TWI414848B - 液晶顯示器 - Google Patents

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Dong Hyeon Ki
Soon Il Ahn
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Description

液晶顯示器 相關申請案之交互參照
本發明請求2006年7月26日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10－2006－0070291號的優先權，且其全部內容在此加入作為參考。
發明背景 (a)發明領域
本發明係有關於一種液晶顯示器。
 (b)先前技術之說明
一液晶顯示器是多種被廣泛使用之平板顯示器之其中一種，且一典型液晶顯示器包括兩顯示面板及一設置於其間之液晶層，並且該等顯示面板具有如像素電極與一共用電極等形成於其上之對應電場產生電極。當一電壓施加在該等電場產生電極時，在該液晶層中產生一電場。該電場決定該液晶層之液晶分子之配向，並控制入射光之偏向。依此方式，可顯示影像。
該液晶顯示器更包括多數與各個像素電極連接之開關元件、及多數如閘極線與資料線等用以控制該等開關元件以對該等像素電極施加一電壓之訊號線。
在各種液晶顯示器中，因為一縱向配向模式液晶顯示器具有一高對比率及一寬參考視角，故它是廣受歡迎的。在縱向配向模式液晶顯示器中，當未施加電場時，各液晶分子之主軸係配向成相對一顯示面板呈縱向。
在縱向配向模式液晶顯示器中實現寬視角的特定方法包括一在電場產生電極中產生多數切口之方法及一在電場產生電極上形成多數突起之方法。該等切口與突起決定該等液晶分子之傾斜方向，因此，當該等切口與該等突起適當地設置成可將該液晶分子之傾斜方向分散在各種不同方向上時，可以得到寬參考視角。
在這種液晶顯示器中，為了提高亮度，可增加形成在該液晶層中之電場強度。但是，當施加至該等像素電極之電壓上升時以增加電場強度時，形成在該等像素電極之間的電場及用以將欲施加電壓傳送至該等像素電極之資料線亦會變得較強。這強電場會使位在等像素電極邊緣四週之液晶分子的配向失序，且會增加該液晶之反應時間。
同時，由於光難以通過突起或切口存在之部份，故突起或切口愈多，開口率便愈低。但是，當在該等突起或切口之間的間隔增加以增加開口率時，該等突起或該等切口之效果會大幅下降且會由於資料線變得緊湊而造成電場之干擾，並因此增加反應時間。
在像素電極平行於閘極線與資料線之矩形液晶顯示器中，在相鄰像素電極之間產生之電場會使液晶分子之配向失序，故會產生一網紋(texture)。因此，透光率會下降且會在螢幕上留下殘影。
為了減少這種網紋，一共用電極之切口可與一像素電極之一側重疊。但是，開口率會下降，而這會產生減少透光率之不良效應。
 概要
在本發明中揭露一種可提供增加開口率與透光率之優點，且可減少殘影的液晶顯示器。
本發明實施例之液晶顯示器包括：一基板；多數形成在該基板上之閘極線；多數形成在該基板上且與該等閘極線相交之資料線；及多數形成在該基板上之像素電極。在該液晶顯示器中，該像素電極包括一實質上平行於該閘極線之第一主要側；一實質上平行於該資料線之第二主要側；一相對該等第一與第二主要側呈一第一傾斜角度之第一傾斜側；及一相對該等第一與第二主要側呈一第二傾斜角度之第二傾斜側。該第一傾斜角度與該第二傾斜角度互不相同。
形成在該第一主要側與該第二傾斜側之間的角度可以在0°至45°之間的範圍內，且形成在該第二傾斜側與該第一傾斜側之間的角度可以在0°至45°之間的範圍內。
該第一主要側、該第二傾斜側、該第一傾斜側、及該第二主要側可以依序互相相鄰。
該第二傾斜側可與該閘極線相鄰。
該液晶顯示器可更包括一面對該等像素電極之共用電極，且該共用電極可具有一實質平行於該第一傾斜側而形成之第一切口。
該像素電極可具有一實質平行於該第一傾斜側而形成之第二切口。
該液晶顯示器可更包括多數與該第二傾斜側之一部份交叉的儲存電極線。
該像素電極可包括互相分開一間隙之第一與第二子像素。
該間隙包括一與該第一傾斜側平行之傾斜部份。
該第一子像素電極之電壓與該第二子像素電極之電壓可互相不同。
該第一子像素電極與該第二子像素電極可被施加由一單一影像資料框獲得之不同資料電壓。
該液晶顯示器可更包括：一第一薄膜電晶體，係與該第一子像素電極連接者；一第二薄膜電晶體，係與該第二子像素電極連接者；一第一訊號線，係與該第一薄膜電晶體連接者；一第二訊號線，係與該第二薄膜電晶體連接者；及一第三訊號線，係與該等第一與第二薄膜電晶體連接且與該等第一與第二訊號線交叉者。
該等第一與第二薄膜電晶體可回應分別來自該等第一與第二訊號線之訊號而接通，且傳送一來自該第三訊號線之訊號。
該等第一與第二薄膜電晶體可回應來自該第三訊號線之訊號而接通，且傳送分別來自該等第一與第二訊號線之訊號。
該第一子像素電極與該第二子像素電極可互相電容性地耦合。
該液晶顯示器可更包括：一第一薄膜電晶體，係與該第一子像素電極連接者；一第一訊號線，係與該第一薄膜電晶體連接者；及另一第一訊號線，係連接於該第一薄膜電晶體且與該第一訊號線交叉者。
圖式簡單說明
第1圖是一方塊圖，顯示本發明實施例之液晶顯示器。
第2圖是本發明實施例之液晶面板總成之一像素的等效電路圖。
第3圖顯示本發明之液晶面板總成之配置。
第4與5圖是第3圖所示之液晶面板總成分別沿線IV－IV及V－V所截取之橫截面圖。
第6A圖顯示本發明實施例之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向。
第6B圖顯示先前技術之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向。
第7A圖顯示在先前技術之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第7B圖顯示在本發明實施例之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第8A至8C圖依時間順序顯示在先前技術之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第9A至9C圖依時間順序顯示在本發明實施例之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第10圖是本發明實施例之液晶顯示器之兩子像素的等效電路圖。
第11圖是本發明實施例之液晶顯示器之一像素的等效電路圖。
第12圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置。
第13圖是第12圖所示之液晶面板總成沿著線XIII－XIII所截取之橫截面圖。
第14圖是本發明實施例之液晶面板總成之一像素的等效電路圖。
第15圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置。
第16與17圖是第15圖所示之液晶面板總成分別沿著線XVI－XVI與XVII－XVII所截取之橫截面圖。
第18圖是本發明實施例之液晶顯示器之一像素的等效電路圖。
第19圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置。
第20圖是第19圖所示之液晶面板總成沿著線XX－XX所截取之橫截面圖。
