KR101323493B1 - 유기발광다이오드 표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 OLED 표시소자에 관한 것으로, 데이터라인들과 스캔라인들이 교차되고, 유기발광다이오드소자를 각각 포함하는 발광셀들이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널; 및 슬립 아웃 모드 내에서 상기 유기발광다이오드소자의 애노드에 인가되는 기준전압을 기저전압으로 낮춘 후에 상기 기준전압을 기저전압보다 높은 전압으로 조정하는 패널 구동회로를 포함한다.

Description

유기발광다이오드 표시소자{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기발광다이오드 표시소자(OLED)에 관한 것이다.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.
전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드 표시소자(Organic Light Emitting, 이하 "OLED"라 함)로 나뉘어지며, 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
유기발광다이오드 표시장치는 전압구동, 전압보상, 전류구동, 디지털구동, 외부보상 등의 구동방법으로 구동될 수 있고, 최근에는 전압보상 구동방법이 가장 많이 선택되고 있다.
기존 디바이스간 저속 병렬연결 방식은 가격, 전력소모, EMI(electromagnetic interference), 부피 등 많은 단점이 있다. 기존 직렬 인터페이스는 점 대 점 연결방식으로 많은 디바이스들이 장착되는 환경에서는 복잡도 증가와 효율성 저하가 발생한다. 이러한 기존 인터페이스 회로 기술의 단점을 해결하기 위하여, 인터페이스 회로 기술은 저전압, 고속 직렬 전송 기술로 발전하고 있다. 직렬 인터페이스의 표준인 MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 인터페이스는 저전압, 고속 데이터 전달을 구현하여 모바일 환경에서 최적 인터페이스 기술로서 각광받고 있다. MIPI 인터페이스를 사용하는 모바일 정보기기는 MIPI 인터페이스의 표준 명령(Standard Command)에 응답하여 슬립 인 모드(Sleap In mode), 슬립 아웃 모드(Sleep Out mode), 정상 구동 모드(Normal driving mode 또는 Display on mode), DLP(Dimmed Low Power, 이하 "DLP"라 함) 모드로 그 동작 모드가 전환될 수 있다. 슬립 인 모드와 DLP 모드에서 표시패널의 구동전압들은 기저전압(GND)을 유지하고 표시패널 구동회로는 동작하지 않으므로 모바일 정보기기의 소비전력을 낮출 수 있다. 슬립 아웃 모드에서 표시패널의 구동 전압들은 구동 전압 레벨로 상승하고 표시패널의 구동회로들이 동작하기 시작한다. 정상 구동 모드에서 표시패널 구동회로는 정상적으로 동작하여 폰 메인 칩(Phone main chip)으로부터 입력되는 영상을 표시한다.
최근, 모바일 정보기기의 표시소자에 OLED가 확대 적용되고 있다. 그런데, OLED를 적용한 모바일 정보기기의 동작 모드가 슬립 인 모드로부터 슬립 아웃 모드로 전환될 때 픽셀들 각각에 형성된 OLED의 애노드 전압이 과충전하여 픽셀들이 발광하고, 그로 인하여 사용자는 슬립 인 모드로부터 슬립 아웃 모드로 모바일 정보기기의 동작 모드가 전환될 때 화면이 비정상적(Abnormal)으로 깜빡이는 현상을 볼 수 있다.
본 발명은 슬립 아웃 모드로 동작할 때 비정상적인 화면이 보이는 현상을 방지할 수 있는 OLED 표시소자를 제공한다.
본 발명의 OLED 표시소자는 데이터라인들과 스캔라인들이 교차되고, 유기발광다이오드소자를 각각 포함하는 발광셀들이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널; 및 슬립 아웃 모드 내에서 상기 유기발광다이오드소자의 애노드에 인가되는 기준전압을 기저전압으로 낮춘 후에 상기 기준전압을 기저전압보다 높은 전압으로 조정하는 패널 구동회로를 포함한다. 상기 기준전압은 정상 구동 모드 동안 상기 기저전압보다 높은 전압으로 유지된다.
