JP4122949B2 - 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶素子、有機ＥＬ素子、電気泳動素子、電子放出素子等を備えた表示ディスプレイの駆動方式の一つにアクティブマトリクス駆動方式がある。アクティブマトリクス駆動方式の表示ディスプレイは、その表示パネルに複数の画素がマトリクス状に配置されている。前記複数の画素の各々は、電気光学素子とその電気光学素子に駆動電力を供給する駆動トランジスタとから構成される画素回路を備えている。また、これら複数の画素回路の各々は、データ線と走査線との交差部に対応して配置されている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
国際公開第ＷＯ９８／３６４０７号パンフレット
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記画素回路は、前記表示パネル部の列方向（データ線方向）及び行方向（走査線方向）に対する配置ピッチや形状が異なると、前記表示パネル部の列方向と行方向とで視認の異方性が生じてしまう。このため、前記表示パネル部に表示される画像に列方向（データ線方向）または行方向（走査線方向）に対して歪みが生じてしまう場合がある。特に、フルカラーの表示ディスプレイの場合においては、その列方向と行方向とで画像の歪みに加えて色ムラが生じてしまう。このため、表示ディスプレイの表示品位が低下してしまう。
【０００５】
本発明の一つの目的は、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置及び電子機器を提供することにある。また、上記の電気光学装置に適したアクティブマトリクス基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明における電気光学装置は、基板の上方に電気光学素子が設けられた複数の有効光学領域と、前記基板上に設けられ、前記電気光学素子に電力または電気信号を供給する配線が設けられた配線領域とを含み、前記複数の有効光学領域のうち、少なくとも３つの有効光学領域は、前記配線領域の一部を介して、または、直接、前記電気光学素子が設けられていない非有効光学領域と接している。
【０００７】
本発明によれば、電気光学素子を備えた複数の有効光学領域が、電気光学素子を備えていない非有効光学領域を挟んで形成される。従って、各電気光学素子を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して均一に配置することができる。その結果、表示パネル部の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪を抑制することができる。
【０００８】
この電気光学装置において、前記複数の有効光学領域は、第１電気光学素子が設けられた複数の第１の有効光学領域と、第２電気光学素子が設けられた複数の第２の有効光学領域とを含み、前記非有効光学領域は、前記複数の第１の有効光学領域のうち、２つの前記第１の有効光学領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第２の有効光学領域のうち、２つの前記第２の有効光学領域に挟まれて配置されていてもよい。
【０００９】
これによれば、前記電気光学素子を赤、緑及び青色を発光する電気光学素子に割り当てることで、電気光学装置をフルカラー表示可能にした場合、前記電気光学装置の表示パネル部の列方向及び行方向に対する色ムラを抑制することができる。この結果、フルカラーの表示ディスプレイの場合においては、画像の歪みの抑制に加えて、列方向と行方向とでの色ムラの発生を抑制することができる。このため、表示ディスプレイの表示品位を向上させることができる。
【００１０】
本発明における電気光学装置は、基板の上方に、第１電気光学素子が設けられた複数の第１の有効光学領域と、第２電気光学素子が設けられた複数の第２の有効光学領域と、電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第１の有効光学領域のうち、２つの前記第１の有効光学領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第２の有効光学領域のうち、２つの前記第２の有効光学領域に挟まれて配置されている。
【００１１】
本発明によれば、第１の電気光学素子同士または第２の電気光学素子同士は、電気光学素子を備えていない非有効光学領域を挟んで配置することができる。
この電気光学装置において、前記第１の有効光学領域同士または前記第２の有効光学領域同士が隣接して配置されないようにしてもよい。
【００１２】
これによれば、各第１電気光学素子及び第２電気光学素子を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して等方的且つ等間隔に配置することができる。その結果、表示パネル部の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪みを抑制することができる。
【００１３】
この電気光学装置において、前記第１の有効光学領域および第２の有効光学領域は同形状を有していてもよい。
これによれば、各第１及び第２電気光学素子をそれぞれ同一条件で形成することができるので、各第１及び第２電気光学素子の形成時における塗布斑を低減させることができる。
【００１４】
この電気光学装置において、前記非有効光学領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
これによれば、一画素を構成する非有効光学領域に反射防止部材が形成されるため、一画素に黒を確実に表示することができ、コントラスト比を上げることができる。
【００１５】
この電気光学装置において、前記複数の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域の各々には、それぞれ当該第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成されている前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００１６】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成されるそれぞれの第１及び第２電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【００１７】
この電気光学装置において、前記複数の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第１の有効光学領域および第２の有効光学領域には、他の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００１８】
これによれば、第１または第２の有効光学領域に形成される第１または第２電気光学素子を駆動する電子回路を前記第１または第２の有効光学領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００１９】
この電気光学装置において、前記非有効光学領域は、前記第１の有効光学領域および第２の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００２０】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成される第１及び第２電気光学素子を駆動する各電子回路を前記非有効光学領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００２１】
この電気光学装置において、前記複数の有効光学領域のうち、少なくとも１つの有効光学領域には、その電極の下方に前記電子回路を設けない、あるいは前記電子回路の上方には前記電極を設けない非有効光学領域と接していてもよい。
【００２２】
これによれば、前記非有効光学領域と前記有効光学領域との平坦化をすることができるので、画素のムラを無くすことができる。また、前記有効光学領域における開口率を大きくすることができるので、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
【００２３】
この電気光学装置において、複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、前記電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動するようにしてもよい。
【００２４】
これによれば、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【００２５】
この電気光学装置において、前記電子回路は、導通してデータ信号を供給する第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される前記データ信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御され、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する第２のトランジスタとを有していてもよい。
【００２６】
これによれば、導通してデータ信号を供給する第１のトランジスタが導通すると、第１のトランジスタを介して供給される前記データ信号が容量素子に供給される。第２のトランジスタは容量素子に保持されたデータ信号に基づく電荷量に基づいて導通状態が制御される。第２のトランジスタは、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する。
【００２７】
この電気光学装置において、前記第１電気光学素子及び前記第２電気光学素子は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる電気光学素子から選ばれた２つの電気光学素子であってもよい。
【００２８】
これによれば、表示パネル部の列方向及び行方向に対して色ムラが抑制されたカラーの表示が可能となる。
この電気光学装置において、前記第１電気光学素子及び前記第２電気光学素子は、それぞれ、ＥＬ素子であってもよい。
【００２９】
これによれば、ＥＬ素子は第２のトランジスタの導通状態に相対して発光する。
この表示パネルにおいて、前記ＥＬ素子は発光層が有機材料で構成されていてもよい。
【００３０】
これによれば、ＥＬ素子は発光層が有機材料で形成された有機ＥＬ素子である。
本発明における電気光学装置は、基板の上方に、第１の発光膜が形成された複数の第１の発光領域と、第２の発光膜が形成された複数の第２の発光領域と、発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第１の発光領域のうち、２つの第１の発光領域に挟まれて配置されていると同時に、前記複数の第２の発光領域のうち、２つの第２の発光領域に挟まれて配置されている。
【００３１】
本発明によれば、第１の発光膜同士または第２の発光膜同士は、発光膜を備えていない非発光領域を挟んで配置することができる。
この電気光学装置において、前記第１の発光膜同士又は前記第２の発光膜同士が隣接して配置されないようにした。
【００３２】
これによれば、各第１及び第２の発光膜を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して等方的且つ等間隔に配置することができる。その結果、表示パネルの列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪を抑制することができる。
【００３３】
この電気光学装置において、前記第１の発光領域と前記第２の発光領域とは同形状を有していてもよい。
これによれば、各第１及び第２の発光膜をそれぞれ同一条件で形成することができるので、各第１及び第２の発光膜の形成時における塗布斑を低減させることができる。
【００３４】
この電気光学装置において、前記非発光領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
これによれば、一画素を構成する非発光領域に反射防止部材が形成されるため、一画素に黒を確実に表示することができ、コントラスト比を上げることができる。
【００３５】
この電気光学装置において、前記第１の発光領域及び前記第２の発光領域の各々には、それぞれの前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【００３６】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成されるそれぞれの第１及び第２電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【００３７】
この電気光学装置において、前記第１の発光領域または前記第２の発光領域のうち、少なくとも一つの前記第１の発光領域または前記第２の発光領域には、他の第１の発光領域または第２の発光領域に形成される前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【００３８】
これによれば、第１または第２の発光領域に形成される第１または第２の発光膜を駆動する電子回路を前記第１または第２の発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００３９】
この電気光学装置において、前記非発光領域は、前記第１および第２の発光領域のうち、少なくとも一つの第１の発光領域または第２の発光領域に形成される前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【００４０】
これによれば、第１及び第２の発光領域に形成される第１及び第２の発光膜を駆動する各電子回路を前記非発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００４１】
この電気光学装置において、複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、前記各画素の電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第１の発光膜または第２の発光膜の発光を制御するようにしてもよい。
【００４２】
これによれば、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第１または第２の発光膜を駆動する電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【００４３】
この電気光学装置において、前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる発光膜から選ばれた２つの発光膜であってもよい。
【００４４】
これによれば、表示パネル部の列方向及び行方向に対して色ムラが抑制されたカラーの表示が可能となる。
この電気光学装置において、前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜は、それぞれ、有機材料で構成されていてもよい。
【００４５】
これによれば、ＥＬ素子は発光層が有機材料で形成された有機ＥＬ素子である。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、基板の上方に、電子素子に接続するための電極を備えた複数の素子形成領域と、前記電子素子に前記電極を介して各種電気信号を供給するための配線が設けられた配線領域とを含み、前記複数の素子形成領域のうち、少なくとも３つの素子形成領域は、前記配線領域の一部を介して、または、直接、前ｖｖが形成されない非素子形成領域と接している。
【００４６】
本発明によれば、素子形成領域が、非素子形成領域を挟んで形成される。従って、各素子形成領域をアクティブマトリクス基板の列方向及び行方向に対して均一に配置することができる。
【００４７】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、基板の上方に、第１電気光学素子が形成される複数の第１の素子形成領域と、第２電気光学素子が形成される複数の第２の素子形成領域と、電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第１の素子形成領域のうち、２つの前記第１の素子形成領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第２の素子形成領域のうち、２つの前記第２の素子形成領域に挟まれて配置されていてもよい。
【００４８】
