CN1361510A - 有机电发光显示器及其驱动方法和像素电路 - Google Patents

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Abstract

公开一种有机电发光显示器和像素电路,包括:有机电发光元件,用于对应于所提供的电流进行发光;第一开关,用于响应于提供到扫描线的选择信号切换提供到数据线的数据电压;第一薄膜晶体管,用于响应于经过第一开关提供到第一薄膜晶体管栅极的数据电压,向有机电发光元件提供电流;第二薄膜晶体管,其栅极连接到第一薄膜晶体管的栅极,用于补偿第一薄膜晶体管的阈值电压偏差;以及电容,用于在预定时间期间维持提供到第一薄膜晶体管的栅极的数据电压。

Description

有机电发光显示器及其驱动方法和像素电路
                          技术领域
本发明涉及一种电发光(EL)显示器及EL显示器的驱动方法和EL显示器的像素电路。更具体地说，本发明涉及一种有机电发光显示器(OELD)及其驱动方法和一用于补偿薄膜晶体管(TFT)的阈值电压偏差以及当通过利用TFT驱动OELD中的像素时实现高灰度级显示的像素电路。
                          背景技术
通常，OELD以电方式激励萤光有机化合物以便发光，并对数量为(N×M)个的有机电发光单元进行电压驱动或电流驱动以显示图像。如图1中所示，有机发光单元包括：一阳极(ITO)、有机薄膜以及阴极层(金属)。有机薄膜为多层，包括发射层(EML)、电子输送层(ETL)以及空穴输送层(HTL)，以便在电子浓度和空穴浓度之间实现良好的均衡，以此提高发射效率，另外该有机薄膜包括电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。
如上所述的驱动有机单元的方法分类为无源阵列法和有源阵列法。无源阵列法形成与各负电极垂直的各正电极，并选择和驱动各线；而有源阵列法将TFT和电容连接到每一ITO像素电极，使得可以依据电容维持电压。
图2表示利用TFT驱动OELD的常规像素电路，其示出在数量为(N×M)个的像素中的一个像素。参照图2，电流驱动晶体管(Mb)连接到OELD并提供电流以便发光。利用切换晶体管(Ma)提供的数据电压控制通过该电流驱动晶体管(Mb)的电流。在这种情况下，一电容连接在电流驱动晶体管(Mb)的源极和栅极之间，该电容用于维持在预定的帧周期期间提供的电压。切换晶体管(Ma)的栅极响应于第n选择信号线SELect[n]，而源极响应于数据线Data[m]。
参照图3，对于具有上述结构的像素的操作，当通过提供到切换晶体管(Ma)的栅极的选择信号SELect[n]使晶体管(Ma)导通时，数据电压VDATA经过一数据线提供到晶体管(Mb)的栅极(节点A)。响应于提供到该栅极的数据电压VDATA，电流经过晶体管(Mb)流到OELD以便发光。
在这种情况下，流过OELD的电流按下式表示
式1： I OELD = β 2 · ( V GS - V TH ) 2 = β 2 · ( V DD - V DATA - V TH ) 2
其中IOELD代表流过OELD的电流，VGS代表晶体管(Mb)的源极和栅极之间的电压，VTH代表晶体管(Mb)的阈值电压，VDATA代表数据电压，β代表一常数。
如式1所表示的和按照图2中所示的像素电路，将对应于数据电压VDATA的电流提供到OELD，并OELD响应于提供的电流进行发光。在这种情况下，数据电压VDATA具有处于预定范围内的多级数值，以便显示灰度。
然而，常规的像素电路难于实现高灰度级，这是因为由其制造过程产生的固有的TFT的阈值电压VDH偏差。例如，在利用处于3伏范围内的数据电压驱动TFT像素的情况下，两个代表相邻灰度值的数据电压彼此必须分开约12毫伏(＝3伏/256)，以便实现8位(256)灰度级。如果阈值电压偏差为100毫伏，则使数据电压难于彼此鉴别，从而导致灰度级下降。
                          发明内容
本发明的目的是提供一种用于补偿TFT阈值电压偏差和显示高灰度级的OELD。