本發明之實施例及其優點可藉由參照以下詳細說明而最佳地了解，且在此應了解的是在一或多個圖中所示之類似係以相似之符號表示。
 詳細說明
以下將參照添附圖式更完整地說明其中顯示本發明數個例示實施例之本發明的一或多個實施例，且發明所屬技術領域中具有通常知識者可了解的是所述實施例可以不偏離本發明之精神與範疇的各種不同方式加以修改。
在圖式中，層、膜、面板、區域等之厚度已加以誇大以便清楚顯示，且在整份說明書中，類似符號表示類似之元件。在此應了解的是當如一層、膜、面板、區域或基板被稱為“在”另一元件上時，它可以直接在另一元件上或可存在多數中間元件。相反地，當一元件被稱為“直接在”另一元件上時，則沒有中間元件。
以下將參照第1與2圖說明本發明實施例之液晶顯示器。
第1圖是一方塊圖，顯示本發明實施例之液晶顯示器，且第2圖是本發明實施例之液晶面板總成之一像素的等效電路圖。
如第1圖所示，本發明實施例之液晶顯示器包括一液晶面板總成300、連接於液晶面板總成300之閘驅動器400與資料驅動器500、一與資料驅動器500連接之灰電壓產生器800、及一用以控制前述組件之訊號控制器600。
在該等效電路圖中，液晶面板總成300連接多數訊號線(圖未示)，且包括多數實質上配置成一矩陣之像素PX。如第2圖所示之結構可知，液晶面板總成300包括一下面板100、一面對該下面板100之上面板200、及一設置於其間的液晶層3。
該等訊號線包括多數用以傳送閘訊號(稱為“掃描訊號”)之閘極線(圖未示)及多數用以傳送資料訊號之資料線，且該等閘極線實質上朝一橫排方向延伸並互相平行，並且該等資料線實質上朝一直行方向延伸並互相平行。
請參閱第2圖，舉例而言，一連接於一閘極線GL與一資料線DL之像素PX包括一與該等訊號線GL與DL連接之開關元件Q、一與該開關元件Q連接之液晶電容Clc、及一儲存電容Cst。如有需要，可以省略該儲存電容Cst。
該開關元件Q是一設置在下面板100上之三端子元件，例如一薄膜電晶體。該開關元件Q之控制端子與該閘極線GL連接，且其輸入端子與該資料線DL連接，並且其輸出端子連接於該液晶電容Clc及該儲存電容Cst。
該液晶電容Clc具有兩端子，即，下面板100之像素電極191與上面板200之共用電極270，且亦具有在兩電極191與270之間作為一介電體之液晶層3。像素電極191連接該開關元件Q，且共用電極270形成在該上面板200之整個表面上並且被施加一共用電壓Vcom。或者，與第2圖所示之結構不同地，共用電極270可設置在下面板100上，此時，兩電極191與270之至少一者可形成一直線或桿狀。
作為該液晶電容Clc之輔助構件的儲存電容Cst包含一設置在下面板100上之分開儲存訊號線SL、像素電極191、及一設置於其間之絕緣體。如一共用電壓Vcom之預定電壓施加至該儲存訊號線SL。或者，該儲存電容Cst可以是該像素電極191、該絕緣體、及形成在該絕緣體上之先前閘極線的積層或疊層狀結構。
同時，為了進行彩色顯示，各像素PX特定地顯示主要顏色之其中一者(即，空間分群)，或該等像素PX於一段時間內交替地顯示該等主要顏色(即，暫時分群)，而這使該等主要顏色可以被空間性地或暫時性地合成，藉此顯示一所需顏色。該等主要顏色可包含，例如，紅、綠與藍色。在該空間分群之一例中，第2圖顯示各像素PX具有一用以在上面板200對應於該像素電極191之區域中顯示其中一主要顏色之濾色片230。或者，與第2圖所示之結構不同，濾色片230可設置在下面板100之像素電極191上方或下方。
至少一用以偏光之偏光子(圖未示)安裝在液晶面板總成300之外表面上。
請再參閱第1圖，灰電壓產生器800產生多數與該像素PX之透光有關之灰電壓(或參考灰電壓)。但是，灰電壓產生器800可僅產生預定數目之灰電壓(稱為參考灰電壓)，而不是產生所有的灰電壓。
閘驅動器400連接液晶面板總成300之閘極線，且將各由一閘極接通電壓Von與一閘極斷路電壓Voff之組合構成的閘訊號Vg供應至該等閘極線。
資料驅動器500連接液晶面板總成300之資料線，且選擇由灰電壓產生器800之灰電壓，並且將所選擇之灰電壓供應至該等資料線作為一資料訊號。但是，當灰電壓產生器800未供應所有的灰電壓，而只供應預定數目之參考灰電壓時，資料驅動器500分割該等參考灰電壓，以產生對應於所有灰階值之灰電壓，且選擇來自所產生灰電壓之資料訊號。
訊號控制器600控制閘驅動器400、資料驅動器500、及灰電壓產生器800。
各驅動器400、500、600、及800可以至少一IC晶片之型態直接安裝在液晶面板總成300上，或它可安裝在一撓性印刷電路膜(圖未示)上並再以一TCP(帶載封裝體)之型態安裝在液晶面板總成300上，或者它可安裝在一分開之印刷電路板(PCB)(圖未示)上。或者，驅動器400、500、600、及800可結合在一單一晶片中。或者，該等驅動器之至少一者或形成該等驅動器之至少一電路可配置在該單一晶片外側。
以下將參照第3至6A圖及第1與2圖說明本發明實施例之液晶面板總成。
第3圖顯示本發明之液晶面板總成之配置，且第4與5圖是第3圖所示之液晶面板總成分別沿線IV－IV及V－V所截取之橫截面圖，而第6A圖顯示本發明實施例之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向。
請參閱第3至5圖，本發明實施例之液晶面板總成包括下面板100、面對下面板100之上面板200、及設置在下面板100與上面板200之間的液晶層3。
首先將說明該下面板100。
包括多數閘極線121及多數儲存電極線131之閘極導體係形成在由透明玻璃或塑膠製成之絕緣基板110上。
閘極線121傳遞閘訊號且主要朝橫向延伸，並且各閘極線121具有一用以連接多數閘電極124之寬端部129，而該等閘電極124向上且向下突出至另一層或一外部驅動電路。一用以產生一閘訊號之閘驅動電路(圖未示)可安裝在一黏著於基板110上之撓性印刷電路膜(圖未示)上，或它可結合在基板110上。例如，如果該閘驅動電路與基板110結合在一起，則閘極線121可延伸成直接連接在該閘驅動電路上。
儲存電極線131被施加一如共用電壓Vcom之預定電壓，且包括一主線及由該主線分支出來之第一與第二儲存電極137a與137b。各儲存電極線131定位在兩相鄰閘極線121之間，且第一與第二儲存電極137a與137b朝縱向延伸並互相面對。又，儲存電極線131之形狀與配置可有各種不同的變化。
閘極線121與儲存電極線131可以是由如鋁(Al)或鋁合金之鋁系金屬、如銀(Ag)或Ag合金之銀系金屬、如銅(Cu)或銅合金之銅系金屬、如鉬(Mo)或鉬合金之鉬系金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等形成之導體。或者，各閘極線121與各儲存電極線131可具有包括兩具有不同物理性質之導電層(圖未示)的多層結構。此時，其中一導電層可以由一低電阻金屬，例如，一鋁系金屬、一銀系金屬、或一銅系金屬製成，以減少訊號延遲或電壓降。該等導電層之另一者可由一與第一導電層不同之材料製成，例如，一鉬系金屬、鉻、鉭或鈦材料等具有極佳物理、化學與電接觸性質以黏著於銦錫氧化物(ITO)與銦鋅氧化物(IZO)上者。各閘極導體(即，各閘極線121或儲存電極線131)可較佳地具有一鉻下層與一鋁(合金)上層之多層結構，或一鋁(合金)下層與一鉬(合金)上層之多層結構。又，閘極線121與儲存電極線131亦可由各種其他金屬或導電材料形成。
