TWI415082B - 液晶顯示器 - Google Patents

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TWI415082B
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Woo-Sung Sohn
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Samsung Display Co Ltd
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Description

液晶顯示器
本發明係關於一種薄膜電晶體(TFT)面板及液晶顯示器(LCD)裝置。更特定言之，本發明係關於一種能夠改良側面可見度而不降低透射率之TFT面板及LCD裝置。
作為最廣泛使用之平板顯示裝置之一的LCD裝置包括具備諸如像素電極與一共同電極之電場產生電極之兩個面板，以及一夾置在該等面板間之液晶層。LCD裝置藉由施加電壓至電場產生電極以在液晶層中產生電場且判定液晶層中之液晶分子的對準以控制入射光之偏振而顯示影像。在LCD裝置中，藉由施加電壓至該等兩個電極以在液晶層中產生電場，而藉由調節電場強度以調節穿過該液晶層之光的透射率而獲得所要影像。此時，為了防止由在一個方向上施加電場至液晶層達一延續時間而導致的劣化現象，以圖框、列或像素為單位反相資料電壓相對於共同電壓的極性。
在此等LCD裝置之中，垂直對準模式之LCD裝置係吾人所關心的，其中液晶分子經配置以使得在不產生電場的狀態下液晶分子之主軸垂直於上面板及下面板，因為其具有高對比率且可易於提供寬參照視角。此處，參照視角意味著對比率為1：10之視角或灰階之間之亮度反轉之有效角。
在垂直對準模式之LCD裝置中體現寬視角的方法包括一種在電場產生電極中形成孔徑之方法及一種在電場產生電極上形成突起之方法。因為可藉由使用該等孔徑及突起判定液晶分子之傾斜方向，所以可藉由以多種方式配置孔徑及突起以使在多個方向上分佈液晶分子之傾斜方向而加寬參照視角。
然而，垂直對準模式之LCD裝置之側面可見度比正面可見度低。舉例而言，在具有孔徑之圖案化垂直對準(PVA)模式之LCD裝置中，朝向側面時影像變得更亮，且在一些情況下，顯示高灰階之間之亮度差值可能會消失，從而再現模糊之影像輪廓。
為了解決此等問題，已提出一種用以藉由將一個像素劃分成兩個子像素、以電容方式耦合該等兩個子像素，並藉由直接施加一電壓至一個子像素而降低另一個子像素之電壓(歸因於電容耦合)以向兩個子像素提供不同電壓而提供不同透射率的技術。
然而，在上述技術中，兩個子像素之透射率不可精確調節。
特定言之，不同顏色之光之透射率互不相同。然而，難以獲得不同顏色之不同電壓組合。另外，因為必須添加用於電容耦合之電容構件，所以孔徑比會變差，且透射率會由於電容耦合所導致的電壓降而降低。
本發明提供一種能夠改良側面可見度而不降低透射率之TFT面板及LCD裝置。
根據本發明之例示性實施例，提供一種LCD裝置，其包括：複數個像素，其具有第一及第二子像素；複數個閘極線，其連接至該等第一及該等第二子像素以傳輸閘極訊號至該等第一及該等第二子像素；複數個第一資料線，其與該等閘極線相交且連接至該等第一子像素以傳輸第一資料電壓至該等第一子像素；以及複數個第二資料線，其與該等閘極線相交且連接至該等第二子像素以傳輸第二資料電壓至該等第二子像素，其中該等第一及該等第二資料電壓大小不同且自單一影像資訊獲得。
在本發明之上述例示性實施例中，該等第一子像素之每一者可包括一連接至一閘極線及一第一資料線之第一切換元件以及一連接至該第一切換元件之第一子像素電極，且該等第二子像素之每一者包括一連接至該閘極線及一第二資料線之第二切換元件以及一連接至該第二切換元件之第二子像素電極。
另外，該第一及該第二子像素電極中之至少一者可具有一孔徑。
另外，該第一子像素及該第二子像素可進一步包括一面向該等第一及該等第二子像素電極之共同電極。
另外，該共同電極可具有一孔徑或一突起。
另外，該LCD裝置可進一步包括一屏蔽電極，該屏蔽電極之至少一部分可與該等第一及該等第二資料線重疊並可與該等第一及該等第二資料線電絕緣。
另外，該第一子像素電極之面積可與該第二子像素電極之面積不同。
另外，該等第一及該等第二資料線中之至少一者可安置在該等第一及該等第二子像素電極之間。
另外，每一像素之橫向長度與縱向長度之比率可大體等於1：3。
另外，該第一子像素及該第二子像素以橫向排列，且該第一子像素之橫向長度可與該第二子像素之橫向長度不同。
另外，該LCD裝置可進一步包括分別面向該第一及該第二子像素電極之第一及第二彩色濾光器，其中該第一及該第二彩色濾光器具有相同顏色。
另外，該等第一及該等第二資料線可安置在每一像素之相對側上。
另外，該等第一及該等第二資料電壓可具有相同極性。
另外，該等第一及該等第二資料電壓可具有相反極性。
另外，該等第一及該等第二資料線可相鄰設置在每一像素之一相同側上。
另外，該等第一及該等第二資料電壓可具有相同極性。
另外，該LCD裝置可進一步包括一連接在第二資料線與第二切換元件之間之橋接線，其中該第二資料線距該像素之距離比該第一資料線距該像素之距離遠。
另外，該橋接線及該閘極線可包含相同金屬層，且該橋接線可經由包括與該等第一及該等第二子像素電極相同之金屬層的傳導構件而連接至該第二資料線之一部分及該第二切換元件之一端。
另外，該第二資料線可包括彼此分離之一第一部分及一第二部分，且該第二資料線之該第一部分及該第二部分的末端可與該橋接線之一第一末端部分重疊。
另外，該橋接線之一第二末端部分可由該第二切換元件之一源電極覆蓋。
另外，每一像素可具有大體矩形之形狀，且該等第一及該等第二子像素中之每一者可具有大體非矩形之形狀。
另外，該第一子像素電極可具有一嵌套在該第二子像素電極之形狀內之形狀，且一間隙可分離該第一子像素電極及該第二子像素電極。
另外，該LCD裝置可進一步包括一大體平行於該閘極線之儲存電極線，其中該第一子像素電極經由一位於對應於該儲存電極線之位置處之第一接觸孔而連接至該第一切換元件，且該第二子像素電極經由一位於該儲存電極線與該閘極線之間之第二接觸孔而連接至該第二切換元件。
另外，該LCD裝置可以與該影像資訊之一輸出影像訊號之頻率相同的頻率驅動。
另外，該LCD裝置可進一步包括：一訊號控制器，其用以處理該影像資訊並產生第一及第二影像訊號；以及一資料驅動器，其用以分別施加對應於該等第一及該等第二影像訊號之該等第一及該等第二資料電壓至該等第一及該等第二資料線。
另外，該LCD裝置可進一步包括複數個像素以及位於每一對相鄰像素之間之一對資料線。
根據本發明之其他例示性實施例，提供一種LCD裝置，其包括：沿一第一方向延伸之閘極線；沿一第二方向延伸且彼此分離之第一及第二資料線；連接至該等閘極線及該等第一資料線之第一TFT；連接至該等閘極線及該等第二資料線之第二TFT；以及分別連接至該等第一及該等第二TFT之第一及第二顯示電極，其中該第二顯示電極之一第二方向長度大於該第一顯示電極之一第一方向長度，且該第一顯示電極位於該第二顯示電極之該第二方向長度內。
在本發明之上述態樣中，該第一及該第二顯示電極可具有面向彼此之傾斜側面。
另外，該第一顯示電極可具有一嵌套在該第二顯示電極之形狀內之形狀。
另外，該第一及該第二顯示電極中之至少一者可具有一孔徑。
另外，該LCD裝置可進一步包括一面向該第一及該第二顯示電極之第三顯示電極。
另外，該第三顯示電極可具有一孔徑或一突起。
另外，該第一及該第二顯示電極中之每一者可具有相對於沿該第一方向延伸之一直線大體對稱之形狀。
另外，該等第一及該等第二資料線可在其第二方向上安置在該像素電極之相對側上。
另外，該等第一及該等第二資料線可在其第二方向上相鄰安置在像素電極之一相同側上。
另外，該第一顯示電極之面積可與該第二顯示電極之面積不同。
根據本發明之其他例示性實施例，提供一種LCD裝置，其包括：複數個像素，其具有第一及第二子像素；複數個閘極線，其連接至與該等第一及該等第二子像素以傳輸閘極訊號；以及複數個資料線，其與該等閘極線相交且連接至該等第一子像素以傳輸資料電壓，其中施加至每一像素內之該等第一及該等第二子像素之該等資料電壓可具有不同量值及相同極性且自單一影像資訊獲得。
根據本發明之進一步其他例示性實施例，提供一種LCD裝置，其包括：複數個像素，其具有第一及第二子像素；複數個閘極線，其連接至該等第一及該等第二子像素以傳輸閘極訊號；複數個資料線，其與該等閘極線相交且連接至該等第一子像素以傳輸資料電壓，其中施加至該等第一及該等第二子像素之該等資料電壓可具有不同量值及相反極性且自單一影像資訊獲得。
在本發明之上述兩個例示性實施例中之任一者中，施加至該等第一及該等第二子像素之資料電壓之極性可以每列或每行像素反相。
另外，該等複數個資料線可包括分別連接至該等第一及該等第二子像素之第一及第二資料線。
另外，每一像素之該等第一及該等第二資料線可安置在每一像素之相對側上。或者，每一像素之該等第一及該等第二資料線可安置在每一像素之一相同側上。在另一替代實施例中，該等第一及該等第二資料線中之一者可安置在每一像素之該等第一及該等第二子像素電極之間。
下文將參照附圖更充分描述本發明，附圖中展示了本發明之實施例。然而，本發明可以許多不同形式體現，且不應理解為限於本文所陳述之實施例。相反，提供該等實施例以使得此揭示內容徹底且完整且以使得完全傳達本發明之範疇至熟習此項技術者。全文中相似參考符號指示相似元件。
應瞭解，當一元件被稱為位於另一元件"上"時，其可直接位於該另一元件上或其間可存在介入元件。相反，當一元件被稱為"直接位於"另一元件"上"時，其間不存在介入元件。本文所使用之術語"及/或"包括相關列出之項目中之一個或多個的任何及所有組合。
應瞭解，儘管術語第一、第二、第三等在本文中可用以描述多種元件、組件、區域、層及/或區，但是該等元件、組件、區域、層及/或區不應受限於該等術語。該等術語僅用於區分一個元件、組件、區域、層或區與另一個元件、組件、區域、層或區。因此，下文中論述之第一元件、組件、區域、層或區可稱為第二元件、組件、區域、層或區而不偏離本發明之教示。
本文所使用之術語僅出於描述特定實施例之目的且並非意欲限制本發明。除非上下文另外清楚指出，否則本文所使用之單數形式"一"及"該"意欲亦包括複數形式。應進一步瞭解，術語"包括"及/或"包含"用於本說明書中時規定存在確定之特徵、區域、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但並非排除存在或添加一個或多個其它特徵、區域、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其之群組。
