JP2002215096A - 有機電界発光表示装置、有機電界発光表示装置の駆動方法及び有機電界発光表示装置のピクセル回路 - Google Patents

有機電界発光表示装置、有機電界発光表示装置の駆動方法及び有機電界発光表示装置のピクセル回路

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機電界発光素子を薄膜トランジスタを
利用して駆動する場合に薄膜トランジスタのしきい電圧
の偏差を補償して高階調を可能にする。 【解決手段】 印加される電流の量に対応する光を発光
する有機電界発光素子ＯＥＬＤ、走査線に印加される選
択信号に応答して前記データ線に印加されるデータ電圧
をスイッチングするための第１スイッチＳ１、第１スイ
ッチＳ１を通ってゲートに入力される前記データ電圧に
対応じ前記有機電界発光素子に電流を供給する第１トラ
ンジスタＭ１、このトランジスタＭ１のしきい電圧偏差
を補償するため第１トランジスタＭ１のゲートにゲート
が連結されている第２トランジスタＭ２、第１トランジ
スタＭ１のゲートに印加されるデータ電圧を所定時間維
持するためのコンデンサーＣ１を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光（elec
troluminescent ; 以下、'EL'とする）表示装置、有機
ＥＬ表示装置の駆動方法及び有機ＥＬ表示装置のピクセ
ル回路に関し、さらに詳しくは有機ＥＬ表示装置のピク
セルを薄膜トランジスタ（thin film transistor ; 以
下、'TFT'とする）を利用して駆動する場合にＴＦＴの
しきい電圧（threshold voltage）誤差を補償して高輝
度階調再現を可能にする有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表
示装置の駆動方法及びピクセル回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に有機ＥＬ表示装置は蛍光性有機化
合物を電気的に励起して発光させる表示装置であって、
Ｎ×Ｍ個に行列配置された有機発光セルを電圧駆動ある
いは電流駆動して映像を表現できるようになっている。
このような有機発光セルは図１に示すように、アノード
（ＩＴＯ）、有機薄膜、カソードレイヤ（Metal）の積
層構造を有している。有機薄膜は電子と正孔の均衡を良
くして発光効率を向上させるために発光層（EML: emitt
ing layer）、電子輸送層（ETL: Electron Transport L
ayer）及び、正孔輸送層（HTL: Hole Transport Laye
r）を含む多層構造からなり、また独立の電子注入層（E
IL: Electron Injecting Layer）と正孔注入層（HIL: H
ole Injecting Layer）を含んでいる。
【０００３】このような有機発光セルを駆動する方式に
は、単純マトリックスである受動駆動（passive matri
x）方式と、ＴＦＴを利用した能動駆動（active matri
x）方式がある。単純マトリックス方式は正極線と負極
線を直交させて形成し、ラインを選択して各ピクセルを
瞬間的に駆動するが、能動駆動方式はＴＦＴとコンデン
サーを各ＩＴＯ画素電極に接続してコンデンサー容量に
よって電圧を維持し、比較的長時間駆動するようにする
駆動方式である。
【０００４】図２は有機ＥＬ素子を、ＴＦＴを利用して
駆動するためのピクセル回路であって、Ｎ×Ｍ個のピク
セル群のうちの一つｎ行ｍ烈交点を代表的に示したもの
である。図２に示す構造では、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ
Ｄ）に電流を制御する電流駆動形トランジスタ（Ｍｂ）
が連結されて発光のための電流を供給する。電流駆動形
トランジスタ（Ｍｂ）の電流量はスイッチングトランジ
スタ（Ｍａ）を通って印加されるデータ電圧によって制
御される。この時、印加された電圧を一定期間維持する
ためのコンデンサー（C）がトランジスタ（Ｍｂ）のソ
ースとゲートの間に連結される。トランジスタ（Ｍａ）
のゲートにはｎ番目の選択信号線（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ]）
が連結されており、ソース側にはｍ番目のデータ線（Ｄ
ａｔａ[ｍ]）が連結されている。
【０００５】この構造のピクセルの動作を説明すると、
図３に示すようにスイッチングトランジスタ（Ｍａ）の
ゲートに印加されるｎ番目の選択信号（Ｓｅｌｅｃｔ
[ｎ]）によってトランジスタ（Ｍａ）がオンになると、
データ線を通ってデータ電圧（VDATA）が駆動用トラン
ジスタ（Ｍｂ）のゲート（ノードＡ）に印加される。そ
して、ゲートに印加されるデータ電圧（VDATA）に対応
してトランジスタ（Ｍｂ）を通じて有機ＥＬ素子（ＯＥ
ＬＤ）に電流が流れて発光する。
【０００６】この時、有機ＥＬ素子に流れる電流は数１
に示す式１の通りである。
【数１】 ここで、ＩOELDは有機ＥＬ素子に流れる電流、ＶGSはト
ランジスタ（Ｍｂ）のソースとゲートの間の電圧、ＶTH
はトランジスタ（Ｍｂ）のしきい電圧、ＶDATAはデータ
電圧、βは定数値を示す。ＶDDは電源電圧である。
【０００７】前記式１に示したように、図２に示したピ
クセル回路によると印加されるデータ電圧（VDATA）に
対応する電流が有機ＥＬ素子（ＯＥＬＤ）に供給され、
供給された電流に対応して有機ＥＬ素子が発光する。こ
の時、印加されるデータ電圧（VDATA）は階調を表現す
るために一定の範囲で多段階の値を取る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来のピクセル回路では、製造工程の不均一性によっ
て生じるＴＦＴのしきい電圧（ＶTH）の偏差で高輝度の
階調再現を得にくい場合がある。例えば、３Ｖでピクセ
ルのＴＦＴを駆動する場合、８ビット（２５６）階調を
表現するためには１２ｍＶ（=３Ｖ/２５６）間隔でＴＦ
Ｔのゲート電圧に電圧を印加しなければならないが、製
造工程のばらつきによるＴＦＴのしきい電圧の偏差が１
００ｍＶである場合には高輝度の階調を良好に表現する
のに問題が残る。
【０００９】本発明は前記のような問題点を解決するた