本発明によれば、第１の素子形成領域同士または第２の素子形成領域は、非素子形成領域を挟んで配置することができる。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記非素子形成領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
【００４９】
これによれば、非素子形成領域に反射防止部材が形成されるため、非素子形成領域を黒く表示することができる。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域の各々には、それぞれ当該第１の素子形成領域及び当該第２の素子形成領域にそれぞれ形成される前記第１電気光学素子または第２電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００５０】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成されるそれぞれの第１及び第２電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【００５１】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域には、他の前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００５２】
これによれば、第１または第２の発光領域に形成される第１または第２の発光膜を駆動する電子回路を前記第１または第２の発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００５３】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記非素子形成領域は、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００５４】
これによれば、第１及び第２の発光領域に形成される第１及び第２の発光膜を駆動する各電子回路を前記非発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００５５】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えた。
この電気光学装置によれば、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置を提供することができる。
【００５６】
本発明の電子機器は、上記アクティブマトリクス基板を実装した。
この電子機器によれば、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置に適したアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【００５７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜４に従って説明する。図１は、表示ディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。図２は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。図３は画素回路の回路図である。
【００５８】
表示ディスプレイ１０は、制御回路１１、表示パネル部１２、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。表示ディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。又、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００５９】
表示パネル部１２は、アクティブマトリクス基板Ｓ上に複数の画素回路２０が配置形成された表示領域Ｐを備えている。前記表示パネル部１２は、図２に示すように、その列方向に沿って延びる緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍ（ｍは自然数）から成るデータ線が配設されている。緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍは、表示パネル部１２の左端側から第１の緑用データ線ＸＧ１、第１の青用データ線ＸＢ１、第１の赤用データ線ＸＲ１、第２の緑用データ線ＸＧ２、・・・の順に配設されている。また、表示パネル部１２は、その行方向に沿って延びる複数の走査線Ｙｎ（ｎは自然数）が配設されている。
【００６０】
そして、前記緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍと前記走査線Ｙｎとの交差部に対応する位置に、マトリクス状に画素回路２０が配置形成されている。
【００６１】
画素回路２０は、緑、青及び赤用画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒの３種類の画素回路からなる。緑用の画素回路２０Ｇには有機材料で構成された発光層から緑色の光を放射する緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを有している。青用画素回路２０Ｂには有機材料で構成された発光層から青色の光を放射する青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを有している。赤用画素回路２０Ｒには有機材料で構成された発光層から赤色の光を放射する赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒを有している。そして、緑、青及び赤用画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを一つの組としてその１組が１画素を構成している。
【００６２】
各画素回路２０において、その形成領域は、図３に示すように、四角升状に緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳが設けられている。緑用画素形成領域ＺＧは、前記緑用画素回路２０Ｇが形成され、有機ＥＬ素子２１Ｇによって緑色の光が放射される。又、青用画素形成領域ＺＢは、前記青用画素回路２０Ｂが形成され、有機ＥＬ素子２１Ｂによって青色の光が放射される。赤用画素形成領域ＺＲは、前記赤用画素回路２０Ｒが形成され、有機ＥＬ素子２１Ｒによって赤色の光が放射される。前記ダミー形成領域ＺＳは、前記各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒのいずれもが形成されていない領域であって、本実施形態ではブラックポリイミドといった反射防止部材が形成されている。つまり、ダミー形成領域ＺＳでは、黒が表示されることになる。従って、このダミー形成領域ＺＳを形成することによって、表示パネル部１２上に黒を確実に表示させることができるので、表示ディスプレイ１０のコントラスト比を上げることができる。
【００６３】
また、本実施形態では、前記各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳは、全て同じ形状を有している。従って、各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ及び赤用画素形成領域ＺＲに、それぞれ、前記各有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒをすべて同一条件で形成することができる。その結果、各有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒの形成時に生ずる塗布斑を低減させることができる。
【００６４】
また、この四角升状に割り当てられた各形成領域ＺＧ，ＺＢ，ＺＲ，ＺＳ（各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒ）の配置は、本実施形態では、図２及び図３に示すように、上段の左側を緑用画素形成領域ＺＧ、右側を青用画素形成領域ＺＢに割り当てている。また、その下段の左側をダミー形成領域ＺＳ、右側を赤用画素形成領域ＺＲに割り当てている。
【００６５】
つまり、上下及び左右両端に位置する画素回路２０を除いた、各画素回路２０の前記ダミー形成領域ＺＳは、緑用画素形成領域ＺＧに上下方向（列方向）を挟まれて配置される。また、前記ダミー形成領域ＺＳは、赤用画素形成領域ＺＲに左右方向（行方向）を挟まれて配置される。そして、四角升状に形成された緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳとで１画素の領域が形成されている。この結果、緑、青及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒを表示パネル部１２の列方向と行方向とに対して等方的且つ等間隔に配置することができる。従って、表示パネル部１２の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、同表示パネル部１２上に表示される画像の歪みを抑制することができる。
【００６６】
また、図３に示すように、各画素回路２０において、緑用画素形成領域ＺＧに形成された緑用画素回路２０Ｇは、駆動用トランジスタＱｄＧ、スイッチング用トランジスタＱｓ及び容量素子としての保持キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＱｄＧはＰチャネルＦＥＴで構成されている。スイッチング用トランジスタＱｓはＮチャネルＦＥＴで構成されている。
【００６７】
前記駆動用トランジスタＱｄＧは、そのドレインが前記緑色の光を放射する有機ＥＬ素子２１Ｇの陽極に接続され、ソースが緑用動作電圧ＶＧが印加されている緑用電源線ＬＧに接続されている。駆動用トランジスタＱｄＧのゲートとソースとの間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。
【００６８】
緑用画素回路２０Ｇのスイッチング用トランジスタＱｓのゲートは、対応する走査線Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタＱｓは、ドレインがデータ線Ｘｍを構成する緑用データ線ＸＧｍに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタＱｄＧのゲートに接続されている。
【００６９】
同様に、前記青用画素形成領域ＺＢに形成された青用画素回路２０Ｂは、駆動用トランジスタＱｄＢ、スイッチング用トランジスタＱｓ及び保持キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＱｄＢはＰチャネルＦＥＴで構成されている。スイッチング用トランジスタＱｓはＮチャネルＦＥＴで構成されている。
【００７０】
駆動用トランジスタＱｄＢは、そのドレインが前記青色の光を放射する有機ＥＬ素子２１Ｂの陽極に接続され、ソースが青用動作電圧ＶＢが印加されている青用電源線ＬＢに接続されている。駆動用トランジスタＱｄＢのゲートとソースとの間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。
【００７１】
青用画素回路２０Ｂのスイッチング用トランジスタＱｓのゲートは、対応する走査線Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタＱｓは、そのドレインがデータ線Ｘｍを構成する青用データ線ＸＢｍに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタＱｄＢのゲートに接続されている。
【００７２】
また、前記赤用画素形成領域２０Ｒに形成された赤用画素回路２０Ｒは、駆動用トランジスタＱｄＲ、スイッチング用トランジスタＱｓ及び保持キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＱｄＲはＰチャネルＦＥＴで構成されている。スイッチング用トランジスタＱｓはＮチャネルＦＥＴで構成されている。
【００７３】
前記駆動用トランジスタＱｄＲは、ドレインが前記赤用色の光を放射する有機ＥＬ素子２１Ｒの陽極に接続され、ソースが赤用動作電圧ＶＲが印加されている赤用電源線ＬＲに接続されている。駆動用トランジスタＱｄＲのゲートとソースとの間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。その保持キャパシタＣｏの他端は前記赤用電源線ＬＲに接続されている。
【００７４】
赤用画素回路２０Ｒのスイッチング用トランジスタＱｓのゲートは、対応する走査線Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタＱｓは、ドレインがデータ線Ｘｍを構成する赤用データ線ＸＲｍに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタＱｄＲのゲートに接続されている。
【００７５】
次に、前記アクティブマトリクス基板Ｓについてその詳細を図４に従って説明する。図４は、前記ダミー形成領域ＺＳと、該ダミー形成領域ＺＳと隣接して配置された前記緑用画素形成領域ＺＧとを含む表示パネル部１２の一部断面図である。図４に示す一部断面図は、前記緑用画素形成領域ＺＧの画素回路２０Ｇを構成する駆動用トランジスタＱｄＧが形成された、図３中のＡ−Ａ線に沿う断面に対応したものである。尚、青及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＲも、前記緑用画素形成領域ＺＧと同様な構造なので、その詳細な説明は省略する。
【００７６】
前記表示パネル部１２は、図４に示すように、基板Ｓｄと、前記基板Ｓｄの上方に形成された素子形成層ＤＺと、その素子形成層ＤＺの上に形成された前記緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを構成する緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとを備えている。前記素子形成層ＤＺは、緑用発光膜ＬＦＧに対応する前記緑用画素回路２０Ｇが形成される形成層である。また、前記素子形成層ＤＺには、前記緑用画素回路２０Ｇ以外の他の図示しない青及び赤用発光膜に対応した青及び赤用画素回路２０Ｂ，２０Ｒがそれぞれ形成される形成層である。
【００７７】
前記素子形成層ＤＺには、前記各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを構成する前記駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲが形成されている。また、前記素子形成層ＤＺには、各緑用発光膜ＬＦＧ、青及び赤用発光膜と前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲとを電気的に接続するための配線が形成されている。この配線が形成されている領域を本実施形態においては配線領域という。
【００７８】
前記基板Ｓｄは、本実施形態では、シリコンで形成されている。前記基板Ｓｄ上には、二酸化珪素で構成された第１絶縁膜３１ａと第２絶縁膜３１ｂとで構成される絶縁層３１が形成されている。前記第１絶縁膜３１ａ上であって、前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域（つまり、前記ダミー形成領域ＺＳ）の下方には、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは形成されていない。
【００７９】
一方、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域（つまり、前記緑用画素形成領域ＺＧ）の下方には、駆動用トランジスタＱｄＲのゲート、ソース及びドレインを構成するシリコン部Ｔといった緑用画素回路２０Ｇを構成する各種素子が形成されている。
【００８０】
そして、前記シリコン部Ｔ及び前記第１絶縁膜３１ａ上には前記第２絶縁膜３１ｂが形成されている。前記第２絶縁膜３１ｂ上であって、前記シリコン部Ｔに対向する位置には、前記駆動用トランジスタＱｄＲのゲート電極３３Ｇが形成されている。また、前記第２絶縁膜３１ｂ上であって、前記シリコン部Ｔのドレイン及びソースに対向する位置には、ドレイン電極３３Ｄ及びソース電極３３Ｓがそれぞれ形成されている。
【００８１】
前記第２絶縁膜３１ｂ上には、第１層間絶縁膜３２ａが形成されている。前記第１層間絶縁膜３２ａ上には、第２層間絶縁膜３２ｂが形成されている。前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記ドレイン電極３３Ｄと画素電極３４とを電気的に接続する配線３５ａが形成されるとともに、前記ソース電極３３Ｓと前記電源線ＬＲ及び保持キャパシタＣｏとを電気的に接続する配線３５ｂが形成されている。
