CN109283759A - 像素阵列基板 - Google Patents

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Abstract

一种像素阵列基板,其包含基底、第一扫描线、第一子像素、第二扫描线、第二子像素以及共用电极。基底具有第一区及第二区。第一区的长度小于第二区的长度。第二区的相对两侧对应于基底的相对两侧。第一区的至少一侧不对应基底的相对两侧中的其中一侧。第一扫描线位于第一区上。第一子像素电性连接第一扫描线。第二扫描线位于第二区上。第二子像素电性连接第二扫描线。共用电极位于基底上。共用电极与第一扫描线的垂直距离为V11。共用电极与第二扫描线的垂直距离为V2,V2>V11。

Description

像素阵列基板
技术领域
本发明涉及一种像素阵列基板,且特别涉及一种包含共用电极的像素阵列基板。
背景技术
目前,为了提升产品的设计感,显示装置中的像素阵列基板往往会使用非矩形的异形(Free form)基底。为了配合异形基底的形状,在这些异形基底上的显示区中,部分的扫描线的长度会不同于其他扫描线的长度,这导致了像素阵列基板中不同条扫描线上具有不相同的电容。显示装置容易因为不同条扫描线上具有不相同的电容而产生亮纹或闪烁,严重的影响了显示装置的显示品质。因此,目前亟需一种可以解决前述问题的方法。
发明内容
本发明的至少一实施例提供一种像素阵列基板,其能改善不同条扫描线上的电容分布不均的问题。
本发明的至少一实施例提供一种像素阵列基板,其包含基底、第一扫描线、第一子像素、第二扫描线、第二子像素以及共用电极。基底具有第一区及第二区。第一区的长度小于第二区的长度。第二区的相对两侧对应于基底的相对两侧。第一区的至少一侧不对应基底的相对两侧中的其中一侧。第一扫描线位于第一区上。第一子像素电性连接第一扫描线。第二扫描线位于第二区上。第二子像素电性连接第二扫描线。共用电极位于基底上。共用电极与第一扫描线的垂直距离为V11。共用电极与第二扫描线的垂直距离为V2,V2>V11。
本发明的至少一实施例提供一种像素阵列基板,其包含基底、第一扫描线、多个第一子像素、第二扫描线、多个第二子像素以及共用电极。第一扫描线位于基底上。多个第一子像素电性连接第一扫描线。第二扫描线位于基底上。多个第二子像素电性连接第二扫描线。第二子像素的数量大于第一子像素的数量。共用电极位于基底上。共用电极与第一扫描线的垂直距离为V11。共用电极与第二扫描线的垂直距离为V2,V2>V11。
本发明的目的之一为改善像素阵列基板中不同条扫描线上的电容分布不均的问题。
本发明的目的之一为改善液晶显示面板的像素阵列基板中的电容分布不均的问题。
本发明的目的之一为改善液晶显示面板的亮纹或闪烁的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
图2是图1中区域X的局部放大图。
图3A至图3D是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。
图4A至图4B是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。
图5A至图5B是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
图8是图7中区域Y的局部放大图。
图9A至图9C是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。
图10是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。
附图标记说明:
10、20、30、40、50、60:像素阵列基板
AL1、AL2:配向层
BM:黑色矩阵
C:缺口
CE:共用电极
CF:滤光元件
CH1:第一半导体通道层
CH2:第二半导体通道层
CH3:第三半导体通道层
D1:第一漏极
D2:第二漏极
D3:第三漏极
DL1:第一数据线
DL2:第二数据线
DP1、DP2、DP3、DP4:液晶显示面板
G1:第一栅极
G2:第二栅极
G3:第三栅极
H1、H2、H3、H4、H5、H6、O1、O2、O3:接触洞
L1、L2:长度
LC:液晶层
I1~I3:绝缘层
OB:基底
OC:覆盖层
OP1、OP2、OP3、OP4:开孔
OS:对向基板
P1、P2、X1、X2、X3:开口