根据本发明的一个方面的OELD，包括：多条数据线，用于传输用于显示图像信号的数据电压；多条扫描线，用于传输选择信号；以及多个像素电路，分别形成在数据线和扫描线限定的多个像素上；各像素电路包括：有机EL元件，用于对应于所提供的电流进行发光；第一开关，用于响应于提供到扫描线的选择信号切换提供到数据线的数据电压；第一TFT，用于响应于经过第一开关提供到TFT栅极的数据电压，向有机EL元件提供电流；第二TFT，其栅极连接到第一TFT的栅极，用于补偿第一TFT的阈值电压偏差；以及电容，用于在预定时间期间维持提供到第一TFT的栅极的数据电压。
根据本发明的一个方面的方法，驱动一OELD，该OELD包括：多条数据线、与数据线交叉的多条扫描线以及多个阵列型像素，该像素具有在由数据线和扫描线限定的区域中形成的TFT并向有机EL元件提供电流，该用于驱动OELD的方法包括步骤：向数据线提供用于显示图像信号的数据电压；顺序地向扫描线提供用于选择一像素行的选择信号；响应于选择信号切换提供到数据线的数据电压，并补偿所提供的数据电压，以降低TFT的阈值电压偏差的影响；以及向TFT的栅极传输经补偿的数据电压和向有机EL元件提供电流。
此外，该方法还包括一步骤：响应一控制信号将向TFT的栅极提供的数据电压初始化。
根据本发明的一个方面的OELD像素电路形成在由多条数据线和扫描线限定的多个像素上，该OELD像素电路包括：有机电发光(OEL)元件；第一薄膜晶体管(TFT)，其漏极连接到有机EL元件；第二TFT，其栅极连接到第一TFT的栅极，第二TFT的栅极和漏极连接在一起；第一开关，其控制端连接到扫描线，其第一端和第二端分别连接到数据线和第二TFT的源极；以及一电容，连接在第一TFT的栅极和源极之间。
                          附图说明
包含在说明书中并构成其一部分的附图表示本发明的一个实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理，其中
图1表示通常的有机EL元件的示意图；
图2表示用于驱动有机EL元件的常规的像素电路；
图3表示常规的像素电路的时序图；
图4表示根据本发明的一个优选实施例的OELD装置；
图5表示根据本发明的一个优选实施例的像素电路；
图6表示根据本发明的第一优选实施例的像素电路；
图7表示根据本发明的第二优选实施例的像素电路；
图8(a)和8(b)表示图6所示的像素电路的时序图；
图9表示图7所示的像素电路的时序图；
图10表示根据本发明的第三优选实施例的像素电路；
图11(a)和11(b)表示图10所示的像素电路的时序图；
图12表示根据本发明的第四优选实施例的像素电路；
图13表示根据本发明的第五优选实施例的像素电路；
图14表示根据本发明的第六优选实施例的像素电路；
图15表示根据本发明的第七优选实施例的像素电路；
图16和17表示图14和15所示的像素电路的时序图；
图18表示根据本发明的第八优选实施例的像素电路；
图19表示根据本发明的第九优选实施例的像素电路；
图20表示根据本发明的优选实施例的有机EL元件的配置图；以及
图21表示关于断面线A-B的图20的横断面图。
                          具体实施方式
在如下的详细说明中，通过简单地对本发明人实施本发明时的所考虑的最佳方式进行说明，仅表示和说明本发明的优选实施例。将会认识到在不脱离本发明的情况下，能在各个方面对进行本发明改进。因此，附图与说明书应被看作是说明性的而不是限定性的。
图4表示根据本发明的一个优选实施例的OELD。
如图所示，该OELD包括：OELD面板10、数据驱动器30以及扫描驱动器20。
OELD面板10包括：多条数据线D1到Dy，用于传输用于显示图像信号的数据电压；多条扫描线S1到Sz，用于传输选择信号；以及像素电路11，形成在由数据线和扫描线所围绕的多个像素中的每个像素上。
数据驱动器30向数据线提供用于显示图像信号的数据电压，扫描驱动器20顺序地向扫描线提供选择信号。
图5表示根据本发明的一优选实施例的像素电路11。
