CN107134473A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置，包括基板，该基板包括第一像素区域和比第一像素区域具有更小面积的第二像素区域。第二像素区域连接到第一像素区域。第一像素设置在第一像素区域中，并且第二像素设置在第二像素区域中。第一线连接到第一像素，并且第二线连接到第二像素。虚拟单元与第一线和第二线中的至少一个重叠，并且补偿第一线和第二线之间的负载值的差。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年2月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0024701、于2016年4月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0041327以及于2016年5月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0064116的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及包括具有不同形状和/或尺寸的区域的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置可以包括多个像素。每个像素可以包括有机发光二极管。有机发光二极管可以包括两个电极和插入其间的有机发光层。通过将从有机发光层上的一个电极注入的电子与从另一个电极注入的空穴组合而形成激子。激子在释放能量时发光。
有机发光显示装置是自发射装置。有机发光显示装置的每个像素包括导线和连接到导线的多个晶体管，多个晶体管用于驱动与晶体管连接的有机发光二极管。根据其长度，导线可以具有不同程度的负载值。因此，由有机发光显示装置显示的最终图像可能会由于负载值的差而具有不同的亮度水平。
发明内容
本发明的示例性实施方式涉及一种在显示装置的显示区域上具有均匀亮度的显示装置。
根据本发明的示例性实施方式，一种显示装置，包括：基板，包括第一像素区域和第二像素区域，第二像素区域具有比第一像素区域小的面积，其中第二像素区域连接到第一像素区域；第一像素，设置在第一像素区域中，和第二像素，设置在第二像素区域中；第一线，连接到第一像素，和第二线，连接到第二像素；和虚拟单元，与第一线和第二线中的至少一个重叠，并且补偿第一线和第二线之间的负载值的差。
根据本发明的示例性实施方式，一种显示装置，包括：基板，包括第一像素区域、连接到第一像素区域的第二像素区域和与第二像素区域间隔开的第三像素区域，其中，第二像素区域小于第一像素区域；第一像素设置在第一像素区域中，第二像素设置在第二像素区域中，第三像素设置在第三像素区域中；第一扫描线连接到第一像素，第二扫描线连接到第二像素，第三扫描线连接到第三像素；并且第一虚拟单元与第二扫描线重叠，并且第二虚拟单元与第三扫描线重叠，其中，第一和第二虚拟单元补偿第一、第二和第三扫描线之间的负载值的差。
根据本发明的示例性实施方式，一种显示装置，包括：第一像素区域和第二像素区域，其中，第一像素区域和第二像素区域具有相对于彼此不同的形状或尺寸；第一外围区域，邻近第一像素区域设置，和第二外围区域，邻近第二像素区域设置；第一像素，设置在第一像素区域中；第二像素和第三像素，设置在第二像素区域中；第一扫描线，连接到第一像素并且部分地设置在第一外围区域中；第二扫描线，连接到第二像素并且部分地设置在第二外围区域中；以及第三扫描线，连接到第三像素并且部分地设置在第二外围区域中，其中，第一、第二和第三扫描线中的至少两个具有不同的长度；和第一虚拟线，在第一和第二外围区域中与第一、第二和第三扫描线中的至少一个重叠，以在第一虚拟线和具有不同长度的第一、第二和第三扫描线中的至少两个之间产生电容差。
附图说明
通过结合附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述和其它特征将变得更加清楚，其中：
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图2A是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图2B是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图3是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图4是示出根据本发明的示例性实施方式的像素和驱动器的框图；
图5是根据本发明的示例性实施方式的图4的像素的等效电路图；
图6是示出根据本发明的示例性实施方式的图4的第一像素的结构的平面视图；
图7A是根据本发明的示例性实施方式的沿图6的线I-I’截取的截面图；
图7B是根据本发明的示例性实施方式的沿图6的线II-II’截取的截面图；
图8A是部分地示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素的平面视图；
图8B是部分地示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素的平面视图；
图9是示出根据本发明的示例性实施方式的在图2A和图3的第二区域中的倾斜边缘区域中的第二像素的布置的平面视图；
图10A是示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素中的一个的平面视图；
图10B是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素中的一个的平面视图；
图10C是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素中的一个的平面视图；
图11A是示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素中的一个的平面视图；
图11B是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素中的一个的平面视图；
图12是示出根据本发明的示例性实施方式的图2A和图3的第二区域中的倾斜边缘区域中的第二像素的布置的平面视图；
图13A是示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素的平面视图；
图13B是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素的平面视图；
图13C是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素的平面视图；
图14是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图15A是示出根据本发明的示例性实施方式的图14的区域P1的平面视图；
图15B是示出根据本发明的示例性实施方式的图14的区域P2的平面视图；
图16是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；
图17是示出根据本发明的示例性实施方式的图16的第二区域中的倾斜边缘区域中的第二像素的布置的平面视图；
图18A是根据本发明的示例性实施方式的图16的区域P3的平面视图；
图18B是根据本发明的示例性实施方式的图16的区域P4的平面视图；
图18C是根据本发明的示例性实施方式的图16的区域P5的平面视图；
图19是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图；和
图20是示出根据本发明的示例性实施方式的布置在第二像素区域中的第二像素的虚拟负载连接方案的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细说明本发明的示例性实施方式。本发明可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于下面描述的所示的示例性实施方式。
在所有附图和说明书中，相同的附图标记可以表示相同的元件。为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可能被放大。除非上下文另有明确指示，否则单数形式的元件的描述也可以包括复数形式。
另外，应当理解，当元件、层、区域或基板被称为在另一元件、层、区域或基板“上”时，其可以直接设置在另一元件、层、区域或基板上，或者可以在它们之间插入元件、层、区域或基板。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。
参考图1，根据本发明的示例性实施方式的显示装置可以包括：基板SUB；设置在基板SUB上并且包括例如像素PXL1、PXL2和PXL3的多个像素PXL；设置在基板SUB上并驱动像素PXL的驱动器；以及将像素PXL连接到驱动器的导线单元。
基板SUB可以包括多个区域，并且多个区域中的至少两个可以在尺寸和/或形状上彼此不同。当基板SUB包括例如两个区域时，这两个区域可以具有不同的尺寸和/或形状。当基板SUB包括例如三个区域时，所有三个区域可以具有彼此不同的尺寸和/或形状，或者仅仅三个区域中的两个可以具有彼此不同的尺寸和/或形状。另外，基板SUB可以包括四个或更多个区域。
在以下示例中，为了便于说明，基板SUB包括三个区域，例如，第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。
第一区域A1至第三区域A3中的每一个可以具有大致矩形形状。在本发明的示例性实施方式中，第一区域A1至第三区域A3中的任何一个可以具有多边形形状或弯曲边缘。
第一至第三区域A1、A2和A3可以包括像素区域PXA1、PXA2和PXA3(在下文中称为PXA)以及外围区域PPA1、PPA2和PPA3(在下文中称为PPA)。像素区域PXA包括用于显示图像的像素PXL。像素PXL可以不设置在外围区域PPA中。因此，在外围区域PPA中不显示图像。用于驱动像素PXL的驱动器和用于将像素PXL连接到驱动器的导线单元的导线可以至少部分地设置在外围区域PPA上。导线单元的导线可以称为导线。外围区域PPA可以对应于显示装置的边框。因此，边框的宽度可以取决于外围区域PPA的宽度。
第一区域A1至第三区域A3分别描述如下。
第一区域A1可以包括第一区域A1至第三区域A3中的最大面积。第一区域A1可以包括用于显示图像的第一像素区域PXA1和围绕第一像素区域PXA1的至少一部分的第一外围区域PPA1。
第一像素区域PXA1可以以与第一区域A1的形状对应的形状设置。在本发明的示例性实施方式中，第一像素区域PXA1可以具有在第一方向DR1上的第一宽度W1和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上的第一长度L1。
第一外围区域PPA1可以设置在第一像素区域PXA1的至少一侧上。在本发明的示例性实施方式中，除了其中设置有第二区域A2和第三区域A3的部分之外，第一外围区域PPA1可以围绕第一像素区域PXA1的外围。在本发明的示例性实施方式中，第一外围区域PPA1可以包括在宽度方向(例如，第一方向DR1)上延伸的水平单元和在纵向方向(例如，第二方向DR2)上延伸的垂直单元。第一外围区域PPA1的垂直单元可以成对地设置，以沿着第一像素区域PXA1的宽度方向彼此间隔开。
第二区域A2可以具有比第一区域A1小的面积。第二区域A2可以包括第二像素区域PXA2和围绕第二像素区域PXA2的至少一部分的第二外围区域PPA2。
第二像素区域PXA2可以以与第二区域A2的形状对应的形状设置。在本发明的示例性实施方式中，第二像素区域PXA2可以具有比第一像素区域PXA1的第一宽度W1小的第二宽度W2。第二像素区域PXA2可以具有比第一区域PXA1的第一长度L1小的第二长度L2。第二像素区域PXA2可以以从第一像素区域PXA1突出的突起的形式设置，并且直接连接到第一像素区域PXA1。换句话说，最接近第一像素区域PXA1的第二像素区域PXA2的边缘可以与第一像素区域PXA1的边缘的一部分重合。
第二外围区域PPA2可以设置在第二像素区域PXA2的至少一侧上。在本发明的示例性实施方式中，第二外围区域PPA2可以围绕第二像素区域PXA2的外围，但是它不设置在第二像素区域PXA2的与第一像素区域PXA1连接的部分上。在本发明的示例性实施方式中，第二外围区域PPA2还可以包括在宽度方向上延伸的水平单元和在纵向方向上延伸的垂直单元。第二外围区域PPA2的垂直单元可以成对地设置，以沿着第二像素区域PXA2的宽度方向彼此间隔开。
第三区域A3可以具有比第一区域A1小的面积。第三区域A3具有可以与第二区域A2的面积相同或不同的面积。第三区域A3可以包括第三像素区域PXA3和围绕第三像素区域PPA3的至少一部分的第三外围区域PPA3。第三像素区域PXA3可以显示图像。
第三像素区域PXA3可以以与第三区域A3的形状对应的形状设置。在本发明的示例性实施方式中，第三像素区域PXA3可以具有比第一像素区域PXA1的第一宽度W1小的第三宽度W3。第三像素区域PXA3可以具有比第一像素区域PXA1的第一长度L1小的第三长度L3。第二宽度W2和第三宽度W3可以彼此相等，并且第二长度L2和第三长度L3可以彼此相等。另外，第二宽度W2和第三宽度W3可以彼此不同，并且第二长度L2和第三长度L3可以彼此不同。
第三像素区域PXA3可以以从第一像素区域PXA1突出的突起的形式设置，并且直接连接到第一像素区域PXA1。换句话说，最接近第一像素区域PXA1的第三像素区域PXA3的边缘可以与第一像素区域PXA1的边缘的一部分重合。
第三外围区域PPA3可以设置在第三像素区域PXA3的至少一侧上。在本发明的示例性实施方式中，第三外围区域PPA3可以围绕第三像素区域PXA3的外围，但是它不设置在其中第一像素区域PXA1与第三像素区域PXA3连接的部分上。在本发明的示例性实施方式中，第三外围区域PPA3可以包括在宽度方向上延伸的水平单元和在纵向方向上延伸的垂直单元。第三外围区域PPA3的垂直单元也可以成对地设置，以沿着第三像素区域PXA3的宽度方向彼此间隔开。
在本发明的示例性实施方式中，第三区域A3可以具有与第二区域A2线对称的形状。在这种情况下，设置在第三区域A3中的部件的布置可以与设置在第二区域A2中的部件的布置基本相同。
在本发明的示例性实施方式中，第一外围区域PPA1的垂直单元可以分别连接到第二外围区域PPA2和第三外围区域PPA3的垂直单元的一部分。例如，在第一外围区域PPA1的左侧上的垂直单元可以连接到在第二外围区域PPA2的左侧上的垂直单元。在第一外围区域PPA1的右侧上的垂直单元可以连接到在第三外围区域PPA3的右侧上的垂直单元。另外，第一外围区域PPA1的左侧垂直单元和第二外围区域PPA2的左侧垂直单元具有可以彼此相等的宽度W4。第一外围区域PPA1的右侧垂直单元和第三外围区域PPA3的右侧垂直单元具有可以彼此相等的宽度W5。
宽度W4可以不同于宽度W5。例如，宽度W4可以比宽度W5小。
像素PXL可以设置在基板SUB的像素区域PXA中，例如在第一至第三像素区域PXA1、PXA2和PXA3中。每个像素PXL可以设置为多个以显示图像。像素PXL可以包括用于发射彩色光的有机发光二极管(OLED)。每个像素PXL可以发射红色、绿色、蓝色和白色之一的颜色。然而，本发明不限于此。例如，每个像素PXL还可以发射青色、品红色、黄色等之一的颜色。
像素PXL可以包括布置在第一像素区域PXA1中的第一像素PXL1、布置在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2和布置在第三像素区域PXA3中的第三像素PXL3。在本发明的示例性实施方式中，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3均可以设置为多个并且以矩阵形式布置。例如，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3可以沿着在第一方向DR1上延伸的行和沿着在第二方向DR2上延伸的列来布置。然而，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3的布置不限于上述的布置。例如，第一至第三像素PXL1、PXL2和PXL3可以不同地布置。第一像素PXL1可以被布置为使得第一方向DR1是行方向。然而，第二像素PXL2可以在与第一方向DR1不同的方向上，例如，在相对于第一方向DR1倾斜的方向上布置。另外，第三像素PXL3可以布置在与布置第一像素PXL1和/或第二像素PXL2所沿的方向相同或不同的方向上。或者，在本发明的示例性实施方式中，行方向可以是第二方向DR2，并且列方向可以是第一方向DR1。