본 발명은 픽셀들 각각에 형성된 OLED의 애노드에 인가되는 기준전압을 슬립 아웃 모드 내에서 기저전압으로 방전시켜 슬립 아웃 모드로 동작할 때 비정상적인 화면이 보이는 현상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광셀을 상세히 보여 주는 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 발광셀의 구동신호들을 보여 주는 파형도이다.
도 4 및 도 5는 구동 TFT의 전압-전류 특성을 보여 주는 도면들이다.
도 6은 패널 구동회로 칩의 전원 제어 동작을 보여 주는 회로도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시장치에서 슬립 인 모드, 슬립 아웃 모드 및 정상 구동 모드의 동작을 보여 주는 파형도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우,그 상세한 설명을 생략한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시패널(10), 데이터 구동부(20), 스캔 구동부(30), 및 직류-직류 변환기(DC-DC Convertor, 50), 및 타이밍 콘트롤러(40)를 구비한다.
표시패널(10)은 데이터전압이 공급되는 데이터라인들, 데이터라인들과 교차되어 스캔펄스(SCAN)와 발광제어펄스(EM)가 순차적으로 공급되는 스캔라인들, 및 매트릭스 형태로 배치된 발광셀들(11)을 포함한다. 발광셀들(11)은 고전위 전원전압(VDDEL)을 공급받는다. 발광셀들(11)은 도 2와 같은 다수의 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor: 이하, "TFT"라 함), 커패시터(Cb) 및 OLED를 포함한다. 발광셀들(11)은 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 초기화되고 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 샘플링한다. 그리고, 발광셀들(11)의 OLED는 발광제어펄스(EM)의 로우 논리 구간(또는 발광기간) 동안 구동 TFT의 문턱전압이 보상된 데이터전압에 의해 구동되는 구동 TFT를 통해 흐르는 전류에 의해 발광된다.
데이터 구동부(20)는 타이밍 콘트롤러(40)의 제어 하에 디지털 비디오 데이터(RGB)를 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 데이터라인들에 공급한다. 스캔 구동부(30)는 타이밍 콘트롤러(40)의 제어 하에 스캔펄스(SCAN)와, 발광제어펄스(EM)를 스캔라인들에 공급한다.
직류-직류 변환기(50)는 입력 디지털 비디오 데이터를 정상적으로 표시하는 슬립 아웃 모드와 정상 구동 모드에서 인에이블(Enable)되어 발광셀들(11)을 구동하기 위한 고전위 전원전압(VDDEL)을 발생한다. 직류-직류 변환기(50)는 슬립 인 모드와 DLP 모드에서 디스에이블되어 출력을 발생하지 않는다.
타이밍 콘트롤러(40)는 호스트 시스템으로부터 입력되는 수직/수평 동기신호와 클럭신호 등의 외부 타이밍 신호에 기초하여 데이터 구동부(20)와 스캔 구동부(30)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 수직 동기신호는 도 7과 같이 1 프레임기간의 스타트 타이밍에서 1 회 발생되어 1 프레임기간을 구분하기 위한 TE(Tearing Effect) 신호로 발생될 수 있다. 타이밍 콘트롤러(40)는 정상 구동 모드에서 호스트 시스템(60)으로부터의 입력 영상 데이터를 데이터 구동부(20)에 공급한다.
호스트 시스템(60)은 모바일 정보기기에서 폰 시스템(Phone system)일 수 있다. 호스트 시스템(60)은 도시하지 않은 통신 모듈, 카메라 모듈, 오디오 처리모듈, 인터페이스 모듈, 배터리, 사용자 입력장치, 및 타이밍 콘트롤러(40)에 접속된다. 또한, 호스트 시스템(60)은 구동 모드를 전환하기 위한 모드 전환 명령을 발생하여 타이밍 콘트롤러(40)에 공급한다. 호스트 시스템(60)은 정상 구동 모드에서 입력 영상의 데이터와 외부 타이밍 신호를 타이밍 콘트롤러(40)에 공급한다.
데이터 구동회로(20), 스캔 구동회로(30), 및 타이밍 콘트롤러(40)는 원칩(One chip) 형태의 패널 구동회로 칩(100)으로 집적될 수 있다. 패널 구동회로 칩(100)은 호스트 시스템(60)의 제어 하에 도 6 및 도 7과 같이 전원을 제어한다.
