CN101540333A - 薄膜晶体管基板及具有薄膜晶体管基板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管基板以及具有该TFT基板的显示装置。在TFT基板和具有该TFT基板的显示装置中，第一和第二晶体管的分别连接到第一和第二像素电极的第一和第二漏极电极垂直地弯曲多次。第一源极电极和第二源极电极每个与第一漏极电极或者第二漏极电极之间的距离保持在最小的线间间隙，以增加数据线与第一漏极电极和第二漏极电极每个之间的距离，并且最小化第一漏极电极和第二漏极电极每个的邻近数据线的区域的长度。因此，数据线与第一漏极电极和第二漏极电极每个之间的耦合电容可以被减小，并且每个单元像素区域可以具有预定范围内的一致的寄生电容。另外，进行反转驱动的显示装置的亮度偏差可以被减小。

Description

薄膜晶体管基板及具有薄膜晶体管基板的显示装置
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管(TFT)基板以及具有薄膜晶体管基板的显示装置，更具体地，涉及在反转驱动显示装置期间可以减少相邻像素亮度之差的TFT基板以及具有该TFT基板的显示装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器(FPD)之一，其利用液晶的光学各向异性和极化特性来产生图像。就是说，LCD通过调整液晶的取向来控制从背光单元向液晶显示板所发射光的透射率来显示所希望的图像。为了提高液晶板的图像质量(例如，去除重影效应(ghost effect))，LCD以60Hz或者更高的频率驱动。另外，LCD已经实行“反转驱动(inversiondriving)”，其中相邻单元像素的极性彼此相反，从而防止在液晶显示板上产生瑕疵(stain)(例如，垂直线或者水平线)。
近来，已经逐渐减小了每个单元像素的尺寸来制造高分辨率的显示板。然而，较小的单元像素会导致反转驱动期间亮度差特性恶化。也就是，由于反转驱动而增加了相邻单元像素的亮度差。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板以及具有该TFT基板的显示装置，其中每个像素中的器件与邻近该器件的数据线之间的寄生电容被减小，从而减小相邻像素之间的亮度差。
然而，本发明的各个方面不限于这里所阐述的这些。对本发明所属技术领域的普通技术人员而言，通过参考下面给出的对本发明的详细描述，本发明的以上和其它的方面将变得更加明显易懂。
根据本发明的一个方面，提供这样的TFT基板，其包括：多个栅极线和与栅极线交叉的多个第一数据线和第二数据线；多个第一像素电极和第二像素电极，分别设置在由栅极线与第一数据线和第二数据线定义的多个单元像素区域中；第一TFT，设置在单元像素区域中，并且包括连接到栅极线的第一栅极端、连接到第一数据线的第一源极电极和连接到第一像素电极和第二像素电极中的任一个的第一漏极电极；以及第二TFT，设置在该单元像素区域中，并且包括连接到栅极线的第二栅极端、连接到第二数据线的第二源极电极和连接到第一像素电极和第二像素电极中的另一个的第二漏极电极，其中第一漏极电极和第二漏极电极被设置为保持第一漏极电极和第一数据线之间的第一耦合电容与第二漏极电极和第二数据线之间的第二耦合电容的差值在第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的50％或者更小的范围内。
第一耦合电容和第二耦合电容之差可以是第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的5％至40％。第一漏极电极和第二漏极电极可以垂直弯曲。
第一漏极电极和第二漏极电极的端部区域可以分别与第一源极电极和第二源极电极分隔，并且第一漏极电极和第二漏极电极的每个的端部区域与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离可以等于从第一漏极电极和第二漏极电极每个的端部区域的末端延伸的区域与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离，第一漏极电极或者第二漏极电极在该端部区域的该末端被弯曲并延伸。
第一漏极电极和第二漏极电极的每个具有由第二部分和设置在第一漏极电极和第二漏极电极的每个的末端的第一部分构成的弯曲部分，弯曲部分围绕第一源极电极或者第二源极电极并且与第一源极电极或者第二源极电极分隔，第一部分与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离等于第二部分与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离。
在单元像素区域的中心，被弯曲的第一漏极电极和第二漏极电极的各个区域可以彼此分隔上述距离。
该距离可以是足以防止第一源极电极和第二源极电极的每个与第一漏极电极或者第二漏极电极之间短路的线间间隙，并且线间间隙可为4至10μm。
第一漏极电极可以包括设置在第一栅极电极上方并且与第一源极电极相邻的第一电极部分、连接到第一像素电极和第二像素电极之一的第一接触板以及将第一电极部分连接到第一接触板的第一连接线，第二漏极电极可以包括设置在第二栅极电极上方并且与第二源极电极相邻的第二电极部分、连接到第一像素电极和第二像素电极中的另一个的第二接触板以及将第二电极部分连接到第二接触板的第二连接线。
第一单元像素区域中的第一漏极电极的第一接触板可以连接到第一像素电极，第一单元像素区域中的第二漏极电极的第二接触板可以连接到第二像素电极，而与第一单元像素区域相邻的第二单元像素区域中的第一漏极电极的第一接触板连接到第二像素电极，第二单元像素区域中的第二漏极电极的第二接触板连接到第一像素电极。
如果第一漏极电极的第一接触板连接到第一像素电极并且第二漏极电极的第二接触板连接到第二像素电极，则第一连接线可以包括从第一电极部分沿远离第一栅极电极的方向延伸的1-1延伸部分、从1-1延伸部分将要被弯曲的末端沿与第一数据线相反的方向延伸的1-2延伸部分、从1-2延伸部分将要被弯曲的末端沿朝着第一接触板的方向延伸的1-3延伸部分、从1-3延伸部分将要被弯曲的末端沿与第一数据线相反的方向延伸的1-4延伸部分以及将1-4延伸部分连接到第一接触板的1-5延伸部分，第二连接线可以包括从第二电极部分沿远离第二栅极电极的方向延伸的2-1延伸部分、从2-1延伸部分将要被弯曲的末端沿与第二数据线相反的方向延伸的2-2延伸部分以及将2-2延伸部分连接到第二接触板的2-3延伸部分。
1-3延伸部分与第一数据线之间的距离以及1-5延伸部分与第一数据线之间的距离可以大于1-1延伸部分与第一数据线之间的距离，并且1-1延伸部分与第一数据线之间的距离在可接受的误差范围内可以等于2-1延伸部分与第二数据线之间的距离。
如果第一漏极电极的第一接触板连接到第二像素电极并且第二漏极电极的第二接触板连接到第一像素电极，则第一连接线可以包括从第一电极部分沿远离第一栅极电极的方向延伸的1-6延伸部分、从1-6延伸部分将要被弯曲的末端沿与第一数据线相反的方向延伸的1-7延伸部分以及将1-7延伸部分连接到第一接触板的1-8延伸部分，第二连接线可以包括从第二电极部分沿远离第二栅极电极的方向延伸的2-4延伸部分、从2-4延伸部分将要被弯曲的末端沿与第二数据线相反的方向延伸的2-5延伸部分、从2-5延伸部分将要被弯曲的末端沿朝着第二接触板的方向延伸的2-6延伸部分、从2-6延伸部分将要被弯曲的末端沿与第二数据线相反的方向延伸的2-7延伸部分以及将2-7延伸部分连接到第二接触板的2-8延伸部分。
