JP2009111201A - 積層導電膜、電気光学表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いＡｌ系合金膜を成膜した欠陥のない積層導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る積層導電膜は、光透過性を有する透明導電膜と、前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜とを有する。また、メタル導電膜は、透明導電膜との界面近傍にさらに周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含む。
【選択図】図４

Description

本発明は、積層導電膜、電気光学表示装置及びその製造方法に関し、特に透明導電膜を有する積層導電膜、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）と画素電極を有するアクティブマトリクス基板を備える電気光学表示装置及びその製造方法に関する。

液晶表示装置や、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス：Electro Luminescence）表示装置に代表される電気光学表示装置は、薄型で低消費電力であるという特長を有している。この特長を生かして、電気光学表示装置は、携帯電話、電子手帳等の携帯情報機器やパーソナルコンピュータのモニター、あるいは、デジタルカメラやビデオカメラの画像モニター、そして近年では省スペースの大型ＴＶ等に広く用いられている。

これらの電気光学表示装置のうち、電気光学素子として液晶を用いた液晶表示装置は、ＥＬ表示装置やＣＲＴ（ブラウン管）とは異なり、自ら発光しない。このため、バックライトと呼ばれる蛍光管等からなる照明装置が、液晶表示パネルの背面又は側方に配置されている。このバックライトからの光の透過量を液晶層で制御することにより、画像表示が行われる。液晶表示装置には、このようないわゆる透過型液晶表示パネルを用いたものが一般的によく用いられる。しかしながら、このような透過型液晶表示装置は、周囲光が非常に明るい日中の戸外では、周囲光に比べて表示パネルの表示光が暗く見え、表示を認識することが困難であった。

そこで、戸外や常時携帯して使用する機会の多い携帯情報機器では、透過型液晶表示装置とは異なり、表示パネルの表示部に反射板を設置し、バックライトの光の代わりに周囲光を反射板表面で反射させることにより表示を行う反射型液晶表示装置が用いられることもある。周囲光の反射光を利用する反射型液晶表示装置は、今度は逆に、周囲光が暗い場合には、視認性が極端に低下するという欠点を有していた。

以上のような透過型と反射型の液晶表示装置のそれぞれの問題点を解消するために、バックライト光の一部を透過させるとともに、周囲光の一部を反射させるような反射透過型、いわゆる半透過型の画素電極を形成することにより、透過型表示と反射型表示の両方を１つの液晶表示パネルで実現する構成の半透過型液晶表示装置が、例えば特許文献１の図１、図２に開示されている。

このような半透過型の液晶表示装置では、従来の透過型や反射型とは異なり、表示パネルの表示部に光透過用の画素電極（透過電極）と光反射用の画素電極（反射電極）の両方を形成する必要がある。このため、製造工程が増加し生産効率が低下するという問題があった。

透過電極と反射電極の製造工程を削減するための半透過型液晶表示装置の製造方法が、例えば、特許文献２の図１、図２に開示されている。この製造方法によれば、画素電極として、例えばＩＴＯからなる透明導電層とモリブデン（Ｍｏ）からなる緩衝層と、アルミニウム（Ａｌ）からなる高反射金属層とを順次連続的に成膜した後に、ハーフトーン露光で形成された感光樹脂（フォトレジスト）パターンを用いることにより、写真製版工程を増やすことなく、１回の写真製版工程で透過電極と反射電極が形成される。

しかしながら、上述のような製造方法においては、ＡｌとＩＴＯとを直接積層させる構造とすることが難しく、特許文献３、４にも記載されているように、ＡｌとＩＴＯとの間にはＭｏ等を緩衝層として形成した積層構造とする必要があった。この理由としては、特許文献２、あるいは特許文献３、４にも開示されているように以下の２つがあげられる。

（１）Ａｌ膜の一部にピンホールや欠陥があった場合に、Ａｌ／ＩＴＯ積層膜のフォトレジストパターニング時に使用される有機アルカリ現像液中で、当該欠陥部分でＡｌとＩＴＯを電極とする電池反応が起こり、Ａｌの酸化腐食とＩＴＯの還元腐食が発生する。これにより、膜の剥離や透過電極であるＩＴＯ膜の透過率劣化による表示不良が生じる。この問題を解決するために、Ａｌ膜とＩＴＯ膜との間にＭｏからなる緩衝層を挟み電池反応を防止する。

（２）ＩＴＯ膜の上に直接Ａｌ膜を成膜する際に、その界面においてＡｌがＩＴＯの酸素と反応して絶縁性の酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）反応層を形成する。これにより、Ａｌ−ＩＴＯ間の電気的導通が阻害される。透過電極と反射電極との間の電気信号は断絶され、表示不良が生じる。この問題を解決するために、ＡｌとＩＴＯとの間にＭｏ緩衝層を挟み、電気的導通の阻害を防止する。

なお、緩衝層はＭｏに限らず、例えば、上記Ａｌ−ＩＴＯ間の電池反応や電気的導通の阻害を防止できるクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）等を使用することができる。

以上のように、特許文献２に開示された製造方法を用いたとしても、写真製版工程の回数を削減することができるものの、ＡｌとＩＴＯ以外の新たな金属膜を形成する必要があるため、成膜工程が増えるという問題があった。

上記（２）の問題点を解決するための方法が、例えば、特許文献５、６に開示されている。これらによると、Ａｌに例えばニッケル（Ｎｉ）を添加したＡｌ合金膜を用いることにより、透明導電膜（ＩＴＯ等）との直接的な電気的導通をとることが可能となる。さらに３．５％塩化ナトリウム水溶液中での自然電位値をＩＴＯに近づけることができ、ＡｌとＩＴＯとの電池反応を抑制できる技術が開示されている。

なお、本発明者らによる検討の結果、これらのＡｌ合金膜を用いることにより、フォトレジストの現像液として従来公知のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）３．８％の有機アルカリ現像液中でも、上記（１）の問題点であるＩＴＯとの電池反応が抑制できることを確認している。

