CN101192369B

CN101192369B - 一种显示装置及其像素的驱动方法

Info

Publication number: CN101192369B
Application number: CN2006101639639A
Authority: CN
Inventors: 郭鸿儒; 曾名骏; 黄建翔
Original assignee: QIJING PHOTOELECTRIC CO Ltd; Chi Mei Optoelectronics Corp
Current assignee: QIJING PHOTOELECTRIC CO Ltd; Chi Mei Optoelectronics Corp; Chi Mei EL Corp
Priority date: 2006-11-30
Filing date: 2006-11-30
Publication date: 2011-04-27
Anticipated expiration: 2026-11-30
Also published as: CN101192369A

Abstract

本发明公开了一种显示装置及其像素的驱动方法。显示装置至少包括一像素，像素包括发光元件及晶体管。晶体管用以控制发光元件的工作电流。首先，预设晶体管的控制端电位等于一预设电压。接着，输入一像素数据电压至晶体管的第一端或第二端，使得预设电压改变为一重置后电压，而重置后电压依据像素数据电压及临限电压而得跟着，设定晶体管的控制端的电位为一设定后电压，而设定后电压依据重置后电压及一参考电压信号而得。最后，根据设定后电压输出作电流至发光元件。具有改善有机发光显示器画面质量、加速有机发光显示器的画面反应速度、使得数据驱动器输出的像素数据电压及像素所耦接的电源电压更有较大的操作范围的优点。

Description

一种显示装置及其像素的驱动方法

技术领域

本发明是有关于一种像素及其驱动方法，且特别是有关于一种降低扫描信号的周期时间的一种显示装置及其像素的驱动方法。

背景技术

请参照图1，其绘示为传统像素的电路图。传统像素10包括有机发光二极管(0rganic Light Emitting Diode，OLED)D1、电容C1、电容C2、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3及晶体管Q4。晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3及晶体管Q4为P型薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。晶体管Q2用以输出工作电流I1至有机发光二极管D1。有机发光二极管D1的负端耦接至电源电压Vss1，而有机发光二极管D1的正端耦接至晶体管Q1的漏极端。晶体管Q1的栅极端用以接收一MRG信号，而晶体管Q1的源极端与晶体管Q2的漏极端及晶体管Q3的源极端耦接。晶体管Q4的栅极端用以接收一重置信号RST。

晶体管Q2的源极端耦接至电源电压Vdd1及电容C2的一端，而晶体管Q2的栅极端耦接至电容C2的另一端、晶体管Q4的漏极端及电容C1的一端。电容C1的另一端耦接至晶体管Q3的源极端，而晶体管Q3的栅极端用以接收一扫描信号SCT(n)，且晶体管Q3的漏极端用以接收一DAT信号。

请结合参照图2，图2绘示为传统像素的时序图。为了补偿晶体管的临限电压(Threshold Voltage，Vth)对工作电流所造成的影响，上述MRG信号、重置信号RST、扫描信号SCT(n)及DAT信号的时序图将如图2所示，依序致能晶体管Q1、晶体管Q3及晶体管Q4。并使得晶体管Q2的栅极端电压Vg2于周期T1内重置为Vdd1-Vth。

当晶体管Q2的栅极端电位Vg2重置为Vdd1-Vth后，晶体管Q3的漏极端并于周期T2内接收一DAT信号，DAT信号为欲写入的像素数据电压Vdata。而晶体管Q2于周期T2过后，输出一工作电流I1至有机发光二极管D1。由于晶体管Q2的栅极端电位Vg2预先重置为Vdd1-Vth，因此，晶体管Q2于输出工作电流I1时，工作电流I1将不受临限电压Vth的影响。

然而，虽然像素数据电压Vdata的周期长度等于周期T2，而扫描信号SCT(n)的周期长度却等于周期T1加上周期T2。扫描信号SCT(n)的周期长度过长将使得画面反应速度过慢，而无法应用于高解析度或大尺寸面板的显示器。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在于提供一种缩短扫描信号的周期长度的显示装置及其像素的驱动方法。