2-6延伸部分与第二数据线之间的距离以及2-8延伸部分与第二数据线之间的距离可以大于2-4延伸部分与第二数据线之间的距离，并且2-4延伸部分与第二数据线之间的距离在可接受的误差范围内可以等于1-6延伸部分与第一数据线之间的距离。
第一数据线和第二数据线、第一源极电极和第二源极电极以及第一漏极电极和第二漏极电极可以由相同的材料制造，并同时被图案化。
基板还可以包括：多个存储线，分别通过单元像素区域，并且在与栅极线相同的方向上延伸；以及第一耦合突出和第二耦合突出，从存储线的每个延伸，并且与第一像素电极和第二像素电极部分交叠，其中第一耦合突出邻近第一数据线设置，第二耦合突出邻近第二数据线设置，并且第一耦合突出长于第二耦合突出。
根据本发明的另一方面，显示装置包括：多个单元像素，每个按矩阵设置，并且包括具有第一像素电极和公共电极的第一液晶电容器以及具有第二像素电极和公共电极的第二液晶电容器；多个栅极线，沿单元像素的行方向延伸；多个第一数据线和第二数据线，沿单元像素的列方向延伸，并且分别设置在单元像素的每列的两侧；第一TFT，设置在单元像素的每个中，并且包括连接到第一数据线的第一源极电极以及连接到第一液晶电容器和第二液晶电容器中任意一个的第一漏极电极；以及第二TFT，设置在单元像素区域的每个中，并且包括连接到第二数据线的第二源极电极以及连接到第一液晶电容器和第二液晶电容器中的另一个的第二漏极电极，其中第一漏极电极和第二漏极电极弯曲多次，以保持第一漏极电极和第一数据线之间的第一耦合电容与第二漏极电极和第二数据线之间的第二耦合电容之差在第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的50％或者更小的范围内。
第一漏极电极和第二漏极电极可以垂直弯曲。
第一漏极电极和第二漏极电极的端部区域可以分别与第一源极电极和第二源极电极分隔，并且第一漏极电极和第二漏极电极的每个的端部区域与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离可以等于从第一漏极电极和第二漏极电极的每个的端部区域的末端延伸的区域与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离，第一漏极电极或者第二漏极电极在该端部区域的该末端被弯曲并延伸。
第一漏极电极和第二漏极电极的每个具有由第二部分和设置在第一漏极电极和第二漏极电极的每个的末端的第一部分构成的弯曲部分，弯曲部分围绕第一源极电极或者第二源极电极并且与第一源极电极或者第二源极电极分隔，第一部分与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离等于第二部分与第一源极电极或者第二源极电极之间的距离。
该距离可以是足以防止第一源极电极和第二源极电极的每个与第一漏极电极或者第二漏极电极之间短路的线间间隙，并且线间间隙可为4至10μm。
第一漏极电极可以包括设置在第一栅极电极上方并且与第一源极电极相邻的第一电极部分、连接到第一像素电极和第二像素电极之一的第一接触板以及将第一电极部分连接到第一接触板的第一连接线，第二漏极电极可以包括设置在第二栅极电极上方并且与第二源极电极相邻的第二电极部分、连接到第一像素电极和第二像素电极中的另一个的第二接触板以及将第二电极部分连接到第二接触板的第二连接线。
第一单元像素区域中的第一漏极电极的第一接触板可以连接到第一液晶电容器，第二漏极电极的第二接触板可以连接到第二液晶电容器，而在与第一单元像素区域相邻的第二单元像素区域中，第一漏极电极的第一接触板连接到第二液晶电容器，第二漏极电极的第二接触板连接到第一液晶电容器。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的示范性实施例，本发明的上述和其它的方面和特征将变得更加明显易懂，其中：
图1是根据本发明的示范性实施例的显示装置的平面图；
图2是沿着图1的A-A线剖取的显示装置的截面图；
图3是沿着图1的B-B线剖取的显示装置的截面图；
图4是沿着图1的C-C线剖取的显示装置的截面图；
图5是根据本发明的示范性实施例用于反转驱动的薄膜晶体管(TFT)基板的平面图；
图6是用于说明根据本发明示范性实施例的显示装置的反转驱动的示意图；
图7是根据本发明示范性实施例的TFT区域的平面图；
图8是根据本发明示范性实施例的修改实施例的TFT基板的平面图；
图9A是图解根据比较示例的显示装置的平均亮度偏差的曲线图；和
图9B是图解根据本发明示范性实施例的显示装置的平均亮度偏差的曲线图。
具体实施方式
通过参考下面对示范性实施例和附图的详细描述，本发明的特征和实现这些特征的方法会变得更易于理解。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应当解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本发明公开的透彻和全面，并且向本领域的技术人员充分传达本发明的概念，而本发明仅由所附权利要求来限定。在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可以被夸大。
应当理解的是，当元件或者层被称为“在”另一个元件或者层“上”时，该元件或者层可以直接在另一个元件或者层上或者以插有若干元件或者层的形式在另一元件或层上。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件或者层“上”时，则没有插入元件或者层存在。相同的附图标记通篇表示相同的元件。正如这里所采用的，术语“和/或”包括一个或者多个所列相关项目的任何和全部组合。
空间相对术语，例如“在...下方”、“在...之下”、“下面”、“在...上方”和“上面”等，在这里使用是为了方便描述，来描述如图所示的一个元件或者特征相对于另一个(多个)元件或者特征的关系。应当理解的是，除了图中所示的取向外，空间相对术语旨在包括装置在使用或者操作中的不同取向。相同的附图标记在整篇说明书中表示相同的元件。
将参考作为本发明的理想视图的平面图和/或截面图来描述这里所描述的实施例。因此，可以根据制造技术和/或公差来修改示范性视图。因此，本发明的实施例不限于各图中所示的，而是包括根据制造工艺而形成的构造的修改。因此，图中所示的区域具有示意性的特性，并且图中所示区域的形状示出了元件区域的特定形状，而不限制本发明的各方面。
图1是根据本发明示范性实施例的显示装置的平面图。图2是沿着图1的A-A线剖取的显示装置的截面图。图3是沿着图1的B-B线剖取的显示装置的截面图。图4是沿着图1的C-C线剖取的显示装置的截面图。图5是根据本发明的示范性实施例用于反转驱动的薄膜晶体管(TFT)基板1000的平面图。图6是用于说明根据本发明示范性实施例的显示装置的反转驱动的图。图7是根据本发明的示范性实施例的TFT区域的平面图。图8是根据本发明的示范性实施例的修改实施例的TFT基板的平面图。
参考图1至7，根据本实施例的显示装置包括：TFT基板1000，为下基板；公共电极基板2000，为面对TFT基板1000的上基板；以及液晶层3000，插设在TFT基板1000和公共电极基板2000之间，并且相对于TFT基板1000和公共电极基板2000被配向为所希望的方向。配向膜(未示出)设置在TFT基板1000和公共电极基板2000的每个的表面上以配向液晶层3000的液晶分子。液晶层3000的液晶分子可以但非必须被配向为垂直于TFT基板1000和公共电极基板2000的每个。
