JP2010145457A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

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JP2010145457A
JP2010145457A JP2008319298A JP2008319298A JP2010145457A JP 2010145457 A JP2010145457 A JP 2010145457A JP 2008319298 A JP2008319298 A JP 2008319298A JP 2008319298 A JP2008319298 A JP 2008319298A JP 2010145457 A JP2010145457 A JP 2010145457A
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Shinji Ichikawa
伸治 市川
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Abstract

【課題】表示に寄与する画素電極または共通電極の部分を大きくすることが可能な液晶表
示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置100は、コンタクトホール18aの形状を反映した凹部
19aを含む画素電極19と、画素電極19に対向するように配置されるとともに、複数
のスリット21aおよび電極部21bを有する共通電極21と、画素電極19と共通電極
21との間に形成されるとともに、画素電極19の凹部19aを埋めるように形成される
層間絶縁膜20とを備え、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部19aに対応する
領域の表面上には、共通電極21の電極部21bが形成されている。
【選択図】図4

Description

本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、一対の電極が層間絶縁膜を挟ん
で対向するように設けられる液晶表示装置および電子機器に関する。
従来、一対の電極(画素電極および共通電極)が層間絶縁膜を挟んで対向するように設
けられる液晶表示装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。上記特許文献1に
記載の液晶表示装置は、TFT素子(薄膜トランジスタ)と、薄膜トランジスタの表面上
に形成される平坦化膜と、平坦化膜に設けられるコンタクトホールを介して薄膜トランジ
スタのソース/ドレインの一方に接続される画素電極と、画素電極と対向するように設け
られる共通電極と、画素電極と共通電極との間に設けられる誘電膜(層間絶縁膜)とを備
えている。そして、画素電極および共通電極は、薄膜トランジスタが設けられる側に設け
られ、画素電極と共通電極との間に発生する横方向の電界により液晶を駆動するFFS(
Fringe Field Switching)方式により液晶表示装置が駆動されて
いる。
特開2007−248736号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、画素電極と共通電極との間
に設けられる層間絶縁膜をCVD(Chemical Vapor Depositio
n)法などで形成した場合に、薄膜トランジスタのソース/ドレインの一方と画素電極と
のコンタクト部分ではステップカバレジ(段差部の被覆率)が悪くなることに起因して、
層間絶縁膜の厚みが小さくなることが考えられる。このため、画素電極と共通電極との短
絡を防ぐためコンタクトホール近傍の共通電極が大きくくり抜かれている。その結果、表
示に寄与できる領域が小さくなるという問題点がある。また、層間絶縁膜上に画素電極が
形成される構成の液晶表示装置においても、上記層間絶縁膜上に共通電極が形成される場
合と同様に、画素電極と共通電極との短絡を防ぐためコンタクトホール近傍の画素電極が
大きくくり抜かれている。このため、表示に寄与できる領域が小さくなるという問題点が
ある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つ
の目的は、表示に寄与する画素電極または共通電極の部分を大きくすることが可能な液晶
表示装置を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面における液晶表示装置は、画素電位
または共通電位の一方を供給する第1導電層と、画素電位または共通電位の他方を供給す
る第2導電層と、第1導電層および第2導電層の表面上に形成され、第1導電層に対応す
る領域に形成されるコンタクトホールを有する平坦化膜と、第1導電層にコンタクトホー
ルを介して接続され、コンタクトホールの形状を反映した凹状の部分を含み、画素電極お
よび共通電極の一方からなる第1電極と、第1電極に対向するように配置されるとともに
、所定の方向に沿って延びるように形成される複数のスリットを有し、画素電極および共
