JP5154298B2

JP5154298B2 - 液晶表示パネル、その製造方法

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Publication number: JP5154298B2
Application number: JP2008125571A
Authority: JP
Inventors: 英樹金子; 正寛堀口
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイウェスト
Priority date: 2007-08-01
Filing date: 2008-05-13
Publication date: 2013-02-27
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Description

本発明は、実装端子部に各種部材を実装する際に断線や腐食による配線抵抗の増大等の不都合が生じないようにした、平坦化膜上に画素電極及び共通電極を配置したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示パネル、その製造方法に関する。

液晶表示パネルは、表面に電極等が形成された一対の透明基板と、この一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、両基板上の電極に電圧を印加することによって液晶を再配列させて種々の情報を表示する縦方向電界方式のものが多く使用されている。このような縦方向電界方式の液晶表示パネルは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのものが一般的であるが、視野角が狭いという問題点が存在するため、ＶＡ（Vertical Alignment）モードやＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等、種々の改良された縦方向電界方式の液晶表示パネルが開発されている。

一方、上述の縦方向電界方式の液晶表示パネルとは異なり、一方の基板にのみ画素電極及び共通電極からなる一対の電極を備えた横方向電界方式の液晶表示パネルとも称されるＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦＳモードの液晶表示パネルも知られている。

このうちＩＰＳモードの液晶表示パネルは、一対の電極を同一層に配置し、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するものである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示パネルは、前述の縦方向電界方式の液晶表示パネルと比すると非常に広視野角であるという利点を有している。しかしながら、ＩＰＳモードの液晶表示パネルは、液晶に電界を印加するため一対の電極が同一層に設けられているため、画素電極の上側に位置する液晶分子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招いてしまうといった問題点が存在している。

このようなＩＰＳモードの液晶表示パネルの問題点を解決するために、ＦＦＳモードの液晶表示パネルが開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表示パネルは液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異なる層に配置したものである。このＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルよりも広視野角かつ高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＩＰＳモードの液晶表示パネルよりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長所も存在している。

ここで、従来の液晶表示パネルの周縁部に形成される実装端子部の構成を図８を用いて説明する。

なお、図８（Ａ）は従来例の低位配線の実装端子部の断面を示し、図８（Ｂ）は従来例の高位配線の実装端子部の断面を示す図である。

実装端子部の作製は、液晶表示パネルのアレイ基板における走査線ないし信号線の作製と同時に行われる。そのため、実装端子部には、図８（Ａ）に示したような透明基板５１上に走査線やゲート電極の作製と同時に作製される低位配線５２に接続されるものと、図８（Ｂ）に示したような透明基板５１の表面を被覆するゲート絶縁膜５３上に信号線と同時に形成される高位配線５４に接続されるものとが存在する。この高位配線５４及びゲート絶縁膜５３の表面はパッシベーション膜（保護絶縁膜とも称される）５５で被覆されている。

そして、低位配線５２用の実装端子５６は、図８（Ａ）に示したように、パッシベーション膜５５及びゲート絶縁膜５３を同時に貫通するように形成されたコンタクトホール５７を介して画素電極の形成と同時に透明導電性材料により形成される。同じく、高位配線用の実装端子５８は、図８（Ｂ）に示したように、パッシベーション膜５５を貫通するように形成されるコンタクトホール５９を介して画素電極の形成と同時に透明導電性材料により形成される。従って、低位配線５２及び高位配線５４は、フォトリソグラフィー法によるコンタクトホール５７及び５９の形成時に、一度エッチング雰囲気に露出される。このようにして形成された低位配線用及び高位配線用の実装端子５６及び５８は、それぞれ低位配線５２及び高位配線５４よりも高い位置に、かつ、低位配線５２及び高位配線５４よりも幅が太くなるように設けられ、これらの実装端子５６及び５８に接続される各種接続部材との電気的接触が良好となるようになされている。

特開２００１−２３５７６３号公報特開２００２−１８２２３０号公報

ところで、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子やコモン配線と重なる画素電極の表面には段差が形成されているため、その段差の部分では液晶分子の配向が乱れてしまう。そこで、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、上記の段差の部分は、実質的に表示に寄与しない領域となるため、カラーフィルタ基板においてブラックマトリクスによって遮光しており、この段差の分だけ開口率が低下してしまう。

