CN1700289A - 发光显示器 - Google Patents

Abstract

一种发光显示器的像素电路，可以降低由寄生电容产生的反冲影响。该像素电路包括第一至第四晶体管，电容器，以及发光元件。第一和第二晶体管相互串联耦合并且响应于第一控制信号而导通。电容器与第一和第二晶体管并联耦合。第三晶体管响应于选择信号，给电容器的第一电极提供数据电压。第四晶体管输出与其栅－源电压相应的电流，其是基于电容的电压。发光元件发射与来自第四晶体管的电流相对应的光。

Description

发光显示器

技术领域

本发明涉及一种发光显示器，尤其涉及一种使用有机材料发光的有机发光显示器。

背景技术

有机发光显示器通常使用有机发光元件来发光，该有机发光元件利用有机材料发光。以矩阵形式设置的NxM有机发光单元可以使用电压或电流驱动来显示图像。因为有机发光单元具有二极管特性，因此也可以被称为有机LED(发光二极管)，其可以包括阳极(ITO)，有机薄膜，和阴极(金属)。有机薄膜可以具有多层结构，包括发射层(EML)，电子传输层(ETL)，以及用于平衡电子和空穴从而提高发光效率的空穴输送层(HTL)。有机薄膜可以进一步包括电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。

有机发光单元可以用无源矩阵驱动法或有源矩阵驱动法驱动，其可以使用薄膜晶体管(TFT)或MOSFET。无源矩阵有机EL显示器可以构造成具有相互垂直的阳极和阴极，并且可以选择用于驱动发光单元(cell)的线路。有源矩阵显示器可以具有耦合到每个ITO像素电极上的TFT，其可以由通过耦合到TFT栅极上的电容器来维持的电压而驱动。

现在解释传统的有源矩阵有机发光显示器。

图1是传统的有源矩阵有机发光显示器像素的等效电路图。参照图1，像素电路可以包括有机LED OLED、开关晶体管SM、驱动晶体管DM以及电容器Cst。两个晶体管SM和DM可以是PMOS晶体管。

当开关晶体管SM响应于由信号线Sn给其栅极施加的选择信号而导通时，来自数据线Dm的数据电压V_DATA被输入至驱动晶体管DM的栅极。然后，驱动晶体管DM中可以流过电流I_OLED，该电流对应于根据电容器Cst而充在驱动晶体管DM的栅极和源极之间的电压V_GS，由此致使有机LED OLED发光。在此，电流I_OLED可以由等式1表示。

[等式1]

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{DD}}-V_{\mathrm{DATA}}-|V_{\mathrm{TH}}\left|\right)}^2$

在图1的像素电路中，可以给有机LED提供与数据电压相应的电流，由此使其发射亮度与该电流相对应的光。为了表征预定的灰度级，数据电压可以具有特定范围内的多个值。

如等式1所示，电流I_OLED随着驱动晶体管DM的阈值电压V_TH的变化而变化。这样，因为像素的驱动晶体管可以具有不同的阈值电压，所以有机发光显示器可能不能正确地显示图像。

发明内容

本发明提供一种具有像素电路的发光显示器，其可以对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。

本发明提供一种发光显示器，其可以减少由像素电路内的寄生电容引起的不良影响。

本发明的其他特征将在下面的说明中进行阐述，其中部分特征可以从说明书中明显看出，或是通过本发明的实践而获知。

本发明公开了一种发光显示器，其包括多条用于传送数据电压的数据线、多条用于传送选择信号的扫描线、以及多个耦合到扫描线和数据线上的像素电路。像素电路包括第一、第二、第三、和第四晶体管、第一电容器、以及发光元件。第一和第二晶体管彼此串联耦合，并且响应于第一控制信号而导通。第一电容器与第一和第二晶体管并联耦合。第三晶体管响应于选择信号给第一电容器的第一电极提供数据电压。第四晶体管输出与其栅源电压相应的电流，该栅源电压取决于第一电容器的电压。发光元件响应于来自第四晶体管的电流而发光。

