KR100684712B1 - 발광 표시 장치 - Google Patents

발광 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100684712B1
KR100684712B1 KR1020040015858A KR20040015858A KR100684712B1 KR 100684712 B1 KR100684712 B1 KR 100684712B1 KR 1020040015858 A KR1020040015858 A KR 1020040015858A KR 20040015858 A KR20040015858 A KR 20040015858A KR 100684712 B1 KR100684712 B1 KR 100684712B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
transistor
light emitting
scan line
control signal
Prior art date
Application number
KR1020040015858A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050090666A (ko
Inventor
김양완
곽원규
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040015858A priority Critical patent/KR100684712B1/ko
Priority to JP2005017601A priority patent/JP4191146B2/ja
Priority to US11/055,474 priority patent/US7864140B2/en
Priority to CNB2005100543032A priority patent/CN100470621C/zh
Publication of KR20050090666A publication Critical patent/KR20050090666A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100684712B1 publication Critical patent/KR100684712B1/ko
Priority to US12/965,783 priority patent/US8330680B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Abstract

본 발명은 인가되는 2개 이상의 제어신호에 응답하는 스위칭 소자를 이용하여 데이터 신호를 전달하는 화소회로를 포함하는 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명에 따른 발광 표시 장치의 화소 회로는, 데이터선에 직렬로 연결되는 2개의 제1 및 제2 스위칭 소자를 포함한다. 이 제1 및 제2 스위칭 소자를 통하여 상기 데이터선으로부터 전달되는 데이터 신호에 대응하여 저장소자에 전하를 축적하고, 구동 트랜지스터는 저장소자에 축적된 전하량에 대응하는 전류를 출력한다. 발광소자는 이 전류에 대응하는 빛을 발광한다. 여기서, 제1 및 제2 스위칭 소자 중 어느 하나는 제1 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 턴온되며, 나머지 하나는 제2 주사선에 연결된 화소 회로의 동작을 제어하는 제어 신호에 응답하여 턴온된다.
유기전계 발광, 유기EL, OLED, 화소회로, 주사선

Description

발광 표시 장치{Light emitting display}
도 1은 유기 전계 발광 소자의 개념도이다.
도 2는 TFT를 이용한 능동 구동방식을 사용하는 일반적인 유기 전계 발광 표시장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 표시패널(100)의 N×M 개의 화소회로 중 하나를 대표적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 데이터 신호를 전류 누설 없이 전달하기 위하여 이중 게이트의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 화소회로의 일예를 보여주는 등가 회로도이다.
도 5는 도 4의 화소회로에 인가되는 신호선들의 파형을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4에 도시된 화소회로의 배치구조의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 6의 Ⅰ~Ⅰ' 부분의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 화소회로의 등가 회로도이다.
도 9은 본 실시예에 따른 화소회로에 인가되는 신호선의 파형을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 7에 도시된 화소회로의 배치구조의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10의 Ⅱ~Ⅱ' 부분의 단면도이다.
본 발명은, 발광 표시 장치에 관한 것으로, 특히 유기 물질의 전계 발광(이하, "유기 EL"이라 함)을 이용한 유기EL 발광 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기EL 표시장치는, 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시장치로서, 행렬 형태로 배열된 N×M 개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다.
이러한 유기 발광셀은 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드(OLED)로도 불리며, 도 1에 나타낸 바와 같이 애노드(ITO), 유기 박막, 캐소드 전극층(금속)의 구조를 가지고 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함하고 있다. 이러한 유기 발광셀들이 N×M 개의 매트릭스 형태로 배열되어 유기 EL 표시패널을 형성한다.
이와 같은 유기EL 표시패널을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, 이하 TFT라고 명명함)를 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 연결하고 박막 트랜지스터의 게이트에 연결된 커패시터 용량에 의해 유지된 전압에 따라 구동하는 방식이다.
도 2는 TFT를 이용한 능동 구동방식을 사용하는 일반적인 유기EL 표시장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 유기EL 표시장치는 유기EL 표시패널(100), 주사 구동부(200), 및 데이터 구동부(300)를 포함한다.
유기EL 표시패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 데이터선(D1-Dm), 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 주사선(S1-Sn), 및 복수의 화소회로(110)를 포함한다. 데이터선(D1-Dm)은 화상 신호를 나타내는 데이터 신호를 화소회로(110)로 전달하며, 주사선(S1-Sn)은 선택 신호를 화소회로(110)로 전달한다. 화소회로(110)는 이웃한 두 데이터선(D1-Dm)과 이웃한 두 주사선(S1-Sn)에 의해 정의되는 화소 영역에 형성되어 있다.
주사 구동부(200)는 주사선(S1-Sn)에 각각 선택 신호를 순차적으로 인가하며, 데이터 구동부(300)는 데이터선(D1-Dm)에 화상 신호에 대응되는 데이터 전압을 인가한다.
주사 구동부(200) 및/또는 데이터 구동부(300)는 표시패널(100)에 전기적으로 연결될 수 있으며 또는 표시패널(100)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package, TCP)에 칩 등의 형태로 장착될 수 있다. 또는 표시 패널(100)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 가요성 인쇄 회로(flexible printed circuit, FPC) 또는 필름(film) 등에 칩 등의 형태로 장착될 수도 있다. 이와는 달리 주사 구동부(200) 및/또는 데이터 구동부(300)는 표시 패널의 유리 기판 위에 직접 장착될 수도 있으며, 또는 유리 기판 위에 주사선, 데이터선 및 박막 트랜지스터와 동일한 층들로 형성되어 있는 구동 회로와 대체될 수도 직접 장착될 수도 있다.
도 3은 도 2의 표시패널(100)의 N×M 개의 화소회로 중 하나를 대표적으로 보여주는 도면이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 화소 회로는 유기 EL 소자(OLED), 2개의 트랜지스터(SM, DM) 및 커패시터(Cst)를 포함한다. 트랜지스터들(SM, DM)은 PMOS형 트랜지스터로 형성된다.
구동 트랜지스터(DM)는 전원 전압(Vdd)에 소스가 연결되고, 게이트와 소스 사이에 커패시터(Cst)가 연결되어 있다. 커패시터(Cst)는 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)을 일정 기간 유지한다. 스위칭 트랜지스터(SM)는 현재 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전압을 트랜지스터(DM)로 전달한다.
