JP2008026435A - 半透過型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
各画素領域に設けられた透過電極と反射電極の間にバリアメタル膜が配置されている半透過型液晶表示装置において、ＡｌまたはＡｌ合金膜からなる反射電極とＩＴＯ膜からなる透過電極の間で生じる電池反応を抑制して、透過電極の断線を防止する。
【解決手段】
反射電極１６は、感光性層間絶縁膜１５及びバリアメタル膜を介してガラス基板上に配置されていると共に、バリアメタル膜２３を介して透過電極１４に電気的に接続される。各画素領域Ｐにおいて、透過電極１４とそれに対応する走査線１１とが離れて配置されていると共に、透過電極１４とそれに対応する走査線１１との距離が２μｍ以上、好ましくは３μｍ以上に設定される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関し、さらに言えば、複数の画素領域の各々に設けられた透過電極と反射電極の間にバリアメタル膜が配置されている半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関する。

近年、携帯情報機器の普及に伴って、外光が弱い場所（暗い場所）ではバックライトを発光させて得られる光を液晶層に透過させることによって画像を表示し、外光が強い場所（明るい場所）では外光を内部の反射電極で反射させて液晶層に透過させることによって画像を表示する半透過型液晶表示装置が開発され、実用化されている。このような構成を持つ半透過型液晶表示装置は、暗い場所ではバックライトを点灯して透過モードで画像を表示することにより視認性を向上させることができると共に、明るい場所ではバックライトを消灯して反射モードで画像を表示することにより消費電力を低減することができる、という利点があり、動作時間の延長と軽量化という相反する携帯情報機器への要請を満たすものである。近年、このような特徴を持つ半透過型液晶表示装置は、中小型（１０．４インチ以下）の表示画面を持つ携帯情報機器に多用されている。

半透過型液晶表示装置には、複数の画素領域の各々が透過領域と反射領域に分割された構造を持つものがある。この種の半透過型液晶表示装置では、透過領域には透過電極が配置され、反射領域には反射電極が配置される。換言すれば、各画素電極が透過電極と反射電極から構成される。透過電極と反射電極は、相互に電気的接続されている。

この種の半透過型液晶表示装置では、特許文献１（特開２００４−１４４８２６号公報）に開示されているように、各画素電極が透過電極と反射電極とから構成されることにより、「電池腐食反応によるＩＴＯ膜の腐食」という問題が生じることが知られている（段落０００４〜００２０を参照）。

すなわち、一般に、透過電極はパターン化されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜により形成され、反射電極はパターン化されたアルミニウム（Ａｌ）膜により形成される。これは、ＩＴＯは可視光透過率が高いためであり、Ａｌ膜は可視光反射率が高いためである。なお、反射電極には、Ａｌ膜に代えてＡｌ合金膜も使用されるが、その場合もＡｌ膜と同じであるので、以下の説明ではＡｌ膜について述べることにする。

ところで、半透過型液晶表示装置のスイッチング素子として使用される薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor,ＴＦＴ）が複数個、絶縁性基板上にマトリックス状に配置されてなるＴＦＴアレイ基板の製造工程では、ネガ型よりも高い解像度が得られるという理由で、ポジ型のフォトレジストが使用されるのが通常である。ポジ型のフォトレジストの現像工程では、強アルカリ性の現像液が使用されるので、酸・アルカリに可溶であるＡｌ膜は、当該現像工程で３価のＡｌイオンとなって当該現像液中に溶解する。

他方、ＩＴＯ膜は、前記現像掖には不溶であるが、ＩＴＯの酸化還元電位がＡｌのそれよりも貴側（正側）である、換言すれば、Ａｌの酸化還元電位がＩＴＯのそれよりも卑側（負側）であり、しかもＩＴＯとＡｌの酸化還元電位差が大きい。このため、前記現像液（これは電解液である）の中にＩＴＯ膜とＡｌ膜が存在すると、前記現像液を介してＩＴＯ膜とＡｌ膜の間に電流回路が形成され、その結果、Ａｌ膜の溶解に伴って放出される電子がＩＴＯ膜に流れ込んで当該ＩＴＯ膜を還元・腐食してしまう。

ＩＴＯ膜の全面がＡｌ膜またはフォトレジスト膜に覆われていて、前記現像工程でＩＴＯ膜が前記現像液に触れない構造になっていても、Ａｌ膜の溶解によって局所的に生じた、あるいはＡｌ膜それ自体に内在するピンホール等を通じて、前記現像液がＩＴＯ膜まで到達することがある。すると、前記現像液を介してＡｌ膜を局部アノードとし、ＩＴＯ膜を局部カソードとする電流回路が形成されてしまい、ＡｌとＩＴＯの酸化還元電位差を駆動力としたＡｌ膜の溶解反応とＩＴＯ膜の還元反応とが進行する。このようにしてＩＴＯ膜が腐食されてしまうのである。この反応は「電池腐食反応」または「電池反応」と呼ばれる。

また、ＩＴＯ膜とＡｌ膜については、一般に両者の間で安定した電気的接触を得ることが難しい、という問題もある。これは、Ａｌの酸化物生成エネルギーが、Ｉｎ（インジウム）のそれよりも大きいことから、ＩＴＯ膜上にＡｌ膜を堆積した後に、あるいは表面酸化物を除去したＡｌ膜上にＩＴＯ膜を堆積した後に、１５０℃以上の熱履歴を経験してしまうと、両者の接触界面に、電気抵抗率の小さいＩｎ酸化物よりも電気抵抗率の大きいＡｌ酸化物の方が先に形成されてしまい、その結果、両者が電気的に絶縁された状態になってしまうからである。

これら二つの問題を解消するためには、Ａｌ膜とＩＴＯ膜の間に、上記電池腐食反応を抑制できると共に両膜の間で安定した電気的接触が得られる中間膜（バリアメタル膜）を配置すればよいことが知られている。中間膜（バリアメタル膜）としては、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）等が好適に使用される。

上述した特許文献１では、Ａｌ膜とＩＴＯ膜の間に中間膜（バリアメタル膜）を配置しても上記電池腐食反応を抑制できない場合があることから、次のような対処法を提案している。

すなわち、層間絶縁膜上にＡｌ膜を形成した後、その膜をパターン化して反射電極を形成する。次に、その上に透過電極用のフォトレジスト膜を形成してから、それをパターン化し、その上に透過電極用のＩＴＯ膜を形成する。その後、「リフトオフ」によって前記フォトレジスト膜を剥離すると同時に、ＩＴＯ膜のパターン化を行い、透過電極（または反射電極）を得るのである。この方法によれば、パターン化後にもＡｌ膜の大部分が前記透過電極用フォトレジスト膜で覆われると共に、そのＡｌ膜の残りの部分がＩＴＯ膜で覆われるため、前記透過電極用フォトレジスト膜のパターン化の際に使用される現像液にＡｌ膜が接触することがない。このため、Ａｌ膜とＩＴＯ膜が同時に前記現像液に曝されず、したがって、電池腐食反応によるＡｌ膜の消失やＩＴＯ膜の黒化を防止することができる、とされている（図１〜図７、段落００４９〜００７６参照）。

特許文献２（特開２００５−２６６７６１号公報）には、他の対処法として、現像液中のＡｌの電位を引き上げる金属膜を反射電極（Ａｌ膜）の上層に用いることにより、上記電池腐食反応を防止する方法が開示されている（図１〜図３、段落００２７〜００５１を参照）。

特許文献２の方法では、半透過型液晶表示装置の画素領域（つまり透過領域と反射領域の双方）にＩＴＯ膜よりなる透過電極を配置する一方、反射領域では前記透過電極（ＩＴＯ膜）上に反射膜（少なくともＡｌを含む）を形成し、その反射膜上に現像液中のＡｌの電位を引き上げる金属膜をさらに形成する。透過領域では、前記反射膜と前記金属膜が存在せず、前記透過電極が露出している。前記金属膜としては、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒのうち少なくともいずれか一つを含む金属膜が使用される。

前記反射膜と前記金属膜をパターニングする工程では、前記金属膜上に形成されたフォトレジスト膜が選択的に露光され、その後、現像液を使って現像される際に、前記金属膜が前記反射膜の上に存在するので、Ａｌが現像液中に溶出しても、現像液中のＡｌの電位はＩＴＯの腐食電位より高い電位に維持され、その結果、現像液がＩＴＯ膜に到達してもＩＴＯ膜は腐食しないことになる。こうして、Ａｌが現像液に溶出することに起因するＩＴＯ膜の還元・腐食を防止するものである（図１〜図３、段落００２７〜００４２を参照）。

特許文献２の半透過型液晶表示装置では、前記反射膜をＮｉ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｏのうち少なくともいずれか一つを含むＡｌ合金とすることができ、その場合は、前記金属膜を省略できる、とされている（段落００５０を参照）。そして、前記反射膜の下にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏのうちの少なくともいずれか一つを含む第２の金属膜を形成することもできる、とされている（段落００５１を参照）。

特許文献３（特開平１０−１７３１９１号公報）には、透過電極と反射電極についてではなく、ソース電極及びドレイン電極についてであるが、上記電池腐食反応を防止する方法が開示されている（図１、段落００１８〜００２２を参照）。

特許文献３の方法では、ソース電極及びドレイン電極が、現像液中での還元電位がＩＴＯよりも高い材料を最上位のバリア層に用いた三層構造とされる。このため、これら三層構造の膜をパターン化するためのフォトレジスト膜の現像に使用される現像液に、画素電極となるＩＴＯ膜（これは三層構造の膜の下位にある）が曝されることがなくなり、したがって上記電池腐食反応が防止される、とされている。