如图所示，该像素电路11包括：OELD、TFT M1和M2、开关S1和S2以及电容C1。
OELD对应于所提供的电流进行发光，电流驱动晶体管M1的源极连接到电源电压VDD，漏极连接到OELD并向OELD提供一对应于经过数据线向晶体管M1的栅极提供的数据电压的电流。
晶体管M2的栅极连接到晶体管M1的栅极，晶体管M2的栅极和漏极相连接，晶体管M2起一个二极管的作用。晶体管M2补偿用于提供电流的M1的阈值电压偏差。根据5图中所示的像素电路，电流驱动晶体管M1和阈值电压补偿晶体管M2是按PMOS型TFT构成的，但是也可以按NMOS型TFT构成，下面将进行介绍。
连接在电源电压VDD和晶体管M1的栅极之间的电容C1在预定时间期间维持向晶体管M1的栅极提供的数据电压。
开关S1响应于利用扫描线提供的选择信号SELect[n]进行切换，并经过晶体管M2将提供到数据线的数据电压传输到电流驱动晶体管M1。开关S2响应于一复位信号将晶体管M1的栅极电压初始化。
下面介绍根据本发明的优选实施例的如图5中所示的像素电路的操作。
当按照提供到开关S1的选择信号SELect[n]使开关S1导通时，经过晶体管M2将提供到数据线的数据电压VDATA提供到电流驱动晶体管M1的栅极(节点A)，并响应于提供到该栅极的数据电压VDATA，电流经过晶体管M1流到OELD以便发光。
在这种情况下，流到OELD的电流按下式表示：
式2 I OELD = β 2 · ( V GS - V TH 1 ) 2 = β 2 · ( V DD - ( V DATA - V TH 2 ) - V TH 1 ) 2
其中IOELD代表流过OELD的电流，VGS代表晶体管M1的源极和栅极之间的电压，VTH1代表晶体管M1的阈值电压，VTH2代表晶体管M2的阈值电压，VDATA代表数据电压，β代表一常数。
在这种情况下，如果晶体管M1和M2的阈值电压是相同的，即，VTH1＝VTH2，则可以用式3表示：
根据本发明的优选实施例，由于晶体管M1和M2是在几乎相同的操作条件下制造的，两个晶体管的阈值电压偏差是极小的，因此，阈值电压实际上看成是相同的。
式3 I OELD = β 2 · ( V DD - V DATA ) 2
因此，根据本发明的优选实施例，如由式3所示，OELD流过与提供到数据线的数据电压相对应的电流，而与电流驱动晶体管M1的阈值电压无关。即，由于晶体管M2补偿了电流驱动晶体管M1的阈值电压偏差，晶体管M1可以精确地控制流过OELD的电流，因此，提供了具有高灰度级的OELD。
当在前一帧周期期间的数据处在高电平电压和下一帧周期期间的数据处在低电平电压时，由于晶体管M2的二极管连接特性，就不再向节点A提供数据电压。因此，可设置开关S2，以便在每一帧周期内按照预定的电平(例如地电平)初始化。在这种情况下，可以利用一附加的复位信号或利用刚刚在此之前的选择信号SELect[n-1]驱动晶体管M2，以增加OELD的像素的孔径比。
图6表示根据本发明的第一优选实施例的OELD的像素电路。如图所示，该像素电路以与图5中所示的像素电路相似的方式包括：为PMOS晶体管的电流驱动晶体管M1和阈值电压补偿晶体管M2、PMOS晶体管M3和M4的开关S1和S2。
另外，将一附加复位信号Reset提供到晶体管M4的栅极，用于将晶体管M1的栅极电压复位。
图8(a)和8(b)表示用于驱动图6所示的像素电路的时序图。
参照图8(a)，利用一初始复位信号将节点A初始化，利用选择信号SELect[n]选择一对应的像素，并将数据信号Data[m]提供到该对应的像素。即，按照图8(a)中所示的驱动方法，按照复位信号、选择信号和数据信号的次序将各信号提供到各对应的晶体管。
详细地说，将外部复位信号Reset提供到晶体管M4的栅极，以便将节点A初始化到地电位，将选择信号SELect[n]提供到晶体管M3的栅极，以便激励该对应的像素。将数据信号Data[m]提供到该激励的晶体管M3的源极，以便驱动电流驱动晶体管M1。在这种情况下，经过电流驱动晶体管M1流到OELD的电流，按式3表示。
利用图8(a)和8(b)的时间关系图，可以驱动根据本发明的第一优选实施例的利用外部复位信号Reset的像素电路。
