JP2002156923A - アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置Info
- Publication number
- JP2002156923A JP2002156923A JP2000353763A JP2000353763A JP2002156923A JP 2002156923 A JP2002156923 A JP 2002156923A JP 2000353763 A JP2000353763 A JP 2000353763A JP 2000353763 A JP2000353763 A JP 2000353763A JP 2002156923 A JP2002156923 A JP 2002156923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- transistor
- voltage
- display device
- active matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101150040536 CDS2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100214494 Solanum lycopersicum TFT4 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素トランジスタの寄生容量に起因する飛び
込み電圧があると、最高輝度が低下したり、正確な階調
表現が難しくなったり、画素間で発光輝度のばらつきが
生じたりする。 【解決手段】 アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装
置において、ＴＦＴ２２ゲートにおける保持容量２３の
容量ＣｓとＴＦＴ２２のゲート・ソース間容量Ｃｇｓ１
との和をＣｓｏ、ＴＦＴ２２のゲート電位の振幅をＶｄ
ａｔａ、ＴＦＴ２２のゲートに接続される他のＴＦＴ２
４の寄生容量をＣｐ、その電圧振幅をΔＶｓｃａｎと
し、表示階調数をｎとしたとき、保持容量２３が、｛Ｃ
ｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・（ΔＶｓｃａｎ／Ｖｄａｔａ）
＜１／ｎなる条件を満足する容量値Ｃｓを持つようにす
る。
込み電圧があると、最高輝度が低下したり、正確な階調
表現が難しくなったり、画素間で発光輝度のばらつきが
生じたりする。 【解決手段】 アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装
置において、ＴＦＴ２２ゲートにおける保持容量２３の
容量ＣｓとＴＦＴ２２のゲート・ソース間容量Ｃｇｓ１
との和をＣｓｏ、ＴＦＴ２２のゲート電位の振幅をＶｄ
ａｔａ、ＴＦＴ２２のゲートに接続される他のＴＦＴ２
４の寄生容量をＣｐ、その電圧振幅をΔＶｓｃａｎと
し、表示階調数をｎとしたとき、保持容量２３が、｛Ｃ
ｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・（ΔＶｓｃａｎ／Ｖｄａｔａ）
＜１／ｎなる条件を満足する容量値Ｃｓを持つようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各画素毎に能動素
子を有して当該能動素子によって画素単位で表示の駆動
制御が行われるアクティブマトリクス型表示装置および
各画素の表示素子（電気光学素子）として有機材料のエ
レクトロルミネッセンス素子(以下、有機ＥＬ(electrol
uminescence) 素子と記す)を用いたアクティブマトリク
ス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
子を有して当該能動素子によって画素単位で表示の駆動
制御が行われるアクティブマトリクス型表示装置および
各画素の表示素子（電気光学素子）として有機材料のエ
レクトロルミネッセンス素子(以下、有機ＥＬ(electrol
uminescence) 素子と記す)を用いたアクティブマトリク
ス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フラットパネルディスプレイとし
て、画素毎に配される表示素子に有機ＥＬ素子を用いた
有機ＥＬ表示装置が注目されている。すなわち、有機Ｅ
Ｌ素子は、１０Ｖ以下の駆動電圧で、数１００〜数１０
０００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られることから、これを画
素の表示素子に用いた有機ＥＬ表示装置は、次世代のフ
ラットパネルディスプレイとして有望視されている。
て、画素毎に配される表示素子に有機ＥＬ素子を用いた
有機ＥＬ表示装置が注目されている。すなわち、有機Ｅ
Ｌ素子は、１０Ｖ以下の駆動電圧で、数１００〜数１０
０００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られることから、これを画
素の表示素子に用いた有機ＥＬ表示装置は、次世代のフ
ラットパネルディスプレイとして有望視されている。
【０００３】有機ＥＬ表示装置の駆動方式としては、単
純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス
方式とが挙げられる。ディスプレイの大型化・高精細化
を実現するには、単純マトリクス方式の場合は、各画素
の発光期間が走査線（即ち、垂直方向の画素数）の増加
によって減少するため、瞬間的に各画素の有機ＥＬ素子
が高輝度で発光することが要求される。一方、アクティ
ブマトリクス方式の場合は、各画素が１フレームの期間
に亘って発光を持続するため、ディスプレイの大型化・
高精細化が容易である。
純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス
方式とが挙げられる。ディスプレイの大型化・高精細化
を実現するには、単純マトリクス方式の場合は、各画素
の発光期間が走査線（即ち、垂直方向の画素数）の増加
によって減少するため、瞬間的に各画素の有機ＥＬ素子
が高輝度で発光することが要求される。一方、アクティ
ブマトリクス方式の場合は、各画素が１フレームの期間
に亘って発光を持続するため、ディスプレイの大型化・
高精細化が容易である。
【０００４】このアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示
装置において、その典型的な画素回路を図２に示す。な
お、画素内部には、一般的に、能動素子として薄膜トラ
ンジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)が設けられ
る。すなわち、図２から明らかなように、本例に係る画
素回路は、有機ＥＬ素子２１と、この有機ＥＬ素子２１
を駆動するＴＦＴ２２と、データ電圧を保持する保持容
量２３と、画素を選択するＴＦＴ２４とを有する構成と
なっている。
装置において、その典型的な画素回路を図２に示す。な
お、画素内部には、一般的に、能動素子として薄膜トラ
ンジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)が設けられ
る。すなわち、図２から明らかなように、本例に係る画
素回路は、有機ＥＬ素子２１と、この有機ＥＬ素子２１
を駆動するＴＦＴ２２と、データ電圧を保持する保持容
量２３と、画素を選択するＴＦＴ２４とを有する構成と
なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の画素回路に
おいて、保持容量２３およびＴＦＴ２４によって、デー
タ電圧を記憶保持するメモリが形成されている。しかし
ながら、ＤＲＡＭ等のメモリがディジタル動作であるの
に対して、有機ＥＬ表示装置ではアナログ動作が要求さ
れるため、保持容量２３およびＴＦＴ２４によってデー
タ電圧を記憶保持するに当たってはさまざまな問題が生
じる。このことについて、以下に具体的に説明する。
おいて、保持容量２３およびＴＦＴ２４によって、デー
タ電圧を記憶保持するメモリが形成されている。しかし
ながら、ＤＲＡＭ等のメモリがディジタル動作であるの
に対して、有機ＥＬ表示装置ではアナログ動作が要求さ
れるため、保持容量２３およびＴＦＴ２４によってデー
タ電圧を記憶保持するに当たってはさまざまな問題が生
じる。このことについて、以下に具体的に説明する。
【０００６】先ず、上記構成の画素回路の動作について
説明する。走査パルスＶｓｃａｎを与えて走査線２５を
