JP2011118158A - アレイ基板および当該アレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 TFTアレイ基板の製造において、高開口率デバイスのようなアライメントルールが厳しい製品においても、マスク枚数を増やすことなく、アライメントずれによる容量起因の点欠陥が発生しないTFT構造を提供することを目的とする。
【解決手段】 第二の照射領域24よりも光量が高くて第三の照射領域25よりも光量が低い領域である第一の照射領域23と、パターン3と補助パターン10とが重畳してなす凸部11aとが重畳することにより、アライメントずれが生じても導電膜16が分断される。これにより、導電膜16からパターン形成される画素電極とソース配線9との近接による表示不良を抑制できる。
【選択図】 図7
【解決手段】 第二の照射領域24よりも光量が高くて第三の照射領域25よりも光量が低い領域である第一の照射領域23と、パターン3と補助パターン10とが重畳してなす凸部11aとが重畳することにより、アライメントずれが生じても導電膜16が分断される。これにより、導電膜16からパターン形成される画素電極とソース配線9との近接による表示不良を抑制できる。
【選択図】 図7
Description
本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)をスイッチング素子として搭載したアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。具体的には薄膜トランジスタを形成したアレイ基板に関する。
液晶表示装置(Liquid Crystal Display;以下、LCDという)は、CRTに代わるフラットパネルディスプレイのひとつとして活発に開発が行われており、特に消費電力が小さいことや薄型であるという特徴を活かしてノートブック型コンピュータ、カーナビゲーション、携帯端末などの他、TVとして実用化されている。一般に液晶を用いた電気光学素子は、お互いに対向する電極をそれぞれ備えた基板の間に液晶層が挟持され、さらに両基板の外側には偏光板が設置され、透過型のものでは背面にバックライトが設置された構造をもっている。
一般に液晶表示装置は、TFT等のスイッチング素子や配線が形成されたアレイ基板と対向基板とが液晶を封入するように貼り合わされてなる。従来からこのような液晶表示装置においては、光を効率的に表示に用いるため、画素の開口率を高める必要に迫られている。画素の開口率を高める手段としては、アレイ基板上の配線やTFTなどのように光を透過しない領域を極力小さくし、光を透過する画素電極の面積を広くするという高開口率デバイスとすることが挙げられる。
しかし、画素電極の面積を広げすぎると、画素電極と隣接するソース配線との距離が近づくため、ソース配線との間に容量が形成されてしまう。そのような意図しない容量が形成された場合、充電起因の点欠陥を発生させて表示特性を劣化させてしまうという問題が生じる。通常は、ソース配線と画素電極との間に適度な隙間を設けることにより上記の問題を回避するのだが、写真製版におけるアライメントずれが生じた場合には同様の問題が生じることになる。特に、高開口率デバイスでアライメントルールが厳しい場合は深刻な問題である。
そのような問題を解決するために、ソース配線上に絶縁膜を介して共通配線であるCS配線を形成し、さらに上層に絶縁膜を介して画素電極を形成することにより、ソース配線と画素電極との近接による容量増大を抑制するという従来技術が知られている。(特許文献1参照)
しかし、上記従来技術においては、以下のような問題がある。すなわち、共通配線であるCS配線は通常、ゲート電極やゲート配線と同時に形成するが、上記従来技術においては、ソース配線と画素電極との間の補助容量CSの増大を抑制するという目的だけのために、成膜や写真製版やエッチング追加する必要がある。そのため、生産の効率が低下し、コストも増大するという問題が生じてしまう。
