CN1744180A - 有源矩阵型有机发光二极管器件的驱动电路及其方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法。该有机发光二极管器件的驱动电路包括多个RGB像素，该多个RGB像素中的每一个包括：沿第一方向设置的选通线，以及沿与该第一方向交叉的第二方向设置的数据线和电源线；与所述选通线和所述数据线交叉的区域相连的多个开关薄膜晶体管；与所述开关薄膜晶体管和所述电源线相连的存储电容器；与所述存储电容器和所述电源线相连的驱动薄膜晶体管；与所述驱动薄膜晶体管相连的有机发光二极管；与所述多个开关薄膜晶体管之一相连的可变电压部分；以及与所述多个开关薄膜晶体管中的至少一个相连的SELECT部分，其中所述可变电压部分独立地连接到所述多个RGB像素。

Description

有源矩阵型有机发光二极管器件的驱动电路及其方法
技术领域
本发明涉及有源矩阵型有机发光二极管器件的驱动电路，更具体地，涉及有源矩阵型有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法，其可以通过对位于有机发光二极管器件之间的多晶硅薄膜晶体管的阈值电压的变化进行补偿，来改善显示板之间的亮度均匀性。
背景技术
近年来，由于其重量轻、功耗低的优点，而使得液晶显示器件(LCD)成为目前最常用的一种平板显示器(FPD)。
然而，液晶显示器件不是自发光元件，而是光接收元件，并且具有亮度、对比度、视角、大尺寸等方面的技术限制。因此，近年来，已积极努力地开发了新型的平板显示器，以克服这种缺点。
作为新型平板显示器之一，有机发光二极管由于是自发光型，所以在视角、对比度等方面优于液晶显示器，并且可以将其制造为重量轻并且薄的类型，并且由于其不需要背光，所以其在功耗方面具有优势。
此外，有机发光二极管还具有以下优点：其对于外部冲击非常坚固，并且因为其能够采用直流低压驱动，所以可以提供宽的温度范围，其具有快的响应速度，并且完全制成为固相，尤其是其制造成本低廉。
特别地，在有机发光二极管器件的制造工艺中，仅需要淀积和封装设备，而不象液晶显示器件和PDP(等离子体显示板)那样，因此，该工艺非常简单。
特别地，如果对于各个像素，以具有作为开关器件的薄膜晶体管的有源矩阵型对有机发光二极管器件进行驱动，则即使施加低电流，也可以显示相同的亮度，这使得低功耗、高分辨率和大尺寸成为可能。
将参照图1描述这种普通有源矩阵型有机发光二极管器件(下文中，称为“AMOLED”)的基本结构。
图1表示普通的有源矩阵型有机发光二极管器件(AMOLED)的基本结构。
参照图1，该普通有机发光二极管显示板包括：选通线GL1～GLm和数据线DL1～DLn，其彼此交叉地设置在玻璃基板上；以及多个像素部分30，其分别形成在由彼此交叉的选通线GL1～GLm和数据线DL1～DLn限定的矩阵图案的矩形区域中。
这里，通过经由选通线GL1～GLm施加的扫描信号以选通线GL1～GLm为单位对像素部分30进行驱动，并生成与经由数据线DL1～DLn施加的图像信号的强度相对应的光。
因此，在该有机发光二极管显示板中，在单晶硅基板上制造用于向选通线GL1～GLm施加扫描信号的扫描线驱动电路10以及用于向数据线DL1～DLn提供图像信号的数据驱动电路，并通过与带载封装(TCP)相同的方法将其安装在有机发光二极管显示板的玻璃基板上。
此外，在图像显示部分中，以规则的间隔沿横向方向设置的多条选通线GL11～GL1m以及以规则的间隔沿纵向方向设置的多条数据线DL11～DL1n彼此交叉。在由彼此交叉的选通线GL11～GL1m和数据线DL11～DL1n限定的多个区域中，分别设置与选通线GL11～GL1m和数据线DL11～DL1n电连接的像素110。