選択することで、ＴＦＴ２４がオン状態となってデータ
線２６よりデータ（電圧）を書き込む。このデータ電圧
は、保持容量２３において保持される。走査線２５を非
選択とし、ＴＦＴ２４がオフ状態となっても、データ電
圧は保持容量２３によって保持されたままである。
説明する。走査パルスＶｓｃａｎを与えて走査線２５を
選択することで、ＴＦＴ２４がオン状態となってデータ
線２６よりデータ（電圧）を書き込む。このデータ電圧
は、保持容量２３において保持される。走査線２５を非
選択とし、ＴＦＴ２４がオフ状態となっても、データ電
圧は保持容量２３によって保持されたままである。
【０００７】保持容量２３に保持されたデータ電圧は、
ＴＦＴ２２のゲートに印加される。ＴＦＴ２２はゲート
に印加されるデータ電圧を電流に変換し、それを駆動電
流として有機ＥＬ素子２１に供給する。これにより、有
機ＥＬ素子２１が発光する。このとき、有機ＥＬ素子２
１の発光輝度は、流れる駆動電流の電流値によって変化
する。
ＴＦＴ２２のゲートに印加される。ＴＦＴ２２はゲート
に印加されるデータ電圧を電流に変換し、それを駆動電
流として有機ＥＬ素子２１に供給する。これにより、有
機ＥＬ素子２１が発光する。このとき、有機ＥＬ素子２
１の発光輝度は、流れる駆動電流の電流値によって変化
する。
【０００８】図３は、走査線２５に与えられる走査パル
スＶｓｃａｎと保持容量２３に保持される電圧Ｖｃｓｏ
とのタイミング関係を示すタイミングチャートである。
スＶｓｃａｎと保持容量２３に保持される電圧Ｖｃｓｏ
とのタイミング関係を示すタイミングチャートである。
【０００９】走査線２５に走査パルスＶｓｃａｎが与え
られたとき、保持容量２３の保持電圧Ｖｃｓｏはデータ
線２６より書き込まれる電圧（データ）に収束する。次
に、走査パルスＶｓｃａｎが消滅すると同時に、保持電
圧ＶｃｓｏはΔＶｃｓｏだけ変化する。これは、走査線
２５とＴＦＴ２２のゲートが接続されるノードとの間の
ＴＦＴ２４の寄生容量によってもたらされる走査線２５
の切り替え時の飛び込み電圧によるものである。これに
よって、保持電圧ＶｃｓｏがΔＶｃｓｏだけ変化し、有
機ＥＬ素子２１に流れる電流、即ち発光輝度が変化す
る。
られたとき、保持容量２３の保持電圧Ｖｃｓｏはデータ
線２６より書き込まれる電圧（データ）に収束する。次
に、走査パルスＶｓｃａｎが消滅すると同時に、保持電
圧ＶｃｓｏはΔＶｃｓｏだけ変化する。これは、走査線
２５とＴＦＴ２２のゲートが接続されるノードとの間の
ＴＦＴ２４の寄生容量によってもたらされる走査線２５
の切り替え時の飛び込み電圧によるものである。これに
よって、保持電圧ＶｃｓｏがΔＶｃｓｏだけ変化し、有
機ＥＬ素子２１に流れる電流、即ち発光輝度が変化す
る。
【００１０】例えば、図２に示すように、ＴＦＴ２２に
ｐ−ｃｈ、ＴＦＴ２４にｎ−ｃｈを用いた場合を考える
と、飛び込み電圧によって有機ＥＬ素子２１の発光輝度
が上昇する。この場合、データとして黒を書き込んだと
きいわゆる黒浮きが生じ、ディスプレイのコントラスト
が低下するという問題が生じる。逆に、飛び込み電圧に
よって有機ＥＬ素子２１の発光輝度が減少した場合、最
高輝度が低下するという問題が生じる。
ｐ−ｃｈ、ＴＦＴ２４にｎ−ｃｈを用いた場合を考える
と、飛び込み電圧によって有機ＥＬ素子２１の発光輝度
が上昇する。この場合、データとして黒を書き込んだと
きいわゆる黒浮きが生じ、ディスプレイのコントラスト
が低下するという問題が生じる。逆に、飛び込み電圧に
よって有機ＥＬ素子２１の発光輝度が減少した場合、最
高輝度が低下するという問題が生じる。
【００１１】また、有機ＥＬ素子２１に流れる電流と発
光輝度とは比例関係にあるが、保持容量２３の保持電圧
Ｖｃｓｏと有機ＥＬ素子２１に流れる電流は非線形であ
る。例えば、ＴＦＴ２２が飽和領域で動作していると
き、ＴＦＴ２２のしきい値電圧をＶｔｈ、比例定数を
ｋ、ソース・ドレイン間電流をＩｄｓとすると、 Ｉｄｓ＝ｋ（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2 なる関係式が成り立つため、飛び込み電圧に起因して正
確な階調表現が難しくなるという問題も生じる。
光輝度とは比例関係にあるが、保持容量２３の保持電圧
Ｖｃｓｏと有機ＥＬ素子２１に流れる電流は非線形であ
る。例えば、ＴＦＴ２２が飽和領域で動作していると
き、ＴＦＴ２２のしきい値電圧をＶｔｈ、比例定数を
ｋ、ソース・ドレイン間電流をＩｄｓとすると、 Ｉｄｓ＝ｋ（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2 なる関係式が成り立つため、飛び込み電圧に起因して正
確な階調表現が難しくなるという問題も生じる。
【００１２】また、これらの飛び込み電圧は画素間での
ばらつきが大きい。何故ならば、飛び込み電圧はＴＦＴ
の寄生容量に起因し、また良く知られているようにＴＦ
Ｔの寄生容量のばらつきが大きいためである。したがっ
て、飛び込み電圧のばらつきによって保持容量２３の保
持電圧Ｖｃｓｏにばらつきが生じ、結果として、画素間
で発光輝度のばらつきが生じる。
ばらつきが大きい。何故ならば、飛び込み電圧はＴＦＴ
の寄生容量に起因し、また良く知られているようにＴＦ
Ｔの寄生容量のばらつきが大きいためである。したがっ
て、飛び込み電圧のばらつきによって保持容量２３の保
持電圧Ｖｃｓｏにばらつきが生じ、結果として、画素間
で発光輝度のばらつきが生じる。
【００１３】以上の説明から理解できるように、これら
の飛び込み電圧は、極力小さいことが好ましい。飛び込
み電圧を小さくする一つの方法として、保持容量２３の
容量値を大きくすることが挙げられる。しかし、画素サ
イズによって保持容量２３のサイズが制限されるため、
保持容量２３の容量値を大きくするにも限界がある。ま
た、保持容量２３のサイズが大きくなると開口率が低下
するため、開口率の観点からすると、保持容量２３のサ
イズはできるだけ小さい方が好ましい。
の飛び込み電圧は、極力小さいことが好ましい。飛び込
み電圧を小さくする一つの方法として、保持容量２３の
容量値を大きくすることが挙げられる。しかし、画素サ
イズによって保持容量２３のサイズが制限されるため、
保持容量２３の容量値を大きくするにも限界がある。ま
た、保持容量２３のサイズが大きくなると開口率が低下
するため、開口率の観点からすると、保持容量２３のサ
イズはできるだけ小さい方が好ましい。
【００１４】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、画素トランジスタの
寄生容量に起因する飛び込み電圧のノイズによる影響が
少なく、高画質なアクティブマトリクス型表示装置およ
びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を提供する
ことにある。
であり、その目的とするところは、画素トランジスタの
寄生容量に起因する飛び込み電圧のノイズによる影響が
少なく、高画質なアクティブマトリクス型表示装置およ
びアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を提供する
ことにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、表示素子、この表示素子を駆動するト
ランジスタおよびこのトランジスタのゲート電位を保持
する保持容量を少なくとも有する画素回路が、マトリク
ス状に配置されてなるアクティブマトリクス型表示装置
において、トランジスタのゲートにおける保持容量とト
ランジスタのゲート・ソース間容量との和をＣｓｏ、ト
ランジスタのゲート電位の振幅をＶｄａｔａ、トランジ
スタのゲートに接続されるｍ（ｍ≧１）個のトランジス
タの寄生容量をＣｐｉ(ｉ＝１，２，…，ｍ)、その電圧
振幅をΔＶｐｉ(ｉ＝１，２，…，ｍ)とし、表示階調数
をｎとしたとき、保持容量が、
に、本発明では、表示素子、この表示素子を駆動するト
ランジスタおよびこのトランジスタのゲート電位を保持
する保持容量を少なくとも有する画素回路が、マトリク
ス状に配置されてなるアクティブマトリクス型表示装置
において、トランジスタのゲートにおける保持容量とト
ランジスタのゲート・ソース間容量との和をＣｓｏ、ト
ランジスタのゲート電位の振幅をＶｄａｔａ、トランジ
スタのゲートに接続されるｍ（ｍ≧１）個のトランジス
タの寄生容量をＣｐｉ(ｉ＝１，２，…，ｍ)、その電圧
振幅をΔＶｐｉ(ｉ＝１，２，…，ｍ)とし、表示階調数
をｎとしたとき、保持容量が、
【数３】 なる条件を満足する容量値を持つ構成を採っている。
【００１６】上記構成のアクティブマトリクス型表示装
置において、各画素回路の表示素子として、例えば有機