【００８２】
前記第２層間絶縁膜３２ｂ上には、画素電極３４と、該画素電極３４を他の画素電極３４と電気的に絶縁するための無機材料で構成される第１バンク３６ａが形成されている。前記画素電極３４は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極３４上には、該画素電極３４が開口されている位置を含むように前記緑用発光膜ＬＦＧ及びブラックポリイミドで構成された非発光膜ＮＬＦが形成されている。尚、前記非発光膜ＮＬＦの前記画素電極３４は、駆動用トランジスタに対しても接続されていない。また、前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とに渡って平坦に形成されている。また、前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記緑用発光膜ＬＦＧ以外の図示しない青及び赤用発光膜が形成される領域に渡っても前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域と平坦に形成されている。このことによって、前記画素回路２０が配置形成された表示領域Ｐを平坦にすることができる。その結果、画素の色ムラを無くすことができる。
【００８３】
前記第１バンク３６ａ上には有機材料で構成される第２バンク３６ｂが形成されている。前記第２バンク３６ｂは、前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとを隔離するためのバンクである。前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦと、前記第２バンク３６ｂ上には第１陰極層３８ａが形成されている。第１陰極層３８ａ上には第２陰極層３８ｂが形成されている。そして、この第１及び第２陰極層３８ａ，３８ｂで陰極層３８を構成されている。前記陰極層３８は、前記画素電極３４の対向電極として前記緑用発光膜ＬＦＧに電流を供給する。
【００８４】
従って、前記のように、前記緑用発光膜ＬＦＧ及び青及び赤用発光膜が形成される領域が形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦に形成することで、前記画素の色ムラを抑制することができる。
【００８５】
データ線駆動回路１４は、図２に示すように、前記各データ線Ｘｍに対して緑、青及び赤用単一ライン駆動回路２３Ｇ，２３Ｂ，２３Ｒをそれぞれ備えている。
【００８６】
各緑用単一ライン駆動回路２３Ｇは、前記制御回路１１からのデータ制御信号に基づいて、データ線Ｘｍを構成する緑用データ線ＸＧｍを介して対応する緑用画素回路２０Ｇに緑用データ信号ＶＤＧを供給する。緑用画素回路２０Ｇは、この緑用データ信号ＶＤＧに応じて同画素回路２０Ｇの内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定されると、これに応じて有機ＥＬ素子２１Ｇに流れる電流値が制御される。
【００８７】
各青用単一ライン駆動回路２３Ｂは、制御回路１１からのデータ制御信号に基づいて、データ線Ｘｍを構成する青用データ線ＸＢｍを介して対応する青用画素回路２０Ｂに青用データ信号ＶＤＢを供給する。緑用画素回路２０Ｂは、この青用データ信号ＶＤＢに応じて同画素回路２０Ｂの内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定されると、これに応じて有機ＥＬ素子２１Ｂに流れる電流値が制御される。
【００８８】
各赤用単一ライン駆動回路２３Ｒは、制御回路１１からのデータ制御信号に基づいて、データ線Ｘｍを構成する赤用データ線ＸＲｍを介して対応する赤用画素回路２０Ｒに赤用データ信号ＶＤＲを供給する。赤用画素回路２０Ｒは、この赤用データ信号ＶＤＲに応じて同画素回路２０Ｒの内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定されると、これに応じて有機ＥＬ素子２１Ｒに流れる電流値が制御される。
【００８９】
走査線駆動回路１３は、前記複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎの中の１本を適宜選択して１行分の画素回路２０群を選択する。走査線駆動回路１３は、制御回路１１からの走査制御信号に基づいて各走査線Ｙ１〜Ｙｎの中の１本を適宜選択しその１本に対応する走査信号を出力するようになっている。
【００９０】
そして、走査信号によって選択された走査線上の各画素回路２０（各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒ）のスイッチング用トランジスタＱｓがオンされる。すると、その時の各データ線ＸＧｍ,ＸＢｍ，ＸＲｍを介してそれぞれ対応する緑、青及び赤用データ信号ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲが保持キャパシタＣｏに供給される。
【００９１】
制御回路１１は、外部装置からの表示データ（画像データ）を、各有機ＥＬ素子２１の発光の階調を表すマトリクスデータに変換する。マトリクスデータは、１行分の画素回路群を選択するために前記走査信号を出力する走査線を指定するための走査制御と、選択された画素回路群の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒの輝度を設定するための前記緑、青及び赤用データ信号ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲを決定するデータ制御信号とを含む。そして、走査制御信号は、走査線駆動回路１３に供給する。また、データ制御信号は、データ線駆動回路１４に供給される。
【００９２】
そして、本実施形態の表示ディスプレイ１０によれば、各走査線Ｙｎが順番に選択され、その選択された走査線Ｙｎ上の各画素回路２０（各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒ）に各データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍを介してそれぞれ対応する緑、青及び赤用データ信号ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲが保持キャパシタＣｏに供給される。これに応じて各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒの有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒが発光動作して画像が表示される。
【００９３】
尚、特許請求の範囲に記載の電気光学装置は、例えばこの実施形態においては、表示ディスプレイ１０に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子素子、第１電気光学素子、第２電気光学素子は、例えばこの実施形態においては、有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒから選ばれた２つの有機ＥＬ素子に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の第１の有効光学領域または第１の発光領域、及び、第２の有効光学領域または第２の発光領域は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、緑、青及び赤用画素形成領域ＺＧ，ＺＢ，ＺＲから選ばれた２つの画素形成領域に対応している。また、特許請求の範囲に記載の非有効光学領域は、例えば、この実施形態においては、ダミー形成領域ＺＳに対応している。
【００９４】
また、特許請求の範囲に記載の第１の発光膜及び第２の発光膜は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、緑用発光膜ＬＦＧ，青用発光膜及び赤用発光膜から選ばれた２つの発光膜に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子回路、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、画素回路２０、スイッチング用トランジスタＱｓ、緑、青及び赤用駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ及び保持キャパシタＣｏに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の基板、第１の素子形成領域、第２の素子形成領域及び非素子形成領域は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、アクティブマトリクス基板Ｓ、緑、青及び赤用画素形成領域ＺＧ，ＺＢ，ＺＲ、ダミー形成領域ＺＳに対応している。また、特許請求の範囲に記載の電極は、例えばこの実施形態においては、例えば画素電極３４に対応している。
【００９５】
前記実施形態の表示ディスプレイ１０によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、表示パネル部１２の各画素領域において、その上段の左側に緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを含む緑用画素回路２０Ｇを備えた緑用画素形成領域ＺＧ、上段の右側に青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを含む青用画素回路２０Ｂを備えた青用画素形成領域ＺＢを割り当てた。又、下段の左側には、各色用画素回路のいずれをも備えていない、反射部材が形成されたダミー形成領域ＺＳ、下段の右側に赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒを含む赤用画素回路２０Ｒを備えた画素形成領域ＺＲを割り当てた。そして、上下及び左右両端に位置する画素回路２０を除いた、各画素回路２０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳを、隣接する各画素回路２０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳに対して他の形成領域を１つ挟んだ位置関係に形成した。従って、同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒ同士が列方向及び行方向に等しく１形成領域分離れて配置されるため、表示パネル部１２の列方向と行方向とで視認の異方性を低減させることができる。
【００９６】
（２）本実施形態では、ダミー形成領域ＺＳに、反射防止部材を形成した。このようにすることで、表示パネル部１２に黒を確実に表示させることができる。従って、従来のものと比べて高いコントラスト比を有した表示ディスプレイを実現することができる。
【００９７】
（３）本実施形態では、前記各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳは、全て同じ形状を有している。従って、各緑用画素形成領域ＺＧに、青用画素形成領域ＺＢ及び赤用画素形成領域ＺＲに、それぞれ、前記各有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒを形成するときの塗布斑を低減させることができる。
【００９８】
（４）本実施形態では、アクティブマトリクス基板Ｓにおいて、緑用発光膜ＬＦＧ、青及び赤用発光膜が形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦に形成した。従って、前記画素の色ムラを抑制することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図５に従って説明する。この第２実施形態は、前記第１実施形態に記載の画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒの形成位置が異なること以外は第１実施形態と同じである。従って、本実施形態においては、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しく付すとともに、その詳細な説明を省略する。
【００９９】
図５は、緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍと、走査線Ｙｎとの交差部に対応する位置に形成された画素回路３０の回路図である。画素回路３０は、緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳから構成される４つの形成領域を備えている。
【０１００】
緑用画素形成領域ＺＧには、緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇが配置形成されている。そして、緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを除くスイッチング用トランジスタＱｓ、保持キャパシタＣｏ、赤色用駆動用トランジスタＱｄＲからなる緑用画素回路２０Ｇはダミー形成領域ＺＳに形成されている。青用画素形成領域ＺＢには、青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを除くスイッチング用トランジスタＱｓ、保持キャパシタＣｏ、青色用駆動用トランジスタＱｄＢからなる青用画素回路２０Ｂは、赤用画素形成領域ＺＲに形成されている。
【０１０１】
従って、緑用画素形成領域ＺＧ及び青用画素形成領域ＺＢでの開口率を大きくすることができる。
赤用画素形成領域ＺＲには、赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒが配置形成されている。又、赤用画素形成領域ＺＲには、前記青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを除く青用画素回路２０Ｂが形成されている。
【０１０２】
ダミー形成領域ＺＳには、前記緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを除く緑用画素回路２０Ｂが形成されている。また、ダミー形成領域ＺＳには、前記赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒを除くスイッチング用トランジスタＱｓ、保持キャパシタＣｏ、赤色用駆動用トランジスタＱｄＲからなる赤用画素回路２０Ｒが形成されている。
【０１０３】
このダミー形成領域ＺＳには、ブラックポリイミドといった反射防止部材が形成されている。つまり、ダミー形成領域ＺＳでは、前記第１実施形態と同様に黒が表示されることになる。
【０１０４】
つまり、表示パネル部１２の上下及び左右両端に位置する画素回路３０を除いた、各画素回路３０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳを、隣接する各画素回路３０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳに対して他の形成領域を１つ挟んだ位置関係にマトリクス状に配置形成した。従って、同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒ同士は、上下及び左右方向にそれぞれ等しく１形成領域分離れた位置に形成される。
【０１０５】
次に、第２実施形態におけるアクティブマトリクス基板Ｓの構造について図６に従って説明する。図６は、前記ダミー形成領域ＺＳと、該ダミー形成領域ＺＳに隣接して配置されたの緑用画素形成領域ＺＲとを含む表示パネル部１２の一部断面図である。図６に示す一部断面図は、前記緑及び赤用画素回路２０Ｇ，２０Ｒを構成する２つの駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲが形成された、図６中のＢ−Ｂ線に沿う断面に対応したものである。
【０１０６】
