JP2003149664A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低消費電力で駆動できるものを得る。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により動作する第1のスイッチング素子およ
び第２のスイッチング素子と、第１のドレイン信号線か
ら前記第１のスイッチング素子を介して映像信号が供給
される第１の画素電極と、第２のドレイン信号線から前
記第２のスイッチング素子を介して映像信号が供給され
る第２の画素電極とを備えるとともに、少なくとも前記
第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側に該第
１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を備える
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により動作する第1のスイッチング素子およ
び第２のスイッチング素子と、第１のドレイン信号線か
ら前記第１のスイッチング素子を介して映像信号が供給
される第１の画素電極と、第２のドレイン信号線から前
記第２のスイッチング素子を介して映像信号が供給され
る第２の画素電極とを備えるとともに、少なくとも前記
第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側に該第
１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を備える
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえば反射型と称される液晶表示装置に関する。
り、たとえば反射型と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】反射型と称される液晶表示装置は、たと
えば太陽光等の外来光を液晶に透過させた後に該液晶の
背面に配置された反射膜で反射させ、該液晶の光透過率
に応じた光量の反射光を観察するようになっている。
えば太陽光等の外来光を液晶に透過させた後に該液晶の
背面に配置された反射膜で反射させ、該液晶の光透過率
に応じた光量の反射光を観察するようになっている。
【０００３】ここで、液晶表示装置は液晶を介して対向
配置される一対の基板を外囲器とし、該液晶の広がり方
向に多数の画素が形成されて構成され、それぞれの画素
にはその部分の液晶の光透過率を制御させるための電界
発生手段が組み込まれている。
配置される一対の基板を外囲器とし、該液晶の広がり方
向に多数の画素が形成されて構成され、それぞれの画素
にはその部分の液晶の光透過率を制御させるための電界
発生手段が組み込まれている。
【０００４】そして、反射型と称されるものは、上記構
成において、観察する側の基板と異なる他の基板の液晶
側の面に反射膜が形成されて構成されている。
成において、観察する側の基板と異なる他の基板の液晶
側の面に反射膜が形成されて構成されている。
【０００５】このような液晶表示装置は、バックライト
等の光照射手段を不用とすることから低電力化の面で優
れている。
等の光照射手段を不用とすることから低電力化の面で優
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような液
晶表示装置においても、液晶の光透過率を制御させるた
めの電界発生手段に電力を供給させなければならず、そ
の電力の低減を図ることによってさらなる低電力化を図
ることが要望されるに至った。
晶表示装置においても、液晶の光透過率を制御させるた
めの電界発生手段に電力を供給させなければならず、そ
の電力の低減を図ることによってさらなる低電力化を図
ることが要望されるに至った。
【０００７】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的はさらなる低消費電力の液晶表示
装置を提供することにある。
れたもので、その目的はさらなる低消費電力の液晶表示
装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の画素領域に、ゲート信号線からの走査信号により動
作する第1のスイッチング素子および第２のスイッチン
グ素子と、第１のドレイン信号線から前記第１のスイッ
チング素子を介して映像信号が供給される第１の画素電
極と、第２のドレイン信号線から前記第２のスイッチン
グ素子を介して映像信号が供給される第２の画素電極と
を備えるとともに、少なくとも前記第１および第２の各
画素電極よりも一方の基板側に該第１および第２の各画
素電極と絶縁されて反射膜を備えることを特徴とするも
のである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。 手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の画素領域に、ゲート信号線からの走査信号により動
作する第1のスイッチング素子および第２のスイッチン
グ素子と、第１のドレイン信号線から前記第１のスイッ
チング素子を介して映像信号が供給される第１の画素電
極と、第２のドレイン信号線から前記第２のスイッチン
グ素子を介して映像信号が供給される第２の画素電極と
を備えるとともに、少なくとも前記第１および第２の各
画素電極よりも一方の基板側に該第１および第２の各画
素電極と絶縁されて反射膜を備えることを特徴とするも
のである。
【０００９】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走査
信号により動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜トラ
ンジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、第１のドレ
イン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して映
像信号が供給される第１の画素電極と、第２のドレイン
信号線から前記第２の薄膜トランジスタを介して映像信
号が供給される第２の画素電極とを備えるとともに、少
なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方の
基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて反
射膜を備えることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線からの走査
信号により動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜トラ
ンジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、第１のドレ
イン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して映
像信号が供給される第１の画素電極と、第２のドレイン
信号線から前記第２の薄膜トランジスタを介して映像信
号が供給される第２の画素電極とを備えるとともに、少
なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方の
基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて反
射膜を備えることを特徴とするものである。
【００１０】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する第1のスイッチング素子および第２のスイ
ッチング素子と、第１のドレイン信号線から前記第１の
スイッチング素子を介して映像信号が供給される第１の
画素電極と、第２のドレイン信号線から前記第２のスイ
ッチング素子を介して映像信号が供給される第２の画素
