TWI400523B - 液晶顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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TWI400523B TW097128258A TW97128258A TWI400523B TW I400523 B TWI400523 B TW I400523B TW 097128258 A TW097128258 A TW 097128258A TW 97128258 A TW97128258 A TW 97128258A TW I400523 B TWI400523 B TW I400523B
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Description

液晶顯示面板及其製造方法
本發明係關於液晶顯示面板及其製造方法，該液晶顯示面板為於安裝端子部安裝各種零件時不會產生因斷線或腐蝕所致的配線電阻增大等之瑕疵、且於平坦化膜上配置有像素電極和共通電極的FFS(Fringe Field Switching，邊界電場切換)模式之液晶顯示面板。
液晶顯示面板係大多使用具有：於表面形成有電極等的一對透明基板、以及挾持於該一對基板間的液晶層，且藉由於兩基板上之電極施加電壓而使液晶重新排列以重新顯示種種資訊的縱向電場方式者。如上所述之縱向電場方式之液晶顯示面板一般多為TN(Twisted Nematic，扭轉向列)模式，但由於存在有視野角狹隘的問題，故已開發有VA(Vertical Alignment，垂直配向)模式、MVA(Multi－domain Vertical Alignment，多象限垂直配向)模式等種種改良後之縱向電場方式之液晶顯示面板。
另一方面，已知有不同於前述之縱向電場方式的液晶顯示面板，而僅於一方的基板具有由像素電極及共通電極所構成的一對電極之橫向電場方式之液晶顯示面板，亦即所謂的IPS(In－Plane Switching，橫向電場切換)模式或FFS模式之液晶面板。
其中，IPS模式之液晶顯示面板係將一對電極配置於同一層，且將施加於液晶的電場方向設為與基板大致平行 的方向而將液晶分子重新排列於與基板平行的方向者。因此，該IPS模式之液晶顯示面板係具有與前述之縱向電場方式之液晶面板相比更為廣視角的優點。然而，IPS模式之液晶顯示面板由於係將用以對液晶施加電場的一對電極設置於同一層，故位置於像素電極上側的液晶分子無法被充分驅動，而存在有導致穿透率等降低的問題點。
為了解決如上所述之IPS模式液晶顯示面板之問題點，而開發一種FFS模式之液晶顯示面板(參照下述專利文獻1及2)。該FFS模式之液晶顯示面板係將用以於液晶層施加電場的像素電極和共通電極分別隔著絕緣膜而配置於不同層者。該FFS模式之液晶顯示面板係具有以下特徵：比IPS模式之液晶顯示面板更廣視角且高對比，並且可以進行低電壓驅動並且為高穿透率而可進行較明亮之顯示。除此之外，由於FFS模式之液晶顯示面板與IPS模式之液晶顯示面板相比其在俯視時像素電極與共通電極間之重複面積大，因而存在有附帶地產生較大的保持電容而不需要另外設置輔助電容線的長處。
在此，係使用第8圖說明形成於習知之液晶顯示面板周緣部的安裝端子部之構成。
又，第8圖(A)係顯示習知例之低位配線之安裝端子部之剖面，第8圖(B)係顯示習知例之高位配線之安裝端子部之剖面。
安裝端子部的製作係與液晶顯示面板之陣列(array)基板的掃描線或訊號線之製作同時進行。因此，於安裝端 子部存在有：第8圖(A)所示之與在透明基板51上與掃描線和閘極電極之製作同時製作的低位配線52連接者；及如第8圖(B)所示之與在被覆透明基板51之表面的閘極絕緣膜53上與訊號線同時形成的高位配線54連接者。於該高位配線54及閘極絕緣膜53之表面被覆有鈍化(passivation)膜55(又稱保護絕緣膜)。
再者，低位配線52用之安裝端子56係如第8圖(A)所示，經由以將鈍化膜55及閘極絕緣膜53同時貫通之方式形成的接觸孔(contact hole)57而與像素電極的形成同時地由透明導電性材料所形成。同樣地，高位配線54用之安裝端子58係如第8圖(B)所示，經由以將鈍化膜55貫通之方式形成的接觸孔59而與像素電極的形成同時地由透明導電性材料所形成。從而，低位配線52及高位配線54係於藉由光刻(photolithography)法進行的接觸孔57及59之形成時暫時露出於蝕刻環境中。如此所形成的低位配線52用及高位配線54用之安裝端子56及58係分別形成於比低位配線52及高位配線54更高的位置，且被設為比低位配線52及高位配線54之寬度更粗，而使與該等安裝端子56及58連接的各種連接構件間之電性接觸變得良好。
(專利文獻1)日本國特開2001－235763號公報(專利文獻2)日本國特開2002－182230號公報
然而，以往的FFS模式之液晶顯示面板，在與TFT(薄 膜電晶體)等開關元件和共通(common)配線重疊的像素電極之表面形成有段差，故於該段差部分液晶分子的配向會變亂。因此，於習知之FFS模式的液晶顯示面板中，由於前述段差部分實質上為對於顯示沒有幫助的區域，故在彩色濾光器(color filter)基板中被黑矩陣遮光，而開口率會降低達該段差的部分。