유기 EL 소자(OLED)는 캐소드가 기준 전압(Vss)에 연결되며 구동 트랜지스터(DM)를 통하여 인가되는 전류에 대응하는 빛을 발광한다. 여기서, 유기 EL 소자(OLED)의 캐소드에 연결되는 전원(VSS)은 전원(Vdd)보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압 등이 사용될 수 있다.
이와 같은 능동 구동 방식의 화소회로는, 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하는 스위칭 트랜지스터(SM)가 반드 시 필요하며, 이 스위칭 트랜지스터(SM)를 통하여 누설전류(leakage current)가 흘러 화소회로가 오동작될 수 있다는 문제점이 있다.
따라서 스위칭 트랜지스터(SM)는 데이터 신호를 전류 누설 없이 전달할 수 있는 화소회로가 절실히 요구되는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 2개 이상의 제어신호에 응답하는 스위칭 소자를 이용하여 데이터 신호를 전달하는 화소회로를 포함하는 발광 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 하나의 특징에 따른 발광 표시 장치는, 선택 신호를 전달하는 제1 주사선 및 상기 제1 주사선과 다른 타이밍에 상기 선택 신호를 전달하는 제2 주사선을 포함하는 복수의 주사선, 상기 주사선에 절연되어 교차하며 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 각각 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 장치로서,
상기 화소 회로는,
상기 데이터선에 직렬로 연결되는 제1 및 제2 스위칭 소자,
상기 제1 및 제2 스위칭 소자를 통하여 상기 데이터선으로부터 전달되는 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하는 저장소자,
상기 저장소자에 충전된 전압에 대응하는 전류를 출력하는 제1 트랜지스터, 그리고
상기 제1 트랜지스터로부터 출력되는 전류에 대응하는 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하며,
상기 제1 주사선에 연결된 화소회로의 상기 제1 및 제2 스위칭 소자 중 어느 하나는 상기 제1 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 턴온되며, 나머지 하나는 제2 주사선에 연결된 화소 회로의 동작을 제어하는 제1 제어 신호에 응답하여 턴온된다.
또한, 상기 화소회로는 상기 발광소자와 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 제1 트랜지스터로부터 출력되는 전류를 차단하는 제3 스위칭 소자를 더 포함하고, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 제어신호에 응답하여 동작될 수 있다.
또한, 상기 제1 제어신호는 제1 주사선으로부터 선택신호가 인가되는 동안 상기 제3 스위칭 소자를 차단할 수 있다.
상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 및 제2 스위칭 소자 중에서 상기 제1 제어신호에 응답하여 턴온되는 스위칭 소자와 서로 다른 타입의 채널을 가질 수 있다.
상기 저장소자는, 상기 제1 트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전하는 제1 커패시터; 및 상기 제1 커패시터와 직렬로 연결되는 제2 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 커패시터는 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 화소회로는 제2 제어신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제4 스위칭 소자; 및 상기 제1 커패시터와 병렬 연결되며 상기 제2 제어신호에 응답하여 턴온되는 제5 스위칭 소자를 더 포함할 수 있 다.
상기 제2 제어신호는 상기 제1 주사선에 인접한 제3 주사선으로부터의 신택신호일 수 있다.
상기 제1 제어신호는 상기 제1 주사선 및 제3 주사선으로부터 선택신호가 인가되는 동안 상기 제3 스위칭 소자를 차단할 수 있다.
상기 제1 및 제2 스위칭 소자는 이중 게이트 트랜지스터일 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 발과 표시 장치는, 발광소자를 각각 포함하는 복수의 화소 영역이 형성되어 있는 발광 표시 장치로서,
상기 하나의 화소 영역은,
제1 방향으로 뻗어 있으며 선택 신호를 전달하는 제1 전극;
상기 제1 전극과 실질적으로 동일한 방향으로 뻗어 있으며 제어 신호를 전달하는 제2 전극;
제2 방향으로 뻗어 있어 상기 제1 및 제2 전극과 절연되어 교차하며, 화상을 나타내는 데이터 신호를 전달하는 데이터 전극; 및
상기 제1 전극 및 상기 화소 영역과 인접한 화소 영역의 상기 제2 전극에 절연되어 교차하며, 일단이 상기 데이터 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제1 반도체층을 포함하며,
상기 데이터 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제1 반도체층의 일단이 드레인 또는 소스 전극으로 동작하고 상기 제1 전극과 제2 전극이 게이트 전극으로 동작하는 제1 트랜지스터가 적어도 하나 존재한다.
또한, 상기 제2 전극에 절연되어 형성되며, 일단이 상기 발광소자의 일 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제2 반도체층을 포함하며,
상기 발광소자의 일 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제2 반도체층의 일단은 드레인 전극으로 동작하고 상기 제2 전극이 게이트 전극으로 동작하는 제2 트랜지스터가 존재할 수 있다.
상기 화소 영역과 인접한 화소 영역의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 인접하여 배치될 수 있다.
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도층은 서로 다른 타입의 트랜지스터를 형성하는 반도체층일 수 있다.
상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 이중 게이트 전극으로 동작할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 발광 표시 장치는, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 장치로서,
상기 화소 회로는,
인가되는 전류에 대응하여 발광하는 발광 소자;
제1 전극, 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제2 전극 및 상기 제1 스위칭 소자에 전기적으로 연결되는 제3 전극을 구비하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극 간에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 상기 제3 전극으로 출력하는 제1 트랜지스터;
제1 제어신호에 응답하여 상기 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제1 스위칭 소자;
일전극이 상기 트랜지스터의 제2 전극에 접속되는 제1 커패시터;
상기 제1 전극과 상기 제1 커패시터의 타전극 사이에 접속되는 제2 커패시터;
상기 제1 제어신호에 응답하여 턴온되어 전원과 상기 제1 커패시터의 타전극을 전기적으로 연결하는 제2 스위칭 소자; 및
상기 주사선의 선택신호 및 상기 제2 제어신호에 각각 응답하는 이중 게이트 전극을 가지며, 상기 데이터선에 인가되는 데이터신호를 상기 제1 커패시터의 타전극으로 인가하는 제2 트랜지스터를 포함한다.
또한, 상기 제2 제어신호는 상기 화소회로에 인접한 화소회로의 주사선일 수 있다.
제3 제어신호에 응답하여 상기 발광 소자로 인가되는 전류를 차단하는 제3 스위칭 소자(M2)를 더 포함할 수 있다.