本発明は、上記のような問題点を解決する為になされたもので、TFTアレイ基板の製造において、高開口率デバイスのようなアライメントルールが厳しい製品においても、マスク枚数を増やすことなく、アライメントずれによる容量起因の点欠陥が発生しないTFT構造を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の表示装置のアレイ基板の製造方法は、パターンを形成する工程と、前記パターンと重畳して凸部をなす補助パターンを形成する工程と、前記凸部を覆う導電膜を形成する工程と、前記導電膜上に、感光性レジストを塗布する工程と、少なくとも前記凸部と重なる領域を有する第一の照射領域に、第一の光量の露光を照射し、前記第一の照射領域に隣接する第二の照射領域に、第一の光量よりも低い第二の光量を照射するか、または露光せずに、前記第二の照射領域と反対方向で前記第一の照射領域に隣接する第三の照射領域に、第一の光量よりも高い第三の光量を照射するような露光工程と、前記第二の照射領域か、前記第三の照射領域のいずれか一方において、感光性レジストが除去される領域があり、他方においては感光性レジストが残存する領域があり、前記第一の照射領域と前記凸部とが重なる領域において、感光性レジストが除去される領域があるような現像を行う工程と前記感光性レジストが除去された領域の前記導電膜をエッチング除去する工程とを含むことを特徴としている。
アライメントルールが厳しい製品においても、アライメントずれによる容量起因の点欠陥が発生せず、歩留低下による損失を回避することができる。
実施の形態1
図1に非晶質シリコンを半導体層として用いたTFTアレイ基板の主要部の平面図を示す。また、図1のA−Aで示した箇所における断面図を図2に示す。さらに、図1のB−Bで示した箇所におけるTFTの断面図を図3に示す。本実施の形態における構造について、図1と図2と図3を用いて以下に説明する。
図1に非晶質シリコンを半導体層として用いたTFTアレイ基板の主要部の平面図を示す。また、図1のA−Aで示した箇所における断面図を図2に示す。さらに、図1のB−Bで示した箇所におけるTFTの断面図を図3に示す。本実施の形態における構造について、図1と図2と図3を用いて以下に説明する。
ガラス基板等の透明絶縁性基板1上にはゲート電極2と共通配線であるCS配線3とが形成されており、ゲート電極2やCS配線3を覆うようにゲート絶縁膜4が形成されている。ゲート絶縁膜4をはさんでゲート電極2と対向するようにa−Si:H(水素原子が添加されたアモルファスシリコン)膜からなる半導体層5が形成されて、半導体層5上にはn+a−Si:H膜からなるオーミックコンタクト層6が形成されている。
オーミックコンタクト層6上で対を成すように形成されるソース電極7とドレイン電極8と、ソース電極7とつながって形成されているソース配線9があり、これらソース電極7、ドレイン電極8、ソース配線9の少なくともひとつと同じレイヤに補助パターン10a、10bが形成されている。補助パターン10a、10bは、CS配線3の両側のうちソース配線9に近接する側と重なる重畳領域11a、11bを有するように形成されている。この重畳領域11a、11bは補助パターン10a、10bとCS配線3とが重畳している領域であるため、厚みとしては周囲に比べて局所的に厚くなっており、凹凸でいえば凸部ともいうべき領域ともいえる。
また、補助パターン10a、10b、ソース配線9を覆うようにして絶縁膜であるパッシベーション膜12が形成されている。パッシベーション膜12にはコンタクトホール13が開口されている。
パッシベーション膜12上には、画素電極14が形成されており、画素電極14はコンタクトホール13を介してドレイン電極8と電気的に接続する。また、画素電極14は、少なくともパッシベーション膜12を介してCS配線3と重なる領域を有することにより補助容量を形成する。
さらに、重畳領域11aをはさんで画素電極14が分断された分断領域15が形成されている。分断領域15は後で説明するが、画素電極14と同じレイヤで同時に形成されたものである。
ここで図1においては、画素電極14のパターニングの際にアライメントずれが生じたことにより、画素電極14の両側におけるCS配線3との重なる面積が均等になっていない状況を示している点に留意されたい。本来の画素電極14のパターニング領域とは、画素電極14と分断領域15とをひとつながりに見た領域を仮想し、その仮想領域が両側においてCS配線3と同じ面積で重なる位置に相当する。
しかし、図1においては、アライメントのずれによって、画素電極14とCS配線3との重なる領域が、補助パターン10bの側よりも補助パターン10aの側の方で大きくなるように画素電極14がパターニングされてしまった状況を示している。ここで、もし画素電極が分断されずに分断領域15まで画素電極14がひとつながりで延在していたとすると、ソース配線9との距離が近接するため、前述の通りソース配線と画素電極との間の容量が増大し、充電起因の点欠陥を発生させてしまう。