為了消除如上所述的段差，亦可考慮採用於上述的VA方式或MVA方式之液晶顯示面板所使用的平坦化膜，而於該平坦化膜上配置像素電極和共通電極。然而，若對FFS模式之液晶顯示面板採用上述構成，則由於在平坦化膜上像素電極與共通電極係分別隔著絕緣膜而配置於不同層，因此於周緣部形成安裝端子部時，於低位配線或高位配線之表面形成的絕緣膜會多1層。此時，於藉由光刻法而形成像素部之接觸孔的同時，形成供安裝端子部之低位配線或高位配線露出用之接觸孔的步驟係如下所述。亦即，於安裝端子部之接觸孔形成位置所積層的閘極絕緣膜(氮化膜)、保護膜(氮化膜)形成開口部，在除了安裝端子部以外積層的平坦化膜上形成共通電極後，全面地積層絕緣膜(氮化膜)，且於安裝端子部的接觸孔形成位置再度形成開口部而貫通至電位配線。如此，於像素部形成像素電極的同時，於安裝端子部的接觸孔形成與共通電極同材料的電極。但是，於該方法時，低位配線或高位配線則會兩次都露出於蝕刻環境下。
低位配線及高位配線由於係以鋁或鋁合金等導電性 良好且易腐蝕的金屬所形成，故若兩次都露出於絕緣膜的蝕刻環境下則損害會變大，於安裝時會產生因斷線或腐蝕所致的配線電阻增大等缺失。
因此，於像素電極之接觸孔形成開口時，並未於安裝端子部之接觸孔配置位置之閘極絕緣膜(氮化膜)、保護膜(氮化膜)設置開口，而於形成介置於像素電極與共通電極間的絕緣膜後，將安裝端子部的接觸孔一併進行蝕刻，藉此使各電極配線不會曝露於蝕刻環境中。但是，於此製程時，由於閘極絕緣膜、保護膜和絕緣膜之膜質不同，因此蝕刻率有差異，而導致絕緣膜成倒錐狀，且於各氮化膜間產生段差，當以上電極覆蓋接觸部時，會產生段差切斷，而產生導致成為非接觸狀態的問題。
本發明係為了解決前述課題之至少一部分而研發者，其可實現為以下之形態或應用例。
(第1應用例)本應用例之液晶顯示面板，係為具有於顯示區域之周緣部形成有安裝端子部的陣列基板的液晶顯示面板，其中，前述顯示區域係具有：分別形成矩陣狀的複數條掃描線及訊號線；以及形成於平坦化膜上，於每個以前述掃描線及前述訊號線圍起的區域隔著絕緣膜而相對向配置之分別由透明導電性材料構成的下電極與具有複數個開縫的上電極；其中，前述安裝端子部係具有：第1絕緣膜，將安裝端子用配線之表面予以被覆；接觸孔，以貫通前述安裝端子用配線上之前述第1絕緣膜的方式形 成；第1導電性膜，至少將前述接觸孔之底部(下端部)的一部分予以被覆，並且與前述安裝端子用配線電性連接；第2絕緣膜，設於前述第1絕緣膜之表面，且具有於俯視時至少一部分與前述接觸孔重疊的開口；以及第2導電性膜，將前述接觸孔周圍的前述第2絕緣膜之表面予以被覆；而前述第1導電性膜和前述第2導電性膜係於前述開口電性連接。
依據該構成，顯示區域係具有：分別形成矩陣狀的複數條掃描線及訊號線；以及形成於平坦化膜上，於每個以前述掃描線及前述訊號線圍起的區域隔著絕緣膜而相對向配置之分別由透明導電性材料構成的下電極與具有複數個開縫的上電極。藉由前述構成，即可使液晶顯示面板運作為FFS模式之液晶顯示面板。
而且，於液晶顯示面板中，隔著絕緣膜而相對向配置之分別由透明導電性材料構成的下電極與具有複數個開縫的上電極係形成於平坦化膜上，因此於下電極和上電極不會產生因開關元件或共通配線所致的段差。因此，藉由液晶顯示面板、可以使另一方之基板與上電極間的間隔、亦即晶胞間隙(cell gap)變得均一，而且，因顯示區域內必須以黑矩陣遮光的區域減少而使開口率變大。從而，依據液晶顯示面板，即可獲得可明亮顯示且顯示畫質良好的FFS模式之液晶顯示面板。又，於FFS模式之液晶顯示面板中，上電極及下電極之任一者皆可作為像素電極或共通電極而發揮作用。亦即，上電極及下電極之中，連接於開 關元件的一方即成為像素電極，連接於共通配線的一方則成為共通電極。
此外，於液晶顯示面板中，安裝端子部之安裝端子用配線之表面係以第1導電性膜被覆。因此，在藉由光刻法而於第2絕緣膜之中央部附近形成開口時，由於安裝端子用配線之表面並未露出，故可減少安裝端子用配線的損傷。從而，依據液晶顯示面板，在將預定之構件安裝於安裝端子部之際不會產生因斷線或腐蝕所致的配線電阻增大等缺失，而可獲得安裝部之可靠性良好的FFS模式之液晶顯示面板。
(第2應用例)
較佳為於前述應用例之液晶顯示面板中，前述第2絕緣膜係將前述接觸孔之內周面及周緣部表面予以被覆，並且於前述接觸孔之中央部附近具有比前述接觸孔之直徑更小徑的開口。
依據該構成，第2絕緣膜係形成至接觸孔之內周為止。藉此，例如即使第2絕緣膜因蝕刻環境而急速地被蝕刻而侵蝕至接觸孔之壁，也因第2絕緣膜覆蓋表面的面積較廣的緣故，而不會侵蝕至屬於安裝端子部之安裝部的接觸孔之周緣部，而可維持安裝部之高度。藉此，於各安裝端子部不易發生高度的不均，而可以抑制非接觸部分的產生。
(第3應用例)
較佳為於前述應用例之液晶顯示面板中，前述第2絕 緣膜係形成於前述接觸孔之周緣部。
依據該構成，由於第2絕緣膜係未形成至接觸孔之底部(下端部)而設置於接觸孔之周緣部，故第1導電性膜與第2導電性膜之接觸面積會變廣。藉此，各安裝端子部成為低電阻化，而可供給穩定的電壓。
(第4應用例)