通電極の他方からなる第2電極と、第1電極と第2電極との間に形成されるとともに、第
1電極の凹状の部分を埋めるように形成される層間絶縁膜とを備え、層間絶縁膜のうちの
第1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上には、第2電極の電極部が形成されている
この第1の局面による液晶表示装置では、上記のように、第1電極の凹状の部分を埋め
るように層間絶縁膜を形成するとともに、層間絶縁膜のうちの第1電極の凹状の部分に対
応する領域の表面上に第2電極の電極部を形成することによって、層間絶縁膜のうちの第
1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上の第2電極の電極部と、第1電極との間に発
生する電界によって液晶を駆動することができるので、層間絶縁膜のうちの第1電極の凹
状の部分に対応する領域の表面上に第2電極の電極部を形成しない場合と異なり、表示に
寄与できる領域を大きくすることができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、層間絶縁膜は、有機膜から
なる。このように構成すれば、たとえば塗布法により、容易に、第1電極の凹状の部分を
埋めるように層間絶縁膜を形成することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第2電極の電極部の端部の
少なくとも一部は、平面的に見て、コンタクトホールの上端部の近傍に配置されている。
このように構成すれば、コンタクトホールの上端部の近傍に配置される第2電極の電極部
と画素電極との間の層間絶縁膜の厚みが、コンタクトホールよりも外側の領域に位置する
層間絶縁膜の厚みと略同じになるので、コンタクトホールの上端部の近傍上の第2電極と
第1電極との間に発生する電界の強さと、コンタクトホールの外側上の第2電極と第1電
極との間に発生する電界の強さとを略等しくすることができる。
この場合、好ましくは、平面的に見て、コンタクトホールの上端部の少なくとも一部と
、第2電極の電極部の端部とが略一致している。このように構成すれば、第2電極の電極
部の端部が平面的に見て、コンタクトホールの上端部よりもコンタクトホールの内側に配
置されている場合と異なり、コンタクトホールの上端部の近傍上の第2電極と第1電極と
の間の距離と、コンタクトホールの外側上の第2電極と第1電極との間の距離とを略等し
くすることができる。
上記コンタクトホールの上端部の少なくとも一部と、第2電極の電極部の端部とが略一
致している液晶表示装置において、好ましくは、平面的に見て、所定の方向と交差する方
向のコンタクトホールの上端部と、スリットの長辺とが略一致している。このように構成
すれば、コンタクトホールの上端部上のスリットの長辺上に配置される液晶を、表示に寄
与させることができる。
上記電極部の端部の少なくとも一部がコンタクトホールの上端部の近傍に配置されてい
る液晶表示装置において、好ましくは、所定の方向と交差する方向の第1導電層の幅は、
所定の方向と交差する方向のコンタクトホールの2つの上端部の間隔より小さく形成され
ている。このように構成すれば、第1電極の凹状の部分に対応する第2電極の電極部を第
1導電層によって遮光される領域を小さくでき、表示に寄与できる領域を大きくできる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、層間絶縁膜の第1電極の凹
状の部分に対応する領域の表面上に形成される第2電極の電極部と、第1電極との間に発
生する電界により、液晶が駆動されるように構成されている。このように構成すれば、層
間絶縁膜のうちの第1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上に形成される第2電極が
表示に寄与するので、表示に寄与する第2電極の部分を大きくすることができる。
この場合、好ましくは、層間絶縁膜のうちの第1電極の凹状の部分に対応する領域の表
面上に形成される第2電極の電極部と第1電極との間に発生する電界の強さと、層間絶縁
膜のうちの第1電極の凹状の部分以外に対応する領域の表面上に形成される第2電極の電
極部と第1電極との間に発生する電界の強さとが略同じになるように構成されている。こ
のように構成すれば、層間絶縁膜のうちの第1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上
に形成される第2電極の電極部による液晶の駆動と、層間絶縁膜のうちの第1電極の凹状
の部分以外に対応する領域の表面上に形成される第2電極の電極部による駆動とを同じに
することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、画素電極からなる第1電極
の凹状の部分を埋めるように、層間絶縁膜が形成されるとともに、層間絶縁膜の画素電極
の凹状の部分に対応する領域の表面上に共通電極からなる第2電極の電極部が形成されて
いる。このように構成すれば、層間絶縁膜のうちの画素電極の凹状の部分に対応する領域
の表面上の共通電極の電極部と、画素電極との間に発生する電界によって液晶を駆動する
