TWI420208B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置(LCD)，特別是關於一種能夠提高視角及高孔徑比的液晶顯示裝置。
隨著資訊技術的發展，液晶顯示裝置取得了相當大的進步。液晶顯示裝置變為現代人們不可缺少之物。液晶顯示裝置中的LCD包含有一光源及一液晶面板。
光源用以向液晶面板提供光線。液晶面板使用一施加的電場驅動液晶。在這一方面，透過驅動液晶，液晶顯示裝置(LCD)透過控制通過液晶面板的光線傳輸而顯示影像。由於液晶在折射率中具有各向異性，因此液晶顯示裝置(LCD)具有一窄視角。
為了提高液晶顯示裝置(LCD)的視角，液晶顯示裝置(LCD)發展為平面轉換(In-Plane Switching Mode,IPS)模式，其中畫素電極與共同電極交替配設用以在相對於一基板之水平方向上產生電場。
「第1圖」係為習知技術之平面轉換(IPS)模式的液晶顯示裝置之平面圖。
請參閱「第1圖」，此平面轉換(IPS)模式的液晶顯示裝置包含有複數個畫素，這些畫素在一基板中透過複數個閘極線1與複數個資料線2彼此相交叉定義，一配設於各個畫素中的薄膜電 晶體(TFT)Tr，一畫素電極3，以及一共同電極4。這裡，畫素電極3的一部份與共同電極4的一部份依次排列用以產生一橫向電場。
此平面轉換(IPS)模式的液晶顯示裝置更包含有共同線5及6，共同線5及6用以向各個畫素施加一共同電壓。共同線5及6分別形成於畫素中且彼此電連接。這裡，共同線5及6包含有設置於畫素兩側的一第一共同線5及一第二共同線6。第一共同線5與畫素電極3的一部份相重疊用以形成一儲存電容器。而且，第二共同線6與共同電極4電連接用以向共同電極4施加一共同電壓。
然而，平行於閘極線1的光線洩漏缺陷，即一水平線缺陷可透過各個畫素兩側的第一及第二共同線5及6產生。這是因為在用以形成液晶顯示裝置之製程的液晶排列期間，當液晶(LC)在相對於閘極線1的水平方向上進行排列時，由於第一及第二共同線5及6具有高度差，因此第一及第二共同線5及6的周圍相比較於區域可不正確地對準。
特別地，由於第二共同線6形成為與共同電極4的一部份相重疊，因此第二共同線6的高度差增加，以使得水平線缺陷變得更加嚴重。
此外，由於畫素電極3及共同電極4形成於畫素中，因此平面轉換(IPS)模式的液晶顯示裝置的孔徑比可減少。
參考標號8表示一第一接觸孔，第一接觸孔8用以將薄膜電晶體(TFT)Tr與畫素電極3電連接，並且參考標號7表示一第二接觸孔，第二接觸孔7將共同電極4與第二共同線6相連接。
因此，習知技術之液晶顯示裝置不能同時保證視角及孔徑比，並且具有影像質量劣化之缺陷，例如一水平線缺陷。
因此，鑒於上述問題，本發明係關於一種能夠同時提高視角及孔徑比的液晶顯示裝置。
根據本發明之一方面的液晶顯示裝置包含有複數個畫素，這些畫素具有分別在不同方向產生電場的至少第一及第二域；一形成於各個畫素的第一及第二域中畫素電極；一共同電極，係形成於各個畫素的第一域及第二域中以及第一域與第二域之間的一邊界中，並且其中共同電極之一部份與畫素電極之一部份相交替配設，用以產生一橫向電場；一接觸部件，係在一與邊界相對應的位置與共同電極電連接；以及一共同線，係與接觸部件電連接且形成於與配設有接觸部件的畫素相鄰之畫素中。
根據本發明之另一方面的液晶顯示裝置包含有一基板，此基板包含有具有第一域及第二域的複數個畫素；一接觸部件，係配設於畫素的第n個畫素的第一域與第二域之間的一邊界；一共同線，係配設於畫素的第(n+1)個畫素的一側上，並且共同線與接觸部件電連接；一介電層，係配設於具有共同線及接觸部件的 基板上；複數個第一畫素電極，係以一定之間隔配設於介電層上，並且分別配設於第一域與第二域中，用以具有不同之斜度；一第二畫素電極，係與第一畫素電極電連接，並且與共同線相連接，第二畫素電極配設於介電層上；複數個第一共同電極，係與第一畫素電極相交替配設；一第二共同電極，係配設於第一域與該二域之間的邊界中且與接觸部件相連接；以及一第三畫素電極，係用以將第一共同電極與第二共同電極電連接。
本發明之一個或多個實施例將結合圖式部份自以下的說明書中進行詳細闡述。本發明的其他特徵將從以下的說明書及圖式部份以及本發明之保護範圍中變得更加清楚。