めに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のしきい電圧の偏差を
補償して高輝度の階調を表現することができる有機ＥＬ
表示装置を提供することにその目的がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の一つの特徴による有機電界発光表示装置は、
請求項１に記載されているように、画像信号を示すデー
タ電圧を伝達する複数のデータ線、選択信号を伝達する
ための複数の走査線、及び前記複数のデータ線と前記複
数の走査線によって規定される複数のピクセルに各々形
成される複数のピクセル回路を備え、前記ピクセル回路
が、印加される電流の量に対応する光を発光する有機電
界発光素子、前記走査線に印加される選択信号に応答し
て前記データ線に印加されるデータ電圧をスイッチング
するための第１スイッチ、前記第１スイッチを通ってゲ
ートに入力される前記データ電圧に対応して前記有機電
界発光素子に電流を供給する第１薄膜トランジスタ、前
記第１薄膜トランジスタのしきい電圧偏差を補償するた
め、前記第１薄膜トランジスタのゲートにゲートが連結
されている第２薄膜トランジスタ、及び前記第１薄膜ト
ランジスタのゲートに印加されるデータ電圧を所定時間
維持するためのコンデンサーを備えたことにある。ここ
で、請求項２に記載されているように、制御信号に応答
して前記第１薄膜トランジスタのゲートに印加されたデ
ータ電圧を初期化する第２スイッチを有することが好ま
しい。
【００１１】さらに、請求項７又は１２に記載されてい
るように、前記第１スイッチは、ゲートに前記走査線が
連結され、ソース（またはドレーン）に前記データ線が
連結されて、ドレーン（またはソース）に前記第２薄膜
トランジスタのドレーン（またはソース）が連結される
第３薄膜トランジスタであり、前記第２スイッチは、ゲ
ートに前記制御信号が印加され、ソース（またはドレー
ン）に前記第１薄膜トランジスタのゲートが連結され
て、ドレーン（またはソース）にリセットのための所定
電圧が印加される第４薄膜トランジスタであることが好
ましい。
【００１２】一方、複数のデータ線、前記複数のデータ
線に交差する複数の走査線、前記複数のデータ線と複数
の走査線によって規定される領域に形成されて各々有機
電界発光素子に電流を供給する薄膜トランジスタを有す
る行列形態の複数のピクセルを含む有機電界発光表示装
置の駆動方法において、請求項１８に記載されているよ
うに、画像信号を示すデータ電圧を前記複数のデータ線
に印加する第１段階、前記ピクセルの行を選択するため
の選択信号を前記複数の走査線に順次に印加する第２段
階、前記選択信号に応答して前記データ線に印加された
データ電圧をスイッチングした後、印加されたデータ電
圧を前記薄膜トランジスタのしきい電圧偏差を減らすた
めに補償する第３段階、及び前記補償されたデータ電圧
を前記薄膜トランジスタのゲートに伝達して前記有機電
界発光表示素子に電流を供給する第４段階を、含むこと
が好ましい。この場合、請求項１９に記載されているよ
うに、制御信号に応答して前記薄膜トランジスタのゲー
トに印加されたデータ電圧を初期化する第５段階を含む
ことが好ましい。
【００１３】さらに、複数のデータ線と複数の走査線に
よって規定される複数のピクセルに各々形成される複数
のピクセル回路において、請求項２３に記載されている
ように、前記ピクセル回路は、有機電界発光素子、前記
電界発光素子にドレーンが電気的に連結される第１薄膜
トランジスタ、前記第１薄膜トランジスタのゲートにゲ
ートとソースが共に連結される第２薄膜トランジスタ、
前記走査線に制御端子が連結され、前記データ線と前記
第２薄膜トランジスタのソースに各々第１端子及び第２
端子が電気的に連結される第１スイッチ、及び、前記第
１薄膜トランジスタのゲートとソースの間に連結される
コンデンサーを含むことが好ましい。さらに、この構成
において、請求項２７、２９に記載されているように、
前記第１スイッチは、ゲートに前記走査線が連結され、
ソース（またはドレーン）に前記データ線が連結され
て、ドレーン（またはソース）に前記第２薄膜トランジ
スタのドレーン（またはソース）が連結される第３薄膜
トランジスタであり、前記第２スイッチは、ゲートに前
記制御信号が印加され、ソース（またはドレーン）に前
記第１薄膜トランジスタのゲートが連結されて、ドレー
ン（またはソース）にリセットのための所定電圧が印加
される第４薄膜トランジスタであることが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１５】図４は本発明の実施の形態による有機ＥＬ
表示装置を示す図面である。
【００１６】図４に示したように、本発明の実施の形態
による有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ表示装置パネル１
０、データドライバー（Data Driver)３０、走査ドライ
バー（SCAN Driver)２０を有して構成される。
【００１７】有機ＥＬ表示装置パネル１０は画像信号を
示すデータ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｄ１、Ｄ
２、Ｄ３、、、Ｄｙ）、選択信号を伝達するための走査
線（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、 …,Ｓｚ）、前記複数のデータ
線と複数の走査線の交点毎に規定されるピクセルに各々
形成されるピクセル回路１１を有する。
【００１８】データドライバー３０は複数のデータ線に
画像信号を示すデータ電圧を印加し、走査ドライバー２
０は複数の走査線に選択信号を順次に印加する。
【００１９】図５は、各々本発明の実施の形態によるピ
クセル回路１１を示す図面である。
【００２０】図５に示したように、本発明の実施の形態
によるピクセル回路１１は有機ＥＬ素子（ＯＥＬＤ）、
薄膜トランジスタ（Ｍ１、Ｍ２）、スイッチ（Ｓ１、Ｓ
２）、コンデンサー（Ｃ１）を備えている。
【００２１】有機ＥＬ素子（ＯＥＬＤ）は印加される電
流の量に対応する光を発光し、電流駆動用トランジスタ
（Ｍ１）は、電源電圧（ＶＤＤ）にソースが連結され
て、有機ＥＬ素子（ＯＥＬＤ）にドレーンが連結され、
ゲートに印加されるデータ線から供給されるデータ電圧