このような段差をなくすためには、上述のＶＡ方式ないしＭＶＡ方式の液晶表示パネルで使用されているような平坦化膜を用い、この平坦化膜上に画素電極や共通電極を配置することも考えられる。しかしながら、ＦＦＳモードの液晶表示パネルに対してこのような構成を採用すると、平坦化膜上に画素電極と共通電極とがそれぞれ絶縁膜を介して異なる層に配置されるため、周縁部に実装端子部を形成する際に低位配線ないし高位配線の表面に形成される絶縁膜が１層多くなる。このとき、フォトリソグラフィー法によって画素部のコンタクトホールを形成すると同時に、実装端子部の低位配線ないし高位配線を露出するためのコンタクトホールを形成する工程は次のようになる。すなわち、実装端子部のコンタクトホール形成位置に積層されたゲート絶縁膜（窒化膜）、保護膜（窒化膜）に開口部を形成し、実装端子部を除いて積層された平坦化膜上に共通電極を形成した後、全面に絶縁膜（窒化膜）を積層させ、実装端子部のコンタクトホール形成位置に、再び開口部を形成して電位配線まで貫通させる。そして、画素部に画素電極を形成すると同時に、実装端子部のコンタクトホールに共通電極と同材料の電極を形成させる。しかし、この方法の場合、低位配線ないし高位配線は二度もエッチング雰囲気に露出されてしまうことになる。

低位配線及び高位配線は、アルミニウムないしアルミニウム合金等の導電性は良好であるが腐食されやすい金属から形成されているため、二度も絶縁膜のエッチング雰囲気に露出されるとダメージが大きくなり、実装時に断線や腐食による配線抵抗の増大等の不都合が発生することがある。

そこで、画素電極のコンタクトホール開口時に、実装端子部のコンタクトホール配置位置のゲート絶縁膜（窒化膜）、保護膜（窒化膜）に開口を設けずに、画素電極と共通電極の間に介在する絶縁膜が形成された後に、実装端子部のコンタクトホールを一括でエッチングすることで、各電極配線がエッチング雰囲気に曝されないようにした。しかし、このプロセスの場合、ゲート絶縁膜、保護膜と絶縁膜の膜質が異なる為、エッチングレートが異なり、絶縁膜が逆テーパーになってしまい、各窒化膜間で段差が生じ、上電極でコンタクト部を覆う際に、段切れを発生させ、非接触状態となってしまうと言う問題が発生した。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る液晶表示パネルは、表示領域の周縁部に実装端子部が形成されたアレイ基板を有する液晶表示パネルにおいて、前記表示領域は、それぞれマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、前記走査線及び前記信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備え、前記実装端子部は、実装端子用配線の表面を被覆する第１絶縁膜と、前記実装端子用配線上の前記第１絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、少なくとも前記コンタクトホールの底部の一部を被覆すると共に、前記実装端子用配線と電気的に接続された第１導電性膜と、前記第１絶縁膜の表面に設けられ、平面視で前記コンタクトホールと少なくとも一部が重なる開口を有する第２絶縁膜と、前記コンタクトホールの周囲の前記第２絶縁膜の表面を被覆している第２導電性膜を有し、前記第１導電性膜と前記第２導電性膜は、前記開口において電気的に接続されていることを特徴とする。

この構成によれば、表示領域は、それぞれマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備えている。かかる構成によって、液晶表示パネルをＦＦＳモードの液晶表示パネルとして作動させることができる。

しかも、液晶表示パネルにおいては、絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とが平坦化膜上に形成されているので、下電極や上電極にスイッチング素子やコモン配線等による段差が生じなくなる。そのため、液晶表示パネルによれば、他方の基板と上電極との間隔、すなわちセルギャップが均一となり、更に、表示領域内においてブラックマトリクスで遮光しなければならない領域の面積が減少するために開口率が大きくなる。従って、液晶表示パネルによれば、明るく表示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。なお、ＦＦＳモードの液晶表示パネルにおいては、上電極及び下電極のいずれをも画素電極ないし共通電極として作用させることができる。すなわち、上電極及び下電極のうち、スイッチング素子に接続された方が画素電極となり、コモン配線に接続された方が共通電極となる。