前記表示パネル部１２は、図６に示すように、基板Ｓｄと、前記基板Ｓｄの上方に形成された緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦと、前記基板Ｓｄと前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとの間に形成され、対応する前記各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成される素子形成層ＤＺとを備えている。この素子形成層ＤＺには、前記第１実施形態と同様に、前記各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを構成する駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲが形成されている。また、前記素子形成層ＤＺには、各緑用発光膜ＬＦＧ、青及び赤用発光膜と前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲとを電気的に接続するための配線が形成されている。そして、前記配線が形成されている領域を本実施形態においても配線領域という。
【０１０７】
前記基板Ｓｄ上には、二酸化珪素で構成された第１絶縁膜３１ａと第２絶縁膜３１ｂとで構成される絶縁層３１が形成されている。前記第１絶縁膜３１ａ上であって、前記非発光膜ＮＬＦが形成される位置の下方には、前記緑用画素回路２０Ｇ及び赤用画素回路２０Ｒを構成する前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲのそれぞれのゲート、ソース及びドレインを構成するシリコン部Ｔがそれぞれ形成されている。そして、前記各シリコン部Ｔ及び前記第１絶縁膜３１ａ上には前記第２絶縁膜３１ｂが形成されている。前記第２絶縁膜３１ｂ上であって、前記各シリコン部Ｔに対向する位置には、前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲのゲート電極３３Ｇが形成されている。また、前記各シリコン部Ｔのそれぞれのドレイン及びソースに対向する位置には、ドレイン電極３３Ｄ及びソース電極３３Ｓがそれぞれ形成されている。
【０１０８】
前記第２絶縁膜３１ｂ上には、第１層間絶縁膜３２ａが形成されている。前記第１層間絶縁膜３２ａ上には、第２層間絶縁膜３２ｂが形成されている。前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記ドレイン電極３３Ｄと画素電極３４とを電気的に接続する配線３５ａが形成されるとともに、前記ソース電極３３Ｓと前記電源線ＬＲ及び保持キャパシタＣｏとを電気的に接続する配線３５ｂが形成されている。
【０１０９】
前記第２層間絶縁膜３２ｂ上には、前記画素電極３４と、前記画素電極３４間に形成され、該画素電極３４間の電気的に絶縁するための無機材料で構成される第１バンク３６ａが形成されている。前記画素電極３４は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極３４上には、該画素電極３４が開口されている位置を含むように前記発光膜ＬＦＤ及び非発光膜ＮＬＦが形成されている。前記第１バンク３６ａ上には有機材料で構成される第２バンク３６ｂが形成されている。前記第２バンク３６ｂは、前記発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとを隔離するためのバンクである。前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦと、前記第２バンク３６ｂ上には第１陰極層３８ａが形成されている。第１陰極層３８ａ上には第２陰極層３８ｂが形成されている。そして、この第１及び第２陰極層３８ａ，３８ｂで陰極層３８を構成されている。この陰極層３８は、画素電極３４の対向電極として前記緑用発光膜ＬＦＧに電流を供給する。
【０１１０】
このように、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦に形成することで、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦にすることができる。従って、前記画素の色ムラを抑制することができる。
【０１１１】
このように本実施形態では、前記第１の実施形態の効果に加えて、従来のものと比べて赤用画素形成領域ＺＲ及び青用画素形成領域ＺＢでの開口率を大きくすることができる。その結果、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
【０１１２】
また、ダミー形成領域ＺＳにそれぞれ緑色及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｒを制御する各画素素子を形成することによって、画素回路３０の面積を削減させることができる。従って、高精細な表示ディスプレイを提供することができる。
（第３実施形態）
次に、第１又は第２実施形態で説明した電気光学装置としての表示ディスプレイ１０の電子機器の適用について図７及び図８に従って説明する。表示ディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１１３】
図７は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図７において、パーソナルコンピュータ５０は、キーボード５１を備えた本体部５２と、前記表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット５３とを備えている。この場合においても、表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット５３は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、従来のものと比べて色ムラがなく高コントラストな表示品位に優れ、しかも低消費電力の表示ディスプレイ１０を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ５０を提供することができる。
【０１１４】
図８は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図８において、携帯電話６０は、複数の操作ボタン６１、受話口６２、送話口６３、前記表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット６４を備えている。この場合においても、表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット６４は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、従来のものと比べて色ムラがなく高コントラストな表示品位が優れた表示ディスプレイ１０を備えた携帯電話６０を提供することができる。
【０１１５】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、表示パネル部１２の上段の左側に緑用画素形成領域ＺＧ、上段の右側に青用画素形成領域ＺＢを割り当てた。又、下段の左側には、ダミー形成領域ＺＳ、下段の右側に赤用画素形成領域ＺＲを割り当てた。これを、例えば、表示パネル部１２の上段の左側に赤用画素形成領域ＺＲ、上段の右側に緑用画素形成領域ＺＧを割り当てた。又、下段の左側には、ダミー形成領域ＺＳ、下段の右側に青用画素形成領域ＺＢを割り当てるようにしてもよい。
【０１１６】
つまり、画素回路２０を構成する緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、ダミー形成領域ＺＳ、赤用画素形成領域ＺＲの形成位置は限定されるものではなく、上下及び左右方向に同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒが隣接する他の同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒと等しく一形成領域分離れた位置に配置するならばどのような配置方法でもよい。
○上記第２実施形態では、ダミー形成領域ＺＳに、緑及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｒを制御するための駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲ、保持キャパシタＣｏ及びスイッチング用トランジスタＱｓを形成した。また、赤用画素形成領域ＺＲに青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを制御するための駆動用トランジスタＱｄＢ、保持キャパシタＣｏ及びスイッチング用トランジスタＱｓを形成した。
【０１１７】
これを、ダミー形成領域ＺＳに、緑、青及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒをそれぞれ制御するための各駆動用トランジスタＱｄＲ，ＱｄＧ，ＱｄＢ、保持キャパシタＣｏ及びスイッチング用トランジスタＱｓを形成するようにしてもよい。このようにすることによって、緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、ダミー形成領域ＺＳ、赤用画素形成領域ＺＲでの開口率を更に大きくすることができる。その結果、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
○上記実施形態では、各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ及びスイッチング用トランジスタＱｓがそれぞれｐ型、ｎ型ＴＦＴであったが、これに限定されることはなく、例えば、駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ及びスイッチング用トランジスタＱｓがそれぞれｐ型ＴＦＴであってもよい。
【０１１８】
○上記実施形態では、電子回路として画素回路２０，３０に具体化して好適な効果を得たが、各色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒ以外の例えばＬＥＤやＦＥＤ等の発光素子のような電気光学素子を駆動する電子回路に具体化してもよい。
【０１１９】
○上記実施形態では、画素回路２０の電気光学素子として有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒについて具体化したが、無機ＥＬ素子に具体化してもよい。つまり、無機ＥＬ素子からなる無機ＥＬディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態の表示ディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。
【図３】第１の実施形態の画素回路の回路図である。
【図４】第１実施形態の表示パネル部の一部断面図である。
【図５】第２の実施形態の画素回路の回路図である。
【図６】第２実施形態の表示パネル部の一部断面図である。
【図７】第３の実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】第３の実施形態を説明するための携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
２１Ｇ 第１電気光学素子としての緑色用有機ＥＬ素子
ＺＧ 第１の発光領域としての緑用画素形成領域
２１Ｂ 第２電気光学素子としての青色用有機ＥＬ素子
ＺＢ 第２の発光領域としての青用画素形成領域
２１Ｒ 第３電気光学素子としての赤色用有機ＥＬ素子
ＺＳ 非発光領域としてのダミー形成領域
ＺＲ 第３の発光領域としての赤用画素形成領域
１２ 表示パネル部
２０Ｇ、２０Ｂ、２０Ｒ 電子回路としての緑用画素回路、青用画素回路、赤用画素回路
ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲ データ信号としての赤用データ信号、青用データ信号、赤用データ信号
Ｑｓ 第１のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタ
ＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ 第２のトランジスタとしての駆動用トランジスタ
Ｃｏ 容量素子としての保持キャパシタ
Ｙｎ 走査線
ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍ データ線としての緑用データ線、青用データ線、赤用データ線
ＬＦＧ 発光膜としての緑用発光膜
ＮＬＦ 非発光膜
５０ 電子機器としてのパーソナルコンピュータ
６０ 電子機器としての携帯電話
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶素子、有機ＥＬ素子、電気泳動素子、電子放出素子等を備えた表示ディスプレイの駆動方式の一つにアクティブマトリクス駆動方式がある。アクティブマトリクス駆動方式の表示ディスプレイは、その表示パネルに複数の画素がマトリクス状に配置されている。前記複数の画素の各々は、電気光学素子とその電気光学素子に駆動電力を供給する駆動トランジスタとから構成される画素回路を備えている。また、これら複数の画素回路の各々は、データ線と走査線との交差部に対応して配置されている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
国際公開第ＷＯ９８／３６４０７号パンフレット
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記画素回路は、前記表示パネル部の列方向（データ線方向）及び行方向（走査線方向）に対する配置ピッチや形状が異なると、前記表示パネル部の列方向と行方向とで視認の異方性が生じてしまう。このため、前記表示パネル部に表示される画像に列方向（データ線方向）または行方向（走査線方向）に対して歪みが生じてしまう場合がある。特に、フルカラーの表示ディスプレイの場合においては、その列方向と行方向とで画像の歪みに加えて色ムラが生じてしまう。このため、表示ディスプレイの表示品位が低下してしまう。
【０００５】
本発明の一つの目的は、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置及び電子機器を提供することにある。また、上記の電気光学装置に適したアクティブマトリクス基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明における電気光学装置は、基板の上方に電気光学素子が設けられた複数の有効光学領域と、前記基板上に設けられ、前記電気光学素子に電力または電気信号を供給する配線が設けられた配線領域とを含み、前記複数の有効光学領域のうち、少なくとも３つの有効光学領域は、前記配線領域の一部を介して、または、直接、前記電気光学素子が設けられていない非有効光学領域と接している。
【０００７】
本発明によれば、電気光学素子を備えた複数の有効光学領域が、電気光学素子を備えていない非有効光学領域を挟んで形成される。従って、各電気光学素子を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して均一に配置することができる。その結果、表示パネル部の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪を抑制することができる。
【０００８】
この電気光学装置において、前記複数の有効光学領域は、第１電気光学素子が設けられた複数の第１の有効光学領域と、第２電気光学素子が設けられた複数の第２の有効光学領域とを含み、前記非有効光学領域は、前記複数の第１の有効光学領域のうち、２つの前記第１の有効光学領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第２の有効光学領域のうち、２つの前記第２の有効光学領域に挟まれて配置されていてもよい。
【０００９】
これによれば、前記電気光学素子を赤、緑及び青色を発光する電気光学素子に割り当てることで、電気光学装置をフルカラー表示可能にした場合、前記電気光学装置の表示パネル部の列方向及び行方向に対する色ムラを抑制することができる。この結果、フルカラーの表示ディスプレイの場合においては、画像の歪みの抑制に加えて、列方向と行方向とでの色ムラの発生を抑制することができる。このため、表示ディスプレイの表示品位を向上させることができる。
【００１０】
本発明における電気光学装置は、基板の上方に、第１電気光学素子が設けられた複数の第１の有効光学領域と、第２電気光学素子が設けられた複数の第２の有効光学領域と、電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第１の有効光学領域のうち、２つの前記第１の有効光学領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第２の有効光学領域のうち、２つの前記第２の有効光学領域に挟まれて配置されている。
【００１１】
本発明によれば、第１の電気光学素子同士または第２の電気光学素子同士は、電気光学素子を備えていない非有効光学領域を挟んで配置することができる。