TFT基板1000包括在透光绝缘基板100上的多个栅极线110、第一数据线130a和第二数据线130b、第一像素电极170a和第二像素电极170b以及第一TFT 120a和第二TFT 120b。栅极线110传输栅极信号，在第一方向延伸，并且以预定间隔沿第二方向设置。第一数据线130a和第二数据线130b与栅极线110交叉。第一像素电极170a和第二像素电极170b形成在由栅极线110以及第一数据线130a和第二数据线130b定义的像素区域中。第一TFT120a连接到第一数据线130a和每根栅极线110，第二TFT 120b连接到第二数据线130b和每根栅极线110。
如图1所示，像素区域可以与第一数据线130a和第二数据线130b部分交叠。另外，像素区域可以与栅极线110部分交叠。在本实施例中，存储线140平行于栅极线110延伸，并且通过第一像素电极170a和第二像素电极170b。另外，形成第一耦合突出141以保持具有第一像素电极170a的液晶电容器的电容恒定，形成第二耦合突出142以保持具有第二像素电极170b的液晶电容器的电容恒定。第一耦合突出141和第二耦合突出142从存储线140延伸，并且与第一像素电极170a和第二像素电极170b部分重叠。
第一TFT 120a和第二TFT 120b中的每个连接到第一像素电极170a和第二像素电极170b中的任一个。就是说，参考图5，当第一TFT 120a连接到第一像素电极170a时，第二TFT 120b连接到第二像素电极170b。反之，当第一TFT 120a连接到第二像素电极170b时，第二TFT 120b连接到第一像素电极170a。
栅极线110大体上在如图1所示的水平方向延伸，并且每个栅极线110的部分向上突出以分别形成第一TFT 120a的第一栅极电极121a和第二TFT120b的第二栅极电极121b。栅极接触焊垫(未示出)形成在每个栅极线110的端部以将栅极线110的每个连接到外电路。然而，本发明不限于此。就是说，可以在每个栅极线110的端部形成连接到每个栅极线110的台(stage)。
栅极线110的每个可以由单层、两层或多层构成。当栅极线110的每个由两层或者多层构成时，各层之一可以由低电阻率的材料制造，而其它层可以由与其它材料具有优良接触特性的材料制造。这些层的示例包括铬(Cr)层和铝(Al)(或者Al合金)层的结合以及铝(Al)(或者Al合金)层和钼(Mo)层的结合。然而，本发明不限于此。栅极线110可以由各种金属和导体制造。
第一数据线130a和第二数据线130b大体上在如图1所示的垂直方向上延伸，并且设置在第一像素电极170a和第二像素电极170b的两侧。第一数据线130a和第二数据线130b的每个的一部分突出以形成第一TFT 120a的第一源极电极125a或第二TFT 120b的第二源极电极125b。数据接触焊垫(未示出)形成在第一数据线130a和第二数据线130b的每个的端部。
第一数据线130a和第二数据线130b的每个可以由单层或者具有不同物理特性的两层或多层构成。当第一数据线130a和第二数据线130b的每个由两层或多层构成时，这些层之一可以由具有低电阻率的材料制造，以减小数据信号的延迟或者电压降，而其它层可以由与其它材料具有优良接触特性的材料制造。
在附图中，第一数据线130a和第二数据线130b是线状的。然而，第一数据线130a和第二数据线130b的每个可以具有预定的弯折(或者弯曲)区域。如果第一数据线130a和第二数据线130b的每个具有弯曲的区域，则第一像素电极170a和第二像素电极170b可以沿着第一数据线130a和第二数据线130b的每个的弯曲区域形成。
第一像素电极170a和第二像素电极170b设置在像素区域中。因此，在本实施例中，两个液晶电容器可以形成在像素区域中，即形成在单元像素中。不同的灰度信号可以传输到第一像素电极170a和第二像素电极170b，从而两个液晶电容器用不同的灰度信号充电。
如图1和5所示，第一像素电极170a设置在像素区域的中心，第二像素电极170b围绕第一像素电极170a。
第一像素电极170a的形状类似于弯带(bent band)，并且第一像素电极170a的上区域和下区域相对于横向地分开像素区域的线彼此映出。如图1所示，第一像素电极170a包括从像素区域的左上部延伸到其右中部的第一带、从像素区域的左下部延伸到其右中部的第二带和在像素区域的右中部将第一带连接到第二带的第三带。就是说，第一像素电极170a大致的形状类似于“V”。这里，第一带和第二带可以相对于栅极线110成大约45度的角度。然而，本发明不限于此。就是说，第一带和第二带可以相对于栅极线110成各种角度。
第二像素电极170b围绕大致形状类似“V”的第一像素电极170a。第二像素电极170b的上区域和下区域也彼此映出。第二像素电极170b包括设置在第一像素电极170a的第一带和第二带之间的区域中的第一片、连接到第一片且设置在第一带上方的区域中的第二片以及连接到第一片和第二片且设置在第二带下方的区域中的第三片。
第一像素电极170a和第二像素电极170b彼此分开。第一像素电极170a和第二像素电极170b的每个可以包括多个狭长切口图案171，作为用于控制液晶所取向的方向的域划分部分(domain partition portion)。然而，本发明不限于此。就是说，第一像素电极170a和第二像素电极170b可以包括诸如突出图案的各种域划分部分
供选地，根据图8中所示的本发明的修改实施例，第二像素电极170b可以包括多个微狭长切口图案172。
第一TFT 120a和第二TFT 120b分别包括第一栅极电极121a和第二栅极电极121b、第一源极电极125a和第二源极电极125b以及第一漏极电极126a和第二漏极电极126b。
第一源极电极125a和第二源极电极125b的每个的形状可以类似于图1和5所示的杯子形状。因此，每个第一源极电极125a和第二源极电极125b与每个第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的交叠区域可以扩大而增加第一TFT 120a或第二TFT 120b的沟道宽度。第一源极电极125a和第二源极电极125b的形状不限于杯子形状。第一源极电极125a和第二源极电极125b可以分别具有以增加第一TFT 120a和第二TFT 120b的沟道宽度的各种形状。第一源极电极125a通过在第一栅极电极121a上方突出第一数据线130a的端部而形成。第二源极电极125b通过在第二栅极电极121b上方突出第二数据线130b的端部而形成。
第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的每个电连接到第一像素电极170a和第二像素电极170b中的任一个。这里，相邻像素区域中的第一漏极电极或第二漏极电极可以连接到不同的像素电极。就是说，如图5所示，像素区域中的第一漏极电极126a连接到该像素区域中的第一像素电极170a，第二漏极电极126b连接到第二像素电极170b。另一方面，与上述像素区域相邻的另一个像素区域中的第一漏极电极126a连接到该像素区域中的第二像素电极170b，第二漏极电极126b连接到该像素区域中的第一像素电极170a。因此，根据本实施例的显示板可以进行反转驱动。
第一源极电极125a和第二源极电极125b以及第一漏极电极126a和第二漏极电极126b由与第一数据线130a和第二数据线130b相同的材料制造，并且与第一数据线130a和第二数据线130b同时图案化。如上所述，第一源极电极125a和第二源极电极125b分别电连接到相邻的第一数据线130a和第二数据线130b，而第一漏极电极126a和第二漏极电极126b分别与相邻的第一数据线130a和第二数据线130b电绝缘。
另外，第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的每个延伸到像素区域，并且与第一像素电极170a和第二像素电极170b的任一个电接触。因此，在第一漏极电极126a和第二漏极电极126b与邻近该第一漏极电极126a和该第二漏极电极126b的第一数据线130a和第二数据线130b之间分别形成寄生电容器(即耦合电容器)。