較佳為於前述應用例之液晶顯示面板中，前述第1導電性膜係電性連接於前述安裝端子用配線，且以覆蓋前述接觸孔之底部(下端部)的方式形成。
依據該構成，由於係以覆蓋接觸孔之底部(下端部：安裝端子用配線之表面)的方式形成第1導電性膜，藉此即可使安裝端子用配線不會露出於蝕刻環境下。因此，可更有效地保護安裝端子用配線。
(第5應用例)
較佳為在前述應用例的液晶顯示面板中，前述第1導電性膜係與前述安裝端子用配線電性連接，且形成於前述安裝端子用配線之表面之一部分的區域。
依據該構成，第1導電性膜係與安裝端子用配線電性連接並且形成於安裝端子用配線之表面之一部分的區域，因此即使於該形成區域中因蝕刻環境而使露出面受到某種程度的損害，也可保護安裝端子用配線。
(第6應用例)
較佳為於前述應用例之液晶顯示面板中，前述第1導電性膜及前述第2導電性膜係分別與前述下電極及前述上 電極為相同材質，前述第2絕緣膜係與配置於前述下電極及前述上電極間的前述絕緣膜為相同材質。
若為如上所述之構成，由於在形成顯示區域之際可同時形成安裝端子部，故可在不增加步驟數之情形下形成顯示區域和安裝端子部。又，所謂「同材質」，係除了包含彼此皆以相同材料形成的情形之外，也意味著當例如其中一方為複層構造時另外一方也具有相同的複層構造。
另外，就下電極及上電極而言，可使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)等透明導電性材料。此時，上電極及下電極可為相同組成者，亦可為不同組成者。另外，平坦化膜只要使用至少表面具有平坦性的透明有機絕緣性膜即可，例如可使用丙烯酸樹脂或聚醯亞胺等透明樹脂。此外，就各種絕緣膜而言，係可使用氧化矽或氮化矽等無機絕緣膜。
(第7應用例)
較佳為於前述應用例之液晶顯示面板中，前述安裝端子用配線係以與前述顯示區域之前述掃描線相同材質的金屬材料所形成，前述第1絕緣膜係以與將前述顯示區域之前述掃描線上予以被覆的閘極絕緣膜及將前述訊號線上予以被覆的鈍化膜為相同材質的複層膜所形成。
依據該構成，由於顯示區域之掃描線通常係於透明基板上直接形成為低位配線，故與該掃描線同時形成的安裝端子用配線之表面係由閘極絕緣膜及鈍化膜之兩者所覆蓋，因此，該閘極絕緣膜及鈍化膜之兩者係成為第1絕緣 膜。依據該態樣之液晶顯示面板，即使在安裝端子用配線為直接形成於基板上之低位配線的情形中，也可獲得可達到前述發明效果的液晶顯示面板。但是，於前述構成中，雖將閘極絕緣膜及鈍化膜之兩者皆作為第1絕緣膜，但無論形成於安裝端子用配線上之絕緣膜為一層或二層，皆相當於第1絕緣膜。
(第8應用例)
較佳為於前述應用例之液晶顯示面板中，前述安裝端子用配線係以與前述顯示區域之前述訊號線為相同材質的金屬材料所形成，前述第1絕緣膜係以與將前述顯示區域之前述訊號線上予以被覆的鈍化膜為相同材質的膜所形成。
依據該構成，由於顯示區域之訊號線通常係於閘極絕緣膜之表面形成為高位配線，且與該訊號線同時形成的安裝端子用配線之表面係由鈍化膜所覆蓋，故該鈍化膜成為第1絕緣膜。依據該態樣之液晶顯示面板，即使在安裝端子用配線為閘極絕緣膜之表面的高位配線時，也可獲得達成前述發明效果的液晶顯示面板。
(第9應用例)
於前述應用例之液晶顯示面板中，可於前述顯示區域之前述平坦化膜與前述下電極間局部地形成反射板。
依據該態樣之液晶顯示面板，於平坦化膜與下電極之間局部地形成有反射板之部位係作為反射部而發揮作用，其他的部分則作為穿透部而發揮作用，因此可獲得FFS模 式之半穿透型液晶顯示面板。
(第10應用例)
關於本應用例之液晶顯示面板之製造方法，其中，前述液晶顯示面板係具有顯示區域、形成於前述顯示區域之周圍的安裝端子部，該顯示區域係具備：分別形成矩陣狀的複數條掃描線及訊號線；以及形成於平坦化膜上，於每個以前述掃描線及前述訊號線圍起的區域隔著絕緣膜而相對向配置之分別由透明導電性材料構成的下電極與具有複數個開縫的上電極；於前述液晶顯示面板之製造方法中，前述安裝端子部係藉由以下(1)至(7)之步驟而製造者：(1)於基板表面之安裝端子形成位置形成與前述掃描線或前述訊號線為相同材質之預定圖案的安裝端子用配線的步驟；(2)將前述安裝端子用配線之表面以第1絕緣膜予以被覆的步驟；(3)以貫通前述安裝端子用配線上之前述第1絕緣膜之方式形成接觸孔的步驟；(4)以至少將前述接觸孔之底部(下端部)的一部分被覆、並且與前述安裝端子用配線電性連接之方式；形成與前述下電極為相同材質之第1導電性膜的步驟；(5)於前述第1絕緣膜之表面形成與配置於前述顯示區域之前述下電極及前述上電極間的絕緣膜為同組成的第2絕緣膜的步驟；(6)於前述第2絕緣膜形成於俯視時至少一部分與前 述接觸孔重疊的開口的步驟；(7)形成由第2導電性膜所構成的安裝端子的步驟，該第2導電性膜係將前述接觸孔周圍之前述第2絕緣膜之表面予以被覆，並且與前述第1導電性膜於前述開口電性連接，且與前述上電極為相同材質。
依據該態樣之液晶顯示面板之製造方法，即可輕易地製造可達到前述效果的液晶顯示面板。
以下，參照圖式而藉由各種實施例說明本發明之最佳實施形態。然而，以下所示之實施例僅為例示FFS模式之液晶顯示面板以作為用以將本發明之技術思想具體化的液晶顯示面板者，而非用以將本發明特定為前述FFS模式之液晶顯示面板者，其也可同等適用於包含在專利申請範圍的其他實施形態。