に対応する電流を有機ＥＬ素子に供給する。
【００２２】トランジスタ（Ｍ２）は、前記トランジス
タ（Ｍ１）のゲートにゲートとドレーンが各々連結され
てダイオード機能を果たし、前記電流駆動用トランジス
タ（Ｍ１）のしきい電圧偏差を補償する役割を果たす。
図５に示したピクセル回路によると、電流駆動用トラン
ジスタ（Ｍ１）としきい電圧補償用トランジスタ（Ｍ
２）をＰＭＯＳ形薄膜トランジスタで構成したが、後述
するようにＮＭＯＳ形薄膜トランジスタで構成すること
も可能である。
【００２３】コンデンサー（Ｃ１）は電源電圧（ＶＤ
Ｄ）とトランジスタ（Ｍ１）のゲートの間に連結されて
トランジスタ（Ｍ１）のゲートに印加されるデータ電圧
を一定期間維持する。
【００２４】スイッチ（Ｓ１）は走査線から印加される
選択信号（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ]）に応答してスイッチング
して、データ線に印加されるデータ電圧を電圧補償用ト
ランジスタ（Ｍ２）を通じて電流駆動用トランジスタ
（Ｍ１）に伝達する。スイッチ（Ｓ２）はリセット信号
（Ｒｅｓｅｔ）に応答して電流駆動用トランジスタ（Ｍ
１）のゲート電圧を初期化する。
【００２５】次には図５に示した本発明の実施の形態に
よるピクセル回路の動作を説明する。
【００２６】スイッチ（Ｓ１）に印加される選択信号
（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ]）によってスイッチ（Ｓ１）がオン
になると、データ線に印加されたデータ電圧（VDATA）
が電圧補償用トランジスタ（Ｍ２）を通じて電流駆動用
トランジスタ（Ｍ１）のゲート（ノードＡ）に伝達され
る。そして、ゲートに印加されるデータ電圧（VDATA）
に対応してトランジスタ（Ｍ１）を通じて有機ＥＬ素子
（ＯＥＬＤ）に電流が流れて発光が行われる。
【００２７】この時、本発明の実施の形態によって有機
ＥＬ素子に流れる電流は次の数２に示す式２の通りであ
る。
【数２】 ここで、ＩOELDは有機ＥＬ素子に流れる電流、ＶGSは電
流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のソースとゲートの間の
電圧、ＶTH1は電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のしき
い電圧、ＶTH2は電圧補償用トランジスタ（Ｍ２）のし
きい電圧、βは定数値を示す。ＶDDは電源電圧である。
【００２８】この時、電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）
と電圧補償用トランジスタ（Ｍ２）のしきい電圧が殆ど
同一であれば、つまり、ＶTH1=ＶTH2であれば、式２は
次の数３に示す式３で表現できる。実際に本発明の実施
の形態によれば、トランジスタ（Ｍ１）とトランジスタ
（Ｍ２）が殆ど同一な工程条件で製造されるために二つ
のトランジスタのしきい電圧の間には偏差が殆どなく、
しきい電圧が同一になる。
【００２９】
【数３】
【００３０】従って、本発明の実施の形態によれば有機
ＥＬ素子（ＯＥＬＤ）が数３に示す式３から分かるよう
に、電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のしきい電圧に関
係なくデータ線に印加されるデータ電圧に対応する電流
が流れる。つまり、本発明の実施の形態によればトラン
ジスタ（Ｍ２）が電流駆動用トランジスタ（Ｍ１）のし
きい電圧の偏差を補償するために有機ＥＬ素子に流れる
電流を微細に制御することができて高精度の階調を表現
できる有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００３１】一方、本発明の実施の形態によれば直前の
フレーム期間のデータが高いレベルの電圧であり、その
次のフレーム期間のデータが低いレベルの電圧であれば
トランジスタ（Ｍ２）のダイオード連結特性によってノ
ードＡにはそれ以上データ信号が印加できなくなるので
スイッチ（Ｓ２）をおいてノードＡをフレームごとに所
定レベル（例えば、接地レベル）に初期化する。この時
スイッチ（Ｓ２）は後述するように別途のリセット信号
を利用して駆動することができ、ＯＥＬＤピクセルの開
口率を高めるために直前の選択信号（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ
−１]）で駆動することもできる。
【００３２】図６は本発明の第１実施の形態による有機
ＥＬ表示装置のピクセル回路を示す図面である。図６に
示したように、本発明の第１実施の形態によるピクセル
回路は図５に示したピクセル回路と同様に電流駆動用ト
ランジスタ（Ｍ１）としきい電圧補償用トランジスタ
（Ｍ２）をＰＭＯＳトランジスタで構成し、スイッチ
（Ｓ１、Ｓ２）も各々ＰＭＯＳ形トランジスタ（Ｍ３、
Ｍ４）で構成した。
【００３３】また、トランジスタ（Ｍ１）のゲート電圧
をリセットさせるためのトランジスタ（Ｍ４）のゲート
には別途のリセット信号（Ｒｅｓｅｔ）が印加される。
【００３４】図８（イ）及び図８（ロ）は図６に示した
ピクセル回路を駆動するためのタイミング図である。
【００３５】まず、図８（イ）を参照すると、最初のリ
セット信号（Ｒｅｓｅｔ）によってノードＡを初期化さ
せた後、選択信号（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ]）により該当ピク
セル行を選択し、その後データ信号（Ｄａｔａ[ｍ]）を
印加してｍ列の該当ピクセルを発光させる。つまり、図
８（イ）に示した駆動方法によればリセット信号、選択
信号、データ信号の順序で各トランジスタに信号が印加
される。
【００３６】具体的には、トランジスタ（Ｍ４）のゲー
トに外部リセット（Ｒｅｓｅｔ）信号を印加して、まず
ノードＡを接地レベルに初期化した後、選択信号（Ｓｅ
ｌｅｃｔ[ｎ]）をトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加
して該当ピクセル行を活性化する。その後、活性化した
トランジスタ（Ｍ４）のソースにデータ信号（Ｄａｔａ
[ｍ]）を印加してｍ列の電流駆動用トランジスタ（Ｍ
１）を駆動させる。この時、電流駆動用トランジスタ