各閘極線121與各儲存電極線131之橫向側最好是相對基板110之表面傾斜30°至80°之角度。
在閘極線121與包括第一與第二儲存電極137a與137b之儲存電極線131上，形成有一閘極絕緣層140，且該閘極絕緣層140係由，例如，矽氮化物(SiNx )或矽氧化物(SiOx )形成。
在閘極絕緣層140上，形成有多數由例如氫化非結晶矽(以下非結晶矽將稱為a－Si)或多晶矽構成之島狀半導體154，且半導體154位在閘電極124上。
在半導體154上，形成有一對島狀歐姆接點163與165，且歐姆接點163與165可由例如以高濃度摻雜如磷等n型雜質之n＋氫化a－Si、或矽化物形成。
各半導體154與各歐姆接點163與165之橫向側亦相對基板110之表面傾斜大約30°至80°之角度。
包括多數資料線171與多數汲電極175之資料導體係形成在歐姆接點163與165及閘極絕緣層140上。
資料線171傳遞資料訊號，且主要朝縱向延伸，並且與閘極線121及儲存電極線131交叉。各資料線171朝閘電極124延伸且具有用以連接多數U形源電極173與另一層或資料驅動器500之寬端部179，例如，如果資料驅動器500與基板110結合在一起，則資料線171延伸成直接連接於資料驅動器500。
汲電極175與資料線171分開，且以閘電極124而言，汲電極175設置成與源電極173相對。各汲電極175具有一寬端部、及一被源電極173包圍之桿狀端部。
一閘電極124、一源電極173、及一汲電極175與半導體154一起形成一薄膜電晶體(TFT)。該TFT之一通道形成在閘電極124中且在源電極173與汲電極175之間。
各資料導體171與175最好是由一如鉬、鉻、鉭、或鈦、或其合金等耐熱金屬形成，且可具有一包括一耐熱金屬層(圖未示)與一抵電阻導電層(圖未示)之多層結構。多層結構之例包括一鉻或鉬(合金)下層與一鋁(合金)下層之雙層結構、及一鉬(合金)下層、一鋁(合金)中間層與一鉬(合金)上層之三層結構。又，各資料導體171與175可由各種其他金屬或導電材料形成。
資料導體171、175a與175b可具有傾斜邊緣輪廓，且其傾斜角度範圍為大約30－80度。
歐姆接點163與165僅存在於半導體154與資料導體171與175之間，且減少在路其間之接觸電阻。由於資料導體171與175未完全覆蓋半導體154，故半導體154之某些部份，例如在源電極173與汲電極175之間的一部份將會暴露出來。
一鈍化層180形成在資料導體171與175上，且暴露出半導體154之某些部份。鈍化層180可由如無機絕緣體或有機絕緣體形成，且其表面是平整的。該有機絕緣體最好具有小於4.0之介電常數，且可具有感光性。同時，鈍化層180亦可具有一下有機層與一上有機層之雙層結構，以達成其大部份之絕緣特性但不會破壞半導體154之暴露部份。
多數接觸孔182與185形成在鈍化層180中，以分別暴露資料線171之端部179與各汲電極175之一端。此外，多數接觸孔181分別形成在鈍化層180與閘極絕緣層140中，以暴露閘極線121之端部129。
多數像素電極191及多數接觸輔助物81與82形成在鈍化層180上，且像素電極191及接觸輔助物81與82可由如ITO或IZO等透明導電材料、或一如鋁、銀、鉻或其合金之反射性材料形成。
像素電極191係透過接觸孔185實體地且電氣地連接於汲電極175，且一資料電壓施加至汲電極175上。當施加該資料電壓時，像素電極191與被施加一共同電壓之共用電極面板200的共用電極270產生一電場，且該電場決定在兩電極191與270之間之液晶層3的液晶分子傾斜方向。依據該等液晶分子之傾斜方向，通過液晶層3之偏光產生變化。像素電極191與共用電極270形成一即使在TFT斷路後仍保持所施加之電壓的電容(以下稱為“液晶電容”)。
像素電極191與包括儲存電極137a與137b之儲存電極線131重疊以形成一被稱為一儲存電容之電容，且該儲存電容Cst增強該液晶電容Clc之電壓固持能力。
請參閱第6A與3圖，各像素電極191呈大致矩形且具有四個平行於閘極線121或資料線171之主要側邊90a與90b，而這四個主要側邊包括一對縱向側邊90a及一對橫向側邊90b。
各像素電極191之左角隅形成倒角，以形成一第一傾斜側邊90c，且第一傾斜側邊90c相對閘極線121傾斜大約45°之角度。
一第二傾斜側邊90d連接在第一傾斜側邊90c與橫向側邊90b之間，且第二傾斜側邊90d相對閘極線121傾斜一傾斜角度Θ1，並且該傾斜角度Θ1小於在該第一傾斜側邊90c與閘極線121之間的傾斜角度。較佳地，在第二傾斜側邊90d與閘極線121之間的角度Θ1範圍是0°至45°，且在第二傾斜側邊90d與第一傾斜側邊90c之間的角度Θ2範圍是0°至45°。
在像素電極191中，形成有一第一中央切口91與一第二中央切口92，且切口91與92將像素電極191分成多數區塊。並且各切口91與92相對於一將像素電極191分成兩區塊之虛擬橫向中心線呈對稱。
第一中央切口91包括一縱向部份與一對與該縱向部份連接之傾斜部份，且該縱向部份朝一垂直於該橫向中心線之方向簡短地延伸，並且該對傾斜部份實質平行於第一傾斜側邊90c且由該縱向部份朝像素電極191之右側延伸。
像素電極191之下半部分被第一中央切口91之其中一傾斜部份分成兩區塊，且像素電極191之上半部亦被第一中央切口91之另一傾斜部份分成兩區塊。該等區塊或切口之數目可以依據像素電極191之尺寸、該像素電極191之橫向側對縱向側之比例、及液晶層3之種類或特性來改變。
第二中央切口92包括一沿像素電極191之橫向中心線延伸之橫向部份。
接觸輔助物81與82透過接觸孔181與182分別連接於閘極線121之端部129及資料線171之端部179，且接觸輔助物81與82補充閘極線121之端部129及資料線171之端部179對外部裝置之黏著性且保護閘極線121與資料線171之端部。
以下將說明上面板200。
一光阻擋構件220形成在由透明玻璃或塑膠製成之絕緣基板210上，且光阻擋構件220亦被稱為一黑矩陣，並且防止光在像素電極191之間漏出。光阻擋構件220具有對應於資料線171之直線部份221及對應於該等TFT之平面部份222，且光阻擋構件220防止光在像素電極191之間漏出，並且界定出面對像素電極191之開口區域。光阻擋構件220可具有多數面對像素電極191且具有與像素電極191實質相同之形狀的開口(圖未示)。
多數濾色片230亦形成在基板210上，且濾色片230大部份存在被光阻擋構件220包圍之區域中並且可沿著像素電極191之直行朝縱向延伸。各濾色片230可顯示由例如紅、綠與藍構成之主要顏色之其中一種。
一塗層250形成在濾色片230與光阻擋構件220上，且塗層250可由一絕緣材料形成並且防止濾色片230暴露出來並提供一平坦表面。又，塗層250可以省略。
共用電極270形成在塗層250上，且共用電極270由例如ITO或IZO等透明導電材料形成，並且多數切口群71、72a與72b形成在共用電極270上。
切口群71至72b之其中一者面對一像素電極191且包括中央切口71、下切口72a與上切口72b。切口71、72a與72b設置在像素電極191之相鄰切口91至92b之間，或在像素電極191之切口92a與92b及傾斜側邊90a與90b之間。同時，各切口71、72a與72b包括至少一實質平行於像素電極191之下切口92a或上切口92b延伸之傾斜部份，且各切口71、72a與72b相對像素電極191之橫向中心線呈對稱。
