触孔181、187a、和187b。

在保护膜180上形成有多个子像素电极190a和190b、屏蔽电极88、多个接触辅助件81、82a和82b、及多个连接件87a和87b。

连接件87a和87b由与子像素电极190a和190b、屏蔽电极88、及接触辅助件81、82a和82b相同的材料组成，并位于相同的层内，而且具有通过接触孔187a、187b连接数据线171b、连接桥127、以及源电极173b的功能。另一方面，屏蔽电极具有凹陷部，从而不与连接件87a接触，并且，子像素电极190b具有开口(opening)197，从而不与连接件87b接触。

在共电极面板200中，基板210上形成有遮光件220及多个滤色器230，覆盖膜250形成于其上，共电极270形成在覆盖膜250上。遮光件220包括遮住TFT Qb的岛形遮光件221。

在面板100和200内侧面形成有排列膜11和21，在外侧面形成有偏振器12和22。

下面参照图14详细说明LCD装置的像素电极的极性及反转模式。

图14示出根据本发明的LCD装置的第二实施例的像素电极的极性状态。

如图14所示，流过构成一个像素PX的一对子像素PXa和PXb的两条数据线(例如D_j和D_j+1)的数据电压的极性相同。而且，同一个像素PX的两条数据线置于彼此相邻的两个像素PX之间。

因此，由于构成一个像素电极190的两个子像素电极190a和190b的极性彼此相同，因此正如前面相对于LCD装置的第一示例性实施例所述，在子像素PXa和PXb之间的开口93中不会发生光泄漏。

此外，由于每个像素PX的相邻的数据线的极性彼此相同，数据线上的负载减小，因此可以防止数据电压的充电延迟并且增加数据驱动器500的驱动余量。

另一方面，尽管图14示出像素电极190的极性在每像素进行反转的点反转，也可以采用极性每两个像素进行反转的1+2反转方式。

现在，将参照图15描述根据本发明的实施例的LCD装置的第三典型实施例。

图15是示出根据本发明的LCD装置的第三典型实施例的框图。

如图15所示，LCD装置包括：LCD面板组件300；栅极驱动器400和数据驱动器500，连接至LCD面板组件300；灰度电压发生器800，连接至数据驱动器500；以及信号控制器600，用于控制部件。

由于根据本发明的LCD装置的第三典型实施例与图1所示的LCD装置大致相同，因此将仅对不同部件进行描述而省略对相同部件的描述。

LCD面板组件300包括：下部面板100，作为TFT面板；上部面板200，作为共电极面板，其中，面板100和200彼此面对，并且液晶层3介于其之间。LCD面板进一步包括多条信号线G₁-G_n和D₁-D_2m，以及多个像素PX，与其连接并且大致成矩阵排列在下部面板100上。

显示信号线G₁-G_n和D₁-D_2m包括多条栅极线G₁-G_n和多条数据线D₁-D_2m。像素PX的每个均包括一对子像素PXa和PXb，并且连接至子像素PXa和PXb的两条数据线D₁-D_2m设置在每个子像素的一侧。因此，每个像素PX由用于像素PX的每列的两条数据线中的一条隔开。尽管图15示出其中两条数据线D₁-D_2m设置在每个子像素的左侧的布置，但是数据线可以设置在其右侧。

一个像素PX的纵横比大致为1∶3，并且如果子像素PXa和PXb的大小彼此相等，则子像素PXa和PXb的每个的纵横比大致为1∶6。为了增加侧面可视性，子像素PXa和PXb的横向长度被设计为彼此不同。

下面将参照图16至19描述LCD装置的结构。

图16是示出用于根据本发明的LCD装置的第三典型实施例的示例性TFT面板的布局的视图，并且图17是示出用于根据本发明的LCD装置的第三典型实施例的示例性共电极面板的布局的视图。图18是构造有图16的示例性TFT面板和图17的示例性共电极面板的LCD装置的第三典型实施例的布局的视图。图19是示出沿着图18的XIX-XIX′线截取的LCD装置的横截面图。