패널 구동회로 칩(100)은 슬립 인 모드와 DLP 모드와 같은 저전력 모드에서 내부 전원을 통해 표시패널(10) 내의 발광셀들(11)에 구동 전압을 공급함과 동시에 직류-직류 변환기(50)를 디스에이블시킨다. 패널 구동회로 칩(100)은 슬립 아웃 모드와 정상 구동 모드에서 직류-직류 변환기(50)를 인에이블시켜 직류-직류 변환기(50)로부터 출력되는 구동 전압을 표시패널(10)의 발광셀들(11)에 공급한다. 패널 구동회로 칩(100)은 슬립 아웃 모드에서 일정 시간 동안 기준 전압(VREF)을 기저전압원(GND)에 접속시켜 표시패널(10)의 픽셀들에 형성된 OLED의 애노드를 방전시키고 정상 구동 모드에서 기준 전압(VRE)을 대략 2V 내외의 전압으로 발생한다.
발광셀들(11) 각각은 도 2와 같이 OLED, 6 개의 TFT들(M1~M5, DT), 및 커패시터(Cb)를 포함한다. 발광셀들(11)에는 고전위 전원전압(VDDEL), 기저전압(VSS 또는 GND), 기준전압(VREF) 등의 구동 전압들이 공급된다. TFT들(M1~M5, DT)은 p 타입 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)로 구현될 수 있다.
고전위 전원전압(VDDEL)은 대략 10V의 직류전압이다. 기준전압(Ref)은 기저전압(GND)과의 차가 OLED의 문턱전압 미만의 전압으로 설정된다. 예컨대, 기준전압(VREF)은 대략 2V 내외의 전압으로 설정될 수 있다. 기준전압(VREF)은 OLED에 접속된 구동 TFT(DT)의 초기화시에 OLED에 역바이어스를 인가할 수 있도록 부극성 전압으로 설정될 수 있다. 이 경우에, 유기발광다이오드(OLED)에 주기적으로 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드(OLED)의 열화를 줄여 그 수명을 연장시킬 수 있다.
제1 스위치 TFT(M1)는 도 3의 제1 및 제2 시간(t1, t2) 동안 발생되는 로우 로직 레벨(Low logic level)의 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 노드(n1)의 전압을 데이터라인으로부터의 데이터 전압(Vdata)으로 충전시킨다. 제3 스위치 TFT(M3)는 도 3의 제1 및 제2 시간(t1, t2) 동안 발생되는 로우 로직 레벨의 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제2 노드(n2)와 제3 노드(n3) 사이의 전류패스를 형성시켜 구동 TFT(DT)를 다이오드로 동작시킨다. 제5 스위치 TFT(M5)는 도 3의 제1 및 제2 시간(t1, t2) 동안 발생되는 로우 로직 레벨의 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 OLED의 애노드에 기준 전압(VREF)을 공급하여 OLED의 애노드 전압을 기준전압(VREF)으로 초기화한다. 제1 스위치 TFT(M1)의 소스전극은 데이터라인에 접속되고, 그 드레인전극은 제1 노드(n1)에 접속된다. 제1 스위치 TFT(M1)의 게이트전극은 스캔펄스(SCAN)가 공급되는 스캔라인에 접속된다. 제3 스위치 TFT(M3)의 소스전극은 제2 노드(n2)에 접속되고, 그 드레인전극은 제3 노드(n3)에 접속된다. 제3 스위치 TFT(M3)의 게이트전극은 스캔펄스(SCAN)가 공급되는 스캔라인에 접속된다. 제5 스위치 TFT(M5)의 소스전극에는 기준전압(VREF)이 공급되고, 그 드레인전극은 OLED의 애노드에 접속된다. 제5 스위치 TFT(M5)의 게이트전극은 스캔펄스(SCAN)가 공급되는 스캔라인에 접속된다. 제1 노드(n1)는 제1 스위치 TFT(M1)의 드레인전극, 제2 스위치 TFT(M2)의 드레인전극, 및 커패시터(Cb)의 일측 전극에 연결된다. 제2 노드(n2)는 커패시터(Cb)의 타측 전극, 구동 TFT(DT)의 게이트전극, 및 제3 스위치 TFT(M3)의 소스전극에 연결된다. 제3 노드(n3)는 제3 스위치(M3)의 드레인전극, 구동 TFT(DT)의 드레인전극, 및 제4 스위치 TFT(M4)의 소스전극에 연결된다.