しかしながら、本発明者らが、ＩＴＯ（酸化インジウム９０重量％＋酸化スズ１０重量％）膜上に直接ＡｌＮｉ系合金を成膜したところ、光学顕微鏡にて、丸いスポット状の膜欠陥が多数発生することが明らかになった。丸いスポット状の欠陥部では、下層のＩＴＯ膜上で還元された金属Ｉｎや金属Ｓｎにより膜がダメージを受け、部分的に膜が剥離していた。これは、ＩＴＯ膜上にＡｌＮｉ系合金膜を成膜する前に、ＩＴＯ表面の酸化インジウムと酸化スズが部分的に還元したためであると考えられる。すなわち、ＡｌＮｉとＩＴＯとの界面付近に還元された金属Ｉｎや金属Ｓｎが存在することにより、界面での電気的導通が改善される一方で、この現象のためにスポット状の欠陥が発生したものと考えられる。ＩＴＯ膜上にＡｌＮｉ系合金膜を成膜した積層導電膜を表示部となる画素電極として用いる場合には、このようなスポット状の欠陥は、表示不良に直結するため致命的な問題となる。電極膜や配線膜に用いる場合でも信頼性が低下することが考えられる。

一方で、ＩＴＯ膜の上に還元耐性に優れるＺｎＯ系透明導電膜を保護膜として形成し、還元性プラズマに対する耐性を向上させる技術が、例えば、特許文献７に開示されている。この技術を用いれば、上記スポット状欠陥発生を抑制できることが容易に想定される。しかしながら、この場合でも、新たにＺｎＯ系の透明導電膜を形成する必要があるため、成膜工程が増えるという問題があった。

ＩＴＯ膜の代わりに、ＺｎＯ系膜を透明導電膜として用いる方法も考えられる。しかし、ＺｎＯ系膜は、ＩＴＯ膜に比べて、光の透過率や比抵抗値が劣る。例えば、波長５５０ｎｍの光の透過率は、ＩＴＯ膜の場合約９５％であるのに対し、ＺｎＯ系膜では８５〜９０％となる。また、比抵抗値は、ＩＴＯ膜では約２００μΩ・ｃｍに対して、ＺｎＯ系膜では３００〜１０００μΩ・ｃｍである。このため、ＺｎＯ系膜を画素電極に使用した場合には、表示特性が劣化する。さらに、ＺｎＯ系膜は、Ａｌ系メタルの一般公知のエッチング液である燐酸＋硝酸＋酢酸系の薬液に対して激しく腐食エッチングされるため、上述のようなＡｌ／ＩＴＯ積層膜をウエットエッチング加工することは非常に困難である。従って、ＺｎＯ系膜を透明導電膜として用いることは、実質的に不可能であった。

特開平１１−１０１９９２号公報 特開２００５−２１５２７７号公報 特開平１１−２８１９９３号公報 特開２００３−５０３８９号公報 特開２００３−８９８６４号公報 特開２００４−２１４６０６号公報 特開平６−３３８２２３号公報

以上述べてきたように、従来公知の半透過型液晶表示装置においては、画素電極に透過電極と反射電極を形成する必要があるために、製造工程が増加して生産効率が低下するという問題点があった。また、透過電極と反射電極を一括して形成しようとする場合、従来公知の製造方法では、透過電極となるＩＴＯ等の酸化物透明導電膜と、反射電極となる高反射率Ａｌ系合金膜とを直接積層させた積層膜として製造することが難しく、ＡｌとＩＴＯとの間に新たな金属緩衝層を形成する必要があったために、成膜工程が増加して生産効率が低下するという問題点があった。

本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いＡｌ系合金膜を成膜した欠陥のない積層導電膜及びその製造方法、さらには、この積層導電膜を用いた電気光学表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る積層導電膜は、光透過性を有する透明導電膜と、前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜とを有するものである。

本発明の一態様に係る電気光学装置は、基板上に形成された複数のゲート配線と、前記ゲート配線と第１の絶縁膜を介して交差するように配置された複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部近傍に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、前記ゲート配線と前記ソース配線とに囲まれた領域に設けられた画素電極とを備えた電気光学表示装置であって、前記画素電極は、透明導電膜からなる透過領域と、前記透明導電膜の上に直接積層して形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜からなる反射領域とを備え、前記メタル導電膜は、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されることを特徴とするものである。

本発明の一態様に係る積層導電膜の製造方法は、基板上に透明導電膜を形成する工程と、Ａｌ又はＡｌを主成分とし、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むメタル導電膜を、前記透明導電膜上に直接積層して形成する工程とを含む。

本発明の一態様に係る電気光学表示装置の製造方法は、基板上に、複数のゲート配線と、第１の絶縁膜を介して前記ゲート配線と略直交する複数のソース線と、前記ゲート線と前記ソース線との交差部近傍に形成される複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、前記ゲート配線と前記ソース配線とに囲まれた領域に設けられる画素電極とを備えた電気光学表示装置の製造方法であって、透明導電膜からなる前記画素電極の透過領域を形成する工程と、Ａｌ又はＡｌを主成分とし、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むメタル導電膜を前記透明導電膜上に直接積層して前記画素電極の反射領域を形成する工程とを含む。

本発明によれば、ＩＴＯ等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いＡｌ系合金膜を成膜した欠陥の少ない積層導電膜及びその製造方法、さらには、この積層導電膜を用いた電気光学表示装置及びその製造方法を提供することができる。

以下、本発明を適用可能な実施の形態について説明する。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。

実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る電気光学表示装置として、半透過型液晶表示装置の構成とその製造方法について図を用いて説明する。まず、図１及び図２を参照して、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図である。また、図２は本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の構成を示す断面図である。

図１及び図２に示すように、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置は、液晶表示パネル１００とバックライト２００とを備えている。液晶表示パネル１００は、入力される表示信号に基づいて画像表示を行う。バックライト２００は、液晶表示パネル１００の反視認側に配置されており、液晶表示パネル１００の背面側から光を照射する。液晶表示パネル１００は、絶縁性基板１、対向基板３０、シール材３１、液晶３２、スペーサ３３、ゲート配線（走査線）３、ソース線（信号線）１２、配向膜３４、対向電極３５、光学部材３６、ゲートドライバ３７、ソースドライバ３８等を備えている。発明において注目すべき点は絶縁性基板１に形成される積層導電膜であり、後に詳述する。