상기 제3 제어신호는, 상기 주사선 및 상기 화소회로에 인접한 화소회로의 주사선으로부터 선택신호가 인가되는 동안에 상기 제3 스위칭 소자를 차단할 수 있다.
상기 제3 스위칭 소자는 상기 제2 트랜지스터와 서로 다른 타입의 채널을 가질 수 있다.
상기 제2 제어신호는 상기 화소회로에 인접한 다른 화소회로의 제3 제어신호 일 수 있다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
한편, 주사선에 관한 용어를 정의하면, 현재 선택 신호를 전달하려고 하는 주사선을 “현재 주사선”이라 하고, 현재 선택 신호가 전달되기 전에 선택 신호를 전달한 주사선을 “직전 주사선”, 현재 선택 신호가 전달된 후에 선택 신호를 전달한 주사선을 “다음 주사선"이라고 한다.
또한, 현재 주사선의 선택신호에 기초하여 발광하는 셀을 "현재 셀"이라 하고, 직전 주사선의 선택신호에 기초하여 발광하는 셀을 "직전 셀", 다음 주사선의 선택신호에 기초하여 발광하는 셀을 "다음 셀"이라고 한다.
그리고, 현재 셀의 발광제어선을 "현재 발광제어선", 직전 셀의 발광제어선 을 "직전 발광제어선", 다음 셀의 발광제어선을 "다음 발광제어선"이라고 한다.
도 4는 데이터 신호를 전류 누설 없이 전달하기 위하여 이중 게이트의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 화소회로의 일 예를 보여주는 등가 회로도이다.
도 4에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선(Dm)과 현재 주사선(Sn) 및 직전 주사선(Sn-1)에 연결된 화소 회로만을 도시하였다.
도 4에 도시된 바와 같이, 화소 회로는 트랜지스터들(M1-M6), 커패시터들(Cst, Cvth), 및 유기EL 소자(OLED)를 포함한다.
트랜지스터(M1)는 유기 EL 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터로서, 전원(Vdd)과 유기EL 소자(OLED) 사이에 접속되고, 게이트에 인가되는 전압에 의하여 트랜지스터(M2)를 통하여 유기EL 소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다.
트랜지스터(M1)의 게이트에는 커패시터(Cvth)의 노드(A)가 접속되고, 커패시터(Cvth)의 노드(B) 및 전원(Vdd) 사이에에 커패시터(Cst)와 트랜지스터(M4)가 병렬접속된다.
트랜지스터(M5, M6)는 현재 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터 인가된 데이터 전압을 커패시터(Cvth)의 노드(B)로 전달한다. 트랜지스터(M5, M6)는 이중 게이트(dual gate)로 형성된 트랜지스터로서 도 4에서는 2개의 트랜지스터로 도시하였다.
트랜지스터(M4)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 커패시터(Cvth)의 노드(B)를 전원(Vdd)에 직접 연결한다.
트랜지스터(M3)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜 지스터(M1)를 다이오드 연결시킨다.
트랜지스터(M2)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기EL 소자(OLED)의 애노드 간에 접속되고, 발광제어선(EMIn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기EL 소자(OLED)의 사이를 차단시킨다.
유기EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M2)를 통하여 입력되는 전류에 대응하여 빛을 방출한다.
다음으로, 도 5를 참조하여 도 4의 화소회로의 동작에 대하여 설명한다.
도 5는 도 4의 화소회로에 인가되는 신호선들의 파형을 보여주는 도면이다.
먼저, 구간(T1)에서, 직전 주사선(Sn-1)에 로우 레벨의 주사 전압이 인가되면, 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 된다. 따라서, 트랜지스터(M1)의 게이트 및 소스간 전압이 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이때 트랜지스터(M1)의 소스가 전원(Vdd)에 연결되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트 즉, 커패시터(Cvth)의 노드(A)에 인가되는 전압은 전원전압(Vdd)과 문턱전압(Vth)의 합이 된다. 또한, 트랜지스터(M4)가 턴온되어 커패시터(Cvth)의 노드(B)에는 전원(Vdd)이 인가되어, 커패시터(Cvth)에 충전되는 전압(VCvth)은 수학식 1과 같다.
Figure 112004009799428-pat00001
여기서, VCvth는 커패시터(Cvth)에 충전되는 전압을 의미하고, VCvthA는 커패시터(Cvth)의 노드(A)에 인가되는 전압, VCvthB는 커패시터(Cvth)의 노드(B)에 인가되는 전압을 의미한다.
또한, 구간(T1)에서 N타입의 채널을 갖는 트랜지스터(M2)는 발광제어선(EMIn)의 로우레벨의 신호에 응답하여 차단되어, 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류가 유기EL 소자(OLED)로 흐르는 것을 방지하고, 현재 주사선(Sn)에는 하이 레벨의 신호가 인가되므로 트랜지스터(M5, M6)는 차단된다.
다음, 구간(T2)에서, 현재 주사선(Sn)에 로우 레벨의 주사 전압이 인가되면, 트랜지스터(M5, M6)가 턴온되어 데이터 전압(Vdata)이 노드(B)에 인가된다. 또한, 커패시터(Cvth)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)에 해당되는 전압이 충전되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트에는 데이터 전압(Vdata)과 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)의 합에 대응되는 전압이 인가된다. 즉, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스간 전압(Vgs)은 다음의 수학식 2와 같다. 이 때, 발광제어선(EMIn)은 로우레벨의 신호가 인가되어 트랜지스터(M2)는 차단된다.
Figure 112004009799428-pat00002
그 다음, 구간(T3)에서, 발광제어선(EMIn)의 하이레벨에 응답하여 트랜지스터(M2)가 온되어 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)에 대응하는 전류(IOLED)가 유기EL 소자(OLED)에 공급되어, 유기 EL 소자(OLED)는 발광하게 된다. 전류(IOLED)는 수학식 3과 같다.
Figure 112004009799428-pat00003
여기서, IOLED는 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류, Vgs는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, Vth는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압, Vdata는 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다.
이와 같이, 도 4에 도시된 화소회로는 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하는 스위칭 소자로서 이중 게이트 트랜지스터, 즉 트랜지스터(M5, M6)를 사용함으로써, 스위칭 트랜지스터를 통하여 흐를 수 있는 누설전류를 효과적으로 차단할 수 있다.