根据本发明的目的，本发明提出一种显示装置。显示装置包括至少一像素，像素包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、重置电路及电容。第一晶体管用以输出工作电流至发光元件。第二晶体管用以根据电源开关信号输入第一电源电压至第一晶体管的第一端。第三晶体管根据目前扫描信号输入像素数据电压至第一晶体管的第二端。重置电路用以重置第一晶体管的控制端的电位为重置后电压，且重置后电压依据像素数据电压及临限电压而得。

电容的一端耦接至第一晶体管的控制端，且电容的另一端耦接至参考电压信号，以设定第一晶体管的控制端的电位等于一设定后电压，且设定后电压依据重置后电压及参考电压信号而得。第一晶体管根据设定后电压以输出工作电流至发光元件。

根据本发明的目的，本发明提出一种显示装置。显示装置至少包括一像素，像素包括发光元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、重置电路及电容。第一晶体管用以输出工作电流至发光元件。第二晶体管用以根据电源开关信号输入第一电源电压至第一晶体管的第一端。第三晶体管根据目前扫描信号输入像素数据电压至第一晶体管的第一端。重置电路用以重置第一晶体管的控制端的电位为重置后电压，且重置后电压依据像素数据电压及临限电压而得。

电容的一端耦接至第一晶体管的控制端，且电容的另一端耦接至参考电压信号，以设定第一晶体管的控制端的电位等于一设定后电压，且设定后电压依据重置后电压及参考电压信号而得。

根据本发明的目的，本发明提出一种显示装置的像素的驱动方法。像素至少包括发光元件及晶体管，晶体管用以控制发光元件的工作电流。像素的驱动方法包括如下步骤：首先，预设晶体管的控制端电位实质上等于一预设电压。接着，输入像素数据电压至晶体管的第一端或第二端，使得预设电压改变为重置后电压，重置后电压依据像素数据电压及临限电压而得。跟着，设定晶体管的控制端的电位为一设定后电压，设定后电压依据重置后电压及参考电压而得。最后，根据设定后电压输出工作电流至发光元件。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下面特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明。其中：

图1绘示为传统像素的电路图。

图2绘示为传统像素的时序图。

图3绘示为本发明第一种显示装置的示意图。

图4绘示为依照本发明第一实施例的第一种像素结构的电路图。

图5绘示为第一种时序图。

图6绘示为其绘示为本发明第二种显示装置的示意图。

图7绘示为依照本发明第二实施例的第二种像素结构的电路图。

图8绘示为第二种时序图。

图9绘示为依照本发明第三实施例的第三种像素结构的电路图。

图10绘示为依照本发明第四实施例的第四种像素的电路图。

图11绘示为第三种时序图。

图12绘示为依照本发明第五实施例的第五种像素结构的电路图。

图13绘示为依照本发明第六实施例的第六种像素结构的电路图。

图14绘示为依照本发明第七实施例的第七种像素结构的电路图。

图15绘示为本发明显示装置的像素的驱动方法的流程图。

图中主要元件符号说明如下：

Q1、Q2、Q3、Q4、MP1、MP2、MP3、MP4、MP5：晶体管；

C1、C2、C3：电容；

D1：有机发光二极管；

D2：发光元件；

10：传统像素；

210：依照本发明较佳实施例的像素；

210(1～)～210(7)：像素结构；

30：数据驱动器；

40：扫描驱动器；

50、60：显示装置；

212：重置电路；

310：数据线；

410：扫描线。

具体实施方式

请参照图3，其绘示为本发明第一种显示装置的示意图。显示装置50例如为有机发光显示器，且显示装置50包括数据驱动器30、数据线310、扫描驱动器40、扫描线410及像素210。扫描驱动器40经由扫描线410依序输出扫描信号SCT(n)，以驱动各列像素210，而n＝1～N。数据驱动器30于扫描驱动器40驱动像素210后，经由数据线310写入像素数据电压Vdata至像素210，以显示对应的画面亮度。