驱动器可以通过导线单元向每个像素PXL提供信号，并且驱动器可以相应地控制每个像素PXL的驱动。在图1中，为了便于说明，省略了导线单元。然而，将在下面描述导线单元。
驱动器可以包括扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3(在下文中称为SDV)、沿着发光控制线向每个像素PXL提供发光控制信号的发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3(在下文中称为EDV)、用于沿着数据线向每个像素PXL提供数据信号的数据驱动器DDV以及时序控制器TC(见图4)。时序控制器可以控制扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV和数据驱动器DDV。
在本发明的示例性实施方式中，扫描驱动器SDV可以包括连接到第一像素PXL1的第一扫描驱动器SDV1、连接到第二像素PXL2的第二扫描驱动器SDV2以及连接到第三像素PXL3的第三扫描驱动器SDV3。在本发明的示例性实施方式中，发光驱动器EDV可以包括连接到第一像素PXL1的第一发光驱动器EDV1、连接到第二像素PXL2的第二发光驱动器EDV2以及连接到第三像素PXL3的第三发光驱动器EDV3。
第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的垂直单元中。由于第一外围区域PPA1的垂直单元可以设置为成对沿着第一像素区域PXA1的宽度方向彼此间隔开，因此第一扫描驱动器SDV1可以沿着第一外围区域PPA1的纵向方向延伸。
第二扫描驱动器SDV2可以设置在第二外围区域PPA2中，并且第三扫描驱动器SDV3可以设置在第三外围区域PPA3中。在本发明的示例性实施方式中，扫描驱动器SDV可以直接安装在基板SUB上。当扫描驱动器SDV直接安装在基板SUB上时，扫描驱动器SDV可以在形成像素PXL的过程中形成。然而，设置扫描驱动器SDV的位置或方法不限于此。例如，扫描驱动器SDV可以形成在基板SUB上作为玻璃衬底芯片类型，或者安装在印刷电路基板SUB上，以通过连接组件连接到基板SUB。另外，第一发光驱动器EDV1可以以与第一扫描驱动器SDV1类似的方式布置在第一外围区域PPA1的垂直单元中。第一发光驱动器EDV1可以布置在第一外围区域PPA1的垂直单元的至少一侧。第一发光驱动器EDV1可以在第一外围区域PPA1的纵向方向上延伸。
第二发光驱动器EDV2可以布置在第二外围区域PPA2中，并且第三发光驱动器EDV3可以布置在第三外围区域PPA3中。
在本发明的示例性实施方式中，发光驱动器EDV可以直接安装在基板SUB上。当发光驱动器EDV直接安装在基板SUB上时，发光驱动器EDV可以与像素PXL同时形成。然而，设置发光驱动器EDV的位置或方法可以不限于此。例如，发光驱动器EDV可以形成在基板SUB上作为玻璃衬底芯片类型，或者安装在印刷电路基板SUB上，以通过连接组件连接到基板SUB。
在本发明的示例性实施方式中，示出了扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV可以彼此相邻，并且形成在外围区域PPA的垂直单元对的一侧上。然而，本发明不限于此，并且可以以各种方式修改布置。例如，第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的垂直单元的一侧，并且第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的垂直单元的另一侧上。另外，第一扫描驱动器SDV1可以设置在第一外围区域PPA1的垂直单元的两侧上，并且第一发光驱动器EDV1可以设置在第一外围区域PPA1的垂直单元的一侧上。
数据驱动器DDV可以设置在第一外围区域PPA1中。例如，数据驱动器DDV可以设置在第一外围区域PPA1的水平单元中。数据驱动器DDV可以在第一外围区域PPA1的宽度方向上延伸。
在本发明的示例性实施方式中，扫描驱动器SDV、发光驱动器EDV和/或数据驱动器DDV的位置可以根据需要改变。
时序控制器可以通过导线连接到第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3以及数据驱动器DDV。时序控制器可以设置在显示装置的各种位置上。例如，时序控制器可以安装在柔性印刷电路基板上，并且通过柔性印刷电路基板连接到第一至第三扫描驱动器SDV1、SDV2和SDV3、第一至第三发光驱动器EDV1、EDV2和EDV3以及数据驱动器DDV。在这种情况下，柔性印刷电路基板可以布置在各种位置中，例如，在基板SUB的一侧或基板SUB的背侧上。
在本发明的示例性实施方式中，基板SUB的形状可以以各种方式改变。图2A是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。图2B是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。图2A和2B的显示装置具有与图1的显示装置不同的形状。为了简洁，可以省略已经描述的元件的描述。
参考图2A和2B，第一区域A1至第三区域A3中的每一个可以具有各种形状。例如，第一区域A1至第三区域A3中的每一个可以具有封闭形式且包括直线的多边形形状、圆形、包括平直部分和弯曲部分的椭圆、半椭圆形形状、弯曲形状和/或其组合等。
在本发明的示例性实施方式中，第一区域A1至第三区域A3中的每一个具有大致矩形形状，并且可以去除第一区域A1至第三区域A3中的每一个的矩形形状的至少一个角的一部分。这可以在图2A和图2B中看出。第一区域A1至第三区域A3可以包括与至少一个角的被去除的部分对应的第一子区域和与第一区域A1至第三区域A3的其余部分对应的第二子区域。第一子区域的宽度可以大于第二子区域的宽度。
第一区域A1至第三区域A3的角的被去除的部分可以具有三角形形状或矩形形状。例如，如图2A和2B所示，与第一区域A1至第三区域A3的被去除部分对应的一侧可以包括具有向矩形形状的一侧倾斜的斜线或成角度的直线形状的形状。
在本发明的示例性实施方式中，设置在第一区域A1至第三区域A3中的第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3中的每一个可以具有不同的形状，例如，封闭形式且包括直线的多边形形状、圆形、包括平直部分和弯曲部分的椭圆形、半椭圆形形状、弯曲形状和/或其组合等。在本发明的示例性实施方式中，第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3中的每一个可以分别具有对应于第一区域A1至第三区域A3的形状。第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3中的每一个在第一方向DR1和第二方向DR2上可以分别具有对应的宽度W1、W2和W3，以及分别具有对应的长度L1、L2和L3。在本发明的示例性实施方式中，如图2A和2B所示，第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3的宽度W1至W3和长度L1至L3可以分别表示沿着第一方向DR1和第二方向DR2的第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3的最大宽度或最大长度。
根据本发明的示例性实施方式，基板SUB可以根据其部件的布置而具有不同的形状。图3是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。
参考图3，基板SUB可以进一步包括从第一区域A1突出的附加区域ADA。
在本发明的示例性实施方式中，附加区域ADA可以从第一区域A1突出。例如，附加区域ADA可以具有从第一外围区域PPA1的水平单元突出的形状。附加区域ADA可以在对应于第一区域A1的边界的折叠线BDL处弯曲。在这种情况下，附加区域ADA可以弯曲或折叠，从而减小第一区域A1的边框的宽度。
附加区域ADA可以包括显示装置的各种组成部件。例如，附加区域ADA可以包括数据驱动器DDV。然而，可以包括在附加区域ADA中的部件不限于此。在本发明的示例性实施方式中，附加区域ADA也可以以与图3中所示的附加区域ADA的形状类似或不同的形状设置在第一区域A1至第三区域A3中。因此，由于显示装置的部件可以设置在一个或多个附加区域ADA上，并且附加区域ADA可以弯曲或折叠，所以可以减小显示装置的边框的宽度。
图4是示出根据本发明的示例性实施方式的像素和驱动器的框图。
参考图4，根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括像素PXL、驱动器和导线单元。
像素PXL可以包括第一像素PXL1至第三像素PXL3，并且驱动器可以包括第一扫描驱动器SDV1至第三扫描驱动器SDV3、第一发光驱动器EDV1至第三发光驱动器EDV3、数据驱动器DDV以及时序控制器TC。在图4中，为了便于说明，示出了第一扫描驱动器SDV1至第三扫描驱动器SDV3、第一发光驱动器EDV1至第三发光驱动器EDV3、数据驱动器DDV和时序控制器TC的位置，并且可以布置在显示装置的其它位置中。例如，数据驱动器DDV可以被布置为相对于第一区域A1更靠近第二区域A2和第三区域A3，但是数据驱动器DDV的布置不限于此。例如，数据驱动器DDV可以布置在靠近第一区域A1的位置。
导线单元可以向每个像素PXL提供驱动器的信号。导线单元可以包括扫描线、数据线、发光控制线、电力线和复位电力线。扫描线可以包括分别连接到第一至第三像素PXL1和PXL3的第一扫描线至第三扫描线S11至S1n(n表示正非零整数)、S21至S2n和S31至S3n。发光控制线E11至E1n、E21至E2n和E31至E3n可以分别连接到第一像素PXL1至第三像素PXL3。数据线D1至Dm和电力线可以连接到第一像素PXL1至第三像素PXL3。
第一像素PXL1可以位于第一像素区域PXA1中。第一像素PXL1可以连接到第一扫描线S11至S1n、第一发光控制线E11至E1n和数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n提供扫描信号时，第一像素PXL1可以从数据线D1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第一像素PXL1可以控制经由有机发光显示装置从第一电源ELVDD线流到第二电源ELVSS线的电流量。
第二像素PXL2可以位于第二像素区域PXA2中。第二像素PXL2可以连接到第二扫描线S21和S22、第二发光控制线E21和E22以及数据线D1至D3。当从第二扫描线S21和S22提供扫描信号时，第二像素PXL2可以从数据线D1至D3接收数据信号。接收数据信号的第二像素PXL2可以控制通过OLED从第一电源ELVDD线流到第二电源ELVSS线的电流量。
另外，在图4中，示出了六个第二像素PXL2可以布置在第二像素区域PXA2中，并且连接到两条第二扫描线S21和S22、两条第二发光控制线E21和E22以及三条数据线D1至D3，但是本发明不限于此。例如，取决于第二像素区域PXA2的尺寸，可以在第二像素区域PXA2中布置多个第二像素PXL2，并且基于第二像素PXL2的数量，可以按需要形成第二扫描线S21至S2n、第二发光控制线E21至E2n以及数据线D1至Dm的数量。
第三像素PXL3可以布置在第三像素区域PXA3中。如图4所示，第三像素PXL3可以连接到第三扫描线S31和S32、第三发光控制线E31和E32以及数据线Dm-2至Dm。当从第三扫描线S31和S32提供扫描信号时，第三像素PXL3可以从数据线Dm-2至Dm接收数据信号。接收数据信号的第三像素PXL3可以控制通过OLED从第一电源ELVDD线流到第二电源ELVSS线的电流量。
另外，在图4中，示出了六个第三像素PXL3布置在第三像素区域PXA3中，并且连接到两条第三扫描线S31和S32、两条第三发光控制线E31和E32以及三条数据线Dm-2至Dm，但本发明不限于此。例如，根据第三像素区域PXA3的尺寸，可以在第三像素区域PXA3中布置多个第三像素PXL3，并且根据第三像素PXL3的数量，可以按需要形成第三扫描线S31至S3n、第三发光控制线E31至E3n以及数据线D1至Dm的数量。
第一扫描驱动器SDV1可以响应于来自时序控制器TC的第一栅极控制信号GCS1，将扫描信号提供给第一扫描线S11至S1n。例如，第一扫描驱动器SDV1可以顺序地将扫描信号提供给第一扫描线S11至S1n。当扫描信号顺序地提供给第一扫描线S11至S1n时，可以通过水平线单元顺序地选择第一像素PXL1。换句话说，可以基于连接到第一扫描线S11至S1n中的相同水平扫描线的给定数量的像素PXL1来选择第一像素PXL1。
第二扫描驱动器SDV2可以响应于来自时序控制器TC的第二栅极控制信号GCS2，将扫描信号提供给第二扫描线S21和S22。例如，第二扫描驱动器SDV2可以顺序地将扫描信号提供给第二扫描线S21和S22。当扫描信号顺序地提供给第二扫描线S21和S22时，通过水平线单元顺序地选择第二像素PXL2。换句话说，可以基于连接到第二扫描线S21至S2n中的相同水平扫描线的给定数量的像素PXL2来选择第二像素PXL2。
对应于来自时序控制器TC的第三栅极控制信号GCS3，第三扫描驱动器SDV3可以将扫描信号提供给第三扫描线S31和S32。例如，第三扫描驱动器SDV3可以顺序地将扫描信号提供给第三扫描线S31和S32。当扫描信号顺序地提供给第三扫描线S31和S32时，可以通过水平线单元顺序地选择第三像素PXL3。换句话说，可以基于连接到第三扫描线S31至S3n中的相同水平扫描线的给定数量的像素PXL3来选择第三像素PXL3。
第一发光驱动器EDV1可以响应于来自时序控制器TC的第四栅极控制信号GCS4，将发光控制信号提供给第一发光控制线E11至E1n。例如，第一发光驱动器EDV1可以顺序地将发光控制信号提供给第一发光控制线E11至E1n。
发光控制信号可以被确定为具有比扫描信号更大的宽度。例如，提供给第i(例如，i是自然数)根第一发光控制线E1i的发光控制信号可以被提供以与提供给第(i-1)根第一扫描线S1i-1的扫描信号和提供给第i根第一扫描线Sli的扫描信号在时间周期的一部分重叠。
第二发光驱动器EDV2可以根据来自时序控制器TC的第五栅极控制信号GCS5，将发光控制信号提供给第二发光控制线E21和E22。例如，第二发光驱动器EDV2可以顺序地将发光控制信号提供给第二发光控制线E21和E22。
第三发光驱动器EDV3可以根据来自时序控制器TC的第六栅极控制信号GCS6，将发光控制信号提供给第三发光控制线E31和E32。例如，第三发光驱动器EDV3可以顺序地将发光控制信号提供到第三发光控制线E31和E32。
另外，发光控制信号可以被确定为栅极截止电压(例如，高电压)，使得包括在像素PXL中的晶体管可以截止，并且扫描信号可以被确定为栅极导通电压(例如，低电压)，使得包括在像素PXL中的晶体管可以导通。
数据驱动器DDV可以响应于数据控制信号DCS，将数据信号提供给数据线D1至Dm。可以使用扫描信号将提供给数据线D1至Dm的数据信号提供给像素PXL。
时序控制器TC可以将基于从外部源提供的时序信号而产生的栅极控制信号GCS1至GCS6提供到扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV以及将数据控制信号DCS提供到数据驱动器。
栅极控制信号GCS1至GCS6中的每一个包括起始脉冲和时钟信号。起始脉冲可以控制第一扫描信号或第一发光控制信号的定时。时钟信号可以用于移位起始脉冲。
数据控制信号DCS可以包括源起始脉冲和时钟信号。源起始脉冲可以控制数据的采样起始点。时钟信号可以用于控制采样操作。
当显示装置被顺序驱动时，第一扫描驱动器SDV1可以接收第二扫描驱动器SDV2的最后输出信号作为起始脉冲。在这种情况下，第一扫描驱动器SDV1和第二扫描驱动器SDV2可以共享控制信号。另外，时序控制器TC可以将栅极控制信号GCS2提供给第二扫描驱动器SDV2，并且可以不将栅极控制信号GSC1提供给第一扫描驱动器SDV1。
当在第三扫描驱动器SDV3的上部中添加单独的扫描驱动器用于驱动第一像素PXL1时，添加的扫描驱动器和第三扫描驱动器SDV3可以共享控制信号。另外，添加的扫描驱动器可以接收第三扫描驱动器SDV3的最后扫描信号作为起始脉冲。