이에 더하여, 본 화소회로는, 각 화소에 위치하는 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)이 서로 다르더라도, 이 문턱 전압(Vth)의 편차가 커패시터(Cvth)에 의하여 보상되므로, 유기EL 소자(OLED)에 공급되는 전류는 일정하게 된다. 이로써, 화소의 위치에 따른 휘도 불균형 문제를 해결할 수 있다.
또한 구간(T1) 및 구간(T2) 동안에 트랜지스터(M2)가 차단되므로, 데이터가 충전되는 동안 누설전류가 흐르는 것을 차단하게 되므로 소비 전력을 줄일 수 있고 또한 블랙 계조를 정확하게 표현할 수 있다.
도 6은 도 4에 도시된 화소회로의 배치구조의 일 예를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅰ~Ⅰ' 부분의 단면도이다.
도 6 및 도 7에서와 같이, 절연 기판(1) 위에 산화 규소 등으로 이루어진 차 단층(10)이 형성되고, 차단층(10) 위에 다결정 규소층(poly silicon layer)(21, 22, 23, 24, 25, 26)이 형성된다.
다결정 규소층(21)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 현재 셀의 트랜지스터(M2)의 채널 영역을 형성한다. 다결정 규소층(22)은 세로방향으로 두 개의 가지가 형성되도록 "ㄷ"자 형상이며 현재 셀의 트랜지스터(M3)의 채널 영역을 형성한다. 다결정 규소층(23)은 "ㄴ"자 형상으로 가로 방향에서 세로방향으로 꺾어져 있으며 현재 셀의 구동 트랜지스터(M1)의 채널영역과 직전 셀의 커패시터(Cst)의 일전극을 형성한다. 다결정 규소층(24)은 "ㄴ"자 형상으로 세로 방향에서 가로 방향으로 꺾어져 있으며 직전 셀의 스위칭 트랜지스터(M5, M6)의 채널영역을 형성한다. 다결정 규소층(25)은 "ㄱ"자 형상으로 가로 방향에서 세로 방향으로 꺾어져 있으며 커패시터(Cvth)의 일전극을 형성한다. 다결정 규소층(26)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 현재 셀의 트랜지스터(M4)의 채널영역을 형성한다.
이렇게 형성된 다결정 규소층(21, 22, 23, 24, 25, 26) 위에 게이트절연막(30)이 형성된다.
게이트절연막(30) 위에 게이트 전극선들이 형성된다. 구체적으로, 직전 주사선(Sn-1)에 대응하는 게이트전극(42), 발광제어선(EMIn)에 대응하는 게이트전극(41), 구동 트랜지스터(M1)의 게이트전극(43) 및 커패시터들(Cst, Cvth)의 일전극을 형성하는 전극(44)이 게이트절연막(30) 위에 형성된다.
게이트전극(42)은 가로 방향으로 두 개의 가지가 형성되도록 "ㄷ"자 형상이며, 트랜지스터(M3) 및 트랜지스터(M4)의 게이트전극을 형성하고, 트랜지스터(M5, M6)의 이중 게이트전극을 형성한다. 게이트전극(41)은 가로 방향으로 뻗어 있으며 트랜지스터(M2)의 게이트전극을 형성한다. 전극(44)의 한쪽 끝은 게이트절연막(30)을 관통하여 형성된 접촉구(31)를 통하여 다결정 규소층(24)에 연결되어 직전 셀의 트랜지스터(M5, M6)의 드레인 전극에 연결되고, 다른 쪽 끝은 직전 셀의 커패시터들(Cst, Cvth)의 일전극(B)을 형성한다.
게이트 전극(41, 42, 43, 44) 위에 층간절연막(50)이 형성된다. 층간 절연막(50) 위에는 전극(61) 전극선(62, 63, 66), 전원선(64) 및 데이터선(65)이 형성된다.
전극(61)은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(51)를 통하여 다결정 규소층(21)에 연결되어 트랜지스터(M2)의 드레인전극을 형성한다.
전극선(62)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 아래 쪽 끝은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(52)를 통하여 다결정 규소층(21)에 연결되어 트랜지스터(M2)의 소스전극을 형성하고, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(53)를 통하여 다결정 규소층(22)에 연결되어 트랜지스터(M3)의 소스전극을 형성한다. 전극선(62)의 위쪽 끝은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(54)를 통하여 다결정 규소층(23)에 연결되어 트랜지스터(M1)의 드레인전극을 형성한다.
전극선(63)은 세로 방향으로 뻗어 있으며, 위쪽 끝은 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(57)를 통하여 다결정 규소층(23)에 연결되어 트랜지스터(M1)의 게이트전극을 형성하고, 접촉구(59)를 통하여 다결정 규소층(22)에 연결되어 트랜지스 터(M3)의 드레인전극을 형성한다. 또 전극선(63)의 아래 쪽 끝은 은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구를 통하여 다결정 규소층(25)에 연결되어 현재 셀의 커패시터(Cvth)의 일전극(A)을 전기적으로 연결한다.
전원선(64)은 직전 셀, 현재 셀, 다음 셀 영역을 관통하여 연결되도록 세로방향으로 길게 뻗어 있으며, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(55)를 통하여 다결정 규소층(23)에 연결되어 트랜지스터(M1)의 소스전극을 형성하고, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구를 통하여 다결정 규소층(26)에 연결되어 트랜지스터(M4)의 드레인전극을 형성한다.
데이터선(65)은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(56)를 통하여 다결정 규소층(24)에 연결되어 트랜지스터(M5, M6)의 소스전극을 형성한다.
전극선(66)은 층간절연막(50)을 관통하는 접촉구와, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구를 통하여 다결정 규소층(26)의 소스영역과 게이트전극(44)을 전기적으로 연결하여 현재 셀의 커패시터들(Cst, Cvth)의 일전극(B)을 형성한다.
도 6 및 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이, 도 4의 화소회로는 두 개의 스위칭 트랜지스터(M5, M6)가 직렬로 연결되고, 게이트전극은 이중 게이트로 형성되어 있다. 따라서 현재 셀의 스위칭 트랜지스터(M5, M6)의 게이트전극을 현재 주사선(Sn)에 연결하기 위하여 주사선(Sn)을 'ㄷ' 모양으로 형성하게 된다. 따라서 주 사선(Sn)을 위한 추가공간(A)이 더 필요하게 되어 개구율이 감소된다는 단점이 있다.