제2 및 제4 스위치 TFT들(M2, M4)은 도 3의 제2 및 제3 시간(t2, t3) 동안 하이 로직 레벨의 발광제어펄스(EM)에 응답하여 턴-오프되고 나머지 시간 동안 온 상태를 유지한다. 제2 스위치 TFT(M2)의 소스전극에는 기준전압(VREF)이 공급되고, 그 드레인전극은 제1 노드(n1)에 접속된다. 제2 스위치 TFT(M2)의 게이트전극은 발광제어펄스(EM)가 공급되는 스캔라인에 접속된다. 제4 스위치 TFT(M4)의 소스전극은 제3 노드(n3)에 접속되고, 그 드레인전극은 OLED의 애노드과 제5 스위치 TFT(M5)의 드레인전극에 접속된다. 제4 스위치 TFT(M4)의 게이트전극은 발광제어펄스(EM)가 공급되는 스캔라인에 접속된다.
커패시터(Cb)는 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 직렬 접속되어 도 3의 제2 시간(t2) 동안 제1 노드(n1)의 전압과 제2 노드(n2)의 전압의 차전압을 충전하여 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 샘플링한다. 구동 TFT(DT)는 문턱전압이 보상된 데이터전압(Vdata)을 저장하고 있는 커패시터(Cb)의 전압을 게이트전압으로 공급받아 OLED로 흐르는 전류양을 문턱전압이 보상된 데이터전압(Vdata)에 따라 조정한다. 구동 TFT(DT)의 소스전극에는 고전위 전원전압(VDDEL)이 공급되고, 그 드레인전극은 제3 노드(n3)에 접속된다. 구동 TFT(DT)의 게이트전극은 제2 노드(n2)에 접속된다.
OLED의 애노드는 제4 스위치 TFT(M4)와 제5 스위치 TFT(M5)의 드레인전극들에 접속되고, OLED의 캐소드는 기저전압원(GND)에 접속된다. OLED의 전류(IOLED)는 정상 구동 모드에서 아래의 수학식 1과 같이 구동 TFT(DT)의 문턱전압 편차나 고전위 전원전압(VDD)에 영향을 받지 않는다.
Figure 112010084886896-pat00001
여기서, 'k'는 구동 TFT(DT)의 이동도(μ), 기생용량(Cox), 및 채널비(W/L)를 함수로 하는 상수값이다.
OLED의 캐소드는 도 4에 도시된 제6 스위치 TFT(M6)를 통해 기저전압압(GND)에 접속될 수 있다. 제6 스위치 TFT(M6)는 n 타입 MOSFET(NMOS)로 구현될 수 있다. 제6 스위치 TFT(M6)는 패널 구동회로 칩(100)이 실장된 인쇄회로보드(Printed Circuit Board) 상에 실장될 수 있다.
제6 스위치 TFT(M6)는 픽셀에 1:1로 접속되는 것이 아니라 모든 픽셀에 공통으로 접속될 수 있다. 따라서, PCB에 하나의 제6 스위치 TFT(M6)가 실장될 수 있다. 제6 스위치 TFT(M6)의 소스전극은 표시패널(10)의 픽셀들 각각에 형성된 OLED들의 캐소드에 접속되고, 그 드레인전극은 기저전압원(GND)에 접속된다. 제6 스위치 TFT(M6)의 게이트전극은 패널 구동회로 칩(100)의 제1 저전력 모드 제어단자(GPIO1)에 접속된다.