加えて、液晶表示パネルにおいては、実装端子部の実装端子用配線の表面が第１導電性膜で被覆されている。そのため、フォトリソグラフィー法によって第２絶縁膜の中央部近傍に開口を形成する際、実装端子用配線の表面が露出しないので、実装端子用配線のダメージが少なくなる。従って、液晶表示パネルによれば、実装端子部に所定の部材を実装する際に断線や腐食による配線抵抗の増大等の不都合が生じなくなり、実装部の信頼性が良好なＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。

［適用例２］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記第２絶縁膜は、前記コンタクトホールの内周面及び周縁部表面を被覆すると共に、前記コンタクトホールの中央部近傍に前記コンタクトホールの直径よりも小径の開口を有することが好ましい。

この構成によれば、第２絶縁膜がコンタクトホールの内周まで形成されている。よって、例えば、第２絶縁膜がエッチング雰囲気で急激にエッチングされ、コンタクトホールの壁まで侵食されたとしても、第２絶縁膜が表面を覆っている面積が広い為、実装端子部の実装部となるコンタクトホールの周縁部まで侵食されず、実装部の高さを維持することが可能となる。これにより、各実装端子部で高さのバラツキが発生しにくくなり、非接触部分の発生を抑制することができる。

［適用例３］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記第２絶縁膜は、前記コンタクトホールの周縁部に形成されていることが好ましい。

この構成によれば、第２絶縁膜がコンタクトホールの底部（ボトム部）まで形成されずに、コンタクトホールの周縁部に設けられているので、第１導電性膜と第２導電性膜との接触面積が広くなる。よって、各実装端子部は、低抵抗化となり、安定した電圧を供給することができる。

［適用例４］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記第１導電性膜は前記実装端子用配線と電気的に接続されており、前記コンタクトホールの底部を覆うように形成されていることが好ましい。

この構成によれば、コンタクトホールの底部（実装端子用配線の表面）を覆うように第１導電性膜が形成されているので、実装端子用配線がエッチング雰囲気に露出されないようにすることができる。よって、実装端子用配線をより効果的に保護することができる。

［適用例５］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記第１導電性膜は前記実装端子用配線と電気的に接続されており、前記実装端子用配線の表面の一部の領域に形成されていることが好ましい。

この構成によれば、第１導電性膜が実装端子用配線と電気的に接続されている実装端子用配線の表面の一部の領域に形成されているので、その形成領域においては、エッチング雰囲気で露出面がある程度荒らされたとしても、実装端子用配線を保護することができる。

［適用例６］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記第１導電性膜及び前記第２導電性膜はそれぞれ前記下電極及び前記上電極と同材質であり、前記第２絶縁膜は前記下電極及び前記上電極間に配置された前記絶縁膜と同材質であることが好ましい。

このような構成とすると、表示領域の形成の際に同時に実装端子部を形成できるため、工数を増やすことなく表示領域と実装端子部を形成することができる。なお、「同材質」とは、それぞれ同じ材料で形成されている場合を含む他、例えば一方が複層構造である場合には他方も同様の複層構造を備えていることを意味する。

また、下電極及び上電極としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料を使用することができる。この場合、下電極及び上電極とは同組成のものであっても異なる組成のものであっても良い。また、平坦化膜は、少なくとも表面が平坦性を有する透明な有機絶縁性膜であれば使用することができ、例えばアクリル樹脂やポリイミド等の透明樹脂を使用することができる。更に、各種絶縁膜としては酸化ケイ素や窒化ケイ素等の無機絶縁膜を使用することができる。

［適用例７］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記実装端子用配線は前記表示領域の前記走査線と同材質の金属材料で形成されており、前記第１絶縁膜は前記表示領域の前記走査線上を被覆するゲート絶縁膜及び前記信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の複層膜で形成されていることが好ましい。

この構成によれば、表示領域の走査線は通常透明基板上に直接低位配線として形成されるから、この走査線と同時に形成される実装端子用配線の表面はゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者で覆われるので、このゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者が第１絶縁膜となる。係る態様の液晶表示パネルによれば、実装端子用配線が直接基板上に形成される低位配線の場合であっても、上記発明の効果を奏する液晶表示パネルが得られる。但し、前述した構成においては、ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者を第１絶縁膜としたが、実装端子用配線上に形成されている絶縁膜は一層であっても二層であっても第１絶縁膜に相当する。

［適用例８］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記実装端子用配線は前記表示領域の前記信号線と同材質の金属材料で形成されており、前記第１絶縁膜は前記表示領域の前記信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の膜で形成されていることが好ましい。