（Ｍ１）を通じて有機ＥＬ素子に流れる電流は前述した
式３の通りである。
【００３７】一方、外部リセット信号を使用する本発明
の第１実施の形態によるピクセル回路は図８（イ）に示
したタイミング図以外に図８（ロ）に示したタイミング
図を利用して駆動することができる。
【００３８】図８（ロ）の例にあっては、最初リセット
信号（Ｒｅｓｅｔ）によってノードＡを初期化させた
後、ｍ列のデータ線にデータ信号（Ｄａｔａ[ｍ]）を印
加し、その後選択信号（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ]）によりｎ行
の該当ピクセルを選択する。つまり、図８（ロ）に示し
た駆動方法によるとリセット信号、データ信号、選択信
号の順序に各トランジスタに信号が印加される。
【００３９】図７は本発明の第２実施の形態による有機
ＥＬ表示装置のピクセル回路を示す図面である。本発明
の第２実施の形態によるピクセル回路は図６に示したピ
クセル回路と殆ど同一な構成を有するが、トランジスタ
（Ｍ４）のゲートが直前の走査線に連結されるという点
が異なる。つまり、本発明の第２実施の形態によるピク
セル回路はトランジスタ（Ｍ４）のゲートに印加する信
号を、独立の外部リセット信号を使用する代わりに直前
の走査線の選択信号（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ−１]）を利用す
る。
【００４０】このように、外部の別の外部リセット信号
を利用しない場合にはリセット信号を伝達するための別
途の配線が必要でないためにピクセルの開口率を高める
ことができるという長所がある。
【００４１】図９は本発明の第２実施の形態による有機
ＥＬ表示装置を駆動するためのタイミング図である。
【００４２】図９に示したように、直前の走査信号を利
用してノードＡをリセットさせる本発明の第２実施の形
態によると必ず直前の選択信号（リセット信号）、デー
タ信号、現在の選択信号の順序に各トランジスタに信号
を印加しなければならない。つまり、現在の選択信号
（Select[ｎ]）が走査線に印加される前にデータ線にデ
ータ電圧が印加されなければならない。
【００４３】万一、図８（イ）に示したように現在のデ
ータ電圧が印加される前に選択信号（Select[ｎ]）が印
加される場合にはデータ線に印加されていた直前のデー
タ電圧がトランジスタ（Ｍ４）を通じて電流駆動用トラ
ンジスタ（Ｍ１）に印加される。従って、必ずデータ線
に現在のデータ電圧が印加された後、選択信号が印加さ
れなければならない。
【００４４】図１０は本発明の第３実施の形態による有
機ＥＬ表示装置のピクセル回路を示し、図１１（イ）及
び図１１（ロ）は図１０に示したピクセル回路を駆動す
るためのタイミング図である。図１０に示したように、
本発明の第３実施の形態によるピクセル回路は図６また
は図７に示したピクセル回路の全てのトランジスタが前
例のＰＭＯＳ形からＮＭＯＳ形トランジスタ（Ｍ５、Ｍ
６、Ｍ７、Ｍ８）に変化しており、図６または図７に示
した回路に対して完全に対称構造をしている。これによ
って、ピクセル面積に占めるトランジスタ面積が減少す
る効果がある（ＮＭＯＳは易動度が大きいので、チャン
ネル幅を小さくできる）。
【００４５】図１０に示したピクセル回路の動作説明及
び図１１（イ）及び図１１（ロ）に示したタイミング図
の説明は、図６及び図７について、既に説明した内容を
もとにして、本発明の属する技術分野における通常の知
識を有する者であれば容易に分かる内容であるので、重
複する説明を省略する。
【００４６】図１２は本発明の第４実施の形態による有
機ＥＬ表示装置を示す図面である。
【００４７】図１２に示したように、本発明の第４実施
の形態によるピクセル回路は図６または図７に示したピ
クセル回路と殆ど同じ構成を有するが、スイッチングト
ランジスタ（Ｍ４）のドレーンを接地する代わりにプリ
チャージ電圧（Ｖpre）を印加するという点が異なる。
このように、トランジスタ（Ｍ４）のドレーンに接地電
圧の代わりにプリチャージ電圧を印加すればノードＡの
初期化電圧を接地レベルの代わりにプリチャージ（Ｖpr
e）電圧レベルまで高めることができるのでトランジス
タのスイッチング（switching）時間だけでなく消費電
力までも減らすことができるという長所がある。この
時、プリチャージ電圧は最大グレーレベルに到達するた
めにノードＡに印加される電圧（つまり、データ線に印
加される最低電圧）より多少低い値に設定するのが好ま
しい。
【００４８】図１３は本発明の第５実施の形態による有
機ＥＬ表示装置を示す図面である。
【００４９】図１３に示したように、本発明の第５実施
の形態によるピクセル回路は図６または図７に示したピ
クセル回路と殆ど同一な構成を有するが、スイッチング
トランジスタ（Ｍ４）のドレーンとゲートが連結されて
ダイオード機能を行い、トランジスタ（Ｍ４）のゲート
（つまり、ダイオードの入力端子）に外部リセット信号
端子または直前の走査線が連結されるという点が異な
る。
【００５０】図１３に示したように、本発明の実施の形
態によるとダイオード連結されたトランジスタ（Ｍ４）
によってもノードＡを初期化させることができるが、こ
のように接地電圧やプリチャージ電圧を利用する代わり
に、リセット信号や直前の選択信号を利用する場合に
は、別途の接地配線やプリチャージ配線を形成する必要
がないために全体的に配線の数を減らすことができて開
口率を高めることができるという長所がある。
【００５１】図１４は本発明の第６実施の形態による有
機ＥＬ表示装置を示す図面である。
【００５２】図１４に示したように、本発明の第６実施
の形態によるピクセル回路は図６に示したピクセル回路
と殆ど同じ構成を有するが、ＰＭＯＳ形トランジスタ
（Ｍ４）を使用する代わりにＮＭＯＳ形トランジスタ
（Ｍ９）を使用する点が異なる。図１４でトランジスタ
（Ｍ９）のゲートには外部の別途リセット信号が印加さ
れる。
【００５３】図６に示したようにリセット信号が印加さ
れるスイッチングトランジスタ（Ｍ４）がＰＭＯＳトラ
ンジスタである場合には、リセット動作時にトランジス
タ（Ｍ４）のゲートには一定の電圧（例えば、接地レベ
ル）が印加される反面、トランジスタ（Ｍ４）のソース
（ノードＡ）の電圧はリセット動作の影響で継続して低
くなる。従って、トランジスタ（Ｍ４）のゲートとソー