以下，將結合圖式部份詳細描述本發明之實施例。
雖然結合圖式部份詳細描述了本發明之一實施例之液晶顯示裝置，本發明之技術人員可以理解的是在本發明之範圍及精神中，本發明之實施例可做不同之變化及修改。
「第2A圖」及「第2B圖」係為本發明之實施例之液晶顯示裝置之示意圖。「第2A圖」係為本發明之實施例之液晶顯示裝置之平面圖，並且「第2B圖」係為沿「第2A圖」之I-I’及II-II’線之橫截面圖。
請參閱「第2A圖」及「第2B圖」，液晶顯示裝置包含有複數個用以顯示影像的畫素。
各個畫素包含有一第一域D1及一第二域D2。第一及第二域D1及D2產生不同方向的電場。舉例而言，第一及第二域D1及D2產生方向對稱的電場。因此，第一及第二域D1及D2中的液晶能夠沿不同方向排列，用以提高視角。
各個畫素透過彼此交叉的閘極線101及資料線111定義於基板100上。也就是說，閘極線101與資料線111可沿著各個畫素配設。舉例而言，在閘極線101與資料線111垂直交叉之情況下，各個畫素可具有矩形形狀。這裡，複數個畫素可具有一網形結構。閘極線101與資料線111透過其間的一閘極介電層彼此相絕緣。
一共同線103配設於各個畫素中。共同線103可形成於各個畫素之一側面。共同線103與資料線111相平行且可具有一預定間隔。共同線103與一第二畫素電極124b相重疊且其間具有一介電層用以形成儲存電容器，這一點將在稍後描述。此介電層可為閘極絕緣層110與鈍化層120的堆疊層。共同線103與閘極線101係由相同之材料形成且可形成於配設有閘極線101的同一層中。
形成一與共同線103電連接的接觸部件105。接觸部件105將共同線103與一稍後描述的共同電極125電連接。接觸部件105形成於第一域D1與第二域D2之間的邊界上用以防止液晶顯示裝置的孔徑比減少。這裡，第一域D1與第二域D2之間的邊界包含有一錯向區，液晶分子的排列在錯向區散射，以使得液晶不被驅動。因此，第一域D1與第二域D2之間的邊界用作不傳送光線的 非透射區，即一死區。因此，不傳輸光線的接觸部件105配設於各個畫素的死區中，以使得能夠防止孔徑比的減少。
在接觸部件105與共同線103形成於同一層中的情況下，接觸部件105與共同電極125可彼此電連接。因此，透過共同線103產生的步階差增加了。這裡，在閘極線101的水平方向執行液晶對準過程之情況下，由於共同線103引起的步階差，共同線103的鄰近區域相比較於其他區域可不正確地排列。因此，可產生與共同線103相平行的光線洩漏缺陷，即一水平線缺陷。
為了防止由研磨缺陷引起的水平線缺陷，接觸部件105與本畫素之相鄰畫素中的一共同線103電連接。為了透過減少接觸部件105與共同線103之間的接觸路徑用以獲得一緊湊及簡單之結構，此相鄰之畫素可為一相鄰於接觸部件105的畫素。舉例而言，在接觸部件105配設於一第n個畫素中的情況下，接觸部件105可與相鄰於第n個畫素的第(n+1)個畫素中的共同線103電接觸。因此，由於共同線103與第二畫素電極124b形成儲存電容器且共同線103僅形成在畫素之一側，用以與相鄰畫素中的接觸部件電連接，因此可防止產生透過與共同線103相聯繫的研磨缺陷引起的水平線缺陷。
而且，由於共同線103僅配設於畫素的一側，能夠減少共同線103佔據的畫素的區域。因此，能夠防止液晶顯示裝置的孔徑比之減少。
一共同連接線104可配設於畫素的頂側及底側至少之一中。共同連接線104將各個畫素中的共同線103彼此相電連接。共同連接線104與閘極線101相平行且可具有一預設之間隔。
共同線103、接觸部件105、以及共同連接線104可形成為一整體。
一薄膜電晶體(TFT)Tr設置於各個畫素中，薄膜電晶體(TFT)Tr包含有一閘極102、半導體圖案112、一閘極絕緣層110、一源極122、以及一汲極132。這裡，閘極102與閘極線101電連接。源極122與資料線111電連接。因此，薄膜電晶體(TFT)Tr與閘極線101及資料線111電連接。而且，半導體圖案112包含有一活性圖案112a及歐姆接觸圖案112b。歐姆接觸圖案112b可分別介於活性圖案112a與源極122之間，以及活性圖案112a與汲極132之間。