しかし、本実施の形態1においては、重畳領域11aにおいて画素電極14が分断されているため、分断領域15は電気的に画素電極14とつながっていない。そのため、画素電極とソース配線との間の容量はほとんど増大せず、上述の点欠陥の発生も抑制することができる。
図1に示す構造においては、画素電極のパターニングの際のアライメントがずれてしまっても、補助パターンとCS配線との重畳部において画素電極パターンが分断され、その分断領域は画素電極と電気的に分離されているので、画素電極がソース配線に近接することによる表示不良を抑制することができるという効果を奏する。
次に、図1と図2と図3に示すTFTアレイ基板の製造方法を説明する。まず透明絶縁性基板1上に第一の導電性薄膜を成膜した後、第一の写真製版工程により第一の導電性薄膜をパターニングしてゲート電極2、ゲート配線(図示せず)および補助容量電極(図示せず)を形成する。次にプラズマCVD法によりゲート絶縁膜3、a−Si:H膜、n+a−Si:H膜を連続形成した後、第二の写真製版工程によりパターニングして半導体層4およびオーミックコンタクト層5を形成する。
次にCr等からなる第二の導電性薄膜をたとえばスパッタ法により成膜する。第二の導電性薄膜の膜厚については後に説明するが一般には厚いほうが良く、代表的には200〜600nm程度あればよい。その後、第三の写真製版工程により第二の導電性薄膜をパターニングしてソース電極7、ドレイン電極8、ソース配線9、補助パターン10a、10bを形成する。ここで本発明の実施の形態においては、ソース電極7やドレイン電極8と同時に補助パターン10a、10bを形成することがポイントであり、この状況を示した平面図が図4である。
図2でも示したように補助パターン10aは、CS配線3と一部重なることにより凸部でもある重畳領域11aを形成するように配設される。ここで、重畳領域11aは局所的に周囲よりも厚みが厚い領域ということになる。補助パターン10a、10bを形成する位置は、CS配線3上に限定してもよいが、本実施の形態においてはCS配線3の片側の段差ステップ部を覆うようにして形成した。ここで、段差のステップ部とは、CS配線3の側面部であって、上面から見た場合におけるCS配線3のエッヂ部を意味する。
最終的には、この重畳領域11aにおいて画素電極14が分断されることになるため、画素電極14が分断されてもよい領域に補助パターンを形成するのがよい。図4においては、画素電極とCS配線との間にある程度の容量を形成する必要があったので、重畳領域11aをはさんで画素電極14と反対側のCS配線3の段差を覆うようにして補助パターン10aを形成している。
続いてソース電極7、ドレイン電極8をマスクとしてオーミックコンタクト層5をエッチングしてTFTを形成する。次にプラズマCVD法等によりパッシベーション膜12を成膜した後、第四の写真製版工程によりパッシベーション膜12をパターニングして、ドレイン電極8と後に形成する第三の導電性薄膜からなる画素電極14とを電気的に接続するためのコンタクトホール13、およびTCPを接続するためのコンタクトホール(図示せず)を形成する。
これ以降においては画素電極を形成するのだが、図2で示す領域と同じ箇所における断面図である図5を用いて説明を行うこととする。図5においては、コンタクトホール13を形成した後に、ITO等あるいは金属からなる第三の導電性薄膜16を成膜し、コーター等により感光性のレジスト17を膜厚1〜2μm塗布した状況を示している。ここでレジスト17は塗布の際には液状であるので、その表面は下地の段差を低減するようにやや平坦化されている。
この時点において、CS配線3近辺の高さを見た場合、図5に示すように、CS配線3が形成されていない領域よりもCS配線3の形成部の方が高いが、さらに補助パターン10aと重畳する領域11aが局所的に高くなっている。すなわち、重畳領域11aは凹凸でいえば凸部ともいえる。また、レジスト17はその表面部が概平坦な形状で塗布されている。したがって、図5からわかるように、CS配線3近傍においては、補助パターン10aとの重畳領域11aにおけるレジスト17の厚みが、CS配線3近傍において最も薄いことになる。
ここでレジスト17をコーターにより塗布した後に露光を行う。図2で示す領域と同じ箇所における断面図である図6を用いて、露光の状況を説明する。図6においては、感光性のレジスト17に対して、開口部18を有するフォトマスク19を介して光20を照射している状況を示している。図6に示す開口部18以外で黒く着色している領域は、光を透過しない遮光部である。なお、ここでは、光20を照射した領域のレジスト17が後の現像によって除去されるものとして説明を行う。すなわち、ポジ型の感光性レジストを念頭においている。
