CN114171379A - 过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 128
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 347
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本申请提供了一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置，所述过孔的制作方法包括：提供一衬底基板，衬底上包括第一金属层和绝缘层，绝缘层设置于第一金属上；在绝缘层上方提供刻蚀辅助层，刻蚀辅助层的刻蚀速率大于绝缘层的刻蚀速率；在刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；采用干刻工艺刻蚀该刻蚀辅助层和绝缘层，形成过孔，第一金属层显露于过孔，过孔用于绝缘层上的第二金属和第一金属的搭接。本申请通过在绝缘层的上方形成一层刻蚀辅助层，通过设置刻蚀辅助层的刻蚀速率小于绝缘层的刻蚀速率，防止对应过孔深处的绝缘层新的物质的生成，从而可以避免过孔形成陡峭的坡度角，通过对过孔角度的控制。
Description
技术领域
本申请涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置。
背景技术
在阵列基板的制作过程中，不同金属膜层之间的搭接一般需要通过在金属膜层之间绝缘膜层中制作过孔实现，目前过孔的制作通常采用烧光阻法，对比不同的CD Loss，其浅孔的倾斜角(Taper)有明显差异，可以通过配方比例(recipe tuning)控制气体中氧气的比例，做到有效控制，但是对于深孔的部分，Taper变化没却不明显，从而形成一种较陡的Taper，导致过孔倾斜角度较难控制，从而最终可能导致显示面板局部色偏严重。
发明内容
本申请提供一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置，以解决过孔倾斜角度较难控制的问题。
一方面，本申请提供一种过孔的制作方法，所述方法包括：
提供一衬底基板，所述衬底上包括第一金属层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属上；
在所述绝缘层上方提供刻蚀辅助层，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；
在所述刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；
采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔，所述第一金属层显露于所述过孔，所述过孔用于所述绝缘层上的第二金属和所述第一金属的搭接。
在本申请一种可能的实现方式中，所述采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔的步骤之后，还包括：
采用酸性刻蚀液刻蚀所述过孔的内侧壁，以使所述过孔的内侧壁由靠近所述衬底的一端朝向远离所述衬底的一端平滑过渡。
在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层形成于所述绝缘层背向所述第一金属层的表面。
在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层形成于所述掩膜版朝向所述绝缘层的表面。
在本申请一种可能的实现方式中，所述绝缘层至少包括第一子绝缘和第二子绝缘层；
所述提供一衬底基板的步骤，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一金属层；
在所述刻蚀辅助层朝向所述第一金属层的一面形成第一子绝缘层；
在所述第一子绝缘层背向所述刻蚀辅助层的一面形成第二子绝缘层，所述第二子绝缘层的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层的刻蚀速率。
在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层采用氮氧化硅材料制成，所述第一子绝缘层采用氮化硅材料制成，所述第二子绝缘层采用氧化硅材料制成。
在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。
另一方面，本申请还提供一种显示装置，包括所述过孔的制作方法形成的阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
第一金属层，设置于所述衬底上；
绝缘层，设置于所述第一金属层上；
刻蚀辅助层，设置于所述绝缘层上，所述刻蚀辅助层上设有过孔，所述过孔贯穿所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，所述第一金属层设置显露于所述过孔，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；
第二金属层，设置于所述刻蚀辅助层上，所述第二金属层位于所述过孔与所述第一金属层连接。
另一方面，本申请还提供一种掩膜版，用于所述的过孔的方法中，所述掩膜版用于待刻蚀膜层上方，所述待刻蚀膜层包括绝缘层，所述掩膜版包括：