这里，形成在像素区域中的耦合电容器具有不同的电容。就是说，形成在第一漏极电极126a和邻近第一漏极电极126a的第一数据线130a之间的第一耦合电容器的第一耦合电容与形成在第二漏极电极126b和邻近第二漏极电极126b的第二数据线130b之间的第二耦合电容器的第二耦合电容显著不同。通常，第一耦合电容和第二耦合电容彼此相差超过第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的50％。例如，当第一耦合电容为一时，第二耦合电容通常为二或更大。
第一耦合电容和第二耦合电容之间具有这样的差来源于连接到第一像素电极170a和第二像素电极170b中的任一个的第一漏极电极126a与连接到第一像素电极170a和第二像素电极170b中的另一个的第二漏极电极126b的不同长度。就是说，在两个相邻的导电材料之间创建电容器，并且电容器的电容与这两个导电材料的交叠面积成比例。
因为上述原因，相邻像素区域的耦合电容之间也产生很大差别。例如，在像素区域中，第一漏极电极126a和邻近第一漏极电极126a的第一数据线130a之间的第一耦合电容大于第二漏极电极126b和邻近第二漏极电极126b的第二数据线130b之间的第二耦合电容。然而，在邻近上述像素区域的另一个像素区域中，第一耦合电容小于第二耦合电容。相邻像素区域的耦合电容之间的这样的差别导致选择性驱动期间相邻像素区域之间的大的亮度差。
在本实施例中，第一漏极电极126a与第一数据线130a之间和第二漏极电极126b与第二数据线130b之间的距离可以分别调整为使它们之间的第一耦合电容器的第一耦合电容和第二耦合电容器的第二耦合电容保持在预定的范围内，并且最小化第一耦合电容和第二耦合电容。就是说，第一耦合电容器的第一耦合电容与第二耦合电容器的第二耦合电容之间的差值可以在第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的50％或者更小的范围内保持恒定。也就是，第一耦合电容和第二耦合电容之间的差值可以在第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的5至40％的范围内保持恒定。优选地，第一耦合电容和第二耦合电容之间的差值可以在第一耦合电容和第二耦合电容的最大值的10至30％的范围内保持恒定。
如果第一耦合电容和第二耦合电容之间的差可以在上述范围内保持恒定，则可以减小反转驱动期间相邻像素区域之间的亮度差。如果第一耦合电容和第二耦合电容之差超过上述范围，则在反转驱动期间相邻像素区域之间会产生的明显的亮度差。最好是第一耦合电容和第二耦合电容之差为0，然而，这实际上是做不到的。因此，所希望的是保持第一耦合电容和第二耦合电容之差在上述范围内。可以最小化分别邻近第一数据线130a和第二数据线130b的第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的长度，以分别最小化第一耦合电容和第二耦合电容。
在本实施例中，最终，第一漏极电极126a与第一数据线130a和第二漏极电极126b与第二数据线130b之间的距离分别被调整为如上所述。这是因为两个导电材料之间的电容器的电容与它们之间的距离成反比。
因此，在本实施例中，第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的每个的延伸到像素区域的部分被弯曲为如图1和5所示。
第一漏极电极126a设置在第一栅极电极121a的上方，如图1和5所示。第一漏极电极126a包括第一电极部分126a-1、第一接触板126a-2和第一连接线126a-3。第一电极部分126a-1邻近第一源极电极125a设置。第一接触板126a-2设置在第一像素电极170a和第二像素电极170b的任一个下方，并与第一像素电极170a和第二像素电极170b的任一个连接。第一连接线126a-3将第一电极部分126a-1连接到第一接触板126a-2。第二漏极电极126b设置在第二栅极电极121b的上方，如图1和5所示。第二漏极电极126b包括第二电极部分126b-1、第二接触板126b-2和第二连接线126b-3。第二电极部分126b-1设置在第二栅极电极121b上方且与第二源极电极125b相邻。第二接触板126b-2设置在第一像素电极170a和第二像素电极170b中的另一个的下方，并与第一像素电极170a和第二像素电极170b中的另一个连接。第二连接线126b-3将第二电极部分126b-1连接到第二接触板126b-2。
第一耦合电容器形成在第一连接线126a-3和第一数据线130a之间，第二耦合电容器形成在第二连接线126b-3和第二数据线130b之间。在本实施例中，第一连接线126a-3和第二连接线126b-3多次弯曲。
第一电极部分126a-1和第二电极部分126b-1分别延伸进入形状类似于杯子的第一源极电极125a和第二源极电极125b中。第一接触板126a-2和第二接触板126b-2可以纵向设置从而防止光泄漏且保证足够的透射率，并且可以设置在第一像素电极170a的第二带和第二像素电极170b的第三片下方。
在本实施例中，第一连接线126a-3和第二连接线126b-3可以具有相同的线宽，并且可以垂直弯曲(bent vertically)以防止光泄漏。
第一连接线126a-3包括第一延伸部分Ea1至第五延伸部分Ea5。第一延伸部分Ea1沿远离第一栅极电极121a的方向从第一电极部分126a-1延伸。第二延伸部分Ea2从第一延伸部分Ea1将要被弯曲的端部在与第一数据线130a相反的方向延伸。第三延伸部分Ea3从第二延伸部分Ea2将要被弯曲的端部沿朝着第一接触板126a-2的方向延伸。第四延伸部分Ea4从第三延伸部分Ea3将要被弯曲的端部再一次在与第一数据线130a相反的方向延伸。第五延伸部分Ea5将第四延伸部分Ea4连接到第一接触板126a-2。
供选地，第一连接线126a-3可以包括第六延伸部分Ea6至第八延伸部分Ea8。第六延伸部分Ea6从第一电极部分126a-1在远离第一栅极电极121a的方向延伸。第七延伸部分Ea7从第六延伸部分Ea6将要被弯曲的端部在与第一数据线130a相反的方向延伸。第八延伸部分Ea8将第七延伸部分Ea7连接到第一接触板126a-2。
第二连接线126b-3包括第一延伸部分Eb1至第三延伸部分Eb3。第一延伸部分Eb1从第二电极部分126b-1在远离第二栅极电极121b的方向延伸。第二延伸部分Eb2从第一延伸部分Eb1将要被弯曲的端部在与第二数据线130b相反的方向延伸。第三延伸部分Eb3将第二延伸部分Eb2连接到第二接触板126b-2。
供选地，第二连接线126b-3可以包括第四延伸部分Eb4至第八延伸部分Eb8。第四延伸部分Eb4从第二电极部分126b-1在远离第二栅极电极121b的方向延伸。第五延伸部分Eb5从第四延伸部分Eb4将要被弯曲的端部在与第二数据线130b相反的方向上延伸。第六延伸部分Eb6从第五延伸部分Eb5将要被弯曲的端部沿朝着第二接触板126b-2的方向延伸。第七延伸部分Eb7从第六延伸部分Eb6将要被弯曲的端部再一次沿与第二数据线130b相反的方向延伸。第八延伸部分Ea8将第七延伸部分Eb7连接到第二接触板126b-2。
本发明不限于上面的示例。就是说，可以增加或者减少延伸部分的数量。例如，在图1中，第一连接线126a-1的第三延伸部分Ea3可以直接连接到第一接触板126a-2，而省略第四延伸部分Ea4和第五延伸部分Ea5。延伸部分的数量可以在能使开口率最大化的范围内被确定。