次に、図３２〜図４２を参照しながら、従来のこの種の半透過型液晶表示装置に使用されているＴＦＴ（Thin-Film Transistor、薄膜トランジスタ）アレイ基板の製造方法の一例について説明する。この半透過型液晶表示装置は、上記電池腐食反応を抑制するために上述した中間膜（バリアメタル膜）（特許文献１を参照）をＡｌ膜とＩＴＯ膜の間に配置したものである。

図３２〜図３８は、当該半透過型液晶表示装置の一画素とその近傍の要部平面図である。図３９は、図３８のＡ−Ａ線に沿った要部断面図である。図４０〜図４２は、それぞれ、ＩＴＯ膜（透過電極）が断線する様子を示す図３９と同様の要部断面図である。図３８に示すように、一画素に対応する画素領域Ｐは、透過領域Ｔと反射領域Ｒとに分割されている。

最初に、図３２に示すように、絶縁性透明基板としてガラス基板１１０（図３９を参照）を使用し、そのガラス基板１１０上に、ゲート電極１１１ａと走査線（ゲート線）１１１となる金属膜を形成する。例えば、クロム（Ｃｒ）、Ａｌ、Ｍｏ、チタン（Ｔｉ）もしくは銅（Ｃｕ）またはその合金の膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて当該金属膜をパターニングすることにより、相互に一体化されたゲート電極１１１ａと走査線１１１を得る。図３２の左右方向に延在する走査線１１１は、図３２の上下方向に等間隔で配置されている。

続いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、ガラス基板１１０の全面にわたってゲート絶縁膜１２１（図３９を参照）としての窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜を形成して、ゲート電極１１１ａと走査線１１１を覆う。その後、ノンドープのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉとも言う）膜と、燐ドープのｎ型ａ−Ｓｉ膜をこの順に形成し、これら二つのａ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターン化して、図３３に示すように複数の島状の半導体膜１１２及び１１２ａを形成する。当該画素領域Ｐにおいて、ゲート電極１１１ａと重なった半導体膜１１２は、ＴＦＴの活性層として使用される。走査線１１１と重なった半導体膜１１２ａは、後に形成される信号線（データ線）１１３と重なる位置にある。半導体膜１１２ａは、走査線１１１と信号線１１３の間の寄生容量を抑制するために設けられている。

次に、半導体膜１１２及び１１２ａの上に、走査線１１１と同様の金属膜を形成した後、それをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターン化して、図３４に示すように、信号線１１３、ソース電極１１３ｓ及びドレイン電極１１３ｄを形成する。ソース電極１１３ｓとドレイン電極１１３ｄは、半導体膜１１２と部分的に重なっており、ゲート電極１１１ａ及びゲート絶縁膜１２１と共にＴＦＴ１２５を構成する。ドレイン電極１１３ｄは、当該画素領域Ｐに対応する信号線１１３と一体化されている。図３４の上下方向に延在する信号線１１３は、図３４の左右方向に等間隔で配置されており、走査線１１１と共にマトリックスを構成している。

次に、ガラス基板１１０の全面にわたって、ゲート絶縁膜１２１上にパッシベーション膜１２２（図３９を参照）を形成し、ＴＦＴ１２５と信号線１１３を覆う。その後、図３５に示すように、ソース電極１１３ｓと重なる位置において、エッチング法によりパッシベーション膜１２２にコンタクトホール１２２ａを形成する。パッシベーション膜１２２としては、例えばＳｉＮ_x膜が好適に使用される。

次に、パッシベーション膜１２２上にＩＴＯ膜を形成してからこれをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングし、図３６に示すように、透過電極１１４を形成する。この時、透過電極１１４は、パッシベーション膜１２２のコンタクトホール１２２ａを介してソース電極１１３ｓに接触せしめられる。こうして、透過電極１１４はソース電極１１３ｓに電気的に接続される。なお、透過電極１１４の端部は、当該画素領域Ｐに隣接する走査線１１１（ＴＦＴ１２５と反対側（図３６では上方）にある）に重なっているが、当該画素領域Ｐに対応する信号線１１３（図３６の右側にある）及びこれに隣接する信号線１１３（図３６の左側にある）からは離れており、重なっていない。

次に、ガラス基板１１０の全面にわたって、パッシベーション膜１２２上に感光性有機樹脂膜を形成した後、これを選択的に露光・現像して、図３７に示すように、表面に凹凸を有する感光性層間絶縁膜１１５を形成する。感光性層間絶縁膜１１５は、略矩形の平面パターンを有しており、当該画素領域Ｐの内部で、ＴＦＴ１２５の全体と、透過電極１１４のＴＦＴ１２５の近傍にある部分とを覆っている。感光性層間絶縁膜１１５は、当該画素領域Ｐに対応する走査線１１１（図３７では下方にある）の一部も覆っている。

次に、ガラス基板１１０の全面にわたって、パッシベーション膜１２２上に、バリアメタル膜１２３用のＭｏあるいはＭｏ合金等の金属膜を形成し、その上に続いて反射電極１１６用のＡｌあるいはＡｌ合金等の金属膜を形成する。その後、反射電極１１６用の金属膜上に所定パターンを持つフォトレジスト膜１２４を形成し、それをマスクとしてこれら二つの金属膜をエッチングして、図３８及び図３９に示すように、感光性層間絶縁膜１１５上にバリアメタル膜１２３及び反射電極１１６を選択的に形成する。

バリアメタル膜１２３及び反射電極１１６は、感光性層間絶縁膜１１５と略同一の形状で、それより少し小さい平面パターンを有している。バリアメタル膜１２３は、当該画素領域Ｐの内部において、透過電極１１４側の端部で透過電極１１４と接触しており、この接触により、バリアメタル膜１２３と透過電極１１４とは電気的に相互接続されている。バリアメタル膜１２３上に形成された反射電極１１６は、両者の接触により電気的に相互接続されているので、反射電極１１６はバリアメタル膜１２３を介して透過電極１１４に電気的に接続されていることになる。

以上のようにして、従来のこの種半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板が完成する。このＴＦＴアレイ基板は、所定間隔で対向基板（図示せず）と接合され、さらに両基板間の間隙に液晶層を配置して密封することにより、液晶パネルが得られる。そして、この液晶パネルにバックライトを組み込めば、上記半透過型液晶表示装置が得られる。
特開２００４−１４４８２６号公報（図１〜図７、段落０００４〜００２０、００４９〜００７６） 特開２００５−２６６７６１号公報（図１〜図３、段落００２７〜００５１） 特開平１０−１７３１９１号公報（図１、段落００１８〜００２２）

本発明者の研究によると、上述したＴＦＴアレイ基板の製造方法では、次のような問題があることが判明した。

すなわち、バリアメタル膜１２３と反射電極１１６を形成する工程は、図４０〜図４２のようにして実施されるが、バリアメタル膜１２３の厚さはかなり大きく、通常は０．２μｍ〜０．４μｍ程度に設定される。これは、Ａｌ、Ａｌ合金等の金属膜からなる反射電極１１６と、ＩＴＯ膜からなる透過電極１１４との距離をできるだけ大きくして、電池反応が発生する確率を低下させるためである。このため、パッシベーション膜１２２上に、バリアメタル膜１２３用のＭｏ、Ｍｏ合金等の金属膜１２３ａと、反射電極１１６用のＡｌ、Ａｌ合金等の金属膜１１６ａを連続して積層形成した時には、図４０に示すように、走査線１１１の近傍において金属膜１２３ａにクラック１３０が生じやすい。このクラック１３０は、金属膜１２３ａだけでなく、その上位にある金属膜１１６ａや、その下位にある透過電極１１４、パッシベーション膜１２２、そしてゲート絶縁膜１２１にも生じ得る。

金属膜１２３ａと金属膜１１６ａをパターニングする際には、図４１に示すように、金属膜１１６ａ上にフォトレジスト膜１２４を形成し、それを適当なマスクを用いて選択的に露光してから強アルカリの現像液中に浸漬し、あるいはフォトレジスト膜１２４上に同現像液をシャワー状に落下させることにより、フォトレジスト膜１２４の感光部を除去して、図４１に示す状態を得る。この時、ＡｌまたはＡｌ合金からなる金属膜１１６ａは現像液に接触するが、ＩＴＯ膜よりなる透過電極１１６は当該現像液には接触しないはずである。しかし、実際には、クラック１３０の存在により、当該現像液はクラック１３０を介して透過電極１１４にも到達するため、当該現像液と金属膜１１６ａと透過電極１１４によって電池回路が形成される。その結果、透過電極１１４が還元されて腐食し、図４２に示すように、走査線１１１の近傍において透過電極１１４に消失箇所１４０が形成される。

そこで、フォトレジスト膜１２４をマスクとして金属膜１２３ａと金属膜１１６ａを選択的にエッチングして、反射電極１２３とバリアメタル膜１２３を形成した時に、透過電極１１４には消失箇所１４０が存在する。消失箇所１４０が大きくなると、透過電極１１６はバリアメタル膜１２３と離間してしまうので、「点欠陥」と呼ばれる画素不良につながる。消失箇所１４０によって透過電極１１６がバリアメタル膜１２３と離間しなくても、透過電極１１６の光透過特性が低下する。クラック１３０の発生は、現状では避けられないことであるから、透過電極１１４の消失箇所１４０の発生を何らかの方法で防止する必要がある。

なお、ここでは走査線１１１について説明したが、画素領域Ｐ内で透過電極１１４は信号線１１３にも近接して配置されているので、信号線１１３ついても同様の問題が生じる。

上述した特許文献１〜３の対処法によれば、電池腐食反応を防止することはできるが、いずれも製造工程を大幅に変更する必要がある、という難点がある。

本発明はこれらの点を考慮してなされたものであって、その目的とするところは、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することができる、反射電極と透過電極の間にバリアメタル膜を配置してなる半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