電極と、前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信
号線であって当該画素領域を画する他のゲート信号線に
ゲート電極が接続されドレイン電極およびソース電極の
うち一方が前記第１の画素電極と接続された第３のスイ
ッチング素子と、前記一方の側のゲート信号線と異なる
ゲート信号線であって当該画素領域を画する他のゲート
信号線にゲート電極が接続されドレイン電極およびソー
ス電極のうち一方が前記第２の画素電極と接続された第
４のスイッチング素子と、を備えるとともに、少なくと
も前記第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側
に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を
備え、この反射膜には前記第３のスイッチング素子のド
レイン電極およびソース電極のうち他方が接続されてい
るとともに、前記第４のスイッチング素子のドレイン電
極およびソース電極のうち他方が接続されていることを
特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する第1のスイッチング素子および第２のスイ
ッチング素子と、第１のドレイン信号線から前記第１の
スイッチング素子を介して映像信号が供給される第１の
画素電極と、第２のドレイン信号線から前記第２のスイ
ッチング素子を介して映像信号が供給される第２の画素
電極と、前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信
号線であって当該画素領域を画する他のゲート信号線に
ゲート電極が接続されドレイン電極およびソース電極の
うち一方が前記第１の画素電極と接続された第３のスイ
ッチング素子と、前記一方の側のゲート信号線と異なる
ゲート信号線であって当該画素領域を画する他のゲート
信号線にゲート電極が接続されドレイン電極およびソー
ス電極のうち一方が前記第２の画素電極と接続された第
４のスイッチング素子と、を備えるとともに、少なくと
も前記第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側
に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を
備え、この反射膜には前記第３のスイッチング素子のド
レイン電極およびソース電極のうち他方が接続されてい
るとともに、前記第４のスイッチング素子のドレイン電
極およびソース電極のうち他方が接続されていることを
特徴とするものである。
【００１１】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜トランジス
タおよび第２の薄膜トランジスタと、第１のドレイン信
号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して映像信号
が供給される第１の画素電極と、第２のドレイン信号線
から前記第２の薄膜トランジスタを介して映像信号が供
給される第２の画素電極と、前記一方の側のゲート信号
線と異なるゲート信号線であって当該画素領域を画する
他のゲート信号線にゲート電極が接続されドレイン電極
およびソース電極のうち一方が前記第１の画素電極と接
続された第３の薄膜トランジスタと、前記一方の側のゲ
ート信号線と異なるゲート信号線であって当該画素領域
を画する他のゲート信号線にゲート電極が接続されドレ
イン電極およびソース電極のうち一方が前記第２の画素
電極と接続された第４の薄膜トランジスタと、を備える
とともに、少なくとも前記第１および第２の各画素電極
よりも一方の基板側に該第１および第２の各画素電極と
絶縁されて反射膜を備え、この反射膜には前記第３の薄
膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極のうち
他方が接続されているとともに、前記第４の薄膜トラン
ジスタのドレイン電極およびソース電極のうち他方が接
続されていることを特徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜トランジス
タおよび第２の薄膜トランジスタと、第１のドレイン信
号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して映像信号
が供給される第１の画素電極と、第２のドレイン信号線
から前記第２の薄膜トランジスタを介して映像信号が供
給される第２の画素電極と、前記一方の側のゲート信号
線と異なるゲート信号線であって当該画素領域を画する
他のゲート信号線にゲート電極が接続されドレイン電極
およびソース電極のうち一方が前記第１の画素電極と接
続された第３の薄膜トランジスタと、前記一方の側のゲ
ート信号線と異なるゲート信号線であって当該画素領域
を画する他のゲート信号線にゲート電極が接続されドレ
イン電極およびソース電極のうち一方が前記第２の画素
電極と接続された第４の薄膜トランジスタと、を備える
とともに、少なくとも前記第１および第２の各画素電極
よりも一方の基板側に該第１および第２の各画素電極と
絶縁されて反射膜を備え、この反射膜には前記第３の薄
膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極のうち
他方が接続されているとともに、前記第４の薄膜トラン
ジスタのドレイン電極およびソース電極のうち他方が接
続されていることを特徴とするものである。
【００１２】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する第1のスイッチング素子および第２のスイ
ッチング素子と、一方の側のドレイン信号線から前記第
１のスイッチング素子を介して映像信号が供給される第
１の画素電極と、共通信号線から前記第２のスイッチン
グ素子を介して映像信号が供給される第２の画素電極
と、前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線
であって当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲー
ト電極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち
一方が前記第１の画素電極と接続された第３のスイッチ
ング素子と、前記一方の側のゲート信号線と異なるゲー
ト信号線であって当該画素領域を画する他のゲート信号
線にゲート電極が接続されドレイン電極およびソース電
極のうち一方が前記第２の画素電極と接続された第４の
スイッチング素子と、を備えるとともに、少なくとも前
記第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側に該
第１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を備
え、この反射膜には前記第３のスイッチング素子のドレ
イン電極およびソース電極のうち他方が接続されている
とともに、前記第４のスイッチング素子のドレイン電極
およびソース電極のうち他方が接続されていることを特
徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する第1のスイッチング素子および第２のスイ
ッチング素子と、一方の側のドレイン信号線から前記第
１のスイッチング素子を介して映像信号が供給される第
１の画素電極と、共通信号線から前記第２のスイッチン
グ素子を介して映像信号が供給される第２の画素電極
と、前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線
であって当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲー
ト電極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち
一方が前記第１の画素電極と接続された第３のスイッチ
ング素子と、前記一方の側のゲート信号線と異なるゲー
