CN111937058A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

设置没有形成子像素电路的第一区域和第二区域，使得所述第二区域被显示区域包围，所述第一区域被所述第二区域包围；从与所述显示区域垂直的方向看，作为多个扫描信号线和多个数据信号线的至少一方的多个信号线以跨越所述第二区域的方式而设置，跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。

Description

显示设备
技术领域
本发明是关于显示设备。
背景技术
在专利文献1中，公开了在显示区域中形成了摄像孔的显示面板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“2005-10407(公开日：2005年1月13日)”
发明内容
发明所要解决的课题
在所述现有技术中，有必要处理由摄像孔产生的信号线的断线。
用于解决课题的方案
本发明的一个方面涉及的显示设备具备多个扫描信号线、与所述多个扫描信号线交叉的多个数据信号线、和包括与所述多个扫描信号线以及所述多个数据信号线的多个交点对应配置的多个子像素电路的显示区域；每个子像素电路包括含有晶体管的控制电路、反射电极、发光元件以及透明电极；没有形成子像素电路的第一区域和第二区域以所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第二区域被所述显示区域包围的方式而设置；从与所述显示区域垂直的方向看，作为所述多个扫描信号线中的任意多个扫描信号线以及所述多个数据信号线中的任意多个数据信号线的至少一方的多个信号线，以跨越所述第二区域的方式而设置；跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。
有益效果
根据本发明的一个方面，可以形成透光性的第一区域，而不使经过显示区域的多条配线断线。
附图说明
图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。
图2是表示显示设备的显示区域的构成例的剖面图。
图3(a)是表示显示设备的构成的平面图；(b)是表示包含在显示区域中的子像素的电路构成的电路图。
图4是表示第一实施方式中的摄像孔周围的构成的平面图。
图5的(a)是表示第一实施方式中的显示区域的构成的剖面图、(b)是表示第一实施方式中的第一区域的构成的剖面图。
图6是表示摄像孔周围的其他构成的平面图。
图7是表示摄像孔周围的其他构成的平面图。
图8是表示摄像孔周围的其他构成的平面图。
图9是表示第一实施方式中的摄像孔周围的其他构成的平面图。
图10是表示第二实施方式中的摄像孔周围的其他构成的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中，“同层”是指在同一过程(成膜工序)中形成的意思，“下层”是指在比较对象的层之前的过程中形成的意思，“上层”是指在比较对象的层之后的过程中形成的意思。
图1是表示显示设备的制造方法的一个例子的流程图。图2是表示显示设备的显示部的构成例的剖面图。
当制造柔性显示设备时，如图1和图2所示，首先在透光支撑基板(例如，母板玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6上粘贴上表面膜(步骤S6)。
接着，通过激光的照射等将支撑基板从树脂层12上剥离(步骤S7)。接着，在树脂层12的下面粘贴下表面膜10(步骤S8)。接着，对包括下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5和密封层6的层叠体进行切割，得到多个单片(步骤S9)。接下来，在所获得的单片上粘贴功能膜39(步骤S10)。接着，在比形成了多个子像素的显示区域更外侧(非显示区域、边框)的一部分(端子部)上安装电子电路基板(例如IC芯片和FPC)(步骤S11)。另外，步骤S1～S11是由显示设备制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)来进行的。
作为树脂层12的材料，例如可以列举聚酰亚胺等。如图2(b)所示，也可以用两层的树脂膜(例如聚酰亚胺膜)和夹置于它们之间的无机绝缘膜来置换树脂层12的部分。
阻挡层3是防止水、氧等的异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如，可以由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的层叠膜而构成。
TFT层4包括半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16更上层的栅极电极GE和栅极配线GH、比栅极电极GE和栅极配线GH更上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE、比电容电极CE更上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20更上层的源极配线SH、比源极配线SH更上层的平坦化膜21。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系的半导体)构成，以包括半导体膜15和栅极电极GE的方式构成晶体管(TFT)。在图2中，晶体管以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。
