CN1746752A - 液晶显示器和用于其的显示板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器和其制造方法。所述显示板包括：基板；和第一电极部分，设置于所述基板上，所述第一电极部分具有两对彼此面对的主边缘和倾斜于所述主边缘的第一切口，其中，所述主边缘包括第一和第二边缘，所述第一电极部分具有基本平行于所述第一切口的倾斜边缘，所述倾斜边缘连接所述第一边缘和第二边缘，所述第一边缘包括从所述倾斜边缘延伸到所述第一切口的端部的第一部分，且所述倾斜边缘基本等于或长于所述第一边缘的第一部分的一半。

Description

液晶显示器和用于其的显示板
技术领域
本发明涉及一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。例如，LCD通常应用于各种电子装置，诸如平板电视、笔记本计算机、蜂窝电话和数字相机。
LCD包括设置有诸如像素电极和公共电极的场产生电极的两个面板以及插入其间的液晶(LC)层。LCD通过将电压施加到场产生电极来在LC层中产生电场从而显示图像，其决定了LC层中LC分子的取向来调整入射光的偏振。
LCD还包括多个连接到像素电极的开关元件和用于控制开关元件的多个诸如栅极线和数据线的信号线来将电压施加到像素电极。
近来，因为其能够制造具有更高对比度和更宽视角的LCD，垂直对准(VA)模式LCD已经被用于LCD监视器和LCD电视应用的更大尺寸显示器的生产，垂直对准模式LCD排列LC分子使得在没有电场的情况下LC分子的长轴垂直于面板。
通过场产生电极中的切口(cutout)和场产生电极上的突起可以实现VA模式LCD的宽视角。因为切口和突起可以决定LC分子的倾斜方向，所以通过适当地排列切口和突起可以将倾斜方向分布为几个方向，使得参考视角得以加宽。
经常通过升高施加到像素电极的电压提高施加到LC层的电场来提高其亮度。因此，也提高了在数据线和像素电极之间产生的电场，使得设置在像素电极边缘附近的LC分子取向无序，由此增加了LC层的响应时间。
在VA模式LCD中，因为入射光可能不通过突起和切口，所以较大的突起或较大的切口可能降低开口率(aperture ratio)。但是，通过保持突起或切口彼此分开得更远来增加开口率，突起或切口的有效性可能降低而可能放大由数据线造成的电场干扰，由此延长了LC层的响应时间。
发明内容
依据本发明的实施例的显示板包括：基板；和第一电极部分，设置于所述基板上，所述第一电极部分具有两对彼此面对的主边缘和倾斜于所述主边缘的第一切口，其中，所述主边缘包括彼此接近的第一和第二边缘，所述第一电极部分具有基本平行于所述第一切口的倾斜边缘，所述倾斜边缘连接所述第一边缘和第二边缘，所述第一边缘包括从所述倾斜边缘延伸到所述第一切口的端部的第一部分，且所述倾斜边缘基本等于或长于所述第一边缘的第一部分的一半。
所述倾斜边缘可以长于所述第一边缘的第一部分。所述倾斜边缘可以与所述第一边缘的第一部分形成大于约135度的角度。
所述第一边缘可以还包括与所述第一边缘的第一部分形成钝角的第二部分，且所述倾斜边缘可以基本垂直于所述第一边缘的第二部分延伸。
第一切口可以与所述第二边缘交汇(meet)且所述第二边缘可以包括与所述第一切口交汇、形成大于约135度角的部分。
第一电极部分可以还具有基本平行于所述第一切口且长于所述第一切口的第二切口，且所述主边缘可以还包括第三边缘，面对所述第一边缘且与所述第二边缘交汇。第三边缘可以包括与所述第二切口交汇、形成约135度角的部分。
显示板可以还包括第二电极部分，其设置于所述基板上且连接到所述第一电极部分。所述第一和第二电极部分可以基本上具有例如，相对于基本平行于第二边缘延伸的直线的反对称性。
依据本发明的实施例的液晶显示器包括：第一电极部分，具有彼此面对的两对主边缘；公共电极，面对第一电极部分；液晶层，设置于第一电极部分和公共电极之间；多个第一倾斜方向决定构件，设置于所述第一电极部分，所述多个构件基本彼此平行延伸，与所述第一电极部分的主边缘形成倾斜角，且决定所述液晶层中的液晶分子的倾斜角；多个第二倾斜方向决定构件，设置于所述公共电极，所述多个构件包括基本平行于所述第一倾斜方向决定构件的第一部分，且与所述第一倾斜方向决定构件交替排列，且决定所述液晶层中的液晶分子的倾斜方向。
通过所述第一和第二倾斜方向决定构件和所述第一电极部分的边缘将所述第一电极部分分为多个子区域。每个子区域具有一对主边缘和一对次边缘，所述主边缘基本平行于所述第一倾斜方向决定构件延伸，所述次边缘连接所述主边缘。所述子区域包括接近所述第一电极部分的角设置的第一子区域。所述第一子区域的主边缘包括第一边缘和比所述第一边缘更长的第二边缘。所述第一子区域的第一边缘长于所述第一子区域的次边缘的至少之一的一半。
所述第一子区域的第一边缘可以长于所述第一子区域的次边缘的所述至少一个，且所述第一子区域的第一边缘可以与所述第一子区域的次边缘的至少之一形成大于约135度的角度。
所述子区域的第一边缘和所述子区域的次边缘的至少之一可以为所述第一电极部分的边缘的部分，且所述第一子区域的第二边缘可以为所述第一倾斜方向决定构件的部分。所述第一倾斜方向决定构件可以包括形成于所述第一电极部分的切口。
每个子区域的至少一对所述主和次边缘可以形成大于135度的角度。形成大于135度的角度的每个子区域的所述至少一对可以包括：所述第一电极部分的边缘的部分；所述第一部分的边缘的部分和所述第一倾斜方向决定构件的部分；或第二倾斜方向决定构件的部分。