第一实施例

请参照图4，其绘示为依照本发明第一实施例的第一种像素结构的电路图。第一种像素结构210(1)包括重置电路212、第一晶体管MP1、第二晶体管MP2、第三晶体管MP3、发光元件D2及电容C3。重置电路212用以补偿第一晶体管MP1的临限电压(Threshold Voltage，Vth)，而重置电路212于此实施例中为第五晶体管MP5。第一晶体管MP1、第二晶体管MP2、第三晶体管MP3及第五晶体管MP5例如为P型薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，而发光元件D2 例如为有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。

发光元件D2的负端耦接至电源电压Vss2，而发光元件D2的正端与第一晶体管MP1的漏极端及第五晶体管MP5的源极端耦接。

第五晶体管MP5的栅极端接收一重置信号RST，并配合其他晶体管动作，以重置第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1＝Vdata-Vth，而Vdata-Vth即为一重置后电压，且Vth为第一晶体管MP1的临限电压。而第五晶体管MP5的漏极端与电容C3的一端及第一晶体管MP1的栅极端耦接。且电容C3的另一端接收一参考电压信号Vref。

第一晶体管MP1的源极端与第三晶体管MP3的源极端及第二晶体管MP2的漏极端耦接。而第三晶体管MP3的栅极端耦接至对应的扫描线410，以接收目前扫描信号SCT(n)。举例来说，当第一种像素结构210(1)位于有机发光显示器50的第1列时，接收目前扫描信号SCT(1)，而当第一种像素结构210(1)位于有机发光显示器50的第2列时，接收目前扫描信号SCT(2)，以此类推。且第三晶体管MP3的漏极端耦接至对应的数据线310，以接收像素数据电压Vdata。

第二晶体管MP2的源极端耦接至电源电压Vdd2，且第二晶体管MP2的栅极端接收电源开关信号VSW，以将第一晶体管MP1的源极端耦接至电源电压Vdd2。

请参照图5，其绘示为第一种时序图。第一种像素结构210(1)的时序依序为周期T11、周期T12、周期T13、周期T14及周期T15。

当第一种像素结构210(1)于周期T11时，电源开关信号VSW为高电压电位，使得第二晶体管MP2截止。且目前扫描信号SCT(n)亦为高电压电位，使得第三晶体管MP3截止。而重置信号RST为低电压位，使得第五晶体管MP5导通。参考电压信号Vref等于第二参考电压Vref2，使得电容C3的负端电压为第二参考电压Vref2。而晶体管MP1的栅极端电压Vg1＝Vth，使得电容C3所储存的电压Vc3＝Vth-Vref2。

当第一种像素结构210(1)于周期T12时，电源开关信号VSW及目前扫描信号SCT(n)仍为高电压电位，使得第二晶体管MP2及第三晶体管MP3继续截止。而重置信号RST仍为低电压电位，使得第五晶体管MP5继续导通。参考电压信号Vref改变为第一参考电压Vref1，使得电容C3的负端电压改变为第一参考电压Vref1，且第二参考电压Vref2大于第一参考电压Vref1，而由于电容C3于周期T11所储存的电压Vc3＝Vth-Vref2，因此，晶体管MP1的栅极端电压Vg1＝Vref1+Vc3＝Vref1+Vth-Vref2＝Vth-ΔVref，而ΔVref＝Vref2-Vref1。

当第一种像素结构210(1)于周期T13时，电源开关信号VSW仍为高电压电位，使得第二晶体管MP2继续截止。重置信号RST仍为低电压电位，使得第五晶体管MP5继续导通。而目前扫描信号SCT(n)改变为低电压电位，使得第三晶体管MP3导通。像素数据电压Vdata经由第三晶体管MP3写入至第一晶体管MP1的源极端，使得Vs1＝Vdata而参考电压信号Vref仍旧等于第一参考电压Vref1，使得电容C3的负端电压依旧为第一参考电压Vref1。而晶体管MP1的栅极端电压Vg1被重置为Vg1＝Vdata-Vth。使得电容C3所储存的电压Vc3＝Vg1-Vref1＝Vdata-Vth-Vref1。