光刻掩膜层，设有掩膜开口；
刻蚀辅助层，设置于所述光刻掩膜层朝向所述绝缘层的一面，所述刻蚀辅助层覆盖所述掩膜开口。
在本申请一种可能的实现方式中，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。
本申请提供的一种过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置，所述过孔的制作方法包括在所述绝缘层上方提供刻蚀辅助层，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；在所述刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔，所述第一金属层显露于所述过孔；在所述刻蚀辅助层、所述过孔内以及所述第一金属层上形成第二金属层。通过在制作绝缘层的过孔时，在绝缘层的上方形成一层刻蚀辅助层，由于刻蚀辅助层设置为过孔深处的侧壁，绝缘层对应设置于所述过孔浅处的侧壁，即刻蚀辅助层靠近过孔的开口处设置，绝缘层远离所述过孔的开口处设置，通过设置刻蚀辅助层的刻蚀速率小于绝缘层的刻蚀速率，从而防止对应过孔深处的绝缘层新的物质的生成，从而可以避免过孔形成陡峭的坡度角，从而可以通过对过孔角度的控制，进而有利于提高产品的良率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的过孔的制作方法的流程示意图。
图2为本申请又一实施例提供的过孔的制作方法的流程示意图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的过孔的膜层结构示意图。
图5为本申请又一实施例提供的过孔的膜层结构示意图。
图6为本申请又一实施例提供的过孔的膜层结构示意图。
图7为本申请实施例提供的掩膜版的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供的过孔的制作方法、掩膜版以及显示装置，以下分别进行详细介绍。
在阵列基板的制作过程中，不同金属膜层之间的搭接一般需要通过过孔实现，目前过孔的制作通常采用烧光阻法，但是对于深孔的部分刻蚀速率不易控制，最终导致过孔容易形成一种较陡的Taper，导致过孔倾斜角度较难控制，从而最终可能导致显示面板局部色偏严重。发明人发现，造成这种现象的根本原因是，孔蚀刻伴随着侧壁保护基理，深孔时刻深度大，侧壁部分一直有新的生成物，不断地重新产生，又不断地被等离子(plasma)消耗。
为了解决上述问题，请参考图1-图7，本申请实施例首先提供一种过孔的制作方法，其应用于基板的制备中，其中，所述基板可以是TFT(薄膜晶体管)基板。请结合图1和图3所示，所述过孔的制作方法包括以下步骤S101-S104。
S101、提供一衬底基板400，所述衬底上包括第一金属层300和绝缘层200，所述绝缘层200设置于所述第一金属上。
其中，衬底可以为柔性衬底或硬质衬底，示例性低，柔性衬底层可以采用聚酰亚胺(Polyimide，PI)形成，硬质衬底可以为玻璃等硬质材料。衬底可以是单层或多层结构，在此不做特殊限定。
所述第一金属层300设置于所述衬底上。其中，第一金属层300可以是遮光层、用于形成源漏极金属层或用于与阴极搭接的辅助电极层等需要通过该过孔10与其他金属层搭接的金属膜层。
所述绝缘层200设置于所述第一金属层300上。具体地，绝缘层200形成于第一金属层300和第二金属层500之间，用于防止第一金属层300和第二金属层500之间短路。其中，绝缘层200可以是单层结构，也可以是多层结构。绝缘层200具体可以是钝化层(PV层)或平坦化层(PLN层)等需要形成过孔10的绝缘膜层，在此不做具体限定。
S102、在所述绝缘层200上方提供刻蚀辅助层100，所述刻蚀辅助层100的刻蚀速率大于所述绝缘层200的刻蚀速率。
在一些实施例中，所述刻蚀辅助层100形成于所述绝缘层200背向所述第一金属层300的表面。通过将刻蚀辅助层100形成于所述绝缘层200的表面，从而使得刻蚀时，可以避免所述刻蚀辅助层100和所述绝缘层200之间形成间隙，更加稳定地控制刻蚀速率，从而可以更加稳定地控制过孔10的倾斜角(Taper)角度。
S103、在所述刻蚀辅助层100上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案。
在一些实施例中，所述刻蚀辅助层100形成于所述掩膜版朝向所述绝缘层200的表面。通过将刻蚀辅助层100形成于所述掩膜版上，从而可以在不增加绝缘层200膜厚的前提下，实现过孔10倾斜角(Taper)角度控制。
S104、采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层100和所述绝缘层200，形成过孔10，所述第一金属层300显露于所述过孔10。
其中，所述过孔10用于所述绝缘层200上的第二金属和所述第一金属的搭接。
本申请实施例的过孔的制作方法通过在制作绝缘层200的过孔10时，在绝缘层200的上方形成一层刻蚀辅助层100，由于刻蚀辅助层100设置为过孔10深处的侧壁，绝缘层200对应设置于所述过孔10浅处的侧壁，即刻蚀辅助层100靠近过孔10的开口处设置，绝缘层200远离所述过孔10的开口处设置，通过设置刻蚀辅助层100的刻蚀速率小于绝缘层200的刻蚀速率，从而防止对应过孔10深处的绝缘层200新的物质的生成，从而可以避免过孔10形成陡峭的坡度角，从而可以通过对过孔10角度的控制，进而有利于提高产品的良率。