ト信号線であって当該画素領域を画する他のゲート信号
線にゲート電極が接続されドレイン電極およびソース電
極のうち一方が前記第２の画素電極と接続された第４の
スイッチング素子と、を備えるとともに、少なくとも前
記第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側に該
第１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を備
え、この反射膜には前記第３のスイッチング素子のドレ
イン電極およびソース電極のうち他方が接続されている
とともに、前記第４のスイッチング素子のドレイン電極
およびソース電極のうち他方が接続されていることを特
徴とするものである。
【００１３】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜トランジス
タおよび第２の薄膜トランジスタと、一方の側のドレイ
ン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して映像
信号が供給される第１の画素電極と、共通信号線から前
記第２の薄膜トランジスタを介して映像信号が供給され
る第２の画素電極と、前記一方の側のゲート信号線と異
なるゲート信号線であって当該画素領域を画する他のゲ
ート信号線にゲート電極が接続されドレイン電極および
ソース電極のうち一方が前記第１の画素電極と接続され
た多結晶Ｓｉからなる第３の薄膜トランジスタと、前記
一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であって
当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電極が
接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方が前
記第２の画素電極と接続された多結晶Ｓｉからなる第４
の薄膜トランジスタと、を備えるとともに、少なくとも
前記第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側に
該第１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を備
え、この反射膜には前記第３の薄膜トランジスタのドレ
イン電極およびソース電極のうち他方が接続されている
とともに、前記第４の薄膜トランジスタのドレイン電極
およびソース電極のうち他方が接続されていることを特
徴とするものである。
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレ
イン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、これら各
画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走査信号に
より動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜トランジス
タおよび第２の薄膜トランジスタと、一方の側のドレイ
ン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して映像
信号が供給される第１の画素電極と、共通信号線から前
記第２の薄膜トランジスタを介して映像信号が供給され
る第２の画素電極と、前記一方の側のゲート信号線と異
なるゲート信号線であって当該画素領域を画する他のゲ
ート信号線にゲート電極が接続されドレイン電極および
ソース電極のうち一方が前記第１の画素電極と接続され
た多結晶Ｓｉからなる第３の薄膜トランジスタと、前記
一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であって
当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電極が
接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方が前
記第２の画素電極と接続された多結晶Ｓｉからなる第４
の薄膜トランジスタと、を備えるとともに、少なくとも
前記第１および第２の各画素電極よりも一方の基板側に
該第１および第２の各画素電極と絶縁されて反射膜を備
え、この反射膜には前記第３の薄膜トランジスタのドレ
イン電極およびソース電極のうち他方が接続されている
とともに、前記第４の薄膜トランジスタのドレイン電極
およびソース電極のうち他方が接続されていることを特
徴とするものである。
【００１４】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１ないし６のうちいずれかの構成を前提と
して、反射膜は光透過も兼ねる反射膜として構成されて
いることを特徴とするものである。
とえば、手段１ないし６のうちいずれかの構成を前提と
して、反射膜は光透過も兼ねる反射膜として構成されて
いることを特徴とするものである。
【００１５】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１ないし６のうちいずれかの構成を前提と
して、反射膜が形成された領域にその切欠きあるいは開
口が設けられ、その切欠きあるいは開口部に該反射膜と
電気的に接続された透光性の導電膜が形成されているこ
とを特徴とするものである。
とえば、手段１ないし６のうちいずれかの構成を前提と
して、反射膜が形成された領域にその切欠きあるいは開
口が設けられ、その切欠きあるいは開口部に該反射膜と
電気的に接続された透光性の導電膜が形成されているこ
とを特徴とするものである。
【００１６】手段９．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段１ないし８のうちいずれかの構成を前提と
して、反射膜に各画素領域のそれと共通に基準電圧信号
が供給されることを特徴とするものである。
とえば、手段１ないし８のうちいずれかの構成を前提と
して、反射膜に各画素領域のそれと共通に基準電圧信号
が供給されることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《等価回路》図２は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路である。同図は等価回路であるが、
実際の幾何学的配置に対応づけて描いている。
の実施例を図面を用いて説明をする。 実施例１． 《等価回路》図２は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す等価回路である。同図は等価回路であるが、
実際の幾何学的配置に対応づけて描いている。
【００１８】同図において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。
【００１９】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとy方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとy方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。
【００２０】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域（たとえば図中丸印で囲まれた領
域）は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域
のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するよ
うになっている。
Ｌとで囲まれた領域（たとえば図中丸印で囲まれた領
域）は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域
のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するよ
うになっている。
