TWI408469B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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Dong-Gyu Kim
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Description

液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置。具體而言,本發明係關於一種能夠藉由提高空間利用效率來達成高解析度度之液晶顯示裝置。
液晶顯示器(其主要運用在平面顯示裝置中)包括:兩個面板,其具有電場產生電極(諸如像素電極)及一共同電極;以及一液晶層,其插入在該等兩個面板之間。藉由施加一電壓至該等電場產生電極,以在該液晶層中產生電場,而使該液晶顯示裝置顯示一影像。該電場之一量值決定該液晶層中之液晶分子的對位,以控制入射光的偏光。
一種具有垂直對位(vertical alignment)模式的液晶顯示裝置具有經排列之液晶分子,促使當未產生電場時,該等液晶分子的主軸垂直於上部面板及下部面板。由於此種具有一垂直對位模式的液晶顯示裝置提供高對比度及廣參考視角,因而近來備受注目。此處,參考視角意指相對應於1:10對比度或灰電壓之間亮度反轉之有限角度的視角。
在具有一垂直對位模式的液晶顯示裝置中,實施廣視角的現行手段係,在該等電場產生電極中形成功痕部分及/或在該等電場產生電極上形成突出物。由於該等切痕部分及該等突出物可決定該等液晶分子的傾斜方向,所以藉由該等切痕部分及該等突出物,使得該等液晶分子的該等傾斜方向可能係各種不同的分佈。
但是,問題在於,相較於具有一垂直對位模式之液晶顯示裝置的正面可視度,側面可視度降級。舉例而言,具備切痕部分的具有一垂直對位模式之液晶顯示裝置的側部分影像變成較亮。在最嚴重情況中,介於灰電壓之間的亮度差異消失,並且可能顯示一失真之影像。
所提議之解決這些問題的方法包括:藉由將一像素劃分成兩個子像素來提供不同之透射度;以電容方式耦合該等兩個子像素;以及將一第一電壓施加至一個子像素,並且由於電容式耦合而將一相對於該第一電壓的減小第二電壓施加至另一子像素,藉此提供不同電壓至該等兩個子像素。
但是,使用前文提議之方法,導致在該等像素電極與該等資料線之間產生寄生電容,而造成各種缺陷,諸如垂直斑點或聯結(stitch)缺陷。具體而言,在正常黑色型液晶顯示裝置中的缺陷比正常白色型液晶顯示裝置中的缺陷更加顯著。
為了解決上文所述之問題,已提議一種用於在該等資料線與該等像素電極之間提供儲存電極之方法。
但是,假使在具有上述之兩個子像素(被劃分為左子像素及右子像素)的液晶顯示裝置中採用此等儲存電極,則會由於對位變化,而導致該等兩個子像素的儲存電容不一致且互相不同。因此,回掃脈衝(kick-back)電壓及帶電比率(charging ratio)變成不同,這可導致如閃爍、潛像(latent image)及斑點發生等缺陷。
藉由下文中所描述之一種根據本發明之液晶顯示裝置,克服或減緩上文所述及其他缺點和缺陷。
根據本發明示範性具體實施例,一種液晶顯示裝置包括:複數個像素電極,該複數個像素電極係排列成矩陣陣列,該複數個像素電極中之每個像素電極各具有第一和第二子像素電極;複數個第一切換元件,其連接至該等第一子像素電極;複數個閘極線,其連接至該等第一切換元件;複數個資料線,其連接至該等第一切換元件,且行經於該等像素電極之間,以傳輸資料電壓;以及第一和第二儲存電極,其佈置在該等像素電極與佈置在該等像素電極兩側之該等資料線之間,並且重疊於該等第一子像素電極。
在上文所述之示例性具體實施例中,該等第一子像素電極可具有佈置在該等第一和第二儲存電極上的第一和第二邊界線,並且該等第一子像素電極可被該等第二子像素電極所環繞。
此外,該液晶顯示裝置可進一步包括多個第三儲存電極,其重疊於該等第二子像素電極且不重疊於該等第一子像素電極。該裝置也可包括多個導電構件,其連接至該等第二子像素電極且重疊於該等第三儲存電極;其中介於該等導電構件與該等第三儲存電極之間的一距離小於介於該等導電構件與該等第二子像素電極之間的一距離。該等導電構件可具有佈置在該等第三儲存電極上且互相面對的一對邊界線。
該液晶顯示裝置可進一步包括多個第二切換元件,其連接至該等第二子像素電極、該等閘極線及該等資料線;施加至該等第一和第二子像素電極的該等資料電壓之一量值互相不同且係獲自相同的影像資訊。施加至該等第二子像素電極的該等資料電壓可相對於一預先決定電壓而大於施加至該等第一子像素電極的該等資料電壓;可在該等資料電壓已被施加至該等第一子像素電極且終止之後,該等資料電壓被施加至該等第二子像素電極;以及每個該等第一子像素電極之一面積可大於每個該等第二子像素電極之一面積。
該液晶顯示裝置可進一步包括多個第三儲存電極,其重疊於該等第二子像素電極且不重疊於該等第一子像素電極。
該等第二切換元件具有連接至該等閘極線之多個閘電極、連接至該等資料線之多個源電極以及連接至該等第二子像素電極之多個汲電極。該等汲電極具有重疊於該等第三儲存電極的放大部分,並且介於該等放大部分與該等第三儲存電極之間的一距離可小於介於該等放大部分與該等第二子像素電極之間的一距離。該等汲電極的該等放大部分可具有佈置在該等第三儲存電極上且互相面對的一對邊界線。
該等第一與第二子像素電極可被互相電容式耦合。該等第一切換元件具有連接至該等閘極線之該等閘電極、連接至該等資料線之多個源電極以及連接至該等第一子像素電極之多個汲電極。該等汲電極具有重疊於該等第二子像素電極的耦合式電極。由於電容式耦合而在該等第二子像素電極處感生的電壓可相對於一預先決定電壓而低於該等第一子像素電極的電壓;並且每個該等第二子像素電極之一面積可大於每個該等第一子像素電極之一面積。進一步,該等第一子像素電極及該等第二子像素電極皆不重疊於其所連接的各自閘極線。