由于目前扫描信号SCT(n)的周期长度仅需与像素数据电压Vdata的周期长度相同，因此，将加快显示装置50的画面反应速度，使得显示装置50具有较佳的影像品质。

当第一种像素结构210(1)于周期T14时，电源开关信号VSW仍为高电压电位，使得第二晶体管MP2继续截止。而目前扫描信号SCT(n)及重置信号RST改变为高电压电位，使得第三晶体管MP3及第五晶体管MP5截止。由于参考电压信号Vref于第一参考电压Vref1与第二参考电压Vref2之间随工作周期而切换，因此，当参考电压信号Vref由第一参考电压Vref1改变至第二参考电压Vref2时，电容C3的负端电压即改变为第二参考电压Vref2。而由于电容C3于周期T13所储存的电压Vc3＝Vdata-Vth-Vref1，因此，第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1被发定为Vg1＝Vref2+Vc3＝Vref2+Vdata-Vth-Vref1＝Vdata-Vth+ΔVref，而Vdata-Vth+ΔVref即为一设定后电压。

当第一种像素结构210(1)于周期T15时，目前扫描信号SCT(n)及重置信号RST仍为高电压电位，使得第三晶体管MP3及第五晶体管MP5继续截止。而电源开关信号VSW改变为低电压电位，使得第二晶体管MP2导通。第一晶体管MP1的源极端耦接至电源电压Vdd2，使得。Vs1＝Vdd2。而晶体管MP1的栅极端电压Vg1已于周期T14时，设定Vg1＝Vdata-Vth+ΔVref。因此，第一晶体管MP1的源-漏极端间电压Vsg1＝Vdd2-Vg1＝Vdd2-(Vref2+Vdata-Vth-Vref1)＝Vdd2-Vdata-ΔVref+Vth，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vsg1-Vth)²＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref+Vth-Vth)²＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²，而K为第一晶体管MP1的制程互导电导参数(ProcessTransconductance parameter)。

由于第一晶体管MP1的临限电压Vth已先行受到补偿，因此电流I2将不会因临限电压Vth的不同而受到影响。

且由于ΔVref的大小可调变，因此，当发光元件D2的特性不同时，借由调整ΔVref的大小，即可使晶体管MP1工作于饱和区内，以避免电流I2随发光元件D2的特性不同而有所改变。

此外，由于调整ΔVref可控制电流I2的大小，因此，数据驱动器30输出的像素数据电压Vdata、电源电压Vss2及电源电压Vdd2将具有较大的调整空间，使得有机发光显示器50中的驱动积体电路能有更多的选择，以降低生产成本。

请参照图6，其绘示为第二种显示装置的示意图。显示装置60与显示装置50不同之处在于：同一列像素210接收目前扫描信号SCT(n)及前次扫描信号SCT(n-1)，目前扫描信号SCT(n)为第n条扫描线上的信号，而前次扫描信号SCT(n-1)为第n-1条扫描线上的信号。

像素210于前次扫描信号SCT(n-1)产生时，即先行改变第一晶体管MP1的栅极端电压。当目前扫描信号SCT(n)产生时，像素210即能快速地完成补偿第一晶体管MP1的临限电压Vth。

举例来说，当扫描驱动器40输出扫描信号SCT(1)驱动第1列的像素210时，亦将扫描信号SCT(1)输出至第2列的像素210。第2列的像素210根据扫描信号SCT(1)先行改变第一晶体管MP1的栅极端电压。

当扫描驱动器40输出扫描信号SCT(2)驱动第2列的像素210时，像素210即能更快地重置并设定第2列的像素210，以加快有机发光显示器60的画面反应速度，使得有机发光显示器60具有较佳的影像品质。

第二实施例

请参照图7，其绘示为依照本发明第二实施例的第二种像素结构的电路图。第二种像素结构210(2)与第一种像素结构210(1)不同之处在于：第三晶体管MP3的源极端与第一晶体管MP1的漏极端及发光元件D2的正端耦接。而重置电路212于此实施例包括第四晶体管MP4及第五晶体管MP5。且第四晶体管MP4及第五晶体管MP5例如为P型薄膜晶体管。