ことができるので、表示に寄与する共通電極の部分を大きくすることができる。
この発明の第2の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する液晶表示装置
を備える。このように構成すれば、表示に寄与する画素電極または共通電極の部分を大き
くすることが可能な電子機器を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態による液晶表示装置の平面図である。図2は、本発明の
第1実施形態による液晶表示装置の表示部の画素の平面図である。図3は、図2の200
−200線に沿った断面図および周辺回路形成領域の断面図である。図4は、図2の25
0−250線に沿った断面図である。図5は、本発明の第1実施形態における画素の拡大
断面図である。図1〜図5を参照して、本発明の第1実施形態による液晶表示装置100
の構成について説明する。
第1実施形態による液晶表示装置100は、図1に示すように、ガラスからなる基板1
上に、表示部2、Vドライバ3、Hドライバ4が設けられている。Vドライバ3およびH
ドライバ4には、それぞれ、複数のゲート線5および複数のデータ線6が接続されている
。ゲート線5とデータ線6とが交差する位置に画素7(図2参照)が配置されている。基
板1には、駆動IC8が設けられており、Vドライバ3およびHドライバ4は、駆動IC
8に接続されている。表示部2は、駆動IC8に接続されており、後述する共通電極21
に共通電位(COM)を供給するように構成されている。
次に、画素7の断面構造について説明する。図3に示すように、基板1の表面上には、
バッファ膜11が形成されている。このバッファ膜11は、SiOやSiNなどからな
る。また、バッファ膜11の表面上の画素選択用の薄膜トランジスタ(TFT)12が形
成される領域には、能動層12aが形成されている。この能動層12aは、ポリシリコン
などからなる。また、バッファ膜11の表面上には、能動層12aを覆うようにSiO
やSiNからなる絶縁膜13が形成されている。なお、絶縁膜13のゲート電極14に対
応する部分は、後述のゲート絶縁膜として機能する。
また、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜13の表面上には、ゲート電極14が形成さ
れている。このゲート電極14は、クロムやモリブデンを含む金属などからなる。また、
ゲート電極14は、図2に示すように、平面的に見てU字形状に形成されている。また、
絶縁膜13およびゲート電極14の表面上には、SiOやSiNからなる絶縁膜15が
形成されている。
絶縁膜13および絶縁膜15には、能動層12aのソース領域12bを露出するための
コンタクトホール13aおよび15aと、ドレイン領域12cを露出するためのコンタク
トホール13bおよび15bとが形成されている。また、コンタクトホール13aおよび
15aを介してソース領域12bに接続するとともに、絶縁膜15の表面上に延びるよう
にデータ線6が形成されている。このデータ線6は、Mo/Al/Moがこの順で下層か
ら上層に積層された金属などからなる。
また、コンタクトホール13bおよび15bを介してドレイン領域12cに接続すると
ともに、絶縁膜15の表面上に延びるようにドレイン電極16が形成されている。なお、
ドレイン電極16は、本発明の「第1導電層」の一例である。このドレイン電極16は、
Mo/Al/Moがこの順で下層から上層に積層された金属などからなる。
図3に示すように、周辺回路(Vドライバ3やHドライバ4など:図1参照)に対応す
る領域の絶縁膜15の表面上には、共通電極21に共通電位(COM)を供給するための
共通電位配線17が形成されている。なお、共通電位配線17は、本発明の「第2導電層
」の一例である。
また、データ線6、ドレイン電極16、共通電位配線17および絶縁膜15の表面上に
は、アクリルやポリイミドなどの感光性を有する有機膜からなる平坦化膜18が形成され
ている。平坦化膜18には、ドレイン電極16を露出するためのコンタクトホール18a
と、共通電位配線17を露出するためのコンタクトホール18bとが形成されている。
平坦化膜18の表面上には、コンタクトホール18aを介してドレイン電極16と電気
的に接続される画素電極19が形成されている。なお、画素電極19は、本発明の「第1
電極」の一例である。この画素電極19は、ITO(酸化インジウムスズ)などの透明電
極からなり、下層の平坦化膜18の形状を反映して平坦な形状に形成されるとともに、コ
ンタクトホール18aの形状を反映した凹部19aを有する。また、画素電極19は、表
示信号に応じた電圧がTFTを介して印加されるように構成されている。
ここで、第1実施形態では、画素電極19および平坦化膜18の表面上には、画素電極
19の凹部19aを埋め込むように塗布法により形成され、アクリルやポリイミドなどの
感光性を有する有機膜からなる層間絶縁膜20が形成されている。なお、平坦化膜18と
層間絶縁膜20とのエッチングレートは、略等しくなるように構成されている。なお、層
間絶縁膜20は、画素電極19の凹部19aを埋め込むように形成され、下層の膜に影響