通过经由选通线GL11～GL1m施加的扫描信号以选通线GL11～GL1m为单位对像素100进行驱动，并且生成与经由数据线DL11～DL1n施加的图像信号的强度相对应的光。
同时，参照图2描述普通有机发光二极管器件的单元像素的电路构造。
图2是表示普通的有源矩阵型有机发光二极管器件的电路图。
参照图2，沿第一方向形成选通线GL，并沿与该第一方向交叉的第二方向以给定的间隔形成数据线DL和电源线VDD，由此形成一个像素区域。
此外，开关薄膜晶体管TR2(寻址元件)与选通线GL和数据线DL交叉的区域相连。存储电容器(下文中，成为Cst)与开关薄膜晶体管TR2和电源线VDD相连。驱动薄膜晶体管TR1(电流源元件)与存储电容器Cst和电源线P相连，并且电致发光二极管EL与驱动薄膜晶体管TR1相连。
这里，开关薄膜晶体管TR2包括：源极S1，与选通线GL相连，并提供数据信号；以及漏极D1，与驱动薄膜晶体管TR1的栅极G2相连，并且开关薄膜晶体管TR2对电致发光二极管EL进行切换。
驱动薄膜晶体管TR1包括：栅极G2，与开关薄膜晶体管TR2的漏极D1相连；漏极，与电致发光二极管EL的阳极相连；以及源极S2，与电源线VDD和地线相连，驱动薄膜晶体管TR1用作电致发光二极管的驱动器件。
在存储电容器Cst中，一端的电极开关薄膜晶体管TR2的漏极D1和驱动薄膜晶体管TR1的栅极共同相连，并且另一端的电极与驱动薄膜晶体管的源极S2和电源线VDD相连。
此外，电致发光二极管EL包括：阳极，与驱动薄膜晶体管TR1的漏极D2相连；阴极，与地线GND相连；以及有机发光层，形成在阳极和阴极之间。该有机发光层包括空穴载流子层、发光层和电子载流子层。
由此构造的普通有机发光二极管器件(AMOLED)通过这些薄膜晶体管提供电流。由于传统的非晶硅薄膜晶体管在载流子的迁移性方面较低，所以近年来采用具有更优异的载流子迁移性的多晶硅薄膜晶体管。
此外，为了很好地显示微小的颜色变化，显示器必须具有良好的灰度级性能。
上述有机发光二极管器件基本上通过控制在电致发光二极管中流动的电流量来显示图像，并且通过以有源驱动方法控制在用于向有机发光二极管器件提供电流的薄膜晶体管中流动的电流量，对有机发光二极管器件的发光量进行变化，来显示灰度级。
然而，根据现有技术的有机电致发光显示器件的驱动电路和驱动方法，有机发光二极管的电流是根据驱动多晶硅薄膜晶体管TR1的栅压VIN来确定的。
此时，驱动多晶硅薄膜晶体管TR1在饱和区域中进行操作，由此通过以下方程(1)来表示流动的电流：
IDS＝W/LμpCOX(VDD-VIN+VTH)2    (1)
其中，W表示驱动薄膜晶体管的沟道宽度，L表示沟道长度，μp表示电荷迁移率，VDD表示电源线，VIN表示栅压，VTH表示阈值电压。
因此，从以上可以看出，如果显示板之间的驱动多晶硅薄膜晶体管TR1的阈值电压发生变化，则驱动多晶硅薄膜晶体管TR1的电流以及有机发光二极管的电流也会发生变化，由此使得显示板时间的亮度不均匀。
发明内容
本发明致力于解决现有技术的问题，并且本发明的一个目的在于提供一种有源矩阵型有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法，其能够通过对有机发光二极管器件之间的多晶硅薄膜晶体管的阈值电压的变化进行补偿，来改善显示板之间的亮度均匀性。
本发明的另一目的在于提供一种有源矩阵型发光二极管器件的驱动电路和驱动方法，其能够通过改变可变电压Vref值进行伽马补偿来降低功耗，而与通过改变VDD值来进行伽马补偿的传统结构不同，并且能够通过对各个RGB像素施加可变电压Vref来对RGB有机发光二极管的特性的不均匀性进行补偿。