スの間の電圧（VGS）が続けて低くなってノードＡから
トランジスタ（Ｍ４）を通じて接地点またはプリチャー
ジ電圧点に流れる電流が引続き減少しリセットに相当な
時間がかかる。また、トランジスタ（Ｍ４）がオンにな
るためにはトランジスタ（Ｍ４）のゲートとソース間の
電圧差がしきい電圧（ＶTH）の絶対値より大きくなけれ
ばならないために、リセット動作時に印加されるリセッ
ト信号が接地電圧であると仮定すればノードＡの実際最
低電圧は|ＶTH|となる。
【００５４】これに比べて、本発明の第６実施の形態に
よるピクセル回路によればスイッチングトランジスタ
（Ｍ９）としてＮＭＯＳトランジスタを用いるために、
ノードＡの接地最低電圧を殆ど接地レベルまで低くする
ことができるので階調を表現するためのデータ電圧幅を
さらに広めることができる長所がある。また、トランジ
スタ（Ｍ９）のゲートとソースの間の電圧（VGS）が図
６とは異なって一定であるため、ノードＡからトランジ
スタ（Ｍ４）を通じて接地点またはプリチャージ電圧点
に流れる電流が一定で迅速にリセットを行うことができ
るという長所がある。
【００５５】図１６は本発明の第６実施の形態によるピ
クセル回路を駆動するためのタイミング図である。図１
６に示したように、第６実施の形態によるピクセル回路
はリセット信号がゲートに印加されるトランジスタ（Ｍ
９）がＮＭＯＳ形トランジスタであるために、リセット
信号が図８（イ）に示したリセット信号と反対の波形を
有する。
【００５６】一方、図１４に示したピクセル回路に対す
る動作と図１６に示したタイミング図に対する説明は以
前の説明から本発明の属する技術分野における通常の知
識を有する者が容易に理解できるので重複する説明は省
略する。
【００５７】図１５は発明の第７実施の形態による有機
ＥＬ表示装置のピクセル回路を示し、図１７は図１５に
用いられる駆動波形のタイミング図である。
【００５８】図１５に示したように、本発明の第７実施
の形態によるピクセル回路は図１４に示したピクセル回
路と殆ど同一な構成を有するが、ＮＭＯＳトランジスタ
（Ｍ９）のゲートに直前の走査線が連結されて直前の選
択信号（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ−１]）がリセット信号として
用いられるという点と走査線にゲートが連結されるトラ
ンジスタ（Ｍ１０）がＮＭＯＳトランジスタという点が
異なる。
【００５９】図１５に示したように、ＮＭＯＳトランジ
スタ（Ｍ９）のゲートに連結されるリセット信号を直前
の選択信号を使用する場合には、データ電圧をスイッチ
ングするためのトランジスタも同様にＮＭＯＳトランジ
スタを利用しなければならない。
【００６０】図１７に示したように、本発明の第７実施
の形態によるピクセル回路は直前の選択信号を利用して
ノードＡをリセットさせるために、図９と同様に直前の
選択信号（リセット信号）、データ信号、現在の選択信
号の順序に各トランジスタに信号を印加しなければなら
ない。
【００６１】図１８及び図１９は各々本発明の第８及び
第９実施の形態による有機ＥＬ表示装置のピクセル回路
を示す図面である。
【００６２】図１８及び図１９に示したピクセル回路は
各々図１４及び図１５に示したピクセル回路と各々ＰＭ
ＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタが対称的に変
わったものである。
【００６３】図１８及び図１９に示したピクセル回路の
動作及び動作タイミング図は以前に説明した内容から当
業者が容易に理解できるので、以下重複する説明を省略
する。
【００６４】次に、本発明の実施の形態による有機電界
発光表示装置の配置構造及び断面構造を説明する。
【００６５】図２０は本発明の実施の形態による有機Ｅ
Ｌ表示装置の配置構造を示した図面であり、具体的に図
１３に示したピクセル回路の配置構造を示す図面であ
る。
【００６６】図２１は図２０のＡ−Ｂ線に対する断面図
である。
【００６７】図２０及び図２１で、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、
Ｖ領域は各々薄膜トランジスタ（Ｍ４）、薄膜トランジ
スタ（Ｍ２）、薄膜トランジスタ（Ｍ１）、隣接ピクセ
ルの薄膜トランジスタ（Ｍ４）が形成される領域であ
り、ＩＶ領域は有機ＥＬ素子（ＯＥＬＤ）が形成される
領域である。
【００６８】図２０及び図２１に示したように、透明な
絶縁基板１００上に多結晶シリコン層２００が形成され
ており、多結晶シリコン層２００が形成されている基板
１００上にはシリコンダイオキサイド（ＳｉＯ2）やシ
リコンナイトライド（ＳｉＮx）などからなるゲート絶
縁膜３００が形成されている。
【００６９】ゲート絶縁膜３００上にはシリコン層２０
０と交差するようにアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃ
ｒ）等で作られたゲート線４００が横方向に形成されて
いる。ゲート線４００がＩ領域及びＶ領域のシリコン層
２００と重なる部分に各々ゲート電極４１０が形成され
る。また、キャパシタンスを形成するための第１維持電
極線４５０がゲート線４００と同一層に同一物質で形成
されている。この第１維持電極線４５０がＩＩ領域及び
ＩＩＩ領域のシリコン層２００と重なる部分に各々ゲー
ト電極４１０が形成される。
【００７０】この時、シリコン層２００の中で、ゲート
電極４１０下部に置かれた部分はドーピングされていな
く、その両側は各々ｎ形不純物でドーピングされている
が、ｎ形不純物でドーピングされている領域が各々ソー
ス領域２３０及びドレーン領域２１０を形成しドーピン
グされていない領域がチャンネル領域２２０を形成す
る。
【００７１】ゲート線４００及び第１維持電極線４５０
などのゲート配線層上部にはシリコンダイオキサイド、
シリコンナイトライドなどの物質からなる層間絶縁膜５
００が形成されており、ゲート絶縁膜３００と層間絶縁
膜５００はドレーン及びソース領域２１０、２３０を露
出する接触孔（Ｃ１、Ｃ２）を有している。
【００７２】層間絶縁膜５００上にはクロム（Ｃｒ）ま
たはモリブデン（Ｍｏ）のような物質でデータ線６００
が縦方向に形成されている。データ線６００から延びて
Ｉ領域のシリコン層２００の一部、つまり、ソース領域
２１０と重なる部分がソース電極６１０になる。この