每个子区域的至少一对所述主和次边缘可以形成锐角，且所述至少一对的次边缘可以具有多个狭缝(slit)，所述狭缝接近由所述至少一对形成的顶点设置且基本上平行于每个子区域的所述主边缘延伸。
液晶显示器可以还包括偏振器，所述偏振器具有与所述第一倾斜方向决定构件形成基本等于约45度角的偏振轴。所述子区域的数量可以为五。
第一倾斜方向决定构件可以包括形成于所述第一电极部分的切口，且第二倾斜方向决定构件可以包括形成于所述公共电极的切口。所述液晶显示器可以还包括与所述第一倾斜方向决定构件重叠的存储电极。
液晶显示器可以还包括第二电极构件，所述第二电极构件连接到第一电极部分且与所述第一电极部分基本具有反对称性。每个子区域的主边缘之间的距离可以小于约20微米。
依据本发明的另一实施例的液晶显示器包括：第一电极；第二电极，面对所述第一电极；液晶层，设置于所述第一电极和所述第二电极之间；以及第一和第二分区构件(partitioning member)，将第一电极分为多个子区域，其中，所述子区域包括梯形的子区域，具有第一边缘和第二边缘，所述第二边缘平行于所述第一边缘，短于所述第一边缘且具有等于或大于所述第一边缘的一半的长度。
所述梯形的子区域可以还具有与所述第二边缘形成钝角的第三边缘。所述梯形子区域的第三边缘可以与所述第二边缘形成大于约135度的角。
所述梯形的子区域可以还具有与所述第二和第三边缘交汇且与所述第一边缘和第三边缘形成钝角的第四边缘。
所述梯形子区域的第一边缘和第三边缘可以形成锐角，且所述第三边缘可以具有多个狭缝，所述狭缝接近由所述第一边缘和第三边缘形成的顶点设置且基本上平行于所述第一边缘延伸。
所述第一分区构件可以设置于第一电极且所述梯形的子区域的第一到第三边缘可以由所述第一分区构件界定。所述第一分区构件可以包括形成于所述第一电极的切口。
液晶显示器可以还包括偏振器，所述偏振器具有与所述第一分区构件形成基本等于约45度角的偏振轴。每个子区域的所述主边缘之间的距离可以小于约20微米。
附图说明
参考附图，通过详细描述其示范性实施例，本发明将更加显见，在附图中：
图1是依据本发明的示范性实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图；
图2是依据本发明的示范性实施例的LCD的公共电极面板的布局图；
图3是包括图1所示的TFT阵列面板和图2所示的公共电极面板的LCD的布局图；
图4是图3所示的LCD沿线IV-IV所取的截面图；
图5是图3中由圆圈V包括的部分的像素电极的放大图；
图6、7和8分别是图3中由圆圈VI、VII和VIII包括的部分的LCD的放大图；
图9是依据本发明的另一示范性实施例的LCD的布局图；
图10是图9所示的LCD沿线X-X所取的截面图；
图11是依据本发明的另一实施例的LCD的布局图；以及
图12是图11所示的LCD沿线XII-XII所取的截面图。
具体实施方式
现将参考显示本发明的实施例的附图在其后更加全面地描述本发明。但是，本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐释的实施例。通篇相似的标记指示相似的元件。
在附图中，为了清晰放大了层和区域的厚度。通篇相似的标记指示相似的元件。可以理解当诸如层、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”、时，它可以直接在另一元件上或可以存在中间的元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则没有中间元件存在。
现将参考图1-8详细描述依据本发明的实施例的LCD。
图1是依据本发明的示范性实施例的LCD的TFT阵列面板的布局图，图2是依据本发明的示范性实施例的LCD的公共电极面板的布局图，图3是包括图1所示的TFT阵列面板和图2所示的公共电极面板的LCD的布局图，图4是图3所示的LCD沿线IV-IV所取的截面图，图5是图3中由圆圈V包括的部分的像素电极的放大图，图6、7和8分别是图3中由圆圈VI、VII和VIII包括的部分的LCD的放大图。
参考图1-4，LCD包括TFT阵列面板100、面对TFT阵列面板100的公共电极面板200和插在面板100和200之间的LC层3。
首先，将参考图1、3和4描述TFT阵列面板100。
多个栅极线121和多个存储电极线131形成于诸如透明玻璃或塑料的绝缘基板110上。
栅极线121传输栅极信号且基本在横向方向延伸。每个栅极线121包括多个在向上和向下方向上凸出的栅电极124，且具有与另一层或外部驱动电路接触的大面积的端部分129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未显示)可以安装于柔性印刷电路板(FPC)膜(未显示)上，其可以贴附于基板110，直接安装于基板110上或集成到基板110上。栅极线121可以还延伸与驱动电路连接，所述驱动电路可以集成到基板110上。
存储电极线131被供以预定的电压且每个存储电极线121包括基本平行于栅极线121延伸的主干、从主干分支的多组第一、第二、第三和第四存储电极133a、133b、133c和133d、和多个存储连接133e。每个存储电极线131设置于相邻的栅极线121之间且主干接近两个相邻栅极线121的上栅极线。