另外，当顺序驱动显示装置时，第一发光驱动器EDV1可以接收第二发光驱动器EDV2的最后输出信号作为起始脉冲。在这种情况下，第一发光驱动器EDV1和第二发光驱动器EDV2可以共享控制信号。另外，时序控制器TC可以将栅极控制信号GCS5提供给第二发光驱动器EDV2，并且可以不将栅极控制信号GCS4提供给第一发光驱动器EDV1。
当在第三发光驱动器EDV3的上部中添加单独的发光驱动器用于驱动第一像素PXL1时，添加的发光驱动器和第三发光驱动器EDV3可以共享控制信号。另外，添加的发光驱动器可以接收第三发光驱动器EDV3的最后的发光控制信号作为起始脉冲。
图5是根据本发明的示例性实施方式的图4的像素PXL的等效电路图。在图5中，为了便于说明，示出了像素PXL连接到第m根数据线Dm和第i根第一扫描线Sli。
参考图5，根据本发明的示例性实施方式的第一像素PXL1可以包括OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7和存储电容器Cst。
OLED的阳极可以经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1，并且阴极可以连接到第二电源ELVSS线。OLED可以产生具有与从第一晶体管T1提供的电流量对应的预定亮度的光。
第一电源ELVDD线可以被确定为具有比第二电源ELVSS线更高的电压，使得电流可以流过OLED。
第七晶体管T7可以连接到复位电源Vint和OLED的阳极。另外，第七晶体管T7的栅电极连接到第(i+1)根第一扫描线S1i+1。当扫描信号提供给第(i+1)根第一扫描线S1i+1时，第七晶体管T7可以导通，并且将复位电源Vint的电压提供给OLED的阳极。复位电源Vint可以被确定为具有比数据信号低的电压。
第六晶体管T6可以连接到第一晶体管T1和OLED。另外，第六晶体管T6的栅电极可以连接到第i根第一发光控制线E1i。第六晶体管T6可以在发光控制信号被提供给第i根第一发光控制线E1i时截止，并且在其它情况下，其可以导通。
第五晶体管T5可以连接到第一电源ELVDD线和第一晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极可以连接到第i根第一发光控制线E1i。第五晶体管T5可以在发光控制信号被提供给第i根第一发光控制线E1i时截止，并且在其它情况下，其可以导通。
可以是驱动晶体管的第一晶体管T1的第一电极可以经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD线，并且第二电极可以经由第六晶体管T6连接到OLED的阳极。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管T1可以对应于第一节点N1的电压，控制经由OLED从第一电源ELVDD线流到第二电源ELVSS线的电流量。
第三晶体管T3可以连接到第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1。第三晶体管T3的栅电极可以连接到第i根第一扫描线S1i。当扫描信号被提供给第i根第一扫描线S1i时，第三晶体管T3可以导通，并且可以将第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1可以以二极管形式连接。
第四晶体管T4可以连接到第一节点N1和复位电源Vint。第四晶体管T4的栅电极可以连接到第(i-1)根第一扫描线S1i-1。第四晶体管T4可以在扫描信号被提供给第(i-1)根第一扫描线S1i-1时导通，并且可以将复位电源Vint的电压提供给第一节点N1。
第二晶体管T2可以连接到第m根数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极。第二晶体管T2的栅电极可以连接到第i根第一扫描线S1i。第二晶体管T2可以在扫描信号被提供给第i根第一扫描线S1i时导通，并且可以将第m根数据线Dm电连接到第一晶体管T1的第一电极。
存储电容器Cst可以连接到第一电源ELVDD线和第一节点N1。存储电容器Cst可以存储与数据信号和第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。
第二像素PXL2和第三像素PXL3可以用与第一像素PXL1相同的电路来实现。因此，为了简洁，将省略第二像素PXL2和第三像素PXL3的电路图的详细描述。
如上所述，根据本发明的示例性实施方式，像素PXL可以设置在具有不同尺寸和/或形状的像素区域A1、A2和A3中。向像素PXL提供扫描信号的扫描线的长度可以根据区域A1、A2和A3的尺寸和/或形状而变化，并且特别是根据像素区域PXA的尺寸和/或形状而变化。例如，根据本发明的示例性实施方式，第一像素区域PXA1的第一宽度W1(参考图1)可以比第二像素区域PXA2的第二宽度W2(参考图1)更长。因此，当扫描线沿着宽度方向延伸时，第一扫描线S11至S1n的长度可以比第二扫描线S21和S22的长度长。扫描线的长度的差可能导致扫描线的负载值的差。例如，第一扫描线S11至S1n的负载值可能会大于第二扫描线S21和S22的负载值。负载值之间的差可能会引起提供给每个像素PXL的扫描信号的电压降，并导致第一像素区域PXA1的第一像素PXL1和第二像素区域PXA2的第二像素PXL2之间的亮度差。
在本发明的示例性实施方式中，扫描线的延伸方向可以被设置为例如纵向。例如，扫描线可以在纵向方向上被延伸，并且扫描线的长度可以分别对应于第一长度L1和第二长度L2来确定。在这种情况下，扫描线之间的长度差可以引起扫描线的负载值之间的差，并且导致像素PXL之间的亮度差。
在本发明的示例性实施方式中，可以通过使用用于补偿每个像素区域PXA的负载值的差的虚拟单元来利用具有不同寄生电容的结构。“虚拟单元”可以指“多个虚拟单元”。在本发明的示例性实施方式中，第一像素PXL1将用于描述像素PXL的结构，并且下面将描述第一像素PXL1和第二像素PXL2之间的不同。在本发明的示例性实施方式中，由于第三像素PXL3可以具有与第二像素PXL2相同的形状，因此为了简洁将省略其描述。
图6是示出根据本发明的示例性实施方式的图4的第一像素PXL1的结构的平面视图。图7A是根据本发明的示例性实施方式的沿图6的线I-I’截取的截面图。图7B是根据本发明的示例性实施方式的沿图6的线II-II’截取的截面图。
图6、图7A和图7B中，基于设置在第一像素区域PXA1的第i行和第j列中的单个第一像素PXL1，三个第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1可以连接到第一像素PXL1。例如，示出了第一发光控制线E1i、电力线PL和数据线Dj。为了便于说明，在图7A和7B中第(i-1)行中的第一扫描线可以称为“第(i-1)根第一扫描线S1i-1”，第i行中的第一扫描线可以称为“第i根第一扫描线S1i”，第(i+1)行中的第一扫描线可以称为“第(i+1)根第一扫描线S1i+1”，第i行中的发光控制线可以称为“发光控制线E1i”，第j列中的数据线可以称为“数据线Dj”，并且第j根电力线可以称为“电力线PL”。
参考图4至图6、图7A和图7B，显示装置可以包括基板SUB、导线单元和像素PXL。
基板SUB可以包括绝缘材料(诸如玻璃和树脂)。另外，基板SUB可以包括具有可弯曲或折叠的柔性的材料，并且可以包括单层结构或多层结构。
例如，基板SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、乙酸丙酸酯(乙酸丙酸纤维素)中的至少一种。然而，构成基板SUB的材料可以变化，并且可以包括纤维增强塑料(FRP)等。
导线单元可以向每个第一像素PXL1提供信号，并且包括第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1、数据线Dj、第一发光控制线E1i、电力线PL以及初始化电力线IPL。
第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1可以在第一方向DR1上延伸，并且包括沿着第二方向DR2顺序布置的第(i-1)根第一扫描线S1i-1、第i根第一扫描线S1i和第(i+1)根第一扫描线S1i+1。扫描信号施加到第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1，第(i-1)扫描信号施加到第(i-1)根第一扫描线S1i-1，第i扫描信号施加到第i根第一扫描线S1i，以及第i+1扫描信号施加到第(i+1)根第一扫描线S1i+1。
第一发光控制线E1i可以在第一方向DR1上延伸，并且被布置为在第i根第一扫描线S1i和第(i+1)根第一扫描线S1i+1之间并与第i根第一扫描线S1i和第(i+1)根第一扫描线S1i+1间隔开。发光控制信号可以施加到第一发光控制线E1i。
数据线Dj可以在第二方向DR2上延伸，并且沿第一方向DR1顺序地布置。数据信号可以施加到数据线Dj。
电力线PL可以沿第二方向DR2延伸，并且被布置为与数据线Dj间隔开。第一电源ELVDD线可以施加到电力线PL。
初始化电力线IPL可以沿第一方向DR1延伸，并且被设置在第(i+1)根第一扫描线S1i+1和后续行中的第(i-1)根第一扫描线S1i-1之间。可以将复位电源Vint施加到初始化电力线IPL。
每个第一像素PXL1可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和OLED。
第一晶体管T1可以包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和连接线CNL。
第一栅电极GE1可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3和第四晶体管T4的第四漏电极DE4。连接线CNL可以连接第一栅电极GE1、第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。连接线CNL的一端可以通过接触孔CH1连接到第一栅电极GE1，并且连接线CNL的另一端可以通过第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
在本发明的示例性实施方式中，第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以形成在其中掺杂有杂质或未掺杂杂质的半导体层中。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以形成在掺杂杂质的半导体层中，并且第一有源图案ACT1可以形成在未掺杂杂质的半导体层中。
第一有源图案ACT1可以具有在预定方向上延伸的柱状形状。另外，第一有源图案ACT1可以具有其中第一有源图案ACT1沿其延伸的方向弯折多次的形状。在平面视图中，第一有源图案ACT1可以与第一栅电极GE1重叠。由于第一有源图案ACT1被延长，所以第一晶体管T1的沟道区可以被延长。因此，施加到第一晶体管T1的栅极电压的驱动范围可以变宽。因此，可以精确地控制从OLED发射的光的灰度级。
第一源电极SE1可以连接到第一有源图案ACT1的一侧、第二晶体管T2的第二漏电极DE2和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。第一漏电极DE1可以连接到第一有源图案ACT1的另一侧、第三晶体管T3的第三源电极SE3和第六晶体管T6的第六源电极SE6。
第二晶体管T2可以包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2。
第二栅电极GE2可以连接到第i根第一扫描线S1i。第二栅电极GE2可以被设置为第i根第一扫描线S1i的一部分或者从第i根第一扫描线S1i突出的形状。在本发明的示例性实施方式中，第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由可掺杂或未掺杂杂质的半导体层形成。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以形成在掺杂杂质的半导体层中，并且第二有源图案ACT2可以形成在未掺杂杂质的半导体层中。第二有源图案ACT2可以与第二栅电极GE2重叠。第二源电极SE2的一侧可以连接到第二有源图案ACT2，并且第二源电极SE2的另一侧可以通过第六接触孔CH6连接到数据线Dj。第二漏电极DE2的一侧可以连接到第二有源图案ACT2，并且第二漏电极DE2的另一侧可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。
第三晶体管T3可以具有双栅极结构以防止电流泄漏。换句话说，第三晶体管T3可以包括第(3a)晶体管T3a和第(3b)晶体管T3b。第(3a)晶体管T3a可以包括第(3a)栅电极GE3a、第(3a)有源图案ACT3a、第(3a)源电极SE3a和第(3a)漏电极DE3a。第(3b)晶体管T3b可以包括第(3b)栅电极GE3b、第(3b)有源图案ACT3b、第(3b)源电极SE3b和第(3b)漏电极DE3b。在下文中，第(3a)栅电极GE3a和第(3b)栅电极GE3b将表示为第三栅电极GE3，第(3a)有源图案ACT3a和第(3b)有源图案ACT3b将表示为第三有源图案ACT3，第(3a)源电极SE3a和第(3b)源电极SE3b表示为第三源电极SE3，并且第(3a)漏电极DE3a和第(3b)漏电极DE3b表示为第三漏电极DE3。
第三栅电极GE3可以连接到第i根第一扫描线S1i。第三栅电极GE3可以是第i根第一扫描线S1i的一部分或者从第i根第一扫描线S1i突出的形状。在本发明的示例性实施方式中，第三有源图案ACT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以形成在可掺杂或未掺杂杂质的半导体层中。第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂杂质的半导体层形成，第三有源图案ACT3可以由其中未掺杂杂质的半导体层形成。第三有源图案ACT3可以与第三栅电极GE3重叠。
第三源电极SE3的一侧可以连接到第三有源图案ACT3，并且第三源电极SE3的另一侧可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第六晶体管T6的第六源电极SE6。第三漏电极DE3的一侧可以连接到第三有源图案ACT3，并且另一侧可以连接到第四晶体管T4的第四漏电极DE4。第三漏电极DE3可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第四晶体管T4可以具有双栅极结构以防止电流泄漏。换句话说，第四晶体管T4可以包括第(4a)晶体管和第(4b)晶体管。第(4a)晶体管可以包括第(4a)栅电极GE4a、第(4a)有源图案ACT4a、第(4a)源电极SE4a和第(4a)漏电极DE4a。第(4b)晶体管可以包括第(4b)栅电极GE4b、第(4b)有源图案ACT4b、第(4b)源电极SE4b和第(4b)漏电极DE4b。在下文中，第(4a)栅电极GE4a和第(4b)栅电极GE4b可以被称为第四栅电极GE4，第(4a)有源图案ACT4a和第(4b)有源图案ACT4b称为第四有源图案ACT4，第(4a)源电极SE4a和第(4b)源电极SE4b称为第四源电极SE4，并且第(4a)漏电极DE4a和第(4b)漏电极DE4b称为第四漏电极DE4。
第四栅电极GE4可以连接到第(i-1)根第一扫描线S1i-1。第四栅电极GE4可以是第(i-1)根第一扫描线S1i-1的一部分或从第(i-1)根第一扫描线S1i-1突出的形状。第四有源图案ACT4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以形成在可掺杂或未掺杂杂质的半导体层中。第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂杂质的半导体层形成，并且第四有源图案ACT4可以由不掺杂杂质的半导体层形成。第四有源图案ACT4可以与第四栅电极GE4重叠。