下與上切口72a與72b各包括一傾斜部份、一橫向部份、及一縱向部份。該傾斜部份實質上由像素電極191之上或下側朝其左側延伸，且該相向部份與該縱向部份由該傾斜部份之端部沿著像素電極191之側邊延伸並與像素電極191之側邊重疊，並且橫向部份與縱向部份各部份相對該傾斜部份傾斜一鈍角。
中央切口71包括一橫向中央部份、一對傾斜部份、及一對縱向端部。該橫向中央部份實質上由像素電極191左側朝右側沿著像素電極191之橫向中心線延伸，且該對傾斜部份實質上平行於下與上切口72a與72b且由該橫向中央部份朝像素電極191之右側延伸，並相對該橫向中心部份傾斜一鈍角。該縱向端部由對應傾斜部份之一端沿著像素電極191之右側延伸且與該右側重疊，並且相對該對應傾斜部份傾斜一鈍角。
切口71、72a與72b之數目亦可依據設計要素改變，且光阻擋構件220可與切口71、72a與72b重疊，以防止一光在切口71、72a與72b附近漏出。
切口71、72a、72b、91與92之至少一者可以用一突起(圖未示)或一凹部(圖未示)來取代，且該突起可由一有機材料或一無機材料形成，並且可設置在電場產生電極191與270上。
配向層11與21分別形成在顯示面板100與200之電場產生電極191與270之內表面上，且可以是縱向配向層。
偏光子12與22分別設置在顯示面板100與200之外表面上，較佳地，兩偏光子12與22之偏光軸互相垂直，且其中一偏光軸平行於閘極線121a與121b。在一反射型液晶顯示器中，可省略兩偏光子12與22之其中一者。
該液晶顯示器可另外包括一用以照亮該等偏光子12與22之背光單元(圖未示)、及一遲滯膜(圖未示)、該等顯示面板100與200、及該液晶層3。
液晶層3具有負介電各向異性，當沒有磁場存在時，該液晶層3之液晶分子對齊，使該等液晶分子之主軸相對兩顯示面板100與200之表面呈縱向。
以下將說明一液晶顯示器之操作。
先將輸入影像訊號R、G與B及用以顯示來自一繪圖控制器(圖未示)之輸入影像訊號供應至訊號控制器600，而該等輸入影像訊號R、G與B包括各像素PX之發光資訊，且發光具有一例如1024(＝210 )、256(＝28 )、或64(＝26 )灰度之預定灰階值。例如，以下任一訊號可作為該輸入控制訊號：一縱向同步訊號Vsync、水平同步訊號Hsync、一主時脈訊號MCLK、及一資料賦能訊號DE。
訊號控制器600依據輸入控制訊號處理該等輸入影像訊號R、G與B，以適用於液晶面板總成300與資料驅動器500之操作條件，且產生，例如，一閘控制訊號CONT1與一資料控制訊號CONT2。接著，訊號控制器600將閘極控制訊號CONT1傳送至閘驅動器400且將該資料控制訊號CONT2與該輸出影像訊號DAT傳送至資料驅動器500。該輸出影像訊號DAT是一數位訊號且具有一預定數目位元之值(或灰度)。
該閘控制訊號CONT1包括一用以表示開始掃描之掃描開始訊號STV及至少一用以控制該閘極接通電壓Von之輸出循環的時脈訊號，且該閘控制訊號CONT1可更包括一用以界定該閘極接通電壓Von之期間的輸出賦能訊號OE。
該資料控制訊號CONT2包括一用以表示開始將資料傳送至一組子像素之橫向同步開始訊號STH、一用以讓資料訊號可傳送至該液晶面板總成300之載入訊號LOAD、及一資料時脈訊號HCLK。該資料控制訊號CONT2可更包括一用以使一資料訊號電壓相對該共用電壓Vcom之極性反轉的反轉訊號RVS(以下，“資料訊號電壓相對該共用電壓Vcom之極性”簡稱為“資料訊號之極性”)。
資料驅動器500回應由訊號控制器600傳出之資料控制訊號CONT2，接收一組子像素之輸出影像訊號DAT，且選擇對應於各輸出影像訊號DAT之灰電壓，並將該輸出影像訊號DAT轉換成一類比資料訊號，並且將該類比資料訊號傳送至對應資料線。
閘驅動器400依據來自訊號控制器600之閘控制訊號CONT1而將閘極接通電壓Von施加至該等閘極線，以接通與該等閘極線連接之開關元件。接著，透過在接通狀態下之開關元件，將傳送至該等資料線之資料傳送至對應像素。
這些程序將在每一橫向時段(被稱為“1H”且等於該水平同步訊號Hsync與該資料賦能訊號DE之一時段)反覆進行，依此方式，可將該等資料訊號傳送至該等像素PX，並藉此顯示一影像之一訊框。
當一訊框結束後，下一訊框開始。此時，控制傳送至資料驅動器500之反轉訊號RVS的狀態，使傳送至各像素PX之資料訊號電壓極性與在前一訊框中之資料訊號電壓極性相反(“訊框反轉”)。傳送至該資料線之資料訊號極性可以依據反轉訊號RVS之特性(例如，橫排反轉與點反轉)而在相同訊框中反轉，且傳送至一排像素之資料訊號可以互相不同(例如，直行反轉與點反轉)。
以下將參照第6B圖與第7A至9C圖以及第3與6A圖說明本發明實施例之液晶顯示器的液晶分子傾斜方向。
第6A圖顯示本發明實施例之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向，且第6B圖顯示先前技術之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向。第7A圖顯示在先前技術之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬，且第7B圖顯示在本發明實施例之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。第8A至8C圖依時間順序顯示在先前技術之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬，且第9A至9C圖依時間順序顯示在本發明實施例之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
各液晶分子之傾斜方向主要是由一因電場產生電極191與270之切口71、72a、72b、91與92及像素電極191之傾斜側邊90c與90d所扭曲之主要電場的橫向分量來決定。該主要電場之橫向分量相對於切口71、72a、72b、91與92之側邊及像素電極191之傾斜側邊90c與90d，實質上呈縱向。
由於在因切口71、72a、72b、91與92形成之各區塊上的大部份液晶分子係朝一相對主要側呈縱向之方向傾斜，故該等液晶分子之傾斜方向基本上分成四個方向。當該等液晶分子之傾斜方向依據方式分類時，可以增加該液晶顯示器之參考視角。
請參閱第6B與7A圖，在像素電極191之傾斜側邊90c附近的液晶分子30係朝相對傾斜側邊90c與共用電極270之切口72a一側邊呈縱向之方向傾斜。但是，在像素電極191平行於閘極線121之橫向側邊90b附近的液晶分子30b則朝相對另一像素電極191之橫向側邊90b呈縱向之方向傾斜。此外，由於該等液晶分子30b較靠近閘極線121，所以它們會受到施加於閘極線121之閘電壓的影響。因此，在這部份中之液晶分子30b係朝一與在像素電極191之傾斜側邊90c附近之液晶分子30a傾斜方向不同的方向傾斜。故，會產生一網紋，並因此會降低液晶分子30b之反應速度且出現殘影。
相反地，如第6A與7B圖所示，當第二傾斜側邊90d形成在像素電極191之第一傾斜側邊90c與橫向側邊90b之間時，液晶分子30b係朝相對第二傾斜側邊90d呈縱向之方向傾斜。因此，不論施加於閘極線121之閘電壓為何，液晶分子30b均朝相對第一傾斜側邊90c實質呈縱向之方向傾斜，且因此防止產生一網紋。