这是因为，对于根据本实施例的显示板的反转驱动，如图5所示，当第一接触板126a-2在像素区域中设置在第一像素电极170a下方时，在与上述像素区域相邻的另一个像素区域中，第二接触板126b-2设置在第一像素电极170a下方。
参考图1和3，第一连接线126a-3的第一延伸部分Ea1和第二连接线126b-3的第一延伸部分Eb1分别设置为最接近第一数据线130a和第二数据线130b。第一连接线126a-3和第二连接线126b-3的其他延伸部分分别比第一延伸部分Ea1和Eb1更远离第一数据线130a和第二数据线130b。
如图1所示，影响第一耦合电容器的第一耦合电容和第二耦合电容器的第二耦合电容的延伸部分是那些平行于第一数据线130a和第二数据线130b的部分。就是说，第一连接线126a-3的第一延伸部分Ea1、第三延伸部分Ea3和第五延伸部分Ea5影响第一耦合电容器，第二连接线126b-3的第一延伸部分Eb1和第三延伸部分Eb3影响第二耦合电容器。供选地，如图5所示，第一连接线126a-3的第六延伸部分Ea6和第八延伸部分Ea8会影响第一耦合电容器，第二连接线126b-3的第四、第六和第八延伸部分Eb4、Eb6和Eb8会影响第二耦合电容器。
在本实施例中，第一连接线126a-3的第一延伸部分Ea1和第二连接线126b-3的第一延伸部分Eb1可以具有相同的长度，并且可以最小化它们的长度。因此，可以在减小第一耦合电容和第二耦合电容的同时减小第一电容器的第一耦合电容和第二电容器的第二耦合电容之差。
参考图7，第一延伸部分Ea1或者Eb1的长度K1可足以使第一源极电极125a与从第一延伸部分Ea1的端部延伸的第二延伸部分Ea2之间，或第二源极电极125b与从第一延伸部分Eb1的端部延伸的第二延伸部分Eb2之间的距离D1保持TFT半导体制造工艺中所允许的最小的线间间隙(interlinegap)。这里，最小的线间间隙是指在金属图案化工艺中图案化金属时足以防止两个金属(例如，两个金属线)短路的距离。在本实施例中，最小线间间隙可以是4至10μm。
最小线间间隙等于第一漏极电极126a的第一电极部分126a-1与第一源极电极125a之间或者第二漏极电极126b的第二电极部分126b-1与第二源极电极125b之间的距离，该第一漏极电极126a设置在第一栅极电极121a上方且与第一栅极电极121a相邻，该第二漏极电极126b设置在第二栅极电极121b上方且与第二栅极电极121b相邻。
在本实施例中，如图1所示，第一连接线126a-3的第三延伸部分Ea3与第二接触板126b-2隔开最小线间间隙。因此，第一数据线130a和第三延伸部分Ea3之间的距离Ta2大于第一数据线130a和第一延伸部分Ea1之间的距离Ta1，如图3和4所示。另外，第二数据线130b和第三延伸部分Eb3之间的距离Tb2大于第二数据线130b和第一延伸部分Eb1之间的距离Tb1，如图3和4所示。
在本实施例中，第一连接线126a-3的第一延伸部分Ea1的长度K1被最小化，以减少第一数据线130a和第一延伸部分Ea1之间的电容。另外，第三延伸部分Ea3和第一数据线130a之间的距离被最大化，以减小第一数据线130a和第三延伸部分Ea3之间的电容。而且，第二连接线126b-3的第一延伸部分Eb1的长度K1被最小化，以减少第二数据线130b和第一延伸部分Eb1之间的电容。
这里，因为第一连接线126a-3的第一延伸部分Ea1的长度K1等于第二连接线126b-3的第一延伸部分Eb1的长度，所以第一数据线130a和第一延伸部分Ea1之间的电容在可接受的误差范围内等于第二数据线130b和第一延伸部分Eb1之间的电容。因为第一数据线130a和第三延伸部分Ea3之间的电容与它们之间的距离成反比，所以电容随着它们之间距离的增加而减小。因此，第一数据线130a和第三延伸部分Ea3之间的电容与第一数据线130a和第一延伸部分Ea1之间的电容相比具有相对更小的值。如图1所示，第一连接线126a-3的第五延伸部分Ea5距第一数据线130a最远。因此，第一数据线130a和第五延伸部分Ea5之间的电容可以忽略不计。
如上所述，在本实施例中，第一漏极电极126a和第二漏极电极126b垂直弯曲多次。在此情况下，第一漏极电极126a和第二漏极电极126b被弯曲使得第一源极电极125a和第二源极电极125b分别与第一漏极电极126a的第二延伸部分Ea2和第二漏极电极126b的第二延伸部分Eb2隔开最小线间间隙，并且使得弯曲的第一漏极电极126a和第二漏极电极126b彼此隔开最小线间间隙。结果，可以减小像素区域中的第一耦合电容和第二耦合电容，并且还可以减小第一耦合电容和第二耦合电容之差。另外，可以减小相邻像素区域之间的耦合电容的差。此外，当像素区域中的第一像素电极170a和第二像素电极170b以不同的像素信号充电时，并且当相邻像素区域以相反极性的像素信号充电时，可以减小在相邻像素区域之间产生的亮度差。
在本实施例中，如图1和5所示，第一像素电极170a和第二像素电极170b设置在一个像素区域中，并且用不同的像素信号充电。第一TFT 120a和第二TFT 120b分别给第一像素电极170a和第二像素电极170b提供第一和第二像素信号(灰度电压)，该第一和第二像素信号(灰度电压)响应传输到栅极线110的信号而从第一数据线130a和第二数据线130b被提供。
在本实施例中，像素区域中的第一像素电极170a和第二像素电极170b可以通过第一数据线130a和第二数据线130b以及第一TFT 120a和第二TFT120b接收像素信号，对于与上述像素区域相邻的另一个像素区域中的第一像素电极170a和第二像素电极170b，情况相反。就是说，如图5所示，像素区域中的第一像素电极170a经由该像素区域中的第一TFT 120a接收第一像素信号，第一像素信号被传输到该像素区域两侧的第一数据线130a和第二数据线130b当中的第一数据线130a。该像素区域中的第二像素电极170b经由像素区域中的第二TFT 120b接收被传输到像素区域两侧的第一数据线130a和第二数据线130b当中的第二数据线130b的第二像素信号。另一方面，与上述像素区域相邻的另一个像素区域中的第一像素电极170a经由像素区域中的第二TFT 120b接收被传输到像素区域两侧的第一数据线130a和第二数据线130b当中的第二数据线130b的第二像素信号。该像素区域中的第二像素电极170b经由像素区域中的第一TFT 120a接收传输到像素区域两侧的第一数据线130a和第二数据线130b当中的第一数据线130a的第一像素信号。
在此情况下，高灰度信号可以用作第一像素信号，而低灰度信号可以用作第二像素信号。因此，当第一TFT 120a和第二TFT 120b导通时，高灰度信号和低灰度信号之一可以传输到像素区域中的第一像素电极170a，高灰度信号和低灰度信号中的另一个可以传输到第二像素电极170b。另外，具有不同于传输到上述像素区域中的第一像素电极170a和第二像素电极170b的灰度信号的灰度等级(grayscale level)和极性的灰度信号可以传输到与上述像素区域相邻的像素区域中的第一像素电极170a和第二像素电极170b。就是说，可以进行反转驱动。
绝缘钝化层160形成在第一TFT 120a和第二TFT 120b以及第一数据线130a和第二数据线130b上。钝化层160包括第一钝化层161和第二钝化层162。第一钝化层161采用诸如SiNx或者SiO2的无机绝缘层，第二钝化层162采用低介电常数的有机层。
第一像素接触孔150a和第二像素接触孔150b形成在绝缘钝化层160中。第一像素接触孔150a暴露第一漏极电极126a的第一接触板126a-2，第二像素接触孔150b暴露第二漏极电极126b的第二接触板126b-2。
