CN1534578A - 发光显示器、显示屏及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种发光显示器。其中，第一电容连接在第一晶体管的栅极和电源电压之间。其栅极连接至第二晶体管的栅极，且将来自数据线的数据电流传输至第二晶体管以将第一和第二晶体管的栅极电压设为第一电压。第二电容形成在第一和第二电容的栅极之间，且截取来自数据线的数据电流。这里，通过连接第一和第二电容，第一电容存储第二电压。将由第一晶体管输出的、相应于第二电压的驱动电流传输至发光器件。

Description

发光显示器、显示屏及其驱动方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2003年4月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第2003-20434号的优先权和利益，其内容包含在此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种发光显示器、显示屏及其驱动方法。特别是涉及一种有机场致发光(electroluminescent，EL)显示器。

背景技术

通常，有机EL显示器电激励磷有机化合物以发光，并且其电压或电流驱动N×M有机发光单元(organic emitting cell)以显示图像。如图1所示，有机发射单元包括ITO阳极(Indium Tin Oxide，氧化锡铟)、有机薄膜和金属阴极层。有机薄膜具有包括发射层(EML，emission layer)、电子传输层(ETL，electron transport layer)和空穴传输层(HTL，hole transport layer)的多层结构，以便平衡电子和空穴之间的平衡和增加发射效率，而且，它还包括电子注入层(EIL，electron injection layer)和空穴注入层(HIL，hole injection layer)。

用于驱动有机发光单元的方法包括无源矩阵法(passive matrix method)，和使用薄膜晶体管(TFT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的有源矩阵法(active matrix method)。无源矩阵法形成互相交叉的阴极和阳极，并选择性地驱动线路(line)。有源矩阵法使用每一ITO像素电极(pixel electrode)连接TFT和电容，从而根据电容值来维持预定电压。根据为维持电容上的电压而提供的信号形式将有源矩阵法分为电压编程法和电流编程法。

将参照图2和图3来说明传统的电压编程和电流编程有机EL显示器。

图2表示用于驱动有机EL器件的传统电压编程类型的像素电路，该图表示N×M像素中的一个像素。参照图2，晶体管M1与有机EL器件(下文中称为OLED)相连，从而为光发射提供电流。通过由开关晶体管M2提供的数据电压控制晶体管M1的电流。在此情况下，用于维持所供电压达预定时间长度的电容C1连接在晶体管M1的源极和栅极之间。扫描线S_n连接到晶体管M2的栅极，而数据线Dm连接到该晶体管的源极。

如上构造的像素操作如下，当晶体管M2根据施加于开关晶体管M2的栅极的选择信号导通时，来自数据线D_m的数据电压被施加于晶体管M1。因此，与电容C1在栅极和源极之间所充的电压V_GS对应的电流I_OLED流经晶体管M2，而OLED发射对应于电流I_OLED的光。

在该情况下，流经OLED的电流由公式1给出。

公式1

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{DD}}-V_{\mathrm{DATA}}-|V_{\mathrm{TH}}\left|\right)}^2--\left(1\right)$

其中，I_OLED是流经有机EL器件OLED的电流，V_GS是晶体管M1的栅极和源极之间的电压，V_TH是晶体管M1的门限电压(threshold voltage)，而β是常量。

如公式1所示，根据图2的像素电路，向OLED提供与所供数据电压对应的电流，且OLED发射与所供电流对应的光。在该情况下，所提供的数据电压具有在预定范围之内的多级值(multi-stage value)，以便表示灰度(gray)。

然而，遵循电压编程法的传统像素电路存在下列问题，由于集成过程的非均匀性(non-uniformity)导致的电子迁移(electron mobility)的偏差(deviation)和TFT的门限电压V_TH的偏差，使得难于获得高灰度。例如，当使用3伏(3V)电压驱动像素的TFT时，以每一间隔12mv(＝3V/256)向TFT的栅极提供电压以便表示8比特(256)的灰度，如果由于集成过程的非均匀性导致TFT的门限电压产生偏差，则很难表示高灰度。并且，由于电子迁移的偏差使得公式1中的数值β发生变化，从而，表示高灰度变得更加困难。

假定用于向像素电路提供电流的电流源在整个屏幕(panel)上是均匀的，则即使在每一像素中的驱动晶体管具有非均匀的电压-电流特性，电流编程法的像素电路也能获得均匀的显示特性。