図１に示すように、絶縁性基板１には、表示部（図１中、点線枠で示す）と表示部を囲むように設けられた周辺部とが設けられている。表示部には、複数のゲート配線３と複数のソース配線１２とが形成されている。複数のゲート配線３は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線１２は平行に設けられている。ゲート配線３と、ソース配線１２とは、後述するゲート絶縁膜６を介して互いに交差するように形成されている。

ゲート配線３とソース配線１２の交差点付近には薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）が設けられている。隣接するゲート配線３とソース配線１２とで囲まれた領域には、画素電極（不図示）が形成されている。隣接するゲート配線３とソース配線１２とで囲まれた領域が画素となる。従って、絶縁性基板１上には、画素がマトリックス状に配列される。ＴＦＴのゲートがゲート配線３に、ソースがソース配線１２に、ドレインが画素電極に、それぞれ接続される。１つの画素中には、反射領域と透過領域とが設けられている。

透過領域においては、絶縁性基板１上に、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなる画素電極が設けられている。透過領域における透明導電膜は、反射領域における透明導電膜と連続して形成されている。反射領域においては、透明導電膜上に高い反射率を有する金属膜が積層して形成され、画素電極が構成される。この複数の画素が形成されている領域が、表示部である。

一方、対向基板３０上には、カラーフィルター（不図示）及び対向電極３５が形成されている。カラーフィルターが設けられている領域全体が表示部となる。対向電極３５は、実際には画素電極と対向するように対向基板３０の略全面に形成される透明電極である。対向電極３５は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜により形成されている。

絶縁性基板１及び対向基板３０の対向する面にはそれぞれ所定の方向にラビングされた配向膜３４が設けられている。両基板の間は、スペーサ３３によって、所定の間隔になるように維持されている。これら両基板は、枠状のシール材３１により周辺を接着され、両基板とシール材３１とで形成される空間に液晶３２が封入される。これら両基板に挟持された液晶３２は、配向膜３４によって所定の方向に配向する。また、絶縁性基板１の外側表面には、それぞれ光学部材３６が設けられている。光学部材３６としては、位相差板、偏光板等を複数枚重ねたものが配置される。

液晶表示パネル１００は、外部から入力される画像データに基づいて、画像の表示に必要な各種の制御信号、走査信号及び表示信号などを出力するゲートドライバ３７、ソースドライバ３８によって駆動される。液晶表示パネル１００の背面には、バックライト２００が備えられている。バックライト２００は、液晶表示パネル１００の反視認側から当該液晶表示パネル１００に対して光を照射する。バックライト２００としては、例えば、光源、導光板、反射シートなどを備えた一般的な構成のものを用いることができる。

ここで、図３及び図４を参照して、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置に用いられるＴＦＴアクティブマトリックス基板の構成について説明する。図３は、本実施の形態に係る絶縁性基板１の表示部並びに入力端子部の一部を示す平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ断面図である。また、図４では、表示領域外の端子部の断面を合わせて示している。図３及び図４において、同一の構成要素には同一の符号が付されている。

図３及び図４に示すように、ＴＦＴアクティブマトリックス基板には、ゲート端子部、ソース端子部、ＴＦＴ部、画素部等が形成されている。絶縁性基板１としては、光を透過する透過領域を形成するため、ガラスやプラスチック等の透明な基板を用いることができる。絶縁性基板１上には、第１のメタル導電膜からなるゲート電極２、ゲート配線３、ゲート端子４、及び補助容量電極５が少なくとも形成されている。ゲート配線３は、ゲート電極２から延設されている。ゲート端子４は、ゲート配線３と接続され、ゲートドライバ３７から出力される走査信号を入力するために設けられている。

第１導電膜からなるゲート配線３、ゲート端子４、及び補助容量電極５の上には、ゲート絶縁膜６が設けられている。ゲート電極２が形成されている領域において、ゲート絶縁膜６の上には、半導体層７が設けられている。半導体層７には、チャネル部８が形成される。半導体層７の一部の上には、オーミックコンタクト層９が形成される。オーミックコンタクト層９の上には、ソース電極１０、ドレイン電極１１がそれぞれ形成される。すなわち、ソース電極１０、ドレイン電極１１は、それぞれ、オーミックコンタクト層９を介して半導体層７に電気的に接続されて、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が構成されている。ソース電極１０には、ゲート配線３と略直交するソース配線１２が接続されている。また、ソース配線１２には、ソース端子１３が接続されている。ソース端子１３は、ソースドライバ３８から出力される映像信号を入力するために設けられている。

ソース電極１０、ドレイン電極１１、ソース配線１２の上には、第１の層間絶縁膜１４が設けられている。また、第１の層間絶縁膜１４の上には、第２の層間絶縁膜１５が設けられている。第１の層間絶縁膜１４及び第２の層間絶縁膜１５には、画素ドレインコンタクトホール１６、ゲート端子部コンタクトホール１７、及びソース端子部コンタクトホール１８が形成されている。また、第１の層間絶縁膜１４及び第２の層間絶縁膜１５の透過画素電極部となる領域には、開口部１９が設けられている。第２の層間絶縁膜１５の少なくとも反射画素電極部となる領域の表面には、凹凸形状を有する光散乱部２０が設けられている。光散乱部２０は、反射した光を散乱させ、反射表示特性を向上させる。第２の層間絶縁膜１５上には、画素電極２１が設けられている。画素電極２１は、下層の透明導電膜２１ａと上層の反射金属膜２１ｂとを含む。透明導電膜２１ａは、画素ドレインコンタクトホール１６を介して、ドレイン電極１１と電気的に接続されている。反射画素電極部においては、画素電極２１は、下層の透明導電膜２１ａと上層の反射金属膜２１ｂとの２層構造となっている。透過画素電極部においては、画素電極２１は、上層の反射金属膜が選択的に除去され、透明導電膜２１ａのみで形成されている。