在圖式中，為了提高薄膜電晶體(TFT)Tr之電特性，薄膜電晶體(TFT)Tr之通道表示為可提高通道寬度的U形，但是通道形狀並不限制於此。
用以產生電場的畫素電極124及共同電極125形成於各個畫素中用以驅動液晶。
畫素電極124可由能夠傳送光線的導體形成。舉例而言，畫素電極124可由能夠傳送光線的氧化銦錫(Indium-Tin Oxide,ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide,IZO)形成。
畫素電極124可包含有複數個第一畫素電極124a及一第二畫素電極124b。
第一畫素電極124a透過一預定間隔彼此相分離。第一畫素電極124a可為相對於閘極線101具有一預設斜度的杆狀。為了使得第一及第二域D1及D2在不同方向上產生電場，分別形成於第一及第二域D1及D2中的第一畫素電極124a可具有相對於閘極線101的不同斜度。舉例而言，分別形成於第一及第二域D1及D2中的第一畫素電極124a可具有彼此對稱的斜度。
第二畫素電極124b用以將第一畫素電極124a彼此電連接。第二畫素電極124b可與第一畫素電極124a完整地形成。第二畫素電極124b的一部份與薄膜電晶體(TFT)Tr的汲極132電連接。第二畫素電極124b可與共同線103相重疊，並且第二畫素電極124b與共同線103之間具有一介電層，用以形成一儲存電容器。此介電層可為閘極絕緣層110及鈍化層120的堆疊層，這一點將在稍後描述。為了提高儲存電容器，第二畫素電極124b可延伸至介電層與共同連接線104相對應的一部份。這裡，第二畫素電極124b可為一′□′形狀。
共同電極125可由一能夠傳輸光線的透明導體形成。共同電極125包含有第一共同電極125a、一第二共同電極125b、以及一第三共同電極125c。
第一共同電極125a維持一預定之間隔，並且與第一畫素電極 124a交替地配置。因此，第一共同電極125a在第一及第二域D1及D2中具有不同之斜度。舉例而言，第一及第二域D1及D2中第一共同電極125a可具有彼此對稱之斜度。
當薄膜電晶體(TFT)Tr的一電信號施加於第一畫素電極124a，並且一共同電壓施加於第一共同電極125a時，一橫向電場形成於第一共同電極125a與第一畫素電極124a之間。這裡，由於第一共同電極125a與第一畫素電極124a在第一及第二域D1及D2中具有不同的斜度，因此橫向電場在第一及第二域D1及D2中具有不同的方向。舉例而言，分別形成於第一及第二域D1及D2中的橫向電場具有彼此相對稱的方向。
因此，液晶顯示裝置(LCD)可提高一視角。
第二共同電極125b形成於第一域D1與第二域D2之間的邊界上。第二共同電極125b與接觸部件105電連接。因此，第二共同電極125b可自共同線103接收一共同電壓。
第一畫素電極124a可配設於第二共同電極125b之兩個側面上，用以產生一橫向電場。由於第二共同電極125b的兩個側面分別對應於第一及第二域D1及D2，因此第二共同電極125b之兩個側面中的第一畫素電極124a分別具有不同的斜度。因此，第二共同電極125b之兩個側面可分別具有不同的斜度。而且，第二共同電極125b可具有比第一共同電極125a更大的尺寸，以使得第二共同電極125b可與接觸部件105電接觸。
第三共同電極125c用以將第一共同電極125a與第二共同電極125b電連接。
第一、第二及第三共同電極125a、125b及125c可整體地形成。
此外，鈍化層120可更形成於具有薄膜電晶體(TFT)Tr的基板100上。鈍化層120可由一保護薄膜電晶體(TFT)Tr的絕緣體形成。因此，畫素電極124及共同電極125可形成於鈍化層120上。
因此，本發明之實施例之液晶顯示裝置提供由一透明導體形成的畫素電極124及共同電極125，用以提高孔徑比。
而且，畫素在不同的方向上可被分割為至少兩個產生電場之域，並且共同電極125及共同線103允許在邊界，即域之間的非透射區彼此電接觸，以使得能夠加寬視角且提高孔徑比。