图3表示用于驱动OLED的传统电流编程法的像素电路，该图代表N×M像素中的一个像素。参照图3，晶体管M1连接至OLED以提供用于光发射的电流，且由通过晶体管M2提供的数据电流控制晶体管M1的电流。

首先，当由于来自扫描线S_n的选择信号，晶体管M2和M3被导通时，晶体管M1变成二极管连接(diode-connected)，且在电容C1中存储与来自数据线D_m的数据电流I_DATA匹配的电压。接着，来自扫描线S_n的选择信号变成高电平以导通晶体管M4。然后，由电源电压VDD供电，且与存储在电容C1中的电压匹配的电流流经OLED以发光。在该情况下，流经OLED的电流如下给出。

公式2

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2=I_{\mathrm{DATA}}$

其中，V_GS是晶体管M1的栅极和源极之间的电压，V_TH是晶体管M1的门限电压，β是常量。

如公式2所示，在传统像素电路中，由于流经OLED的电流I_OLED与数据电流I_DATA相同，当在整个屏幕上编程电流源被设为均匀时可以获得均匀特性。然而，由于流经OLED的电流I_OLED是微电流(fine current)，所以由微电流I_DATA控制像素电路需要很长的时间来对数据线充电。例如，假设数据线的负载电容是30pF，它需要几毫秒的时间来使用几十～几百纳安(nA)的数据电流对数据线的负载充电。考虑到几十毫秒的线路时间(line time)，这将导致充电时间不充足的问题。

发明内容

根据本发明，提供一种发光显示器，用于补偿晶体管的门限电压或电子迁移率，并充分地对数据线进行充电。

根据本发明的一个方面，提供一种发光显示器，在其上形成多个用于传输显示视频信号的数据电流的数据线、多个用于传输选择信号的扫描线和多个形成在由所述数据线和所述扫描线限定的多个像素上的像素电路。所述像素电路包括：发光器件，用于发射相应于所供电流的光；第一晶体管，具有第一主电极、第二主电极和控制电极，用于为发光器件提供驱动电流；二极管连接的第二晶体管；第一开关，用于响应来自所述扫描线的选择信号，将来自所述数据线的数据电流传输至所述第二晶体管；第一存储器件，具有与所述第一晶体管的所述第一主电极和所述第二晶体管的所述第一主电极连接的第一端，和与所述第一晶体管的所述控制电极连接的第二端，所述第二端响应第一控制信号的第一电平，与所述第二晶体管的栅极连接；第二存储器件，响应所述第一控制信号的第二电平，连接在所述第一存储器件的所述第二端和所述第二晶体管的控制电极之间；和第二开关，用于响应第二控制信号，连接所述第一晶体管和所述发光器件。所述发光显示器以下列顺序工作：第一间隔，用于选择所述第一控制信号和所述选择信号的所述第一电平，第二间隔，用于选择所述第一控制信号的所述第二电平，和第三间隔，用于选择所述第二控制信号。在所述第一间隔中，将所述第二晶体管的所述控制电极的电压确定为相应于所述数据电流的第一电压；通过数据电流的截取，将所述第二晶体管的控制电极电压从所述第一电压变为第二电压；在第二间隔中，通过所述第一和第二存储器件的连接，将所述第一晶体管的控制电极电压确定为第三电压以在所述第一存储器件中存储第四电压；在第三间隔中，将相应于所述第四电压的驱动电流从所述第一晶体管传输至发光器件。该像素电路还包括连接在所述第一和第二晶体管的所述控制电极之间的第三开关。由所述第一控制信号的所述第一电平导通所述第三开关。所述第一控制信号是所述选择信号。由除了所述扫描线之外的其它信号线提供所述第一控制信号，所述第一控制信号具有比所述选择信号快的定时。所述第一晶体管的通道宽度(channel width)等于或窄于所述第二晶体管的通道宽度。所述第一晶体管的通道长度(channel length)等于或长于所述第二晶体管的通道长度。所述第一存储器件是形成在所述第一晶体管的所述第一主电极和所述控制电极之间的第一电容；所述第二存储器件是形成在所述第一和第二晶体管的控制电极之间的第二电容；由分辨率和屏幕尺寸来确定所述第一电容的电容值和所述第二电容的电容值。所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述门限电压之间的均匀性(Uniformity)为高。