栅极电极GE、栅极配线GH、电容电极CE和源极配线SH例如由包括铝、钨、钼、钽、铬、钛、铜中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜构成。如图2(b)所示，TFT层4包括一层半导体层和三层金属层(第一金属层、第二金属层和第三金属层)。
无机绝缘膜16、18、20例如可以通过由CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜而构成。平坦化膜21例如可以通过聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的有机材料而构成。
发光元件层5包括比平坦化膜21更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25。边缘罩23例如在涂布了聚酰亚胺、丙烯酸等的有机材料之后通过光刻进行图案化而形成。
对于每个子像素，在发光元件层5上形成包括岛状的阳极22、EL层24和阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)，在TFT层4上形成发光元件ES的控制电路，通过发光元件及其控制电路构成子像素电路。
EL层24例如由从下层侧开始依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口(每个子像素)上形成岛状。其他层形成为岛状或整面状(通用层)。另外，也可以构成为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一个以上的层。
当蒸镀形成OLED的发光层时，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有多个开口的薄片(例如，殷钢材料)，由穿过一个开口的有机物质形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
QLED的发光层例如可以通过喷墨涂布扩散了量子点的溶剂来形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
阳极(Anode)22例如由ITO(Indium Tin Oxide)和Ag(银)或包括Ag的合金的叠层而构成，具有光反射性(反射电极)。阴极25可以由MgAg合金(超薄膜)、ITO、IZO(Indiumzinc Oxide)等的透光性导电材料而构成(透明电极)。
当发光元件ES是OLED时，空穴和电子通过阳极22和阴极25之间的驱动电流在发光层内复合，并且在由此产生的激子在跃迁到基底状态的过程中放出光。由于阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，所以从EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发射。
当发光元件ES是QLED时，空穴和电子通过阳极22和阴极25之间的驱动电流在发光层内复合，由此产生的激子在从量子点的导带能级(conduction band)转变到价带能级(valence band)的过程中放出光(荧光)。
发光元件层5也可以形成所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
密封层6是透光性的，包括覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27和比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等的异物渗透到发光元件层5。
无机密封膜26和无机密封膜28分别是无机绝缘膜，例如，可以由通过CVD方法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜或它们的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，可以由能够涂布的丙烯酸等的有机材料构成。有机缓冲膜27例如可以通过喷墨涂布形成，但是也可以在非显示区域设置用于阻止液滴的堤坝。
下表面膜10例如是用于在剥离支撑基板后，通过粘贴到树脂层12的下表面来实现柔性优异的显示设备的PET膜。功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能和保护功能中的至少一个。
以上对柔性显示设备进行了说明，但在制造非柔性显示设备时，由于一般不需要树脂层的形成、基材的替换等，因此例如在玻璃基板上进行步骤S2～S5的层叠工序，然后转移到步骤S9。
[第一实施方式]