PE1:第一像素电极
PE2:第二像素电极
PE3:第三像素电极
PL1、PL2:保护层
PX1:第一子像素
PX2;第二子像素
PX3;第三子像素
PX4;第四子像素
R1;第一区
R2;第二区
R3;第三区
R4;第四区
R1a、R1b、R2a、R2b、R3a、R3b、R4a、R4b、SBa、SBb:侧
S1:第一源极
S2:第二源极
S3:第三源极
SB:基底
SL1:第一扫描线
SL2:第二扫描线
SL3:第三扫描线
SL4:第四扫描线
SM1~SM3:遮光层
TFT1:第一薄膜晶体管
TFT2:第二薄膜晶体管
TFT3:第三薄膜晶体管
U1、U2:凹槽
V11、V13、V2、V31、V33:垂直距离
X、Y:区域
A-A'、B-B'、C-C'、D-D'、E-E'、F-F'、G-G':剖面线
具体实施方式
图1是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图,其中,图1示出了基底SB、第一扫描线SL1、第一子像素PX1、第二扫描线SL2、第二子像素PX2、第三扫描线SL3以及第三子像素PX3,并省略示出其他构件。图2是图1中区域X的局部放大图。图3A至图3D是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。
请参考图1、图2与图3A,沿图2剖面线A-A'示出的局部剖面示意图也显示于图3A。像素阵列基板10包含基底SB、第一扫描线SL1、第一子像素PX1、第二扫描线SL2、第二子像素PX2以及共用电极CE。在一些实施例中,像素阵列基板10还包含第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三扫描线SL3、第三子像素PX3、绝缘层I1~I3、保护层PL1、保护层PL2、配向层AL1以及遮光层SM1~SM3。液晶显示面板DP1包含像素阵列基板10、间隔物PS、液晶层LC以及对向基板OS,间隔物PS及液晶层LC位于像素阵列基板10与对向基板OS之间。对向基板OS包含基底OB、黑色矩阵BM、滤光元件CF、覆盖层OC以及配向层AL2。
请参照图1,基底SB为非矩形的异形,基底SB具有第一区R1及第二区R2。第一区R1的长度L1小于第二区R2的长度L2。第二区R2的相对两侧R2a、R2b对应于基底SB的相对两侧SBa、SBb。基底SB的相对两侧SBa、SBb举例为彼此平行,但不以此为限。第一区R1的至少一侧R1b不对应基底SB的相对两侧中的其中一侧SBb,第一区R1的一侧R1a对应于基底SB的一侧SBa,第一区R1的一侧R1b举例不与基底SB的一侧SBb平行且不彼此连接。在本实施例中,第一区R1的一侧R1a与第二区R2的一侧R2a连接,且构成基底SB的一侧SBa。第一区R1的一侧R1b与第二区R2的一侧R2b分离。在本实施例中,第二区R2大致上为长方形且第一区R1大致上为梯形,且第一区R1的底边连接第二区R2,但本发明不以此为限。在其他实施例中,基底SB也可以为其他形状。
第一扫描线SL1位于基底SB的第一区R1上。同一行的多个第一子像素PX1电性连接第一扫描线SL1。第二扫描线SL2位于基底SB的第二区R2上。另一行的多个第二子像素PX2电性连接第二扫描线SL2。第三扫描线SL3位于基底SB的第一区R1上。再一行的多个第三子像素PX3电性连接第三扫描线SL3。在本实施例中,第一扫描线SL1的长度小于第二扫描线SL2的长度,电性连接至第二扫描线SL2的第二子像素PX2的数量大于电性连接至第一扫描线SL1的第一子像素PX1的数量。在本实施例中,第三扫描线SL3的长度小于第一扫描线SL1的长度,电性连接至第一扫描线SL1的第一子像素PX1的数量大于电性连接至第三扫描线SL3的第三子像素PX3的数量。
请参考图2与图3A,第二子像素PX2包括第二薄膜晶体管TFT2以及第二像素电极PE2。第二薄膜晶体管TFT2位于基底SB上,且包括第二半导体通道层CH2、第二栅极G2、第二源极S2以及第二漏极D2。