而且，由於共同電極125與相鄰畫素中的共同線103電連接，因此能夠防止由於共同線103的步階差產生的研磨缺陷引起的一水平線缺陷。
「第3A圖」及「第3B圖」係為本發明之另一實施例之液晶顯示裝置之示意圖。「第3A圖」係為本發明之另一實施例之液晶顯示裝置之平面圖，並且「第3B圖」係為沿「第3A圖」中之III-III’線之橫截面圖。本實施例與前述之實施例具有相同之結構，其差別僅在於一備用部件，因此，與前述實施例相同之部件將省略其 描述。
請參閱「第3A圖」及「第3B圖」，液晶顯示裝置(LCD)包含有一畫素，畫素具有在不同方向上產生電場的第一及第二域D1及D2，一畫素中的畫素電極124及一共同電極125，這兩個電極用以產生一橫向電場，以及一接觸部件105，用以和第一域D1與第二域D2之間的邊界中之共同電極125相接觸。接觸部件105與本畫素及相鄰畫素中的一共同線103電連接。
共同電極125包含有第一共同電極125a，第一共同電極125a與畫素電極124相交替配設，一第二共同電極125b，係形成於第一域D1與第二域D2之間的邊界中且與接觸部件105電連接，以及一第三共同電極125c，用以將第一共同電極125a與第二共同電極125b電連接。
由於第二共同電極125b與共同線103通過接觸部件105彼此電連接，其中接觸部件105配設於第一域D1與第二域D2之間的邊界，即非透射區中，因此可防止孔徑比的減少。
彼此相鄰的畫素中的共同線103透過一共同連接線104彼此電連接。這裡，共同線103與共同連接線104可整體地形成。
共同連接線104與閘極線101相平行且可設置於畫素之上或下側，或者畫素之上及下側。
共同連接線104可包含有一備用部件106，備用部件106用以將第一共同電極125a與閘極絕緣層110或閘極絕緣層110與鈍化 層120的堆疊層相重疊。因此，備用部件106可形成於畫素之上或下方，或者畫素之上及下方。
這裡，在第二共同電極125b與接觸部件105之間產生一接觸缺陷的情況下，在備用部件106上執行一修補過程，用以將第一共同電極125a與備用部件106電連接。舉例而言，此修補過程透過一雷射照射執行。因此，共同電極125與共同線103彼此電連接，也就是說，在第二共同電極125b與接觸部件105之間產生一接觸缺陷之情況下，在備用部件106上執行修補過程，用以防止產生液晶顯示裝置的一黑點缺陷。
「第4A圖」至「第4C圖」係為本發明之又一實施例之液晶顯示裝置之製造方法之示意圖。
「第4A圖」至「第4C圖」係為本發明又一實施例之液晶顯示裝置之製造方法之平面圖，並且「第5A圖」至「第5C圖」係為沿「第4A圖」至「第4C圖」之IV-IV’及V-V’線之橫截面圖。
請參閱「第4A圖」及「第5A圖」，配設有一具有複數個畫素的基板100，基板100用以形成液晶顯示裝置。各個畫素可被劃分為至少第一及第二域D1及D2。
基板100可由一種能夠傳送光線的透明材料形成。舉例而言，基板100可由玻璃或塑料形成。
一導電層形成於基板100上，並且然後導電層被蝕刻用以形成一閘極線101、一閘極102、一共同線103、以及一接觸部件105。
此導電層可透過一蒸鍍方法形成。能夠用以形成導電層的材料包含金屬。蝕刻該導電層可透過在導電層上形成具有預設圖案的光阻抗蝕圖案且使用光阻抗蝕圖案作為一光罩來實現。
閘極102可形成在各個畫素中。閘極線101及閘極102可整體地形成。
第一域D1與第二域D2之間的邊界區域係為非透射區，接觸部件105可形成在第一域D1與第二域D2之間的邊界中，用以防止孔徑比減少。
共同線103可形成於各個畫素的一側面上。共同線103與相鄰畫素中的接觸部件105電連接。因此，可防止在一隨後製程中產生研磨缺陷。
此外，可更形成一共同連接線104，共同連接線104用以電連接複數個畫素中的共同線103。共同線103、接觸部件105、以及共同連接線104可形成為一整體。
然後，一閘極絕緣層110形成於具有閘極線101、閘極102、共同線103、以及接觸部件105的基板100上。閘極絕緣層110可使用一化學氣相蒸鍍(Chemical Vapor Deposition,CVD)形成。閘極絕緣層110可由氧化矽層、氮化矽層、以及這些層的堆疊層中之一形成。