제6 스위치 TFT(M6)는 제1 저전력 모드 제어단자(GPIO1)의 출력전압이 하이 로직 레벨일 때 온 상태를 유지하여 픽셀들(11)의 OLED의 캐소드를 기저전압원(GND)에 접속시키고, 제1 저전력 모드 제어단자(GPIO1)의 출력전압이 로우 로직 레벨로 반전되면 턴-오프되어 픽셀들(11)의 OLED와 기저전압원(GND) 사이의 전류패스를 차단한다. DLP 모드에서 미리 설정된 저휘도 영상이 표시패널(10)에 표시되는 경우에 제6 스위치 TFT(M6)는 DLP 모드에서 온 상태를 유지한다. 제6 스위치 TFT(M6)는 슬립 인 모드에서 표시패널(10)에 데이터가 표시되지 않기 때문에 슬립 인 모드에서 오프 상태를 유지하고 슬립 아웃 모드 내에서 턴-온된다.
패널 구동회로 칩(100)이 슬립 아웃 모드로 동작하면, 모든 패널 구동전압들이 정상 레벨로 상승한다. 직류-직류 변환기(50)가 슬립 아웃 모드에서 인에이블되어 직류-직류 변환기(50)로부터 출력되는 고전위 전원전압(VDDEL)은 슬립 아웃 모드에서 0V로부터 약 10V까지 상승하게 된다. 이렇게 고전위 전원전압(VDDEL)이 상승할 때, 구동 TFT(DT)의 동작 특성은 게이트-소스간 전압(VGS)이 고전위 전원전압(VDDEL)이 가파르게 상승하면서 드레인-소스간 전류(IDS)가 빠르게 상승하는 선형(Linear) 영역으로 동작하고, 고전위 전원전압(VDDEL)이 일정하게 유지될 때 포화(Saturation) 영역으로 동작하여 증가된 게이트-소스간 전압(VGS) 만큼 높은 드레인-소스간 전류(IDS)가 흐른다. 따라서, 슬립 아웃 모드에서 구동 TFT(DT)가 선형 영역에서 동작할 때 OLED의 애노드에 전하들이 빠르게 축적되고 OLED의 누설 전류에 의해 OLED가 발광된다. 그 결과, 슬립 아웃 모드에서 OLED의 비정상적 발광에 의해 사용자는 화면 깜박임을 느낄 수 있다.
슬립 아웃 모드에서 제6 스위치 TFT(M6)를 오프시켜 OLED의 발광을 차단할 수 있으나, 정상 구동 모드로 이행하기 전에 제6 스위치 TFT(M6)가 턴-온되어야 하고 그 턴-온 시점에서 OLED에 과잉 축적된 전하로 인하여 OLED가 비정상적으로 발광할 수 있다. 따라서, 제6 스위치 TFT(M6)의 제어만으로는 슬립 아웃 모드에서 OLED의 비정상적 발광을 방지할 수 없다. 도 5에서 구동 TFT(DT)의 VGS 커브와 교차하는 점선은 픽셀들에 형성된 OLED의 전류 커브이다. OLED의 전류 커브는 구동 TFT(DT)를 통해 인가되는 전압이 낮을수록 좌측으로 시프트된다.
도 6은 패널 구동회로 칩의 전원 제어 동작을 보여 주는 회로도이다. 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시장치에서 슬립 인 모드, 슬립 아웃 모드 및 정상 구동 모드의 동작을 보여 주는 파형도이다.
도 6에 도시된 패널 구동회로 칩(100), 직류-직류 변환기(50), 및 표시패널(10)의 회로 구성은 전원 제어와 관련된 일부 회로만이 도시되었고 전원 제어 관련 회로 이외의 나머지 회로들이 생략되었다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 패널 구동회로 칩(100)은 레귤레이터(regulator, LDO), 및 제1 스위치(SW1)를 포함한다.
패널 구동회로 칩(100)에는 패널 전압(VPNL)과 VDD 입력 전압을 입력 받는다. VDDI는 약 1.8V의 직류 전압으로서 패널 구동회로 칩(100)의 프레임 메모리를 구동하기 위하여, 슬립 아웃 모드의 초기에 프레임 메모리의 전원단자에 입력된다. 패널 전압(VPNL)은 2.3V~4.8V의 직류 전압으로서, 모바일 정보기기에서 배터리전원 직류 전압일 수 있다. 레귤레이터(LDO)는 패널 전압(VPNL)을 2V 내외의 직류 전압인 기준전압(VREF)으로 변환한다.