この電気光学装置において、前記第１の有効光学領域同士または前記第２の有効光学領域同士が隣接して配置されないようにしてもよい。
【００１２】
これによれば、各第１電気光学素子及び第２電気光学素子を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して等方的且つ等間隔に配置することができる。その結果、表示パネル部の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪みを抑制することができる。
【００１３】
この電気光学装置において、前記第１の有効光学領域および第２の有効光学領域は同形状を有していてもよい。
これによれば、各第１及び第２電気光学素子をそれぞれ同一条件で形成することができるので、各第１及び第２電気光学素子の形成時における塗布斑を低減させることができる。
【００１４】
この電気光学装置において、前記非有効光学領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
これによれば、一画素を構成する非有効光学領域に反射防止部材が形成されるため、一画素に黒を確実に表示することができ、コントラスト比を上げることができる。
【００１５】
この電気光学装置において、前記複数の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域の各々には、それぞれ当該第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成されている前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００１６】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成されるそれぞれの第１及び第２電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【００１７】
この電気光学装置において、前記複数の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第１の有効光学領域および第２の有効光学領域には、他の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００１８】
これによれば、第１または第２の有効光学領域に形成される第１または第２電気光学素子を駆動する電子回路を前記第１または第２の有効光学領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００１９】
この電気光学装置において、前記非有効光学領域は、前記第１の有効光学領域および第２の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００２０】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成される第１及び第２電気光学素子を駆動する各電子回路を前記非有効光学領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００２１】
この電気光学装置において、前記複数の有効光学領域のうち、少なくとも１つの有効光学領域には、その電極の下方に前記電子回路を設けない、あるいは前記電子回路の上方には前記電極を設けない非有効光学領域と接していてもよい。
【００２２】
これによれば、前記非有効光学領域と前記有効光学領域との平坦化をすることができるので、画素のムラを無くすことができる。また、前記有効光学領域における開口率を大きくすることができるので、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
【００２３】
この電気光学装置において、複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、前記電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動するようにしてもよい。
【００２４】
これによれば、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動する電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【００２５】
この電気光学装置において、前記電子回路は、導通してデータ信号を供給する第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される前記データ信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御され、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する第２のトランジスタとを有していてもよい。
【００２６】
これによれば、導通してデータ信号を供給する第１のトランジスタが導通すると、第１のトランジスタを介して供給される前記データ信号が容量素子に供給される。第２のトランジスタは容量素子に保持されたデータ信号に基づく電荷量に基づいて導通状態が制御される。第２のトランジスタは、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する。
【００２７】
この電気光学装置において、前記第１電気光学素子及び前記第２電気光学素子は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる電気光学素子から選ばれた２つの電気光学素子であってもよい。
【００２８】
これによれば、表示パネル部の列方向及び行方向に対して色ムラが抑制されたカラーの表示が可能となる。
この電気光学装置において、前記第１電気光学素子及び前記第２電気光学素子は、それぞれ、ＥＬ素子であってもよい。
【００２９】
これによれば、ＥＬ素子は第２のトランジスタの導通状態に相対して発光する。
この表示パネルにおいて、前記ＥＬ素子は発光層が有機材料で構成されていてもよい。
【００３０】
これによれば、ＥＬ素子は発光層が有機材料で形成された有機ＥＬ素子である。
本発明における電気光学装置は、基板の上方に、第１の発光膜が形成された複数の第１の発光領域と、第２の発光膜が形成された複数の第２の発光領域と、発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第１の発光領域のうち、２つの第１の発光領域に挟まれて配置されていると同時に、前記複数の第２の発光領域のうち、２つの第２の発光領域に挟まれて配置されている。
【００３１】
本発明によれば、第１の発光膜同士または第２の発光膜同士は、発光膜を備えていない非発光領域を挟んで配置することができる。
この電気光学装置において、前記第１の発光膜同士又は前記第２の発光膜同士が隣接して配置されないようにした。
【００３２】
これによれば、各第１及び第２の発光膜を表示ディスプレイの列方向及び行方向に対して等方的且つ等間隔に配置することができる。その結果、表示パネルの列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、画像の歪を抑制することができる。
【００３３】
この電気光学装置において、前記第１の発光領域と前記第２の発光領域とは同形状を有していてもよい。
これによれば、各第１及び第２の発光膜をそれぞれ同一条件で形成することができるので、各第１及び第２の発光膜の形成時における塗布斑を低減させることができる。
【００３４】
この電気光学装置において、前記非発光領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
これによれば、一画素を構成する非発光領域に反射防止部材が形成されるため、一画素に黒を確実に表示することができ、コントラスト比を上げることができる。
【００３５】
この電気光学装置において、前記第１の発光領域及び前記第２の発光領域の各々には、それぞれの前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【００３６】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成されるそれぞれの第１及び第２電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【００３７】
この電気光学装置において、前記第１の発光領域または前記第２の発光領域のうち、少なくとも一つの前記第１の発光領域または前記第２の発光領域には、他の第１の発光領域または第２の発光領域に形成される前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【００３８】
これによれば、第１または第２の発光領域に形成される第１または第２の発光膜を駆動する電子回路を前記第１または第２の発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００３９】
この電気光学装置において、前記非発光領域は、前記第１および第２の発光領域のうち、少なくとも一つの第１の発光領域または第２の発光領域に形成される前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていてもよい。
【００４０】
これによれば、第１及び第２の発光領域に形成される第１及び第２の発光膜を駆動する各電子回路を前記非発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００４１】
この電気光学装置において、複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、前記各画素の電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第１の発光膜または第２の発光膜の発光を制御するようにしてもよい。
【００４２】
これによれば、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第１または第２の発光膜を駆動する電気光学装置の表示品位を向上させることができる。
【００４３】
この電気光学装置において、前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる発光膜から選ばれた２つの発光膜であってもよい。
【００４４】
これによれば、表示パネル部の列方向及び行方向に対して色ムラが抑制されたカラーの表示が可能となる。
この電気光学装置において、前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜は、それぞれ、有機材料で構成されていてもよい。
【００４５】
これによれば、ＥＬ素子は発光層が有機材料で形成された有機ＥＬ素子である。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、基板の上方に、電子素子に接続するための電極を備えた複数の素子形成領域と、前記電子素子に前記電極を介して各種電気信号を供給するための配線が設けられた配線領域とを含み、前記複数の素子形成領域のうち、少なくとも３つの素子形成領域は、前記配線領域の一部を介して、または、直接、前ｖｖが形成されない非素子形成領域と接している。
【００４６】
本発明によれば、素子形成領域が、非素子形成領域を挟んで形成される。従って、各素子形成領域をアクティブマトリクス基板の列方向及び行方向に対して均一に配置することができる。
【００４７】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、基板の上方に、第１電気光学素子が形成される複数の第１の素子形成領域と、第２電気光学素子が形成される複数の第２の素子形成領域と、電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第１の素子形成領域のうち、２つの前記第１の素子形成領域に挟まれて配置されると同時に、前記複数の第２の素子形成領域のうち、２つの前記第２の素子形成領域に挟まれて配置されていてもよい。
【００４８】
本発明によれば、第１の素子形成領域同士または第２の素子形成領域は、非素子形成領域を挟んで配置することができる。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記非素子形成領域は、反射防止部材が形成されていてもよい。
【００４９】
これによれば、非素子形成領域に反射防止部材が形成されるため、非素子形成領域を黒く表示することができる。
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域の各々には、それぞれ当該第１の素子形成領域及び当該第２の素子形成領域にそれぞれ形成される前記第１電気光学素子または第２電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００５０】
これによれば、第１及び第２の有効光学領域に形成されるそれぞれの第１及び第２電気光学素子は、同じ前記各有効光学領域に形成される電子回路にて駆動される。
【００５１】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域には、他の前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００５２】
これによれば、第１または第２の発光領域に形成される第１または第２の発光膜を駆動する電子回路を前記第１または第２の発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００５３】
本発明におけるアクティブマトリクス基板は、前記非素子形成領域は、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていてもよい。
【００５４】
これによれば、第１及び第２の発光領域に形成される第１及び第２の発光膜を駆動する各電子回路を前記非発光領域に形成することができる。この結果、画素の開口率を向上させることができる。
【００５５】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を備えた。
この電気光学装置によれば、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置を提供することができる。
【００５６】
本発明の電子機器は、上記アクティブマトリクス基板を実装した。
この電子機器によれば、列方向と行方向とで視認の異方性を低減する電気光学装置に適したアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【００５７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜４に従って説明する。図１は、表示ディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。図２は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。図３は画素回路の回路図である。
【００５８】
表示ディスプレイ１０は、制御回路１１、表示パネル部１２、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。表示ディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。又、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００５９】
表示パネル部１２は、アクティブマトリクス基板Ｓ上に複数の画素回路２０が配置形成された表示領域Ｐを備えている。前記表示パネル部１２は、図２に示すように、その列方向に沿って延びる緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍ（ｍは自然数）から成るデータ線が配設されている。緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍは、表示パネル部１２の左端側から第１の緑用データ線ＸＧ１、第１の青用データ線ＸＢ１、第１の赤用データ線ＸＲ１、第２の緑用データ線ＸＧ２、・・・の順に配設されている。また、表示パネル部１２は、その行方向に沿って延びる複数の走査線Ｙｎ（ｎは自然数）が配設されている。
【００６０】
そして、前記緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍと前記走査線Ｙｎとの交差部に対応する位置に、マトリクス状に画素回路２０が配置形成されている。
【００６１】