根据本发明的另一方面，提供一种用于驱动发光显示器的方法，所述发光显示器具有像素电路，该像素电路包括：第一开关，用于响应来自扫描线的选择信号，传输来自数据线的数据电流，第一晶体管，具有第一和第二主电极以及控制电极，用于输出相应于所述数据电流的驱动电流，第一存储器件，形成在所述第一晶体管的所述第一主电极和所述控制电极之间，和发光器件，用于发射相应于来自所述第一晶体管的所述驱动电流的光。将所述二极管连接的第二晶体管的控制电极连接至所述第一晶体管的所述控制电极。将所述数据电流从所述第一开关传输至所述第二晶体管以建立所述第二晶体管的控制电极电压作为第一电压。在所述第一和第二晶体管的所述控制电极之间形成第二存储器件；截取所述数据电流以将所述第一电压改为第二电压，其中，所述第二电压反映了所述第二晶体管的门限电压。使用所述第二电压和所述第一和第二存储器件的连接来将所述第一晶体管的所述控制电极电压从所述第一电压改为第三电压。由所述第一晶体管将相应于所述第三电压的驱动电流输出传输至所述发光器件。

根据本发明的另一方面，提供一种发光显示器的显示屏，其上形成多个用于传输显示视频信号的数据电流的数据线、多个用于传输选择信号的扫描线、和多个形成在由所述数据线和所述扫描线限定的多个像素上的像素电路。所述像素电路包括：发光器件，用于发射相应于所供电流的光；第一晶体管，具有第一和第二主电极以及控制电极，用于为发光器件发光提供驱动电流；二极管连接的第二晶体管；第一开关，用于响应来自所述扫描线的选择信号，将来自所述数据线的数据电流传输至所述第二晶体管；第一存储器件，连接至所述第一晶体管的所述控制电极；和第二存储器件。所述显示屏以下列顺序工作：第一间隔，用于连接所述第一和第二晶体管的控制电极并在第一存储器件中存储相应于来自所述第一开关的数据电流的电压；第二间隔，用于在所述第一和第二晶体管的控制电极之间形成第二存储器件，且截取所述数据电流以将相应于所述第二晶体管的门限电压的电压分配给所述第一和第二存储器件；和第三间隔，用于将由所述第一晶体管输出的、相应于存储在所述第一存储器件中的电压的驱动电流传输至所述发光器件。响应第一电平的第一控制信号，连接所述第一和第二晶体管的控制电极。在所述第一间隔中，响应所述选择信号，传输数据电流至所述第二晶体管，响应第二电平的第一控制信号，在所述第一和第二晶体管的所述控制电极之间连接所述第二存储器件。在所述第二间隔中，所述选择信号变成禁止电平(disable level)以截取所述数据电流。在所述第三间隔中，响应第二控制信号，传输所述驱动电流至所述发光器件。

附图说明

图1表示OLED的原理图。

图2表示遵循电压编程法的传统像素电路的等效电路。

图3表示遵循电流编程法的传统像素电路的等效电路。

图4表示根据本发明实施例的有机EL显示器的简要平面图。

图5和图7分别表示根据本发明的第一和第二实施例的像素电路的等效电路。

图6和图8分别表示用于驱动图5和图7的像素电路的驱动波形。

具体实施方式

将参照附图详细地说明有机EL显示器、相应的像素电路及其驱动方法。

首先，参照图4说明有机EL显示器。图4表示OLED的简要平面图。

如图所示，有机EL显示器包括有机EL显示屏(organic EL displaypanel)10、扫描驱动器20和数据驱动器30。

有机EL显示平面10包括在行方向上从D₁至D_m的多个数据线、多个扫描线S₁至S_n和E₁至E_n、和多个像素电路11。数据线D₁至D_m向像素电路11传输代表视频信号的数据信号，而扫描线S₁至S_n向像素电路11传输选择信号。像素电路11被形成在由D₁至D_m中的两个相邻数据线和E₁至E_n中的两个相邻扫描线所限定的像素区域上。同时，扫描线E₁至E_n传输用于控制像素电路11的光发射的发射信号。