本发明还公开了一种发光显示器，其具有多条用于传送数据电压的数据线、多条用于传送包括第一和第二选择信号的选择信号的扫描线、以及多个耦合到扫描线和数据线上的像素电路。像素电路包括第一至第六晶体管、第一和第二电容器、以及发光元件。第一晶体管包括耦合到数据线上的第一电极、和响应于第二选择信号而导通的第二电极，从而传送数据电压，第一电容器被充入和数据电压相应的电压。第二和第三晶体管彼此串联耦合同时与第一电容器并联耦合，并且响应于第一选择信号而导通。第四晶体管输出与充在第一电容器中的电压相应的电流。第五和第六晶体管相互串联耦合，并且响应于第一选择信号而导通从而以二级管方式连接第四晶体管。第二电容器耦合在第一电容器的第一电极和第四晶体管的控制电极之间，并且充有和第四晶体管的阈值电压相应的电压。发光元件发出的光与从第四晶体管中输出的电流相应。

本发明公开了一种发光显示器，其具有多条用于传送数据电压的数据线、多条用于传送包括第一和第二选择信号的选择信号的扫描线、以及多个耦合到扫描线和数据线上的像素电路。像素电路包括第一、第三、第四和第五晶体管、第一电容器、和发光元件。第一晶体管包括耦合到数据线上的第一电极，第二电极响应于第二选择信号而导通，从而传送数据电压。第一电容器充入和数据电压相应的电压。第三晶体管输出和充在第一电容器中的电压相应的电流。第四和第五晶体管彼此串联耦合，并且响应于第一选择信号而导通从而以二级管方式连接第三晶体管。发光元件发出和从第三晶体管输出的电流相对应的光。

可以理解以上概括说明和下面的详细描述是示例性和解释性的，其目的是提供对请求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

用于提供对本发明的进一步理解并且纳入并构成本说明书的一部分的附图阐述了本发明的实施例，并且和文字说明一起用于解释本发明的原理。

图1是传统有源矩阵有机发光显示器的像素的等效电路图。

图2示出根据本发明第一示例性实施例的有机发光显示器的结构。

图3是图2的有机发光显示器的像素电路的等效电路图。

图4示出可以施加给本发明示例性实施例的像素电路的波形。

图5是根据本发明第二示例性实施例的像素电路的等效电路图。

图6是根据本发明第三示例性实施例的像素电路的等效电路图。

图7是根据本发明第四示例性实施例的像素电路的等效电路图。

具体实施例

下面的具体说明中示出并且描述了本发明的示例性实施例，所采用的方式是只对由执行本发明的发明者所构思的最佳方式进行阐述。应该认识到本发明可以在多个明显的方面变型，这些变型并不脱离本发明。因此，附图和说明书实质上是用于进行阐述的，而不是进行限制的。为了使本发明更加清楚，省略了在本说明书中没有进行描述的部分，并且被提供相似描述的部分具有相同的标号。

图2示出根据本发明第一示例性实施例的有机发光显示器的构造。

参照图2，有机发光显示器可以包括有机发光显示板100、扫描驱动器200、数据驱动器300、发光控制信号驱动器400。

有机发光显示板100可以包括多条设置在列方向上的数据线D_l至D_m、多条设置在行方向上的扫描线S_l至S_n、多条发光控制线E_l至E_n、以及多个像素电路110。数据线D_l至D_m可以给像素电路110传送与视频信号相应的数据信号，扫描线S_l至S_n可以给像素电路110传送选择信号。

扫描驱动器200可以顺序地产生选择信号并且将其提供给扫描线S_l至S_n。传送电流选择信号的扫描线可以称为“电流扫描线”，在传送电流选择信号之前传送选择信号的扫描线可以被称为“预扫描线”。

数据驱动器300可以产生与视频信号相应的数据电压，并且将该数据电压提供给数据线D_l至D_m。发光控制信号驱动器400可以顺序地给发光控制线E_l至E_n提供发光控制信号，用于控制有机发光元件发光。