上面描述的第一像素电极170a和第二像素电极170b形成在钝化层160上方。第一像素电极170a通过第一像素接触孔150a和第二像素接触孔150b中的任意一个连接到第一漏极电极126a和第二漏极电极126b中的任意一个，第二像素电极170b通过第一像素接触孔150a和第二像素接触孔150b中的另一个连接到第一漏极电极126a和第二漏极电极126b中的另一个。
在本实施例中，存储线140沿与栅极线110的每个所延伸的方向相同的方向延伸，并且通过每个像素区域。另外，第一耦合突出141和第二耦合突出142从存储线140延伸并且与第一像素电极170a和第二像素电极170b部分交叠。形成第一耦合突出141和第二耦合突出142以保持每个像素区域中的第一耦合电容和第二耦合电容恒定。就是说，当与每个像素区域左侧和右侧的相应数据线耦接时，第一像素电极170a和第二像素电极170b会改变，由此导致串扰(crosstalk)。为了解决这一问题，在本实施例中，形成第一耦合突出141和第二耦合突出142以保持第一耦合电容和第二耦合电容不变。在此情况下，如图1和5所示，如果第一耦合突出141的长度大于第二耦合突出142的长度，则效果会更好。第一耦合突出141邻近第一数据线130a设置，第二耦合突出142b邻近第二数据线130b设置。
存储线140以及第一耦合突出141和第二耦合突出142由与栅极线110相同的材料制成，并且与栅极线110同时被图案化。在此情况下，可以有效地向存储线140施加公共电压。
公共电极基板2000包括黑矩阵210、红绿蓝滤色器220和覆层230。黑矩阵210形成在由诸如玻璃的透明绝缘材料制成的绝缘基板2000的底表面上。黑矩阵210防止光泄露和相邻像素区域间的光干涉(interference)。由有机材料制造的覆层230形成在滤色器220上。由诸如铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制造的公共电极240形成在覆层230上。多个狭长切口图案241形成在公共电极240中。在本实施例中，如图1所示，狭长切口图案241设置在分开第一像素电极170a和第二像素电极170b的位置处。突出图案也可以用来代替狭长切口图案241。
第一像素电极170a和第二像素电极170b的狭长切口图案171和公共电极240的狭长切口图案241用作划分液晶分子并相应地对液晶分子进行配向的域划分部分。域划分部分可以设置在第一像素电极170a和第二像素电极170b以及公共电极240的任何一个或者多个中。第一子液晶电容器和第二子液晶电容器的每个形成在第一像素电极170a和第二像素电极170b的每个与公共电极240之间。因此，具有两个子液晶电容器的单元像素可以形成在每个像素区域中。在根据本实施例的显示装置中，多个单元像素按矩阵设置。
上面描述的TFT基板1000和公共电极基板2000彼此耦接，液晶层3000插设在TFT基板1000和公共电极基板2000之间。因此，完成了根据本实施例在每个单元像素中具有第一子像素和第二子像素的显示装置的基础面板(base panel)。显示装置可以包括在TFT基板1000和公共电极基板2000之间具有负型介电常数各向异性的液晶，并且该液晶可以被垂直配向。然而，本发明不限于此。尽管图中没有示出，但是偏振器、背光、补偿器及其它部件可以设置在显示装置的基础面板两侧。
下面，将对包括多个单元像素的显示装置的运行进行详细描述，其中单元像素的每个在像素区域中具有第一子液晶电容器和第二子液晶电容器。
当第一灰度电压和第二灰度电压分别施加给单元像素中的第一像素电极170a和第二像素电极170b时，施加有公共电压Vcom的公共电极240与第一像素电极170a和第二像素电极170b的每个之间产生电势差。通过介电各向异性，该电势差引起插设在TFT基板1000和公共电极基板2000之间的液晶转动。另外，通过该电势差控制经由第一像素电极170a和第二像素电极170b从光源(未示出)入射到液晶层3000的光的量，并且光透射朝向公共电极基板2000。透射到公共电极基板2000的光通过形成在公共电极基板2000上的滤色器220。因此，呈现了预想的颜色。
现在将对显示装置的选择性驱动进行描述，集中在将灰度信号传输到TFT基板1000的第一像素电极170a和第二像素电极170b上。
来自外源的栅极导通电压依次施加到栅极线110，多个灰度电压分别施加到第一数据线130a和第二数据线130b。然后，导通连接到被施加栅极导通电压的每条栅极线110的第一TFT 120a和第二TFT 120b。因此，连接到第一TFT 120a的第一数据线130a的第一灰度信号传输到连接到第一TFT120a的第一像素电极170a或者第二像素电极170b。此外，连接到第二TFT120b的第二数据线130b的第二灰度信号传输到连接到第二TFT 120b的第一像素电极170a或者第二像素电极170b，现在将对其进行详细描述。
图5示出了两个相邻像素区域图案。为了简化起见，图5左侧的像素区域图案被称为第一像素区域图案，图5右侧的像素区域图案被称为第二像素区域图案。
当栅极导通电压施加到栅极线110时，导通第一TFT 120a和第二TFT120b。因此，第一像素区域图案的第一像素电极170a和第二像素电极170b分别电连接到第一数据线130a和第二数据线130b。另外，第二像素区域图案的第一像素电极170a和第二像素电极170b分别电连接到第二数据线130b和第一数据线130a。这样，相邻第一像素区域图案和第二像素区域图案的第一像素电极170a和第二像素电极170b次序颠倒地电连接到第一数据线130a和第二数据线130b。
这里，显示装置进行线反转驱动，其中具有相反极性的信号传输给相邻数据线。当显示装置的帧频为60Hz或者更高(例如，120Hz)时，增加了每个数据线的负荷。因此，点反转驱动实际上是不可能的。然而，在本实施例中，基于以上所述，第一像素电极170a和第二像素电极170b的每个与第一数据线130a和第二数据线130b的每个之间的连接逐个像素区域地颠倒，由此获得点反转驱动的效果。结果，可以减少瑕疵，即垂直线。
参考图6，当栅极导通电压施加给第一栅极线G1时，连接到第一栅极线G1的第一TFT 120a和第二TFT 120b也被导通。因此，第一像素区域中的第一数据线D1-a的正第一灰度信号传输到第一像素区域中的第一像素电极170a，而第一像素区域中的第二数据线D1-b的负第二灰度信号传输到第一像素区域中的第二像素电极170b。另外，第二像素区域中的第一数据线D2-a的正第一灰度信号传输到第二像素区域中的第二像素电极170b，而第二像素区域中的第二数据线D2-b的负第二灰度信号输到第二像素区域中的第一像素电极170a。第三像素区域中的第一数据线D3-a的正第一灰度信号传输到第三像素区域中的第一像素电极170a，而第三像素区域中的第二数据线D3-b的负第二灰度信号传输到第三像素区域中的第二像素电极170b。
因此，第一像素区域中的第一像素电极170a以正电压充电，而与第一像素区域相邻的第二像素区域中的第一像素电极170a以负电压充电。另外，第一像素区域中的第二像素电极170b以负电压充电，而与第一像素区域相邻的第二像素区域中的第二像素电极170b以正电压充电。因为相邻像素区域中的第一像素电极170a或者第二像素电极170b以具有不同电平的不同灰度电压充电，所以可以进行点反转驱动。点反转驱动可以防止产生瑕疵，即产生垂直线(vertical line)。
在本实施例中，第一TFT 120a和第二TFT 120b同时导通或者截止。因此，第一灰度信号和第二灰度信号在1H周期期间可以同时被提供到第一像素电极170a和第二像素电极170b。因此，即使帧频增加，也可以保证以充足的时间用第一灰度信号和第二灰度信号为第一像素电极170a和第二像素电极170b充电。