請參閱「第4B圖」及「第5B圖」，半導體圖案112形成於閘極絕緣層110的與閘極102相對應之一部份上。
為了形成半導體圖案112，一非晶矽層及一具有雜質的非晶矽層順次形成於閘極絕緣層110上。非晶矽層及具有雜質的非晶矽層可使用一化學氣相蒸鍍(CVD)形成。其後，非晶矽層及具有雜質的非晶矽層被蝕刻用以形成與閘極102相對應的活性圖案112a，以及一歐姆接觸圖案112b，歐姆接觸圖案112b用以暴露活性圖案112a與一通道區相對應的部份。因此，能夠形成具有活性圖案112a及歐姆接觸圖案112b的半導體圖案112。
可分別形成半導體圖案112之兩終端的一源極122及一汲極132。同時，形成一與閘極線101交叉的資料線111。這裡，閘極線101與資料線111彼此交叉用以定義一畫素。
為了形成源極122、汲極132、以及資料線111，一導電層形成於具有半導體圖案112的基板100上。之後，蝕刻此導電層用以形成半導體圖案112上的源極122及汲極132以及資料線111，其中源極122與汲極132之間具有一通道。資料線111與源極122可整體地形成。
因此，薄膜電晶體(TFT)Tr、閘極線101、資料線111、共同線103、接觸部件105、以及共同連接線104可形成於基板100上。
請參閱「第4C圖」及「第5C圖」，一鈍化層120形成於具有薄膜電晶體(TFT)Tr的基板100上。鈍化層120可為一有機層、一無機層、或者這些層的堆疊層。能夠用作有機層的材料包含有 丙烯酸基(Acryl-Based)樹脂、聚苯乙烯(Polystyrene)樹脂、聚醯胺(Polyamide)樹脂、聚亞醯胺(Polyimide)樹脂、聚芳醚(Polyarylether)樹脂、雜環高分子(Heterocyclic Polymer)樹脂、聚對二甲苯(Parylene)樹脂、苯環丁烯(Benzocyclobutene-Based)樹脂以及對二硝基苯腈(Polyacrynitril)樹脂。能夠用作無機層的材料包含一氧化矽層、一氮化矽層、以及這些層的堆疊層。
這裡，在鈍化層120係為一有機層的情況下，鈍化層120可使用一窄縫噴塗、噴塗、或者旋轉噴塗形成。另一方面，在鈍化層120係為一無機層的情況下，鈍化層120可透過一化學氣相蒸鍍(CVD)形成。
然後，用以暴露汲極132之一部份的第一接觸孔形成於鈍化層120中。同時，鈍化層120及閘極絕緣層110被蝕刻，用以形成暴露接觸部件105的第二接觸孔。
與汲極132電連接的一畫素電極124，以及與接觸部件105電連接的共同電極125通過第二接觸孔形成於鈍化層120上。
為了形成畫素電極124及共同電極125，一透明導電層形成於鈍化層120上。透明導電層能夠通過一蒸鍍方法形成。能夠用於透明導電層的材料包含有銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)及銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,ITO)。蝕刻此透明導電層用以形成畫素電極124及共同電極125。
畫素電極124包含有第一畫素電極124a及一第二畫素電極 124b。在分別與第一及第二域D1及D2相對應的區域，第一畫素電極124a具有一預定的間隔，並且具有不同的斜度。第二畫素電極124b與這些第一畫素電極124a電連接。而且，第二畫素電極124b與共同線103相重疊且第二畫素電極124b配設於鈍化層120之上用以形成儲存電容器。
共同電極125包含有第一共同電極125a，第一共同電極125a與第一畫素電極124a相交替配設，一第二共同電極125b，係形成於第一域D1與第二域D2之間的邊界中且與接觸部件105電連接，以及一第三共同電極125c，係用以將第一共同電極125a與第二共同電極125b電連接。
此外，「第2A圖」及「第2B圖」中的共同連接線104可更包含有一備用部件106，並且備用部件106與第二畫素電極124b的一部份相重疊。在共同電極125與接觸部件105之間出現一接觸缺陷之情況下，可在備用部件106上更執行一修補過程，用以將共同電極125與共同線103相連接。