可以采用多种方法将扫描驱动器200、数据驱动器300、和/或发光控制信号驱动器400耦合到显示板100上。例如，可以将它们以芯片的形式安装到耦合到显示板的带载封装上，也可以将它们以芯片的形式安装到连接并且耦合到显示板上的软性印刷电路或薄膜上，还可以将它们直接安装在板的玻璃衬底上。可选择的是，它们还可以通过使用和玻璃衬底上的扫描线、数据线、以及薄膜晶体管相同的层形成的驱动电路来取代。

图3是根据本发明第一示例性实施例的像素电路110的等效电路图。参照图3，像素电路可以包括五个晶体管M1、M2、M3、M4和M5、两个电容器Cst和Cvth、以及有机LED OLED。五个晶体管M1至M5可以是PMOS晶体管。

晶体管M1驱动有机LED OLED，其可以耦合在用于提供电源电压V_DD的电源和有机LED OLED之间。晶体管M1响应于施加在晶体管M1栅极上的电压，通过晶体管M2来控制流有有机LED OLED的电流。晶体管M3可以响应于来自预扫描线Sn-1的选择信号以二级管方式连接晶体管M1。

晶体管M1的栅极可以耦合到电容器Cvth的节点A。电容器Cst和晶体管M4可以相互并联耦合在电容器Cvth的节点B和提供电压V_DD的电源之间。晶体管M4可以响应于来自预扫描线Sn-1的选择信号，给电容器Cvth的节点B提供电压V_DD。或者，晶体管M4可以耦合到不同于电源电压V_DD的电源电压上。

晶体管M5响应于来自电流扫描线Sn的选择信号，给电容器Cvth的节点B传送由数据线Dm传送的数据信号。晶体管M2可以耦合在晶体管M1的漏极和有机LED OLED的阳极之间，并且可以响应于来自发光控制线En的选择信号，阻挡从有机LED OLED到晶体管M1的漏极。有机LED OLED响应于由晶体管M1经由晶体管M2输入的电流来发射光。

下面参照图4解释像素电路110的工作方式，图4示出了施加给像素电路110的波形。

给预扫描线Sn-1输入低电平扫描电压，在区间D1中导通晶体管M3并且以二级管方式连接晶体管M1。这样，晶体管M1的栅-源电压可以达到晶体管M1的阈值电压Vth。这是由于晶体管M1的源极耦合至电源电压V_DD，因此施加给晶体管M1栅极，即电容器Cvth的节点A，的电压与电源电压V_DD与晶体管M1的阈值电压Vth的电压的总和相应。此外，给预扫描线Sn-1施加低电平扫描电压使晶体管M4导通，由此给电容器Cvth的节点B提供电源电压V_DD。等式2表示可以给电容器Cvth内充入的电压V_Cvth。

[等式2]

V_Cvth＝V_CvthA-V_CvthB＝(V_DD+Vth)-V_DD＝Vth

此处，V_CvthA和V_CvthB分别是施加到至电容器Cvth的节点A和B的电压。

在区间D1中，可以给发光控制线En施加高电平信号，由此晶体管M2关断。这防止流过晶体管M1的电流流至有机LED OLED。此外，可以给电流扫描线Sn施加高电平信号从而关断晶体管M5。

在随后的区间D2中给电流扫描线Sn施加低电平扫描电压使晶体管M5导通，由此给电容器Cvth的节点B提供数据电压Vdata。此外，由于电容器Cvth充入与晶体管M1的阈值电压Vth相应的电压，因此可以给晶体管M1的栅极提供与数据电压Vdata和晶体管M1的阈值电压Vth的电压的总和相应的电压。就是说，等式3表示晶体管M1的栅-源电压Vgs。此处，可以给发光控制线En提供高电平信号，其保持晶体管M2关断。

[等式3]

Vgs＝(Vdata+Vth)-V_DD

在区间D3中，晶体管M2可以响应于发光控制线En的低电平发光控制信号而被导通，由此给有机LED OLED提供与晶体管M1的栅-源电压Vgs相应的电流I_OLED以便发光。等式4表示电流I_OLED。

[等式4]