従って、反射領域においては、反射金属膜２１ｂは、透明導電膜２１ａ上に直接積層して形成されている。また、反射金属膜２１ｂは、Ａｌ又はＡｌを主成分とし、透明導電膜２１ａとの界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含む。なお、反射金属膜２１ｂには、製造上不可避な不純物が含まれることがある。このように、反射金属膜２１ｂの透明導電膜２１ａとの界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含む積層導電膜においては、反射金属膜２１ｂと透明導電膜２１ａとの電気的接続が良好となる。また、透明導電膜２１ａにＩｎの還元による表示不良の発生を防止することができる。このため、高い表示品質で歩留よく製造することが可能となる。また、新たな緩衝層を形成することなく、反射画素電極として高い反射率を有するＡｌを主成分とする合金膜と、透過電極として高い透過率を有するＩＴＯ膜とを直接積層した２層膜で構成することができる。このため、生産効率を向上させることが可能となる。

なお、反射金属膜２１ｂは、透明導電膜２１ａとの界面近傍に、さらに周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含むことが好ましい。これにより、反射金属膜２１ｂの比抵抗値を低くすることができ、耐熱性に優れた画素電極材料となる。

また、ゲート端子部においては、ゲート端子パッド２２がゲート端子部コンタクトホール１７を介して、ゲート端子４と電気的に接続されている。ゲート端子パッド２２は、反射画素電極部における画素電極２１と同様に、下層の透明導電膜２２ａと上層の反射金属膜２２ｂとの２層構造となっている。ソース端子部においては、ソース端子パッド２３がソース端子部コンタクトホール１８を介して、ソース端子１３と電気的に接続されている。ソース端子パッド２３は、反射画素電極部における画素電極２１と同様に、下層の透明導電膜２３ａと上層の反射金属膜２３ｂとの２層構造となっている。画素ドレインコンタクトホール１６内及び光拡散部２０上の配線は、下層の透明導電膜２２ａと上層の反射金属膜２２ｂとの２層構造となっている。

従って、反射画素電極部のみならず、配線部及び端子部においても、反射金属膜２１ｂは、透明導電膜２１ａ上に直接積層して形成されている。また、反射金属膜２１ｂは、Ａｌ又はＡｌを主成分とし、透明導電膜２１ａとの界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含む。これにより、反射金属膜２１ｂと透明導電膜２１ａとの電気的接続が良好となる。また、透明導電膜２１ａにＩｎの還元による表示不良の発生を防止することができる。

以上のように構成されたＴＦＴアクティブマトリックス基板と、カラー表示用のカラーフィルターや対向電極等を備えた対向基板３０とが、一定の間隙（セルギャップ）をもって、シール材３１を介して貼り合わせられる。ＴＦＴアクティブマトリックス基板、対向基板、シール材で形成された空間内に液晶を注入し、封止することによって、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置用の表示パネルが製造される。

このとき、透過画素電極部の開口部１９の高さ（深さ）ｈは、表示パネルのセルギャップの略１／２となるように設定することが好ましい。これにより、周囲からの光が反射画素電極部で反射し、液晶層を往復する経路長と、背面に配置されるバックライトからの光が透過画素電極を通過して、液晶層を通過する経路長とを近づけることができる。なお、より詳細には、透過画素電極部と反射画素電極部のそれぞれにおいて、光が透過する物質の屈折率等を考慮した光路長を近づける。これにより、透過画素電極部と反射画素電極部との光の特性を一致させることができ、高品位の表示特性を得ることが可能となる。

次に、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置のＴＦＴアクティブマトリックス基板の製造方法について、図５を参照して説明する。図５は、本実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリックス基板の製造方法を説明するための製造工程断面図である。

まず、ガラス基板等の透明絶縁性基板１上に第１のメタル導電膜を成膜する。そして、１回目の写真製版工程で、図５（ａ）に示すように、ゲート電極２、ゲート配線３、ゲート端子４、及び補助容量電極５を形成する。

例えば、公知のＡｒガスを用いたスパッタリング法で、Ｃｒを２００ｎｍの厚さで成膜する。その後、フォトレジストパターン（図示せず）を形成し、これをマスクとして、従来公知の硝酸セリウムアンモニウム＋過塩素酸を含む薬液を用いてＣｒをエッチングする。そして、フォトレジストパターンを除去することにより、ゲート電極２、ゲート配線３、ゲート端子４、及び補助容量電極５が得られる。

次に、ゲート電極２、ゲート配線３、ゲート端子４、及び補助容量電極５を覆うように、第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜６を成膜する。そして、半導体層７、オーミックコンタクト層９となる膜をゲート絶縁膜６の上に順次成膜する。その後、２回目の写真製版工程で、図５（ｂ）に示すように、半導体層７、オーミックコンタクト層９を形成する。これにより、ゲート電極２の上層部に半導体層７及びオーミックコンタクト層９からなる半導体パターンが形成される。なお、本実施の形態では、半導体層７及びオーミックコンタクト層９からなる半導体パターンは、ゲート配線３と後工程で形成されるソース配線１２とが交差する領域にも形成される。これにより、半導体パターンのゲート配線３の段差部のカバレッジを向上させることができ、後に形成するソース配線１２がゲート配線３の段差部で断線しないようにする効果がある。

本実施の形態では、例えば、化学気相法（ＣＶＤ法）を用いて、ゲート絶縁膜６として窒化シリコンＳｉＮｘ（ｘは整数）を４００ｎｍの厚みで形成する。そして、ゲート絶縁膜６の上に、半導体層７としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を１５０ｎｍ、オーミックコンタクト層としてリン（Ｐ）をドープしたｎ型アモルファスシリコン膜ｎ^＋ａ−Ｓｉ５０ｎｍを順次成膜する。その後、フォトレジストパターン（図示せず）を形成し、これをマスクとして、従来公知のフッ素系ガスを用いたドライエッチング法を用いてエッチングする。そして、フォトレジストパターンを除去することにより、所定の形状の半導体層７及びオーミックコンタクト層９が得られる。

次に、オーミックコンタクト層９の上に、第２のメタル導電膜を成膜する。そして、３回目の写真製版工程で、図５（ｃ）に示すように、ソース電極１０、ドレイン電極１１、ソース配線１２、ソース端子１３を形成する。さらに、ＴＦＴのチャネル部８を形成する。