본 발명은 이와 같은 단점을 보완하기 위한 것으로, 개구율을 감소시키지 않으면서 스위칭 트랜지스터의 누설전류를 차단할 수 있는 이중 게이트의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 제공한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 화소회로를 보여주는 등가 회로도이다.
도 8의 화소회로는 스위칭 트랜지스터(M6)는 현재 주사선(Sn)에 기초하여 동작하고, 스위칭 트랜지스터(M5)는 다음 발광제어선(EMIn+1)에 기초하여 동작한다는 점이 도 4의 화소회로와 다른 점이다. 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 화소 회로는 트랜지스터들(M1-M6), 커패시터들(Cst, Cvth), 및 유기EL 소자(OLED)를 포함한다.
트랜지스터(M1)는 유기 EL 소자(OLED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터로서, 전원(Vdd)과 유기EL 소자(OLED) 사이에 접속되고, 게이트에 인가되는 전압에 의하여 트랜지스터(M6)를 통하여 유기EL 소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다.
트랜지스터(M1)의 게이트에는 커패시터(Cvth)의 일전극(A)이 접속되고, 커패시터(Cvth)의 타전극(B) 및 전원(Vdd) 간에 커패시터(Cst)와 트랜지스터(M4)가 병렬접속된다.
트랜지스터(M5)는 다음 발광제어선(EMIn+1)으로부터의 선택신호에 응답하여 동작하고, 트랜지스터(M6)는 현재 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 동작한다. 즉, 트랜지스터(M5)와 트랜지스터(M6)가 동시에 온되어 데이터선(Dm)으로 부터 인가된 데이터 전압을 커패시터(Cvth)의 타전극(B)으로 전달한다.
트랜지스터(M4)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 커패시터(Cvth)의 전극(B)에 전원(Vdd)을 공급한다.
트랜지스터(M3)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결시킨다.
트랜지스터(M2)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기EL 소자(OLED)의 애노드 간에 접속되고, 발광제어선(EMIn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기EL 소자(OLED)의 사이를 차단시킨다.
유기EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M2)를 통하여 입력되는 전류에 대응하여 빛을 방출한다.
도 8과 같이 구성된 화소회로의 동작에 대하여 도 9를 참조하여 보다 자세히 설명한다.
도 9는 본 실시예에 따른 화소회로에 인가되는 신호선의 파형을 보여주는 도면이다.
먼저, 구간(T1)에서, 직전 주사선(Sn-1)에 로우 레벨의 주사 전압이 인가되면, 현재 셀의 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 된다. 따라서, 트랜지스터(M1)의 게이트 및 소스간 전압이 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이때 트랜지스터(M1)의 소스가 전원(Vdd)에 연결되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트 즉, 커패시터(Cvth)의 일전극(A)에 인가되는 전압은 전원전압(Vdd)과 문턱전압(Vth)의 합이 된다. 또한, 트랜지스터(M4)가 턴온되어 커패시터(Cvth)의 타전극(B)에는 전원(Vdd)이 인가되어, 커패시터(Cvth)에 전압(VCvth)이 충전된다(수학식 1참조).
또한, 구간(T1)에서 N타입의 채널을 갖는 트랜지스터(M2)는 발광제어선(EMIn)의 로우레벨에 응답하여 차단되어, 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류가 유기EL 소자(OLED)로 흐르는 것이 방지된다.
다음, 구간(T2)에서, 현재 주사선(Sn)이 로우레벨 신호를 인가하면, 현재 셀의 스위칭 트랜지스터(M6)가 온되고, 동시에 다음 셀의 트랜지스터들(M3, M4)이 온된다. 이 때, 다음 셀에서 누설전류에 의하여 유기EL 소자(OLED)가 발광하는 것을 방지하기 위하여 발광제어선(EMIn+1)에 로우레벨을 인가하여 다음셀의 N형 트랜지스터(M2)를 오프시키게 된다. 따라서 다음 발광제어선(EMIn+1)의 선택신호에 기초하여 동작하는 트랜지스터(M5)는 온된다.
이렇게 하여, 스위칭 트랜지스터(M5)와 스위칭 트랜지스터(M6)가 동시에 온 되어 데이터 전압(Vdata)이 노드(B)에 인가된다. 또한, 커패시터(Cvth)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)에 해당되는 전압이 충전되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 게이트에는 데이터 전압(Vdata)과 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)의 합에 대응되는 전압이 인가된다. 이 때, 발광제어선(EMIn)은 로우레벨이 인가되어 트랜지스터(M2)는 차단된다.
그 다음, 구간(T3)에서, EMIn의 하이레벨에 응답하여 트랜지스터(M2)가 온되어 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)에 대응하는 전류(IOLED)가 유기EL 소자(OLED)에 공급되어, 유기 EL 소자(OLED)는 발광하게 된다.
본 실시예에서는 트랜지스터(M2)는 N형이고, 트랜지스터(M5)는 P형이지만, 트랜지스터(M2)는 P형이고, 트랜지스터(M5)는 N형일 수 있다.
이렇게 함으로써, 도 7에 도시된 화소회로는 현재 주사선과 다음 발광제어선에 각각 응답하는 트랜지스터(M5, M6)를 사용함으로써, 스위칭 트랜지스터를 통하여 흐를 수 있는 누설전류를 효과적으로 차단할 수 있다.
이에 더하여, 각 화소에 위치하는 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)이 서로 다르더라도, 이 문턱 전압(Vth)의 편차가 커패시터(Cvth)에 의하여 보상되므로, 유기EL 소자(OLED)에 공급되는 전류는 일정하게 된다. 이로써, 화소의 위치에 따른 휘도 불균형 문제를 해결할 수 있다.
또한 구간(T1) 및 구간(T2) 동안에 트랜지스터(M2)가 차단되므로, 데이터가 충전되는 동안 누설전류가 흐르는 것을 차단하게 되므로 소비 전력을 줄일 수 있고 또한 블랙 계조를 정확하게 표현할 수 있다.
도 10은 도 8에 도시된 화소회로의 배치구조의 일 예를 보여주는 평면도이고, 도 11은 도 10의 Ⅱ~Ⅱ'의 단면도이다.
도 10 및 도 11에서와 같이, 절연 기판(1) 위에 산화 규소 등으로 이루어진 차단층(10)이 형성되고, 차단층(10) 위에 다결정 규소층(poly silicon layer)(21, 22, 23, 24, 25, 26)이 형성된다.