参照图8(b)，利用一初始复位信号Reset将节点A初始化，将数据信号Data[m]提供到数据线并利用选择信号SELect[n]选择一对应的像素。即，按照图8(b)中所示的驱动方法，按照复位信号、数据信号和选择信号的次序将各信号提供到对应的晶体管。
图7表示根据本发明的第二优选实施例的OELD的像素电路。除了晶体管M4的栅极连接到一先前的扫描线以外，根据该第二优选实施例的像素电路几乎与图6中所示的OELD的像素电路相同。即，根据该第二优选实施例的像素电路利用该先前的扫描线的选择信号SELect[n-1]，取代外部复位信号Reset，并将选择信号SELect[n-1]提供到晶体管M的栅极。
如上所述，当不需要附加的外部复位信号Reset时，就不需要用于传输复位信号附加的引线，因此，可以提高像素的孔径比。
图9表示根据该第二优选实施例的像素电路的时序图。
如所图示，根据用于利用扫描信号复位节点A的该第二优选实施例，必须按照先前的选择信号(复位信号)、数据信号和当前的选择信号的次序将各信号提供到各对应的晶体管。即，必须在当前的选择信号SELect[n]提供到扫描线之前将数据电压提供到数据线。
若在提供当前的数据电压之前提供选择信号SELect[n]，如图8(a)中所示，将提供到数据线的先前的数据电压经过晶体管M3提供到电流驱动晶体管M1。因此，必须在将当前的数据电压提供到数据线之后，将选择信号提供到数据线。
图10表示根据本发明的第三优选实施例的OELD的像素电路。图11(a)和11(b)表示图10所示的像素电路的时序图。如图10中所示，根据本发明的第三优选实施例的像素电路包括：与图6和7不同的NMOS型晶体管M5到M8，并且其结构与图6和7所示的像素电路对称。
由于本领域的技术人员根据对图6和7所作的介绍，可以易于理解图10所示的像素电路的操作和图11(a)和11(b)所示的时序图，所以不再重复进行介绍。
图12表示根据本发明的第四优选实施例的OELD的像素电路。
如图所示，除了取代地电压将预充电电压Vpre提供到切换晶体管M4的漏极以外，根据该第四优选实施例的像素电路几乎与图6和7中所示的OELD的像素电路相同。如上所述，当取代地电平将预充电电压电平Vpre提供到切换晶体管M4的漏极时，节点A的初始电压可以增加到预充电电压电平Vpre，因此，晶体管的切换时间和功能消耗可以降低。在这种情况下，最好建立稍低于提供到节点A的最小电压的预充电电压Vpre，该最小电压与提供到数据线的最小电压及最大灰度值(即白电平)相对应。
图13表示根据本发明的第五优选实施例的OELD的像素电路。
如图所示，除了切换晶体管M4的漏极和栅极相互连接，起一个二极管作用及晶体管M4的栅极(即二极管的输入端)连接到外部复位信号端或先前的扫描线以外，根据该第五优选实施例的像素电路几乎与图6和7中所示的像素电路相同。
如图所示，根据该优选实施例，还可以利用连接到二极管的晶体管M4对节点A进行初始化，以及当利用复位信号或先前的选择信号取代地电压或预充电电压时，由于不需要形成附加的接地引线和预充电引线，引线的总量降低而孔径比增加。
图14表示根据本发明的第六优选实施例的OELD的像素电路。
如图所示，除了使用NMOS晶体管M9取代PMOS晶体管M4以外，根据该第六优选实施例的像素电路几乎与图6中所示的像素电路相同。将外部复位信号提供到晶体管M9的栅极。
参照图6，当向作为PMOS晶体管的切换晶体管M4提供复位信号时，在复位操作中将预定的电压(例如地电平)提供到晶体管M4的栅极，并且由于这一复位操作使晶体管M4的源极(节点A)电压持续降低。因此，晶体管M4的栅极和源极之间的电压VGS持续降低，从节点A经过晶体管M4流到地的电流或预充电电压持续降低，需要明显的复位时间。此外，由于晶体管M4的栅极和源极之间的电压差必须大于阈值电压Vth的绝对值，当假设在复位操作中提供的复位信号是地电压时，节点A的实际最低电压变为|Vth|。
与此不同，根据第六优选实施例的像素电路，由于使用NMOS晶体管作为切换晶体管M9，可能实现的节点A的最低电压几乎为地电平，因此，可以加宽显示灰度值的数据电压的范围，另外，与图6不同由于晶体管M9的栅极和源极之间的电压VGS是恒定的，从节点A经过晶体管M4流到地的电流或预充电电压是恒定的，因此可以快速地执行复位操作。