第四源电极SE4的一侧可以连接到第四有源图案ACT4，并且另一侧可以连接到前一行中的像素的初始化电力线IPL和第七晶体管T7的第七漏电极DE7。由于辅助连接线AUX可以设置在第四源电极SE4和初始化电力线IPL之间，辅助连接线AUX的一侧可以通过第九接触孔CH9设置到第四源电极SE4，并且辅助连接线AUX的另一侧可以通过第八接触孔CH8连接到前一行中的初始化电力线IPL。第四漏电极DE4的一侧可以连接到第四有源图案ACT4，并且另一侧可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3。第四漏电极DE4可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第五晶体管T5可以包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。
第五栅电极GE5可以连接到第一发光控制线E1i。第五栅电极GE5可以是第一发光控制线E1i的一部分或者从第一发光控制线E1i突出的形状。第五有源图案ACT5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由可掺杂或未掺杂杂质的半导体层形成。第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂杂质的半导体层形成，并且第五有源图案ACT5可以由未掺杂杂质的半导体层形成。第五有源图案ACT5可以与第五栅电极GE5重叠。
第五有源图案ACT5可以对应于与第五栅电极GE5重叠的部分。第五源电极SE5的一侧可以连接到第五有源图案ACT5，并且另一侧可以通过第五接触孔CH5连接到电力线PL。第五漏电极DE5的一侧可以连接到第五有源图案ACT5，并且另一侧可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第二晶体管T2的第二漏电极DE2。
第六晶体管T6可以包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。
第六栅电极GE6可以连接到第一发光控制线E1i。第六栅电极GE6可以是第一发光控制线E1i的一部分或者从第一发光控制线E1i突出的形状。第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由可掺杂或未掺杂杂质的半导体层形成。第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以形成在掺杂杂质的半导体层中，并且第六有源图案ACT6可以形成在未掺杂杂质的半导体层中。
第六有源图案ACT6可以是与第六栅电极GE6重叠的部分。第六源电极SE6的一侧可以连接到第六有源图案ACT6，并且另一侧可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第三晶体管T3的第三源电极SE3。第六漏电极DE6的一侧可以连接到第六有源图案ACT6，并且另一侧可以连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7。
第七晶体管T7可以包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。
第七栅电极GE7可以连接到第(i+1)根第一扫描线S1i+1。第七栅电极GE7可以是第(i+1)根第一扫描线S1i+1的一部分或者从第(i+1)根第一扫描线S1i+1突出的形状。第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以形成在可掺杂或未掺杂杂质的半导体层中。第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以形成在掺杂杂质的半导体层中，并且第七有源图案ACT7可以形成在未掺杂杂质的半导体层中。
第七有源图案ACT7可以对应于与第七栅电极GE7重叠的部分。第七源电极SE7的一侧可以连接到第七有源图案ACT7，另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第七漏电极DE7的一侧可以连接到第七有源图案ACT7，并且另一侧可以连接到初始化电力线IPL。第七漏电极DE7可以连接到后续像素行的第四晶体管T4的第四源电极SE4。第七漏电极DE7和初始化电力线IPL可以通过辅助连接线AUX、第八接触孔CH8和第九接触孔CH9连接。
存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以由第一晶体管T1的第一栅电极GE1形成。
当在平面视图中观察时，上电极UE可以与第一栅电极GE1重叠，并且覆盖下电极LE。通过增加上电极UE和下电极LE的重叠区域，存储电容器Cst的电容可以增加。上电极UE可以在第一方向DR1上延伸。在本发明的示例性实施方式中，可以将与第一电源ELVDD线相同电平的电压施加到上电极UE。上电极UE可以在形成第一接触孔CH1的区域中包括开口OPN，以便第一栅电极GE1和连接线CNL接触。
OLED可以包括阳极AD、阴极CD和设置在阳极AD和阴极CD之间的发射层EML。
阳极AD可以设置在每个像素PXL的像素区域中。阳极AD可以通过第七接触孔CH7和第十接触孔CH10连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7和第六晶体管T6的第六漏电极DE6。桥接图案BRP可以设置在第七接触孔CH7和第十接触孔CH10之间，从而将第六漏电极DE6和第七源电极SE7连接到阳极AD。
参考图6、图7A和图7B，有源图案ACT1至ACT7可以被称为ACT。有源图案ACT可以设置在基底基板SUB上。第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7可以由半导体材料形成。
可以在基底基板SUB与第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7之间设置缓冲层。
栅绝缘层GI可以设置在其中形成有第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7的基底基板SUB上。
第(i-1)根第一扫描线S1i-1至第(i+1)根第一扫描线S1i+1、发光控制线E1i、第一栅电极GE1和第七栅电极GE7可以设置在栅绝缘层GI上。第一栅电极GE1可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与第i根第一扫描线Sli一体形成，第四栅电极GE4可以与第(i-1)根第一扫描线S1i-1一体形成，第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与发光控制线E1i一体形成，并且第七栅电极GE7可以与第(i+1)根第一扫描线S1i+1一体形成。
第一层间绝缘层IL1可以设置在其中形成有第(i-1)根第一扫描线S1i-1的基底基板SUB上。
存储电容器Cst的上电极UE和初始化电力线IPL可以设置在第一层间绝缘层IL1上。上电极UE可以覆盖下电极LE并且与下电极LE构成存储电容器Cst。第一层间绝缘层IL1可以设置在上电极UE和下电极LE之间。
第二层间绝缘层IL2可以设置在其中形成有上电极UE的基底基板SUB上。
数据线Dj、电力线PL、连接线CNL、辅助连接线AUX和桥接图案BRP可以设置在第二层间绝缘层IL2上。
数据线Dj可以通过穿透第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅绝缘层GI的第六接触孔CH6连接到第二源电极SE2。电力线PL可以通过穿透第二层间绝缘层IL2的第三接触孔CH3和第四接触孔CH4连接到存储电容器Cst的上电极UE。
电力线PL可以通过穿透第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2和栅绝缘层GI的第五接触孔CH5连接到第五源电极SE5。
连接线CNL可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第一接触孔CH1连接到第一栅电极GE1。连接线CNL可以通过穿透第一层间绝缘层IL1、第二层间绝缘层IL2以及栅绝缘层GI的第二接触孔CH2连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
辅助连接线AUX可以通过穿透第二层间绝缘层IL2的第八接触孔CH8连接到初始化电力线IPL。辅助连接线AUX可以通过穿透栅绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第九接触孔CH9连接到前一行中的第四源电极SE4和第七漏电极DE7。
桥接图案BRP可以是设置在第六漏电极DE6和阳极AD之间作为连接第六漏电极DE6和阳极AD的介质的图案。桥接图案BRP可以通过穿透栅绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第七接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。
保护层PSV可以设置在其上形成有数据线Dj的基底基板SUB上。
阳极AD可以设置在保护层PSV上。阳极AD可以通过穿透保护层PSV的第十接触孔CH10连接到桥接图案BRP。由于桥接图案BRP通过接触孔CH7连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7，所以阳极AD可以最终连接到第六漏电极DE6和第七源电极SE7。
用于划分像素区域PA以便与每个像素PXL对应的像素限定层PDL可以形成在基底基板SUB中。像素限定层PDL可以沿着像素PXL的外围形成在基底基板SUB上，并且暴露阳极AD的上表面。
发光层EML可以设置在由像素限定层PDL包围的像素区域PA中，并且阴极CD可以设置在发光层EML上。
覆盖阴极CD的密封层SLM可以设置在阴极CD上。
在本发明的示例性实施方式中，设置在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2和设置在第三像素区域PXA3中的第三像素PXL3可以包括与第一像素PXL1基本相同的像素结构，除了虚拟单元。因此，为了简洁，将省略其描述。
下面将描述第一像素PXL1和第二像素PXL2之间的差别。
图8A是部分地示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素PXL1的平面视图。图8B是部分地示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素PXL2的平面视图。为了便于说明，示出了第一像素PXL1中的一个和第二像素PXL2中的一个的部分组成元件。例如，在图8A中，示出了第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1、第一发光控制线E1i和电力线PL，并且在图8B中示出了第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1、第二发光控制线E2i、电力线PL和虚拟单元。
参考图8A和图8B，与第一像素PXL1不同，虚拟单元可以设置在第二像素PXL2中。虚拟单元可以包括例如虚拟单元DM1、DM2、DM3、DM4等。
虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以根据像素区域补偿扫描线的负载值之间的差。虚拟单元可以向第一像素PXL1和第二像素PXL2的扫描线中的较短扫描线(例如，第二像素PXL2之一的扫描线)添加寄生电容。通过借助于使用寄生电容补偿显示装置的不同区域中的扫描线之间的负载值，虚拟单元可以使得在跨越第一区域A1至第三区域A3的范围内，负载值相同或基本相同，而不管扫描线S11至S1n、S21至S2n和S31至S3n的长度。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以连接到电力线PL，可以以从电力线PL突出的形状设置。虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以一体地设置为与电力线PL不分离。可以通过利用与电力线PL相同的材料使用相同工艺来形成虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4。因此，虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以形成在与电力线PL相同的层中，并且包括与电力线PL相同的材料。
虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以设置在显示装置的其中第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i重叠的区域中。如所示出的，虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以包括分别与在第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1中的第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i重叠的第一虚拟图案DM1、第二虚拟图案DM2、第三虚拟图案DM3和第四虚拟图案DM4。
进一步参考图6、图7A和图7B，当在横截面中观察时，第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2可以插入其间。因此，寄生电容器可以形成在第(i-1)根第一扫描线S1i-1、第i根第一扫描线S1i、第(i+1)根第一扫描线S1i+1和第一发光控制线E1i与电力线PL之间。然而，在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以与电力线PL一体形成，并且设置在其中第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i和第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i与电力线PL重叠的区域中。
因此，虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4可以通过增加第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i和第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i与电力线PL的重叠区域，增加第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i和第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i与电力线PL之间的寄生电容。
更详细地，第一虚拟图案DM1可以形成为在电力线PL与第(i-1)根第二扫描线S2i-1交叉的位置处从电力线PL突出。
可以通过第一虚拟图案DM1添加与阴影部分对应的寄生电容。以相同的方式，第二虚拟图案DM2可以形成为在电力线PL与第i根第二扫描线S2i相交的位置处从电力线PL突出，并且与阴影部分对应的寄生电容可以通过第二虚拟图案DM2添加。第三虚拟图案DM3可以形成为在电力线PL与第(i+1)根第二扫描线S2i+1相交的位置处从电力线PL突出。与阴影部分对应的寄生电容可以通过第三虚拟图案DM3添加。
因此，当将第一像素PXL1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1、第一发光控制线E1i与电力线PL之间形成的寄生电容称为第一寄生电容，并且将第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1、第二发光控制线E2i与电力线PL之间形成的寄生电容称为第二寄生电容时，第二寄生电容可以比第一寄生电容大。
由虚拟单元生成的第二寄生电容可以通过增加第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i的负载来补偿第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i的负载值。因此，第二像素区域PXA2中的第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i以及第一像素区域PXA1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1与第一发光控制线E1i可以具有彼此相同或基本相同的负载值。