現在將參考用以呈現本發明具體實施例的附圖來詳細說明本發明。然而,本發明可運用許多不同形式具體化,並且不應視為限於本文中提出的具體實施例。而是,提供這些具體實施例以徹底且完整發表本發明,並且將本發明的範疇完整傳達給熟悉此項技術者。整份說明書中相似的參考數字代表相似的元件。
應明白,當將一元件聲稱係"位於另一元件上"時,可能為直接在另一元件上或可能有介於元件間的中間元件。反之,當將一元件聲稱係"直接位於另一元件上"時,就表示沒有介於元件間的中間元件。在本文中,用詞"及/或"包括一或多項相關聯之所列出項目的任何或所有組合。
應明白,雖然本文中使用用詞"第一"、"第二"、"第三"等等來描述各種元件、組件、區域、層及/或區段,但是彼等元件、組件、區域、層及/或區段不應受限於彼等用詞。彼等用詞僅用來區別一元件、組件、區域、層或區段與另一元件、組件、區域、層或區段。因此,下文所論述的一第一元件、組件、區域、層或區段可被稱為一第二元件、組件、區域、層或區段,而不會脫離本發明之講授。
本文中使用的術語係僅用於描述特定具體實施例之用途,並且非預定限制本發明。在本文中,單數形式"一"及"該"預定也包括複數形式,除非內容以其他方式明確表明。應進一步明白,當本份說明書中使用用詞"包括"、"包含"、"含有"及/或"具有"時,係用來明確說明所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或組件之存在,但不排除一或一個以上其他特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或附加。
為了容易說明,來描述如圖所示之一元件或特徵相對於其他元件或特徵的關係,本文中會使用空間相對用詞,諸如"下面"、"下方"、"下部"、"上方"、"上部"等等。應明白,除了圖中所描繪之定向以外,彼等空間相對用詞還預定涵蓋使用中或運作中之裝置的不同定向。例如,如果圖式中的元件翻轉,則描述為在其他元件或特徵"下方"或"下面"的元件或特徵,於是被定向成在其他元件或特徵"上方"。因此,示例性用詞"下方"可涵蓋"上方"及"下方"兩種定向。可用其他方式來定向該裝置(旋轉90度或以其他定向),並且據此解釋本文中使用的空間相對描述項。
除非以其他方式定義,否則本文中使用的所有用詞(包括技術及科學用詞)具有相同於熟悉本發明所屬之技術的一般技術者所通常理解之意義。應進一步明白,用詞(諸如常用字典中所定義之用詞)應被解釋為具有與相關技術背景及本發明中之意義一致的意義,並且不應以理想化或過度形式意義予以解釋,惟本文中明確定義除外。
本文中參考本發明之理想化具體實施例的概要圖解之斷面圖來描述本發明具體實施例。就其本身而論,由於(舉例而言)製造技術及/或容限,來自於圖解之形狀的變化係所預期。因此,本發明之具體實施例不應被視為限於本文中示例之特定區域形狀,而是包括(舉例而言)製造所致的形狀偏差。舉例而言,繪示或描述為平面的區域典型可具有粗糙及/或非線性特徵。另外,圖解之銳斜角可被圓化。因此,圖式中所繪示之區域本質上係概要形式,並且其形狀非預定用以繪示出一區域的精確形狀,並且非預定用以限制本發明之範疇。
下文中,將參考附圖來詳細說明本發明。
圖1繪示根據本發明之液晶顯示裝置之示例性具體實施例的方塊圖。圖2繪示根據本發明之液晶顯示裝置之一像素的示例性具體實施例的同等電路概要圖。圖3繪示根據本發明具體實施例之液晶顯示裝置之一子像素的示例性具體實施例的同等電路概要圖。
如圖1所示,根據本發明示例性具體實施例之液晶顯示裝置包括:一液晶顯示面板總成300;一對閘極驅動器400a和400b及一資料驅動器500,其連接至該液晶顯示面板總成300;一灰電壓產生器800,其連接至該資料驅動器500;以及一訊號控制器600,用於控制前面列舉之組件。
如方塊圖所示,該液晶顯示面板總成300包括複數個像素PX,該複數個像素PX被連接至複數個顯示訊號線且實質上排列成矩陣陣列。另一方面,如圖3所示,該液晶顯示面板總成包括互相面對面之下部面板100與上部面板200以及一插入於其間的液晶層3。
該等顯示訊號線包括:複數個閘極線G1 a 至Gn b ,用於傳輸閘極訊號(有時候稱為"掃描訊號");及複數個資料極線D1 至Dm ,用於傳輸資料訊號。該等閘極線G1 a 至Gn b 實質上往列方向互相平行延伸,並且該等資料極線D1 -Dm 實質上往行方向互相平行延伸,如圖1所示。
在圖2所繪示之顯示訊號線DL及像素PX(圖中各僅繪示一個)的同等電路概要圖中,除了以參考數字GLa至GLb標示的閘極線及以參考數字DL標示的資料線以外,該等顯示訊號線還包括儲存電極線SL(圖中僅繪示一個),其實質上平行於該等閘極線G1 a 至Gn b 延伸。
請繼續參閱圖2,每個像素PX各包括一對子像素PXa和PXb。該等子像素PXa和PXb包括分別連接至對應之閘極線GLa和GLb且連接至資料線DL的切換元件Qa和Qb。液晶電容器Clca和Clcb及儲存電容器Csta和Cstb分別連接至該等切換元件Qa和Qb且連接至儲存電極線SL。若需要,可省略該等儲存電容器Csta和Cstb,在此情況下,也省略該等儲存電極線SL。
如圖3所示,該等子像素PXa和PXb的該等切換元件Q係由薄膜電晶體及類似物所建構而成,並且被佈置在該下部面板100處。每個切換元件Q都是一種三埠型元件,其具有:一控制埠,其連接至該閘極線GL;一輸入埠,其連接至該資料線DL;及一輸出埠,其連接至該液晶電容器Clc及該儲存電容器Cst。
兩埠型液晶電容器Clc包括該下部面板100之一子像素電極PE以及該上部面板200之一共同電極CE。插入在該等兩個電極PE與CE之間的該液晶層3係作為一介電構件。該子像素電極PE被連接至該切換元件Q,並且該共同電極CE被佈置在該上部面板200上以接收一共同電壓Vcom。
具有用於該液晶電容器Clc之輔助功能的該儲存電容器Cst之建構方式為:使提供給該下部面板100的該儲存電極線SL與該子像素電極PE重疊,而且其之間插入一絕緣構件。一預先決定電壓(諸如一共同電壓Vcom)被施加至該儲存電極線SL。但是,或者,該儲存電容器Cst之建構方式可能係:使該子像素電極PE與一佈置在其上面的前端閘極線重疊,而且其之間插入一絕緣構件。