を与えない方法で形成できれば、塗布法や有機膜に限らない。また、周辺回路に対応する
領域において、コンタクトホール18b(共通電位配線17)に対応する層間絶縁膜20
の領域には、コンタクトホール20aが形成されている。
層間絶縁膜20の表面を覆うように、ITOなどの透明電極からなる共通電極21が形
成されている。なお、共通電極21は、本発明の「第2電極」の一例である。共通電極2
1は、コンタクトホール20aを介して共通電位配線17と接続されている。
図2に示すように、共通電極21は、複数の画素7に跨るように形成されているととも
に、矢印Y方向に沿うように複数の電極部21bおよびスリット21aが設けられている
。また、コンタクトホール18aは、円形形状に形成されている。そして、図2および図
5に示すように、平坦化膜18に形成されたコンタクトホール18aは、断面的に見て、
底部より上部が大きい凹状に形成され、コンタクトホール18aの上端部181aにおけ
る層間絶縁膜20の厚みt1が、コンタクトホール18aの外側の領域に対応する層間絶
縁膜20の厚みt2とは、略等しくなる。第1実施形態では、コンタクトホール18aの
上端部181aは、平面的に見て、共通電極21の電極部21bの端部(スリット21a
の長辺)と略一致するようにC1線上(図5参照)に形成されている。なお、コンタクト
ホール18aの上端部181aのうち、スリット21aが延びる方向と交差するX方向側
の上端部181aが、平面的に見て、スリット21aの長辺と略一致するように形成され
ている。なお、コンタクトホール18aは、円形形状に限らず楕円形状または長方形状に
形成されてもよい。
図3および図4に示すように、共通電極21と対向するように、ガラスからなる基板3
1が設けられている。基板31の共通電極21に対向する側の表面上には、ブラックマト
リクス32(遮光膜)が設けられている。なお、図5に示すように、画素電極19の凹部
19a上のブラックマトリクス32の端部は、共通電極21の電極部21bの端部と略一
致するようにC1線上に形成されている。また、ドレイン電極16の端部も、共通電極2
1の電極部21bの端部と略一致するようにC1線上に形成されている。なお、ブラック
マトリクス32の端部、または、ドレイン電極16の端部のうちの一方を、共通電極21
の電極部21bの端部と略一致するようにC1線上に形成し、他方を共通電極21の電極
部21bの端部より電極部21bの内部に形成してもよい。また、共通電極21、層間絶
縁膜20、画素電極19および平坦化膜18の屈折率がほぼ等しければ、ブラックマトリ
クス32の端部、およびドレイン電極16の端部の両方を、共通電極21の電極部21b
の端部より電極部21bの内部に形成してもよい。
また、図3に示すように、共通電極21と基板31との間には、液晶層33が挟持され
ている。また、基板1に対向するようにバックライト34が設けられている。バックライ
ト34は、基板1側から基板31側に向けて光が出射されるように構成されている。
図6は、本発明の第1実施形態における画素の拡大平面図である。図5および図6を参
照して、本発明の第1実施形態における画素電極19と共通電極21との間に発生する電
界について説明する。
図5に示すように、画素電極19と共通電極21とに、それぞれ、大きさの異なる電圧
が印加されたとき、共通電極21から画素電極19に向かって、または、画素電極19か
ら共通電極21に向かって略水平方向(斜め方向)の電界が発生する。このとき、第1実
施形態では、層間絶縁膜20のうち画素電極19の凹部19a上に形成される共通電極2
1の電極部21bと画素電極19との間に発生する電界Aの大きさと、層間絶縁膜20の
うち凹部19a上の表面上に形成される共通電極21の電極部21cと画素電極19との
間に発生する電界Bの大きさとは、略等しい。
また、図6に示すように、電界Aと電界Bとは、それぞれ、共通電極21のスリット2
1aの長辺に沿った方向に交差する方向(X方向)に発生する。なお、電界Aは、コンタ
クトホール18aの上端部181a上の電極部21b上にも発生している。
第1実施形態では、上記のように、画素電極19の凹部19aを埋めるように層間絶縁
膜20を形成するとともに、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部19aに対応す
る領域の表面上に共通電極21の電極部21bを形成することによって、層間絶縁膜20
のうちの画素電極19の凹部19aに対応する領域の表面上の共通電極21の電極部21
bと、画素電極19との間に発生する電界によって液晶を駆動することができるので、表
示に寄与できる領域を大きくすることが可能となる。従来の画素電極19の凹部19aに
対応する領域の層間絶縁膜20の表面上に共通電極21の電極部21bを形成しない場合
、画素電極19の凹部19aに対応する領域およびその近傍の液晶には電界が印加されな
いか不適切な電界が印加されるため、表示に寄与できる領域が小さくなっていた。そして
、通常、遮光性の材料で形成されるドレイン電極16よりも大きい領域をブラックマトリ
クス32で遮光していた。