本実施の形態では、例えば、第２のメタル導電膜として、まず公知のＡｒガスを用いたスパッタリング法でＣｒを２００ｎｍの厚さで形成する。その後、フォトレジストパターンを形成し、これをマスクとして、従来公知の硝酸セリウムアンモニウム＋過塩素酸を含む薬液を用いてＣｒをエッチングする。そして、さらに従来公知のフッ素＋塩素を含むガスを用いたドライエッチング法で、ＴＦＴのチャネル部８となる半導体層７上のオーミックコンタクト層９を選択的にエッチングする。その後、フォトレジストパターンを除去することにより、チャネル部８、ソース電極１０、ドレイン電極１１、ソース配線１２及びソース端子１３が得られる。

次に、第１の層間絶縁膜（第２の絶縁膜）１４を成膜した後に、さらに有機樹脂膜からなる第２の層間絶縁膜１５を形成する。そして、図５（ｄ）に示すように、４回目の写真製版工程で、第２の層間絶縁膜１５の反射画素部となる領域に反射光を散乱させるための凹凸形状を有する光散乱部２０を形成する。また、第１の層間絶縁膜１４及び第２の層間絶縁膜１５にドレイン電極１１の表面まで貫通する画素ドレインコンタクトホール１６、ゲート端子４の表面まで貫通するゲート端子部コンタクトホール１７、ソース端子１３の表面まで貫通するソース端子部コンタクトホール１８、透過画素部の開口部１９を少なくとも形成する。

例えば、第１の層間絶縁膜１４として、ＳｉＮｘ（ｘは正数）を１００ｎｍの厚さで成膜する。その上に、第２の層間絶縁膜１５として、アクリル系の感光性有機樹脂膜をスピンコート法もしくはスリットコート法を用いて、約３．５μｍの膜厚になるように塗布する。その後、各コンタクトホール１６、１７、１８及び開口部１９のパターンを形成するためのフォトマスクを用いて、アクリル系感光性有機樹脂膜に直接第１の露光を行う。続いて、光散乱部２０の凹凸形状を形成するためのフォトマスクを用いて、例えば、第１の露光量の２０〜４０％の露光量で第２の露光を行う。その後、公知のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド）を含む有機アルカリ現像液で現像する。これにより、反射画素部に凹凸形状を有する光拡散部２０と、透過画素部の開口部１９、画素ドレインコンタクトホール１６、ゲート端子部コンタクトホール１７、ソース端子部コンタクトホール１８が形成される。

なお、上記の実施の形態では、各コンタクトホール１６、１７、１８及び透過画素部の開口部１９、光拡散部２０を、異なるフォトマスクを用いて露光量の異なる第１の露光と第２の露光とを行うことにより形成した。しかしながら、これに限定されるものではない。画素ドレインコンタクトホール１６、ゲート端子部コンタクトホール１７、ソース端子部コンタクトホール１８、開口部１９を形成するためのパターンと、露光光の透過率を２０〜４０％に減じるようなフィルターを設けた凹凸形状形成用パターンとを具備する一つのフォトマスクを用いることも可能である。これにより、１回の露光のみで、各コンタクトホール１６、１７、１８、開口部１９、光拡散部２０を形成するようにしてもよい。この場合には、露光の回数を減らすことができるため、写真製版工程の処理時間を短縮することができ、生産効率を上げることが可能である。露光光透過率を減じる方法としては、露光光の透過率を減じるフィルター膜もしくはフィルター層をフォトマスクに設ける方法、あるいは、パターンを細かいスリット状に分割して光の回折現象を利用する方法等を用いることが可能である。これらの方法は、ハーフトーン露光技術、あるいは、グレートーン露光技術と呼ばれ、一般的に公知の技術である。

また、凹凸形状のパターン部の露光量を、コンタクトホールを形成するための第１露光量の２０〜４０％としたが、これに限定されるものではない。露光量を変えることにより、凹凸形状の高さを変え、光の散乱特性を変えることができる。従って、装置によって、要求される所望の散乱特性となるように、適宜露光量を調整することができる。

最後に、画素電極２１を形成する。まず、第２の層間絶縁膜１５上に、透明導電膜と、第３のメタル導電膜とを順次積層して成膜する。その後、フォトレジストを塗布し、５回目の写真製版工程で、図５（ｅ）に示すように、画素電極形成用パターン２４、ゲート端子パッド形成用パターン２５、ソース端子パッド形成用パターン２６とを少なくとも形成する。このとき、透過画素電極部の開口部１９の領域上のフォトレジストの膜厚ｄ２が、反射画素電極部のフォトレジストの膜厚ｄ１よりも薄くなるように形成する。フォトレジストの膜厚ｄ２は、膜厚ｄ１の１／２以下であることが好ましい。

本実施の形態では、透明導電膜として、酸化インジウムと酸化スズを主成分とするＩＴＯを公知のスパッタリング法を用いて、１００ｎｍの厚さで成膜する。その後、第３のメタル膜としてＡｌに２ａｔ％（原子％）のＮｉを添加したＡｌＮｉ合金をターゲットとして、Ａｒガスに窒素（Ｎ_２）を加えた混合ガス中でのスパッタリング法を用いて、窒素原子を含むＡｌＮｉ膜を１００ｎｍの厚さで成膜する。ここでは、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で、成膜ＤＣパワー密度３Ｗ／ｃｍ^２、純Ａｒガスと純Ｎ_２ガスの流量比を６０：４０、ガス圧力０．２Ｐａとする。これにより、Ａｌ−２ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｎの組成比を有するＡｌ合金膜を成膜する。このＡｌ合金膜は、比抵抗値５０μΩ、波長５５０ｎｍの光の反射率が８５％以上と高い反射率を有する。

次に、レジストマスクとして、フォトレジストをスピンコート法、もしくはスリットコート法を用いて約３．５μｍの膜厚となるように塗布する。そして、ゲート端子パッド形成用パターン２５、ソース端子パッド形成用パターン２６と、反射画素電極部で約３．５μｍ、透過画素電極部の開口部１９上で約１．５μｍとなるような、異なる膜厚を有する画素電極形成用パターン２４とを形成する。このような膜厚の異なるフォトレジストパターンは、上述のハーフトーン露光技術及び若しくは、グレートーン露光技術を用いて、形成することが可能である。