又，第1圖為顯示有第1實施例之透視FFS模式之液晶顯示面板10A之彩色濾光器基板的陣列基板之1像素份的示意性平面圖。第2圖為沿著第1圖之II－II線的剖面圖。第3圖為第1實施例之液晶顯示面板之低位配線端子部的示意性剖面圖。第4圖為顯示第1實施例之液晶顯示面板之高位配線之端子部的示意性剖面圖。第5圖為第2實施例之透視FFS模式之半穿透型液晶顯示面板之彩色濾光器基板的陣列基板之1像素份之示意性平面圖。第6圖為沿著第5圖之VI－VI線的剖面圖。
(第1實施例)
以具有平但化膜的FFS模式之液晶顯示面板10A作為第1實施例之FFS模式液晶顯示面板的一例，依製造步驟順序使用第1圖至第4圖進行說明。於製造該液晶顯示面板10A的陣列基板AR之際，首先遍及玻璃基板等透明基板11之整個表面而形成例如由鋁或鋁合金構成的導電性層。之後，藉由習知之光刻法及蝕刻法，於顯示區域形成彼此平行的複數條掃描線12及複數條共通配線13，並且於顯示區域之周緣部的低位配線用安裝端子部33A(參照第3圖)，形成由閘極配線所構成的安裝端子用配線34。前述閘極配線並非一定要作為掃描線12用之配線而使用者，因其為與掃描線12相同材質之配線，故稱為「閘極配線」，其圖示雖省略但可適當使用於各種配線用。另外，在此雖列舉共通配線13沿著自像素之掃描線12而形成之例，但亦可形成為沿著鄰接像素之掃描線12側，或亦可形成於兩掃描線12之間。
接著，於該整個表面被覆由氮化矽層或氧化矽層所構成的閘極絕緣膜14。之後，藉由CVD(化學氣相成長)法而形成例如非晶矽(amorphous silicon，以下稱為「a－Si」)層而遍及閘極絕緣膜14之整個表面予以被覆後，同樣藉由光刻法及蝕刻法而於TFT形成區域形成由a－Si層所構成的半導體層15。於形成有該半導體層15的位置之掃描線12之區域係形成TFT之閘極電極G。
接著，於閘極絕緣膜14及半導體層15之表面形成例如由鋁或鋁合金所構成的導電性層。並且，藉由光刻法及 蝕刻法形成該導電性層，於顯示區域中以與掃描線12交叉的方式形成含有源極電極S的訊號線16，且於TFT形成區域形成汲極電極D，並且，於高位配線用安裝端子部33B(參照第4圖)形成由源極配線所構成的安裝端子用配線35。該源極配線係與閘極配線的情形相同，並非一定要作為訊號線16用之配線而使用者，因其為與訊號線16相同材質之配線，故稱為「源極配線」，其圖示雖省略但可適當使用於各種配線用。
其後，在以上述步驟所得的透明基板11之整個表面被覆鈍化膜17。就該鈍化膜17而言，雖可使用由氮化矽層或氧化矽層所構成者，但從絕緣性的觀點來看以氮化矽層為佳。其中，存在於低位配線用安裝端子部33A之安裝端子用配線34之表面的閘極絕緣膜14及鈍化膜17係對應於本發明之第1絕緣膜，同樣地存在於高位配線用安裝端子部33B之安裝端子用配線35之表面的鈍化膜17也對應於第1絕緣膜。
接著，藉由光刻法及蝕刻法，於共通配線13上及低位配線用安裝端子部33A之安裝端子用配線34上之表面的閘極絕緣膜14及鈍化膜17分別形成接觸孔21及36a。與此同時，在高位配線用安裝端子部33B之安裝端子用配線35上之鈍化膜17形成接觸孔37a。該接觸孔21、36a、及37a之形成，係採用屬於乾蝕刻法之1種的電漿蝕刻法或藉由緩衝氟酸而進行的濕蝕刻法。藉此，共通配線13、安裝端子用配線34及35的表面會露出。又，此時汲極電極 D上的鈍化膜17尚未形成有接觸孔。而且，於顯示區域之鈍化膜17的表面，係藉由光刻法而以除去接觸孔21部分及汲極電極D上之接觸孔形成預定部分之方式，積層以例如丙烯酸樹脂或聚醯亞胺(polyimide)樹脂所構成的平坦化膜(亦稱為層間膜)18。
接著，遍及形成有平坦化膜18的透明基板11之整個表面而被覆以例如ITO或IZO所構成的透明導電性層。之後，藉由光刻法及蝕刻法，於每個像素分別於平坦化膜18之表面形成下電極22，並且以被覆安裝端子用配線34及35之表面及其周圍之鈍化膜17的方式，分別形成第1透明導電性膜38及39。此時，每個像素之下電極22係經由接觸孔21而與共通配線13電性連接。
再者，遍及於形成有下電極22、第1透明電性膜38及39的透明基板11之整個表面而形成由氮化矽層或氧化矽層所構成的絕緣膜23。此時，汲極電極D上之接觸孔形成預定部分之鈍化膜17的表面、第1透明導電性膜38及39之表面也由絕緣膜23所被覆。接著，藉由光刻法及蝕刻法，而分別對汲極電極D上之接觸孔形成預定部分的鈍化膜17及絕緣膜23形成接觸孔24，對位於第1透明導電性膜38及39之表面上的絕緣膜23形成開口36b及37b。該接觸孔24、開口36b及37b的形成可採用屬於乾蝕刻法之一種的電漿蝕刻法或以緩衝氟酸進行的濕式蝕刻法。又，於第1圖中，絕緣膜23雖於除了以下所述的上電極26之部分以外顯現於整面，但為了使液晶顯示面板10A易 於理解而省略其圖示。
從而，汲極電極D雖於此首次露出於蝕刻環境下，但由於在安裝端子用配線34及35之表面存在有第1透明導電性膜38及39，故在形成開口36b及37b時不會使安裝端子用配線34及35直接露出在蝕刻環境下。從而，於開口36b及37b之形成時，安裝端子用配線34及35不會再度受到損傷或腐蝕。