扫描驱动器20顺序地向扫描线S₁至S_n和E₁至E_n施加相应选择信号和发射信号。数据驱动器30向数据线D₁至D_m提代表视频信号的数据电流。

扫描驱动器20和/或数据驱动器30可被连接至显示屏10，或以芯片形式安装在连接至显示屏10的带状载体封装(TCP，tape carrier package)。扫描驱动器20和/或数据驱动器30也可附在显示屏10上，以及以芯片形式设安装在与显示屏10连接的薄膜或软性印刷电路(FPC，flexible printed circuit)上，这被称为软性电路板覆晶(Chip on flexible board)、或薄膜覆晶法(Chip on film，CoF)。与此不同的是，扫描驱动器20和/或数据驱动器30也可设置在显示屏的玻璃基片(glass substrate)上，并且，可以使用在玻璃基片上与扫描线、数据线和TFT相同的层中形成的，或直接安装在玻璃基片上的驱动电路来代替上述电路，这被称为玻璃覆晶法(Chip on Glass，CoG)。

现在将参照图5和图6说明根据本发明第一实施例的有机EL显示器的像素电路11。图5表示根据第一实施例的像素电路的等效电路图，而图6示出用于驱动图5的像素电路的驱动波形图。在该情况下，为了便于说明，图5示出连接至第m数据线D_m和第n扫描线S_n的像素电路。

如图5所示，像素电路11包括一个OLED、PMOS晶体管M1至M5、以及电容C1至C2。晶体管最好是具有形成在玻璃基片上作为控制电极和两个主电极的栅电极、漏电极和源电极的晶体管。

晶体管M1具有连接至电源电压VDD的源极和连接至电容C2的栅极，且电容C1连接在晶体管M1的栅极和源极之间。M2的栅极和漏极相互连接，即二极管连接，而晶体管M2的源极连接至电源电压VDD。晶体管M5和电容C2并联在晶体管M2的栅极和晶体管M1的栅极之间。

晶体管M3响应来自扫描线S_n的选择信号SE_n，将数据电流I_DATA从数据线D_m传输至晶体管M2。晶体管M5响应来自扫描线S_n的选择信号SE_n，将晶体管M2的栅极连接至晶体管M1的栅极。晶体管M4连接在晶体管M1的漏极和OLED之间，并且响应来自扫描线E_n的发射信号EM_n，将晶体管M1的电流I_OLED传输至OLED。OLED连接在晶体管M4和基准电压之间，并发射相应于所供电流I_OLED的光。

接着，将参照图6详细说明根据本发明的第一实施例的像素电路的操作。

如图所示，在间隔T1，由低电平选择信号SE_n导通晶体管M5以连接晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极。由选择信号SE_n导通晶体管M3以使得数据电流I_DATA从数据线D_m流经晶体管M2。可由公式3给出数据电流I_DATA，并且在间隔T1期间的晶体管M2上的栅极电压V_G3(T1)由公式3确定。由于晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极连接，晶体管M1上的栅极电压V_G1(T1)等于晶体管M2上的栅极电压V_G3(T1)。

公式3

$I_{\mathrm{DATA}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_2{C}_{\mathrm{ox}2}\frac{W_2}{L_2}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}2})}^2=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_2{C}_{\mathrm{ox}2}\frac{W_2}{L_2}{(V_{\mathrm{DD}}-V_{G2}\left(T1\right)-|V_{\mathrm{TH}2}\left|\right)}^2$

其中，μ₂是电子迁移率，C_ox2是氧化物电容值，W₂是通道宽度，L₂是通道长度，V_TH2是晶体管M2的门限电压，V_DD是由电源电压VDD提供给晶体管M2的电压。

在间隔T2，选择信号SE_n变成高电平以断开晶体管M3和M5。数据电流I_DATA被断开的晶体管(turn-off transistor)M3截取，并且由于晶体管M2是二极管连接，晶体管M2的栅极电压V_G2(T2)变成V_DD-|V_TH2|。因此，由公式4给出在间隔T1和T2之间晶体管M2栅极电压的变化量ΔV_G2。由于晶体管M1的栅极电压V_G1(T2)等于串联的电容C1和C2的接点电压(node voltage)，由公式5给出晶体管M1的栅极电压变化量ΔV_G1。即晶体管M1的栅极电压V_G1(T2)变成V_G1(T1)+ΔV_G1。

公式4

ΔV_G2＝V_G2(T2)-V_G2(T1)＝V_DD-|V_TH2|-V_G2(T1)

公式5

$\mathrm{\Δ}{V}_{G1}=\frac{C1}{C1+C2}\mathrm{\Δ}{V}_{G2}=\frac{C1}{C1+C2}(V_{\mathrm{DD}}-|V_{\mathrm{TH}2}|-V_{G2}\left(T1\right))$