第二半导体通道层CH2位于基底SB上。在本实施例中,第二半导体通道层CH2与基底SB之间还具有遮光层SM2,绝缘层I1位于第二半导体通道层CH2与遮光层SM2之间。遮光层SM2可以改善第二薄膜晶体管TFT2因为照光而产生漏电的问题。第二栅极G2重叠于第二半导体通道层CH2,且第二栅极G2与第二半导体通道层CH2之间具有绝缘层I2。第二栅极G2电性连接至第二扫描线SL2。第二源极S2以及第二漏极D2电性连接至第二半导体通道层CH2。绝缘层I3位于第二栅极G2以及第二扫描线SL2上,且厚度为0.6微米至0.9微米。第二源极S2以及第二漏极D2位于绝缘层I3上,且分别透过接触洞H1、H2而电性连接至第二半导体通道层CH2,接触洞H1、H2位于绝缘层I3、绝缘层I2中。第二源极S2电性连接至第一数据线DL1。保护层PL1位于第二源极S2、第二漏极D2以及绝缘层I3上,且厚度为1.8微米至2.2微米。保护层PL1覆盖第二薄膜晶体管TFT2,保护层PL2覆盖保护层PL1。第二像素电极PE2透过接触洞O1而电性连接至第二漏极D2。接触洞O1位于保护层PL1与保护层PL2中。
第一子像素PX1以及第三子像素PX3具有与第二子像素PX2类似的结构。
第一子像素PX1包括第一薄膜晶体管TFT1以及第一像素电极PE1。第一薄膜晶体管TFT1位于基底SB上,且包括第一半导体通道层CH1、第一栅极G1、第一源极S1以及第一漏极D1。
第一半导体通道层CH1位于基底SB上。在本实施例中,第一半导体通道层CH1与基底SB之间还具有遮光层SM1,绝缘层I1位于第一半导体通道层CH1与遮光层SM1之间。遮光层SM1可以改善第一薄膜晶体管TFT1因为照光而产生漏电的问题。第一栅极G1重叠于第一半导体通道层CH1,且第一栅极G1与第一半导体通道层CH1之间具有绝缘层I2。第一栅极G1电性连接至第一扫描线SL1。第一源极S1以及第一漏极D1电性连接至第一半导体通道层CH1。绝缘层I3位于第一栅极G1以及第一扫描线SL1上。第一源极S1以及第一漏极D1位于绝缘层I3上,且分别透过接触洞H3、H4而电性连接至第一半导体通道层CH1,接触洞H3、H4位于绝缘层I3、绝缘层I2中。第一源极S1电性连接至第一数据线DL1。第一像素电极PE1电性连接至第一漏极D1。保护层PL1与保护层PL2覆盖第一薄膜晶体管TFT1。第一像素电极PE1透过接触洞O2而电性连接至第一漏极D1。接触洞O2位于保护层PL1与保护层PL2中。
第三子像素PX3包括第三薄膜晶体管TFT3以及第三像素电极PE3。第三薄膜晶体管TFT3位于基底SB上,且包括第三半导体通道层CH3、第三栅极G3、第三源极S3以及第三漏极D3。
第三半导体通道层CH3位于基底SB上。在本实施例中,第三半导体通道层CH3与基底SB之间还具有遮光层SM3,绝缘层I1位于第三半导体通道层CH3与遮光层SM3之间。遮光层SM3可以改善第三薄膜晶体管TFT3因为照光而产生漏电的问题。第三栅极G3重叠于第三半导体通道层CH3,且第三栅极G3与第三半导体通道层CH3之间具有绝缘层I2。第三栅极G3电性连接至第三扫描线SL3。第三源极S3以及第三漏极D3电性连接至第三半导体通道层CH3。绝缘层I3位于第三栅极G3以及第三扫描线SL3上。第三源极S3以及第三漏极D3位于绝缘层I3上,且分别透过接触洞H5、H6而电性连接至第三半导体通道层CH3,接触洞H5、H6位于绝缘层I3、绝缘层I2中。第三源极S3电性连接至第一数据线DL1。第三像素电极PE3电性连接至第三漏极D3。保护层PL1与保护层PL2覆盖第三薄膜晶体管TFT3。第三像素电极PE3透过接触洞O3而电性连接至第三漏极D3。接触洞O3位于保护层PL1与保护层PL2中。
本发明并不特别限制第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2与第三薄膜晶体管TFT3电性连接至相同条数据线或不同条数据线。在本实施例中,位于同一列的第一子像素PX1、第二子像素PX2及第三子像素PX3分别包含的第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2与第三薄膜晶体管TFT3,且例如电性连接至第一数据线DL1。
共用电极CE位于基底SB上。共用电极CE位于保护层PL1与保护层PL2之间。共用电极CE重叠于第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2以及第三扫描线SL3。在本实施例中,共用电极CE具有分别对应第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2与第三薄膜晶体管TFT3的开口X1、开口X2与开口X3分别用以设置接触洞O2、接触洞O1与接触洞O3。