之後，一配向層(圖未示)可形成於具有畫素電極124及共同電極125的基板100上。為了形成此配向層，一配向樹脂層形成於基板上，並且然後，在此配向樹脂層上執行一對準過程。此對準過程可使用一光線校正方法或一研磨方法執行。舉例而言，配向層可具有與閘極線101相平行的方向。
在對準過程透過一研磨過程實現之情況下，共同線103形成 於畫素的至少一個側面上。以使得防止產生由於共同線103的高度差引起的研磨缺陷。並且因此可防止產生一光線洩漏缺陷，例如一水平線缺陷。
其後，執行將一頂基板附加至形成有配向層的基板上之過程，一在基板與頂基板之間形成一液晶層之過程，以及組裝外罩的過程，用以形成一液晶顯示裝置(LCD)。這裡，附加過程以及液晶層形成過程之順序可改變且不限制於本發明之實施例。
因此，根據本發明之實施例，共同電極125與共同線103之間的接觸形成於第一域D1與第二域D2之間的邊界，即非透射區中，用以防止孔徑比減少。
而且，由於共同線103僅配設於各個畫素之一側且與相鄰畫素中的共同電極125電連接，因此可防止孔徑比減少且可防止產生透過研磨缺陷引起的水平線缺陷的產生。
本說明書所提及之〞一實施例〞、〞示例性實施例〞、〞具體實施例〞等表示與本實施例相關之具體的特徵、結構或特性包含於本發明之至少一實施例中。在本說明書中不同位置出現的此種詞語並不一定表示同一實施例。而且，當一具體的特徵、結構或特性描述為與任何實施例相關時，本領域之技術人員應當意識到這些特徵、結構或特性可與其他實施例相關。
雖然本發明之實施例以示例性之實施例揭露如上，然而本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所 揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。特別是可在本說明書、圖式部份及所附之申請專利範圍中進行構成部份與/或組合方式的不同變化及修改。除了構成部份與/或組合方式的變化及修改外，本領域之技術人員也應當意識到構成部份與/或組合方式的交替使用。
1、101‧‧‧閘極線
2、111‧‧‧資料線
3、124‧‧‧畫素電極
4、125‧‧‧共同電極
5‧‧‧第一共同線
6‧‧‧第二共同線
7‧‧‧第一接觸孔
8‧‧‧第二接觸孔
100‧‧‧基板
102‧‧‧閘極
103‧‧‧共同線
104‧‧‧共同連接線
105‧‧‧接觸部件
106‧‧‧備用部件
110‧‧‧閘極絕緣層
112‧‧‧半導體圖案
112a‧‧‧活性圖案
112b‧‧‧歐姆接觸圖案
120‧‧‧鈍化層
122‧‧‧源極
124a‧‧‧第一畫素電極
124b‧‧‧第二畫素電極
125a‧‧‧第一共同電極
125b‧‧‧第二共同電極
125c‧‧‧第三共同電極
132‧‧‧汲極
D1‧‧‧第一域
D2‧‧‧第二域
Tr‧‧‧薄膜電晶體
第1圖係為習知技術之平面轉換(IPS)模式的液晶顯示裝置之平面圖；第2A圖係為本發明之一實施例之液晶顯示裝置之平面圖；第2B圖係為沿第2A圖之I-I’及II-II’線之橫截面圖；第3A圖係為本發明之另一實施例之液晶顯示裝置之示意圖；第3B圖係為沿第3A圖之III-III’線之橫截面圖；第4A圖至第4C圖係為本發明之又一實施例之液晶顯示裝置之製造方法之平面圖；以及第5A圖至第5C圖係為沿著第4A圖至第4C圖之IV-IV’及V-V’線之橫截面圖。
101‧‧‧閘極線
102‧‧‧閘極
103‧‧‧共同線
104‧‧‧共同連接線
105‧‧‧接觸部件
111‧‧‧資料線
112‧‧‧半導體圖案
122‧‧‧源極
124‧‧‧畫素電極
124a‧‧‧第一畫素電極
124b‧‧‧第二畫素電極
125‧‧‧共同電極
125a‧‧‧第一共同電極
125b‧‧‧第二共同電極
125c‧‧‧第三共同電極
132‧‧‧汲極
D1‧‧‧第一域
D2‧‧‧第二域
Tr‧‧‧薄膜電晶體

Claims (13)