また、第1実施形態では、上記のように、層間絶縁膜20を有機膜から形成することに
よって、塗布法により、容易に、画素電極19の凹部19aを埋めるように層間絶縁膜2
0を形成することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、円形形状のコンタクトホール18aの上端部
181aの少なくとも一部と、共通電極21の電極部21bの端部とが、平面的に見て、
略一致するように構成することによって、共通電極21の電極部21bの端部が平面的に
見て、コンタクトホール18aの上端部181aよりもコンタクトホール18aの内側に
配置されている場合と異なり、コンタクトホール18aの上端部181aの近傍上の共通
電極21と画素電極19との間の距離(層間絶縁膜20の厚みt1)と、コンタクトホー
ル18aの外側上の共通電極21と画素電極19との間の距離(層間絶縁膜20の厚みt
2)とを略等しくすることができる。
また、第1実施形態では、上記のように、平面的に見て、スリット21aが形成される
所定の方向(Y方向)と交差するX方向のコンタクトホール18aの上端部181aと、
スリット21aの長辺とが略一致するように構成することによって、コンタクトホール1
8aの上端部181a上のスリット21aの長辺上に配置される液晶を、表示に寄与させ
ることができる。
また、第1実施形態では、上記のように、画素電極19の凹部19aに対応する領域の
層間絶縁膜20の高さと、画素電極19の凹部19a以外の部分に対応する領域の層間絶
縁膜20の高さとを略同じになるように形成して、コンタクトホール18aの上端部18
1a近傍に対応する領域の層間絶縁膜20の厚みと、コンタクトホール18aよりも外側
の領域の層間絶縁膜20の厚みとが略等しくなるように形成することによって、容易に、
コンタクトホール18aの上端部181a近傍上の共通電極21と画素電極19との間に
発生する電界の強さと、コンタクトホール18aの外側上の共通電極21と画素電極19
との間に発生する電界の強さとを略等しくすることができる。
また、第1実施形態では、上記のように、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部
19aに対応する領域の表面上に形成される共通電極21のスリット21a以外の電極部
21bと、画素電極19との間に発生する電界により、液晶を駆動するように構成するこ
とによって、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部19aに対応する領域の表面上
に形成される共通電極21が表示に寄与するので、表示に寄与できる領域を大きくするこ
とができる。
また、第1実施形態では、上記のように、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部
19aに対応する領域の表面上に形成される共通電極21の電極部21bと画素電極19
との間に発生する電界の強さと、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部19a以外
に対応する領域の表面上に形成される共通電極21の電極部21cと画素電極19との間
に発生する電界の強さとが略同じになるように構成することによって、層間絶縁膜20の
うちの画素電極19の凹部19aに対応する領域の表面上に形成される共通電極21の電
極部21bによる液晶の駆動と、層間絶縁膜20のうちの画素電極19の凹部19a以外
に対応する領域の表面上に形成される共通電極21の電極部21cによる駆動とを同じに
することができる。
(第2実施形態)
図7は、本発明の第2実施形態による液晶表示装置の画素の平面図である。図8は、図
7の300−300線に沿った断面図である。この第2実施形態では、上記した第1実施
形態とは異なり、層間絶縁膜20を挟んで共通電極121上に画素電極119が配置され
ている。
第2実施形態による液晶表示装置101では、図8に示すように、データ線6、ドレイ
ン電極116、共通電位配線117および絶縁膜15の表面上には、アクリルやポリイミ
ドなどの感光性を有する有機膜からなる平坦化膜18が形成されている。なお、ドレイン
電極116および共通電位配線117は、それぞれ、本発明の「第2導電層」および「第
1導電層」の一例である。平坦化膜18には、共通電位配線117を露出するためのコン
タクトホール18cと、ドレイン電極116を露出するためのコンタクトホール18dと
が形成されている。
平坦化膜18の表面上には、コンタクトホール18cを介して共通電位配線117と電
気的に接続される共通電極121が形成されている。共通電位配線117は、図7に示す
ように、X方向に沿った方向に延びるように形成されており、画素7ごとに共通電極12
1と電気的に接続されている。また、共通電極121は、ITO(酸化インジウムスズ)
などの透明電極からなり、下層の平坦化膜18の形状を反映して平坦な形状に形成される
。なお、共通電極121は、コンタクトホール18cの形状を反映した凹部121aを有
する。また、共通電極121は、本発明の「第1電極」の一例である。
共通電極121および平坦化膜18の表面上には、アクリルやポリイミドなどの感光性