第五晶体管MP5的源极端改与第二晶体管MP2的漏极端及第一晶体管MP1的源极端耦接，且第五晶体管MP5的漏极端与电容C3的一端、第一晶体管MP1的栅极端及第四晶体管MP4的源极端耦接。第四晶体管MP4的漏极端接收参考电压信号Vref，且第四晶体管MP4的栅极端接收前次扫描信号SCT(n-1)。

请参照图8，其绘示为第二种时序图。像素210的时序依序为周期T3、周期T4、周期T5及周期T6。

当第二种像素结构210(2)于周期T3时，电源开关信号VSW为高电压电位，使得第二晶体管MP2截止。且目前扫描信号SCT(n)亦为高电压电位，使得第三晶体管MP3截止。而前次扫描信号SCT(n1)及重置信号RST为低电压电位，使得第四晶体管MP4及第五晶体管MP5导通。参考电压信号Vref等于第一参考电压Vref1，使得电容C3的负端电压为第一参考电压Vref1。而晶体管MP1的栅极端电压Vg1＝Vref1。

当第二种像素结构210(2)于周期T4时，电源开关信号VSW为高电压电位，使得第二晶体管MP2继续截止。且前次扫描信号SCT(n-1)改变为高电压电位，使得第四晶体管MP4截止。而重置信号RST仍为低电压电位，使得第五晶体管MP5继续导通。且目前扫描信号SCT(n)改变为低电压电位，使得第三晶体管MP3导通。像素数据电压Vdata经由第三晶体管MP3写入至第一晶体管MP1的漏极端，使得Vd1＝Vdata，而晶体管MP1的栅极端电压Vg1被重置为Vg1＝Vdata-Vth。参考电压信号Vref仍为第一参考电压Vref1，所以，电容C3的负端电压依旧为第一参考电压Vref1，使得电容C3所储存的电压Vc3＝Vg1-Vref1＝Vdata-Vth-Vref1。

由于目前扫描信号SCT(n)的周期长度仅与像素数据电压Vdata的周期长度相同，因此，将加快有机发光显示器60的画面反应速度，使得有机发光显示器60具有较佳的影像品质。

当第二种像素结构210(2)于周期T5时，电源开关信号VSW及前次扫描信号SCT(n-1)仍为高电压电位，使得第二晶体管MP2及第四晶体管MP4继续截止。而目前扫描信号SCT(n)及重置信号RST改变为高电压电位，使得第三晶体管MP3及第五晶体管MP5截止。参考电压信号Vref改变为第二参考电压Vref2，使得电容C3的负端电压改变为第二参考电压Vref2。而由于电容C3于周期T4所储存的电压Vc3＝Vdata-Vth-Vref1，因此，第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1被设定为Vg1＝Vref2+Vc3＝Vref2+Vdata-Vth-Vref1＝Vdata-Vth+ΔVref，而Vdata-Vth+ΔVref即为一设定后电压。

当第二种像素结构210(2)于周期T6时，目前扫描信号SCT(n) 、前次扫描信号SCT(n-1)及重置信号RST仍为高电压电位，使得第三晶体管MP3、第四晶体管MP4及第五晶体管MP5继续截止。而电源开关信号VSW改变为低电压电位，使得第二晶体管MP2导通。第一晶体管MP1的源极端耦接至电源电压Vdd2，使得Vs1＝Vdd2。而第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1已于周期T5时，设定Vg1＝Vdata-Vth+ΔVref。因此，第一晶体管MP1的源漏极端间电压Vsg1＝Vdd2-Vg1＝Vdd2-(Vref2+Vdata-Vth-Vref1)＝Vdd2-Vdata-ΔVref+Vth，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vsg1-Vth)²＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref+Vth-Vth)²＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²。

上述第二实施例借由前次扫描信号SCT(n-1)产生时，先行改变第一晶体管MP1的栅极端电压。当目前扫描信号SCT(n)产生后，像素210即能快速地完成补偿第一晶体管MP1的临限电压Vth，以加速显示装置60的画面反应速度，而使得显示装置60具有较佳的影像品质。