图16表示根据本发明的第六优选实施例的用于驱动像素电路的时间关系图。如图所示，由于在根据第六优选实施例的像素电路中，向作为NMOS晶体管的晶体管M9的栅极提供复位信号，复位信号的波形与图8(a)中所示的复位信号的波形相反。
由于本领域的技术人员可以易于理解图14中所示的像素电路的操作和图16所示的时间关系图，故不重复进行介绍。
图15表示根据本发明的第七优选实施例的OELD的像素电路。图17表示图15所用的驱动波形的时序图。
如图15中所示，除了将先前的扫描线连接到作为NMOS晶体管的晶体管M9的栅极，将先前的选择信号SELect[n]用作复位信号以及作为NMOS晶体管的晶体管M10的栅极连接到扫描线以外，根据该第七优选实施例的像素电路具有几乎与图14中所示的像素电路相同的结构。
当将耦合到NMOS晶体管M9的栅极的先前的选择信号用作复位信号时，用于切换数据电压的晶体管必须是NMOS晶体管。
如图17中所示，由于根据本发明的第七优选实施例的像素电路利用先前的选择信号复位节点A，必须按照先前的选择信号(复位信号)、数据信号和当前的选择信号的次序将信号提供到各对应的晶体管。
图18和19表示根据本发明的第八和九优选实施例的OELD的像素电路。
图18和19中所示的像素电路中的PMOS晶体管和NMOS晶体管是与按照图14和15中所示的像素电路中的PMOS晶体管和NMOS晶体管对称变化的。
由于本领域的技术人员根据上述介绍可以易于理解图18和19中所示的像素电路的操作，故不重复进行介绍。
下面介绍根据本发明的优选实施例的OELD的配置图和横断面图。
图20表示OELD的配置图，更准确地说，表示图13中所示的像素电路的配置。
图21表示关于断面线A-B的图20的横断面图。
参照图20和21，区域I、II、III和V分别定义为用于在其上形成TFT M3、M2、M1和M4的区域以及区域IV定义为用于在其上形成OELD的区域。
如图20和21中所示，多晶硅(多-硅)层200形成在一透明绝缘衬底100上，在其上形成SiO2或SiNx的栅极隔离层300。
Al和Cr的扫描线400沿水平方向在栅极隔离层300上按图形形成与多晶硅层200相交叉。栅极电极410分别形成在其中扫描线400与在区域I和V中的多晶硅层200重叠的部分上。此外，在同一层上按图形形成第一电容电极450，其材料与扫描线400相同。栅极电极410分别形成在其中第一电容电极450与在区域II和III中的多晶硅层200重叠的部分上。
在这种情况下，在栅极电极410之下多晶硅层200的部分是未掺杂的，形成沟道区220。在多晶硅层200中的沟道区220的两个外侧掺杂p型掺杂剂并分别形成漏极区230和源极区210。
SiO2或SiNx的隔离夹层500形成在栅极层例如扫描线400或第一电容电极450的顶部，栅极隔离层300和隔离夹层500具有触孔C1和C2以便露出源极区210和漏极区230。
Cr或Mo的数据线600沿垂直方向形成在夹层500上。从数据线600延伸的和与在区域I即源极区210中的多晶硅层200的部分重叠的部分变为源极电极610。在这种情况下，源极电极610经过形成在夹层500上的触孔C1连接到源极区210。
此外，用于形成电容的重叠在第一电容电极450上的第二电容电极650形成在一与数据线600的对应部分相同的层上，其材料与数据线600相同。一其中第二电容电极650与在区域III中的多晶硅层200的部分重叠的部分，即源极区210变为源极电极610。在这种情况下，源极电极610经过触孔C1连接到源极区210。
第一到第四信号线640、660、670和680形成在与数据线600相同的层上，其材料与数据线600相同。一其中第一信号线640与在区域II中的多晶硅层200的部分重叠的部分，即漏极区230变为漏极电极620；一其中第二信号线660与在区域V中的多晶硅层200的部分重叠的部分，变为源极电极610。一其中第三信号线670与在区域V中的漏极区230重叠的部分，变为漏极电极620；以及一其中第四信号线680与在区域III中的漏极区230重叠的部分，变为漏极电极620。在这种情况下，源极电极610和漏极电极620分别经过触孔C1和C2连接到源极区210和漏极区230。