次に、上記のフォトレジストパターン２４、２５、２６をマスクとして、第３のメタル導電膜と透明導電膜とをエッチングする。本実施の形態では、まず、従来公知のＡｌエッチング液である燐酸＋硝酸＋酢酸を含む薬液を用いて第３のメタル導電膜をウエットエッチングする。次に、連続して、従来公知のシュウ酸を含む薬液を用いて透明導電膜をウエットエッチングする。これにより、図５（ｆ）に示すように、フォトレジストパターン２４、２５、２６が設けられていない領域の第３のメタル導電膜からなる反射金属膜２１ｂ、透明導電膜２１ａが除去される。

次に、図５（ｇ）に示すように、フォトレジストパターン２４、２５、２６の膜厚を全体的に減じて、透過画素電極部の開口部１９内の膜厚がｄ２であった領域のフォトレジストを選択的に除去する。これにより、当該領域において、第３のメタル導電膜からなる反射金属膜２１ｂを露出させる。本実施の形態では、酸素プラズマを用いたレジストアッシング処理を用いて、フォトレジストの膜厚を全体的に減少させ、フォトレジストパターン２４'、２５'、２６'を形成する。

次に、フォトレジストパターン２４'、２５'、２６'をマスクとして、燐酸＋硝酸＋酢酸系の薬液を用いて、透過画素電極部の開口部１９内の第３のメタル導電膜を選択的にウエットエッチングにより除去する。これにより、透明導電膜２１ａが露出する。その後、フォトレジストパターン２４'、２５'、２６'を除去する。これにより、図５（ｈ）に示すように、透明導電膜２１ａと第３のメタル導電膜からなる反射金属膜２１ｂとが積層された画素電極２１、透明導電膜２２ａと第３のメタル導電膜からなる反射金属膜２２ｂとが積層されたゲート端子パッド２２、透明導電膜２３ａと第３のメタル導電膜からなる反射金属膜２３ｂとが積層されたソース端子パッド２３が形成される。これにより、実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置用のＴＦＴアクティブマトリックス基板が完成する。

さらに、このＴＦＴアクティブマトリックス基板と、カラー表示用のカラーフィルターや対向電極等を具備した対向基板３０とを、一定の間隙（セルギャップ）をもってシール材を用いて貼り合わせる。そして、ＴＦＴアクティブマトリックス基板と対向基板との間の間隙に液晶を注入し、注入口を封止することによって、本実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の表示パネルが完成する。

このようにして完成させた半透過型液晶表示装置は、画素電極２１において、第３のメタル導電膜からなる反射金属膜２１ｂと、透過画素電極膜となる透明導電膜２１ａの界面との電気的接続が良好となる。また、透明導電膜２１ａにＩｎの還元による表示不良の発生を防止することができる。このため、高い表示品質で歩留よく製造することが可能となる。また、新たな緩衝層を形成することなく、反射画素電極として高い反射率を有するＡｌを主成分とする合金膜と、透過電極として高い透過率を有するＩＴＯ膜とを直接積層した２層膜で構成することができる。このため、生産効率を向上させることが可能となる。

なお、実施の形態１では、反射画素電極を構成する第３メタル導電膜として、ＡｌにＮｉを添加したＡｌ−Ｎｉ合金膜を使用したが、これ以外の元素を添加してもよい。あるいは、純Ａｌ膜を用いてもよい。純Ａｌを用いた場合でも、窒素元素を添加することによって、Ａｌと下層のＩＴＯの酸素との界面反応を抑制することができる。このため、下層のＩＴＯからなる透明導電膜２１ａとの界面での電気的接続が良好で、しかも、Ｉｎの還元を防止することが可能となる。本実施の形態においては、窒素の組成比を２０ａｔ％としたが、これに限定されるものではない。窒素の組成比は、５〜４５ａｔ％の範囲で任意に設定することが可能である。窒素組成比が５ａｔ％未満であると、本発明の目的であるＩｎ還元防止効果を十分に発揮することが難しい。また、４５ａｔ％を超えると、比抵抗が増大するため、導電膜として形成することが難しい。さらに、波長５５０ｎｍの光の反射率が、８０％を下回るため、反射画素電極として使用することが難しくなる。

さらに、この場合、窒素の代わりに酸素元素を添加しても同様の効果が得られる。あらかじめ、Ａｌに酸素元素を添加した導電膜として形成することにより、Ａｌと下層のＩＴＯの酸素との界面反応を抑制することができる。これにより、Ｉｎの還元反応を抑制することが可能となる。酸素元素の添加は、例えば、Ａｒガスに酸素（Ｏ_２）ガスを添加した混合ガス中のスパッタリング法を用いて、成膜することが可能である。酸素の組成比もまた、窒素の場合と同様に、５〜４５ａｔ％とすることができる。なお、窒素と酸素とを両方同時に添加することも可能である。

また、上記の実施の形態、反射で電極を構成する第３のメタル導電膜として、ＡｌにＮｉを添加したＡｌ−Ｎｉ合金を使用した。Ｎｉを添加することによって、下層のＩＴＯからなる透明導電膜２１ａとの接続における電気的導電性をさらに良好にする効果が得られる。また、Ａｌ／ＩＴＯ積層膜をエッチングするためのフォトレジストのパターンニング時に一般的に使用されるＴＭＡＨを含む有機アルカリ現像液中での電池反応による腐食の発生を防止する効果をさらに高めることができる。上述実施の形態では、Ｎｉの添加組成比を２ａｔ％としたが、これに限られるものではない。Ｎｉの添加量を増やすことによって、上記効果を高めることが可能である。しかしながら、１０ａｔ％を超えると、第３のメタル導電膜の反射率が８０％を下回るようになる。このため、本実施の形態のように、第３のメタル導電膜を反射画素電極に適用する場合には、Ｎｉの添加量を１０ａｔ％以下とすることが好ましい。