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(\mathrm{Vgs}-\mathrm{Vth})}^2=\frac{\mathrm{\β}}{2}{((\mathrm{Vdata}+\mathrm{Vth}-V_{\mathrm{DD}})-\mathrm{Vth})}^2=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{DD}}-\mathrm{Vdata})}^2$

此处，I_OLED是在有机LED OLED中流动的电流，Vgs是晶体管M1的栅-源电压，Vth是晶体管M1的阈值电压。此外，Vdata是数据电压，并且β是常数。等式4表示由于电流I_OLED取决于数据电压Vdara以及电源电压V_DD而与驱动晶体管M1的阈值电压Vth无关，因此显示板可以被稳定地驱动。

图4所示的信号波形是示例性的，并且可以被修改。例如，施加给发光控制线En的高电平信号的起始点落后于施加给预扫描线Sn-1的低电平选择信号的起始点。此外，施加给发光控制线En的高电平信号的终止点落后于是施加给电流扫描线Sn的低电平选择信号的终止点。

如上所述，给预扫描线Sn-1施加低电平选择信号使晶体管M3和M4关断，给电流扫描线Sn施加低电平选择信号使晶体管M5导通，由此给电容器Cst的节点B提供数据电压。这样，当驱动晶体管M1导通时，可以在电容器Cst中充入与数据电压相应的电压。根据电容器Cst中充入的电压，即使在开关晶体管M5被关断且没有给节点B提供数据电压时，驱动晶体管M1的栅-源电压Vgs也可以被不间断地保持。

然而，节点B中存在的寄生电容可能在提供至节点B的电压中产生电压变化ΔV，其可能导致在节点B处产生电压偏移。该电压偏移被称为反冲(kickback)，电压变化ΔV被称为反冲电压。此反冲可能在显示图像时产生附着图像并且破坏显示板的显示特性。当反冲电压高于灰度级电平间隔时，显示板的显示质量可能显著地恶化，使得灰度相同的图像被不同地显示。

现在详细解释用于解决反冲效应的本发明的示例性实施例。

图5是根据本发明第二示例性实施例的像素电路的等效电路图。该像素电路不同于第一示例性实施例中的像素电路，因为其中采用双晶体管M4_1和M4_2来减小节点B的反冲电压。

参照图5，像素电路可以包括六个晶体管M1、M2、M3、M4_1、M4_2和M5，两个电容器Cst和Cvth，以及有机LED OLED。四个晶体管M1、M2、M3和M5，两个电容器Cst和Cvth，以及有机LED OLED可以被配置成与第一示例性实施例中的相同，并且按照第一示例性实施例中的方式那样工作。因而在此省略了对这些器件的详细说明。

晶体管M4_2的源极可以耦合至电源电压V_DD，其漏极可以耦合至晶体管M4_1的源极。晶体管M4_1的漏极可以耦合至晶体管M5的漏极。也就是说，两个晶体管M4_1和M4_2可以形成相互串联的双晶体管。晶体管M4_1和M4_2的栅极可以耦合至预扫描线Sn-1。这样，两个晶体管M4_1和M4_2可以响应于预选择信号而被同时导通，从而给电容器Cst的端部提供电源电压V_DD。

关断晶体管M4_1和M4_2并且导通晶体管M5可以减小节点B的反冲电压。这样，可以减小给节点B施加的数据电压的变化以及晶体管M1的栅极节点A上的电压变化。因此，可以减小由反冲电压引起的晶体管M1栅-源电压Vgs的变化，由此减小对传送至有机LED OLED的电流造成的反冲影响。

当双晶体管M4_1和M4_2的总沟道长度保持恒定时，当晶体管M4_2的沟道长于晶体管M4_1的沟道时，可以更加有效地减小反冲电压。

表1示出了当双晶体管M4_1和M4_2导通和关断时节点B处的电压，在这里双晶体管M4_1和M4_2的沟道长度W都是5μm，晶体管M4_1的沟道长度L与晶体管M4_2的沟道长度L的总和为20μm。

表1

晶体管大小		节点B电压		反冲电压
					M4_1(W/L)	M4_2(W/L)	导通时	关断时
5/15μm	5/5μm	5.0V	5.4917V						0.4917V
				5/10μm	5/10μm	5.0V	5.3811V	0.3811V
5/7μm	5/13μm	5.0V	5.3217V						0.3217V