この構成によれば、表示領域の信号線は通常ゲート絶縁膜の表面に高位配線として形成されるから、この信号線と同時に形成される実装端子用配線の表面はパッシベーション膜で覆われるので、このパッシベーション膜が第１絶縁膜となる。係る態様の液晶表示パネルによれば、実装端子用配線がゲート絶縁膜の表面に高位配線の場合であっても、上記発明の効果を奏する液晶表示パネルが得られる。

［適用例９］上記適用例に係る液晶表示パネルにおいて、前記表示領域の前記平坦化膜と前記下電極の間には部分的に反射板が形成されているものとすることができる。

係る態様の液晶表示パネルによれば、平坦化膜と下電極の間に部分的に反射板が形成されている箇所が反射部として作用し、他の部分が透過部として作用するため、ＦＦＳモードの半透過型液晶表示パネルが得られる。

［適用例１０］本適用例に係る液晶表示パネルの製造方法は、それぞれマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、前記走査線及び前記信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備えた表示領域と、前記表示領域の周囲に形成された実装端子部を有する液晶表示パネルの製造方法において、前記実装端子部は以下の（１）〜（７）の工程により製造することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。（１）基板表面の実装端子形成位置に、前記走査線又は前記信号線と同材質の所定のパターンの実装端子用配線を形成する工程、（２）前記実装端子用配線の表面を第１絶縁膜で被覆する工程、（３）前記実装端子用配線上の前記第１絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを形成する工程、（４）少なくとも前記コンタクトホールの底部の一部を被覆すると共に、前記実装端子用配線と電気的に接続されるように、前記下電極と同材質の第１導電性膜を形成する工程、（５）前記第１絶縁膜の表面に、前記表示領域の前記下電極及び前記上電極間に配置された絶縁膜と同組成の第２絶縁膜を形成する工程、（６）前記第２絶縁膜に、平面視で前記コンタクトホールと少なくとも一部が重なる開口を形成する工程、（７）前記コンタクトホールの周囲の前記第２絶縁膜の表面を被覆すると共に、前記第１導電性膜と前記開口において電気的に接続された前記上電極と同材質の第２導電性膜からなる実装端子を形成する工程。

係る態様の液晶表示パネルの製造方法によれば、容易に上記効果を奏する液晶表示パネルを製造することができる。

以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を各種実施例より説明する。但し、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示パネルとしてＦＦＳモードの液晶表示パネルを例示するものであって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示パネルに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。

なお、図１は実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａのカラーフィルタ基板を透視したアレイ基板の１画素分の模式平面図である。図２は図１のII−II線に沿った断面図である。図３は実施例１の液晶表示パネルの低位配線の端子部の模式断面図である。図４は実施例１の液晶表示パネルの高位配線の端子部の模式断面図である。図５は実施例２のＦＦＳモードの半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視したアレイ基板の１画素分の模式平面図である。図６は図５のVI−VI線に沿った断面図である。

実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネルとして、平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａの例を製造工程順に図１〜図４を用いて説明する。この液晶表示パネル１０Ａにおけるアレイ基板ＡＲの製造に際しては、最初にガラス基板等の透明基板１１の表面全体に亘って例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電性層を形成する。その後、周知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域に複数の走査線１２及び複数のコモン配線１３を互いに平行になるように形成すると共に、表示領域の周縁部の低位配線用実装端子部３３Ａ（図３参照）にはゲート配線からなる実装端子用配線３４を形成する。このゲート配線は、必ずしも走査線１２用の配線として使用されるものではなく、走査線１２と同じ材質の配線であるために「ゲート配線」と称されているものであり、図示省略したが適宜各種の配線用に使用されるものである。また、ここではコモン配線１３は自画素の走査線１２に沿うように形成した例を示したが、隣接する画素の走査線１２側に沿うように形成しても、あるいは両走査線１２の間に形成してもよい。

次いで、この表面全体に窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるゲート絶縁膜１４を被覆する。その後、ＣＶＤ（化学的気相成長）法によりたとえばアモルファス・シリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層をゲート絶縁膜１４の表面全体に亘って被覆した後、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層からなる半導体層１５を形成する。この半導体層１５が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１４及び半導体層１５の表面に例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる導電性層を形成する。更に、その導電性層を、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、表示領域において走査線１２に交差するようにソース電極Ｓを含む信号線１６を形成し、ＴＦＴ形成領域にドレイン電極Ｄを形成し、更に、高位配線用実装端子部３３Ｂ（図４参照）にソース配線からなる実装端子用配線３５を形成する。このソース配線は、ゲート配線の場合と同様に、必ずしも信号線１６の配線として使用されるものではなく、信号線１６と同じ材質の配線であるために「ソース配線」と称されているものであり、図示省略したが適宜各種の配線用に使用されるものである。