다결정 규소층(21)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 현재 셀의 트랜지스터(M2)의 채널 영역을 형성하고, 다결정 규소층(21)과 연결되는 다결정 규소층(22)은 세 로방향으로 두 개의 가지가 형성되도록 "ㄷ"자 형상이며 현재 셀의 트랜지스터(M3)의 채널 영역을 형성한다. 다결정 규소층(23)은 "ㄴ"자 형상으로 가로 방향에서 세로방향으로 꺾어져 있으며 현재 셀의 구동 트랜지스터(M1)의 채널영역과 직전 셀의 커패시터(Cst)의 일전극을 형성한다. 다결정 규소층(24)은 "ㄴ"자 형상으로 세로 방향에서 가로 방향으로 꺾어져 있으며 직전 셀의 스위칭 트랜지스터(M5, M6)의 채널영역을 형성한다. 다결정 규소층(25)은 "ㄱ"자 형상으로 가로 방향에서 세로 방향으로 꺾어져 있으며 커패시터(Cvth)의 일전극을 형성한다. 다결정 규소층(26)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 현재 셀의 트랜지스터(M4)의 채널영역을 형성한다.
이렇게 형성된 다결정 규소층(21, 22, 23, 24, 25, 26) 위에 게이트절연막(30)이 형성된다.
게이트절연막(30) 위에 게이트 전극선들이 형성된다. 구체적으로, 직전 주사선(Sn-1)에 대응하는 게이트전극(42), 발광제어선(EMIn)에 대응하는 게이트전극(41), 구동 트랜지스터(M1)의 게이트전극(43) 및 커패시터들(Cst, Cvth)의 일전극을 형성하는 전극(44)이 게이트절연막(30) 위에 형성된다.
게이트전극(42)은 가로 방향으로 뻗어 있으며, 트랜지스터(M3) 및 트랜지스터(M4)의 게이트전극을 형성하고, 트랜지스터(M6)의 게이트전극을 형성한다. 게이트전극(41)은 가로 방향으로 클랭크(┏┛) 형상이며, 트랜지스터(M2)의 게이트전극 및 트랜지스터(M5)의 게이트전극을 형성한다.
전극(44)의 한쪽 끝은 게이트절연막(30)을 관통하여 형성된 접촉구(31)를 통하여 다결정 규소층(24)에 연결되어 직전 셀의 트랜지스터(M6)의 드레인 전극에 연 결되고, 다른 쪽 끝은 직전 셀의 커패시터들(Cst, Cvth)의 일전극(B)을 형성한다.
게이트 전극(41, 42, 43, 44) 위에 층간절연막(50)이 형성된다. 층간 절연막(50) 위에는 전극(61) 전극선(62, 63, 66), 전원선(64) 및 데이터선(65)이 형성된다.
전극(61)은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(51)를 통하여 다결정 규소층(21)에 연결되어 트랜지스터(M2)의 드레인전극을 형성한다.
전극선(62)은 세로 방향으로 뻗어 있으며 아래 쪽 끝은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(58)를 통하여 다결정 규소층(21, 22)에 연결되어 트랜지스터(M2)의 소스전극 및 트랜지스터(M3)의 소스전극을 공통으로 형성한다. 전극선(62)의 위쪽 끝은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(54)를 통하여 다결정 규소층(23)에 연결되어 트랜지스터(M1)의 드레인전극을 형성한다.
전극선(63)은 세로 방향으로 뻗어 있으며, 위쪽 끝은 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(57)를 통하여 다결정 규소층(23)에 연결되어 트랜지스터(M1)의 게이트전극을 형성하고, 접촉구(59)를 통하여 다결정 규소층(22)에 연결되어 트랜지스터(M3)의 드레인전극을 형성한다. 또 전극선(63)의 아래 쪽 끝은 은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구를 통하여 다결정 규소층(25)에 연결되어 현재 셀의 커패시터(Cvth)의 일전극(A)을 전기적으로 연결한다.
전원선(64)은 직전 셀, 현재 셀, 다음 셀 영역을 관통하여 연결되도록 세로 방향으로 길게 뻗어 있으며, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(55)를 통하여 다결정 규소층(23)에 연결되어 트랜지스터(M1)의 소스전극을 형성하고, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구를 통하여 다결정 규소층(26)에 연결되어 트랜지스터(M4)의 드레인전극을 형성한다.
데이터선(65)은 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구(56)를 통하여 다결정 규소층(24)에 연결되어 트랜지스터(M5)의 소스전극을 형성한다.
전극선(66)은 층간절연막(50)을 관통하는 접촉구와, 층간절연막(50) 및 게이트절연막(30)을 관통하는 접촉구를 통하여 다결정 규소층(26)의 소스영역과 게이트전극(44)을 전기적으로 연결하여 현재 셀의 커패시터들(Cst, Cvth)의 일전극(B)을 형성한다.
이와 같이 두 개의 스위칭 트랜지스터(M5, M6)를 직렬로 연결하고 게이트전극을 현재 주사선(Sn)과 다음 발광제어선(EMIn+1)에 연결함으로써, 도 6에서 요구되던 추가공간(A)이 필요 없게 되어 개구율이 증가될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 실시예와 같은 구조에 한정되는 것은 아니고 이중 게이트 스위칭 트랜지스터의 동작이 인접한 화소의 다른 제어선에 기초하여 동작하는 구조를 포함하는 것이다. 또한 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
본 발명에 따르면, 두 개의 스위칭 트랜지스터(M5, M6)를 직렬로 연결하고 게이트전극을 다음 발광제어선(EMIn+1)과 현재 주사선(Sn)에 각각 연결함으로써, 주사선이 차지하는 공간이 감소되어 개구율이 증가된다.
이에 더하여, 본 발명에 따르면, 현재 주사선과 다음 발광제어선에 각각 응답하는 트랜지스터(M5) 및 트랜지스터(M6)를 사용함으로써, 스위칭 트랜지스터를 통하여 흐를 수 있는 누설전류를 효과적으로 차단할 수 있다.
또한, 각 화소에 위치하는 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)이 서로 다르더라도, 이 문턱 전압(Vth)의 편차가 커패시터(Cvth)에 의하여 보상되므로, 유기EL 소자(OLED)에 공급되는 전류는 일정하게 된다. 이로써, 화소의 위치에 따른 휘도 불균형 문제를 해결할 수 있다.