LCD装置的每个像素PX包括具有大致相同结构的两个子像素PXa和PXb。

因此，在下面的描述中，将描述一个子像素Pxa，并且将省略对另一子像素PXb的重复描述。

LCD装置包括彼此面对的TFT面板100和共电极面板200，以及介于两个面板100和200之间的液晶层3。

首先，将参照图16、18、和19描述TFT面板100。

多条栅极线121和多条存储电极线131设置在由透明玻璃或诸如其它透明绝缘材料等制成的电基板110上。

主要在第一方向(诸如纵向)延伸的栅极线121彼此分开，并且传输栅极信号。每条栅极线121包括：多个凸起，构成多个栅电极124a；以及端部129，具有宽区域用于连接至其它层或外部装置。栅电极124a可以位于靠近子像素PXa的第一角落的位置。

主要在第一方向(诸如纵向)延伸的存储电极线131大致与栅极线121平行，并且包括构成存储电极133a的多个突出物。

每个存储电极133a是矩形，并且具有相对于存储电极线131的对称轴。诸如共电压Vcom的预定电压被施加到LCD装置的共电极面板200的共电极270，还施加到存储电极线131。

栅极线121和存储电极线131可以由下列材料制成：诸如铝(Al)和铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)和银合金的银基金属、诸如铜(Cu)和铜合金的铜基金属、诸如钼(Mo)和钼合金的钼基金属、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)。

可选地，栅极线121和存储电极线131可以具有包括具有不同物理特性的两个导电层(未示出)的多层结构。在这种情况下，两个导电层中的一个可以由具有低电阻率的金属制成，例如，铝基金属、银基金属、铜基金属，以降低栅极线121和存储电极线131的信号延迟和电压降，并且另一导电层可以由对其它金属(特别是ITO和IZO)具有良好的接触的材料制成，诸如钼基金属、铬、钛、和钽。

该组合的优选实例是，多层结构可以包括下铬层和上铝层以及下铝层和上钼层。

然而，虽然已经示出了特定实施例，但是应当理解，栅极线121和存储电极线131可以由各种金属和导电材料制成。

此外，栅极线121和存储电极线131的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且优选地，倾斜角在约30°到80°的范围内。

由氮化硅SiNx等形成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上，并且可以进一步形成在基板110的未被栅极线121和存储电极线131覆盖的暴露部分上。

由氢化a-Si制成的多个岛形半导体154a形成在栅极绝缘层140上面。岛形半导体154a主要设置在栅电极124a上。

由硅化物或n+氢化a-Si等掺杂有诸如磷(P)的n型杂质制成的多个岛形欧姆接触件163a和165a，形成在半导体154a上。两对岛形欧姆接触件163a和165a设置在半导体154a上并且相对于作为其中心的栅电极124a彼此面对。

岛形半导体154a和欧姆接触件163a和165a的侧面同样相对于基板110的表面倾斜，并且倾斜角在约30°到80°的范围内。

多条数据线171a和同多条数据线171a分开的多个漏电极175a形成在163a和165a以及栅极绝缘层140上。

数据线171a主要在在第二方向(诸如横向)延伸，以大致垂直地与栅极线121和存储电极线131相交，并施加数据电压。数据线171a具有：多个源电极173a，与欧姆接触件163a重叠并且朝漏电极175a延伸；以及端部179a，具有扩大的宽度以连接至其它层或外部装置。

漏电极175a主要在横向延伸，与数据线171a平行，并且具有与存储电极133a重叠的扩大部177a。漏电极175a的扩大部177a的侧面大致平行于存储电极133a的侧面。栅电极124a、源电极173a、以及漏电极175a和半导体154a构成TFT Qa。TFT Qa的通道分别形成于在源电极173a和漏电极175a之间的半导体154a上。

数据线171a和漏电极175a优选地由铬、钼基金属、或诸如钽和钛的难熔金属制成，并且可以具有多层结构，该多层结构构造有由难熔金属制成的下层(未示出)和由设置在其上的低电阻率材料制成的上层(未示出)。

作为多层结构的实例，除了前面提到的下铬或钼层和上铝层的两层结构外，还可以存在钼层/铝层/钼层的三层结构。

类似于栅极线121和存储电极线131，数据线171a和漏电极175a的侧面相对于基板110的表面倾斜，并且倾斜角在约30°到80°的范围内。

欧姆接触件163a和165a仅介于底层半导体154a和上覆的数据线171a、源电极173a、和漏电极175a之间，并具有降低接触阻抗的作用。岛形半导体154a具有在源电极173a和漏电极175a之间并且未被数据线171a和漏电极175a覆盖的暴露部分。