諸如"在…下"、"在…下方"、"下"、"在…上方"、"上"及其類似物之空間相關術語可在本文中使用以出於易於描述之目的而描述圖中說明之一個元件或特徵與其它元件或特徵之關係。應瞭解，該等空間相關術語意欲涵蓋除圖中描述之定向以外之使用中或運作中之裝置的不同定向。舉例而言，若翻轉圖中之器件，則描述為在其它元件或特徵"下"或"下方"之元件應定向為在其它元件或特徵"上方"。因此，例示性術語"在…下方"可涵蓋"在…上方"及"在…下方"兩種定向。該器件可為另外定向(旋轉90度或其它定向)且相應解釋本文所使用之空間相關描述號。
除非另外定義，否則本文所使用之所有術語(包括技術術語及科學術語)具有與本發明所屬領域之普通熟習此項技術者通常理解之涵義相同的涵義。應進一步瞭解，諸如在通常使用之字典中定義之術語應解釋為具有與其在相關技術內容及本揭示內容中之涵義一致的涵義，且除非本文特意對其定義，否則不應在理想化或過分形式化之意義上理解該涵義。
本文參照本發明之理想化實施例之示意性說明的截面說明來描述本發明之實施例。同樣，可預期由(例如)製造技術及/或容差所導致之說明形狀的變化。因此，本發明之實施例不應理解為限於本文所說明之區域的特定形狀，而是包括由(例如)製造所導致的形狀偏差。舉例而言，經說明或描述為平坦之區域通常可具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所說明之銳角可為圓形。因此，圖中所說明之區域本質上是示意性的，且其形狀並非意欲說明區域之精確形狀且並非意欲限制本發明之範疇。
下文將參照附圖詳細描述本發明之例示性實施例，以使得熟習此項技術者可易於將本發明付諸實踐。
在圖式中，為清晰說明層及區域而放大了厚度。
現在，將參照附圖描述根據本發明之TFT面板及LCD裝置。
圖1係展示根據本發明之一LCD裝置之一第一例示性實施例的方塊圖，圖2係展示根據本發明之一LCD裝置之第一例示性實施例之一例示性像素的等效電路圖，且圖3係展示根據本發明之一LCD裝置之第一例示性實施例之一例示性子像素的等效電路圖。
如圖1所示，LCD裝置包括一LCD面板總成300、連接至該LCD面板總成300之閘極驅動器400及資料驅動器500、一連接至該資料驅動器500之灰階電壓發生器800及一用以控制該等組件之訊號控制器600。
如圖3之等效電路圖中可見，LCD面板總成300包括一作為TFT面板之下面板100、一作為共同電極面板之上面板200(其中該等面板100與200面向彼此)及一夾置於其間之液晶層3。LCD面板300進一步包括複數個像素PX，該等像素PX連接至複數個訊號線G1 至Gn 及D1 至D2 m 且大體以矩陣排列於下面板100上。
顯示訊號線G1 至Gn 及D1 至D2m 包括用以傳輸閘極訊號(有時稱為"掃描訊號")之複數個閘極線G1 至Gn 及用以傳輸資料訊號之複數個資料線D1 至D2m 。閘極線G1 至Gn 大體在列方向上大體平行於彼此延伸，而資料線D1 至D2m 大體在行方向上大體平行於彼此延伸。因此，資料線D1 至D2m 大體垂直於閘極線G1 至Gn 延伸。資料線D1 至D2m 及閘極線G1 至Gn 隔離，此將在下文進一步描述。
資料線D1 至D2m 中之每一者安置於一個像素PX之一側上。意即，每一像素PX之側面存在一對資料線，以使得每一像素PX包括位於相對側上之兩個資料線，且該等兩個資料線位於每一對相鄰像素PX之間。除閘極線G1 至Gn 及資料線D1 至D2m 以外，該等顯示訊號線還可包括儲存電極線(將在下文進一步描述)，其中在每一像素區域內該等儲存電極線大體平行於閘極線G1 至Gn 延伸。
如圖2所示，每一像素PX包括一對子像素PXa與PXb，且該等子像素PXa與PXb包括連接至對應閘極線Gi 及資料線Dj 與Dj+1 之切換元件Qa與Qb以及分別連接至該等切換元件之液晶電容器CLCa 與CLCb 與儲存電容器CSTa 與CSTb 。
在另一實施例中，可省略儲存電容器CSTa 與CSTb 。
如圖2所示，該對子像素PXa與PXb連接至同一閘極線Gi ，但該等子像素PXa與PXb可連接至不同之相鄰資料線Dj 與Dj+1 。子像素PXa連接至像素PX之第一側上的資料線，而子像素PXb連接至與像素PX之第一側相對之第二側上的資 料線。
諸如切換元件Qa與Qb之TFT安置於下面板100上且係3埠器件。切換元件Qa與Qb之對應於閘電極與源電極的控制埠及輸入埠連接至閘極線G1 至Gn 及資料線D1 至D2m ，且其對應於汲電極的輸出埠連接至液晶電容器CLCa 與CLCb 以及儲存電容器CSTa 與CSTb 。
如圖3所示，子像素PXa之液晶電容器CLCa 之該等埠中之兩者係下面板100之子像素電極190a與上面板200之共同電極270，且夾置於該等兩個電極190a與270之間之液晶層3充當介電構件。子像素電極190a連接至切換元件Qa，諸如連接至切換元件Qa之輸出埠/汲電極，且共同電極270安置於上面板200之前面以接收共同電壓Vcom 。儘管未說明，但共同電極270可或者可安置於下面板100上，且在此情況下，兩個電極190a與270中之至少一者之形狀可為線形或棒形。
具有用作液晶電容器CLCa 之輔助功能的儲存電容器CSTa 藉由使提供至下面板100之獨立訊號線(未圖示)及子像素電極190a與夾置在其間之絕緣構件重疊而建構，且向該獨立訊號線施加諸如共同電壓Vcom 之預定電壓。然而，或者，儲存電容器CSTa 可藉由使子像素電極190a及安置於其上之正面閘極線與夾置在其間之絕緣構件重疊而建構。
為了實施彩色顯示，每一像素獨特地顯示一種顏色(空間分割)，或每一像素根據時間交替地顯示顏色(時間分割)。一種所要顏色可藉由顏色之空間或時間組合而獲得，3種顏色為紅色、綠色與藍色。雖然一組顏色之實例包括紅色、綠色與藍色，但應瞭解可採用交替顏色組。
圖3展示空間分割之一實例。如圖所示，每一像素包括一用以表示該等原色之一者的彩色濾光器230，其提供至上面板200之一區域。每一子像素PXa與PXb可包括一彩色濾光器。舉例而言，第一與第二彩色濾光器230可面向第一與第二子像素電極190a與190b，且第一與第二彩色濾光器230可具有相同顏色。
或者，彩色濾光器230可提供於下面板100之子像素電極190a上方或下方。
用以偏振光之偏振器(未圖示)附著至LCD面板總成300之兩個面板100與200之至少一個外表面上。舉例而言，第一與第二偏振膜可根據液晶層3之對準方向分別調節自外部提供至下面板100與上面板200中之光的透射方向。第一與第二偏振膜可分別具有大體相互垂直之第一與第二偏振軸。
返回圖1，灰階電壓發生器800產生與子像素PXa及PXb之透射率相關聯之兩對灰階電壓。兩對灰階電壓中之一對相對於共同電壓Vcom具有正值，且另一對相對於共同電壓Vcom具有負值。
閘極驅動器400連接至LCD面板總成300之閘極線G1 至Gn ，從而施加以開閘電壓Vo n 之一組合形成之閘極訊號至閘極線G1 至Gn 。
資料驅動器500連接至LCD面板總成300之資料線D1 至D2m ，從而自灰階電壓發生器800選擇灰階電壓(與LCD之亮度相關)並施加選定之灰階電壓至子像素PXa與PXb作為資料訊號。資料驅動器500藉由控制訊號控制器600而分別施加為每一資料線D1 至D2m 分別選擇之灰階電壓至資料線D1 至D2m 作為資料訊號。
閘極驅動器400與資料驅動器500可以複數個驅動積體電路(IC)晶片之形式直接安裝於LCD面板總成300上。或者，閘極驅動器400與資料驅動器500可以捲帶式封裝(TCP)之形式附著至LCD面板總成300中之可撓性印刷電路(FPC)膜(未圖示)上。或者，閘極驅動器400與資料驅動器500可直接安裝至LCD面板總成300上。
訊號控制器600控制閘極驅動器400、資料驅動器500等之運作。
現將參照圖4至7B進一步描述LCD裝置之結構。
圖4係展示根據本發明之一LCD裝置之第一例示性實施例的一例示性TFT面板之布局的圖，圖5係展示根據本發明之一LCD裝置之第一例示性實施例的一例示性共同電極面板之布局的圖，且圖6係展示以圖4之例示性TFT面板及圖5之例示性共同電極面板建構之LCD裝置的第一例示性實施例之布局的圖。圖7A及7B係展示分別沿圖6之線VIIA-VIIA'及VIIB-VIIB'截得之LCD裝置的截面圖。
LCD裝置包括面向彼此之一TFT面板100與一共同電極面板200及一夾置在該等面板100與200之間之液晶層3。
首先，下文將參照圖4、6、7A與7B描述TFT面板100。
複數個閘極線121及複數個儲存電極線131安置於由透明玻璃或其類似物(諸如其它透明絕緣材料)製成之介電基板110上。
主要沿第一方向(諸如縱向)延伸之閘極線121彼此分離且傳輸閘極訊號。每一閘極線121包括構成複數個閘電極124a與124b的複數個突起及一用以連接至其它層或外部裝置之大面積末端部分129。可分隔開閘電極124a與124b以使得閘電極124a定位於像素PX之第一側附近且閘電極124b定位於像素PX之第二側附近。然而，閘電極124a與124b可以與上述方式不同的方式定位。
儲存電極線131主要沿第一方向延伸(諸如大體平行於閘極線121之縱向)且包括構成儲存電極133a與133b的複數個突起。
儲存電極133a之形狀為矩形且關於儲存電極線131對稱，且儲存電極133b沿自儲存電極線131突出之橫向延伸，並具有一進一步自其延伸之延伸部分。換言之，儲存電極133b定位於儲存電極線131與閘極線121之間，而一延伸部分進一步向閘極線121延伸。
亦施加一預定電壓(諸如施加至LCD裝置之共同電極面板200之共同電極270的共同電壓Vc o m )至儲存電極線131。
閘極線121與儲存電極線131可由諸如(但不限於)鋁(Al)及鋁合金之基於鋁之金屬、諸如銀(Ag)及銀合金之基於銀之金屬、諸如銅(Cu)及銅合金之基於銅之金屬、諸如鉬(Mo)及鉬合金之基於鉬之金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)或鉭(Ta)製成。
或者，閘極線121與儲存電極線131可具有多層結構，該多層結構包括具有不同物理特性之兩個傳導層(未圖示)。在此情況下，兩個傳導層中之一者可由一具有低電阻率之金屬(例如，基於鋁之金屬、基於銀之金屬或基於銅之金屬)製成，從而降低閘極線121及儲存電極線131之訊號延遲或電壓降，且另一傳導層可由一與其它材料(尤其與氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))具有良好接觸性的材料製成，諸如基於鉬之金屬、鉻、鈦及鉭。
多層結構之組合之一較佳實例可包括一下鉻層與一上鋁層及一下鋁層與一上鉬層。
然而，雖然已描述特定實例，但應瞭解，閘極線121與儲存電極線131可由多種金屬及傳導材料製成。
另外，閘極線121及儲存電極線131之側面相對於基板110之表面傾斜，且傾角較佳在約30°至約80°的範圍內。