その後、上記工程で得られた透明基板１１の表面全体にパッシベーション膜１７を被覆する。このパッシベーション膜１７としては、窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるものを使用することができるが、絶縁性の観点からは窒化ケイ素層の方が望ましい。このうち、低位配線用実装端子部３３Ａの実装端子用配線３４の表面に存在するゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜１７が発明の第１絶縁膜に対応し、同じく高位配線用実装端子部３３Ｂの実装端子用配線３５の表面に存在するパッシベーション膜１７も第１絶縁膜に対応する。

次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、コモン配線１３上及び低位配線用実装端子部３３Ａの実装端子用配線３４上の表面のゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜１７にそれぞれコンタクトホール２１及び３６ａを形成する。それと同時に、高位配線用実装端子部３３Ｂの実装端子用配線３５上のパッシベーション膜１７にコンタクトホール３７ａを形成する。このコンタクトホール２１，３６ａ及び３７ａの形成には、乾式エッチング法の１種であるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチング法を採用し得る。これにより、コモン配線１３、実装端子用配線３４及び３５の表面が露出される。なお、このときドレイン電極Ｄ上のパッシベーション膜１７には未だコンタクトホールは形成しない。更に、表示領域のパッシベーション膜１７の表面に、フォトリソグラフィー法によって、コンタクトホール２１部分及びドレイン電極Ｄ上のコンタクトホール形成予定部分を除いて、例えばアクリル樹脂ないしポリイミド樹脂から成る平坦化膜（層間膜とも称される）１８を積層する。

次いで、平坦化膜１８が形成された透明基板１１の表面全体に亘って例えばＩＴＯやＩＺＯからなる透明導電性層を被覆する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、それぞれの画素毎に平坦化膜１８の表面に下電極２２を形成すると共に、実装端子用配線３４及び３５の表面及びこれらの周囲のパッシベーション膜１７を被覆するように、それぞれ第１透明導電性膜３８及び３９を形成する。このとき、それぞれの画素毎の下電極２２はコンタクトホール２１を介してコモン配線１３と電気的に接続される。

更に、下電極２２、第１透明導電性膜３８及び３９が形成された透明基板１１の表面全体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる絶縁膜２３を形成する。このとき、ドレイン電極Ｄ上のコンタクトホール形成予定部分のパッシベーション膜１７の表面、第１透明導電性膜３８及び３９の表面も絶縁膜２３によって被覆される。次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ドレイン電極Ｄ上のコンタクトホール形成予定部分のパッシベーション膜１７及び絶縁膜２３に対してコンタクトホール２４を、第１透明導電性膜３８及び３９の表面上に位置する絶縁膜２３に対して開口３６ｂ及び３７ｂをそれぞれ形成する。このコンタクトホール２４、開口３６ｂ及び３７ｂの形成には、乾式エッチング法の１種であるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチング法を採用し得る。なお、図１においては、絶縁膜２３は、以下に述べる上電極２６の部分を除いて全面に現れるが、液晶表示パネル１０Ａの理解を容易にするために図示省略されている。

従って、ドレイン電極Ｄはここで初めてエッチング雰囲気に露出されるが、実装端子用配線３４及び３５の表面には第１透明導電性膜３８及び３９が存在しているから、開口３６ｂ及び３７ｂの形成時に実装端子用配線３４及び３５が直接エッチング雰囲気に露出されることがない。従って、開口３６ｂ及び３７ｂの形成時に実装端子用配線３４及び３５が再度ダメージを受けたり腐食されたりすることがなくなる。