さらに、添加元素はＮｉに限られるものではなく、他の元素を用いてもよい。第３メタル導電膜の添加元素として、周期率でＮｉと同じ８族元素あるいは４ｂ族元素から選ばれる元素を添加しても同様の効果が得られる。これらの元素の中でも、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、が特に好ましい。また、これらの元素の１種類以上を複合的に添加してもよい。この場合でも、添加する元素の組成比は、合計で１０ａｔ％を超えないようにすることが好ましい。なお、第３のメタル導電膜として、上記のようにＡｌに８族元素、４ｂ族元素、そして、窒素又は酸素を添加した合金膜を形成した後に、さらにＡｌや他の元素を添加したＡｌ合金膜を形成した２層以上で構成してもよい。例えば、本実施例において、下層の透明導電膜２１ａの上に、まずＡｒ＋Ｎ_２混合ガスを用いてスパッタリング法で、Ａｌ−２ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｎ膜を例えば、５〜５０ｎｍ成膜する。次に、ガスを純Ａｒガスに切り替え、スパッタリング法を用いて、Ａｌ−２ａｔ％Ｎｉ膜を例えば５０〜１００ｎｍの厚さで成膜する。こうすることにより、本発明の効果を維持しつつ、反射画素電極の表面の反射率や全体的な電気的導電率をさらに高めることが可能となり、高い表示品質が得られるので、好ましい。

また、実施の形態１では、透明導電膜２１ａとして、酸化インジウム＋酸化スズからなるＩＴＯ膜を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、酸化インジウムのみ、酸化インジウム＋酸化亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウム＋酸化サマリウム（ＩＳＯ）、酸化インジウム＋酸化スズ＋酸化亜鉛（ＩＴＺＯ）、酸化インジウム＋酸化スズ＋酸化サマリウム（ＩＴＳＯ）等を用いることが可能である。これらの透明導電膜は、酸化インジウムを含むため、透過率が高く、電気的導電率も高い。従って、これらの透明導電膜を電極膜や透過画素電極膜として好適に用いることができる。もちろん、酸化インジウムを含まない他の酸化物透明導電膜を用いても、本発明の効果を十分得ることが可能である。

実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る電気光学表示装置は、図３及び図４に示す実施の形態１の半透過型液晶表示装置に用いられるものと同様の構成のＴＦＴアクティブマトリックス基板を有している。また、その製造方法も、基本工程フローは、図５に示す実施の形態１と同様であるが、図５（ｅ）に示す画素電極２１の形成方法が実施の形態１と異なる。以下、この異なる部分の製造方法について詳細に説明する。

図５（ｅ）の画素電極形成工程において、まず第２の層間絶縁膜１５上に透明導電膜２１ａを成膜する。その後、この透明導電膜２１ａの表面に大気を主成分とするプラズマを照射する。そして、プラズマを照射した透明導電膜２１ａ上に第３のメタル導電膜を成膜する。その後、第３メタル導電膜上にフォトレジストを塗布し、５回目の写真製版工程で、画素電極形成用パターン２４、ゲート端子パッド形成用パターン２５、ソース端子形成用パターン２６を少なくとも形成する。

このとき、透過画素電極部の開口部１９上のフォトレジストの膜厚ｄ２が、反射画素電極部のフォトレジストの膜厚ｄ１よりも薄くなるように形成する。この膜厚ｄ２は、膜厚ｄ１の１／２以下であることが好ましい。

本実施の形態では、透明導電膜２１ａとして、酸化インジウムと酸化スズを主成分とするＩＴＯを公知のスパッタリング法を用いて、１００ｎｍの厚さで成膜する。その後、大気圧プラズマ処理装置を用いて、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスの処理ガスを導入し、約１０００００Ｐａ前後の大気圧近傍下で、一対の電極間に約１．６ｋＷのＲＦ（１３．５６６ＭＨｚのRadio Frequency）電力を印加して、プラズマ放電させる。プラズマ放電中の該電極間には、基板を約１ｍ／分の速さで搬送させ、ＩＴＯ膜の表面をプラズマ処理する。その後、第３のメタル導電膜として、Ａｌに２ａｔ％（原子％）のＮｉを添加したＡｌＮｉ合金ターゲットをＡｒガス若しくは、Ｋｒガスを用いたスパッタリング法で１００ｎｍの厚さで成膜する。

透明導電膜２１ａであるＩＴＯ膜の表面処理は、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスを大気圧近傍下のプラズマ照射で行ったが、これに限定されることはなく、減圧下で行ってもよい。ガスの流量や、投入電力も上記の例に限定されず、使用するプラズマ処理装置の仕様にあわせて任意に設定することができる。また、第３のメタル導電膜として、Ａｌに２ａｔ％のＮｉを添加したＡｌＮｉ合金をターゲットとし、Ａｒガス又はＫｒガスに、Ｎ_２ガス又はＯ_２ガスを加えた混合ガス中でのスパッタリング法を用いてＮ原子又はＯ原子を含むＡｌＮｉ膜を成膜してもよい。以下の工程については、実施の形態１と同様であるため、説明は省略する。

実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る電気光学表示装置に用いられるＴＦＴアクティブマトリックス基板の構成について、図６を参照して説明する。図６は、本実施の形態に係るＴＦＴアクティブマトリックス基板の構成を示す断面図である。本実施の形態では、実施の形態１及び２の第２の層間絶縁膜１５を省略したものであり、反射画素電極には、反射光を散乱させるための凹凸形状が形成されていない。又、その製造方法は、上述の実施の形態１、２において、第２の層間絶縁膜１５の形成を省略した製造フローを用いることが可能である。したがって、製造工程を簡略化することができるため、さらに生産効率を向上させることができる。

反射画素電極部と透過画素電極部の光の経路長は、このＴＦＴアクティブマトリックス基板と対向して貼り合わせられる対向基板の各画素電極に対応する領域に、経路長を調整する段差を形成することによって一致させることができる。また、反射光の散乱に関しては、ＴＦＴアクティブマトリックス基板と、対向基板とを貼りあわせて形成された半透過型液晶パネルに、例えば、光を散乱させる効果を有する光学フィルムを設けることによって、高い表示品質を得ることができる。

以上、本発明を電気光学表示装置の画素電極に適用した実施例について説明したが、その用途は、これに限られることない。例えば、他のデバイス等において、Ａｌ系メタル／ＩＴＯの積層構造を含む積層膜や、電極膜、又は配線膜構造についても適用することが可能である。

実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態１に係る液晶表示装置に用いられるＴＦＴアクティブマトリックス基板の構成を示す平面図である。 図３のＡ−Ａ断面図である。 実施の形態１に係るＴＦＴアクティブマトリックス基板の製造方法を説明するための製造工程断面図である。 実施の形態２に係る液晶表示装置に用いられるＴＦＴアクティブマトリックス基板の構成を示す平面図である。