時、ドレーン電極６１０は層間絶縁膜５００に形成され
ている接触孔（Ｃ１）を通ってドレーン領域２１０と連
結されている。
【００７３】また、第１維持電極線４１０上に重なって
キャパシタンスを形成するための第２維持電極線６５０
がデータ線６００と同一層に同一物質で形成されてい
る。この第２維持電極線６５０がＩＩＩ領域のシリコン
層２００の一部、つまり、ソース領域２１０と重なる部
分がソース電極６１０になる。この時、ソース電極６１
０は接触孔（Ｃ１）を通ってソース領域２１０に連結さ
れている。
【００７４】また、第１信号線６４０、第２信号線６６
０、第３信号線６７０及び第４信号線６８０がデータ線
６００と同一層に同一物質で形成されている。第１信号
線６４０がＩＩ領域のシリコン層２００の一部、つま
り、ドレーン領域２３０と重なる部分がソース電極６２
０になり、第２信号線６６０がＶ領域のソース領域２１
０と重なる部分がソース電極６１０になる。第３信号線
６７０がＶ領域のソース領域２３０と重なる部分がソー
ス電極６１０になり、第４信号線６８０がＩＩＩ領域の
ドレーン領域と重なる部分がドレーン電極６２０にな
る。この時、ソース電極６１０及びドレーン電極６２０
は各々接触孔（Ｃ１、Ｃ２）を通じてソース領域２１０
とドレーン領域２３０に連結されている。
【００７５】第１信号線６４０と第２信号線６６０は各
々第１維持電極線４５０と接触孔（Ｃ３）を通じて接触
され、これにより図１３に示した等価回路のようにトラ
ンジスタ（Ｍ２）のドレーン電極がトランジスタ（Ｍ
２）のゲート電極、トランジスタ（Ｍ１）のゲート電
極、トランジスタ（Ｍ４）のドレーン電極に電気的に連
結される。第３信号線６７０は接触孔（Ｃ３）を通じて
選択ゲート線（Ｓｅｌｅｃｔ[ｎ−１]）に接触され、こ
れにより図３に示した等価回路のように、トランジスタ
（Ｍ４）のソース電極が選択ゲート線に電気的に連結さ
れる。
【００７６】データ線６００とソース及びドレーン電極
６１０、６２０などのデータ配線上にはシリコンオキサ
イド、シリコンナイトライドからなる保護絶縁膜７００
が覆っている。領域ＩＶに形成される保護絶縁膜７００
上にはＩＴＯ（indium-tin-oxide）からなる透明画素電
極８００が形成されている。この画素電極８００は保護
絶縁膜７００に形成されている接触孔（Ｃ４）を通じて
薄膜トランジスタ（Ｍ１）のドレーン電極６２０と連結
されている。
【００７７】保護絶縁膜７００及び画素電極８００上に
は平坦化膜９００が形成され、平坦化膜９００と画素電
極８００上に有機ＥＬ素子層９００及びカソード金属層
１０００が順次に形成される。
【００７８】図２０に示した本発明の実施の形態による
有機ＥＬ表示装置によると、薄膜トランジスタ（Ｍ２）
及び薄膜トランジスタ（Ｍ１）がデータ線５００と平行
に同一線上に位置する。有機ＥＬ表示装置を製造する場
合、一般にデータ線と平行にレーザービームをスキャン
するが、本発明の実施の形態によれば薄膜トランジスタ
（Ｍ２、Ｍ１）がデータ線５００と平行に同一線上に位
置するために同一なレーザービームに照射される。従っ
て、薄膜トランジスタ（Ｍ１）及び薄膜トランジスタ
（Ｍ２）が殆ど同一工程条件で製造されるために、しき
い電圧が殆ど同一になる。
【００７９】結局、本発明の実施の形態によるとＶTH1=
ＶTH2であるので、前述した式３の条件を殆ど満足させ
ることができ、前述したような高階調の有機ＥＬ表示装
置を実現することができる。
【００８０】図２０及び図２１に示した本発明の実施の
形態による有機ＥＬ表示装置の配置図及び断面図は一つ
の例示に過ぎず、その外に多様に変形して用いることが
できる。
【００８１】以上では本発明の実施の形態について説明
したが、本発明は前記実施の形態にだけ限定されるわけ
ではなく、その他の様々な変更や変形が可能である。
【００８２】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明によれば
有機ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）のしきい電圧の偏差を効果的に補償してより高階調
の有機ＥＬ表示装置を実現することができる長所があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な有機電界発光素子を説明するために示
した図面
【図２】有機電界発光素子を駆動するためのピクセル回
路の原理図
【図３】図２に示すピクセル回路に対する駆動タイミン
グ図
【図４】本発明の実施の形態による有機電界発光表示装
置を示す図面
【図５】本発明のピクセル回路を示す図面
【図６】本発明の第１実施の形態によるピクセル回路を
示す図面
【図７】本発明の第２実施の形態によるピクセル回路を
示す図面
【図８】図６に示したピクセル回路に対する駆動タイミ
ング図
【図９】図７に示したピクセル回路に対する駆動タイミ
ング図
【図１０】本発明の第３実施の形態によるピクセル回路
を示す図
【図１１】図１０に示したピクセル回路に対する駆動タ
イミング図
【図１２】本発明の第４実施の形態によるピクセル回路
を示す図面
【図１３】本発明の第５実施の形態によるピクセル回路
を示す図面
【図１４】本発明の第６実施の形態によるピクセル回路
を示す図面
【図１５】本発明の第７実施の形態によるピクセル回路
を示す図面
【図１６】図１４に示したピクセル回路に対する駆動タ
イミング図
【図１７】図１５に示したピクセル回路に対する駆動タ
イミング図
【図１８】本発明の第８実施の形態によるピクセル回路
を示す図
【図１９】本発明の第９実施の形態によるピクセル回路
を示す図面
【図２０】本発明の実施の形態による有機電界発光素子
の配置構造を示した平面図
【図２１】図２０のＡ−Ｂ線に対する断面図
【符号の説明】