第一和第二存储电极133a和133b从主干沿纵向延伸且彼此面对。第一和第二存储电极133a和133b均具有连接到主干的第一端部分和相对所述第一端部分设置的第二端部分。所述第三存储电极133c分别大致从第一存储电极133a和第二存储电极133b的第一和第二端部分倾斜地延伸。第四存储电极133d包括一对倾斜的部分，其倾斜地从第二存储电极133b的上和下中间部分向第一存储电极133a延伸来彼此交汇。将每个存储连接133e在相邻组的存储电极133a-133d之间连接。本领域的一般技术人员可以理解存储电极线131可以具有各种形状和排列。
栅极线121和存储电极线131优选由诸如Al和Al合金的含Al金属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta或Ti制成。但是，栅极线121和存储电极线131可以具有多层结构，该结构包括具有不同物理特性的两个导电膜(未示出)。例如，两个膜之一可以优选地由低电阻率金属制成，所述金属包括含Al金属、含Ag金属和含Cu金属，用于减小信号延迟或电压降。另一膜可以优选地由诸如含Mo金属、Cr、Ta或Ti的一种材料制成，所述材料当与诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其它材料组合时具有良好的物理、化学和电接触特性。两个膜的示范性组合包括下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。本领域的一般技术人员可以理解栅极线121和存储电极线131可以由各种金属或导体制成。
栅极线121和存储电极线131的横边相对于基板110的表面倾斜，且其倾斜角的范围从约30-80度。
优选由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成于栅极线121和存储电极线131上。
优选由氢化非晶硅(a-Si)制成的多个半导体条151形成在栅极绝缘层140上。每个半导体条151基本上沿纵向方向延伸，并且接近存储电极线131变宽，使得半导体条151覆盖存储电极线131的大面积。每个半导体条151包括多个向栅电极124分支出的突起154。
多个欧姆接触条161和欧姆接触岛165形成于半导体条151上。欧姆接触条161和欧姆接触岛165优选地由重掺杂比如磷的n型杂质的n+氢化a-Si制成或它们可以由硅化物制成。每个欧姆接触条161具有多个突起163，并且突起163和欧姆接触岛165成对位于半导体条151的突起154上。
半导体条151和欧姆接触161和165的横向边相对于基板110的表面倾斜，且其倾斜角优选为从约30-80度的范围中。
多条数据线171、多个漏电极175、和多个分隔金属件178形成于欧姆接触161和165以及栅极绝缘层140上。
数据线171传输数据信号且基本上沿纵向方向延伸，并且与栅极线121、存储电极线131的主干以及存储连接133e相交。每个数据线171包括多个源电极173和端部分179，源电极173是弯曲的，如同新月形，向栅电极124凸出，端部分179具有用于另一层或外部驱动电路接触的大面积。用于产生数据信号的数据驱动电路(未显示)可以安装于FPC膜(未显示)上，其可以贴附于基板110、直接安装于基板110上、或集成到基板110上。数据线171可以延伸来连接到驱动电路，所述驱动电路可以集成到基板110上。
漏电极175从数据线171分开且相对于栅电极124与源电极173相对地设置。每个漏电极175包括宽的端部分和窄的端部分。窄的端部分部分地由源电极173包围。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体条151的突起154一起形成TFT，该TFT具有形成于突起154中的沟道，突起154设置于源电极173和漏电极175之间。
金属件178设置于栅电极121上，接近第一存储电极133a。
数据线171、漏电极175和金属件178优选地由难熔金属制成，诸如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金。但是，它们可以具有多层结构，该结构包括难熔金属膜(未显示)和低电阻率膜(未显示)。多层结构的实例包括：双层结构，该双层结构包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜；以及三层结构，该三层结构包括下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。本领域的一般技术人员可以理解数据线171、漏电极175和金属件178可以由各种金属或导体制成。
数据线171、漏电极175和金属件178具有倾斜的边缘轮廓，且其倾斜角的范围从约30-80度。
欧姆接触161和165仅插在下面的半导体条151和其上的上面的导体171和175之间。该结构减小了半导体条151和上面的导体171和175之间的接触电阻。虽然半导体条151大多数窄于数据线171，半导体条151的宽度接近存储电极线131时变大来平滑表面的轮廓，由此防止数据线171断开。半导体条151包括一些暴露的部分，其没有用数据线171和漏电极175覆盖，例如位于源电极173和漏电极175之间的部分。
如进一步在图1、3和4中所示，钝化层180形成于数据线171、漏电极175、金属件178和半导体条151的暴露部分上。钝化层180优选地由无机或有机绝缘体制成且它可以具有平坦的顶表面。无机绝缘体的实例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有光敏性且介电常数小于约4.0。钝化层180可以包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，使得它利用有机绝缘体的绝缘特性同时防止半导体条151的暴露部分被有机绝缘体损伤。