제1 스위치(SW1)는 레귤레이터(LDO)의 출력단에 접속된 드레인전극, 기저전압원에 접속된 소스전극, 및 제1 스위치 제어신호(CSW1)가 인가되는 게이트전극을 포함한다. 제1 스위치(SW1)는 n 타입 MOSFET(NMOS)로 구현될 수 있다.
제1 스위치(SW1)는 호스트 시스템(60)의 제어 하에 슬립 아웃 모드의 시작 시점으로부터 약 5 프레임기간이 경과된 제5 프레임 기간(N+1 ~ N+5)까지 온-상태를 유지하여 기준전압(VREF)을 기저전압(0V)로 낮춘다. 패널 구동회로 칩(100)은 슬립 아웃 모드의 시작 시점으로부터 4 프레임 기간이 경과된 제5 프레임 기간(N+5)부터 스캔펄스와 발광제어펄스(GIP Scan)를 스캔라인들에 정상적으로 인가하고 블랙 계조 전압을 데이터라인들에 공급하기 시작한다.
제1 스위치(SW1)는 호스트 시스템(60)의 제어 하에 슬립 아웃 모드에서 제5 프레임 기간이 경과된 후 제6 프레임 기간(N+6)부터 턴-오프되어 레귤레이터(LDO)의 출력단과 기저전압원 사이의 전류패스를 차단하여 기준전압(VREF)을 정상 구동 전압 레벨까지 높인다. 호스트 시스템(60)은 제1 스위치 제어신호(CSW1)를 발생하여 제1 스위치(SW1)를 제어한다.
슬립 아웃 모드에서 5 프레임 기간이 경과된 후 제6 프레임 기간(N+6) 부터 도 2 및 도 3에서 제5 스위치 TFT(M5)가 턴-온되면 OLED의 애노드는 제1 스위치(SW1)를 통해 기저전압원(GND, 0V)에 접속된다. 이 때, OLED의 애노드에 축적된 전하들이 방전된다. 그 결과, 슬립 아웃 모드에서 OLED의 비정상적 발광을 방지할 수 있다.
패널 구동회로 칩(100)은 차지펌프(Charge pump, CP), 제2 스위치(SW2), 및 다이오드(101)를 더 포함한다.
차지펌프(CP)는 패널 전압(VPNL)을 대략 6V의 DDVDH 전압으로 변환한다. DDVDH 전압은 도시하지 않은 레귤레이터를 통해 스캔펄스의 고전위 전압(또는 게이트 하이 전압, 도 7의 VGH)과 스캔펄스의 저전위 전압(또는 게이트 로우 전압, 도 7의 VGL)으로 변환된다.
제2 스위치(SW2)는 차지펌프(CP)의 출력단에 접속된 드레인전극, 다이오드(101)의 애노드에 접속된 소스전극, 및 제2 스위치 제어신호(CSW2)가 인가되는 게이트전극을 포함한다. 제2 스위치(SW2)는 n 타입 MOSFET(NMOS)로 구현될 수 있다. 정상 구동 모드에서, 제2 스위치(SW2)는 오프 상태를 유지하여 차지펌프(CP)와 다이오드(101) 사이의 전류 패스를 차단한다. 슬립 인 모드와 DLP 모드에서, 제2 스위치(SW2)는 턴-온되어 차지펌프(CP)와 다이오드(101) 사이에 전류패스를 형성하여 차지펌프(CP)로부터 출력되는 DDVDH 전압을 다이오드(101)에 공급한다. 호스트 시스템(60)은 제2 스위치 제어신호(CSW2)를 발생하여 제2 스위치(SW2)를 제어한다.
다이오드(101)의 애노드전극은 제2 스위치(SW2)에 접속된다. 다이오드(101)의 캐소드전극은 직류-직류 변환기(50)의 VDDEL 출력 단자, 피드백 저항(R1,R2)의 제1 저항, 표시패널(10)의 고전위 전원전압 공급단자 및 커패시터(C)에 접속된다.