第三实施例

请参照图9，其绘示依照本发明第三实施例的第三种像素结构的电路图。第三种像素结构210(3)与第二种像素结构210(2)不同之处在于：第四晶体管MP4的漏极端改耦接至电源电压Vss3。而第三种像素结构210(3)亦可根据图8的时序图，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²。且电流I2不会因临限电压Vth的不同而受到影响。

第四实施例

请参照图10，其绘示依照本发明第四实施例的第四种像素结构的电路图。第四种像素结构210(4)与第三种像素结构210(3)不同之处在于：第四晶体管MP4的漏极端改与第一晶体管MP1的栅极端、第五晶体管MP5的漏极端及电容C3的一端耦接。而第四晶体管MP4的源极端改与第一晶体管MP1的漏极端、第三晶体管MP3的源极端及发光元件D2的正端耦接。

请参照图11，其绘示为第三种时序图。像素210的时序依序为周期T7、周期T8、周期T9及周期T10。

当第四种像素结构210(4)于周期T7时，参考电压信号Vref等于第一参考电压Vref1。而电源开关信号VSW为高电压电位，使得第二晶体管MP2截止。且目前扫描信号SCT(n)、前次扫描信号SCT(n-1)及重置信号RST为低电压电位，使得第三晶体管MP3、第四晶体管MP4及第五晶体管MP5导通。由于此时数据线310上的电压电位为Vset，因此，Vset经由第三晶体管MP3写入至第一晶体管MP1的漏极端，使得第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1＝Vset。

当第四种像素结构210(4)于周期T8时，电源开关信号VSW仍为高电压电位，使得第二晶体管MP2继续截止。且前次扫描信号SCT(n-1)改变为高电压电位，使得第四晶体管MP4截止。而目前扫描信号SCT(n)及重置信号RST仍为低电压电位，使得第三晶体管MP3 及第五晶体管MP5继续导通。由于此时数据线310上的电压电位改变为像素数据电压Vdata，因此，像素数据电压Vdata经由第三晶体管MP3写入至第一晶体管MP1的漏极端，使得第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1被重置为Vg1＝Vdata-Vth。而参考电压信号Vref仍为第一参考电压Vref1，所以，电容C3的负端电压依旧为第一参考电压Vref1，使得电容C3所储存的电压Vc3＝Vg1-Vref1＝Vdata-Vth-Vref1。

当第四种像素结构210(4)于周期T9时，电源开关信号VSW及前次扫描信号SCT(n-1)仍为高电压电位，使得第二晶体管MP2及第四晶体管MP4继续截止。且目前扫描信号SCT(n)及重置信号RST改变为高电压电位，使得第三晶体管MP3及第五晶体管MP5截止。而参考电压信号Vref改变为第二参考电压Vref2，使得电容C3的负端电压改变为第二参考电压Vref2。而由于电容C3于周期T8所储存的电压Vc3＝Vdata-Vth-Vref1，因此，第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1被设定为Vg1＝Vref2+Vc3＝Vref2+Vdata-Vth-Vref1＝Vdata-Vth+ΔVref。

当第四种像素结构210(4)于周期T10时，目前扫描信号SCT(n)、前次扫描信号SCT(n-1)及重置信号RST仍为高电压电位，使得第三晶体管MP3、第四晶体管MP4及第五晶体管MP5继续截止。而电源开关信号VSW改变为低电压电位，使得第二晶体管MP2导通。第一晶体管MP1的源极端耦接至电源电压Vdd2，使得Vs1＝Vdd2。而第一晶体管MP1的栅极端电压Vg1已于周期T9时，设定Vg1＝Vdata-Vth+ΔVref。因此，第一晶体管MP1的源-漏极端间电压Vsg1＝Vdd2-Vg1＝Vdd2-(Vref2+Vdata-Vth-Vref1)＝Vdd2-Vdata-ΔVref+Vth，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vsg1-Vth)²＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref+Vth-Vth)²＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²。且电流I2不会因临限电压Vth的不同而受到影响。