또한, 구간(T1) 및 구간(T2) 동안에 트랜지스터(M2)가 차단되므로, 데이터가 충전되는 동안 누설전류가 흐르는 것을 차단하게 되므로 소비 전력을 줄일 수 있고 또한 블랙 계조를 정확하게 표현할 수 있다.

Claims (20)

  1. 선택 신호를 전달하는 제1 주사선 및 제2 주사선을 포함하는 복수의 주사선, 상기 주사선에 절연되어 교차하며 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 각각 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    상기 데이터선에 직렬로 연결되는 제1 및 제2 스위칭 소자,
    상기 제1 및 제2 스위칭 소자를 통하여 상기 데이터선으로부터 전달되는 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전하는 저장소자,
    상기 저장소자에 충전된 전압에 대응하는 전류를 출력하는 제1 트랜지스터, 그리고
    상기 제1 트랜지스터로부터 출력되는 전류에 대응하는 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하며,
    상기 제1 주사선에 연결된 화소회로의 상기 제1 및 제2 스위칭 소자 중 어느 하나는 상기 제1 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 턴온되며, 나머지 하나는 제2 주사선에 연결된 화소 회로의 동작을 제어하는 제1 제어 신호에 응답하여 턴온되는 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화소회로는,
    상기 발광소자와 상기 제1 트랜지스터 사이에 연결되어 상기 제1 트랜지스터로부터 출력되는 전류를 차단하는 제3 스위칭 소자를 더 포함하고,
    상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 제어신호에 응답하여 동작되는 발광 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 제어신호는, 제1 주사선으로부터 선택신호가 인가되는 동안 상기 제3 스위칭 소자를 차단하는 발광 표시장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 및 제2 스위칭 소자 중에서 상기 제1 제어신호에 응답하여 턴온되는 스위칭 소자와 서로 다른 타입의 채널을 갖는 발광 표시장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 저장소자는, 상기 제1 트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 전압을 충전하는 제1 커패시터; 및
    상기 제1 커패시터와 직렬로 연결되는 제2 커패시터를 포함하는 발광 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 커패시터는 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 전기적으로 연결되며,
    상기 화소회로는 제2 제어신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제4 스위칭 소자; 및
    상기 제1 커패시터와 병렬 연결되며 상기 제2 제어신호에 응답하여 턴온되는 제5 스위칭 소자를 더 포함하는 발광 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 제어신호는 상기 제1 주사선에 인접한 제3 주사선으로부터의 신택신호인 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 제어신호는 상기 제1 주사선 및 제3 주사선으로부터 선택신호가 인가되는 동안 상기 제3 스위칭 소자를 차단하는 발광 표시 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 스위칭 소자는 이중 게이트 트랜지스터인 발광 표시 장치.
  10. 발광소자를 각각 포함하는 복수의 화소 영역이 형성되어 있는 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 하나의 화소 영역은,
    제1 방향으로 뻗어 있으며 선택 신호를 전달하는 제1 전극;
    상기 제1 전극과 실질적으로 동일한 방향으로 뻗어 있으며 제어 신호를 전달하는 제2 전극;
    제2 방향으로 뻗어 있어 상기 제1 및 제2 전극과 절연되어 교차하며, 화상을 나타내는 데이터 신호를 전달하는 데이터 전극; 및
    상기 제1 전극 및 상기 화소 영역과 인접한 다른 화소 영역의 상기 제2 전극에 절연되어 교차하며, 일단이 상기 데이터 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제1 반도체층을 포함하며,
    상기 데이터 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제1 반도체층의 일단이 드레인 또는 소스 전극으로 동작하고 상기 제1 전극과 상기 다른 화소 영역의 상기 제2 전극이 게이트 전극으로 동작하는 제1 트랜지스터가 적어도 하나 존재하는 발광 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전극에 절연되어 형성되며, 일단이 상기 발광소자의 일 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제2 반도체층을 포함하며,
    상기 발광소자의 일 전극과 접촉구를 통하여 연결되는 제2 반도체층의 일단은 드레인 전극으로 동작하고 상기 제2 전극이 게이트 전극으로 동작하는 제2 트랜 지스터가 존재하는 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 화소 영역과 인접한 화소 영역의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 인접하여 배치되는 발광 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도층은 서로 다른 타입의 트랜지스터를 형성하는 반도체층인 발광 표시 장치.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극이 이중 게이트 전극으로 동작하는 발광 표시장치.
  15. 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선, 상기 주사선과 상기 데이터선에 연결되는 복수의 화소 회로를 포함하는 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    인가되는 전류에 대응하여 발광하는 발광 소자;
    제1 전극, 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제2 전극 및 상기 제1 스위칭 소자에 전기적으로 연결되는 제3 전극을 구비하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극 간에 인가되는 전압에 대응하는 전류를 상기 제3 전극으로 출력하는 제1 트랜지스터;
    제1 제어신호에 응답하여 상기 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제1 스위칭 소자;
    일전극이 상기 트랜지스터의 제2 전극에 접속되는 제1 커패시터;
    상기 제1 전극과 상기 제1 커패시터의 타전극 사이에 접속되는 제2 커패시터;
    상기 제1 제어신호에 응답하여 턴온되어 전원과 상기 제1 커패시터의 타전극을 전기적으로 연결하는 제2 스위칭 소자; 및
    상기 주사선의 선택신호 및 상기 제2 제어신호에 각각 응답하는 이중 게이트 전극을 가지며, 상기 데이터선에 인가되는 데이터신호를 상기 제1 커패시터의 타전극으로 인가하는 제2 트랜지스터
    를 포함하는 발광 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 제어신호는 상기 화소회로에 인접한 화소회로의 주사선인 발광 표시 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    제3 제어신호에 응답하여 상기 발광 소자로 인가되는 전류를 차단하는 제3 스위칭 소자를 더 포함하는 발광 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제3 제어신호는, 상기 주사선 및 상기 화소회로에 인접한 화소회로의 주사선으로부터 선택신호가 인가되는 동안에 상기 제3 스위칭 소자를 차단하는 발광 표시 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제3 스위칭 소자는 상기 제2 트랜지스터와 서로 다른 타입의 채널을 갖는 발광 표시장치.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 제어신호는 상기 화소회로에 인접한 다른 화소회로의 제3 제어신호인 발광 표시 장치.