ここに明記しない本発明の他の目的は、以下の説明及び添付図面から明らかであろう。

（１） 本発明の第１の観点による半透過型液晶表示装置は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ以上に設定されていることを特徴とするものである。

本発明の第１の観点による半透過型液晶表示装置では、上述したように、前記反射電極が、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されていて、しかも、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ以上に設定されている。このため、前記反射電極と前記バリアメタル膜をパターン化する工程において、前記バリアメタル膜に生じたクラックを介して現像液が前記透過電極の近傍に浸出してきても、前記透過電極までは到達しない。これは、本発明者の研究によって、前記バリアメタル膜のクラックが前記走査線によって生じる段差部の近傍に生じやすいことが分かったことから、その段差部から前記透過電極を離間すると共に一定の距離をおくようにしたためである。

よって、前記透過電極の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がない。その結果、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第１の観点による半透過型液晶表示装置の好ましい例では、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が３μｍ以上に設定される。この例では、電池腐食反応の防止の確実性がいっそう増すという利点がある。

本発明の第１の観点による半透過型液晶表示装置の他の好ましい例では、前記透過電極とそれに対応する前記信号線との距離も２μｍ以上（より好ましくは３μｍ以上）に設定される。前記バリアメタル膜のクラックは、前記信号線によって生じる段差部の近傍にも生じるが、この例では、そのような場合にも電池腐食反応が防止できるという利点がある。

本発明の第１の観点による半透過型液晶表示装置のさらに他の好ましい例では、前記層間絶縁膜が前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われる。この例では、前記走査線によって生じる段差部の近傍が前記層間絶縁膜で覆われているので、現像液の前記透過電極への到達が前記層間絶縁膜によって防止される。その結果、電池腐食反応の防止の確実性がいっそう増すという利点がある。

この例では、好ましくは、前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させる透過領域に相当する幅を有すると共に前記走査線に沿って延在する帯状の透孔を有する。

（２） 本発明の第２の観点による半透過型液晶表示装置は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されているか、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ未満に設定されており、
前記層間絶縁膜が、前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われていることを特徴とするものである。

本発明の第２の観点による半透過型液晶表示装置では、上述したように、前記層間絶縁膜が、前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われているため、前記反射電極と前記バリアメタル膜をパターン化する工程において、前記バリアメタル膜に生じたクラックを介して現像液が前記透過電極の近傍に浸出してきても、前記層間絶縁膜によって遮られ、前記透過電極までは到達しない。

よって、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されていたり、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていて両者の距離が２μｍ未満に設定されていたりしても、前記層間絶縁膜の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がない。その結果、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第２の観点による半透過型液晶表示装置の好ましい例では、前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆うようにする。この例では、前記層間絶縁膜用のマスクパターンが容易に作製できるという利点がある。

（３） 本発明の第３の観点による半透過型液晶表示装置は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が半導体膜で覆われており、その半導体膜は、前記走査線と重ねられていると共に当該走査線に沿って延在していることを特徴とするものである。

本発明の第３の観点による半透過型液晶表示装置では、上述したように、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が半導体膜で覆われており、その半導体膜は、前記走査線と重ねられていると共に当該走査線に沿って延在しているため、前記反射電極と前記バリアメタル膜をパターン化する工程において、前記バリアメタル膜に生じたクラックを介して現像液が前記透過電極の近傍に浸出してきても、前記半導体膜によって遮られ、前記透過電極までは到達しない。また、前記半導体膜は、ＴＦＴ用の半導体膜を利用して形成することができる。

よって、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されていたり、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていて両者の距離が２μｍ未満に設定されていたりしても、ＴＦＴ用の半導体膜の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がない。その結果、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第３の観点による半透過型液晶表示装置の好ましい例では、前記層間絶縁膜が、前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われる。この例では、前記半導体膜に加えて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が、前記層間絶縁膜によって覆われるので、電池腐食反応の防止の確実性がいっそう増すという利点がある。

（４） 本発明の第４の観点による半透過型液晶表示装置は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上で複数の前記走査線の各々に隣接して当該走査線に沿って延在する複数の共通電極線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極と、
前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つ共通電極と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆っており、
前記層間絶縁膜の前記共通電極の前記第２部分と重なる領域の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、且つ前記第２部分の幅に等しいかそれよりも小さく設定されており、
前記共通電極の前記第２部分の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、それらの幅の差は前記第２部分の両側においてそれぞれ２μｍ以上に設定されていることを特徴とするものである。

本発明の第４の観点による半透過型液晶表示装置では、上述したように、前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆っている。そして、前記層間絶縁膜の前記共通電極の前記第２部分と重なる領域の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、且つ前記第２部分の幅に等しいかそれよりも小さく設定されており、前記共通電極の前記第２部分の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、それらの幅の差は前記第２部分の両側においてそれぞれ２μｍ以上に設定されている。このため、前記反射電極と前記バリアメタル膜をパターン化する工程において、前記バリアメタル膜に生じたクラックを介して現像液が前記共通電極の近傍に浸出してきても、前記層間絶縁膜によって遮られ、前記共通電極までは到達しない。

よって、前記信号線と前記共通電極と前記層間絶縁膜の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がない。その結果、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

（５） 本発明の第５の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置を製造する方法において、
前記基板上に前記透過電極用の導電膜を形成する工程と、
前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ以上に設定されるように、前記導電膜をパターン化する工程と
を備えたことを特徴とするものである。

本発明の第５の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法では、上述したように、前記基板上に前記透過電極用の導電膜を形成してから、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ以上に設定されるように、前記導電膜をパターン化する。よって、本発明の第１の観点による半透過型液晶表示装置を製造することが可能である。

また、前記透過電極の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がないから、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第５の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が３μｍ以上に設定される。この例では、電池腐食反応の防止の確実性がいっそう増すという利点がある。

本発明の第５の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法の他の好ましい例では、前記透過電極とそれに対応する前記信号線との距離も２μｍ以上（より好ましくは３μｍ以上）に設定される。前記バリアメタル膜のクラックは、前記信号線によって生じる段差部の近傍にも生じるが、この例では、そのような場合にも電池腐食反応が防止できるという利点がある。

本発明の第５の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程をさらに含む。この例では、前記走査線によって生じる段差部の近傍が前記層間絶縁膜で覆われるので、現像液の前記透過電極への到達が前記層間絶縁膜によって防止される。その結果、電池腐食反応の防止の確実性がいっそう増すという利点がある。

この例では、好ましくは、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程において、前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させる透過領域に相当する幅を有すると共に前記走査線に沿って延在する帯状の透孔を有するようにパターン化される。

（６） 本発明の第６の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置を製造する方法において、
前記基板上に前記透過電極用の導電膜を形成する工程と、
前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されているか、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ未満に設定されるように、前記導電膜をパターン化する工程と、
前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程と
を備えたことを特徴とするものである。

本発明の第６の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法では、上述したように、前記基板上に前記透過電極用の導電膜を形成してから、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されているか、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ未満に設定されるように、前記導電膜をパターン化する。さらに、前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う。よって、本発明の第２の観点による半透過型液晶表示装置を製造することが可能である。

また、前記透過電極と前記層間絶縁膜の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がないから、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第６の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆うようにパターン化される。この例では、前記層間絶縁膜用のマスクパターンが容易に作製できるという利点がある。

（７） 本発明の第７の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置の製造方法において、
前記基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記半導体膜で覆われ、且つその半導体膜が前記走査線と重なると共に当該走査線に沿って延在するように、前記半導体膜をパターン化する工程とを備えたことを特徴とするものである。

本発明の第７の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法では、上述したように、前記基板上に半導体膜を形成してから、前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記半導体膜で覆われ、且つその半導体膜が前記走査線と重なると共に当該走査線に沿って延在するように、前記半導体膜をパターン化する。よって、本発明の第３の観点による半透過型液晶表示装置を製造することが可能である。

また、前記半導体膜は、ＴＦＴ用の半導体膜を利用して形成することができるから、ＴＦＴ用半導体膜の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がないから、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第７の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法の好ましい例では、前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程をさらに含む。この例では、前記半導体膜に加えて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が、前記層間絶縁膜によって覆われるので、電池腐食反応の防止の確実性がいっそう増すという利点がある。

（８） 本発明の第８の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法は、
基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
前記基板上で複数の前記走査線の各々に隣接して当該走査線に沿って延在する複数の共通電極線と、
前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極と、
前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つ共通電極と、
前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置の製造方法において、
前記基板上に前記共通電極用の導電膜を形成する工程と、
前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つように、前記共通電極用の導電膜をパターン化する工程と、
前記基板上に前記層間絶縁膜用の絶縁膜を形成する工程と、
前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて前記基板の全面を覆うように、前記層間絶縁膜用の絶縁膜をパターン化する工程とを備え、
前記共通電極用の導電膜をパターン化する工程では、前記層間絶縁膜の前記共通電極の前記第２部分と重なる領域の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、且つ前記第２部分の幅に等しいかそれよりも小さく設定され、
前記層間絶縁膜用の絶縁膜をパターン化する工程では、前記共通電極の前記第２部分の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、それらの幅の差は前記第２部分の両側においてそれぞれ２μｍ以上に設定されることを特徴とするものである。

本発明の第８の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法では、上述したように、前記基板上に前記共通電極用の導電膜を形成してから、前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つように、前記共通電極用の導電膜がパターン化する。また、前記基板上に前記層間絶縁膜用の絶縁膜を形成してから、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて前記基板の全面を覆うように、前記層間絶縁膜用の絶縁膜をパターン化する。そして、前記共通電極用の導電膜をパターン化する工程では、前記層間絶縁膜の前記共通電極の前記第２部分と重なる領域の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、且つ前記第２部分の幅に等しいかそれよりも小さく設定され、前記層間絶縁膜用の絶縁膜をパターン化する工程では、前記共通電極の前記第２部分の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、それらの幅の差は前記第２部分の両側においてそれぞれ２μｍ以上に設定される。よって、本発明の第４の観点による半透過型液晶表示装置を製造することが可能である。