第一和第二信号线640和660经过触孔C3连接到第一电容电极450上，因此，如图13中所示，晶体管M2的漏极电极连接到晶体管M2和M1的栅极电极以及晶体管M4的源极电极。第三信号线670经过触孔C3连接到先前的扫描线SELect[n-1]上，因此，如图3中的等值电路所示，晶体管M4的漏极电极连接到先前的扫描线上。
SiO2或SiNx的钝化层700在形成数据引线例如数据线600以及源极电极610和漏极电极620上。铟锡氧化物(ITO)的透明像素电极800形成在一在区域IV上形成的保护隔离层700上。像素电极800通过形成在钝化层700上的触孔C4连接到TFT M1的漏极电极620上。
平整层900形成在保护隔离层700和像素电极800上，有机EL元件1000形成在平整层900和像素电极800上。
按照在图20中所示的OELD，TFT M1和M2提供在与数据线600平行的一条线上。在制造OELD时，激光束以平行方式扫描各数据线。由于根据本发明的优选实施例，TFT M1和M2位于在与数据线600平行的一条线上，它们被相同的激光束扫描。因此，由于TFT M1和M2是按照几乎相同的操作条件制造的，它们的阈值电压变得几乎相同。
因此，根据本发明的优选实施例，由于满足VTH1＝VTH2，实际上满足式3，可以实现高灰度级的OELD。
如图20和21中所示OELD的配置图和横断面图代表一个示范性的实施例，可以实现该实施例的各种变化。
例如，在制造OELD时，利用激光束以平行方式扫描各数据线，TFT M1和M2可以位于在与扫描线平行的用相同的激光束扫描的一条线上。
如上所述，本发明有效地补偿了用于驱动OELD的TFT阈值电压偏差并实现高灰度级的OELD。
虽然，已结合目前被认为是最实用和优选的实施例介绍了本发明，但应理解，本发明并不局限于所公开的实施例，而且相反，其意在覆盖包含在所提出的权利要求的构思和范围内的各种改进和等效配置。

Claims (32)

1.一种有机电发光显示器(OELD)，包括：
多条数据线，用于传输用于显示图像信号的数据电压；
多条扫描线，用于传输选择信号；以及
多个像素电路，分别形成在由数据线和扫描线限定的多个像素上；
每个像素电路包括：
有机电发光(EL)元件，用于对应于所提供的电流进行发光；
第一开关，用于响应于提供到扫描线的选择信号切换提供到数据线的数据电压；
第一薄膜晶体管(TFT)，用于响应于经过第一开关提供到第一TFT栅极的数据电压，向有机EL元件提供电流；
第二TFT，其栅极连接到第一TFT的栅极，用于补偿第一TFT的阈值电压偏差；以及
电容，用于在预定时间期间维持提供到第一TFT的栅极的数据电压。
2.根据权利要求1所述的有机电发光显示器，其中该有机电发光显示器还包括第二开关，用于响应一控制信号将向第一TFT的栅极提供的数据电压初始化。
3.根据权利要求2所述的有机电发光显示器，其中该控制信号是一附加的外部复位信号。
4.根据权利要求2所述的有机电发光显示器，其中该控制信号是一先前的扫描线的选择信号。
5.根据权利要求4所述的有机电发光显示器，其中在向像素提供选择信号之前将数据电压提供到数据线。
6.根据权利要求2所述的有机电发光显示器，其中第二TFT的栅极和漏极连接在一起。
7.根据权利要求2所述的有机电发光显示器，其中第一开关是第三TFT，该第三TFT的栅极连接到扫描线，源极(或漏极)连接到数据线，漏极(或源极)连接到第二TFT的源极(或漏极)；第二开关是第四TFT，该第四TFT的栅极连接到控制信号，源极(或漏极)连接到第一TFT的栅极，向漏极(或源极)提供用于复位的预定电压。
8.根据权利要求7所述的有机电发光显示器，其中向第四TFT的漏极提供的的预定电压是地电压。
9.根据权利要求7所述的有机电发光显示器，其中向第四TFT的漏极提供的的预定电压是预充电电压。