另一方面,為了實作一彩色顯示器,每個像素唯一地顯示各種顏色或原色之一(空間劃分),或每個像素按照時間交替顯示各種顏色或原色(時間劃分)。接著,藉由該等原色之空間或時間組合而獲得一所要的色彩。各種顏色之一實例包括三種顏色之一,諸如紅色、錄色及藍色,並且可能係原色。圖3繪示空間劃分之一實例。如圖所示,每個像素都各包括一用於表示各種顏色或原色之一的彩色濾光器CF,其被提供至該上部面板200之一區域。不同於圖3所示,該彩色濾光器CF可能被提供在該下部面板100的該子像素電極PE之上或之下。
如圖1所示,該等閘極驅動器400a和400b被連接至該等閘極線G1 a 至Gn b ,以施加閘極訊號(係由閘極開通電壓Von與閘極關斷電壓Voff之組合所形成)至該等閘極線G1 a 至Gn b 。在圖1中,該等閘極驅動器400a和400b分別被佈置在該液晶顯示面板總成300的左右側,並且分別連接至奇數和偶數閘極線G1 a 至Gn b 。在某些情況中,可能提供一單一閘極驅動器以施加所有閘極訊號。
該灰電壓產生器800產生相對應於該等像素之一透射率的兩個灰電壓設定(例如,參考灰階設定)。兩個灰電壓設定被獨立施加至構成一個像素的兩個子像素。每個灰電壓設定各包括:一具有相對於該共同電壓Vcom的正值之灰電壓設定;以及一具有相對於該共同電壓Vcom的負值之灰電壓設定。但是,可產生一單一(參考)灰電壓設定,而不是產生兩個(參考)灰電壓設定。
該資料驅動器500被連接至該液晶顯示面板總成300的該等資料線D1 至Dm ,以選擇該灰電壓產生器800的該等兩個灰電壓設定之一,並且將該所選之灰電壓設定的一灰電壓作為一資料訊號而施加至該像素。或者,假使該灰電壓產生器800產生該等參考灰電壓(而不是產生所有灰電壓),則該資料驅動器500藉由劃分該等參考灰電壓來產生該等灰電壓,並且選擇該等所產生之灰電壓之中的資料電壓。
該等閘極驅動器400a和400b或該資料驅動器500可能係以複數個驅動積體晶片(IC)之形式而直接裝設在該液晶顯示面板總成300上,或可能係以捲帶式封裝(tape carrier package;TCP)之形式而附接至該液晶顯示面板總成300中的撓性印刷電路(flexible printed circuit;FPC)膜(圖中未繪示)上。或者,該等閘極驅動器400a和400b或該資料驅動器500連同該等顯示訊號線G1 a 至Gn b 和D1 至Dm 以及該等薄膜電晶體切換元件Q可能係直接裝設在該液晶顯示面板總成300上。
該訊號控制器600控制該等閘極驅動器400a和400b、該資料驅動器500及類似項的運作。
現在,將參考圖4至6來詳細說明前文提及之液晶顯示面板總成的實例。
圖4繪示根據本發明之液晶顯示裝置佈局之示例性具體實施例的平面圖。圖5及6分別繪示以沿著圖4所示之V-V'及VI-VI'線為例之液晶面板總成的斷面圖。
請參考圖4至圖6,該液晶顯示面板總成300包括:該下部面板100、面對該下部面板100之上部面板200以及一插入於其間的液晶層3。
首先,將詳細說明該下部面板100。
在一由透明玻璃或類似物所製成之介電基板110上,分別設置複數個第一和第二閘極線121a和121b以及複數個儲存電極線131。
該等閘極線121a和121b主要係往縱向方向延伸(如圖所示),並且互相實體電分離,以傳輸各自的閘極訊號。佈置在上下側中的該等第一和第二閘極線121a和121b包括分別從該等第一和第二閘極線121a和121b突出且互相面對的複數個第一和第二閘電極124a和124b,如圖4所示。閘極線121a和121b包括分別佈置在左右側的複數個末端部分129a和129b。該等末端部分129a和129b具有一用於連接至其他層或外部裝置的廣面積。
該等儲存電極線131主要係往縱向方向延伸,如圖4所示。一介於該等儲存電極線與該等第一閘極線121a之間的距離實質上相等於一介於該等儲存電極線131與該等第二閘極線121b之間的距離。每個該等儲存電極線131分別包括複數對線狀第一和第二儲存電極137a和137b以及多個板狀儲存電極137c。該等第一和第二儲存電極137a和137b係從該等儲存電極線131向上和向下延伸,如圖4所示。但是,該等儲存電極137a、137b和137c及該等儲存電極線131的形狀及排列可以用各種方式予以修改。
舉例而言,該等閘極線121及該等儲存電極131較佳係由如下項目所製成:鋁基金屬,諸如鋁(Al)和鋁合金;銀基金屬,諸如銀(Ag)和銀合金;銅基金屬,諸如銅(Cu)和銅合金;鉬基金屬,諸如鉬(Mo)和鉬合金;鉻(Cr);鈦(Ti);或鉭(Ta)。該等閘極線121以及該等儲存電極線131可具有一種含兩層導電層(圖中未繪示)的多層結構,每層各具有不同的物理屬性。該等兩層導電層之一係由低電阻率金屬(舉例而言,包括:鋁基金屬、銀基金屬或銅基金屬)所製成,以便減小該等閘極線閘極線121及該等儲存電極線131的訊號延遲或壓降。其他導電層係由具有對其他材料(尤其係對氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO))之良好接觸特性的材料所製成,諸如(舉例而言)鉬基金屬、鉻、鈦或鉭。一較佳組合實例包括:一下部鉻層與一上部鋁層之組合;以及一下部鋁層與一上部鉬層之組合。但是,該等閘極線121a及該等儲存電極線131可能係由各種金屬及導電材料所製成。
此外,該等閘極線121及該等儲存電極線131的側面係相對於該基板110之一表面傾斜。此外,該等閘極線121及該等儲存電極線131的側面相對於該基板110之該表面的傾角係在約30°至約80°範圍內。
在該等閘極線121及該等儲存電極線131上形成一由氮化矽(SiNx )為材料或類似材料所製成的閘極絕緣層140。
在該閘極絕緣層140上面形成複數個島狀半導體154和156,該等島狀半導體係由氫化非結晶矽或多晶矽所製成。該等島狀半導體154被佈置在該等第一和第二閘電極124a和124b上。該等島狀半導體156被佈置在該等閘極線121附近的該等閘極線121a和121b的多個部分上。