如上所述，在本实施例中，第一漏极电极126a和第二漏极电极126b被弯曲使得分别邻近第一数据线130a和第二数据线130b的第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的长度可以最小化。
因此，第一数据线130a和第二数据线130b的每个与第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的每个之间的耦合电容器的电容可以最小，并且相邻像素区域的耦合电容器的电容之差可以得到减小，由此最小化反转驱动期间会引起的相邻像素区域的亮度之差。
图9A是图解根据比较示例的显示装置的平均亮度偏差的曲线图。图9B是图解根据本发明的示范性实施例的显示装置的平均亮度偏差的曲线图。
具体地，图9A的曲线图示出了第一漏极电极126a和第二漏极电极126b的第一连接线126a-3和第二连接线126b-3分别为没有弯曲或者仅弯曲一次的显示装置的平均亮度偏差。也就是，第一连接线126a-3和第二连接线126b-3可以分别从第一漏极电极126a的第一电极部分126a-1和第二漏极电极126b的第二电极部分126b-1延伸，并且可以分别直接连接到第一接触板126a-2和第二接触板126b-2。供选地，第一连接线126a-3和第二连接线126b-3可以分别从第一漏极电极126a的第一电极部分126a-1和第二漏极电极126b的第二电极部分126b-1延伸到邻近第一接触板126a-2和第二接触板126b-2的区域，在此区域处可以被弯曲，并且可以分别连接到第一接触板126a-2和第二接触板126b-2。
另一方面，图9B的曲线图示出了这样的显示装置的平均亮度偏差，如图5所示，在这样的显示装置中，第一漏极电极126a的第一连接线126a-3和第二漏极电极126b的第二连接线126b-3分别在第一TFT 120a的第一栅极电极121a和第二TFT 120b的第二栅极电极121b的上方被弯曲，再一次或者多次被弯曲，然后分别连接到第一接触板126a-2和第二接触板126b-2。
参考图9A的曲线，根据比较示例的显示装置在第一数据线130a和第二数据线130b的每个与第一连接线126a-3和第二连接线126b-3的每个之间具有大的耦合电容。另外，单元像素的耦合电容不均匀。因此，根据比较示例的显示装置显示出大的平均亮度偏差。
另一方面，参考图9B的曲线，根据本发明的示范性实施例的显示装置在第一数据线130a和第二数据线130b的每个与第一连接线126a-3和第二连接线126b-3的每个之间具有小的耦合电容。另外，单元像素的耦合电容均匀。因此，根据本发明示范性实施例的显示装置显示出减小的平均亮度偏差。
如上所述，根据本发明，连接到单元像素中的像素电极的TFT的漏极电极被垂直弯曲多次，以增加邻近该单元像素设置的数据线和漏极电极之间的距离。因此，数据线和漏极电极之间的寄生电容(即，耦合电容)可以被减小，并且每个单元像素可以具有预定范围内的一致的寄生电容。
另外，本发明可以减小寄生电容以及寄生电容之间的差值，由此降低了进行反转驱动的显示装置的亮度偏差。
尽管已经参考示范性实施例对本发明进行了示出和描述，但是本领域的普通技术人员应当理解的是，在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内，可以对其进行形式上和细节上的各种改变。应该将示范性实施例看作仅为描述意义上的而不是为了限制。
本申请要求于2008年3月17日提交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2008-0024441的优先权，并将其揭示的内容全部结合于此作为参考。

Claims (23)

1、一种薄膜晶体管基板，包括：
多个栅极线和与所述栅极线交叉的多个第一数据线和第二数据线；
多个第一像素电极和第二像素电极，分别设置在由所述栅极线与所述第一数据线和所述第二数据线定义的多个单元像素区域中；
第一薄膜晶体管，设置在单元像素区域中，并且包括连接到栅极线的第一栅极端、连接到第一数据线的第一源极电极和连接到第一像素电极和第二像素电极中的任一个的第一漏极电极；以及
第二薄膜晶体管，设置在所述单元像素区域中，并且包括连接到所述栅极线的第二栅极端、连接到第二数据线的第二源极电极以及连接到所述第一像素电极和所述第二像素电极中的另一个的第二漏极电极，
其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极设置为保持所述第一漏极电极和所述第一数据线之间的第一耦合电容与所述第二漏极电极和所述第二数据线之间的第二耦合电容的差值在所述第一耦合电容和所述第二耦合电容的最大值的50％或者更小的范围内。
2、如权利要求1所述的基板，其中所述第一耦合电容和所述第二耦合电容之差为所述第一耦合电容和所述第二耦合电容的最大值的5％至40％。
3、如权利要求1所述的基板，其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极弯曲多次。
4、如权利要求3所述的基板，其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极被垂直弯曲。
5、如权利要求4所述的基板，其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的端部区域分别与所述第一源极电极和所述第二源极电极分隔，并且所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个的所述端部区域与所述第一源极电极或者第二源极电极之间的距离等于从所述第一漏极电极和第二漏极电极的每个的所述端部区域的末端延伸的区域与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距离，所述第一漏极电极或者所述第二漏极电极在所述端部区域的所述末端被弯曲并延伸。
6.如权利要求4所述的基板，其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个具有由第二部分和设置在所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个的末端的第一部分构成的弯曲部分，所述弯曲部分围绕所述第一源极电极或者所述第二源极电极并且与所述第一源极电极或者所述第二源极电极分隔，所述第一部分与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距离等于所述第二部分与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距离。
7、如权利要求5或6所述的基板，其中在所述单元像素区域的中心，弯曲的所述第一漏极电极和第二漏极电极的各区域彼此分隔以上所述距离。
8、如权利要求5或6所述的基板，其中所述距离是足以防止所述第一源极电极和所述第二源极电极的每个与所述第一漏极电极或者所述第二漏极电极之间短路的线间间隙，并且所述线间间隙为4μm至10μm。
9、如权利要求1所述的基板，其中所述第一漏极电极包括设置在所述第一栅极电极上方并且与所述第一源极电极相邻的第一电极部分、连接到所述第一像素电极和所述第二像素电极之一的第一接触板以及将所述第一电极部分连接到所述第一接触板的第一连接线，
所述第二漏极电极包括设置在所述第二栅极电极上方并且与所述第二源极电极相邻的第二电极部分、连接到所述第一像素电极和所述第二像素电极中的另一个的第二接触板以及将所述第二电极部分连接到所述第二接触板的第二连接线。
10、如权利要求9所述的基板，其中第一单元像素区域中的所述第一漏极电极的所述第一接触板连接到所述第一像素电极，而所述第一单元像素区域中的所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第二像素电极，并且