由氮化矽SiNx 或其類似物製成之閘極絕緣層140形成於閘極線121及儲存電極線131上，且可進一步形成於未由閘極線121或儲存電極線131覆蓋之基板110之曝露部分上。
由氫化非晶矽(a－Si)製成之複數個線形半導體151a與151b形成於閘極絕緣層140上。線形半導體151a與151b主要沿第二方向(諸如大體垂直於第一方向之橫向)延伸，且複數個突起154a與154b向閘電極124a與124b延伸並覆蓋閘電極124a與124b。
由以諸如磷(P)之n型雜質摻雜之n＋氫化a－Si或其類似物或矽化物製成之複數個線形與島狀歐姆接觸構件161a、161b、165a及165b形成於線形半導體151a與151b上。線形歐姆接觸構件161a與161b分別具有複數個突起163a與163b，且突起163a、163b與島狀歐姆接觸構件165a、165b分別構成對，且安置於線形半導體151a與151b之突起154a與154b上。換言之，突起163a與島狀歐姆接觸構件165a定位於突起154a上之間隔位置中，且突起163b與島狀歐姆接觸構件165b定位於突起154b上之間隔位置中。
半導體151a與151b及歐姆接觸構件161a、161b、163a、163b、165a與165b之側面相對於基板110之表面傾斜，且傾角在約30°至約80°之範圍內。
複數個資料線171a與171b以及與該複數個資料線171a與171b分離之複數個汲電極175a與175b分別形成於歐姆接觸構件161a、161b、165a及165b上。
資料線171a與171b主要沿第二方向(諸如橫向)延伸，從而與閘極線121及儲存電極線131大體垂直相交並施加資料電壓。資料線171a與171b具有複數個源電極173a與173b以及末端部分179a與179b，其中該複數個源電極173a與173b覆蓋線形歐姆接觸構件161a與161b之突起163a與163b並向汲電極175a與175b延伸且該等末端部分179a與179b具有用以連接至其它層或外部裝置的擴大寬度。
汲電極175a與175b主要沿平行於資料線171a及171b之橫向延伸，且具有與儲存電極133a及133b重疊之擴大部分177a與177b。汲電極175a與175b之擴大部分177a與177b之側面大體平行於儲存電極133a與133b之側面。閘電極124a與124b、源電極173a與173b以及汲電極175a與175b與半導體154a與154b一起分別構成TFT Qa與Qb。TFT Qa與Qb之通道分別形成於源電極173a及173b與汲電極175a及175b之間的半導體154a與154b上，且位於突起163a及163b與島狀歐姆接觸構件165a及165b之間。
資料線171a與171b以及汲電極175a與175b較佳由鉻(Cr)、基於鉬(Mo)之金屬或諸如鉭(Ta)與鈦(Ti)之耐火金屬製成，且可具有以由耐火金屬製成之下層(未圖示)與安置於其上之由低電阻率材料製成之上層(未圖示)所構成的多層結構。
作為多層結構之一實例，除了上述由下鉻或鉬層與上鋁層形成之雙層結構外，還可存在由鉬層/鋁層/鉬層形成之三層結構。在此結構中，考慮到製造能力及良率，兩個相鄰資料線171a與171b之間之間隔保持為最小間隔，以使得可最小化與資料線171a與171b之數目增大相關的縱橫比減小。
與閘極線121及儲存電極線131類似，資料線171a與171b以及汲電極175a與175b之側面相對於基板以約30°至約80°範圍內之角度傾斜。
歐姆接觸構件161a、161a、163a、163b、165a及165b僅夾置在下面的線形半導體151a與151b以及突起154a與154b與上面的資料線171a與171b、源電極173a與173b以及汲電極175a與175b之間，且具有減小接觸電阻之功能。線形半導體151a與151b以及突起154a與154b之形狀大體與資料線171a與171b、源電極173a與173b、汲電極175a與175b以及歐姆接觸構件161a、161b、163a、163b、165a及165b之形狀相同，或在其形狀下方。然而，線形半導體151a與151b具有源電極173a及173b與汲電極175a及175b之間之未覆蓋之曝露部分，以及突起163a及163b與島狀歐姆接觸構件165a及165b間之未覆蓋之曝露部分。
保護膜180(鈍化層)形成於資料線171a與171b、源電極173a與173b、汲電極175a與175b以及半導體151a與151b之曝露突起154a與154b上。保護膜180由諸如氮化矽或氧化矽之無機材料、具有極佳平坦化特性及感光性之有機材料以及諸如a－Si：C：O及a－Si：O：F之藉由電漿增強化學氣體沉積(PECVD)形成之低介電常數絕緣材料製成。然而，為了使用有機膜之極佳特性定並保護半導體151a與151b之突起154a與154b之曝露部分，保護膜180可具有包括下無機膜與上有機膜之雙層結構。
在保護膜180中形成複數個接觸孔185a、185b、182a與182b，該複數個接觸孔曝露汲電極175a與175b之擴大部分177a與177b以及資料線171a與171b之末端部分179a與179b。同樣，在保護膜180與閘極絕緣層140中形成複數個接觸孔181，其曝露閘極線121之末端部分129。
在保護膜180上形成包括第一與第二子像素電極190a與190b的複數個像素電極190、複數個屏蔽電極88及複數個接觸輔助構件81、82a及82b。像素電極190、屏蔽電極88以及接觸輔助構件81、82a及82b由諸如ITO及IZO之透明傳導材料或諸如鋁之反射性傳導材料製成。
第一與第二子像素電極190a與190b經由接觸孔185a與185b實體地並電連接至汲電極175a與175b，從而自汲電極175a與175b接收資料電壓。向該對子像素電極190a與190b施加相對於單一輸入影像訊號之不同預定資料電壓，且該等資料電壓之量值可根據子像素電極190a與190b之尺寸及形狀判定。子像素電極190a與190b可具有不同面積，例如，子像素電極190a之形狀可嵌套於子像素電極190b之形狀中且與其稍微間隔開，此將在下文進一步描述。
施以資料電壓之子像素電極190a及190b與共同電極270一起產生電場，以使得可判定子像素電極190a/190b與共同電極270之間之液晶層3之液晶分子的對準。
第一與第二子像素電極190a與190b以及共同電極270構成電容器(下文中稱為"液晶電容器")CL C a 與CL C b 以保持儘管TFT Qa與Qb切斷時所施加之電壓。為了增大電壓儲存容量，提供與液晶電容器CL c a 與CL C b 並聯之其它電容器，且該等電容器稱為儲存電容器CS T a 與CS T b 。儲存電容器CS T a 與CS T b 藉由使第一及第二子像素電極190a及190b與儲存電極線131重疊而建構。為了增大儲存電容器CS T a 與CS T b 之電容，意即，儲存電容，向儲存電極線131提供儲存電極133a與133b且使儲存電極133a與133b與經由第一與第二接觸孔185a與185b連接至第一與第二子像素電極190a與190b之汲電極175a與175b的擴大部分177a與177b重疊，以使得埠間之距離減小且重疊面積擴大。
對應於子像素電極190b之每一像素電極190之上右角被切割，且切邊相對於閘極線121成約45°角。
構成一個像素電極190之該對第一與第二子像素電極190a與190b彼此嚙合且其間夾置有一間隙93，且像素電極190之外邊界之形狀近乎矩形。第一子像素電極190a之形狀為經旋轉之等腰梯形，其左邊鄰近儲存電極133a且大體平行於資料線171a延伸；右邊與左邊相對且大體平行於資料線171b延伸；上斜邊與下斜邊相對於閘極線121成約45°角。第一子像素電極190a之上斜邊與下斜邊可大體相互垂直。第二子像素電極190b具有一對面向第一子像素電極190a之斜邊之梯形部分以及一面向第一子像素電極190a之右邊的橫向部分。另外，間隙93包括上與下傾斜部分93a與93b以及一具有大體一致寬度之橫向部分93c，該等上與下傾斜部分93a與93b具有大體一致之寬度且相對於閘極線121成約45°角。橫向部分93c包括第一末端與第二末端，其中上傾斜部分93a自橫向部分93c之第一末端延伸，下傾斜部分93b則自橫向部分93c之第二末端延伸。下文中，為便於描述，間隙93以孔徑表示。
像素電極190具有中間孔徑91與92、上孔徑93a與94a以及下孔徑93b與94b，且像素電極190由孔徑91、92、93a、93b、94a及94b劃分成複數個區域，其中孔徑93a與93b對應於分隔開子像素電極190a與190b之上傾斜部分與下傾斜部分。孔徑91、92、93a、93b、94a及94b相對於儲存電極線131近似反向對稱。意即，位於儲存電極線131之第一側上之上孔徑可大體係位於儲存電極線131之第二側上之下孔徑的鏡像。
上與下孔徑93a、93b、94a及94b自像素電極190之左側沿傾斜方向延伸至其右側，且相對於在縱向上將像素電極190二等分之儲存電極線131分別安置在上半區域與下半區域中。上與下孔徑93a、93b、94a及94b相對於閘極線121成約45°角，且上孔徑93a與94a垂直於下孔徑93b與94b延伸，且中間孔徑91與92具有一對大體平行於上孔徑93a與94a以及下孔徑93b與94b的分枝。中間孔徑91與92亦具有在其中心處沿縱向(諸如沿儲存電極線131)延伸的縱向部分。
因此，像素電極190之上半區域與下半區域中之每一者由孔徑91、92、93a、93b、94a及94b劃分成四個區域。此處，區域之數目或孔徑之數目可根據像素PX之尺寸、像素電極190之縱橫比、液晶層3之類型或特性，或其它設計因子而改變。
像素電極190與相鄰閘極線121重疊，以使得其孔徑比增大。
屏蔽電極88沿資料線171a與171b以及閘極線121延伸。屏蔽電極88安置於資料線171a與171b上之部分完全覆蓋資料線171a與171b，且屏蔽電極88安置於閘極線121上之部分之寬度小於閘極線121之寬度並安置於閘極線121之邊界內。安置於相鄰像素電極190間之兩個資料線171a與171b由屏蔽電極88完全覆蓋。或者，屏蔽電極88之寬度可經調節成小於資料線171a與171b之組合寬度，及/或屏蔽電極88之邊界線可位於閘極線121之邊界外。為了施加共同電壓Vcom至屏蔽電極88，屏蔽電極88可經由保護膜180及閘極絕緣層140內之接觸孔(未圖示)連接至儲存電極線131或短點(未圖示)，其中共同電壓Vc o m 經由該短點自TFT面板100傳輸至共同電極面板200。此處，屏蔽電極88與像素電極190之間之距離較佳經設計成最小，從而最小化孔徑比之降低。