在該等島狀半導體154和156上形成複數個島狀歐姆接觸構件163、165和166,該等島狀歐姆接觸構件係由矽化物或n+氫化非結晶矽或重摻雜n型雜質之類似物所製成。
該等半導體154和156及該等歐姆接觸構件163、165和166的側面也是相對於基板110之該表面傾斜,並且包括在約30°至約80°範圍內的傾角。
在該等歐姆接觸構件163和165及該閘極絕緣層140上分別形成複數個資料線171以及複數個第一和第二汲電極175a和175b。
該等資料線171主要係往縱向方向延伸,以交叉於並且傳輸資料電壓至該等閘極線121及該等儲存電極線131,如圖4所示。該等第一和第二儲存電極137a和137b分別被佈置在該等資料線171的左右側,並且與該等資料線互相分開而無任何重疊。該等資料線171具有:複數個第一和第二源電極173a和173b,其分別朝向該等第一和第二汲電極175a和175b延伸;以及複數個末端部分179,其具有相對於該等資料線171的放大寬度,用於連接至其他層或外部裝置。
該等第一汲電極175a具有放大部分177a,該等放大部分具有從該等島狀半導體154上的條狀末端部分延伸的大面積。該等第二汲電極175b具有放大部分177b,該等放大部分具有從該等島狀半導體154上的該等條狀末端部分延伸的大面積並且重疊於該等板狀儲存電極137c。該等第二汲電極175b之該等放大部分177b的整個部分被佈置在該等板狀儲存電極137c上。具體而言,較佳方式為,該等放大部分177b之左右側係以始於該等板狀儲存電極137c之左右側的一預先決定距離而分開,如圖4所示。
使該等第一和第二源電極173a和173b彎曲,以環繞該等汲電極175a和175b的該等條狀末端部分。該等第一和第二閘電極124a和124b、該等第一和第二源電極173a和173b及該等第一和第二汲電極175a和175b連同該等島狀半導體154構成該等第一和第二薄膜電晶體(TFT)Qa和Qb。在介於該等第一和第二源電極173a和173b與該等第一和第二汲電極175a和175b之間的該等島狀半導體154上形成該等薄膜電晶體Qa和Qb的通道。
該等資料線171及該等汲電極175a和175b較佳係由鉻、鉬基金屬或耐火金屬(諸如鉭或鈦)所製成,並且可具有一種多層結構,該多層結構係由一由該耐火金屬所製成的下部層(圖中未繪示)與一佈置在該下部層上之由低電阻材料所製成的上部層(圖中未繪示)所建構而成。除了上文提及之由一下部鉻或鉬層與一上部鋁層所組成的雙層式層體以外,還有一項多層結構之實例係一種包含鉬層/鋁層/鉬層之層結構的三層式結構。
類似於該等閘極線121及該等儲存電極線131,該等資料線171及該等汲電極175a和175b的側面也是具有從約30°至80°範圍內之傾角的偏斜或傾斜。
該等歐姆接觸構件163、165和166僅被插入在該等在下方之半導體154和156與該等在上方之資料線171及該等汲電極175a和175b之間,並且具有減小其之間的接觸電阻的功能。該等島狀半導體154和156及該等歐姆接觸構件166被佈置在該等該等閘極線121a和121b與該等資料線171之交叉點處,並且其表面輪廓被平滑化,因而得以防止該等資料線171斷線。
在該等資料線171、該等汲電極175a和175b以及該等曝露之半導體154和156上形成一保護膜(例如,鈍化層)180。該保護膜180較佳係由下列材料所製成:諸如氮化矽和氧化矽等無機材料;具有極佳平坦屬性及感光度的有機材料;或運用電漿增強型化學氣體沉積("PECVD")所形成的低介電常數絕緣材料,諸如a-Si:C:O和a-Si:O:F。但是,為了使用有機膜的極佳屬性以及保護該等半導體154之曝露部分,該保護膜180可具有一種雙層結構,該雙層結構係由一下部無機膜與一上部有機膜所組成。
在該保護膜180中,形成複數個接觸通孔182、185a和185b,其分別曝露該等資料線171的該等末端部分179以及該等汲電極175a和175b的該等放大部分177a和177b。在該保護膜180及該閘極絕緣層140中,形成複數個接觸通孔181a和181b,其分別曝露該等閘極線121a和121b的該等末端部分129a和129b。
在該保護膜180上,形成複數個像素電極190(分別包括複數個該等第一和第二子像素電極190a和190b)以及複數個接觸輔件81a、81b和82。該等像素電極190及該等接觸輔件81和82係由透明導電材料(諸如ITO、IZO)或反射型導電材料(諸如鋁)所製成。
該等第一和第二子像素電極190a和190b分別係憑藉該等接觸通孔185a和185b而實際上電連接到該等第一和第二汲電極175a和175b,並且接收來自該等第一和第二汲電極175a和175b的資料電壓。
被施加資料電壓的該等子像素電極190a和190b連同一共同電極270一起產生電場,因而得以決定介於兩個電極190與270之間的該液晶層3中的該等液晶分子對位。
如上文所述,該等子像素電極190a和190b與該共同電極270構成該等液晶電容器Clca和Clcb,用以即使該等薄膜電晶體Qa和Qb被關斷時,仍然維持所施加之電壓。為了增加電壓儲存能力,藉由使該等第一和第二子像素電極190a和190b及其所連接之該等第一和第二汲電極175a和175b重疊於該等線狀儲存電極137a、137b和137c,來建構並聯連接至該等液晶電容器Clca和Clcb的該等儲存電容器Csta和Cstb。
請參考圖4,該等第一子像素電極190a重疊於該等第一和第二線狀儲存電極137a和137b,並且該等第二子像素電極190b重疊於該等板狀儲存電極137c及該等第二汲電極175b。具體而言,該等第一子像素電極190a的左右側分別被佈置在該等第一和第二線狀儲存電極137a和137b上。結果,雖然發生該等第一子像素電極190a相對於該等儲存電極137a和137b的左右位置變化,但是介於該等第一子像素電極190a與該等儲存電極137a和137b之間的儲存電容一致。此外,如上文所述,較佳方式為,該等第二汲電極175b的該等放大部分177b之左右側係以始於該等板狀儲存電極137c之左右側的一預先決定距離而分開。結果,雖然發生該等第二汲電極175b相對於該等儲存電極137c的左右位置變化,但是介於該等第二汲電極175b與該等儲存電極137c之間的儲存電容一致。此處,雖然介於該等第二汲電極175b與該等儲存電極137c之間的儲存電容使儲存電容增加,但是介於該等第二汲電極175b與該等儲存電極137c之間的儲存電容極大於介於該等第二像素電極190b與該等儲存電極137c之間的儲存電容,因此允許使該等第二像素電極190b的儲存電容維持在實質上恆定值。