在一些实施例中，所述绝缘层200至少包括第一子绝缘层201和第二子绝缘层202。请参考图2和图3，对应地，所述步骤S101、提供一衬底基板400的步骤，包括以下步骤S11-S14。
S11、提供一衬底。
其中，衬底可以是刚性衬底，也可以是柔性衬底，示例性地，所述衬底可以为玻璃衬底或PI(聚亚酰胺)衬底等，在此不做具体限制。
S12、在所述衬底上形成第一金属层300。
其中，金属层300可以是用于形成遮光层、栅极层、电容极板或公共电极等TFT或驱动电路等中的金属膜层。
S13、在所述刻蚀辅助层100朝向所述第一金属层300的一面形成第一子绝缘层201。
S14、在所述第一子绝缘层201背向所述刻蚀辅助层100的一面形成第二子绝缘层202，所述第二子绝缘层202的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层201的刻蚀速率。
其中，所述第一子绝缘层201为靠近所述刻蚀辅助层100的绝缘层200，所述第一子绝缘层201和所述第二子绝缘层202可以是同一绝缘层200，也可以是不同绝缘层200，例如为相邻绝缘层200，示例性地，所述第一子绝缘层201和所述第二子绝缘层202可以同为位于源漏极金属层上方的钝化层或者所述第一子绝缘层201和所述第二子绝缘层202也可以同为平坦化层；当然，也可以是所述第一子绝缘为钝化层，所述第二子绝缘层202为设置于钝化层表面的平坦化层等等，在此不做具体限制。
通过设置第一子绝缘层201和所述第二子绝缘层202，且所述第二子绝缘层202的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层201的刻蚀速率，其中，刻蚀辅助层100的刻蚀速率效率所述第一子绝缘层201的刻蚀速率，从而可以使得所述过孔10形成类似螺纹过孔10，所述过孔10的横截面可以呈类似“工”字型结构，以此控制过孔10的倾斜角(Taper)的角度。
其中，在一些实施例中，所述刻蚀辅助层100采用氮氧化硅(SiONx)材料制成，所述第一子绝缘层201采用氮化硅(SiNx)材料制成，所述第二子绝缘层202采用氧化硅(SiOx)材料制成。
可以理解，所述绝缘层200还可以包括第三绝缘层200和第四绝缘层200，所述S14、在所述第一子绝缘层201背向所述第一子绝缘层201的一面形成第二子绝缘层202的步骤之后，还可以包括以下步骤S15-S16：
S15、在所述第二子绝缘层202背向所述第一子绝缘层201的一面形成第三子绝缘层203。
S16、在所述第三子绝缘层203背向所述第二子绝缘层202的一面形成第四子绝缘层204，所述第四子绝缘层204的刻蚀速率大于所述第三子绝缘层203的刻蚀速率。
其中，所述第一子绝缘层201和所述第三子绝缘层203可以采用相同的材料，所述第二子绝缘层202和所述第四子绝缘层204可以采用相同的材料。示例地，所述第一子绝缘层201和所述第三子绝缘层203可以均采用氧化硅材质，所述第一子绝缘层201和所述第三子绝缘层203可以均采用氮化硅材质。
其中，所述第一子绝缘层201和第二子绝缘层202、所述第三绝缘层200和第四绝缘层200可以属于同一膜层，也可以属于相邻膜层，示例地，所述第一子绝缘层201和所述第二子绝缘层202为钝化层，所述第三绝缘层200和所述第四绝缘层200为平坦化层，或者所述第一子绝缘层201、所述第二子绝缘层202、所述第三绝缘层200和所述第四绝缘层200均属于平坦化层。
通过所述第一子绝缘、所述第二子绝缘、所述第三子绝缘以及第四子绝缘
在一些实施例中，所述步骤S104、采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层100和所述绝缘层200，形成过孔10的步骤之后，还包括以下步骤S105。
S105、采用湿刻工艺刻蚀所述过孔10的内侧壁，以使所述过孔10的内侧壁由靠近所述衬底的一端朝向远离所述衬底的一端平滑过渡。
其中，湿刻工艺具体可以采用酸性刻蚀液刻蚀工艺。由于过孔10用于第二金属层500和第一金属层300的搭接，即第二金属会覆盖于所述过的内壁，金属硬度大，延展性差，容易与过孔10内壁之间形成间隙，通过进一步刻蚀所述过孔10的内壁，对过孔10内壁进行平滑处理，防止第二金属层500与过孔10侧壁之间形成空隙导致第二金属层500吸收电子/空穴，从而防止第二金属层500的电荷累积，造成静电释放而导致绝缘层200被炸穿，从而可以有效防止TFT器件短路。
具体地，在一些实施例中，所述步骤S105之后，还可以包括以下步骤S106：
S106、在所述刻蚀辅助层100、所述过孔10内以及所述第一金属层300上形成第二金属层500。
在一些实施例中，所述刻蚀辅助层100的膜层厚度范围为30nm-50nm。示例性地，所述刻蚀辅助层100的膜层厚度可以是30nm，40nm或50nm等，通过将刻蚀辅助层100的厚度设置在合理的范围内，从而便于实现所述过孔10Taper角度的控制，也可以将绝缘层200的厚度控制在合理的范围内，有利于阵列基板轻薄化的实现。
为了更好地实施本申请的过孔的制作方法，本申请还提供一种显示装置，如图3-图6所示，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板400、第一金属层300、绝缘层200、刻蚀辅助层100以及第二金属层500。