また、前記共通電極と前記層間絶縁膜の形状（パターン）を変更するだけで電池腐食反応を防止することが可能となり、製造工程を大幅に変更する必要がないから、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することが可能となる。

本発明の第１〜第４の観点による半透過型液晶表示装置によれば、電池腐食反応による透過電極の還元・腐食を簡単な方法で効果的に抑制することができる、という効果が得られる。

本発明の第５〜第８の観点による半透過型液晶表示装置の製造方法によれば、それぞれ、本発明の第１〜第４の観点による半透過型液晶表示装置を容易に製造することができる、という効果が得られる。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の概略構成を示す部分平面図であり、図２はそのＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図である。図３〜図９は、それぞれ、当該ＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す、図１と同様の部分平面図である。図１０は、バリアメタル膜と反射電極を形成する工程を示すＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図である。図１１〜図１２は、それぞれ、バリアメタル膜と反射電極を形成する工程を示すＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図である。これらの図はいずれも、一つの画素領域Ｐについてのみ示している。

図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板は、透明絶縁性基板としてのガラス基板１０を有しており、その上に複数の走査線１１と複数の信号線１３が形成されている。走査線１１は、図１の左右方向に延在していると共に、図１の上下方向に等間隔で配置されている。走査線１１及びゲート電極は、ゲート絶縁膜２１によって覆われている。信号線１３は、図１の上下方向に延在していると共に、図１の左右方向に等間隔で配置されている。信号線１３は、ゲート絶縁膜２１の上に形成されたパッシベーション膜２２によって覆われている。

一画素に対応する画素領域Ｐは、走査線１１と信号線１３によって画定された略矩形の領域である。画素領域Ｐは、透過領域Ｔと反射領域Ｒに分割されており、透過領域Ｔには略矩形にパターン化された透過電極１４が配置（露出）され、反射領域Ｒには略矩形にパターン化された反射電極１６が配置されている。したがって、透過電極１３と反射電極１４とが、画素領域Ｐの画素電極を構成している。

反射領域Ｒでは、パッシベーション膜２２上に略矩形にパターン化された感光性層間絶縁膜１５が形成され、感光性層間絶縁膜１５の上に略矩形にパターン化された導電性のバリアメタル膜２３形成されている。略矩形にパターン化された反射電極１４は、バリアメタル膜２３上に形成されている。

バリアメタル膜２３は、その透過電極１４側の下端部で透過電極１４に接触しており、その上面で反射電極１４に接触しているので、透過電極１４と反射電極１６はバリアメタル膜２３を介して電気的に相互接続されている。

反射領域Ｒには、反射電極１６の下方にＴＦＴが形成されている。（ＴＦＴについては、後述の製造方法の説明の際に説明する。）走査線１１と信号線１３の交差部の各々に配置されている島状の半導体膜１２ａは、ゲート絶縁膜２１を介して対向する走査線１１と信号線１３の間に生じる寄生容量を低減するためのものである。半導体膜１２ａは、後述するように、ＴＦＴの活性層として機能する島状の半導体膜と同じ半導体材料で形成されている。

図１に明瞭に示すように、反射電極１６から露出している透過電極１４は、当該画素領域Ｐを画定する２本の走査線１１と２本の信号線１３のうち透過電極１４の端縁に沿って延在するもの（すなわち図１の上方にある走査線１１と左右の信号線１３）から、距離Ｂだけ離れて形成されている。透過電極１４はまた、半導体膜１２ａからも距離Ｂだけ離れている。距離Ｂは、ここでは２μｍ以上に設定されているが、より好ましくは３μｍ以上に設定される。

次に、図３〜図１２を参照しながら、以上の構成を持つ本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法について説明する。

最初に、図３に示すように、ガラス基板１０上に直接、または適当な絶縁膜を介して、ゲート電極１１ａと走査線（ゲート線）１１を形成する。例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、ＴｉもしくはＣｕまたはその合金の膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて当該金属膜をパターニングすることにより、相互に一体化されたゲート電極１１ａと走査線１１を得る。図３の左右方向に延在するこれらの走査線１１は、図３の上下方向に等間隔で配置されている。

続いて、ＣＶＤ法により、ガラス基板１０の全面にわたってゲート絶縁膜２１（図２を参照）としてのＳｉＮ_x膜を形成して、ゲート電極１１ａと走査線１１を覆う。その後、ノンドープのａ−Ｓｉ膜と、燐（Ｐ）ドープのｎ型ａ−Ｓｉ膜をこの順に形成し、これら二つのａ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターン化して、図４に示すように複数の島状の半導体膜１２及び１２ａを形成する。

当該画素領域Ｐにおいて、ゲート電極１１ａと重なった半導体膜１２は、ＴＦＴの活性層として使用される。走査線１１と重なった半導体膜１２ａは、後に形成される信号線（データ線）１３と重なる位置にある。半導体膜１２ａは、走査線１１と信号線１３の間の寄生容量を抑制するために設けられているものであるから、省略してもよい。

次に、半導体膜１２及び１２ａの上に、走査線１１と同様の金属膜を形成した後、それをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターン化して、図５に示すように、信号線１３、ソース電極１３ｓ及びドレイン電極１３ｄを形成する。ソース電極１３ｓとドレイン電極１３ｄは、半導体膜１２と部分的に重なっており、ゲート電極１１ａ及びゲート絶縁膜２１と共にＴＦＴ２５を構成する。ドレイン電極１３ｄは、当該画素領域Ｐに対応する信号線１３と一体化されている。図５の上下方向に延在するこれらの信号線１３は、図５の左右方向に等間隔で配置されており、走査線１１と共にマトリックスを構成している。

次に、ガラス基板１０の全面にわたって、ゲート絶縁膜２１上にパッシベーション膜２２（図２を参照）を形成し、ＴＦＴ２５と信号線１３を覆う。その後、図６に示すように、ソース電極１３ｓと重なる位置において、エッチング法によりパッシベーション膜２２にコンタクトホール２２ａを形成する。パッシベーション膜２２としては、例えばＳｉＮ_x膜が好適に使用される。

次に、パッシベーション膜２２上にＩＴＯ膜を形成してからこれをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングし、図７に示すように、透過電極１４を形成する。この時、透過電極１４は、パッシベーション膜２２のコンタクトホール２２ａを介してソース電極１３ｓに接触せしめられる。こうして、透過電極１４はソース電極１３ｓに電気的に接続される。この時、透過電極１４の端部は、当該画素領域Ｐに隣接する走査線１１（ＴＦＴ２５と反対側（図７では上方）にある）と、当該端部に隣接する二つの半導体膜１２ａとから、距離Ｂだけ離れており、その走査線１１及び半導体膜１２ａとは重なっていない。この点は、図３６に示した従来の半透過型液晶表示装置の場合とは異なっている。また、透過電極１４の端部は、当該画素領域Ｐに対応する信号線１３（図７の右側にある）及びこれに隣接する信号線１３（図７の左側にある）からも距離Ｂだけ離れており、両信号線１３とも重なっていない。この点は、図３６に示した従来の半透過型液晶表示装置の場合と同じである。

次に、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に感光性有機樹脂膜（例えば感光性アクリル樹脂膜）を形成した後、これを選択的に露光・現像して、図８に示すように、表面に凹凸を有する感光性層間絶縁膜１５を形成する。感光性層間絶縁膜１５は、略矩形の平面パターンを有しており、当該画素領域Ｐの内部で、ＴＦＴ２５の全体と、透過電極１４のＴＦＴ２５の近傍にある部分とを覆っている。感光性層間絶縁膜１５は、当該画素領域Ｐに対応する走査線１１（図８では下方にある）の一部も覆っている。

次に、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に、バリアメタル膜２３用のＭｏあるいはＭｏ合金等の金属膜を形成し、その上に続いて反射電極１６用のＡｌあるいはＡｌ合金等の金属膜を形成する。その後、反射電極１６用の金属膜上に所定パターンを持つフォトレジスト膜を形成し、それをマスクとしてこれら二つの金属膜をエッチングして、図９及び図１０に示すように、感光性層間絶縁膜１５上にバリアメタル膜２３及び反射電極１６を選択的に形成する。

バリアメタル膜２３及び反射電極１６は、感光性層間絶縁膜１５と略同一の形状で、それより少し小さい平面パターンを有している。バリアメタル膜２３は、当該画素領域Ｐの内部において、透過電極１４側の下端部で透過電極１４と接触しており、この接触により、バリアメタル膜２３と透過電極１４とは電気的に相互接続されている。バリアメタル膜２３上に形成された反射電極１６は、両者の接触により電気的に相互接続されているので、反射電極１６はバリアメタル膜２３を介して透過電極１４に電気的に接続されていることになる。

感光性層間絶縁膜１５の表面には、凹凸が形成されている（図２参照）ので、それを反映して反射電極１６にも凹凸が形成されている。反射電極１６の凹凸は、入射光の反射効果を高めるためのものである。

以上のようにして、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板が完成する。このＴＦＴアレイ基板は、所定間隔で対向基板（図示せず）と接合され、さらに両基板間の間隙に液晶層を配置して密封することにより、液晶パネルが得られる。そして、この液晶パネルにバックライトを組み込めば、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置が得られる。