在此配置中，若施以共同電壓Vc o m 之屏蔽電極88安置於資料線171a與171b上，則屏蔽電極88屏蔽在資料線171a及171b與像素電極190之間以及在資料線171a及171b與共同電極270之間所產生之電場，以使得可減小像素電極190之電壓失真以及由資料線171a與171b傳輸之資料電壓之訊號延遲及失真。
另外，因為像素電極190與屏蔽電極88彼此分離一距離以防止其間發生短路，所以像素電極190可進一步與資料線171a及171b分離，以使得可減小其間之寄生電容。另外，因為液晶層3之電容率高於保護膜180之電容率，所以資料線171a及171b與屏蔽電極88之間之寄生電容低於資料線171a及171b與共同電極270之間之寄生電容(此時並未提供屏蔽電極88)。
另外，因為像素電極190與屏蔽電極88以相同層建構，所以其間之距離可保持一致，以使得其間之寄生電容一致。
接觸輔助構件81、82a及82b分別經由接觸孔181、182a及182b連接至閘極線121之末端部分129以及資料線171a與171b之末端部分179a與179b。接觸輔助構件81、82a及82b具有補償閘極線121之曝露末端部分129以及資料線171a與171b之曝露末端部分179a與179b黏接至外部裝置並保護此等部分的功能。
當圖1所示之閘極驅動器400或資料驅動器500整合於TFT面板100中時，延伸閘極線121或資料線171a與171b以直接連接至驅動器。在此情況下，接觸輔助構件81、82a與82b可用以將閘極線121以及資料線171a與171b分別連接至驅動器400與500。
在像素電極190、接觸輔助構件81、82a及82b以及保護膜180上塗覆一用以對準液晶層3之對準膜11。對準膜11可為垂直對準膜。
接著，將參照圖5至7A描述共同電極面板200。
用以防止漏光之光屏蔽構件220(亦稱為黑色矩陣)形成於由透明玻璃或其類似物(諸如其它透明絕緣材料)製成之介電基板210上。
另外，光屏蔽構件220包括面向像素電極190且具有與像素電極190大體相同之形狀的複數個開口部分。或者，光屏蔽構件220可以對應於資料線171a與171b之部分以及對應於TFT Qa與Qb之部分建構。然而，光屏蔽構件220可具有多種形狀以避免在像素電極190以及TFT Qa與Qb附近漏光。
複數個彩色濾光器230形成於基板210上。彩色濾光器230安置於光屏蔽構件220所圍繞之大多數區域中且在橫向上沿像素電極190延伸。
彩色濾光器230可顯示該等顏色(意即，紅色、綠色與藍色)中之一者或本文並未描述之其它顏色。
一覆蓋膜250形成於彩色濾光器230及光屏蔽構件220上，以便防止曝露彩色濾光器230並提供一平坦化表面。
由諸如(但不限於)ITO與IZO之透明傳導材料製成之共同電極270形成於覆蓋膜250上。
共同電極270包括如圖5與6所示之複數個孔徑71至74b。
孔徑71至74b面向像素電極190中之一者，且包括中間孔徑71與72、上孔徑73a與74a以及下孔徑73b與74b。孔徑71至74b安置於像素電極190之相鄰孔徑91至94b之間以及孔徑94a及94b與像素電極190之側面之間。另外，孔徑71至74b中之每一者包括平行於像素電極190之孔徑91至94a延伸之至少一個傾斜部分。
上與下孔徑73a至74b中之每一者包括：一傾斜部分，其自對應於每一像素電極190之右側之共同電極270的一部分延伸至其下側與上側；及縱向及/或橫向部分，其自該傾斜部分之末端沿對應於像素電極190之側面的共同電極270之部分與該傾斜部分成鈍角延伸，該等縱向及/或橫向部分與對應於像素電極190之側面的共同電極270之部分重疊。
中間孔徑71包括：一中間縱向部分，其自左側沿縱向延伸；一對傾斜部分，其自該中間縱向部分向對應於像素電極190之左側的共同電極270之部分相對於該中間縱向部分成傾角延伸；及遠端橫向部分，其自該等傾斜部分之末端沿對應於像素電極190之左側的共同電極270之部分與該等傾斜部分成鈍角延伸且與對應於像素電極190之左側的共同電極270之部分重疊。中間孔徑72包括：一橫向部分，其沿對應於像素電極190之右側的共同電極270之部分延伸並與對應於像素電極190之右側的共同電極270之部分重疊；一對傾斜部分，其自該橫向部分之末端向對應於像素電極190之左側的共同電極270之部分延伸；以及遠端橫向部分，其自該等傾斜部分之末端沿對應於像素電極190之左側的共同電極270之部分與該等傾斜部分成鈍角延伸且與對應於像素電極190之左側的共同電極270之部分重疊。因為共同電極270可大體覆蓋共同電極面板200之整個表面，所以本文描述之孔徑71至74b之圖案可針對TFT面板100之每一像素區域重複。
形狀為三角形之凹口形成於孔徑71至74b之傾斜部分中。或者，該等凹口之形狀可為矩形、梯形或半圓形，且可為凸形狀或凹形狀。歸因於該等凹口，可判定位於對應於孔徑71至74b之邊界內之液晶層3內之液晶分子的對準方向。
孔徑71至74b之數目可根據設計因子變化，且光屏蔽構件220可與孔徑71至74b重疊以避免在孔徑71至74b附近漏光。
因為向共同電極270與屏蔽電極88施加相同的共同電壓Vc o m ，所以其間並不產生電場。因此，安置於共同電極270與屏蔽電極88之間之液晶層3內之液晶分子保持初始的垂直對準狀態，且不可透射入射至該區域之光。
孔徑91至94b與71至74b中之至少一者可以突起或凹陷部分替代，且儘管已出於例示性之目的描述孔徑91至94b與71至74b之特定形狀及配置，但孔徑91至94b與71至74b之形狀及配置可在替代實施例中修改。
在共同電極270與覆蓋膜250上塗覆一用以對準液晶層3之對準膜21。對準膜21可為垂直對準膜。
偏振片12與22提供於面板100與200之外表面上。兩個偏振片12與22之透射軸相互垂直，且該等透射軸(或吸收軸)中之一者平行於縱向。在反射型LCD裝置之情況下，可省略兩個偏振片12與22中之一者。
液晶層3具有負各向異性電容率，且液晶層3之液晶分子經對準成當無電場施加至液晶分子時使其主軸垂直於兩個面板100、200之表面。
當分別向共同電極270與像素電極190施加共同電壓Vc o m 與資料電壓時，在大體垂直於面板100與200之表面的方向上產生一電場。電極190與270之孔徑91至94b與71至74b扭曲電場以產生垂直於孔徑91至94b與71至74b之側面之水平分量。
因此，電場定向於一相對於垂直於面板100與200之表面之方向傾斜的方向上。
液晶層3內之液晶分子響應於電場而傾向於改變主軸以使其垂直於電場之方向。此時，因為像素電極190之側面以及孔徑91至94a與71至74b附近之電場具有一並不平行於液晶分子之主軸方向的預定角度，所以液晶分子繞此方向旋轉以使得由液晶分子之主軸方向與電場所形成之表面上之移動距離較短。因此，一組孔徑91至94a與71至74b以及像素電極190之側面將位於像素電極190上之液晶層3之區域劃分成複數個晶疇，其中液晶分子具有不同傾角以使得可增大參照視角。
現將進一步描述LCD裝置之操作。
如圖1所示，訊號控制器600接收來自外部圖形控制器(未圖示)之紅色、綠色與藍色輸入影像訊號R、G與B以及用以控制該等輸入影像訊號之顯示的輸入控制訊號。輸入控制訊號之實例包括一垂直同步訊號Vsync、一水平同步訊號Hsync、一主時脈MCLK及一資料賦能訊號DE。訊號控制器600基於輸入控制訊號適當處理輸入影像訊號R、G及B並根據LCD面板總成300之操作條件適當處理輸入影像訊號R、G及B，從而產生一閘極控制訊號CONT1及一資料控制訊號CONT2，且接著將產生之閘極控制訊號CONT1傳輸至閘極驅動器400並將產生之資料控制訊號CONT2及處理之影像訊號DAT傳輸至資料驅動器500。此處，影像訊號之變換經由提前由實驗或其類似物判定之儲存於查找表(未圖示)中之映射或經由訊號控制器600之計算而執行。
閘極控制訊號CONT1包括：一掃描開始訊號STV(其為垂直同步開始訊號)，其用以指示開閘電壓Vo n 之掃描開始；及至少一個閘極時脈訊號CPV，其用以控制開閘電壓Vo n 之輸出時間。一輸出賦能訊號OE可進一步界定開閘電壓Vo n 之持續時間。
資料控制訊號CONT2包括：一水平同步開始訊號STH，其用以指示一列子像素PXa與PXb之資料傳輸；一負載訊號LOAD，其用以命令施加相關聯之資料訊號至資料線D1 至D2m ；及一資料時脈訊號HCLK。資料控制訊號CONT2可進一步包括一反相訊號RVS，其用以反相/反向資料電壓相對於共同電壓Vcom 之極性(下文中，"資料電壓相對於共同電壓Vcom 之極性"稱為"資料訊號極性")。
響應於來自訊號控制器600之資料控制訊號CONT2，資料驅動器500相繼自一列子像素PXa與PXb接收並移位影像資料DAT，在來自灰階電壓發生器800之灰階電壓中選擇對應於每一影像資料DAT之灰階電壓以將影像資料DAT轉換成相關聯之類比資料電壓，且相繼施加資料電壓至資料線D1 至D2m 。
響應於來自訊號控制器600之閘極控制訊號CONT1，閘極驅動器400經由連接至閘極線G1 至Gn 之閘電極相繼施加開閘電壓Von 至閘極線G1 至Gn 以開啟切換元件Qa與Qb。結果，施加至資料線D1 至D2m 之資料電壓經由開啟之切換元件Qa與Qb之汲電極施加至相關聯之子像素PXa與PXb，其中該等子像素經由源電極接收資料電壓。
施加至子像素PXa與PXb之資料電壓與共同電壓Vcom 之間之差值變為液晶電容器CLca 、CLCb 之充電電壓，意即子像素電壓。液晶分子之對準根據子像素電壓之強度而變化。因此，穿過液晶層3之光之偏振發生變化。歸因於附著至面板100與200之偏振片12與22，偏振之變化導致光之透射率變化。
一個輸入影像資料轉換成一對輸出影像資料，且該等輸出資料向一對子像素PXa與PXb提供不同之透射率。該等兩個子像素PXa與PXb展示不同之伽瑪(gamma)曲線，且一個像素PX之伽瑪曲線係該等伽瑪曲線之組合。
當一個水平週期(或1H，意即水平同步訊號Hsync與資料賦能訊號DE之一個週期)消逝時，資料驅動器500與閘極驅動器400為下一列子像素PXa與PXb重複執行上述操作。以此方式，在一個圖框期間，相繼施加開閘電壓Vo n 至所有閘極線G1 －Gn ，以使得施加資料電壓至所有子像素PXa與PXb。當一個圖框結束而下一圖框開始時，控制施加至資料驅動器500之反相訊號RVS(資料控制訊號CONT2之部分)之狀態，以使得施加至每一子像素PXa與PXb之資料電壓之極性與先前圖框中之極性相反(圖框反相)。或者，甚至在一個圖框內，根據反相訊號RVS之特性，流經資料線之資料電壓之極性可反相(列反相或點反相)。
現將參照圖8A與8B描述根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例之例示性像素電極的極性與反相機制。
圖8A與8B係展示根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例之例示性像素電極之極性狀態的圖。