DDVDH 전압은 슬립 인 모드와 DLP 모드에서 제2 스위치(SW2)와 다이오드(101)를 통해 표시패널(10)의 발광셀들(11)에 공급된다. 따라서, 발광셀들(11)에 공급되는 고전위 전원전압(VDDEL)은 노말 모드에서 직류-직류 변환기(50)로부터의 공급되는 10V 전압으로 발생된다. 또한, 발광셀들(11)에 공급되는 고전위 전원전압(VDDEL)은 슬립 인 모드와 DLP 모드에서 패널 구동회로 칩(100)의 내부로부터 발생되는 대략 6V - 다이오드(101)의 문턱 전압 만큼 낮아진다.
패널 구동회로 칩(100)은 호스트 시스템(60)의 제어 하에 제2 저전력 모드 제어단자(GPIO2)를 통해 출력되는 인에이블/디스에이블신호를 반전시킨다. 예를 들어, 패널 구동회로 칩(100)은 정상 구동 모드에서 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)를 통해 하이 로직 레벨의 인에이블/디스에이블신호를 출력하여 직류-직류 변환기(50)를 인에이블시킨다. 반면에, 패널 구동회로 칩(100)은 저전력 모드에서 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)를 통해 로우 로직 레벨의 인에이블/디스에이블신호를 출력하여 직류-직류 변환기(50)를 디스인에이블시킨다.
직류-직류 변환기(50)는 패널 구동회로 칩(100)의 제2 저전력 모드 제어 단자(GPIO2)에 접속된 인에이블 단자(EN) 및 제3 스위치(SW3)를 포함한다. 직류-직류 변환기(50)는 슬립 아웃 모드의 제2 프레임 기간(N+2)로부터 정상 구동 모드 기간 동안 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)의 하이 로직 전압에 응답하여 인에이블된다. 직류-직류 변환기(50)가 인에이블되면, 직류-직류 변환기(50)는 표시패널(10)의 픽셀들(11)을 구동하기 위한 대략 10V의 고전위 전원 전압(VDDEL)을 발생한다.
제3 스위치(SW3)는 정상 구동 모드에서 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)의 하이 로직 전압에 응답하여 피드백 분압 저항회로(R1, R2)의 제2 저항(R2)을 기저전압원(GND)에 접속시킨다. 피드백 분압 저항회로(R1, R2)의 제1 저항(R1)은 표시패널(10)의 고전위 전원전압 공급단자와 커패시터(C)에 접속된다. 제3 스위치(SW3)는 제2 저항(R2)에 접속된 소스전극, 기저전압원(GND)에 접속된 드레인전극, 및 인에이블 단자(EN)를 통해 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)의 전압이 인가되는 게이트전극을 포함한 n 타입 MOSFET(NMOS)로 구현될 수 있다.
직류-직류 변환기(50)는 정상 구동 모드에서 피드백 분압 저항회로(R1,R2)를 통해 피드백단자(FB)에 입력되는 피드백신호의 변동을 감지하여 출력을 조정함으로써 표시패널(10)의 픽셀들(11)에 공급되는 고전위 전원전압(VDDEL)을 부하 변동시에도 일정하게 유지시킨다.
직류-직류 변환기(50)는 DLP 모드에서 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)의 로우 로직 전압에 응답하여 디스에이블되어 출력을 발생하지 않는다. 제3 스위치(SW3)는 DLP 모드에서 제2 저전력 모드 제어 단자(GPI02)의 로우 로직 전압에 응답하여 턴-오프되어 피드백 분압 저항회로(R1, R2)를 통해 기저전압원(GND)으로 흐르는 누설전류(Ileak)를 차단하여 소비 전력 발생을 최소화한다.
도 7에서, "H/W Reset"은 패널 구동회로 칩(100)을 초기화하기 위한 리셋신호이다. H/W Reset 펄스가 패널 구동회로 칩(100)에 인가되면, 패널 구동회로 칩(100)은 내장 메모리에 저장된 레지스터(Register) 값들을 로딩하여 내장된 모든 레지스터를 초기화한다. 여기서, 레지스터 값들은 W(White), R(Red), G(Green), B(Blue) 색좌표값이나 휘도값을 포함할 수 있다. 패널 구동회로 칩(100)은 H/W Reset 펄스에 응답하여 표시패널(10)의 편차와 상관없이 보상하기 위해서는 내장 메모리에 해당 표시패널의 특성에 맞는 R,G,B 값을 기입한다. H/W Reset 펄스는 호스트 시스템(60)으로부터 발생된다.