この半透過型液晶表示装置は、画素電極（すなわち透過電極１４及び反射電極１６）と対向電極との間に信号電圧を印加し、液晶層中の液晶分子の配向状態を変化させることによって所望の画像を表示する。透過モードでは、バックライトから放射された光を透過電極１４を介して液晶層に透過させて画像を表示する。反射モードでは、反射電極１６で反射した外光を液晶層に透過させて画像を表示する。したがって、透過モードと反射モードでは、液晶層を透過して伝播する光の距離に差が生じてしまう。しかし、この半透過型液晶表示装置では、透過電極１４と反射電極１６の間に段差（ガラス基板１０からの高さの差）が形成されており、それによって両モードでの光路長を等しくすることができる。

ところで、バリアメタル膜２３と反射電極１６を形成する工程は、図１１〜図１２のようにして実施されるが、バリアメタル膜２３の厚さは通常、０．２μｍ〜０．４μｍ程度と大きく設定される。これは、Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる反射電極１１６と、ＩＴＯ膜からなる透過電極１１４との距離をできるだけ大きくして、電池腐食反応が発生する確率を低下させるためであるが、そのバリアメタル膜２３の厚さに起因して、バリアメタル膜２３用のＭｏ、Ｍｏ合金等の金属膜２３ａと、反射電極１６用のＡｌ、Ａｌ合金等の金属膜１６ａを、パッシベーション膜２２上に重ねて形成した時には、図１１に示すように、走査線１１の近傍（換言すれば、走査線１１に起因してガラス基板１０上に生じる段差の近傍）において金属膜２３ａにクラック３０が生じやすい。同様のクラック３０は、金属膜２３ａだけでなく、その上位にある金属膜１６ａや、その下位にある透過電極１４、パッシベーション膜２２、そしてゲート絶縁膜２１にも生じ得る。

続いて、金属膜２３ａと金属膜１６ａをパターニングしてバリアメタル膜２３と反射電極１６を形成する際には、図１２に示すように、金属膜１６ａ上にフォトレジスト膜２４を形成し、それを適当なマスクを用いて選択的に露光してから強アルカリの現像液中に浸漬し、あるいはフォトレジスト膜２４上に同現像液をシャワー状に落下させることにより、フォトレジスト膜２４の感光部を除去する。こうして図１２に示す状態が得られる。この時、ＡｌまたはＡｌ合金からなる金属膜１６ａは当該現像液に接触するが、ＩＴＯ膜よりなる透過電極１６は当該現像液には接触しないはずであるが、従来の半透過型液晶表示装置の場合には、クラック１３０の存在により、当該現像液はクラック３０を介して透過電極１４まで到達していた。しかし、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、透過電極１４の端部が走査線１１及び信号線１３から距離Ｂだけ離されているため、クラック３０を通じて当該現像液がパッシベーション膜２２まで到達したとしても、そこには透過電極１４は存在せず、したがって当該現像液と金属膜１６ａと透過電極１４によって電池回路が形成されることがない。その結果、透過電極１４の還元・腐食が防止され、「点欠陥」と呼ばれる画素不良も防止される。

図１３は、透過電極１４と、それに隣接・対向する走査線１１（または信号線１３）との距離Ｂの測定法について示す説明図である。図１３（ｂ）のように、透過電極１４がそれに隣接・対向する走査線１１（または信号線１３）と重なっていない場合、両者の距離Ｂは正（＋）の値を持つとする。これに対し、図１３（ａ）のように、透過電極１４がそれに隣接・対向する走査線１１（または信号線１３）と重なっている場合、両者の距離Ｂは負（−）の値を持つとする。本発明者の研究によれば、図１３（ｃ）のように、距離Ｂが−２μｍ〜＋１μｍでは、透過電極１４の還元反応が見られたが、距離Ｂが＋２μｍと＋３μｍでは、透過電極１４の還元反応が見られなかった。したがって、距離Ｂは＋２μｍ以上であればよいことが分かった。

上述したように、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板では、透過電極１４の端部が走査線１１及び信号線１３から距離Ｂ（＝＋２μｍ以上）だけ離されているため、クラック３０を通じて当該現像液がパッシベーション膜２２まで到達したとしても、そこには透過電極１４は存在せず、したがって当該現像液と金属膜１６ａ（反射電極１６）と透過電極１４によって電池回路が形成されることがない。その結果、透過電極１４の還元・腐食が確実に防止され、「点欠陥」と呼ばれる画素不良も確実に防止される。

なお、この第１実施形態では、透過電極１４をＩＴＯ膜より形成した場合について説明しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、透過電極を電池反応が生じるＩＴＯ以外の材料、例えばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料によって形成した場合にも適用が可能である。これは以下の他の実施形態及び変形例についても同様である。

（第２実施形態）
図１４〜図１７は、それぞれ、本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図であり、図１８は、図１７のＡ２−Ａ２線に沿った部分断面図である。これらの図も、一つの画素領域Ｐについてのみ示している。

本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、上述したように、透過電極１４の端部が走査線１１及び信号線１３から距離Ｂ（＝＋２μｍ以上）だけ離されているが、そのような構成にできない場合、つまり、透過電極１４の端部と走査線１１との距離Ｂを２μｍ未満にしなければならない場合や、透過電極１４の端部を走査線１１に重ねなければならない場合がある。本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置は、これらの場合に対応できるものである。

まず、第１実施形態の製造方法と同様にして、ガラス基板１０上に相互に一体化されたゲート電極１１ａと走査線１１を形成した後、ガラス基板１０の全面にわたってゲート絶縁膜２１を形成して、ゲート電極１１ａと走査線１１を覆う。その後、ゲート絶縁膜２１上に、複数の島状の半導体膜１２及び１２ａを形成する。次に、半導体膜１２及び１２ａの上に、ソース電極１３ｓ及びドレイン電極１３ｄと、ドレイン電極１３ｄと一体化された信号線１３を形成する。次に、ガラス基板１０の全面にわたってゲート絶縁膜２１上にパッシベーション膜２２を形成して、ＴＦＴ２５と信号線１３を覆う。そして、ソース電極１３ｓと重なる位置においてパッシベーション膜２２にコンタクトホール２２ａを形成する。この時の状態は図１４（これは図６と同じである）に示すようになる。

次に、パッシベーション膜２２上にＩＴＯ膜を形成してからこれをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングし、図１５に示すように、透過電極１４Ａを形成する。透過電極１４Ａは、パッシベーション膜２２のコンタクトホール２２ａを介してソース電極１３ｓに接触せしめられ、それによって透過電極１４Ａはソース電極１３ｓに電気的に接続される。この時、透過電極１４Ａの端部は、第１実施形態における透過電極１４とは異なり、当該画素領域Ｐに隣接する走査線１１（ＴＦＴ２５と反対側（図７では上方）にある）に部分的に重なっている。この構成は、従来の半透過型液晶表示装置における図３６の構成と同じである。

透過電極１４Ａの端部は、当該画素領域Ｐに対応する信号線１３（図７の右側にある）及びこれに隣接する信号線１３（図７の左側にある）からも離れており、両信号線１３とは重なっていない。信号線１３との距離は、この点も、図３６に示した従来の半透過型液晶表示装置の場合と同じである。

続いて、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に感光性有機樹脂膜を形成した後、これを選択的に露光・現像して、図１６に示すように、表面に凹凸を有する感光性層間絶縁膜１５Ａを形成する。感光性層間絶縁膜１５Ａは、第１実施形態における感光性層間絶縁膜１５とは異なり、透過電極１４Ａを露出させて透過領域Ｔを形成するための略矩形の窓１５Ａａの部分を除いて、ガラス基板１０の全面（走査線１１、半導体膜１２ａ、信号線１３、ＴＦＴ２５を含む）を覆っている。換言すれば、感光性層間絶縁膜１５Ａは、感光性有機樹脂膜に各透過領域Ｔに対応する窓１５Ａａを形成したものに等しい。

その後は第１実施形態の場合と同じである。すなわち、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に、バリアメタル膜２３用のＭｏあるいはＭｏ合金等の金属膜２３ａを形成し、その上に続いて反射電極１６用のＡｌあるいはＡｌ合金等の金属膜１６ａを形成する。その後、反射電極１６用の金属膜１６ａ上に所定パターンを持つフォトレジスト膜２４を形成し、それをマスクとしてこれら二つの金属膜１６ａ及び２３ａをエッチングして、図１７及び図１８に示すように、感光性層間絶縁膜１５Ａ上にバリアメタル膜２３及び反射電極１６を選択的に形成する。

第１実施形態では、バリアメタル膜２３及び反射電極１６の形状は略矩形であり、感光性層間絶縁膜１５Ａも略矩形であったが、図１７及び図１８から分かるように、第２実施形態では、バリアメタル膜２３及び反射電極１６の形状は感光性層間絶縁膜１５Ａの形状とは大きく異なっている。しかし、それ以外の構成は同じである。すなわち、バリアメタル膜２３は、当該画素領域Ｐの内部において、透過電極１４側の下端部で透過電極１４と接触しており、この接触により、バリアメタル膜２３と透過電極１４とは電気的に相互接続されている。バリアメタル膜２３上に形成された反射電極１６は、両者の接触により電気的に相互接続されているので、反射電極１６はバリアメタル膜２３を介して透過電極１４に電気的に接続されていることになる。感光性層間絶縁膜１５Ａの表面に形成された凹凸を反映して、バリアメタル膜２３と反射電極１６には、入射光の反射効果を高めるための凹凸が形成されている。

以上のようにして、本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板が完成する。このＴＦＴアレイ基板は、所定間隔で対向基板（図示せず）と接合され、さらに両基板間の間隙に液晶層を配置して密封することにより、液晶パネルが得られる。そして、この液晶パネルにバックライトを組み込めば、本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置が得られる。