诸如钝化层的保护膜180形成在数据线171a、源电极173a、漏电极175a、以及暴露的半导体154a上。保护膜180由诸如氮化硅和氧化硅的无机材料、具有良好的平面化特性和光敏特性的有机材料、以及通过PECVD形成的低介电接触绝缘材料(诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F)制成。然而，为了使用有机膜的优良特性并保护半导体154a的暴露部分，保护膜180可以具有包括下部无机层和上部有机层的两层结构。

在保护膜180中形成有用于暴露漏电极175a的放大的部分177a和数据线171a的端部179a的多个接触孔185a和182a，并且暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181形成在保护膜180和栅极绝缘层140中。

在保护层180上形成有多个子像素电极190a、多个屏蔽电极88、以及多个接触辅助件81和82a。子像素电极190a、屏蔽电极88、以及接触辅助件81和82a由诸如ITO和IZO的透明导电材料和诸如铝的反射导电材料制成。

子像素电极190a通过接触孔185a在物理上并且电连接至漏电极175a，以接收来自漏电极175a的数据电压。

施加有数据电压的子像素电极190a连同共电极270产生电场，使得可以确定在两个电极190a和270之间的液晶层3的液晶分子的排列。

子像素电极190a和共电极270构成液晶电容器C_LCa，即使TFTQa关闭也能持续的施加电压。为了增加电压存储容量，设置了并联至液晶电容器C_LCa的存储电容器C_STa。每个存储电容器C_STa通过覆盖子像素电极190a和存储电极线131来构成。为了增大存储电容器C_STa的电容，即，存储容量，存储电极133a设置到存储电极线131并且与通过接触孔185a连接至子像素电极190a的漏电极175a的放大的部分177a重叠，使得端口之间的距离减小并且重叠面积增大。

子像素电极190a具有大致矩形的形状。其角可以被部分地切掉，并且切侧相对于栅极线121具有约45°的角。

子像素电极190a具有多个中心开口91a和92a、上开口93a、94a、和95a、以及下开口96a、97a、和98a。子像素电极190a由这些开口91a-98a分成多个小区域。上开口93a-95a和下开口96a-98a分别设置在子像素电极190a的上半区域和下半区域，并且中心开口91a和92a设置在上开口93a-95a和下开口96a-98a之间。开口91a-98a相对于子像素电极190a的中心纵线具有大致倒置的对称轴，分隔子像素电极190a的上半区域和下半区域。例如，存储电极线131可以分隔子像素电极190a的上半区域和下半区域，并且开口91a-98a相对于存储电极线131可以是彼此的镜像。上开口93a-95a和下开口96a-98a相对于栅极线121具有约45°的角。上开口93a-95a和下开口96a-98a彼此垂直。

上开口93a-95a彼此平行并且平行于中心开口91a和92a的上部，并且下开口96a-98a也彼此平行，并且平行于中心开口91a和92a的下部。

开口95a和98a从邻近数据线171b的横向侧向子像素电极190a的相对的上纵向侧和下纵向侧延伸。开口94a和97a从邻近数据线171b的子像素电极190a的右侧向可能未切除的子像素电极190a的相对的左角延伸。开口93a和96a从子像素电极190a的上半区域和下半区域的右角向邻近数据线171a的子像素电极190a的左横向侧延伸。

中心开口92a具有沿着子像素电极190a的中心横线延伸的纵向部，对应于存储电极线131，以及一对倾斜部，其在垂直的相反方向上从中心开口92a的纵向部向子像素电极190a的左侧延伸，并且分别平行于上开口93a-95a和下开口96a-98a。中心开口91a同样具有沿着子像素电极190a的中心横线延伸的入口，对应于存储电极线131，并且形成在邻近数据线171a的子像素电极190a的左侧，并且该入口具有一对倾斜侧，其分别平行于上开口93a-95a和下开口96a-98a。

因此，子像素电极190a的上半区域由中心开口91a和92a和上开口93a-95a分成五个小区域，并且下半区域也由中心开口91a和92a和下开口96a-98a分成五个小区域。这里，区域的数量或开口的数量可以根据像素PX的大小、子像素电极190a的纵横比、液晶层3的类型或性质、或其它设计因素而改变。