钝化层180具有多个分别暴露数据线171和漏电极175的端部分179的接触孔182和185。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个暴露栅极线121的端部分129的接触孔181，多个暴露存储电极线131接近第一存储电极133a的第一端部分的接触孔183a和多个暴露第一存储电极133a的第二端部分的直线分支的接触孔183b。
多个像素电极191、多个跨接桥(overpass)83和多个辅助接触81、82形成于钝化层180上。它们优选地由诸如ITO或IZO的透明导体或诸如Ag、Al、Cr或其合金的反射导体制成。
将像素电极191通过接触孔185物理地和电性地连接到漏电极175，使得像素电极191接收来自漏电极175的数据电压。被供以数据电压的像素电极191与被供以公共电压的公共电极面板200的公共电极270协作产生电场，该电场决定了设置于两个电极191和270之间的液晶层3的液晶分子31的取向。像素电极191和公共电极270形成被称作“液晶电容器”的电容器，该电容器在TFT关闭之后存储所施加的电压。
像素电极191与包括存储电极133a-133d的存储电极线131重叠，且像素电极191的左和右边缘设置于存储电极133a和133b上。像素电极191和连接于其的漏电极175以及存储电极线131形成被称作“存储电容器”的附加的电容器，其提高了液晶电容器的电压存储容量。
将每个像素电极191大致成形为矩形，该矩形具有两对彼此面对的主边缘。像素电极191的边缘的左下和左上角从栅极线121被斜切(chamfered)约45度角来形成倾斜边缘191oa和191ob。
每个像素电极191具有中心切口91、下切口92a和93a，和上切口92b和93b，所述切口分割像素电极191。
中心切口91从像素电极191的右边缘的中心大致延伸到像素电极191的左边缘的中心来将像素电极191二分为下半部和上半部191a和191b。因此，每个下半部和上半部191a和191b具有两对彼此面对的主边缘。相应于中心切口91的入口的下半部191a的右上角91oa和上半部191b的右下角91ob从栅极线121被斜切具有约45度角来形成倾斜边缘。中心切口91的下横向边缘91ta形成下半部191a的上边缘，且上横向边缘91tb形成上半部191b的下边缘。因为横向边缘91ta和91tb之间的距离逐渐从右到左减小，右横向边缘91ta和91tb以及倾斜边缘91oa和91ob形成的角大于约135度。
下切口92a和93a设置于下半部191a上且基本平行于下半部191a的右上倾斜边缘91oa，且上切口92b和93b设置于上半部191b上且基本平行于上半部191b的右下倾斜边缘91ob。
下和上切口92a和92b大致从像素电极191的右边缘倾斜地沿第三存储电极133d延伸到大致像素电极191的中心，与第三存储电极133d重叠，与中心切口91的横向边缘91ta和91tb交汇。下和上切口93a和93b从像素电极191的左边缘沿第三存储电极133c倾斜地延伸到大致像素电极191的右角，与第三存储电极133c重叠。
与切口92a-93b交汇或与倾斜边缘191oa、191ob、91oa和91ob具有钝角的下和上边缘191a和191b的每边的部分从切口92a-93b或倾斜边缘191oa、191ob、91oa和91ob形成大于约135度的钝角。
例如，下半部191a的右边缘191ra包括：部分191al，其从右下角延伸到基本平行于数据线171的下切口92a的端部；和剩余部分191ao，其从下切口92a的端部延伸到倾斜边缘91oa，与数据线171或第一和第二存储电极133a和133b形成钝角，以大于约135度的角θ交汇倾斜边缘91oa，如图5所示。
相似地，上半部191b的右边缘191rb包括：部分191bl，其从右上角延伸到基本平行于数据线171的上切口92b的端部，和剩余部分191bo，其与数据线171形成倾斜角，以大于约135度的角θ1交汇倾斜边缘91ob，如图6所示。
参考图6，倾斜边缘91oa和91ob的长度L1优选地大于分别与倾斜边缘91oa和91ob交汇的右边缘191al和191bl的倾斜部分191ao和191bo的长度L2的一半。更优选地，倾斜边缘91oa和91ob长于倾斜部分191ao和191bo。
相似地，从左上角延伸到下切口93a的端部的下半部191a的左边缘的部分以大于约135度的角交汇下切口93a。另外，从左下角延伸到上切口93b的端部的上半部191b的左边缘的部分以大于约135度的角交汇上切口93b。下半部191a的左和下边缘以大于约135度的角交汇倾斜边缘191oa，且上半部191b的左和上边缘以大于约135度的角交汇倾斜边缘191ob。
另外，下半部191a的上边缘以大于约135度角交汇倾斜边缘91oa，且上半部191b的下边缘以大于约135度角θ2交汇倾斜边缘91ob，如图6所示。以钝角交汇下切口92a的下半部191a的上边缘的部分与下切口92a形成大于约135度的角。以钝角交汇上切口92b的上半部191b的上边缘的部分与上切口92b形成大于约135度的角θ3。