請參閱第8A至8C圖與第9A至9C圖，在先前技術之液晶面板總成與本發明實施例之液晶面板總成兩者中，產生網紋之頻率或持續時間均隨著時間減少。但是，當比較第8圖與第9A圖時可看出在先前技術之液晶面板總成中產生網紋之頻率(或持續時間)在經過較長時間後仍然很高。此外，由其中可看出在本發明實施例之液晶面板總成中，即使在初始時間時且該液晶之反應速度更快，產生網紋之頻率(即，持續時間)亦相當低。
以下將參照第10至13圖說明本發明實施例之液晶面板總成。
第10圖是本發明實施例之液晶顯示器之兩子像素的等效電路圖。
請參閱第10圖，各像素PX包括一對分別包括液晶電容Clca與Clcb之子像素。兩子像素之至少一者包括一開關元件(圖未示)，且該開關元件與一閘極線、一資料線、及該等液晶電容Clca或Clcb。
該液晶電容Clca或Clcb包括作為兩端子之下面板100的子像素電極PEa或PEb與上面板200的共用電極270、及作為一介電材料且設置在該子像素電極PEa或PEb與共用電極270之間的液晶層3。該對子像素電極PEa與PEb互相分開且形成一像素電極PE，而共用電極270形成在上面板200之整個表面上，並且一共用電壓Vcom施加於共用電極270上。液晶層3具有負介電各向異性，且當不存在電場時，液晶層3之液晶分子係配向成使該等液晶分子之主軸相對兩顯示面板之表面呈縱向。
在這實施例中，濾色片230與偏光子(圖未示)係與前述實施例中者相同且因此將省略其說明。
以下將參照第11至13圖與第1圖說明本發明實施例之液晶面板總成。
第11圖是本發明實施例之液晶顯示器之一像素的等效電路圖。
請參閱第11圖，本發明實施例之液晶面板總成包括多數訊號線SL及多數與該等訊號線SL連接之像素PX，且該等訊號線SL包括多數對閘極線GLa與GLb、多數資料線DL、及多數儲存電極線SL。
各像素PX包括一對子像素PXa與PXb，且該子像素PXa包括一與一閘極線GLa及一資料線DL連接之開關元件Qa、與該開關元件Qa連接之液晶電容Clca、及一與該開關元件Qa及一儲存電極線SL連接之儲存電容Csta。該子像素PXb包括一與一閘極線GLb及該資料線DL連接之開關元件Qb、與該開關元件Qb連接之液晶電容Clcb、及一與該開關元件Qb及與該儲存電極線SL連接之儲存電容Cstb。
各開關元件Qa與Qb是一如一薄膜電晶體之三端子元件，且設置在下面板100上。該開關元件Qa之控制端子與該閘極線GLa連接，且其輸入端子與該資料線DL連接，並且其輸出端子與該液晶電容Clca及該儲存電容Csta連接。該開關元件Qb之控制端子與該閘極線GLb連接，且其輸入端子與該資料線DL連接，並且其輸出端子與該液晶電容Clcb及該儲存電容Cstb連接。
分別作為液晶電容Clca與Clcb之輔助構件之各儲存電容Csta與Cstb係由一設置在該下面板100之儲存電極線SL、該像素PX及一設置於其間之絕緣體所構成，且該像素PX與該絕緣體均設置在該下面板100上。一如共用電壓Vcom之預定電壓施加於該儲存電極線SL上，或者，該儲存電容Csta可以是該像素PXa、該絕緣體、及一形成在該絕緣體上之先前閘極線之積層結構，且該儲存電容Cstb可以是該像素PXb、該絕緣體、及一形成在該絕緣體上之先前閘極線之積層結構。
由於該等液晶電容Clca與Clcb已說明過了，所以將省略其詳細說明。
在包括一液晶面板總成之液晶顯示器中，訊號控制器600可接收輸入影像訊號R、G與B，且將該等輸入影像訊號轉換成兩像素PXa與PXb用之輸出影像訊號DAT，並且將該輸出影像訊號DAT傳送至資料驅動器500。或者灰電壓產生器800可產生兩像素PXa與PXb用之不同灰電壓組，接著，灰電壓產生器800可交替地對資料驅動器500提供該等灰電壓組，或者，資料驅動器500可交替地選擇灰電壓組，藉此對該等像素PXa與PXb施加不同電壓。此時，最好修下該影像訊號或產生該等灰電壓組，使兩像素PXa與PXb之伽傌曲線之合成伽傌曲線接近一前視之參考伽傌曲線。例如，一前視之合成伽傌曲線與最適合該液晶面板總成之前視之參考伽碼曲線一致，且一側視(如一側向觀視)之合成伽傌曲線最相似於一前視之參考伽傌曲線。
以下將參照第12與13圖說明第11圖所示之液晶面板總成例。
第12圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置，且第13圖是第12圖所示之液晶面板總成沿著線XIII－XIII所截取之橫截面圖。
第12與13圖所示之實施例的液晶面板總成亦包括下面板100、面對下面板100之上面板200、及設置於其間之液晶層3。
這實施例之液晶面板總成的層狀結構與第3至5圖所示之液晶面板總成實質上是相同的。
以下將參照第12與13圖說明該下面板100。在下面板100中，多數閘導體包括多數對第一與第二閘極線121a與121b且形成在絕緣基板110上。第一閘極線121a具有一第一閘極電極124a與一端部129a，且第二閘極線121b具有一第二閘極電極124b與一端部129b。儲存電極線131包括儲存電極137a與137b，且閘極絕緣層140形成在閘極線121a、121b及儲存電極線131上。一第一與第二島狀半導體154a與154b形成在閘極絕緣層140上，且多數歐姆接點163a與165a形成於其上。包括多數資料線171與多數對第一與第二汲電極175a與175b之資料導體形成在歐姆接點163a與165a及閘極絕緣層140上，且資料線171包括多數對第一與第二源電極173a與173b、及端部179。鈍化層180在資料導電體171、175a與175b及半導體154a與154b之暴露部份上，且多數接觸孔181a、181b、182、185a與185b形成在鈍化層180及閘極絕緣層140中。多數像素電極191與多數接觸輔助物81a、81b與82形成在鈍化層180上，且一配向層11形成在像素電極191、接觸輔助物81a、81b與82、及鈍化層180上。
以下將說明第12與13圖所示之實施例之液晶面板總成的上面板。在該上面板中，光阻擋構件220、塗層250、共用電極270、及配向層21依序形成在絕緣基板210上。
在第12與13圖所示之實施例之液晶面板總成中，與第3至5圖所示之液晶面板總成不同地，各像素電極191分成一對互相分開之第一與第二子像素電極191a與191b。第一與第二子像素電極191a與191b互相分開一間隙94，且間隙94包括一與第一傾斜側邊90c平行之傾斜部份。
第二子像素電極191b包括中央切口92，且第一子像素電極191a與第一與第二閘極線121a與121b相鄰，並且包括第一傾斜側邊90c及第二傾斜側邊90d。第一傾斜側邊90c與第二傾斜側邊90d與第3圖所示之液晶面板總成者相同，且因此將省略其詳細說明。
對一輸入影像訊號為預定之不同電壓施加至一對子像素電極191a與191b，且該等電壓值可以依據該等子像素電極191a與191b之尺寸與形狀來決定。子像素電極191a與191b可具有不同面積，例如，相較於第一子像素電極191a，較高電壓可施加在第二子像素電極191b上，且第二子像素電極191b之面積可大於第一子像素電極191a之面積。
該等液晶分子之傾斜角度可依據一施加電場之強度改變，因此，由於兩液晶電容Clca與Clcb之電壓互不相同，所以在兩子像素中之液晶分子的傾斜角度互不相同，且因此兩子像素之亮度亦互不相同。故，當適當調整該等第一與第二液晶電容Clca與Clcb後，可以使來自一側向觀視之影像儘可能類似於一由前方觀視之影像一般地出現，即，使側向觀視之伽傌曲線可以儘可能類似於前視之伽傌曲線。依此方式，可以改善觀看性(例如，以一較寬之視角觀看)。