图3(a)是表示显示设备的构成的平面图，图3(b)是表示显示区域中所包含的子像素的电路结构的电路图。如图3所示，显示设备2包括含有多个子像素SP的显示区域DA和包围显示区域DA的边框区域(非显示区域)NA。在显示区域DA中，设置有在x方向延伸的多个扫描信号线GL、在与x方向正交的y方向延伸的多个数据信号线DL、在x方向延伸的多个发光控制线EM、以及在y方向延伸的多个高电压电源线PL。通过主配线PM向高电压电源线PL供给ELVDD。
包括发光元件ES的子像素电路SP连接到数据信号线DL、扫描信号线GL、发光控制线EM、高电压电源线PL和初始化电源线IL。另外，电容Cp的一个电极连接于高电压电源线PL，另一个电极连接于驱动晶体管Ta的栅极端子。驱动晶体管Ta的栅极端子与扫描信号线GL连接，其源极端子经由写入晶体管Tb与数据信号线DL连接，其漏极端子经由晶体管Td与发光元件ES连接。数据信号线DL连接于驱动器芯片DT，扫描信号线GL连接于栅极驱动器GD1、GD2，而发光控制线EM连接于发射驱动器ED1、ED2。栅极驱动器GD1、GD2以及发射驱动器ED1、ED2在包含于边框区域NA的TFT层4中单片化地形成。
栅极驱动器GD1、GD2被配置在显示区域DA的短边方向的两侧，以夹住显示区域DA。发光驱动器ED1、ED2也被配置在显示区域DA的短边方向的两侧，以夹住显示区域DA。另外，发射驱动器ED1、ED2位于栅极驱动器GD1、GD2的更外侧(装设备的边缘侧)。
驱动芯片DT(源极驱动器)被安装在边框区域NA的端子部分TS上，并且数据信号线DL和干配线PM被连接到驱动器芯片DT。对于数据信号线DL，也可以经由SSD电路(在TFT层4上形成单片的时分驱动用开关电路)与驱动器芯片DT连接。柔性电路基板FK(安装有处理器、电源电路等的基板)连接到端子部TS。
在第一实施方式中，在显示区域DA的边缘(外缘)DE内未形成子像素电路，而设置有能够透过光的区域A1(第一区域)和包围区域A1并且未形成子像素电路的区域A2(第二区域)。区域A2是被显示区域DA包围的、信号线的引绕区域。区域A1和区域A2是设置在显示区域DA的边缘DE内的非显示区域，显示区域DA是指显示区域DA的边缘DE内除区域A1、A2以外的区域。
区域A1例如是摄像用的光透射区域，多个数据信号线和多个扫描信号线跨越作为引绕区域的区域A2。
图4是表示第一实施方式中的第一区域周围的结构的平面图。如图4所示，显示区域DA包括数据信号线DL1～DL10以及扫描信号线GL1～GL10，从与显示区域DA垂直的方向看，以跨越区域A2的方式形成数据信号线DL2～DL8以及扫描信号线GL3～GL10。
例如，在显示区域DA中的扫描信号线GL1和数据信号线DL1的交点附近形成子像素电路SP，但是在区域A1和区域A2中不形成子像素电路SP。子像素电路SP由发光元件及其控制电路构成(参照图3)，区域A1在俯视中至少大于子像素电路SP的占有区域。
在图4中，跨越区域A2的扫描信号线GL3～GL10经过区域A1的边缘E1的外侧，跨越区域A2的数据信号线DL2～DL8经过区域A1的边缘E1的外侧。也就是说，跨越区域A2的数据信号线DL2～DL8以及扫描信号线GL3～GL10以避开区域A1的方式引绕(绕过区域A1)，在区域A1内不配置数据信号线和扫描信号线。
图5(a)是表示第一实施方式中的显示区域的构成的剖面图，图5(b)是表示第一实施方式中的第一区域的构成的剖面图。如图5所示，对于区域A1，在与显示区域DA的晶体管相同的层中不形成晶体管，在与显示区域DA的阳极22相同的层中不形成反射电极，在与显示区域DA的EL层24相同的层中不形成EL层。但是，在区域A1中形成有下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4的无机绝缘膜(16、18、20、21)、显示区域DA内通用的阴极25(透光性金属膜)和密封层6(透光性)。由此，在区域A1中形成摄像用的透光路径LK。另外，如果边缘罩23没有开口，则不会作为子像素电路发挥功能(发光)，所以也可以在边缘罩23上不设置开口，而设置虚拟晶体管、虚拟发光层。
在显示面(显示光的出射面)的背面侧，以与区域A1(透光路径LK)重叠的方式配置摄像元件CM，摄像元件CM接收通过透光路径LK的外光。
根据第一实施方式，能够在不使显示区域DA内的多个数据信号线和多个扫描信号线断线的情况下形成区域A1(摄像用的透光路径LK)。
区域A2是配线的引绕区域，但是为了提高配线的集成性和采光效率，最好采用与区域A1相同的结构。
图6是第一实施方式的变形例。如图6所示，对于区域A1，虽然不形成与显示区域DA的晶体管同层的晶体管以及与显示区域DA的阳极22同层的反射电极，但是可以构成为形成与显示区域DA的EL层24同层的透光性虚拟EL层24d(包括虚拟发光层)(区域A2也采用相同构成)。虚拟发光层与显示区域DA的真正发光层的形状相同且尺寸相同。这样，对于在蒸镀工序中使用的FMM，在区域A1和显示区域DA中能够使蒸镀用的开口图案相同，且能够使FMM的刚性均匀化。
当不在区域A1、A2上蒸镀虚拟发光层时，对于FMM，由于在与显示区域DA对应的部分(有开口)和与区域A1、A2对应的部分(无开口)中，开口图案不同，所以FMM的刚度在与区域A1、A2对应的部分中变化，与区域A2附近的显示区域对应的部分(由于褶皱等)有可能产生FMM的开口图案偏差。为了避免该情况，在与显示区域DA对应的部分和与区域A1、A2对应的部分中，使开口图案相同(在与区域A1、A2对应的部分也设置蒸镀用的开口)，在区域A1、A2上也蒸镀虚拟发光层。另外，形状相同且相同尺寸是以与显示区域DA相同的开口图案对区域A1、A2进行蒸镀为前提的，包含蒸镀偏差等略微的图案偏差。