为了实现上述目的，提供了根据本发明的有机发光二极管器件的驱动电路，其包括多个RGB像素，该多个RGB像素中的每一个包括：沿第一方向设置的选通线以及沿与该第一方向交叉的第二方向设置的数据线和电源线；多个开关薄膜晶体管，与选通线和数据线交叉的区域相连；存储电容器，与该开关薄膜晶体管和该电源线相连；驱动薄膜晶体管，与该存储电容器和该电源线相连；有机发光二极管，与该驱动薄膜晶体管相连；可变电压部分；与该多个开关薄膜晶体管之一相连；以及SELECT部分，与该多个开关薄膜晶体管中的至少一个相连，其中该可变电压部分独立地与该多个RGB像素相连。
这里，该多个RGB像素中的每一个包括：与数据线相连的第一开关薄膜晶体管；与该第一薄膜晶体管相连的存储电容器；与该存储电容器和电源线相连的驱动晶体管；以及与该驱动晶体管相连的第二开关晶体管。
根据本发明的有机发光二极管器件的驱动电路包括：第三开关薄膜晶体管，与连接在该第一开关薄膜晶体管和存储电容器之间的第二开关薄膜晶体管相连，并耦接到可变电压部分；以及第四开关薄膜晶体管，位于该驱动薄膜晶体管的栅极和漏极之间，与该存储电容器相连，并耦接到该第一开关薄膜晶体管，并且与高SELECT部分相连。
该第二开关薄膜晶体管和第三开关薄膜晶体管耦接到EM部分。
在用于实现以上目的的有机发光二极管器件的驱动电路中，该多个RGB像素中的每一个包括：第一开关薄膜晶体管，与数据线相连，并耦接到SELECT部分；第二开关薄膜晶体管，连接在该第一开关薄膜晶体管和存储电容器之间，并耦接到该可变电压部分；以及第三开关薄膜晶体管。
这里，该第二开关薄膜晶体管的栅极耦接到该EM部分。
在用于实现以上目的的有机发光二极管器件的驱动电路中，该多个RGB像素中的每一个包括：第一开关薄膜晶体管；与数据线相连，并耦接到该SELECT部分；第二开关薄膜晶体管，连接在该第一开关薄膜晶体管和存储电容器之间，并耦接到该可变电压部分；以及第三开关薄膜晶体管。
这里，该第二开关薄膜晶体管的栅极耦接到该SELECT部分。
为了实现这些目的，提供了一种根据本发明的有机发光二极管器件的驱动方法，其中通过以下步骤对RGB像素进行驱动：沿第一方向设置选通线，并沿与该第一方向交叉的第二方向设置数据线和电源线；将多个开关薄膜晶体管连接到选通线与数据线交叉的区域；将存储电容器连接到开关薄膜晶体管和电源线；将驱动薄膜晶体管连接到存储电容器和电源线；将有机发光二极管连接到驱动薄膜晶体管；将可变电压部分连接到该多个开关薄膜晶体管之一；以及将SELECT部分连接到该多个开关薄膜晶体管中的至少一个，其中该可变电压部分独立地连接到该多个RGB像素以及可变电压，该可变电压用于对于一个帧保持存储在该多个RGB像素的各个存储电容器中的数据电压，以调整该多个RGB像素的各个有机发光二极管的当前值。
附图说明
附图示出了本发明的实施例，并与说明书一起用于说明本发明的原理，包含附图以提供对本发明的进一步的理解，并将其并入构成本说明书的一部分。
在附图中：
图1表示普通有源矩阵型有机发光二极管器件(AMOLED)的基本结构；
图2是表示普通有源矩阵型有机发光二极管器件的单元像素的电路图；
图3是根据本发明第一实施例的有机发光二极管器件的单元像素的电路框图；
图4是表示根据本发明第一实施例的对各个RGB像素施加了Vref电压的有机发光二极管的示例性视图；
图5是表示根据本发明第二实施例的有机发光二极管器件的单元像素的电路框图，其中与本发明第一实施例相似，使用Vref以对于一个帧保持存储在Cst中的信息；