図6においては開口部18に対応する開口位置21に加えて本来の開口位置22も示している。もしフォトマスク19の開口部18が本来の開口位置22に位置した状態で露光を行った場合、第3の導電性薄膜16は所望の位置でパターニングされるので、ソース配線9との近接による補助容量の増大は生じない。
図6においては、本実施の発明の効果について説明するために、図1や図2と対応するアライメントずれが生じたとして、フォトマスク19の開口部18が開口位置21にずれたものとして説明する。すなわち、図6に示すようにフォトマスク19の開口部18が開口位置21に対応した露光が行われる場合、補助パターン10aがある方の画素電極においてソース配線9との近接領域が生成されてしまうことになる。
なお、ここで、露光については光量と照射領域との関係につき詳細な説明を行う必要があるのだが、露光照射後のレジストを除去する現像工程後におけるレジスト残存状況と比較して説明したほうがわかりやすいので、現像後の説明に際して後述することとする。
図5に示す露光を行った後に、現像を行う。現像後の状況を図7に示す。図7も、図2で示す領域と同じ箇所における断面図である。図7で示す開口部18においてはレジスト17を完全に除去できるだけの光量が露光照射されているためレジスト17は残存していない。それに加えて、重畳領域11aにおいてもレジスト17は残存していない。以下、その理由について説明する。
開口部18の近傍、図7ではたとえば補助パターン10a上部などにおいては、現像後においてもレジスト17は残存してはいるものの、その厚みは少し減少している。実はフォトマスク19の開口部18近傍においては、開口部18ほどではないが回折により染み出した光が若干照射されてしまうという現象がある。そのため、開口部18の近傍においても現像工程によりレジスト17は若干その厚みを減じることとなるのである。尤も、開口部18ではないので通常の場合であれば現像後においてもレジスト自体は残存する。
しかし、本実施の形態においては、CS配線3の段差のステップ部を覆うようにして補助パターン10aを形成している。そのため、CS配線3と補助パターン10aとの重畳領域11aにおけるレジスト17の厚みは局所的に薄くなっている。レジストを露光してパターンを形成する際の最適露光エネルギー Eopはレジスト膜厚により変化することから、膜厚の異なる場所で最適エネルギー Eopは異なっている。レジストを消失させるために必要な閾値露光エネルギー EthはEopよりも低い値であり、同様にレジスト膜厚により変化する値である。したがって、重畳領域11aにおける膜厚が薄いレジストを消失させるために必要な露光エネルギーも低くてすむことになる。
そのため、重畳領域11a上であって、かつ、開口部18近傍の領域にあるレジスト17は後の現像により除去されるのである。いいかえれば、重畳領域11aにおけるレジスト17の薄さと、開口部18近傍の回折による低い光量の照射とがあいまって、重畳領域11aにおいてはレジスト17を完全に除去できるだけの光量が照射されることになるのである。
このことをより詳しく説明するために、回折光が照射される領域を第一の照射領域23、露光が照射されない領域を第二の照射領域24、開口部18を介して露光される領域を第三の照射領域25とする。各照射領域は図6に示すように隣接しており、第三の照射領域25ではレジスト17が除去されるが、第二の照射領域24においてはレジスト17が残存している。ここで、第一の照射領域23においては第一の光量が、第二の照射領域24においては第二の光量が、第三の照射領域においては、第三の光量が照射される。また、照射される光量の高い順から列挙すると、第三の光量、第一の光量、第二の光量の順となる。さらに、第二の光量は実質ゼロ、つまり照射しなくてもよい。
図7のようにアライメントがずれた場合においても重畳領域11aにおいてレジスト17が除去される領域が生じるためには、重畳領域11aと第一の照射領域23との間に重なる領域があることが必要であり、その重なる領域においてレジスト17は除去されることになる。