其中与所述第一单元像素区域相邻的第二单元像素区域中的所述第一漏极电极的所述第一接触板连接到所述第二像素电极，而所述第二单元像素区域中的所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第一像素电极。
11、如权利要求10所述的基板，其中如果所述第一漏极电极的所述第一接触板连接到所述第一像素电极，所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第二像素电极，则
所述第一连接线包括从所述第一电极部分沿远离所述第一栅极电极的方向延伸的1-1延伸部分、从所述1-1延伸部分将要被弯曲的末端沿与所述第一数据线相反的方向延伸的1-2延伸部分、从所述1-2延伸部分将要被弯曲的末端沿朝着所述第一接触板的方向延伸的1-3延伸部分、从所述1-3延伸部分将要被弯曲的末端沿与所述第一数据线相反的方向延伸的1-4延伸部分以及将所述1-4延伸部分连接到所述第一接触板的1-5延伸部分，并且
所述第二连接线包括从所述第二电极部分沿远离所述第二栅极电极的方向延伸的2-1延伸部分、从所述2-1延伸部分将要被弯曲的末端沿与第二数据线相反的方向延伸的2-2延伸部分以及将所述2-2延伸部分连接到所述第二接触板的2-3延伸部分。
12、如权利要求11所述的基板，其中所述1-3延伸部分和所述第一数据线之间的距离以及所述1-5延伸部分和所述第一数据线之间的距离大于所述1-1延伸部分和所述第一数据线之间的距离，并且所述1-1延伸部分和所述第一数据线之间的距离在可接受的误差范围内等于所述2-1延伸部分和所述第二数据线之间的距离。
13、如权利要求10所述的基板，其中如果所述第一漏极电极的所述第一接触板连接到所述第二像素电极并且所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第一像素电极，则
所述第一连接线包括从所述第一电极部分沿远离所述第一栅极电极的方向延伸的1-6延伸部分、从所述1-6延伸部分将要被弯曲的末端沿与所述第一数据线相反的方向延伸的1-7延伸部分以及将所述1-7延伸部分连接到所述第一接触板的1-8延伸部分，并且
所述第二连接线包括从所述第二电极部分沿远离所述第二栅极电极的方向延伸的2-4延伸部分、从所述2-4延伸部分将要被弯曲的末端沿与所述第二数据线相反的方向延伸的2-5延伸部分、从所述2-5延伸部分将要被弯曲的末端沿朝着所述第二接触板的方向延伸的2-6延伸部分、从所述2-6延伸部分将要被弯曲的末端沿与所述第二数据线相反的方向延伸的2-7延伸部分以及将所述2-7延伸部分连接到所述第二接触板的2-8延伸部分。
14、如权利要求13所述的基板，其中所述2-6延伸部分和所述第二数据线之间的距离以及所述2-8延伸部分和所述第二数据线之间的距离大于所述2-4延伸部分和所述第二数据线之间的距离，并且所述2-4延伸部分和所述第二数据线之间的距离在可接受的误差范围内等于所述1-6延伸部分和所述第一数据线之间的距离。
15、如权利要求1所述的基板，其中所述第一数据线和所述第二数据线、所述第一源极电极和所述第二源极电极以及所述第一漏极电极和所述第二漏极电极由相同的材料制造，并同时被图案化。
16、如权利要求1所述的基板，还包括：
多个存储线，分别通过所述单元像素区域，并且在与所述栅极线相同的方向上延伸；以及
第一耦合突出和第二耦合突出，从所述存储线的每个延伸，并且与所述第一像素电极和所述第二像素电极部分交叠，
其中所述第一耦合突出邻近所述第一数据线设置，所述第二耦合突出邻近所述第二数据线设置，并且所述第一耦合突出长于所述第二耦合突出。
17、一种显示装置，包括：
多个单元像素，每个按矩阵设置并且包括具有第一像素电极和公共电极的第一液晶电容器以及具有第二像素电极和所述公共电极的第二液晶电容器；
多个栅极线，沿所述单元像素的行方向延伸；
多个第一数据线和第二数据线，沿所述单元像素的列方向延伸，并且分别布置在所述单元像素的每列的两侧；
第一薄膜晶体管，设置在所述单元像素的每个中，并且包括连接到所述第一数据线的第一源极电极以及连接到所述第一液晶电容器和所述第二液晶电容器中任一个的第一漏极电极；以及
第二薄膜晶体管，设置在所述单元像素区域的每个中，并且包括连接到所述第二数据线的第二源极电极以及连接到所述第一液晶电容器和所述第二液晶电容器中的另一个的第二漏极电极，
其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极弯曲多次，以保持所述第一漏极电极和所述第一数据线之间的第一耦合电容与所述第二漏极电极和所述第二数据线之间的第二耦合电容之差在所述第一耦合电容和所述第二耦合电容的最大值的50％或者更小的范围内。
18、如权利要求17所述的装置，其中所述第一漏极电极和第二漏极电极垂直弯曲。
19、如权利要求17所述的装置，其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的端部区域分别与所述第一源极电极和所述第二源极电极分隔，并且所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个的所述端部区域与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距离等于从所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个的所述端部区域的末端延伸的区域与所述第一源极电极或者第二源极电极之间的距离，所述第一漏极电极或者所述第二漏极电极在所述端部区域的所述末端被弯曲并延伸。
20.如权利要求17所述的基板，其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个具有由第二部分和设置在所述第一漏极电极和所述第二漏极电极的每个的末端的所述第一部分构成的弯曲部分，所述弯曲部分围绕所述第一源极电极或者所述第二源极电极并且与所述第一源极电极或者所述第二源极电极分隔，所述第一部分与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距离等于所述第二部分与所述第一源极电极或者所述第二源极电极之间的距离。
21、如权利要求19或20所述的装置，其中所述距离是足以防止所述第一源极电极和所述第二源极电极的每个与所述第一漏极电极或者所述第二漏极电极之间短路的线间间隙，并且所述线间间隙为4μm至10μm。
22、如权利要求17所述的装置，其中所述第一漏极电极包括设置在所述第一栅极电极上方并且与所述第一源极电极相邻的第一电极部分、连接到所述第一像素电极和所述第二像素电极之一的第一接触板以及将所述第一电极部分连接到所述第一接触板的第一连接线，并且
所述第二漏极电极包括设置在所述第二栅极电极上方并且与所述第二源极电极相邻的第二电极部分、连接到所述第一像素电极和所述第二像素电极中的另一个的第二接触板以及将所述第二电极部分连接到所述第二接触板的第二连接线。
23、如权利要求22所述的装置，其中第一单元像素区域中的所述第一漏极电极的所述第一接触板连接到所述第一液晶电容器，所述第一单元像素区域中的所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第二液晶电容器，并且
其中在与所述第一单元像素区域相邻的第二单元像素区域中，所述第一漏极电极的所述第一接触板连接到所述第二液晶电容器，所述第二漏极电极的所述第二接触板连接到所述第一液晶电容器。
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