图6是表示根据本发明第二实施例的对各个RGB像素施加了Vref电压的有机发光二极管的示例性视图；
图7是表示根据本发明第三实施例的有机发光二极管器件的单元像素的电路框图，其中示出了下述的情况：由于将n型p-Si TFT用作本发明第二实施例中的第三开关薄膜晶体管T4，所以不需要使用EM信号；以及
图8是表示根据本发明第三实施例的对各个RGB像素施加了Vref电压的有机发光二极管器件的示例性视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述根据本发明优选实施例的有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法。
图3是表示根据本发明第一实施例的有机发光二极管器件的单元像素的电路框图。
图4是表示根据本发明第一实施例的对各个RGB像素施加了Vref电压的有机发光二极管器件的示例性视图。
在根据本发明第一实施例的有机发光二极管器件中，沿第一方向形成选通线(未示出)，并且沿与该第一方向交叉的第二方向以给定的间隔形成数据线(未示出)和电源线VDD，由此形成一个像素区域。
此外，第一开关薄膜晶体管TR2(寻址元件)与选通线GL和数据线DL交叉的区域相连。存储电容器(下文中，称为Cst)与第一开关薄膜晶体管TR2和电源线VDD相连。驱动薄膜晶体管TR1(电流源元件)与存储电容器Cst和电源线P相连，而有机发光二极管OLED与驱动薄膜晶体管TR1相连。
此外，第二开关薄膜晶体管T3连接在第一开关薄膜晶体管T1与存储电容器Cst之间，第三开关薄膜晶体管T4连接在与存储电容器Cst相连的驱动薄膜晶体管T1的栅极和漏极之间，而第四开关薄膜晶体管T5连接在驱动薄膜晶体管T1和有机发光二极管OLED之间。
这里，第三开关薄膜晶体管T4的栅极与第一开关薄膜晶体管T2相连，以耦接到SELECT(n)。
第二开关薄膜晶体管T3的栅极与第四开关薄膜晶体管T5的栅极相连，以耦接到EM(n)。
第二开关薄膜晶体管T3的源极与可变电压Vref(为DC电压)相连。
将参照图3和4来描述由此构造的根据本发明第一实施例的有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法。
参照图3，第一和第三开关薄膜晶体管T2和T4在SELECT(n)导通的部分C导通。
此时，将A节点电压初始化为VDD-|VTH|，并且B节点电压变为VDATA。
第二开关薄膜晶体管T3在SELECT(n)截止而EM(n)导通的部分D导通，由此使B节点电压变为可变电压Vref(为DC电压)。
此时，A节点电压被放大了与B节点电压的变化率(VDATA-Vref)一样多，从而变为“VDD-|VTH|-VDATA-Vref”。
总结该结果，由以下表达式(2)来表示驱动薄膜晶体管T1的电流：
IOLED＝1/2K(|VGS|-|VTH|)2
     ＝1/2K(VDD-VDD+|VTH|+VDATA-Vref-|VTH|)2
     ＝1/2K(VDATA-Vref)2(2)
其中，K为u x Cox x W/L。
结果，电流IOLED变为VDATA和ref的函数。
因此，可以通过调节可变电压Vref来调节IOLED值，该可变电压Vref为用于对于一个帧保持存储在存储电容器Cst中的数据电压的DC电压。
此外，如图4所述，可以通过下述的电路结构来调节色度和伽马值，在该电路结构中，对通过图3所述的电路结构而构成的各个RGB像素设置相应的可变电压Vref部分。
在这种情况下，与对产生电流的VDD进行调节的传统结构相比，可以更容易地应用不产生电流的Vref，并且可以对RGB有机发光二极管(OLED1、OLED2、OLED3)的特性的不均匀性进行补偿。