符号の説明

１ 絶縁性基板
２ ゲート電極
３ ゲート配線
４ ゲート端子
５ 補助容量電極
６ ゲート絶縁膜
７ 半導体層
８ チャネル部
９ オーミックコンタクト層
１０ ソース電極
１１ ドレイン電極
１２ ソース配線
１３ ソース端子
１４ 第１の層間絶縁膜
１５ 第２の層間絶縁膜
１６ 画素ドレインコンタクトホール
１７ ゲート端子部コンタクトホール
１８ ソース端子部コンタクトホール
１９ 開口部
２０ 光拡散部
２１ 画素電極
２１ａ 透明導電膜
２１ｂ 反射金属膜
２２ ゲート端子パッド
２２ａ 透明導電膜
２２ｂ 反射金属膜
２３ ソース端子パッド
２３ａ 透明導電膜
２３ｂ 反射金属膜
２４ 画素電極形成用フォトレジストパターン
２５ ゲート端子パッド形成用フォトレジストパターン
２６ ソース端子パッド形成用フォトレジストパターン
３０ 対向基板
３１ シール材
３２ 液晶
３３ スペーサ
３４ 配向膜
３５ 対向電極
３６ 光学部材
１００ 液晶表示パネル
２００ バックライト

Claims (18)

1. 光透過性を有する透明導電膜と、
   前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜と、
   を有する積層導電膜。
2. 前記メタル導電膜は、前記透明導電膜との界面近傍にさらに周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含むことを特徴とする請求項１に記載の積層導電膜。
3. 前記透明導電膜は、酸化インジウムを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層導電膜。
4. 前記透明導電膜は、酸化スズを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層導電膜。
5. 基板上に形成された複数のゲート配線と、
   前記ゲート配線と第１の絶縁膜を介して交差するように配置された複数のソース配線と、
   前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部近傍に形成された複数の薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタに接続され、前記ゲート配線と前記ソース配線とに囲まれた領域に設けられた画素電極とを備えた電気光学表示装置であって、
   前記画素電極は、透明導電膜からなる透過領域と、前記透明導電膜の上に直接積層して形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜からなる反射領域とを備え、
   前記メタル導電膜は、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されることを特徴とする電気光学表示装置。
6. 前記メタル導電膜は、前記透明導電膜との界面近傍にさらに、周期律の８族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、４ｂ族元素のＣ、Ｓｉ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種類以上の原子を含むことを特徴とする請求項５に記載の電気光学表示装置。
7. 前記透明導電膜は、酸化インジウムを含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学表示装置。
8. 前記透明導電膜は、酸化スズを含むことを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の電気光学表示装置。
9. 前記薄膜トランジスタを覆うように設けられた第２の絶縁膜をさらに備え、
   前記画素電極は、前記第２の絶縁膜の上に形成され、
   前記第２の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記画素電極と前記薄膜トランジスタとが接続されていることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の電気光学表示装置。
10. 前記画素電極の前記反射領域に対応して形成された第２の絶縁膜は、前記透過領域よりも厚いことを特徴とする請求項９に記載の電気光学表示装置。
11. 前記画素電極の前記反射領域に対応して形成された前記第２の絶縁膜の表面には、反射光を散乱させるための凹凸形状が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学表示装置。
12. 基板上に透明導電膜を形成する工程と、
    Ａｌ又はＡｌを主成分とし、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むメタル導電膜を、前記透明導電膜上に直接積層して形成する工程と、
    を含む積層導電膜の製造方法。
13. 前記透明導電膜を成膜した後に、その表面にＮ_２ガス又はＯ_２ガス若しくは両方を含む大気成分ガスを主成分とするプラズマを照射する工程と、
    プラズマを照射した前記透明導電膜上に、Ａｌ又はＡｌを主成分とするメタル導電膜を成膜する工程とを含む請求項１２に記載の積層導電膜の製造方法。
14. 前記メタル導電膜は、Ａｌ又はＡｌを主成分とするメタルターゲットを用い、Ａｒ若しくはＫｒガスに少なくとも窒素原子又は酸素原子の１種類以上を含むガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法により形成される請求項１２又は１３に記載の積層導電膜の製造方法。
15. 基板上に、複数のゲート配線と、第１の絶縁膜を介して前記ゲート配線と略直交する複数のソース線と、前記ゲート線と前記ソース線との交差部近傍に形成される複数の薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続され、前記ゲート配線と前記ソース配線とに囲まれた領域に設けられる画素電極とを備えた電気光学表示装置の製造方法であって、
    透明導電膜からなる前記画素電極の透過領域を形成する工程と、
    Ａｌ又はＡｌを主成分とし、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも１種類以上を含むメタル導電膜を前記透明導電膜上に直接積層して前記画素電極の反射領域を形成する工程と、
    を含む電気光学表示装置の製造方法。
16. 前記透明導電膜を成膜した後に、その表面にＮ_２ガス又はＯ_２ガス若しくは両方を含む大気成分ガスを主成分とするプラズマを照射する工程を含む請求項１５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
17. 前記メタル導電膜は、Ａｌ又はＡｌを主成分とするメタルターゲットを用い、Ａｒ若しくはＫｒガスに少なくとも窒素原子又は酸素原子の１種類以上を含むガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法により形成される請求項１５又は１６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
18. 前記メタル導電膜を成膜した後に、前記反射領域上の膜厚が前記透過領域上の膜厚よりも厚くなるようにフォトレジストパターンを形成する工程と、
    前記フォトレジストパターンをマスクとして、前記メタル導電膜と前記透明導電膜の積層膜をエッチング除去する工程と、
    前記フォトレジストの膜厚を減じて、前記透過領域上のフォトレジストを除去して前記メタル導電膜の表面を露出させる工程と、
    膜厚を減じた前記フォトレジストをマスクとして、前記メタル導電膜のみを選択的にエッチング除去して、下層の前記透明導電膜を露出させる工程と、
    前記膜厚を全体的に減じたフォトレジストを除去する工程と、
    を含む請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の電気光学表示装置の製造方法。

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