其中，衬底基板400可以为柔性衬底基板或硬质衬底基板，示例性低，柔性衬底基板层可以采用聚酰亚胺(Polyimide，PI)形成，硬质衬底基板可以为玻璃等硬质材料。衬底基板可以是单层或多层结构，在此不做特殊限定。
第一金属层300设置于所述衬底基板400上。其中，第一金属层300可以是用于有源层遮光的遮光层、用于形成源漏极金属层或用于与阴极搭接的辅助电极层等需要通过该过孔10与其他金属层搭接的金属膜层。
绝缘层200设置于所述第一金属层300上。具体地，绝缘层200形成于第一金属层300和第二金属层500之间，用于防止第一金属层300和第二金属层500之间短路。其中，绝缘层200可以是单层结构，也可以是多层结构。绝缘层200具体可以是钝化层或平坦化层等需要形成过孔10的绝缘膜层，在此不做具体限定。
刻蚀辅助层100设置于所述绝缘层200上，所述刻蚀辅助层100上设有过孔10，所述过孔10贯穿所述刻蚀辅助层100和所述绝缘层200，所述第一金属层300设置显露于所述过孔10，所述刻蚀辅助层100的刻蚀速率大于所述绝缘层200的刻蚀速率。其中，刻蚀辅助层100可以是透光膜层，也可以是不透光膜层，在此不做具体限制。
第二金属层500设置于所述刻蚀辅助层100上，所述第二金属层500位于所述过孔10与所述第一金属层300连接。所述第二金属层500是与第一金属层300搭接的金属膜层，所述第二金属层500可以是源漏极金属层、阳极层、公共电极层或阴极层等，在此不做具体限制。示例性地，当所述第一金属层300为源漏极金属层时，对应地，所述第二金属层500可以为阳极层；当所述第一金属层300为辅助电极层时，对应地，所述第二金属层500可以为阴极层。
本申请实施例的显示装置通过在阵列基板的绝缘层200形成过孔10时，在绝缘层200的上方形成一层刻蚀辅助层100，由于刻蚀辅助层100设置为过孔10深处的侧壁，绝缘层200对应设置于所述过孔10浅处的侧壁，即刻蚀辅助层100靠近过孔10的开口处设置，绝缘层200远离所述过孔10的开口处设置，通过设置刻蚀辅助层100的刻蚀速率小于绝缘层200的刻蚀速率，从而防止对应过孔10深处的绝缘层200新的物质的生成，从而可以避免过孔10形成陡峭的坡度角，从而可以通过对过孔10角度的控制，进而有利于提高产品的良率。
如图4所示，所述绝缘层200至少包括第一子绝缘层201和第二子绝缘层202，所述第一子绝缘层201设置于所述刻蚀辅助层100朝向所述第一金属层300的一面。所述第二子绝缘层202设置于所述第一子绝缘层201背向所述刻蚀辅助层100的一面，所述第二子绝缘层202的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层201的刻蚀速率。通过设置第一子绝缘层201和所述第二子绝缘层202，且所述第二子绝缘层202的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层201的刻蚀速率，其中，刻蚀辅助层100的刻蚀速率效率所述第一子绝缘层201的刻蚀速率，从而可以使得所述过孔10形成类似螺纹过孔10，所述过孔10的横截面可以呈类似“工”字型结构，以此控制过孔10的倾斜角(Taper)的角度。
如图6所示，在一些实施例中，所述过孔10的内侧壁由靠近所述衬底基板400的一端朝向远离所述衬底基板400的一端平滑过渡。由于过孔10用于第二金属层500和第一金属层300的搭接，即第二金属会覆盖于所述过的内壁，金属硬度大，延展性差，容易与过孔10内壁之间形成间隙，通过进一步刻蚀所述过孔10的内壁，对过孔10内壁进行平滑处理，防止第二金属层500与过孔10侧壁之间形成空隙导致第二金属层500吸收电子/空穴，从而防止第二金属层500的电荷累积，造成静电释放而导致绝缘膜层被炸穿，从而可以有效防止TFT器件短路。
具体地，本申请实施例对于所述显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备(如智能手环、智能手表等)、手机、虚拟现实设备、增强现实设备、车载显示、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
为了更好地实施本申请的过孔的制作方法，本申请还提供一种掩膜版600，如图7所示，用于所述的过孔的制作方法中，所述掩膜版600用于待刻蚀膜层上方，所述待刻蚀膜层包括绝缘层200，所述掩膜版600包括光刻掩膜层601以及刻蚀辅助层100。
光刻掩膜层601设有掩膜开口602，其中掩膜开口602用于使得光刻胶曝光、显影，从而形成光刻图案。其中，光刻掩膜层601可是半色调掩膜层，对应地，掩膜开口602可以是全透光开口和/或半透光开口，示例性地，掩膜开口601可有多个，可以均为全透光开口，也可以部分为全透光开口，部分为半透光开口等，对此本实施不做具体限制。
刻蚀辅助层100设置于所述光刻掩膜层601朝向所述绝缘层200的一面，所述刻蚀辅助层100覆盖所述掩膜开口602。