一個像素電極190的一對第一和第二子像素電極190a和190b互相嚙合且其之間插入一間隙94,並且該第二子像素電極190b實質上被該第一子像素電極190a所環繞。具體而言,該第一子像素電極190a被插入在該等第一和第二線狀儲存電極137a和137b與該第二子像素電極190b之間。
每個該等第一子像素電極190a各具有一實質上矩形外邊界,並且包括:一佈置在其中心處的中心部分,該中心部分具有輻狀等邊梯形形狀;一對邊緣部分,其具有直角三角形或直角梯形形狀;以及複數個線狀連接部分,用於連接彼等部分及延伸部分。該等第一子像素電極190a的該等延伸部分係從其中心沿該等第二線狀儲存電極137b向下延伸,如圖4所示。每個該等第二子像素電極190b各包括一佈置在其中心處且往橫向方向延伸的平直部分以及連接至其兩端的一對傾斜部分。
該等第一和第二子像素電極190a和190b具有相對於該等儲存電極線131的近似反向對稱。較佳方式為,每個該等第一子像素電極190a之面積大於每個該等第二子像素電極190b之面積。更佳方式為,為了確保可視性,該第一子像素電極190a之該面積係該第二子像素電極190b之該面積的1.5倍或以上。
該等第一閘極線121a被佈置在該等像素電極190之上方,並且該等第二閘極線121b被佈置在該等像素電極190之下方,如圖4所示。該等像素電極190分離於該等第一和第二閘極線121a和121b,且無任何重疊。
可用各種方式來修改該等第一和第二子像素電極190a和190b的形狀。
該等接觸輔件81a、81b和82分別係憑藉該等接觸通孔181a、181b和182而連接至該等閘極線121a和121b的該等末端部分129a和129b以及該等資料線171的末端部分179。該等接觸輔件81a、81b和82具有補償該等閘極線121a和121b的該等曝露之末端部分129a和129b以及該等資料線171的該等曝露之末端部分179對外部裝置的附接性,而且還保護彼等部分。
如圖1所示,假使該等閘極驅動器400a和400b或該資料驅動器500係整合在該液晶顯示面板總成300上,則該等閘極線121a和121b或該等資料線171延伸成直接連接至該等驅動器。在此情況中,該等接觸輔件81a、81b和82係用來將該等閘極線121a和121b或該等資料線171連接至該等驅動器400a、400b和500。
請參考圖5及圖6,在該等像素電極190與該保護膜180上塗佈一對位膜11,用於對位於該液晶層3。
現在,將說明該上部面板200。
在一透明玻璃或類似物所製成之介電基板210上形成一用於防止光洩漏的遮光構件220(稱為黑色矩陣)。該遮光構件220包括複數個開口部分,該等開口部分面對該等像素電極190且具有實質上相同於該等像素電極190的形狀。或者,該遮光構件220可能係由相對應於該等資料線171的部分與相對應於該等薄膜電晶體的部分所建構而成。但是,該遮光構件220可具有各種形狀,以便防止該等像素電極190與該等薄膜電晶體Qa和Qb附近的光洩漏。
在該基板210上形成複數個彩色濾光器230。該等彩色濾光器230的多數部分被佈置在該遮光構件220所環境的區域中。該等彩色濾光板230係沿該等像素電極190往相對於圖4至6之橫向方向延伸。每個該等彩色濾光板230各可顯示三種顏色之一,諸如紅色、綠色及藍色,並且也可能係原色。
一覆膜250被形成在該等彩色濾光器230與該遮光構件220上,以便防止該等彩色濾光器230曝露且提供一平坦化表面。
在該覆膜250上形成一共同電極270,該共同電極係由諸如ITO或IZO等透明導電材料所製成。
該共同電極270包括複數個切痕部分組271至274(圖4及6)。
該等切痕部分271至274的一切痕部分組面對一個像素電極190,並且分別包括一對中心切痕部分271和272及上部和下部切痕部分273和274。該中心切痕部分271及該上部和下部切痕部分273和274重疊於該第一子像素電極190a。該中心切痕部分272重疊於該第二子像素電極190b。每個該等切痕部分271至274被佈置成橫越該等子像素電極190a和190b且平行於子像素電極190a和190b的傾斜側。因此,每個該等切痕部分271至274包括至少一傾斜部分。該等切痕部分271至274的一切痕部分組具有相對於該儲存電極線131的近似反向對稱。
該中心切痕部分271包括:一對傾斜部分,其實質上往偏斜或傾斜方向從該像素電極190的中心至該像素電極190的右側延伸;以及一對橫向部分,其從該等傾斜部分之末端沿該像素電極190的右側延伸,且相對於該等傾斜部分呈鈍角,並且重疊於該像素電極190的右側,如圖4所示。
該中心切痕部分272包括多個橫向部分,其實質上從該像素電極190的左側中心往向上及向上方向延伸,並且重疊於該儲存電極271c,如圖4所示。該中心切痕部分272進一步包括:一對傾斜部分,其實質上往偏斜或傾斜方向從該等橫向部分之末端至該像素電極190的右側延伸;以及多個橫向部分,其從該等傾斜部分之末端沿該第二像素電極190b的右側延伸,且相對於該等傾斜部分呈鈍角,並且重疊於該第二像素電極190b的右側。
該等切痕部分271至274之數量因設計因素而異。該遮光構件220重疊於該等切痕部分271至274,以便防止該等切痕部分271至274附近的光洩漏。
請參考圖5及圖6,一用於使該等液晶分子對位的對位膜21被塗佈在該共同電極270上。
垂直式偏光板12和22被提供在該等面板100和200(圖3)的外表面上。該等兩偏光板12和22的透射軸互相垂直,並該等透射軸(或吸收軸)之一係平行於相對於圖4的縱向方向。對於反射型液晶顯示裝置,可以省略該等兩個偏光板12和22之一。