また、レジスト17を残すべき箇所に残す一方で、第一の照射領域23と重畳領域11aとの重畳部におけるレジスト17を確実に除去するためには、レジストの厚みのめりはりをつけることが望ましい。すなわち、重畳領域11a上でのレジストの厚みと、それ以外の領域でのレジストの厚みとの比が小さくなるようにすればよい。そのためには、第二の導電性薄膜である補助パターン10a、10bの膜厚を厚くし、レジスト17の厚みをなるべく薄くすることが望ましく、補助パターンの厚みとレジストの厚みとの比は少なくとも0.2以上あることが望ましい。
さらに、開口部18近傍から回折により染み出した光を利用するということは、第一の光量に影響するという点で、開口部18の開口端と補助パターン10aとの距離も問題となる。本実施の形態1においては、重畳領域11とその周辺領域とのレジスト膜厚の差が300nmである場合に計算したところ、上記の距離は0.2μm以下となった。なお、この値は、露光装置やレジストの種類などで変わるので適宜調整が必要である。
図7に示す現像処理の後は、第3の導電膜についてレジスト17で被覆されていない導電膜をエッチングする。エッチング後にレジスト17を除去した状況については既に図2で示している。図2において、補助パターン10aのある側でソース配線9に近接する領域に分断領域15が形成されているが、重畳領域11aにおいて画素電極14のパターンとは分断されている。したがって、ソース配線と画素電極との近接による点欠陥発生を低減することができる。以上の工程によりTFTがマトリクス上に配列形成されたTFTアレイ基板が形成される。このようにして得られたアレイ基板と対向基板とを貼り合わせることにより液晶が封入されるようにして、液晶表示装置を製造することもできる。
実施の形態2
CS配線と補助パターンとが重なる部分と、露光の光量を変えた第一の照射領域23との間に重畳領域を形成することを実現するため、実施の形態1においては、フォトマスク19の開口部18近傍における回折光を用いた。しかし、回折光についてはたとえば開口部からの距離に応じた光量の分布について制御することは困難である。そこで、あらかじめ所望の光強度を調整できるような光透過率を有するハーフトーンやグレイトーンが形成されたフォトマスクを用いることにより、同様の効果を奏することが可能である。すなわち、図7における第一の照射領域23に相当する位置にハーフトーンやグレイトーンを形成したフォトマスクを用いることにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。さらに、実施の形態1よりも露光の光量の制御をより精密に行えるという効果も奏する。
CS配線と補助パターンとが重なる部分と、露光の光量を変えた第一の照射領域23との間に重畳領域を形成することを実現するため、実施の形態1においては、フォトマスク19の開口部18近傍における回折光を用いた。しかし、回折光についてはたとえば開口部からの距離に応じた光量の分布について制御することは困難である。そこで、あらかじめ所望の光強度を調整できるような光透過率を有するハーフトーンやグレイトーンが形成されたフォトマスクを用いることにより、同様の効果を奏することが可能である。すなわち、図7における第一の照射領域23に相当する位置にハーフトーンやグレイトーンを形成したフォトマスクを用いることにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。さらに、実施の形態1よりも露光の光量の制御をより精密に行えるという効果も奏する。
ここで、アレイ基板において現像後に不要なレジストが除去されるために必要な露光時間を必要最短露光時間と呼ぶことにする。必要最短露光時間とは、レジストを除去すべき領域の中で最も膜厚の厚いレジストさえも現像によって除去されるために必要な露光時間とも言いかえられる。この場合、第一の照射領域23における第一の光量に影響するハーフトーンやグレイトーンにおける光透過率は、その必要最短露光時間内に、重畳領域11上の薄いレジストが現像で除去されるのに必要な光量を照射できるだけの光透過率以上である必要がある。
一方で、補助パターン10aやCS配線3上であっても重畳領域11以外の領域でレジストを残存させたい領域が第一の照射領域23と重なった場合であっても、現像によってレジストが除去されないようにするのがのぞましい。この場合、補助パターンやCS配線上であっても重畳領域11以外の領域におけるレジストが現像で除去されてしまうだけの光量が照射されないように、ハーフトーンやグレイトーンの光透過率の上限値を設定する必要がある。すなわち、ハーフトーンやグレイトーンの光透過率の下限値は必要最短露光時間から決まり、上限値は露光時間や重畳領域11以外におけるレジスト膜厚などから決まる。
実施の形態3.