また、この開口３６ｂ及び３７ｂは、実装端子用配線３４上のゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホール３６ａ及び実装端子用配線３５上のパッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホール３７ａよりも小径にされている。従って、第１透明導電性膜３８及び３９上の絶縁膜２３は開口３６ｂ及び３７ｂの周縁側で部分的に第１透明導電性膜３８及び３９を被覆していることになる。この構造を採ることにより、絶縁膜２３がコンタクトホール３６ａ，３７ａの内周まで形成されているので、例えば、絶縁膜２３がエッチング雰囲気で急激にエッチングされ、コンタクトホール３６ａ，３７ａの壁まで侵食されたとしても、絶縁膜２３が表面を覆っている面積が広い為、各実装端子部３３Ａ，３３Ｂの実装部となるコンタクトホール３６ａ，３７ａの周縁部まで侵食されず、実装部の高さを維持することが可能となる。そのため、各実装端子部３３Ａ，３３Ｂで高さのバラツキが発生しにくくなり、非接触部分の発生を抑制することが可能となる。なお、この絶縁膜２３のうち、実装端子用配線３４及び３５上に存在する第１透明導電性膜３８及び３９の表面に形成された部分が第２絶縁膜に対応する。

更に、絶縁膜２３が形成された透明基板１１の表面全体に亘って例えばＩＴＯやＩＺＯからなる透明導電性層を被覆する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、それぞれの画素毎に絶縁膜２３の表面に複数のスリット２５が形成された上電極２６を形成すると共に、第１透明導電性膜３８及び３９の表面及びこれらの周囲の絶縁膜２３を被覆するように、それぞれ第２透明導電性膜４１及び４２を形成する。この第２透明導電性膜４１及び４２は、絶縁膜２３に形成された開口３６ｂ及び３７ｂを介してそれぞれ第１透明導電性膜３８及び３９の表面と接触しており、それぞれ実装端子に対応する。この後、表示部の上電極２６を含む表面全体に配向膜（図示せず）を設けることにより実施例１の液晶表示パネル１０Ａのアレイ基板ＡＲが完成される。

なお、本実施例では下電極を共通電極とし、上電極を画素電極とした構成で記載しているが、例えば、下電極を画素電極としてドレイン電極Ｄと接続させ、上電極を共通電極とし画素内または表示領域周辺部に配置されているコモン配線１３に電気的に接続させて構成することも可能である。

さらに、表示領域外に配置されている実装端子部の導電材料においては、第１透明導電性膜３８及び３９と、第２透明導電性膜４１及び４２はＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極だけでなく、例えばアルミ、モリブ、チタン、クロム等導電性遮光膜で形成しても可能である。

また、カラーフィルタ基板ＣＦは、図２に示したように、第２の透明基板２７の表面には、アレイ基板ＡＲの走査線１２、信号線１６及びＴＦＴに対応する位置を被覆するようにブラックマトリクス２８が形成されている。更に、ブラックマトリクス２８で囲まれた第２の透明基板２７の表面には、所定の色のカラーフィルタ層２９が形成され、また、ブラックマトリクス２８及びカラーフィルタ層２９の表面を被覆するようにオーバーコート層３０が形成されている。そして、オーバーコート層３０の表面には配向膜（図示せず）が形成されて、カラーフィルタ基板ＣＦが完成される。

更に、アレイ基板ＡＲの上電極２６とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層２９が互いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させ、その間に液晶３１を封入することにより実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａが得られる。

このようにして製造された実施例１の液晶表示パネル１０Ａによれば、表示領域の周縁部に形成された実装端子部３３Ａ及び３３Ｂは、表示部の作製時に同時に作製することができ、しかも、実装端子用配線３４及び３５はその表面に形成された各種絶縁層にコンタクトホールないし開口を形成する際に一度しかエッチング雰囲気に露出されることがない。そのため、実施例１の液晶表示パネル１０Ａによれば、実装端子用配線３４及び３５がエッチング雰囲気によってダメージを受け難くなるので、実装端子に対応する第２透明導電性膜４１及び４２に各種部材を実装する際に断線や腐食による配線抵抗の増大等の不都合が生じることが少なくなり、実装端子部３３Ａ及び３３Ｂの信頼性が向上したＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａが得られる。

なお、実施例１の液晶表示パネル１０Ａとしては透過型のＦＦＳモードの液晶表示パネルの例を示したが、半透過型のＦＦＳモードの液晶表示パネルとすることもできる。ここで実施例２として半透過型のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｂの構成を図５及び図６を用いて説明する。なお、実施例２の液晶表示パネル１０Ｂにおいては、実施例１の液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。