另外，該開口36b及37b係比於安裝端子用配線34上之閘極絕緣膜14及鈍化膜17所形成的接觸孔36a、及安裝端子用配線35上之鈍化膜17所形成的接觸孔37a更為小徑。從而，第1透明導電性膜38及39上之絕緣膜23係在開口36b及37b之周緣側局部地被覆第1透明導電性膜38及39。藉由採用該構造，絕緣膜23會形成至接觸孔36a、37a之內周為止，因此，例如即使絕緣膜23在蝕刻環境下被急速地蝕刻，而侵蝕至接觸孔36a、37a之壁時，也因絕緣膜23覆蓋表面的面積寬廣，故不會被侵蝕至屬於各安裝端子部33A、33B之安裝部的接觸孔36a、37a之周緣部，故可維持安裝部的高度。因此，在各安裝端子部33A、33B難以產生高度的不均，而可抑制非接觸部分的產生。又，於該絕緣膜23中，存在於安裝端子用配線34及35上的第1透明導電性膜38及39之表面所形成的部分係對應於第2絕緣膜。
再者，遍及於形成有絕緣膜23之透明基板11之整個表面而被覆例如由ITO或IZO所構成的透明導電性層。之 後，藉由光刻法及蝕刻法，於每個像素分別於絕緣膜23之表面形成已形成有複數個開縫25的上電極26，並且以被覆第1透明導電性膜38及39的表面及其周圍之絕緣膜23的方式，分別形成第2透明導電性膜41及42。該第2透明導電性膜41及42係經由形成於絕緣膜23的開口36b及37b而分別接觸第1透明導電性膜38及39之表面，而分別對應於安裝端子。之後，藉由於包含顯示部之上電極26的整個表面設置配向膜(未圖示)，即完成了第1實施例之液晶顯示面板10A的陣列基板AR。
又，本實施例雖記載以下電極為共通電極、以上電極為像素電極之構成，但例如也可構成為以下電極為像素電極而與汲極電極D連接，以上電極為共通電極而與配置於像素內或顯示區域周邊部的共通配線13電性連接。
再者，就配置於顯示區域外的安裝端子部之導電材料而言，第1透明導電性膜38及39、與第2透明導電性膜41及42係不僅可由ITO或IZO等透明電極形成，例如也可由鋁、鉬、鈦、鉻等導電性遮光膜形成。
另外，彩色濾光器基板CF係如第2圖所示，於第2透明基板27之表面，以被覆陣列基板AR之掃描線12、訊號線16、及對應於TFT5之位置的方式形成有黑矩陣28。此外，在被黑矩陣28圍起來的第2透明基板27之表面，係形成有預定色之彩色濾光器層29，此外，以被覆黑矩陣28及彩色濾光器層29之表面的方式形成外覆(overcoat)層30。之後，於外覆層30之表面形成配向膜(未圖示)而 完成彩色濾光器基板CF。
並且，於陣列基板AR之上電極26與彩色濾光器基板CF之彩色濾光器層29係以彼此相對向的方式使陣列基板AR及彩色濾光器基板CF相對向，且藉由於其間封入液晶31而獲得第1實施例之FFS模式的液晶顯示面板10A。
藉由如上所述而製造的第1實施例之液晶顯示面板10A，形成於顯示區域之周緣部的安裝端子部33A及33B係可於製作顯示部時同時進行製作，而且，安裝端子用配線34及35係在形成於其表面的各種絕緣層形成接觸孔或開口時一次也沒有露出於蝕刻環境下。因此，依據第1實施例之液晶顯示面板10A，安裝端子用配線34及35即不易因蝕刻環境而受到損傷，因此在對應於安裝端子的第2透明導電性膜41及42安裝各種構件時因斷線或腐蝕而導致配線電阻增加等缺失的產生會變少，即可獲得安裝端子部33A及33B之可靠性提昇的FFS模式之液晶顯示面板10A。
(第2實施例)
又，第1實施例之液晶顯示面板10A雖係例示穿透型FFS模式之液晶顯示面板，但亦可採用半穿透型FFS模式之液晶顯示面板。在此使用第5圖及第6圖說明作為第2實施例的半穿透型FFS模式液晶顯示面板10B之構成。又，於第2實施例之液晶顯示面板10B中，係對於第1實施例之液晶顯示面板10A相同的構成部分賦予同一元件符號而省略其詳細說明。
第2實施例之半穿透型FFS模式之液晶顯示面板10B與第1實施例之穿透型FFS模式之液晶顯示面板10A在構成上的不同點是：於平坦化膜18之表面的一部分形成有凹凸(省略圖示)，於形成有該凹凸的平坦化膜18之表面形成有由光反射性金屬所構成的反射板19。該反射板19係被配置於平坦化膜18之表面與下電極22之間。從而，第2實施例之液晶顯示面板10B係於各自形成有上電極26的部分中，使形成有反射板19的部分形成為反射部20，其他部分則形成穿透部。又，就光反射性金屬而言，可適當選擇鋁、鋁合金、或銀等作為半穿透型液晶顯示面板之反射板形成材料而廣泛使用者而加以使用。
於第2實施例之液晶顯示面板10B中，於形成平坦化膜18成後遍及整個表面而形成光反射性金屬膜，之後藉由光刻法及蝕刻法而形成反射板19。之後，藉由光刻法及蝕刻法，最初係將各像素之反射板19的部分留下而去除其他部分的光反射性金屬膜。接著，藉由進行蝕刻，於共通配線13上以及低位配線用安裝端子部33A之安裝端子用配線34上之表面的閘極絕緣膜14及鈍化膜17分別形成接觸孔21及36a，並且於高位配線用安裝端子部33B之安裝端子用配線35上之鈍化膜17形成接觸孔37a。之後的製造步驟係與第1實施例之液晶顯示面板10A時相同。
又，第2實施例之液晶顯示面板10B之形成於顯示區域周緣部的安裝端子部33A及33B之構成係與第1實施例之液晶顯示面板10A時為相同構成。因此，依據第2實施 例之液晶顯示面板10B，即可獲得可發揮與第1實施例之液晶顯示面板10A相同效果的半穿透型FFS模式之液晶顯示面板。