10.根据权利要求9所述的有机电发光显示器，其中按边界将预充电电压设置得小于向第一TFT的栅极提供的最小数据电压以便代表最大灰度值。
11.根据权利要求7所述的有机电发光显示器，其中第四TFT的栅极和漏极连接在一起。
12.根据权利要求7所述的有机电发光显示器，其中第一到第四TFT具有相同的导电类型。
13.根据权利要求7所述的有机电发光显示器，其中第一到第三TFT为第一导电类型的晶体管，第四TFT为第二导电类型的晶体管，其具有的极性与第一导电类型的晶体管具有的极性相反。
14.根据权利要求7所述的有机电发光显示器，其中第一和第二TFT为第一导电类型的晶体管，第三和第四TFT为第二导电类型的晶体管，它们具有的极性与第一导电类型的晶体管具有的极性相反。
15.根据权利要求1所述的有机电发光显示器，其中第一和第二TFT具有几乎相同的阈值电压。
16.根据权利要求15所述的有机电发光显示器，其中第一和第二TFT与数据线或扫描线并联并形成在同一条线上。
17.一种用于驱动一有机电发光显示器(OELD)的方法，该OELD包括：多条数据线、与数据线交叉的多条扫描线以及多个阵列型像素，该像素具有在由数据线和扫描线限定的区域中形成的TFT并向有机EL元件提供电流，
该用于驱动OELD的方法包括步骤：向数据线提供用于显示图像信号的数据电压；
顺序地向扫描线提供用于选择一像素行的选择信号；
响应于选择信号切换提供到数据线的数据电压，并补偿所提供的数据电压，以降低TFT的阈值电压偏差；以及
向TFT的栅极传输经补偿的数据电压和向有机EL元件提供电流。
18.根据权利要求17所述的方法，其中该方法还包括步骤：响应一控制信号将向该TFT的栅极提供的数据电压初始化。
19.根据权利要求18所述的方法，其中该控制信号是一附加的外部复位信号。
20.根据权利要求18所述的方法，其中该控制信号是一先前的扫描线的选择信号。
21.根据权利要求20所述的方法，其中在向扫描线提供选择信号之前将数据电压提供到数据线。
22.一种有机电发光显示器(OELD)像素电路，形成在由多条数据线和扫描线限定的多个像素上，该OELD像素电路包括：
有机电发光(EL)元件；
第一薄膜晶体管(TFT)，其漏极连接到有机EL元件；
第二TFT，其栅极连接到第一TFT的栅极，第二TFT的栅极和漏极连接在一起；
第一开关，其控制端连接到扫描线，其第一端和第二端分别连接到数据线和第二TFT的源极；
以及一电容，连接在第一TFT的栅极和源极之间。
23.根据权利要求22所述的像素电路，该像素电路还包括第二开关，其具有一向其提供控制信号的控制端，连接到第二TFT的漏极的第一端，以及一向其提供预定电压的第二控制端。
24.根据权利要求23所述的像素电路，其中将一附加的外部复位信号提供到第二开关的控制端。
25.根据权利要求23所述的有机电发光显示器，其中一先前的扫描线连接到第二开关的控制端。
26.根据权利要求23所述的像素电路，其中第一开关是第三TFT，该第三TFT的栅极连接到扫描线，源极(或漏极)连接到数据线，漏极(或源极)连接到第二TFT的源极(或漏极)；第二开关是第四TFT，该第四TFT的栅极连接到控制信号，源极(或漏极)连接到第一TFT的栅极，向漏极(或源极)提供用于复位的预定电压。
27.根据权利要求26所述的像素电路，其中第四TFT的栅极和漏极连接在一起。
28.根据权利要求26所述的像素电路，其中第一到第四TFT具有相同的导电类型。
29.根据权利要求26所述的像素电路，其中第一到第三TFT为第一导电类型的晶体管，第四TFT为第二导电类型的晶体管，其具有的极性与第一导电类型的晶体管具有的极性相反。
30.根据权利要求26所述的像素电路，其中第一和第二TFT为第一导电类型的晶体管，第三和第四TFT为第二导电类型的晶体管，它们具有的极性与第一导电类型的晶体管具有的极性相反。
31.根据权利要求22所述的像素电路，其中第一和第二TFT具有几乎相同的阈值电压。
32.根据权利要求3所述的有机电发光显示器，其中第一和第二TFT与数据线或扫描线并联并形成在同一条线上。
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