子像素电极190a与相邻的栅极线121重叠，使得其开口率增加。

屏蔽电极88沿着数据线171a和栅极线121延伸。其设置在数据线171a上的部分整个地覆盖数据线171a，并且其设置在栅极线121上的部分的宽度小于栅极线121的宽度，并且设置在栅极线121的界限之内。可选地，屏蔽电极88的宽度可以被调整为小于数据线171a的宽度，并且其界线可以位于栅极线121的边界的外部。为了向屏蔽电极88施加共电压V_com，屏蔽电极88可以通过保护膜180和栅极绝缘层140中的接触孔(未示出)连接至存储电极线131或短点(未示出)，其中，共电压V_com通过短点从TFT面板100传输到共电极面板200。

这里，优选地，屏蔽电极88和像素电极190之间的距离被设计为最小，以使得开口率的减小最小化。

在这样的布置中，如果屏蔽电极88被施加共电压V_com并且设置在数据线171a上，则屏蔽电极88屏蔽在数据线171a和子像素电极190a和190b之间以及在数据线171a和共电极270之间生成的电场，使得可以减小子像素电极190a和190b的电压失真和由数据线171a传输的数据电压的信号延迟和失真。

此外，由于子像素电极190a和190b和屏蔽电极88以一定距离彼此分开以防止其间的短路，则可以降低其之间的寄生电容。此外，由于液晶层3的介电常数高于保护膜180的介电常数，因此在未设置屏蔽电极88的情况下，数据线171a和屏蔽电极88之间的寄生电容低于数据线171a和共电极270之间的寄生电容。

此外，由于子像素电极190a和190b以及屏蔽电极88由相同的层构成，其间的距离可以均匀地被保持，使得其间的寄生电容均匀。

接触辅助件81和82a分别通过接触孔181和182a连接至栅极线121的端部129和数据线171a的端部179a。接触辅助件81和82a具有补偿栅极线121的暴露的端部129和数据线171a的暴露的端部179a到外部装置的粘附度并保护这些部分的功能。

当在图15中示出的栅极驱动器400或数据驱动器500集成在TFT面板100中时，栅极线121或数据线171a延伸以被直接地连接至驱动器。在这种情况下，接触辅助件81和82a可以分别被用于将栅极线121和数据线171a连接至驱动器400和500。

在子像素电极190a上，涂敷有接触辅助件81和82a、以及保护膜180和用于排列液晶层3的排列膜11。排列膜11可以是垂直排列膜。

接下来，将参照图17至19描述共电极面板200。

用于防止光泄漏的遮光件220(也称为黑阵)形成在由透明玻璃或诸如其它透明绝缘材料等制成的介电基板210上。

遮光件220包括面对像素电极190的多个开口部并且具有与像素电极190大致相同的形状。可选地，遮光件220可以由对应于数据线171a的部分和对应于TFT Qa的部分构成。然而，遮光件220可以具有各种形状，以抵御在子像素电极190a和TFT Qa附近的光泄漏。

多个滤色器230形成在基板210上。滤色器230设置在由遮光件220围绕的大部分区域中，并且在横向沿着像素电极190延伸。

滤色器230可以显示例如红色、绿色、或蓝色中的颜色中的一种，或没有在此描述的其它颜色。

覆盖膜250形成在滤色器230和遮光件220上，以防止滤色器230被暴露并提供平面化的表面。

由诸如但不限于ITO和IZO的透明导电材料制成的共电极270形成在覆盖膜250上。

如图17和18所示，共电极270包括多个开口71至78a。

开口71a-78a面向子像素电极190a中的一个，并且包括中心开口71a和72a、上开口73a-75a、以及下开口76a-78a。开口71a-78a设置在对应于在子像素电极190a的相邻开口91a-98a之间的或在子像素电极190a的开口94a和98a和倾斜侧之间的位置的共电极270上的位置。此外，开口71a-78a中的每个至少具有一个平行于子像素电极190a的上开口93a-95a或下开口96a-98a延伸的倾斜部，并且相邻的平行开口91a-98a和71a-78a之间的距离以及在其倾斜部和子像素电极190a之间的距离彼此相等。子像素电极190a上的开口91a-98a和共电极270上的开口71a-78a相对于子像素电极190a的中心纵线具有大致倒置的对称轴。