接著，進行屬於第1實施例之變形例的第7圖之安裝端子部33C至33E之說明。又，與第1實施例之液晶顯示面板10A相同構成之部分係賦予相同的元件符號而省略其詳細說明。又，於以下所述的變形例中雖依據低位配線來進行說明，但也可廣泛使用於高位配線。
(第1變形例)
第7圖之安裝端子部33C係未使絕緣膜23形成至接觸孔36a之底部而使其設置於第1透明導電性膜38之兩端部上(接觸孔36a之周緣部)，而使第1透明導電性膜38與第2透明導電性膜41之接觸面積成為比第1實施例之接觸面積更寬廣的構造。因此，可以使各安裝端子部低電阻化，且可供給穩定的電壓。
(第2變形例)
在第7圖之安裝端子部33D中第1透明導電性膜38係形成為至少將與安裝端子用配線34電性連接的接觸孔36a之底部(下端部)予以覆蓋。更詳而言之，其構造為：第1透明導電性膜38係覆蓋接觸孔36a之底部(下端部：安裝端子用配線34之上部)，從其上使第1透明導電性膜38與安裝端子用配線34之接觸部露出而形成絕緣膜23，且於最表面設置第2透明導電性膜41。其為至少以第1透明導電性膜38覆蓋安裝端子用配線34之表面的構造，藉 此，可防止安裝端子用配線34露出於蝕刻環境下。從而可更有效地保護安裝端子用配線34。
(第3變形例)
第7圖之安裝端子部33E之構造為：第1透明導電性膜38係將形成於接觸孔36a之底部(下端部)之一部分的區域(例如，除了兩端部以外的中央部)的安裝端子用配線34之上部予以覆蓋，於接觸孔36a之周緣部形成絕緣膜23，且以將其覆蓋的方式設有第2透明導電性膜41。此乃形成為以不使安裝端子用配線34露出於蝕刻環境的方式，例如使安裝端子用配線34之兩端部稍微露出而僅使中央部分的表面由第1透明導電性膜38所覆蓋的構造。於此構造時，於該形成區域中，即使因蝕刻環境而使露出面有某種程度的損害，也可保護安裝端子用配線34。
10A、10B‧‧‧液晶顯示面板
11‧‧‧透明基板
12‧‧‧掃描線
13‧‧‧共通配線
14‧‧‧閘極絕緣膜
15‧‧‧半導體層
16‧‧‧訊號線
17‧‧‧鈍化膜
18‧‧‧平坦化膜
19‧‧‧反射板
20‧‧‧反射部
21、24‧‧‧接觸孔
22‧‧‧下電極
23‧‧‧絕緣膜
25‧‧‧開縫
26‧‧‧上電極
27‧‧‧第2透明基板
28‧‧‧黑矩陣
29‧‧‧彩色濾光器層
30‧‧‧外覆層
31‧‧‧液晶
33A‧‧‧低位配線用安裝端子部
33B‧‧‧高位配線用安裝端子部
33C至33E‧‧‧安裝端子部
34、35‧‧‧安裝端子用配線
36a、37a‧‧‧接觸孔
36b、37b‧‧‧開口
38、39‧‧‧第1透明導電性膜
41、42‧‧‧第2透明導電性膜
AR‧‧‧陣列基板
CF‧‧‧彩色濾光器基板
第1圖為將本發明第1實施例之FFS模式的液晶顯示面板之彩色濾光器基板透視後的陣列基板之1像素份的示意性平面圖。
第2圖為沿著第1圖之II－II線的剖面圖。
第3圖為第1實施例之液晶顯示面板的低位配線之端子部之示意性剖面圖。
第4圖為第1實施例之液晶顯示面板的高位配線之端子部之示意性剖面圖。
第5圖為將本發明第2實施例之FFS模式的半穿透型液晶顯示面板之彩色濾光器基板透視後的陣列基板之1像 素份的示意性平面圖。
第6圖為沿著第5圖之VI－VI線的剖面圖。
第7圖為顯示端子部之變形例的示意性剖面圖。
第8圖(a)為顯示習知例之低位配線之安裝端子部之剖面的圖；第8圖(b)為顯示習知例之高位配線之安裝端子部之剖面的圖。
11‧‧‧透明基板
14‧‧‧閘極絕緣膜
17‧‧‧鈍化膜
23‧‧‧絕緣膜
33A‧‧‧低位配線用安裝端子部
34‧‧‧安裝端子用配線
36a‧‧‧接觸孔
36b‧‧‧開口
38‧‧‧第1透明導電性膜
41‧‧‧第2透明導電性膜

Claims (8)

  1. 一種液晶顯示面板，係為具有於顯示區域之周緣部形成有安裝端子部的陣列基板的液晶顯示面板，其中，前述顯示區域係具有：分別形成矩陣狀的複數條掃描線及訊號線；以及形成於平坦化膜上，於每個以前述掃描線及前述訊號線圍起的區域隔著絕緣膜而相對向配置之分別由透明導電性材料構成的下電極與具有複數個開縫的上電極；其中，前述安裝端子部係具有：第1絕緣膜，係以與將前述顯示區域之前述掃描線上予以被覆的閘極絕緣膜及將前述訊號線上予以被覆的鈍化膜為相同材質的複層膜所形成，將安裝端子用配線之表面予以被覆；接觸孔，以貫通前述安裝端子用配線上之前述第1絕緣膜的方式形成；第1導電性膜，至少被覆前述接觸孔之底部的一部分，並且與前述安裝端子用配線電性連接；第2絕緣膜，設於前述第1絕緣膜之表面，且具有於俯視時至少一部分與前述接觸孔重疊的開口；以及第2導電性膜，將前述接觸孔周圍的前述第2絕緣膜之表面予以被覆；而且前述第2絕緣膜的一部分，係形成於前述第1導電性 膜和前述第2導電性膜之間，且與前述第1導電性膜和前述第2導電性膜直接接觸，其在前述第1導電性膜和前述第2導電性膜之間延伸而至前述接觸孔的內部，以覆蓋前述接觸孔底部的前述第1導電性膜的一部分，前述安裝端子用配線係以與前述顯示區域之前述掃描線相同材質的金屬材料所形成，前述第1導電性膜和前述第2導電性膜係於前述開口電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中，前述第2絕緣膜係將前述接觸孔之內周面及周緣部表面予以被覆，並且於前述接觸孔之中央部附近具有比前述接觸孔之直徑更小徑的開口。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中，前述第2絕緣膜係形成於前述接觸孔之周緣部。