を有する有機膜からなる層間絶縁膜20が形成されている。また、コンタクトホール18
d(ドレイン電極116)に対応する層間絶縁膜20の領域には、コンタクトホール20
bが形成されている。
層間絶縁膜20の表面を覆うように、ITOなどの透明電極からなる画素電極119が
形成されている。なお、画素電極119は、本発明の「第2電極」の一例である。画素電
極119は、コンタクトホール20bを介してドレイン電極116と接続されている。ま
た、画素電極119は、図7に示すように、Y方向に沿った方向に複数のスリット119
aが設けられている。ここで、第2実施形態では、共通電極121の凹部121aに対応
する層間絶縁膜20の表面上には、画素電極119の電極部119bが形成されている。
なお、第2実施形態のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
なお、第2実施形態の効果は、上記第1実施形態と同様である。
図9および図10は、それぞれ、本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置
を用いた電子機器の一例を説明するための図である。次に、図9および図10を参照して
、本発明の第1(第2)実施形態による液晶表示装置100(101)を用いた電子機器
について説明する。
本発明の第1(第2)実施形態による液晶表示装置100(101)は、図9および図
10に示すように、携帯電話400およびPC(Personal Computer)
500などに用いることが可能である。図9の携帯電話400においては、表示画面40
0aに本発明の第1(第2)実施形態による液晶表示装置100(101)が用いられる
。また、図10のPC500においては、表示画面500bなどに用いることが可能であ
る。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと
考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範
囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が
含まれる。
たとえば、上記第1実施形態では、平坦化膜18に形成されるコンタクトホール18a
の上端部181aが角張った形状に形成されている例を示したが、本発明はこれに限らず
、図11に示すように、コンタクトホール18aの上端部181aが丸形形状に形成され
ていてもよい。この場合、画素電極19の凹部19a上に形成される共通電極21の電極
部21bのスリット21a側の端部は、平面的に見て、コンタクトホール18aの丸形形
状の上端部の丸みがなくなる領域C2と略一致するように形成される。
また、上記第1実施形態では、平坦化膜18に形成されるコンタクトホール18aのX
方向の2つの上端部181aと、共通電極21の電極部21bのX方向の2つのスリット
21a側の端部とが平面的に見て略一致するように形成されている例を示したが、本発明
はこれに限らず、図12に示すように、コンタクトホール18aのX方向の2つの上端部
181aのうちの一方と、共通電極21のスリット21a以外の電極部21bのX方向の
2つのスリット21a側の端部のうちの一方とが平面的に見て略一致するように形成して
もよい。
また、上記第1実施形態では、平坦化膜18に形成されるコンタクトホール18aの上
端部181aと、共通電極21の電極部21bのスリット21a側の端部とが平面的に見
て略一致するように形成されている例を示したが、本発明はこれに限らず、図13に示す
ように、コンタクトホール18aの上端部181aの近傍(内側)に、共通電極21のス
リット21a以外の電極部21bのスリット21a側の端部を形成してもよい。
本発明の第1実施形態による液晶表示装置の平面図である。 本発明の第1実施形態による液晶表示装置の表示部の画素の平面図である。 図2の200−200線に沿った断面図および周辺回路形成領域の断面図である。 図2の250−250線に沿った断面図である。 本発明の第1実施形態における画素の拡大断面図である。 本発明の第1実施形態における画素の拡大平面図である。 本発明の第2実施形態による液晶表示装置の画素の平面図である。 図7の300−300線に沿った断面図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。 本発明の第1および第2実施形態による液晶表示装置を用いた電子機器の一例を説明するための図である。 本発明の第1実施形態の第1変形例による画素の断面図である。 本発明の第1実施形態の第2変形例による画素の断面図である。 本発明の第1実施形態の第3変形例による画素の断面図である。
符号の説明
16 ドレイン電極(第1導電層)
17 共通電位配線(第2導電層)
18 平坦化膜
18a、18c コンタクトホール
19 画素電極(第1電極)
19a 凹部(凹状の部分)
20 層間絶縁膜
21 共通電極(第2電極)
21a スリット
21b 電極部
116 ドレイン電極(第2導電層)
117 共通電位配線(第1導電層)
181a 上端部