画素回路２０は、緑、青及び赤用画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒの３種類の画素回路からなる。緑用の画素回路２０Ｇには有機材料で構成された発光層から緑色の光を放射する緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを有している。青用画素回路２０Ｂには有機材料で構成された発光層から青色の光を放射する青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを有している。赤用画素回路２０Ｒには有機材料で構成された発光層から赤色の光を放射する赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒを有している。そして、緑、青及び赤用画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを一つの組としてその１組が１画素を構成している。
【００６２】
各画素回路２０において、その形成領域は、図３に示すように、四角升状に緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳが設けられている。緑用画素形成領域ＺＧは、前記緑用画素回路２０Ｇが形成され、有機ＥＬ素子２１Ｇによって緑色の光が放射される。又、青用画素形成領域ＺＢは、前記青用画素回路２０Ｂが形成され、有機ＥＬ素子２１Ｂによって青色の光が放射される。赤用画素形成領域ＺＲは、前記赤用画素回路２０Ｒが形成され、有機ＥＬ素子２１Ｒによって赤色の光が放射される。前記ダミー形成領域ＺＳは、前記各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒのいずれもが形成されていない領域であって、本実施形態ではブラックポリイミドといった反射防止部材が形成されている。つまり、ダミー形成領域ＺＳでは、黒が表示されることになる。従って、このダミー形成領域ＺＳを形成することによって、表示パネル部１２上に黒を確実に表示させることができるので、表示ディスプレイ１０のコントラスト比を上げることができる。
【００６３】
また、本実施形態では、前記各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳは、全て同じ形状を有している。従って、各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ及び赤用画素形成領域ＺＲに、それぞれ、前記各有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒをすべて同一条件で形成することができる。その結果、各有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒの形成時に生ずる塗布斑を低減させることができる。
【００６４】
また、この四角升状に割り当てられた各形成領域ＺＧ，ＺＢ，ＺＲ，ＺＳ（各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒ）の配置は、本実施形態では、図２及び図３に示すように、上段の左側を緑用画素形成領域ＺＧ、右側を青用画素形成領域ＺＢに割り当てている。また、その下段の左側をダミー形成領域ＺＳ、右側を赤用画素形成領域ＺＲに割り当てている。
【００６５】
つまり、上下及び左右両端に位置する画素回路２０を除いた、各画素回路２０の前記ダミー形成領域ＺＳは、緑用画素形成領域ＺＧに上下方向（列方向）を挟まれて配置される。また、前記ダミー形成領域ＺＳは、赤用画素形成領域ＺＲに左右方向（行方向）を挟まれて配置される。そして、四角升状に形成された緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳとで１画素の領域が形成されている。この結果、緑、青及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒを表示パネル部１２の列方向と行方向とに対して等方的且つ等間隔に配置することができる。従って、表示パネル部１２の列方向と行方向とで生ずる視認の異方性を低減させることができるので、同表示パネル部１２上に表示される画像の歪みを抑制することができる。
【００６６】
また、図３に示すように、各画素回路２０において、緑用画素形成領域ＺＧに形成された緑用画素回路２０Ｇは、駆動用トランジスタＱｄＧ、スイッチング用トランジスタＱｓ及び容量素子としての保持キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＱｄＧはＰチャネルＦＥＴで構成されている。スイッチング用トランジスタＱｓはＮチャネルＦＥＴで構成されている。
【００６７】
前記駆動用トランジスタＱｄＧは、そのドレインが前記緑色の光を放射する有機ＥＬ素子２１Ｇの陽極に接続され、ソースが緑用動作電圧ＶＧが印加されている緑用電源線ＬＧに接続されている。駆動用トランジスタＱｄＧのゲートとソースとの間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。
【００６８】
緑用画素回路２０Ｇのスイッチング用トランジスタＱｓのゲートは、対応する走査線Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタＱｓは、ドレインがデータ線Ｘｍを構成する緑用データ線ＸＧｍに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタＱｄＧのゲートに接続されている。
【００６９】
同様に、前記青用画素形成領域ＺＢに形成された青用画素回路２０Ｂは、駆動用トランジスタＱｄＢ、スイッチング用トランジスタＱｓ及び保持キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＱｄＢはＰチャネルＦＥＴで構成されている。スイッチング用トランジスタＱｓはＮチャネルＦＥＴで構成されている。
【００７０】
駆動用トランジスタＱｄＢは、そのドレインが前記青色の光を放射する有機ＥＬ素子２１Ｂの陽極に接続され、ソースが青用動作電圧ＶＢが印加されている青用電源線ＬＢに接続されている。駆動用トランジスタＱｄＢのゲートとソースとの間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。
【００７１】
青用画素回路２０Ｂのスイッチング用トランジスタＱｓのゲートは、対応する走査線Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタＱｓは、そのドレインがデータ線Ｘｍを構成する青用データ線ＸＢｍに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタＱｄＢのゲートに接続されている。
【００７２】
また、前記赤用画素形成領域２０Ｒに形成された赤用画素回路２０Ｒは、駆動用トランジスタＱｄＲ、スイッチング用トランジスタＱｓ及び保持キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＱｄＲはＰチャネルＦＥＴで構成されている。スイッチング用トランジスタＱｓはＮチャネルＦＥＴで構成されている。
【００７３】
前記駆動用トランジスタＱｄＲは、ドレインが前記赤用色の光を放射する有機ＥＬ素子２１Ｒの陽極に接続され、ソースが赤用動作電圧ＶＲが印加されている赤用電源線ＬＲに接続されている。駆動用トランジスタＱｄＲのゲートとソースとの間には、保持キャパシタＣｏが接続されている。その保持キャパシタＣｏの他端は前記赤用電源線ＬＲに接続されている。
【００７４】
赤用画素回路２０Ｒのスイッチング用トランジスタＱｓのゲートは、対応する走査線Ｙｎにそれぞれ接続されている。又、スイッチング用トランジスタＱｓは、ドレインがデータ線Ｘｍを構成する赤用データ線ＸＲｍに接続され、ソースが前記駆動用トランジスタＱｄＲのゲートに接続されている。
【００７５】
次に、前記アクティブマトリクス基板Ｓについてその詳細を図４に従って説明する。図４は、前記ダミー形成領域ＺＳと、該ダミー形成領域ＺＳと隣接して配置された前記緑用画素形成領域ＺＧとを含む表示パネル部１２の一部断面図である。図４に示す一部断面図は、前記緑用画素形成領域ＺＧの画素回路２０Ｇを構成する駆動用トランジスタＱｄＧが形成された、図３中のＡ−Ａ線に沿う断面に対応したものである。尚、青及び赤用画素形成領域ＺＢ，ＺＲも、前記緑用画素形成領域ＺＧと同様な構造なので、その詳細な説明は省略する。
【００７６】
前記表示パネル部１２は、図４に示すように、基板Ｓｄと、前記基板Ｓｄの上方に形成された素子形成層ＤＺと、その素子形成層ＤＺの上に形成された前記緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを構成する緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとを備えている。前記素子形成層ＤＺは、緑用発光膜ＬＦＧに対応する前記緑用画素回路２０Ｇが形成される形成層である。また、前記素子形成層ＤＺには、前記緑用画素回路２０Ｇ以外の他の図示しない青及び赤用発光膜に対応した青及び赤用画素回路２０Ｂ，２０Ｒがそれぞれ形成される形成層である。
【００７７】
前記素子形成層ＤＺには、前記各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを構成する前記駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲが形成されている。また、前記素子形成層ＤＺには、各緑用発光膜ＬＦＧ、青及び赤用発光膜と前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲとを電気的に接続するための配線が形成されている。この配線が形成されている領域を本実施形態においては配線領域という。
【００７８】
前記基板Ｓｄは、本実施形態では、シリコンで形成されている。前記基板Ｓｄ上には、二酸化珪素で構成された第１絶縁膜３１ａと第２絶縁膜３１ｂとで構成される絶縁層３１が形成されている。前記第１絶縁膜３１ａ上であって、前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域（つまり、前記ダミー形成領域ＺＳ）の下方には、各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは形成されていない。
【００７９】
一方、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域（つまり、前記緑用画素形成領域ＺＧ）の下方には、駆動用トランジスタＱｄＲのゲート、ソース及びドレインを構成するシリコン部Ｔといった緑用画素回路２０Ｇを構成する各種素子が形成されている。
【００８０】
そして、前記シリコン部Ｔ及び前記第１絶縁膜３１ａ上には前記第２絶縁膜３１ｂが形成されている。前記第２絶縁膜３１ｂ上であって、前記シリコン部Ｔに対向する位置には、前記駆動用トランジスタＱｄＲのゲート電極３３Ｇが形成されている。また、前記第２絶縁膜３１ｂ上であって、前記シリコン部Ｔのドレイン及びソースに対向する位置には、ドレイン電極３３Ｄ及びソース電極３３Ｓがそれぞれ形成されている。
【００８１】
前記第２絶縁膜３１ｂ上には、第１層間絶縁膜３２ａが形成されている。前記第１層間絶縁膜３２ａ上には、第２層間絶縁膜３２ｂが形成されている。前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記ドレイン電極３３Ｄと画素電極３４とを電気的に接続する配線３５ａが形成されるとともに、前記ソース電極３３Ｓと前記電源線ＬＲ及び保持キャパシタＣｏとを電気的に接続する配線３５ｂが形成されている。
【００８２】
前記第２層間絶縁膜３２ｂ上には、画素電極３４と、該画素電極３４を他の画素電極３４と電気的に絶縁するための無機材料で構成される第１バンク３６ａが形成されている。前記画素電極３４は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極３４上には、該画素電極３４が開口されている位置を含むように前記緑用発光膜ＬＦＧ及びブラックポリイミドで構成された非発光膜ＮＬＦが形成されている。尚、前記非発光膜ＮＬＦの前記画素電極３４は、駆動用トランジスタに対しても接続されていない。また、前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とに渡って平坦に形成されている。また、前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記緑用発光膜ＬＦＧ以外の図示しない青及び赤用発光膜が形成される領域に渡っても前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域と平坦に形成されている。このことによって、前記画素回路２０が配置形成された表示領域Ｐを平坦にすることができる。その結果、画素の色ムラを無くすことができる。
【００８３】
前記第１バンク３６ａ上には有機材料で構成される第２バンク３６ｂが形成されている。前記第２バンク３６ｂは、前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとを隔離するためのバンクである。前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦと、前記第２バンク３６ｂ上には第１陰極層３８ａが形成されている。第１陰極層３８ａ上には第２陰極層３８ｂが形成されている。そして、この第１及び第２陰極層３８ａ，３８ｂで陰極層３８を構成されている。前記陰極層３８は、前記画素電極３４の対向電極として前記緑用発光膜ＬＦＧに電流を供給する。
【００８４】
従って、前記のように、前記緑用発光膜ＬＦＧ及び青及び赤用発光膜が形成される領域が形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦に形成することで、前記画素の色ムラを抑制することができる。
【００８５】
データ線駆動回路１４は、図２に示すように、前記各データ線Ｘｍに対して緑、青及び赤用単一ライン駆動回路２３Ｇ，２３Ｂ，２３Ｒをそれぞれ備えている。
【００８６】
各緑用単一ライン駆動回路２３Ｇは、前記制御回路１１からのデータ制御信号に基づいて、データ線Ｘｍを構成する緑用データ線ＸＧｍを介して対応する緑用画素回路２０Ｇに緑用データ信号ＶＤＧを供給する。緑用画素回路２０Ｇは、この緑用データ信号ＶＤＧに応じて同画素回路２０Ｇの内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定されると、これに応じて有機ＥＬ素子２１Ｇに流れる電流値が制御される。
【００８７】
各青用単一ライン駆動回路２３Ｂは、制御回路１１からのデータ制御信号に基づいて、データ線Ｘｍを構成する青用データ線ＸＢｍを介して対応する青用画素回路２０Ｂに青用データ信号ＶＤＢを供給する。緑用画素回路２０Ｂは、この青用データ信号ＶＤＢに応じて同画素回路２０Ｂの内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定されると、これに応じて有機ＥＬ素子２１Ｂに流れる電流値が制御される。
【００８８】
各赤用単一ライン駆動回路２３Ｒは、制御回路１１からのデータ制御信号に基づいて、データ線Ｘｍを構成する赤用データ線ＸＲｍを介して対応する赤用画素回路２０Ｒに赤用データ信号ＶＤＲを供給する。赤用画素回路２０Ｒは、この赤用データ信号ＶＤＲに応じて同画素回路２０Ｒの内部状態（保持キャパシタＣｏの電荷量）が設定されると、これに応じて有機ＥＬ素子２１Ｒに流れる電流値が制御される。
【００８９】
走査線駆動回路１３は、前記複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎの中の１本を適宜選択して１行分の画素回路２０群を選択する。走査線駆動回路１３は、制御回路１１からの走査制御信号に基づいて各走査線Ｙ１〜Ｙｎの中の１本を適宜選択しその１本に対応する走査信号を出力するようになっている。
【００９０】
そして、走査信号によって選択された走査線上の各画素回路２０（各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒ）のスイッチング用トランジスタＱｓがオンされる。すると、その時の各データ線ＸＧｍ,ＸＢｍ，ＸＲｍを介してそれぞれ対応する緑、青及び赤用データ信号ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲが保持キャパシタＣｏに供給される。
【００９１】