【００２１】各画素領域には、図１に示すように、ま
ず、ゲート信号線ＧＬにゲート電極が接続された第１の
薄膜トランジスタＴＦＴ１と第２の薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２が形成されている。これら各薄膜トランジスタＴ
ＦＴはそのいずれも多結晶Ｓｉ（poly-Si）からなる半
導体層で形成されたものとなっている。
ず、ゲート信号線ＧＬにゲート電極が接続された第１の
薄膜トランジスタＴＦＴ１と第２の薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２が形成されている。これら各薄膜トランジスタＴ
ＦＴはそのいずれも多結晶Ｓｉ（poly-Si）からなる半
導体層で形成されたものとなっている。
【００２２】第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１はそのド
レイン電極が図中左側の第１のドレイン信号線ＤＬ１に
接続され、そのソース電極は第１の画素電極ＰＸ１に接
続されている。
レイン電極が図中左側の第１のドレイン信号線ＤＬ１に
接続され、そのソース電極は第１の画素電極ＰＸ１に接
続されている。
【００２３】同様に、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２
はそのドレイン電極が図中右側の第２のドレイン信号線
ＤＬ２に接続され、そのソース電極は第２の画素電極Ｐ
Ｘ２に接続されている。
はそのドレイン電極が図中右側の第２のドレイン信号線
ＤＬ２に接続され、そのソース電極は第２の画素電極Ｐ
Ｘ２に接続されている。
【００２４】第１の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極Ｐ
Ｘ２はそれぞれ１方向（図ではｙ方向）に延在された帯
状の複数の電極から構成され、それらは交互に配置され
ている。
Ｘ２はそれぞれ１方向（図ではｙ方向）に延在された帯
状の複数の電極から構成され、それらは交互に配置され
ている。
【００２５】複数からなる第１の各画素電極ＰＸ１はそ
の一端側（図では上端）において共通に接続され、その
全てが前記第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電
極と同電位になるように構成され、また、複数からなる
第２の各画素電極ＰＸ２はその一端側（図では下端）に
おいて共通に接続され、その全てが前記第２の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ２のソース電極と同電位になるように構
成されている。
の一端側（図では上端）において共通に接続され、その
全てが前記第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電
極と同電位になるように構成され、また、複数からなる
第２の各画素電極ＰＸ２はその一端側（図では下端）に
おいて共通に接続され、その全てが前記第２の薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ２のソース電極と同電位になるように構
成されている。
【００２６】第１の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極Ｐ
Ｘ２には、それぞれ第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１を
介してドレイン信号線ＤＬ１からの映像信号および第２
の薄膜トランジスタＴＦＴ２を介してドレイン信号線Ｄ
Ｌ２からの映像信号が供給され、これら各映像信号の電
圧差に応じた第１の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極Ｐ
Ｘ２の間の電界によって液晶の光透過率が制御されるよ
うになっている。
Ｘ２には、それぞれ第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１を
介してドレイン信号線ＤＬ１からの映像信号および第２
の薄膜トランジスタＴＦＴ２を介してドレイン信号線Ｄ
Ｌ２からの映像信号が供給され、これら各映像信号の電
圧差に応じた第１の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極Ｐ
Ｘ２の間の電界によって液晶の光透過率が制御されるよ
うになっている。
【００２７】また、前記第１の画素電極ＰＸ１と第２の
画素電極ＰＸ２が形成された領域、換言すれば、画素領
域の周辺を除く中央の部分において、該第１の画素電極
ＰＸ１と第２の画素電極ＰＸ２の下層に絶縁膜を介して
反射膜ＲＥが形成されている。
画素電極ＰＸ２が形成された領域、換言すれば、画素領
域の周辺を除く中央の部分において、該第１の画素電極
ＰＸ１と第２の画素電極ＰＸ２の下層に絶縁膜を介して
反射膜ＲＥが形成されている。
【００２８】この反射膜ＲＥは、前記第１および第２の
各画素電極ＰＸによって光透過率の制御された液晶に入
射された太陽光等の外来光を観察者側に反射させるため
の金属膜から構成され、この金属膜は他の画素領域のそ
れと同様に一定の基準電圧信号が供給されるようになっ
ている。
各画素電極ＰＸによって光透過率の制御された液晶に入
射された太陽光等の外来光を観察者側に反射させるため
の金属膜から構成され、この金属膜は他の画素領域のそ
れと同様に一定の基準電圧信号が供給されるようになっ
ている。
【００２９】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの少なく
とも一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は垂直走査駆動回路Ｖに接続されている。この垂直
走査駆動回路Ｖは透明基板ＳＵＢ１の上面に形成された
多数の半導体装置およびこれら半導体装置を接続させる
配線から構成され、該半導体装置はその半導体が多結晶
Ｓｉ（poly-Ｓｉ）で形成されている。
とも一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は垂直走査駆動回路Ｖに接続されている。この垂直
走査駆動回路Ｖは透明基板ＳＵＢ１の上面に形成された
多数の半導体装置およびこれら半導体装置を接続させる
配線から構成され、該半導体装置はその半導体が多結晶
Ｓｉ（poly-Ｓｉ）で形成されている。
【００３０】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅに接続されている。この映
像信号駆動回路Ｈｅも透明基板ＳＵＢ１の上面に形成さ
れた多数の半導体装置およびこれら半導体装置を接続さ
せる配線から構成され、該半導体装置はその半導体が多
結晶Ｓｉ（poly-Ｓｉ）で形成されている。
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅに接続されている。この映
像信号駆動回路Ｈｅも透明基板ＳＵＢ１の上面に形成さ
れた多数の半導体装置およびこれら半導体装置を接続さ
せる配線から構成され、該半導体装置はその半導体が多
結晶Ｓｉ（poly-Ｓｉ）で形成されている。
【００３１】なお、垂直走査駆動回路Ｖおよび映像信号
駆動回路Ｈｅの各半導体装置はその構成が液晶表示部Ａ
Ｒにて形成される薄膜トランジスタＴＦＴとほぼ同様と
なっていることから、製造時においては該薄膜トランジ
スタＴＦＴと並行して形成されるのが通常となってい
る。
駆動回路Ｈｅの各半導体装置はその構成が液晶表示部Ａ
Ｒにて形成される薄膜トランジスタＴＦＴとほぼ同様と
なっていることから、製造時においては該薄膜トランジ
スタＴＦＴと並行して形成されるのが通常となってい
る。
【００３２】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。また、前記各ドレイン信号線ＤＬの
それぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲ
ート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号
が供給されるようになっている。
【００３３】このように構成された液晶表示装置は、反
射膜に印加される基準電圧に対して、第１の画素電極Ｐ
Ｘ１に供給される映像信号と第２の画素電極ＰＸ２に供
給される映像信号は、それぞれ＋方向および−方向に絶
対値が等しい信号で与えられ、それらの電圧差によって
第１の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極ＰＸ２との間に
電界を生じせしめることができる。
射膜に印加される基準電圧に対して、第１の画素電極Ｐ
Ｘ１に供給される映像信号と第２の画素電極ＰＸ２に供
給される映像信号は、それぞれ＋方向および−方向に絶
対値が等しい信号で与えられ、それらの電圧差によって
第１の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極ＰＸ２との間に
電界を生じせしめることができる。
【００３４】このため、映像信号駆動回路Ｈｅからの映
像信号の出力は従来の１／２で済み、その電力消費を少
なくすることができる。
像信号の出力は従来の１／２で済み、その電力消費を少
なくすることができる。
【００３５】《画素の構成》図３は、図１に示した等価
回路に対応する画素の一実施例を示す平面図である。ま
た、図４は図３のIV−IV線における断面図を示してい
る。
回路に対応する画素の一実施例を示す平面図である。ま
た、図４は図３のIV−IV線における断面図を示してい
る。
【００３６】図３において、まず、透明基板ＳＵＢ１の
表面にて島状の領域として形成された多結晶Ｓｉ層ＰＳ
がある。この多結晶Ｓｉ層ＰＳは薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ１、薄膜トランジスタＴＦＴ２を構成する半導体層と
なるものである。
表面にて島状の領域として形成された多結晶Ｓｉ層ＰＳ
がある。この多結晶Ｓｉ層ＰＳは薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ１、薄膜トランジスタＴＦＴ２を構成する半導体層と
なるものである。
【００３７】そして、透明基板ＳＵＢ１の表面には該多
結晶Ｓｉ層をも被って絶縁膜が形成されている。この絶
縁膜は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。
結晶Ｓｉ層をも被って絶縁膜が形成されている。この絶
縁膜は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。
【００３８】図中ｘ方向へ延在するゲート信号線ＧＬが
形成され、このゲート信号線ＧＬの一部は前記多結晶Ｓ
ｉ層ＰＳの中央を跨るようにして延在されている。この
延在部は薄膜トランジスタＴＦＴ１、２のそれぞれのゲ
ート電極ＧＴとして機能するものである。
形成され、このゲート信号線ＧＬの一部は前記多結晶Ｓ
ｉ層ＰＳの中央を跨るようにして延在されている。この
延在部は薄膜トランジスタＴＦＴ１、２のそれぞれのゲ
ート電極ＧＴとして機能するものである。
【００３９】そして、このゲート信号線ＧＬをも被って
透明基板ＳＵＢ１の表面には絶縁膜が形成されている。
この絶縁膜は後に説明するドレイン信号線ＤＬ１、２の
ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を有
するものである。
透明基板ＳＵＢ１の表面には絶縁膜が形成されている。
この絶縁膜は後に説明するドレイン信号線ＤＬ１、２の
ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を有
するものである。
【００４０】前記絶縁膜の上面にはｙ方向に延在するド
レイン信号線ＤＬ１、２が形成されている。このドレイ
ン信号線ＤＬ１、２は前記絶縁膜に予め形成されたコン
タクトホールを通して前記薄膜トランジスタＴＦＴ１、
２の各ドレイン領域に接続されるようになっている。
レイン信号線ＤＬ１、２が形成されている。このドレイ
ン信号線ＤＬ１、２は前記絶縁膜に予め形成されたコン
タクトホールを通して前記薄膜トランジスタＴＦＴ１、
２の各ドレイン領域に接続されるようになっている。
【００４１】また、このドレイン信号線ＤＬ１、２の形
成の際に同時に形成されるソース電極およびその延在部
が形成されている。該ソース電極は前記絶縁膜に予め形
成されたコンタクトホールを通して前記薄膜トランジス
タＴＦＴ１、２の各ソース領域に接続されるようになっ
ている。なお、前記延在部は後に説明する画素電極ＰＸ
との接続を図るためのコンタクト部ＣＮとなるものであ
る。
成の際に同時に形成されるソース電極およびその延在部
が形成されている。該ソース電極は前記絶縁膜に予め形
成されたコンタクトホールを通して前記薄膜トランジス
タＴＦＴ１、２の各ソース領域に接続されるようになっ
ている。なお、前記延在部は後に説明する画素電極ＰＸ
との接続を図るためのコンタクト部ＣＮとなるものであ
る。
【００４２】さらに、該ドレイン信号線ＤＬ１，２の形
成の際に同時に形成される反射膜ＲＥが形成されてい
る。この反射膜ＲＥはゲート信号線ＧＬとドレイン信号
線ＤＬとで囲まれる画素領域の周辺を除く中央部の全域
に形成され、たとえば光反射効率の良好なＡｌあるいは
その合金、Ａｇあるいはその合金が選定される。
成の際に同時に形成される反射膜ＲＥが形成されてい
る。この反射膜ＲＥはゲート信号線ＧＬとドレイン信号
線ＤＬとで囲まれる画素領域の周辺を除く中央部の全域
に形成され、たとえば光反射効率の良好なＡｌあるいは
その合金、Ａｇあるいはその合金が選定される。
【００４３】また、この反射膜ＲＥは他の画素領域にお
ける反射膜ＲＥと共通に接続され、各画素領域に共通な
基準電圧信号が印加されるようになっている。
ける反射膜ＲＥと共通に接続され、各画素領域に共通な
基準電圧信号が印加されるようになっている。
【００４４】なお、この反射膜ＲＥは、第１の画素電極
ＰＸ１および第２の画素電極ＰＸ２からなる電極群の外
周枠をはみ出る程度に形成するのが望ましい。ドレイン
信号線ＤＬ１、２からの電気力線がこの反射膜ＲＥに終
端させやすくでき、前記各画素電極ＰＸに終端させにく
くできるからである。
ＰＸ１および第２の画素電極ＰＸ２からなる電極群の外
周枠をはみ出る程度に形成するのが望ましい。ドレイン
信号線ＤＬ１、２からの電気力線がこの反射膜ＲＥに終
端させやすくでき、前記各画素電極ＰＸに終端させにく
くできるからである。
【００４５】ドレイン信号線ＤＬ、ソース電極、および
反射膜ＲＥをも被って透明基板ＳＵＢ１の表面には絶縁
膜ＩＮが形成され、この絶縁膜ＩＮの上面には画素電極
ＰＸ１、２が形成されている。これら画素電極ＰＸ１、
２は、それぞれ前記絶縁膜ＩＮに予め形成されたコンタ
クトホールを通して薄膜トランジスタＴＦＴ１、２のソ
ース電極の延在部の一部に接続されている。
反射膜ＲＥをも被って透明基板ＳＵＢ１の表面には絶縁
膜ＩＮが形成され、この絶縁膜ＩＮの上面には画素電極
ＰＸ１、２が形成されている。これら画素電極ＰＸ１、
２は、それぞれ前記絶縁膜ＩＮに予め形成されたコンタ
クトホールを通して薄膜トランジスタＴＦＴ１、２のソ
ース電極の延在部の一部に接続されている。
【００４６】画素電極ＰＸ１、２をも被って透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面には平坦化膜ＣＯが形成され、この平坦化
膜ＣＯの表面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。こ
の配向膜ＯＲＩ１はそれに直接に接触する液晶の分子の
初期配向方向を決定づけるようになっている。
ＵＢ１の表面には平坦化膜ＣＯが形成され、この平坦化
膜ＣＯの表面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。こ
の配向膜ＯＲＩ１はそれに直接に接触する液晶の分子の