以该方法，将像素电极191的下半部191a通过下切口92a和93a分为三个下分区，且也将像素电极191的上半部191b通过上切口92b和93b分为三个上分区。依据诸如像素的尺寸、像素电极191的横向边缘和纵向边缘的比例、液晶层3的类型和特性等的设计因素，改变分区的数量和切口的数量。
跨接桥83横跨在栅极线131的上方且将它们分别通过接触孔183a和183b连接到存储电极线131的暴露的部分和第一存储电极133a的第二端部分的暴露的直线分支，接触孔183a和183b对于栅极线121彼此相对地设置。包括存储电极133a和133b的存储电极线131与跨接桥83一起可以被用于修复栅极线121、数据线171或TFT中的缺陷。
将辅助接触81和82分别通过接触孔181和182连接到栅极线121的端部分129和数据线171的端部分179。辅助接触81和82保护端部分129和179且提高端部分129和179与外部装置的粘接。
下面参考图2-4描述公共电极面板200。
被称为黑底(black matrix)用于防止漏光的光阻挡构件220形成于诸如透明玻璃或塑料的绝缘衬底210上。光阻挡构件220具有多个面对像素电极191的开口。光阻挡构件220可以具有与像素电极191基本相同的平面形状。光阻挡构件220还可以包括多个面对TFT阵列面板100上的数据线171的直线部分和多个面对TFT阵列面板100上的TFT的加宽部分。
多个彩色滤光器230也形成于基板210上且它们基本设置于由光阻挡构件200所包围的区域中。彩色滤光器230可以沿像素电极191在纵向方向上延伸。彩色滤光器230可以表现诸如红、绿和蓝的原色之一。
保护膜(overcoat)250形成于彩色滤光器230和光阻挡构件220上。保护膜250优选地由有机绝缘体制成且它防止彩色滤光器230被暴露且提供平坦表面。在可替换的实施例中，可以省略保护膜250。
公共电极270形成于保护膜250上。公共电极270优选地由诸如ITO和IZO的透明导电材料制成且具有多组切口71、72a和72b。
一组切口71-72b面对像素电极191且包括中心切口71、下切口72a和上切口72b。切口71-72b的每个设置于像素电极191的相邻切口91-93b之间或切口92a或92b和像素电极191的斜切边缘191oa或191ob之间。切口71-72b的每个具有至少一个纵向部分71la、71lb、72al、72bl和至少一个倾斜部分，所述倾斜部分具有至少一个压低的凹痕7且基本平行于像素电极191的下切口92a和93a或上切口92b和93b延伸。切口71-72b基本具有相对于像素电极191的中心切口92的反对称性。
每个下和上切口72a和72b包括倾斜部分72ao或72bo、横向部分72at或72bt和纵向部分72al或72bl。倾斜部分72ao或72bo大致从像素电极191的左边缘延伸到大致像素电极19的下或上边缘。每个横向和纵向部分72at、72bt、72al或72bl从倾斜部分72ao或72bo的相应的端部沿像素电极191的边缘延伸，与像素电极191的边缘重叠，且与倾斜部分72ao或72bo形成钝角。
中心切口71包括一对倾斜部分71oa和71ob和一对纵向部分71la和71lb。倾斜部分71oa和71ob从像素电极191的左边缘的中心延伸到大致像素电极191的右边缘。纵向部分71la和71lb从它们的相应的倾斜部分71oa和71ob沿像素电极191的右边缘延伸，与像素电极191的右边缘重叠，且与它们相应的倾斜部分71oa和71ob形成钝角。
每个切口71-72b的纵向部分71la、71lb、72al或72bl具有基本平行于数据线171的纵向边缘以及倾斜于数据线171的倾斜边缘。纵向部分71la、71lb、72al或72bl在它们延伸超过它们的相应的倾斜部分时变窄。纵向部分71la、71lb、71al或72bl的倾斜边缘设置于像素电极191内且以大于约135度的钝角交汇倾斜部分71oa、71ob、72ao或72bo。纵向部分71la、71lb、72al或72bl的纵向边缘远离像素电极191设置且与倾斜部分71oa、71ob、72ao或72bo的另一边缘交汇，形成约135度的角。
参考图2和7，附图标记71l和71o分别指示中心切口71的纵向部分71la或71lb的纵向边缘和倾斜边缘，且角θ指示由纵向部分71lb的倾斜边缘71o和倾斜部分71ob的边缘形成的角。
在公共电极270交汇切口71-71b的倾斜部分71oa、71ob、72ao或72bo且形成钝角的像素电极191的边缘的部分具有多个狭缝SL，如图8所示。狭缝SL基本平行于倾斜部分71oa、71ob、72ao或72bo延伸且它们可以设置于公共电极270。
依据设计因素可以改变切口71-72b的数量，且光阻挡构件220可以还与切口71-72b重叠来阻挡通过切口71-72b的光泄漏。
将可以为垂直(homeotropic)的对准层11和21涂布于面板100和200的内表面上，且偏振器12和22设置于面板100和200的外表面上，使得它们的偏振轴可以交叉。偏振轴之一可以平行于栅极线121。另外，当LCD是反射型LCD时可以省略偏振器12和22之一。
LCD可以还包括至少一个延迟膜(未显示)，用于补偿LC层3的延迟。LCD可以还包括背光单元(未显示)，用于将光通过偏振器12和22、延迟膜和面板100和200供给到LC层3。
优选地是LC层3具有负介电各向异性且LC层3中的LC分子31进行垂直对准，对准LC分子31使得它们的长轴在没有电场时基本垂直于面板100和200的表面。因此，入射光不能通过交叉的偏振器12和22。