當被施加較高電壓之第一子像素電極191a的面積設定成小於第二子像素電極191b之面積時，可以使側向觀視之伽傌曲線更類似於前視之伽傌曲線。特別地，如果在該等第一與第二子像素電極191a與191b之間的面積比大約是1：2至1：3，則側向觀視之伽傌曲線變成更類似於前視之伽傌曲線且可因此再改善側方觀視性。
一由在子像素電極191a與191b間之電壓差間所產生之次要電場的方向係相對一區塊之主要側邊呈縱向，因此，該次要電場之方向與主要電場之橫向分量的方向一致。同時，在子像素電極191a與191b之間的次要電場亦有助於決定該等液晶分子之傾斜方向。
與第3至6圖所示之液晶面板總成不同地，第12與13圖所示之液晶面板總成包括兩閘極線，即，第一與第二閘極線121a與121b；兩閘極電極，即，第一與第二閘極電極124a與124b；兩島狀半導體，即，第一與第二島狀半導體154a與154b；兩源極電極，即，第一與第二源極電極173a與173b；及兩汲極電極，即，第一與第二汲電極175a與175b。
第一閘極電極124a、第一源極電極173a及第一汲電極175a與第一半導體154a一起形成一第一TFTQa，且該第一TFTQa之通道形成在第一半導體154a並且在第一源極電極173a與第一汲電極175a之間。第二閘極電極124b、第二源極電極173b及第二汲電極175b與第二半導體154b一起形成一第二TFTQb，且該第二TFTQb之通道形成在第二半導體154b並且在第二源極電極173b與第二汲電極175b之間。
此外，與第3至5圖所示之液晶面板總成不同地，在這實施例之液晶面板總成中，在上面板200中沒有濾色片，且多數濾色片230形成在下面板100之鈍化層180下方。
濾色片230沿著直行之像素電極191延伸並被規則地彎曲，並且不存在該閘極線121之端部129與資料線171之端部179所在之周緣區域中。接觸孔185a穿過濾色片230，且一直徑大於接觸孔185a之貫穿孔形成在濾色片230中。
相鄰濾色片230可以互相重疊在資料線171上以作為一用以防止光在相鄰像素電極191之間漏出之光阻擋構件，此時，該上面板200之光阻擋構件可省略且可因此簡化製造過程。
一鈍化層(圖未示)可設置在濾色片230下方。
上面板200之塗層250可省略。
第3至6圖所示之液晶面板總成的許多特性可以應用至第12與13圖所示之液晶面板總成上。
以下將參照第14至16圖說明第10圖所示之液晶面板總成的另一例。
第14圖是本發明實施例之液晶面板總成之一像素的等效電路圖。
請參閱第14圖，這實施例之液晶面板總成包括多數訊號線及多數與該等訊號線連接之像素PX，且該等訊號線包括多數閘極線GL、多數對資料線DLc與DLd、及多數儲存電極線SL。
各像素PX包括一對子像素PXc與PXd，且該子像素PXc包括一與一對應閘極線GL及一資料線DLc連接之開關元件Qc、與該開關元件Qc連接之液晶電容Clcc、及一與該開關元件Qc及一儲存電極線SL連接之儲存電容Cstc。該子像素PXd包括一與一對應閘極線GL及該資料線DLd連接之開關元件Qd、與該開關元件Qd連接之液晶電容Clcd、及一與該開關元件Qd及與該儲存電極線SL連接之儲存電容Cstd。
各開關元件Qc與Qd是一如一薄膜電晶體之三端子元件，且設置在下面板100上。該開關元件Qc之控制端子與該閘極線GL連接，且其輸入端子與該資料線DLc連接，並且其輸出端子與該液晶電容Clcc及該儲存電容Cstc連接。該開關元件Qd之控制端子與該閘極線GL連接，且其輸入端子與該資料線DLd連接，並且其輸出端子與該液晶電容Clcd及該儲存電容Cstd連接。
增加該液晶電容Clcc與Clcd之液晶顯示器、該等儲存電容Cstc與Cstd、及該液晶面板總成的操作與前述實施例實質上相同，且因此將省略其詳細說明。但是，與其中資料電壓係以時間間隔施加於形成一像素PX之子像素PXa與PXb上之第12圖所示液晶面板總成不同地，在這實施例中，資料電壓係同時施加於形成一像素PX之子像素PXc與PXd上。
以下將參照第15至17圖說明第14圖所示之液晶面板總成例。
第15圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置，且第16與17圖是第15圖所示之液晶面板總成分別沿著線XVI－XVI與XVII－XVII所截取之橫截面圖。
如第15至17圖所示，這實施例之液晶面板總成包括下面板100、面對下面板100之上面板200、設置於其間之液晶層3、及一對連接於該等下與上面板之外表面的偏光子12與22。
以下將說明第15圖所示實施例之液晶面板總成的下面板。在下面板100中，包括多數閘極線121與多數儲存電極線131之多數閘極導體形成在基板110上。各閘極線121具有多數對第一與第二閘極電極124c與124d及一端部129，且各儲存電極線131包括儲存電極137a與137b。閘極絕緣層140形成在閘極線121上，且第一與第二島狀半導體154c與154d形成在閘極絕緣層140上，並且多數歐姆接點163d與165d形成於其上。包括多數對資料線171c與171d及多數對第一與第二汲電極175c與171d之資料導體形成在歐姆接點163d與165d上，且第一資料線171c包括多數源電極173c及一端部179a，且第二資料線171d包括多數源電極173d及一端部179b。鈍化層180形成在資料線171c、171d、175c與175d及半導體154c與154d之暴露部份上，且多數接觸孔181、182c、182d、185c與185d形成在鈍化層180及閘極絕緣層140中。多數像素電極191與多數接觸輔助物81、82c與82d形成在鈍化層180上，且各像素電極191包括第一與第二子像素電極191a與191b。一配向層11形成在像素電極191、接觸輔助物81、82c與82d、及鈍化層180上。
以下將說明第15與16圖所示之實施例之液晶面板總成的上面板。在該上面板中，光阻擋構件220、多數濾色片230、塗層250、共用電極270、及配向層21依序形成在絕緣基板210上。
在第15圖所示之液晶面板總成中，相較於第12與13圖所示之液晶面板總成，閘極線121之數目是一半，且資料線171c與171d之數目是兩倍。此外，與形成一像素電極191之第一與第二子像素電極191a與191b連接的第一與第二薄膜電晶體Qc與Qd連接於相同閘極線121且連接於不同資料線171c與171d。
另外，半導體154c與154d沿著資料線171c與171d延伸並形成一直線半導體151，且歐姆接點163d沿著資料線171c與171d延伸並形成一直線歐姆接點161。直線半導體151具有與設置於其下側之資料線171、汲電極175c與175d、及歐姆接點161與165d大致相同之平面形狀。
在製造這種本發明實施例之TFT面板的方法中，資料線171c與171d、半導體151、及歐姆接點161與165d係由一微影成像製程形成。
在微影成像製程中使用之感光膜厚度依據位置改變，且該感光膜包括膜厚度依序減少之一第一部份及一第二部份。該第一部份位在設有資料線171c與171d與汲電極175c與175d之配線區域，且該第二部份位在一TFT之通道區域中。