如圖8A所示，流經連接至構成一個像素PX之一對子像素PXa與PXb的兩個資料線(例如，Dj 與Dj ＋ 1 )之資料電壓的極性彼此相同。然而，流經安置於兩個相鄰像素PX之間的兩個資料線(例如，Dj ＋ 1 與Dj ＋ 2 )之資料電壓的極性彼此相反，以使得兩個相鄰像素之極性變化。儘管圖8A展示像素電極190之極性以每個像素反相的點反相，但或者可採用極性以每兩個像素反相的1＋2反相機制。根據該反相機制，因為構成一個像素電極190之兩個子像素電極190a與190b之極性彼此相同，所以在子像素PXa與PXb之間之孔徑93中不會發生漏光。
另一方面，如圖8B所示，流經連接至構成一個像素PX之一對子像素PXa與PXb的兩個資料線(例如，Dj 與Dj ＋ 1 )之資料電壓的極性不同於彼此。然而，流經安置於兩個相鄰像素PX之間的兩個資料線(例如，Dj ＋ 1 與Dj ＋ 2 )之資料電壓的極性彼此相同。因為相鄰資料線之極性彼此相同，所以資料線上之負載減小，從而可防止資料電壓之充電延遲並增大資料驅動器500之驅動餘量。
現將參照圖9與圖2一起描述根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例。
圖9係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的方塊圖。
如圖9所示，LCD裝置包括一LCD面板總成300、連接至該LCD面板總成300之閘極驅動器400及資料驅動器500、一連接至該資料驅動器500之灰階電壓發生器800及一用以控制該等組件之訊號控制器600。
因為根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例與圖1所示之LCD裝置大體相同，所以將省略相同組件之描述而僅描述不同組件。
LCD面板總成300包括一作為TFT面板之下面板100、一作為共同電極面板之上面板200(其中該等面板100與200面向彼此)及一夾置於其間之液晶層3。LCD面板300進一步包括複數個訊號線G1 至Gn 與D1 至D2m 及連接至該複數個訊號線且大體以矩陣排列於下面板100上的複數個像素PX。
顯示訊號線G1 至Gn 與D1 至D2m 包括複數個閘極線G1 至Gn 及複數個資料線D1 至D2m 。如圖9所示，每一像素PX包括一對子像素PXa與PXb，且連接至子像素PXa與PXb之兩個資料線D1 至D2m 安置於每一像素之一側上而並非如第一例示性實施例中安置於每一像素之相對側上。儘管圖9展示兩個資料線D1 至D2m 安置於每一像素之左側上的配置，但該等資料線或者可安置於其右側上。
奇數資料線D2j-1 連接至子像素PXb之切換元件Qb，且偶數資料線D2j 連接至子像素PXa之切換元件Qa。換言之，資料線交替地連接至切換元件Qa與Qb。為了避免資料線D2j-1 與資料線D2j 之間之連接與接觸，在資料線D2j-1 與切換元件Qb之間連接橋接線(未圖示)。
現將參照圖10至13描述LCD裝置之結構。
圖10係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的一例示性TFT面板之布局的圖，且圖11係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的一例示性共同電極面板之布局的圖。圖12係展示以圖10之例示性TFT面板及圖11之例示性共同電極面板建構之LCD裝置的第二例示性實施例之布局的圖。圖13係展示沿圖12中之線XIII-XIII'截得之LCD裝置的截面圖。
如圖10至13所示，因為根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例之分層結構與圖4至7B所示之LCD裝置之分層結構大體相同，所以將省略相同組件之描述而僅描述不同組件。
在TFT面板100中，包括複數個閘電極124之複數個閘極線121、包括複數個儲存電極133a與133b之複數個儲存電極線131以及複數個連接橋127形成於基板110上。
連接橋127由相同材料製成且位於TFT面板100中與閘極線121及儲存電極線131相同之層內。同樣，連接橋127大體平行於閘極線121及儲存電極線131延伸，然而，替代形狀及方向亦屬於該等實施例之範疇。
閘極絕緣層140、半導體151a與151b以及歐姆接觸構件161a、161b、163a、163b、165a及165b上相繼形成於閘極線121、儲存電極線131及連接橋127上。
複數個資料線171a與171b以及與該等資料線171a與171b分離之複數個源電極173a與173b及汲電極175a與175b相繼形成於歐姆接觸構件161a、161b、163a、163b、165a及165b上。因為源電極173b待連接至鄰近像素電極190之與資料線171a相同之側面的資料線171b，所以源電極173b在與源電極173a相同之方向上打開。
資料線171b包括複數個第一與第二部分171p與171q，該等部分沿大體垂直於閘極線121之橫向延伸且彼此分離。資料線171b之第一與第二部分171p與171q具有覆蓋連接橋127之第一末端部分的末端部分且電連接至彼此。另外，源電極173b之部分覆蓋連接橋127之第二末端部分且電連接至資料線171b。
保護膜180(諸如鈍化層)形成於資料線171a與171b、源電極173a與173b、汲電極175a與175b及半導體151a與151b之曝露突起154a與154b上。
複數個接觸孔182a、182b、185a及185b形成於保護膜180中，且另外複數個接觸孔181、187a及187b形成於保護膜180與閘極絕緣層140中。
複數個子像素電極190a與190b、屏蔽電極88、複數個接觸輔助構件81、82a與82b及複數個連接構件87a與87b形成於鈍化層180上。
連接構件87a與87b以相同材料建構且位於與子像素電極190a與190b、屏蔽電極88及接觸輔助構件81、82a與82b相同之層內，且具有經由接觸孔187a與187b連接資料線171b、連接橋127及源電極173b之功能。另一方面，屏蔽電極88具有凹部分以便不與連接構件87a接觸，且子像素電極190b具有開口197以便不與連接構件87b接觸。
在共同電極面板200中，光屏蔽構件220與複數個彩色濾光器230形成於基板210上，覆蓋膜250形成於該光屏蔽構件220與該複數個彩色濾光器230上，且共同電極270形成於該覆蓋膜250上。光屏蔽構件220包括用以屏蔽TFT Qb之島狀光屏蔽構件221。
對準膜11與21形成於面板100與200之內表面上，且在其外表面上形成偏振片12與22。
現將參照圖14描述LCD裝置之像素電極的極性與反相機制。
圖14係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的例示性像素電極之極性狀態的圖。
如圖14所示，流經連接至構成一個像素PX之一對子像素PXa與PXb的兩個資料線(例如，Dj 與Dj ＋ 1 )之資料電壓的極性彼此相同。另外，一個像素PX之兩個資料線安置於兩個相鄰像素PX之間。
因此，因為構成一個像素電極190之兩個子像素電極190a與190b之極性彼此相同，所以如先前相對於LCD裝置之第一例示性實施例所描述之，在子像素PXa與PXb之間之孔徑93中不會發生漏光。
另外，因為每一像素PX之相鄰資料線之極性彼此相同，所以資料線上之負載減小，從而可防止資料電壓之充電延遲並增大資料驅動器500之驅動餘量。
另一方面，儘管圖14展示像素電極190之極性以每個像素反相的點反相，但或者可採用極性以每兩個像素反相的1＋2反相機制。
現將參照圖15描述根據本發明之一LCD裝置之第三例示性實施例。
圖15係展示根據本發明之一LCD裝置之第三例示性實施例的方塊圖。
如圖15所示，LCD裝置包括一LCD面板總成300、連接至該LCD面板總成300之閘極驅動器400及資料驅動器500、一連接至該資料驅動器500之灰階電壓發生器800及一用以控制該等組件之訊號控制器600。
因為根據本發明之LCD裝置之第三例示性實施例與圖1所示之LCD裝置大體相同，所以將省略相同組件之描述而僅描述不同組件。
LCD面板總成300包括一作為TFT面板之下面板100、一作為共同電極面板之上面板200(其中該等面板100與200面向彼此)及一夾置於其間之液晶層3。LCD面板300進一步包括複數個訊號線G1 至Gn 與D1 至D2 m 及連接至該複數個訊號線且大體以矩陣排列於下面板100上的複數個像素PX。
顯示訊號線G1 至Gn 與D1 至D2 m 包括複數個閘極線G1 至Gn 及複數個資料線D1 至D2 m 。每一像素PX包括一對子像素PXa與PXb，且連接至子像素PXa與PX之兩個資料線D1 至D2 m 安置於每一子像素之一側上。因此，每一像素PX由專用於每行像素PX之兩個資料線中之一個劃分。儘管圖15展示兩個資料線D1 至D2 m 安置於每一子像素之左側上的配置，但該等資料線或者可安置於其右側上。
一個像素PX之縱橫比大體為1：3，且若子像素PXa與PXb之尺寸彼此相等，則子像素PXa與PXb中之每一者之縱橫比大體為1：6。為了增大側面可見度，子像素PXa與PXb之橫向長度經設計為不同於彼此。
現將參照圖16至19描述LCD裝置之結構。
圖16係展示根據本發明之LCD裝置之第三例示性實施例的一例示性TFT面板之布局的圖，且圖17係展示根據本發明之LCD裝置之第三例示性實施例的一例示性共同電極面板之布局的圖。圖18係展示以圖16之例示性TFT面板及圖17之例示性共同電極面板建構之LCD裝置的第三例示性實施例之布局的圖。圖19係展示沿圖18中之線XIX－XIX'截得之LCD裝置的截面圖。
LCD裝置之每一像素PX包括具有大體相同結構之兩個子像素PXa與PXb。
因此，在下文描述中，將描述一個子像素PXa，且將省略另一子像素PXb之描述的重複部分。
LCD裝置包括面向彼此之一TFT面板100與一共同電極面板200及一夾置在該等面板100與200之間之液晶層3。
首先，將參照圖16、18與19描述TFT面板100。
複數個閘極線121及複數個儲存電極線131安置於由透明玻璃或其類似物(諸如其它透明絕緣材料)製成之介電基板110上。
主要沿第一方向(諸如縱向)延伸之閘極線121彼此分離且傳輸閘極訊號。每一閘極線121包括構成複數個閘電極124a之複數個突起及一用以連接至其它層或外部裝置之大面積末端部分129。閘電極124a可定位於子像素PXa之第一角附近。
儲存電極線131主要沿第一方向延伸(諸如大體平行於閘極線121之縱向)且包括構成儲存電極133a的複數個突起。
每一儲存電極133a之形狀為矩形且關於儲存電極線131對稱。亦有一預定電壓(諸如施加至LCD裝置之共同電極面板200之共同電極270的共同電壓Vc o m )施加至儲存電極線131。