黑色矩阵BM位于基底OB上,且遮蔽第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第三扫描线SL3、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2与第三薄膜晶体管TFT3,但本发明不以此为限。虽然在本实施例中是以黑色矩阵BM位于基底OB上为例,但本发明不以此为限。在其他实施例中,黑色矩阵BM位于基底SB上,并构成黑色矩阵于像素阵列上(black matrix on array,BOA)的结构。
滤光元件CF位于黑色矩阵BM上,滤光元件CF例如包括红色滤光图案、绿色滤光图案以及蓝色滤光图案。在一些实施例中,滤光元件CF还可以包括其他颜色的滤光图案。在一些实施例中,黑色矩阵BM位于不同颜色的滤光图案之间。在本实施例中,覆盖层OC覆盖滤光元件CF的表面,但本发明不以此为限。虽然在本实施例中是以滤光元件CF位于基底OB上为例,但本发明不以此为限。在其他实施例中,滤光元件CF位于基底SB上,并构成彩色滤光层于像素阵列上(color filter on array,COA)的结构。
在本实施例中,配向层AL1与配向层AL2分别位于基底SB与基底OB上。配向层AL1覆盖第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3。配向层AL2覆盖覆盖层OC。配向层AL1与配向层AL2的材料例如为聚合物,如:聚酰亚胺(PI,Polyimide),但本发明不以此为限。
在本实施例中,由于第三子像素PX3的数量小于第一子像素PX1的数量,且第一子像素PX1的数量小于第二子像素PX2的数量,多个第三子像素PX3与第三扫描线SL3之间的总电容小于多个第一子像素PX1与第一扫描线SL1之间的总电容,且多个第一子像素PX1与第一扫描线SL1之间的总电容小于多个第二子像素PX2与第二扫描线SL2之间的总电容。在本实施例中,经由调整共用电极CE与第一扫描线SL1之间的电容以及共用电极CE与第三扫描线SL3之间的电容来补偿多个第一子像素PX1与第一扫描线SL1之间的总电容以及多个第三子像素PX3与第三扫描线SL3之间的总电容不一致,以使各个第一扫描线SL1、各个第二扫描线SL2以及各个第三扫描线SL3所在区域分别所产生的总电容彼此较为接近,借此改善液晶显示面板DP1因为像素阵列基板10的电容分布不均而产生亮纹或闪烁的问题,详细内容如后所述。
请同时参考图1、图2以及图3B~图3D,沿图2剖面线B-B'示出的局部剖面示意图也显示于图3B,沿图2剖面线C-C'示出的局部剖面示意图也显示于图3C,沿图2剖面线D-D'示出的局部剖面示意图也显示于图3D。在本实施例中,经由改变共用电极CE与第一扫描线SL1的垂直距离V11以及共用电极CE与第三扫描线SL3的垂直距离V31来调整第一扫描线SL1与第三扫描线SL3上的电容。在本实施例中,共用电极CE与第二扫描线SL2的垂直距离为V2,V2>V11≧V31。
请参考图3C,保护层PL1具有开孔OP1,开孔OP1重叠于第一扫描线SL1,其中部分共用电极CE填入开孔OP1,且共用电极CE与第一扫描线SL1的垂直距离V11对应开孔OP1。请参考图3D,保护层PL1具有开孔OP2,开孔OP2重叠于第三扫描线SL3,其中部分共用电极CE填入开孔OP2,且共用电极CE与第三扫描线SL3的垂直距离V31对应开孔OP2。在本实施例中,开孔OP1与开孔OP2不贯穿保护层PL1,但本发明不以此为限。
在本实施例中,经由调整开孔OP1与开孔OP2的垂直投影面积(垂直投影于基底SB上的面积)以调整第一扫描线SL1与第三扫描线SL3上的电容。开孔OP2的垂直投影面积大于或等于开孔OP1的垂直投影面积。在本实施例中,开孔OP2的垂直投影面积大于开孔OP1的垂直投影面积,故共用电极CE与第三扫描线SL3之间的电容会大于共用电极CE与第一扫描线SL1之间的电容,以补偿多个第一子像素PX1与第一扫描线SL1之间的总电容以及多个第三子像素PX3与第三扫描线SL3之间的总电容不一致,从而使各个第一扫描线SL1、各个第二扫描线SL2以及各个第三扫描线SL3所在区域分别所产生的总电容彼此较为接近,借此改善液晶显示面板DP1因为像素阵列基板10的电容分布不均而产生亮纹或闪烁的问题。
开孔OP1与开孔OP2的数量可以依照需求而进行调整,增加开孔OP1的数量能增加共用电极CE与第一扫描线SL1之间的电容,增加开孔OP2的数量能增加共用电极CE与第三扫描线SL3之间的电容。