依據位置製造不同感光膜有各種方法，例如，一於一光罩上提供一半透明區域及一透光區域與一光阻擋區域之方法。在半透明區域中，設有一狹縫圖案、一格狀圖案、或一具有適中透光率或適中厚度之膜。當使用一狹縫圖案時，一狹縫之寬度或在狹縫之間的間距小於在微影成像製程中所使用之曝光裝置的解析度。另一例係使用一可迴焊感光膜，詳而言之，在利用僅具有透明區域與光阻擋區域之一般曝光光罩以一可迴焊材料形成一感光膜後，對該感光膜進行迴焊，使之流至沒有該感光膜之區域上，藉此形成一薄層部份。
因此，一微影成像製程可以省略且因此簡化製造過程。
第3至5圖所示之液晶面板總成的許多特徵可應用於第15與16圖所示之液晶面板總成上。
以下將參照第18與19圖說明本發明實施例之液晶面板總成。
第18圖是本發明實施例之液晶顯示器之一像素的等效電路圖。
請參閱第18圖，這實施例之液晶面板總成包括多數訊號線及多數與該等訊號線連接之像素PX，且該等訊號線包括多數閘極線GL及多數資料線DL。
各像素PX包括一對第一與第二子像素PXe與PXf、及一連接在該等第一與第二子像素PXe與PXf之間的耦合電容Ccp。
該第一子像素PXe包括一與一閘極線GL及一資料線DL連接之開關元件Q、一第一液晶電容Clce及一與該開關元件Qa連接之儲存電容Cste，且該第二子像素PXf包括互相連接之耦合電容Ccp及第二液晶電容Clcf。
各開關元件Q是一如一薄膜電晶體之三端子元件，且設置在下面板100上。該開關元件Q之控制端子與該閘極線GL連接，且其輸入端子與該資料線DL連接，並且其輸出端子連接該液晶電容Clce、該儲存電容Cste及該耦合電容Ccp。
該開關元件Q依據一來自該閘極線GL之閘訊號而由該資料線DL施加一資料電壓至該第一液晶電容Clce與該耦合電容Ccp，且該耦合電容Ccp改變該資料電壓值並將改變後之電壓傳送至該第二液晶電容Clcf。
假設一共用電壓Vcom施加至該儲存電容Cste且各電容Clce、Cste、Clcf與Ccp以與對應電容相同之符號表示，則施加至該第一液晶電容Clce之電壓Ve與施加至該第二液晶電容Clcf之電壓Vf具有以下關係：Vf＝Ve×[Ccp/(Ccp＋Cclf)]
由於Ccp/(Ccp＋Cclf)之值小於1，故施加至該第二液晶電容Clcf之電壓Vf永遠小於施加至該第一液晶電容Clce之電壓Ve。即使在施加於該儲存電容Cste不是該共用電壓Vcom時，這關係依然成立。
該第一液晶電容Clce之電壓Ve對該第二液晶電容Clcf之電壓Vf之適當比例可利用調整該耦合電容Ccp之電容而獲得。
以下將參照第19圖說明本發明實施例之液晶面板總成例。
第19圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置，且第20圖是第19圖所示之液晶面板總成沿著線XX－XX所截取之橫截面圖。這實施例之液晶面板總成的層狀結構與第3－5、13與16圖所示之液晶面板總成實質相同，且因此不另外再顯示。在第19圖中，與第4、13與16圖所示者相同之組件以相同符號表示。
請參閱第19圖，這實施例之液晶面板總成亦包括一下面板100、一面對該下面板100之上面板200、及一設置在該等下與上面板之間的液晶層3。
這實施例之液晶面板總成的層狀結構與第3至5圖所示之液晶面板總成實質相同。
在下面板100中，多數包括多數閘極線121之閘導體形成在一絕緣基板110上。各閘極線121包括多數閘電極124及端部129，且一閘極絕緣層140形成在閘極線121上。多數島狀半導體154形成在閘絕緣層上，且多數歐姆接點(圖未示)形成於其上。包括多數資料線171及多數汲電極175之資料導體形成在該等歐姆接點及該閘絕緣層上，且資料線171包括多數源電極173及端部179。一鈍化層180形成在資料導體171與175a及半導體154之暴露部份上，且多數接觸孔181、182與185形成在該鈍化層與該閘絕緣層上。多數像素電極191與多數接觸輔助物81與82形成在該鈍化層上，且一配向層11形成在像素電極191、接觸輔助物81與82、及該鈍化層上。
在上面板中，一光阻擋構件(圖未示)、多數濾色片230、一塗層250、一共用電極270、及一配向層21依序形成在一絕緣基板210上。
在這實施例中，一突起72a與72b形成在共用電極270上。該突起72a與72b扭曲該電場，產生一主要電場之橫向分量，因此該等液晶分子之傾斜方向會被分散，且液晶顯示器之視角增加。
在這實施例中，像素電極191與共用電極270類似於第12與15圖所示之液晶面板總成之像素電極191與共用電極270。但是，在這實施例中，與第3圖所示之像素電極191不同地，像素電極191包括互相分開之第一與第二子像素電極191a與191b。第一子像素電極191a透過接觸孔185連接汲電極175。
在這實施例之液晶面板總成中，汲電極175包括一耦合電極176，且耦合電極176實質平行於資料線171延伸並沿著共用電極270之中央切口71的傾斜部份與縱向部份延伸。
耦合電極176與第二子像素電極191b重疊，且耦合電極176與第二子像素電極191b形成一耦合電容Ccp。
第15至17圖所示之液晶面板總成的許多特徵可應用於第19圖所示之液晶面板總成。
依據本發明之實施例，可防止液晶分子產生網紋，使透光率提高並增加液晶顯示器之反應速度。
雖然本發明已利用目前被視為實際之實施例說明過了，但是在此應了解的是本發明不限於所揭露之實施例，相反地，本發明可涵蓋包括在以下申請專利範圍之精申與範疇內之各種修改例與等效結構。
3．．．液晶層
11,21．．．配向層
12,22．．．偏光子
30a,30b．．．液晶分子
71．．．中央切口
72a．．．下切口；突起
72b．．．上切口；突起
81,81a,81b,82,82c,82d．．．接觸輔助物
90a．．．縱向側邊
90b．．．橫向側邊
90c．．．第一傾斜側邊
90d．．．第二傾斜側邊
91．．．第一中央切口
92．．．第二中央切口
92a．．．下切口
92b．．．上切口
94．．．間隙
100．．．下面板
110．．．基板
121,121a,121b．．．閘極線
124．．．閘電極
124a,124c．．．第一閘極電極
124b,124d．．．第二閘極電極
129,129a,129b．．．端部
131．．．儲存電極線
137a．．．第一儲存電極
137b．．．第二儲存電極
140．．．閘極絕緣層
151．．．半導體
154,154a,154b,154c,154d．．．半導體
161．．．直線歐姆接點
163,165,163a,163d,165a,165d．．．歐姆接點
171,171c,171d．．．資料線
173,173c,173d．．．源電極
173a．．．第一源極電極
173b．．．第二源極電極
175．．．汲電極
175a．．．第一汲電極
175b．．．第二汲電極
175c,175d．．．汲電極
176．．．耦合電極
179,179a,179b．．．端部
180．．．鈍化層
181,182,185．．．接觸孔
181a,181b,185a,185b．．．接觸孔
182c,182d,185c,185d．．．接觸孔
191．．．像素電極
191a．．．第一子像素電極
191b．．．第二子像素電極
200．．．上面板
220．．．光阻擋構件
230．．．濾色片
250．．．塗層
270．．．共用電極
300．．．液晶面板總成
400．．．閘驅動器
500．．．資料驅動器
600．．．訊號控制器