実施例２の半透過型のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ｂが実施例１の透過型のＦＦＳモードの液晶表示パネル１０Ａと構成が相違している点は、平坦化膜１８の表面の一部に凹凸が形成され（図示省略）、この凹凸が形成された平坦化膜１８の表面に光反射性金属からなる反射板１９が形成されている点である。この反射板１９は、平坦化膜１８の表面と下電極２２との間に配置されている。従って、実施例２の液晶表示パネル１０Ｂでは、それぞれの上電極２６が形成されている部分において、反射板１９が形成されている部分が反射部２０を形成し、その他の部分が透過部を形成する。なお、光反射性金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金ないし銀等の半透過型液晶表示パネルの反射板形成材料として汎用的に使用されているものを適宜選択して使用し得る。

この実施例２の液晶表示パネル１０Ｂにおいては、平坦化膜１８の形成後に表面全体に亘って光反射性金属膜を形成し、その後にフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって反射板１９を形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、最初にそれぞれの画素毎の反射板１９の部分を残して他の部分の光反射性金属膜を除去する。引き続いて、エッチングを進めることによって、コモン配線１３上及び低位配線用実装端子部３３Ａの実装端子用配線３４上の表面のゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜１７にそれぞれコンタクトホール２１及び３６ａを形成する共に、高位配線用実装端子部３３Ｂの実装端子用配線３５上のパッシベーション膜１７にコンタクトホール３７ａを形成する。その後の製造工程は実施例１の液晶表示パネル１０Ａの場合と同様である。

なお、この実施例２の液晶表示パネル１０Ｂにおける表示領域の周縁部に形成される実装端子部３３Ａ及び３３Ｂの構成は実施例１の液晶表示パネル１０Ａの場合と同一の構成となる。従って、実施例２の液晶表示パネル１０Ｂによれば、実施例１の液晶表示パネル１０Ａと同様の効果を奏する半透過型のＦＦＳモードの液晶表示パネルが得られる。

次に、実施例１の変形例である図７の３３Ｃ〜３３Ｅの説明をする。なお、実施例１の液晶表示パネル１０Ａと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。なお、以下に後述する変形例においては低位配線に基づいて説明するが、高位配線に対しても汎用可能である。

（変形例１）
図７の３３Ｃは、絶縁膜２３がコンタクトホール３６ａのボトムまで形成されずに、第１透明導電性膜３８の両端部上（コンタクトホール３６ａの周縁部）に設けられ、第１透明導電性膜３８と第２透明導電性膜４１の接触面積が実施例１の接触面積より広い構造となっている。そのため、各実装端子部を低抵抗化することが可能となり、安定した電圧を供給することが可能となる。

（変形例２）
図７の３３Ｄは、第１透明導電性膜３８が実装端子用配線３４と電気的に接続されているコンタクトホール３６ａのボトム部を少なくとも覆うように形成されている。より詳しくは、第１透明導電性膜３８がコンタクトホール３６ａのボトム部（実装端子用配線３４の上部）を覆い、その上から、第１透明導電性膜３８と実装端子用配線３４の接触部を露出させるように、絶縁膜２３が形成され、最表面に第２透明導電性膜４１が設けられている構造となっている。これは、実装端子用配線３４の表面が少なくとも第１透明導電性膜３８で覆われた構造であり、これにより、実装端子用配線３４がエッチング雰囲気に露出されるのを防ぐことができる。よって、実装端子用配線３４をより効果的に保護することができる。

（変形例３）
図７の３３Ｅは、第１透明導電性膜３８がコンタクトホール３６ａのボトム部の一部の領域（例えば、両端部を除いた中央部）に形成され実装端子用配線３４の上部を覆い、コンタクトホール３６ａの周縁部に絶縁膜２３が形成され、それらを覆うように第２透明導電性膜４１が設けられている構造となっている。これは、実装端子用配線３４がエッチング雰囲気に露出されないように、例えば、実装端子用配線３４の両端部が少し露出して中央部分の表面のみを第１透明導電性膜３８で覆った構造となっている。この構造の場合、その形成領域においては、エッチング雰囲気で露出面がある程度荒らされたとしても、実装端子用配線３４を保護することができる。

実施例１のＦＦＳモードの液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視したアレイ基板の１画素分の模式平面図。図１のII−II線に沿った断面図。実施例１の液晶表示パネルの低位配線の端子部の模式断面図。実施例１の液晶表示パネルの高位配線の端子部の模式断面図。実施例２のＦＦＳモードの半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視したアレイ基板の１画素分の模式平面図。図５のVI−VI線に沿った断面図。端子部の変形例を示す模式断面図。図８（Ａ）は従来例の低位配線の実装端子部の断面を示し、図８（Ｂ）は従来例の高位配線の実装端子部の断面を示す図。