开口74a、75a、77a、和78a中的每个均包括：倾斜部，从对应于子像素电极190a的右侧的共电极270的部分延伸至子像素电极190a的上侧或下侧；以及纵向或横向部，以与倾斜部成钝角从倾斜部的末端沿着对应于子像素电极190a的侧面的共电极270的部分延伸至子像素电极190a的侧面，并且与对应于子像素电极190a的侧面的共电极270的部分重叠。开口73a和76a中的每个均包括：倾斜部，从对应于子像素电极190a的右侧的共电极270的部分延伸至对应于子像素电极190a的左侧的共电极270的部分；以及一对横向部，以与倾斜部成钝角沿着对应于子像素电极190a的左侧和右侧的共电极270的部分从倾斜部的末端延伸，并且与对应于子像素电极190a的左侧和右侧的共电极270的部分重叠。中心开口71a和72a中的每个均包括：纵向部，沿着对应于子像素电极190a的中心纵线的共电极270的部分延伸；一对倾斜部，从纵向部分延伸至对应于子像素电极190a的左侧的共电极270的部分；以及一对横向部，以与倾斜部成钝角沿着对应于子像素电极190a的左侧的共电极270的部分从倾斜部的末端延伸，并且于对应于子像素电极190a的侧面的共电极270的部分重叠。由于共电极270可能大致覆盖共电极面板200的整个表面，因此在此描述的开口的图样可以为TFT面板100的每个像素区域重复。

具有三角形形状的槽口形成在开口72a、73a、74a、76a、和77a的倾斜部中。可选地，槽口的形状可以是矩形、梯形、半圆形，并且可以是凸起或凹陷形。由于槽口，可以确定位于对应于开口72a、73a、74a、76a、和77a的边界内的液晶层3中的液晶分子的排列方向。

开口71a-78a的数量可以根据设计因素而改变，并且遮光件220可以与开口71a-78a重叠以抵御在开口71a-78a附近的光泄漏。

由于相同的共电压V_com被施加到共电极270和屏蔽电极88，因此在其间没有产生电场。因此，设置在共电极270和屏蔽电极88之间的液晶层3中的液晶分子保持初始的垂直排列状态，并且入射到该区域的光不能传输。

开口91a-98a和71a-78a中的至少一个可以用凸起或凹陷部代替，并且，为了举例已经描述了开口91a-98a和71a-78a的特定形状和布置，但是在可选实施例中可以修改开口91a-98a和71a-78a的形状和布置。

在共电极270和覆盖膜250上，涂布用于排列液晶层3的排列膜21。排列层21可以是垂直排列膜。

偏振器12和22设置在面板100和200的外表面上。两个偏振器12和22的传输轴彼此垂直，并且传输轴(吸收轴)中的一个平行于纵向。在反射型LCD装置的情况下，两个偏振器12和22中的一个可以省略。

液晶层3具有负的各向异性介电常数，并且排列液晶层3的液晶分子，以使得当电场施加到液晶分子时其长轴垂直于两个面板100和200的表面。

当共电压V_com和数据电压分别被施加到共电极270和子像素电极190a时，在大致垂直于面板100和200的表面的方向上产生电场。电极190和270的开口91a-98a和71a-78a扭曲电场以产生垂直于开口91a-98a和71a-78a的侧面的水平分量。

因此，电场在相对于垂直于面板100和200的表面的方向上倾斜的方向上被定向。

响应于电场，液晶层3中的液晶分子具有改变长轴方向以垂直于电场方向的趋势。这时，由于在开口91a-98a和71a-78a以及子像素电极190a的侧面附近的电场具有不平行于液晶分子的长轴方向的预定的角度，因此液晶分子在这样的方向上旋转使得由液晶分子和电场的长轴方向形成的表面上的移动距离变短。因此，一组开口91a-98a和71a-78a以及子像素电极190a的侧面将位于子像素电极190a上的液晶层3的区域分成多个范围，其中，液晶分子具有不同的倾斜角，使得可以增加基准视角。

根据本发明的LCD装置，由于数据线171a设置在构成一个像素PX的一对子像素Pxa和PXb之间，因此可以防止光泄漏。此外，由于两条数据线171a和171b通过子像素Pxa和PXb彼此分开，因此可以减小数据电压的信号延迟或失真。

相对于一个输入图像信号预先决定的不同数据电压被施加到一对子像素190a和190b，其大小可以根据子像素电极190a和190b的大小和形状来决定，并且可以根据需要决定其极性。