該液晶層3具有一種負各向異性電容率(negative anisotropic permittivity),並且該等液晶分子經對位,促使當未施加電場至該等液晶分子時,該等液晶分子的主軸係垂直於該等兩個面板100和200之表面。
當該共用電壓及該資料電壓分別被施加至該共同電極270及該像素電極190時,產生一實質上垂直於該等面板100與200之表面方向的電場。該等電極190及270的該等切痕部分94和271至274(為了便於說明,下文中用參考數字94所標示構件被稱為切痕部分)使該電場變形,以產生一水平分量,此水平分量係垂直於該等切痕部分94和271至274的側邊。據此,該電場被定向成往相對於一垂直於該等面板100與200之表面的方向傾斜的方向。響應該電場,該等液晶分子具有使主軸方向變更成垂直於該電場之方向的傾向。此時,由於該等切痕部分94和271至274附近的電場及該像素電極190的側邊具有一預先決定角度,此角度非平行於該等液晶分子之主軸方向,所以該等液晶分子往一方向旋轉,而促使該等液晶分子之主軸方向與該電場所形成的表面上之移動距離縮短。因此,該像素電極190的該等切痕部分94和271至274及側邊的一群組,將位於該像素電極190上的該液晶層3之區域劃分成複數個域(其中該等液晶分子具有不同之傾角),藉此有可能增加一參考視角。
該等切痕部分271至274中之至少一切痕部分可被突出物(圖中未繪示)或凹部分所取代,並且可用各種方式來修改該等切痕部分94和271至274的形狀。
現在,下文中將參考圖1來詳細說明液晶顯示裝置的顯示運作。
該訊號控制器600接收來自一外部圖形控制器(圖中未繪示)的輸入影像訊號R、G和B,並且接收用於控制所屬顯示器的輸入控制訊號。作為該等輸入控制訊號之實例,接收一垂直同步訊號Vsync、一水平同步訊號Hsync、一主時脈訊號MCLK以及一資料啟用訊號DE。該訊號控制器600依據該等輸入控制訊號及該等輸入影像訊號R、G和B,按照該液晶顯示面板總成300之運作條件,來處理該等影像訊號R、G和B,以產生一閘極控制訊號CONT1及一資料控制訊號CONT2。接著,該訊號控制器600將該產生之閘極控制訊號CONT1傳輸至該等閘極驅動器400a和400b,並且將該產生之資料控制訊號CONT2及該經處理之影像訊號DAT傳輸至該資料驅動器500。
該閘極控制訊號CONT1包括:一用於指示開始掃描之掃描開始訊號STV(圖中未繪示);以及用於控制該閘極開通電壓Von之輸出時間的至少一時脈訊號。該閘極控制訊號CONT1還可包括:一用於定義該閘極開通電壓Von之持續期間的輸出啟用訊號OE(圖中未繪示)。
該資料控制訊號CONT2包括:一水平同步開始訊號STH(圖中未繪示),用於指示對於一群組像素PX之資料傳輸;一負載訊號LOAD(圖中未繪示),用於命令將資料電壓施加至該等資料線D1 至Dm ;以及一資料時脈訊號HCLK(圖中未繪示)。該資料控制訊號CONT2可包括一反轉訊號RVS(圖中未繪示),用於將該資料電壓的極性反轉(相對於該共同電壓Vcom)(下文中,"該資料電壓相對於該共同電壓Vcom的極性"簡稱為"資料訊號極性")。
為了響應來自該訊號控制器600的該資料控制訊號CONT2,該資料驅動器500:接收用於一群組像素PX之影像資料DAT;選擇來自該灰電壓產生器800的該等兩個灰電壓設定之一;以及從該所選之灰電壓設定選擇一相對應於該影像資料DAT的灰電壓,使得該影像資料DAT被轉換成該相關聯於之資料電壓。接者,該相關聯之資料電壓被施加至該等該相關聯之資料線D1 至Dm
或者,取代該資料驅動器500,一分開提供的外部區段電路(圖中未繪示)可選擇該等兩個灰電壓設定之一,並且將該所選之灰電壓設定傳輸至該資料驅動器500。否則,該灰電壓產生器800可提供一具有一可變值的參考電壓,並且該資料驅動器500可劃分該參考電壓,使得可以產生該灰電壓。
為了響應來自該訊號控制器600的該閘極控制訊號CONT1,該等閘極驅動器400a和400b將該閘極開通電壓Von施加至該等閘極線G1 a 至Gn b ,以開啟該等閘極線G1 a 至Gn b 所連接的該等切換元件Qa和Qb。結果,憑藉該等已開啟之切換元件Qa和Qb,將已施加至該等資料線D1 至Dm 的該等資料電壓施加至該等相關聯之子像素PXa和PXb。
介於施加至該等子像素PXa和PXb之資料電壓與該共同電壓Vcom之間的電壓差變1該等液晶電容器Clca和Clcb的充電電壓,即,像素電壓。液晶分子的對位方式因像素電壓強度而異。因此,通過該液晶層3的偏光改更。歸因於附接至該等顯示面板100和200(圖5和6)的該等偏光板12和22,偏光改變導致光透射率改變。
如圖7所示,上文所述之該等兩個灰電壓設定表示不同的gamma曲線Ta和Tb。上文所述之該等兩個灰電壓設定被施加至一個像素PX的該等兩個子像素PXa和PXb,使得一個像素PX的該gamma曲線係該等gamma曲線的一複合曲線T。在該等兩個灰電壓設定之決策中,該複合gamma曲線T被決定為接近前端表面的參考gamma曲線。舉例而言,前端表面的該複合gamma曲線T被決定等於前端表面的該參考gamma曲線,這是最適合的情況,並且側表面的該複合gamma曲線T被決定最接近於前端表面的該參考gamma曲線。如果在一低灰階中位於較下側的gamma曲線被形成為較低,則有可能進一步改良側邊可視性。
為了促進充電,施加至該等第一子像素電極190a的電壓被設定為低於施加該等第二子像素電極190b之電壓的電壓。施加閘極開通電壓至該等兩個閘極線121a和121b的時間間隔被設計成互相局部重疊,以便增加充電時間。