其中，C₁和C₂是电容C1和C2的电容值。

在间隔T3，响应低电平发射信号EM_n导通晶体管M4。流经晶体管M1的电流I_OLED通过导通的晶体管M4流经OLED以发射光，并且，在该情况下的电流I_OLED由公式6给出。

公式6

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_1{C}_{\mathrm{ox}1}\frac{W_1}{L_1}{(V_{\mathrm{DD}}-V_{G1}\left(T2\right)-|V_{\mathrm{TH}1}\left|\right)}^2$

$=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_1{C}_{\mathrm{ox}1}\frac{W_1}{L_1}\{V_{\mathrm{DD}}-\frac{C_1}{C_1+C_2}(V_{\mathrm{DD}}-|V_{\mathrm{TH}2}|-V_{G2}\left(T1\right))-V_{G2}\left(T1\right)-|V_{\mathrm{TH}1}|{\}}^2$

其中，μ₁是电子迁移率，C_ox1是氧化物电容值，W₁是通道宽度，L₁是通道长度，V_TH1是晶体管M1的门限电压。

由于晶体管M1和M2被相邻地形成在一个小像素中，所以提高了电子迁移率μ₁和μ₂、门限电压V_TH1和V_TH2、以及氧化物电容量C_ox1和C_ox2之间的均匀性，并且因此它们实质上是相同的(即μ₁＝μ₂、V_TH1＝V_TH2、以及C_ox1＝C_ox2)。因此，公式6可以表达为公式7，并且，采用公式3，公式7可以由公式8给出。

公式7

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_1{C}_{\mathrm{ox}1}\frac{W_1}{L_1}{\·\frac{C_2}{C_1+C_2}(V_{\mathrm{DD}}-V_{G2}\left(T1\right)-|V_{\mathrm{TH}2}\left|\right)}^2$

公式8

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{W_1}{L_1}\·\frac{L_2}{W_2}\left(\frac{C_2}{C_1+C_2}\right)I_{\mathrm{DATA}}$

在该情况下，如果电容C1的电容值C₁是电容C2的电容值C₂的n倍(即，C₁＝n C₂)，且晶体管M2的通道宽度和通道长度的比值W₂/L₂是晶体管M1的通道宽度和通道长度的比值W₁/L₁的M倍，公式8可如公式9那样给出。特别是，最好晶体管M2的通道宽度W₂等于或宽于晶体管M1的通道宽度W₁，且晶体管M2的通道长度L₂等于或短于晶体管M1的通道长度L₁。同时最好根据显示屏的分辨率和尺寸来优化电容C1的电容值C₁和电容C2的电容值C₂的比值。

公式9

$I_{\mathrm{OLED}}=\frac{1}{M(n+1)}{I}_{\mathrm{DATA}}$

如公式9所示，由于提供给OLED的电流I_OLED的确定与晶体管M1的门限电压V_TH1或电子迁移率μ₁没有关系，所以可以校正门限电压或迁移率的偏差。同时，因为I_OLED由电流I_DATA控制，其中I_DATA是提供给OLED的电流I_OLED的M(n+1)倍，所以可以表示高灰度。此外，由于向数据线D₁至D_m提供大数据电流I_DATA，因此可以充分地获得用于对数据线充电的时间，且可以实现宽的OLED。而且，由于晶体管M1至M5是相同类型，因此可以容易地执行在玻璃基片上形成TFT的处理。

在第一实施例中，使用PMOS晶体管实现晶体管M1至M5，也可采用NMOS晶体管。在通过PMOS晶体管实现晶体管M1至M5的情况中，在图5的像素电路中，晶体管M1和M2的源极不是与电源电压VDD连接，而是被连接至基准电压，OLED的阴极与晶体管M4连接，且其阳极与电源电压VDD连接。选择信号SE_n和发射信号EM_n的波形具有图6中波形的反相形式。由于可以容易地从根据第一实施例的说明中了解采用NMOS晶体管对晶体管M1至M5的实现，将不提供进一步的说明。同时，可以通过PMOS和NMOS或具有类似功能的开关的组合来实现晶体管M1至M5。