子像素190a和190b的区域可以彼此不同。

另一方面，当彼此分开的两个子像素连接至两条栅极线但是仅连接至一条数据线时，必须以输入图像信号频率(例如，60HZ)栅极信号和数据信号的两倍的频率(例如，120HZ)被驱动。因此，由于驱动一行像素的TFT的时间减小了一半，因此可以减小用于这样的配置的驱动余量和充电率。然而，根据包括连接至每个像素的两条数据线的本发明的结构，由于栅极信号和数据信号可以以等与输入图像信号频率(例如，60HZ)的频率被驱动，因此可以防止减小驱动余量和充电率。

如上所述，根据本发明，一个像素被分成一对子像素，并且子像素连接至两条不同的数据线。因此，期望电平的单独数据电压可以被施加到每个像素中的两个子像素，使得能够提高可视性，增加开口率、并提高透射率。此外，由于子像素的区域可以被设计为彼此不同，因此可以提高侧视度。此外，由于LCD装置能够以等于输入图像信号的频率的频率被驱动，因此可以防止减小驱动余量和充电率。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (50)

1.一种液晶显示装置，其包括：

像素，包括第一及第二子像素；

栅极线，连接到所述第一及第二子像素，用于将栅极信号传输到所述第一及第二子像素；

第一数据线，与所述栅极线交叉，并且连接到所述第一子像素，用于将第一数据电压传输到所述第一子像素；以及

第二数据线，与所述栅极线交叉，并且连接到所述第二子像素，用于将第二数据电压传输到所述第二子像素，

其中，所述第一数据电压和所述第二数据电压具有不同的值，并从相同的图像信息中获得。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中

所述第一子像素包括连接到所述栅极线及所述第一数据线的第一开关装置、以及连接到所述第一开关装置的第一子像素电极；

所述第二子像素包括连接到所述栅极线及所述第二数据线的第二开关装置、以及连接到所述第二开关装置的第二子像素电极。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二子像素电极中的至少一个具有开口。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素及第二子像素进一步包括面对所述第一及第二子像素电极的共电极。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中，所述共电极具有开口或凸起。

6.根据权利要求2所述的液晶显示装置，进一步包括屏蔽电极，所述屏蔽电极的至少一部分与所述第一及第二数据线重叠并与所述第一及第二数据线电绝缘。

7.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极的面积不同于所述第二子像素电极的面积。

8.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二数据线中的至少一条位于所述第一及第二子像素电极之间。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述像素的横向长度和纵向长度的比率基本上等于1∶3。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素横向排列，并且所述第一子像素的横向长度不同于所述第二子像素的横向长度。

11.根据权利要求8所述的液晶显示装置，进一步包括分别面对所述第一及第二子像素电极的第一及第二滤色器，其中，所述第一及第二滤色器具有相同的颜色。

12.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线位于所述像素的相对侧。

13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二数据电压具有相同的极性。

14.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二数据电压具有相反的极性。

15.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线邻近所述像素的同侧。

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二数据电压具有相同的极性。

17.根据权利要求15所述的液晶显示装置，进一步包括连接在所述第二数据线和所述第二开关装置之间的电桥线，

其中，所述第二数据线比所述第一数据线离所述像素更远。

18.根据权利要求17所述的液晶显示装置，其中，

所述电桥线和所述栅极线包括相同的金属层，以及

所述电桥线通过包括与所述第一及第二子像素电极相同的金属层的导电元件，连接到所述第二数据线的一部分及所述第二开关装置的一端。

19.根据权利要求17所述的液晶显示装置，其中，所述第二数据线包括彼此分开的第一部分和第二部分，所述第二数据线的所述第一及第二部分的端部与所述电桥线的第一端部重叠。

20.根据权利要求19所述的液晶显示装置，其中，所述电桥线的第二端部被所述第二开关装置的源电极重叠。

21.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述像素基本上为矩形，并且所述第一及第二子像素基本上为非矩形。

22.根据权利要求21所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素具有嵌套在所述第二子像素电极的形状中的形状，并且间隙将所述第一子像素电极与第二子像素电极分开。

23.根据权利要求2所述的液晶显示装置，进一步包括基本上与所述栅极线平行的存储电极线，其中，所述第一子像素电极通过第一接触孔连接到所述第一开关装置，所述第一接触孔位于对应所述存储电极线的位置，并且所述第二子像素电极通过第二接触孔连接到所述第二开关装置，所述第二接触孔位于所述存储电极线和所述栅极线之间。