以一個水平週期(或1H,這是水平同步訊號Hsync及閘極時脈CPV的一個週期)為單位,該資料驅動器500及該等閘極驅動器400a和400b重複執行上文所述之運作。在此方式中,在一個圖框期間,將該閘極開通電壓Von相繼施加至所有該等閘極線G1 至Gn b ,藉此將該等資料電壓施加至所有像素。當一個圖框結束時,下一圖框開始,並且施加該資料驅動器500之該反轉訊號RVS的一狀態受到控制。在此方式中,施加至每個像素的資料訊號之極性相反於前一圖框中之極性(例如,圖框反轉)。此外,甚至在一個圖框中,按照該反轉訊號RVS的特性,流經該等資料線的資料電壓之極性可被反轉(例如,列反轉及點反轉),並且同時流經該等資料線的資料電壓之極性可能互相不同(例如,行反轉及點反轉)。
現在,將參考圖8及9來說明根據本發明之液晶顯示裝置的另一示例性具體實施例。
圖8繪示根據本發明之液晶顯示裝置佈局之另一示例性具體實施例的平面圖。圖9繪示圖8之液晶顯示裝置的同等電路概要圖。
請參考圖8及圖9,根據此替代具體實施例之液晶顯示裝置的每個像素PX各包括一對子像素PXa和PXb及一連接於該對子像素之間的耦合電容器Ccp。該子像素PXa包括一切換元件Q、一液晶電容器Clca及一儲存電容器Csta。該子像素PXb僅包括該液晶電容器Clcb,而沒有一切換元件Q。
請參考圖8,該液晶顯示裝置還包括:一下部面板、一面對該下部面板之上部面板以及一插入於該下部面板與該上部面板之間的液晶層(圖中未繪示)。
根據此替代具體實施例之該等面板的層結構實質上相同於圖4至圖6所示之之該等面板的層結構,並且因此圖中未繪示。
在薄膜電晶體面板中,在一基板110上形成複數個閘極線121(含有閘電極124)及複數個儲存電極線131(含有線狀儲存電極133a和133b),並且在其上相繼形成一閘極絕緣層140、複數個半導體154以及複數個島狀歐姆接觸構件(圖中未繪示)。在該等歐姆接觸構件上形成含有複數個源電極173和複數個汲電極175的複數個資料線171,並且在其上形成一保護膜180。在該保護膜180上形成複數個接觸通孔185。在該保護膜180上形成複數個子像素電極190a和190b,並且在其上塗佈一對位膜11。
在該共同電極面板200中,在一介面基板(圖中未繪示)上形成一遮光構件(圖中未繪示)、一具有複數個切痕部分275至277之共同電極(圖中未繪示)以及一對位膜(圖中未繪示)。
如圖8及圖9所示,該液晶顯示裝置包括一單一閘極線121及一單一薄膜電晶體Q,並且僅該第一子像素電極190a係憑藉該薄膜電晶體Q而連接至該閘極線121及該資料線171。該第一子像素電極190b重疊於該薄膜電晶體的該汲電極175,以構成該耦合電容器Ccp。該第二子像素電極190b具有因電容耦合至該第一子像素電極190a而感生的電壓。該感生之電壓小於該第一子像素電極190a之電壓。
具體而言,該等閘極線121被佈置在該等像素電極190之下方,並且該等閘極線121配備向上和向下方向突出之閘電極124,如圖8所示。換言之,該等閘電極124之寬度大於該等閘極線121之寬度。在該等閘電極124上佈置多個半導體154及歐姆接觸構件,並且在其上佈置每個該等汲電極175的一末端及多個U型源電極173。該等汲電極175包括放大部分177,其向上延伸且具有一佈置在該等第一子像素電極190a下方的廣寬度。在該等第二子像素電極190b下方,多個耦合式電極176從該等放大部分177延伸。
不同於圖4所示之液晶顯示裝置,該等第一子像素電極190a不具有梯形形狀之中心部分,並且該等相對應之區域被填入該等第二子像素電極190b,以形成約梯形形狀。此外,該等第一子像素電極190a具有線狀連接部分,該等線狀連接部分實質上平行於該等第二子像素電極190b的梯形底邊。因此,該等該等第二子像素電極190b之面積大於第一子像素電極190a之面積。更佳方式為,為了改良可視性,該第一子像素電極190a之該面積係該第二子像素電極190b之該面積的約1.5倍或以上。
該等第二子像素電極190b實質上被該等第一子像素電極190a所環繞,並且具有從其右側至左側延伸的線狀切痕部分。
該共同電極的該切痕部分組275至277包括一中心切痕部分275及該上部和下部切痕部分276和277。該中心切痕部分275包括:一對傾斜部分,其實質上往偏斜或傾斜方向從該像素電極190的左側中心至該像素電極190的右側延伸;以及一對橫向部分,其從該等傾斜部分之末端沿該像素電極190的右側延伸,且相對於該等傾斜部分呈鈍角,並且重疊於該像素電極190的右側,如圖8所示。該中心切痕部分275在兩個傾斜部分之交叉點處稍微向左突出。
該儲存電極線131包括一對桿部分,其完全重疊於該像素電極190的上下側。該等儲存電極133a和133b被連接至該等兩個桿部分。該第一子像素電極190a重疊於該等儲存電極133a和133b兩者。具體而言,該第一子像素電極190a的左右側分別被佈置在該等儲存電極133a和133b上。該第二子像素電極190b被設計成不重疊於該儲存電極線131。
該等半導體154被佈置成沿界定該等閘電極124的邊界線,並且覆蓋該等源電極173與該等汲電極175,使得該等源電極173與該等汲電極175未被切斷。
如上文所述,在本發明之示例性具體實施例中,較佳方式為,為了改良可視性,擬被施加低電壓的該等子像素電極之面積大於擬被施加高電壓的該等子像素電極之面積。
根據本發明示範性具體實施例,佈置在一個子像素兩末端的儲存電極互相重疊,並且另一子像素電極被佈置在其中,因此有可能使該等子像素的儲存電容維持一致值。
雖然已說明本發明之示例性具體實施例及經修改之實例,但是本發明不限於所說明的具體實施例及實例,而是可進行各種修改,而不會脫離本發明的隨附申請專利範圍、[實施方式]及附圖的範疇。因此,此類的修改自然屬於本發明的範疇內。
3...液晶層
11,21...對位膜
12,22...偏光板
94...間隙
91,271-277...切痕部分
81a,81b,82...接觸輔件
100,200...面板
110,210...基板
121,121a,121b,129,129a,129b...閘極線
124,124a,124b...閘電極
131...儲存電極線
133a,133b,137a,137b,137c...儲存電極
140...閘極絕緣層
154,156...半導體
163,165,166...歐姆接觸構件
171,179...資料線