在第一实施例中，使用来自扫描线S_n的选择信号SE_n控制晶体管M5，但也可使用来自另一扫描线的控制信号来控制该晶体管，现在将参照图7和图8来说明。

图7示出根据本发明第二实施例的像素电路的等效电路，而图8示出用于驱动图7的像素电路的驱动波形。

如图7所示，根据第二实施例的像素电路还包括图5的像素电路中的扫描线C_n。晶体管M5具有与扫描线C_n连接的栅极并响应来自扫描线C_n的控制信号CS_n，将晶体管M1的栅极连接至晶体管M2的栅极。

参照图8，由于在第一实施例中能产生晶体管M3和M5的导通和断开定时问题，控制信号CS_n先于选择信号SE_n被设置成低电平。在该情况下，可以将控制信号CS_n的延迟信号用作选择信号SE_n。

具体地，晶体管M5先被控制信号CS_n导通以连接晶体管M1的栅极和晶体管M2的栅极，且晶体管M3被选择信号SE_n导通以传输数据电流I_DATA。由高电平控制信号CS_n断开晶体管M5以使用电压对电容C1和C2充电，由高电平选择信号SE_n断开晶体管M3以截取数据电流I_DATA。由于根据第二实施例的像素电路的操作与第一实施例类似，所以将不提供其详细说明。

根据本发明，由于流经OLED的电流可以由大数据电流来控制，因此，数据线可以被充分充电达单个线路时间(single line time)，并校正门限电压或电子迁移，且可以实现具有高分辨率和宽屏幕的发光显示器。

虽然已结合实际实施例说明了本发明，但应当理解的是本发明不限于公开的实施例，而相反，它应当覆盖包含在所附权利要求的范围和精神之内的各种修改和等效结构。

Claims (21)

1、一种发光显示器，包括：

显示屏，在其上形成多个用于传输显示视频信号的数据电流的数据线、多个用于传输选择信号的扫描线和多个形成在由所述数据线和所述扫描线限定的多个像素上的像素电路，

其中至少一个像素电路包括：

发光器件，用于发射相应于所供电流的光；

第一晶体管，具有第一主电极、第二主电极和控制电极，用于为发光器件提供驱动电流；

二极管连接的第二晶体管；

第一开关，用于响应来自所述扫描线的选择信号将来自所述数据线的数据电流传输至所述第二晶体管；

第一存储器件，具有与所述第一晶体管的所述第一主电极和所述第二晶体管的所述第一主电极连接的第一端，和与所述第一晶体管的所述控制电极连接的第二端，该第二端响应第一控制信号的第一电平与所述第二晶体管的栅极连接；

第二存储器件，其响应所述第一控制信号的第二电平，连接在所述第一存储器件的所述第二端和所述第二晶体管的控制电极之间；和

第二开关，用于响应第二控制信号，连接所述第一晶体管和所述发光器件。

2、如权利要求1所述的发光显示器，其中所述发光显示器以下列顺序工作：第一间隔，用于选择所述第一控制信号和所述选择信号的所述第一电平，第二间隔，用于选择所述第一控制信号的所述第二电平，和第三间隔，用于选择所述第二控制信号。

3、如权利要求2所述的发光显示器，其中

在所述第一间隔中，将所述第二晶体管的所述控制电极的电压确定为相应于所述数据电流的第一电压；

通过数据电流的截取，将所述第二晶体管的控制电极电压从所述第一电压变为第二电压；

在第二间隔中，通过所述第一和第二存储器件的连接，将所述第一晶体管的控制电极电压确定为第三电压以在所述第一存储器件中存储第四电压；和

在第三间隔中，将相应于所述第四电压的驱动电流从所述第一晶体管传输至发光器件。

4、如权利要求1所述的发光显示器，其中

所述像素电路还包括连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制电极之间的第三开关；和

由所述第一控制信号的所述第一电平导通所述第三开关。

5、如权利要求1所述的发光显示器，其中所述第一控制信号是所述选择信号。

6、如权利要求1所述的发光显示器，其中由除了所述扫描线之外的其它信号线提供所述第一控制信号，所述第一控制信号具有比所述选择信号快的定时。

7、如权利要求1所述的发光显示器，其中所述第一晶体管的通道宽度等于或窄于所述第二晶体管的通道宽度。

8、如权利要求1所述的发光显示器，其中所述第一晶体管的通道长度等于或长于所述第二晶体管的通道长度。

9、如权利要求1所述的发光显示器，其中

所述第一存储器件是形成在所述第一晶体管的所述第一主电极和所述控制电极之间的第一电容；

所述第二存储器件是形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制电极之间的第二电容；和

由屏幕分辨率和尺寸之一来确定所述第一电容的电容值和所述第二电容的电容值。

10、如权利要求1所述的发光显示器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述门限电压之间的均匀性为高。