実施の形態1や2では、ソース電極7やドレイン電極8と同じレイヤである補助パターン10とCS配線3との重なりによって重畳領域11を形成していた。ここで、重畳領域11はその高さが高いほど分断領域15の分断を確実に行う効果が増す。そこで、本実施の形態3においては、補助パターン10だけでなく、半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6も積層することによってより高い重畳領域11を形成することを特徴としている。
実施の形態1や2では、ソース電極7やドレイン電極8と同じレイヤである補助パターン10とCS配線3との重なりによって重畳領域11を形成していた。ここで、重畳領域11はその高さが高いほど分断領域15の分断を確実に行う効果が増す。そこで、本実施の形態3においては、補助パターン10だけでなく、半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6も積層することによってより高い重畳領域11を形成することを特徴としている。
図8に、本実施の形態3に係るTFTアレイ基板の断面図を示す。実施の形態1においては、CS配線3と補助パターン10との重なりにより重畳領域11が形成されていたが、本実施の形態3では、CS配線3と補助パターン10だけでなく半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6も積層されている。
図8のように半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6を形成するには、図3に示すTFTにおける半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6とを第二の写真製版によりパターニング形成する際に同時に形成すればよい。つまり、第二の写真製版において実施の形態1と異なる露光マスクを用いることにより、本実施の形態3に係るTFTアレイ基板を得ることができる。
また、実施の形態1では、ゲート絶縁膜4と半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6とを一括して成膜した後に第二の写真製版工程により半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6とをパターニング形成したが、以下の方法を用いてもよい。すなわち、たとえば、特開2001−339072号公報に示されるように、ゲート絶縁膜4と半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6と第二の導電性薄膜とを一括して成膜した後に、第二の写真製版工程においてグレイトーン等を用いてTFTのソース電極7とドレイン電極8との間のレジスト膜厚が薄くなるように形成することにより、写真製版工程のマスク枚数を減らした製法を用いても良い。この製法を用いた場合、補助パターン10の下層には必然的に半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6とが積層されるため、意図せずとも実施の形態3の構成をとることになる。
実施の形態4.
実施の形態1や実施の形態2や実施の形態3においては、現像後に十分に分断箇所のレジスト厚みを薄くすることが可能であるが、その後にレジストのアッシング処理を追加することでより確実に重畳領域11aでのレジスト厚みを薄く制御することが可能である。本実施の形態4においては、実施の形態1や実施の形態2や実施の形態3における現像工程後に、酸素を含んだガスを導入させて行うプラズマ処理、たとえばアッシング処理を行うことを特徴とする。これにより、レジストの厚みを全体的に薄くすることができるので、重畳領域11aとそれ以外の領域のレジストの厚みの比を小さくでき、引き続いて行われる第三の導電性薄膜のエッチングによる重畳領域11aにおけるレジストの除去や、画素電極14と分断領域15との分断をより確実にできるという効果を奏する。
実施の形態1や実施の形態2や実施の形態3においては、現像後に十分に分断箇所のレジスト厚みを薄くすることが可能であるが、その後にレジストのアッシング処理を追加することでより確実に重畳領域11aでのレジスト厚みを薄く制御することが可能である。本実施の形態4においては、実施の形態1や実施の形態2や実施の形態3における現像工程後に、酸素を含んだガスを導入させて行うプラズマ処理、たとえばアッシング処理を行うことを特徴とする。これにより、レジストの厚みを全体的に薄くすることができるので、重畳領域11aとそれ以外の領域のレジストの厚みの比を小さくでき、引き続いて行われる第三の導電性薄膜のエッチングによる重畳領域11aにおけるレジストの除去や、画素電極14と分断領域15との分断をより確実にできるという効果を奏する。