初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００４７】なお、液晶を介して対向配置される透明基
板ＳＵ２の液晶側の面には配向膜ＯＲＩ２が形成され、
液晶と反対側の面には位相差板ＰＨおよび偏光板ＰＯＬ
が順次貼付されている。
板ＳＵ２の液晶側の面には配向膜ＯＲＩ２が形成され、
液晶と反対側の面には位相差板ＰＨおよび偏光板ＰＯＬ
が順次貼付されている。
【００４８】実施例２．図５は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す画素の等価回路で、図１に対応
した図となっている。また、図５は、図１と異なり、ド
レイン信号線ＤＬに沿って形成された２個の画素を示し
ている。
装置の他の実施例を示す画素の等価回路で、図１に対応
した図となっている。また、図５は、図１と異なり、ド
レイン信号線ＤＬに沿って形成された２個の画素を示し
ている。
【００４９】図１の場合と比較して異なる構成は、各画
素領域内に第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１、第２の薄
膜トランジスタＴＦＴ２の他に、第３の薄膜トランジス
タＴＦＴ３、第４の薄膜トランジスタＴＦＴ４が設けら
れている。
素領域内に第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１、第２の薄
膜トランジスタＴＦＴ２の他に、第３の薄膜トランジス
タＴＦＴ３、第４の薄膜トランジスタＴＦＴ４が設けら
れている。
【００５０】第３の薄膜トランジスタＴＦＴ３のゲート
電極は、前記第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１、第２の
薄膜トランジスタＴＦＴ２が接続されるゲート信号線Ｇ
Ｌと異なるゲート信号線ＧＬであって当該画素領域を画
する他のゲート信号線ＧＬに接続され、そのドレイン電
極およびソース電極のうち一方が第１の画素電極ＰＸ１
に接続され他方が反射膜に接続されている。
電極は、前記第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１、第２の
薄膜トランジスタＴＦＴ２が接続されるゲート信号線Ｇ
Ｌと異なるゲート信号線ＧＬであって当該画素領域を画
する他のゲート信号線ＧＬに接続され、そのドレイン電
極およびソース電極のうち一方が第１の画素電極ＰＸ１
に接続され他方が反射膜に接続されている。
【００５１】同様に、第４の薄膜トランジスタＴＦＴ４
のゲート電極も、前記第１の薄膜トランジスタＴＦＴ
１、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２が接続されるゲー
ト信号線ＧＬと異なるゲート信号線ＧＬであって当該画
素領域を画する他のゲート信号線ＧＬに接続され、その
ドレイン電極およびソース電極のうち一方が第２の画素
電極ＰＸ２に接続され他方が前記反射膜に接続されてい
る。
のゲート電極も、前記第１の薄膜トランジスタＴＦＴ
１、第２の薄膜トランジスタＴＦＴ２が接続されるゲー
ト信号線ＧＬと異なるゲート信号線ＧＬであって当該画
素領域を画する他のゲート信号線ＧＬに接続され、その
ドレイン電極およびソース電極のうち一方が第２の画素
電極ＰＸ２に接続され他方が前記反射膜に接続されてい
る。
【００５２】このような構成の画素において、第１の画
素電極ＰＸ１、第２の画素電極ＰＸ２、反射膜の間の容
量を考慮した等価回路を図６に示す。図６において、第
１の電極容量Ｃ１、第２の電極容量Ｃ２は、第１の画素
電極ＰＸ１、第２の画素電極ＰＸ２、反射膜の間の容量
を示している。
素電極ＰＸ１、第２の画素電極ＰＸ２、反射膜の間の容
量を考慮した等価回路を図６に示す。図６において、第
１の電極容量Ｃ１、第２の電極容量Ｃ２は、第１の画素
電極ＰＸ１、第２の画素電極ＰＸ２、反射膜の間の容量
を示している。
【００５３】ゲート信号線ＧＬ（１）が選択されると、
第３の薄膜トランジスタＴＦＴ３、第４の薄膜トランジ
スタＴＦＴ４がオン状態となり、第１の電極容量Ｃ１、
第２の電極容量Ｃ２の電荷を放電する。
第３の薄膜トランジスタＴＦＴ３、第４の薄膜トランジ
スタＴＦＴ４がオン状態となり、第１の電極容量Ｃ１、
第２の電極容量Ｃ２の電荷を放電する。
【００５４】次に、該ゲート信号線ＧＬ（１）が非選
択、ゲート信号線ＧＬ（２）が選択されると、第３の薄
膜トランジスタＴＦＴ３、第４の薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ４がオフ状態、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１、第
２の薄膜トランジスタＴＦＴ２がオン状態になる。
択、ゲート信号線ＧＬ（２）が選択されると、第３の薄
膜トランジスタＴＦＴ３、第４の薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ４がオフ状態、第１の薄膜トランジスタＴＦＴ１、第
２の薄膜トランジスタＴＦＴ２がオン状態になる。
【００５５】これにより、第１の電極容量Ｃ１、第２の
電極容量Ｃ２には、それぞれ、第１のドレイン信号線、
第２のドレイン信号線からの映像信号によって充電がな
される。
電極容量Ｃ２には、それぞれ、第１のドレイン信号線、
第２のドレイン信号線からの映像信号によって充電がな
される。
【００５６】このとき、第１の電極容量Ｃ１、第２の電
極容量Ｃ２は直列接続されているので、前記反射膜が接
続されるその接続点の電圧は、第１の画素電極ＰＸ１、
第２の画素電極ＰＸ２のそれぞれの電圧値の平均した値
となる。
極容量Ｃ２は直列接続されているので、前記反射膜が接
続されるその接続点の電圧は、第１の画素電極ＰＸ１、
第２の画素電極ＰＸ２のそれぞれの電圧値の平均した値
となる。
【００５７】このことから、前記反射膜の電圧は自動的
に第１のドレイン信号線、第２のドレイン信号線のそれ
ぞれに供給される映像信号の平均値に制御されることに
なる。
に第１のドレイン信号線、第２のドレイン信号線のそれ
ぞれに供給される映像信号の平均値に制御されることに
なる。
【００５８】したがって、第１のドレイン信号線、第２
のドレイン信号線のそれぞれに供給する映像信号は必ず
しも逆極性である必要はなく、一方のドレイン信号線に
基準信号（共通信号）を供給し、他方のドレイン信号線
に該基準信号に対して電圧差を有する映像信号を供給す
ることができる。このため、ドレイン信号線を駆動する
映像信号駆動回路Ｈｅの信号出力は実施例１の１／２に
することができる。
のドレイン信号線のそれぞれに供給する映像信号は必ず
しも逆極性である必要はなく、一方のドレイン信号線に
基準信号（共通信号）を供給し、他方のドレイン信号線
に該基準信号に対して電圧差を有する映像信号を供給す
ることができる。このため、ドレイン信号線を駆動する
映像信号駆動回路Ｈｅの信号出力は実施例１の１／２に
することができる。
【００５９】実施例３．図７は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す画素の等価回路で、図５に対応
した図となっている。
装置の他の実施例を示す画素の等価回路で、図５に対応
した図となっている。
【００６０】図５の場合と比較して異なる構成は、一方
のドレイン信号線（図では第２のドレイン信号線）をな
くし、それに接続されていた第２の薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のドレイン電極を新たに形成した共通信号線ＣＬ
に接続していることにある。
のドレイン信号線（図では第２のドレイン信号線）をな
くし、それに接続されていた第２の薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のドレイン電極を新たに形成した共通信号線ＣＬ
に接続していることにある。
【００６１】そして、この共通信号線ＣＬは、この実施
例では、ゲート信号線ＧＬに平行に走行するように形成
されている。ドレイン信号線ＤＬのようにｙ方向に延在