图7和图8是第一实施方式的变形例。如图7所示，也可以构成为跨越区域A2的数据信号线DL2～DL8被集成在区域A2的一侧。另外，如图8所示，也可以构成为：在显示区域DA的边缘(外缘)DE内，不形成子像素电路，而设置能够透光的、区域A1(第一区域)及A3(第三区域)和包围区域A1及区域A3且没有形成子像素电路的区域A2(第二区域)，跨越区域A2的数据信号线DL4、DL5通过区域A1的边缘E1的外侧和区域A3的边缘E3的外侧。在这种情况下，通过使区域A3成为与区域A1相同的构成，能够在区域A3形成摄像用的透光路径。
另外，如图9所示，也可以是如区域A2的三方被显示区域DA包围，剩下的一方与显示区域的边缘DE接触这样的构成。
[第二实施方式]
图10是表示第二实施方式中的第一区域周围的结构的平面图。在第一实施方式中，通过区域A2的多个数据信号线和多个扫描信号线以避免区域A1的方式绕行，但是如图10所示，例如，通过区域A2的发光控制线EM6和高电压电源线PL5也能够以避免区域A1的方式绕行。
〔总结〕
本实施方式涉及的显示设备所具备的电光学元件(由电流控制亮度和透过率的电光学元件)不是特别限定的。作为本实施方式涉及的显示设备，例如，作为电光学元件，可以列举具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示器、具备无机发光二极管的无机EL显示器、具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔第一方面〕
一种显示设备，其具备多个扫描信号线、与所述多个扫描信号线交叉的多个数据信号线、和包括与所述多个扫描信号线以及所述多个数据信号线的多个交点对应配置的多个子像素电路的显示区域；
每个子像素电路包括含有晶体管的控制电路、反射电极、发光元件以及透明电极；
没有形成子像素电路的第一区域和第二区域以所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第二区域被所述显示区域包围的方式而设置；
从与所述显示区域垂直的方向看，作为所述多个扫描信号线中的任意多个扫描信号线以及所述多个数据信号线中的任意多个数据信号线的至少一方的多个信号线，以跨越所述第二区域的方式而设置；
跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。
〔第二方面〕
例如，根据第一方面所述的显示设备，对于跨越所述第二区域的所述多个信号线中的相邻的两条信号线，其中通过所述第二区域内的所述相邻的两条信号线的间隔小于通过所述第二区域外的显示区域的所述相邻的两条信号线的间隔。
〔第三方面〕
例如，根据第一方面或第二方面所述的显示设备中，所述第一区域比形成了一个子像素电路的区域大。
〔第四方面〕
例如，根据方面1～3中的任意一项所述的显示设备，在所述显示区域中，在所述发光元件的下层的TFT层中包含无机绝缘膜和平坦化膜；
所述无机绝缘膜和平坦化膜也形成在所述第一区域和所述第二区域上。
〔第五方面〕
例如，根据第四方面所述的显示设备，以覆盖所述显示区域、所述第一区域以及所述第二区域的方式形成密封层。
〔第六方面〕
例如，根据方面1～5的任意一项所述的显示设备，所述多个信号线以避开所述第一区域的方式被绕开。
〔第七方面〕
例如，根据方面1～6的任意一项所述的显示设备，在所述第一区域内不配置扫描信号线和数据信号线。
〔第八方面〕
例如，根据方面1～7的任意一项所述的显示设备，以与所述第一区域重叠的方式设置摄像用的透光路径。
〔第九方面〕
例如，根据方面1～8的任意一项所述的显示设备，在显示面的相反侧具备摄像元件。
〔第十方面〕
例如，根据方面1～9的任意一项所述的显示设备，在所述第一区域和所述第二区域中的至少所述第一区域中，不形成与所述多个子像素电路中所包含的多个第一电极位于同一层的光反射电极。
〔第十一方面〕
例如，根据方面1～10的任意一项所述的显示设备，在所述第一区域和所述第二区域中的至少所述第一区域中，不形成与所述多个子像素电路中所包含的多个发光层位于同一层的发光层。
〔第十二方面〕
例如，根据方面1～10的任意一项所述的显示设备，在所述第一区域和所述第二区域中，形成与所述多个子像素电路中所包含的多个发光层位于同一层，且对发光没有贡献的虚拟发光层。
〔第十三方面〕
例如，根据第十二方面所述的显示设备，所述多个子像素电路各自的发光层与覆盖第一电极的边缘的边缘罩的开口重叠，所述虚拟发光层不与边缘罩的开口重叠。
〔第十四方面〕
例如，根据方面1～13的任意一项所述的显示设备，在所述第一区域和所述第二区域中不形成晶体管。
〔第十五方面〕
例如，根据第十二方面所述的显示设备，所述虚拟发光层是与包含在各子像素电路中的发光层形状相同且尺寸相同的。
〔第十六方面〕
例如，根据方面1～15的任意一项所述的显示设备，所述多个信号线被聚集在所述第二区域的一部分中。
〔第十七方面〕
例如，根据方面1～16的任意一项所述的显示设备，在所述显示区域下的基材上没有设置通孔。