  1. 一種液晶顯示裝置，係包含有：複數個畫素，其中所述各畫素係具有分別在不同方向產生電場的至少第一域及第二域；多個畫素電極，係配設於各個畫素的該第一域及該第二域中；多個共同電極，係配設於各個畫素的該第一域及該第二域中以及該第一域與該第二域之間的一邊界中，並且其中該等共同電極與該等畫素電極之一部份相交替配設，用以產生一橫向電場；一接觸部件，係在一與該邊界相對應的位置與該等共同電極電連接；一共同線，係與該接觸部件電連接且形成於與配設有該接觸部件的該畫素相鄰之畫素中；以及多條共同連接線，係分别設置於所述各畫素之上側及下側。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該共同線之至少一部份與該畫素電極相重疊，並且該共同線之該部份與該畫素電極之間具有一介電層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該等共同連接線與該共同線彼此電連接，並且該等共同連接線配設於彼此相鄰近的畫素中。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其中該等共同連接線包含有一與該共同電極相重疊的備用部件，其中該備用部件與該共同電極之間具有一介電層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中該畫素電極與該共同電極中各個電極係由一透明導體形成。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置，更包含有一儲存電容器，該儲存電容器係透過該畫素電極與該共同線彼此相重疊且其間具有一介電層形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中分別配設於該第一域及該第二域中的畫素電極具有關於該第一域及該第二域之間的邊界彼此對稱的斜度。
  8. 一種液晶顯示裝置，係包含有：一基板，係包含有具有第一域及第二域的複數個畫素；一接觸部件，係配設於該等畫素的一個畫素的該第一域與該第二域之間的一邊界；一共同線，係配設於該等畫素的另一個畫素的一側上，並且該共同線與該接觸部件電連接，其中該另一個畫素位於與該一個畫素相鄰之畫素中；多條共同連接線，係分别設置於所述各畫素之上側及下側；一薄膜電晶體，係配設於畫素中； 一鈍化層，係形成於具有配設於畫素中之該薄膜電晶體的基板上；一介電層，係配設於具有該共同線及該接觸部件的該基板上；複數個第一畫素電極，係以一定之間隔配設於該介電層上，並且分別配設於該第一域與該第二域中，用以具有不同之斜度；一第二畫素電極，係與該等第一畫素電極電連接，並且與該共同線相重疊，該第二畫素電極配設於該鈍化層上；複數個第一共同電極，係與該等第一畫素電極相交替配設；一第二共同電極，係配設於該第一域與該第二域之間的邊界中且與該接觸部件相連接；以及一第三畫素電極，係用以將該等第一共同電極與該第二共同電極電連接。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置，更包含有：一閘極線，係與該共同線相垂直配設；以及一資料線，係與該閘極線相交叉，該資料線係與該共同線相平行；其中該薄膜電晶體與該閘極線及該資料線電連接且與該第二畫素電極電連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，其中配設有該等共同連接線，該等共同連接線與彼此相鄰的畫素中的共同線電連接並且該等共同連接線與該閘極線相平行。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示裝置，其中該共同連接線包含有一備用部件，該備用部件與該共同電極之一部份相重疊且該備用部件與該共同電極之間具有該介電層。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置，其中該共同線與該接觸部件形成為一整體。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之液晶顯示裝置，其中分別配設於該第一域及該第二域中的該等畫素電極具有關於該第一域及該第二域之間的邊界彼此對稱的斜度。
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