可以根据要补偿的扫描线的负载值来确定附加寄生电容，并且可以通过改变虚拟单元和扫描线的重叠部分的面积来实现期望的负载值。
在示例性实施方式中，为了便于说明，示例了形成在第一像素PXL1的第i行中的第一寄生电容和形成在第二像素PXL2的第i行中的第二寄生电容，但是本发明是不限于此。例如，形成在第二像素区域PXA2的k(k≠i)行中的第二寄生电容可以大于形成在第一像素PXL1的第i行中的第一寄生电容。另外，形成在第三像素区域PXA3的l(l≠i)行中的寄生电容可以大于形成在第一像素PXL1的第i行中的第一寄生电容。
在本发明的示例性实施方式中，当第二像素区域PXA2中的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n的长度彼此相同时，由虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4补偿的负载值可以相同。另外，当第二像素区域PXA2中的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n的长度彼此不同时，由虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4补偿的负载值可以不同。
根据本发明的示例性实施方式，由第三像素区域PXA3中的第三扫描线S3i-1、S3i和S3i+1以及第三发光控制线和第一像素区域PXA1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i引起的负载值的差可以由虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4补偿。由于第一至第三像素区域PXA1、PXA2和PXA3的第一至第三扫描线S11至S1n、S21至S2n和S31至S3n的负载值可以被调整为彼此相同或基本相同，因此可以减小在第一至第三像素区域PXA1、PXA2和PXA3中显示的图像的亮度偏差。因此，显示装置可以显示高质量图像。
根据本发明的示例性实施方式，当第三像素区域PXA3中的第三扫描线S31至S3n和第三发光控制线E31至E3n的长度彼此相同时，由虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4补偿的负载值可以相同。另外，当第三像素区域PXA3中的第三扫描线S31至S3n和第三发光控制线E31至E3n的长度彼此不同时，由虚拟单元DM1、DM2、DM3和DM4补偿的负载值可以不同。
在本发明的示例性实施方式中，可以以各种方式实现虚拟单元。在上述示例性实施方式中，通过使用扫描线和电力线之间的寄生电容，可以补偿扫描线之间的负载值，但是本发明不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以通过使用扫描线和有源图案之间的寄生电容来补偿扫描线之间的负载值。
下面将描述图2A、图2B和图3的第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2。
图9是示出根据本发明的示例性实施方式的图2A和图3的第二区域中的倾斜边缘区域中的第二像素PXL2的布置的平面视图。图10A是示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素PXL1中的一个的平面视图。图10B是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素PXL2中的一个的平面视图。例如，图10B示出像素PXL2i。图10C是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素PXL2中的一个的平面视图。例如，图10C示出像素PXL2p。为了便于说明，示出了像素PXL1和PXL2的部分组成元件。例如，图10A中示出了第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1、第一发光控制线E1i和电力线。在图10B中，示出了第二扫描线S21至S2n中的布置在第二像素区域PXA2的第i行和第j列中的三条扫描线S2i-1、S2i和S2i+1连接到第二像素PXL2中的一个。另外，在图10B中，示出了第二发光控制线E2i和电力线PL。在图10C中，示出了第二扫描线S21至S2n中的布置在第二像素区域PXA2的第p行和第j列中的三条扫描线S2p-1、S2p和S2p+1连接到第二像素PXL2p。另外，在图10C中，示出了第二发光控制线E2p和电力线PL。
在图10B和10C中，为了方便说明，第(i-1)行中的第二扫描线被称为“第(i-1)根第二扫描线S2i-1”，第i行中的第二扫描线被称为“第i根第二扫描线S2i”，第(i+1)行中的第二扫描线被称为“第(i+1)根第二扫描线S2i+1”，第(p-1)行中的第二扫描线被称为“第(p-1)根第二扫描线S2p-1”，第p行的第二扫描线被称为“第p根第二扫描线S2p”，并且第(p+1)行中的第二扫描线被称为“第(p+1)根第二扫描线S2p+1”。
参考图9和图10A至图10C，不同于在第一像素PXL1中的一个中，虚拟单元可以设置在第二像素PXL2中。另外，第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1的虚拟单元的尺寸可以彼此不同。第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1可以具有相对于彼此不同的长度。
虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12可以根据布置像素PXL的区域来补偿扫描线的负载值之间的差。虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12可以将寄生电容添加到第一像素PXL1和第二像素PXL2的扫描线中的较短扫描线，例如第二像素PXL2的扫描线S21至S2n。虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12可以通过补偿第二区域A2的不同区域中的扫描线S21至S2n之间的负载值基于扫描线S21至S2n的长度在第二区域A2的扫描线S21至S2n中引起相同或基本相同的负载值。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12可以连接到电力线PL或从电力线PL突出。
虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12可以设置在第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1分别与电力线PL重叠的区域，以及在第二发光控制线E2i和E2p分别与电力线PL重叠的区域。如图所示，虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12可以包括第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1的第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1。另外，第五虚拟图案DM5、第六虚拟图案DM6、第七虚拟图案DM7、第八虚拟图案DM8、第九虚拟图案DM9、第十虚拟图案DM10、第十一虚拟图案DM11和第十二虚拟图案DM12可以每个都与第二发光控制线E2i重叠。
第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1可以比第二扫描线S2p-1、S2p和S2p+1短。另外，第二发光控制线E2i可以比第二发光控制线E2p短。因此，虚拟单元DM5、DM6、DM7和DM8的面积可以比虚拟单元DM9、DM10、DM11和DM12的面积大。因此，由虚拟单元DM5、DM6、DM7和DM8形成的寄生电容可以大于由虚拟单元DM9、DM10、DM11和DM12形成的寄生电容。
因此，当考虑虚拟单元DM5至DM12的寄生电容时，第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1和第二发光控制线E2i和E2p的负载值可以彼此相等。
寄生电容可以根据要补偿的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n的负载值而不同地设置。寄生电容可以通过改变虚拟单元和第二扫描线S21至S2n的重叠区域以及虚拟单元和第二发光控制线E21至E2n的重叠区域来获得。
在本示例性实施方式中，为了便于说明，示出了第一像素区域PXA1的第i行中的第一像素PXL1和第二像素区域PXA2的第p行中的第二像素PXL2，但是本发明不限于此。例如，寄生电容可以根据第二像素区域PXA2的第k(k≠i)行中的第二像素PXL2，连接到第二像素区域PXA2的第p行中的第二像素PXL2的第二扫描线S21至S2n以及第二发光控制线E21至E2n和虚拟单元的重叠区域而变化。
在本发明的示例性实施方式中，第三像素区域PXA3的第三扫描线S31至S3n和第三发光控制线E31至E3n与第一像素区域PXA1的第一扫描线S11至S1n和第一发光控制线E11至E1n之间的差可以由虚拟单元DM5、DM6、DM7、DM8、DM9、DM10、DM11和DM12补偿。可以补偿第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3的第二扫描线S21至S2n和第三扫描线S31至S3n以及第二发光控制线E21至E2n和第三发光控制线E31至E3n的负载值。因此，可以减少由于相同像素区域中的扫描线的负载差而发生的图像的亮度变化。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以以各种方式实现。根据上述示例性实施方式，可以通过使用扫描线和电力线之间的寄生电容来补偿扫描线之间的负载值，但是本发明不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以通过使用虚拟扫描线和有源图案AP之间的寄生电容来补偿扫描线之间的负载值。
图11A是示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素PXL1中的一个的平面视图。图11B是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素PXL2中的一个的平面视图。例如，图11B示出了第二像素PXL2i。为了便于说明，描述了像素PXL的部分组成元件的附图标记。例如，在图11A中，示出了第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1、第一发光控制线E1i和有源图案AP，并且在图11B中示出了第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1、第二发光控制线E2i、有源图案AP和虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’(在下文中称为DM’)。
参考图11A和11B，可以提供补偿第二像素PXL2的第二像素PXL2i中的扫描线的负载值的差的虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’。如上所述，虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以将寄生电容添加到具有不同长度的扫描线中的较短扫描线，例如，连接到第二像素PXL2i的扫描线。通过补偿不同区域中的扫描线之间的负载值，虚拟单元可以通过考虑扫描线的长度使得负载值彼此相同或基本相同。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以连接到有源图案AP并且设置为从有源图案AP突出的形状。虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以与有源图案AP一体地设置，从而不彼此分离。可以通过利用与有源图案AP相同的材料使用相同工艺来形成虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’。因此，虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以与有源图案AP形成在同一层上，并且包括相同的材料。例如，虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以由未掺杂或掺杂的半导体材料形成。
虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以设置在与第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i重叠的区域中。如所示出的，虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以包括分别与第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i重叠的第一虚拟图案DM1’、第二虚拟图案DM2’、第三虚拟图案DM3’和第四虚拟图案DM4’。
进一步参考图6、图7A和图7B，当在截面中观察时，栅绝缘层GI可以插入在第(i-1)根第一扫描线S1i-1、第i根第一扫描线S1i、第(i+1)根第一扫描线S1i+1和第一发光控制线E1i与有源图案AP之间。因此，寄生电容可以形成在第i根第一扫描线S1i、第(i+1)根第一扫描线S1i+1和第一发光控制线E1i与有源图案AP之间。根据本发明的示例性实施方式，虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’可以由与形成有源图案AP的层上的有源图案AP相同的材料形成，并且可以与第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i重叠。因此，可以在第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i与虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’之间形成附加寄生电容。附加寄生电容可以使扫描线的负载值彼此相等或基本相等。
更详细地，第一虚拟图案DM1’可以形成在与有源图案AP相同的层上的第(i-1)根第二扫描线S2i-1上的任意位置处，并且可以添加对应于阴影部分的寄生电容。第二虚拟图案DM2’可以形成在与有源图案相同的层上的第i根第二扫描线S2i上的任意位置处，并且可以添加与阴影部分对应的寄生电容。第三虚拟图案DM3’可以形成在与有源图案AP相同的层上的第(i+1)根第二扫描线S2i+1上的任意位置处，并且可以添加与阴影部分对应的寄生电容。第四虚拟图案DM4’可以形成在与有源图案AP相同的层上的第二发光控制线E2i上的任意位置处，并且可以添加与阴影部分对应的寄生电容。
因此，当将由第一像素PXL1中的扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i与有源图案AP形成的寄生电容称为第三寄生电容，并且将由第二像素PXL2中的扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i、有源图案AP和虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’形成的寄生电容称为第四寄生电容时，第四寄生电容可以大于第三寄生电容。
第四寄生电容可以通过增加第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i的负载来补偿第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i的负载值。因此，第二像素区域PXA2中的第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i的负载值以及第一像素区域PXA1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1和第一发光控制线E1i的负载值可以彼此相同或基本相同。