する信号線を減らして画素領域の開口率を向上させたい
場合等に効果的となる。
例では、ゲート信号線ＧＬに平行に走行するように形成
されている。ドレイン信号線ＤＬのようにｙ方向に延在
する信号線を減らして画素領域の開口率を向上させたい
場合等に効果的となる。
【００６２】実施例２の部分で説明したように、第３の
薄膜トランジスタＴＦＴ３、第４の薄膜トランジスタＴ
ＦＴ４を設けることにより、一方の信号線に基準信号
（共通信号）を供給し、他方の信号線に該基準信号に対
して電圧差を有する映像信号を供給することができるた
め、一方の信号線を共通信号線としたことに基づく。
薄膜トランジスタＴＦＴ３、第４の薄膜トランジスタＴ
ＦＴ４を設けることにより、一方の信号線に基準信号
（共通信号）を供給し、他方の信号線に該基準信号に対
して電圧差を有する映像信号を供給することができるた
め、一方の信号線を共通信号線としたことに基づく。
【００６３】実施例４．図８は、本発明による液晶表示
装置の他の実施例を示す構成図で、図４に対応した図と
なっている。
装置の他の実施例を示す構成図で、図４に対応した図と
なっている。
【００６４】図４の場合と比較して異なる構成は、第１
の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極ＰＸ２が同一の層と
して形成されているのではなく、絶縁膜ＩＮ２を介して
一方がその上層に他方が下層に形成されていることにあ
る。このような構成であっても、同様の効果が得られる
ことはいうまでもない。
の画素電極ＰＸ１と第２の画素電極ＰＸ２が同一の層と
して形成されているのではなく、絶縁膜ＩＮ２を介して
一方がその上層に他方が下層に形成されていることにあ
る。このような構成であっても、同様の効果が得られる
ことはいうまでもない。
【００６５】実施例５．上述した各実施例はいずれも反
射型の液晶表示装置について説明したものである。しか
し、たとえば図４に示す構成図において、反射膜ＲＥを
光反射および光透過を兼ねる半透過膜に置き換えて形成
することにより、いわゆる半透過型の液晶表示装置を得
ることができることからこのようにしてもよいことはい
うまでもない。また、このような構成は上述した他の実
施例にも適用できることはもちろんである。
射型の液晶表示装置について説明したものである。しか
し、たとえば図４に示す構成図において、反射膜ＲＥを
光反射および光透過を兼ねる半透過膜に置き換えて形成
することにより、いわゆる半透過型の液晶表示装置を得
ることができることからこのようにしてもよいことはい
うまでもない。また、このような構成は上述した他の実
施例にも適用できることはもちろんである。
【００６６】実施例６．図９は、いわゆる部分透過の液
晶表示装置の一実施例を示した構成図で、たとえば図３
に対応した図となっている。
晶表示装置の一実施例を示した構成図で、たとえば図３
に対応した図となっている。
【００６７】図９において、反射膜ＲＥを画素領域のた
とえば上半分の領域にのみ形成し、残りの下半分の領域
に前記反射膜ＲＥと電気的に接続されたたとえばＩＴＯ
(Indium Tin Oxide)等の透光性の導電膜ＴＣＬを形成す
ることにより、該反射膜ＲＥが形成された領域を光反射
領域に透光性の導電膜ＴＣＬが形成された領域を光透過
領域とすることができる。
とえば上半分の領域にのみ形成し、残りの下半分の領域
に前記反射膜ＲＥと電気的に接続されたたとえばＩＴＯ
(Indium Tin Oxide)等の透光性の導電膜ＴＣＬを形成す
ることにより、該反射膜ＲＥが形成された領域を光反射
領域に透光性の導電膜ＴＣＬが形成された領域を光透過
領域とすることができる。
【００６８】この実施例の場合、透光性の導電膜ＴＣＬ
は反射膜ＲＥと同層に形成したものであるが、それらが
電気的に接続されていれば絶縁膜を介してそれらが異層
に形成されていてもよい。
は反射膜ＲＥと同層に形成したものであるが、それらが
電気的に接続されていれば絶縁膜を介してそれらが異層
に形成されていてもよい。
【００６９】この実施例は、画素領域を二分割してその
一方を光反射領域とし他方を光透過領域としたものであ
る。しかし、この分割の方法に任意であってもよく、た
とえば光反射領域の中央に光透過領域が存在していて
も、また、その逆であってもよい。また、このような構
成は上述した他の実施例にも適用できることはもちろん
である。
一方を光反射領域とし他方を光透過領域としたものであ
る。しかし、この分割の方法に任意であってもよく、た
とえば光反射領域の中央に光透過領域が存在していて
も、また、その逆であってもよい。また、このような構
成は上述した他の実施例にも適用できることはもちろん
である。
【００７０】なお、上述した各実施例では、薄膜トラン
ジスタの半導体層として多結晶Ｓｉを用いたものである
が、これに限定されることはなく、たとえばアモルファ
スＳｉ等であってもよいことはいうまでもない。
ジスタの半導体層として多結晶Ｓｉを用いたものである
が、これに限定されることはなく、たとえばアモルファ
スＳｉ等であってもよいことはいうまでもない。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、低消費電力で駆動
できるものが得られる。
本発明による液晶表示装置によれば、低消費電力で駆動
できるものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す等価回路である。
示す等価回路である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路である。
価回路である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図３のIV−IVにおける断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す等価回路である。
を示す等価回路である。
【図６】図６の等価回路において特に容量を考慮した透
過回路である。
過回路である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す等価回路である。
を示す等価回路である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ１…第１のドレイン信号線、
ＤＬ２…第２のドレイン信号線、ＰＸ１…第１の画素電
極、ＰＸ２…第２の画素電極、ＴＦＴ１…第１の薄膜ト
ランジスタ、ＴＦＴ２…第２の薄膜トランジスタ、ＴＦ
Ｔ３…第３の薄膜トランジスタ、ＴＦＴ４…第４の薄膜
トランジスタ、ＲＥ…反射膜。
ＤＬ２…第２のドレイン信号線、ＰＸ１…第１の画素電
極、ＰＸ２…第２の画素電極、ＴＦＴ１…第１の薄膜ト
ランジスタ、ＴＦＴ２…第２の薄膜トランジスタ、ＴＦ
Ｔ３…第３の薄膜トランジスタ、ＴＦＴ４…第４の薄膜
トランジスタ、ＲＥ…反射膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 河内 玄士朗
千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立
製作所ディスプレイグループ内
Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y GA02 GA13 LA30
2H092 GA14 JA24 JA34 JA37 JA41
JB04 JB05 JB07 JB11 NA26
PA12
5C094 AA12 AA13 AA22 AA24 AA56
BA03 BA43 CA19 DA09 DA13
DB01 DB04 DB10 EA04 EA05
EA06 EB02 EB04 FA01 FA02
FB12 FB14 FB15 GA10
Claims (9)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により動作する第1のスイッチング素子およ
び第２のスイッチング素子と、第１のドレイン信号線か
ら前記第１のスイッチング素子を介して映像信号が供給