11、一种用于驱动发光显示器的方法，所述发光显示器具有像素电路，该像素电路包括：第一开关，用于传输来自数据线的数据电流以响应来自扫描线的选择信号，第一晶体管，具有第一主电极、第二主电极和控制电极，用于输出相应于所述数据电流的驱动电流，第一存储器件，形成在所述第一晶体管的所述第一主电极和所述控制电极之间，和发光器件，用于发射相应于来自所述第一晶体管的所述驱动电流的光，该方法包括：

将所述二极管连接的第二晶体管的控制电极连接至所述第一晶体管的所述控制电极；

将所述数据电流从所述第一开关传输至所述第二晶体管以建立所述第二晶体管的控制电极电压作为第一电压；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述控制电极之间形成第二存储器件；

截取所述数据电流以将所述第一电压改为第二电压，其中，所述第二电压反映了所述第二晶体管的门限电压；

使用所述第二电压和所述第一存储器件及第二存储器件的连接以将所述第一晶体管的所述控制电极电压从所述第一电压改为第三电压；和

将由所述第一晶体管输出的、相应于所述第三电压的驱动电流传输至所述发光器件。

12、如权利要求11所述的方法，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第一主电极与用于供应电源电压的信号连接。

13、如权利要求11所述的方法，其中所述第一晶体管的所述门限电压实质上等于所述第二晶体管的门限电压。

14、如权利要求11所述的方法，其中

所述像素电路还包括连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述控制电极之间的第二开关，且该方法还包括：

响应控制信号的使能电平，导通所述第二开关以连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述控制电极；和

响应所述控制信号的禁止电平，断开所述第二开关以把所述第二存储器件连接在所述第一和第二晶体管的所述控制电极之间。

15、如权利要求14所述的方法，其中所述控制信号是所述选择信号。

16、如权利要求11所述的方法，其中所述第一晶体管的通道宽度和通道长度的比值等于或小于所述第二晶体管的通道宽度和通道长度的比值。

17、如权利要求11所述的方法，其中所述第一存储器件的电容值和所述第二存储器件的电容值的比值根据屏幕分辨率和尺寸之一来确定。

18、一种发光显示器的显示屏，包括：

多个用于传输显示视频信号的数据电流的数据线；

多个用于传输选择信号的扫描线；

形成由所述数据线和所述扫描线限定的多个像素；和

形成在多个像素中的每一像素上的像素电路；

其中至少一个像素电路包括：

发光器件，用于发射相应于所供电流的光；

第一晶体管，具有第一主电极、第二主电极和控制电极，用于为发光器件提供驱动电流；

二极管连接的第二晶体管；

第一开关，用于响应来自所述扫描线的选择信号，将来自所述数据线的数据电流传输至所述第二晶体管；

第一存储器件，与所述第一晶体管的所述控制电极连接；和

第二存储器件，和

其中所述显示屏以下列顺序工作：

第一间隔，用于连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制电极并在第一存储器件中存储相应于来自所述第一开关的数据电流的电压，

第二间隔，用于在所述第一和第二晶体管的控制电极之间形成第二存储器件，并且截取所述数据电流以将相应于所述第二晶体管的门限电压的电压分配给所述第一和第二存储器件，和

第三间隔，用于将由所述第一晶体管输出的、相应于存储在所述第一存储器件中的电压的驱动电流传输至所述发光器件。

19、如权利要求18所述的显示屏，其中

响应第一电平的第一控制信号，连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制电极；

在所述第一间隔中，响应所述选择信号，传输数据电流至所述第二晶体管；

响应第二电平的第一控制信号，在所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述控制电极之间连接所述第二存储器件；

在所述第二间隔中，所述选择信号变成禁止电平以截取所述数据电流；和

在所述第三间隔中，响应第二控制信号，传输所述驱动电流至所述发光器件。

20、如权利要求19所述的显示屏，其中所述第一控制信号是选择信号。

21、如权利要求19所述的显示屏，其中所述第一控制信号是具有比所述选择信号的定时快的定时的信号。

Images