  4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中，前述第1導電性膜係與前述安裝端子用配線電性連接，而以覆蓋前述接觸孔之底部的方式形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中，前述第1導電性膜係與前述安裝端子用配線電性連接，且形成於前述安裝端子用配線之表面之一部分的區域。
  6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示面板，其中，前述第1導電性膜及前述第2導電性膜係分別與前述下電極及前述上電極為相同材質，前述第2絕緣膜係與配置於前述下電極及前述上電極間的前述絕緣膜為相同材質。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之液晶顯 示面板，其中，於前述顯示區域之前述平坦化膜與前述下電極之間係局部地形成有反射板。
  8. 一種液晶顯示面板之製造方法，前述液晶顯示面板係具有顯示區域、及形成於前述顯示區域之周圍的安裝端子部，該顯示區域係具備：分別形成矩陣狀的複數條掃描線及訊號線；以及形成於平坦化膜上，於每個以前述掃描線及前述訊號線圍起的區域隔著絕緣膜而相對向配置之分別由透明導電性材料構成的下電極與具有複數個開縫的上電極；於前述液晶顯示面板之製造方法中，前述安裝端子部係藉由以下(1)至(7)之步驟而製造者：(1)於基板表面之安裝端子形成位置形成與前述掃描線或前述訊號線為相同材質之預定圖案的安裝端子用配線的步驟；(2)將前述安裝端子用配線之表面以第1絕緣膜予以被覆的步驟，其中該第1絕緣膜係以與將前述顯示區域之前述掃描線上予以被覆的閘極絕緣膜及將前述訊號線上予以被覆的鈍化膜為相同材質的複層膜所形成；(3)以貫通前述安裝端子用配線上之前述第1絕緣膜的方式形成接觸孔的步驟；(4)以至少將前述接觸孔之底部的一部分被覆、並且與前述安裝端子用配線電性連接之方式，形成與前述下電極為相同材質之第1導電性膜的步驟；(5)於前述第1絕緣膜之表面形成與配置於前述顯示區域之前述下電極及前述上電極間的絕緣膜為同組成的第2 絕緣膜的步驟；(6)於前述第2絕緣膜形成於俯視時至少一部分與前述接觸孔之重疊的開口的步驟；(7)形成由第2導電性膜所構成的安裝端子的步驟，該第2導電性膜係將前述接觸孔周圍之前述第2絕緣膜之表面予以被覆，並且與前述第1導電性膜於前述開口電性連接，且與前述上電極為相同材質，前述第2絕緣膜的一部分，係形成於前述第1導電性膜和前述第2導電性膜之間，且與前述第1導電性膜和前述第2導電性膜直接接觸，其在前述第1導電性膜和前述第2導電性膜之間延伸而至前述接觸孔的內部，以覆蓋前述接觸孔底部的前述第1導電性膜的一部分。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5470894B2 (ja) * 2009-02-18 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN103606549B (zh) * 2009-04-23 2017-06-09 群创光电股份有限公司 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统
CN107275372B (zh) * 2009-04-23 2020-06-23 群创光电股份有限公司 显示面板及应用该显示面板的图像显示系统
BRPI1006997A2 (pt) 2009-05-29 2016-04-19 Sharp Kk substrato de matriz e dispositivo de vídeo tendo o mesmo
JP5078176B2 (ja) * 2010-07-21 2012-11-21 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
US8659734B2 (en) * 2011-01-03 2014-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN102156369B (zh) * 2011-01-18 2013-09-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法
JP5929097B2 (ja) * 2011-10-27 2016-06-01 セイコーエプソン株式会社 液晶装置、及び電子機器
JP5907697B2 (ja) 2011-11-09 2016-04-26 三菱電機株式会社 配線構造及びそれを備える薄膜トランジスタアレイ基板並びに表示装置