以上、実施の形態1〜4について説明したが、その形態は発明の効果を奏する限り、適宜変更することは可能である。たとえば、本発明の効果と直接関係しないのであれば、適宜マスク枚数を増やしてもかまわない。たとえば、反射画素電極を追加することにより半透過型液晶表示デバイスに適用することも可能である。
また、本実施の形態においては、ポジ型の感光レジストを用いた形態につき説明したが、露光照射有無や光量の大小関係を逆にしてネガ型の感光レジストを用いてもよい。
1 絶縁性基板、2 ゲート電極配線、3 CS配線、
4 ゲート絶縁膜、5 半導体能動膜、6 オーミックコンタクト膜、
7 ソース電極、8 ドレイン電極、9 ソース配線、
10 補助パターン、11 重畳領域、
12 層間絶縁膜、13 コンタクトホール、
14 画素透過電極、15 分断領域、16 第三の導電膜、17 レジスト、
18 開口部、19 フォトマスク、20 光、21 開口位置、
22 本来の開口位置、
23 第一照射領域、24 第二照射領域、25 第三照射領域
4 ゲート絶縁膜、5 半導体能動膜、6 オーミックコンタクト膜、
7 ソース電極、8 ドレイン電極、9 ソース配線、
10 補助パターン、11 重畳領域、
12 層間絶縁膜、13 コンタクトホール、
14 画素透過電極、15 分断領域、16 第三の導電膜、17 レジスト、
18 開口部、19 フォトマスク、20 光、21 開口位置、
22 本来の開口位置、
23 第一照射領域、24 第二照射領域、25 第三照射領域
Claims (7)
- パターンを形成する工程と、
前記パターンと重畳して凸部をなす補助パターンを形成する工程と、
前記凸部を覆う導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上に、感光性レジストを塗布する工程と、
少なくとも前記凸部と重なる領域を有する第一の照射領域に、第一の光量の露光を照射し、
前記第一の照射領域に隣接する第二の照射領域に、第一の光量よりも低い第二の光量を照射するか、または露光せずに、
前記第二の照射領域と反対方向で前記第一の照射領域に隣接する第三の照射領域に、第一の光量よりも高い第三の光量を照射するような露光工程と、
前記第二の照射領域か、前記第三の照射領域のいずれか一方において、感光性レジストが除去される領域があり、他方においては感光性レジストが残存する領域があり、前記第一の照射領域と前記凸部とが重なる領域において、感光性レジストが除去される領域があるような現像を行う工程と
前記感光性レジストが除去された領域の前記導電膜をエッチング除去する工程と
を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。 - 前記第三の照射領域が露光マスクの開口部に相当し、
前記第二の照射領域が前記露光マスクの遮光部に相当し、
前記第一の照射領域が前記露光マスクの前記遮光部における前記開口部近傍に相当することを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。 - 露光マスクにおいて、前記第一の照射領域に相当する領域が、前記第二の照射領域よりも光透過率が高く、前記第三の照射領域よりも光透過率が低いことを特徴とする請求項1に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記現像の後であって、前記感光性レジストが除去された領域の前記導電膜をエッチング除去する工程の前に、アッシングを行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のアレイ基板の製造方法。
- 感光性レジストの塗布により、前記凸部による段差が減少することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のアレイ基板の製造方法。
- パターンと、
前記パターンと重畳して凸部を形成する補助パターンと、
前記凸部の少なく一部上に形成される導電膜と、を備え、
前記導電膜は前記凸部において分断されている領域を含むことを特徴とするアレイ基板。 - 前記パターンは、ゲート配線と同レイヤに形成される共通配線であり、
前記補助パターンは、ソース電極やドレイン電極と同じレイヤに形成されており、
前記導電膜は、画素電極であることを特徴とする請求項6に記載のアレイ基板。
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