〔第十八方面〕
例如，根据方面1～17的任意一项所述的显示设备，未形成子像素电路的第三区域被设置为包围所述第二区域；
跨越所述第二区域的多条配线经过所述第一区域的边缘的外侧和所述第三区域的边缘的外侧。
附图标记说明
2 显示设备
3 阻挡层
4 TFT层
5 发光元件层
6 密封层
12 树脂层
16、18、20 无机绝缘膜
21 平坦化膜
23 边缘罩
24 EL层
DA 显示区域
NA 边框区域
A1 第一区域
A2 第二区域
GL 扫描信号线
DL 数据信号线

Claims (18)

1.一种显示设备，具备多个扫描信号线、与所述多个扫描信号线交叉的多个数据信号线、和包括多个子像素电路的显示区域，所述多个子像素电路与所述多个扫描信号线以及所述多个数据信号线的多个交点对应配置，其特征在于：
每个子像素电路包括含有晶体管的控制电路、反射电极、发光元件以及透明电极；
未形成子像素电路的第一区域和第二区域，以所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第二区域被所述显示区域包围的方式而设置；
从与所述显示区域垂直的方向看，作为所述多个扫描信号线中的任意多个扫描信号线以及所述多个数据信号线中的任意多个数据信号线中的至少一方的多个信号线，以跨越所述第二区域的方式而设置；
跨越所述第二区域的所述多个信号线经过所述第一区域的边缘的外侧。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，对于跨越所述第二区域的所述多个信号线中的相邻的两条信号线，其中通过所述第二区域内的所述相邻的两条信号线的间隔小于通过所述第二区域外的显示区域的所述相邻的两条信号线的间隔。
3.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，所述第一区域比形成了一个子像素电路的区域大。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的显示设备，其特征在于，
在所述显示区域中，在所述发光元件的下层的TFT层中包含无机绝缘膜和平坦化膜；
所述无机绝缘膜和平坦化膜也形成在所述第一区域和所述第二区域上。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，以覆盖所述显示区域、所述第一区域以及所述第二区域的方式形成密封层。
6.根据权利要求1至5的任意一项所述的显示设备，其特征在于，所述多个信号线以避开所述第一区域的方式被引绕。
7.根据权利要求1至6的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述第一区域内不配置扫描信号线和数据信号线。
8.根据权利要求1至7的任意一项所述的显示设备，以与所述第一区域重叠的方式设置摄像用的透光路径。
9.根据权利要求1至8的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在显示面的相反侧具备摄像元件。
10.根据权利要求1至9的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述第一区域和所述第二区域中的至少所述第一区域中，不形成与所述多个子像素电路中所包含的多个第一电极位于同一层的光反射电极。
11.根据权利要求1至10的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述第一区域和所述第二区域中的至少所述第一区域中，不形成与所述多个子像素电路中所包含的多个发光层位于同一层的发光层。
12.根据权利要求1至10的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述第一区域和所述第二区域中，形成与所述多个子像素电路中所包含的多个发光层位于同一层，且对发光没有贡献的虚拟发光层。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述多个子像素电路各自的发光层与覆盖第一电极的边缘的边缘罩的开口重叠，所述虚拟发光层不与边缘罩的开口重叠。
14.根据权利要求1至13的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述第一区域和所述第二区域中不形成晶体管。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其特征在于，所述虚拟发光层是与包含在各子像素电路中的发光层形状相同且尺寸相同的。
16.根据权利要求1至15的任意一项所述的显示设备，其特征在于，所述多个信号线被聚集在所述第二区域的一部分中。
17.根据权利要求1至16的任意一项所述的显示设备，其特征在于，在所述显示区域下的基材上没有设置通孔。
18.根据权利要求1至17的任意一项所述的显示设备，其特征在于，未形成子像素电路的第三区域被设置为包围所述第二区域；
跨越所述第二区域的多条配线经过所述第一区域的边缘的外侧和所述第三区域的边缘的外侧。
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