5/5μm

5/15μm

5.0V

5.2834V

0.2834V

表1示出随着晶体管M4_2沟道长度L的增加，节点B处的反冲电压减小。也就是说，当晶体管M4_2的沟道长于晶体管M4_1的沟道时，可以给有机LED OLED更加稳定地提供与数据电压相应的电流I_OLED，由此改进显示板的显示特性。

虽然表1示出晶体管M4_1的最小沟道长度为5μm，但是当其被构造成具有短于5μm的沟道长度时，如果晶体管的特性有保证，那么沟道长度也可以小于5μm。随着晶体管M4_1沟道长度L的缩短，寄生电容减小，并且可以减小反冲的影响。

虽然图5中的像素电路采用串联耦合的双晶体管M4_1和M4_2，但是像素电路也可以可选地采用双栅极晶体管。双晶体管指示形成在一个源区、一个漏区和一个栅电极上的两个晶体管相互耦合，双栅晶体管指示一个晶体管具有相互连接的一个源区、一个漏区、以及两个栅电极。

现在说明本发明的第三个示例性实施例。

图6是根据本发明第三个示例性实施例的像素电路的等效电路图。该像素电路不同于第一示例性实施例中的像素电路，因为其采用双晶体管M31和M3_2来减小由存在于晶体管M1栅极和源极之间的寄生电容引起的反冲电压。

参照图6，像素电路可以包括六个晶体管M1、M2、M3_1、M3_2、M4和M5，两个电容器Cst和Cvth，以及有机LED OLED。四个晶体管M1、M2、M4和M5，两个电容器Cst和Cvth，以及有机LED OLED可以被配置成与第一示例性实施例中的相同，并且按照第一示例性实施例中的方式那样工作。因而在此省略了对这些器件的详细说明。

晶体管M3_2的源极可以耦合到晶体管M1的漏极，其漏极可以耦合到晶体管M3_1的源极。晶体管M3_1的漏极可以耦合到晶体管M1的栅极。也就是说，两个晶体管M3_1和M3_2形成相互串联耦合的双晶体管。晶体管M3_1和M3_2的栅极可以耦合到预扫描线Sn-1。这样，两个晶体管M3_1和M3_2可以响应于预选择信号而被同时导通，从而以二级管方式连接晶体管M1。

关断晶体管M3_1和M3-2并且导通晶体管M5可以减小节点A的反冲电压。这样，可以减小由晶体管M1的节点A处的反冲电压引起的电压变化的影响，由此减小由反冲电压引起的晶体管M1栅-源电压Vgs的变化。结果是，可以减小给传送至有机LED OLED的电流I_OLED带来的反冲影响。

当双晶体管M3_1和M3_2的总沟道长度保持恒定时，当晶体管M3_2的沟道长于晶体管M3_1的长度时，则可以更加有效地减小反冲电压。

表2示出双晶体管M3_1和M3_2导通和关断时节点A(即晶体管M1的栅极)的电压，其中双晶体管M3_1和M3_2的沟道宽度W都为5μm，并且晶体管M3_1的沟道长度L与晶体管M3_2的沟道长度L的总和为20μm。

表2

晶体管大小		晶体管M1的栅极电压		反冲电压
					M3_1(W/L)	M3_2(W/L)	导通时	关断时
5/15μm	5/5μm	3.6570V	4.6653V						1.0083V
				5/10μm	5/10μm	3.2503V	4.1223V	0.8720V
5/7μm	5/13μm	3.1370V	3.9445V						0.8075V
				5/5μm	5/15μm	3.0791V	3.8463V	0.7672V

表2示出随着晶体管M3_2沟道长度L的增加，晶体管M1栅极处的反冲电压减小。也就是说，当晶体管M3_2的沟道长于晶体管M3_1的沟道时，可以更加稳定地给有机LED OLED提供与数据电压相应的电流I_OLED，由此改进显示板的显示特性。