ＥＬ素子が用いられる。このアクティブマトリクス型有
機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子を駆動するトラ
ンジスタのゲート電位を保持する保持容量の容量値が上
記の条件を満足することで、他のトランジスタの寄生容
量に起因する走査線切り替え時の飛び込み電圧による表
示画像への影響を最小限に抑えることができる。
置において、各画素回路の表示素子として、例えば有機
ＥＬ素子が用いられる。このアクティブマトリクス型有
機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子を駆動するトラ
ンジスタのゲート電位を保持する保持容量の容量値が上
記の条件を満足することで、他のトランジスタの寄生容
量に起因する走査線切り替え時の飛び込み電圧による表
示画像への影響を最小限に抑えることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置、例え
ばアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成例を
示すブロック図である。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置、例え
ばアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成例を
示すブロック図である。
【００１８】図１において、画素回路１１がマトリクス
状に多数配置されて表示領域（表示部）を構成してい
る。ここでは、ｍ列ｎ行の画素配列を例に採って示して
いる。この表示領域には、画素回路１１の各々に対し
て、各画素（画素回路）を選択するｎ本の走査線１２−
１〜１２−ｎと、各画素に画像データ、例えば輝度デー
タを供給するｍ本のデータ線１３−１〜１３−ｍとが配
線されている。
状に多数配置されて表示領域（表示部）を構成してい
る。ここでは、ｍ列ｎ行の画素配列を例に採って示して
いる。この表示領域には、画素回路１１の各々に対し
て、各画素（画素回路）を選択するｎ本の走査線１２−
１〜１２−ｎと、各画素に画像データ、例えば輝度デー
タを供給するｍ本のデータ線１３−１〜１３−ｍとが配
線されている。
【００１９】画素回路１１としては、例えば図２に示し
た電圧書き込み型の画素回路が用いられる。この電圧書
き込み型画素回路は、表示素子として有機ＥＬ素子２１
を用いるとともに、この有機ＥＬ素子２１を駆動するＴ
ＦＴ２２と、データ電圧を保持する保持容量２３と、画
素を選択するＴＦＴ２４とを有し、輝度データがデータ
線２６から電圧の形で与えられる構成となっている。
た電圧書き込み型の画素回路が用いられる。この電圧書
き込み型画素回路は、表示素子として有機ＥＬ素子２１
を用いるとともに、この有機ＥＬ素子２１を駆動するＴ
ＦＴ２２と、データ電圧を保持する保持容量２３と、画
素を選択するＴＦＴ２４とを有し、輝度データがデータ
線２６から電圧の形で与えられる構成となっている。
【００２０】具体的な接続関係としては、表示素子であ
る有機ＥＬ素子２１は、そのカソードが負電源Ｖｓｓに
接続されている。有機ＥＬ素子２１を駆動するためのＴ
ＦＴ２２は、有機ＥＬ素子２１のアノードとＧＮＤ(グ
ランド)との間に接続されている。データ電圧を保持す
るための保持容量２３は、ＴＦＴ２２のゲートとＧＮＤ
との間に接続されている。画素を選択するためのＴＦＴ
２３は、データ線２６とＴＦＴ２２のゲートとの間に接
続され、そのゲートが走査線２５に接続されている。
る有機ＥＬ素子２１は、そのカソードが負電源Ｖｓｓに
接続されている。有機ＥＬ素子２１を駆動するためのＴ
ＦＴ２２は、有機ＥＬ素子２１のアノードとＧＮＤ(グ
ランド)との間に接続されている。データ電圧を保持す
るための保持容量２３は、ＴＦＴ２２のゲートとＧＮＤ
との間に接続されている。画素を選択するためのＴＦＴ
２３は、データ線２６とＴＦＴ２２のゲートとの間に接
続され、そのゲートが走査線２５に接続されている。
【００２１】ここで、有機ＥＬ素子の構造の一例につい
て説明する。図４に、有機ＥＬ素子の断面構造を示す。
同図から明らかなように、有機ＥＬ素子は、透明ガラス
などからなる基板３１上に、透明導電膜からなる第１の
電極（例えば、陽極）３２を形成し、その上にさらに正
孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５および電子
注入層３６を順次堆積させて有機層３７を形成した後、
この有機層３７の上に低仕事関数の金属からなる第２の
電極（例えば、陰極）３８を形成した構成となってい
る。
て説明する。図４に、有機ＥＬ素子の断面構造を示す。
同図から明らかなように、有機ＥＬ素子は、透明ガラス
などからなる基板３１上に、透明導電膜からなる第１の
電極（例えば、陽極）３２を形成し、その上にさらに正
孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５および電子
注入層３６を順次堆積させて有機層３７を形成した後、
この有機層３７の上に低仕事関数の金属からなる第２の
電極（例えば、陰極）３８を形成した構成となってい
る。
【００２２】上記構造の有機ＥＬ素子において、第１の
電極３２と第２の電極３８との間に直流電圧Ｅを印加す
ることにより、正孔は第１の電極（陽極）３２から正孔
輸送層３３を経て、電子は第２の電極（陰極）３８は電
子輸送層３５を経て、それぞれ発光層３４内に注入され
る。そして、注入された正負のキャリアによって発光層
３４内の蛍光分子が励起状態となり、この励起分子の緩
和過程で発光が得られるようになっている。
電極３２と第２の電極３８との間に直流電圧Ｅを印加す
ることにより、正孔は第１の電極（陽極）３２から正孔
輸送層３３を経て、電子は第２の電極（陰極）３８は電
子輸送層３５を経て、それぞれ発光層３４内に注入され
る。そして、注入された正負のキャリアによって発光層
３４内の蛍光分子が励起状態となり、この励起分子の緩
和過程で発光が得られるようになっている。
【００２３】再び図１において、表示領域の外部には、
走査線１２−１〜１２−ｎを選択駆動する走査線駆動回
路１４が設けられるとともに、データ線１３−１〜１３
−ｍを駆動するデータ線駆動回路１５が設けられてい
る。データ線駆動回路１５は、画素回路１１が電圧書き
込み型であることから、データ線１３−１〜１３−ｍを
介して画素回路１１の各々に、輝度データを電圧の形で
与える電圧駆動型の駆動回路（電圧ドライバ）となって
いる。
走査線１２−１〜１２−ｎを選択駆動する走査線駆動回
路１４が設けられるとともに、データ線１３−１〜１３
−ｍを駆動するデータ線駆動回路１５が設けられてい
る。データ線駆動回路１５は、画素回路１１が電圧書き
込み型であることから、データ線１３−１〜１３−ｍを
介して画素回路１１の各々に、輝度データを電圧の形で
与える電圧駆動型の駆動回路（電圧ドライバ）となって
いる。
【００２４】図２に示した電圧書き込み型画素回路にお
いて、ＴＦＴ２２のゲートと保持容量２３との接続点Ａ
（以下、ノードＡと記す）に対する寄生容量を考慮した
場合の等価回路を図５に示す。なお、図中、図２と同等
部分には同一符号を付して示している。
いて、ＴＦＴ２２のゲートと保持容量２３との接続点Ａ
（以下、ノードＡと記す）に対する寄生容量を考慮した
場合の等価回路を図５に示す。なお、図中、図２と同等
部分には同一符号を付して示している。
【００２５】図５において、保持容量２３の容量をＣ
ｓ、ＴＦＴ２２のゲート・ソース間の寄生容量をＣｇｓ
１、ＴＦＴ２４のゲート・ソース間の寄生容量、ドレイ
ン・ソース間の寄生容量をそれぞれＣｇｓ２，Ｃｄｓ２
とする。このとき、ノードＡの電位を保持するための容
量Ｃｓｏは、 Ｃｓｏ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ１ で表される。
ｓ、ＴＦＴ２２のゲート・ソース間の寄生容量をＣｇｓ
１、ＴＦＴ２４のゲート・ソース間の寄生容量、ドレイ
ン・ソース間の寄生容量をそれぞれＣｇｓ２，Ｃｄｓ２
とする。このとき、ノードＡの電位を保持するための容
量Ｃｓｏは、 Ｃｓｏ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ１ で表される。
【００２６】一方、ＴＦＴ２４において、ゲート・ソー
ス間の寄生容量は、ドレイン・ソース間の寄生容量より
も十分大きいため、飛び込み電圧に影響を及ぼす寄生容
量Ｃｐは、 Ｃｐ≒Ｃｇｓ２ で表される。
ス間の寄生容量は、ドレイン・ソース間の寄生容量より
も十分大きいため、飛び込み電圧に影響を及ぼす寄生容
量Ｃｐは、 Ｃｐ≒Ｃｇｓ２ で表される。
【００２７】ここで、走査線２５の電位がΔＶｓｃａｎ
だけ電位変動したときのノードＡにおける電位変動ΔＶ
ｄａｔａは、 ΔＶｄａｔａ≒｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・ΔＶｓｃａ
ｎ で表される。
だけ電位変動したときのノードＡにおける電位変動ΔＶ
ｄａｔａは、 ΔＶｄａｔａ≒｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・ΔＶｓｃａ
ｎ で表される。
【００２８】本電圧書き込み型画素回路を用いてなる有
機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子２１を駆動する
ＴＦＴ２２のゲート電位の振幅Ｖｄａｔａで、ｎ階調の
表現が要求されるとき、飛び込み電圧による電圧変化が
１階調分以下であるためには、ゲート電位の振幅Ｖｄａ
ｔａと有機ＥＬ素子２１の発光輝度とが線形関係にある
と仮定すると、 ΔＶｄａｔａ／Ｖｄａｔａ＜１／ｎ が必要とされる。
機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子２１を駆動する
ＴＦＴ２２のゲート電位の振幅Ｖｄａｔａで、ｎ階調の
表現が要求されるとき、飛び込み電圧による電圧変化が
１階調分以下であるためには、ゲート電位の振幅Ｖｄａ
ｔａと有機ＥＬ素子２１の発光輝度とが線形関係にある
と仮定すると、 ΔＶｄａｔａ／Ｖｄａｔａ＜１／ｎ が必要とされる。
【００２９】すなわち、 ｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・（ΔＶｓｃａｎ／Ｖｄａｔ
ａ）＜１／ｎ が必要とされる。つまり、保持容量２３として、上記の
条件式を満足する容量値Ｃｓを持つものを選択する必要
がある。
ａ）＜１／ｎ が必要とされる。つまり、保持容量２３として、上記の
条件式を満足する容量値Ｃｓを持つものを選択する必要
がある。
【００３０】実際に、ＴＦＴ２２のゲート電位Ｖｃｓｏ
と有機ＥＬ素子２１の発光輝度、即ち有機ＥＬ素子２１
に流れる電流Ｉｄｓとは、ＴＦＴ２２が飽和領域で動作
しているとき、ＴＦＴ２２のしきい値電圧をＶｔｈとす
ると、 Ｉｄｓ∝（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2 なる式で表される。
と有機ＥＬ素子２１の発光輝度、即ち有機ＥＬ素子２１
に流れる電流Ｉｄｓとは、ＴＦＴ２２が飽和領域で動作
しているとき、ＴＦＴ２２のしきい値電圧をＶｔｈとす
ると、 Ｉｄｓ∝（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2 なる式で表される。
【００３１】すなわち、ＴＦＴ２２のゲート電位Ｖｃｓ
ｏと有機ＥＬ素子２１の発光輝度とは非線形の関係にあ
るため、すべての表示領域において、飛び込み電圧によ
るノイズが１階調分以下になるためには、さらに大きな
容量値Ｃｓの保持容量２３が要求され、有機ＥＬ素子２
１に流れる電流Ｉｄｓが（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2に比例
することから、好ましくは、 ｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・（ΔＶｓｃａｎ／Ｖｄａｔ
ａ）＜１／２ｎ が必要とされる。保持容量２３の容量値Ｃｓの上限は、
保持容量２３のサイズ上の観点から、画素サイズや開口
率等によって必然的に決まることになる。
ｏと有機ＥＬ素子２１の発光輝度とは非線形の関係にあ
るため、すべての表示領域において、飛び込み電圧によ
るノイズが１階調分以下になるためには、さらに大きな
容量値Ｃｓの保持容量２３が要求され、有機ＥＬ素子２
１に流れる電流Ｉｄｓが（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2に比例
することから、好ましくは、 ｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・（ΔＶｓｃａｎ／Ｖｄａｔ
ａ）＜１／２ｎ が必要とされる。保持容量２３の容量値Ｃｓの上限は、
保持容量２３のサイズ上の観点から、画素サイズや開口
率等によって必然的に決まることになる。
【００３２】続いて、画素回路１１において、飛び込み
電圧の原因となる寄生容量がさらに多く存在する場合に
ついて、図６の等価回路図を用いて考える。図６におい
て、ＴＦＴ２２は、図５の場合と同様に、有機ＥＬ素子
２１を駆動するためのトランジスタである。
電圧の原因となる寄生容量がさらに多く存在する場合に
ついて、図６の等価回路図を用いて考える。図６におい
て、ＴＦＴ２２は、図５の場合と同様に、有機ＥＬ素子
２１を駆動するためのトランジスタである。
【００３３】ここで、ＴＦＴ２２のゲート電位を保持す
るための容量をＣｓｏとし、また飛び込み電圧に影響を
及ぼす他のトランジスタ（ＴＦＴ）の寄生容量がＣｐｉ
（ｉ＝１，２，…，ｍ）のｍ個存在するとして、それぞ
れの電位変動をΔＶｐｉ（ｉ＝１，２，…，ｍ）とす
る。
るための容量をＣｓｏとし、また飛び込み電圧に影響を
及ぼす他のトランジスタ（ＴＦＴ）の寄生容量がＣｐｉ
（ｉ＝１，２，…，ｍ）のｍ個存在するとして、それぞ
れの電位変動をΔＶｐｉ（ｉ＝１，２，…，ｍ）とす
る。
【００３４】このとき、ＴＦＴ２２のゲート電位の変
動、即ちノードＢにおける電位変動ΔＶｄａｔａは、
動、即ちノードＢにおける電位変動ΔＶｄａｔａは、
【数４】 で表される。
【００３５】先述した例の場合と同様に、ＴＦＴ２２の
ゲート電位の振幅Ｖｓｃｏで、ｎ階調の表現が要求され
るとき、飛び込み電圧による電圧変化が１階調分以下で
あるためには、ゲート電位の振幅Ｖｄａｔａと有機ＥＬ
素子２１の発光輝度とが線形関係にあると仮定すると、 ΔＶｄａｔａ／Ｖｄａｔａ＜１／ｎ が必要とされる。
ゲート電位の振幅Ｖｓｃｏで、ｎ階調の表現が要求され
るとき、飛び込み電圧による電圧変化が１階調分以下で
あるためには、ゲート電位の振幅Ｖｄａｔａと有機ＥＬ
素子２１の発光輝度とが線形関係にあると仮定すると、 ΔＶｄａｔａ／Ｖｄａｔａ＜１／ｎ が必要とされる。
【００３６】すなわち、
【数５】 が必要とされる。また、先述した例の場合と同様に、有
機ＥＬ素子２１に流れる電流Ｉｄｓが（Ｖｃｓｏ−Ｖｔ
ｈ）2に比例することから、好ましくは、 ΔＶｄａｔａ／Ｖｄａｔａ＜１／２ｎ が必要とされる。
機ＥＬ素子２１に流れる電流Ｉｄｓが（Ｖｃｓｏ−Ｖｔ
ｈ）2に比例することから、好ましくは、 ΔＶｄａｔａ／Ｖｄａｔａ＜１／２ｎ が必要とされる。
【００３７】図７は、飛び込み電圧の原因となる寄生容
量が多く存在する画素回路の回路例を示す回路図であ
る。本例に係る画素回路は、有機ＥＬ素子４１、４個の
ＴＦＴ４２，４４〜４６および保持容量４３を有し、輝
度データがデータ線から電流の形で与えられる電流書き
込み型の回路構成となっている。
量が多く存在する画素回路の回路例を示す回路図であ
る。本例に係る画素回路は、有機ＥＬ素子４１、４個の
ＴＦＴ４２，４４〜４６および保持容量４３を有し、輝
度データがデータ線から電流の形で与えられる電流書き
込み型の回路構成となっている。
【００３８】具体的な接続関係としては、有機ＥＬ素子
４１はカソードが負電源Ｖｓｓに接続されている。この
有機ＥＬ素子４１を駆動するためのＴＦＴ４２は、ドレ
インが有機ＥＬ素子４１のアノードに接続され、ソース
がＧＮＤに接続されている。このＴＦＴ４２のゲート電
位を保持するための保持容量４３は、ＴＦＴ４２のゲー
トとＧＮＤとの間に接続されている。
４１はカソードが負電源Ｖｓｓに接続されている。この
有機ＥＬ素子４１を駆動するためのＴＦＴ４２は、ドレ
インが有機ＥＬ素子４１のアノードに接続され、ソース
がＧＮＤに接続されている。このＴＦＴ４２のゲート電
位を保持するための保持容量４３は、ＴＦＴ４２のゲー
トとＧＮＤとの間に接続されている。
【００３９】電流を電圧に変換するためのＴＦＴ４４
は、ゲートがＴＦＴ４２のゲートに接続され、ソースが
ＧＮＤに接続されている。画素選択のためのＴＦＴ４５
は、ＴＦＴ４４のドレインとデータ線４８との間に接続
され、ゲートが走査線４７に接続されている。ＴＦＴ４
６は、ＴＦＴ４４のゲート・ドレイン間に接続され、ゲ
ートが走査線４７に接続されており、ＴＦＴ４４のゲー
ト・ドレイン間を選択的に接続するとともに、保持容量
４３での電圧保持の状態を維持する作用をなす。
は、ゲートがＴＦＴ４２のゲートに接続され、ソースが
ＧＮＤに接続されている。画素選択のためのＴＦＴ４５
は、ＴＦＴ４４のドレインとデータ線４８との間に接続
され、ゲートが走査線４７に接続されている。ＴＦＴ４
６は、ＴＦＴ４４のゲート・ドレイン間に接続され、ゲ
ートが走査線４７に接続されており、ＴＦＴ４４のゲー
ト・ドレイン間を選択的に接続するとともに、保持容量
４３での電圧保持の状態を維持する作用をなす。
【００４０】上記構成の電流書き込み型画素回路におい
て、保持容量４３の容量をＣｓ、ＴＦＴ４４のゲート・
ドレイン間の寄生容量をＣｇｄ１、ＴＦＴ４４のゲート
・ソース間の寄生容量をＣｇｓ２とする。このとき、ノ
ードＣの電位を保持するための容量Ｃｓｏは、 Ｃｓｏ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ２ で表される。
て、保持容量４３の容量をＣｓ、ＴＦＴ４４のゲート・
ドレイン間の寄生容量をＣｇｄ１、ＴＦＴ４４のゲート
・ソース間の寄生容量をＣｇｓ２とする。このとき、ノ
ードＣの電位を保持するための容量Ｃｓｏは、 Ｃｓｏ＝Ｃｓ＋Ｃｇｓ２ で表される。
【００４１】一方、通常のＴＦＴにおいて、飛び込み電
圧に影響を及ぼす寄生容量Ｃｐについて考えると、本画
素回路は電流書き込み型であるため、ＴＦＴ４４に比較
的大きな電流を流す必要があり、ＴＦＴ４４としては比
較的大きなサイズのトランジスタを用いる必要がある。
したがって、ＴＦＴ４４の寄生容量は比較的大きい。ま
た、ＴＦＴ４４のドレイン電圧は、書き込み終了時にＧ
ＮＤ電位付近まで上昇する。したがって、飛び込み電圧
に主として影響を与える寄生容量は、ＴＦＴ４４のゲー
ト・ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄ１である。
圧に影響を及ぼす寄生容量Ｃｐについて考えると、本画
素回路は電流書き込み型であるため、ＴＦＴ４４に比較
的大きな電流を流す必要があり、ＴＦＴ４４としては比
較的大きなサイズのトランジスタを用いる必要がある。
したがって、ＴＦＴ４４の寄生容量は比較的大きい。ま
た、ＴＦＴ４４のドレイン電圧は、書き込み終了時にＧ
ＮＤ電位付近まで上昇する。したがって、飛び込み電圧
に主として影響を与える寄生容量は、ＴＦＴ４４のゲー
ト・ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄ１である。
【００４２】ここでは、 Ｃｐ≒Ｃｇｄ１ とする。したがって、データ書き込み時のＴＦＴ４４の
ドレイン電圧をＶｄとすると、ノードＣの電位変動ΔＶ
ｃｓｏは、 ΔＶｃｓｏ≒｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・Ｖｄ ≒｛Ｃｇｄ１/(Ｃｓｏ＋Ｃｇｄ１)｝・Ｖｄ で表される。
ドレイン電圧をＶｄとすると、ノードＣの電位変動ΔＶ
ｃｓｏは、 ΔＶｃｓｏ≒｛Ｃｐ/(Ｃｓｏ＋Ｃｐ)｝・Ｖｄ ≒｛Ｃｇｄ１/(Ｃｓｏ＋Ｃｇｄ１)｝・Ｖｄ で表される。
【００４３】本電流書き込み型画素回路を用いてなる有
機ＥＬ表示装置において、ＴＦＴ４４のゲート電位の振
幅Ｖｓｃｏで、ｎ階調の表現が要求されるとき、飛び込
み電圧による電圧変化が１階調分以下であるためには、
ゲート電位の振幅Ｖｓｃｏと有機ＥＬ素子４１の発光輝
度とが線形関係にあると仮定すると、 ΔＶｃｓｏ／Ｖｃｓｏ＜１／ｎ が必要とされる。
機ＥＬ表示装置において、ＴＦＴ４４のゲート電位の振
幅Ｖｓｃｏで、ｎ階調の表現が要求されるとき、飛び込
み電圧による電圧変化が１階調分以下であるためには、
ゲート電位の振幅Ｖｓｃｏと有機ＥＬ素子４１の発光輝
度とが線形関係にあると仮定すると、 ΔＶｃｓｏ／Ｖｃｓｏ＜１／ｎ が必要とされる。
【００４４】すなわち、 ｛Ｃｇｄ１/(Ｃｓｏ＋Ｃｇｄ１)｝・（Ｖｄ／Ｖｃｓ
ｏ）＜１／ｎ が必要とされる。つまり、保持容量４３として、上記の
条件式を満足する容量値Ｃｓを持つものを選択する必要
がある。また、先述した例の場合と同様に、有機ＥＬ素
子２１に流れる電流Ｉｄｓが（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2に
比例することから、好ましくは、 ｛Ｃｇｄ１/(Ｃｓｏ＋Ｃｇｄ１)｝・（Ｖｄ／Ｖｃｓ
ｏ）＜１／２ｎ が必要とされる。
ｏ）＜１／ｎ が必要とされる。つまり、保持容量４３として、上記の
条件式を満足する容量値Ｃｓを持つものを選択する必要
がある。また、先述した例の場合と同様に、有機ＥＬ素
子２１に流れる電流Ｉｄｓが（Ｖｃｓｏ−Ｖｔｈ）2に
比例することから、好ましくは、 ｛Ｃｇｄ１/(Ｃｓｏ＋Ｃｇｄ１)｝・（Ｖｄ／Ｖｃｓ
ｏ）＜１／２ｎ が必要とされる。
【００４５】実際に、ＴＦＴ４４のゲート電位の振幅Ｖ
ｓｃｏと有機ＥＬ素子４１の発光輝度とは非線形の関係
にあるため、すべての表示領域において、飛び込み電圧
によるノイズが１階調分以下になるためには、さらに大
きな容量値Ｃｓの保持容量４３が要求されることにな
る。保持容量４３の容量値Ｃｓの上限は、保持容量４３
のサイズ上の観点から、画素サイズや開口率等によって
必然的に決まることになる。
ｓｃｏと有機ＥＬ素子４１の発光輝度とは非線形の関係
にあるため、すべての表示領域において、飛び込み電圧
によるノイズが１階調分以下になるためには、さらに大
きな容量値Ｃｓの保持容量４３が要求されることにな
る。保持容量４３の容量値Ｃｓの上限は、保持容量４３
のサイズ上の観点から、画素サイズや開口率等によって
必然的に決まることになる。
【００４６】なお、上記実施形態においては、画素回路
として、図２と図７の２つの回路例を示したが、本発明
はこれらに限られるものではなく、種々の構成の画素回
路に対して同様に適用することが可能である。
として、図２と図７の２つの回路例を示したが、本発明
はこれらに限られるものではなく、種々の構成の画素回
路に対して同様に適用することが可能である。
【００４７】また、上記実施形態では、画素回路の表示
素子として、有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリク
ス型有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に採って説明
したが、本発明はこれに限られるものではなく、表示素
子として液晶セルを用いた液晶表示装置など、画素回路
内にデータを保持する機能を持つアクティブマトリクス
型表示装置全般に適用し得るものである。
素子として、有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリク
ス型有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に採って説明
したが、本発明はこれに限られるものではなく、表示素
子として液晶セルを用いた液晶表示装置など、画素回路
内にデータを保持する機能を持つアクティブマトリクス
型表示装置全般に適用し得るものである。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各画素回路の表示素子、例えば有機ＥＬ素子の駆動トラ
ンジスタのゲート電位を保持する保持容量の容量値を適
切に選定したことにより、走査線切り替え時の飛び込み
電圧による影響を最小限に抑えることができるため、飛
び込み電圧のノイズによる黒レベルの浮きのない高コン
トラストな、また最高輝度の低下のない高輝度な、さら
に画素間で輝度のばらつきのない高画質なディスプレイ
を提供できる。
各画素回路の表示素子、例えば有機ＥＬ素子の駆動トラ
ンジスタのゲート電位を保持する保持容量の容量値を適
切に選定したことにより、走査線切り替え時の飛び込み
電圧による影響を最小限に抑えることができるため、飛
び込み電圧のノイズによる黒レベルの浮きのない高コン
トラストな、また最高輝度の低下のない高輝度な、さら
に画素間で輝度のばらつきのない高画質なディスプレイ
を提供できる。
【図１】本発明の一実施形態に係るアクティブマトリク
ス型表示装置の構成例を示すブロック図である。
ス型表示装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】電圧書き込み型画素回路の一例を示す回路図で
ある。
ある。
【図３】電圧書き込み型画素回路の回路動作を説明する
ためのタイミングチャートである。
ためのタイミングチャートである。
【図４】有機ＥＬ素子の構造の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】電圧書き込み型画素回路におけるノードＡに対
する寄生容量を考慮した場合の等価回路図である。
する寄生容量を考慮した場合の等価回路図である。
【図６】飛び込み電圧の原因となる寄生容量が多く存在
する場合の等価回路図である。
する場合の等価回路図である。
【図７】電流書き込み型画素回路の一例を示す回路図で
ある。
ある。
１１…画素回路、１２−１〜１２−ｎ，２５，４７…走
査線、１３−１〜１３−ｍ，２６，４８…データ線、２
１，４１…有機ＥＬ素子、２２，２４，４２，４４〜４
６…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、２３，４３…保持容
量
査線、１３−１〜１３−ｍ，２６，４８…データ線、２
１，４１…有機ＥＬ素子、２２，２４，４２，４４〜４
６…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、２３，４３…保持容
量
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 2H092 JB61 JB63 NA23 3K007 AB02 BA06 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 DD01 EE29 FF11 JJ02 JJ03 5C094 AA03 AA06 AA53 AA55 BA03 BA27 CA19 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EB02 FB01 FB12 FB14 FB15 GA10
Claims (3)
- 【請求項１】 表示素子、この表示素子を駆動するトラ
ンジスタおよびこのトランジスタのゲート電位を保持す
る保持容量を少なくとも有する画素回路が、マトリクス
状に配置されてなるアクティブマトリクス型表示装置に
おいて、 前記トランジスタのゲートにおける前記保持容量と前記
トランジスタのゲート・ソース間容量との和をＣｓｏ、
前記トランジスタのゲート電位の振幅をＶｄａｔａ、前
記トランジスタのゲートに接続されるｍ（ｍ≧１）個の
トランジスタの寄生容量をＣｐｉ(ｉ＝１，２，…，
ｍ)、その電圧振幅をΔＶｐｉ(ｉ＝１，２，…，ｍ)と
し、表示階調数をｎとしたとき、前記保持容量は、 【数１】 なる条件を満足する容量値を持つことを特徴とするアク
ティブマトリクス型表示装置。 - 【請求項２】 第１,第２の電極およびこれら電極間に
発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子、この有機エレクトロルミネッセンス素子を駆
動するトランジスタおよびこのトランジスタのゲート電
位を保持する保持容量を少なくとも有する画素回路が、
マトリクス状に配置されてなるアクティブマトリクス型
有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、 前記トランジスタのゲートにおける前記保持容量と前記
トランジスタのゲート・ソース間容量との和をＣｓｏ、
前記トランジスタのゲート電位の振幅をＶｄａｔａ、前
記トランジスタのゲートに接続されるｍ（ｍ≧１）個の
トランジスタの寄生容量をＣｐｉ(ｉ＝１，２，…，
ｍ)、その電圧振幅をΔＶｐｉ(ｉ＝１，２，…，ｍ)と
し、表示階調数をｎとしたとき、前記保持容量は、 【数２】 なる条件を満足する容量値を持つことを特徴とするアク
ティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示
装置。 - 【請求項３】 前記画素回路は、ソースまたはドレイン
がデータ線に接続され、かつゲートが走査線に接続され
た第１の電界効果トランジスタと、ドレインとゲートと
が接続された状態にあるとき、前記第１の電界効果トラ
ンジスタを通して前記データ線から電流が供給されるこ
とによってそのゲート・ソース間に電圧を発生する第２
の電界効果トランジスタと、前記第２の電界効果トラン
ジスタに発生する電圧を保持する保持容量と、前記保持
容量での電圧保持の状態を維持する第３の電界効果トラ
ンジスタと、前記保持容量にて保持した電圧を駆動電流
に変換して前記有機エレクトロルミネッセンス素子に流
す第４の電界効果トランジスタとを有することを特徴と
する請求項２記載のアクティブマトリクス型有機エレク
トロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000353763A JP2002156923A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000353763A JP2002156923A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002156923A true JP2002156923A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18826469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000353763A Pending JP2002156923A (ja) | 2000-11-21 | 2000-11-21 | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002156923A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416466A2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-06 | Tohoku Pioneer Corp. | Current supply device for a pixel of an active matrix light emitting display device |
| US6963173B2 (en) | 2003-05-20 | 2005-11-08 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Light emission type display apparatus |
| US7416924B2 (en) | 2004-11-11 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting display with single crystalline silicon TFT and method of fabricating the same |
| CN100463020C (zh) * | 2003-05-19 | 2009-02-18 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其驱动装置 |
| US7499006B2 (en) | 2003-03-05 | 2009-03-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
| US7612839B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substance and display device including the same |
| JP2009265621A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置、表示装置、及び発光装置の駆動制御方法 |
| US7633088B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device, device for driving the display device and method of driving the display device |
| US7700954B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of fabricating the same and organic light emitting display including the transistor |
| WO2010061973A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | An electroluminescent light emitting device and drive control method for driving an electroluminescent light emitting device |
| WO2010061978A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Driving device for organic electroluminescent pixel and light emitting device |
| WO2010061979A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | An electroluminescent pixel driving device, light emitting device and property parameter acquisition method in an electroluminescent pixel driving device |
| US7799625B2 (en) | 2006-09-19 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display and method of fabricating the same |
| US7898507B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-03-01 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and associated drive control method |
| EP2348351A1 (en) | 2004-07-14 | 2011-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and drive circuit thereof |
| US8077118B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-12-13 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus and driving method thereof |
| US8139007B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-03-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and method for controlling driving of the light-emitting device |
| US8269760B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-09-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Pixel driving device, light emitting device, and property parameter acquisition method in a pixel driving device |
-
2000
- 2000-11-21 JP JP2000353763A patent/JP2002156923A/ja active Pending
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416466A2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-06 | Tohoku Pioneer Corp. | Current supply device for a pixel of an active matrix light emitting display device |
| EP1416466A3 (en) * | 2002-10-29 | 2006-05-17 | Tohoku Pioneer Corp. | Current supply device for a pixel of an active matrix light emitting display device |
| US7499006B2 (en) | 2003-03-05 | 2009-03-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
| CN100463020C (zh) * | 2003-05-19 | 2009-02-18 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其驱动装置 |
| CN101452670B (zh) * | 2003-05-19 | 2012-01-11 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其驱动装置 |
| US6963173B2 (en) | 2003-05-20 | 2005-11-08 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Light emission type display apparatus |
| US8362980B2 (en) | 2004-06-18 | 2013-01-29 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and associated drive control method |
| US7898507B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-03-01 | Casio Computer Co., Ltd. | Display device and associated drive control method |
| US8599121B2 (en) | 2004-07-14 | 2013-12-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and drive circuit thereof |
| US8264434B2 (en) | 2004-07-14 | 2012-09-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and drive circuit thereof |
| EP2348351A1 (en) | 2004-07-14 | 2011-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and drive circuit thereof |
| US7816678B2 (en) | 2004-11-11 | 2010-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting display with single crystalline silicon TFT and method of fabricating the same |
| US7416924B2 (en) | 2004-11-11 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting display with single crystalline silicon TFT and method of fabricating the same |
| US7612839B2 (en) | 2005-03-15 | 2009-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substance and display device including the same |
| US7633088B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device, device for driving the display device and method of driving the display device |
| KR101186292B1 (ko) | 2006-01-10 | 2012-09-27 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 트랜지스터의 제조방법 및 이를 적용하는유기발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
| US8058094B2 (en) | 2006-01-10 | 2011-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of fabricating the same and organic light emitting display including the transistor |
| US7700954B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor, method of fabricating the same and organic light emitting display including the transistor |
| US8405072B2 (en) | 2006-09-19 | 2013-03-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display and method of fabricating the same |
| US7799625B2 (en) | 2006-09-19 | 2010-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electro-luminescent display and method of fabricating the same |
| US8077118B2 (en) | 2008-03-28 | 2011-12-13 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus and driving method thereof |
| US8139007B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-03-20 | Casio Computer Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and method for controlling driving of the light-emitting device |
| JP2009265621A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置、表示装置、及び発光装置の駆動制御方法 |
| US8269759B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-09-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Pixel driving device, light emitting device, and property parameter acquisition method in a pixel driving device |
| WO2010061979A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | An electroluminescent pixel driving device, light emitting device and property parameter acquisition method in an electroluminescent pixel driving device |
| US8279211B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-10-02 | Casio Computer Co., Ltd. | Light emitting device and a drive control method for driving a light emitting device |
| US8305373B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-11-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Pixel driving device and a light emitting device |
| WO2010061978A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | Driving device for organic electroluminescent pixel and light emitting device |
| US8269760B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-09-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Pixel driving device, light emitting device, and property parameter acquisition method in a pixel driving device |
| WO2010061973A1 (en) | 2008-11-28 | 2010-06-03 | Casio Computer Co., Ltd. | An electroluminescent light emitting device and drive control method for driving an electroluminescent light emitting device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100939211B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치와 그 구동방법 | |
| US7889160B2 (en) | Organic light-emitting diode display device and driving method thereof | |
| JP4170384B2 (ja) | 自発光型表示装置 | |
| US10733933B2 (en) | Pixel driving circuit and driving method thereof, display panel and display device | |
| JP5236156B2 (ja) | 有機発光ダイオード表示装置 | |
| JP4826597B2 (ja) | 表示装置 | |
| WO2016155053A1 (zh) | Amoled像素驱动电路及像素驱动方法 | |
| KR101285537B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법 | |
| JP2006317696A (ja) | 画素回路および表示装置、並びに画素回路の制御方法 | |
| JP2002215096A (ja) | 有機電界発光表示装置、有機電界発光表示装置の駆動方法及び有機電界発光表示装置のピクセル回路 | |
| JP2002156923A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| JP2010008521A (ja) | 表示装置 | |
| JP2006113586A (ja) | 発光表示装置，及び画素回路 | |
| JP2002351402A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法 | |
| JP6035434B2 (ja) | 画素回路、表示装置及びその駆動方法 | |
| US9483978B2 (en) | Display device and method of driving the same | |
| JP2000259098A (ja) | アクティブ型ｅｌ表示装置 | |
| US7605543B2 (en) | Electro-luminescence display device and driving method thereof | |
| JP4210243B2 (ja) | エレクトロルミネセンス表示装置とその駆動方法 | |
| KR101495342B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
| CN114467134B (zh) | 显示装置 | |
| KR100583126B1 (ko) | 발광 표시 장치 | |
| JP5121124B2 (ja) | 有機ｅｌ画素回路 | |
| JP2010276783A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
| KR100536237B1 (ko) | 발광 표시 장치 및 그 구동 방법 |