119 画素電極(第2電極)
119a スリット
121 共通電極(第1電極)

Claims (10)

  1. 画素電位または共通電位の一方を供給する第1導電層と、
    前記画素電位または共通電位の他方を供給する第2導電層と、
    前記第1導電層および前記第2導電層の表面上に形成され、前記第1導電層に対応する
    領域に形成されるコンタクトホールを有する平坦化膜と、
    前記第1導電層に前記コンタクトホールを介して接続され、前記コンタクトホールの形
    状を反映した凹状の部分を含み、画素電極および共通電極の一方からなる第1電極と、
    前記第1電極に対向するように配置されるとともに、所定の方向に沿って延びるように
    形成される複数の電極部およびスリットを有し、前記画素電極および共通電極の他方から
    なる第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間に形成されるとともに、前記第1電極の凹状の部分
    を埋めるように形成される層間絶縁膜とを備え、
    前記層間絶縁膜の前記第1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上には、前記第2電
    極の前記電極部が形成されている、液晶表示装置。
  2. 前記層間絶縁膜は、有機膜からなる、請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 平面的に見て、前記第2電極の前記スリット端部の少なくとも一部は、前記コンタクト
    ホールの上端部の近傍に配置されている、請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記コンタクトホールは、平面的に見て、円形形状に形成されており、
    平面的に見て、前記円形形状のコンタクトホールの上端部の少なくとも一部と、前記第
    2電極の前記スリットの端部とが略一致している、請求項3に記載の液晶表示装置。
  5. 平面的に見て、前記所定の方向と交差する方向の前記コンタクトホールの上端部と、前
    記スリットの長辺とが略一致している、請求項3または4に記載の液晶表示装置。
  6. 前記所定の方向と交差する方向の前記第1導電層の幅は、前記所定の方向と交差する方
    向の前記コンタクトホールの2つの上端部の間隔より小さく形成されている、請求項3〜
    5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  7. 前記層間絶縁膜の前記第1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上に形成される前記
    第2電極の前記電極部と、前記第1電極との間に発生する電界により、液晶が駆動される
    ように構成されている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  8. 前記層間絶縁膜のうちの前記第1電極の凹状の部分に対応する領域の表面上に形成され
    る前記第2電極の前記電極部と前記第1電極との間に発生する電界の強さと、前記層間絶
    縁膜のうちの前記第1電極の凹状の部分以外に対応する領域の表面上に形成される前記第
    2電極の前記電極部と前記第1電極との間に発生する電界の強さとが略同じになるように
    構成されている、請求項7に記載の液晶表示装置。
  9. 画素電極からなる前記第1電極の凹状の部分を埋めるように、前記層間絶縁膜が形成さ
    れるとともに、前記層間絶縁膜の前記画素電極の凹状の部分に対応する領域の表面上に共
    通電極からなる前記第2電極の電極部が形成されている、請求項1〜8のいずれか1項に
    記載の液晶表示装置。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130126876A1 (en) * 2011-11-17 2013-05-23 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR20130054772A (ko) * 2011-11-17 2013-05-27 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
CN104820324A (zh) * 2014-01-31 2015-08-05 Jsr株式会社 液晶显示元件及感放射线性树脂组合物
JP2015163946A (ja) * 2014-01-31 2015-09-10 Jsr株式会社 液晶表示素子および感放射線性樹脂組成物
US9690154B2 (en) 2012-11-29 2017-06-27 Mitsubishi Electric Corporation Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
WO2021171714A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び液晶表示装置