第五实施例

请参照图12，其绘示依照本发明第五实施例的第五种像素结构的电路图。第五种像素结构210(5)与第四种像素结构210(4)不同之处在于：第五种像素结构210(5)中第四晶体管MP4的漏极端改接收参考电压信号Vref。且第四晶体管MP4的源极端改与第一晶体管MP1的栅极端、电容C3的一端及第五晶体管MP5的漏极端耦接。而第五晶体管MP5的源极端改与第一晶体管MP1的漏极端与发光元件D2的正端耦接。而第五实施例的像素250亦可根据图11的时序图，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²。且电流I2不会因临限电压Vth的不同而受到影响。

第六实施例

请参照图13，其绘示为依照本发明第六实施例的第六种像素结构的电路图。第六种像素结构210(6)与第五种像素结构210(5)不同之处在于：第六种像素结构210(6)中第四晶体管MP4的漏极端改耦接至电源电压Vss3。而第六种像素结构210(6)亦可根据图11的时序图，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²。且电流I2不会因临限电压Vth的不同而受到影响。

第七实施例

请参照图14，其绘示依照本发明第七实施例的第七种像素结构的电路图。第七种像素结构210(7)与第六种像素结构260(5)不同之处在于：第七种像素结构210(7)中第四晶体管MP4的漏极端改与电容C3的一端、第一晶体管MP1的栅极端及第五晶体管MP5的漏极端耦接。且第四晶体管MP4的源极端改与第一晶体管MP1的源极端、第二晶体管MP2的漏极端及第三晶体管MP3的源极端耦接。而第七种像素结构210(7)亦可根据图11的时序图，使得流经发光元件D2的电流I2＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²。且电流I2不会因临限电压Vth的不同而受到影响。

请参照图15，其绘示为显示装置的像素的驱动方法的流程图。驱动方法用于前述的第一种像素结构210(1)～第七种像素结构210(7)，第一种像素结构210(1)～第七种像素结构210(7)中包括第一晶体管MP1及发光元件D2，且第一晶体管MP1用以控制发光元件D2的工作电流I2。驱动方法包括如下步骤：首先如步骤910所示，预设第一晶体管MP1的栅极端电位实质上等于一预设电压(于图5中预设电压等于Vth-ΔVref，于图8中预设电压等于第一参考电压Vref1，于图11中预设电压等于Vset)。接着如步骤920所示，经由晶体管MP3输入像素数据电压Vdata至第一晶体管MP1的源极端或漏极端，使得预设电压改变为重置后电压，重置后电压依据像素数据电压Vdata及临限电压Vth而得。跟着如步骤930所示，设定第一晶体管MP1的栅极端电位为设定后电压，设定后电压依据重置后电压及参考电压信号Vref而得。最后如步骤940所示，第一晶体管MP1根据设定后电压输出工作电流I2至发光元件D2。

如上所述，本发明的晶体管虽以P型薄膜晶体管为例作说明，然亦可利用N型薄膜晶体管取代P型薄膜晶体管来达到本发明的目的。

本发明上述实施例所揭露的像素及其驱动方法，借由先行改变第一晶体管的栅极端电位，使得本发明的像素及其驱动方法将具有如下优点：

第一个优点是改善有机发光显示器画面显示不均(Mura)的缺点。由于重置电路提供补偿临限电压Vth的机制，使得最后流经发光元件的电流I2＝K×(Vdd2-Vdata-ΔVref)²，因此，电流I2将不受临限电压Vth的影响，而使得有机发光显示器具有较佳的显示画面。

第二个优点是加速有机发光显示器的画面反应速度。由于各扫描驱动信号的周期长度仅需与欲写入的像素数据电压的周期长度相同，因此，将加快扫描驱动器驱动各列像素所需耗费的工作时间，而使得有机发光显示器的画面反应更为快速。