800．．．灰電壓產生器
Ccp．．．耦合電容
Clc,Clca,Clcb,Clcc,Clcd．．液晶電容
Clce．．．第一液晶電容
Clcf．．．第二液晶電容
CONT1．．．閘控制訊號
CONT2．．．資料控制訊號
Cst,Csta,Cstb,Cstc,Cstd,Cste．．．儲存電容
DAT．．．輸出影像訊號
DE．．．資料賦能訊號
DL,DLc,DLd．．．資料線
GL,GLa,GLb．．．閘極線
HCLK．．．資料時脈訊號
Hsync．．．水平同步訊號
LOAD．．．載入訊號
MCLK．．．主時脈訊號
OE．．．輸出賦能訊號
PE．．．像素電極
PEa,PEb．．．子像素電極
PX．．．像素
PXa,PXb,PXc,PXd．．．子像素
PXe．．．第一子像素
PXf．．．第二子像素
Q,Qa,Qb,Qc,Qd．．．開關元件
RVS．．．反轉訊號
SL．．．儲存訊號線
STH．．．橫向同步開始訊號
STV．．．掃描開始訊號
Vcom．．．共用電壓
Vg．．．閘訊號
Von．．．閘極接通電壓
Voff．．．閘極斷路電壓
Vsync．．．縱向同步訊號
第1圖是一方塊圖，顯示本發明實施例之液晶顯示器。
第2圖是本發明實施例之液晶面板總成之一像素的等效電路圖。
第3圖顯示本發明之液晶面板總成之配置。
第4與5圖是第3圖所示之液晶面板總成分別沿線IV－IV及V－V所截取之橫截面圖。
第6A圖顯示本發明實施例之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向。
第6B圖顯示先前技術之液晶面板總成一部份與液晶分子之傾斜方向。
第7A圖顯示在先前技術之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第7B圖顯示在本發明實施例之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第8A至8C圖依時間順序顯示在先前技術之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第9A至9C圖依時間順序顯示在本發明實施例之液晶面板總成中之液晶分子移動的光學模擬。
第10圖是本發明實施例之液晶顯示器之兩子像素的等效電路圖。
第11圖是本發明實施例之液晶顯示器之一像素的等效電路圖。
第12圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置。
第13圖是第12圖所示之液晶面板總成沿著線XIII－XIII所截取之橫截面圖。
第14圖是本發明實施例之液晶面板總成之一像素的等效電路圖。
第15圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置。
第16與17圖是第15圖所示之液晶面板總成分別沿著線XVI－XVI與XVII－XVII所截取之橫截面圖。
第18圖是本發明實施例之液晶顯示器之一像素的等效電路圖。
第19圖顯示本發明實施例之液晶面板總成的配置。
第20圖是第19圖所示之液晶面板總成沿著線XX－XX所截取之橫截面圖。
81,82．．．接觸輔助物
90a．．．縱向側邊
90b．．．橫向側邊
90c．．．第一傾斜側邊
90d．．．第二傾斜側邊
91．．．第一中央切口
92．．．第二中央切口
121．．．閘極線
124．．．閘電極
129．．．端部
131．．．儲存電極線
137a．．．第一儲存電極
137b．．．第二儲存電極
154．．．半導體
171．．．資料線
173．．．源電極
175．．．汲電極
179．．．端部
181,182,185．．．接觸孔

Claims (10)

  1. 一種液晶顯示器，包含：一基板；形成在該基板上之一閘極線；形成在該基板上且與該閘極線相交之一資料線；及形成在該基板上之一像素電極；其中該像素電極包含：一實質上平行於該閘極線之第一主要邊緣；一實質上平行於該資料線之第二主要邊緣；一相對該等第一與第二主要邊緣呈一第一傾斜角度之第一傾斜邊緣；及一相對該等第一與第二主要邊緣呈一第二傾斜角度之第二傾斜邊緣；且該第一傾斜角度與該第二傾斜角度互不相同；其中該第一傾斜邊緣與該第二傾斜邊緣係相鄰於該閘極線設置；以及其中該像素電極具有一第一偏斜方向決定構件且該偏斜方向決定構件具有一與該第一偏斜邊緣平行之側，其中形成在該第一主要邊緣與該第二傾斜邊緣之間的一角度係在0°至45°之間的一範圍內；以及形成在該第二傾斜邊緣與該第一傾斜邊緣之間的一角度係在0°至45°之間的一範圍內，且其中該第一主要邊緣、該第二傾斜邊緣、該第一傾 斜邊緣及該第二主要邊緣係依序互相相鄰。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，更包含一面對該等像素電極之共用電極；其中該共用電極具有一第二偏斜方向決定構件。
  3. 如申請專利範圍第2項之液晶顯示器，其中該第二偏斜方向決定構件包含一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第一切口或一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第一突起。
  4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該第一偏斜方向決定構件包含一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第二切口或一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第二突起。
  5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，更包含與該第二傾斜邊緣之至少一部份交叉的一儲存電極線。
  6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中各像素電極包含互相分開一間隙之一第一子像素電極與一第二子像素電極。
  7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示器，其中該間隙包含一與該第一傾斜邊緣平行之傾斜部份。
  8. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示器，更包含一面對該等像素電極之共用電極；其中該共用電極具有一第二偏斜方向決定構件。
  9. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示器，其中該第二偏斜方向決定構件包含一實質平行於該第一傾斜邊緣而形 成之第一切口或一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第一突起。
  10. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示器，其中該第一偏斜方向決定構件包含一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第二切口或一實質平行於該第一傾斜邊緣而形成之第二突起。
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