虽然图6示出像素电路具有串联耦合的双晶体管M3_1和M3_2，但是像素电路也可以可选地使用双栅晶体管。虽然表2所示晶体管M3_1的最小沟道长度为5μm，但当其被制造成希望沟道长度短于5μm时，如果晶体管的特性仍有保证，该沟道长度可以被减小至小于5μm。随着晶体管M3_1沟道长度的缩短，寄生电容可以减小，并且可以降低反冲的影响。

现在说明本发明的第四示例性实施例。

图7是根据本发明第四示例性实施例的像素电路的等效电路图。该像素电路不同于第二和第三示例性实施例的像素电路，因为其采用双晶体管M4_1和M4_2来减小节点B的反冲电压，并且双晶体管M3_1和M3_2可以用于减小由存在于晶体管M1栅极和源极之间的寄生电容引起的反冲电压。

参照图7，像素电路可以包括7个晶体管M1、M2、M3_1、M3_2、M4_1、M4_2和M5，两个电容器Cst和Cvth，以及有机LED OLED。三个晶体管M1、M2和M5，两个电容器Cst和Cvth，以及有机LED OLED可以被配置成与图3的第一示例性实施例中的相同，并且按照相同的方式工作，晶体管M41、M4_2可以与图5的第二示例性实施例中的像素电路中的那些相同，晶体管M3_1、M3_2的结构和工作方式可以与图6的第三示例性实施例中的像素电路中的那些相同。因而在此省略了对这些器件的详细说明。

如图7所示，使用晶体管M3_1、M3_2和晶体管M4_1、M4_2可以同时减小节点B的反冲电压，和由晶体管M1的栅极和源极之间的寄生电容引起的反冲电压。

如上所述，本发明的示例性实施例采用双晶体管来减小因存在于像素电路中的寄生电容分量引起的反冲电压。特别是，沟道长度不同的双晶体管可以与被充入了对应于数据电压的电压的电容器并联耦合，从而减小对电容器的电极造成的反冲影响。此外，使用大小不同的双晶体管可以减小由寄生电容引起的反冲电压，该寄生电容存在于驱动有机LED的晶体管的栅极和源极/漏极之间。这可以有效地降低驱动晶体管栅极上的反冲影响。结果可以减小反冲影响，由此改进发光显示器的显示特性。

对于本领域普通技术人员来讲，在不脱离本发明精神和范围的情况下可以对本发明进行修改和改变是显而易见的。因此，目的是如果这些修改和改变落入所附权利要求及其等同物的范围内，那么本发明应该涵盖本发明的这些修改和改变。

Claims (23)