可以根据要补偿的扫描线的负载值不同地设置附加寄生电容，并且可以通过改变虚拟单元和扫描线的重叠部分的面积来实现负载值。
在本发明的示例性实施方式中，示例了形成在第一像素区域PXA1中的第一像素PXL1的第i行中的第三寄生电容和形成在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2的第i行中的第四寄生电容，但本发明不限于此。例如，形成在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2的第k(k≠i)行中的第四寄生电容可以大于形成在第一像素区域PXA1中的第一像素PXL1中的第i行中形成的第三寄生电容。
进一步，形成在第三像素区域PXA3中的第三像素PXL3的第l(l≠i)行中的寄生电容可以大于形成在第一像素区域PXA1中的第一像素PXL1的第i行中的第三寄生电容。
在本发明的示例性实施方式中，当第二像素区域PXA2中的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线的长度彼此相同时，由虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’补偿的负载值可以是相同的。另外，当第二像素区域PXA2中的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线的长度彼此不同时，由虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’补偿的负载值可以彼此不同。
在本发明的示例性实施方式中，第三像素区域PXA3中的第三扫描线S31至S3n和第三发光控制线E31至E3n之间的负载值与第一像素区域PXA1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1和第一发光控制线E1i可以由虚拟单元DM1’、DM2’、DM3’和DM4’补偿。
通过补偿第二像素区域PXA2和第三像素区域PXA3中的第二扫描线S21至S2n和第三扫描线S31至S3n以及第二发光控制线E21至E2n和第三发光控制线E31至E3n的负载值，可以减小第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3中的图像的亮度偏差。因此，显示装置可以显示高质量图像。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以以各种方式实现。根据上述示例性实施方式，可以通过增加像素区域PXA中的寄生电容来补偿扫描线的负载值，但是本发明不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以通过使用附加地设置在外围区域中的寄生电容器来补偿扫描线之间的负载值。
图12是示出根据本发明的示例性实施方式的图2A和图3的第二区域中的倾斜边缘区域中的第二像素PXL2的布置的平面视图。图13A是示出根据本发明的示例性实施方式的第一像素PXL1的平面视图。图13B是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素PXL2i的平面视图。图13C是示出根据本发明的示例性实施方式的第二像素PXL2p的平面视图。为了便于说明，示出了像素PXL1和PXL2的部分组成元件的附图标记。例如，在图13A中，示出了第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1、第一发光控制线E1i和有源图案AP。在图13B和13C中示出了第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1、第二发光控制线E2i和E2p、有源图案AP以及虚拟单元DM1’、DM2’和DM3’(在下文中称为DM’)。
图12和图13A至13C示出用于根据像素区域PXA补偿扫描线的负载值的差的虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’、DM8’、DM9’、DM10’、DM11’和DM12’。虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’、DM8’、DM9’、DM10’、DM11’和DM12’可以设置在第二像素PXL2中。具有不同长度的第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p的第二像素PXL2中的虚拟单元的尺寸可以彼此不同。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’、DM8’、DM9’、DM10’、DM11’和DM12’可以连接到有源图案AP或可以从有源图案AP突出。
虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’、DM8’、DM9’、DM10’、DM11’和DM12’可以设置在与第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p重叠的区域中。如所示出的，虚拟部分DM5’、DM6’、DM7’、DM8’、DM9’、DM10’、DM11’和DM12’可以包括与第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1中的第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p重叠的第五虚拟图案DM5’、第六虚拟图案DM6’、第七虚拟图案DM7’、第八虚拟图案DM8’、第九虚拟图案DM9’、虚拟图案DM10’、虚拟图案DM11’和虚拟图案DM12’。
第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1可以比第二扫描线S2p-1、S2p和S2p+1短。另外，第二发光控制线E2i可以比第二发光控制线E2p短。因此，虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’和DM8’的面积可以大于虚拟单元DM9’、DM10’、DM11’和DM12’的面积。因此，由虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’和DM8’形成的寄生电容可以大于由虚拟单元DM9’、DM10’、DM11’和DM12’形成的寄生电容。
因此，由于虚拟单元DM5’至DM12’的寄生电容，第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i的负载值可以与第二扫描线S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2p的负载值相同或基本上相同。可以根据要补偿的第二扫描线的负载值来不同地设置虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’和DM8’以及虚拟单元DM9’、DM10’、DM11’和DM12’的寄生电容。可以这样做，从而通过改变虚拟单元和扫描线的重叠区域在第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1、第二发光控制线E2i、第二扫描线S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2p中实现相等或基本相等的负载值。
在该示例性实施方式的一示例性实施方式中，为了方便解释，描述了第一像素区域PXA1的第i行中的第一像素PXL1、第二像素区域PXA2的第i行中的第二像素PXL2i、第二像素区域PXA2的第p行中的像素PXL2p。然而，本发明不限于此。例如，寄生电容可以根据与连接到第二像素区域PXA2的第k行(k≠i)行中的第二像素PXL2以及第二像素区域PXA2的第p行中的第二像素PXL2p的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n重叠的虚拟单元的区域而变化。
根据本发明的示例性实施方式，第三像素区域PXA3中的第三扫描线S31至S3n以及第三发光控制线E31至E3n与第一像素区域PXA1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i之间的负载值的差可以由虚拟单元DM5’、DM6’、DM7’，DM8’，DM9’，DM10’，DM11’和DM12’补偿。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以以各种方式实现。根据上述示例性实施方式，可以通过增加由每个单独像素PXL占据的基板SUB的区域中的寄生电容来补偿扫描线的负载值。然而，本发明不限于此。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元可以通过使用设置在外围区域PPA中的寄生电容来补偿扫描线之间的负载值。
图14是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。显示装置可以包括外围区域PPA和虚拟单元DMP。图15A是示出根据本发明的示例性实施方式的图14的区域P1的平面视图。图15B是示出根据本发明的示例性实施方式的图14的区域P2的平面视图。图15A和图15B的区域P1和P2可以示出对应于像素PXL的扫描线。
参考图14、图15A和图15B，可以通过在对应于每个像素区域PXA的外围区域PPA中包括虚拟单元DMP(如果需要)来采用用于实现寄生电容的结构，从而补偿每个像素区域PXA中的负载值的差。例如，虚拟单元DMP可以不设置在与像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中以补偿第一像素区域PXA1中的第一扫描线S11至S1n的负载值之间的差，而是可以设置在与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2中。
在本发明的示例性实施方式中，第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i的端部可以设置在第一外围区域PPA1中，并且第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1以及第二发光控制线E2i的端部可以设置在第二外围区域PPA2中。虚拟单元DMP可以不设置在第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i的端部中，而是可以设置在与第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1以及第二发光控制线E2i的端部对应的区域中。
虚拟单元DMP可以包括与第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1以及第二发光控制线E2i的端部重叠的虚拟线DML。可以将固定电压施加到虚拟线DML。因此，虚拟线DML可以与第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1以及第二发光控制线E2i重叠，从而形成寄生电容器。
施加到虚拟线DML的电压可以具有固定的预定电平，但是电压的类型不受限制。例如，施加到虚拟线DML的固定电压可以是第一电源ELVDD、第二电源ELVSS或栅极导通高电压Vgh。
虚拟线DML可以与第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1和第二发光控制线E2i重叠，从而形成寄生电容。虚拟线DML的形成位置或材料可以不受限制。在本发明的示例性实施方式中，可以通过利用与电力线PL相同的材料使用相同工艺来形成虚拟单元DMP。因此，虚拟单元DMP可以使用与电力线PL相同的材料形成在与电力线PL相同的层中。虚拟线DML可以与第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i重叠，从而在第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i之间形成寄生电容。
寄生电容可以根据虚拟线DML与第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i的重叠面积而变化。因此，为了增加寄生电容，第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP1、第i个第二扫描线焊盘SLP2、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP3和第i个第二发光控制线焊盘SLP4可以设置在第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i的每个部分。
第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP1、第i个第二扫描线焊盘SLP2、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP3和第i个第二发光控制线焊盘SLP4可以分别具有比第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1和第二发光控制线E2i更大的宽度。因此，虚拟线DML和第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP1、第i个第二扫描线焊盘SLP2、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP3和第i个第二光发光控制线焊盘SLP4之间的重叠面积可以增加。虚拟线DML可以形成为足够宽以覆盖第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP1、第i个第二扫描线焊盘SLP2、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP3和第i个第二发光控制线焊盘SLP4。
因此，由设置在第二外围区域PPA2中的虚拟单元DMP的寄生电容产生的附加负载可以增加第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i的负载值。因此，可以补偿第二像素区域PXA2中的第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i的负载值。因此，第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1以及第二发光控制线E2i和第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i的负载值可以彼此相同或基本相同。
在本发明的示例性实施方式中，为了便于解释，描述了第一像素区域PXA1的第i行中的第一像素PXL1、第二像素区域PXA2的第i行中的第二像素PXL2i、第二像素区域PXA2的第p行中的第二像素PXL2p，但是本发明不限于此。例如，寄生电容可以根据与连接到第二像素区域PXA2的第k行(k≠i)行中的第二像素PXL2以及连接到第二像素区域PXA2的第p行中的第二像素PXL2p的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n重叠的虚拟单元的面积而变化。
在本发明的示例性实施方式中，当第二像素区域PXA2中的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n的长度彼此相同时，由虚拟单元DMP补偿的负载值可以是相同的。另外，当第二像素区域PXA2中的第二线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n的长度彼此不同时，由虚拟单元补偿的负载值可以彼此不同。