閘極線121與儲存電極線131可由諸如鋁(Al)及鋁合金之鋁基金屬、諸如銀(Ag)及銀合金之銀基金屬、諸如銅(Cu)及銅合金之銅基金屬、諸如鉬(Mo)及鉬合金之鉬基金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)或鉭(Ta)製成。
或者，閘極線131與儲存電極線131可具有多層結構，該多層結構包括具有不同物理特性之兩個傳導層(未圖示)。在此情況下，兩個傳導層中之一者可由一具有低電阻率之金屬(例如，鋁基金屬、銀基金屬及銅基金屬)製成，以降低閘極線121及儲存電極線131之訊號延遲或電壓降，另一傳導層則可由一與其它材料(尤其與ITO及IZO)具有良好接觸性的材料製成，諸如鉬基金屬、鉻、鈦及鉭。
就該組合之較佳實例而言，多層結構可包括一下鉻層與一上鋁層及一下鋁層與一上鉬層。
然而，雖然已描述特定實例，但應瞭解，閘極線121與儲存電極線131可由多種金屬及傳導材料製成。
另外，閘極線121及儲存電極線131之側面相對於基板110之表面傾斜，且傾角較佳在約30°至約80°的範圍內。
由氮化矽SiNx 或其類似物製成之閘極絕緣層140形成於閘極線121及儲存電極線131上，且可進一步形成於未由閘極線121或儲存電極線131覆蓋之基板110之曝露部分上。
由氫化a－Si製成之複數個島狀半導體154a形成於閘極絕緣層140上方。該等島狀半導體154a主要安置於閘電極124a上。
由以諸如磷(P)之n型雜質摻雜之n＋氫化a－Si或其類似物或矽化物製成之複數個島狀歐姆接觸構件163a及165a形成於半導體154a上。該等兩對島狀歐姆接觸構件163a及165a安置於半導體154a上，且相對於作為其中心之閘電極124a面向彼此。
島狀半導體154a及歐姆接觸構件163a與165a之側面亦相對於基板110之表面傾斜，且傾角在約30°至約80°之範圍內。
複數個資料線171a及與該複數個資料線171a分離之複數個汲電極175a形成於歐姆接觸構件163a與165a及閘極絕緣層140上。
資料線171a主要沿第二方向(諸如橫向)延伸，從而與閘極線121及儲存電極線131大體垂直相交並施加資料電壓。資料線171a具有複數個源電極173a及末端部分179a，其中該複數個源電極173a覆蓋歐姆接觸構件163a並向汲電極175a延伸且該等末端部分179a具有用以連接至其它層或外部裝置之擴大寬度。
汲電極175a主要沿平行於資料線171a之橫向延伸，且具有與儲存電極133a重疊之擴大部分177a。汲電極175a之擴大部分177a之側面大體平行於儲存電極133a之側面。閘電極124a、源電極173a及汲電極175a與半導體154a一起構成TFT Qa。TFT Qa之通道分別形成於源電極173a與汲電極175a之間之半導體154a上。
資料線171a及汲電極175a較佳由鉻(Cr)、基於鉬之金屬或諸如鉭與鈦之耐火金屬製成，且可具有以由耐火金屬製成之下層(未圖示)與安置於其上之由低電阻率材料製成之上層(未圖示)所構成的多層結構。
作為多層結構之一實例，除了上述由下鉻或鉬層與上鋁層形成之雙層結構外，還可存在由鉬層/鋁層/鉬層形成之三層結構。
與閘極線121及儲存電極線131類似，資料線171a及汲電極175a之側面相對於基板以約30°至約80°範圍內之角度傾斜。
歐姆接觸構件163a與165a僅夾置在下面的半導體154a與上面的資料線171a、源電極173a及汲電極175a之間，且具有減小接觸電阻之功能。島狀半導體154a具有源電極173a與汲電極175a之間之未覆蓋之曝露部分及未由資料線171a與汲電極175a覆蓋之曝露部分。
保護膜180(諸如鈍化層)形成於資料線171a、源電極173a、汲電極175a及曝露之半導體154a上。保護膜180由諸如氮化矽或氧化矽之無機材料、具有極佳平坦化特性及感光性之有機材料以及諸如a－Si：C：O及a－Si：O：F之藉由PECVD形成之低介電常數絕緣材料製成。然而，為了使用有機膜之極佳特性並保護半導體154a之曝露部分，保護膜180可具有包括下無機膜與上有機膜之雙層結構。
在保護膜180中形成曝露汲電極175a之擴大部分177a與資料線171a之末端部分179a的複數個接觸孔185a與182a，且在保護膜180與閘極絕緣層140中形成曝露閘極線121之末端部分129的複數個接觸孔181。
在保護膜180上形成複數個子像素電極190a、複數個屏蔽電極88及複數個接觸輔助構件81與82a。子像素電極190a、屏蔽電極88以及接觸輔助構件81與82a由諸如ITO及IZO之透明傳導材料或諸如鋁之反射性傳導材料製成。
子像素電極190a經由接觸孔185a實體地並電連接至汲電極175a，從而自汲電極175a接收資料電壓。
施以資料電壓之子像素電極190a與共同電極270一起產生電場，以使得可判定兩個電極190a與270之間之液晶層3之液晶分子的對準。
子像素電極190a與共同電極270構成液晶電容器CL C a 以保持儘管在TFT Qa切斷時所施加之電壓。為了增大電壓儲存容量，提供與液晶電容器CL c a 並聯之儲存電容器CS T a 。每一儲存電容器CS T a 藉由使子像素電極190a與儲存電極線131重疊而建構。為了增大儲存電容器CS T a 之電容，意即，儲存電容，向儲存電極線131提供儲存電極133a且使儲存電極133a與經由接觸孔185a連接至子像素電極190a之汲電極175a的擴大部分177a重疊，以使得埠間之距離減小且重疊面積擴大。
子像素電極190a之形狀近似為矩形。子像素電極190a之角可部分地切割，且切邊相對於閘極線121成約45°角。
子像素電極190a具有複數個中間孔徑91a與92a、上孔徑93a、94a與95a以及下孔徑96a、97a與98a。子像素電極190a由該等孔徑91a至98a劃分成複數個小區域。上與下孔徑93a至95a與96a至98a分別安置於子像素電極190a之上半區域與下半區域中，且中間孔徑91a與92a安置於上孔徑93a至95a與下孔徑96a至98a之間。孔徑91a至98a相對於劃分子像素電極190a之上半區域與下半區域的子像素電極190a之中心縱向線近似反向對稱。舉例而言，儲存電極線131可劃分子像素電極190a之上半區域與下半區域，且孔徑91a至98a相對於儲存電極線131可係彼此之鏡像。
上孔徑93a至95a與下孔徑96a至98a相對於閘極線121成約45°角。上孔徑93a至95a與下孔徑96a至98a相互垂直。
上孔徑93a至95a相互平行並平行於中間孔徑91a與92a之上部分，且下孔徑96a至98a亦相互平行並平行於中間孔徑91a與92a之下部分。
孔徑95a與98a自鄰近資料線171b之橫向側延伸至子像素電極190a之相對上縱向側與下縱向側。孔徑94a與97a自鄰近資料線171b之子像素電極190a之右側延伸至可未切割之子像素電極190a之相對左角。孔徑93a與96a自子像素電極190a之上半區域與下半區域之右角延伸至鄰近資料線171a之子像素電極190a之左橫向側。
中間孔徑92a具有對應於儲存電極線131、沿子像素電極190a之中間橫向線延伸之一縱向部分及一對傾斜部分，該對傾斜部分自中間孔徑92a之縱向部分沿垂直之相反方向延伸至子像素電極190a之左側並分別平行於上孔徑93a至95a及下孔徑96a至98a。中間孔徑91a亦具有對應於儲存電極線131、沿子像素電極190a之中間橫向線延伸之一入口，該入口形成於鄰近資料線171a之子像素電極190a之左側上，且該入口具有分別平行於上孔徑93a至95a與下孔徑96a至98a之一對傾斜側面。
因此，子像素電極190a之上半區域由中間孔徑91a與92a以及上孔徑93a至95a劃分成5個小區域，且下半區域由中間91a與92a以及下孔徑96a至98a劃分成5個小區域。此處，區域之數目或孔徑之數目可根據像素PX之尺寸、子像素電極190a之縱橫比、液晶層3之類型或特性或其它設計因子而改變。
子像素電極190a與相鄰閘極線121重疊，以使得其孔徑比增大。
屏蔽電極88沿資料線171a及閘極線121延伸。屏蔽電極88安置於資料線171a上之部分完全覆蓋資料線171a，且屏蔽電極88安置於閘極線121上之部分之寬度小於閘極線121之寬度並安置於閘極線121之邊界內。或者，屏蔽電極88之寬度可經調節成小於資料線171a之寬度，且屏蔽電極88之邊界線可位於閘極線121之邊界外。為了施加共同電壓Vcom至屏蔽電極88，屏蔽電極88可經由保護膜180及閘極絕緣層140內之接觸孔(未圖示)連接至儲存電極線131或短點(未圖示)，其中共同電壓Vcom經由該短點自TFT面板100傳輸至共同電極面板200。
此處，屏蔽電極88與像素電極190之間之距離較佳經設計成最小，從而最小化孔徑比之降低。
在此配置中，若施以共同電壓Vcom之屏蔽電極88安置於資料線171a上，則屏蔽電極88屏蔽在資料線171a與子像素電極190a及190b之間以及在資料線171a與共同電極270之間所產生之電場，以使得可減小子像素電極190a及190b之電壓失真以及由資料線171a傳輸之資料電壓之訊號延遲及失真。
另外，因為子像素電極190a及190b與屏蔽電極88彼此分離一距離以防止其間發生短路，所以子像素電極190a及190b可進一步與資料線171a分離，以使得可減小其間之寄生電容。另外，因為液晶層3之電容率高於保護膜180之電容率，所以資料線171a與屏蔽電極88之間之寄生電容低於資料線171a與共同電極270之間之寄生電容(此時並未提供屏蔽電極88)。
另外，因為子像素電極190a及190b與屏蔽電極88以相同層建構，所以其間之距離可保持一致，以使得其間之寄生電容一致。
接觸輔助構件81與82a分別經由接觸孔181與182a連接至閘極線121之末端部分129以及資料線171a之末端部分179a。接觸輔助構件81與82a具有補償閘極線121之曝露末端部分129以及資料線171a之曝露末端部分179a黏接至外部裝置並保護此等部分的功能。
當圖15所示之閘極驅動器400或資料驅動器500整合於TFT面板100中時，延伸閘極線121或資料線171a以直接連接至驅動器。在此情況下，接觸輔助構件81與82a可用以將閘極線121與資料線171a分別連接至驅動器400與500。
在像素電極190a、接觸輔助構件81與82a以及保護膜180上塗覆一用以對準液晶層3之對準膜11。對準膜11可為垂直對準膜。
接著，將參照圖17至19描述共同電極面板200。
用以防止漏光之光屏蔽構件220(亦稱為黑色矩陣)形成於由透明玻璃或其類似物(諸如其它透明絕緣材料)製成之介電基板210上。