制御回路１１は、外部装置からの表示データ（画像データ）を、各有機ＥＬ素子２１の発光の階調を表すマトリクスデータに変換する。マトリクスデータは、１行分の画素回路群を選択するために前記走査信号を出力する走査線を指定するための走査制御と、選択された画素回路群の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒの輝度を設定するための前記緑、青及び赤用データ信号ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲを決定するデータ制御信号とを含む。そして、走査制御信号は、走査線駆動回路１３に供給する。また、データ制御信号は、データ線駆動回路１４に供給される。
【００９２】
そして、本実施形態の表示ディスプレイ１０によれば、各走査線Ｙｎが順番に選択され、その選択された走査線Ｙｎ上の各画素回路２０（各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒ）に各データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍを介してそれぞれ対応する緑、青及び赤用データ信号ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲが保持キャパシタＣｏに供給される。これに応じて各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒの有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒが発光動作して画像が表示される。
【００９３】
尚、特許請求の範囲に記載の電気光学装置は、例えばこの実施形態においては、表示ディスプレイ１０に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子素子、第１電気光学素子、第２電気光学素子は、例えばこの実施形態においては、有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒから選ばれた２つの有機ＥＬ素子に対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の第１の有効光学領域または第１の発光領域、及び、第２の有効光学領域または第２の発光領域は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、緑、青及び赤用画素形成領域ＺＧ，ＺＢ，ＺＲから選ばれた２つの画素形成領域に対応している。また、特許請求の範囲に記載の非有効光学領域は、例えば、この実施形態においては、ダミー形成領域ＺＳに対応している。
【００９４】
また、特許請求の範囲に記載の第１の発光膜及び第２の発光膜は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、緑用発光膜ＬＦＧ，青用発光膜及び赤用発光膜から選ばれた２つの発光膜に対応している。また、特許請求の範囲に記載の電子回路、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び容量素子は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、画素回路２０、スイッチング用トランジスタＱｓ、緑、青及び赤用駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ及び保持キャパシタＣｏに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載の基板、第１の素子形成領域、第２の素子形成領域及び非素子形成領域は、例えばこの実施形態においては、それぞれ、アクティブマトリクス基板Ｓ、緑、青及び赤用画素形成領域ＺＧ，ＺＢ，ＺＲ、ダミー形成領域ＺＳに対応している。また、特許請求の範囲に記載の電極は、例えばこの実施形態においては、例えば画素電極３４に対応している。
【００９５】
前記実施形態の表示ディスプレイ１０によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、表示パネル部１２の各画素領域において、その上段の左側に緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを含む緑用画素回路２０Ｇを備えた緑用画素形成領域ＺＧ、上段の右側に青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを含む青用画素回路２０Ｂを備えた青用画素形成領域ＺＢを割り当てた。又、下段の左側には、各色用画素回路のいずれをも備えていない、反射部材が形成されたダミー形成領域ＺＳ、下段の右側に赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒを含む赤用画素回路２０Ｒを備えた画素形成領域ＺＲを割り当てた。そして、上下及び左右両端に位置する画素回路２０を除いた、各画素回路２０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳを、隣接する各画素回路２０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳに対して他の形成領域を１つ挟んだ位置関係に形成した。従って、同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒ同士が列方向及び行方向に等しく１形成領域分離れて配置されるため、表示パネル部１２の列方向と行方向とで視認の異方性を低減させることができる。
【００９６】
（２）本実施形態では、ダミー形成領域ＺＳに、反射防止部材を形成した。このようにすることで、表示パネル部１２に黒を確実に表示させることができる。従って、従来のものと比べて高いコントラスト比を有した表示ディスプレイを実現することができる。
【００９７】
（３）本実施形態では、前記各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳは、全て同じ形状を有している。従って、各緑用画素形成領域ＺＧに、青用画素形成領域ＺＢ及び赤用画素形成領域ＺＲに、それぞれ、前記各有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒを形成するときの塗布斑を低減させることができる。
【００９８】
（４）本実施形態では、アクティブマトリクス基板Ｓにおいて、緑用発光膜ＬＦＧ、青及び赤用発光膜が形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦に形成した。従って、前記画素の色ムラを抑制することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図５に従って説明する。この第２実施形態は、前記第１実施形態に記載の画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒの形成位置が異なること以外は第１実施形態と同じである。従って、本実施形態においては、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しく付すとともに、その詳細な説明を省略する。
【００９９】
図５は、緑、青及び赤用データ線ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍと、走査線Ｙｎとの交差部に対応する位置に形成された画素回路３０の回路図である。画素回路３０は、緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳから構成される４つの形成領域を備えている。
【０１００】
緑用画素形成領域ＺＧには、緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇが配置形成されている。そして、緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを除くスイッチング用トランジスタＱｓ、保持キャパシタＣｏ、赤色用駆動用トランジスタＱｄＲからなる緑用画素回路２０Ｇはダミー形成領域ＺＳに形成されている。青用画素形成領域ＺＢには、青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを除くスイッチング用トランジスタＱｓ、保持キャパシタＣｏ、青色用駆動用トランジスタＱｄＢからなる青用画素回路２０Ｂは、赤用画素形成領域ＺＲに形成されている。
【０１０１】
従って、緑用画素形成領域ＺＧ及び青用画素形成領域ＺＢでの開口率を大きくすることができる。
赤用画素形成領域ＺＲには、赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒが配置形成されている。又、赤用画素形成領域ＺＲには、前記青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを除く青用画素回路２０Ｂが形成されている。
【０１０２】
ダミー形成領域ＺＳには、前記緑色用有機ＥＬ素子２１Ｇを除く緑用画素回路２０Ｂが形成されている。また、ダミー形成領域ＺＳには、前記赤色用有機ＥＬ素子２１Ｒを除くスイッチング用トランジスタＱｓ、保持キャパシタＣｏ、赤色用駆動用トランジスタＱｄＲからなる赤用画素回路２０Ｒが形成されている。
【０１０３】
このダミー形成領域ＺＳには、ブラックポリイミドといった反射防止部材が形成されている。つまり、ダミー形成領域ＺＳでは、前記第１実施形態と同様に黒が表示されることになる。
【０１０４】
つまり、表示パネル部１２の上下及び左右両端に位置する画素回路３０を除いた、各画素回路３０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳを、隣接する各画素回路３０の各緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、赤用画素形成領域ＺＲ及びダミー形成領域ＺＳに対して他の形成領域を１つ挟んだ位置関係にマトリクス状に配置形成した。従って、同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒ同士は、上下及び左右方向にそれぞれ等しく１形成領域分離れた位置に形成される。
【０１０５】
次に、第２実施形態におけるアクティブマトリクス基板Ｓの構造について図６に従って説明する。図６は、前記ダミー形成領域ＺＳと、該ダミー形成領域ＺＳに隣接して配置されたの緑用画素形成領域ＺＲとを含む表示パネル部１２の一部断面図である。図６に示す一部断面図は、前記緑及び赤用画素回路２０Ｇ，２０Ｒを構成する２つの駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲが形成された、図６中のＢ−Ｂ線に沿う断面に対応したものである。
【０１０６】
前記表示パネル部１２は、図６に示すように、基板Ｓｄと、前記基板Ｓｄの上方に形成された緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦと、前記基板Ｓｄと前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとの間に形成され、対応する前記各画素回路２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが形成される素子形成層ＤＺとを備えている。この素子形成層ＤＺには、前記第１実施形態と同様に、前記各画素回路２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを構成する駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲが形成されている。また、前記素子形成層ＤＺには、各緑用発光膜ＬＦＧ、青及び赤用発光膜と前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲとを電気的に接続するための配線が形成されている。そして、前記配線が形成されている領域を本実施形態においても配線領域という。
【０１０７】
前記基板Ｓｄ上には、二酸化珪素で構成された第１絶縁膜３１ａと第２絶縁膜３１ｂとで構成される絶縁層３１が形成されている。前記第１絶縁膜３１ａ上であって、前記非発光膜ＮＬＦが形成される位置の下方には、前記緑用画素回路２０Ｇ及び赤用画素回路２０Ｒを構成する前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲのそれぞれのゲート、ソース及びドレインを構成するシリコン部Ｔがそれぞれ形成されている。そして、前記各シリコン部Ｔ及び前記第１絶縁膜３１ａ上には前記第２絶縁膜３１ｂが形成されている。前記第２絶縁膜３１ｂ上であって、前記各シリコン部Ｔに対向する位置には、前記各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲのゲート電極３３Ｇが形成されている。また、前記各シリコン部Ｔのそれぞれのドレイン及びソースに対向する位置には、ドレイン電極３３Ｄ及びソース電極３３Ｓがそれぞれ形成されている。
【０１０８】
前記第２絶縁膜３１ｂ上には、第１層間絶縁膜３２ａが形成されている。前記第１層間絶縁膜３２ａ上には、第２層間絶縁膜３２ｂが形成されている。前記第２層間絶縁膜３２ｂは、前記ドレイン電極３３Ｄと画素電極３４とを電気的に接続する配線３５ａが形成されるとともに、前記ソース電極３３Ｓと前記電源線ＬＲ及び保持キャパシタＣｏとを電気的に接続する配線３５ｂが形成されている。
【０１０９】
前記第２層間絶縁膜３２ｂ上には、前記画素電極３４と、前記画素電極３４間に形成され、該画素電極３４間の電気的に絶縁するための無機材料で構成される第１バンク３６ａが形成されている。前記画素電極３４は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極３４上には、該画素電極３４が開口されている位置を含むように前記発光膜ＬＦＤ及び非発光膜ＮＬＦが形成されている。前記第１バンク３６ａ上には有機材料で構成される第２バンク３６ｂが形成されている。前記第２バンク３６ｂは、前記発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦとを隔離するためのバンクである。前記緑用発光膜ＬＦＧ及び非発光膜ＮＬＦと、前記第２バンク３６ｂ上には第１陰極層３８ａが形成されている。第１陰極層３８ａ上には第２陰極層３８ｂが形成されている。そして、この第１及び第２陰極層３８ａ，３８ｂで陰極層３８を構成されている。この陰極層３８は、画素電極３４の対向電極として前記緑用発光膜ＬＦＧに電流を供給する。
【０１１０】
このように、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦に形成することで、前記緑用発光膜ＬＦＧが形成される領域と前記非発光膜ＮＬＦが形成される領域とを平坦にすることができる。従って、前記画素の色ムラを抑制することができる。
【０１１１】
このように本実施形態では、前記第１の実施形態の効果に加えて、従来のものと比べて赤用画素形成領域ＺＲ及び青用画素形成領域ＺＢでの開口率を大きくすることができる。その結果、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
【０１１２】
また、ダミー形成領域ＺＳにそれぞれ緑色及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｒを制御する各画素素子を形成することによって、画素回路３０の面積を削減させることができる。従って、高精細な表示ディスプレイを提供することができる。
（第３実施形態）
次に、第１又は第２実施形態で説明した電気光学装置としての表示ディスプレイ１０の電子機器の適用について図７及び図８に従って説明する。表示ディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１１３】
図７は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図７において、パーソナルコンピュータ５０は、キーボード５１を備えた本体部５２と、前記表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット５３とを備えている。この場合においても、表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット５３は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、従来のものと比べて色ムラがなく高コントラストな表示品位に優れ、しかも低消費電力の表示ディスプレイ１０を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ５０を提供することができる。