在本发明的示例性实施方式中，虚拟单元DMP可以不设置在与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，以在第一像素区域PXA1和第三像素区域PXA3中补偿扫描线和发光控制线的负载值的差。另外，虚拟单元DMP可以不设置在与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3中。
在本发明的示例性实施方式中，第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1和第一发光控制线E1i的端部可以延伸到第一外围区域PPA，但是本发明不限于此。例如，与第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1、第二发光控制线E2i或第三扫描线不同，第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1和第一发光控制线E1i的端部可以不设置在第一外围区域PPA1中，因为可以不需要在第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1中形成寄生电容。
另外，根据本发明的示例性实施方式，每个虚拟单元DMP可以以其中在为每个像素PXL设置的扫描线中的三条扫描线中形成寄生电容的形状而实现，但扫描线的数量不限于此。基于根据显示装置实现的像素的结构，其中设置有虚拟单元DMP的扫描线的数量可以不同地设置。
另外，根据本发明的示例性实施方式，虽然每个虚拟单元以其中虚拟线DML通过重叠扫描线形成寄生电容的形状被实现，但是本发明不限于此。例如，虚拟单元可以以其中图4至图6中所示的第一电源ELVDD线或第二电源ELVSS线与扫描线重叠的形式被实现。
图16是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。图16的显示装置可以在外围区域PPA中包括虚拟单元。图17是示出根据本发明的示例性实施方式的图16的第二区域A2的倾斜边缘区域中的第二像素PXL2的布置的平面视图。图18A是根据本发明的示例性实施方式的图16的区域P3的平面视图。图18B是根据本发明的示例性实施方式的图16的区域P4的平面视图。图18C是根据本发明的示例性实施方式的图16的区域P5的平面视图。区域P3至P5示出了连接到像素PXL的扫描线。
参考图16、图17和图18A至图18C，可以通过在对应于每个像素区域PXA的外围区域PPA中包括虚拟单元DMP’(如果需要)，来采用用于实现寄生电容的结构，以补偿每个像素区域PXA中的负载值的差。例如，虚拟单元DMP’可以不设置在与像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，以补偿第一像素区域PXA1中的第一扫描线S11至S1n的负载值之间的差，但是虚拟单元DMP’可以设置在与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2中。
在本发明的示例性实施方式中，第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1的端部可以设置在第一外围区域PPA1中，第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p的端部可以设置在第二外围区域PPA2中。虚拟单元DMP’可以不设置在第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1和第一发光控制线E1i的端部中，但是其可以设置在与第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p的端部对应的区域中。
虚拟单元DMP’可以包括与第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p的端部重叠的虚拟线DML’。可以将固定电压施加到虚拟线DML’，以形成寄生电容器。
虚拟线DML’可通过与第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1与第二发光控制线E2i和E2p重叠来产生寄生电容。然而，包括在虚拟线DML’中的形成位置和材料不限于此。在本发明的示例性实施方式中，可以通过利用与电力线PL相同的材料使用相同过程来形成虚拟单元DMP’。因此，虚拟单元DMP’可以形成在与电力线PL相同的层中，并且包括与电力线PL相同的材料。虚拟单元DMP’可以与第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第i根第二发光控制线E2i、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1和第p根第二发光控制线E2p重叠。因此，寄生电容器可以形成在第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第i根第二发光控制线E2i、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1，第p根第二发光控制线E2p与虚拟线DML’之间。
寄生电容可以根据其中虚拟线DML’与第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二线扫描线S2i+1、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1、第i根第二发光控制线E2i、第p根第二发光控制线E2p的重叠的重叠面积而变化。为了增加寄生电容，可以将第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP5、第i个第二扫描线焊盘SLP6、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP7、第i个第二发光控制线焊盘SLP8、第(p-1)个第二扫描线焊盘SLP9、第p个第二扫描线焊盘SLP10、第(p+1)个第二扫描线焊盘SLP11和第p个第二发光控制线焊盘SLP12设置到第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第p-1根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1和第二发光控制线E2i和E2p。
第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP5、第i个第二扫描线焊盘SLP6、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP7、第i个第二发光控制线焊盘SLP8、第(p-1)个第二扫描线焊盘SLP9、第p个第二扫描线焊盘SLP10、第(p+1)个第二扫描线焊盘SLP11和第p个第二发光控制线焊盘SLP12可以分别具有比第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1更大的宽度。因此，第(i-1)根第二扫描线S2i-1、第i根第二扫描线S2i、第(i+1)根第二扫描线S2i+1、第(p-1)根第二扫描线S2p-1、第p根第二扫描线S2p、第(p+1)根第二扫描线S2p+1和第p根第二发光控制线E2与虚拟线DML’的重叠面积可以增加。虚拟线DML’可以形成为足够宽以覆盖第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP5、第i个第二扫描线焊盘SLP6、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP7、第i个第二发光控制线焊盘SLP8、第(p-1)个第二扫描线焊盘SLP9、第p个第二扫描线焊盘SLP10、第(p+1)个第二扫描线焊盘SLP11和第p个第二发光控制线焊盘SLP12。
因此，可以在第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p中增加通过设置在第二外围区域PPA2中的虚拟单元DMP’另外产生的寄生电容的负载。第二像素区域PXA2中的第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2i和E2p与第一像素区域PXA1中的第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i的负载值可以彼此相同或基本相同。
第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP5、第i个第二扫描线焊盘SLP6、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP7、第i个第二发光控制线焊盘SLP8的面积可以大于第(p-1)个第二扫描线焊盘SLP9、第p个第二扫描线焊盘SLP10、第(p+1)个第二扫描线焊盘SLP11和第p个第二发光控制线焊盘SLP12的面积。这是因为第二扫描线S2i-1、S2i和S2i+1与第二发光控制线E2i比第二扫描线S2p-1、S2p、S2p+1与第二发光控制线E2p短。
因此，由虚拟线DML’与第(i-1)个第二扫描线焊盘SLP5、第i个第二扫描线焊盘SLP6、第(i+1)个第二扫描线焊盘SLP7、第i个第二发光控制线焊盘SLP8形成的寄生电容可以大于由虚拟线DML’与第(p-1)个第二扫描线焊盘SLP9、第p个第二扫描线焊盘SLP10、第(p+1)个第二扫描线焊盘SLP11和第p个第二发光控制线焊盘SLP12形成的寄生电容。
因此，较短扫描线S2i-1、S2i、S2i+1和较短第二发光控制线E2i的负载值可以等于或基本等于较长第二扫描线S2p-1、S2p和S2p+1以及第二发光控制线E2p的负载值。
在本发明的示例性实施方式中，为了方便解释，描述了第一像素区域PXA1的第i行中的第一像素PXL1、第二像素区域PXA2的第i行中的第二像素PXL2i、第二像素区域PXA2的第p行中的像素PXL2p，但是本发明不限于此。例如，寄生电容可以根据与连接到第二像素区域PXA2的第k行(k≠i)行中的第二像素PXL2和第二像素区域PXA2的第p行中的第二像素PXL2p的第二扫描线S21至S2n和第二发光控制线E21至E2n重叠的虚拟单元的面积而变化。
另外，虚拟单元DMP’可以不设置在与第一像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，以补偿第一像素区域PXA1和第三像素区域PXA3中的扫描线和发光控制线的负载值的差。另外，虚拟单元DMP’可以不设置在与第三像素区域PXA3对应的第三外围区域PPA3中。
在本发明的示例性实施方式中，第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i的端部可以如上所述延伸到第一外围区域PPA1，但是本发明不限于此。例如，与第二扫描线S2i-1、S2i、S2i+1、S2p-1、S2p和S2p+1、第二发光控制线E2i和E2p以及第三扫描线S31至S3n的端部不同，第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光控制线E1i的端部可以不设置在第一外围区域PPA1中，因为寄生电容可以不需要在第一扫描线S1i-1、S1i和S1i+1以及第一发光线控制E1i中形成。另外，根据本发明的示例性实施方式，可以以其中在每个像素中设置的扫描线中的三条扫描线中形成寄生电容的形式来实现虚拟单元，但扫描线的数量不限于此。基于根据显示装置实现的像素的结构，设置有虚拟单元的扫描线的数量可以被不同地设置。
在本发明的示例性实施方式中，公开了用于根据扫描线的长度差补偿负载值之间的差的虚拟单元，但是导线类型不限于此。根据本发明的示例性实施方式，在由于包括在导线单元中的导线的长度差而导致的负载值的差的情况下，虚拟单元可以用在基板SUB的不同区域中的导线中。例如，当如图2所示的第一像素区域PXA1至第三像素区域PXA3的一部分具有斜线侧时，在对应于斜线侧的像素区域中可能发生取决于像素区域PXA2或PXA3中的宽度变化的扫描线的长度差。在这种情况下，可以通过根据取决于每条扫描线的长度的负载值针对每个像素另外形成虚拟单元来补偿负载值的差。
在本发明的示例性实施方式中，单独描述了用于根据扫描线的长度差补偿负载值的差的虚拟单元，但是多个虚拟单元可以彼此组合。
图19是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面视图。图19的显示装置包括外围区域PPA中的虚拟单元DMP”。图20是示出根据本发明的示例性实施方式的布置在第二像素区域PXA2中的第二像素PXL2的虚拟负载连接方案的视图。
在图20中，示出了布置在第q行至第(q-2)行的第二像素PXL2q、PXL2q-1和PXL2q-2以及第二扫描线S2q、S2q-1和S2q-2以及多个虚拟负载DML1、DML2、DML3、DML4、DML5和DML6。第q行、第(q-1)行和第(q-2)行中的第q行可以与第一区域A1最相邻。
参考图19和图20，可以通过在与每个像素区域PXA对应的外围区域PPA中包括虚拟单元DMP”来采用用于实现寄生电容的结构，从而补偿每个像素区域PXA中的负载值的差。例如，虚拟单元DMP”可以不设置在与像素区域PXA1对应的第一外围区域PPA1中，以补偿第一像素区域PXA1中的第一扫描线S11至S1n的负载值之间的差，但是虚拟单元DMP”可以设置在与第二像素区域PXA2对应的第二外围区域PPA2中。虚拟单元DMP”可以包括具有不同负载值的多个虚拟负载DML1、DML2、DML3、DML4、DML5和DML6，并且虚拟负载DML1、DML2、DML3、DML4、DML5和DML6可以分别连接到第二扫描线S2q、S2q-1、S2q-2等，从而补偿第二扫描线S2q、S2q-1、S2q-2等的负载值。
在第二扫描线S2q、S2q-1和S2q-2中，连接到具有较长长度的第二扫描线的虚拟负载的负载值可以大于连接到具有较短长度的第二扫描线的虚拟负载的负载值。在虚拟负载DML1、DML2、DML3、DML4、DML5和DML6中，第一虚拟负载DML1的负载值最大，并且虚拟负载DML1、DML2、DML3、DML4、DML5和DML6的负载值可以逐渐减少。
例如，连接到第二像素区域PXA2中的第q行中的第二像素PXL2q的第二扫描线S2q的长度可以大于连接到第(q-1)行中的第二像素PXL2q-1的第二扫描线S2q-1的长度，并且连接到第(q-1)行中的第二像素PXL2q-1的第二扫描线S2q-1的长度可以大于连接到第(q-2)行中的第二像素PXL2q-2的第二扫描线S2q-2的长度。另外，第q行中的第二扫描线S2q可以连接到第一虚拟负载DML1，第(q-1)行中的第二扫描线S2q-1可以连接到具有比第一虚拟负载DML1小的负载值的第二虚拟负载DML2，并且第(q-2)行中的第二扫描线S2q-2可以连接到具有比第二虚拟负载DML2小的负载值的第三虚拟负载DML3。
将第q行中的第二像素PXL2q连接到第二像素区域PXA2中的第一虚拟负载DML1的第二扫描线的延伸单元ES2q的长度可以比将第(q-1)行中的第二像素PXL2q-1连接到第二虚拟负载DML2的第二扫描线的延伸单元ES2q-1的长度短。将第(q-1)行中的第二像素PXL2q-1连接到第二虚拟负载DML2的第二扫描线的延伸单元ES2q-1的长度可以比将第(q-2)行中的第二像素PXL2q-2连接到第三虚拟负载DML3的第二扫描线的延伸单元ES2q-2的长度短。例如，将连接到较长的第二扫描线的第二像素连接到虚拟负载的第二扫描线的长度可以最小。随着第二扫描线的长度变短，延伸单元的长度可以逐渐增加。
上面的描述已经作为示例提供，但是本发明不限于此。例如，第i根第二扫描线、第(i-1)根第二扫描线、第(i+1)根第二扫描线和第i根发光控制线可以连接到其它第二像素PXL2。
在本发明的示例性实施方式中，第二区域A2和第三区域A3的线的寄生电容可以根据与第一区域A1的距离而逐渐变化。寄生电容的逐渐变化可以改变第一区域A1和第二区域A2之间或第一区域A1和第三区域A3之间的充电率。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置可以用在各种电子装置中。例如，显示装置可以实现于电视(TV)装置、膝上型计算机、移动电话、智能电话、智能平板、PMP、PDA、各种类型的可穿戴装置(例如智能手表)等。