图4A至图4B是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。在此必须说明的是,图4A和图4B的实施例沿用图3B和图3C的实施例的元件附图标记与部分内容,其中采用相同或近似的附图标记来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
液晶显示面板DP2的像素阵列基板20与液晶显示面板DP1的像素阵列基板10的主要差异在于:在像素阵列基板20中,绝缘层I3具有开口P1以及开口P2。
请参考图4A和图4B,绝缘层I3具有开口P1以及开口P2,开口P1以及开口P2不贯穿绝缘层I3。开孔OP1与开孔OP2贯穿保护层PL1,开口P1重叠于开孔OP1,开口P2重叠于开孔OP2,其中部分共用电极CE填入开口P1,且部分共用电极CE填入开口P2。
在一些实施例中,开孔OP1、开孔OP2、开口P1以及开口P2可以是以同样的掩模定义出来的,但本发明不以此为限。
经由在绝缘层I3设置开口P1以及开口P2,来进一步调整共用电极CE与第一扫描线SL1之间的电容以及共用电极CE与第三扫描线SL3之间的电容。
图5A至图5B是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。在此必须说明的是,图5A和图5B的实施例沿用图4A和图4B的实施例的元件附图标记与部分内容,其中采用相同或近似的附图标记来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
液晶显示面板DP3的像素阵列基板30与液晶显示面板DP2的像素阵列基板20的主要差异在于:在像素阵列基板30中,开口P1以及开口P2贯穿绝缘层I3。
请参考图5A和图5B,绝缘层I3具有开口P1以及开口P2,开口P1以及开口P2贯穿绝缘层I3。保护层PL1填入开口P1以及开口P2,且保护层PL1表面具有对应开口P1以及开口P2的凹槽U1以及凹槽U2。在一些实施例中,由于保护层PL1会共形于绝缘层I3的开口P1以及开口P2,因此,不需要对保护层PL1进行蚀刻工艺即可于保护层PL1表面产生凹槽U1以及凹层U2。
经由保护层PL1表面的凹槽U1以及凹槽U2来调整共用电极CE与第一扫描线SL1之间的电容以及共用电极CE与第三扫描线SL3之间的电容。
图6是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。在此必须说明的是,图6的实施例沿用图1的实施例的元件附图标记与部分内容,其中采用相同或近似的附图标记来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
图6的像素阵列基板40与图1的像素阵列基板10的主要差异在于:在像素阵列基板40中,基底SB的第一区R1的相对两侧R1a、R1b不对应基底SB的相对两侧SBa、SBb。在本实施例中,第一区R1的相对两侧R1a、R1b与第二区R2的相对两侧R2a、R2b分离且不连接。
经由调整共用电极CE与第一扫描线SL1之间的电容以及共用电极CE与第三扫描线SL3之间的电容,来使第一扫描线SL1所在区域产生的总电容、第二扫描线SL2所在区域产生的总电容以及第三扫描线SL3所在区域产生的总电容较接近,借此改善液晶显示面板因为像素阵列基板40的电容分布不均而产生亮纹或闪烁的问题。
图7是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。图8是图7中区域Y的局部放大图。图9A至图9C是依照本发明的一实施例的一种液晶显示面板的局部剖面示意图。在此必须说明的是,图7至图9C的实施例沿用图1至图2、图3B至图3D的实施例的元件附图标记与部分内容,其中采用相同或近似的附图标记来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
沿图8剖面线E-E'示出的局部剖面示意图也显示于图9A,沿图8剖面线F-F'示出的局部剖面示意图也显示于图9B,沿图8剖面线G-G'示出的局部剖面示意图也显示于图9C。图7的像素阵列基板50与图1的像素阵列基板10的主要差异在于:像素阵列基板50的基底SB还具有第三区R3。第三区R3与第二区R2相连,且缺口C形成于第一区R1与第三区R3之间。