第三个优点是使得数据驱动器输出的像素数据电压及像素所耦接的电源电压更有较大的操作范围。由于ΔVref可调变，因此像素数据电压及电源电压的范围将有较大的调整空间。

综上所述，虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求书所界定的为准。

Claims

1.一种显示装置，包括至少一像素，其特征在于，该像素包括：

一发光元件；

一第一晶体管，用以输出一工作电流至该发光元件；

一第二晶体管，用以根据一电源开关信号输入一第一电源电压至该第一晶体管的一第一端；

一第三晶体管，根据一目前扫描信号输入一像素数据电压至该第一晶体管的一第二端；

一重置电路，用以重置该第一晶体管的一控制端的电位为一重置后电压，该重置后电压依据该像素数据电压及一临限电压而得；以及

一电容，该电容的一端耦接至该第一晶体管的该控制端，且该电容的另一端耦接至一参考电压信号，以设定该第一晶体管的该控制端的电位等于一设定后电压，该设定后电压依据该重置后电压及该参考电压信号而得；

其中，该第一晶体管根据该设定后电压以输出该工作电流至该发光元件；

该参考电压信号于一第一参考电压与一第二参考电压之间随工作周期而切换，该第二参考电压大于该第一参考电压，该临限电压属于该第一晶体管；

该设定后电压等于该重置后电压加上该第二参考电压与该第一参考电压之差，该重置后电压等于该像素数据电压减去该临限电压。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，当该参考电压信号由该第一参考电压改变至该第二参考电压时，该第一晶体管的该控制端的电位实质上等于该设定后电压。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第四晶体管，包括：

一第一端，用以接收该参考电压信号；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该控制端；及

一控制端，用以接收一前次扫描信号；以及

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该第一端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第四晶体管，包括：

一第一端，用以接收一第三电源电压；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该控制端；及

一控制端，用以接收一前次扫描信号；以及

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该第一端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第四晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该第二端；及

一控制端，用以接收一前次扫描信号；以及

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该第一端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

6.一种显示装置，包括至少一像素，其特征在于，该像素包括：

一发光元件；

一第一晶体管，用以输出一工作电流至该发光元件；

一第三晶体管，根据一目前扫描信号输入一像素数据电压至该第一晶体管的该第一端；

该设定后电压等于该重置后电压加上该第二参考电压与该第一参考电压之差；

该重置后电压等于该像素数据电压减去该临限电压。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，当该参考电压信号由该第一参考电压改变至该第二参考电压时，该第一晶体管的该控制端的电位实质上等于该设定后电压。

8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第四晶体管，包括：

一第一端，用以接收该参考电压信号；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该控制端；及

一控制端，用以接收一前次扫描信号；以及

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的一第二端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

9.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第四晶体管，包括：

一第一端，用以接收一第三电源电压；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该控制端；及

一控制端，用以接收一前次扫描信号；以及

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的一第二端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

10.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第四晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的该第一端；及

一控制端，用以接收一前次扫描信号；以及

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的一第二端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

11.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，该重置电路包括：

一第五晶体管，包括：

一第一端，耦接至该第一晶体管的该控制端；

一第二端，耦接至该第一晶体管的一第二端；及

一控制端，用以接收一重置信号。

12.一种显示装置的像素的驱动方法，该像素至少包括一晶体管及一发光元件，该晶体管用以控制该发光元件的一工作电流，其特征在于，该驱动方法包括：

预设该晶体管的控制端电位等于一预设电压；

输入一像素数据电压至该晶体管的一第一端或一第二端，使得该预设电压改变为一重置后电压，该重置后电压依据该像素数据电压及一临限电压而得；

设定该晶体管的控制端电位为一设定后电压，该设定后电压依据该重置后电压及一参考电压信号而得；以及

根据该设定后电压输出该工作电流至该发光元件；

其中，该参考电压信号于一第一参考电压与一第二参考电压之间随工作周期而切换，该第二参考电压大于该第一参考电压，该临限电压属于该晶体管；

该重置后电压等于该像素数据电压减去该临限电压。

13.如权利要求12所述的驱动方法，其特征在于，当该参考电压信号由该第一参考电压改变至该第二参考电压时，该晶体管的该控制端的电位等于该设定后电压。