同时，将参照附图对根据第二实施例的有机发光二极管的驱动电路进行描述。
图5是表示根据本发明第二实施例的有机发光二极管器件的单元像素的电路框图，其中与本发明的第一实施例一样，使用Vref以对于一个帧保持存储在Cst中的信息。
图6是表示根据本发明第二实施例的对各个RGB像素施加Vref电压的有机发光二极管的示例性视图。
在根据本发明第二实施例的有机发光二极管器件中，沿第一方向形成选通线(未示出)，并沿与该第一方向交叉的第二方向以给定的间隔形成数据线(未示出)和电源线VDD，由此形成一个像素区域。
此外，第二开关薄膜晶体管TR3(寻址元件)与选通线GL和数据线DL交叉的区域相连。存储电容器(下文中，称为Cst)与第二开关薄膜晶体管TR3和电源线VDD相连。驱动薄膜晶体管TR1(电流源元件)与存储电容器Cst和电源线P相连，而有机发光二极管OLED与驱动薄膜晶体管TR1相连。
此外，第三开关薄膜晶体管T4连接在第二开关薄膜晶体管T3和存储电容器Cst之间，而第一开关薄膜晶体管T1连接在与存储电容器Cst相连的驱动薄膜晶体管T1的栅极和电源线VDD之间，由此将该栅极耦接到SELECT(n)。
这里，第三开关薄膜晶体管T4连接在第二开关薄膜晶体管T3和存储电容器Cst之间，由此将其源极耦接到可变电压Vref(为DC电压)。与第一开关薄膜晶体管T2一样，第二开关薄膜晶体管T3的栅极连接到SELECT(n)。
此外，第三开关薄膜晶体管T4的栅极连接到EM(n)。
将参照图5和6描述由此构造的根据本发明第二实施例的有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法。
参照图5，第一和第三开关薄膜晶体管T2和T3在SELECT(n)导通的部分C导通。
此时，A节点电压被初始化为VDD，并且B节点电压变为VDATA。
第二开关薄膜晶体管T3在SELECT(n)截止而EM(n)导通的部分D导通，由此使B节点电压变为Vref电压。
此时，A节点电压被放大了与B节点电压的变化率(VDATA-Vref)一样多，从而变为“VDD-|VTH|-VDATA-Vref”。
总结该结果，由以下表达式(2)来表示驱动薄膜晶体管T1的电流：
IOLED＝1/2K(|VGS|-|VTH|)2
     ＝1/2K(VDD-VDD+VDATA-Vref-|VTH|)2
     ＝1/2K(VDATA-Vref-|VTH|)2(2)
其中，K为 u x Cox x W/L。
根据该电流的表达式的结果，与第一实施例中一样，电流IOLED与可变电压Vref成比例，并且可以通过调节可变电压Vref来获得显示板之间的均匀亮度。
此外，如图6所示，可以通过下述的电路结构来调节色度和伽马值，该电路结构使得对于通过图5所示的电路结构而构成的各个RGB像素，连接相应的可变电压Vref供给部分。
同时，将参照附图描述根据第三实施例的有机发光二极管的驱动电路。
图7是表示根据本发明第三实施例的有机发光二极管器件的单元像素的电路框图，其中示出了下述的情况：由于将n型p-Si TFT用作本发明第二实施例中的第三开关薄膜晶体管T4，所以不需要使用EM信号。
图8是表示根据本发明第三实施例的对各个RGB像素施加了Vref电压的有机发光二极管器件的示例性视图。
在根据本发明第三实施例的有机发光二极管器件中，沿第一方向形成选通线(未示出)，并沿与该第一方向交叉的第二方向以给定的间隔形成数据线(未示出)和电源线VDD，由此形成一个像素区域。