请参考图7~图9C,第三区R3的长度L3小于第二区R2的长度L2。第三区R3具有相对两侧R3a、R3b。第三区R3的至少一侧R3a不对应基底SB的相对两侧中的其中一侧SBa。在本实施例中,第三区R3的一侧R3b与第二区R2的一侧R2b连接,且构成基底SB的一侧SBb。第三区R3的一侧R3a与第二区R2的一侧R2a分离。在本实施例中,第三区R3大致上为梯形,且第三区R3的底边连接第二区R2,但本发明不以此为限。缺口C举例由第一区R1、第二区R2与第三区R3定义而成。
请同时参考图3C至图3D、图9B至图9C,液晶显示面板DP4的像素阵列基板50的位于第一区R1上的第一扫描线SL1与共用电极CE的垂直距离为V11。位于第一区R1上的第三扫描线SL3与共用电极CE的垂直距离为V31。第一扫描线SL1延伸于第三区R3上,且位于第三区R3上的第一扫描线SL1与共用电极CE的垂直距离为V13。第三扫描线SL3延伸于第三区R3上,且位于第三区R3上的第三扫描线SL3与共用电极CE的垂直距离为V33。
在本实施例中,第三区R3上的保护层PL1具有开孔OP3,开孔OP3重叠于第一扫描线SL1,其中部分共用电极CE填入开孔OP3,且第三区R3上的共用电极CE与第一扫描线SL1的垂直距离V13对应开孔OP3。在本实施例中,第三区R3上的保护层PL1具有开孔OP4,开孔OP4重叠于第三扫描线SL3,其中部分共用电极CE填入开孔OP4,且第三区R3上的共用电极CE与第三扫描线SL3的垂直距离V33对应开孔OP4。
在本实施例中,如图7所示,第一扫描线SL1及第三扫描线SL3从第一区R1朝第三区R3延伸,且沿着缺口C的至少一部份轮廓作弯折变化设计。在一些实施例中,第一区R1相较于第三区R3更靠近第一扫描线SL1以及第三扫描线SL3的信号源(或驱动电路)。换句话说,第一扫描线SL1、第三扫描线SL3的信号会先经过第一区R1,之后才抵达第三区R3,但本发明不以此为限。
在靠近信号源的第一区R1上,第一扫描线SL1以及第三扫描线SL3的信号(例如电压)的衰减幅度约与第二扫描线SL2邻近于第一区R1的部分的信号衰减幅度相同。
第一扫描线SL1以及第三扫描线SL3在邻近第一区R1与第三区R3之间的缺口C的位置没有与第一子像素PX1以及第三子像素PX3连接,而第二扫描线SL2在邻近缺口C的位置有与第二子像素PX2连接,因此,在信号传递至邻近缺口C处并进入第三区R3之后,第一扫描线SL1以及第三扫描线SL3的信号(例如电压)的衰减幅度会明显小于第二扫描线SL2邻近于第三区R3的部分的信号衰减幅度。换句话说,信号传入第二扫描线SL2邻近于第三区R3的部分时,由于经过了较多的第二子像素PX2,因此信号衰减幅度会比第一扫描线SL1以及第三扫描线SL3明显。
经由缩小第三区R3上的第一扫描线SL1与共用电极CE的垂直距离V13以及第三扫描线SL3与共用电极CE的垂直距离为V33,以解决由于信号衰减差异所导致的亮纹问题。在较佳的实施例中,V11≧V13。在较佳的实施例中,V31≧V33。
图10是依照本发明的一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。在此必须说明的是,图10的实施例沿用图7的实施例的元件附图标记与部分内容,其中采用相同或近似的附图标记来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
图10的像素阵列基板60与图7的像素阵列基板40的主要差异在于:像素阵列基板60的基底SB还具有第四区R4。第四区R4相连于第一区R1以及第三区R3。
在本实施例中,缺口C位于基底SB中且为封闭轮廓的孔洞,第四区R4与第二区R2分别位于缺口C两侧,且第一区R1与第三区R3分别位于缺口C另外两侧。缺口C举例由第一区R1至第四区R4定义而成。
第四区R4具有相对两侧R4a、R4b。第四区R4的相对两侧R4a、R4b分别对应基底SB的相对两侧SBa、SBb。
在本实施例中,像素阵列基板60还包括第四扫描线SL4以及电性连接第四扫描线SL4的多个第四子像素PX4,但本发明不以此为限。第四子像素PX4与第二子像素PX2有类似的结构,因此不再赘述。
在本实施例中,第四子像素PX4的数量等于第二子像素PX2的数量,但本发明不以此为限。
综上所述,本发明的至少一实施例经由调整共用电极与不同扫描线之间的电容以补偿多个子像素与各个扫描线之间的总电容不一致,使得各扫描线所在区域产生的总电容彼此较为接近,借此改善液晶显示面板因为像素阵列基板的电容分布不均而产生亮纹或闪烁的问题。