１０ 有機ＥＬ表示装置パネル １１ ピクセル回路 ２０ 走査ドライバー ３０ データドライバー １００ 絶縁基板 ２００ シリコン層 ２１０ ソース領域 ２２０ チャンネル領域 ２３０ ドレーン領域 ３００ ゲート絶縁膜 ４００ ゲート線 ４１０ ゲート電極 ４５０ 第１維持電極線 ５００ 絶縁膜 ６００ データ線 ６１０ ソース電極 ６２０ ドレーン電極 ６４０ 第１信号線 ６５０ 第２維持電極線 ６６０ 第２信号線 ６７０ 第３信号線 ６８０ 第４信号線 ７００ 保護絶縁膜 ８００ 透明画素電極 ９００ 平坦化膜 １０００ 有機ＥＬ素子層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ｄ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 BA06 DA01 DB03 EB00 GA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD03 DD28 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 5C094 AA07 AA53 AA55 AA56 BA03 BA27 CA19 CA25 DA09 DB01 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA01 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GA10

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 画像信号を示すデータ電圧を伝達する複
    数のデータ線、選択信号を伝達するための複数の走査
    線、及び前記複数のデータ線と前記複数の走査線によっ
    て規定される複数のピクセルに各々形成される複数のピ
    クセル回路を備え、 前記ピクセル回路が、 印加される電流の量に対応する光を発光する有機電界発
    光素子、 前記走査線に印加される選択信号に応答して前記データ
    線に印加されるデータ電圧をスイッチングするための第
    １スイッチ、 前記第１スイッチを通ってゲートに入力される前記デー
    タ電圧に対応して前記有機電界発光素子に電流を供給す
    る第１薄膜トランジスタ、 前記第１薄膜トランジスタのしきい電圧偏差を補償する
    ため、前記第１薄膜トランジスタのゲートにゲートが連
    結されている第２薄膜トランジスタ、及び前記第１薄膜
    トランジスタのゲートに印加されるデータ電圧を所定時
    間維持するためのコンデンサーを備えた有機電界発光表
    示装置。
  2. 【請求項２】 制御信号に応答して前記第１薄膜トラン
    ジスタのゲートに印加されたデータ電圧を初期化する第
    ２スイッチを有する請求項１に記載の有機電界発光表示
    装置。
  3. 【請求項３】 前記制御信号は、外部リセット信号であ
    る請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
  4. 【請求項４】 前記制御信号は、直前の走査線の選択信
    号である請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
  5. 【請求項５】 現在の選択信号が印加される前に、直前
    の前記データ電圧が前記データ線に印加される請求項４
    に記載の有機電界発光表示装置。
  6. 【請求項６】 前記第２薄膜トランジスタは、ゲートと
    ドレーンが互いに電気的に連結される請求項２に記載の
    有機電界発光表示装置。
  7. 【請求項７】 前記第１スイッチは、ゲートに前記走査
    線が連結され、ソースに前記データ線が連結されて、ド
    レーンに前記第２薄膜トランジスタのドレーンが連結さ
    れる第３薄膜トランジスタであり、 前記第２スイッチは、ゲートに前記制御信号が印加さ
    れ、ソースに前記第１薄膜トランジスタのゲートが連結
    されて、ドレーンにリセットのための所定電圧が印加さ
    れる第４薄膜トランジスタである請求項２に記載の有機
    電界発光表示装置。
  8. 【請求項８】 前記第４薄膜トランジスタのソースに印
    加される所定電圧は、接地電圧である請求項７に記載の
    有機電界発光表示装置。
  9. 【請求項９】 前記第４薄膜トランジスタのソースに印
    加される所定電圧は、プリチャージ電圧である請求項７
    に記載の有機電界発光表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記プリチャージ電圧は、最大グレー
    レベルを表示するために前記第１薄膜トランジスタのゲ
    ートに印加される最少データ電圧より低い値に設定され
    る請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記第４薄膜トランジスタは、ゲート
    とドレーンが互いに連結される請求項７に記載の有機電
    界発光表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記第１スイッチは、ゲートに前記走
    査線が連結され、ドレーンに前記データ線が連結され
    て、ソースに前記第２薄膜トランジスタのソースが連結
    される第３薄膜トランジスタであり、 前記第２スイッチは、ゲートに前記制御信号が印加さ
    れ、ドレーンに前記第１薄膜トランジスタのゲートが連
    結されて、ソースにリセットのための所定電圧が印加さ
    れる第４薄膜トランジスタである請求項２に記載の有機
    電界発光表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記第１乃至第４薄膜トランジスタは
    同一電導タイプの薄膜トランジスタである請求項７又は
    １２に記載の有機電界発光表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記第１、第２、第３薄膜トランジス
    タは第１電導タイプのトランジスタであり、前記第４薄
    膜トランジスタは第２電導タイプのトランジスタである
    請求項７又は１２に記載の有機電界発光表示装置。
  15. 【請求項１５】 前記第１及び第２薄膜トランジスタは
    第１電導タイプのトランジスタであり、前記第３及び第
    ４薄膜トランジスタは第２電導タイプのトランジスタで
    ある請求項７又は１２に記載の有機電界発光表示装置。
  16. 【請求項１６】 前記第１薄膜トランジスタと前記第２
    薄膜トランジスタは同一のしきい電圧値を有する請求項