光屏蔽構件220包括面向像素電極190且具有與像素電極190大體相同之形狀的複數個開口部分。或者，光屏蔽構件220可以對應於資料線171a之部分以及對應於TFT Qa之部分建構。然而，光屏蔽構件220可具有多種形狀以避免在子像素電極190a及TFT Qa附近漏光。
複數個彩色濾光器230形成於基板210上。彩色濾光器230安置於光屏蔽構件220所圍繞之大多數區域中且在橫向上沿像素電極190延伸。
彩色濾光器230可顯示該等顏色(意即，紅色、綠色與藍色)中之一者或本文並未描述之其它顏色。
一覆蓋膜250形成於彩色濾光器230及光屏蔽構件220上，以便防止曝露彩色濾光器230並提供一平坦化表面。
由諸如(但不限於)ITO與IZO之透明傳導材料製成之共同電極270形成於覆蓋膜250上。
共同電極270包括如圖17與18所示之複數個孔徑71至78b。
孔徑71a至78b面向子像素電極190a中之一者，且包括中間孔徑71a與72a以及上孔徑73a至75a與下孔徑76b至78a。孔徑71a至78a安置於共同電極270之對應於子像素電極190a之相鄰孔徑91a至98a之間或子像素電極190a之傾斜側面與孔徑94a及98a之間之位置的位置中。另外，孔徑71a至78a中之每一者具有至少一個傾斜部分，其平行於子像素電極190a之上孔徑93a至95a或下孔徑96a至98a延伸，且相鄰平行孔徑91a至98a與71a至78a之間之距離等於子像素電極190a之傾斜側面與其傾斜部分之間的距離。子像素電極190a上之孔徑91a至98a與共同電極270上之孔徑71a至78a相對於子像素電極190a之中心縱向線成近似反向對稱。
孔徑74a、75a、77a、78a中之每一者包括：一傾斜部分，其自對應於子像素電極190a之右側之共同電極270的一部分延伸至子像素電極190a之下側與上側；及縱向及橫向部分，其自該等傾斜部分之末端沿對應於子像素電極190a之側面之共同電極270之部分與該等傾斜部分成鈍角延伸，該等縱向及橫向部分與對應於子像素電極190a之側面的共同電極270之部分重疊。孔徑73a與76a中之每一者包括：一傾斜部分，其自對應於子像素電極190a之右側之共同電極270的一部分延伸至子像素電極190a之左側之共同電極270之一部分；及一對橫向部分，其自該傾斜部分之末端沿對應於子像素電極190a之左側與右側的共同電極270之部分與該傾斜部分成鈍角延伸，該對橫向部分與對應於子像素電極190a之左側與右側的共同電極270之部分重疊。中間孔徑71a與72a中之每一者包括：一縱向部分，其沿對應於子像素電極190a之中心縱向線的共同電極270之一部分延伸；一對傾斜部分，其自該縱向部分延伸至對應於子像素電極190a之左側的共同電極270之部分；及一對橫向部分，其自該等傾斜部分之末端沿對應於子像素電極190a之左側的共同電極270之一部分與該等傾斜部分成鈍角延伸，該對橫向部分與對應於子像素電極190a之側面的共同電極270之一部分重疊。因為共同電極270可大體覆蓋共同電極面板200之整個表面，所以本文描述之孔徑之圖案可針對TFT面板100之每一像素區域重複。
形狀為三角形之凹口形成於孔徑72a、73a、74a、76a及77a之傾斜部分中。或者，該等凹口之形狀可為矩形、梯形或半圓形，且可為凸形狀或凹形狀。歸因於該等凹口，可判定位於對應於孔徑72a、73a、74a、76a及77a之邊界內之液晶層3內之液晶分子的對準方向。
孔徑71a至78a之數目可根據設計因子變化，且光屏蔽構件220可與孔徑71a至78a重疊以避免在孔徑71a至78a附近漏光。
因為向共同電極270與屏蔽電極88施加相同的共同電壓Vcom，所以其間並不產生電場。因此，安置於共同電極270與屏蔽電極88之間之液晶層3內之液晶分子保持初始的垂直對準狀態，且不可透射入射至該等區域之光。
孔徑91a至98a與71a至78a中之至少一者可以突起或凹陷部分替代，且儘管已出於例示性之目的描述孔徑91a至98a與71a至78a之特定形狀及配置，但孔徑91a至98a與71a至78a之形狀及配置可在替代實施例中修改。
在共同電極270與覆蓋膜250上塗覆一用以對準液晶層3之對準膜21。對準膜21可為垂直對準膜。
偏振片12與22提供於面板100與200之外表面上。兩個偏振片12與22之透射軸相互垂直，且該等透射軸(或吸收軸)中之一者平行於縱向。在反射型LCD裝置之情況下，可省略兩個偏振片12與22中之一者。
液晶層3具有負各向異性電容率，且液晶層3之液晶分子經對準成當無電場施加至液晶分子時使其主軸垂直於兩個面板100、200之表面。
當分別向共同電極270與子像素電極190a施加共同電壓Vcom與資料電壓時，在大體垂直於面板100與200之表面的方向上產生一電場。電極190與270之孔徑91a至98a與71a至78a扭曲電場以產生垂直於孔徑91a至98a與71a至78a之側面之水平分量。
因此，電場定向於一相對於垂直於面板100與200之表面之方向傾斜的方向上。
液晶層3內之液晶分子響應於電場而傾向於改變主軸以使其垂直於電場之方向。此時，因為子像素電極190a之側面以及孔徑91a至98a與71a至78a附近之電場具有一並不平行於液晶分子之主軸方向的預定角度，所以液晶分子繞此方向旋轉以由液晶分子之主軸方向與電場所形成之表面上之移動距離較短。因此，一組孔徑91a至98a與71a至78a以及子像素電極190a之側面將位於子像素電極190a上之液晶層3之區域劃分成複數個區，其中液晶分子具有不同傾角以使得可增大參照視角。
根據本發明之LCD裝置，因為資料線171b安置於構成一個像素PX之一對子像素PXa與PXb之間，所以可防止漏光。另外，因為兩個資料線171a與171b藉由子像素PXa與PXb而彼此分離，所以可減小資料電壓之訊號延遲或失真。
向該對子像素電極190a與190b施加相對於一個輸入影像訊號提前判定之不同資料電壓，且該等資料電壓之量值可根據子像素電極190a與190b之尺寸及形狀判定，且可根據需要判定其極性。
子像素電極190a與190b之面積可互不相同。
另一方面，當自一個像素劃分之兩個子像素連接至兩個閘極線而並非僅連接至一個資料線時，閘極訊號與資料訊號必須以輸入影像訊號之頻率(例如，60 Hz)兩倍高之頻率(例如，120 Hz)驅動。因此，因為用以驅動一列像素之TFT之時間減小一半，所以可減小此種組態之驅動餘量及充電率。然而，根據本發明之包括連接至每一像素之兩個資料線之結構，因為閘極訊號與資料訊號可以與輸入影像訊號之頻率(60 Hz)相等之頻率驅動，所以可防止驅動餘量與充電率減小。
如上所述，根據本發明，一個像素劃分成一對子像素，且該等子下像素連接至兩個不同資料線。因此，可向每一像素內之兩個子像素施加具有理想位準之獨立資料電壓，從而可改良可見度、增大孔徑比並改良透射率。另外，因為子像素之面積可經設計成互不相同，所以可改良側面可見度。另外，因為LCD裝置可以與輸入影像訊號之頻率相等之頻率驅動，所以可防止驅動餘量及充電率減小。
雖然上文已描述本發明之例示性實施例，但本發明並不限於該等實施例，且在不偏離本發明之附加申請專利範圍、實施方式及附圖之範疇的情況下可進行多種形式之修改。因此，此等修改當然屬於本發明之範疇。
3．．．液晶層
11、21．．．對準層
12、22．．．偏振片
71－78b、91－98b．．．孔徑
81、82a、82b．．．接觸輔助構件
87a、87b．．．連接構件
88．．．屏蔽電極
100、200．．．面板
110、210．．．基板
121、129．．．閘極線
124．．．閘電極
127．．．連接橋
131．．．儲存電極線
133a、133b．．．儲存電極
140．．．閘極絕緣層
151、151a、151b、154a、154b．．．半導體
161、161a、161b、163a、163b、165a、165b．．．歐姆接觸構件
171a、179a、171p、171q、171b、179b．．．資料線
173a、173b．．．源電極
175a、177a、175b、177b．．．汲電極
180．．．保護膜層
181、182a、182b、185a、185b、187a、187b．．．接觸孔
190．．．像素電極
197．．．開口
190a、190b．．．子像素電極
220．．．光屏蔽構件
230．．．彩色濾光器
250．．．覆蓋膜
270．．．共同電極
300．．．液晶面板總成
400．．．閘極驅動器
500．．．資料驅動器
600．．．訊號控制器
800．．．灰階電壓發生器
CL C a 、CL C b ．．．液晶電容器
CONT1、CONT2．．．控制訊號
CS T a 、CS T b ．．．儲存電容器
D1 －D2 m ．．．資料線
DAT．．．輸出影像訊號
DE．．．資料賦能訊號
G1 －Gn ．．．閘極線
Hsync．．．水平同步訊號
PXa、PXb．．．子像素
PX．．．像素
Qa、Qb．．．切換元件
R、G、B．．．輸入影像訊號
Vcom．．．共同電壓
Voff．．．關閘電壓
Von．．．開閘電壓
Vsync．．．垂直同步訊號
圖1係展示根據本發明之LCD裝置之一第一例示性實施例的方塊圖；圖2係展示根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例之一例示性像素的等效電路圖；圖3係展示根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例之例示性子像素的等效電路圖；圖4係展示根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例的一例示性TFT面板之布局的圖；圖5係展示根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例的一例示性共同電極面板之布局的圖；圖6係展示以圖4之例示性TFT面板與圖5之例示性共同電極面板建構之LCD裝置的第一例示性實施例之布局的圖；圖7A與7B係展示分別沿圖6之線VIIA－VIIA'與VIIB－VIIB'截得之LCD裝置的截面圖；圖8A與8B係展示根據本發明之LCD裝置之第一例示性實施例的例示性像素電極之極性狀態的圖；圖9係展示根據本發明之LCD裝置之一第二例示性實施例的方塊圖；圖10係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的一例示性TFT面板之布局的圖；圖11係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的一例示性共同電極面板之布局的圖；圖12係展示以圖10之例示性TFT面板與圖11之例示性共同電極面板建構之LCD裝置的第二例示性實施例之布局的圖；圖13係展示沿圖12中之線XIII－XIII'截得之LCD裝置的截面圖；圖14係展示根據本發明之LCD裝置之第二例示性實施例的例示性像素電極之極性狀態的圖；圖15係展示根據本發明之LCD裝置之一第三例示性實施例的方塊圖；圖16係展示根據本發明之LCD裝置之第三例示性實施例的一例示性TFT面板之布局的圖；圖17係展示根據本發明之LCD裝置之第三例示性實施例的一例示性共同電極面板之布局的圖；圖18係展示以圖16之例示性TFT面板與圖17之例示性共同電極面板建構之LCD裝置的第三例示性實施例之布局的圖；及圖19係展示沿圖18中之線XIX－XIX'截得之LCD裝置的截面圖。