CN103185999B (zh) * 2011-12-31 2015-09-16 上海中航光电子有限公司 液晶显示器阵列基板及其扫描线结构
JP5951329B2 (ja) * 2012-04-10 2016-07-13 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR20130114998A (ko) 2012-04-10 2013-10-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5197873B2 (ja) * 2012-07-10 2013-05-15 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
KR102029986B1 (ko) 2012-12-13 2019-10-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101994974B1 (ko) * 2013-01-10 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102078807B1 (ko) 2013-07-03 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103399434B (zh) * 2013-08-01 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其扇出线结构
CN112054031B (zh) * 2019-06-06 2023-06-27 夏普株式会社 有源矩阵基板及其制造方法
CN110989259B (zh) 2019-12-12 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003149664A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2004094020A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
US20050105032A1 (en) * 2003-11-18 2005-05-19 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
JP2005338264A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
TWI248545B (en) * 2003-05-27 2006-02-01 Nec Lcd Technologies Ltd LCD device having a smaller level difference
TW200706980A (en) * 2005-07-15 2007-02-16 Sanyo Epson Imaging Devices Co Liquid crystal display device and electronic apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007093859A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 液晶装置および電子機器
KR100744404B1 (ko) * 2006-04-06 2007-07-30 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003149664A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2004094020A (ja) * 2002-09-02 2004-03-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
TWI248545B (en) * 2003-05-27 2006-02-01 Nec Lcd Technologies Ltd LCD device having a smaller level difference
US20050105032A1 (en) * 2003-11-18 2005-05-19 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display device
JP2005338264A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
TW200706980A (en) * 2005-07-15 2007-02-16 Sanyo Epson Imaging Devices Co Liquid crystal display device and electronic apparatus

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