CN114545694A (zh) * 2020-11-26 2022-05-27 株式会社日本显示器 显示装置
US11966131B2 (en) 2020-02-27 2024-04-23 Japan Display Inc. Display device

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI579624B (zh) * 2011-11-17 2017-04-21 Lg顯示器股份有限公司 邊緣電場切換型液晶顯示裝置用陣列基板及其製造方法
KR20130054772A (ko) * 2011-11-17 2013-05-27 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US20130126876A1 (en) * 2011-11-17 2013-05-23 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
CN103123429A (zh) * 2011-11-17 2013-05-29 乐金显示有限公司 边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
JP2013109347A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Lg Display Co Ltd Ffs方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
US8852975B2 (en) 2011-11-17 2014-10-07 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR101955992B1 (ko) * 2011-11-17 2019-03-12 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
KR101905757B1 (ko) * 2011-11-17 2018-10-10 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US9190423B2 (en) 2011-11-17 2015-11-17 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR20130054780A (ko) * 2011-11-17 2013-05-27 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US9690154B2 (en) 2012-11-29 2017-06-27 Mitsubishi Electric Corporation Liquid crystal display panel and method of manufacturing the same
TWI630450B (zh) * 2014-01-31 2018-07-21 日商Jsr股份有限公司 液晶顯示元件及感放射線性樹脂組成物
JP2015163946A (ja) * 2014-01-31 2015-09-10 Jsr株式会社 液晶表示素子および感放射線性樹脂組成物
KR20150091258A (ko) * 2014-01-31 2015-08-10 제이에스알 가부시끼가이샤 액정 표시 소자 및 감방사선성 수지 조성물
CN104820324A (zh) * 2014-01-31 2015-08-05 Jsr株式会社 液晶显示元件及感放射线性树脂组合物
KR101971923B1 (ko) * 2014-01-31 2019-04-24 제이에스알 가부시끼가이샤 액정 표시 소자 및 감방사선성 수지 조성물
US11966131B2 (en) 2020-02-27 2024-04-23 Japan Display Inc. Display device
CN114902127A (zh) * 2020-02-27 2022-08-12 株式会社日本显示器 显示装置及液晶显示装置
US11656514B2 (en) 2020-02-27 2023-05-23 Japan Display Inc. Display device and liquid crystal display device
JP7404106B2 (ja) 2020-02-27 2023-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び液晶表示装置
WO2021171714A1 (ja) * 2020-02-27 2021-09-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び液晶表示装置
CN114545694A (zh) * 2020-11-26 2022-05-27 株式会社日本显示器 显示装置
CN114545694B (zh) * 2020-11-26 2023-10-20 株式会社日本显示器 显示装置

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