CL C a 、CL C b ．．．液晶電容器
CS T a 、CS T b ．．．儲存電容器
Dj 、Dj ＋ 1 ．．．資料線
Gi ．．．閘極線
PXa、PXb．．．子像素
Qa、Qb．．．切換元件

Claims (48)

  1. 一種液晶顯示器裝置，其包含：複數個像素，每一像素具有第一及第二子像素，該第一子像素及該第二子像素在一像素中，該第一子像素包含一第一子像素電極且該第二子像素包含一第二子像素電極；一閘極線，其係連接至該第一及該第二子像素且傳輸一閘極訊號至該第一及該第二子像素；一第一資料線，其與該閘極線相交且傳輸一第一資料電壓至該第一子像素；及一第二資料線，其與該閘極線相交且傳輸一第二資料電壓至該第二子像素；一儲存線，其包含：一主要部分，其在與該閘極線相同的方向上延伸，並延伸進入一個以上的像素，及一儲存電極，其在與該第一資料線及該第二資料線相同的方向上自該主要部分延伸；其中該第一子像素包含該第一子像素電極，且該第一子像素電極係經由一第一接觸孔連接至一第一汲極電極，該第二子像素包含該第二子像素電極，且該第二子像素電極係經由一第二接觸孔連接至一第二汲極電極，及該第一子像素電極及該第二子像素電極具有複數個晶疇，其中若干個液晶分子具有不同的傾斜角度， 該複數個晶疇具有相對於該儲存線的一反向對稱，該第一汲極電極及該第二汲極電極中至少一者包含在與該閘極線相同的方向上延伸的一第一部分、自該第一部分突出且在與該第一資料線及該第二資料線相同的方向上延伸的一第二部分以及自該第二部分突出且與該儲存電極重疊的一第三部分，及該第一接觸孔及該第二接觸孔中至少一者與該第三部分及該儲存電極之一第二區域重疊。
  2. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其中，該第一子像素包括一連接至該閘極線及該第一資料線之第一切換元件以及一連接至該第一切換元件之第一子像素電極，及該第二子像素包括一連接至該閘極線及該第二資料線之第二切換元件以及一連接至該第二切換元件之第二子像素電極。
  3. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二子像素電極中之至少一者具有一孔徑。
  4. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該第一子像素及該第二子像素進一步包含一面向該第一及該第二子像素電極之共同電極。
  5. 如請求項4之液晶顯示器裝置，其中該共同電極具有一孔徑或一突起。
  6. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其進一步包含一屏蔽電極，該屏蔽電極之至少一部分覆蓋該第一及該第二資料 線且與該第一及該第二資料線電絕緣。
  7. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該第一子像素電極之面積與該第二子像素電極之面積不同。
  8. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料線中之至少一者係安置於該第一及該第二子像素電極之間。
  9. 如請求項8之液晶顯示器裝置，其中該像素之一橫向長度與一縱向長度之一比率大體等於1：3。
  10. 如請求項9之液晶顯示器裝置，其中該第一子像素及該第二子像素係以一橫向方向配置，且該第一子像素之一橫向長度與該第二子像素之一橫向長度不同。
  11. 如請求項8之液晶顯示器裝置，其進一步包含分別面向該第一及該第二子像素電極之第一及第二彩色濾光器，其中該第一及該第二彩色濾光器具有相同顏色。
  12. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該第一資料線及該第二資料線係安置於該像素之相對側上。
  13. 如請求項12之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料電壓具有相同極性。
  14. 如請求項12之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料電壓具有相反極性。
  15. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該第一資料線及該第二資料線相鄰安置於該像素之一相同側上。
  16. 如請求項15之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料電壓具有相同極性。
  17. 如請求項15之液晶顯示器裝置，其進一步包含一連接在該第二資料線與該第二切換元件之間之橋接線，其中該第二資料線距該像素之距離比該第一資料線距該像素之距離遠。
  18. 如請求項17之液晶顯示器裝置，其中該橋接線與該閘極線包含一相同金屬層，及該橋接線經由包含一與該第一及該第二子像素電極相同之金屬層的傳導構件連接至該第二資料線之一部分及該第二切換元件之一末端。
  19. 如請求項17之液晶顯示器裝置，其中該第二資料線包括彼此分離之一第一部分及一第二部分，該第二資料線之該第一及該第二部分之末端覆蓋該橋接線之一第一末端部分。
  20. 如請求項19之液晶顯示器裝置，其中該橋接線之一第二末端部分由該第二切換元件之一源電極覆蓋。
  21. 如請求項2之液晶顯示器裝置，其中該像素具有一大體矩形之形狀，且該第一及該第二子像素具有一大體非矩形之形狀。
  22. 如請求項21之液晶顯示器裝置，其中該第一子像素電極具有一嵌套在該第二子像素電極之一形狀內之形狀，且一間隙分離該第一子像素電極及該第二子像素電極。
  23. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其中該液晶顯示器裝置以一與該影像資訊之一輸入影像訊號之一頻率相同的頻率驅動。
  24. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其進一步包含：一訊號控制器，其處理該影像資訊且產生第一及第二影像訊號；及一資料驅動器，其分別施加對應於該第一及該第二影像訊號之該第一及該第二資料電壓至該第一及該第二資料線。
  25. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其進一步包含複數個像素及位於每對相鄰像素之間之一對資料線。
  26. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其中該第二子像素電極之一第二方向長度大於該第一子像素電極之一第一方向長度，且該第一子像素電極位於該第二子像素電極之該第二方向長度內。
  27. 如請求項26之液晶顯示器裝置，其中該第一子像素電極具有一嵌套在該第二子像素電極之一形狀內之形狀。
  28. 如請求項26之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二子像素電極具有面向彼此之傾斜側面。
  29. 如請求項28之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二子像素電極中之至少一者具有一孔徑。
  30. 如請求項28之液晶顯示器裝置，其進一步包含一面向該第一及該第二子像素電極之第三顯示電極。
  31. 如請求項30之液晶顯示器裝置，其中該第三顯示電極具有一孔徑或一突起。
  32. 如請求項26之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料線在該第二子像素電極之該第二方向上安置於該第二 顯示電極之相對側上。
  33. 如請求項30之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料線在該第二子像素電極之該第二方向上安置於該第二顯示電極之一相同側上。
  34. 如請求項30之液晶顯示器裝置，其中該第一子像素電極之面積與該第二子像素電極之面積不同。
  35. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其中，施加至每一像素內之該第一及該第二子像素之資料電壓具有不同量值及相同極性，且係得自一單一影像資訊。
  36. 如請求項35之液晶顯示器裝置，其中施加至該等第一及該等第二子像素之該等資料電壓之該等極性以每列像素反轉。
  37. 如請求項35之液晶顯示器裝置，其中施加至該等第一及該等第二子像素之該等資料電壓之該等極性以每行像素反轉。
  38. 如請求項35之液晶顯示器裝置，其中該等複數個資料線包括分別連接至該等第一及該等第二子像素之第一及第二資料線。
  39. 如請求項38之液晶顯示器裝置，其中每一像素之該第一及該第二資料線係安置於每一像素之相對側上。
  40. 如請求項38之液晶顯示器裝置，其中每一像素之該第一及該第二資料線係安置於每一像素之相同側上。
  41. 如請求項38之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資 料線中之一者係安置於每一像素之該第一及該第二子像素之間。
  42. 如請求項1之液晶顯示器裝置，其中，施加至每一像素內之該第一及該第二子像素之資料電壓具有不同量值及相反極性，且係得自一單一影像資訊。
  43. 如請求項42之液晶顯示器裝置，其中施加至該等第一及該等第二子像素之該等資料電壓之該等極性以每列像素反轉。
  44. 如請求項42之液晶顯示器裝置，其中施加至該等第一及該等第二子像素之該等資料電壓之該等極性以每行像素反轉。
  45. 如請求項42之液晶顯示器裝置，其中該等複數個資料線包括分別連接至該等第一及該等第二子像素之第一及第二資料線。
  46. 如請求項45之液晶顯示器裝置，其中每一像素之該第一及該第二資料線係安置於每一像素之相對側上。
  47. 如請求項45之液晶顯示器裝置，其中每一像素之該第一及該第二資料線係安置於每一像素之相同側上。
  48. 如請求項45之液晶顯示器裝置，其中該第一及該第二資料線中之一者係安置於每一像素之該第一與該第二子像素之間。
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