本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、第１実施形態とは異なり、感光性層間絶縁膜１５Ａが、透過電極１４Ａを露出させて透過領域Ｔを形成するための略矩形の窓１５Ａａの部分を除いて、ガラス基板１０の全面を覆っている。つまり、感光性層間絶縁膜１５Ａが、反射領域Ｒだけでなく透過電極１４Ａの走査線１１の近傍をも覆っている。このため、走査線１１の近傍においてバリアメタル膜２３にクラック３０が生じても、その下方に厚い（通常１μｍ〜３μｍとされる）感光性層間絶縁膜１５Ａが存在する（図１８参照）ため、バリアメタル膜２３のクラック３０を通じて透過電極１４Ａ側に浸み出してきた現像液は、感光性層間絶縁膜１５Ａによって確実に阻止される。したがって、走査線１１の近傍の段差部に透過電極１４Ａが存在していても、前記現像液を介して電池反応が生じる恐れがない。

このように、本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、透過電極１４Ａの端部を走査線１１及び信号線１３に起因する段差部から２μｍ以上離すことができない（図１８のように距離Ｂの値が負である）場合であっても、現像液を介して反射電極１６と透過電極１４Ａによって電池回路が形成されることがない。その結果、透過電極１４Ａの還元・腐食が確実に防止され、「点欠陥」と呼ばれる画素不良も確実に防止される。

なお、本第２実施形態で使用した感光性層間絶縁膜１５Ａは、第１実施形態のように、透過電極１４Ａの端部を走査線１１及び信号線１３に起因する段差部から２μｍ以上離すことができる場合にも、適用可能である。

（第３実施形態）
図１９〜図２０は、それぞれ、本発明の第３実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。これらの図も、一つの画素領域Ｐについてのみ示している。この第３実施形態は、第２実施形態の変形例に相当するものであるが、第１実施形態の変形例ということもできる。

まず、第１実施形態の製造方法と同様にして、図１９の構造（これは図７と同じである）を得る。その後、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に感光性有機樹脂膜を形成した後、これを選択的に露光・現像して、図２０に示すように、表面に凹凸を有する感光性層間絶縁膜１５Ｂを形成する。

感光性層間絶縁膜１５Ｂは、第２実施形態での感光性層間絶縁膜１５Ａとは異なり、透過電極１４Ａを露出させるための略矩形の窓１５Ａａと同じ幅を持つと共に、図２０の左右方向に（つまり走査線１１に沿って）延在する複数の帯状の透孔１５Ｂａを設けたものである。したがって、感光性層間絶縁膜１５Ｂからは、透過電極１４だけでなく信号線１３も露出している。

その後は第１実施形態の場合と同様にして、感光性層間絶縁膜１５Ａ上にバリアメタル膜２３及び反射電極１６を形成する。この時の状態は図２０に示すとおりである。なお、図２０のＡ３−Ａ３線に沿った断面は、透過電極１４が図１０のように走査線１１から離れて形成されている点を除いて、図１８と同じであるので、ここでは省略している。

第３実施形態においても、バリアメタル膜２３及び反射電極１６の形状は、感光性層間絶縁膜１５Ｂの形状とは大きく異なっている。しかし、それ以外の構成は、第１実施形態の場合と同じである。すなわち、バリアメタル膜２３は、当該画素領域Ｐの内部において、透過電極１４側の端部で透過電極１４と接触しており、この接触により、バリアメタル膜２３と透過電極１４とは電気的に相互接続されている。バリアメタル膜２３上に形成された反射電極１６は、両者の接触により電気的に相互接続されているので、反射電極１６はバリアメタル膜２３を介して透過電極１４に電気的に接続されていることになる。感光性層間絶縁膜１５Ａの表面に形成された凹凸を反映して、バリアメタル膜２３と反射電極１６には、入射光の反射効果を高めるための凹凸が形成されている。

以上のようにして、本発明の第３実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板が完成する。その後の工程は、第１実施形態の場合と同じである。こうして、本発明の第３実施形態に係る半透過型液晶表示装置が得られる。

以上説明したように、本発明の第３実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、透過電極１４の端部が、当該画素領域Ｐを画定する２本の走査線１１と２本の信号線１３のうち透過電極１４の端縁に沿って延在するもの（すなわち図１９の上方にある走査線１１と左右の信号線１３）から、距離Ｂ（＝２μｍ以上）だけ離れて形成されているだけでなく、透過電極１４の劣化や消失が起こりやすい走査線１１の近傍が感光性層間絶縁膜１５Ｂで覆われているので、第１実施形態の場合よりも電池反応がいっそう生じにくい、という利点がある。

なお、第３実施形態で使用した感光性層間絶縁膜１５Ｂからも分かるように、感光性層間絶縁膜の平面形状（パターン）は、第１実施形態で使用した感光性層間絶縁膜１５のように島状である必要はなく、必要に応じて変更が可能である。

（第４実施形態）
図２１〜図２２は、本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図であり、図２３は図２２のＡ４−Ａ４線に沿った部分断面図である。これらの図も、一つの画素領域Ｐについてのみ示している。

本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置の構成は、第１実施形態において走査線１１と信号線１３の交差部に配置された島状の半導体膜１２ａを利用して、クラック３０が生じやすい走査線１１の近傍を半導体膜１２ｃで覆っている点を除き、第２実施形態と同じである。よって、ここでは主として相違点について述べる。

まず、第１実施形態の製造方法と同様にして、ガラス基板１０上に相互に一体化されたゲート電極１１ａと走査線１１を形成した後、ガラス基板１０の全面にわたってゲート絶縁膜２１を形成して、ゲート電極１１ａと走査線１１を覆う。その後、複数の島状の半導体膜１２と、略帯状の半導体膜１２ｂを形成する。半導体膜１２ｂは、図２１に示すように、第２実施形態において走査線１１と信号線１３の交差部に配置された当該画素領域Ｐに対応する二つの島状の半導体膜１２ａを相互接続して帯状としたものに相当する。

次に、半導体膜１２及び１２ｂの上に、ソース電極１３ｓ及びドレイン電極１３ｄと、ドレイン電極１３ｄと一体化された信号線１３を形成する。次に、ガラス基板１０の全面にわたって、ゲート絶縁膜２１上にパッシベーション膜２２を形成してＴＦＴ２５と信号線１３を覆ってから、ソース電極１３ｓと重なる位置においてパッシベーション膜２２にコンタクトホール２２ａを形成する。

画素領域Ｐにおいて、半導体膜１２ｂは、隣接する二つの信号線１３の間で各走査線１１をその全長にわたって覆っている。半導体膜１２ｂの走査線１１と信号線１３の交差部にある部分は、第１実施形態における半導体膜１２ａに相当する。半導体膜１２ａに相当する部分以外では、半導体膜１２ｂの幅は走査線１１のそれより小さく、そこでは走査線１１が露出している。

次に、パッシベーション膜２２上にＩＴＯ膜を形成してからこれをパターニングし、透過電極１４Ａを形成する。この時、透過電極１４Ａは、パッシベーション膜２２のコンタクトホール２２ａを介してソース電極１３ｓに接触せしめられる。こうして、透過電極１４Ａはソース電極１３ｓに電気的に接続される。この時、透過電極１４Ａの端部は、第１実施形態の場合とは異なり、当該画素領域Ｐに隣接する走査線１１に重なっている。したがって、この構成は、従来の半透過型液晶表示装置における図３６の構成と同じである。

透過電極１４Ａの端部は、当該画素領域Ｐに対応する信号線１３（図２２の右側にある）及びこれに隣接する信号線１３（図２２の左側にある）からも離れており、両信号線１３とは重なっていない。信号線１３との距離は、この点は、図３６に示した従来の半透過型液晶表示装置の場合と同じである。

続いて、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に感光性有機樹脂膜を形成した後、これを選択的に露光・現像して、図２２及び図２３に示すように、表面に凹凸を有する感光性層間絶縁膜１５Ｃを形成する。感光性層間絶縁膜１５Ｃは、第１実施形態での感光性層間絶縁膜１５と同様に島状であるが、その一端が半導体膜１２ｂと透過電極１４Ａの上に重なっている。

その後は第１実施形態の場合と同じである。すなわち、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に、バリアメタル膜２３用のＭｏあるいはＭｏ合金等の金属膜２３ａを形成し、その上に続いて反射電極１６用のＡｌあるいはＡｌ合金等の金属膜１６ａを形成する。その後、反射電極１６用の金属膜１６ａ上に所定パターンを持つフォトレジスト膜２４を形成し、それをマスクとしてこれら二つの金属膜１６ａ及び２３ａをエッチングして、感光性層間絶縁膜１５Ｃ上にバリアメタル膜２３及び反射電極１６を選択的に形成する。

本第４実施形態においても、第２実施形態と同様に、バリアメタル膜２３及び反射電極１６の形状は、感光性層間絶縁膜１５Ｃの形状とは大きく異なっている。しかし、それ以外の構成は同じである。すなわち、バリアメタル膜２３は、当該画素領域Ｐの内部において、透過電極１４側の端部で透過電極１４と接触しており、この接触により、バリアメタル膜２３と透過電極１４とは電気的に相互接続されている。バリアメタル膜２３上に形成された反射電極１６は、両者の接触により電気的に相互接続されているので、反射電極１６はバリアメタル膜２３を介して透過電極１４に電気的に接続されていることになる。感光性層間絶縁膜１５Ｃの表面に形成された凹凸を反映して、バリアメタル膜２３と反射電極１６には、入射光の反射効果を高めるための凹凸が形成されている。

以上のようにして、本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板が完成する。このＴＦＴアレイ基板は、所定間隔で対向基板（図示せず）と接合され、さらに両基板間の間隙に液晶層を配置して密封することにより、液晶パネルが得られる。そして、この液晶パネルにバックライトを組み込めば、本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置が得られる。