本申请实施例的掩膜版600通过在制备阵列基板的绝缘层200的过孔10时，在绝缘层200的上方形成一层刻蚀辅助层100，由于刻蚀辅助层100设置为过孔10深处的侧壁，绝缘层200对应设置于所述过孔10浅处的侧壁，即刻蚀辅助层100靠近过孔10的开口处设置，绝缘层200远离所述过孔10的开口处设置，通过设置刻蚀辅助层100的刻蚀速率小于绝缘层200的刻蚀速率，从而防止对应过孔10深处的绝缘层200新的物质的生成，从而可以避免过孔10形成陡峭的坡度角，从而可以通过对过孔10角度的控制，进而有利于提高产品的良率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制作方法、掩膜版600以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请实施例的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种过孔的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板，所述衬底上包括第一金属层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一金属上；
在所述绝缘层上方提供刻蚀辅助层，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；
在所述刻蚀辅助层上提供掩膜版，采用曝光、显影工艺形成光刻图案；
采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔，所述第一金属层显露于所述过孔，所述过孔用于所述绝缘层上的第二金属和所述第一金属的搭接。
2.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述绝缘层至少包括第一子绝缘和第二子绝缘层；
所述提供一衬底基板的步骤，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一金属层；
在所述刻蚀辅助层朝向所述第一金属层的一面形成第一子绝缘层；
在所述第一子绝缘层背向所述刻蚀辅助层的一面形成第二子绝缘层，所述第二子绝缘层的刻蚀速率大于所述第一子绝缘层的刻蚀速率。
3.根据权利要求2所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层采用氮氧化硅材料制成，所述第一子绝缘层采用氮化硅材料制成，所述第二子绝缘层采用氧化硅材料制成。
4.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述采用干刻工艺刻蚀所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，形成过孔的步骤之后，还包括：
采用湿刻工艺刻蚀所述过孔的内侧壁，以使所述过孔的内侧壁由靠近所述衬底的一端朝向远离所述衬底的一端平滑过渡。
5.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层形成于所述绝缘层背向所述第一金属层的表面。
6.根据权利要求1所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层形成于所述掩膜版朝向所述绝缘层的表面。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的过孔的制作方法，其特征在于，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。
8.一种掩膜版，其特征在于，用于如权利要求1所述的过孔的制作方法中，所述掩膜版用于待刻蚀膜层上方，所述待刻蚀膜层包括绝缘层，所述掩膜版包括：
光刻掩膜层，设有掩膜开口；
刻蚀辅助层，设置于所述光刻掩膜层朝向所述绝缘层的一面，所述刻蚀辅助层覆盖所述掩膜开口。
9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述刻蚀辅助层的膜层厚度范围为30nm-50nm。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的过孔的制作方法形成阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
第一金属层，设置于所述衬底上；
绝缘层，设置于所述第一金属层上；
刻蚀辅助层，设置于所述绝缘层上，所述刻蚀辅助层上设有过孔，所述过孔贯穿所述刻蚀辅助层和所述绝缘层，所述第一金属层设置显露于所述过孔，所述刻蚀辅助层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率；
第二金属层，设置于所述刻蚀辅助层上，所述第二金属层位于所述过孔与所述第一金属层连接。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115831764A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-03-21 | 成都海光集成电路设计有限公司 | 一种基板中过孔的制作方法、基板及芯片 |
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2021
- 2021-12-08 CN CN202111493546.1A patent/CN114171379A/zh active Pending
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