虽然本发明已通过实施例披露如上,然而实施例并非用以限定本发明,任何所属技术领域中普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,应当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围应以随附权利要求书范围所界定者为准。

Claims (17)

1.一种像素阵列基板,包含:
一基底,具有一第一区及一第二区,其中该第一区的长度小于该第二区的长度,该第二区的相对两侧对应于该基底的相对两侧,该第一区的至少一侧不对应该基底的该相对两侧中的其中一侧;
一第一扫描线,位于该第一区上;
一第一子像素,电性连接该第一扫描线;
一第二扫描线,位于该第二区上;
一第二子像素,电性连接该第二扫描线;以及
一共用电极,位于该基底上,其中该共用电极与该第一扫描线的一垂直距离为V11,该共用电极与该第二扫描线的一垂直距离为V2,V2>V11。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,还包括:
一绝缘层,位于该第一扫描线以及该第二扫描线上,且厚度为0.6微米至0.9微米;以及
一保护层,位于该绝缘层上,且厚度为1.8微米至2.2微米。
3.如权利要求2所述的像素阵列基板,其中该保护层具有一开孔,该开孔重叠于该第一扫描线,其中部分该共用电极填入该开孔,且该共用电极与该第一扫描线的该垂直距离对应该开孔。
4.如权利要求3所述的像素阵列基板,其中该绝缘层具有一开口,该开口不贯穿该绝缘层,且该开口重叠于该开孔,其中部分该共用电极填入该开口。
5.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中该基底还具有一第三区,该第三区与该第二区相连,且一缺口位于该第一区与该第三区之间。
6.如权利要求5所述的像素阵列基板,其中该第一扫描线延伸于该第三区上,且位于该第三区上的该第一扫描线与该共用电极的一垂直距离为V13。
7.如权利要求6所述的像素阵列基板,其中V11=V13。
8.如权利要求6所述的像素阵列基板,其中V11>V13。
9.一种像素阵列基板,包含:
一基底;
一第一扫描线,位于该基底上;
多个第一子像素,电性连接该第一扫描线;
一第二扫描线,位于该基底上;
多个第二子像素,电性连接该第二扫描线,其中该多个第二子像素的数量大于该多个第一子像素的数量;以及
一共用电极,位于该基底上,其中该共用电极与该第一扫描线的一垂直距离为V11,该共用电极与该第二扫描线的一垂直距离为V2,V2>V11。
10.如权利要求9所述的像素阵列基板,还包括:
一第三扫描线,位于该基底上;
多个第三子像素,电性连接该第三扫描线,其中该多个第一子像素的数量大于该多个第三子像素的数量,该共用电极与该第三扫描线的一垂直距离为V31。
11.如权利要求10所述的像素阵列基板,其中V2>V11>V31。
12.如权利要求10所述的像素阵列基板,其中V2>V11=V31。
13.如权利要求10所述的像素阵列基板,还包括:
一绝缘层,位于该第一扫描线、该第二扫描线以及该第三扫描线上,且厚度为0.6微米至0.9微米;以及
一保护层,位于该绝缘层上,且厚度为1.8微米至2.2微米。
14.如权利要求13所述的像素阵列基板,其中该保护层具有一第一开孔以及一第二开孔,该第一开孔重叠于该第一扫描线,该第二开孔重叠于该第三扫描线,其中部分该共用电极填入该第一开孔,且部分该共用电极填入该第二开孔,该共用电极与该第一扫描线的该垂直距离对应该第一开孔,该共用电极与该第三扫描线的该垂直距离对应该第二开孔。
15.如权利要求14所述的像素阵列基板,其中该绝缘层具有一第一开口以及一第二开口,该第一开口以及该第二开口不贯穿该绝缘层,且该第一开口重叠于该第一开孔,该第二开口重叠于该第二开孔,其中部分该共用电极填入该第一开口,且部分该共用电极填入该第二开口。
16.如权利要求14所述的像素阵列基板,其中该第二开孔的垂直投影面积大于该第一开孔的垂直投影面积。
17.如权利要求14所述的像素阵列基板,其中该第二开孔的垂直投影面积等于该第一开孔的垂直投影面积。
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