符号の説明

１０Ａ、１０Ｂ：液晶表示パネル１１：透明基板１２：走査線１３：コモン配線１４：ゲート絶縁膜１５：半導体層１６：信号線１７：パッシベーション膜１８：平坦化膜１９：反射板２０：反射部２１、２４：コンタクトホール２２：下電極２３：絶縁膜２５：スリット２６：上電極２７：第２の透明基板２８：ブラックマトリクス２９：カラーフィルタ層３０：オーバーコート層３１：液晶３３Ａ：低位配線用実装端子部３３Ｂ：高位配線用実装端子部３４、３５：実装端子用配線３６ａ、３７ａ：コンタクトホール３６ｂ、３７ｂ：開口３８、３９：第１透明導電性膜４１、４２：第２透明導電性膜。

Claims

表示領域の周縁部に実装端子部が形成されたアレイ基板を有する液晶表示パネルにおいて、
前記表示領域は、それぞれマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、前記走査線及び前記信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備え、
前記実装端子部は、
実装端子用配線の表面を被覆する第１絶縁膜と、
前記実装端子用配線上の前記第１絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、
少なくとも前記コンタクトホールの底部の一部を被覆すると共に、前記実装端子用配線と電気的に接続された第１導電性膜と、
前記第１絶縁膜の表面に設けられ、平面視で前記コンタクトホールと少なくとも一部が重なる開口を有する第２絶縁膜と、
前記コンタクトホールの周囲の前記第２絶縁膜の表面を被覆している第２導電性膜を有し、
前記第１導電性膜と前記第２導電性膜は、前記開口おいて電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示パネル。
前記第２絶縁膜は、前記コンタクトホールの内周面及び周縁部表面を被覆すると共に、前記コンタクトホールの中央部近傍に前記コンタクトホールの直径よりも小径の開口を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記第２絶縁膜は、前記コンタクトホールの周縁部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記第１導電性膜は前記実装端子用配線と電気的に接続されており、前記コンタクトホールの底部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記第１導電性膜は前記実装端子用配線と電気的に接続されており、前記実装端子用配線の表面の一部の領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記第１導電性膜及び前記第２導電性膜はそれぞれ前記下電極及び前記上電極と同材質であり、前記第２絶縁膜は前記下電極及び前記上電極間に配置された前記絶縁膜と同材質であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記実装端子用配線は前記表示領域の前記走査線と同材質の金属材料で形成されており、前記第１絶縁膜は前記表示領域の前記走査線上を被覆するゲート絶縁膜及び前記信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の複層膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記実装端子用配線は前記表示領域の前記信号線と同材質の金属材料で形成されており、前記第１絶縁膜は前記表示領域の前記信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
前記表示領域の前記平坦化膜と前記下電極の間には部分的に反射板が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
それぞれマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、前記走査線及び前記信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備えた表示領域と、前記表示領域の周囲に形成された実装端子部を有する液晶表示パネルの製造方法において、前記実装端子部は以下の（１）〜（７）の工程により製造することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
（１）基板表面の実装端子形成位置に、前記走査線又は前記信号線と同材質の所定のパターンの実装端子用配線を形成する工程、
（２）前記実装端子用配線の表面を第１絶縁膜で被覆する工程、
（３）前記実装端子用配線上の前記第１絶縁膜を貫通するようにコンタクトホールを形成する工程、
（４）少なくとも前記コンタクトホールの底部の一部を被覆すると共に、前記実装端子用配線と電気的に接続されるように、前記下電極と同材質の第１導電性膜を形成する工程、
（５）前記第１絶縁膜の表面に、前記表示領域の前記下電極及び前記上電極間に配置された絶縁膜と同組成の第２絶縁膜を形成する工程、
（６）前記第２絶縁膜に、平面視で前記コンタクトホールと少なくとも一部が重なる開口を形成する工程、
（７）前記コンタクトホールの周囲の前記第２絶縁膜の表面を被覆すると共に、前記第１導電性膜と前記開口において電気的に接続された前記上電極と同材質の第２導電性膜からなる実装端子を形成する工程。