将公共电压施加到公共电极270和将数据电压施加到像素电极191时，产生基本垂直于面板100和200的表面的电场。像素电极191和公共电极270现将被称为“场产生电极”。
LC分子31趋于响应电场改变它们的取向，使得它们的长轴垂直于场方向。场产生电极191和270的切口91-93b和71-72b与像素电极191的边缘扭曲电场，使得其具有基本垂直于切口91-93b和71-72b的边缘与像素电极191的边缘的水平分量。
参考图3，一组切口71-72b和91-93b将像素电极191分为十个子区域(例如，五个在下半部191a的子区域PA1-PA5和五个在上半部191b的子区域PB1-PB5)。每个子区域PA1-PA5或PB1-PB5具有两个与像素电极191的主边缘形成倾斜角度的主边缘和为下半部和上半部191a和191b的部分的主边缘的次边缘。每个子区域PA1-PA5或PB1-PB5的主边缘与偏振器12和22的偏振轴形成约45度的角，使得可以最大化LCD的光效率。
除了设置于像素电极191的下半部和上半部191a和191b的角处的子区域PA1、PA5、PB1和PB5之外，主边缘比次边缘长很多，且至少一个次边缘交汇主边缘，形成大于约135度的角。因此，每个子区域PA2-PA4或PB2-PB4的电场具有垂直于主边缘的强水平分量，其比平行于主边缘的水平分量强很多。因此，在每个子区域PA2-PA4或PB2-PB4上的大多数LC分子31垂直于主边缘倾斜。
对于具有倾斜边缘91oa、91ob、191oa和191ob且设置于像素电极19的下半部和上半部191a和191b的角的子区域PA1、PA5、PB1和PB5，因为主边缘，例如，倾斜边缘91oa、91ob、191oa和191ob，具有长于次边缘的一半的长度，所以在子区域PA1、PA5、PB1和PB5上的LC分子31被由倾斜边缘91oa、91ob、191oa和191ob产生的水平场分量有效地控制。
另外，因为次边缘交汇倾斜边缘91oa、91ob、191oa和191ob且形成大于约135度的角，子区域PA2-PA4或PB2-PB4上垂直于主边缘的水平场分量强于平行于主边缘的水平分量。因此，子区域PA1、PA5、PB1和PB5上的大多数LC分子31垂直于主边缘倾斜。
另外，对于接近像素电极191的边缘和公共电极270的切口71-72b的倾斜部分71oa、71ob、72ao和72bo之间的交叉点设置、与像素电极191形成锐角并基本平行于切口71-72b的倾斜部分71oa、71ob、72ao和72bo延伸的如图8所示的狭缝SL，因为狭缝SL形成基本垂直于狭缝SL的边缘的水平场分量，垂直于主边缘的水平场分量在子区域PA1-PA5或PB1-PB5中变得更强。
可以将子区域基于LC分子31的倾斜方向大致分为四个种类，且优选地由四个种类占据的区域彼此相等来改善LCD的可视度。倾斜方向的多样性加宽了LCD的参考视角。
每个子区域PA1-PA5或PB1-PB5的主边缘之间的距离W优选地小于约20微米，使得可以产生具有适当的强度的水平场分量来控制LC分子31。
公共电极270的切口71-72b中的凹痕7决定切口71-72b上LC分子31的倾斜方向，且它们可以设置于像素电极191的切口91-93b。
本领域的一般技术人员可以理解切口71-72b和91-93b以及凹痕7的形状和排列可以被修改。另外，切口71-72b和91-93b的至少之一可以用突起(未显示)或压纹(未显示)来替代。突起优选地由有机或无机材料制成，且可以设置于场产生电极191或270上或下。
现将参考图9和10详细描述以及本发明的另一实施例的LCD。
图9是依据本发明的另一示范性实施例的LCD的布局图，且图10是图9所示的LCD沿线X-X所取的截面图。
参考图9和10，LCD包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、LC层3、设置于面板100和200之间的多个柱分隔物、以及一对贴附于面板100和200的外表面的偏振器12和22。
根据该实施例的面板100和200的分层结构与图1-4所示的那些几乎相同。
对于TFT阵列面板100，多个栅极线121和多个存储电极线131形成于绝缘基板110上。每个栅极线121包括多个栅电极124和端部分129，且每个存储电极线131包括多个存储电极133a-133d和多个存储连接133e。栅极绝缘层140、多个包括突起154的半导体条151、多个包括突起163的欧姆接触条161和多个欧姆接触岛165依次形成于栅极线121和存储电极线131上。
包括源电极173和端部分179的多个数据线171、多个漏电极175和多个隔离的金属件178形成于欧姆接触161和165上，且钝化层180形成于其上。多个接触孔181、182、183a、183b和185设置于钝化层180和数据绝缘层140。多个具有多个切口91-93b、多个跨接桥83和多个辅助接触81和82的像素电极形成于钝化层180上，且在其上涂布对准层11。
对于公共电极面板200，光阻挡构件220、多个彩色滤光器230、保护膜250、具有多个切口71-72b的公共电极以及对准层21形成于绝缘基板210上。
如图9和10所示，TFT阵列面板100的半导体条151具有几乎与数据线171和漏电极175以及下面的欧姆接触161和165相同的平面形状。但是，半导体条151的突起154包括一些暴露的部分，诸如位于源电极173和漏电极175之间的部分，其没有用数据线171和漏电极175覆盖。