도 7에서, "11h", "28h", "10h"는 MIPI 인터페이스가 적용된 모바일 정보기기에서 호스트 시스템(60)으로부터 발생되어 패널 구동회로 칩(100)에 인가되는 모드 전환 명령들이다. 11h는 슬립 아웃 모드 명령으로서, 슬립 인 모드에서 대기 상태인 패턴 구동회로 칩(100)의 동작을 슬립 아웃 모드로 전환시킨다. 28h는 디스플레이 오프 명령으로서 표시패널(10)의 모든 픽셀들이 블랙 계조로 표시되도록 패널 구동회로 칩(100)으로부터 출력되는 데이터 출력을 차단하거나 그 데이터 전압을 블랙 계조로 제어하는 명령이다. 10h는 패널 구동회로 칩(100)의 동작을 대기 상태인 슬립 인 모드로 전환시키는 명령이다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 표시패널 11 : 발광셀
50 : 직류-직류 변환기 100 : 패널 구동회로 칩

Claims (6)

  1. 데이터라인들과 스캔라인들이 교차되고, 유기발광다이오드소자를 각각 포함하는 발광셀들이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널; 및
    슬립 인 모드, 슬립 아웃 모드, 정상 구동 모드 및 DLP 모드로 구성되는 동작 모드 중에서 상기 표시패널이 동작하기 시작하는 슬립 아웃 모드 내에서 상기 유기발광다이오드소자의 애노드에 인가되는 기준전압을 기저전압으로 낮춘 후에 상기 기준전압을 기저전압보다 높은 전압으로 조정하는 패널 구동회로를 포함하고,
    상기 기준전압은 상기 정상 구동 모드 동안 상기 기저전압보다 높은 전압으로 유지되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 패널 구동회로는,
    제1 직류 입력 전압을 상기 기준전압으로 변환하는 레귤레이터; 및
    외부 호스트 시스템의 제어 하에 상기 레귤레이터의 출력을 기저전압원에 접속한 후에, 상기 레귤레이터의 출력과 상기 기저전압원 사이의 전류 패스를 차단하는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 정상 구동 모드에서 인에이블되어 상기 표시패널에 고전위 전압전압을 발생하고, 상기 표시패널이 동작하지 않는 슬립 인 모드와 DLP 모드에서 디스에이블되는 직류-직류 변환기를 더 포함하고,
    상기 패널 구동회로는,
    상기 슬립 인 모드와 상기 DLP 모드에서 상기 직류-직류 변환기를 디스에이블시키고 내부에서 생성된 고전위 전원 전압을 상기 표시패널에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 패널 구동회로는,
    상기 직류 입력 전압을 제1 고전위 전원 전압으로 변환하는 차지펌프;
    상기 표시패널의 고전위 전원전압 공급단자에 연결된 다이오드; 및
    외부 호스트 시스템의 제어 하에 상기 슬립 인 모드와 상기 DLP 모드에서 상기 차지펌프로부터 출력되는 제1 고전위 전원 전압을 다이오드를 통해 상기 표시패널의 발광셀들의 구동 TFT에 공급하는 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 직류-직류 변환기는,
    상기 정상 구동 모드에서 상기 제1 고전위 전원 전압보다 높은 제2 고전위 전원 전압을 다이오드를 통해 상기 표시패널의 발광셀들의 구동 TFT에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 직류-직류 변환기는,
    상기 표시패널의 고전위 구동전압 공급 단자에 연결된 피드백 저항, 및
    상기 피드백 저항의 일측과 기저전압원 사이의 전류패스를 절환하는 제3 스위치를 포함하고,
    상기 제3 스위치는 상기 패널 구동회로의 제어 하에 상기 슬립 인 모드와 상기 DLP 모드에서 턴-오프되어 상기 피드백 저항과 상기 기저전압원 사이의 전류패스를 차단하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자.
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