【０１１４】
図８は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図８において、携帯電話６０は、複数の操作ボタン６１、受話口６２、送話口６３、前記表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット６４を備えている。この場合においても、表示ディスプレイ１０を用いた表示ユニット６４は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、従来のものと比べて色ムラがなく高コントラストな表示品位が優れた表示ディスプレイ１０を備えた携帯電話６０を提供することができる。
【０１１５】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、表示パネル部１２の上段の左側に緑用画素形成領域ＺＧ、上段の右側に青用画素形成領域ＺＢを割り当てた。又、下段の左側には、ダミー形成領域ＺＳ、下段の右側に赤用画素形成領域ＺＲを割り当てた。これを、例えば、表示パネル部１２の上段の左側に赤用画素形成領域ＺＲ、上段の右側に緑用画素形成領域ＺＧを割り当てた。又、下段の左側には、ダミー形成領域ＺＳ、下段の右側に青用画素形成領域ＺＢを割り当てるようにしてもよい。
【０１１６】
つまり、画素回路２０を構成する緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、ダミー形成領域ＺＳ、赤用画素形成領域ＺＲの形成位置は限定されるものではなく、上下及び左右方向に同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒが隣接する他の同色の有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒと等しく一形成領域分離れた位置に配置するならばどのような配置方法でもよい。
○上記第２実施形態では、ダミー形成領域ＺＳに、緑及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｒを制御するための駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＲ、保持キャパシタＣｏ及びスイッチング用トランジスタＱｓを形成した。また、赤用画素形成領域ＺＲに青色用有機ＥＬ素子２１Ｂを制御するための駆動用トランジスタＱｄＢ、保持キャパシタＣｏ及びスイッチング用トランジスタＱｓを形成した。
【０１１７】
これを、ダミー形成領域ＺＳに、緑、青及び赤色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒをそれぞれ制御するための各駆動用トランジスタＱｄＲ，ＱｄＧ，ＱｄＢ、保持キャパシタＣｏ及びスイッチング用トランジスタＱｓを形成するようにしてもよい。このようにすることによって、緑用画素形成領域ＺＧ、青用画素形成領域ＺＢ、ダミー形成領域ＺＳ、赤用画素形成領域ＺＲでの開口率を更に大きくすることができる。その結果、より低消費電力の表示ディスプレイを提供することができる。
○上記実施形態では、各駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ及びスイッチング用トランジスタＱｓがそれぞれｐ型、ｎ型ＴＦＴであったが、これに限定されることはなく、例えば、駆動用トランジスタＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ及びスイッチング用トランジスタＱｓがそれぞれｐ型ＴＦＴであってもよい。
【０１１８】
○上記実施形態では、電子回路として画素回路２０，３０に具体化して好適な効果を得たが、各色用有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒ以外の例えばＬＥＤやＦＥＤ等の発光素子のような電気光学素子を駆動する電子回路に具体化してもよい。
【０１１９】
○上記実施形態では、画素回路２０の電気光学素子として有機ＥＬ素子２１Ｇ，２１Ｂ，２１Ｒについて具体化したが、無機ＥＬ素子に具体化してもよい。つまり、無機ＥＬ素子からなる無機ＥＬディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態の表示ディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。
【図３】第１の実施形態の画素回路の回路図である。
【図４】第１実施形態の表示パネル部の一部断面図である。
【図５】第２の実施形態の画素回路の回路図である。
【図６】第２実施形態の表示パネル部の一部断面図である。
【図７】第３の実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】第３の実施形態を説明するための携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
２１Ｇ 第１電気光学素子としての緑色用有機ＥＬ素子
ＺＧ 第１の発光領域としての緑用画素形成領域
２１Ｂ 第２電気光学素子としての青色用有機ＥＬ素子
ＺＢ 第２の発光領域としての青用画素形成領域
２１Ｒ 第３電気光学素子としての赤色用有機ＥＬ素子
ＺＳ 非発光領域としてのダミー形成領域
ＺＲ 第３の発光領域としての赤用画素形成領域
１２ 表示パネル部
２０Ｇ、２０Ｂ、２０Ｒ 電子回路としての緑用画素回路、青用画素回路、赤用画素回路
ＶＤＧ，ＶＤＢ，ＶＤＲ データ信号としての赤用データ信号、青用データ信号、赤用データ信号
Ｑｓ 第１のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタ
ＱｄＧ，ＱｄＢ，ＱｄＲ 第２のトランジスタとしての駆動用トランジスタ
Ｃｏ 容量素子としての保持キャパシタ
Ｙｎ 走査線
ＸＧｍ，ＸＢｍ，ＸＲｍ データ線としての緑用データ線、青用データ線、赤用データ線
ＬＦＧ 発光膜としての緑用発光膜
ＮＬＦ 非発光膜
５０ 電子機器としてのパーソナルコンピュータ
６０ 電子機器としての携帯電話
Claims (24)
- 基板の上方に、
第１電気光学素子が設けられた複数の第１の有効光学領域と、
第２電気光学素子が設けられた複数の第２の有効光学領域と、
電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、
前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第１の有効光学領域のうち、２つの前記第１の有効光学領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第２の有効光学領域のうち、２つの前記第２の有効光学領域に挟まれて配置されており、
前記複数の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第１の有効光学領域および第２の有効光学領域には、他の第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第１電気光学素子が設けられた複数の第１の有効光学領域と、
第２電気光学素子が設けられた複数の第２の有効光学領域と、
電気光学素子が設けられていない複数の非有効光学領域とを備え、
前記複数の非有効光学領域の各々は、前記複数の第１の有効光学領域のうち、２つの前記第１の有効光学領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第２の有効光学領域のうち、２つの前記第２の有効光学領域に挟まれて配置されており、
前記非有効光学領域には、前記第１の有効光学領域および第２の有効光学領域のうち、少なくとも一つの第１の有効光学領域および第２の有効光学領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記第１の有効光学領域同士または前記第２の有効光学領域同士が隣接して配置されないようにしたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１の有効光学領域、前記第２の有効光学領域および前記非有効光学領域により表示領域が形成され、前記複数の第１の有効光学領域同士の前記表示領域の行方向と列方向における配置ピッチは等しいことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１の有効光学領域および第２の有効光学領域は同形状を有していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記非有効光学領域には、反射防止部材が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、
前記電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記電気光学素子を駆動することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項７に記載の電気光学装置において、
前記電子回路は、
導通してデータ信号を供給する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される前記データ信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御され、前記導通状態に相対した電流量を前記電気光学素子に供給する第２のトランジスタとを有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１乃至８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１電気光学素子及び前記第２電気光学素子は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる電気光学素子から選ばれた２つの電気光学素子であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１乃至９のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１電気光学素子及び前記第２電気光学素子は、それぞれ、ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１０に記載の電気光学装置において、
前記ＥＬ素子は発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第１の発光膜が形成された複数の第１の発光領域と、
第２の発光膜が形成された複数の第２の発光領域と、
発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、
前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第１の発光領域のうち、２つの第１の発光領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第２の発光領域のうち、２つの第２の発光領域に挟まれて配置されており、
前記第１の発光領域または前記第２の発光領域のうち、少なくとも一つの前記第１の発光領域または前記第２の発光領域には、他の第１の発光領域または第２の発光領域に形成される前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第１の発光膜が形成された複数の第１の発光領域と、
第２の発光膜が形成された複数の第２の発光領域と、
発光膜が形成されていない複数の非発光領域とを備え、
前記複数の非発光領域の各々は、前記複数の第１の発光領域のうち、２つの第１の発光領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第２の発光領域のうち、２つの第２の発光領域に挟まれて配置されており、
前記非発光領域には、前記第１および第２の発光領域のうち、少なくとも一つの第１の発光領域または第２の発光領域に形成される前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御する電子回路が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１２または１３に記載の電気光学装置において、
前記第１の発光膜同士又は前記第２の発光膜同士が隣接して配置されないようにしたことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１２乃至１４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１の発光領域と前記第２の発光領域とは同形状を有していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１２乃至１５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記非発光領域は、反射防止部材が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１２乃至１６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
複数本の走査線と複数本のデータ線との交差部に対応して各画素が配置形成され、
前記各画素の電子回路は、前記走査線からの走査信号と前記データ線からのデータ信号に基づいて前記第１の発光膜または前記第２の発光膜の発光を制御することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１２乃至１７のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜は、それぞれ、緑色、青色及び赤色を発光させる発光膜から選ばれた２つの発光膜であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１２乃至１８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記第１の発光膜及び前記第２の発光膜は、それぞれ、有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 基板の上方に、
第１電気光学素子が形成される複数の第１の素子形成領域と、
第２電気光学素子が形成される複数の第２の素子形成領域と、
電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、
前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第１の素子形成領域のうち、２つの前記第１の素子形成領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第２の素子形成領域のうち、２つの前記第２の素子形成領域に挟まれて配置されており、
前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域のうち、少なくとも一つの前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域には、他の前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 基板の上方に、
第１電気光学素子が形成される複数の第１の素子形成領域と、
第２電気光学素子が形成される複数の第２の素子形成領域と、
電気光学素子が形成されない複数の非素子形成領域とを備え、
前記複数の非素子形成領域の各々は、前記複数の第１の素子形成領域のうち、２つの前記第１の素子形成領域に挟まれて配置されるとともに、前記複数の第２の素子形成領域のうち、２つの前記第２の素子形成領域に挟まれて配置されており、
前記非素子形成領域には、前記第１の素子形成領域及び前記第２の素子形成領域のうち、少なくとも一方の前記第１の素子形成領域または前記第２の素子形成領域に形成される前記電気光学素子を駆動する電子回路が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項２０または２１に記載のアクティブマトリクス基板において、
前記非素子形成領域は、反射防止部材が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 請求項１乃至１９のいずれか１つに記載の電気光学装置を備えてなる電子機器。
- 請求項２０乃至２２のいずれか１つに記載のアクティブマトリクス基板を実装してなる電子機器。
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