1、一种发光显示器，包括：

多条传送数据电压的数据线；

多条传送选择信号的扫描线；以及

多个耦合至扫描线和数据线的像素电路，

其中像素电路具有：

第一晶体管和第二晶体管，彼此串联耦合并且响应于第一控制信号而导通；

第一电容器，与第一晶体管和第二晶体管并联耦合；

第三晶体管，响应于选择信号而给第一电容器的第一电极提供数据电压；

第四晶体管，输出与第四晶体管的栅-源电压相应的电流、该栅-源电压基于第一电容器的电压；

发光元件，响应于来自第四晶体管的电流而发光。

2、根据权利要求1的发光显示器，

其中第一晶体管的第一电极耦合至第一电容器的第一电极；

其中第一晶体管的第二电极耦合至第二晶体管的第一电极；

其中第二晶体管的第二电极耦合至第一电容器的第二电极。

3、根据权利要求2的发光显示器，其中第一晶体管和第二晶体管是双栅晶体管。

4、根据权利要求2的发光显示器，其中第一晶体管和第二晶体管的大小不同。

5、根据权利要求4的发光显示器，其中第二晶体管的沟道长于第一晶体管的沟道。

6、根据权利要求1的发光显示器，其中像素电路进一步具有：

第二电容器，耦合在第一电容器的第一电极和第四晶体管的栅极之间；

第一开关，响应于第一控制信号而以二级管方式连接第四晶体管，

其中第四晶体管的栅极耦合至第二电容器的第二电极，

其中第四晶体管的源极耦合至第一电容器的第二电极。

7、根据权利要求6的发光显示器，其中第一开关包括第五晶体管和第六晶体管，这两个晶体管相互串联耦合并且响应于第一控制信号导通。

8、根据权利要求7的发光显示器，其中第五晶体管和第六晶体管是双栅晶体管。

9、根据权利要求8的发光显示器，其中像素电路进一步包括：

第二开关，响应于第二控制信号给发光元件传送从第四晶体管输出的电流，

其中在第一控制信号和选择信号之后，给像素电路提供第二控制信号。

10、根据权利要求1的发光显示器，其中第一控制信号是在选择信号之前施加给像素电路的预选信号。

11、根据权利要求1的发光显示器，其中发光元件使用有机材料发光。

12、一种发光显示器，包括：

多条传送数据电压的数据线；

多条传送选择信号的扫描线，其中选择信号包括第一选择信号和第二选择信号；和

多个耦合至扫描线和数据线的像素电路；

其中像素电路包括：

第一晶体管，包括耦合至数据线的第一电极和响应于第二选择信号而被导通的第二电极，从而传送数据电压；

第一电容器，充有与数据电压相应的电压；

相互串联耦合的第二晶体管和第三晶体管，并且其与第一电容器并联耦合，响应于第一选择信号而导通；

第四晶体管，输出与第一电容器中充有的电压相应的电流；

第五晶体管和第六晶体管，相互串联耦合并且响应于第一选择信号而导通从而以二级管方式连接第四晶体管；

第二电容器，耦合在第一电容器的第一电极和第四晶体管的控制电极之间，并且充有与第四晶体管的阈值电压相应的电压；

发光元件，发射与从第四晶体管的输出电流相对应的光。

13、根据权利要求12的发光显示器，其中第二晶体管和第三晶体管的大小不同。

14、根据权利要求13的发光显示器，

其中第二晶体管耦合至第一晶体管的第二电极；和

其中第二晶体管的沟道短于第三晶体管的沟道。

15、根据权利要求12的发光显示器，其中第五晶体管和第六晶体管的大小不同。

16、根据权利要求15的发光显示器，

其中第五晶体管耦合至第四晶体管的控制电极；和

其中第五晶体管的沟道短于第六晶体管的沟道。

17、根据权利要求12的发光显示器，其中像素电路进一步包括：

开关，响应于控制信号给发光元件传送从第四晶体管输出的电流，

其中在第一选择信号和第二选择信号之后，给像素电路提供控制信号。

18、一种发光显示器，包括：

多条传送数据电压的数据线；

多条传送选择信号的扫描线，其中选择信号包括第一选择信号和第二选择信号；和

多个耦合至扫描线和数据线的像素电路，

其中像素电路包括：

第一晶体管，包括耦合至数据线的第一电极和响应于第二选择信号而导通的第二电极，从而传送数据电压；

第一电容器，充有与数据电压相应的电压；

第三晶体管，输出与第一电容器中充有的电压相应的电流；

第四晶体管和第五晶体管，相互串联耦合并且响应于第一选择信号而导通，从而以二级管方式连接第三晶体管；和

发光元件，发射与从第三晶体管输出的电流相应的光。

19、根据权利要求18的发光显示器，其中第四晶体管和第五晶体管的大小不同。

20、根据权利要求19的发光显示器，

其中第四晶体管耦合至第三晶体管的控制电极，

其中第四晶体管的沟道短于第五晶体管的沟道。

21、根据权利要求18的发光显示器，其中第四晶体管和第五晶体管是双栅晶体管。

22、根据权利要求18的发光显示器，其中像素电路进一步包括：

第二电容器，耦合在第一电容器的第一电极和第三晶体管的控制电极之间；和

第二晶体管，响应于第一选择信号而导通并且与第一电容器并联耦合。

23、根据权利要求22的发光显示器，其中像素电路进一步包括：

开关，响应于控制信号给发光元件传送从第三晶体管输出的电流，

其中在第一选择信号和第二选择信号之后，给像素电路提供控制信号。

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