173,173a,173b...源電極
175,175a,175b,177,177a,177b...汲電極
180...鈍化層
181,181a,181b,182,185a,185b...接觸孔
190...像素電極
190a,190b...子像素電極
220...遮光構件
230...彩色濾光器
250...覆膜
270...共同電極
300...液晶面板總成
400a,400b...閘極驅動器
500...資料驅動器
600...訊號控制器
800...灰電壓產生器
CE...共同電極
CF...彩色濾光器
Clc,Clca,Clcb...液晶電容器
CONT1,CONT2...控制訊號
Cst,Csta,Cstb...儲存電容器
DAT...輸出影像訊號
DE...資料啟用訊號
DL,D1 -Dm ...資料線
GL,GLa,GLb,G1 a -Gn b ...閘極線
Hsync...水平同步訊號
PE...像素電極
PX...像素
PXa,PXb...子像素
R,G,B...輸入影像訊號
Qa,Qb...切換元件
SL...儲存電極線
Vsync...垂直同步訊號
Vcom...共同電壓
Von...閘極開通電壓
Voff...閘極關斷電壓
藉由詳讀[實施方式]中參考附圖所說明的示例性具體實施例,將可明白本發明的前述及其他特色及優點,圖式中:圖1繪示根據本發明之液晶顯示裝置之示例性具體實施例的方塊圖;圖2繪示根據本發明之液晶顯示裝置之一像素的示例性具體實施例的同等電路概要圖;圖3繪示根據本發明之液晶顯示裝置之一子像素的示例性具體實施例的同等電路概要圖;圖4繪示根據本發明之液晶顯示裝置佈局之示例性具體實施例的平面圖;圖5及6分別繪示以沿著圖4所示之V-V'及VI-VI'線為例之液晶面板總成的斷面圖;圖7繪示根據本發明之液晶顯示裝置之示例性具體實施例的gamma曲線圖表;圖8繪示根據本發明之液晶顯示裝置另一佈局之示例性具體實施例的平面圖;以及圖9繪示圖8之液晶顯示裝置的同等電路概要圖。
3...液晶層
100,200...面板
CE...共同電極
CF...彩色濾光器
Clc...液晶電容器
Cst...儲存電容器
DL...資料線
GL...閘極線
PE...像素電極
Q...切換元件
SL...儲存電極線

Claims (18)

  1. 一種液晶顯示裝置,包括:複數個像素電極,該複數個像素電極係排列成矩陣陣列且具有第一子像素電極和第二子像素電極;複數個第一切換元件,其連接至該等第一子像素電極;複數個閘極線,其連接至該等第一切換元件;複數個資料線,其連接至該等第一切換元件,且行經於該等像素電極之間,以傳輸多個資料電壓;以及第一儲存電極和第二儲存電極,其佈置在該等像素電極與該等資料線之間;該第一儲存電極和該第二儲存電極被佈置在該等資料線的兩側之間,並且該第一儲存電極和該第二儲存電極與該等資料線隔開且不與該等資料線重疊;以及該第一儲存電極和該第二儲存電極與該等第一子像素電極重疊且不與該等第二子像素電極之任一部份重疊。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置,其中該等第一子像素電極具有佈置在該等第一和第二儲存電極上的第一和第二邊界線。
  3. 如請求項1之液晶顯示裝置,其中該等第二子像素電極被該等第一子像素電極所環繞。
  4. 如請求項1之液晶顯示裝置,進一步包括多個第三儲存電極,其重疊於該等第二子像素電極且不重疊於該等第一子像素電極。
  5. 如請求項4之液晶顯示裝置,進一步包括多個導電構件, 其連接至該等第二子像素電極且重疊於該等第三儲存電極。
  6. 如請求項5之液晶顯示裝置,其中該等導電構件具有佈置在該等第三儲存電極上且互相面對的一對邊界線。
  7. 如請求項1之液晶顯示裝置,進一步包括多個第二切換元件,其連接至該等第二子像素電極、該等閘極線及該等資料線,其中施加至該等第一和第二子像素電極的該等資料電壓之一量值互相不同且係獲自相同的影像資訊。
  8. 如請求項7之液晶顯示裝置,其中施加至該等第二子像素電極的該等資料電壓之該量值係相對於一預先決定灰色而大於施加至該等第一子像素電極的該等資料電壓之一量值。
  9. 如請求項8之液晶顯示裝置,其中在該等資料電壓已被施加至該等第一子像素電極且終止之後,該等資料電壓被施加至該等第二子像素電極。
  10. 如請求項8之液晶顯示裝置,其中每個該等第一子像素電極之一面積大於每個該等第二子像素電極之一面積。
  11. 如請求項8之液晶顯示裝置,進一步包括多個第三儲存電極,其重疊於該等第二子像素電極且不重疊於該等第一子像素電極。
  12. 如請求項11之液晶顯示裝置,其中該等第二切換元件具有連接至該等閘極線之多個閘電極、連接至該等資料線之多個源電極以及連接至該 等第二子像素電極之多個汲電極,其中該等汲電極具有重疊於該等第三儲存電極的放大部分,以及介於該等放大部分與該等第三儲存電極之間的一距離小於介於該等放大部分與該等第二子像素電極之間的一距離。
  13. 如請求項12之液晶顯示裝置,其中該等汲電極的該等放大部分具有佈置在該等第三儲存電極上且互相面對的一對邊界線。
  14. 如請求項1之液晶顯示裝置,其中該等第一與第二子像素電極互相電容式耦合。
  15. 如請求項14之液晶顯示裝置,其中該等第一切換元件具有連接至該等閘極線之該等閘電極、連接至該等資料線之多個源電極以及連接至該等第一子像素電極之多個汲電極,以及其中該等汲電極具有重疊於該等第二子像素電極的耦合式電極。
  16. 如請求項14之液晶顯示裝置,其中由於電容式耦合而在該等第二子像素電極處感生的電壓係相對於一預先決定電壓而低於該等第一子像素電極的電壓。
  17. 如請求項16之液晶顯示裝置,其中每個該等第二子像素電極之一面積大於每個該等第一子像素電極之一面積。
  18. 如請求項1之液晶顯示裝置,其中該等第一子像素電極及該等第二子像素電極皆不重疊於其所連接的該閘極線。
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