    ２に記載の有機電界発光表示装置。
  17. 【請求項１７】 前記第１薄膜トランジスタと前記第２
    薄膜トランジスタは前記データ線と平行しており、同一
    面上に形成される請求項１６に記載の有機電界発光表示
    装置。
  18. 【請求項１８】 複数のデータ線、前記複数のデータ線
    に交差する複数の走査線、前記複数のデータ線と複数の
    走査線によって規定される領域に形成されて各々有機電
    界発光素子に電流を供給する薄膜トランジスタを有する
    行列形態の複数のピクセルを含む有機電界発光表示装置
    の駆動方法において、 画像信号を示すデータ電圧を前記複数のデータ線に印加
    する第１段階、 前記ピクセルの行を選択するための選択信号を前記複数
    の走査線に順次に印加する第２段階、 前記選択信号に応答して前記データ線に印加されたデー
    タ電圧をスイッチングした後、印加されたデータ電圧を
    前記薄膜トランジスタのしきい電圧偏差を減らすために
    補償する第３段階、及び前記補償されたデータ電圧を前
    記薄膜トランジスタのゲートに伝達して前記有機電界発
    光表示素子に電流を供給する第４段階を、 含む有機電界発光表示装置の駆動方法。
  19. 【請求項１９】 制御信号に応答して前記薄膜トランジ
    スタのゲートに印加されたデータ電圧を初期化する第５
    段階を含む請求項１８に記載の有機電界発光表示装置の
    駆動方法。
  20. 【請求項２０】 前記制御信号は外部リセット信号であ
    る請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の駆動方
    法。
  21. 【請求項２１】 前記制御信号は、直前の走査線の選択
    信号である請求項１９に記載の有機電界発光表示装置の
    駆動方法。
  22. 【請求項２２】 現在の選択信号が印加される前に、直
    前の前記データ電圧が前記データ線に印加される請求項
    ２１に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  23. 【請求項２３】 複数のデータ線と複数の走査線によっ
    て規定される複数のピクセルに各々形成される複数のピ
    クセル回路において、 前記ピクセル回路は、 有機電界発光素子、 前記電界発光素子にドレーンが電気的に連結される第１
    薄膜トランジスタ、 前記第１薄膜トランジスタのゲートにゲートとソースが
    共に連結される第２薄膜トランジスタ、 前記走査線に制御端子が連結され、前記データ線と前記
    第２薄膜トランジスタのソースに各々第１端子及び第２
    端子が電気的に連結される第１スイッチ、 及び、前記第１薄膜トランジスタのゲートとソースの間
    に連結されるコンデンサーを含む有機電界発光表示装置
    のピクセル回路。
  24. 【請求項２４】 制御信号が制御端子に印加され、第１
    端子が前記第２薄膜トランジスタのドレーンに電気的に
    連結されて、第２端子に所定電圧が印加される第２スイ
    ッチを有する請求項２３に記載の有機電界発光表示装置
    のピクセル回路。
  25. 【請求項２５】 前記第２スイッチの制御端子には、外
    部リセット信号が印加される請求項２４に記載の有機電
    界発光表示装置のピクセル回路。
  26. 【請求項２６】 前記第２スイッチの制御端子には、直
    前の走査線が連結される請求項２４に記載の有機電界発
    光表示装置のピクセル回路。
  27. 【請求項２７】 前記第１スイッチは、ゲートに前記走
    査線が連結され、ソースに前記データ線が連結されて、
    ドレーンに前記第２薄膜トランジスタのドレーンが連結
    される第３薄膜トランジスタであり、 前記第２スイッチは、ゲートに前記制御信号が印加さ
    れ、ソースに前記第１薄膜トランジスタのゲートが連結
    されて、ドレーンにリセットのための所定電圧が印加さ
    れる第４薄膜トランジスタである請求項２４に記載の有
    機電界発光表示装置のピクセル回路。
  28. 【請求項２８】 前記第４薄膜トランジスタは、ゲート
    とドレーンが互いに電気的に連結されている請求項２７
    に記載の有機電界発光表示装置のピクセル回路。
  29. 【請求項２９】 前記第１スイッチは、ゲートに前記走
    査線が連結され、ドレーンに前記データ線が連結され
    て、ソースに前記第２薄膜トランジスタのソースが連結
    される第３薄膜トランジスタであり、 前記第２スイッチは、ゲートに前記制御信号が印加さ
    れ、ドレーンに前記第１薄膜トランジスタのゲートが連
    結されて、ソースにリセットのための所定電圧が印加さ
    れる第４薄膜トランジスタである請求項２４に記載の有
    機電界発光表示装置のピクセル回路。
  30. 【請求項３０】 前記第１乃至第４薄膜トランジスタ
    は、同一電導タイプの薄膜トランジスタである請求項２
    ７又は２９に記載の有機電界発光表示装置のピクセル回
    路。
  31. 【請求項３１】 前記第１、第２、第３薄膜トランジス
    タは、第１電導タイプのトランジスタであり、前記第４
    薄膜トランジスタは第２電導タイプのトランジスタであ
    る請求項２７又は２９に記載の有機電界発光表示装置の
    ピクセル回路。
  32. 【請求項３２】 前記第１及び第２薄膜トランジスタは
    第１電導タイプのトランジスタであり、前記第３及び第
    ４薄膜トランジスタは第２電導タイプのトランジスタで
    ある請求項２７又は２９に記載の有機電界発光表示装置
    のピクセル回路。
  33. 【請求項３３】 前記第１薄膜トランジスタと前記第２
    薄膜トランジスタは、同一のしきい電圧値を有する請求
    項２４に記載の有機電界発光表示装置のピクセル回路。
  34. 【請求項３４】 前記第１薄膜トランジスタと前記第２
    薄膜トランジスタは前記データ線と平行しており、同一
    線上に形成される請求項３３に記載の有機電界発光表示
    装置のピクセル回路。
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