此外，第二开关薄膜晶体管TR3(寻址元件)与选通线GL和数据线DL交叉的区域相连。存储电容器(下文中，称为Cst)与第二开关薄膜晶体管TR3和电源线VDD相连。驱动薄膜晶体管TR1(电流源元件)与存储电容器Cst和电源线P相连，而有机发光二极管OLED与驱动薄膜晶体管TR1相连。
此外，第三开关薄膜晶体管T4连接在第二开关薄膜晶体管T3和存储电容器Cst之间，并且第一开关薄膜晶体管T1连接在与存储电容器Cst相连的驱动薄膜晶体管T1的栅极和电源线VDD之间，由此耦接到SELECT(n)。
这里，第三开关薄膜晶体管T4连接在第二开关薄膜晶体管T3和存储电容器Cst之间，由此耦接到可变电压Vref(为DC电压)。与第一开关薄膜晶体管T2一样，第二开关薄膜晶体管T3的栅极和第三开关薄膜晶体管T4的栅极连接到SELECT(n)。
将参照图7和8描述由此构造的根据本发明第三实施例的有机发光二极管器件的驱动电路和驱动方法。
参照图7，第一和第三开关薄膜晶体管T2和T3在SELECT(n)变为低值的部分C导通。
当SELECT(n)从低值改变为高值时，第二开关薄膜晶体管T3截止，而第三开关薄膜晶体管T4导通，由此使B节点电压变为Vref电压。
此时，A节点电压被放大了与B节点电压的变化率(VDATA-Vref)一样多，从而变为“VDD-|VTH|-VDATA-Vref”。
总结该结果，由以下表达式(2)来表示驱动薄膜晶体管T1的电流：
IOLED＝1/2K(|VGS|-|VTH|)2
     ＝1/2K(VDD-VDD+VDATA-Vref-|VTH|)2
     ＝1/2K(VDATA-Vref-|VTH|)2          (2)
其中，K为u x Cox x W/L。
根据该电流的表达式的结果，与第二实施例中一样，电流IOLED与可变电压Vref成比例，并且可以通过调节可变电压Vref来获得显示板之间的均匀亮度。
此外，可以通过下述的电路结构来调节色度和伽马值，该电路结构使得对于各个RGB像素，连接相应的可变电压Vref供给部分。
在这种情况下，与对产生电流的VDD进行调节的传统结构相比，可以更容易地应用不产生电流的Vref，并且可以对RGB有机发光二极管的特性的不均匀性进行补偿。
尽管在此根据优选实施例对本发明进行了描述，但是应该理解，对于本领域的技术人员，显然可以在不脱离本发明的主旨和范围的情况下进行多种变化。可以在不超出本发明以及以下所附权利要求的精神和范围的情况下，进行这些变化和修改。

Claims (16)

1、一种用于有机发光二极管器件的驱动电路，其包括多个RGB像素，该多个RGB像素中的每一个包括：
沿第一方向设置的选通线，以及沿与该第一方向交叉的第二方向设置的数据线和电源线；
与所述选通线和所述数据线交叉的区域相连的多个开关薄膜晶体管；
与所述开关薄膜晶体管和所述电源线相连的存储电容器；
与所述存储电容器和所述电源线相连的驱动薄膜晶体管；
与所述驱动薄膜晶体管相连的有机发光二极管；
与所述多个开关薄膜晶体管之一相连的可变电压部分；以及
与所述多个开关薄膜晶体管中的至少一个相连的SELECT部分，
其中所述可变电压部分独立地连接到所述多个RGB像素。
2、根据权利要求1所述的驱动电路，其中所述多个RGB像素中的每一个包括：
与所述数据线相连的第一开关薄膜晶体管；
与所述第一开关薄膜晶体管相连的存储电容器；
与所述存储电容器和所述电源线相连的驱动薄膜晶体管；以及
与所述驱动薄膜晶体管相连的第二开关薄膜晶体管。
3、根据权利要求2所述的驱动电路，包括：
第三开关薄膜晶体管，与连接在所述第一开关薄膜晶体管和所述存储电容器之间的第二开关薄膜晶体管相连，以耦接到所述可变电压部分；以及
第四开关薄膜晶体管，与所述存储电容器相连，并位于所述驱动薄膜晶体管的栅极和漏极之间，并且耦接到所述第一开关薄膜晶体管，并连接到所述SELECT部分。
4、根据权利要求3所述的驱动电路，其中所述第二开关薄膜晶体管和所述第三开关薄膜晶体管耦接到所述EM部分。
5、根据权利要求1所述的驱动电路，其中所述多个RGB像素中的每一个包括：
与所述数据线相连并耦接到所述SELECT部分的第一开关薄膜晶体管；连接在所述第一开关薄膜晶体管和所述存储电容器之间并耦接到所述可变电压部分的第二开关薄膜晶体管；以及第三开关薄膜晶体管。
6、根据权利要求5所述的驱动电路，其中所述第二开关薄膜晶体管的栅极耦接到所述EM部分。
7、根据权利要求1所述的驱动电路，其中所述多个RGB像素中的每一个包括：
与所述数据线相连并耦接到所述SELECT部分的第一开关薄膜晶体管；连接在所述第一开关薄膜晶体管和所述存储电容器之间并耦接到所述可变电压部分的第二开关薄膜晶体管；以及第三开关薄膜晶体管。
8、根据权利要求7所述的驱动电路，其中所述第二开关薄膜晶体管的栅极耦接到所述SELECT部分。
9、一种用于有机发光二极管器件的驱动方法，其中通过以下步骤对多个RGB像素进行驱动：
沿第一方向设置选通线，并沿与该第一方向交叉的第二方向设置数据线和电源线；
将多个开关薄膜晶体管连接到所述选通线与数据线交叉的区域；
将存储电容器连接到所述开关薄膜晶体管和所述电源线；
将驱动薄膜晶体管连接到所述存储电容器和所述电源线；
将有机发光二极管连接到所述驱动薄膜晶体管；
将可变电压部分连接到所述多个开关薄膜晶体管之一；以及
将SELECT部分连接到所述多个开关薄膜晶体管中的至少一个，
其中，所述可变电压部分独立地连接到所述多个RGB像素和可变电压，该可变电压用于对于一个帧保持存储在所述多个RGB像素的各个存储电容器中的数据电压，以调节所述多个RGB像素的各个有机发光二极管的电流值。
10、根据权利要求9所述的驱动方法，其中所述多个RGB像素中的每一个包括：
与所述数据线相连的第一开关薄膜晶体管；
与所述第一开关薄膜晶体管相连的存储电容器；
与所述存储电容器和所述电源线相连的驱动薄膜晶体管；以及
与所述驱动薄膜晶体管相连的第二开关薄膜晶体管。
11、根据权利要求10所述的驱动方法，其中所述驱动电路包括：
第三开关薄膜晶体管，与连接在所述第一开关薄膜晶体管和所述存储电容器之间的第二开关薄膜晶体管相连，以耦接到所述可变电压部分；以及
第四开关薄膜晶体管，与所述存储电容器相连，并位于所述驱动薄膜晶体管的栅极和漏极之间，并且耦接到所述第一开关薄膜晶体管，并连接到所述SELECT部分。
12、根据权利要求11所述的驱动电路，其中所述第二开关薄膜晶体管和所述第三开关薄膜晶体管耦接到所述EM部分。
13、根据权利要求9所述的驱动电路，其中所述多个RGB像素中的每一个包括：
与所述数据线相连并耦接到所述SELECT部分的第一开关薄膜晶体管；连接在所述第一开关薄膜晶体管和所述存储电容器之间并耦接到所述可变电压部分的第二开关薄膜晶体管；以及第三开关薄膜晶体管。
14、根据权利要求13所述的驱动方法，其中所述第二开关薄膜晶体管的栅极耦接到所述EM部分。
15、根据权利要求9所述的驱动方法，其中所述多个RGB像素中的每一个包括：
与所述数据线相连并耦接到所述SELECT部分的第一开关薄膜晶体管；连接在所述第一开关薄膜晶体管和所述存储电容器之间并耦接到所述可变电压部分的第二开关薄膜晶体管；以及第三开关薄膜晶体管。
16、根据权利要求15所述的驱动方法，其中所述第二开关薄膜晶体管的栅极耦接到所述SELECT部分。
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