由于已经参考本发明的示例性实施方式具体示出和描述了本发明的构思，对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离如所附权利要求限定的本发明的构思的精神和范围的情况下，可以对其在形式和细节上进行各种改变。

Claims (47)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括第一像素区域和第二像素区域，所述第二像素区域具有比所述第一像素区域小的面积，其中所述第二像素区域连接到所述第一像素区域；
设置在所述第一像素区域中的第一像素和设置在所述第二像素区域中的第二像素；
连接到所述第一像素的第一线和连接到所述第二像素的第二线；和
虚拟单元，与所述第一线和所述第二线中的至少一个重叠，并且补偿所述第一线和第二线之间的负载值的差。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一线比所述第二线长。
3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供数据信号的数据线，
其中，所述第一线是用于向所述第一像素提供扫描信号的第一扫描线，并且所述第二线是用于向所述第二像素提供所述扫描信号的第二扫描线。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述虚拟单元与所述第二扫描线重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供电力的电力线，
其中，所述虚拟单元连接到所述电力线。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述虚拟单元设置在与所述电力线相同的层上，并且所述虚拟单元包括与所述电力线相同的材料。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述虚拟单元从所述电力线突出，并且所述虚拟单元与所述电力线一体形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，
其中，所述虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第一扫描线之间的重叠面积大于所述虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第二扫描线之间的重叠面积，并且其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线短。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第二像素包括连接到所述第二扫描线和所述数据线的晶体管，其中，所述晶体管包括：
有源图案，设置在所述基板上；
栅电极，设置在所述有源图案上；
栅绝缘层，插入在所述有源图案和所述栅电极之间；以及
源电极和漏电极，连接到所述有源图案，
其中，所述虚拟单元设置在与所述有源图案相同的层上，并且包括与所述有源图案相同的材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述虚拟单元从所述有源图案突出，并且所述虚拟单元与所述有源图案一体形成。
11.根据权利要求10所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，
其中，所述虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第一扫描线之间的重叠面积大于所述虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第二扫描线之间的重叠面积，并且其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线短。
12.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供电力的电力线。
13.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括与所述第一像素区域邻接的第一外围区域和与所述第二像素区域邻接的第二外围区域，并且
所述虚拟单元设置在所述第二外围区域中并且包括与所述第二扫描线的端部重叠的虚拟线。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述虚拟线施加有固定电压。
15.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供电力的电力线，
其中，所述虚拟线接收与所述电力线相同的电压。
16.根据权利要求13所述的显示装置，进一步包括设置在所述第二扫描线的所述端部的扫描线焊盘，
其中，所述虚拟线覆盖所述扫描线焊盘。
17.根据权利要求16所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，其中，多条第二扫描线中的每一条第二扫描线包括设置在该每一条第二扫描线的所述端部处且位于所述第二外围区域中的扫描线焊盘，
其中，所述虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第一扫描线的扫描线焊盘之间的重叠面积大于所述虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第二扫描线的扫描线焊盘之间的重叠面积，其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线短。
18.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括围绕所述第一像素区域的第一外围区域和围绕所述第二像素区域的第二外围区域，
其中，所述虚拟单元设置在所述第二外围区域中，并且所述虚拟单元配置为提供具有不同负载值的多个虚拟负载。
19.根据权利要求18所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，
其中，所述多条第二扫描线中的每一个电连接到所述虚拟单元以接收所述多个虚拟负载中的至少一个，并且
由所述多条第二扫描线中的第一扫描线接收的虚拟负载的负载值大于由所述多条第二扫描线中的第二扫描线接收的虚拟负载的负载值，其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线长。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述多个虚拟负载中的每一个的所述负载值从连接到长度长的所述第二扫描线的所述虚拟负载到连接到长度短的所述第二扫描线的所述虚拟负载而减少。
21.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括与所述第二像素区域间隔开并连接到所述第一像素区域的第三像素区域。
22.根据权利要求21所述的显示装置，进一步包括：
第三像素，设置在所述第三像素区域中；和
第三扫描线，用于向所述第三像素提供扫描信号，
其中，所述第三扫描线具有比所述第一扫描线或所述第二扫描线短的长度。
23.根据权利要求22所述的显示装置，进一步包括附加虚拟单元，所述附加虚拟单元与所述第三扫描线重叠，并且补偿所述第三扫描线与所述第一扫描线之间的负载差或所述第三扫描线与所述第二扫描线之间的负载差。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第三扫描线沿着第一方向相对于彼此平行，并且所述第二扫描线和所述第三扫描线彼此间隔开。
25.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括与所述第一像素区域相邻的第一外围区域、与所述第二像素区域相邻的第二外围区域和与所述第三像素区域相邻的第三外围区域。
26.根据权利要求25所述的显示装置，进一步包括连接到所述第一扫描线的第一驱动器、连接到所述第二扫描线的第二驱动器和连接到所述第三扫描线的第三驱动器，
其中，所述第一驱动器设置在所述第一外围区域中，所述第二驱动器设置在所述第二外围区域中，并且所述第三驱动器设置在所述第三外围区域中。
27.一种显示装置，包括：
基板，包括第一像素区域、连接到所述第一像素区域的第二像素区域和与所述第二像素区域间隔开的第三像素区域，其中，所述第二像素区域小于所述第一像素区域；
设置在所述第一像素区域中的第一像素，设置在所述第二像素区域中的第二像素，以及设置在所述第三像素区域中的第三像素；
连接到所述第一像素的第一扫描线，连接到所述第二像素的第二扫描线，以及连接到所述第三像素的第三扫描线；以及
与所述第二扫描线重叠的第一虚拟单元，以及与所述第三扫描线重叠的第二虚拟单元，其中，所述第一虚拟单元和第二虚拟单元补偿所述第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线之间的负载值的差。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，所述第一扫描线比所述第二扫描线和所述第三扫描线长。
29.根据权利要求28所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供数据信号的第一数据线。
30.根据权利要求29所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供电力的电力线，
其中，所述第一虚拟单元连接到所述电力线。
31.根据权利要求30所述的显示装置，其中，所述第一虚拟单元设置在与所述电力线相同的层上，并且包括与所述电力线相同的材料。
32.根据权利要求30所述的显示装置，其中，所述第一虚拟单元从所述电力线突出，并且所述第一虚拟单元与所述电力线一体形成。
33.根据权利要求32所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，
其中，所述第一虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第一扫描线之间的重叠面积大于所述第一虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第二扫描线之间的重叠面积，并且其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线短。
34.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述显示装置包括晶体管，其中，所述晶体管连接到所述第二像素的所述第二扫描线和所述第一数据线，或者连接到所述第三像素的所述第三扫描线和第二数据线，
其中，所述晶体管包括：
有源图案，设置在所述基板上；
栅电极，设置在所述有源图案上；
栅绝缘层，插入在所述有源图案和所述栅电极之间；和
源电极和漏电极，连接到所述有源图案，
其中，所述第一虚拟单元或所述第二虚拟单元设置在与所述有源图案相同的层上，并且包括与所述有源图案相同的材料。
35.根据权利要求34所述的显示装置，其中，所述第一虚拟单元设置在与电力线相同的层上，并且包括与所述电力线相同的材料。
36.根据权利要求35所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，
其中，所述第一虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第一扫描线之间的重叠面积大于所述第一虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第二扫描线之间的重叠面积，并且其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线短。
37.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括分别邻接所述第一像素区域至所述第三像素区域的第一外围区域至第三外围区域，
其中，所述第一虚拟单元包括设置在第二外围区域中的第一虚拟线，并且所述第二虚拟单元包括设置在所述第三外围区域中的第二虚拟线，其中，所述第一虚拟线与所述第二扫描线的端部重叠，并且所述第二虚拟线与所述第三扫描线的端部重叠。
38.根据权利要求37所述的显示装置，其中，所述第一虚拟线和第二虚拟线施加有固定电压。
39.根据权利要求38所述的显示装置，进一步包括用于向所述第一像素和所述第二像素提供电力的电力线，
其中，所述第一虚拟线和第二虚拟线接收与所述电力线相同的电压。
40.根据权利要求38所述的显示装置，进一步包括设置在所述第二扫描线的端部的扫描线焊盘，
其中，所述第一虚拟线覆盖所述扫描线焊盘。
41.根据权利要求40所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，其中，所述多条第二扫描线中的每一条第二扫描线包括设置在该每一条第二扫描线的所述端部处且位于所述第二外围区域中的扫描线焊盘，
其中，所述第一虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第一扫描线的扫描线焊盘之间的重叠面积大于所述第一虚拟单元与所述多条第二扫描线中的第二扫描线的扫描线焊盘之间的重叠面积，其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线短。
42.根据权利要求29所述的显示装置，其中，所述基板进一步包括分别邻接所述第一像素区域至所述第三像素区域的第一外围区域至第三外围区域，并且
其中，所述第一虚拟单元设置在第二外围区域中，并且所述第二虚拟单元设置在所述第三外围区域中，并且其中，所述第一虚拟单元和第二虚拟单元中的每一个被配置为提供具有不同负载值的多个虚拟负载。
43.根据权利要求42所述的显示装置，进一步包括在所述第二像素区域中的多个第二像素，其中，所述多个第二像素分别连接到多条第二扫描线，
其中，所述多条第二扫描线中的每一个电连接到所述第一虚拟单元以接收所述多个虚拟负载中的至少一个，并且
由所述多条第二扫描线中的第一扫描线接收的虚拟负载的负载值大于由所述多条第二扫描线中的第二扫描线接收的虚拟负载的负载值，其中，所述多条第二扫描线中的第一扫描线比所述多条第二扫描线中的第二扫描线长。
44.根据权利要求42所述的显示装置，其中所述多个虚拟负载中的每一个的所述负载值从连接到长度长的所述第二扫描线的所述虚拟负载到连接到长度短的所述第二扫描线的所述虚拟负载而减少。
45.一种显示装置，包括：
第一像素区域和第二像素区域，其中，所述第一像素区域和所述第二像素区域具有相对于彼此不同的形状或尺寸；
邻近所述第一像素区域设置的第一外围区域和邻近所述第二像素区域设置的第二外围区域；
第一像素，设置在所述第一像素区域中；
第二像素和第三像素，设置在所述第二像素区域中；
第一扫描线，连接到所述第一像素并且部分地设置在所述第一外围区域中；第二扫描线，连接到所述第二像素并且部分地设置在所述第二外围区域中；以及第三扫描线，连接到所述第三像素并且部分地设置在所述第二外围区域中，其中，所述第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线中的至少两个具有不同的长度；和
第一虚拟线，在所述第一外围区域和第二外围区域中与所述第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线中的至少一个重叠，以便在所述第一虚拟线和具有不同长度的所述第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线中的所述至少两个之间产生电容差。
46.根据权利要求45所述的显示装置，其中，所述第二扫描线和第三扫描线是具有不同长度的所述第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线中的所述至少两个，其中，所述第二扫描线比所述第三扫描线长，并且其中，所述第一虚拟线与所述第二扫描线之间的重叠面积小于所述第一虚拟线与所述第三扫描线之间的重叠面积。
47.根据权利要求46所述的显示装置，其中，所述显示装置是有机发光二极管(OLED)显示装置。
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