KR1020040015858A 2004-03-09 2004-03-09 발광 표시 장치 KR100684712B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040015858A KR100684712B1 (ko) 2004-03-09 2004-03-09 발광 표시 장치
JP2005017601A JP4191146B2 (ja) 2004-03-09 2005-01-26 発光表示装置
US11/055,474 US7864140B2 (en) 2004-03-09 2005-02-09 Light-emitting display
CNB2005100543032A CN100470621C (zh) 2004-03-09 2005-03-08 显示装置和像素电路
US12/965,783 US8330680B2 (en) 2004-03-09 2010-12-10 Light-emitting display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040015858A KR100684712B1 (ko) 2004-03-09 2004-03-09 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050090666A KR20050090666A (ko) 2005-09-14
KR100684712B1 true KR100684712B1 (ko) 2007-02-20

Family

ID=34918733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040015858A KR100684712B1 (ko) 2004-03-09 2004-03-09 발광 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7864140B2 (ko)
JP (1) JP4191146B2 (ko)
KR (1) KR100684712B1 (ko)
CN (1) CN100470621C (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109215554A (zh) * 2018-08-02 2019-01-15 友达光电股份有限公司 显示面板和显示面板驱动方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100624314B1 (ko) * 2005-06-22 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치 및 박막트랜지스터
US8629819B2 (en) * 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
KR100732828B1 (ko) * 2005-11-09 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR101240649B1 (ko) * 2006-01-10 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101240648B1 (ko) 2006-01-10 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4203770B2 (ja) 2006-05-29 2009-01-07 ソニー株式会社 画像表示装置
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US7679586B2 (en) 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
JP2008107785A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
TWI442368B (zh) * 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
KR20100105673A (ko) * 2007-12-14 2010-09-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전자 소자용 백플레인 구조물
TWI407408B (zh) * 2008-09-04 2013-09-01 Innolux Corp 畫素單元及具有畫素單元之顯示面板及電子系統
JP5653001B2 (ja) * 2009-03-16 2015-01-14 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置及び半導体装置の補償容量の配置方法
US20110058770A1 (en) * 2009-09-10 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling
KR101117733B1 (ko) * 2010-01-21 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로, 이를 이용한 표시 장치 및 표시 장치 구동 방법
KR101142729B1 (ko) 2010-03-17 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101682690B1 (ko) * 2010-07-20 2016-12-07 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8922464B2 (en) 2011-05-11 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and driving method thereof
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6050054B2 (ja) * 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5382158B2 (ja) * 2012-03-15 2014-01-08 三洋電機株式会社 有機ｅｌ画素回路
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR101971925B1 (ko) 2012-09-19 2019-08-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 유기 발광 표시 장치
KR102526355B1 (ko) 2016-09-22 2023-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102566551B1 (ko) * 2016-12-05 2023-08-14 삼성디스플레이주식회사 표시장치 및 그의 구동방법
KR102528519B1 (ko) * 2018-08-23 2023-05-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210131509A (ko) * 2020-04-23 2021-11-03 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시장치
CN114512098B (zh) 2020-12-28 2023-11-21 武汉天马微电子有限公司 显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040009285A (ko) * 2002-07-23 2004-01-31 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP2008049285A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Kajima Corp 生ごみ様廃棄物の供給装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5990629A (en) * 1997-01-28 1999-11-23 Casio Computer Co., Ltd. Electroluminescent display device and a driving method thereof
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6229508B1 (en) * 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP4530450B2 (ja) * 1999-09-29 2010-08-25 三洋電機株式会社 Ｅｌ表示装置
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
GB0008019D0 (en) * 2000-03-31 2000-05-17 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-addressed pixels
TW522454B (en) 2000-06-22 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
KR100370286B1 (ko) 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP3593982B2 (ja) * 2001-01-15 2004-11-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
JP3743387B2 (ja) 2001-05-31 2006-02-08 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
JP2003108067A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP4230744B2 (ja) 2001-09-29 2009-02-25 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置
JP2003177709A (ja) * 2001-12-13 2003-06-27 Seiko Epson Corp 発光素子用の画素回路
KR100453634B1 (ko) * 2001-12-29 2004-10-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자
EP1331627B1 (en) 2002-01-24 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving the semiconductor device
JP3723507B2 (ja) 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
KR100870004B1 (ko) 2002-03-08 2008-11-21 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시 장치와 그 구동 방법
US7170478B2 (en) * 2002-03-26 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving light-emitting device
CN1240040C (zh) 2002-06-14 2006-02-01 统宝光电股份有限公司 一种像素电路
KR100432651B1 (ko) * 2002-06-18 2004-05-22 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시 장치
US7564433B2 (en) * 2003-01-24 2009-07-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix display devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040009285A (ko) * 2002-07-23 2004-01-31 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP2008049285A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Kajima Corp 生ごみ様廃棄物の供給装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
공개특허 제2004-9285호

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109215554A (zh) * 2018-08-02 2019-01-15 友达光电股份有限公司 显示面板和显示面板驱动方法
CN109215554B (zh) * 2018-08-02 2021-10-22 友达光电股份有限公司 显示面板和显示面板驱动方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110080386A1 (en) 2011-04-07
CN100470621C (zh) 2009-03-18
US8330680B2 (en) 2012-12-11
CN1667681A (zh) 2005-09-14
JP2005258415A (ja) 2005-09-22
JP4191146B2 (ja) 2008-12-03
US20050200618A1 (en) 2005-09-15
US7864140B2 (en) 2011-01-04
KR20050090666A (ko) 2005-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100684712B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100560479B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100599726B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100637433B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100536235B1 (ko) 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100590068B1 (ko) 발광 표시 장치와, 그 표시 패널 및 화소 회로
US7277071B2 (en) Luminescent display, and driving method and pixel circuit thereof, and display device
US20050243035A1 (en) Light emitting panel and light emitting display
KR100560450B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100589375B1 (ko) 커패시터 및 이를 이용하는 발광 표시 장치
KR100560452B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100599788B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100658615B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100637432B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100570763B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100637431B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100570758B1 (ko) 발광 표시 패널 및 발광 표시 장치
KR100570762B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100648674B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100560451B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100560453B1 (ko) 발광표시 장치의 게이트 구동회로
KR100560454B1 (ko) 발광표시 장치의 게이트 구동회로
KR20060000357A (ko) 유기 전계 발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee