JP4122949B2 - 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
液晶素子、有機EL素子、電気泳動素子、電子放出素子等を備えた表示ディスプレイの駆動方式の一つにアクティブマトリクス駆動方式がある。アクティブマトリクス駆動方式の表示ディスプレイは、その表示パネルに複数の画素がマトリクス状に配置されている。前記複数の画素の各々は、電気光学素子とその電気光学素子に駆動電力を供給する駆動トランジスタとから構成される画素回路を備えている。また、これら複数の画素回路の各々は、データ線と走査線との交差部に対応して配置されている。(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
国際公開第WO98/36407号パンフレット
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
前記画素回路は、前記表示パネル部の列方向(データ線方向)及び行方向(走査線方向)に対する配置ピッチや形状が異なると、前記表示パネル部の列方向と行方向とで視認の異方性が生じてしまう。このため、前記表示パネル部に表示される画像に列方向(データ線方向)または行方向(走査線方向)に対して歪みが生じてしまう場合がある。特に、フルカラーの表示ディスプレイの場合においては、その列方向と行方向とで画像の歪みに加えて色ムラが生じてしまう。このため、表示ディスプレイの表示品位が低下してしまう。
【0005】
本発明の一つの目的は、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置及び電子機器を提供することにある。また、上記の電気光学装置に適したアクティブマトリクス基板を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明における電気光学装置は、基板の上方に電気光学素子が設けられた複数の有効光学領域と、前記基板上に設けられ、前記電気光学素子に電力または電気信号を供給する配線が設けられた配線領域とを含み、前記複数の有効光学領域のうち、少なくとも3つの有効光学領域は、前記配線領域の一部を介して、または、直接、前記電気光学素子が設けられていない非有効光学領域と接している。
【0007】
本発明によれば、電気光学素子を備えた複数の有効光学領域が、電気光学素子を備えていない非有効光学領域を挟んで形成される。従って、各電気光学素子を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して均一に配置することができる。その結果、表示パネル部の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪を抑制することができる。
【0008】
この電気光学装置において、前記複数の有効光学領域は、第1電気光学素子が設けられた複数の第1の有効光学領域と、第2電気光学素子が設けられた複数の第2の有効光学領域とを含み、前記非有効光学領域は、前記複数の第1の有効光学領域のうち、2つの前記第1の有効光学領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第2の有効光学領域のうち、2つの前記第2の有効光学領域に挟まれて配置されていてもよい。
【0009】
これによれば、前記電気光学素子を赤、緑及び青色を発光する電気光学素子に割り当てることで、電気光学装置をフルカラー表示可能にした場合、前記電気光学装置の表示パネル部の列方向及び行方向に対する色ムラを抑制することができる。この結果、フルカラーの表示ディスプレイの場合においては、画像の歪みの抑制に加えて、列方向と行方向とでの色ムラの発生を抑制することができる。このため、表示ディスプレイの表示品位を向上させることができる。
【0010】
本発明における電気光学装置は、基板の上方に、第1電気光学素子が設けられた複数の第1の有効光学領域と、第2電気光学素子が設けられた複数の第2の有効光学領域と、電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第1の有効光学領域のうち、2つの前記第1の有効光学領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第2の有効光学領域のうち、2つの前記第2の有効光学領域に挟まれて配置されている。
【0011】
本発明によれば、第1の電気光学素子同士または第2の電気光学素子同士は、電気光学素子を備えていない非有効光学領域を挟んで配置することができる。
この電気光学装置において、前記第1の有効光学領域同士または前記第2の有効光学領域同士が隣接して配置されないようにしてもよい。
【0012】
これによれば、各第1電気光学素子及び第2電気光学素子を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して等方的且つ等間隔に配置することができる。その結果、表示パネル部の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪みを抑制することができる。
【0013】
この電気光学装置において、前記第1の有効光学領域および第2の有効光学領域は同形状を有していてもよい。
これによれば、各第1及び第2電気光学素子をそれぞれ同一条件で形成することができるので、各第1及び第2電気光学素子の形成時における塗布斑を低減させることができる。
【0014】
この電気光学装置において、前記非有効光学領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
これによれば、一画素を構成する非有効光学領域に反射防止部材が形成されるため、一画素に黒を確実に表示することができ、コントラスト比を上げることができる。
【0015】
この電気光学装置において、前記複数の第1の有効光学領域および第2の有効光学領域の各々には、それぞれ当該第1の有効光学領域および第2の有効光学領域に形成されている前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【0016】
これによれば、第1及び第2の有効光学領域に形成されるそれぞれの第1及び第2電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【0017】
この電気光学装置において、前記複数の第1の有効光学領域および第2の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第1の有効光学領域および第2の有効光学領域には、他の第1の有効光学領域および第2の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【0018】
これによれば、第1または第2の有効光学領域に形成される第1または第2電気光学素子を駆動する電子回路を前記第1または第2の有効光学領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【0019】
この電気光学装置において、前記非有効光学領域は、前記第1の有効光学領域および第2の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第1の有効光学領域および第2の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【0020】
これによれば、第1及び第2の有効光学領域に形成される第1及び第2電気光学素子を駆動する各電子回路を前記非有効光学領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【0021】
この電気光学装置において、前記複数の有効光学領域のうち、少なくとも1つの有効光学領域には、その電極の下方に前記電子回路を設けない、あるいは前記電子回路の上方には前記電極を設けない非有効光学領域と接していてもよい。
【0022】
これによれば、前記非有効光学領域と前記有効光学領域との平坦化をすることができるので、画素のムラを無くすことができる。また、前記有効光学領域における開口率を大きくすることができるので、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
【0023】
この電気光学装置において、複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、前記電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動するようにしてもよい。
【0024】
これによれば、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【0025】
この電気光学装置において、前記電子回路は、導通してデータ信号を供給する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される前記データ信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御され、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する第2のトランジスタとを有していてもよい。
【0026】
これによれば、導通してデータ信号を供給する第1のトランジスタが導通すると、第1のトランジスタを介して供給される前記データ信号が容量素子に供給される。第2のトランジスタは容量素子に保持されたデータ信号に基づく電荷量に基づいて導通状態が制御される。第2のトランジスタは、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する。
【0027】
この電気光学装置において、前記第1電気光学素子及び前記第2電気光学素子は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる電気光学素子から選ばれた2つの電気光学素子であってもよい。
【0028】
これによれば、表示パネル部の列方向及び行方向に対して色ムラが抑制されたカラーの表示が可能となる。
この電気光学装置において、前記第1電気光学素子及び前記第2電気光学素子は、それぞれ、EL素子であってもよい。
【0029】
これによれば、EL素子は第2のトランジスタの導通状態に相対して発光する。
この表示パネルにおいて、前記EL素子は発光層が有機材料で構成されていてもよい。
【0030】
これによれば、EL素子は発光層が有機材料で形成された有機EL素子である。
本発明における電気光学装置は、基板の上方に、第1の発光膜が形成された複数の第1の発光領域と、第2の発光膜が形成された複数の第2の発光領域と、発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第1の発光領域のうち、2つの第1の発光領域に挟まれて配置されていると同時に、前記複数の第2の発光領域のうち、2つの第2の発光領域に挟まれて配置されている。
【0031】
本発明によれば、第1の発光膜同士または第2の発光膜同士は、発光膜を備えていない非発光領域を挟んで配置することができる。
この電気光学装置において、前記第1の発光膜同士又は前記第2の発光膜同士が隣接して配置されないようにした。
【0032】
これによれば、各第1及び第2の発光膜を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して等方的且つ等間隔に配置することができる。その結果、表示パネルの列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪を抑制することができる。
【0033】
この電気光学装置において、前記第1の発光領域と前記第2の発光領域とは同形状を有していてもよい。
これによれば、各第1及び第2の発光膜をそれぞれ同一条件で形成することができるので、各第1及び第2の発光膜の形成時における塗布斑を低減させることができる。
【0034】
この電気光学装置において、前記非発光領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
これによれば、一画素を構成する非発光領域に反射防止部材が形成されるため、一画素に黒を確実に表示することができ、コントラスト比を上げることができる。
【0035】
この電気光学装置において、前記第1の発光領域及び前記第2の発光領域の各々には、それぞれの前記第1の発光膜及び前記第2の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【0036】
これによれば、第1及び第2の有効光学領域に形成されるそれぞれの第1及び第2電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【0037】
この電気光学装置において、前記第1の発光領域または前記第2の発光領域のうち、少なくとも一つの前記第1の発光領域または前記第2の発光領域には、他の第1の発光領域または第2の発光領域に形成される前記第1の発光膜または前記第2の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【0038】
これによれば、第1または第2の発光領域に形成される第1または第2の発光膜を駆動する電子回路を前記第1または第2の発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【0039】
この電気光学装置において、前記非発光領域は、前記第1および第2の発光領域のうち、少なくとも一つの第1の発光領域または第2の発光領域に形成される前記第1の発光膜または前記第2の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【0040】
これによれば、第1及び第2の発光領域に形成される第1及び第2の発光膜を駆動する各電子回路を前記非発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【0041】
この電気光学装置において、複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、前記各画素の電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第1の発光膜または第2の発光膜の発光を制御するようにしてもよい。
【0042】
これによれば、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第1または第2の発光膜を駆動する電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【0043】
この電気光学装置において、前記第1の発光膜及び前記第2の発光膜は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる発光膜から選ばれた2つの発光膜であってもよい。
【0044】
これによれば、表示パネル部の列方向及び行方向に対して色ムラが抑制されたカラーの表示が可能となる。
この電気光学装置において、前記第1の発光膜及び前記第2の発光膜は、それぞれ、有機材料で構成されていてもよい。
【0045】
これによれば、EL素子は発光層が有機材料で形成された有機EL素子である。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、基板の上方に、電子素子に接続するための電極を備えた複数の素子形成領域と、前記電子素子に前記電極を介して各種電気信号を供給するための配線が設けられた配線領域とを含み、前記複数の素子形成領域のうち、少なくとも3つの素子形成領域は、前記配線領域の一部を介して、または、直接、前vvが形成されない非素子形成領域と接している。
【0046】
本発明によれば、素子形成領域が、非素子形成領域を挟んで形成される。従って、各素子形成領域をアクティブマトリクス基板の列方向及び行方向に対して均一に配置することができる。
【0047】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、基板の上方に、第1電気光学素子が形成される複数の第1の素子形成領域と、第2電気光学素子が形成される複数の第2の素子形成領域と、電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第1の素子形成領域のうち、2つの前記第1の素子形成領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第2の素子形成領域のうち、2つの前記第2の素子形成領域に挟まれて配置されていてもよい。
【0048】
本発明によれば、第1の素子形成領域同士または第2の素子形成領域は、非素子形成領域を挟んで配置することができる。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記非素子形成領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
【0049】
これによれば、非素子形成領域に反射防止部材が形成されるため、非素子形成領域を黒く表示することができる。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記第1の素子形成領域及び前記第2の素子形成領域の各々には、それぞれ当該第1の素子形成領域及び当該第2の素子形成領域にそれぞれ形成される前記第1電気光学素子または第2電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【0050】
これによれば、第1及び第2の有効光学領域に形成されるそれぞれの第1及び第2電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【0051】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記第1の素子形成領域及び前記第2の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第1の素子形成領域または前記第2の素子形成領域には、他の前記第1の素子形成領域または前記第2の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【0052】
これによれば、第1または第2の発光領域に形成される第1または第2の発光膜を駆動する電子回路を前記第1または第2の発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【0053】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記非素子形成領域は、前記第1の素子形成領域及び前記第2の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第1の素子形成領域または前記第2の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【0054】
これによれば、第1及び第2の発光領域に形成される第1及び第2の発光膜を駆動する各電子回路を前記非発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【0055】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えた。
この電気光学装置によれば、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置を提供することができる。
【0056】
本発明の電子機器は、上記アクティブマトリクス基板を実装した。
この電子機器によれば、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置に適したアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【0057】
【発明の実施の形態】
(第1実施形態)
以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜4に従って説明する。図1は、表示ディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。図2は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。図3は画素回路の回路図である。
【0058】
表示ディスプレイ10は、制御回路11、表示パネル部12、走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路14を備えている。表示ディスプレイ10の制御回路11、走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路14は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路11、走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路14が、各々1チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。又、制御回路11、走査線駆動回路13及びデータ線駆動回路14の全部若しくは一部がプログラマブルなICチップで構成され、その機能がICチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【0059】
表示パネル部12は、アクティブマトリクス基板S上に複数の画素回路20が配置形成された表示領域Pを備えている。前記表示パネル部12は、図2に示すように、その列方向に沿って延びる緑、青及び赤用データ線XGm,XBm,XRm(mは自然数)から成るデータ線が配設されている。緑、青及び赤用データ線XGm,XBm,XRmは、表示パネル部12の左端側から第1の緑用データ線XG1、第1の青用データ線XB1、第1の赤用データ線XR1、第2の緑用データ線XG2、・・・の順に配設されている。また、表示パネル部12は、その行方向に沿って延びる複数の走査線Yn(nは自然数)が配設されている。
【0060】
そして、前記緑、青及び赤用データ線XGm,XBm,XRmと前記走査線Ynとの交差部に対応する位置に、マトリクス状に画素回路20が配置形成されている。
【0061】
画素回路20は、緑、青及び赤用画素回路20G,20B,20Rの3種類の画素回路からなる。緑用の画素回路20Gには有機材料で構成された発光層から緑色の光を放射する緑色用有機EL素子21Gを有している。青用画素回路20Bには有機材料で構成された発光層から青色の光を放射する青色用有機EL素子21Bを有している。赤用画素回路20Rには有機材料で構成された発光層から赤色の光を放射する赤色用有機EL素子21Rを有している。そして、緑、青及び赤用画素回路20G,20B,20Rを一つの組としてその1組が1画素を構成している。
【0062】
各画素回路20において、その形成領域は、図3に示すように、四角升状に緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSが設けられている。緑用画素形成領域ZGは、前記緑用画素回路20Gが形成され、有機EL素子21Gによって緑色の光が放射される。又、青用画素形成領域ZBは、前記青用画素回路20Bが形成され、有機EL素子21Bによって青色の光が放射される。赤用画素形成領域ZRは、前記赤用画素回路20Rが形成され、有機EL素子21Rによって赤色の光が放射される。前記ダミー形成領域ZSは、前記各画素回路20G,20B,20Rのいずれもが形成されていない領域であって、本実施形態ではブラックポリイミドといった反射防止部材が形成されている。つまり、ダミー形成領域ZSでは、黒が表示されることになる。従って、このダミー形成領域ZSを形成することによって、表示パネル部12上に黒を確実に表示させることができるので、表示ディスプレイ10のコントラスト比を上げることができる。
【0063】
また、本実施形態では、前記各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSは、全て同じ形状を有している。従って、各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB及び赤用画素形成領域ZRに、それぞれ、前記各有機EL素子21G,21B,21Rをすべて同一条件で形成することができる。その結果、各有機EL素子21G,21B,21Rの形成時に生ずる塗布斑を低減させることができる。
【0064】
また、この四角升状に割り当てられた各形成領域ZG,ZB,ZR,ZS(各画素回路20G,20B,20R)の配置は、本実施形態では、図2及び図3に示すように、上段の左側を緑用画素形成領域ZG、右側を青用画素形成領域ZBに割り当てている。また、その下段の左側をダミー形成領域ZS、右側を赤用画素形成領域ZRに割り当てている。
【0065】
つまり、上下及び左右両端に位置する画素回路20を除いた、各画素回路20の前記ダミー形成領域ZSは、緑用画素形成領域ZGに上下方向(列方向)を挟まれて配置される。また、前記ダミー形成領域ZSは、赤用画素形成領域ZRに左右方向(行方向)を挟まれて配置される。そして、四角升状に形成された緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSとで1画素の領域が形成されている。この結果、緑、青及び赤色用有機EL素子21G,21B,21Rを表示パネル部12の列方向と行方向とに対して等方的且つ等間隔に配置することができる。従って、表示パネル部12の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、同表示パネル部12上に表示される画像の歪みを抑制することができる。
【0066】
また、図3に示すように、各画素回路20において、緑用画素形成領域ZGに形成された緑用画素回路20Gは、駆動用トランジスタQdG、スイッチング用トランジスタQs及び容量素子としての保持キャパシタCoを備えている。駆動用トランジスタQdGはPチャネルFETで構成されている。スイッチング用トランジスタQsはNチャネルFETで構成されている。
【0067】
前記駆動用トランジスタQdGは、そのドレインが前記緑色の光を放射する有機EL素子21Gの陽極に接続され、ソースが緑用動作電圧VGが印加されている緑用電源線LGに接続されている。駆動用トランジスタQdGのゲートとソースとの間には、保持キャパシタCoが接続されている。
【0068】
緑用画素回路20Gのスイッチング用トランジスタQsのゲートは、対応する走査線Ynにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタQsは、ドレインがデータ線Xmを構成する緑用データ線XGmに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタQdGのゲートに接続されている。
【0069】
同様に、前記青用画素形成領域ZBに形成された青用画素回路20Bは、駆動用トランジスタQdB、スイッチング用トランジスタQs及び保持キャパシタCoを備えている。駆動用トランジスタQdBはPチャネルFETで構成されている。スイッチング用トランジスタQsはNチャネルFETで構成されている。
【0070】
駆動用トランジスタQdBは、そのドレインが前記青色の光を放射する有機EL素子21Bの陽極に接続され、ソースが青用動作電圧VBが印加されている青用電源線LBに接続されている。駆動用トランジスタQdBのゲートとソースとの間には、保持キャパシタCoが接続されている。
【0071】
青用画素回路20Bのスイッチング用トランジスタQsのゲートは、対応する走査線Ynにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタQsは、そのドレインがデータ線Xmを構成する青用データ線XBmに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタQdBのゲートに接続されている。
【0072】
また、前記赤用画素形成領域20Rに形成された赤用画素回路20Rは、駆動用トランジスタQdR、スイッチング用トランジスタQs及び保持キャパシタCoを備えている。駆動用トランジスタQdRはPチャネルFETで構成されている。スイッチング用トランジスタQsはNチャネルFETで構成されている。
【0073】
前記駆動用トランジスタQdRは、ドレインが前記赤用色の光を放射する有機EL素子21Rの陽極に接続され、ソースが赤用動作電圧VRが印加されている赤用電源線LRに接続されている。駆動用トランジスタQdRのゲートとソースとの間には、保持キャパシタCoが接続されている。その保持キャパシタCoの他端は前記赤用電源線LRに接続されている。
【0074】
赤用画素回路20Rのスイッチング用トランジスタQsのゲートは、対応する走査線Ynにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタQsは、ドレインがデータ線Xmを構成する赤用データ線XRmに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタQdRのゲートに接続されている。
【0075】
次に、前記アクティブマトリクス基板Sについてその詳細を図4に従って説明する。図4は、前記ダミー形成領域ZSと、該ダミー形成領域ZSと隣接して配置された前記緑用画素形成領域ZGとを含む表示パネル部12の一部断面図である。図4に示す一部断面図は、前記緑用画素形成領域ZGの画素回路20Gを構成する駆動用トランジスタQdGが形成された、図3中のA−A線に沿う断面に対応したものである。尚、青及び赤用画素形成領域ZB,ZRも、前記緑用画素形成領域ZGと同様な構造なので、その詳細な説明は省略する。
【0076】
前記表示パネル部12は、図4に示すように、基板Sdと、前記基板Sdの上方に形成された素子形成層DZと、その素子形成層DZの上に形成された前記緑色用有機EL素子21Gを構成する緑用発光膜LFG及び非発光膜NLFとを備えている。前記素子形成層DZは、緑用発光膜LFGに対応する前記緑用画素回路20Gが形成される形成層である。また、前記素子形成層DZには、前記緑用画素回路20G以外の他の図示しない青及び赤用発光膜に対応した青及び赤用画素回路20B,20Rがそれぞれ形成される形成層である。
【0077】
前記素子形成層DZには、前記各画素回路20G,20B,20Rを構成する前記駆動用トランジスタQdG,QdB,QdRが形成されている。また、前記素子形成層DZには、各緑用発光膜LFG、青及び赤用発光膜と前記各駆動用トランジスタQdG,QdB,QdRとを電気的に接続するための配線が形成されている。この配線が形成されている領域を本実施形態においては配線領域という。
【0078】
前記基板Sdは、本実施形態では、シリコンで形成されている。前記基板Sd上には、二酸化珪素で構成された第1絶縁膜31aと第2絶縁膜31bとで構成される絶縁層31が形成されている。前記第1絶縁膜31a上であって、前記非発光膜NLFが形成される領域(つまり、前記ダミー形成領域ZS)の下方には、各画素回路20R,20G,20Bは形成されていない。
【0079】
一方、前記緑用発光膜LFGが形成される領域(つまり、前記緑用画素形成領域ZG)の下方には、駆動用トランジスタQdRのゲート、ソース及びドレインを構成するシリコン部Tといった緑用画素回路20Gを構成する各種素子が形成されている。
【0080】
そして、前記シリコン部T及び前記第1絶縁膜31a上には前記第2絶縁膜31bが形成されている。前記第2絶縁膜31b上であって、前記シリコン部Tに対向する位置には、前記駆動用トランジスタQdRのゲート電極33Gが形成されている。また、前記第2絶縁膜31b上であって、前記シリコン部Tのドレイン及びソースに対向する位置には、ドレイン電極33D及びソース電極33Sがそれぞれ形成されている。
【0081】
前記第2絶縁膜31b上には、第1層間絶縁膜32aが形成されている。前記第1層間絶縁膜32a上には、第2層間絶縁膜32bが形成されている。前記第2層間絶縁膜32bは、前記ドレイン電極33Dと画素電極34とを電気的に接続する配線35aが形成されるとともに、前記ソース電極33Sと前記電源線LR及び保持キャパシタCoとを電気的に接続する配線35bが形成されている。
【0082】
前記第2層間絶縁膜32b上には、画素電極34と、該画素電極34を他の画素電極34と電気的に絶縁するための無機材料で構成される第1バンク36aが形成されている。前記画素電極34は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極34上には、該画素電極34が開口されている位置を含むように前記緑用発光膜LFG及びブラックポリイミドで構成された非発光膜NLFが形成されている。尚、前記非発光膜NLFの前記画素電極34は、駆動用トランジスタに対しても接続されていない。また、前記第2層間絶縁膜32bは、前記緑用発光膜LFGが形成される領域と前記非発光膜NLFが形成される領域とに渡って平坦に形成されている。また、前記第2層間絶縁膜32bは、前記緑用発光膜LFG以外の図示しない青及び赤用発光膜が形成される領域に渡っても前記非発光膜NLFが形成される領域と平坦に形成されている。このことによって、前記画素回路20が配置形成された表示領域Pを平坦にすることができる。その結果、画素の色ムラを無くすことができる。
【0083】
前記第1バンク36a上には有機材料で構成される第2バンク36bが形成されている。前記第2バンク36bは、前記緑用発光膜LFG及び非発光膜NLFとを隔離するためのバンクである。前記緑用発光膜LFG及び非発光膜NLFと、前記第2バンク36b上には第1陰極層38aが形成されている。第1陰極層38a上には第2陰極層38bが形成されている。そして、この第1及び第2陰極層38a,38bで陰極層38を構成されている。前記陰極層38は、前記画素電極34の対向電極として前記緑用発光膜LFGに電流を供給する。
【0084】
従って、前記のように、前記緑用発光膜LFG及び青及び赤用発光膜が形成される領域が形成される領域と前記非発光膜NLFが形成される領域とを平坦に形成することで、前記画素の色ムラを抑制することができる。
【0085】
データ線駆動回路14は、図2に示すように、前記各データ線Xmに対して緑、青及び赤用単一ライン駆動回路23G,23B,23Rをそれぞれ備えている。
【0086】
各緑用単一ライン駆動回路23Gは、前記制御回路11からのデータ制御信号に基づいて、データ線Xmを構成する緑用データ線XGmを介して対応する緑用画素回路20Gに緑用データ信号VDGを供給する。緑用画素回路20Gは、この緑用データ信号VDGに応じて同画素回路20Gの内部状態(保持キャパシタCoの電荷量)が設定されると、これに応じて有機EL素子21Gに流れる電流値が制御される。
【0087】
各青用単一ライン駆動回路23Bは、制御回路11からのデータ制御信号に基づいて、データ線Xmを構成する青用データ線XBmを介して対応する青用画素回路20Bに青用データ信号VDBを供給する。緑用画素回路20Bは、この青用データ信号VDBに応じて同画素回路20Bの内部状態(保持キャパシタCoの電荷量)が設定されると、これに応じて有機EL素子21Bに流れる電流値が制御される。
【0088】
各赤用単一ライン駆動回路23Rは、制御回路11からのデータ制御信号に基づいて、データ線Xmを構成する赤用データ線XRmを介して対応する赤用画素回路20Rに赤用データ信号VDRを供給する。赤用画素回路20Rは、この赤用データ信号VDRに応じて同画素回路20Rの内部状態(保持キャパシタCoの電荷量)が設定されると、これに応じて有機EL素子21Rに流れる電流値が制御される。
【0089】
走査線駆動回路13は、前記複数の走査線Y1〜Ynの中の1本を適宜選択して1行分の画素回路20群を選択する。走査線駆動回路13は、制御回路11からの走査制御信号に基づいて各走査線Y1〜Ynの中の1本を適宜選択しその1本に対応する走査信号を出力するようになっている。
【0090】
そして、走査信号によって選択された走査線上の各画素回路20(各画素回路20G,20B,20R)のスイッチング用トランジスタQsがオンされる。すると、その時の各データ線XGm,XBm,XRmを介してそれぞれ対応する緑、青及び赤用データ信号VDG,VDB,VDRが保持キャパシタCoに供給される。
【0091】
制御回路11は、外部装置からの表示データ(画像データ)を、各有機EL素子21の発光の階調を表すマトリクスデータに変換する。マトリクスデータは、1行分の画素回路群を選択するために前記走査信号を出力する走査線を指定するための走査制御と、選択された画素回路群の有機EL素子21G,21B,21Rの輝度を設定するための前記緑、青及び赤用データ信号VDG,VDB,VDRを決定するデータ制御信号とを含む。そして、走査制御信号は、走査線駆動回路13に供給する。また、データ制御信号は、データ線駆動回路14に供給される。
【0092】
そして、本実施形態の表示ディスプレイ10によれば、各走査線Ynが順番に選択され、その選択された走査線Yn上の各画素回路20(各画素回路20G,20B,20R)に各データ線XGm,XBm,XRmを介してそれぞれ対応する緑、青及び赤用データ信号VDG,VDB,VDRが保持キャパシタCoに供給される。これに応じて各画素回路20G,20B,20Rの有機EL素子21G,21B,21Rが発光動作して画像が表示される。
【0093】
尚、特許請求の範囲に記載の電気光学装置は、例えばこの実施形態においては、表示ディスプレイ10に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子素子、第1電気光学素子、第2電気光学素子は、例えばこの実施形態においては、有機EL素子21G,21B,21Rから選ばれた2つの有機EL素子に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の第1の有効光学領域または第1の発光領域、及び、第2の有効光学領域または第2の発光領域は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、緑、青及び赤用画素形成領域ZG,ZB,ZRから選ばれた2つの画素形成領域に対応している。また、特許請求の範囲に記載の非有効光学領域は、例えば、この実施形態においては、ダミー形成領域ZSに対応している。
【0094】
また、特許請求の範囲に記載の第1の発光膜及び第2の発光膜は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、緑用発光膜LFG,青用発光膜及び赤用発光膜から選ばれた2つの発光膜に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子回路、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び容量素子は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、画素回路20、スイッチング用トランジスタQs、緑、青及び赤用駆動用トランジスタQdG,QdB,QdR及び保持キャパシタCoに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の基板、第1の素子形成領域、第2の素子形成領域及び非素子形成領域は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、アクティブマトリクス基板S、緑、青及び赤用画素形成領域ZG,ZB,ZR、ダミー形成領域ZSに対応している。また、特許請求の範囲に記載の電極は、例えばこの実施形態においては、例えば画素電極34に対応している。
【0095】
前記実施形態の表示ディスプレイ10によれば、以下のような特徴を得ることができる。
(1)本実施形態では、表示パネル部12の各画素領域において、その上段の左側に緑色用有機EL素子21Gを含む緑用画素回路20Gを備えた緑用画素形成領域ZG、上段の右側に青色用有機EL素子21Bを含む青用画素回路20Bを備えた青用画素形成領域ZBを割り当てた。又、下段の左側には、各色用画素回路のいずれをも備えていない、反射部材が形成されたダミー形成領域ZS、下段の右側に赤色用有機EL素子21Rを含む赤用画素回路20Rを備えた画素形成領域ZRを割り当てた。そして、上下及び左右両端に位置する画素回路20を除いた、各画素回路20の各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSを、隣接する各画素回路20の各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSに対して他の形成領域を1つ挟んだ位置関係に形成した。従って、同色の有機EL素子21G,21B,21R同士が列方向及び行方向に等しく1形成領域分離れて配置されるため、表示パネル部12の列方向と行方向とで視認の異方性を低減させることができる。
【0096】
(2)本実施形態では、ダミー形成領域ZSに、反射防止部材を形成した。このようにすることで、表示パネル部12に黒を確実に表示させることができる。従って、従来のものと比べて高いコントラスト比を有した表示ディスプレイを実現することができる。
【0097】
(3)本実施形態では、前記各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSは、全て同じ形状を有している。従って、各緑用画素形成領域ZGに、青用画素形成領域ZB及び赤用画素形成領域ZRに、それぞれ、前記各有機EL素子21G,21B,21Rを形成するときの塗布斑を低減させることができる。
【0098】
(4)本実施形態では、アクティブマトリクス基板Sにおいて、緑用発光膜LFG、青及び赤用発光膜が形成される領域と前記非発光膜NLFが形成される領域とを平坦に形成した。従って、前記画素の色ムラを抑制することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明を具体化した第2実施形態を図5に従って説明する。この第2実施形態は、前記第1実施形態に記載の画素回路20G,20B,20Rの形成位置が異なること以外は第1実施形態と同じである。従って、本実施形態においては、前記第1実施形態と同じ構成部材については符号を等しく付すとともに、その詳細な説明を省略する。
【0099】
図5は、緑、青及び赤用データ線XGm,XBm,XRmと、走査線Ynとの交差部に対応する位置に形成された画素回路30の回路図である。画素回路30は、緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSから構成される4つの形成領域を備えている。
【0100】
緑用画素形成領域ZGには、緑色用有機EL素子21Gが配置形成されている。そして、緑色用有機EL素子21Gを除くスイッチング用トランジスタQs、保持キャパシタCo、赤色用駆動用トランジスタQdRからなる緑用画素回路20Gはダミー形成領域ZSに形成されている。青用画素形成領域ZBには、青色用有機EL素子21Bを除くスイッチング用トランジスタQs、保持キャパシタCo、青色用駆動用トランジスタQdBからなる青用画素回路20Bは、赤用画素形成領域ZRに形成されている。
【0101】
従って、緑用画素形成領域ZG及び青用画素形成領域ZBでの開口率を大きくすることができる。
赤用画素形成領域ZRには、赤色用有機EL素子21Rが配置形成されている。又、赤用画素形成領域ZRには、前記青色用有機EL素子21Bを除く青用画素回路20Bが形成されている。
【0102】
ダミー形成領域ZSには、前記緑色用有機EL素子21Gを除く緑用画素回路20Bが形成されている。また、ダミー形成領域ZSには、前記赤色用有機EL素子21Rを除くスイッチング用トランジスタQs、保持キャパシタCo、赤色用駆動用トランジスタQdRからなる赤用画素回路20Rが形成されている。
【0103】
このダミー形成領域ZSには、ブラックポリイミドといった反射防止部材が形成されている。つまり、ダミー形成領域ZSでは、前記第1実施形態と同様に黒が表示されることになる。
【0104】
つまり、表示パネル部12の上下及び左右両端に位置する画素回路30を除いた、各画素回路30の各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSを、隣接する各画素回路30の各緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、赤用画素形成領域ZR及びダミー形成領域ZSに対して他の形成領域を1つ挟んだ位置関係にマトリクス状に配置形成した。従って、同色の有機EL素子21G,21B,21R同士は、上下及び左右方向にそれぞれ等しく1形成領域分離れた位置に形成される。
【0105】
次に、第2実施形態におけるアクティブマトリクス基板Sの構造について図6に従って説明する。図6は、前記ダミー形成領域ZSと、該ダミー形成領域ZSに隣接して配置されたの緑用画素形成領域ZRとを含む表示パネル部12の一部断面図である。図6に示す一部断面図は、前記緑及び赤用画素回路20G,20Rを構成する2つの駆動用トランジスタQdG,QdRが形成された、図6中のB−B線に沿う断面に対応したものである。
【0106】
前記表示パネル部12は、図6に示すように、基板Sdと、前記基板Sdの上方に形成された緑用発光膜LFG及び非発光膜NLFと、前記基板Sdと前記緑用発光膜LFG及び非発光膜NLFとの間に形成され、対応する前記各画素回路20R,20G,20Bが形成される素子形成層DZとを備えている。この素子形成層DZには、前記第1実施形態と同様に、前記各画素回路20G,20B,20Rを構成する駆動用トランジスタQdG,QdB,QdRが形成されている。また、前記素子形成層DZには、各緑用発光膜LFG、青及び赤用発光膜と前記各駆動用トランジスタQdG,QdB,QdRとを電気的に接続するための配線が形成されている。そして、前記配線が形成されている領域を本実施形態においても配線領域という。
【0107】
前記基板Sd上には、二酸化珪素で構成された第1絶縁膜31aと第2絶縁膜31bとで構成される絶縁層31が形成されている。前記第1絶縁膜31a上であって、前記非発光膜NLFが形成される位置の下方には、前記緑用画素回路20G及び赤用画素回路20Rを構成する前記各駆動用トランジスタQdG,QdRのそれぞれのゲート、ソース及びドレインを構成するシリコン部Tがそれぞれ形成されている。そして、前記各シリコン部T及び前記第1絶縁膜31a上には前記第2絶縁膜31bが形成されている。前記第2絶縁膜31b上であって、前記各シリコン部Tに対向する位置には、前記各駆動用トランジスタQdG,QdRのゲート電極33Gが形成されている。また、前記各シリコン部Tのそれぞれのドレイン及びソースに対向する位置には、ドレイン電極33D及びソース電極33Sがそれぞれ形成されている。
【0108】
前記第2絶縁膜31b上には、第1層間絶縁膜32aが形成されている。前記第1層間絶縁膜32a上には、第2層間絶縁膜32bが形成されている。前記第2層間絶縁膜32bは、前記ドレイン電極33Dと画素電極34とを電気的に接続する配線35aが形成されるとともに、前記ソース電極33Sと前記電源線LR及び保持キャパシタCoとを電気的に接続する配線35bが形成されている。
【0109】
前記第2層間絶縁膜32b上には、前記画素電極34と、前記画素電極34間に形成され、該画素電極34間の電気的に絶縁するための無機材料で構成される第1バンク36aが形成されている。前記画素電極34は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極34上には、該画素電極34が開口されている位置を含むように前記発光膜LFD及び非発光膜NLFが形成されている。前記第1バンク36a上には有機材料で構成される第2バンク36bが形成されている。前記第2バンク36bは、前記発光膜LFG及び非発光膜NLFとを隔離するためのバンクである。前記緑用発光膜LFG及び非発光膜NLFと、前記第2バンク36b上には第1陰極層38aが形成されている。第1陰極層38a上には第2陰極層38bが形成されている。そして、この第1及び第2陰極層38a,38bで陰極層38を構成されている。この陰極層38は、画素電極34の対向電極として前記緑用発光膜LFGに電流を供給する。
【0110】
このように、前記緑用発光膜LFGが形成される領域と前記非発光膜NLFが形成される領域とを平坦に形成することで、前記緑用発光膜LFGが形成される領域と前記非発光膜NLFが形成される領域とを平坦にすることができる。従って、前記画素の色ムラを抑制することができる。
【0111】
このように本実施形態では、前記第1の実施形態の効果に加えて、従来のものと比べて赤用画素形成領域ZR及び青用画素形成領域ZBでの開口率を大きくすることができる。その結果、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
【0112】
また、ダミー形成領域ZSにそれぞれ緑色及び赤色用有機EL素子21G,21Rを制御する各画素素子を形成することによって、画素回路30の面積を削減させることができる。従って、高精細な表示ディスプレイを提供することができる。
(第3実施形態)
次に、第1又は第2実施形態で説明した電気光学装置としての表示ディスプレイ10の電子機器の適用について図7及び図8に従って説明する。表示ディスプレイ10は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【0113】
図7は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図7において、パーソナルコンピュータ50は、キーボード51を備えた本体部52と、前記表示ディスプレイ10を用いた表示ユニット53とを備えている。この場合においても、表示ディスプレイ10を用いた表示ユニット53は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、従来のものと比べて色ムラがなく高コントラストな表示品位に優れ、しかも低消費電力の表示ディスプレイ10を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ50を提供することができる。
【0114】
図8は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図8において、携帯電話60は、複数の操作ボタン61、受話口62、送話口63、前記表示ディスプレイ10を用いた表示ユニット64を備えている。この場合においても、表示ディスプレイ10を用いた表示ユニット64は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、従来のものと比べて色ムラがなく高コントラストな表示品位が優れた表示ディスプレイ10を備えた携帯電話60を提供することができる。
【0115】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、表示パネル部12の上段の左側に緑用画素形成領域ZG、上段の右側に青用画素形成領域ZBを割り当てた。又、下段の左側には、ダミー形成領域ZS、下段の右側に赤用画素形成領域ZRを割り当てた。これを、例えば、表示パネル部12の上段の左側に赤用画素形成領域ZR、上段の右側に緑用画素形成領域ZGを割り当てた。又、下段の左側には、ダミー形成領域ZS、下段の右側に青用画素形成領域ZBを割り当てるようにしてもよい。
【0116】
つまり、画素回路20を構成する緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、ダミー形成領域ZS、赤用画素形成領域ZRの形成位置は限定されるものではなく、上下及び左右方向に同色の有機EL素子21G,21B,21Rが隣接する他の同色の有機EL素子21G,21B,21Rと等しく一形成領域分離れた位置に配置するならばどのような配置方法でもよい。
○上記第2実施形態では、ダミー形成領域ZSに、緑及び赤色用有機EL素子21G,21Rを制御するための駆動用トランジスタQdG,QdR、保持キャパシタCo及びスイッチング用トランジスタQsを形成した。また、赤用画素形成領域ZRに青色用有機EL素子21Bを制御するための駆動用トランジスタQdB、保持キャパシタCo及びスイッチング用トランジスタQsを形成した。
【0117】
これを、ダミー形成領域ZSに、緑、青及び赤色用有機EL素子21G,21B,21Rをそれぞれ制御するための各駆動用トランジスタQdR,QdG,QdB、保持キャパシタCo及びスイッチング用トランジスタQsを形成するようにしてもよい。このようにすることによって、緑用画素形成領域ZG、青用画素形成領域ZB、ダミー形成領域ZS、赤用画素形成領域ZRでの開口率を更に大きくすることができる。その結果、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
○上記実施形態では、各駆動用トランジスタQdG,QdB,QdR及びスイッチング用トランジスタQsがそれぞれp型、n型TFTであったが、これに限定されることはなく、例えば、駆動用トランジスタQdG,QdB,QdR及びスイッチング用トランジスタQsがそれぞれp型TFTであってもよい。
【0118】
○上記実施形態では、電子回路として画素回路20,30に具体化して好適な効果を得たが、各色用有機EL素子21G,21B,21R以外の例えばLEDやFED等の発光素子のような電気光学素子を駆動する電子回路に具体化してもよい。
【0119】
○上記実施形態では、画素回路20の電気光学素子として有機EL素子21G,21B,21Rについて具体化したが、無機EL素子に具体化してもよい。つまり、無機EL素子からなる無機ELディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態の表示ディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。
【図2】表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。
【図3】第1の実施形態の画素回路の回路図である。
【図4】第1実施形態の表示パネル部の一部断面図である。
【図5】第2の実施形態の画素回路の回路図である。
【図6】第2実施形態の表示パネル部の一部断面図である。
【図7】第3の実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図8】第3の実施形態を説明するための携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
21G 第1電気光学素子としての緑色用有機EL素子
ZG 第1の発光領域としての緑用画素形成領域
21B 第2電気光学素子としての青色用有機EL素子
ZB 第2の発光領域としての青用画素形成領域
21R 第3電気光学素子としての赤色用有機EL素子
ZS 非発光領域としてのダミー形成領域
ZR 第3の発光領域としての赤用画素形成領域
12 表示パネル部
20G、20B、20R 電子回路としての緑用画素回路、青用画素回路、赤用画素回路
VDG,VDB,VDR データ信号としての赤用データ信号、青用データ信号、赤用データ信号
Qs 第1のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタ
QdG,QdB,QdR 第2のトランジスタとしての駆動用トランジスタ
Co 容量素子としての保持キャパシタ
Yn 走査線
XGm,XBm,XRm データ線としての緑用データ線、青用データ線、赤用データ線
LFG 発光膜としての緑用発光膜
NLF 非発光膜
50 電子機器としてのパーソナルコンピュータ
60 電子機器としての携帯電話
Claims (24)
- 基板の上方に、
第1電気光学素子が設けられた複数の第1の有効光学領域と、
第2電気光学素子が設けられた複数の第2の有効光学領域と、
電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、
前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第1の有効光学領域のうち、2つの前記第1の有効光学領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第2の有効光学領域のうち、2つの前記第2の有効光学領域に挟まれて配置されており、
前記複数の第1の有効光学領域および第2の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第1の有効光学領域および第2の有効光学領域には、他の第1の有効光学領域および第2の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第1電気光学素子が設けられた複数の第1の有効光学領域と、
第2電気光学素子が設けられた複数の第2の有効光学領域と、
電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、
前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第1の有効光学領域のうち、2つの前記第1の有効光学領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第2の有効光学領域のうち、2つの前記第2の有効光学領域に挟まれて配置されており、
前記非有効光学領域には、前記第1の有効光学領域および第2の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第1の有効光学領域および第2の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1または2に記載の電気光学装置において、
前記第1の有効光学領域同士または前記第2の有効光学領域同士が隣接して配置されないようにしたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1の有効光学領域、前記第2の有効光学領域および前記非有効光学領域により表示領域が形成され、前記複数の第1の有効光学領域同士の前記表示領域の行方向と列方向における配置ピッチは等しいことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1の有効光学領域および第2の有効光学領域は同形状を有していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記非有効光学領域には、反射防止部材が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、
前記電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項7に記載の電気光学装置において、
前記電子回路は、
導通してデータ信号を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタを介して供給される前記データ信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御され、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する第2のトランジスタとを有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1電気光学素子及び前記第2電気光学素子は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる電気光学素子から選ばれた2つの電気光学素子であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1電気光学素子及び前記第2電気光学素子は、それぞれ、EL素子であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項10に記載の電気光学装置において、
前記EL素子は発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第1の発光膜が形成された複数の第1の発光領域と、
第2の発光膜が形成された複数の第2の発光領域と、
発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、
前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第1の発光領域のうち、2つの第1の発光領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第2の発光領域のうち、2つの第2の発光領域に挟まれて配置されており、
前記第1の発光領域または前記第2の発光領域のうち、少なくとも一つの前記第1の発光領域または前記第2の発光領域には、他の第1の発光領域または第2の発光領域に形成される前記第1の発光膜または前記第2の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第1の発光膜が形成された複数の第1の発光領域と、
第2の発光膜が形成された複数の第2の発光領域と、
発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、
前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第1の発光領域のうち、2つの第1の発光領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第2の発光領域のうち、2つの第2の発光領域に挟まれて配置されており、
前記非発光領域には、前記第1および第2の発光領域のうち、少なくとも一つの第1の発光領域または第2の発光領域に形成される前記第1の発光膜または前記第2の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12または13に記載の電気光学装置において、
前記第1の発光膜同士又は前記第2の発光膜同士が隣接して配置されないようにしたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12乃至14のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1の発光領域と前記第2の発光領域とは同形状を有していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12乃至15のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記非発光領域は、反射防止部材が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12乃至16のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、
前記各画素の電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第1の発光膜または前記第2の発光膜の発光を制御することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12乃至17のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1の発光膜及び前記第2の発光膜は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる発光膜から選ばれた2つの発光膜であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項12乃至18のいずれか1つに記載の電気光学装置において、
前記第1の発光膜及び前記第2の発光膜は、それぞれ、有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第1電気光学素子が形成される複数の第1の素子形成領域と、
第2電気光学素子が形成される複数の第2の素子形成領域と、
電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、
前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第1の素子形成領域のうち、2つの前記第1の素子形成領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第2の素子形成領域のうち、2つの前記第2の素子形成領域に挟まれて配置されており、
前記第1の素子形成領域及び前記第2の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第1の素子形成領域または前記第2の素子形成領域には、他の前記第1の素子形成領域または前記第2の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 基板の上方に、
第1電気光学素子が形成される複数の第1の素子形成領域と、
第2電気光学素子が形成される複数の第2の素子形成領域と、
電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、
前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第1の素子形成領域のうち、2つの前記第1の素子形成領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第2の素子形成領域のうち、2つの前記第2の素子形成領域に挟まれて配置されており、
前記非素子形成領域には、前記第1の素子形成領域及び前記第2の素子形成領域のうち、少なくとも一方の前記第1の素子形成領域または前記第2の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項20または21に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記非素子形成領域は、反射防止部材が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項1乃至19のいずれか1つに記載の電気光学装置を備えてなる電子機器。
- 請求項20乃至22のいずれか1つに記載のアクティブマトリクス基板を実装してなる電子機器。
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