本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、第２実施形態と同様に、感光性層間絶縁膜１５Ｃが、反射領域Ｒだけでなく、隣接する透過電極１４Ａの走査線１１側の端部をも覆っているため、走査線１１の近傍においてバリアメタル膜２３にクラック３０が生じても、その下方に厚い（通常１μｍ〜３μｍとされる）感光性層間絶縁膜１５Ｃが存在するため、クラック３０を通じて浸み出してきた現像液は感光性層間絶縁膜１５Ｃによって阻止される。したがって、走査線１１の近傍の段差部に透過電極１４Ａが存在していても、前記現像液を介して電池反応が生じる恐れがない。

このように、本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、透過電極１４Ａの端部が走査線１１及び信号線１３に起因する段差部から２μｍ以上離すことができない（図１８のように距離Ｂの値が負である）場合であっても、現像液を介して反射電極１６と透過電極１４Ａによって電池回路が形成されることがない。その結果、透過電極１４Ａの還元・腐食が確実に防止され、「点欠陥」と呼ばれる画素不良も確実に防止される。

また、走査線１１上にそれに重なるように半導体膜１２ｂが配置され、その上に透過電極１４Ａと感光性層間絶縁膜１５Ｃが配置されているため、本第４実施形態は、走査線１１のテーパー角が悪い場合に有効である。

なお、本第４実施形態で使用した感光性層間絶縁膜１５Ｃは、第１実施形態のように、透過電極１４Ａの端部を走査線１１及び信号線１３に起因する段差部から２μｍ以上離すことができる場合にも、適用可能である。

（第５実施形態）
図２４〜図３０は、本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図であり、図３１は図３０のＣ−Ｃ線に沿った部分断面図である。これらの図はいずれも、一つの画素領域Ｐについてのみ示している。この半透過型液晶表示装置は、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）型（横電界型ともいう）である点で、上述した第１〜第４実施形態とは異なる。

最初に、図２４に示すように、ガラス基板１０上に、ゲート電極１１ａと走査線（ゲート線）１１と共通電極線１７を形成する。例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｏ、ＴｉもしくはＣｕまたはその合金の膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて当該金属膜をパターニングすることにより、相互に一体化されたゲート電極１１ａ及び走査線１１と、共通電極線１７が得られる。図２４の左右方向に延在する走査線１１と共通電極線１７は、いずれも、図２４の上下方向に等間隔で配置されている。

続いて、ＣＶＤ法により、ガラス基板１０の全面にわたってゲート絶縁膜２１としてのＳｉＮ_x膜を形成して、ゲート電極１１ａと走査線１１と共通電極線１７を覆う。その後、ノンドープのａ−Ｓｉ膜と、燐ドープのｎ型ａ−Ｓｉ膜をこの順に形成し、これら二つのａ−Ｓｉ膜をフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターン化して、図２５に示すように複数の島状の半導体膜１２及び１２ｃを形成する。当該画素領域Ｐにおいて、ゲート電極１１ａと重なった半導体膜１２は、ＴＦＴの活性層として使用される。走査線１１と重なった半導体膜１２ｃは、後に形成される信号線（データ線）１３と重なる位置にあり、走査線１１と共通電極線１７の双方と重なっている。半導体膜１２ｃは、走査線１１及び共通電極線１７と信号線１３との間の寄生容量を抑制するために設けられているものであるから、省略してもよい。

次に、半導体膜１２及び１２ｃの上に、走査線１１と同様の金属膜を形成した後、それをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターン化して、図２６に示すように、信号線１３、ソース電極１３ｓ及びドレイン電極１３ｄを形成する。ソース電極１３ｓとドレイン電極１３ｄは、半導体膜１２と部分的に重なっており、ゲート電極１１ａ及びゲート絶縁膜２１と共にＴＦＴ２５を構成する。ドレイン電極１３ｄは、当該画素領域Ｐに対応する信号線１３と一体化されている。図２６の上下方向に延在する信号線１３は、図２６の左右方向に等間隔で配置されており、走査線１１と共にマトリックスを構成している。

次に、ガラス基板１０の全面にわたって、ゲート絶縁膜２１上にパッシベーション膜２２を形成し、ＴＦＴ２５と信号線１３を覆う。その後、図２７に示すように、ソース電極１３ｓ及び共通電極線１７と重なる位置において、エッチング法によりパッシベーション膜２２にコンタクトホール２２ａ及び２２ｂをそれぞれ形成する。コンタクトホール２２ａはソース電極１３ｓと重なる位置にあり、コンタクトホール２２ｂは共通電極線１７と重なる位置にある。パッシベーション膜２２としては、例えばＳｉＮ_x膜が好適に使用される。

次に、パッシベーション膜２２上にＩＴＯ膜を形成してからこれをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングし、図２８に示すように、透過電極１４Ｂ及び共通電極１８を形成する。この時、透過電極１４Ｂは、パッシベーション膜２２のコンタクトホール２２ａを介してソース電極１３ｓに接触せしめられ、共通電極１８は、パッシベーション膜２２のコンタクトホール２２ｃを介して共通電極線１７に接触せしめられる。こうして、透過電極１４と共通電極１８は、ソース電極１３ｓと共通電極線１７にそれぞれ電気的に接続される。この時、透過電極１４Ｂの端部は、当該画素領域Ｐに隣接する走査線１１（ＴＦＴ２５と反対側（図２８では上方）にある）から、共通電極線１７の幅に相当する距離だけ離れており、その走査線１１とは重なっていない。また、透過電極１４Ｂの端部は、当該画素領域Ｐに対応する信号線１３（図２８の右側にある）及びこれに隣接する信号線１３（図２８の左側にある）からも十分な距離だけ離れており、両信号線１３とは重なっていない。

次に、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に感光性有機樹脂膜を形成した後、これを選択的に露光・現像して、図２９に示すように、表面に凹凸を有する感光性層間絶縁膜１５Ｄを形成する。感光性層間絶縁膜１５Ｄは、透過領域Ｔに対応する箇所に略矩形の窓１５Ｄａを有しており、それ以外の部分全体を覆っている。この点は、上述した第２実施形態の場合と同様である（図１６を参照）。窓１５Ｄａの両側では、感光性層間絶縁膜１５Ｄが帯状となって共通電極１８及び信号線１３と重なっている。この部分における寸法関係については、後述する。

次に、ガラス基板１０の全面にわたって、パッシベーション膜２２上に、バリアメタル膜２３用のＭｏあるいはＭｏ合金等の金属膜を形成し、その上に続いて反射電極１６用のＡｌあるいはＡｌ合金等の金属膜を形成する。その後、反射電極１６用の金属膜上に所定パターンを持つフォトレジスト膜を形成し、それをマスクとしてこれら二つの金属膜をエッチングして、図３０及び図３１に示すように、感光性層間絶縁膜１５Ｄ上にバリアメタル膜２３及び反射電極１６を選択的に形成する。

バリアメタル膜２３及び反射電極１６は、略矩形状のパターンを有していて、感光性層間絶縁膜１５Ｄのそれとは大きく異なっている。バリアメタル膜２３は、当該画素領域Ｐの内部において、透過電極１４側の端部で透過電極１４Ｂと接触しており、この接触により、バリアメタル膜２３と透過電極１４Ｂとは電気的に相互接続されている。バリアメタル膜２３上に形成された反射電極１６は、両者の接触により電気的に相互接続されているので、反射電極１６はバリアメタル膜２３を介して透過電極１４Ｂに電気的に接続されていることになる。

感光性層間絶縁膜１５Ｄの表面には、凹凸が形成されているので、それを反映して反射電極１６にも凹凸が形成されている。

以上のようにして、本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板が完成する。このＴＦＴアレイ基板は、所定間隔で対向基板（図示せず）と接合され、さらに両基板間の間隙に液晶層を配置して密封することにより、液晶パネルが得られる。そして、この液晶パネルにバックライトを組み込めば、本発明の第５実施形態に係るＩＰＳ型の半透過型液晶表示装置が得られる。

この半透過型液晶表示装置は、画素電極（透過電極１４Ｂ及び反射電極１６）と共通電極１８との間に信号電圧を印加し、液晶層中の液晶分子の配向状態をＴＦＴアレイ基板に平行な面内で変化させることによって所望の画像を表示する。透過モードでは、バックライトから放射された光を透過電極１４Ｂを介して液晶層に透過させて画像を表示する。反射モードでは、反射電極１６で反射した外光を液晶層に透過させて画像を表示する。

図３１は、図３０のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。本発明者の研究によれば、図３１における距離Ｅ、すなわち、共通電極１８（これはＩＴＯよりなる）の信号線１３に沿って延在する部分の幅と、共通電極１８と重なった信号線１３の幅との差の（１／２）は、その両側において、距離Ｂと同様に、２μｍ以上であることが必要であることが分かった。

また、図３１の距離Ｄ、すなわち感光性層間絶縁膜１５Ｄの信号線１３と重なっている帯状領域の幅と、信号線１３の幅との差の（１／２）は、０μｍ以上であり、且つ共通電極１８から外側（図３１では左右）にはみ出さないことが必要であることが分かった。つまり、感光性層間絶縁膜１５Ｄの帯状部分の幅が信号線１３の幅に等しいか、それよりも大きく、且つ共通電極１８の幅から外側にはみ出さないことが必要であることが判明した。