另外，TFT阵列面板100还包括多个半导体岛(未显示)和多个欧姆接触岛(未显示)，设置于金属件178下。
TFT阵列面板100的制造方法包括利用一道光刻工艺同时形成数据线171、漏电极175、金属件178、半导体151和欧姆接触161和165。
用于光刻工艺的光致抗蚀剂图案具有位置相关的(position-dependent)厚度，且具体而言，它具有厚度降低的第一和第二部分。第一部分位于将被数据线171、漏电极175和金属件178占据的引线区域上，且第二部分位于TFT的沟道区域上。
通过几种技术获得光致抗蚀剂的位置相关的厚度，其包括例如，在曝光掩模上提供半透明的区域，以及在曝光掩模上提供透明区域和光阻挡不透明区域。半透明区域可以具有狭缝图案、网格图案、具有中等透射率或中等厚度的薄膜或膜。当使用狭缝图案时，优选地是狭缝的宽度或狭缝之间的距离小于光刻所用的曝光器的分辨率。
作为实例，可以使用可回流光致抗蚀剂。例如，一旦通过使用仅具有透明区域和不透明区域的一般曝光掩模形成由可回流光致抗蚀剂制成的光致抗蚀剂掩模，将其进行回流工艺，其中可回流材料流到不包括光致抗蚀剂的区域上，由此形成光致抗蚀剂的薄部分。结果，通过省略光刻步骤从而简化了TFT阵列面板100的制造工艺。
本领域的一般技术人员可以理解图1-4所示的LCD的上述的特征可以应用于图9和10所示的LCD。
现将参考图11和12详细描述依据本发明的另一实施例的LCD。
图11是依据本发明的另一实施例的LCD的布局图，且图12是图11所示的LCD沿线XII-XII所取的截面图。
参考图11和12，LCD包括TFT阵列面板100、公共电极面板200、LC层3、设置于面板100和200之间的多个柱分隔物、以及一对贴附于面板100和200的外表面的偏振器12和22。
依据该实施例的面板100和200的分层结构与图1-4所示的那些几乎相同。
对于TFT阵列面板100，多个栅极线121和多个存储电极线131形成于绝缘基板110上。每个栅极线121包括多个栅电极124和端部分129，且每个存储电极线131包括多个存储电极133a-133d和多个存储连接133e。栅极绝缘层140、多个包括突起154的半导体条151、多个包括突起163的欧姆接触条161和多个欧姆接触岛165依次形成于栅极线121和存储电极线131上。
包括源电极173和端部分179的多个数据线171、多个漏电极175和多个隔离的金属件178形成于欧姆接触161和165上，且钝化层180形成于其上。多个接触孔181、182、183a、183b和185设置于钝化层180和数据绝缘层140。多个具有多个切口91-93b、多个跨接桥83和多个辅助接触81和82的像素电极形成于钝化层180上，且在其上涂布对准层11。
对于公共电极面板200，光阻挡构件220、保护膜250、具有多个切口71-72b的公共电极270以及对准层21形成于绝缘基板210上。
如图11和12所示，TFT阵列面板100包括多个彩色滤光器230，设置于钝化层180下，而公共电极面板200没有彩色滤光器。
彩色滤光器230沿像素电极191的列在纵向方向上似条样延伸，且两个相邻的彩色滤光器230的边缘在数据线171上彼此匹配。但是，彩色滤光器230可以彼此重叠来如同光阻挡构件220那样阻挡像素电极191之间的光泄漏，或可以将它们彼此分开。当彩色滤光器230彼此重叠时，可以省略设置于公共电极面板200上的光阻挡构件220。
彩色滤光器230具有多个过孔235，接触孔185通过过孔235，且过孔235大于接触孔185。在设置栅极线121的端部分129和数据线171的端部分179的周边区域处没有设置彩色滤光器230。
本领域的一般技术人员可以理解图1-4所示的LCD的上述特征可以应用于图11和12所示的LCD。
虽然参考其示范性实施例具体显示和描述了本发明，然而本领域的一般技术人员可以理解在不脱离由权利要求所界定的本发明的精神和范围内，可以做出形式和细节上的不同变化。

Claims (36)

1、一种显示板，包括：
基板；和
第一电极部分，设置于所述基板上，所述第一电极部分具有两对彼此面对的主边缘和倾斜于所述主边缘的第一切口，
其中，所述主边缘包括第一和第二边缘，所述第一电极部分具有基本平行于所述第一切口的倾斜边缘，所述倾斜边缘连接所述第一边缘和第二边缘，所述第一边缘包括从所述倾斜边缘延伸到所述第一切口的端部的第一部分，且所述倾斜边缘基本等于或长于所述第一边缘的第一部分的一半。
2、如权利要求1所述的显示板，其中，所述倾斜边缘长于所述第一边缘的第一部分。
3、如权利要求2所述的显示板，其中，所述倾斜边缘与所述第一边缘的第一部分形成大于约135度的角度。
4、如权利要求2所述的显示板，其中，所述第一边缘还包括：
第二部分，与所述第一边缘的第一部分形成钝角。
5、如权利要求4所述的显示板，其中，所述倾斜边缘基本垂直于所述第一边缘的第二部分延伸。
6、如权利要求2所述的显示板，其中，所述第一切口部分与所述第二边缘交汇。
7、如权利要求6所述的显示板，其中，所述第二边缘包括与所述第一切口交汇、形成大于约135度角的部分。
8、如权利要求6所述的显示板，其中，所述第一电极部分具有基本平行于所述第一切口且长于所述第一切口的第二切口。
9、如权利要求8所述的显示板，其中，所述主边缘还包括：
第三边缘，面对所述第一边缘，其中，所述第三边缘与所述第二边缘交汇。
10、如权利要求9所述的显示板，其中，所述第三边缘包括与所述第二切口交汇、形成约135度角的部分。
11、如权利要求1所述的显示板，还包括：
第二电极部分，其设置于所述基板上，连接到所述第一电极部分，与所述第一电极部分基本上具有反对称性。
12、如权利要求11所述的显示板，其中，所述第一电极部分和第二电极部分相对于基本平行于所述第二边缘延伸的直线对称。
13、一种液晶显示器，包括：
第一电极部分，具有彼此面对的两对主边缘；
公共电极，面对所述第一电极部分；
液晶层，设置于所述第一电极部分和公共电极之间；
多个第一倾斜方向决定构件，设置于所述第一电极部分，所述构件基本彼此平行延伸，与所述第一电极部分的主边缘形成倾斜角，且决定所述液晶层中的液晶分子的倾斜角；以及
多个第二倾斜方向决定构件，设置于所述公共电极，所述构件包括基本平行于所述第一倾斜方向决定构件延伸的第一部分，且与所述第一倾斜方向决定构件交替排列，且决定所述液晶层中的液晶分子的倾斜方向，
其中，通过所述第一和第二倾斜方向决定构件和所述第一电极部分的边缘将所述第一电极部分分为多个子区域，每个子区域具有一对主边缘和一对次边缘，所述主边缘基本平行于所述第一倾斜方向决定构件延伸，所述次边缘连接所述主边缘，所述子区域包括接近所述第一电极部分的角设置的第一子区域，所述第一子区域的主边缘包括第一边缘和比所述第一边缘更长的第二边缘，所述第一子区域的第一边缘长于所述第一子区域的次边缘之一的一半。
14、如权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述第一子区域的第一边缘长于所述第一子区域的次边缘之一。
15、如权利要求14所述的液晶显示器，其中，所述第一子区域的第一边缘与所述第一子区域的次边缘之一形成大于约135度的角度。
16、如权利要求15所述的液晶显示器，其中，所述第一子区域的第一边缘和所述第一子区域的次边缘之一为所述第一电极部分的边缘的部分。
17、如权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述第一子区域的第二边缘为所述第一倾斜方向决定构件的部分。
18、如权利要求17所述的液晶显示器，其中，所述第一倾斜方向决定构件包括形成于所述第一电极部分的切口。
19、如权利要求14所述的液晶显示器，其中，每个子区域的一对所述主和次边缘形成大于135度的角度。
20、如权利要求19所述的液晶显示器，其中，形成大于135度的角度的每个子区域的所述边缘对包括：
所述第一电极部分的边缘的部分；
所述第一电极部分的边缘的部分和所述第一倾斜方向决定构件的部分；或
所述第二倾斜方向决定构件的部分。
21、如权利要求14所述的液晶显示器，其中，每个子区域的一对所述主和次边缘形成锐角，且所述一对的次边缘具有多个狭缝，所述狭缝接近由所述对形成的顶点设置且基本上平行于每个子区域的所述主边缘延伸。
22、如权利要求13所述的液晶显示器，还包括：
偏振器，具有与所述第一倾斜方向决定构件形成基本等于约45度角的偏振轴。
23、如权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述子区域的数量为五。
24、如权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述第一倾斜方向决定构件包括形成于所述第一电极部分的切口，且所述第二倾斜方向决定构件包括形成于所述公共电极的切口。
25、如权利要求24所述的液晶显示器，还包括：
存储电极，与所述第一倾斜方向决定构件重叠。
26、如权利要求13所述的液晶显示器，还包括：
第二电极构件，连接到所述第一电极部分且与所述第一电极部分基本具有反对称性。
27、如权利要求13所述的液晶显示器，其中，每个子区域的主边缘之间的距离小于约20微米。
28、一种液晶显示器，包括：
第一电极；
第二电极，面对所述第一电极；
液晶层，设置于所述第一电极和所述第二电极之间；以及
第一和第二分区构件，将所述第一电极分为多个子区域，
其中，所述子区域包括梯形的子区域，其具有第一边缘、平行于所述第一边缘的第二边缘，和倾斜于所述第一和第二边缘的第三边缘，其中所述第二边缘短于所述第一边缘且具有等于或大于所述第一边缘的一半的长度。
29、如权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述第三边缘与所述第二边缘形成钝角。
30、如权利要求29所述的液晶显示器，其中，所述第三边缘与所述第二边缘形成大于约135度的角。
31、如权利要求29所述的液晶显示器，其中，所述梯形子区域具有第四边缘，其与所述第二和第三边缘交汇且与所述第二边缘和第三边缘形成钝角。
32、如权利要求29所述的液晶显示器，其中，所述第一边缘和第三边缘形成锐角，且所述第三边缘具有多个狭缝，所述狭缝接近由所述第一边缘和第三边缘形成的顶点设置且基本上平行于所述第一边缘延伸。
33、如权利要求28所述的液晶显示器，其中，所述第一分区构件设置于所述第一电极且所述第一到第三边缘由所述第一分区构件界定。
34、如权利要求33所述的液晶显示器，其中，所述第一分区构件包括形成于所述第一电极的切口。
35、如权利要求28所述的液晶显示器，还包括：
偏振器，具有与所述第一分区构件形成基本等于约45度角的偏振轴。
36、如权利要求28所述的液晶显示器，其中，每个子区域的所述主边缘之间的距离小于约20微米。
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