される第１の画素電極と、第２のドレイン信号線から前
記第２のスイッチング素子を介して映像信号が供給され
る第２の画素電極とを備えるとともに、 少なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方
の基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて
反射膜を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の画素領域に、ゲート信号線から
の走査信号により動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄
膜トランジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、第１
のドレイン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介
して映像信号が供給される第１の画素電極と、第２のド
レイン信号線から前記第２の薄膜トランジスタを介して
映像信号が供給される第２の画素電極とを備えるととも
に、 少なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方
の基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて
反射膜を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走
査信号により動作する第1のスイッチング素子および第
２のスイッチング素子と、第１のドレイン信号線から前
記第１のスイッチング素子を介して映像信号が供給され
る第１の画素電極と、第２のドレイン信号線から前記第
２のスイッチング素子を介して映像信号が供給される第
２の画素電極と、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第１の画素電極と接続された第３のスイッチング
素子と、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第２の画素電極と接続された第４のスイッチング
素子と、を備えるとともに、 少なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方
の基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて
反射膜を備え、この反射膜には前記第３のスイッチング
素子のドレイン電極およびソース電極のうち他方が接続
されているとともに、前記第４のスイッチング素子のド
レイン電極およびソース電極のうち他方が接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走
査信号により動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜ト
ランジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、第１のド
レイン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介して
映像信号が供給される第１の画素電極と、第２のドレイ
ン信号線から前記第２の薄膜トランジスタを介して映像
信号が供給される第２の画素電極と、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第１の画素電極と接続された第３の薄膜トランジ
スタと、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第２の画素電極と接続された第４の薄膜トランジ
スタと、を備えるとともに、 少なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方
の基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて
反射膜を備え、この反射膜には前記第３の薄膜トランジ
スタのドレイン電極およびソース電極のうち他方が接続
されているとともに、前記第４の薄膜トランジスタのド
レイン電極およびソース電極のうち他方が接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走
査信号により動作する第1のスイッチング素子および第
２のスイッチング素子と、一方の側のドレイン信号線か
ら前記第１のスイッチング素子を介して映像信号が供給
される第１の画素電極と、共通信号線から前記第２のス
イッチング素子を介して映像信号が供給される第２の画
素電極と、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第１の画素電極と接続された第３のスイッチング
素子と、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第２の画素電極と接続された第４のスイッチング
素子と、を備えるとともに、 少なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方
の基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて
反射膜を備え、この反射膜には前記第３のスイッチング
素子のドレイン電極およびソース電極のうち他方が接続
されているとともに、前記第４のスイッチング素子のド
レイン電極およびソース電極のうち他方が接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数
のドレイン信号線で囲まれた各領域を画素領域とし、 これら各画素領域に、一方の側のゲート信号線からの走
査信号により動作する多結晶Ｓｉからなる第1の薄膜ト
ランジスタおよび第２の薄膜トランジスタと、一方の側
のドレイン信号線から前記第１の薄膜トランジスタを介
して映像信号が供給される第１の画素電極と、共通信号
線から前記第２の薄膜トランジスタを介して映像信号が
供給される第２の画素電極と、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第１の画素電極と接続された多結晶Ｓｉからなる
第３の薄膜トランジスタと、 前記一方の側のゲート信号線と異なるゲート信号線であ
って当該画素領域を画する他のゲート信号線にゲート電
極が接続されドレイン電極およびソース電極のうち一方
が前記第２の画素電極と接続された多結晶Ｓｉからなる
第４の薄膜トランジスタと、を備えるとともに、 少なくとも前記第１および第２の各画素電極よりも一方
の基板側に該第１および第２の各画素電極と絶縁されて
反射膜を備え、この反射膜には前記第３の薄膜トランジ
スタのドレイン電極およびソース電極のうち他方が接続
されているとともに、前記第４の薄膜トランジスタのド
レイン電極およびソース電極のうち他方が接続されてい
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 反射膜は光透過も兼ねる反射膜として構
成されていることを特徴とする請求項１ないし６のうち
いずれか記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 反射膜が形成された領域にその切欠きあ
るいは開口が設けられ、その切欠きあるいは開口部に該
反射膜と電気的に接続された透光性の導電膜が形成され
ていることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれ
か記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 反射膜に各画素領域のそれと共通に基準
電圧信号が供給されることを特徴とする請求項１ないし
８のうちいずれか記載の液晶表示装置。
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