バリアメタル膜２３と反射電極１６を形成する工程は、第１実施形態で述べたのと同様にして実施される（図１１〜図１２参照）が、バリアメタル膜２３の厚さに起因して、バリアメタル膜２３用の金属膜２３ａにクラック３０が生じやすい。このクラック３０によって第１〜第４の実施形態の場合と同様の電池腐食反応が生じやすい箇所は、第１〜第４の実施形態の場合とは異なり、信号線１３（すなわち、信号線１３に起因する段差部）の近傍であることが分かった。そこで、共通電極１８と信号線１３とが重なり合っている箇所における距離Ｄ及びＥを、上記のように設定したものである。

本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置では、このように、共通電極１８と信号線１３とが重なり合っている箇所において、感光性層間絶縁膜１５Ｄと信号線１３の端縁間の距離Ｅが２μｍ以上とされ、しかも、共通電極１８と信号線１３の端縁間の距離Ｄが０μｍ以上とされ、且つ共通電極１８よりはみ出さないように設定されているため、クラック３０を通じて当該現像液が共通電極１８まで到達することがない。したがって当該現像液と反射電極１６と共通電極１８によって電池回路が形成されることがない。その結果、共通電極１８の還元・腐食が防止され、「点欠陥」と呼ばれる画素不良も防止される。

（変形例）
上述した第１〜第５の実施形態は本発明を具体化した例を示すものである。したがって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。

例えば、上記実施形態では、透過電極または共通電極をＩＴＯ膜より形成した場合について説明しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、電池反応が生じ得るものであれば、透過電極または共通電極をＩＺＯ等の他の透明導電膜によって形成した場合にも適用が可能である。

本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の概略構成を示す部分平面図である。 図１のＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図である。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３の続きである。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図４の続きである。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図５の続きである。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図６の続きである。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図７の続きである。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図８の続きである。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す、図１のＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図である。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法において、バリアメタル膜と反射電極を形成する工程を示す、図１のＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図である。 本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法において、バリアメタル膜と反射電極を形成する工程を示す、図１のＡ１−Ａ１線に沿った部分断面図で、図１１の続きである。 （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法において、走査線の端縁と、透過電極の走査線側の端縁との距離Ｂの算出方法を示す説明図であり、（ｃ）は、距離Ｂと還元反応の発生の有無との関係を示す表である。 本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。 本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図１４の続きである。 本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図１５の続きである。 本発明の第２実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図１６の続きである。 図１７のＡ２−Ａ２線に沿った部分断面図である。 本発明の第３実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。 本発明の第３実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図１９の続きである。 本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。 本発明の第４実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２１の続きである。 図２２のＡ４−Ａ４線に沿った部分断面図である。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２４の続きである。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２５の続きである。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２６の続きである。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２７の続きである。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２８の続きである。 本発明の第５実施形態に係る半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図２９の続きである。 図３０のＣ−Ｃ線に沿った部分断面図である。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図である。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３２の続きである。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３３の続きである。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３４の続きである。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３５の続きである。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３６の続きである。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す部分平面図で、図３７の続きである。 図３８のＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法において、ＩＴＯ膜（透過電極）が断線する様子を示す部分断面図である。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法において、ＩＴＯ膜（透過電極）が断線する様子を示す部分断面図で、図４０の続きである。 従来の半透過型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の製造方法において、ＩＴＯ膜（透過電極）が断線する様子を示す部分断面図で、図４１の続きである。

符号の説明

１０ ガラス基板
１１ 走査線
１１ａ ゲート電極
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ 半導体膜
１３ 信号線
１３ｓ ソース電極
１３ｄ ドレイン電極
１４、１４Ａ 透過電極
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ 感光性層間絶縁膜
１５Ａａ、１５Ｄａ 感光性層間絶縁膜の窓
１５Ｂａ 感光性層間絶縁膜の透孔
１６ 反射電極
１６ａ 反射電極用金属膜
１７ 共通電極線
１８ 共通電極
２１ ゲート絶縁膜
２２ パッシベーション膜
２２ａ、２２ｂ パッシベーション膜のコンタクトホール
２３ バリアメタル膜
２３ａ バリアメタル膜用金属膜
２４ フォトレジスト膜
２５ ＴＦＴ
３０ クラック
１１０ ガラス基板
１１１ 走査線
１１１ａ ゲート電極
１１２、１１２ａ 半導体膜
１１３ 信号線
１１３ｓ ソース電極
１１３ｄ ドレイン電極
１１４ 透過電極
１１５ 感光性層間絶縁膜
１１６ 反射電極
１１６ａ 反射電極用金属膜
１２１ ゲート絶縁膜
１２２ パッシベーション膜
１２２ａ パッシベーション膜のコンタクトホール
１２３ バリアメタル膜
１２３ａ バリアメタル膜用金属膜
１２４ フォトレジスト膜
１２５ ＴＦＴ
１３０ クラック
１４０ 透過電極の消失箇所
Ｔ 透過領域
Ｒ 反射領域
Ｐ 画素領域

Claims (20)

1. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
   前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
   前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
   前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
   前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ以上に設定されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
2. 前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が３μｍ以上に設定されている請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
3. 前記透過電極とそれに対応する前記信号線との距離も２μｍ以上に設定されている請求項１または２に記載の半透過型液晶表示装置。
4. 前記層間絶縁膜が前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われている請求項１〜３のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
5. 前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させる透過領域に相当する幅を有していると共に、前記走査線に沿って延在する帯状の透孔を有している請求項４に記載の半透過型液晶表示装置。
6. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
   前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
   前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
   前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
   前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されているか、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ未満に設定されており、
   前記層間絶縁膜が、前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
7. 前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆っている請求項６に記載の半透過型液晶表示装置。
8. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
   前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
   前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
   前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
   前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が半導体膜で覆われており、その半導体膜は、前記走査線と重ねられていると共に当該走査線に沿って延在していることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
9. 前記層間絶縁膜が前記走査線を覆うように形成されていて、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記層間絶縁膜で覆われている請求項８に記載の半透過型液晶表示装置。
10. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
    前記基板上で複数の前記走査線の各々に隣接して当該走査線に沿って延在する複数の共通電極線と、
    前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極と、
    前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つ共通電極と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
    前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置において、
    前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆っており、
    前記層間絶縁膜の前記共通電極の前記第２部分と重なる領域の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、且つ前記第２部分の幅に等しいかそれよりも小さく設定されており、
    前記共通電極の前記第２部分の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、それらの幅の差は前記第２部分の両側においてそれぞれ２μｍ以上に設定されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
11. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
    前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
    前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置を製造する方法において、
    前記基板上に前記透過電極用の導電膜を形成する工程と、
    前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ以上に設定されるように、前記導電膜をパターン化する工程と
    を備えたことを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
12. 前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が３μｍ以上に設定される請求項１１に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
13. 前記透過電極とそれに対応する前記信号線との距離が２μｍ以上に設定される請求項１１または１２に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
14. 前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程をさらに含む請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
15. 前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程において、前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させる透過領域に相当する幅を有すると共に前記走査線に沿って延在する帯状の透孔を有するようにパターン化される請求項１４に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
16. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
    前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
    前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置を製造する方法において、
    前記基板上に前記透過電極用の導電膜を形成する工程と、
    前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが部分的に重なって配置されているか、前記透過電極とそれに対応する前記走査線とが離れて配置されていると共に、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との距離が２μｍ未満に設定されるように、前記導電膜をパターン化する工程と、
    前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程と
    を備えたことを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
17. 前記層間絶縁膜が、前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて、前記基板の全面を覆うようにパターン化される請求項１６に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
18. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
    前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
    前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置の製造方法において、
    前記基板上に半導体膜を形成する工程と、
    前記画素領域の各々において、前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間が前記半導体膜で覆われ、且つその半導体膜が前記走査線と重なると共に当該走査線に沿って延在するように、前記半導体膜をパターン化する工程とを備えたことを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
19. 前記走査線を覆うように前記層間絶縁膜を形成し、もって前記透過電極とそれに対応する前記走査線との間の隙間を前記層間絶縁膜で覆う工程をさらに含む請求項１８に記載の半透過型液晶表示装置の製造方法。
20. 基板上に第１方向に沿って形成され且つ前記第１方向に直交する第２方向に所定間隔で配置された複数の走査線と、
    前記基板上で複数の前記走査線の各々に隣接して当該走査線に沿って延在する複数の共通電極線と、
    前記基板上に前記第２方向に沿って形成され且つ前記第１方向に所定間隔で配置された複数の信号線と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極と、
    前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つ共通電極と、
    前記走査線と前記信号線によって前記基板上に画定された複数の画素領域の各々に配置された透過電極及び反射電極とを備え、
    前記反射電極は、層間絶縁膜及びバリアメタル膜を介して前記基板上に配置されていると共に、前記バリアメタル膜を介して前記透過電極に電気的に接続されている半透過型液晶表示装置の製造方法において、
    前記基板上に前記共通電極用の導電膜を形成する工程と、
    前記共通電極線に沿って延在する第１部分と、前記信号線と重ねて配置されると共に当該信号線に沿って延在する第２部分とを持つように、前記共通電極用の導電膜をパターン化する工程と、
    前記基板上に前記層間絶縁膜用の絶縁膜を形成する工程と、
    前記透過電極を露出させて透過領域を画定する窓を除いて前記基板の全面を覆うように、前記層間絶縁膜用の絶縁膜をパターン化する工程とを備え、
    前記共通電極用の導電膜をパターン化する工程では、前記層間絶縁膜の前記共通電極の前記第２部分と重なる領域の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、且つ前記第２部分の幅に等しいかそれよりも小さく設定され、
    前記層間絶縁膜用の絶縁膜をパターン化する工程では、前記共通電極の前記第２部分の幅が、それと重なった前記信号線の幅よりも大きく、それらの幅の差は前記第２部分の両側においてそれぞれ２μｍ以上に設定されることを特徴とする半透過型液晶表示装置の製造方法。
    

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