24.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述液晶显示装置被以与所述图像信息的输入图像信号频率相同的频率驱动。

25.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括：

信号控制器，用于处理所述图像信息并且产生第一图像信号和第二图像信号；以及

数据驱动器，将对应于所述第一及第二图像信号的所述第一及第二数据电压分别施加到所述第一及第二数据线。

26.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括多个像素、以及位于每对邻近像素之间的数据线对。

27.一种液晶显示装置，其包括：

栅极线，沿第一方向延伸；

第一及第二数据线，沿第二方向延伸，并且彼此分开；

第一薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述第一数据线；

第二薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述第二数据线；以及

像素电极，包括分别连接到所述第一及第二薄膜晶体管的第一及第二显示电极，

其中，所述第二显示电极的第二方向长度大于所述第一显示电极的第一方向长度，并且所述第一显示电极位于所述第二显示电极的所述第二方向长度内。

28.根据权利要求27所述的液晶显示装置，其中，所述第一显示电极具有嵌套在所述第二显示电极的形状中的形状。

29.根据权利要求27所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二显示电极具有彼此面对的倾斜侧面。

30.根据权利要求29所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二显示电极中的至少一个具有开口。

31.根据权利要求29所述的液晶显示装置，进一步包括面对所述第一及第二显示电极的第三显示电极。

32.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其中，所述第三显示电极具有开口或凸起。

33.根据权利要求27所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二显示电极中的每一个相对于沿所述第一方向延伸的直线均具有基本上对称的形状。

34.根据权利要求27所述的液晶显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线沿其所述第二方向位于所述第二显示电极的相对侧。

35.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线沿其所述第二方向位于所述第二显示电极的同侧。

36.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其中，所述第一显示电极的面积不同于所述第二显示电极的面积。

37.一种液晶显示装置，其包括：

多个像素，每个像素均包括第一及第二子像素；

多条栅极线，连接到所述第一及第二子像素，以传输栅极信号；以及

多条数据线，与所述栅极线交叉，并且连接到所述第一子像素，以传输数据电压，

其中，施加到每个像素中的所述第一及第二子像素的数据电压具有不同的值以及相同的极性，并且从单一图像信息中获得。

38.根据权利要求37所述的液晶显示装置，其中，施加到所述第一及第二子像素的所述数据电压的所述极性以每像素行进行反转。

39.根据权利要求37所述的液晶显示装置，其中，施加到所述第一及第二子像素的所述数据电压的所述极性以每像素列进行反转。

40.根据权利要求37所述的液晶显示装置，其中，所述多条数据线包括分别连接到所述第一及第二子像素的第一及第二数据线。

41.根据权利要求40所述的液晶显示装置，其中，每个像素的所述第一及第二数据线位于每个像素的相对侧。

42.根据权利要求40所述的液晶显示装置，其中，每个像素的所述第一及第二数据线位于每个像素的同侧。

43.根据权利要求40所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二数据线之一位于每个像素的所述第一及第二子像素之间。

44.一种液晶显示装置，其包括：

多个像素，每个像素均包括第一及第二子像素；

多条栅极线，连接到所述第一及第二子像素，以传输栅极信号；以及

多条数据线，与所述栅极线交叉，并且连接到所述第一子像素，以传输数据电压，

其中，施加到每个像素中的所述第一及第二子像素的数据电压具有不同的值以及相反的极性，并且从单一图像信息中获得。

45.根据权利要求44所述的液晶显示装置，其中，施加到所述第一及第二子像素的所述数据电压的所述极性以每像素行进行反转。

46.根据权利要求44所述的液晶显示装置，其中，施加到所述第一及第二子像素的所述数据电压的所述极性以每像素列进行反转。

47.根据权利要求44所述的液晶显示装置，其中，所述多条数据线包括分别连接到所述第一及第二子像素的第一及第二数据线。

48.根据权利要求47所述的液晶显示装置，其中，每个像素的所述第一及第二数据线位于每个像素的相对侧。

49.根据权利要求47所述的液晶显示装置，其中，每个像素的所述第一及第二数据线位于每个像素的同侧。

50.根据权利要求47所述的液晶显示装置，其中，所述第一及第二数据线之一位于每个像素的所述第一及第二子像素之间。

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